[go: up one dir, main page]

JP4786351B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

処理装置及び処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4786351B2
JP4786351B2 JP2006012758A JP2006012758A JP4786351B2 JP 4786351 B2 JP4786351 B2 JP 4786351B2 JP 2006012758 A JP2006012758 A JP 2006012758A JP 2006012758 A JP2006012758 A JP 2006012758A JP 4786351 B2 JP4786351 B2 JP 4786351B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tank
filtering means
valve
steam
filtering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006012758A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007194489A (ja
Inventor
尊彦 和歌月
直哉 速水
博 藤田
晶子 齋藤
俊秀 林
幸伸 西部
勉 牧野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2006012758A priority Critical patent/JP4786351B2/ja
Priority to US11/625,081 priority patent/US8141567B2/en
Priority to KR1020070006076A priority patent/KR100891631B1/ko
Priority to TW096102245A priority patent/TWI356444B/zh
Publication of JP2007194489A publication Critical patent/JP2007194489A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4786351B2 publication Critical patent/JP4786351B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A42HEADWEAR
    • A42BHATS; HEAD COVERINGS
    • A42B1/00Hats; Caps; Hoods
    • A42B1/24Hats; Caps; Hoods with means for attaching articles thereto, e.g. memorandum tablets or mirrors
    • A42B1/241Pockets therefor; Head coverings with pockets
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A41WEARING APPAREL
    • A41DOUTERWEAR; PROTECTIVE GARMENTS; ACCESSORIES
    • A41D13/00Professional, industrial or sporting protective garments, e.g. surgeons' gowns or garments protecting against blows or punches
    • A41D13/05Professional, industrial or sporting protective garments, e.g. surgeons' gowns or garments protecting against blows or punches protecting only a particular body part
    • A41D13/11Protective face masks, e.g. for surgical use, or for use in foul atmospheres
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A42HEADWEAR
    • A42BHATS; HEAD COVERINGS
    • A42B1/00Hats; Caps; Hoods
    • A42B1/018Hats; Caps; Hoods with means for protecting the eyes, ears or nape, e.g. sun or rain shields; with air-inflated pads or removable linings
