JP5298244B2 - 蒸着装置 - Google Patents

Description

本発明は、蒸着マスクを用いた蒸着装置、蒸着方法、並びに、この蒸着装置および蒸着方法を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関するものである。

近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。

そのような状況下、有機材料のエレクトロルミネッセンス（電界発光）（Electro luminescence；以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。

有機ＥＬ表示装置は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。

有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極、有機ＥＬ層、および第２電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第１電極はＴＦＴと接続されている。また、第１電極と第２電極との間には、上記有機ＥＬ層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を積層させた有機層が設けられている。

フルカラーの有機ＥＬ表示装置は、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子をサブ画素として基板上に配列形成してなり、ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行っている。

このような有機ＥＬ表示装置の製造においては、少なくとも各色に発光する有機発光材料からなる発光層が、発光素子である有機ＥＬ素子毎にパターン形成される（例えば特許文献３〜５参照）。

発光層のパターン形成を行う方法としては、例えば、シャドウマスクと称される蒸着用のマスクを用いた真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法が知られている。

例えば、低分子型有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）では、従来、シャドウマスクを用いた蒸着法により、有機層の塗り分け形成を行っている。

シャドウマスクを用いた真空蒸着法では、基板の蒸着領域全体に蒸着できるサイズのシャドウマスクが使用される。シャドウマスクに蒸着領域のパターンに従って開口部を設け、さらにそのマスクが撓まないように、張力をかけてマスクフレームに固定（例えば溶接）する。隔壁を介してシャドウマスクの開口部を基板に接触させ、蒸着源から、シャドウマスクの開口部を通して基板の所望の位置に蒸着粒子を蒸着（付着）させることで、発光層などのパターン形成が行われる。

図２７は、シャドウマスクを用いた従来の蒸着装置の概略構成の一例を示す断面図である。シャドウマスクを用いた真空蒸着法では、図２７の（ａ）に示すように、基板３０１と蒸着源３０２とを対向配置させ、目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子が付着しないように、シャドウマスク３０３に、蒸着領域の一部のパターンに対応した開口部３０４を設け、該開口部３０４を介して蒸着粒子を基板３０１に蒸着させることによりパターン形成を行う。

基板３０１は、図示しない真空チャンバ内に配置され、基板３０１の下方には、蒸着源３０２が固定される。シャドウマスク３０３は、基板３０１に密着固定されるか、もしくは、真空チャンバの内壁に基板３０１および蒸着源３０２が固定された状態で、基板３０１に対して相対移動される。

図２８は、シャドウマスクを用いた従来の蒸着装置の概略構成の他の一例を示す断面図である。図２８に示すように、基板４０１よりも小さなサイズのメタルマスク４０２を用いて、基板４０１の一部ずつに対して順次に蒸着を行ない、基板４０１の全面に蒸着物質４０６のパターンを成膜する。また、蒸着源４０３の外周を筒状の隔壁４０８で囲み、蒸着源４０３からの蒸着物質４０６を隔壁４０８内に閉じ込めるようにしている。

日本国公開特許公報「特開２００４−１０３３４１号公報（公開日：２００４年４月２日）」 日本国公開特許公報「特開２０００−９６２１１号公報（公開日：２０００年４月４日）」 日本国公開特許公報「特開２０００−１８８１７９号公報（公開日：２０００年７月４日）」（対応米国特許第６２９４８９２号（公告日：２００１年９月２５日）） 日本国公開特許公報「特開平８−２２７２７６号公報（公開日：１９９６年９月３日）」（対応米国特許第５７４２１２９号（公告日：１９９８年４月２１日）） 日本国公開特許公報「特開平９−１６７６８４号公報（公開日：１９９７年６月２４日）」（対応米国特許第５６８８５５１号（公告日：１９９７年１１月１８日））

しかしながら、基板サイズが大きくなると、これに伴ってシャドウマスク３０３も大型化される。

この結果、図２７の（ｂ）に示すように、シャドウマスク３０３の自重撓みや延びにより、基板３０１とシャドウマスク３０３との間に隙間が生じる。この結果、位置精度の高いパターン形成を行うことができず、蒸着位置ズレや混色が発生し、高精細化が困難となる。

また、基板サイズの大型化に伴い、シャドウマスク３０３およびこれを保持するマスクフレームが巨大化、超重量化する。この結果、このようなシャドウマスク３０３を取扱う装置が巨大化、複雑化し、装置の設計が困難になるだけでなく、製造工程あるいはマスク交換等の工程において、取り扱いの安全性の問題も発生する。

このため、大型のシャドウマスクを利用した大型基板のパターン化は極めて困難である。

また、図２８に示す構成では、基板よりも小さなサイズのマスクを用いたが、マスクよりも大きな成膜領域をもつ基板の場合、パターンを接ぐ必要がある。そのため、継ぎ目で膜厚の不均一が起こり、表示品位が低下する。あるいは小型マスクを超える有機ＥＬ表示装置を作製できない。また、蒸着領域ごとに、移動→位置合わせ→密着を行う必要があるため、処理のタクトタイムが増大する。さらに、各基板部分での位置合わせの間、蒸着物質はシャッタ等で遮蔽しておく必要があり、材料利用効率が低下する。

有機ＥＬ表示装置の製造プロセスにおいて、現行量産プロセスである密着型全面シャドウマスクを用いた蒸着方法を適用できる基板サイズは１ｍ角程度であり、それ以上の基板サイズを有する大型基板への対応は困難である。したがって、大型基板に対応した有機層塗り分け技術は現在未だ確立されておらず、６０インチクラス以上の大型の有機ＥＬ表示装置は量産できていない。

また、インクジェット法によるパターン形成でも、微細化に伴って隣のサブ画素への混色等が生じ、着液位置制御等、パターニング精度には限界がある。

また、インクジェット法では一般的に、高分子からなる有機発光材料が使用される。しかしながら、高分子発光材料は、材料開発が難しい点があり、現状では、低分子発光材料に比べて発光特性、寿命が劣っているという問題点がある。

さらに、インクジェット法を用いた場合、上層となる材料の溶媒に対して下地層が溶解しないように工夫しなければならない。このため、任意の下地層を用いることはできない。

また大型基板へのパターン形成に対しては、吐出液滴数の増加や吐出範囲の拡大により、多くのタクトタイムが必要となる。さらには、インクジェット法においては、吐液の溶媒がどのように乾燥するかによって膜厚や膜の平坦性が大きく変わる。このため、表示装置に表示ムラが発生し易い。

一方、レーザ光等の光源を用いたレーザ転写法では、光熱変換層および有機ドナー層が形成されたドナー基板と、第１電極およびサブ画素等が形成された被成膜基板とを使用し、ドナー基板の有機ドナー層と被成膜基板の電極等とを向かい合わせて配置する。ドナー基板の光熱変換層にレーザ光を照射することにより、光熱変換層に吸収された光エネルギーは熱に変換される。このとき、レーザ光を所望の領域で走査させることにより、所定領域の有機ドナー層が気化し、パターン化した有機層が被成膜基板上に形成される。このため、レーザ転写法では、第１電極上の所定領域のみに発光層を選択的に転写することができる。

しかしながら、このようなレーザ転写法では、サブ画素のライン数だけレーザを走査する必要がある。このため、多くのタクトタイムが必要となる。

また、レーザ転写法においては、レーザ光源の安定性、機械的な走査によるブレや焦点距離の変動等の原因によるビームプロファイルの不均一性の問題から、形成された膜の膜厚が不均一になり、これが、得られた表示装置の表示ムラに繋がる。このため、レーザ転写法は、基板の大型化並びに量産プロセスを図る上で問題点が多い。

以上のように、現状のいずれのパターン形成方法を用いても、大型基板、特に第８世代（概ね２，１６０ｍｍ×２，４６０ｍｍ）以上の基板に対して有機層のパターン形成を行うことは困難である。また、何れも量産化には課題がある。

このように、これまで、大型の基板に有機層のパターン形成が可能な製造技術および製造装置は知られておらず、基板サイズの制約により、大型の有機ＥＬ表示装置を実現することはできなかった。

また、一般的に、基板サイズが大きくなるほど１枚の基板から形成できるパネル数が多くなり、パネル１枚当たりの費用が安くなる。このため、大型の基板を用いれば用いるほど、有機ＥＬ表示装置を低コストにて作製することができる。しかしながら、従来は、上記したように基板サイズの制約から、低コストの有機ＥＬ表示装置を実現することはできなかった。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、大型の基板への蒸着パターンの形成が可能な蒸着方法および蒸着装置、並びに、これを用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明にかかる被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着装置は、上記被成膜基板上の成膜される領域間には、所定の高さの隔壁が立設され、被成膜基板に対向され、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットと、上記被成膜基板と蒸着マスクとを上記隔壁を介して接触させる接触手段と、上記蒸着マスクと被成膜基板とを上記隔壁を介して接触させた状態で、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させる移動手段とを備えていることを特徴とする。

また、上記目的を達成するために、本発明にかかる被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着方法は、上記被成膜基板上の成膜される領域間に、所定の高さの隔壁を立設する隔壁形成工程と、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットを準備し、上記蒸着マスクと被成膜基板とを上記隔壁を介して接触させる接触工程と、上記蒸着マスクと被成膜基板とを上記隔壁を介して接触させた状態で、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて、上記蒸着粒子を上記蒸着マスクの開口部を介して被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させる蒸着工程とを備えていることを特徴とする。

上記蒸着装置および蒸着方法によれば、従来とは異なり、蒸着マスクと被成膜基板とが固定されておらず、蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定しているため、上記したように被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクを用いて、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて蒸着を行うことができる。

また、被成膜基板上の成膜される領域間に所定の高さの隔壁を立設し、蒸着マスクと被成膜基板とが、接触手段により、隔壁を介して接触するように構成されている。

このため、蒸着マスクの大型化に伴う自重撓みや延びの問題が発生せず、大型の基板に対しても有機層のパターン形成が可能となるのみならず、位置精度の高いパターン形成並びに高精細化を行うことができる。また、被成膜基板が蒸着マスクに直接接触せず、蒸着マスクにより被成膜基板が損傷されることがない。さらに、隔壁が、被成膜基板上の成膜される領域間に所定の高さで設けられているので、蒸着時、成膜される領域同士での蒸着粒子の飛散を防止して、隣接画素に蒸着ボケが及んで混色や特性低下を招くことを確実に防ぐことができる。

また、上記マスクユニットと被成膜基板との間に一定の隔壁を有した状態でマスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて蒸着を行うことで、幅および膜厚が均一な成膜パターン（蒸着膜）を形成することができる。

また、上記蒸着装置および蒸着方法によれば、上記したように被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクを使用することから、蒸着マスクの大型化に伴って蒸着マスクを保持するフレームが巨大化・超重量化することで生じる問題の発生も抑制、回避することができる。

また、上記所定のパターンは、有機エレクトロルミネッセンス素子における有機層とすることができる。上記蒸着方法は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に好適に用いることができる。

上記目的を達成するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板上に第１電極を作製するＴＦＴ基板・第１電極作製工程と、上記ＴＦＴ基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、第１電極とは逆の極性を有する第２電極を蒸着する第２電極蒸着工程と、上記有機層および第２電極を含む有機ＥＬ素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記有機層蒸着工程は、上述した蒸着方法の上記隔壁形成工程、上記接触工程および上記蒸着工程を有することを特徴とする。

上記構成によれば、大型の基板に対しても有機層のパターン形成が可能となるのみならず、位置精度の高いパターン形成並びに高精細化を行う有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。

本発明によれば、従来とは異なり、蒸着マスクと被成膜基板とが固定されておらず、蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定しているため、上記したように被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクを用いて、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて蒸着を行うことができる。このため、蒸着マスクの大型化に伴う自重撓みや延びの問題が発生せず、大型の基板に対しても有機層のパターン形成が可能となるのみならず、位置精度の高いパターン形成並びに高精細化を行うことができる。

また、被成膜基板上の成膜される領域間に所定の高さの隔壁を立設し、蒸着マスクと被成膜基板とが、接触手段により、隔壁を介して接触するように構成されている。このため、被成膜基板が蒸着マスクに直接接触せず、蒸着マスクにより被成膜基板が損傷されることがない。さらに、隔壁が、被成膜基板上の成膜される領域間に所定の高さで設けられているので、蒸着時、成膜される領域同士での蒸着粒子の飛散を防止して、隣接画素に蒸着ボケが及んで混色や特性低下を招くことを確実に防ぐことができる。

また、上記マスクユニットと被成膜基板との間に一定の隔壁を有した状態でマスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて蒸着を行うことで、幅および膜厚が均一な成膜パターン（蒸着膜）を形成することができる。

また、上記したように被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクを使用することから、蒸着マスクの大型化に伴って蒸着マスクを保持するフレームが巨大化・超重量化することで生じる問題の発生も抑制、回避することができる。

本発明の一つの実施形態にかかる蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。 （ａ）は図１に示すＥ部の一つの構成例を示す断面図であり、（ｂ）は図１に示すＥ部の他の一つの構成例を示す断面図である。 ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。 図３に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図である。 図４に示す有機ＥＬ表示装置における被成膜基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。 本発明の一つの実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。 本発明の一つの実施形態にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素の鳥瞰図である。 本発明の一つの実施形態にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の被成膜基板とマスクユニットとを被成膜基板の裏面側から見た平面図である。 本発明の一つの実施形態にかかる蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の一つの実施形態にかかる被成膜基板および蒸着マスクのアライメントマーカの形状の一例を示す図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の一つの実施形態にかかる蒸着装置における基板に有機ＥＬ層をパターニングする時の構成を示す断面図である。 本発明の一つの実施形態にかかる蒸着装置を用いてＴＦＴ基板に所定のパターンを成膜する方法の一例を示すフローチャートである。 アライメント調整方法を示すフローチャートである。 蒸着ＯＦＦ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。 蒸着ＯＮ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。 本発明の一つの実施形態にかかる蒸着装置による蒸着効果と従来の蒸着装置による蒸着効果を比べるための構成図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明の一つの実施形態にかかる蒸着装置における隔壁の配置例を模式的に示す平面図である。 （ａ）〜（ｂ）は、本発明の一つの実施形態にかかる蒸着装置における隔壁の断続部と発光領域との関係を示す平面図である。 本発明の他の一つの実施形態にかかる蒸着装置におけるアライメントマーカの他の配置例を示す模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の他の一形態にかかる蒸着装置における基板に有機ＥＬ層をパターニングする時の構成を示す断面図である。 本発明の他の一つの実施形態にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の構成の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。 本発明の他の一つの実施形態にかかる蒸着装置における隔壁の構成例を示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の他の一つの実施形態にかかる蒸着装置における隔壁により蒸着マスクの位置ズレを補正することを説明するための断面図である。 （ａ）は本発明のまた他の一つの実施形態にかかる蒸着装置の被成膜基板および蒸着マスクの様子を示す模式図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図である。 本発明のさらに他の一つの実施形態にかかる蒸着装置の被成膜基板および蒸着マスクの様子を示す模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、図２５に示す被成膜基板と蒸着マスクとの動作関係を示す模式図である。 （ａ）はシャドウマスクを用いた従来の蒸着装置の概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す装置の問題点を示す模式図である。 従来の蒸着方法を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。

〔実施形態１〕
本発明の実施の一形態について図１〜図１８に基づいて説明すれば以下の通りである。

本実施形態では、本実施形態にかかる蒸着装置を用いた蒸着方法の一例として、ＴＦＴ基板（被成膜基板）側から光を取り出すボトムエミッション型でＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の製造方法を例に挙げて説明する。

まず、上記有機ＥＬ表示装置の全体構成について以下に説明する。

図３は、ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図であり、図４は、図３に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図である。また、図５は、図４に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。

図３に示すように、本実施形態で製造される有機ＥＬ表示装置１は、マトリクス状のＴＦＴ１２（図５参照）が設けられたＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ１２に接続された有機ＥＬ素子２０、接着層３０、封止基板４０が、この順に設けられた構成を有している。

ここで、有機ＥＬ素子２０は、該有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０を、接着層３０を用いて封止基板４０と貼り合わせることで、これら一対の基板（ＴＦＴ基板１０、封止基板４０）間に封入されている。このような構成により、有機ＥＬ素子２０への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。

ＴＦＴ基板１０は、図５に示すように、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板１１を備えている。絶縁基板１１上には、図４に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線１４が設けられている。

有機ＥＬ表示装置１は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、絶縁基板１１上には、これら配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子２０からなる各色のサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂが、マトリクス状に配列されている。

すなわち、これら配線１４で囲まれた領域が１つのサブ画素（ドット）であり、サブ画素毎にＲ、Ｇ、Ｂの発光領域が画成されている。

画素２（すなわち、１画素）は、赤色（Ｒ）の光を透過する赤色のサブ画素２Ｒ、緑色（Ｇ）の光を透過する緑色のサブ画素２Ｇ、青色（Ｂ）の光を透過する青色のサブ画素２Ｂの、３つのサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ（総称するときは、「サブ画素２」と称する）によって構成されている。

各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおける発光を担う各色の発光領域として、ストライプ状の各色の発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ（総称するときは、「発光層２３」と称する）によって覆われた開口領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂがそれぞれ設けられている。これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、各色毎に、蒸着によりパターン形成されている。

また、ストライプ状の発光層２３はサブ画素２の列の間に形成された隔壁２６（図４を参照）の中に納まっている。なお、隔壁２６の配置形状などの詳細については後述する。

以下、図５に基づいて、本実施形態にかかるＴＦＴ基板１０について説明する。

図５に示すように、ＴＦＴ基板１０は、ガラス基板等の透明な絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１２（スイッチング素子）、層間膜１３（層間絶縁膜、平坦化膜）、配線１４、エッジカバー１５、隔壁２６がこの順に形成された構成を有している。

上記絶縁基板１１上には、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して、それぞれＴＦＴ１２が設けられている。なお、ＴＦＴの構成は従来よく知られている。したがって、ＴＦＴ１２の各層の図示並びに説明は省略する。

層間膜１３は、各ＴＦＴ１２を覆うように、上記絶縁基板１１上に、上記絶縁基板１１の全領域に渡って積層されている。層間膜１３上には、配線１４が設けられているとともに、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１が形成されている。

また、層間膜１３には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１２は、上記コンタクトホール１３ａを介して、有機ＥＬ素子２０に電気的に接続されている。

エッジカバー１５は、第１電極２１のパターン端部で有機ＥＬ層が薄くなったり、電界集中が起こることで発生される第１電極２１と第２電極２５との短絡を防止するための、第１電極２１のパターン端部を被覆して形成された絶縁層である。

また、エッジカバー１５には、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に開口領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが設けられている。このエッジカバー１５の開口領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光領域となる。

言い換えれば、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂは、絶縁性を有するエッジカバー１５によって仕切られている。エッジカバー１５は、素子分離膜としても機能する。

次いで、有機ＥＬ素子２０について説明する。

有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１、有機ＥＬ層、第２電極２５が、この順に積層されている。

第１電極２１は、上記有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、上記したようにコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。

第１電極２１と第２電極２５との間には、図５に示すように、有機ＥＬ層として、第１電極２１側から、正孔注入層兼正孔輸送層２２、発光層２３、電子輸送層兼電子注入層２４が、この順に形成された構成を有している。

正孔注入層兼正孔輸送層２２は、発光層２３への正孔注入効率および正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層２２は、第１電極２１および一部のエッジカバー１５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域に一様に形成されている。

発光層２３は、第１電極２１側から注入されたホール（正孔）と第２電極２５側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。上記のように、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して、発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂが形成されている。

電子輸送層兼電子注入層２４は、第２電極２５から発光層２３への電子輸送効率及び電子注入効率を高める機能を有する。電子輸送層兼電子注入層２４は、発光層２３を覆うように、その上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。

第２電極２５は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極２５は、電子輸送層兼電子注入層２４を覆うように、その上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。

また、本実施形態の積層順は第１電極２１を陽極、第２電極２５を陰極としたものであり、反対に、第１電極２１を陰極、第２電極２５を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。

なお、発光層２３以外の層は必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子の特性にしたがい、適宜形成すればよい。また必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層２３と電子輸送層兼電子注入層２４の間に正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層兼電子注入層２４に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。

なお、本実施形態では、正孔注入層と正孔輸送層とを、電子輸送層と電子注入層とを、一体化形成しているが、それぞれ独立した層として形成されていてもよい。

次に、上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法について以下に説明する。

図６は、上記有機ＥＬ表示装置１の製造工程を工程順に示すフローチャートである。

図６に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、例えば、ＴＦＴ基板・第１電極作製工程（Ｓ１）、隔壁形成工程（Ｓ２）、正孔注入層兼正孔輸送層蒸着構成（Ｓ３）、発光層蒸着工程（Ｓ４）、電子輸送層兼電子注入層蒸着工程（Ｓ５）、第２電極蒸着工程（Ｓ６）、封止工程（Ｓ７）を備えている。

以下に、図６に示すフローチャートに従って、図３および図５を参照して上記した各工程について説明する。

但し、本実施形態に記載されている各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一実施形態に過ぎず、これによって本発明の範囲が限定解釈されるべきではない。

また、上記したように、本実施形態に記載の積層順は、第１電極２１を陽極、第２電極２５を陰極としたものであり、反対に第１電極２１を陰極とし、第２電極２５を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。同様に、第１電極２１および第２電極２５を構成する材料も反転する。

まず、図５に示すように、公知の技術でＴＦＴ１２並びに配線１４等が形成されたガラス等の絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間膜１３を形成する。

上記絶縁基板１１としては、例えば厚さが０．７〜１．１ｍｍであり、ｙ軸方向の長さ（縦長さ）が４００〜５００ｍｍであり、ｘ軸方向の長さ（横長さ）が３００〜４００ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板が用いられる。なお、本実施形態では、ガラス基板を用いた。

層間膜１３としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。アクリル樹脂としては、例えば、ＪＳＲ株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。また、ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社製のフォトニースシリーズが挙げられる。但し、ポリイミド樹脂は一般に透明ではなく、有色である。このため、図３に示すように上記有機ＥＬ表示装置１としてボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、上記層間膜１３としては、アクリル樹脂等の透明性樹脂が、より好適に用いられる。

上記層間膜１３の膜厚としては、ＴＦＴ１２による段差を補償することができればよく、特に限定されるものではない。本実施形態では、例えば、約２μｍとした。

次に、層間膜１３に、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。

次に、導電膜（電極膜）として、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）膜を、スパッタ法等により、１００ｎｍの厚さで成膜する。

次いで、上記ＩＴＯ膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、上記ＩＴＯ膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜１３上に、第１電極２１をマトリクス状に形成する。

なお、上記第１電極２１に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料、を用いることができる。

また、上記導電膜の積層方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。

上記第１電極２１の厚さとしては特に限定されるものではないが、上記したように、例えば、１００ｎｍの厚さとすることができる。

次に、層間膜１３と同様にして、エッジカバー１５を、例えば約１μｍの膜厚でパターニング形成する。エッジカバー１５の材料としては、層間膜１３と同様の絶縁材料を使用することができる。

以上の工程により、ＴＦＴ基板１０および第１電極２１が作製される（Ｓ１）。

次いで、Ｓ１で形成されたエッジカバー１５上に所定の高さの隔壁２６を形成する（Ｓ２）。隔壁２６としては、厚膜用の感光性永久膜レジストを用いることができる。例えば、日本化薬株式会社のＳＵ−８シリーズや日立化成工業株式会社のＫＩ−１０００シリーズなどである。これらのような材料を用いて、フォトリソグラフィ技術によりパターニングし、焼成を行うことで、隔壁２６を形成する。

次に、上記のような工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。

次いで、従来の蒸着装置を用いて、上記ＴＦＴ基板１０上に、正孔注入層兼正孔輸送層２２を、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域に蒸着する（Ｓ３）。

本実施形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置は、正孔注入層兼正孔輸送層２２の塗り分け形成（パターン形成）に特に好適に使用することができる。

本実施形態にかかる蒸着装置並びに蒸着方法を用いた正孔注入層兼正孔輸送層２２の塗り分け形成については、後で詳述する。

なお、本実施形態において、正孔注入層兼正孔輸送層２２は、隣接した色の異なるサブ画素間に途切れて蒸着される。つまり、隔壁２６の側壁には正孔注入層兼正孔輸送層２２が形成されていない。

正孔注入層兼正孔輸送層２２の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、およびこれらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー、等が挙げられる。

本実施形態では、正孔注入層兼正孔輸送層２２の材料として、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を使用した。また、正孔注入層兼正孔輸送層２２の膜厚は３０ｎｍとした。

正孔注入層兼正孔輸送層２２とは、上記したように一体化されていてもよく、独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば１０〜１００ｎｍである。

次に、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、エッジカバー１５の開口領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂをそれぞれ塗り分け形成（パターン形成）する（Ｓ４）。

上記したように、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂには、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。

発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル、等が挙げられる。

発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚としては、例えば、１０〜１００ｎｍである。

本実施形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置は、このような発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成（パターン形成）に特に好適に使用することができる。

本実施形態にかかる蒸着装置並びに蒸着方法を用いた発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成については、後で詳述する。

次に、電子輸送層兼電子注入層２４を、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２および発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ５）。

具体的には、表示領域全面が開口したシャドウマスク８１を、ＴＦＴ基板１０に対しアライメント調整を行った後に、Ｓ２にて形成された隔壁を介してＴＦＴ基板１０に接触させ、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とを共に回転させながら、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、シャドウマスク８１の開口部８２を通じて表示領域に均一に蒸着する。

電子輸送層兼電子注入層２４の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体、ＬｉＦ、等が挙げられる。

本実施形態では、電子輸送層兼電子注入層２４の材料として、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）を使用した。また、電子輸送層兼電子注入層２４の膜厚は３０ｎｍとした。

上記したように電子輸送層および電子注入層とは、一体化されていても独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１０〜１００ｎｍである。また、電子輸送層兼電子注入層の合計の膜厚は、例えば２０〜２００ｎｍである。

次に、上記した電子輸送層兼電子注入層蒸着工程（Ｓ５）と同様の方法により、第２電極２５を、上記電子輸送層兼電子注入層２４を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ６）。

第２電極２５の材料（電極材料）としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム等が挙げられる。第２電極２５の厚さは、例えば５０〜１００ｎｍである。

本実施形態では、第２電極２５としてアルミニウムを５０ｎｍの膜厚で形成した。これにより、ＴＦＴ基板１０上に、上記した有機ＥＬ層、第１電極２１、および第２電極２５からなる有機ＥＬ素子２０を形成した。

次いで、図３に示すように、有機ＥＬ素子２０が形成された上記ＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、接着層３０にて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０の封入を行った。

上記封止基板４０としては、例えば厚さが０．４〜１．１ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。なお、本実施形態では、ガラス基板を用いた。

なお、封止基板４０の縦長さおよび横長さは、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズにより適宜調整してもよく、ＴＦＴ基板１０における絶縁基板１１と略同一のサイズの絶縁基板を使用し、有機ＥＬ素子２０を封止した後で、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズに従って分断してもよい。

なお、有機ＥＬ素子２０の封止方法としては、上記した方法に限定されない。他の封止方式としては、例えば、掘り込みガラスを封止基板４０として使用し、封止樹脂やフリットガラス等により枠状に封止を行う方法や、ＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に樹脂を充填する方法等が挙げられる。上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、上記封止方法に依存せず、あらゆる封止方法を適用することが可能である。

