[go: up one dir, main page]

JP5026951B2 - 撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、及び撮像素子 - Google Patents

撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、及び撮像素子 Download PDF

Info

Publication number
JP5026951B2
JP5026951B2 JP2007333432A JP2007333432A JP5026951B2 JP 5026951 B2 JP5026951 B2 JP 5026951B2 JP 2007333432 A JP2007333432 A JP 2007333432A JP 2007333432 A JP2007333432 A JP 2007333432A JP 5026951 B2 JP5026951 B2 JP 5026951B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixels
line
adjacent
transistor
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007333432A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009159186A (ja
Inventor
努 本田
和寛 羽田
哲 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Olympus Imaging Corp
Original Assignee
Olympus Corp
Olympus Imaging Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Corp, Olympus Imaging Corp filed Critical Olympus Corp
Priority to JP2007333432A priority Critical patent/JP5026951B2/ja
Priority to US12/328,823 priority patent/US8174595B2/en
Priority to CN200810185053XA priority patent/CN101472186B/zh
Publication of JP2009159186A publication Critical patent/JP2009159186A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5026951B2 publication Critical patent/JP5026951B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/134Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/44Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
    • H04N25/447Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by preserving the colour pattern with or without loss of information
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

本発明は、撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、および撮像素子に関し、詳しくはRGBベイヤ配列のカラーフィルタを有するX−Y走査型の撮像素子、撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、および撮像素子に関する。
近年、HD(High Definition:高精細)動画などの高速動画記録に対応したデジタルカメラが提供されている。また、デジタル一眼レフカメラでは、高速連写やライブビューを可能にするためにCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサを使用したものが増えている。このような、デジタル一眼レフカメラでは、画素数が10〜12Mとなり、HD動画に必要な2Mよりはるかに多い画素数となっている。このため、CMOSセンサは、画素信号に対して間引き若しくは加算演算を行ってから出力するようにしている。
例えば、特許文献1には、同じ色のカラーフィルタを構成する画素が一つの出力回路に連結されるようにした撮像装置が開示されている。この撮像装置は、図7に示すように、G(緑色)画素101a、101bに対応する信号を加算し、これをG画素101の信号として出力し、またB(青色)画素102a、102bに対応する信号を加算し、これをB画素102の信号として出力している。すなわち垂直方向の2画素の信号をそれぞれ加算して出力している。
特開2005−244995号公報
このように特許文献1に開示の撮像装置においては、2つの画素信号をそれぞれ加算してから出力しているが、CMOSセンサの場合、垂直方向の加算を行うとすると、離れた位置の画素信号を1つのFD(Floating Diffusion)に接続するために画素構成が難しく、また構成できるとしても小型化が困難であった。センサ出力後に加算する方法も考えられるが、この場合には出力レートが遅くなり、規格のレートで出力しようとするとクロックを高速化しなければならないという問題があった。
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、HD動画等に適した高速読出しを行うために、簡単な構成で画素加算を行って出力することの可能な撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、および撮像素子を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため第1の発明に係わる撮像素子の駆動装置は、RGBのベイヤ配列のカラーフィルタを有するX−Y走査型の撮像素子の駆動装置であって、水平走査において、斜め方向に隣接する同色2画素につき共有する第1FD(Floating Diffusion)に対して上記同色2画素の電荷を同時に転送することにより加算して読み出し、且つ斜め方向に隣接する異色2画素につき共有する第2FDに対して、上記異色2画素のうちいずれか1つの色の画素の電荷を転送して読み出す駆動部を備える。
第2の発明に係わる撮像素子の駆動装置は、上記第1の発明において、上記第1FDを共有する上記2画素は、それぞれ列毎に異なる方向に隣接している。
第3の発明に係わる撮像素子の駆動装置は、上記第1の発明において、上記第1FDを共有する上記斜め方向に隣接する同色2画素はGの画素であり、上記斜め方向に隣接する異色2画素はRとBの画素である。
第4の発明に係わる撮像素子の駆動装置は、上記第1、第2、または第3の発明において、上記水平走査において加算して読み出された同色2画素の電荷のうち水平方向に隣接する上記電荷を加算し、且つ、上記水平走査において読み出された上記異色2画素の同色同士の画素の電荷のうち水平方向に隣接する上記電荷を加算して読み出す水平加算部をさらに備える。
第5の発明に係わる撮像素子の駆動装置は、上記第4の発明において、上記読み出された電荷はHD(High Definition)動画信号である。
第6の発明に係わる撮像素子の駆動方法は、RGBのベイヤ配列のカラーフィルタを有するX−Y走査型の撮像素子の駆動方法であって、水平走査において、斜め方向に隣接する同色2画素につき共有する第1FD(Floating Diffusion)に対して上記同色2画素の電荷を同時に転送することにより加算して読み出し、且つ斜め方向に隣接する異色2画素につき共有する第2FDに対して、上記異色2画素のうちいずれか1つの色の画素の電荷を転送して読み出す。
第7の発明に係わる撮像装置は、RGBのベイヤ配列のカラーフィルタを有するX−Y走査型の撮像素子を用いた撮像装置であって、斜め方向に隣接する2画素につき共有するFD(Floating Diffusion)を有する撮像素子と、上記撮像素子の水平走査において異なる色毎に読み出し制御する制御部と、上記制御部により読み出された信号を処理する画像処理部と、上記画像処理部で処理された画像データを記録する記録部と、を備え、上記斜め方向に隣接する2画素は列毎に異なる方向に隣接する。
の発明に係わる撮像素子は、RGBベイヤ配列のカラーフィルタを有するX−Y走査型の撮像素子であって、斜め方向に隣接するGの2画素のそれぞれの画素とそれぞれ第1転送トランジスタ及び第2転送トランジスタを介して接続された、上記Gの2画素に共通の第1FD(Floating Diffusion)と、上記第1FDに接続されたリセット用の第1トランジスタと、上記第1FDに接続された第1増幅用トランジスタと、斜め方向に隣接するRとBの2画素のそれぞれの画素とそれぞれ第3転送トランジスタ及び第4転送トランジスタを介して接続された、上記RとBの画素に共通の第2FDと、上記第2FDに接続されたリセット用第2トランジスタと、上記第2FDに接続された第2増幅用トランジスタと、上記第1増幅用トランジスタ及び第2増幅用トランジスタに接続された信号読み出し部と、を備え、上記第1転送トランジスタ、上記第2転送トランジスタ、上記第3転送トランジスタ及び上記第4転送トランジスタは、それぞれ独立に転送制御を行う転送制御線に接続されている。
の発明に係わる撮像素子は、上記第の発明において、上記第1FDを共有する上記2画素は、それぞれ列毎に異なる方向に隣接している。
本発明によれば、HD動画等に適した高速読出しを行うために、簡単な構成で画素加算を行って出力することの可能な撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置および撮像素子を提供することができる。
特に、第1の発明によれば、高速読出しの場合に、垂直方向に離散的にならずに色分離できる高速駆動が可能となる。第2の発明によれば、斜め方向の解像度に方向性の差が生じない。第3の発明によれば、隣接する画素について第1FDを共有することから、小型化することができる。第4の発明によれば、Gの画素に限れば、略正方4画素加算になる。第5の発明によれば、10M程度の撮像素子でHD動画を記録するに都合がよい。
第6の発明によれば、高速読出しの場合に、垂直方向に離散的にならずに色分離できる高速駆動が可能となる。第7の発明によれば、素子の小型化と画素加算時の自由度を高めることができ、また加算読出し時に、Gについてベイヤ状に画素配列できるため、解像度の点で有利になる。
の発明によれば、撮像素子の小型化と画素加算時の自由度を高めることができる。第の発明によれば、加算読出し時に、G(緑色)についてベイヤ状に画素配列ができるため、解像度の点で有利になる。
以下、図面に従って本発明を適用した撮像装置を用いて好ましい実施形態について説明する。本発明の第1実施形態に係る撮像装置は、デジタル一眼レフカメラであり、このデジタル一眼レフカメラは、CMOSイメージセンサ型の撮像素子で取得した被写体像の画像データを動画像で被写体像を表示装置に表示するとともに、レリーズ釦の操作に応じて静止画像データや、HD動画を記録媒体に記録可能である。
図1は、デジタル一眼レフカメラの電気的構成を示すブロック図である。撮影レンズ1は被写体を結像する光学系であり、この撮影レンズ1によって撮像部3内の撮像素子6上に被写体像が結像される。撮像素子6は、CMOSイメージセンサであり、X−Yアドレスを指定することにより、蓄積電荷の読出しを行うことのできるX−Yアドレス走査型の撮像素子6である。撮像素子6の詳しい構成は、図2および図3を用いて後述する。
撮像部3の出力端は画像処理部11に接続されている。画像処理部11は、読み出された画像信号について、γ補正、ホワイトバランス、色補正等の種々の画像処理を行うと共に、表示部12にライブビュー表示のためのライブビュー処理、またメモリカード13に画像データを記録するための圧縮処理、さらにメモリカード13から読み出された画像データを表示部12に表示するための伸張処理を行う。
画像処理部11に接続された表示部12は、カメラ本体の背面等に配置され、ライブビュー表示やメモリカード13に記録された静止画や動画の画像データの再生表示を行う他、デジタル一眼レフカメラの撮影モード等の情報表示や、メニュー画面等の表示も行う。メモリカード13は、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリで構成され、レリーズ釦の操作に応じて撮像された静止画やHD動画などの画像データの記録を行う。
また、撮像部3の出力端は、AE/AF制御部5に接続されている。このAE/AF制御部5は、撮像部3から出力される画像信号に基づいて、被写体の輝度を測定し、また、画像信号の高周波成分を抽出し、高周波成分が最大にとなるように撮影レンズ1の調節を行うことによりピント合わせを行う。カメラ操作部14は、レリーズ釦、撮影モードダイヤル等、撮影者によって操作される操作部材である。
カメラ制御部10は、MPU(Micro Processing Unit)を含むASIC等によって構成されており、前述の撮像部3、AE/AF制御部5、画像処理部11、メモリカード13、カメラ操作部14に接続され、これらから情報を入力すると共に、制御する。撮像部3に対しては全画素読出しやHD動画読出し等の画素読出し用の制御信号を送信し、撮像部3は、この制御信号に応じて画素信号の蓄積や読出し等の制御を行う。
次に、本実施形態における撮像部3内の撮像素子6について説明する。図2は、撮像素子6の画素のカラーフィルタの配置を示し、(A)は、カラーフィルタの構成とFD(Floating
Diffusion)の接続構成を示し、(B)はG(緑色画素)についてのFDの接続を示し、(C)はFD接続されたG各画素の重心位置とRおよびB画素の重心位置の関係を示し、(D)は(C)の別の例を示す。
撮像素子6のカラーフィルタは、図2(A)に示すように、RGB(それぞれ、赤色・緑色・青色を表す)の各色のフィルタで構成され、X−Y方向にベイヤ配列されている。また、各カラーフィルタに対応してフォトダイオードとその読出回路がCMOSによって構成され、X−Y走査により、順次フォトダイオードから画素信号の読出しが可能である。なお、図2(A)において、RとB、またはGとGを結ぶ直線はFDのための接続線を示す。
FDのための接続線は、図2(B)に示すように、上段2行では左上と右下の各画素(具体的にはGrとGb、RとB)が結ばれており、次の2行では右上と左下の各画素(具体的にはGrとGb、RとB)が結ばれている。そして次の2行では上段2行と同様の接続となっている。つまり、本実施形態においては、FDを共有する2画素の接続方向は、行毎に互いに異なる方向としている。このようなFDのための接続線とした場合には、RとBの読出しタイミングにより、図2(C)または図2(D)に示すような画素出力の関係となる。
図3は、撮像素子6の画素の構成を示す回路図であり、(A)は各画素の配置を示し、(B)は回路図である。図3(A)に示すように、nラインには、RGRG・・・の各画素が配列され、n+1ラインには、GBGB・・・の各画素が配列され、n+2ラインには、RGRG・・・の各画素が配列され、n+3ラインには、GBGB・・・の各画素が配列されている。
図3(B)に示すフォトダイオードGr11は、G(緑色)のカラーフィルタの下に配置され、受光量に応じた電荷を発生する。このフォトダイオードGr11のアノードは接地され、カソードは転送用トランジスタTTr11を介してFD(Floating Diffusion)用のコンデンサFD11の一端に接続されている。
また、FD11は、増幅用トランジスタATr11のゲートに接続されている。この増幅用トランジスタATr11のドレイン・ゲート間にはリセット用トランジスタRTr11が接続され、また、増幅用トランジスタATr11のソースは垂直出力線に接続されている。前述の転送用トランジスタTTr11のゲートは、Gr転送制御線nに接続され、リセット用トランジスタRTr11のゲートは、リセット線nに接続され、増幅用トランジスタATr11のドレインは電圧VDDに接続されている。
フォトダイオードGb21は、G(緑色)のカラーフィルタの下に配置され、受光量に応じた電荷を発生する。このフォトダイオードGb21のアノードは接地され、カソードは転送用トランジスタTTr21を介して前述のFD用のコンデンサFD11の一端に接続されている。そして、転送用トランジスタTTr21のゲートはGb転送制御ラインn+1に接続されている。なお、フォトダイオードGr11とフォトダイオードGb21は、図3(A)に示すように、斜め方向に隣接している。
フォトダイオードGr11と同じラインn上に隣接して、フォトダイオードR12が配置されている。また、このフォトダイオードR12の斜め方向に隣接してフォトダイオードB22が配置されている。これらのフォトダイオードR12とフォトダイオードB22は、FD用のコンデンサFD12、増幅用トランジスタATr12、およびリセット用トランジスタRTr12に、フォトダイオードGr11およびフォトダイオードGb21と同様の関係で接続されている。
リセット線nには、リセット用トランジスタRTr11、RTr12、RTr13、RTr14・・・が接続され、Gr転送制御線nには、転送用トランジスタTTr11、TTr13・・・が接続され、R転送制御線nには、転送用トランジスタR12、R14・・が接続され、Gb転送制御線n+1には、転送用トランジスタTTr21、TTr23・・・が接続され、B転送制御線n+1には、転送用トランジスタTTr22、TTr24が接続されている。
同様に、n+2ラインには、フォトダイオードR31、Gr32、R33、Gr34が、またn+3ラインには、フォトダイオードB41、Gb42、B43、Gb44が接続されている。また、これらのフォトダイオードには、FD用のコンデンサFD31、FD32、FD33、FD34、リセット用トランジスタRTr31、RTr32、RTr33、RTr34、および増幅用トランジスタATr31、ATr32、ATr33、ATr34が接続されている。これらの素子の接続関係は、nラインおよびn+1ラインと同様である。
次に、このように構成された本実施形態の動作について説明する。はじめに、静止画記録の場合等に用いられる全画素読出しの場合について、図4(A)を用いて説明する。この場合には、画素加算を行うことなく、1ライン毎に全画素の信号が読み出される。まず、時刻t1において、リセット線nにHレベルを印加すると同時にGr転送制御線nおよびR転送制御線nにHレベルを印加し、電子シャッタのリセットを行う。
リセット線nがHレベルになると、リセット用トランジスタRTr11、RTr12、RTr13、RTr14・・・がオンとなり、FD用のコンデンサFD11、FD12、FD13、FD14・・・が電圧VDDに充電される。また、Gr転送制御線nおよびR転送制御線nがHレベルになると、転送用トランジスタTTr11、TTr12、TTr13、TTr14、・・・がオンとなり、nラインのフォトダイオードGr11、R12、Gr13、R14、・・・のカソード側に電圧VDDが印加される。
リセット線n、Gr転送制御線nおよびR転送制御線nに印加されたHレベルがLレベルに変化すると、リセット用トランジスタRTr11等と、転送用トランジスタTTr11等がオフとなり、nラインのフォトダイオードGr11、R12、Gr13、R14、・・・が、受光量に応じて電荷蓄積を開始する。
続いて、時刻t2になると、リセット線nにHレベルを印加すると同時にGb転送制御線n+1およびB転送制御線n+1にもHレベルを印加し、電子シャッタのリセットを行う。これにより、リセット用トランジスタRTr11等がオンとなり、FD用のコンデンサFD11等が電圧VDDに充電される。また、Gb転送制御線n+1およびB転送制御線n+1がHレベルになることにより、転送用トランジスタTTr21、TTr22、TTr23、TTr24、・・・がオンとなり、n+1ラインのフォトダイオードGb21、B22、Gb23、B24、・・・のカソード側に電圧VDDが印加される。
リセット線n、Gb転送制御線n+1およびB転送制御線n+1に印加されたHレベルがLレベルに変化すると、リセット用トランジスタRTr11等と、転送用トランジスタTTr21等がオフとなり、n+1ラインのフォトダイオードGb21、B22、Gb23、B24、・・・が、電荷蓄積を開始する。
続いて、時刻t3において、リセット線n+2にHレベルを印加すると同時にGr転送制御線n+2およびR転送制御線n+2にもHレベルを印加し、電子シャッタのリセットを行う。これにより、リセット用トランジスタRTr31等がオンとなり、FD用のコンデンサFD31等が電圧VDDに充電される。また、Gr転送制御線n+2およびR転送制御線n+2がHレベルになることにより、転送用トランジスタTTr31、TTr32、TTr33、TTr34、・・・がオンとなり、n+2ラインのフォトダイオードR31、Gr32、R33、Gr34、・・・のカソード側に電圧VDDが印加される。
リセット線n+2、Gr転送制御線n+2およびR転送制御線n+2に印加されたHレベルがLレベルに変化すると、リセット用トランジスタRTr31等と、転送用トランジスタTTr31等がオフとなり、n+2ラインのフォトダイオードR31、Gr32、R33、Gr34、・・・が、電荷蓄積を開始する。
続いて、時刻t4において、リセット線n+2にHレベルを印加すると同時にGb転送制御線n+3およびB転送制御線n+3にもHレベルを印加し、電子シャッタのリセットを行う。これにより、リセット用トランジスタRTr31等がオンとなり、FD用のコンデンサFD31等が電圧VDDに充電される。また、Gb転送制御線n+3およびB転送制御線n+3がHレベルになることにより、転送用トランジスタTTr41、TTr42、TTr43、TTr44、・・・がオンとなり、n+3ラインのフォトダイオードB41、Gb42、B43、Gb44、・・・のカソード側に電圧VDDが印加される。
リセット線n+2、Gb転送制御線n+3およびB転送制御線n+3に印加されたHレベルがLレベルに変化すると、リセット用トランジスタRTr31等と、転送用トランジスタTTr41等がオフとなり、n+3ラインのフォトダイオードB41、Gb42、B43、Gb44、・・・が、電荷蓄積を開始する。
このように、時刻t1においてラインnに配置されたフォトダイオードGr11、R12、Gr13、R14、・・・が電荷蓄積を開始し、時刻t2になると、ラインn+1に配置されたフォトダイオードGb21、B22、Gb23、B24、・・・が電荷蓄積を開始する。そして、時刻t3になると、ラインn+2に配置されたフォトダイオードR31、Gr32、R33、Gr34、・・・が電荷蓄積を開始し、時刻t4になると、ラインn+3に配置されたフォトダイオードB41、Gb42、B43、Gb44、・・・が電荷蓄積を開始する。以後、順次、隣接するラインのフォトダイオード列が電荷蓄積を開始する。
次に、時刻t5になると、nラインに配置されたフォトダイオードGr11等について画素信号の読出動作を開始すべく、リセット線nにHレベルを印加する。これにより、リセット用トランジスタRTr11等がオンとなり、FD用のコンデンサFD11等が電圧VDDに充電される。前回のリセットにより電圧VDDに充電されているが、その後、放電等によりFD用のコンデンサFD11等の電圧が低下する場合があることから、画素信号を読み出すにあたって、FD用のコンデンサFD11等の充電電圧を初期化するためである。
続いて、リセット用トランジスタRTr11等をオフにした後、時刻t6になると、Gr転送制御線nとR転送制御線nにHレベルを印加する。これにより、転送用トランジスタTTr11、TTr12、TTr13、TTr14、・・・がオンとなり、フォトダイオードGr11、R12、Gr13、R14、・・・の光電変換電荷に応じてFD用のコンデンサFD11、FD12、FD13、FD14の電圧が変化する。すなわち、受光量に応じて、フォトダイオードGr11のカソードの電圧は変化しており、転送用トランジスタTTr11等がオンとなると、FD用コンデンサ11はフォトダイオードGr11等のカソード電圧に応じた電圧に変化する。
FD用のコンデンサ11等の電圧は、増幅トランジスタATr11等によって増幅され、垂直出力線に出力される。なお、図3(B)には明示してないが、増幅トランジスタATr11等のソースと各垂直出力線の間に列選択用の制御用のトランジスタを接続し、この転送のタイミングに合わせて、このトランジスタをオンとして、垂直出力線に出力する。
nラインの画素信号の読出動作が終わった後、時刻t7になると、n+1ラインに配置されたフォトダイオードGb21等について画素信号の読出動作を開始すべく、リセット線nにHレベルを印加する。これにより、リセット用トランジスタRTr11等がオンとなり、FD用のコンデンサFD11等が電圧VDDに充電され、初期化される。
続いて、リセット用トランジスタRTr11等をオフにした後、時刻t8になると、Gb転送制御線n+1とB転送制御線n+1にHレベルを印加する。これにより、転送用トランジスタTTr21、TTr22、TTr23、TTr24、・・・がオンとなり、フォトダイオードGb21、B22、Gb23、B24、・・・の光電変換電荷に応じてFD用のコンデンサFD11、FD12、FD13、FD14の電圧が変化する。FD用のコンデンサ11等の電圧は、増幅トランジスタATr11等によって増幅され、垂直出力線に出力される。
このように、FD用のコンデンサFD11等は、ラインnに配置されたフォトダイオードGr11、R12、Gr13、R14・・・の読出しの際に使用するFD用コンデンサと、ラインn+1に配置されたフォトダイオードGb21、B22、Gb23、B24・・・の読出しの際に使用するFD用コンデンサを兼用している。
時刻t9になると、n+2ラインに配置されたフォトダイオードR31、Gr32、R33、Gr34、・・・等について画素信号の読出動作を開始すべく、リセット線n+2にHレベルを印加する。続いて、リセット線n+2をLレベルにした後、時刻t10になると、Gr転送制御線n+2とR転送制御線n+2にHレベルを印加する。これによりフォトダイオードR31等の光電変換電圧に応じて、FD用のコンデンサFD31等が変化し、この電圧は増幅用トランジスタATr31等によって増幅され、各垂直出力線に出力される。
時刻t11になると、n+3ラインに配置されたフォトダイオードB41、Gb42、B43、Gb44、・・・等について画素信号の読出動作を開始すべく、リセット線n+2にHレベルを印加する。続いて、リセット線n+2をLレベルにした後、時刻t12になると、Gb転送制御線n+3とB転送制御線n+3にHレベルを印加する。これによりフォトダイオードB41等の光電変換電圧に応じて、FD用のコンデンサFD31等が変化し、この電圧は増幅用トランジスタATr31等によって増幅され、各垂直出力線に出力される。
このように、FD用のコンデンサFD31等は、ラインn+2に配置されたフォトダイオードR31、Gr32、R33、Gr34・・・の読出しの際に使用するFD用コンデンサと、ラインn+3に配置されたフォトダイオードB41、Gb42、B43、Gb44・・・の読出しの際に使用するFD用コンデンサを兼用している。
本実施形態においては、時刻t6においてラインnに配置されたフォトダイオードGr11、R12、Gr13、R14、・・・の電荷蓄積を終了すると共に画素信号の読出しを行い、時刻t8において、ラインn+1に配置されたフォトダイオードGb21、B22、Gb23、B24、・・・の電荷蓄積を終了すると共に画素信号の読出しを行う。そして、時刻t10において、ラインn+2に配置されたフォトダイオードR31、Gr32、R33、Gr34、・・・の電荷蓄積を終了すると共に画素信号の読出しを行い、時刻t12において、ラインn+3に配置されたフォトダイオードB41、Gb42、B43、Gb44、・・・の電荷蓄積を終了すると共に画素信号の読出しを行う。以後、順次、隣接するラインのフォトダイオード列の電荷蓄積を終了すると共に画素信号の読出しを行う。
次に、HD動画記録の場合等に用いられるHD用読出しの場合について、図4(B)を用いて説明する。この場合には、2ラインずつ画素信号の読出しを行い、その際、G画素については2画素の加算を行い、またR画素およびB画素についてはいずれか一方を間引いて読み出す。まず、時刻t21において、リセット線nにHレベルを印加すると同時にGr転送制御線n、R転送制御線n、Gb転送制御線n+1、およびB転送制御線n+1にHレベルを印加し、電子シャッタのリセットを行う。
リセット線nがHレベルになると、リセット用トランジスタRTr11、RTr12、RTr13、RTr14・・・がオンとなり、FD用のコンデンサFD11、FD12、FD13、FD14・・・が電圧VDDに充電される。また、Gr転送制御線n、R転送制御線n、Gb転送制御線n+1、およびB転送制御線n+1がHレベルになると、転送用トランジスタTTr11、TTr12、TTr13、TTr14、・・・、TTr21、TTr22、TTr23、TTr24、・・・がオンとなり、nラインのフォトダイオードGr11、R12、Gr13、R14、・・・、およびn+1ラインのフォトダイオードGb21、B22、Gb23、B24・・・のカソード側に電圧VDDが印加される。
リセット線n、Gr転送制御線n、R転送制御線n、Gb転送制御線n+1、およびB転送制御線n+1に印加されたHレベルがLレベルに変化すると、リセット用トランジスタRTr11等と、転送用トランジスタTTr11等およびTTr21等がオフとなり、nラインのフォトダイオードGr11、R12、Gr13、R14、・・・、およびn+1ラインのフォトダイオードGb21、B22、Gb23、B24・・・が、電荷蓄積を開始する。
続いて、時刻t22になると、リセット線n+2にHレベルを印加すると同時にGr転送制御線n+2、R転送制御線n+2、Gb転送制御線n+3、およびB転送制御線n+3にもHレベルを印加し、電子シャッタのリセットを行う。
リセット線n+2がHレベルになると、リセット用トランジスタRTr31、RTr32、RTr33、RTr34・・・がオンとなり、FD用のコンデンサFD31、FD32、FD33、FD34・・・が電圧VDDに充電される。また、Gr転送制御線n+2、R転送制御線n+2、Gb転送制御線n+3、およびB転送制御線n+3がHレベルになると、転送用トランジスタTTr31、TTr32、TTr33、TTr34、・・・、TTr41、TTr42、TTr43、TTr44、・・・がオンとなり、n+2ラインのフォトダイオードR31、Gr32、R33、Gr34、・・・、およびn+3ラインのフォトダイオードB41、Gb42、B43、Gb44・・・のカソード側に電圧VDDが印加される。
リセット線n+2、Gr転送制御線n+2、R転送制御線n+2、Gb転送制御線n+3、およびB転送制御線n+3に印加されたHレベルがLレベルに変化すると、リセット用トランジスタRTr31等と、転送用トランジスタTTr31等およびTTr41等がオフとなり、n+2ラインのフォトダイオードR31、Gr32、R33、Gr34、・・・、およびn+3ラインのフォトダイオードB41、Gb42、B43、Gb44・・・が、電荷蓄積を開始する。
続いて、時刻t23になると、nラインに配置されたフォトダイオードGr11等と、n+1ラインに配置されたフォトダイオードGb21等について画素信号の読出動作を開始すべく、リセット線nにHレベルを印加する。これにより、リセット用トランジスタRTr11等がオンとなり、FD用のコンデンサFD11等が電圧VDDに充電される。
続いて、リセット用トランジスタRTr11等をオフにした後、時刻t24になると、Gr転送制御線n、R転送制御線n、およびGb転送制御線n+1にHレベルを印加する。これにより、転送用トランジスタTTr11、TTr12、TTr13、TTr14、・・・、TTr21、TTr23・・・がオンとなり、フォトダイオードGr11、R12、Gr13、R14、・・・、Gb21、Gb23・・・の光電変換電荷に応じてFD用のコンデンサFD11、FD12、FD13、FD14・・・の電圧が変化する。
すなわち、Gr画素とGb画素に応じたフォトダイオードGr11とフォトダイオードGb21の光電変換電荷は、FD用のコンデンサFD11で加算される。FD用のコンデンサFD12には、R画素に応じたフォトダイオードR12と、B画素に応じたフォトダイオードB22が接続されている。時刻t24のタイミングでは、R転送制御線nがHレベルとなり、B転送制御線n+1はLレベルのままであるので、フォトダイオードR12の光電変換電荷のみがFD用コンデンサFD11に移動し、ここでの電圧が増幅用トランジスタATr12で増幅され、垂直出力線に出力される。
このように、時刻t24において、nラインおよびn+1ラインにおける2つのG画素信号は加算され垂直出力線に出力され、一方、R画素信号とB画素信号の内、B画素信号が間引かれR画素信号が出力される。
続いて、時刻t25になると、n+2ラインに配置されたフォトダイオードGr31等と、n+3ラインに配置されたフォトダイオードB41等について画素信号の読出動作を開始すべく、リセット線n+2にHレベルを印加する。これにより、リセット用トランジスタRTr31等がオンとなり、FD用のコンデンサFD31等が電圧VDDに充電される。
続いて、リセット用トランジスタRTr31等をオフにした後、時刻t26になると、Gr転送制御線n+2、Gb転送制御線n+3、およびB転送制御線n+3にHレベルを印加する。これにより、転送用トランジスタTTr32、TTr34、・・・、TTr41、TTr42、TTr43、TTr44、・・・がオンとなり、フォトダイオードGr32、Gr34、・・・、B41、Gb41、B43、Gb23・・・の光電変換電荷に応じてFD用のコンデンサFD31、FD32、FD33、FD34・・・の電圧が変化する。
すなわち、Gr画素とGb画素に応じたフォトダイオードGr32とフォトダイオードGb42の光電変換電荷は、FD用のコンデンサFD12で加算される。FD用のコンデンサFD31には、R画素に応じたフォトダイオードR31と、B画素に応じたフォトダイオードB41が接続されている。時刻t26のタイミングでは、B転送制御線n+3がHレベルとなり、R転送制御線n+2はLレベルのままであるので、フォトダイオードB41の光電変換電荷のみがFD用コンデンサFD31に移動し、ここでの電圧が増幅用トランジスタATr31で増幅され、垂直出力線に出力される。
このように、時刻t26において、n+2ラインおよびn+3ラインにおける2つのG画素信号は加算され垂直出力線に出力される。一方、R画素信号とB画素信号の内、R画素信号が間引かれB画素信号が出力される。
この後、順次、2つのG画素信号は加算され垂直出力線に出力されると共に、R画素信号とB画素信号は交互に間引かれて垂直出力線に出力される。各ラインは読出しが終わると、次のフレームの画像を撮像するために、時刻t21、t22と同様にリセット制御線および転送制御線をHレベルにし、すなわち電子シャッタのリセットを行い、前述の動作を繰り返す。
次に、2つのG画素信号の加算と、RまたはB画素信号の間引き動作について、図5を用いて説明する。図中、m行は図3および図4におけるnラインおよびn+1ラインに対応し、m+1行はn+2ラインおよびn+3ラインに対応する。
m行の読出時には、垂直出力線L1にはR画素信号が出力され、垂直出力線L2には2画素分のG画素信号が出力され、垂直出力線L3にはR画素信号が出力され、垂直出力線L4には2画素分のG画素信号が出力される。これらの垂直出力線L1〜L4に出力された画素信号は、水平加算部としてのカラムCDSに入力され、このカラムCDSによって水平走査における加算演算が行われる。そして、カラムCDSの出力はAD(アナログデジタル)変換器でデジタル信号に変換される。図5に示すように、m行の読出時は、4画素分のG画素信号と、2画素分のR信号が読み出される。
m+1行の読出時には、垂直出力線L1には2画素分のG画素信号が出力され、垂直出力線L2にはB画素信号が出力され、垂直出力線L3には2画素分のG画素信号が出力され、垂直出力線L4にはB画素信号が出力される。これらの垂直出力線L1〜L4に出力された画素信号は、カラムCDSによって加算された後、AD(アナログデジタル)変換器でデジタル信号に変換され、撮像素子6から出力される。m+1行の読出時は、4画素分のG画素信号と、2画素分のB画素信号が読み出される。
m+2行の読出時には、m行の読出時と同様に、4画素分のG画素信号と、2画素分のR画素信号が読み出される。また、m+3行の読出時には、m+1行の読出時と同様に、4画素分のG画素信号と、2画素分のB画素信号が読み出され、m+4行の読出時には、m行の読出時と同様に、4画素分のG画素信号と、2画素分のR画素信号が読み出される。このように、4画素分のG画素信号と、2画素分のR画素信号またはB画素信号が交互に読み出される。
以上、説明したように、本発明の第1実施形態においては、HD動画などで高速動画記録する場合には、R画素信号またはB画素信号を交互に間引きを行い、G画素信号については画素信号を加算して出力するようにしている。このため、HD動画に相応しい画素数にすることができ、また、輝度信号に影響するG画素信号については加算しているので、S/Nの良いHD動画などを得ることができる。
また、本実施形態においては、nラインとn+1ラインにおいて画素信号の加算を行うための組み合わせの方向と、n+2ラインとn+3ラインにおいて画素信号の加算を行うための組み合わせの方向が、互いに異なるようにしている。すなわち、FD用のコンデンサを共有する2つの画素について、列毎に異なる方向に隣接するようにしている。このため、加算読出時に、Gについてベイヤ状に画素配列ができるため、解像度の点で有利である。また、列毎に異なることから、斜め解像度に方向性の差が生じないという効果がある。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第1実施形態のRGBの各画素は図2に示すように、FD用のコンデンサを共有する2つの画素について、列毎に異なる方向に隣接するようにしていた。第2実施形態のRGBの各画素は、図6に示すように、FD用のコンデンサを共有する2つの画素について、列が変わっても同じ方向に隣接するようにしている。
図6(A)は、カラーフィルタの構成とFD(Floating Diffusion)の接続構成を示し、(B)はG(緑色画素)のFDの接続を示し、(C)はFD接続されたG各画素の重心位置とRおよびB画素の重心位置の関係を示し、(D)は(C)の別の例を示す。撮像素子6のカラーフィルタ配置は、図2と同様に、X−Y方向にベイヤ配列されている。各カラーフィルタに対応して、図3と同様に、フォトダイオードとその読出回路がCOMS構成で配置され、X−Y走査により、順次フォトダイオードから画素信号の読出しが可能である。
図6(A)における、RとB、またはGとGを結ぶ直線はFDのための接続線を示し、前述したように、その接続する方向は、列が変わっても同じである。第2実施形態においては、このFDのための接続線の方向性以外は、第1実施形態と同様であるので、詳しい説明は省略する。
以上、説明したように、本発明の各実施形態においては、斜め方向に隣接するGの2画素Gr、Gbと、転送用トランジスタTTr11、TTr21を介して接続された、Gの2画素に共通のFD用のコンデンサFD11と、コンデンサFD11に接続されたリセット用トランジスタRTr11と、FD用のコンデンサFD11に接続された増幅用トランジスタATr11と、斜め方向に隣接するRとBの2画素と転送用トランジスタTTr12、TTr22を介して接続された、RとBの画素に共通のFD用のコンデンサFD12と、FD用のコンデンサFD12に接続されたリセット用トランジスタRTr12と、FD用のコンデンサFD12に接続された増幅用トランジスタATr12を備え、転送用トランジスタTTr11と転送用トランジスタTTr12、転送用トランジスタTTr21、及び転送用トランジスタTTr22は、別々の転送制御線に接続されている。このため、HD動画等に適した高速読出しを行うために、それぞれ独立に転送制御を行うように小型でかつ簡単な構成で画素加算を行って出力することが可能となる。
なお、本発明の各実施形態における転送用トランジスタ、リセット用トランジスタ、増幅用トランジスタの構成は各実施形態に示した構成に限らず、電荷蓄積と読出しを行うことのできる回路構成であれば、適宜、変更することができる。また、各実施形態においては、静止画撮影時にローリングリセットを行っているが、静止画をメカシャッタによって露光制御する場合には、一括リセットを行うようにすれば良い。
また、本発明の各実施形態においては、デジタル一眼レフカメラを用いて説明したが、コンパクトデジタルカメラでもよく、またデジタルカメラ以外にも、携帯電話や携帯情報端末(PDA Personal Digital Assist)等に内蔵される撮像装置についても本発明を適用できることは勿論である。
また、本発明は、上記各実施形態にそのまま限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、各実施形態に示される全構成要素の幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
本発明の第1実施形態に係わるデジタル一眼レフカメラの電気系を示す回路ブロック図である。 本発明の第1実施形態に係わるデジタル一眼レフカメラの撮像素子の画素のカラーフィルタの配置を示し、(A)は、カラーフィルタの構成とFDの接続構成を示し、(B)はGのFDの接続を示し、(C)はFD接続されたG各画素の重心位置とRおよびB画素の重心位置の関係を示し、(D)は(C)の別の例を示す。 本発明の第1実施形態に係わるデジタル一眼レフカメラの撮像素子の画素の構成を示す図であり、(A)は各画素の配置を示し、(B)は回路図である。 本発明の第1実施形態において、撮像素子の露光と読出しを示すタイミングチャートであり、(A)は全画素読出時であり、(B)はHD用読出時である。 本発明の第1実施形態において、HD用読出時における水平2画素加算の様子を示す図である。 本発明の第2実施形態に係わるデジタル一眼レフカメラの撮像素子の画素のカラーフィルタの配置を示し、(A)は、カラーフィルタの構成とFDの接続構成を示し、(B)はGのFDの接続を示し、(C)はFD接続されたG各画素の重心位置とRおよびB画素の重心位置の関係を示し、(D)は(C)の別の例を示す。 従来における撮像素子の画素のカラーフィルタの配置を示し、(A)はカラーフィルタの配置を示し、(B)は加算後の画素の位置を示す。
符号の説明
1・・・撮影レンズ、3・・・撮像部、5・・・AE/AF制御部、6・・・撮像素子、10・・・カメラ制御部、11・・・画像処理部、12・・・表示部、13・・・メモリカード、14・・・カメラ操作部、101・・・G画素、101a・・・G画素、101b・・・G画素、102・・・B画素、102a・・・B画素、102b・・・B画素、Gr11〜Gr34・・・フォトダイオード(G)、Gb21〜Gb44・・・フォトダイオード(G)、R12〜R33・・・フォトダイオード(R)、B22〜B43・・・フォトダイオード(B)、ATr11〜ATr34・・・増幅用トランジスタ、RTr11〜RTr33・・・リセット用トランジスタ、TTr11〜TTr34・・・転送用トランジスタ、FD11〜FD34・・・FD用のコンデンサ、L1〜L10・・・垂直出力線

Claims (9)

  1. RGBのベイヤ配列のカラーフィルタを有するX−Y走査型の撮像素子の駆動装置であって、
    水平走査において、斜め方向に隣接する同色2画素につき共有する第1FD(Floating Diffusion)に対して上記同色2画素の電荷を同時に転送することにより加算して読み出し、且つ斜め方向に隣接する異色2画素につき共有する第2FDに対して、上記異色2画素のうちいずれか1つの色の画素の電荷を転送して読み出す駆動部を備えたことを特徴とする撮像素子の駆動装置。
  2. 上記第1FDを共有する上記2画素は、それぞれ列毎に異なる方向に隣接していることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子の駆動装置。
  3. 上記第1FDを共有する上記斜め方向に隣接する同色2画素はGの画素であり、上記斜め方向に隣接する異色2画素はRとBの画素であることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子の駆動装置。
  4. 上記水平走査において加算して読み出された同色2画素の電荷のうち水平方向に隣接する上記電荷を加算し、且つ、上記水平走査において読み出された上記異色2画素の同色同士の画素の電荷のうち水平方向に隣接する上記電荷を加算して読み出す水平加算部をさらに備えたことを特徴とする請求項1、請求項2、または請求項3に記載の撮像素子の駆動装置。
  5. 上記読み出された電荷はHD(High Definition)動画信号であることを特徴とする請求項4に記載の撮像素子の駆動装置。
  6. RGBのベイヤ配列のカラーフィルタを有するX−Y走査型の撮像素子の駆動方法であって、
    水平走査において、斜め方向に隣接する同色2画素につき共有する第1FD(Floating Diffusion)に対して上記同色2画素の電荷を同時に転送することにより加算して読み出し、且つ斜め方向に隣接する異色2画素につき共有する第2FDに対して、上記異色2画素のうちいずれか1つの色の画素の電荷を転送して読み出すことを特徴とする撮像素子の駆動方法。
  7. RGBのベイヤ配列のカラーフィルタを有するX−Y走査型の撮像素子を用いた撮像装置であって、
    斜め方向に隣接する2画素につき共有するFD(Floating Diffusion)を有する撮像素子と、
    上記撮像素子の水平走査において異なる色毎に読み出し制御する制御部と、
    上記制御部により読み出された信号を処理する画像処理部と、
    上記画像処理部で処理された画像データを記録する記録部と、
    を備え、上記斜め方向に隣接する2画素は列毎に異なる方向に隣接することを特徴とする撮像装置。
  8. RGBベイヤ配列のカラーフィルタを有するX−Y走査型の撮像素子であって、
    斜め方向に隣接するGの2画素のそれぞれの画素とそれぞれ第1転送トランジスタ及び第2転送トランジスタを介して接続された、上記Gの2画素に共通の第1FD(Floating Diffusion)と、
    上記第1FDに接続されたリセット用の第1トランジスタと、
    上記第1FDに接続された第1増幅用トランジスタと、
    斜め方向に隣接するRとBの2画素のそれぞれの画素とそれぞれ第3転送トランジスタ及び第4転送トランジスタを介して接続された、上記RとBの画素に共通の第2FDと、
    上記第2FDに接続されたリセット用第2トランジスタと、
    上記第2FDに接続された第2増幅用トランジスタと、
    上記第1増幅用トランジスタ及び第2増幅用トランジスタに接続された信号読み出し部と、
    を備え、
    上記第1転送トランジスタ、上記第2転送トランジスタ、上記第3転送トランジスタ及び上記第4転送トランジスタは、それぞれ独立に転送制御を行う転送制御線に接続されていることを特徴とする撮像素子。
  9. 上記第1FDを共有する上記2画素は、それぞれ列毎に異なる方向に隣接していることを特徴とする請求項に記載の撮像素子。
JP2007333432A 2007-12-26 2007-12-26 撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、及び撮像素子 Expired - Fee Related JP5026951B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007333432A JP5026951B2 (ja) 2007-12-26 2007-12-26 撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、及び撮像素子
US12/328,823 US8174595B2 (en) 2007-12-26 2008-12-05 Drive unit for image sensor, and drive method for imaging device
CN200810185053XA CN101472186B (zh) 2007-12-26 2008-12-26 摄像元件的驱动装置和摄像装置的驱动方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007333432A JP5026951B2 (ja) 2007-12-26 2007-12-26 撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、及び撮像素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009159186A JP2009159186A (ja) 2009-07-16
JP5026951B2 true JP5026951B2 (ja) 2012-09-19

Family

ID=40829252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007333432A Expired - Fee Related JP5026951B2 (ja) 2007-12-26 2007-12-26 撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、及び撮像素子

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8174595B2 (ja)
JP (1) JP5026951B2 (ja)
CN (1) CN101472186B (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8913166B2 (en) * 2009-01-21 2014-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus
JP5233828B2 (ja) * 2009-05-11 2013-07-10 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
JP5511220B2 (ja) * 2009-05-19 2014-06-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP4547462B1 (ja) 2009-11-16 2010-09-22 アキュートロジック株式会社 撮像素子、撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、画像処理装置、プログラム、及び、撮像装置
WO2011150554A1 (zh) 2010-06-01 2011-12-08 博立码杰通讯(深圳)有限公司 一种多光谱感光器件及其采样方法
CN101986432B (zh) * 2010-10-25 2015-04-01 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Cmos图像传感器
JP5664141B2 (ja) * 2010-11-08 2015-02-04 ソニー株式会社 固体撮像素子およびカメラシステム
KR20130011692A (ko) * 2011-07-22 2013-01-30 삼성전자주식회사 깊이 영상과 컬러 영상을 획득하는 픽셀 구조를 가진 이미지 센서
JP2013143729A (ja) 2012-01-12 2013-07-22 Sony Corp 撮像素子、撮像装置、電子機器および撮像方法
US9276031B2 (en) 2013-03-04 2016-03-01 Apple Inc. Photodiode with different electric potential regions for image sensors
US9741754B2 (en) 2013-03-06 2017-08-22 Apple Inc. Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors
JP2014175832A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP6166562B2 (ja) * 2013-03-21 2017-07-19 キヤノン株式会社 撮像素子及びその駆動方法、及び撮像装置
JP6561836B2 (ja) * 2013-09-26 2019-08-21 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
US9596423B1 (en) 2013-11-21 2017-03-14 Apple Inc. Charge summing in an image sensor
US9473706B2 (en) 2013-12-09 2016-10-18 Apple Inc. Image sensor flicker detection
JP6239975B2 (ja) * 2013-12-27 2017-11-29 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム
US10285626B1 (en) 2014-02-14 2019-05-14 Apple Inc. Activity identification using an optical heart rate monitor
US9497397B1 (en) 2014-04-08 2016-11-15 Apple Inc. Image sensor with auto-focus and color ratio cross-talk comparison
US9686485B2 (en) * 2014-05-30 2017-06-20 Apple Inc. Pixel binning in an image sensor
JP6508805B2 (ja) * 2014-06-20 2019-05-08 日本放送協会 撮像素子および撮像装置
US10313612B2 (en) 2015-12-18 2019-06-04 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Image sensor, control method, and electronic device
JP6700850B2 (ja) * 2016-02-24 2020-05-27 日本放送協会 撮像素子の駆動制御回路
US9912883B1 (en) 2016-05-10 2018-03-06 Apple Inc. Image sensor with calibrated column analog-to-digital converters
EP3712945A3 (en) 2016-09-23 2020-12-02 Apple Inc. Stacked backside illuminated spad array
US10656251B1 (en) 2017-01-25 2020-05-19 Apple Inc. Signal acquisition in a SPAD detector
WO2018140522A2 (en) 2017-01-25 2018-08-02 Apple Inc. Spad detector having modulated sensitivity
US10962628B1 (en) 2017-01-26 2021-03-30 Apple Inc. Spatial temporal weighting in a SPAD detector
US10622538B2 (en) 2017-07-18 2020-04-14 Apple Inc. Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body
US10440301B2 (en) 2017-09-08 2019-10-08 Apple Inc. Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance
US11019294B2 (en) 2018-07-18 2021-05-25 Apple Inc. Seamless readout mode transitions in image sensors
US10848693B2 (en) 2018-07-18 2020-11-24 Apple Inc. Image flare detection using asymmetric pixels
US11233966B1 (en) 2018-11-29 2022-01-25 Apple Inc. Breakdown voltage monitoring for avalanche diodes
CN113141444B (zh) 2020-01-19 2023-08-08 Oppo广东移动通信有限公司 图像传感器、成像装置、电子设备、图像处理系统及信号处理方法
US11653122B2 (en) * 2020-03-13 2023-05-16 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state image capturing element with floating diffusion layers processing a signal undergoing pixel addition
US11563910B2 (en) 2020-08-04 2023-01-24 Apple Inc. Image capture devices having phase detection auto-focus pixels
US12356740B2 (en) 2020-09-25 2025-07-08 Apple Inc. Transistor integration with stacked single-photon avalanche diode (SPAD) pixel arrays
US11546532B1 (en) 2021-03-16 2023-01-03 Apple Inc. Dynamic correlated double sampling for noise rejection in image sensors
US12192644B2 (en) 2021-07-29 2025-01-07 Apple Inc. Pulse-width modulation pixel sensor
US12069384B2 (en) 2021-09-23 2024-08-20 Apple Inc. Image capture devices having phase detection auto-focus pixels
TW202335486A (zh) * 2022-01-12 2023-09-01 日商索尼半導體解決方案公司 固體攝像裝置及電子機器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734906B1 (en) * 1998-09-02 2004-05-11 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus with photoelectric conversion portions arranged two dimensionally
US6593967B1 (en) * 1998-12-16 2003-07-15 Eastman Kodak Company Electronic camera having dual clocked line memory
JP3501682B2 (ja) * 1999-05-31 2004-03-02 キヤノン株式会社 カラー撮像装置及びそれを用いた撮像システム
JP2003189316A (ja) * 2001-12-19 2003-07-04 Minolta Co Ltd 撮像センサ
JP3988189B2 (ja) * 2002-11-20 2007-10-10 ソニー株式会社 固体撮像装置
KR100618245B1 (ko) * 2003-02-13 2006-09-01 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 고체촬상장치, 그 구동방법 및 이를 이용한 카메라
KR100871688B1 (ko) 2004-02-27 2008-12-08 삼성전자주식회사 고체 촬상 장치 및 그 구동 방법
JP4691930B2 (ja) * 2004-09-10 2011-06-01 ソニー株式会社 物理情報取得方法および物理情報取得装置、並びに物理量分布検知の半導体装置、プログラム、および撮像モジュール
KR100674923B1 (ko) * 2004-12-03 2007-01-26 삼성전자주식회사 인접한 화소간에 출력회로를 공유하는 씨모스 이미지 센서
JP4765578B2 (ja) 2005-11-24 2011-09-07 ソニー株式会社 固体撮像素子とその駆動方法、及びカメラモジュール
JP4695979B2 (ja) * 2005-12-26 2011-06-08 パナソニック株式会社 固体撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101472186A (zh) 2009-07-01
US8174595B2 (en) 2012-05-08
CN101472186B (zh) 2010-12-08
US20090195683A1 (en) 2009-08-06
JP2009159186A (ja) 2009-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5026951B2 (ja) 撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、及び撮像素子
US7978240B2 (en) Enhancing image quality imaging unit and image sensor
JP4448888B2 (ja) 撮像装置及び撮像装置の信号処理方法
US7646413B2 (en) Imaging device for adding signals including same color component
JP7400863B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP4622790B2 (ja) 撮像素子および撮像装置
JP5033711B2 (ja) 撮像装置及び撮像装置の駆動方法
CN104025566B (zh) 摄像装置及摄像装置的控制方法
JP2011244351A (ja) 撮像装置及び固体撮像素子の駆動制御方法
JP4639406B2 (ja) 撮像装置
JP2005109993A (ja) 撮影装置
JP6702371B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP6127368B2 (ja) 撮像装置
JP6825675B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP2022164803A (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP5124549B2 (ja) 固体撮像素子の動画像信号読出方法及び撮像装置
JP5629568B2 (ja) 撮像装置及びその画素加算方法
JP2009303020A (ja) 撮像装置及び欠陥画素補正方法
WO2020203799A1 (ja) 撮像素子、及び、撮像装置
JP2020145699A (ja) 固体撮像素子及び撮像装置
US7616354B2 (en) Image capture apparatus configured to divisionally read out accumulated charges with a plurality of fields using interlaced scanning
JP4848349B2 (ja) 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法
JP6798532B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP6760907B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP6010943B2 (ja) 撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20090803

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20090803

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100930

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120302

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120406

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120529

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120615

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120621

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5026951

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees