JP5264231B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、被処理基板にプラズマ処理を施す技術に係り、特に容量結合型のプラズマ処理装置に関する。

半導体デバイスやＦＰＤ（Flat Panel Display）の製造プロセスにおけるエッチング、堆積、酸化、スパッタリング等の処理では、処理ガスに比較的低温で良好な反応を行わせるためにプラズマがよく利用されている。従来より、枚葉式のプラズマ処理装置では、大口径プラズマを容易に実現できる容量結合型のプラズマ処理装置が主流となっている。

一般に、容量結合型のプラズマ処理装置は、真空チャンバとして構成される処理容器内に上部電極と下部電極とを平行に配置し、下部電極の上に被処理基板（半導体ウエハ、ガラス基板等）を載置し、両電極間に高周波を印加する。そうすると、両電極の間で高周波電界によって加速された電子、電極から放出された電子、あるいは加熱された電子が処理ガスの分子と電離衝突を起こして、処理ガスのプラズマが発生し、プラズマ中のラジカルやイオンによって基板表面に所望の微細加工たとえばエッチング加工が施される。

ここで、高周波を印加される側の電極は整合器内のブロッキングキャパシタを介して高周波電源に接続されるため、カソード（陰極）として働く。基板を載置する下部電極に高周波を印加してこれをカソードとするカソードカップル方式は、下部電極に生じる自己バイアス電圧を利用してプラズマ中のイオンを基板にほぼ垂直に引き込むことにより、方向性にすぐれた異方性エッチングを可能としている。

ところで、近年、半導体デバイス等の製造プロセスにおけるデザインルールが益々微細化し、特にプラズマエッチングでは、より高い寸法精度が求められており、エッチングにおけるマスクや下地に対する選択比や面内均一性をより高くすることが求められている。そのため、チャンバ内のプロセス領域の低圧力化、低イオンエネルギー化が指向され、そのために４０MＨｚ以上といった従来よりも格段に高い周波数の高周波が用いられつつある。

ここで問題となるのは、チャンバの処理空間内（特に半径方向）でプラズマ密度を均一にするのが難しくなることである。すなわち、プラズマ生成用高周波の周波数が高くなると、チャンバ内に定在波が形成される波長効果や電極表面で高周波が中心部に集中する表皮効果等によって、概して基板上で中心部が極大になってエッジ部が最も低くなるような山形のプロファイルでプラズマの密度が不均一になる。基板上でプラズマ密度が不均一であれば、プラズマプロセスも不均一になり、デバイスの製造歩留まりは下がる。

かかる問題に対しては、これまでも電極構造に様々な工夫が試みられている。たとえば、特許文献１に開示されるプラズマ処理装置は、処理空間と向き合う電極の主面に誘電体を埋め込んで、電極主面より処理空間に放射される高周波に対するインピーダンスを相対的に電極中心部で大きく電極エッジ部で小さくなるようにして、プラズマ密度分布の均一性を向上させるようにしている。
特開２００４−３６３５５２

上記のように電極の主面に誘電体を埋め込む手法は、被処理基板上のプラズマ密度分布が基板中心部で最も高く基板エッジ部に向かって次第に低くなるような山形のプロファイルをフラット（均一）化するのに有効である。しかしながら、使用するＲＦ周波数を段々高くしていくと、それに比例してプラズマ密度分布の変動幅（山形分布の高低差）も大きくなり、フラット化するのが難くなる。さらに、カソードカップル方式のプラズマ処理装置において、一層厄介なのは、ＲＦ周波数が大体８０ＭＨｚを超えると、あるＲＦパワー領域でプラズマ密度分布が基板上の中心部とエッジ部が高くて中間部が落ち込むＷ形のプロファイルを示すようになる。このようなＷ形のプロファイルは、山形プロファイルをフラット化する手法では対応できない。

本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、広いＲＦ周波数領域で、かつ広いＲＦパワー領域でプラズマプロセスの面内均一性を改善できるようにしたプラズマ処理装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明のプラズマ処理装置は、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内で被処理基板を載置する下部電極と、前記処理容器内で前記下部電極と平行に向かい合う上部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、高周波放電によって前記処理ガスのプラズマを生成するための第１高周波を前記下部電極に印加する第１高周波給電部と、前記下部電極の周辺部より半径方向外側に向かって放出される高周波を受け入れて接地ラインへ導くために前記下部電極の周辺部を覆い、かつその表面が絶縁膜で覆われている導電性の高周波接地部材と、前記下部電極と前記高周波接地部材との間に挟まれている誘電体と、前記処理空間を前記処理容器の底部に設けられる排気口につなげるために、前記高周波接地部材と前記処理容器の内壁との間で環状に形成される排気路と、前記排気路の上部に前記処理空間から拡散してくるプラズマの消滅を促進するための鉛直方向に延びる接地された導電性のフィン部材とを有する。

