JP4946321B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

LSI等の半導体装置の製造工程では、半導体基板の表面に形成された自然酸化膜やフォトレジストの残渣を除去する目的で、半導体基板に対する洗浄処理が行われる。その洗浄処理で使用される基板処理装置は、バッチ式の装置と枚葉式の装置とに大別される。高いスループットを得るという観点からすると、半導体基板を一枚ずつ処理する枚葉式の装置よりも、一度に複数枚の半導体基板を洗浄できるバッチ式の装置が有利である。

但し、バッチ式の装置では、一つの液槽に複数枚の半導体基板が浸されるため、或る半導体基板の裏面に付着していたパーティクルが別の半導体基板の表面（回路形成面）に付着するという現象が見られる。このような現象は、パーティクルの裏面転写と呼ばれ、半導体装置の歩留まりを低下させる一因となる。特に、近年の半導体装置の微細化に伴い、許容し得るパーティクルの大きさが年々小さくなっており、液槽内に漂うパーティクルの大きさの許容値は０．１μm以下となっている。

このような裏面転写をなるべく防ぐため、バッチ式の基板処理装置では、パーティクルを濾過するためのフィルターと循環ポンプとが一体となったCRS(Chemical Recovery System)と呼ばれる異物除去機構が備えられている。この機構により、液槽内の液が循環するのと同時に、液中のパーティクルが濾過され、半導体基板の裏面から剥離して液中に漂っているパーティクルを減らすことができる。

ところが、CRSが設けられていても、液槽内に一度に多量のパーティクルが持ち込まれてしまうと、液槽内のパーティクル数が許容値に戻るまでにかなりの時間を要してしまい、基板処理装置のスループットが大幅に低下してしまう。

そこで、現状では、一つの液槽における処理回数や処理時間に上限を決め、その上限を超えた場合に液を交換し、スループットの低下を防いでいる。

しかしながら、このように液を頻繁に交換すると、液の使用量が増大してバッチ式の基板処理装置における洗浄コストが増大するという新たな問題が生じてしまう。

また、液槽に持ち込まれるパーティクルの数を減らすために、基板処理装置で基板を処理する前にスピン・スクラバー処理を行う場合もあるが、これではスピン・スクラバー処理の分だけ半導体装置の製造コストが上昇するという新たな問題が発生する。

なお、本発明に関連する技術が、下記の特許文献１〜３に開示されている。
特開昭５６−６００２１号公報 特許平８−１９７４１８号公報 特開２００５−１７５０５３号公報

本発明の目的は、液槽内においてパーティクル等の異物が基板に再付着するのを抑制することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

本発明の一観点によれば、液槽と、互いに間隔をおいて配列された複数の基板を前記液槽内の液に一括して浸す搬送機構と、前記搬送機構に設けられ、前記複数の基板を把持する把持部と、前記液槽内の前記液に前記基板を浸す前又は後に前記把持部を収容すると共に、下部において開閉可能であり、前記下部に排水口を有する容器と、前記基板の裏面のみに対向するように前記複数の基板の間の隙間に配された蒸気噴霧ノズルとを有し、前記液槽内の前記液に前記基板を浸す前に、前記容器に前記把持部が収容されている状態で、前記複数の基板のそれぞれの裏面のみに前記蒸気噴霧ノズルから８０℃〜１００℃に加熱された蒸気が噴霧される基板処理装置が提供される。

また、本発明の別の観点によれば、複数の基板の裏面に８０℃〜１００℃に加熱された蒸気を噴霧するステップと、前記蒸気を噴霧した後に、液槽内に溜められた液の中に前記複数の基板を一括して液に浸すステップと、前記基板を前記液に浸すステップの後に、下部において開閉可能であり、更に前記下部に排水口を有する容器内において前記複数の基板のそれぞれの裏面のみに前記加熱された蒸気を再噴霧するステップと、前記再噴霧の後に、前記容器内に不活性ガスを導入して前記基板の表面を乾燥させるステップと、を有する基板処理方法が提供される。

次に、本発明の作用について説明する。

本発明では、液槽に溜められた液の中に基板を浸す前に、基板の裏面に加熱された水蒸気等の蒸気を噴霧するので、裏面に付着していたパーティクル等の異物と基板との密着力が弱まり、裏面に付着している大部分の異物を除去することができる。その結果、液槽に基板と共に持ち込まれる異物の数を少なくすることができ、液槽において基板の表面に異物が付着するのを防止することができる。

しかも、このよう基板と共に液槽に持ち込まれる異物の数が減少することで、液槽におけるパーティクルをCRS等の異物除去機構により短時間で低減させることができる。

本発明によれば、液の中に基板を浸す前に、基板の裏面に蒸気を噴霧してパーティクルを除去するので、液槽に持ち込まれる異物の数が少なくなり、液槽内において基板表面に異物が再付着するのを抑制できる。

以下に、添付の図面を参照しながら、本発明の実施の形態について詳細に説明する。

基板処理装置の構成
図１は、本実施形態に係る基板処理装置１００の全体斜視図である。

この基板処理装置１００は、半導体装置用の複数のシリコン基板Wを一括して処理することが可能なバッチ式の装置であって、シリコン基板を搬送するための搬送機構１０２と、ロードステージ１０３と、第１〜第４液槽１０４〜１０７と、開閉式の容器１３０とを筐体１０１内に有する。

このうち、ロードステージ１０３には、露光工程等を終了して洗浄の対象となる複数のシリコン基板Wがロット単位で載置される。

また、第１〜第４液槽１０４〜１０７には、純水と薬液とが任意の組み合わせで溜められる。用いられる薬液としては、硫酸と過酸化水素水との混合溶液（硫酸過水）、又はフッ酸水溶液がある。このうち、硫酸過水は、フォトレジストの残渣や、シリコン基板の表面の重金属を溶解するのに有用である。一方、フッ酸水溶液は、シリコン基板表面に形成された自然酸化膜を溶解するのに有用である。そして、純水は、これらの薬液を洗い落とすリンス液として使用される。

純水と薬液をどの液槽に溜めるかは特に限定されない。本実施形態では、一例として、第２、第４液槽１０５、１０７に純水を溜める。そして、第１液槽１０４に硫酸過水を溜め、第３液槽１０６にフッ酸水溶液を溜める。

図２は、各液槽１０４〜１０７の断面図である。

同図に示されるように、各液槽１０４〜１０７にはCRS（異物除去機構）１０９が設けられる。CRS１０９は、ポンプとフィルターとにより構成され、ポンプで液槽内の液を常時循環させながら、フィルターによりパーティクルを濾過する機能を有する。

図３は、搬送機構１０２の斜視図である。

搬送機構１０２は、把持部１１７とアーム１１８とに大別される。

そのうち、把持部１１７は複数の水平なガイド棒１１１を有し、各ガイド棒１１１により、互いに間隔をおいて配列された複数のシリコン基板Wが横から把持される。このように横から把持することで、各ガイド棒１１１とシリコン基板Wとの接触面積を小さくすることができ、ガイド棒１１１からシリコン基板Wに転写されるパーティクルを最小限に留めることができる。

また、これらのガイド棒１１１は、垂直連結棒１１２と第１、第２水平連結棒１１３、１１４を介してアーム１１８と機械的に接続される。

隣接するシリコン基板Wの間の隙間には、水蒸気発生部１２０に接続された水蒸気配管１２１が配される。その水蒸気配管１２１は搬送機構１０２に設けられる。

また、水蒸気発生部１２０では、石英るつぼ１２２内に溜められた純水１２３がヒータ１２４によって８０℃〜１００℃程度の温度に加熱されており、窒素ガス等のキャリアガスのバブリングにより上記の水蒸気配管１２１に水蒸気が供給される。

なお、水蒸気配管１２１の途中にはバルブ１２７、１２８が設けられ、これらのバルブを切り替えることにより、水蒸気配管１２１に乾燥窒素を供給することもできる。

図４は把持部１１７の側面図である。

図示のように、水蒸気配管１２１は、櫛歯状の断面形状を有し、シリコン基板Wの裏面に対向する水蒸気噴霧ノズル１２１ａをその先端に有する。なお、本明細書において、シリコン基板Wの裏面とは、基板Wの二つの主面のうち、トランジスタ等の回路素子が形成されていない側の面を言う。

図５（ａ）〜（ｄ）は、水蒸気配管１２１の先端部分の形状の様々な例を示す図であり、図４のＡ側から配管１２１を見た図に相当する。

図５（ａ）の例では水蒸気配管１２１が二又に、図５（ｂ）の例では三又に分岐し、各分岐配管にノズル１２１ａが形成される。

図５（ｃ）の例は、配管１２１を水平方向に二又に分岐させたものである。また、図５（ｄ）の例は、配管１２１を４又に分岐させたものである。

本実施形態では、図５（ａ）〜（ｄ）のどのタイプの水蒸気配管１２１を用いてもよい。

図６は、この基板処理装置１００の上面図である。

同図では、搬送機構１０２の動きを矢印１２５で、容器１３０の動きを矢印１３１で示してある。

シリコンウエハWに対する処理の前若しくは後では、搬送機構１０２は、待機エリア１３４で待機状態にあり、容器１３０に収容されている。

そして、液槽１０４〜１０７においてシリコンウエハWに対して処理を行うときに、搬送機構１０２は、容器１３０から出て処理エリア１３５に移動し、複数のシリコンウエハWを一括して各液槽１０４〜１０７に搬送する。

また、各液槽１０４〜１０７の間を移動するときは、搬送機構１０２は、容器１３０と一体となって待機エリア１３４を移動する。

図７は、容器１３０の斜視図である。

容器１３０は、ヒンジ１３０ａを中心にして二つのカバー１３０ｂが開閉可能な構造となっている。各カバー１３０ｂは、搬送機構１０２を収容するときには閉じて内部が密閉される。また、搬送機構１０２が処理エリア１３５に移動するときには、各カバー１３０ｂが開いて搬送機構１０２が容器１３０の外に出る。

図８は、搬送機構１０２を収容した状態における容器１３０の断面図である。

容器１３０を構成するカバー１３０ｂの下部には排水口１３０ｃが設けられており、半導体基板Wに噴霧されて液化した水蒸気がその排水口１３０ｃから外部に排水される。

基板処理方法
次に、上記の基板処理装置１００を用いた基板処理方法について説明する。

図９〜図１１は、本実施形態に係る基板処理方法をステップ順に説明するための模式図である。なお、以下では、説明の簡略化のために、各液槽１０４〜１０７のうち第１、第２液槽１０４、１０５のみを使用するが、実際の半導体装置の製造工程では各液槽１０４〜１０７のどの液槽を用いてもよい。

図９（ａ）に示される最初のステップでは、露光工程等を終了して洗浄の対象となる１ロットのシリコン基板Wをロードステージ１０３に載置する。

次いで、図９（ｂ）に示すように、把持部１１７により各シリコン基板Wを把持し、容器１３０に把持部１１７を収容する。

ここで、シリコン基板Wの裏面には、露光工程で使用されるステッパのステージ等に触れたことにより、多量のパーティクルが付着している。このパーティクルが付着したままの状態で第１液槽１０４において洗浄を行うと、液中にパーティクルが漂い、回路が形成されているシリコン基板Wの表面にパーティクルが付着し、歩留まりを低下させてしまう。

そこで、本ステップでは、水蒸気配管１２１からシリコン基板Wの裏面に加熱された水蒸気を噴霧し、裏面に付着しているパーティクルを除去する。加熱された水蒸気は、パーティクルとシリコン基板Wとの密着力を低下させる機能があるため、高圧の水蒸気を噴霧する必要はなく、比較的少ない流量の水蒸気でも十分にパーティクルを除去する効果がある。本実施形態では、水蒸気のキャリアガスとなる窒素の流量を２〜３SLM(Standard Litter per Minutes)と比較的少な目に設定し、ヒータ１２４（図３参照）による加熱温度を８０℃〜１００℃にして、処理時間を１０〜２０秒程度とする。

このように噴霧された水蒸気は、シリコン基板Wの裏面や容器１３０の内面で冷えて水滴となるが、その水滴は排水口１３０ｃにより基板処理装置の外部に排水されるため、水滴が各液槽１０４、１０５にこぼれ落ちることは無い。

また、容器１３０に把持部１１７が収容されている状態でシリコン基板Wに水蒸気を噴霧することにより、水蒸気が基板処理装置１００内に充満するのが防がれる。

ここで、シリコン基板Wの裏面に均一に水蒸気を噴霧するために、図１２に示すように水蒸気配管１２１を可動にし、シリコン基板Wの裏面上で水蒸気噴霧ノズル１２１ａを揺動するようにしてもよい。

なお、水蒸気に代えて、窒素等の不活性ガスをシリコン基板Wに吹き付けてパーティクルを除去することも考えられる。しかし、不活性ガスにはパーティクルとシリコン基板Wとの密着力を弱める機能が無いため、パーティクルを除去するためには比較的多い流量の不活性ガスが必要となる。ところが、多量の不活性ガスをシリコンWに吹き付けると、ガスの圧力によってシリコン基板Wが振動するため、シリコン基板Wの表面に傷がついたり、新たなパーティクルが発生したりする問題が発生する。

次に、図１０（ａ）に示すように、容器１３０から把持部１１７を出す。そして、把持部１１７を用いて、第１液槽１０４に溜められた硫酸過水中に複数のシリコン基板Wを一括して浸し、シリコン基板Wに対する洗浄を行う。第１液槽１０４における処理時間は例えば５〜１０分であって、処理中は把持部１１７は第１液槽１０４の上方に退避する。

このように硫酸過水に浸すことで、シリコン基板Wの表面に付着しているフォトレジストの残渣や重金属が除去される。

また、前のステップ（図９（ｂ））において、シリコン基板Wの裏面に付着していたパーティクルを除去したので、第１液槽に持ち込まれるパーティクルが少なくなり、シリコン基板Wの表面に再付着するパーティクルの数を低減することができる。

次に、図１０（ｂ）に示すように、把持部１１７により第１液槽１０４からシリコン基板Wを引き上げた後、再び容器１３０に把持部１１７を収容する。

そして、水蒸気配管１２１からシリコン基板Wの裏面に加熱された水蒸気を再噴霧する。その水蒸気はシリコン基板Wの表面において冷えて水滴となり、その表面に残存する第１液槽１０４の薬液（硫酸過水）がその水滴と共に流れ落ちるため、本ステップによりシリコン基板Wに対するリンス処理を行うことができる。

このリンス処理の条件は、例えば、キャリアガスである窒素の流量が２〜３SLM、ヒータ１２４（図３参照）による加熱温度が８０℃〜１００℃、処理時間が約１０分である。

更に、このリンス処理により、シリコン基板Wの表面になおも付着しているパーティクルが除去されるので、次の第２液槽１０５にシリコン基板Wと共に持ち込まれるパーティクルの数を低減することも可能となる。

次いで、図１１（ａ）に示すように、容器１３０から把持部１１７を出す。そして、把持部１１７を用いて、第２液槽１０５に溜められたリンス用の純水にシリコン基板Wを浸し、シリコン基板Wの表面に残る第１液槽１０４の薬液を完全に洗い落とす。その処理時間は、例えば５〜１０分である。

なお、シリコン基板Wが第１液槽１０４に浸されている間は、把持部１１７は第１液槽１０４の上方に退避している。

次に、図１１（ｂ）に示すように、把持部１１７により第２液槽１０５からシリコン基板Wを引き上げた後、把持部１１７とシリコン基板Wとを容器１３０に収容する。

そして、容器１３０内において、次のような２ステップのリンス兼乾燥工程を行う。

最初の第１ステップでは、シリコン基板Wの裏面に加熱した水蒸気を再噴霧することにより、シリコン基板Wの表面に残存する第１液槽１０４の薬液を水滴と共に洗い落とすと共に、その表面を加熱して乾燥し易い状態にする。この場合、水蒸気の噴霧時間は
３〜５分であり、ヒータ１２４による加熱温度は約２００℃である。また、キャリアガスである窒素ガスの流量は２〜３SLMとされる。

次の第２ステップでは、バルブ１２７、１２８（図３参照）を切り替えて水蒸気配管１２１に乾燥窒素を供給し、シリコン基板Wの表面に乾燥窒素を吹きつけ、シリコン基板Wを乾燥させる。このときの窒素の流量は特に限定されないが、本実施形態では１０SLM程度とする。また、シリコン基板Wに吹きつけるガスは、不活性ガスであれば窒素に限定されず、アルゴンガス等であってもよい。

以上により、本実施形態に係る基板処理方法の主要ステップが終了したことになる。

上記した本実施形態によれば、図９（ｂ）で説明したように、第１液槽１０４の薬液にシリコン基板Wを浸す前に、シリコン基板Wの裏面に加熱された水蒸気を噴霧するので、パーティクルとシリコン基板Wとの密着力が弱まり、裏面に付着している大部分のパーティクルを除去することができる。その結果、第１液槽１０４にシリコン基板Wと共に持ち込まれるパーティクルの数を少なくすることができ、第１液槽１０４におけるパーティクルの裏面転写を防止することができる。

しかも、このようシリコンウエハWにより第１液槽１０４に持ち込まれるパーティクルの数が減少することで、第１液槽１０４におけるパーティクルをCRS１０９（図２参照）により短時間で低減させることができる。

図１３及び図１４は、このような利点を説明するためのグラフである。

図１３は、水蒸気の噴霧を行わない場合における、第１液槽１０４におけるシリコン基板Wの浸漬時間とパーティクル数とを調査して得られたグラフである。

図１３に示されるように、第１液槽１０４に浸漬する前に元々シリコン基板Wに付着していたパーティクル数が５００個の場合は、１００個の場合と比較してパーティクル数が減少するまでに長時間を要してしまう。

一方、図１４は、これと同じ調査を本実施形態において行って得られたグラフである。

図１４に示されるように、本実施形態では、水蒸気の噴霧前にシリコン基板Wに元々付着していたパーティクルの数が５００個であっても、図１３の場合よりもパーティクル数が早期に減ることが分かる。これは、水蒸気の噴霧により、シリコン基板Wと共に第１液槽１０４に持ち込まれるパーティクルが少なくなり、CRS１０９によるパーティクルのフィルタリング効果が向上したためである。

このように、本実施形態によれば、シリコン基板Wの裏面に多量のパーティクルが付着していても、第１液槽１０４内の薬液のパーティクル数が許容値まで早期に回復するので、基板処理装置１００における待ち時間が短くなり、水蒸気噴霧を行わない場合と比較して基板処理装置１００のスループットが２倍程度に上昇する。

更に、薬液中のパーティクル数が早期に低減することで、薬液を頻繁に交換する必要が無くなって薬液のライフタイムが延長できると共に、使用する薬液のコストを低減することが可能となる。

しかも、図１１（ｂ）で説明したように、水蒸気と乾燥窒素とを用いてシリコン基板Wの表面を乾燥させるので、一般的に使用されている基板処理装置に付属のIPAを用いた乾燥槽が不要となり、基板処理装置１００のサイズを小さくすることもできる。

そして、シリコン基板Wの裏面のパーティクルを除去するために従来行われていたスピン・スクラバー処理等の前処理を省略することができるので、前処理における歩留まりの低下を防止できると共に、前処理の省略により半導体装置の製造コストを安価にすることができる。

以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、上記では、基板処理装置１００を用いて半導体装置用のシリコン基板Wに対して処理を行ったが、液晶装置用のガラス基板に対して処理を行ってもよい。

以下に、本発明の特徴について付記する。

（付記１） 液槽と、
互いに間隔をおいて配列された複数の基板を前記液槽内の液に一括して浸す搬送機構と、
前記基板の裏面に対向するように前記複数の基板の間の隙間に配された蒸気噴霧ノズルとを有し、
前記液槽内の前記液に前記基板を浸す前に、前記複数の基板のそれぞれの裏面に前記蒸気噴霧ノズルから加熱された蒸気が噴霧されることを特徴とする基板処理装置。

（付記２） 前記蒸気は水蒸気であることを特徴とする付記１に記載の基板処理装置。

（付記３） 前記搬送機構に設けられ、前記複数の基板を把持する把持部と、
前記液槽内の前記液に前記基板を浸す前又は後に前記把持部を収容する容器とを更に備え、
前記蒸気は、前記容器に前記把持部が収容されている状態で前記基板に噴霧されることを特徴とする付記１に記載の基板処理装置。

（付記４） 前記容器の下部に、液化した前記蒸気を排水する排水口が設けられたことを特徴とする付記３に記載の基板処理装置。

（付記５） 前記液槽内の前記液に前記基板を浸した後に、前記把持部を前記容器に収容し、該容器内において前記基板の裏面に前記加熱された蒸気を再び噴霧し、前記容器内に不活性ガスを導入して前記基板の表面を乾燥させることを特徴とする付記３に記載の基板処理装置。

（付記６） 前記把持部は、前記複数の基板の横から該基板を把持することを特徴とする付記３に記載の基板処理装置。

（付記７） 前記液槽内の前記液に前記基板を浸した後に、前記基板の裏面に前記加熱された蒸気を再び噴霧することにより、前記基板に対するリンス処理を行うことを特徴とする付記１に記載の基板処理装置。

（付記８） 前記蒸気噴霧ノズルは、前記蒸気を噴霧するときに、前記半導体基板の裏面上を揺動することを特徴とする付記１に記載の基板処理装置。

（付記９） 前記液槽は複数設けられ、
前記搬送機構は、一つの前記液槽から別の前記液槽に前記複数の基板を一括して搬送することを特徴とする付記１に記載の基板処理装置。

（付記１０） 前記液槽内の前記液は、純水又は薬液であることを特徴とする付記１に記載の基板処理装置。

（付記１１） 前記薬液は、硫酸と過酸化水素水との混合溶液、又はフッ酸水溶液であることを特徴とする付記１０に記載の基板処理装置。

（付記１２） 前記液槽に、異物除去機構が設けられたことを特徴とする付記１に記載の基板処理装置。

（付記１３） 複数の基板の裏面に加熱された蒸気を噴霧するステップと、
前記蒸気を噴霧した後に、液槽内に溜められた液の中に前記複数の基板を一括して液に浸すステップと、
を有することを特徴とする基板処理方法。

（付記１４） 前記蒸気として水蒸気を用いることを特徴とする付記１３に記載の基板処理方法。

（付記１５） 前記加熱された蒸気を噴霧するステップは、前記基板を容器に収容した状態で行われることを特徴とする付記１３に記載の基板処理方法。

（付記１６） 前記基板を前記液に浸すステップの後に、前記容器内において前記複数の基板のそれぞれの裏面に前記加熱された蒸気を再噴霧するステップと、
前記再噴霧の後に、前記容器内に不活性ガスを導入して前記基板の表面を乾燥させるステップとを更に有することを特徴とする付記１５に記載の基板処理方法。

（付記１７） 前記基板を前記液に浸すステップの後に、前記複数の基板のそれぞれの裏面に前記加熱された蒸気を再噴霧して、前記基板に対するリンス処理を行うステップを更に有することを特徴とする付記１３に記載の基板処理方法。

（付記１８） 前記加熱された蒸気を噴霧するステップは、前記半導体基板の裏面上において蒸気噴霧ノズルを揺動しながら行うことを特徴とする付記１３に記載の基板処理方法。

（付記１９） 前記液として純水又は薬液を用いることを特徴とする付記１３に記載の基板処理方法。

（付記２０） 前記基板としてシリコン基板を用いることを特徴とする付記１３に記載の基板処理方法。

図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の全体斜視図である。 図２は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置が備える各液槽の断面図である。 図３は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置が備える搬送機構の斜視図である。 図４は、図３の搬送機構が備える把持部の側面図である。 図５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置が備える水蒸気配管の先端部分の形状の様々な例を示す図である。 図６は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の上面図である。 図７は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置が備える容器の斜視図である。 図８は、把持部を収容した状態における容器の断面図である。 図９（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る基板処理方法をステップ順に説明するための模式図（その１）である。 図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る基板処理方法をステップ順に説明するための模式図（その２）である。 図１１（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る基板処理方法をステップ順に説明するための模式図（その３）である。 図１２は、本発明の実施の形態において、水蒸気噴霧ノズルを揺動させた場合の側面図である。 図１３は、水蒸気の噴霧を行わない場合における、第１液槽におけるシリコン基板の浸漬時間とパーティクル数とを調査して得られたグラフである。 図１４は、本実施形態において水蒸気の噴霧を行った場合における、第１液槽におけるシリコン基板の浸漬時間とパーティクル数とを調査して得られたグラフである。

符号の説明

１００…基板処理装置、１０１…筐体、１０２…搬送機構、１０３…ロードステージ、１０４〜１０７…第１〜第４液槽、１０９…CRS、１１１…ガイド棒、１１２…垂直連結棒、１１３、１１４…第１、第２水平連結棒、１１７…把持部、１１８…アーム、１２０…水蒸気発生部、１２１…水蒸気配管、１２１ａ…水蒸気噴霧ノズル、１２２…石英るつぼ、１２３…純水、１２４…ヒータ、１２７、１２８…バルブ、１３０…容器、１３０ａ…ヒンジ、１３０ｂ…カバー、１３０ｃ…排水口、１３４…待機エリア、１３５…処理エリア、W…半導体基板。

Claims (8)

1. 液槽と、
   互いに間隔をおいて配列された複数の基板を前記液槽内の液に一括して浸す搬送機構と、
   前記搬送機構に設けられ、前記複数の基板を把持する把持部と、
   前記液槽内の前記液に前記基板を浸す前又は後に前記把持部を収容すると共に、下部において開閉可能であり、前記下部に排水口を有する容器と、
   前記基板の裏面のみに対向するように前記複数の基板の間の隙間に配された蒸気噴霧ノズルとを有し、
   前記液槽内の前記液に前記基板を浸す前に、前記容器に前記把持部が収容されている状態で、前記複数の基板のそれぞれの裏面のみに前記蒸気噴霧ノズルから８０℃〜１００℃に加熱された蒸気が噴霧されることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記液槽内の前記液に前記基板を浸した後に、前記把持部を前記容器に収容し、該容器内において前記基板の裏面に前記加熱された蒸気を再び噴霧し、前記容器内に不活性ガスを導入して前記基板の表面を乾燥させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記液槽内の前記液に前記基板を浸した後に、前記基板の裏面に前記加熱された蒸気を再び噴霧することにより、前記基板に対するリンス処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記蒸気噴霧ノズルは、前記蒸気を噴霧するときに、前記半導体基板の裏面上を揺動することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
5. 複数の基板の裏面に８０℃〜１００℃に加熱された蒸気を噴霧するステップと、
   前記蒸気を噴霧した後に、液槽内に溜められた液の中に前記複数の基板を一括して液に浸すステップと、
   前記基板を前記液に浸すステップの後に、下部において開閉可能であり、更に前記下部に排水口を有する容器内において前記複数の基板のそれぞれの裏面のみに前記加熱された蒸気を再噴霧するステップと、
   前記再噴霧の後に、前記容器内に不活性ガスを導入して前記基板の表面を乾燥させるステップと、
   を有することを特徴とする基板処理方法。
6. 前記加熱された蒸気を噴霧するステップは、前記基板を前記容器に収容した状態で行われることを特徴とする請求項５に記載の基板処理方法。
7. 前記基板を前記液に浸すステップの後に、前記複数の基板のそれぞれの裏面に前記加熱された蒸気を再噴霧して、前記基板に対するリンス処理を行うステップを更に有することを特徴とする請求項５に記載の基板処理方法。
8. 前記加熱された蒸気を噴霧するステップは、前記半導体基板の裏面上において蒸気噴霧ノズルを揺動しながら行うことを特徴とする請求項５に記載の基板処理方法。

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