JP5352131B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、半導体基板の受光部形成面に保護部材を有する半導体装置の製造方法に関する。

ＣＣＤセンサ等の固体撮像素子（半導体装置）は、ウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＣＳＰ）を用いている。この固体撮像素子は、受光部が設けられたイメージセンサチップと、受光部を覆って保護するカバーガラスと、イメージセンサチップとカバーガラスとの間に配置されるスペーサーとから構成されている（例えば、特許文献１参照）。

また、このような固体撮像素子の一般的な製造工程は、ウエハ上のイメージセンサチップにカバーガラスを貼り合わせた後、基板に貫通配線を設け、裏面配線を介して外部端子を形成するものである（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−１８４６８０公報

しかしながら、このような構成の半導体装置では、カバーガラスをイメージセンサチップに貼り合わせた後に貫通配線を形成しているため、最終製品での貫通配線部の電気的な導通チェックが難しいという問題があった。

本発明は、前記問題点に鑑みなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の目的は、保護部材を形成した後でも半導体基板に形成された貫通配線の導通を確認することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明者は鋭意検討した結果、下記の半導体装置の製造方法を用いることにより、上記問題を解決できることを見出し、上記目的を達成するに至った。

即ち、本発明の半導体装置の製造方法は、受光部が形成された複数の受光部形成領域と、該受光部形成領域を区画する格子状の区画領域と、を有する半導体ウエハの該受光部形成領域に、該受光部と電気的に接続された受光部接続電極、及び該受光部と電気的に接続されてなく、少なくとも２つが互いに電気的に接続されたテスト用電極を同時に形成する第１工程と、光透過性の保護部材を、前記受光部が封止されるように接続部を介して設ける第２工程と、前記受光部接続電極及び前記テスト用電極が露出するように、前記半導体ウエハに前記受光部形成領域を有する面と前記受光部形成領域とは反対側の面を貫通する貫通孔を設け、該貫通孔に前記受光部接続電極と電気的に接続する受光部接続貫通配線及び前記テスト用電極と電気的に接続するテスト用貫通配線を同時に形成する第３工程と、前記区画領域に沿うように、前記半導体ウエハ及び前記光透過性の保護部材を裁断する第４工程と、をこの順に有することを特徴とする。

また、本発明の半導体装置の製造方法は、受光部が形成された複数の受光部形成領域と、該受光部形成領域を区画する格子状の区画領域と、を有する半導体ウエハの該受光部形成領域に、該受光部と電気的に接続された受光部接続電極を形成すると同時に、前記区画領域に、前記受光部と電気的に接続されてなく、少なくとも２つが互いに電気的に接続されたテスト用電極を形成する第１工程と、前記受光部が封止されるように、接続部を介して光透過性の保護部材を設ける第２工程と、前記受光部接続電極及び前記テスト用電極が露出するように、前記半導体ウエハに前記区画領域を有する面と前記区画領域の反対側の面とを貫通する貫通孔を設け、該貫通孔に前記受光部接続電極と電気的に接続する受光部接続貫通配線及び前記テスト用電極と電気的に接続されたテスト用貫通配線を同時に形成する第３工程と、前記テスト用貫通配線が電気的に導通しているか否かを検査する検査工程と、前記区画領域に沿うように、前記半導体ウエハ及び前記光透過性の保護部材を裁断する第４工程と、をこの順に有することを特徴とする。

本発明によれば、保護部材を形成した後でも半導体基板に形成された貫通配線の導通を検査することができる半導体装置の製造方法を提供することができる。

以下、図面を参照して、この発明の実施の形態につき説明する。なお、図面には、この発明が理解できる程度に各構成部位の形状、大きさ及び配置関係が概略的に示されているにすぎず、これによりこの発明が特に限定されるものではない。

＜半導体装置＞
〔第１の実施形態〕
図１（Ａ）は本発明の第１の実施形態における半導体装置１００の上面透視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）中のＸ−Ｘ’断面図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）中のＹ−Ｙ’断面図である。

本発明の半導体装置１００は、図１（Ｂ）のように、半導体基板１２０の受光部１０５が形成されている受光部形成面に、受光部１０５と電気的に接続されている電極１０６を有する。
また、前記受光部形成面には、図１（Ｃ）のように、受光部１０５とは電気的に接続されていない電極１０８が形成されており、この電極１０８はアルミニウム等からなる配線１３０にて少なくとも２つが電気的に接続されている。
このように、半導体基板１２０には、図１（Ａ）のように、前記受光部形成面に電極１０６、１０８が形成されており、受光部（図１では不図示）の外周縁部近傍に位置している。

外部端子１０４は、図１（Ｂ）のように、電極１０６、及び貫通配線１１１を介して受光部１０５と電気的に接続されている。すなわち、受光部１０５で検出された入射光は電気信号に変換され、電極１０６、貫通配線１１１を介して外部端子１０４から外部に送信されることになる。この貫通配線１１１は、半導体基板１２０の受光部形成面（以下、適宜、「表面」と称する）と、当該受光部形成面とは反対側の面（以下、適宜、「裏面」と称する）と、を貫通している。
この貫通配線１１１には、裏面側で外部端子１０４と接続するために配線が引き出されており、保護膜１１２で被覆されている。また、保護膜１１２は、外部端子１０４の表面を露出するように形成されている。
他方、貫通配線１１３は、貫通配線１１１と同様に、半導体基板１２０の表面と裏面とを貫通している配線であり、半導体基板１２０の裏面に位置する外部端子（不図示）と接続されている。

また、前述の電極１０６、１０８は、図１（Ｂ）、及び図１（Ｃ）のようにエポキシ樹脂等からなる接着剤で覆われており、接続部１０２を構成している。
この接続部１０２には、半導体基板１２０の受光部形成面側から見たときに、半導体基板１２０の外周縁部に位置する。すなわち、接続部１０２は受光部１０５を囲うように形成されていることになる。そして、本発明の半導体装置１００は、半導体基板１２０上に接続部１０２を介して光透過性の保護部材１０１が設けられている。なお、センサの種類（例えばＵＶセンサなど）によっては、受光部全面に形成したままでも良い。
この保護部材１０１は、受光部形成領域を外部から保護するという機能を有するが、これに加え、外部から受ける光を受光部に伝える機能をも必要とする。例えば、受光部に要求される光が可視光である場合には、保護部材１０１は、可視光を透過させる機能を有することが必要である。保護部材１０１には、可視光のみを選択的に透過させるために、その表面に紫外光や赤外光をカットするコーティングが施されていてもよい。すなわち、保護部材１０１は、受光部が要求する特定の波長の光を透過させるフィルター機能を有していてもよい。以上のように、保護部材１０１の材料は、ガラスに限定されるものではなく、上述の機能を備えていれば、例えばプラスティック等の材料でもよい。

このように、本発明の半導体装置１００は、図１（Ａ）、及び図１（Ｃ）のように、受光部（図１（Ａ）、図１（Ｃ）では不図示）と電気的に接続されていなく、尚且つ少なくとも２つが配線１３０を介して互いに電気的に接続された電極（以下、適宜、「テスト用電極」と称する）１０８を備えることが特徴である。
このテスト用電極１０８は、図１（Ｃ）のように、半導体基板１２０の受光部形成面から受光部形成面とは反対側の面を貫通する貫通配線１１３を介して、外部端子（図１（Ｃ）では不図示）を電気的に接続するものである。この貫通配線１１３は、図１（Ｂ）に示す受光部１０５に接続された電極１０６と外部端子１０４とを電気的に接続する貫通配線１１１と同時に形成されるものである。従って、図１（Ｃ）に示す貫通配線１１３の導通を検査することにより、図１（Ｂ）に示す貫通配線１１１の導通を検査したものとみなすことができる。
これらの貫通配線１１１、１１３は、半導体基板１２０の裏面に設けられている外部端子（不図示）と接続されており、保護部材１０１を設けた後であっても半導体基板１２０の裏面に露出している。すなわち、半導体ウエハから個片化した後の最終製品の状態で、貫通配線の導通を検査することができる。
テスト用電極１０８の数は、１つの半導体装置に少なくとも２つを備えていればよく、図１（Ａ）のように、２つの角部に合計で４つ形成されていてもよい。

〔第２の実施形態〕
本発明の第２の実施形態における半導体装置２００は、図２のように、配線２３０、及び電極２０８が、電極２０８側から見たときに、４つの角部近傍領域２５０に位置する構造を有していることが好ましい。すなわち、テスト用電極２０８を８つ備える構造となる。
このように、配線２３０や配線２０８が４つの角部近傍領域２５０に位置すると、仮に貫通配線（不図示）の導通不良が発生していたとしても、半導体装置２５０の導通不良が発生している位置を容易に見極めることができる。

なお、本発明の半導体装置は、カメラモジュール、指紋センサ、照度センサ、紫外線センサに用いることができるが、特にカメラモジュールとして用いることが有用である。

＜半導体装置の製造方法＞
本発明の第１の実施形態における半導体装置の製造方法は、保護部材を設けた後においても貫通配線の導通を検査することが可能な半導体装置を、従来と同様の工程数にて製造することが可能である点が特徴である。
テスト用電極は、受光部と電気的に接続されていないが、受光部と電気的に接続している電極と同じ方法で同時に形成することができる。また、テスト用電極と電気的に接続されている貫通配線も、受光部と電気的に接続されている電極に接続されている貫通配線を形成する工程にて同時に形成することができる。すなわち、貫通配線の導通を検査するための機能を、受光部に接続されている電極、及び貫通配線のそれぞれを形成する工程にて同時に形成することができる。従って、工程数が増加することなく、保護部材を形成した後においても貫通配線の導通検査を行うことが可能な半導体装置を製造することができる。
以下に、図１に示す半導体装置１００の製造方法を、図３〜図５の工程断面図及び上面概略図に沿って説明する。なお、図３、４の工程断面図は、図１のＸ−Ｘ’の断面における工程断面図を表す。

〔第１の実施形態〕
［第１工程］
まず、図３（Ａ）のように、半導体ウエハ１２０を準備する。この半導体ウエハ１２０は、センサ素子等からなる受光部１０５及び受光部１０５を制御し受光部１０５から出力される電気信号を処理する回路素子（不図示）が形成された受光部形成領域（以下、適宜、「表面」と称する）と、この表面の反対側の面（以下、適宜、「裏面」と称する）とを有する。また、図５のように、半導体ウエハ１２０の表面には、受光部形成領域１４０と、受光部形成領域１４０とを区画する格子状の区画領域１５０と、を有する。図３（Ａ）に示すように、受光部形成領域１４０は、センサ素子（例えばイメージセンサ素子）からなる受光部１０５と、電極１０６が形成された領域である。また、受光部形成領域１４０には、受光部１０５と電気的に接続されている電極１０６の他に、受光部１０５と電気的に接続されていないテスト用電極（不図示）も電極１０５と同様に形成されている。このテスト用電極は、少なくとも２つが配線により電気的に接続されている必要があるため、それぞれの電極を配線により接続する。この配線を形成するには、スパッタおよびホトリソグラフィ技術により、容易に形成することができる。このように配線を形成したテスト用電極は、図１（Ｃ）のような断面構造を有することになる。

［第２工程］
次に、図３（Ｂ）のように、受光部１０５の位置する領域を避けて接続部１０２を形成する。そして、半導体ウエハ１０２上に接続部１０２を介して、保護部材１０１を接着する。接続部１０２はエポキシ樹脂等の接着樹脂からなり、半導体ウエハ１２０の全面に形成した後、フォトリソ等によりパターニングして受光部形成領域１４０を形成してもよく、印刷等によりパターニングしてもよい。なお、センサの種類（例えばＵＶセンサなど）によっては、受光部全面に形成したままでも良い。
また、接続部１０２は前記接着樹脂以外にも、接着フィルムにて形成してもよい。
一方、半導体ウエハ１２０に接着樹脂又はフィルムを形成する方法の他に、保護部材１０１の半導体ウエハ１２０と対向する面に、前述と同様にして樹脂や接着フィルムからなる接続部１０２を形成した後に、半導体ウエハ１２０に接着する方法も挙げられる。
これらの保護部材形成方法の中で、保護部材を貼り合わせる際の位置合わせ精度等の観点から、半導体ウエハ１２０に樹脂やフィルムを形成した後に、保護部材１０１を載置、接着する方法が好ましい。
このようにして保護部材１０１を形成することにより、受光部１０５、及び電極１０６は封止されることになる。

［第３工程］
そして、図３（Ｃ）のように、半導体ウエハ１２０の裏面を所定の厚さに削り、半導体ウエハ１２０を薄型化する。その後、図３（Ｄ）のように、半導体ウエハ１２０の表面側に形成された電極１０６の、半導体ウエハ１２０側の面が露出するように、ドライエッチング、ウエットエッチング、又はレーザーなどの加工方法により半導体ウエハ１２０を加工し、貫通孔１６０を形成する。その後、貫通孔１６０の側壁及び半導体ウエハ１２０の裏面上に図示しない保護膜を形成する。続いて、図３（Ｅ）のように、電極１０６の裏面から貫通孔１６０の側壁及び半導体ウエハ１２０の裏面上に延在する貫通配線１１１をスパッタ、又はメッキなどで形成する。電極１０６は、半導体ウエハ１２０の表面側に形成された図示しない配線によって、回路素子（不図示）もしくは受光部１０５に電気的に接続されているので、この時点で、貫通配線１１１は、回路素子（不図示）もしくは受光部１０５に電気的に接続される。
そして、図４（Ｆ）のように、半導体ウエハ１２０の貫通配線１１１形成面側にソルダーレジスト等の保護膜１１２を形成する。その後、貫通配線１１１の所定領域上に位置する保護膜１１２に図示しない開口部を形成する。次に、図４（Ｇ）のように、保護膜１１２に形成された図示しない開口部に配線１１１と電気的に接続するように外部端子１０４を設ける。

［第４工程］
最後に、図４（Ｈ）のように、図３（Ａ）で示した区画領域１５０に沿うように、保護部材１０１、接続部１０２、及び半導体ウエハ１２０を裁断して、半導体装置１００を製造することができる。

〔第２の実施形態〕
第２の実施形態における半導体装置の製造方法は、図２のように、第１工程において、テスト用電極２０８を４つの角部近傍領域に設けること以外は、第１の実施形態における半導体装置の製造方法と同様にして製造することができる。
本発明では、テスト用電極２０８の数が倍になったとしても、テスト用電極２０８を受光部に接続されている電極２０６と同時に形成することができるため、工程数が増加せずにテスト用電極を多数形成することが可能となる。

＜半導体装置の検査方法＞

〔第１の実施形態〕
本発明の第１の実施形態における半導体装置の検査方法は、前述の第１、及び第２の実施形態における半導体装置を検査する方法に関するものである。すなわち、半導体ウエハを裁断して得られた、保護部材が形成された後の最終製品としての半導体装置において、当該半導体装置が有する貫通配線の導通を検査することができる。
具体的には、半導体基板の受光部が形成されている面に、受光部と電気的に接続されていないテスト用電極を少なくとも２つ設け、それらを互いに電気的に接続させる。そして、これらのテスト用電極と電気的に接続した、前記半導体基板の受光部が形成された面と、それとは反対側の面と、を貫通する貫通配線を設ける。この貫通配線は、受光部形成面とは反対側の面に位置する外部電極と接続されているため、保護部材が形成された後であっても、例えばテスター等で導通の良否を検査することができる。

また、前述の第２の実施形態における半導体装置を用いて貫通配線の導通を検査すると、仮に貫通配線に導通不良が発生した場合、個々の半導体装置のどの方向の貫通配線に不良が発生しているか否かを検査することができる。このとき、個片化前の半導体ウエハにおいて、不良が発生した半導体装置の周辺に位置していた半導体装置にも同様の不良が発生しているものと推測することができるため、検査の迅速化を図ることもできる。

〔第２の実施形態〕
本発明の第２の実施形態における半導体装置の検査方法は、保護部材を形成した後、裁断前の半導体ウエハの状態にて貫通配線の導通を検査することができる検査方法である。
具体的には、図６（Ａ）のように、受光部（不図示）が形成された複数の受光部形成領域３４０と、受光部形成領域３４０を区画する格子状の区画領域３５０を備えた半導体装置を準備する。そして、区画領域３５０のいずれかの箇所に、受光部（不図示）とは電気的に接続されていない少なくとも２つのテスト用電極３０８を形成し、それらを配線３３０にて接続する。これらのテスト用電極３０８は、受光部（不図示）と電気的に接続されている電極（不図示）の形成と同時に形成することができる。そして、半導体ウエハ３２０に、区画領域３５０に位置する接続部３０２を介して、半導体ウエハ３２０の全面を覆うように、光透過性の保護部材３０１を設ける。
その後、電極３０８と電気的に接続された貫通配線３１３を、電極３０８が形成された面とそれとは反対側の面とを貫通するように形成する。そして、電極３０８が形成された面とは反対側の面における貫通配線３１３の端部が露出するように保護膜３１２を形成する。

このようにして形成された貫通配線３１３の露出した前記端部は、外部端子３０４として機能させることにより、テスター等により貫通配線３１３の導通を検査することができる。すなわち、保護部材３０１を設けた後における半導体ウエハの状態にて貫通配線の導通を検査することができる。
貫通配線３１３は、受光部（不図示）に接続された貫通配線（不図示）と同時に形成するため、貫通配線３１３の導通を検査することにより、前記受光部（不図示）に接続された貫通配線の導通を検査したものとみなすことができる。また、後述するように、導通検査を終了した後に半導体ウエハ３２０を裁断するため、導通検査で不良が発生した半導体装置については、瞬時に選別、廃棄することもできる。

そして、検査終了後、区画領域３４０に沿うようにダイシングソーにて裁断する。このようにして得られた半導体装置は、テスト用電極３０８、及び配線３３０が受光部形成領域３４０に存在しない、従来と同様の構成である。すなわち、半導体ウエハを裁断する工程で、テスト用電極３０８、及び配線３３０はともにダイシングと同時に除去されるため、最終製品中にこれらが残存することはない。

第２の実施形態における好ましい態様は、図６（Ｂ）のように、受光部形成領域３４０を区画する区画領域３５０が交差する交差点近傍領域に、テスト用電極３０８、及びテスト用電極３０８と接続する配線３３０を設けることが特徴である。
この領域は、４つの受光部形成領域３４０に囲まれているため、このテスト用電極と接続されている貫通配線の導通検査を行うことにより、４つの受光部形成領域３４０に形成された貫通配線を同時に検査したものとすることができる点で好ましい。

第２の実施形態におけるより好ましい態様は、図６（Ａ）のように、半導体ウエハ３２０の中心を通過する２つの直行する線３６０、３７０と、半導体ウエハ３２０の外周縁部との接点近傍領域３８０、及び半導体ウエハの中心近傍領域３９０に少なくとも２つのテスト用電極３０８を設けることが特徴である。
図６（Ａ）では、テスト用電極３０８の形成位置である接点近傍領域３８０、及び中心近傍領域３９０が、図６（Ｂ）のように、４つの受光部形成領域３８０に囲まれた、区画領域３５０の交差点近傍領域であることを示している。このような位置にあると、５箇所の前記交差点近傍領域を構成する２０箇所の受光部形成領域３４０における貫通配線３１３を検査したものとみなすことができる。更には、半導体ウエハ３２０のどの位置に貫通配線の導通不良が発生しているかを認識することができるため、半導体ウエハ３２０の不良が発生する傾向を見極めることができる。

また、特に好ましい態様としては、区画領域３５０のすべての交差点近傍領域にテスト用電極３０８を形成することが挙げられる。
この態様では、貫通配線の不良が発生した場合に、半導体ウエハ３２０中の不良が発生する傾向を精度よく見極めることができるため、その後に製造する半導体ウエハの不良を即時に解消することができる。すなわち、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
なお、この態様では、テスト用電極３０８を区画領域３５０の前記交差点近傍領域の数の２倍形成する必要があるため、製造時間の増加が懸念される。しかしながら、前述のように、テスト用電極３０８は、受光部に接続されている電極と同時に形成するため、電極３０８を接続する配線３３０を設けること以外、従来と同じ工程数にて製造することができるため、製造時間が大幅に増加することはない。

（Ａ）は、本発明における半導体装置の上面透視図であり、（Ｂ）は（Ａ）中のＸ−Ｘ’断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）中のＹ−Ｙ’断面図であり。 本発明の第２の実施形態における半導体装置の上面透視図である。 本発明の第１の実施形態における半導体装置の、（Ａ）受光部及び電極を形成する工程から、（Ｅ）貫通配線を形成する工程までの工程断面図である。 本発明の第１の実施形態における半導体装置の、（Ｆ）保護膜を形成する工程から、（Ｈ）半導体ウエハを裁断する工程までの工程断面図である。 本発明の第１の実施形態における半導体装置の、図３（Ａ）の上面概略図である。 （Ａ）は、本発明の第２の実施形態における半導体装置の検査方法における、半導体ウエハの上面透視図であり、（Ｂ）は、区画領域の交差点近傍領域の部分拡大透視図であり、（Ｃ）は（Ｂ）中のＸ−Ｘ’断面図である。

符号の説明

１００、２００ 半導体装置
１０１、３０１ 保護部材
１０２、３０２ 接続部
１０４、３０４ 外部端子
１０６、２０６ 電極
１０８、２０８、３０８ 電極（テスト用電極）
１１２、３１２ 保護膜
１１１、１１３、３１３ 貫通配線
１２０、３２０ 半導体基板（半導体ウエハ）
１３０、２３０、３３０ 配線
１４０、３４０ 受光部形成領域（表面）
１５０、３５０ 区画領域
１６０ 貫通孔
２５０ 角部近傍領域
３６０、３７０ 半導体ウエハの中心を通過する２つの直行する線
３８０ 半導体ウエハの中心を通過する２つの直行する線と半導体ウエハの外周縁部との接点近傍領域
３９０ 半導体ウエハの中心近傍領域

Claims (7)

1. 受光部が形成された複数の受光部形成領域と、該受光部形成領域を区画する格子状の区画領域と、を有する半導体ウエハの該受光部形成領域に、該受光部と電気的に接続された受光部接続電極、及び該受光部と電気的に接続されてなく、少なくとも２つが互いに電気的に接続されたテスト用電極を同時に形成する第１工程と、
   光透過性の保護部材を、前記受光部が封止されるように接続部を介して設ける第２工程と、
   前記受光部接続電極及び前記テスト用電極が露出するように、前記半導体ウエハに前記受光部形成領域を有する面と前記受光部形成領域とは反対側の面を貫通する貫通孔を設け、該貫通孔に前記受光部接続電極と電気的に接続する受光部接続貫通配線及び前記テスト用電極と電気的に接続するテスト用貫通配線を同時に形成する第３工程と、
   前記区画領域に沿うように、前記半導体ウエハ及び前記光透過性の保護部材を裁断する第４工程と、
   をこの順に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記第１工程は、前記テスト用電極を、前記受光部接続電極よりも前記受光部形成領域の角部に近い領域に形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第３工程の後であって且つ前記第４工程の前、又は前記第４工程の後に、前記テスト用貫通配線が電気的に導通しているか否かを検査する検査工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 受光部が形成された複数の受光部形成領域と、該受光部形成領域を区画する格子状の区画領域と、を有する半導体ウエハの該受光部形成領域に、該受光部と電気的に接続された受光部接続電極を形成すると同時に、前記区画領域に、前記受光部と電気的に接続されてなく、少なくとも２つが互いに電気的に接続されたテスト用電極を形成する第１工程と、
   前記受光部が封止されるように、接続部を介して光透過性の保護部材を設ける第２工程と、
   前記受光部接続電極及び前記テスト用電極が露出するように、前記半導体ウエハに前記区画領域を有する面と前記区画領域の反対側の面とを貫通する貫通孔を設け、該貫通孔に前記受光部接続電極と電気的に接続する受光部接続貫通配線及び前記テスト用電極と電気的に接続されたテスト用貫通配線を同時に形成する第３工程と、
   前記テスト用貫通配線が電気的に導通しているか否かを検査する検査工程と、
   前記区画領域に沿うように、前記半導体ウエハ及び前記光透過性の保護部材を裁断する第４工程と、
   をこの順に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 前記第１工程は、前記テスト用電極を、前記区画領域であって且つ４つの受光部形成領域に囲まれた領域に設けることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記第１工程は、前記テスト用電極を、前記半導体ウエハの中心を通過する２本の直行する区画領域であって且つ４つの受光部形成領域に囲まれた領域のうち、前記半導体ウエハの外周縁部に最も近い領域、及び半導体ウエハの中心の領域に設けることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記第１工程は、前記テスト用電極を、前記区画領域であって且つ４つの受光部形成領域に囲まれたすべての領域に設けることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。

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