上記の装置構成においては、第１高周波給電部からの第１高周波が下部電極の表層を伝って電極主面（上面）へ回り込む際に、その一部が電極上面の周辺部より外へ放射されても、高周波接地部材がそれを受け入れて接地ラインへ導くので、処理ガスの放電つまりプラズマ生成に寄与することはない。これにより、処理空間内のプラズマ生成領域を被処理基板の直上およびその付近に限定し、基板上のプラズマ密度分布のプロファイルを安定化させることができる。さらに、フィン部材のプラズマ消滅促進機能によって、排気路の入口付近ないしその上方に存在するプラズマを少なくして、相対的にウエハ直上領域のプラズマ密度を高くするとともに、プラズマ密度分布の高低差を小さくすることができる。

好ましくは、フィン部材は、排気路の上部に環状に設けられる導電性の排気リングに一体に形成または取付されてよく、その表面は絶縁膜で覆われていてよい。また、フィン部材は、排気路の周回方向に一定間隔を置いて放射状に多数配置されてよい。

また、上記高周波接地部材により広いＲＦパワー領域で基板上のプラズマ密度分布を概して山形のプロファイルに揃えることができるので、よりフラットなプロファイルに補正するために、好適な一態様として、下部電極の上面に、あるいは上部電極の下面に、電極中心部で最も厚く電極周辺部で最も薄くなる厚さ分布で誘電体が設けられてよい。

本発明によれば、第１高周波の周波数を８０ＭＨｚ以上に設定しても、広いＲＦパワー領域でプラズマ密度ないしプラズマプロセスの面内均一性を向上させることができる。また、主として下部電極上の基板にプラズマ中のイオンを引き込むための第２高周波を第２高周波給電部より下部電極に印加してもよい。

本発明のプラズマ処理装置によれば、上記のような構成および作用により、広いＲＦ周波数領域で、かつ広いＲＦパワー領域でプラズマプロセスの面内均一性を向上させることができる。

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。

図１に、本発明の一実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す。このプラズマ処理装置は、下部電極に２つの高周波を印加するカソードカップル方式（下部２周波印加方式）の容量結合型プラズマエッチング装置として構成されており、たとえばアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属製の円筒型チャンバ（処理容器）１０を有している。チャンバ１０は保安接地されている。

チャンバ１０内には、被処理基板としてたとえば半導体ウエハＡを載置する円板状の下部電極またはサセプタ１２が設けられている。このサセプタ１２は、導体たとえばアルミニウムからなり、絶縁体たとえばアルミナからなる円筒状保持部１４を介してチャンバ１０の底壁に支持されている。

サセプタ１２の側面と上面の周辺部（エッジ部）は、誘電体１６を挟んで、チャンバ１０の底壁から垂直上方に延びるＲＦ接地部材１８によって覆われている。誘電体１６は、たとえば石英からなり、その下端が絶縁性円筒状保持部１４の上端部に接続され、その上端部はサセプタ中心に向かって略直角に屈曲してサセプタ１２の上面エッジ部に被さっている。ＲＦ接地部材１８は、表面をたとえば陽極酸化膜あるいはＹ₂Ｏ₃等の絶縁皮膜で覆われたアルミニウムからなり、その下端はチャンバ１０の底壁に接続され、その上端部はサセプタ中心に向かって略直角に屈曲してサセプタ１２の上面エッジ部に誘電体１６を介して被さっている。

ＲＦ接地部材１８とチャンバ１０の内壁との間には排気路２０が環状に形成され、この排気路２０の入口付近または上部にコニカル形状の排気リング（バッフル板）２２が環状に取り付けられるとともに、排気路２０の底部に排気口２４が設けられている。この排気口２４に排気管２６を介して排気装置２８が接続されている。排気装置２８は、真空ポンプを有しており、チャンバ１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧することができる。チャンバ１０の外壁には、半導体ウエハＡの搬入出口を開閉するゲートバルブ３０が取り付けられている。

サセプタ１２には、高周波放電用の第１高周波電源３２が第１整合器３４および給電棒３６を介して電気的に接続されている。この第１高周波電源３２は、プラズマ生成に適した比較的高い周波数たとえば１００MＨｚの第１高周波を下部電極つまりサセプタ１２に印加する。チャンバ１０の天井部には、後述するシャワーヘッド３８が接地電位の上部電極として設けられている。これにより、第１高周波電源３２からの第１の高周波はサセプタ１２とシャワーヘッド３８との間に容量的に印加される。

また、サセプタ１２には、第２高周波電源７０が第２整合器７２および給電棒３６を介して電気的に接続されている。この第２高周波電源７０は、イオンの引き込みに適した比較的低い周波数たとえば３．２MＨｚの第２高周波を出力する。

サセプタ１２の上面には半導体ウエハＡを静電吸着力で保持するための静電チャック４０が設けられている。この静電チャック４０はシート状またはメッシュ状の導電体からなる電極を絶縁膜の中に挟み込んだものであり、該電極には直流電源４２がスイッチ４３および電線を介して電気的に接続されている。直流電源４２からの直流電圧により、クーロン力で半導体ウエハＡをチャック上に吸着保持することができる。

サセプタ１２の内部には、たとえば円周方向に延在する冷媒室４４が設けられている。この冷媒室４４には、チラーユニット４６より配管４８、５０を介して所定温度の冷媒たとえば冷却水が循環供給される。冷媒の温度によって静電チャック４０上の半導体ウエハＡの処理温度を制御できる。さらに、伝熱ガス供給部５２からの伝熱ガスたとえばＨｅガスが、ガス供給ライン５４を介して静電チャック４０の上面と半導体ウエハＡの裏面との間に供給される。

天井部のシャワーヘッド３８は、多数のガス通気孔５６ａを有する下面の電極板５６と、この電極板５６を着脱可能に支持する電極支持体５８とを有する。電極支持体５８の内部にバッファ室６０が設けられ、このバッファ室６０のガス導入口６０ａには処理ガス供給部６２からのガス供給配管６４が接続されている。

チャンバ１０の周囲には、環状または同心状に延在する２つのリング磁石６６ａ，６６ｂが配置されており、サセプタ１２と上部電極３８との間の処理空間ＰＳの周囲に磁界を形成するようになっている。このリング磁石６６ａ，６６ｂは、図示しない回転機構により回転可能に設けられている。

制御部６８は、このプラズマエッチング装置内の各部たとえば排気装置２８、第１高周波電源３２、第１整合器３４、静電チャック用のスイッチ４３、チラーユニット４６、伝熱ガス供給部５２、処理ガス供給部６２、第２高周波電源７０および第２整合器７２等の動作を制御するもので、ホストコンピュータ（図示せず）等とも接続されている。

このプラズマエッチング装置において、エッチングを行うには、先ずゲートバルブ３０を開状態にして加工対象の半導体ウエハＡをチャンバ１０内に搬入して、静電チャック４０の上に載置する。そして、処理ガス供給部６２よりエッチングガス（一般に混合ガス）を所定の流量でチャンバ１０内に導入し、排気装置２８によりチャンバ１０内の圧力を設定値にする。さらに、第１高周波電源３２より所定のパワーで第１高周波をサセプタ１２に供給すると同時に、第２高周波電源７０からも所定のパワーで第２高周波をサセプタ１２に供給する。また、直流電源４２より直流電圧を静電チャック４０の電極に印加して、半導体ウエハＡを静電チャック４０上に固定する。シャワーヘッド３８より吐出されたエッチングガスは両電極１２，３８間で第１の高周波の放電によってプラズマ化し、このプラズマで生成されるラジカルやイオンによって半導体ウエハＡの主面が所望のパターンにエッチングされる。

このプラズマエッチング装置では、第１高周波電源３２からサセプタ（下部電極）１２に対して従来よりも格段に高い周波数領域（好ましくは８０ＭＨｚ以上）の第１の高周波を印加することにより、プラズマを好ましい解離状態で高密度化し、より低圧の条件下でも高密度プラズマを形成することができる。それと同時に、サセプタ１２に３．２ＭＨｚというイオン引き込みに適した比較的低い周波数の第２高周波を印加することにより、半導体ウエハＷの被加工膜に対して選択性の高い異方性のエッチングを施すことができる。もっとも、プラズマ生成用の第１高周波は如何なるプラズマプロセスでも必ず使用されるが、イオン引き込み用の第２高周波はプロセスによっては使用されないことがある。

この容量結合型プラズマエッチング装置における主たる特徴は、図２に拡大して示すように、サセプタ１２の側面と上面周辺部とを誘電体１６を介して覆う導電性のＲＦ接地部材１８を有している構成にある。

ここで、図３につき、ＲＦ接地部材１８の作用を説明する。なお、第２高周波によるイオンの引き込みは、ＲＦ接地部材１８の作用とは特に関係しないため、第２高周波電源７０は図示していない。

図３において、第１高周波電源３２より出力された第１高周波ＲＦは、給電棒３６の外周面表層を伝ってサセプタ１２の下面中心部に入り、そこからサセプタ下面表層を伝って放射状に半径方向外側へ伝播し、サセプタ外周面（側面）を回ってサセプタ上面に辿り着く。そして、サセプタ１２の上面で、第１高周波ＲＦは、周辺部から中心部に向かって半径方向内側へ逆放射状に伝播しながら、半導体ウエハＡを抜けて処理空間ＰＳへ放射され、処理ガスの分子と衝突してガス分子を電離または解離させる。ここで、第１高周波ＲＦの周波数が大体８０ＭＨｚを超えると、第１高周波ＲＦの中で半導体ウエハＡの下に辿り着く前にサセプタ１２の外周面（側面）や上面周辺部から外へ飛び出る割合が無視できない位に増大する。

この実施形態では、サセプタ１２の外周面（側面）や上面周辺部から飛び出た第１高周波ＲＦ'は、図３に示すように、誘電体１６を通り抜けた直後にＲＦ接地部材１８に入り、ＲＦ接地部材１８の内側面表層を伝ってチャンバ１０の底壁へ導かれ、そこから接地ラインへ流れる。こうして、サセプタ１２に供給された第１高周波ＲＦの中で、サセプタ１２の上面から半導体ウエハＡを通って処理空間ＰＳへ放射されるものだけが処理ガスの電離または解離つまりプラズマ生成に有効に寄与し、処理空間ＰＳ内のプラズマ生成領域が理想的には半導体ウエハＡの直上に限定される。つまり、処理空間ＰＳにおいて半導体ウエハＡの直上領域よりも半径方向外側の領域でのプラズマ生成が極度に制限され、プラズマ密度分布に関して周辺領域からウエハ直上領域への影響が抑制される。これにより、サセプタ１２に載置されている半導体ウエハＡ上でプラズマ密度分布が中心部だけでなくエッジ部でも高くなって中間部が落ち込むというＷ形のプロファイルが生じ難くなる。

さらに、この容量結合型プラズマエッチング装置は、プラズマ密度分布特性を改善するうえで、排気路２０の入口付近に配置されるバッフル板２２に鉛直方向の板面を有する板状のフィン部材２５を一体に形成または取付している構成も特徴の一つとしている。図４に示すように、フィン部材２５は、バッフル板２２２の周回方向に一定間隔を置いて放射状に多数配置されている。なお、バッフル板２２の底壁には多数の通気孔２２ａが形成されている。フィン部材２５およびバッフル板２２のいずれも導体たとえばアルミニウムからなり、その表面は陽極酸化膜またはＹ₂Ｏ₃等の絶縁膜で覆われており、電気的にはチャンバ１０あるいはＲＦ接地部材１８を介して接地されている。

フィン部材２５は、バッフル板２２の本来的な機能（真空排気安定化機能ないし処理空間圧力制御機能）に影響を及ぼさずに、処理空間ＰＳ側から排気路２０側へ拡散してくるプラズマの消滅を促進する機能を有している。このフィン部材２５のプラズマ消滅促進機能によって、排気路２０の入口付近ないしその上方に存在するプラズマを少なくして、相対的にウエハ直上領域のプラズマ密度を高くするとともに、山形プロファイルの高低差を小さくすることができる。

図６に、一実施例として、実施形態のプラズマエッチング装置（図１）によるエッチングプロセスで得られたエッチングレートの面内分布特性を示す。主なエッチング条件は、下記のとおりである。
ウエハ口径： ３００ｍｍ
被エッチング膜： フォトレジスト（ブランケット膜）
処理ガス： Ｏ₂ １００scm
チャンバ内の圧力： ５mTorr
高周波電力： １００ＭＨｚ／３．２ＭＨｚ＝５００〜２０００／０Ｗ
温度： 上部電極／チャンバ側壁／下部電極＝６０／６０／２０℃
伝熱ガス（Ｈｅガス）供給圧力： センター部／エッジ部＝１０／５０Torr

図７に、比較例として、図１のプラズマエッチング装置においてＲＦ接地部材１８およびフィン部材２５を備えない構成、つまりサセプタ１２回りを図５に示すような構成とした場合に、上記と同一のエッチング条件の下で得られたエッチングレートの面内分布特性を示す。

図５において、誘電体１６'は、サセプタ１２の上面周辺部に被さるとともに、上部電極３８あるいはチャンバ１０の天井または内壁に面して露出している。サセプタ１２の上面でウエハ載置領域の周囲には、誘電体１６'の上に載るようにしてたとえばＳi，ＳiＣ等からなるフォーカスリング８０が取り付けられる。誘電体１６'の側面を覆う接地された円筒状の導体８２は、排気路２０の壁を形成するものであり、サセプタ１２ないし誘電体１６'の上面にまで覆い被さるものではない。

図７に示すように、ＲＦ接地部材１８およびフィン部材２５を備えない場合には、プラズマ生成用の第１高周波（１００ＭＨｚ）のパワーを５００Ｗから，１０００Ｗ，２０００Ｗに上げると、エッチングレートの面内均一性が±２８．８％から±３９．６％、±４６．５％と顕著に低下する。一方で、５００Ｗの低パワー領域においては、エッチングレート分布が基板上の中心部だけでなくエッジ部でも高くなって中間部が落ち込むというＷ形のプロファイルになっている。

これに対して、図６に示すように、実施例では、第１高周波（１００ＭＨｚ）のパワーを５００Ｗから，１０００Ｗ，２０００Ｗと上げても、エッチングレートの面内均一性は±１５．８％から±２０．７％、±２０．１％とさほど変化せず安定している。また、いずれのパワー領域でも、高低差の違いはあっても一様に山形のプロファイルに揃っており、Ｗ形のプロファイルは生じていない。

一般にフォトレジストのエッチングレートは電子密度に依存するので、図６および図７のエッチングレート分布特性は電子密度分布特性に置き換えて評価することができる。

上記のように、本発明によれば、プラズマ生成用の高周波に相当高い周波数（大体８０ＭＨｚ以上）を用いても、広いＲＦパワー領域で電子密度分布の面内均一性を安定化できるうえ、電子密度分布プロファイルの変則的な変化（特にＷ形の発生）を防止することもできる。よって、プラズマエッチングの面内均一性を向上させることができる。

また、上記実施形態のプラズマエッチング装置では、上述したようにいずれのＲＦパワー領域でも電子密度分布が山形のプロファイルに揃うので、フラットなプロファイルに補正するために、図８に示すようにサセプタ１２の上面に誘電体８４を埋め込む構成を好適に用いることができる。この場合、誘電体８４の厚さは、サセプタ１２の中心部で最も大きく、サセプタ１２のエッジ部に向かって次第に（あるいは途中から）小さくなるように設定されてよい。

同様の目的で、図９に示すように、上部電極３８の下面に誘電体８６を埋め込む構成も可能である。この場合も、誘電体８６の厚さは、サセプタ１２の中心部で最も大きく、サセプタ１２のエッジ部に向かって次第に（あるいは途中から）小さくなるように設定されてよい。

以上、本発明の好適な一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものでは決してなく、種々の変形が可能である。特に、ＲＦ接地部材１８およびフィン部材２５の構成については装置内の他の機構と最適に組み合わさるように種々の選択・変形を行うことができる。

たとえば、図９に示すように、サセプタ１２の上面において、半導体ウエハＷのエッジとＲＦ接地部材１８との間に適当な隙間を設定し、そこに適当な材質（たとえばＳi，ＳiＣ等）からなるカバー８８を電気的にフローティング状態で載せる構成も可能である。この場合は、サセプタ１２の上面から誘電体１６およびカバー８８を通って処理空間ＰＳに高周波が放射され、カバー８８の上方でもプラズマが生成される。また、バッフル板２２をコニカル形状以外の形状たとえば水平形状に構成することも可能であり、フィン部材２５の上面を斜めにする構成等も可能である。図示省略するが、フィン部材２５をバッフル板２２から分離独立して設ける構成も可能である。

さらには、図１０に示すように、ＲＦ接地部材１８の上面にカバー９０を被せる構成も可能である。

また、本発明は、上記実施形態のような下部２周波印加方式への適用に限定されるものではなく、たとえばサセプタ（下部電極）に単一の高周波を印加する下部一周波印加方式や、上部電極にプラズマ生成用の高周波を印加するタイプにも適用可能である。

さらに、図示省略するが、上部電極にプラズマ生成用の高周波を印加するタイプの装置において、上部電極周辺部に上記実施形態で説明したＲＦ接地部材１８と同様の構成および機能を有するＲＦ接地部材を設けてもよい。上部電極の側面と下面の周辺部分とを覆うＲＦ接地部材を設けることで、上部電極に印加された高周波の一部が上部電極側面や上部電極下面周辺部より半径方向外側に向かって放射されても、ＲＦ接地部材がそれを受け入れて接地ラインに導くようにできるので、処理空間内のプラズマ生成領域を被処理基板の直上およびその付近に限定することができる。

本発明は、プラズマエッチング装置に限定されず、プラズマＣＶＤ、プラズマ酸化、プラズマ窒化、スパッタリングなどの他のプラズマ処理装置にも適用可能である。また、本発明における被処理基板は半導体ウエハに限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等も可能である。

本発明の一実施形態における容量結合型プラズマエッチング装置の構成を示す縦断面図である。 実施形態の容量結合型プラズマエッチング装置における要部の構成を拡大して示す部分拡大断面図である。 実施形態におけるＲＦ接地部材の作用を説明するための図である。 実施形態におけるフィン部材の構成例を示す斜視図である。 比較例として、図１のプラズマエッチング装置においてＲＦ接地部材およびフィン部材を備えない構成の要部を示す部分拡大断面図である。 実施形態の装置構成で得られた一実施例のエッチングレート分布特性を示す図である。 図５の装置構成で得られた比較例のエッチングレート分布特性を示す図である。 実施形態のプラズマエッチング装置における一変形例の要部の構成を示す部分拡大断面図である。 実施形態のプラズマエッチング装置における別の変形例の要部の構成を示す部分拡大断面図である。 実施形態のプラズマエッチング装置における別の変形例の要部の構成を示す部分拡大断面図である。

符号の説明

１０ チャンバ（処理容器）
１２ サセプタ（下部電極）
１６ 誘電体
１８ ＲＦ接地部材
２０ 排気路
２２ バッフル板
２５ フィン部材
２８ 排気装置
３２ 第１高周波電源
３８ 上部電極（シャワーヘッド）
６２ 処理ガス供給部
７０ 第２高周波電源
８８，９０ カバー部材

Claims (8)

1. 真空排気可能な処理容器と、
   前記処理容器内で被処理基板を載置する下部電極と、
   前記処理容器内で前記下部電極と平行に向かい合う上部電極と、
   前記上部電極と前記下部電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
   高周波放電によって前記処理ガスのプラズマを生成するための第１高周波を前記下部電極に印加する第１高周波給電部と、
   前記下部電極の周辺部より半径方向外側に向かって放出される高周波を受け入れて接地ラインへ導くために前記下部電極の周辺部を覆い、かつその表面が絶縁膜で覆われている導電性の高周波接地部材と、
   前記下部電極と前記高周波接地部材との間に挟まれている誘電体と、
   前記処理空間を前記処理容器の底部に設けられる排気口につなげるために、前記高周波接地部材と前記処理容器の内壁との間で環状に形成される排気路と、
   前記排気路の上部に前記処理空間から拡散してくるプラズマの消滅を促進するための鉛直方向に延びる接地された導電性のフィン部材と
   を有するプラズマ処理装置。
2. 前記フィン部材が、前記排気路の上部に環状に設けられる導電性の排気リングに一体に形成または取付される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記フィン部材の表面が絶縁膜で覆われている、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記フィン部材が、前記排気路の周回方向に一定間隔を置いて放射状に配置される、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記下部電極の上面に、電極中心部で最も厚く電極周辺部で最も薄くなる厚さ分布で誘電体が設けられる、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記上部電極の下面に、電極中心部で最も厚く電極周辺部で最も薄くなる厚さ分布で誘電体が設けられる、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記第１高周波が８０ＭＨｚ以上の周波数を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記下部電極上の前記基板にプラズマ中のイオンを引き込むための第２高周波を前記下部電極に印加する第２高周波給電部を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

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