また、上記第２電極２５上には、該第２電極２５を覆うように、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止する、図示しない保護膜が設けられていてもよい。

上記保護膜は、絶縁性や導電性の材料で形成される。このような材料としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコンが挙げられる。また、上記保護膜の厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍである。

上記の工程により、有機ＥＬ表示装置１が完成される。

このような有機ＥＬ表示装置１において、配線１４からの信号入力によりＴＦＴ１２をＯＮ（オン）させると、第１電極２１から有機ＥＬ層へホールが注入される。一方で、第２電極２５から有機ＥＬ層に電子が注入され、正孔と電子とが発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ内で再結合する。再結合した正孔および電子は、エネルギーを失活する際に、光として出射される。

上記有機ＥＬ表示装置１においては、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光輝度を制御することで、所定の画像が表示される。

次に、本実施形態にかかる蒸着装置の構成について説明する。

図１は、本実施形態にかかる蒸着装置の真空チャンバ内の概略構成例を示す断面図であり、図２の（ａ）は、図１のＥ部の拡大図である。図７は、本実施形態にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素の鳥瞰図である。図８は、本実施形態にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の被成膜基板とマスクユニットとを被成膜基板の裏面側（つまり蒸着面とは反対側）から見た平面図である。なお、図示の便宜上、図８において、被成膜基板は二点鎖線にて示しており、隔壁は図面にしめされていない。図１は、図８に示すＢ−Ｂ線矢視断面から見たときの蒸着装置の断面に相当する。図９は、本実施形態にかかる蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。

図１に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置５０は、真空チャンバ６０（成膜チャンバ）、基板移動機構７０（基板移動手段、移動手段）、マスクユニット８０、イメージセンサ９０、および制御回路１００（図９参照）を備えている。

図１に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置５０は、真空チャンバ６０（成膜チャンバ）、基板移動機構７０（基板移動手段、移動手段）、マスクユニット８０、イメージセンサ９０、および制御回路１００（図９参照）を備えている。

真空チャンバ６０内には、図１に示すように、基板移動機構７０およびマスクユニット８０が設けられている。

なお、真空チャンバ６０には、蒸着時に該真空チャンバ６０内を真空状態に保つために、該真空チャンバ６０に設けられた図示しない排気口を介して真空チャンバ６０内を真空排気する図示しない真空ポンプが設けられている。

基板移動機構７０は、例えば、被成膜基板２００（例えばＴＦＴ基板１０）を保持する基板保持部材７１（基板保持手段）と、モータ７２（図９参照）とを備えている。

基板移動機構７０は、基板保持部材７１により被成膜基板２００を保持するとともに、後述するモータ駆動制御部１０３（図９参照）によってモータ７２を駆動させることで、被成膜基板２００を保持して水平方向に移動させる。なお、基板移動機構７０は、ｘ軸方向およびｙ軸方向の何れにも移動可能に設けられていてもよく、何れか一方向に移動可能に設けられていてもよい。

なお、基板保持部材７１には、図１に示すように、静電チャック（接触手段）が使用される。本実施形態では、基板保持部材７１である静電チャックにより、シャドウマスク８１（蒸着マスク）を被成膜基板２００側に吸着する。また、被成膜基板２００は、基板保持部材７１である静電チャックにより、自重撓みを防止している。

また、マスクユニット８０は、図１に示すように、シャドウマスク８１と、蒸着源８５と、マスク保持部材８７（保持手段）と、マスクテンション機構８８と、シャッタ８９（図９参照）とを備えている。

シャドウマスク８１としては、例えば金属製のマスクが用いられる。

シャドウマスク８１は、被成膜基板２００の蒸着領域２１０よりも面積が小さく、その少なくとも１辺が、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の幅よりも短く形成されている。ここで、被成膜基板２００の蒸着領域２１０とは、所定のパターンの蒸着膜２１１が成膜される領域全体を指す。

本実施形態では、シャドウマスク８１として、以下の大きさを有する矩形状（帯状）のシャドウマスクを使用する。シャドウマスク８１は、図８に示すように、その長手方向（長軸方向）の長さである長辺８１ａの幅ｄ１が、蒸着領域２１０における、シャドウマスク８１の長辺８１ａに対向する辺（図８に示す例では蒸着領域２１０の長辺２１０ａ）の幅ｄ３よりも長くなるように形成されている。また、シャドウマスク８１は、その短手方向（短軸方向）の長さである短辺８１ｂの幅ｄ２が、蒸着領域２１０における、シャドウマスク８１の短辺８１ｂに対向する辺（図８に示す例では蒸着領域２１０の短辺２１０ｂ）の幅ｄ４よりも短くなるように形成されている。

シャドウマスク８１には、図７および図８に示すように、例えば帯状（ストライプ状）の開口部８２（貫通口）が、一次元方向に複数配列して設けられている。上記開口部８２は、被成膜基板２００への蒸着膜２１１（図１参照）のパターン形成として、例えばＴＦＴ基板１０における発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成を行う場合、これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの同色列のサイズとピッチに合わせて形成されている。

また、シャドウマスク８１には、図１、８に示すように、例えば、被成膜基板２００の走査方向（基板走査方向）に沿って、アライメントマーカ部８３が設けられており、該アライメントマーカ部８３に、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせ（アライメント）を行うためのアライメントマーカ８４（図１参照）が設けられている。

本実施形態では、アライメントマーカ部８３は、図１に示すように、シャドウマスク８１の短辺８１ｂ（短軸）に沿って設けられている。

また、シャドウマスク８１として、その長辺８１ａの幅ｄ１が、蒸着領域２１０における対向する辺の幅ｄ３よりも長く、短辺８１ｂの幅ｄ２が、蒸着領域２１０における対向する辺の幅ｄ４よりも短いシャドウマスクを使用することで、その長手方向両側部（つまり、両短辺８１ｂ・８１ｂ）にアライメントマーカ部８３を形成することができる。したがって、アライメントを容易かつより精密に行うことができる。

一方、被成膜基板２００には、図８に示すように、蒸着領域２１０の外側に、被成膜基板２００の走査方向（基板走査方向）に沿って、アライメントマーカ部２２０が設けられており、該アライメントマーカ部２２０に、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせを行うためのアライメントマーカ２２１（図１参照）が設けられている。

本実施形態では、アライメントマーカ部２２０は、図８に示すように、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の短辺２１０ｂ（短軸）に沿って設けられている。

本実施形態では、ストライプ状の開口部８２は、基板走査方向であるシャドウマスク８１の短辺方向に延設されているとともに、基板走査方向に直交するシャドウマスク８１の長辺方向に複数並んで設けられている。

また、図１に示すように、被成膜基板２００上には、成膜される領域の間に、所定の高さの隔壁２６が複数並んで設けられている。したがって、蒸着時、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とは、隔壁２６を介して接触する。

本実施形態では、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とを接触してとき、シャドウマスク８１の開口部８２同士の間に隔壁２６が位置し、隔壁２６は、開口部８２の形状に合わせて、被成膜基板２００の長辺方向（移動手段により相対移動される方向）にストライプ状に形成されている。

図１に示すように、隔壁２６の高さは、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１に相当している。隔壁２６により、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とが直接接触するおそれがなくなる。

被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１すなわち隔壁２６の高さは、１０μｍ以上１ｍｍ以下の範囲内であることが好ましく、より好ましくは５０μｍ程度である。

隙間ｇ１が１ｍｍを越えると、シャドウマスク８１の開口部８２を通過した蒸着粒子が広がって、蒸着領域の両側に立設した隔壁２６に付着するので、蒸着粒子の無駄を招来する。一方、隙間ｇ１が１０μｍを越えないと、シャドウマスク８１や被成膜基板２００の変形により、シャドウマスク８１が開口領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂに接触し、開口領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂに形成されている第１電極２１や蒸着膜を損傷してしまう虞がある。なお、画素ピッチが大きくなると（すなわち、隔壁間の距離が広くなると）、シャドウマスク８１や被成膜基板２００の変形はより大きくなるため、さらに隙間ｇ１を広くする必要がある。

また、隙間ｇ１が５０μｍ程度であれば、蒸着膜２１１のパターン幅の広がりを十分に小さくすることができ、かつシャドウマスク８１が開口領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂに接触するのを防止できる。

蒸着源８５は、例えば、内部に蒸着材料を収容する容器であり、図１に示すように、シャドウマスク８１との間に一定の隙間ｇ２（空隙）を有して（つまり、一定距離離間して）対向配置されている。

なお、蒸着源８５は、容器内部に蒸着材料を直接収容する容器であってもよく、ロードロック式の配管を有する容器であってもよい。

蒸着源８５は、例えば、上方に向けて蒸着粒子を射出する機構を有している。

蒸着源８５は、シャドウマスク８１との対向面に、上記蒸着材料を蒸着粒子として射出（飛散）させる複数の射出口８６を有している。

本実施形態では、上記したように蒸着源８５が被成膜基板２００の下方に配されており、被成膜基板２００が、上記蒸着領域２１０が下方を向いている状態で基板保持部材７１により保持される。このため、本実施形態では、蒸着源８５は、シャドウマスク８１の開口部８２を介して蒸着粒子を下方から上方に向かって被成膜基板２００に蒸着（アップデポジション、以下、「デポアップ」と記す）させる。

射出口８６は、図１および図７に示すように、シャドウマスク８１の開口領域において開口するように、それぞれ、シャドウマスク８１の開口部８２に対向して設けられている。本実施形態では、上記射出口８６は、シャドウマスク８１の開口部８２に対向して、シャドウマスク８１の開口部８２の並設方向に沿って一次元配列されている。

このため、図７および図８に示すように、被成膜基板２００の裏面側から見たときに（つまり平面視で）、蒸着源８５におけるシャドウマスク８１との対向面（すなわち、射出口８６の形成面）は、例えば、矩形状（帯状）のシャドウマスク８１の形状に合わせて、矩形状（帯状）に形成されている。

マスクユニット８０において、シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、相対的に位置が固定されている。すなわち、シャドウマスク８１と上記蒸着源８５の射出口８６の形成面との間の隙間ｇ２は、常に一定に保たれているとともに、シャドウマスク８１の開口部８２の位置と上記蒸着源８５の射出口８６の位置とは、常に同じ位置関係を有している。但し、シャドウマスク８１と蒸着源８５との位置関係は本発明において必須の条件ではなく、位置関係を変化させることも可能である。

なお、蒸着源８５の射出口８６は、マスクユニット８０を被成膜基板２００の裏面から見たときに（つまり、平面視で）、シャドウマスク８１の開口部８２の中央に位置するように配置されている。

シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、例えば、図１に示すように、マスクテンション機構８８を介してシャドウマスク８１および蒸着源８５を保持・固定するマスク保持部材８７（例えば同一のホルダ）に備えられ、これにより一体化されることで、その相対的な位置が保持・固定されている。

またシャドウマスク８１は、マスクテンション機構８８により、テンション（張力）が加えられ、自重による撓みや延びが発生しないように適宜調整されている。

また、シャッタ８９は、蒸着粒子のシャドウマスク８１への到達を制御するために、必要に応じて用いられる。シャッタ８９は、後述する蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４（図９参照）からの蒸着ＯＦＦ信号もしくは蒸着ＯＮ信号に基づいてシャッタ駆動制御部１０５（図９参照）によって閉鎖もしくは開放される。

シャッタ８９（図９参照）は、例えば、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間に進退可能（挿入可能）に設けられている。シャッタ８９は、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間に挿入されることでシャドウマスク８１の開口部８２を閉鎖する。このように、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間にシャッタ８９を適宜差し挟むことで、余計な部分（非蒸着領域）への蒸着を防止することができる。

なお、蒸着装置５０において、蒸着源８５から飛散した蒸着粒子はシャドウマスク８１内に飛散するように調整されており、シャドウマスク８１外に飛散する蒸着粒子は、防着板（遮蔽板）等で適宜除去される構成としてもよい。

また、真空チャンバ６０の外側には、撮像手段（画像読取手段）として例えばＣＣＤを備えたイメージセンサ９０（図９参照）が設けられているとともに、制御手段として、上記イメージセンサ９０に接続された制御回路１００が設けられている。

イメージセンサ９０は、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせを行うための位置検出手段として機能する。

また、制御回路１００は、画像検出部１０１、演算部１０２、モータ駆動制御部１０３、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４、およびシャッタ駆動制御部１０５を備えている。

上記したように、被成膜基板２００には、図８に示すように、蒸着領域２１０の外側に、例えば基板走査方向に沿ってアライメントマーカ部２２０が設けられており、該アライメントマーカ部２２０に、アライメントマーカ２２１が設けられている。

画像検出部１０１は、イメージセンサ９０で取り込まれた画像から、被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２１並びにシャドウマスク８１のアライメントマーカ８４の画像検出を行うとともに、被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２１における、蒸着領域２１０の始端を示す始端マーカ、および、蒸着領域２１０の終端を示す終端マーカから、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の始端および終端を検出する。

なお、始端マーカと終端マーカとは、同じものであってもよい。この場合、基板走査方向にて、蒸着領域２１０の始端か終端かを判断する。

また、演算部１０２は、画像検出部１０１で検出された画像より、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な移動量（例えばシャドウマスク８１に対する被成膜基板２００の移動量）を決定する。例えば、上記演算部１０２は、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量（ｘ軸方向およびｙ軸方向におけるズレ成分、並びに、ｘｙ平面における回転成分）を計算し、被成膜基板２００の基板位置の補正値を演算して決定する。つまり、上記補正値は、基板走査方向に対して垂直な方向および被成膜基板２００の回転方向に関して演算することで決定される。

なお、ここで、被成膜基板の回転方向とは、被成膜基板２００の被成膜面の中心におけるｚ軸を回転軸とした、ｘｙ平面内での回転の方向を示す。

上記補正値は、補正信号としてモータ駆動制御部１０３に出力され、モータ駆動制御部１０３は、演算部１０２からの補正信号に基づいて、基板保持部材７１に接続されたモータ７２を駆動することで、被成膜基板２００の基板位置を補正する。

なお、アライメントマーカ８４・２２１を用いた基板位置補正については、アライメントマーカ８４・２２１の形状例と併せて後述する。

モータ駆動制御部１０３は、モータ７２を駆動することで、被成膜基板２００を、上記したように水平方向に移動させる。

蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４は、画像検出部１０１で蒸着領域２１０の終端が検出されると、蒸着ＯＦＦ（オフ）信号を発生させ、画像検出部１０１で蒸着領域２１０の始端が検出されると、蒸着ＯＮ（オン）信号を発生させる。

シャッタ駆動制御部１０５は、上記蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＦＦ信号が入力されると、シャッタ８９を閉鎖する一方、上記蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＮ信号が入力されると、シャッタ８９を開放する。

次に、アライメントマーカ８４・２２１を用いた基板位置補正並びにアライメントマーカ８４・２２１の形状例について説明する。

図１０の（ａ）〜（ｃ）に、アライメントマーカ８４・２２１の形状の一例を示す。なお、図１０の（ｂ）・（ｃ）は、それぞれ、図示の都合上、並列して配置されたアライメントマーカ８４・２２１のうち２つだけを抜粋して示している。

演算部１０２は、画像検出部１０１で検出したアライメントマーカ８４・２２１の画像から、ｘ軸方向におけるアライメントマーカ８４・２２１の端部（外縁部）間の距離ｒおよびｙ軸方向におけるアライメントマーカ８４・２２１の端部（外縁部）間の距離ｑを測定（算出）することで、アライメントのズレ量を計算して基板位置の補正値を演算する。

例えば、基板走査方向がｘ軸方向である場合、図１０の（ａ）〜（ｃ）中、ｒが基板走査方向における上記端部間の距離であり、ｑが、基板走査方向に垂直な方向の上記端部間の距離である。演算部１０２は、距離ｒと距離ｑとを、例えば被成膜基板２００における蒸着領域２１０の両側で測定（算出）することで、基板走査時におけるアライメントのズレ量を計算する。

なお、本実施形態では、後述するように、被成膜基板２００を走査しながらシャドウマスク８１と被成膜基板２００とのアライメントを行う場合を例に挙げて説明するが、これに限らず、基板走査前に十分なアライメントを行い、基板走査中はアライメントを行わないことも可能である。

例えば、後述する実施形態に示すように、被成膜基板２００を被成膜基板２００の蒸着領域２１０の一辺（例えば、図１０の（ａ）〜（ｃ）中、ｙ軸方向）に沿って移動させた後、上記辺に直交する辺（例えば、図１０の（ａ）〜（ｃ）中、ｘ軸方向）に沿って移動させることが考えられる。この場合、図１０の（ａ）〜（ｃ）中、ｒが、基板走査方向に垂直な方向の上記端部間の距離であり、ｑは、被成膜基板２００の移動方向（シフト方向）の上記端部間の距離を示す。

この場合、演算部１０２は、四隅のアライメントマーカにおける、距離ｒと距離ｑとを測定することで、基板走査開始時におけるアライメントのズレ量と被成膜基板２００の移動（シフト）時のアライメントのズレ量とを計算する。

なお、図１０の（ａ）〜（ｃ）に示すように、アライメントマーカ８４・２２１の形状は、帯状であってもよく、正方形等の四角形状であってもよく、枠状、十字状等であってもよい。アライメントマーカ８４・２２１の形状は、特に限定されるものではない。

次に、本実施形態にかかる上記蒸着装置５０を有機ＥＬ表示装置１の製造装置として用いて、有機ＥＬ層をパターン形成する方法の一例について詳述する。

なお、本実施形態では、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ２（すなわち、蒸着源８５の射出口８６形成面とシャドウマスク８１との間の距離）を１００ｍｍとし、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１（すなわち隔壁２６の高さ）を４０μｍとした。

上記ＴＦＴ基板１０の基板サイズは、走査方向が３２０ｍｍ、走査方向に垂直な方向が４００ｍｍとし、蒸着領域２１０（表示領域）の幅は、走査方向の幅（幅ｄ４）が２６０ｍｍ、走査方向に垂直な方向の幅（幅ｄ３）が３１０ｍｍとした。

また、上記ＴＦＴ基板１０における各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの開口領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂの幅は、３６０μｍ（走査方向）×９０μｍ（走査方向に垂直な方向）とした。また、上記開口領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチは４８０μｍ（走査方向）×１６０μｍ（走査方向に垂直な方向）とした。なお、上記開口領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチ（画素開口部間ピッチ）は、隣り合うサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおけるそれぞれの開口領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチを示しており、同色サブ画素間のピッチではない。

また、シャドウマスク８１には、長辺８１ａ（長軸方向）の幅ｄ１（走査方向に垂直な方向の幅）が６００ｍｍ、短辺８１ｂ（短軸方向）の幅ｄ２（走査方向の幅）が２００ｍｍのシャドウマスクを用いた。
また、シャドウマスク８１の開口部８２の開口幅は、１５０ｍｍ（長軸方向の幅ｄ５；図８参照）×１１０μｍ（短軸方向の幅ｄ６；図８参照）とし、隣り合う開口部８２・８２間の間隔ｄ８（図８参照）は正孔注入層兼正孔輸送層に対しては５０μｍ、発光層に対しては３７０μｍとし、隣り合う開口部８２・８２の中心間のピッチｐ（図８参照）は正孔注入層兼正孔輸送層に対しては１６０μｍ、発光層に対しては４８０μｍとした。

なお、本実施の形態において、上記シャドウマスク８１の短辺８１ｂの幅ｄ２（短辺長）としては、２００ｍｍ以上であることが好ましい。この理由は以下の通りである。

つまり、蒸着レートは１０ｎｍ／ｓ以下が好ましく、これ以上になると、蒸着された膜（蒸着膜２１１）の均一性が低下し、有機ＥＬ特性が低下する。

また、蒸着膜２１１の膜厚は一般に１００ｎｍ以下である。１００ｎｍ以上となると、必要な印加電圧が高くなり、結果として、製造された有機ＥＬ表示装置の消費電力が増加する。したがって、蒸着レートと蒸着膜２１１の膜厚とから、必要な蒸着時間は１０秒以上と見積もられる。

一方、処理能力（タクトタイム）の制限によって、例えば幅２ｍのガラス基板に対して蒸着を１５０秒で完了するためには、少なくとも、走査速度を１３．３ｍｍ／ｓ以上にする必要がある。処理時間１５０秒は、およそ一日当たり５７０枚を処理できるタクトタイムである。

上記走査速度で、上記したように１０秒以上の蒸着時間を得るためには、シャドウマスク８１の開口部８２は、走査方向に少なくとも１３３ｍｍ以上、開口している必要がある。

開口部８２の端からシャドウマスク８１の端までの距離（マージン幅ｄ７；図８参照）を３０ｍｍ程度が妥当と想定した場合、シャドウマスク８１の走査方向の幅は、１３３＋３０＋３０≒２００ｍｍが必要となる。

したがって、シャドウマスク８１の短辺長（幅ｄ２）は、２００ｍｍ以上であることが好ましいと言える。但し、蒸着レートや蒸着膜２１１の膜厚、タクトタイムの許容量が変化すればこの限りではない。

また、本実施形態において、上記ＴＦＴ基板１０の走査速度は３０ｍｍ／ｓとした。

以下の説明では、上記したように、被成膜基板２００として、上記隔壁形成工程（Ｓ２）が終了した段階でのＴＦＴ基板１０を使用し、有機ＥＬ層のパターン形成として、上記正孔注入層兼正孔輸送層蒸着工程（Ｓ３）において、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２を蒸着する場合を例に挙げて説明する。

まず、図１に示すように、シャドウマスク８１を、真空チャンバ６０内の蒸着源８５の上に設置し、マスクテンション機構８８で張力をかけて水平に保持する。次に、基板走査方向とシャドウマスク８１に形成されたストライプ状の開口部８２の長軸方向とが一致するように、シャドウマスク８１のアライメントマーカ８４を用いて調整を行った。

真空チャンバ６０にＴＦＴ基板１０を投入し、ＴＦＴ基板１０の同色画素列の方向が基板走査方向に一致するように、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１を用いて調整を行った（図１２のＳ１１）。その後、基板端部でシャドウマスク８１とＴＦＴ基板１０とを重ね合わせ、両者の粗アライメントを行い（図１２のＳ１２）、その部分で互いを隔壁２６を介して接触させた（接触工程、図１２のＳ１３）。

次に、ＴＦＴ基板１０を走査し、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とを隔壁２６を介して接触させながら、ＴＦＴ基板１０がシャドウマスク８１の上を通過するように基板走査を行った。この時、図１１（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０の各画素列（サブ画素列２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ）とシャドウマスク８１の開口部８２との位置が一致するように、各々のアライメントマーカ２２１、８４を用いて、走査と同時に精密なアライメントを行った（図１２のＳ１４）。

図１３は、アライメント調整方法を示すフローチャートである。アライメントの調整は、図１３に示すフローに従って行われる。

まず、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０の基板位置を、イメージセンサ９０にて取り込む（図１３のＳ２１）。

次に、イメージセンサ９０で取り込まれた画像から、画像検出部１０１にて、上記ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１およびシャドウマスク８１のアライメントマーカ２２１の画像検出を行う（図１３のＳ２２）。

その後、上記画像検出部１０１にて検出されたアライメントマーカ２２１・８４の画像から、演算部１０２にて、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量を計算し、基板位置の補正値を演算して決定する（図１３のＳ２３）。

次いで、モータ駆動制御部１０３が、上記補正値に基づいてモータ７２を駆動することで、基板位置を補正する（Ｓ図１３の２４）。

次いで、補正後の基板位置を再びイメージセンサ９０で検出してＳ２１〜Ｓ２５の工程（ステップ）を繰り返す。

このように、本実施の形態によれば、繰り返し基板位置をイメージセンサ９０で検出して基板位置を補正することで、基板走査しながら基板位置を補正することが可能であり、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とを精密アライメントしながら成膜することができる。

次に、ＴＦＴ基板１０の走査方向を反転させ、上記と同様の方法にて、同じ位置に当該正孔注入層兼正孔輸送層材料を蒸着した。これにより、各サブ画素の開口領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ上に膜厚３０ｎｍの正孔注入層兼正孔輸送層２２を得た（図１２のＳ１６）。

なお、Ｓ１４〜Ｓ１６において、ＴＦＴ基板１０における非蒸着領域がシャドウマスク８１の開口部８２上に位置するとき（例えば、Ｓ１４に示すステップ終了後、Ｓ１６で走査方向が反転されるまでの間）は、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間にシャッタ８９を挿入し、非蒸着領域に蒸着粒子が付着するのを防いだ（図１２のＳ１５）。

ここで、上記Ｓ１５における、シャッタ８９を用いた蒸着制御について、図１４および図１５を参照して以下に説明する。

図１４は、蒸着ＯＦＦ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。また、図１５は、蒸着ＯＮ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。

まず、蒸着ＯＦＦ時のフローについて説明する。

図１４に示すように、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０の基板位置は、図１３で説明したように、蒸着処理の間、イメージセンサ９０によって絶えず取り込まれている（図１４のＳ３１）。

図１３で説明したように、画像検出部１０１は、上記イメージセンサ９０で取り込まれた画像から、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１およびシャドウマスク８１のアライメントマーカ２２１の画像検出を行っている。画像検出部１０１は、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１として、蒸着領域の終端を示す終端マーカを検出することで、図１４に示すように、蒸着領域２１０の終端を検出する（図１４のＳ３２）。

上記したように画像検出部１０１で蒸着領域２１０の終端が検出されると、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４は、蒸着ＯＦＦ信号を発生させる（図１４のＳ３３）。

シャッタ駆動制御部１０５は、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＦＦ信号が入力されると、シャッタ８９を閉鎖する（図１４のＳ３４）。シャッタ８９が閉鎖されると、蒸着粒子がマスクに到達しなくなり、蒸着ＯＦＦとなる（図１４のＳ３５）。

次に、蒸着ＯＮ時のフローについて説明する。

図１５に示すように、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０の基板位置が、蒸着処理の間、イメージセンサ９０によって絶えず取り込まれていることは、前記した通りである（図１５のＳ４１）。

画像検出部１０１は、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１として、蒸着領域の始端を示す始端マーカを検出することで、蒸着領域２１０の始端を検出する（図１５のＳ４２）。

画像検出部１０１で蒸着領域２１０の終端が検出されると、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４は、蒸着ＯＮ信号を発生させる（図１５のＳ４３）。

シャッタ駆動制御部１０５は、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＮ信号が入力されると、シャッタ８９を開放する（図１５のＳ４４）。シャッタ８９が開放されると、蒸着粒子がマスクに到達するようになり、蒸着ＯＮとなる（図１５のＳ４５）。

また、上記Ｓ１６における往復走査は、以下のようにして行われる。まず、Ｓ２１〜Ｓ２４に示すステップで精密アライメントを行いながら基板を走査し、画像検出部１０１で蒸着領域２１０の終端が検出されると、モータ駆動制御部１０３によってモータ７２を駆動してＴＦＴ基板１０を反転させる。この間、Ｓ３１〜Ｓ３５に示すステップにより蒸着ＯＦＦし、Ｓ２１〜Ｓ２４に示すステップでＴＦＴ基板１０の位置補正を行い、Ｓ４１〜Ｓ４５に示すステップによって蒸着領域２１０の始端で蒸着ＯＮする。そして、Ｓ２１〜Ｓ２４に示すステップで再度、精密アライメントを行いながら基板を走査する。
このようにして、Ｓ１６で示したように、所望の膜厚の発光層２３Ｒが形成される。

本実施の形態では、Ｓ１６に示すステップ後、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２が形成されたＴＦＴ基板１０を上記真空チャンバ６０から取り出した（Ｓ１７）。

他の例として、上記正孔注入層兼正孔輸送層蒸着工程（Ｓ３）が終了した段階でのＴＦＴ基板１０に、有機ＥＬ層のパターン形成として、発光層蒸着工程（Ｓ４）において発光層２３Ｒ（図１１（ｂ）を参照）の塗り分け形成を行う場合を説明する。

正孔注入層兼正孔輸送層材料を蒸着する場合と同様にして、ＴＦＴ基板１０を投入し（図１２のＳ１１）、粗アライメントを行い（図１２のＳ１２）、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とを、隔壁２６を介して接触させた（図１２のＳ１３）。図１１（ｂ）のように、ＴＦＴ基板１０の赤色の画素列（サブ画素列２Ｒ）とシャドウマスク８１の開口部８２との位置が一致するように、各々のアライメントマーカ２２１、８４を用いて走査と同時に精密なアライメントを行いながら、正孔注入層兼正孔輸送層２２と同様の基板走査によって、発光層２３Ｒを蒸着し、蒸着源８５から飛散した蒸着粒子がＴＦＴ基板１０の所望の位置に付着した（図１２のＳ１４）。基板の往復走査により所定の膜厚の発光層を得た（図１２のＳ１６）。

上記した正孔注入層兼正孔輸送層２２の形成と同じく、発光層２３のパターンニング形成では、Ｓ１４〜Ｓ１６において、ＴＦＴ基板１０における非蒸着領域がシャドウマスク８１の開口部８２上に位置するとき（例えば、Ｓ１４に示すステップ終了後、Ｓ１６で走査方向が反転されるまでの間）は、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間にシャッタ８９を挿入し、非蒸着領域に蒸着粒子が付着するのを防いだ（図１２のＳ１５）。

Ｓ１６に示すステップ後、上記発光層２３Ｒが形成されたＴＦＴ基板１０を上記真空チャンバ６０から取り出した。（Ｓ図１２の１７）
発光層２３Ｒの有機材料は赤色の、３−フェニル−４（１’−ナフチル)−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）（ホスト材料）と、ビス(２−(２’−ベンゾ[４，５−α]チエニル)ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’)イリジウム（アセチルアセトネート）(ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）)（赤色発光ドーパント）とをそれぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．５３ｎｍ／ｓとし、共蒸着することで作製した。正孔注入層兼正孔輸送層２２と同様に基板の走査方向を反転させて蒸着を行い、膜厚５０ｎｍの赤色の発光層２３Ｒを得た。

そして、緑色の発光層２３Ｇ形成用のマスクユニット８０並びに真空チャンバ６０を用いて、上記発光層２３Ｒの成膜処理と同様にして緑色の発光層２３Ｇを成膜した。

また、このようにして発光層２３Ｇを形成した後、青色の発光層２３Ｂ形成用のマスクユニット８０並びに真空チャンバ６０を用いて、上記発光層２３Ｒ・２３Ｇの成膜処理と同様にして青色の発光層２３Ｂを成膜した。

上記にも説明したように、発光層２４０Ｂに相当する青色の発光層材料としては、ＴＡＺ（ホスト材料）と２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４’’−ビフェニルイル)−１，３，４−オキサジアゾール（ｔ−Ｂｕ ＰＢＤ）（青色発光ドーパント）をそれぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．６７ｎｍ／ｓとし、共蒸着することで作製した。また、膜厚は５０ｎｍとした。

また、発光層２３Ｇに相当する緑色の発光層材料としてはＴＡＺ（ホスト材料）と Ｉｒ（ｐｐｙ）３（緑色発光ドーパント）を用い、それぞれ蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．６７ｎｍ／ｓとし、共蒸着することで作製した。また、膜厚は５０ｎｍとした。

以上のような工程によって、発光層２３が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）にパターン形成されたＴＦＴ基板１０を得た。

本実施の形態によれば、上記した蒸着装置５０を有機ＥＬ表示装置１の製造装置として使用し、上記した蒸着方法を用いて有機ＥＬ表示装置１を製造することで、従来と比較して、より大型の有機ＥＬ表示装置１を実現することができる。

従来のマスク蒸着法では、シャドウマスクと被成膜基板とをアライメントして貼り合わせたり、磁力によりシャドウマスクと被成膜基板とを接触させたりしてシャドウマスクと被成膜基板とを一体化した状態で蒸着を行っていた。また、シャドウマスクは、被成膜基板とほぼ同じ大きさに形成されていた。

このため、シャドウマスクの自重撓みや延びにより、被成膜基板とシャドウマスクとの間に隙間が生じ、蒸着位置ズレや混色が発生し、高精細化が困難となるという問題があった。

また、従来、蒸着源は真空チャンバに固定されていたことから、小型のシャドウマスクを使用し、シャドウマスクを移動させながら、被成膜基板の一部の領域に対して順次蒸着を行う場合、シャドウマスクのない領域で被成膜基板に蒸着粒子が付着しないように、付着防止のための遮蔽板が必要であり、それをシャドウマスクに合わせて、順次移動させる必要がある。この場合、構造が複雑化する。

また、可動の遮蔽板を用いず、シャドウマスクの移動に合わせて、移動した領域毎に対応する蒸着源をＯＮし、それ以外をＯＦＦに切り替える場合、均一な蒸発分布を有する高度に制御された基板サイズの面蒸着源が必要となるばかりでなく、ＯＦＦの蒸着源は未稼働になるため、処理効率の低い装置となる。

これに対し、本実施の形態では、上記したように、従来とは異なり、シャドウマスク８１と蒸着源８５とを一体化（相対位置を固定化）し、被成膜基板２００であるＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間に隔壁２６を設け、ＴＦＴ基板１０を、隔壁２６を介してシャドウマスク８１と接触した状態でその上を通過させて走査することで、シャドウマスク８１の開口部８２を通過した蒸着粒子をＴＦＴ基板１０に蒸着させている。

すなわち、本実施の形態によれば、上記マスクユニット８０を用いて、上記ＴＦＴ基板１０とマスクユニット８０との間に一定の高さ（例えばｇ１）を有した隔壁２６を設けた状態で、例えば、ＴＦＴ基板１０をマスクユニット８０に対して相対移動させる。また、隔壁２６間にシャドウマスク８１の開口部８２が存在するため、蒸着源８５の射出口８６から射出させた蒸着粒子を、上記シャドウマスク８１の開口部８２を介して上記ＴＦＴ基板１０の蒸着面における蒸着領域２１０に順次蒸着させることで、ＴＦＴ基板１０の蒸着領域２１０に、所定のパターンを成膜している。

また、本実施形態によれば、隣接画素とは隔壁２６によって隔絶されているため、蒸着粒子が隣接画素に侵入することなく、混色による表示品位の低下を抑制することができる。また、シャドウマスク８１は隔壁２６にのみ接触しているため、シャドウマスク８１が発光領域に接触するのを防止しＴＦＴ基板１０上の有機ＥＬ素子が損傷するのを防止することができる。また、隔壁２６の高さを充分に確保することにより、基板走査時にシャドウマスク８１が振動しても、当該マスクが発光領域に接触するのを防止することができる。好ましくは隔壁間の幅に対し、１／１０以上の高さをもつ隔壁２６とすればよい。本実施形態においては、隔壁２６間の幅は１３０μｍであるので、１３μｍ以上あればよい。

また、本実施形態によれば、従来とは異なり、ＴＦＴ基板１０（被成膜基板）よりも面積的に小さいシャドウマスク８１（蒸着マスク）を用い、ＴＦＴ基板１０と同等サイズのマスクを用いる必要がないため、従来のマスクを用いた蒸着方法で問題となっていた、マスクの大型化に伴う自重撓みや延び、マスクフレームの超重量化などが発生しない。したがって、大型のＴＦＴ基板１０に対しても、有機ＥＬ層のパターン形成が可能となる。

例えば、従来のマスク蒸着法で、シャドウマスクの大型化に伴う自重撓みなどによりシャドウマスクと被成膜基板との間に空隙が発生したとき、図１６（ａ）に示すように、マスクの開口部に斜めに入射した蒸着粒子は、空隙を斜めに通過して基板に付着する。このため、入射角度および空隙の幅にしたがって蒸着ボケが発生する。入射角度の正接および空隙と、蒸着ボケとの関係は正比例関係となる。

一方本実施形態によれば、図２に示すように、シャドウマスク８１上の１つの開口部８２に対して、被成膜基板２００上にはそれに対応する位置の両側に隔壁２６が設けられている。このため、図１６の（ｂ）に示すように、斜めに入射した蒸着粒子は、隔壁２６によって阻まれ、蒸着ボケは必然的に画素内に収まる。したがって、蒸着ボケ量が蒸着粒子の入射角度や隔壁２６の高さに依存せず、また隣接画素に蒸着ボケが及んで混色や特性低下を招くことを確実に防ぐことができる。

また、隔壁２６間にシャドウマスク８１の開口部８２が存在するため、正孔注入層兼正孔輸送層２２や発光層２３が隔壁２６の上面に付着することがない。そのため、基板走査時に隔壁２６上をシャドウマスク８１が滑走しても、既に蒸着された膜の剥がれやそれによる有機ＥＬ素子の特性の損傷が発生する虞がない。

また、本実施形態によれば、蒸着源８５からシャドウマスク８１に向かってほぼ垂直に飛散（飛翔）した蒸着粒子は、シャドウマスク８１の開口部８２を通って、ほぼ垂直に飛翔してＴＦＴ基板１０に付着し、蒸着膜２１１となる。このとき、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間に一定の高さの隔壁２６を設けたので、ＴＦＴ基板１０を走査している間も一定に保持されるため、幅および膜厚が均一な蒸着膜２１１を形成することができる。

したがって、本実施形態によれば、基板面内で均一にパターン形成された有機層を得ることができ、表示品位の高い有機ＥＬ表示装置１を実現することができる。

しかも、上記したようにＴＦＴ基板１０を走査しながら蒸着を行うことで、材料利用効率を高くしたまま、均一性の高い蒸着膜２１１を上記ＴＦＴ基板１０に形成することができる。

上記したように、ＴＦＴ基板１０よりも面積的に小さいシャドウマスク８１を使用していることから、シャドウマスクの大型化に伴ってシャドウマスクを保持するフレームが巨大化・超重量化し、それを取扱う装置も巨大化・複雑化し、製造工程における取り扱いの危険性が生じるといった問題が発生することを抑制することができる。したがって、装置の設計が容易になり（装置の縮小化）、またマスク交換等の安全性が向上する。

また、本実施形態では、図１７の（ａ）に示すように断続部のない隔壁２６を、サブ画素列を挟むように設けた構成を用いている。但し、本発明はこの構成に限らない。例えば、同図の（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）など、隔壁２６を断続的に形成した構成が挙げられる。

このように断続的に形成すると、隔壁２６のテーパー角が大きい場合に第２電極２５が隔壁２６の壁面で電気的接続が切れたとしても、断続部（断続的に形成された隔壁間の部分）を通じて第２電極２５の電気的接続を確保することができる。

例えば、隔壁２６の壁面が逆テーパー形状（テーパー角が９０°を越える）となっていた場合、蒸着時に第２電極２５は隔壁壁面に付着しないため、第２電極２５が画素列方向にストライプ状に分断された構造となる。そうすると、ストライプ方向にしか電流の通路がなくなるため、第２電極２５の抵抗が上がってしまい、第２電極２５による電圧降下、並びに表示領域内での各画素への印加電圧の不均一が発生する。しかしながら、隔壁２６に断続部があれば、電流の通路は網目状になるため、第２電極２５の抵抗増加を抑制することができる。

但し、ＴＦＴ基板１０を走査しながら蒸着膜のパターン形成する際、例えば、図１８の（ａ）に示すように、断続部を通じて蒸着粒子が隣接画素に侵入し、混色を招く虞がある。それを抑制するためには、図１８の（ｂ）に示すように、画素の平面図において、断続部を通過し得る直線が他の画素の発光領域上を通過しないようにすればよい。このような構成により、断続部を通過して隣接画素に侵入した蒸着粒子があったとしても、その蒸着粒子は他の画素の発光領域に付着することはない。したがって、混色は発生しない。

また、本実施形態によれば、上記したようにシャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を固定していることから、基板走査に際し、例えばＴＦＴ基板１０を移動させるだけでよく、従来のようにシャドウマスクを被成膜基板に接触させた状態で移動させたり、このようにシャドウマスクを接触させた被成膜基板に対して蒸着源を移動させたりする必要性がない。

したがって、シャドウマスクと被成膜基板とがずれないように強固に固定しつつ、なおかつ両方を移動させるための複雑な機構や、均一な膜厚を得るために蒸着源の精密な蒸着量制御、移動制御を行う不要がない。

さらに、本実施形態によれば、上記したようにシャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を固定しているため、蒸着粒子が余計な部分（非蒸着領域）に付着することを防止するための遮蔽板は必要ではなく、たとえ遮蔽板を用いるとしても、遮蔽板を固定しておくだけでよく、構造を簡素なものとすることができる。

また、本実施形態では、マスクサイズの蒸着源８５を使用しており、基板サイズの面蒸発源は不要であり、蒸発分布の均一性も、基板走査方向に対して垂直な方向のみで制御できていればよい。

加えて、従来のように基板サイズの蒸着源をＯＮ／ＯＦＦで切り替える必要がないため、処理効率が高くなる。

なお、本実施形態では、上記マスクユニット８０が、真空チャンバ６０内に固定配置された構成としたが、本実施形態はこれに限定されるものではない。

上記蒸着装置５０は、上記基板移動機構７０に代えて、被成膜基板２００を固定する基板保持部材７１（例えば静電チャック）を備えるとともに、上記マスクユニット８０を、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を保ったまま被成膜基板２００に対して相対移動させるマスクユニット移動機構（マスクユニット移動手段）を備えていてもよい。あるいは、基板移動機構７０およびマスクユニット移動機構の両方を備えていてもよい。

すなわち、上記被成膜基板２００およびマスクユニット８０は、その少なくとも一方が相対移動可能に設けられていればよく、何れを移動させる場合であっても、本発明の効果を得ることができる。

なお、上記基板移動機構７０およびマスクユニット移動機構としては、例えば、ローラ式の移動機構であってもよく、油圧式の移動機構であってもよい。

上記したように被成膜基板２００に対してマスクユニット８０を相対移動させる場合、上記マスクユニット８０は、例えばマスク保持部材８７（例えば同一のホルダ）ごと、シャドウマスク８１および蒸着源８５を被成膜基板２００に対して相対移動させる。これにより、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を保ったまま被成膜基板２００に対して上記マスクユニット８０を相対移動させることができる。

このように、被成膜基板２００に対してマスクユニット８０を相対移動させる場合には、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、例えば、同一のホルダ（保持部材、保持手段）にて保持されることで、一体化されていることが好ましい。

但し、上記したようにマスクユニット８０に対して被成膜基板２００を相対移動させる場合には、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、相対的に位置が固定されていれば、必ずしも一体化されている必要はない。

例えば、上記マスクユニット８０は、蒸着源８５が真空チャンバ６０の内壁における例えば底壁に固定されるとともに、マスク保持部材８７が、上記真空チャンバ６０の内壁の何れかに固定されることで、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置が固定されていても構わない。

また、上記シャドウマスク８１の開口部８２は、上記蒸着源８５における射出口８６の配置に合わせて、各射出口８６が、平面視で何れかの開口部８２内に位置するとともに、開口部８２と射出口８６とが１対１に対応して設けられている場合を例に挙げて説明したしかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。開口部８２と射出口８６とは、必ずしも対向配置されている必要はなく、また、必ずしも１対１に対応していなくてもよい。

具体的には、開口部８２のピッチｐと射出口８６のピッチとは一致しなくてもよい。また、開口部８２の幅ｄ５あるいは幅ｄ６と射出口８６の開口幅（開口径）とは一致していなくてもよい。例えば、図１に示す例において、射出口８６の開口径は、開口部８２の幅ｄ６よりも大きくても小さくても構わない。また、一つの開口部８２に対して複数の射出口８６が設けられていてもよく、複数の開口部８２に対して一つの射出口８６が設けられていてもよい。また、複数の射出口８６のうち一部（少なくとも一つ）の射出口８６、あるいは、射出口８６の一部の領域が、非開口部（つまり、シャドウマスク８１における開口部８２以外の領域（例えば開口部８２・８２間の領域））に対向して設けられていても構わない。

但し、シャドウマスク８１の非開口部に蒸着粒子が付着する量を低減し、材料利用効率をできるだけ向上する観点からは、各射出口８６の少なくとも一部（つまり、少なくとも一部の領域）が、一つまたは複数の開口部８２に重畳するように、各射出口８６が、それぞれ、開口部８２に対向して設けられていることが好ましい。さらには、各射出口８６が、平面視で何れかの開口部８２内に位置するように射出口８６と開口部８２とが対向して設けられていることがより好ましい。

また、本実施形態では、シャドウマスク８１の開口部８２および蒸着源８５の射出口８６が、一次元に配列されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではない。シャドウマスク８１の開口部８２と蒸着源８５の射出口８６とは、それぞれ、互いに対向して配置されていればよく、二次元に配列されていても構わない。

また、本実施形態では、シャドウマスク８１の開口部８２および蒸着源８５の射出口８６が、それぞれ複数設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではない。シャドウマスク８１は、開口部８２を少なくとも１つ備えていればよく、蒸着源８５は、射出口８６を少なくとも１つ備えていればよい。

つまり、シャドウマスク８１並びに蒸着源８５は、開口部８２並びに射出口８６が、それぞれ１つだけ設けられている構成を有していてもよい。この場合でも、マスクユニット８０および被成膜基板２００のうち少なくとも一方を相対移動させて、蒸着粒子をシャドウマスク８１の開口部８２を介して被成膜基板２００の蒸着領域２１０に順次蒸着させることで、被成膜基板２００に所定のパターンの成膜を行うことができる。

また、本実施形態では、シャドウマスク８１が、スリット状の開口部８２を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、上記開口部８２の形状は、所望の蒸着パターンが得られるように適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。

また、本実施形態では、基板移動機構７０が、基板保持部材７１として静電チャックを備えている場合を例に挙げて説明した。このように、被成膜基板２００が静電チャックにより保持されていることで、被成膜基板２００の自重による撓みの発生を効果的に防止することができる。

しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではなく、被成膜基板２００の大きさによっては、例えば、上記基板保持部材７１としては、基板にテンションを掛けて機械的に挟んで保持するローラ等の保持部材を用いても構わない。

また、本実施形態では、シャッタ８９として、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間に進退可能なシャッタが設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、例えば、蒸着源８５として、ＯＮ／ＯＦＦ切り替えが可能な蒸着源８５を使用し、被成膜基板２００における、蒸着不要な部分がシャドウマスク８１の開口領域（つまり、開口部８２に対向する領域）に位置する場合には、蒸着をＯＦＦし、蒸着分子が飛翔しないようにしてもよい。

例えば、シャッタ８９として、蒸着源８５の射出口８６を閉鎖することで蒸着粒子の射出（放出）を止めるシャッタ８９が、蒸着源８５に設けられている構成としてもよい。

あるいは、上記射出口８６にシャッタ８９を設ける代わりに、蒸着ＯＮ信号あるいは蒸着ＯＦＦ信号に基づいて、蒸着源８５の電源をＯＮ／ＯＦＦすることで、蒸着粒子の発生そのものを停止させる構成としても構わない。

何れにしても、本実施形態によれば、上記したように基板面積よりも小さなシャドウマスク８１を使用するとともに、シャドウマスク８１と蒸着源８５とが一体化されていることから、従来のように複数の蒸着源（あるいは射出口）のうち一部の蒸着源（あるいは射出口）をＯＮ／ＯＦＦ制御する必要はなく、非蒸着領域では、蒸着源８５そのもの、つまり、全ての射出口８６をＯＮまたはＯＦＦすればよい。したがって、複雑な機構を必要とせず、簡単にＯＮ／ＯＦＦ制御することができる。

また、本実施形態では、上記したように、ＴＦＴ基板１０側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置１の製造方法を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではない。本発明は、封止基板４０側から光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１にも好適に適用することができる。

また、本実施形態では、ＴＦＴ基板１０および封止基板４０の支持基板としてガラス基板を用いる場合を例に挙げて説明したが、本実施形態はこれに限定されるものではない。

これらＴＦＴ基板１０並びに封止基板４０における各支持基板としては、有機ＥＬ表示装置１がボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合、ガラス基板以外に、例えば、プラスチック基板等の透明基板を用いることもできる。一方、上記有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合には、上記支持基板としては、上記したような透明基板以外に、例えば、セラミックス基板等の不透明な基板を用いることもできる。

また、本実施形態では、陽極（本実施形態では、第１電極２１）が、マトリクス状に形成されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、上記陽極としては、有機ＥＬ層に正孔を供給する電極としての機能を有していれば、その形状、材質、並びに大きさは、特に限定されるものではなく、例えばストライプ状に形成されていても構わない。但し、有機ＥＬ素子の性質上、陽極および陰極のうち少なくとも一方は透明であることが好ましい。一般的には、透明な陽極が用いられる。

また、本実施形態において、上記走査速度、蒸着速度、上記ＴＦＴ基板１０の往復走査回数は、上記した値に限定されるものではない。これらを調整することにより、所望のタクトタイムで所望の膜厚を得ることができる。

また、被成膜基板２００であるＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１や、上記蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ２も、上記した値に限定されるものではない。

また、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ２は、蒸着粒子の空間的な広がりの分布や蒸着源８５から放射される熱の影響を鑑みて適宜調整すればよい。

〔実施形態２〕
本実施の形態について主に図２の（ｂ）、図１９〜図２３に基づいて説明すれば、以下の通りである。

なお、本実施の形態では、主に、上記した実施形態１との相違点について説明するものとし、実施形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

上記実施形態１では、ＴＦＴ基板１０を走査しながらシャドウマスク８１とのアライメントを行った場合を説明しているが、本発明はこれに限らず、走査前に十分なアライメントを行い、基板走査中はアライメントを行わない場合も可能である。このような場合、図１９に示すように、被成膜基板２００の蒸着領域２１０の側面に沿ってアライメントマーカ２２１が配置されている必要はなく、被成膜基板２００の四隅等に配置されていればよい。

さらに、実施形態１と異なる点は、図２の（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０の蒸着領域の形成面から突出して形成された、凸形状の隔壁２６の端面と係合されるように、それと接触するシャドウマスク８１の端面に凹み部８１ｃ（凹形状）が形成されていることである。図２の（ｂ）は、図１のＥ部の他の構成例を示す模式図である。つまり、シャドウマスク８１において、隔壁２６と接触する部分の板厚は他の部分より小さくなっている。もちろん、隔壁２６および凹み部８１ｃの形状は図２に示す形状に限らない。例えば、隔壁２６の端面を凹形状形成し、それと接触するシャドウマスク８１の端面を凸形状に形成してもよい。

本実施形態では、凹み部８１ｃの深さは１０μｍであり、また幅は４０μｍである。隔壁２６の幅は接触部でおよそ２６μｍであったので、シャドウマスク８１の凹み部８１ｃと隔壁２６との間には合計約１４μｍの空隙が空いている。また、シャドウマスク８１に凹み部８１ｃを形成することは、フォトリソグラフィ技術とエッチング時間の調整によって、容易に可能である。

したがって、隔壁２６を介して被成膜基板２００とシャドウマスク８１とを接触したとき、隔壁２６と凹み部８１ｃとが噛み合うことにより、別に位置合わせを行う必要がなく、装置の複雑化、タクトタイムの増大を招かない。

以下、図２０を参照し、ＴＦＴ基板１０に正孔注入層兼正孔輸送層２２および発光層２３の有機ＥＬ層をパターニング形成する際の方法を例として、実施形態１と異なる工程の部分のみ説明する。

実施形態１と同様にシャドウマスク８１の位置調整を行った後、真空チャンバ６０にＴＦＴ基板１０を投入し、基板の同色画素列の方向が基板走査方向に一致するように、シャドウマスク８１のアライメントマーカ８４とＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１を用いて調整を行った。その後、ＴＦＴ基板１０の端部で当該基板１０とシャドウマスク８１とを重ね合わせ、その部分で互いを隔壁２６を介して接触させた。この時、図２０の（ａ）のように、隔壁２６がシャドウマスク８１の凹み部８１ｃに噛み合うようにした。すなわち、隔壁２６はシャドウマスク８１の凹み部８１ｃでシャドウマスク８１と接触している。

次に、ＴＦＴ基板１０を３０ｍｍ／ｓで走査し、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とを接触させながら、ＴＦＴ基板１０がシャドウマスク８１上を通過するように基板走査を行った。この時、蒸着時に、基板とシャドウマスクとの位置合わせは特段行わなかった。ＴＦＴ基板１０がシャドウマスク８１の上を通過する時に、シャドウマスク８１の開口部８２を通じて、蒸着源８５から飛散した蒸着粒子がＴＦＴ基板１０の所望の位置に付着した。ＴＦＴ基板１０がシャドウマスク８１を完全に通過した後には、膜厚１５ｎｍの当該正孔注入層兼正孔輸送層材料がＴＦＴ基板１０に付着した。

次に、ＴＦＴ基板１０の走査方向を反転させ、同様の方法にて、同じ位置に当該正孔注入層兼正孔輸送層材料を蒸着した。これにより、膜厚３０ｎｍの正孔注入層兼正孔輸送層を得た。

同様の方法を用いて、発光層２３もパターニング形成を行った。なお、赤の発光層２３Ｒの蒸着の際は、図２０の（ｂ）のようなシャドウマスク８１を用いた。すなわち、シャドウマスクには、隔壁２６の部分にはいずれも凹み部が形成されているが、開口は赤の画素列のみ形成されている。

なお、その他の手順は実施形態１と同様である。

以上の構成により正孔注入層兼正孔輸送層２２および発光層２３がパターニング形成された有機ＥＬ表示装置１を完成させた。

本実施形態の構成によれば、シャドウマスク８１の凹み部８１ｃが隔壁２６と噛み合っているため、蒸着時にＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との位置合わせを特段行わなくても、互いの位置がずれて混色が発生することなく、所望の位置のみに蒸着を行うことができた。

なお、本実施形態では、蒸着時にＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との位置合わせを行わなかったが、これに限らず、実施形態１と同じように、走査しながら位置合わせを行うこともできる。その場合、シャドウマスク８１の凹み部８１ｃと隔壁２６との噛み合いの効果に加えて、アライメント機構によるＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との位置合わせも同時に行うので、より精密な位置合わせを行うことができる。また、大まかな位置合わせはシャドウマスク８１の凹み部８１ｃと隔壁２６との噛み合いにて行われるため、アライメント機構によるＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との位置合わせは微調だけでよく、アライメント機構を簡略化ないし低コスト化できる効果もある。

また、本実施形態の構成によれば、蒸着時に位置合わせを行う必要がないため、シャドウマスク８１とＴＦＴ基板１０上に隔壁２６とが接触してさえいれば、接触面がどのような形状となっていてもよい。例えば湾曲してもよい。シャドウマスク８１をＴＦＴ基板１０の面に押し付けることで、マスク面も基板面に容易に追随することができる。したがって、板厚の異なるガラス基板や様々なフレキシブル基板（例えば薄いプラスチック基板など）に対しても、本発明の効果を得ることができる。

なお、本実施形態では、図２１に示すように、シャドウマスク８１にテンション機構を付与せず、その代わりにマスク押し当て機構８８’を用いている。もちろん、これに限らず、その他のマスク保持方法も用いても、またはテンション機構を付与することもできる。テンション機構を付与した場合、ＴＦＴ基板１０上の隔壁２６とシャドウマスク８１とがＴＦＴ基板１０に端面に渡って接触するように、シャドウマスク８１へ加える張力を適宜調整すればよい。また、上述したようなアライメント機構により蒸着時にシャドウマスク８１の位置を調整する場合には、テンション機構によりマスクに張力が加えられていたほうが、操作上より好ましい。

本実施形態では、シャドウマスク８１の凹み部８１ｃの端部は矩形（垂直）としたが、これに限らず、凹み部８１ｃと隔壁２６が噛み合う構造である限り、様々な形状を用いることができる。また隔壁２６についても、同様に様々な形状を用いることができる。

例えば、図２２は、シャドウマスク８１の凹み部８１ｃと隔壁２６の形状例を示す図である。これらの構造は、二重露光などのフォトリソグラフィ技術や湿式および乾式エッチングの処理条件で容易に作製することができる。同図（ｂ）の形状（すなわち、凹み部８１ｃの壁面と隔壁２６の壁面が共に逆テーパー形状。ここで、凹み部８１ｃの壁面が逆テーパーであるとは、凹み部８１ｃを基準として、突出している部分の壁面が成す角度が９０°を越える状態を言う）であれば、シャドウマスク８１の凹み部８１ｃが隔壁２６に引っかかる状態となり、シャドウマスク８１と隔壁２６との接触力を強化することができる。なお、最初にシャドウマスク８１を隔壁２６に接触させる時には、シャドウマスク８１をＴＦＴ基板１０に単に押し付けるだけでは、このような引っかかる状態が形成できないため、最初に接触させる際には、シャドウマスク８１の凹み部８１ｃの幅を広くするか、あるいは隔壁２６の幅を小さくして引っかかる状態が発生しないようにすればよい。その後、走査することによって、上記のようなシャドウマスク８１の凹み部８１ｃと隔壁２６とが引っかかる状態を生じさせることができる。また、同図（ｃ）のような形状であれば、シャドウマスク８１とＴＦＴ基板１０との位置ズレをより抑制することができる。

また、図２３にシャドウマスク８１の凹み部８１ｃの壁面が順テーパー形状になっており、隔壁２６の壁面が順テーパー形状になっている場合を示す。この場合、仮にＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との位置が同図（ａ）のようにずれたとしても、隔壁２６を介してＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とを接触させる押し圧（図２３の（ｂ）の矢印を参照）によって、両方の壁面同士が滑りあい、結果として、位置ズレが補正される方向に力が働く。そのため、壁面の順テーパー構造は、位置ズレの防止に効果がある。

また、本実施形態の構造では、シャドウマスク８１の凹み部８１ｃの深さ分だけ、基板とマスクとの距離をより近付けることができる。そのため、隔壁２６の壁面に付着する材料の量を減らすことができ、材料利用効率および蒸着速度の向上を図ることができる。

〔実施形態３〕
本実施の形態について図２４に基づいて説明すれば、以下の通りである。

図２４の（ａ）は、本実施形態にかかる蒸着装置の真空チャンバ内の、ＴＦＴ基板１０基板とシャドウマスク８１の他の概略構成例を示す平面図であり、図２４の（ｂ）は、図２４の（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図である。

本実施形態において、実施形態１および２と異なる部分は、図２４に示すように、ＴＦＴ基板１０の裏面にマグネット７３（接触手段）が存在していることである。図２４の（ｂ）のように、基板保持部材７１である静電チャック上にマグネット７３が配置されている。シャドウマスク８１は磁性を有するもの（例えばインバー材やＳＵＳの特定種類など）を用い、マグネット７３により吸引力が働くようになっている。

なお、実施形態１と同様の蒸着手順によって、有機ＥＬ表示装置を作製した。

本実施形態によれば、ＴＦＴ基板１０の裏面にマグネット７３が存在するため、ＴＦＴ基板１０を走査した際、平面で見たときにシャドウマスク８１とマグネット７３とが近付きあうかまたは重なり合うようになると、磁力によって、シャドウマスク８１がＴＦＴ基板１０側に吸引される。したがって、隔壁２６とシャドウマスク８１との密着力がさらに増す。その密着力により、走査時の振動やたわみによって基板とマスク間に空隙が生じるのを防ぐことができ、結果として蒸着粒子が所望の画素領域以外に侵入して混色するのを防ぐことができる。ここで空隙とは隔壁２６の最上部とシャドウマスク８１との隙間を言う。

本実施形態では、マスクテンション機構８８を用いたが、実施形態２と同様に、その代わりにマスク押し当て機構８８’を用いたり、その他のマスク保持方法も用いることもできる。

〔実施形態４〕
本実施の形態について、図２５、２６に基づいて説明すれば、以下の通りである。

図２５は、本実施形態にかかる蒸着装置の真空チャンバ内の、ＴＦＴ基板１０基板とシャドウマスク８１のまた他の概略構成例を示す平面図である。実施形態３と異なる部分は、ＴＦＴ基板１０の裏面には、シャドウマスク８１上のみにマグネット７３が存在しており、そのマグネット７３は、基板走査方向に複数分割されている点である。この分割されたマグネット７３は、電磁石となっており、各々独立して磁力ＯＮ／ＯＦＦすることが可能である。装置断面図は、図２４の（ｂ）と同じであり、基板保持部材７１である静電チャック上にマグネット７３が配置されている。

しかしながら、実施形態３と異なり、マグネット７３はＴＦＴ基板１０と共に走査されない（但し、シャドウマスク８１側を走査するときは、シャドウマスク８１と共に走査される）。したがって、基板走査時には、基板保持部材７１である静電チャックは、マグネット７３上を滑走する。シャドウマスク８１は磁性を有するもの（例えばインバー材やＳＵＳの特定種類など）を用い、マグネット７３により吸引力が働くようになっている。

蒸着手順は、実施形態１と同様であるが、その際、磁力の付与の仕方は図２６のように行う。すなわち、同図の（ａ）に示すように、マグネット７３の一列がＴＦＴ基板１０と重なっている場合には、その一列のみが磁力ＯＮされ、その他はＯＦＦされる。

次にＴＦＴ基板１０を走査し、同図（ｂ）のようにマグネット７３の二列が基板と重なっている場合は、その二列のみをＯＮする。そのように、シャドウマスク８１とマグネット７３の間にＴＦＴ基板１０が存在している時のみ磁力をＯＮする。なお、ＴＦＴ基板１０がシャドウマスク８１上を通過し終えた場合にも、同様に、シャドウマスク８１とマグネット７３間にＴＦＴ基板１０が存在しない領域のマグネット７３に対しては、マグネット７３の磁力をＯＦＦする。

以上のような手順によって、有機ＥＬ表示装置を作製した。

本実施形態によれば、マグネット７３の磁力をＯＮする時には、常にシャドウマスク８１とマグネット７３の間にＴＦＴ基板１０が存在し、その磁力によって、シャドウマスク８１がＴＦＴ基板１０側に接触させられる。したがって、実施形態３と同様の効果を得ることができる。

さらに、本実施形態によれば、マグネット７３はシャドウマスク８１上ないしその周辺部分に設置されるだけであるので、その他の基板に付随する機構との機能的な干渉や物理的（配置的）干渉を防ぐことができる。また、シャドウマスク８１上の小さなマグネット７３でよいため、マグネット７３の特性バラツキの影響を小さくすることができる。

なお、本実施形態においては、マグネット７３上にＴＦＴ基板１０が存在すると、そのマグネット７３の磁力をＯＮしたが、ＯＮするタイミングはこれに限らない。例えば、マグネット７３上にＴＦＴ基板１０が存在してもＯＮせず、マグネット７３上に蒸着領域ないしその付近が差し掛かった時に磁力をＯＮすることもできる。同様に、シャドウマスク８１とマグネット７３の間にまだＴＦＴ基板１０が残っている状態においても、磁力によりシャドウマスク８１とＴＦＴ基板１０上の隔壁との接触力を付与する必要がない場合には、マグネット７３の磁力をＯＦＦすることができる。

なお、本実施形態の中では特に記載していないが、静電チャックがマグネットの表面を滑走する機構となっているため、それらの摩擦を低減するような構造が付与されていてもよい。例えば、マグネットあるいは静電チャックの表面に半球状の凸型構造（図示せず、接触面積低減構造）が多数形成されていてもよい。この構造により、マグネットと静電チャックとの接触面積が減り、互いの摩擦を低減することができる。また例えば、摩擦を低減するような表面処理がそれらの接触面になされていてもよい。さらには、摩擦をなくすため、マグネット７３と静電チャックの間に空隙が形成されていてもよい。また容易にわかるように、静電チャック以外の基板保持方法やその他の部材がマグネットと接触する関係にあっても、上記の摩擦の問題は同様に適用し得る。

なお、上述した各実施形態に記載の蒸着方法では、デポアップにより蒸着を行っている場合を説明したが、蒸着源８５がＴＦＴ基板１０（被成膜基板２００）の上方に配されており、上記したようにシャドウマスク８１の開口部８２を介して蒸着粒子を上方から下方に向かって被成膜基板２００に蒸着（ダウンデポジション、以下、「デポダウン」と記す）させてもよい。

あるいは、蒸着源８５は、横方向に向けて蒸着粒子を射出する機構を有しており、被成膜基板２００の蒸着面（被成膜面）側が蒸着源８５側を向いて垂直方向に立てられている状態で、シャドウマスク８１を介して蒸着粒子を横方向に被成膜基板２００に蒸着（サイドデポジション）させてもよい。

また、上記した各実施形態では、有機ＥＬ表示装置１がＴＦＴ基板１０を備え、該ＴＦＴ基板１０上に有機層を形成する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。上記有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ基板１０に代えて、有機層を形成する基板にＴＦＴが形成されていないパッシブ型の基板であってもよく、被成膜基板２００として、上記パッシブ型の基板を用いてもよい。

また、上記した各実施の形態では、上記したようにＴＦＴ基板１０上に有機層を形成する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機層に代えて、電極パターンを形成する場合にも好適に用いることができる。本発明にかかる蒸着装置５０並びに蒸着方法は、上記したように有機ＥＬ表示装置１の製造方法以外にも、パターン化された膜を蒸着により成膜する、あらゆる製造方法並びに製造装置に対して好適に適用することができる。

＜要点概要＞
以上のように、上述した各実施の形態にかかる蒸着装置は、被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着装置であって、上記被成膜基板上の成膜される領域間には、所定の高さの隔壁が立設され、被成膜基板に対向され、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットと、上記被成膜基板と蒸着マスクとを上記隔壁を介して接触させる接触手段と、上記蒸着マスクと被成膜基板とを上記隔壁を介して接触させた状態で、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させる移動手段とを備えている。

また、以上のように、上述した各実施の形態にかかる蒸着方法は、被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着方法であって、上記被成膜基板上の成膜される領域間に、所定の高さの隔壁を立設する隔壁形成工程と、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットを準備し、上記蒸着マスクと被成膜基板とを上記隔壁を介して接触させる接触工程と、上記蒸着マスクと被成膜基板とを上記隔壁を介して接触させた状態で、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて、上記蒸着粒子を上記蒸着マスクの開口部を介して被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させる蒸着工程とを備えている。

上記蒸着装置および蒸着方法によれば、従来とは異なり、蒸着マスクと被成膜基板とが固定されておらず、蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定しているため、上記したように被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクを用いて、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて蒸着を行うことができる。

また、被成膜基板上の成膜される領域間に所定の高さの隔壁を立設し、蒸着マスクと被成膜基板とを、隔壁を介して接触させている。

このため、蒸着マスクの大型化に伴う自重撓みや延びの問題が発生せず、大型の基板に対しても有機層のパターン形成が可能となるのみならず、位置精度の高いパターン形成並びに高精細化を行うことができる。また、被成膜基板が蒸着マスクに直接接触せず、蒸着マスクにより被成膜基板が損傷されることがない。さらに、隔壁が、被成膜基板上の成膜される領域間に所定の高さで設けられているので、蒸着時、成膜される領域同士での蒸着粒子の飛散を防止して、隣接画素に蒸着ボケが及んで混色や特性低下を招くことを確実に防ぐことができる。

また、上記マスクユニットと被成膜基板との間に一定の隔壁を有した状態でマスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて蒸着を行うことで、幅および膜厚が均一な成膜パターン（蒸着膜）を形成することができる。

また、上記蒸着装置および蒸着方法によれば、上記したように被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクを使用することから、蒸着マスクの大型化に伴って蒸着マスクを保持するフレームが巨大化・超重量化することで生じる問題の発生も抑制、回避することができる。

したがって、上述した各実施の形態によれば、大型の基板への蒸着パターンの形成が可能な蒸着方法および蒸着装置、並びに、有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することができる。

上記蒸着装置において、上記蒸着マスクは、上記隔壁に係合する係合部を有していることが好ましい。

例えば、上記隔壁の断面が凸形状であり、上記係合部の断面が凹形状であってもよいし、上記隔壁の断面が凹形状であり、上記係合部の断面が凸形状であってもよい。また、上記隔壁の壁面が順テーパー形状であり、上記係合部の壁面が上記被成膜基板に向かって逆テーパー形状であってもよいし、上記隔壁の壁面が逆テーパー形状であり、上記係合部の壁面が上記被成膜基板に向かって順テーパー形状であってもよい。

上記構成によれば、上記蒸着マスクは、上記係合部で上記隔壁と接触するので、上記蒸着マスクと上記被成膜基板との位置合わせが容易になる。例えば、凸形状の構成と対応する凹形状の構成の噛み合い、または、順テーパー形状の構成と対応する順テーパー形状の構成との係合によって、位置ズレなどを補正することができる。このため、上記マスクユニットおよび上記被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて蒸着を行うとき、別途位置合わせを行うための手段を設ける必要がなく、装置の複雑化、タクトタイムの増大を招かない。

上記蒸着装置において、上記隔壁は、上記移動手段が相対移動させる方向に沿ってストライプ状に形成されることが好ましい。

上記構成によれば、上記マスクユニットおよび上記被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させて蒸着を行うとき、隔壁により、両者の相対移動方向に沿った位置合わせ効果を奏する。

上記蒸着装置において、上記隔壁は、断続的に複数形成されることが好ましい。さらに、上記隔壁が断続する部分を通過し得る直線が、上記被成膜基板の画素発光領域上を通過しないように構成することがより好ましい。

上記構成によれば、上記隔壁上記形成される第２電極が、隔壁の壁面で電気的接続が切れたとしても、隔壁の断続部分を通じて電気的接続できる。つまり、上記隔壁を断続的に複数形成することで、電流の通路は網目状になり、第２電極の抵抗増加を抑制することができる。

さらに、上記隔壁が断続する部分を通過し得る直線が、上記被成膜基板の画素発光領域上を通過しないことにより、断続部分を通過して隣接画素に侵入した蒸着粒子があったとしても、その蒸着粒子は他の画素の発光領域に付着することはない。したがって、混色を防止することができる。

上記蒸着装置において、上記接触手段は、上記被成膜基板の上記蒸着マスクとの対向する面の裏面に設けられるマグネットであることが好ましい。さらに、上記マグネットは、上記蒸着マスクと対向する位置に設けられることが好ましい。

上記構成によれば、接触手段となるマグネットの磁力によって、上記蒸着マスクが上記被成膜基板に立設された上記隔壁と接触する。また、上記マグネットを、上記蒸着マスクと対向する位置に設けることで、蒸着マスクを被成膜基板側に吸引する。したがって、被成膜基板と蒸着マスクとの接触力が増す。その接触力により、相対移動時の振動やたわみによって被成膜基板と蒸着マスク間に空隙が生じるのを防ぐことができ、結果として蒸着粒子が所望の画素領域以外に侵入して混色するのを防ぐことができる。

また、上記マグネットは、その磁力が制御可能であることが好ましい。

さらに、上記マグネットは、上記移動手段が相対移動させる方向に沿って複数配置され、当該方向に垂直かつ上記被成膜基板に平行な方向に延びるストライプ形状であることが好ましい。

さらに、上記マグネットの磁力は、当該マグネットと上記蒸着マスクとの間に上記被成膜基板が存在する時に発生するように制御されることが好ましい。

上記構成によれば、ストライプ形状の小さなマグネットを複数配置することで、マグネットの特性バラツキの影響を小さくすることができる。

また、上記マグネットと上記蒸着マスクとの間に上記被成膜基板が存在する時にそのマグネットの磁力をＯＮし、上記マグネットと上記蒸着マスクとの間に上記被成膜基板が存在しない時にそのマグネットの磁力をＯＦＦにすることができる。つまり、磁力により蒸着マスクと被成膜基板との密着力を付与する必要の場合のみ、マグネットの磁力が発生するので、マグネットの特性バラツキの影響をさらに小さくすることができる。

上記蒸着装置において、上記マグネットの上記被成膜基板との接触面に、上記被成膜基板との接触面積を低減させる接触面積低減構造が形成されていることが好ましい。

上記構成によれば、上記マグネットと上記被成膜基板との接触面積を低減することで、互いの摩擦を低減することができる。

上記蒸着装置において、上記接触手段は、上記被成膜基板の上記蒸着マスクと対向する面の裏面に接触して上記被成膜基板を保持する静電チャックであることが好ましい。

上記構成によれば、上記被成膜基板が大型であっても、上記静電チャックにて吸着されることで自重による撓みが防止できる。

ここで、上記接触面積低減構造は、半球状の凸型構造であることが好ましい。これにより、上記マグネットと上記被成膜基板との接触、または、上記静電チャックと上記被成膜基板との接触が点接触になるので、接触面接が少なくなり、互いの摩擦を低減することができる。

上記蒸着装置において、上記蒸着マスクは、上記蒸着マスクの短軸方向の辺が、被成膜基板の蒸着領域における、上記蒸着マスクの短軸方向に対向する辺の幅よりも短く、上記蒸着マスクの長軸方向の辺が、被成膜基板の蒸着領域における、上記蒸着マスクの長軸方向の辺に対向する辺の幅よりも長い、矩形状の蒸着マスクであることが好ましい。

上記構成によれば、例えば、上記蒸着マスクの長手方向両側部にアライメントマーカ部を形成することができる。したがって、アライメントを容易かつより精密に行うことができる。

上記蒸着装置において、上記被成膜基板および上記蒸着マスク上には、それぞれアライメントマーカが形成され、それぞれの対応するアライメントマーカを用いて、上記被成膜基板と上記蒸着マスクとの位置合わせを行う位置検出手段を備えることが好ましい。

上記構成によれば、上記被成膜基板と上記蒸着マスクとのアライメントを容易かつ精密に行うことができる。

上記蒸着装置において、上記マスクユニットは、上記射出口が、それぞれ、上記蒸着マスクの開口部に対向して設けられたマスクユニットであることが好ましい。

上記構成によれば、蒸着マスクの非開口部に蒸着粒子が付着する量を低減することができるので、材料利用効率を向上させることができる。

上記蒸着方法において、被成膜基板の蒸着領域においてマスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を連続的に相対移動させながら上記蒸着粒子を被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させることが好ましい。

このようにマスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を連続的に相対移動させながら蒸着を行うことで、基板が相対移動する方向に蒸着粒子の飛翔分布があっても、当該方向の分布が平均化される。このため、基板面内で均一にパターン形成された蒸着膜を得ることができる。

上記蒸着方法の上記蒸着工程では、マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を、往復移動させることが好ましい。

従来、蒸着レートを可変させるには、例えば蒸着源にルツボを用いる場合、温度により制御を行う必要があった。このため、温度の安定化に時間がかかったり、温度のふらつきに伴って蒸着レートにバラツキが生じたりし易いという問題点があった。

しかしながら、上記の構成によれば、温度制御ではなく、往復移動の回数で膜厚を制御することができるため、そのような不具合は発生しない。

また、特に、前記したように被成膜基板の蒸着領域においてマスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を連続的に相対移動させながら上記蒸着粒子を被成膜基板の蒸着領域に順次蒸着させる場合に、上記したような往復移動を行う場合、被成膜基板の停止は、基板が相対移動する方向を反転させる一瞬のみで、移動中も蒸着を行うため、タクトタイムが長くならない。

上記蒸着方法の上記蒸着工程では、上記被成膜基板における上記蒸着粒子の蒸着が不要な領域では、上記蒸着源からの蒸着粒子の射出を停止させることが好ましい。

このように上記被成膜基板における上記蒸着粒子の蒸着が不要な領域では、上記蒸着源からの蒸着粒子の射出を停止させることで、余計な部分（非蒸着領域）への蒸着を防止することができる。

また、上記所定のパターンは、有機エレクトロルミネッセンス素子における有機層とすることができる。上記蒸着方法は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に好適に用いることができる。

そこで、以上のように、上述した各実施の形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板上に第１電極を作製するＴＦＴ基板・第１電極作製工程と、上記ＴＦＴ基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、第１電極とは逆の極性を有する第２電極を蒸着する第２電極蒸着工程と、上記有機層および第２電極を含む有機ＥＬ素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記有機層蒸着工程は、上述した蒸着方法の上記隔壁形成工程、上記接触工程および上記蒸着工程を有している。

上記構成によれば、大型の基板に対しても有機層のパターン形成が可能となるのみならず、位置精度の高いパターン形成並びに高精細化を行う有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明の蒸着装置並びに蒸着方法は、例えば、有機ＥＬ表示装置における有機層の塗り分け形成等の成膜プロセスに用いられる、有機ＥＬ表示装置の製造装置並びに製造方法等に好適に用いることができる。

１ 有機ＥＬ表示装置
２ 画素
２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ サブ画素
１０ ＴＦＴ基板（被成膜基板）
２０ 有機ＥＬ素子
２１ 第１電極
２２ 正孔注入層兼正孔輸送層（有機層）
２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ 発光層（有機層）
２４ 電子輸送層兼電子注入層（有機層）
２５ 第２電極
２６ 隔壁
５０ 蒸着装置
６０ 真空チャンバ
７０ 基板移動機構（移動手段）
７１ 基板保持部材（接触手段）
７２ モータ
７３ マグネット（接触手段）
８０ マスクユニット
８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂ マスクユニット
８１ シャドウマスク（蒸着マスク）
８１ａ 長辺
８１ｂ 短辺
８２ 開口部
８３ アライメントマーカ部
８４ アライメントマーカ
８５ 蒸着源
８６ 射出口
８７ マスク保持部材（接触手段）
８８ マスクテンション機構（接触手段）
８８’ マスク押し当て機構（接触手段）
８９ シャッタ
９０ イメージセンサ
１００ 制御回路
１０１ 画像検出部
１０２ 演算部
１０３ モータ駆動制御部
１０４ 蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部
１０５ シャッタ駆動制御部
２００ 被成膜基板
２１０ 蒸着領域
２１０ａ 長辺
２１０ｂ 短辺
２１１ 蒸着膜
２２０ アライメントマーカ部
２２１ アライメントマーカ

Claims (21)

1. 被成膜基板に所定のパターンの成膜を行う蒸着装置であって、
   上記被成膜基板上の成膜される領域間には、所定の高さの隔壁が立設され、
   被成膜基板に対向され、開口部を有し、かつ、被成膜基板の蒸着領域よりも面積が小さい蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有し、該射出口が上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備え、上記蒸着マスクと蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットと、
   上記被成膜基板と蒸着マスクとを上記隔壁を介して接触させる接触手段と、
   上記蒸着マスクと被成膜基板とを上記隔壁を介して接触させた状態で、上記マスクユニットおよび被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させる移動手段とを備え、
   上記蒸着マスクは、上記隔壁に係合する係合部を有していることを特徴とする蒸着装置。
2. 上記隔壁の断面は、凸形状であり、
   上記係合部の断面は、凹形状であることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
3. 上記隔壁の断面は、凹形状であり、
   上記係合部の断面は、凸形状であることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
4. 上記隔壁の壁面は、逆テーパー形状であり、
   上記係合部の壁面は、上記被成膜基板に向かって逆テーパー形状であることを特徴とする請求項２に記載の蒸着装置。
5. 上記隔壁の壁面は、順テーパー形状であり、
   上記係合部の壁面は、上記被成膜基板に向かって順テーパー形状であることを特徴とする請求項２に記載の蒸着装置。
6. 上記隔壁は、上記移動手段が相対移動させる方向に沿ってストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の蒸着装置。
7. 上記隔壁は、断続的に複数形成されていることを特徴とする請求項６に記載の蒸着装置。
8. 上記隔壁が断続する部分を通過し得る直線が、上記被成膜基板の画素発光領域上を通過しないように、上記隔壁が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の蒸着装置。
9. 上記接触手段は、上記被成膜基板の上記蒸着マスクと対向する面の裏面に設けられるマグネットであることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の蒸着装置。
10. 上記マグネットは、上記蒸着マスクと対向する位置に設けられることを特徴とする請求項９に記載の蒸着装置。
11. 上記マグネットは、その磁力が制御可能であることを特徴とする請求項９または１０に記載の蒸着装置。
12. 上記マグネットは、上記移動手段が相対移動させる方向に沿って複数配置され、当該方向に垂直かつ上記被成膜基板に平行な方向に延びるストライプ形状であることを特徴とする請求項１１に記載の蒸着装置。
13. 上記マグネットの磁力は、当該マグネットと上記蒸着マスクとの間に上記被成膜基板が存在する時に発生するように制御されることを特徴とする請求項１２に記載の蒸着装置。
14. 上記マグネットの上記被成膜基板との接触面に、上記被成膜基板との接触面積を低減させる接触面積低減構造が形成されていることを特徴とする請求項９〜１３の何れか１項に記載の蒸着装置。
15. 上記接触手段は、上記被成膜基板の上記蒸着マスクとの対向する面の裏面に接触して上記被成膜基板を保持する静電チャックであることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の蒸着装置。
16. 上記静電チャックの上記被成膜基板との接触面に、上記被成膜基板との接触面積を低減させる接触面積低減構造が形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の蒸着装置。
17. 上記接触面積低減構造は、半球状の凸型構造であることを特徴とする請求項１４または１６に記載の蒸着装置。
18. 上記蒸着マスクは、上記蒸着マスクの短軸方向の辺が、被成膜基板の蒸着領域における、上記蒸着マスクの短軸方向に対向する辺の幅よりも短く、上記蒸着マスクの長軸方向の辺が、被成膜基板の蒸着領域における、上記蒸着マスクの長軸方向の辺に対向する辺の幅よりも長い、矩形状の蒸着マスクであることを特徴とする請求項１〜１７の何れか１項に記載の蒸着装置。
19. 上記被成膜基板および上記蒸着マスク上には、それぞれアライメントマーカが形成され、
    それぞれの対応するアライメントマーカを用いて、上記被成膜基板と上記蒸着マスクとの位置合わせを行う位置検出手段を備えることを特徴とする請求項１〜１８の何れか１項に記載の蒸着装置。
20. 上記マスクユニットは、上記射出口が、それぞれ、上記蒸着マスクの開口部に対向して設けられたマスクユニットである請求項１〜１９の何れか１項に記載の蒸着装置。
21. 上記所定のパターンが、有機エレクトロルミネッセンス素子における有機層であることを特徴とする請求項１〜２０の何れか１項に記載の蒸着装置。

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