    • A42B1/0181Hats; Caps; Hoods with means for protecting the eyes, ears or nape, e.g. sun or rain shields; with air-inflated pads or removable linings with means for protecting the eyes
    • A42B1/0182Peaks or visors
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A42HEADWEAR
    • A42BHATS; HEAD COVERINGS
    • A42B1/00Hats; Caps; Hoods
    • A42B1/018Hats; Caps; Hoods with means for protecting the eyes, ears or nape, e.g. sun or rain shields; with air-inflated pads or removable linings
    • A42B1/0186Hats; Caps; Hoods with means for protecting the eyes, ears or nape, e.g. sun or rain shields; with air-inflated pads or removable linings with means for protecting the ears or nape
    • A42B1/0188Protection for the ears, e.g. removable ear muffs
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A42HEADWEAR
    • A42BHATS; HEAD COVERINGS
    • A42B1/00Hats; Caps; Hoods
    • A42B1/206Transformable, convertible or reversible hats
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/427Stripping or agents therefor using plasma means only
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2230/00Other cleaning aspects applicable to all B08B range
    • B08B2230/01Cleaning with steam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physical Education & Sports Medicine (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、処理装置及び処理方法に関し、特にリソグラフィ工程に用いたフォトレジストの除去に適した処理装置及び処理方法に関する。
例えば、半導体や液晶パネルの製造プロセスにおけるリソグラフィ工程において、パターニングマスクには一般に有機レジスト膜が使用されている。このレジスト膜は、パターニングが終了した後、除去する必要がある。レジスト膜の除去方法としては、有機溶剤などでレジスト膜を加熱溶解させる方法などがあるが、有機溶剤を用いた場合には、排液を処理するための設備にコストがかかり、特に、最近では、半導体ウェーハや液晶パネルなどの大型化が進み、それに伴ってレジスト剥離工程における排液の発生量は増大し、これに関わる処理コストおよび環境負荷の増大が問題になっている。
そこで、例えば、特許文献1には、70℃〜200℃の水蒸気を基板に噴射してレジスト膜を剥離除去することが開示されている。
ここで、有機物であるレジストにおいて特に低分子成分は、高温状態では水に溶解したままであり、よって、排液から水を回収し再利用するために、排液をフィルタに通しても、レジストはフィルタでトラップされずに水と共にフィルタを通過してしまい、このレジストにより汚染された水を再びレジスト剥離用の蒸気として用いることになってしまう。
特開2001−250773号公報
本発明は、蒸気を用いた被処理体の処理後の排液中から、水に溶解した有機物も確実に除去することのできる処理装置及び処理方法を提供する。
本発明の一態様によれば、水を貯留する第1のタンクと、前記第1のタンク内の水を蒸気にする蒸気発生手段と、前記蒸気発生手段から供給される蒸気を用いて、被処理体から除去対象物を除去する処理が行われる処理室と、前記処理室から排出された排液を冷却する冷却手段と、前記冷却手段と前記第1のタンクとの間に設けられ、前記冷却手段で冷却された前記排液を濾過する濾過手段と、前記濾過手段の入口側と前記冷却手段側とを接続する配管に設けられた第1のバルブと、前記濾過手段の出口側と前記第1のタンク側とを接続する配管に設けられた第2のバルブと、前記濾過手段で捕捉された固形物を除去する洗浄液を貯留する第2のタンクと、前記濾過手段の入口側と前記第2のタンクとを接続する配管に設けられた第3のバルブと、前記濾過手段の出口側と前記第2のタンクとを接続する配管に設けられた第4のバルブと、を有する清浄化機構と、を備えたことを特徴とする処理装置が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、第1のタンク内の水を蒸気にして、前記蒸気を処理室内に供給し、前記蒸気を用いて、被処理体から除去対象物を除去し、前記除去された除去対象物を含む排液を冷却手段で冷却して、前記除去対象物を固形物として析出させ、前記固形物を含む排液を濾過手段で濾過して前記第1のタンクに戻し、前記冷却手段と前記濾過手段との間、および前記濾過手段と前記第1のタンクとの間を遮断した状態で、前記濾過手段に洗浄液を供給して前記濾過手段で捕捉された固形物を前記濾過手段から除去することを特徴とする処理方法が提供される。
本発明によれば、蒸気を用いた被処理体の処理後の排液中から、水に溶解した有機物も確実に除去でき、また、排液中の水を再び蒸気として被処理体の処理に利用することができ、経済的であり、環境にも低負荷である。
以下に、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る処理装置の構成を例示する模式図である。
本実施形態に係る処理装置は、主として、水を貯留するためのタンク39と、タンク39内の水を蒸気にする蒸気発生装置26と、蒸気発生装置26で生成された蒸気を加熱する蒸気再加熱装置27と、蒸気再加熱装置27から供給される蒸気を用いて、被処理体から除去対象物を除去する処理が行われる処理室1と、処理室1から排出された排液を冷却する冷却装置35と、冷却装置35とタンク39との間の配管途中に設けられ、冷却装置35で冷却された排液を濾過するフィルタ38a、38bと、を備える。
処理室1にて処理される被処理体は、例えば液晶パネル用のガラス基板であるが、これに限らず、その他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウェーハ、リードフレーム、プリント配線板などであってもよい。
タンク39内には、超純水や脱イオン水などの水が貯留される。蒸気発生装置26は、超純水または脱イオン水の蒸気を生成し、蒸気再加熱装置27は、蒸気発生装置26で生成された蒸気を所定の温度まで加熱する。この加熱された蒸気は、処理室1内に供給される。
図2は、処理室1内部の構成を例示する模式図である。
処理室1内には、被処理体10を支持した状態で回転可能な複数本の搬送ローラ6が、被処理体10の移動方向Aに沿って設けられている。被処理体10は、搬送ローラ10上を移動方向Aに向けて移動される。これら搬送ローラ6により、例えば、1.1メートル幅までの被処理体10を搬送することができる。搬送速度は、例えば、1〜10メートル/分の間で変えることができる。
搬送ローラ6上の被処理体10の移動路の上方には、ノズル5が配設されている。ノズル5は、その吐出口を被処理体10の移動路に対向させている。蒸気発生装置26で生成され、蒸気再加熱装置27で加熱された蒸気は、ノズル5の吐出口から、被処理体10に向けて吐出される。
蒸気生成のためにタンク39から蒸気発生装置26に導入される超純水または脱イオン水の流量は、例えば4〜10リットル/分で、ノズル5から吐出される蒸気温度は、例えば100〜140℃まで制御することが可能である。
このとき、水蒸気が大気圧中に吐出された際に起こる断熱膨張による温度低下を考慮して、水蒸気温度が処理基板表面で100〜140℃となるように、蒸気発生装置26及び蒸気再加熱装置27によって、180〜300℃まで水蒸気を加熱する。
処理室1の底部には排水口14が形成され、この排水口14には、図示しない排水配管が接続され、この排水配管は、処理室1の外に設置された冷却装置35に接続されている。冷却装置35には、チラー36から冷却水などの冷却用流体が供給され、この冷却用流体は冷却装置35とチラー36との間を循環する。冷却装置35は、排水口14を介して処理室1から排出された排液を冷却する。
冷却装置35は、遠心分離装置37に接続されている。遠心分離装置37は、冷却装置35で冷却された排液中に含まれる質量の異なる成分を遠心力を利用して分離する。
遠心分離装置37の出口側の配管は、2つの配管45a、45bに分かれ、それぞれの配管45a、45bにはフィルタ38a、38bが接続されている。フィルタ38a、38bは、例えば中空糸膜フィルタであり、遠心分離装置37にて比較的重い固形物が除去された排液を濾過する。
フィルタ38aの入口側と、遠心分離装置37の出口側との間にはバルブ44aが設けられている。フィルタ38aの出口側は、バルブ55aを介してタンク39に接続されている。
同様に、フィルタ38bの入口側と、遠心分離装置37の出口側との間にはバルブ44bが設けられている。フィルタ38bの出口側は、バルブ55bを介してタンク39に接続されている。
すなわち、遠心分離装置37と、タンク39との間の配管途中に2つのフィルタ38a、38bが並列に接続されている。
また、フィルタ38aの入口側は、配管46及びバルブ48を介して、タンク43に接続している。同様に、フィルタ38bの入口側は、配管47及びバルブ49を介して、タンク43に接続している。タンク43は、被処理体の処理に使う水を貯留する上述のタンク39とは別のタンクであり、このタンク43には、フィルタ38a、38bで捕捉された固形物を除去するための処理液が貯留される。
また、フィルタ38aの出口側は、配管51及びバルブ53を介して、液圧ポンプ42の吐出ポートに接続している。同様に、フィルタ38bの出口側は、配管52及びバルブ54を介して、液圧ポンプ42の吐出ポートに接続している。液圧ポンプ42の吸込ポートは、タンク43に接続されている。
液圧ポンプ42、タンク43、配管46、47、51、52、バルブ48、49、53、54などから、フィルタ38a、38bで捕捉された固形物をフィルタ38a、38bから洗い流したり、溶解させるためのフィルタ清浄機構が構成される。
各バルブは電磁弁であり、図示しない制御装置からの信号により開閉される。各バルブの開閉を制御することにより、フィルタ38a、38bを、遠心分離装置37及びタンク39に連通させ、かつ液圧ポンプ42やタンク43などのフィルタ清浄機構と遮断する状態と、フィルタ38a、38bを、フィルタ清浄機構に連通させ、かつ遠心分離装置37及びタンク39と遮断する状態とを、各フィルタ38a、38bごとに切り替え可能である。
次に、本発明の実施形態に係る処理装置を用いた被処理体の処理について説明する。
処理室1内に搬送された被処理体10は、図2に表される搬送ローラ6の回転により、処理室1内を移動方向Aに向かって移動される。このとき、蒸気発生装置26で生成され、蒸気再加熱装置27で加熱された水蒸気が、ノズル5から被処理体10に向かって吐出され、この水蒸気の温度と衝撃力によって、被処理体10に形成されたフォトレジストなどの除去対象物が膨潤して剥離する。剥離したレジストは、水と共に被処理体10上から処理室1底部に流されて、排水口14から処理室1の外に排出される。この排液は、冷却装置35に送られる。
ここでは、ノズル5から吐出された水蒸気に、フォトレジストの溶解を促進するような薬品を添加して吐出することも可能である。このような場合には、水蒸気、及び処理後に水蒸気が凝縮して生成される水が、フォトレジスト成分が溶解したままの状態で、被処理体の処理済部分上に残留する。このような水蒸気、及び水は、自然に冷却されて、温度が低下すると基板等の被処理体上で再凝固することがある。
これに対して、前述の処理装置(図2に図示)において、所定の位置、例えば、ノズル5のすぐ下流側の位置に別のノズルを設置して、その別ノズルから噴射された温水を基板等の被処理体上に供給する。このようにすると、前述のように水に溶解して残存するフォトレジスト成分が再凝固する前に、基板等の被処理体上から、フォトレジスト成分が溶解している水を洗い流すことができる。
冷却装置35に送られた排液は、チラー36から供給される冷却水により冷却される。この冷却により、被処理体10から除去され排液中に含まれるレジストが、固形物として析出する。
冷却装置35にて冷却され、固形物として析出されたレジストを含む排液は、遠心分離装置37に送られる。ここで、上記固形物は、比較的重いものと軽いものとに分離され、比較的重いものは、ここで回収され、後段のフィルタ38a、38bには送られない。なお、遠心分離装置の代わりに、重力沈降を利用した分離装置によって、排液中成分を比較的重いものと軽いものとに分離してもよい。
遠心分離装置37にて比較的重い成分が取り除かれた排液は、フィルタ38a、38bに送られる。フィルタ38a、38bは、両方用いてもよいし、どちらか一方のみを用いてもよい。フィルタ38a、38bを両方用いる場合には、バルブ44a、44b、55a、55bを開にする。フィルタ38aのみを用いる場合には、バルブ44a、55aを開にし、バルブ44b、55bを閉にする。フィルタ38bのみを用いる場合には、バルブ44b、55bを開にし、バルブ44a、55aを閉にする。なお、いずれにしても、フィルタ38a、38bに排液を通過させる場合には、バルブ48、49、53、54は閉にしておく。
排液がフィルタ38a、38bを通過する際には、前段の遠心分離装置37にて回収されなかった比較的軽い固形物がトラップ(捕捉)され、タンク39には、被処理体10から除去されたレジスト等を含まない水のみを戻すことができる。
タンク39に戻された水は、再び蒸気にされてノズル5から吐出され、被処理体10からのレジスト除去に再利用される。タンク39に戻されるまでの間に、上述のように固形物は完全に排液中から除去されるので、タンク39から蒸気発生装置26、蒸気再加熱装置27、およびノズル5に至る配管中には、固形物による汚染がなくなり、蒸気生成、および蒸気による被処理体10の処理効率を上げることができる。
上述の遠心分離装置37及びフィルタ38a、38bを用いずに、冷却装置35だけを用いて、例えば、被処理体として、ノボラック樹脂からなるフォトレジストを塗布したガラス基板を100枚処理し、タンク39に戻ってきた排液を確認したところ、3.28グラムのフォトレジストの固形物が残留していた。
冷却装置35に加えて遠心分離装置37を用いて同様の処理を行ったところ、タンク39に戻ってきた排液中の固形物残留量は、0.11グラムであった。このことから、遠心分離装置37によって、重量にして96パーセント以上の残留固形物を除去することが可能であることがわかった。
また、冷却装置35及び遠心分離装置37に加えて、フィルタ(38a、38bのうちいずれか一方)を用いて同様の処理を行った場合には、タンク39に戻ってきた排液中の固形物は計量できないほど少なく、ほとんど確認することはできなかった。
次に、図3は、例えばノボラック樹脂からなるフォトレジストを塗布したガラス基板を高温蒸気により処理し、この排液を冷却せずに高温(75℃)のままフィルタを通過させた場合における、その排液通過後のフィルタの写真画像を表す。
この画像からは、フィルタにトラップされた固形物(レジスト)の存在がはっきりと確認できる。
次に、図4は、図3のフィルタ通過後の75℃の排液を液温30℃にまで冷却して、再び同様の(目サイズが同じ)フィルタに通した場合における、その排液通過後のフィルタの写真画像を表す。
このときにも、先ほどより量は少ないが、固形物(レジスト)がフィルタにトラップされた。すなわち、高温(75℃)排液中に溶解していたレジスト成分が30℃への冷却によって固形物として析出したためと考えられる。
次に、図5は、図4のフィルタ通過後の30℃の排液を液温25℃にまでさらに冷却して、再び同様の(目サイズが同じ)フィルタに通した場合における、その排液通過後のフィルタの写真画像を表す。
このときには、フィルタにトラップされた固形物(レジスト)は検出できなかった。以上の結果より、高温蒸気処理後の排液を冷却すると、確実にレジスト成分を固形物として析出させることができ、よって、後段のフィルタにてその固形物を確実にトラップでき、レジスト成分が溶解したままの状態で水がタンク39内に戻されてしまうのを防ぐことができる。
フィルタ38a、38bにトラップされた固形物は、フィルタ清浄機構によって除去することができる。
例えば、フィルタ38aを清浄化する場合には、バルブ44a、55aを閉にし、バルブ48、53を開にした状態で、液圧ポンプ42を作動させて、フィルタ洗浄用タンク43内の洗浄液(例えば水)を、上述の排液処理時とは逆方向、すなわちフィルタ38aの出口側から入口側に向けてフィルタ38aに洗浄液を流すことで、フィルタ38aでトラップされた固形物をフィルタ38aから除去することができる。フィルタ38aから除去された固形物は、タンク43内に回収される。
このとき、他方のフィルタ38bについては、バルブ49、54を閉にし、バルブ44b、55bを開にしておくことで、通常の排液処理を行うことができ、フィルタ洗浄のために通常の排液処理を停止させる必要はない。
その他方のフィルタ38bを清浄化する場合には、バルブ44b、55bを閉にし、バルブ49、54を開にした状態で、液圧ポンプ42を作動させて、フィルタ洗浄用タンク43内の洗浄液を、フィルタ38bの出口側から入口側に向けてフィルタ38bに洗浄液を流す。このとき、フィルタ38aについては、バルブ48、53を閉にし、バルブ44a、55aを開にしておくことで、通常の排液処理を行うことができる。
例えば、ノボラック樹脂からなるフォトレジストを塗布したガラス基板を2000枚程処理したところ、フィルタでの固形物(レジスト)の目詰まりを原因とする圧損が増大したが、液圧ポンプ42によってフィルタに洗浄液を逆流させて洗浄を行ったところ、圧損は、上記ガラス基板2000枚の処理開始前の状態に戻った。
なお、洗浄液としては、水に限らず、フォトレジスト等を溶解させることができる溶剤を含む洗浄液を用いてもよい。この場合、その洗浄液は、必ずしも逆方向からフィルタに流す必要はない。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
蒸気による除去対象物はフォトレジストに限らず、また、被処理体、具体的な処理条件等も上述に挙げたものに限定されるものではない。
フィルタは、3段以上の並列接続としてもよく、あるいは1つだけでもよい。さらに、目のサイズの異なるフィルタを直列多段接続にしてもよい。フィルタを直列多段接続にすることで、より確実に、レジスト等の固形物をトラップ(捕捉)することが可能となる。
本発明の実施形態に係る処理装置の構成を例示する模式図である。 図1に表される処理室内部の構成を例示する模式図である。 被処理体を高温蒸気により処理し、この排液を冷却せずに高温(75℃)のままフィルタを通過させた場合における、その排液通過後のフィルタの写真画像である。 図3のフィルタ通過後の75℃の排液を液温30℃にまで冷却して、再び同様のフィルタに通した場合における、その排液通過後のフィルタの写真画像である。 図4のフィルタ通過後の30℃の排液を液温25℃にまでさらに冷却して、再び同様のフィルタに通した場合における、その排液通過後のフィルタの写真画像である。
符号の説明
1…処理室、5…ノズル、6…搬送ローラ、10…被処理体、26…蒸気発生装置、27…蒸気再加熱装置、35…冷却装置、37…遠心分離装置、38a,38b…フィルタ、39…タンク、42…ポンプ、43…タンク

Claims (6)

  1. 水を貯留する第1のタンクと、
    前記第1のタンク内の水を蒸気にする蒸気発生手段と、
    前記蒸気発生手段から供給される蒸気を用いて、被処理体から除去対象物を除去する処理が行われる処理室と、
    前記処理室から排出された排液を冷却する冷却手段と、
    前記冷却手段と前記第1のタンクとの間に設けられ、前記冷却手段で冷却された前記排液を濾過する濾過手段と、
    前記濾過手段の入口側と前記冷却手段側とを接続する配管に設けられた第1のバルブと、
    前記濾過手段の出口側と前記第1のタンク側とを接続する配管に設けられた第2のバルブと、
    前記濾過手段で捕捉された固形物を除去する洗浄液を貯留する第2のタンクと、前記濾過手段の入口側と前記第2のタンクとを接続する配管に設けられた第3のバルブと、前記濾過手段の出口側と前記第2のタンクとを接続する配管に設けられた第4のバルブと、を有する清浄化機構と、
    を備えたことを特徴とする処理装置。
  2. 前記冷却手段と、前記濾過手段の入口側との間に設けられ、前記冷却手段で冷却された前記排液中に含まれる質量の異なる成分を質量差を利用して分離する分離手段を備えたことを特徴とする請求項1記載の処理装置。
  3. 前記第1のバルブ及び前記第2のバルブが閉じられ、前記第3のバルブ及び前記第4のバルブが開いた状態で、前記洗浄液は前記濾過手段の出口側から入口側に向けて供給され、前記濾過手段で捕捉された固形物を前記濾過手段から洗い流すことを特徴とする請求項1または2に記載の処理装置。
  4. 前記第1のバルブ及び前記第2のバルブが閉じられ、前記第3のバルブ及び前記第4のバルブが開いた状態で、前記洗浄液は前記濾過手段に供給され、前記濾過手段で捕捉された固形物を溶解させることを特徴とする請求項1または2に記載の処理装置。
  5. 前記冷却手段と前記第1のタンクとの間に、複数の前記濾過手段が並列に接続されると共に、前記各濾過手段が前記清浄化機構に接続され、
    前記各濾過手段を前記冷却手段及び前記第1のタンクと連通させる状態と、前記各濾過手段を前記清浄化機構と連通させる状態とを、前記各濾過手段ごとに切り替え可能であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の処理装置。
  6. 第1のタンク内の水を蒸気にして、前記蒸気を処理室内に供給し、
    前記蒸気を用いて、被処理体から除去対象物を除去し、
    前記除去された除去対象物を含む排液を冷却手段で冷却して、前記除去対象物を固形物として析出させ、
    前記固形物を含む排液を濾過手段で濾過して前記第1のタンクに戻し、
    前記冷却手段と前記濾過手段との間、および前記濾過手段と前記第1のタンクとの間を遮断した状態で、前記濾過手段に洗浄液を供給して前記濾過手段で捕捉された固形物を前記濾過手段から除去することを特徴とする処理方法。
JP2006012758A 2006-01-20 2006-01-20 処理装置及び処理方法 Expired - Fee Related JP4786351B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006012758A JP4786351B2 (ja) 2006-01-20 2006-01-20 処理装置及び処理方法
US11/625,081 US8141567B2 (en) 2006-01-20 2007-01-19 Apparatus and method for photoresist removal processing
KR1020070006076A KR100891631B1 (ko) 2006-01-20 2007-01-19 포토레지스트 제거 처리 장치 및 방법
TW096102245A TWI356444B (en) 2006-01-20 2007-01-19 Apparatus and method for photoresist removal proce

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006012758A JP4786351B2 (ja) 2006-01-20 2006-01-20 処理装置及び処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007194489A JP2007194489A (ja) 2007-08-02
JP4786351B2 true JP4786351B2 (ja) 2011-10-05

Family

ID=38449926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006012758A Expired - Fee Related JP4786351B2 (ja) 2006-01-20 2006-01-20 処理装置及び処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8141567B2 (ja)
JP (1) JP4786351B2 (ja)
KR (1) KR100891631B1 (ja)
TW (1) TWI356444B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017218165A1 (en) * 2016-06-14 2017-12-21 Applied Materials, Inc. Liquid filtering in removing photoresist from a wafer

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101398980B1 (ko) * 2014-01-10 2014-05-27 정서화 스팀을 이용한 포토레지스트 제거 시스템
KR101847086B1 (ko) * 2014-11-18 2018-04-10 주식회사 엘지화학 포토레지스트 박리 장치 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법
CN104391433A (zh) * 2014-12-05 2015-03-04 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种喷淋系统及其使用方法
CN112892041A (zh) * 2021-01-25 2021-06-04 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 光刻用稀释剂废液的纯化再生方法

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1874972A (en) * 1929-11-04 1932-08-30 Texas Co Process and apparatus for continuous filtration
US3026043A (en) * 1959-05-07 1962-03-20 Concrete Building Units Compan Blowdown tank and heat conservor
US3046163A (en) * 1960-04-06 1962-07-24 Detrex Chem Ind Method and apparatus for interiorly cleaning tanks and the like
US3317052A (en) * 1964-07-13 1967-05-02 Eimco Corp Filter media web cleaning apparatus
US3449244A (en) * 1964-09-11 1969-06-10 Phillips Petroleum Co Recovery of steam condensate
US3413987A (en) * 1965-10-21 1968-12-03 American Sterilizer Co Washer sterilizer and control
US3871951A (en) * 1971-10-06 1975-03-18 Scm Corp Turpentine recovery by steam distilling woodchips while they are immersed
DE2925439A1 (de) * 1979-06-23 1981-01-22 Eschweiler Bergwerksverein Verfahren zum loeschen eines erhitzten schuettgutes
US4681510A (en) * 1986-01-02 1987-07-21 Trd Corporation Pump for saturated liquid
JPS63296803A (ja) * 1987-05-29 1988-12-02 Asahi Chem Ind Co Ltd 復水の浄化方法
US4996781A (en) * 1989-10-25 1991-03-05 Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. Vapor reflow type soldering apparatus with an improved flux separating unit
US5120370A (en) * 1991-04-01 1992-06-09 Shinichi Mori Cleaning process
DE4117306C1 (ja) * 1991-05-27 1992-06-04 Air Products Gmbh, 4320 Hattingen, De
JPH05109686A (ja) * 1991-10-14 1993-04-30 Nippon Steel Corp シリコンウエーハの洗浄方法およびその装置
JPH05331652A (ja) * 1992-05-28 1993-12-14 Ebara Corp 湿式成膜装置
JPH07234524A (ja) * 1993-12-28 1995-09-05 Hitachi Ltd 感放射線性樹脂組成物用現像液、現像液のリサイクル方法、現像装置及びパターン形成法
US5466344A (en) * 1994-04-11 1995-11-14 Houston Fearless 76, Inc. Method and apparatus for controlling water-based liquid waste
MY138664A (en) * 1995-10-04 2009-07-31 Komatsu Ntc Ltd Slurry managing system and slurry managing for wire saws
KR970053130A (ko) * 1995-12-27 1997-07-29 김광호 웨이퍼의 건조장치
JP3940742B2 (ja) * 1996-01-12 2007-07-04 忠弘 大見 洗浄方法
JP3690619B2 (ja) * 1996-01-12 2005-08-31 忠弘 大見 洗浄方法及び洗浄装置
JP3609186B2 (ja) * 1996-02-08 2005-01-12 株式会社ルネサステクノロジ ウェット処理装置およびウェット処理装置を用いた半導体装置の製造方法
US6048502A (en) * 1996-03-27 2000-04-11 Easter; Basil O. Water recirculating sterilization mechanism
DE19637086C2 (de) * 1996-09-12 1999-06-24 Duerr Ecoclean Gmbh Automatisch arbeitende Reinigungsanlage für Werkstücke
DE19653702C1 (de) * 1996-12-16 1998-08-20 Meyer & John Gmbh & Co Verfahren zum thermischen Reinigen von Rohren
US6146469A (en) * 1998-02-25 2000-11-14 Gamma Precision Technology Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers
US6178973B1 (en) * 1998-07-28 2001-01-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for ozone generation and surface treatment
JP3680577B2 (ja) * 1998-09-17 2005-08-10 セイコーエプソン株式会社 レジスト除去洗浄方法及び装置
US6460552B1 (en) * 1998-10-05 2002-10-08 Lorimer D'arcy H. Method and apparatus for cleaning flat workpieces
JP2001250773A (ja) * 1999-08-12 2001-09-14 Uct Kk レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法
WO2002027775A1 (fr) * 2000-09-28 2002-04-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Procede et appareil de traitement de plaquettes
JP2002110617A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Mitsubishi Electric Corp ポリマー除去装置およびこれを用いたポリマー除去方法
JP4014127B2 (ja) * 2000-10-04 2007-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP4503876B2 (ja) * 2001-04-13 2010-07-14 大日本印刷株式会社 フォトリソグラフィー法によるパターン形成方法、およびパターン形成装置
JP2002353184A (ja) * 2001-05-28 2002-12-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
US6782900B2 (en) * 2001-09-13 2004-08-31 Micell Technologies, Inc. Methods and apparatus for cleaning and/or treating a substrate using CO2
US6746600B2 (en) * 2001-10-31 2004-06-08 Arvin Technologies, Inc. Fluid filter with integrated cooler
KR20030062143A (ko) * 2002-01-16 2003-07-23 삼성전자주식회사 피처리물의 처리 방법 및 장치
GB0217928D0 (en) * 2002-08-02 2002-09-11 Remedios Ltd Decontamination of waste material
TWI233157B (en) * 2002-09-17 2005-05-21 M Fsi Ltd Regeneration process of etching solution, etching process, and etching system
US7767006B2 (en) * 2003-12-17 2010-08-03 Tokyo Electron Limited Ozone processing apparatus and ozone processing method
KR101235193B1 (ko) * 2005-06-13 2013-02-20 삼성전자주식회사 세탁기 및 그 제어방법
TWI334624B (en) * 2006-01-30 2010-12-11 Dainippon Screen Mfg Apparatus for and method for processing substrate

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017218165A1 (en) * 2016-06-14 2017-12-21 Applied Materials, Inc. Liquid filtering in removing photoresist from a wafer
CN109219864A (zh) * 2016-06-14 2019-01-15 应用材料公司 从晶片移除光刻胶的液体过滤
US10191379B2 (en) 2016-06-14 2019-01-29 Applied Materials, Inc. Removing photoresist from a wafer

Also Published As

Publication number Publication date
KR100891631B1 (ko) 2009-04-03
TWI356444B (en) 2012-01-11
KR20070077121A (ko) 2007-07-25
US8141567B2 (en) 2012-03-27
US20070277853A1 (en) 2007-12-06
JP2007194489A (ja) 2007-08-02
TW200801851A (en) 2008-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5173500B2 (ja) 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置
TWI616968B (zh) 基板液體處理裝置、基板液體處理裝置之清洗方法及記錄媒體
KR100853354B1 (ko) 초임계수산화법에 의한 오염된 물품의 세척 방법
KR102101105B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100891631B1 (ko) 포토레지스트 제거 처리 장치 및 방법
KR20100039803A (ko) 포토마스크 관련 기판의 세정 방법, 세정 방법, 및 세정액 공급 장치
WO2010087435A1 (ja) 基板処理装置
KR20010071297A (ko) 포토레지스트 현상액 및 제막액의 회수장치 및 회수방법
JP5572198B2 (ja) 基板処理装置及び薬液再生方法
JPS63179530A (ja) 超臨界ガス又は液化ガスによる基板の洗浄方法およびその装置
JP2000237703A (ja) 真空洗浄乾燥方法及び装置
TW201324662A (zh) 基板處理裝置和化學回收之方法
JPH1116825A (ja) レジスト現像装置及びレジスト現像方法
JP5779369B2 (ja) ゼオライト膜脱水設備における膜の洗浄・再生方法
JP4167720B2 (ja) 溶剤洗浄機
WO2012176670A1 (ja) 昇華物除去装置
JP4557742B2 (ja) 溶剤回収機能付き蒸留装置
JP2004298752A (ja) 洗浄装置および洗浄液の排出方法
KR100956722B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI686875B (zh) 從晶圓移除光阻劑的液體過濾
KR101437334B1 (ko) 포토레지스트 제거 시스템용 메탈 회수 장치
JP7364641B2 (ja) スピンエッチング装置用ポンプフィルターの再生システム及び再生方法
JP2005279461A (ja) 逆浸透膜部の目詰まり防止方法
MXPA00011337A (en) Apparatus and method for recovering photoresist developers and strippers
JP2002373880A5 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110407

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110601

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110617

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110713

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4786351

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees