JP4677991B2 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板に実装された表面実装部品を被覆部材で覆った電子部品及びその製造方法に関し、更に詳しくは、被覆部材構造を改良して小型化、低背化を促進することができる電子部品及びその製造方法に関する。

従来のこの種の技術としては特許文献１〜特許文献３において提案された技術がある。

特許文献１では、セラミック基板に金属製のシールドケースを装着するハイブリッドＩＣが提案されている。このハイブリッドＩＣは、配線パターンを有するセラミック基板と、セラミック基板の片面あるいは両面に表面実装されたマイクロコンピュータ、トランジスタ、ＩＣなどの電子部品とを有している。セラミック基板は、外周縁から垂直下方向に延びる複数の接続端子を有している。また、セラミック基板の上面には矩形状の板の両端を折り曲げて形成した金属製のシールドケースが装着され、このシールドケースによって外来ノイズを遮蔽するようにしている。このシールドケースは、ハイブリッドＩＣをマザーボードへのピックアップ時の吸着面としての役割も有している。

特許文献２では、箱型形状を有するセラミック製の被覆部材を有する半導体チップ用セラミックパッケージが提案されている。この半導体チップ用セラミックパッケージは、半導体チップを搭載するセラミック製のパッケージ基体と、パッケージ基体に被着されたセラミック製の被覆部材を備えて構成されている。この被覆部材の内表面に銅メッキ層を設け、封止面に銅メッキ層を介して封止用半田層を設け、封止面の銅メッキ層は内表面の銅メッキ層と電気的に接続されている。そして、パッケージ基体の封止面にグランド電極を設け、被覆部材の封止用半田層を介してパッケージ基体を封止した際、被覆部材の封止面の銅メッキ層がパッケージ基体のグランド電極と電気的に接続されてグランド電極層を形成し、被覆部材の内表面の銅メッキ層が電磁シールド層を形成する。

特許文献３では、半導体装置の封止用被覆部材とその製造方法が提案されている。この封止用被覆部材は、複数のセラミック層からなる多層構造として形成され、内層にシールド層がペーストのベタ印刷によって形成されている。セラミック被覆部材の表面及び裏面のうち、裏面とこれに対向する基板本体とが接合ペーストによって接合され、これによって基板本体のキャビティを封止している。セラミック被覆部材の表裏両面にはそれぞれチップ部品を搭載できる。

特開平６−３５０２８０号公報 特開平８−２５０６１５号公報 特開平１１−３５４６６３号公報

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、ハイブリッドＩＣ等の電子部品の低背化の促進に伴ってシールドケースを薄くすると、シールドケースが金属製であるため、その折り曲げ等の加工を高精度に行うことが難しくなる他、ピックアップ時に作用する外力によってシールドケースの変形が顕著になるという課題があった。特にシールドケースの変形が顕著になると、一般的に図１７の（ａ）に示すように、電子部品１の特性選別を行う際に冶具Ｊを用いて電子部品１にシールドケース２上面から荷重をかけ、同図の（ｂ）に示すように電子部品１の基板本体３の裏面に形成された端子電極４を測定機器の測定用端子Ｐに電気的に接触させるが、この時の荷重によりシールドケース２の上面が撓み、これによってシールドケース２とチップ部品等の要素部品５が接触し、ショートする虞がある。また、シールドケース２と要素部品５との距離が変化することによって要素部品５の特性値が変化し、延いては電子部品１の特性値を正確に測定することが難しく、場合によっては、良品を不良品として除去したり、不良品を良品として市場に出荷したりすることがある。このような事態を避けるためにシールドケース２の内側に絶縁層として薄い樹脂膜を形成することも考えられるが、樹脂膜を形成するため製造コストが増大し、あるいは樹脂膜が剥離するなどして電子部品の信頼性を低下させる虞がある。

また、特許文献２に記載の技術では、セラミック製の被覆部材が箱型形状に形成されているため、電子部品の低背化のために被覆部材のセラミック厚を薄くすると、例えば図１８の（ａ）、（ｂ）に示すように焼成時の箱型形状被覆部材２の天井部２Ａと外周壁部２Ｂとの面方向の収縮挙動差により、天井部２Ａにうねりが生じる。このうねりのために、被覆部材２としての天井部２Ａの実質的な厚みが減少せず、延いては電子部品の低背化を促進することができず、また電子部品をマザーボードへ搭載する際に、被覆部材２の天井部２Ａが平坦でないためにピックアップ時に被覆部材２を介して電子部品を吸着することが難しく、搭載不良が発生し易い。尚、図１８の（ａ）は複数の被覆部材を一括して製造する時の部分断面図、同図の（ｂ）は個々の被覆部材に切断した時の断面図である。

また、特許文献３に記載の技術では、電子部品のキャビティ部分を平板状被覆部材により封止するためのものであり、キャビティを有さない電子部品に対しては適用することができない。即ち、この場合には被覆部材を使用するためには配線基板側にキャビティを形成しなければならず、製造工程が複雑化し、コスト高を招くこととなる。更に、被覆部材にチップ部品を実装する場合には、被覆部材へのチップ部品の実装時及び被覆部材の配線基板への実装時の２回に渡って半田付け、リフローを行う必要がある。ところが、被覆部材を配線基板に実装する時には、被覆部材に実装されたチップ部品が半田の再溶融によって落下したり、断線し、場合によっては半田の再結晶化による合金化や脆性化が進み、半田接続部の信頼性が著しく低下する。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、薄く高精度に作製することができると共に配線基板に対する搭載精度が高く、しかも低背化を促進することができる被覆部材を備えた電子部品及びその製造方法を提供することを目的としている。

本発明の請求項１に記載の電子部品は、配線パターンを有する配線基板と、この配線基板の主面に搭載された表面実装部品と、この表面実装部品を覆う被覆部材と、を備え、上記被覆部材は、平板状のセラミック部材によって形成された天井部と、少なくとも上記表面実装部品と同程度の高さを有する柱状部材によって形成された脚部と、を有し、且つ、上記天井部は、シールド電極層を含み、上記柱状部材は、上記シールド層に接続される柱状金属であって、この柱状金属は上記平板状のセラミック部材及びシールド電極層と同時焼成によって一体化していることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項２に記載の電子部品は、請求項１に記載の発明において、上記天井部は、複数のセラミック層を積層してなる多層構造を有し、且つ、その内層部分及び／または外表面部分にはシールド電極層が配置されてなり、上記シールド電極層は、上記セラミック層に設けられたビア導体を介して上記柱状金属に接続されていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項３に記載の電子部品は、請求項２に記載の発明において、上記シールド電極層のうち少なくとも一つの上記表面実装部品に対向する部分には、開口部が形成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項４に記載の電子部品は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記天井部は、複数のセラミック層を積層してなる多層構造を有し、且つ、その内層部分及び／または表面部分には厚膜抵抗体が配置されてなり、上記厚膜抵抗体は、上記セラミック層に設けられたビア導体を介して上記柱状金属に接続されていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項５に記載の電子部品は、請求項４に記載の発明において、上記天井部には、その内層部分及び／または外側表面部分にシールド電極層が配置されており、上記シールド電極層のうち上記厚膜抵抗体に対向する部分には、開口部が形成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項６に記載の電子部品は、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の発明において、上記天井部には、セラミック焼結体を素体とし且つ端子電極を有するチップ状セラミック電子部品が設けられており、このチップ状セラミック電子部品の少なくとも一部が上記天井部に埋め込まれていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項７に記載の電子部品は、請求項１〜請求項６のいずれかに記載の発明において、上記配線基板は、複数の第１の低温焼結セラミック層を積層してなるセラミック多層基板として形成され、その内層に銀または銅を主成分とする配線パターンを有することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項８に記載の電子部品は、請求項７に記載の発明において、上記天井部は、複数の第２の低温焼結セラミック層を積層してなる積層構造を有し、この第２の低温焼結セラミック層と上記第１の低温焼結セラミック層は、実質的に同じ材料組成からなることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項９に記載の電子部品の製造方法は、配線パターンを有する配線基板を作製する工程と、平板状の天井部と、この天井部と一体化され且つこの天井部から垂直方向に延びる柱状部材からなる脚部と、を有する被覆部材を作製する工程と、上記被覆部材を、配線基板の主面上に積み重ねて、上記脚部を介して上記配線基板に接続する工程と、を備えており、上記天井部は、複数のセラミック層を積層してなる多層構造を有し、その内層部分及び／または表面部分にシールド電極層が配置されてなり、上記柱状部材は、上記シールド電極層との同時焼結により一体化された柱状金属であることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項１０に記載の電子部品の製造方法は、請求項９に記載の発明において、上記被覆部材を作製する工程は、低温焼結セラミックを主成分とし且つ内層部分及び／または表面部分に未焼成シールド電極層を有する天井部用セラミック未焼成体を作製する工程と、上記低温焼結セラミックの焼成温度では実質的に焼結しない難焼結セラミックを主成分とし且つ上記柱状部材となる未焼成柱状部材を有する収縮抑制用セラミック未焼成体を作製する工程と、上記天井部用セラミック未焼成体の一方の主面に上記収縮抑制用セラミック未焼成体を重ね合わせる工程と、これら両セラミック未焼成体を上記低温焼結セラミックの焼成温度で焼成し、上記天井部用セラミック未焼成体を焼結させると共に上記未焼成シールド電極層と上記未焼成柱状部材とを同時焼結により一体化させる工程と、上記収縮抑制用セラミック未焼成体を除去する工程と、を有することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項１１に記載の電子部品の製造方法は、請求項１０に記載の発明において、上記天井部用セラミック未焼成体は、その内層部分及び／または表面部分に未焼成厚膜抵抗体を有することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項１２に記載の電子部品の製造方法は、請求項１０または請求項１１に記載の発明において、上記未焼成シールド電極層のうち少なくとも一つの上記表面実装部品に対向する部分には、開口部を有することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項１３に記載の電子部品の製造方法は、請求項１０〜請求項１２のいずれか１項に記載の発明において、上記天井部用セラミック未焼成体は、上記主面に、セラミック焼結体を素体とし且つ端子電極を有するチップ状セラミック電子部品を有することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項１４に記載の電子部品の製造方法は、請求項９〜請求項１３のいずれか１項に記載の発明において、上記柱状部材を、断面テーパ状に形成することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項１５に記載の電子部品の製造方法は、請求項９〜請求項１４のいずれかに記載の発明において、上記被覆部材の柱状部材を、接合材を介して上記配線基板の表面に設けられた上記配線パターンに接続することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項１６に記載の電子部品の製造方法は、請求項９〜請求項１５のいずれか１項に記載の発明において、上記配線基板と上記被覆部材とを集合基板状態で接続し、これを個々の電子部品に分割する工程を有することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項１７に記載の電子部品の製造方法は、請求項１６に記載の発明において、上記集合基板状態のものを分割するに際し、上記柱状部材をも分割し、この柱状部材の分割面を側面電極とする電子部品を得ることを特徴とするものである。

本発明によれば、配線パターンを有する配線基板と、この配線基板の主面に搭載された表面実装部品と、この表面実装部品を覆う被覆部材と、を備え電子部品において、電子部品を薄く高精度に作製することができると共に配線基板に対する搭載精度が高く、しかも低背化を促進することができ、更に、被覆部材の配線基板への搭載時に被覆部材に接続用のバンプを別途形成する必要がなく、表面実装部品と同様に被覆部材をマウンタにより配線基板へ搭載することができ、電子部品の製造工程を簡素化することができる被覆部材を備えた電子部品及びその製造方法を提供することができる。

（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の電子部品の一実施形態を示す図で、（ａ）は電子部品の全体を示す断面図、（ｂ）は電子部品の被覆部材を示す斜視図である。 （ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図１に示す電子部品の配線基板の製造工程の要部を示す工程図である。 （ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図１に示す電子部品の被覆部材の製造工程の要部を示す工程図である。 （ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図１に示す電子部品のを組立工程を示す工程図である。 図１の（ｂ）に示す被覆部材の集合基板を示す斜視図である。 図５に示す集合基板を用いて組み立てられた電子部品の集合体を示す断面図である。 本発明の電子部品の他の実施形態に用いられる被覆部材の集合基板を斜視図である。 図７に示す集合基板を用いて組み立てられた電子部品の集合体を示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）はそれぞれ電子部品の被覆部材と表面実装部品との関係を示す断面図で、（ａ）は図１に示す電子部品に用いられる被覆部材と表面実装部品との関係を示す図、（ｂ）は従来の電子部品に用いられる金属製被覆部材と表面実装部品との関係を示す図である。 本発明の電子部品の更に他の実施形態を示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）は図１に示す電子部品の被覆部材の脚部と本発明の更に他の実施形態の電子部品の被覆部材の脚部を比較して示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）は本発明の電子部品の更に他の実施形態の被覆部材の製造工程の要部を示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の電子部品の更に他の実施形態を示す断面図で、電子部品の組立工程を示す図である。 （ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明の電子部品の更に他の実施形態の要部を示す断面図である。 （ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の電子部品の更に他の実施形態の要部を示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１５の（ａ）に示す被覆部材を適用した電子部品を示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来の電子部品を示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来の他の電子部品の被覆部材の製造工程の要部を示す断面図である。

符号の説明

１０ 電子部品
１１ 配線基板
１２ 表面実装部品
１３ 被覆部材
１３Ａ 天井部
１３Ｂ 脚部（柱状部材、柱状金属）
１３Ｃ シールド電極層
１３Ｄ ビア導体
１３Ｅ 開口部
１３Ｆ 厚膜抵抗体
１３Ｈ チップ状セラミック電子部品
１４ 配線パターン
１００、１００Ａ 収縮抑制用シート（収縮抑制用セラミック未焼成体）
１１３Ａ 天井部用セラミックグリーンシート（天井部用セラミック未焼成体）
１１３Ｃ 未焼成シールド電極層
１１２Ｃ 未焼成ビア導体
Ｐ 接合材

以下、図１〜図１６に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。

第１の実施形態
本実施形態の電子部品１０は、例えば図１（ａ）に示すように、所定の配線パターンを有する配線基板１１と、この配線基板の主面（上面）に実装された複数の表面実装部品１２と、これらの表面実装部品１２を覆う被覆部材１３と、を備え、例えばマザーボード（図示せず）等の実装基板に実装するように構成されている。

配線基板１１は、図１（ａ）に示すように、例えば複数のセラミック層１１Ａが積層してなるセラミック多層基板として形成されている。配線パターン１４は、上下のセラミック層１１Ａ、１１Ａの界面に所定のパターンで形成された面内導体１４Ａと、上下の面内導体１４Ａ、１４Ａを電気的に接続するようにセラミック層１１Ａを貫通して所定のパターンで配置して形成されたビア導体１４Ｂと、配線基板１１の上下両面にそれぞれ所定のパターンで形成された表面電極（端子電極）１４Ｃ、１４Ｃとから構成されている。

表面実装部品１２としては、例えば図１の（ａ）に示すようにシリコン半導体素子、ガリウム砒素半導体素子等のチップ状の能動電子部品１２Ａやコンデンサ、インダクタ、抵抗等のチップ状の受動電子部品１２Ｂ等が実装されている。これらの表面実装部品１２Ａ、１２Ｂは、例えば同図に示すように半田や導電性樹脂を介して、あるいはＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ等のボンディングワイヤを介して配線基板１１上面の表面電極１４Ｃ、即ち配線パターン１４に電気的に接続され、互いに導通している。

被覆部材１３は、図１の（ａ）、（ｂ）に示すように、平板状のセラミック部材によって形成された天井部１３Ａと、この天井部１３Ａ下面の周縁部から垂直下方に延びる柱状部材によって形成された複数の脚部１３Ｂと、を有している。天井部１３Ａは、複数のセラミック層が積層して形成された積層構造を有している。脚部１３Ｂは、例えば柱状金属によって表面実装部品１２の配線基板１１上面からの高さより高く形成され、しかも焼結により天井部１３Ａと一体化している。天井部１３Ａ内には、シールド電極層１３Ｃが面方向に形成されていると共にシールド電極層１３Ｃの周縁部と脚部１３Ｂとを接続するビア導体１３Ｄが形成されている。脚部１３Ｂ、シールド電極層１３Ｃ及びビア導体１３Ｄは、同一の導電性金属材料によって形成することが好ましい。天井部１３Ａ内のシールド電極層１３Ｃは、ビア導体１３Ｄ及び脚部１３Ｂを介して配線基板１１の配線パターン１４に接続され、表面実装部品１２を外部の電磁界環境から保護している。尚、シールド電極層１３Ｃは配線基板１１に設けられたグランド電極に、柱状金属からなる脚部１３Ｂを介して接地されていることが好ましいが、必ずしも接地されている必要はない。

而して、セラミック層１１Ａ及び被覆部材１３の天井部１３Ａのセラミック層はいずれもセラミック材料によって形成されており、これら両者は同一のセラミック材料によって形成することが好ましい。セラミック材料としては、例えば低温焼結セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramic）材料を使用することができる。低温焼結セラミック材料とは、１０５０℃以下の温度で焼結可能であって、比抵抗の小さな銀や銅等と同時焼成が可能なセラミック材料である。低温焼結セラミックとしては、具体的には、アルミナやジルコニア、マグネシア、フォルステライト等のセラミック粉末にホウ珪酸系ガラスを混合してなるガラス複合系ＬＴＣＣ材料、ＺｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系ＬＴＣＣ材料、ＢａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系セラミック粉末やＡｌ_２Ｏ_３−ＣａＯ−ＳｉＯ_２−ＭｇＯ−Ｂ_２Ｏ_３系セラミック粉末等を用いた非ガラス系ＬＴＣＣ材料等が挙げられる。

被覆部材の１３のシールド電極層１３Ｃ、ビア導体１３Ｄ及び脚部１３Ｂ並びに配線基板１１の配線パターン１４は、それぞれ上述のように導電性金属材料によって形成されている。導電性金属材料としては、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ合金、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ及びＡｕの中から選択される少なくとも一種を主成分とする金属を用いることができる。これらの導電性金属材料のうち、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ合金、Ａｇ−Ｐｄ合金及びＣｕは、比抵抗が小さいため、特に配線材料として好ましく用いることができる。また、セラミック層１１Ａ及び天井部１３Ａのセラミック層を形成するセラミック材料として低温焼結セラミック材料を用いる場合には、導電性金属材料としてＡｇまたはＣｕ等の低抵抗で１０５０℃以下の低融点をもつ金属が用いられ、これらの金属材料は低温焼結セラミック材料と１０５０℃以下の低温で同時焼成することができる。

尚、本実施形態において、配線基板１１及び被覆部材１３それぞれに用いられるセラミック材料及び配線パターン用の導電性金属材料は、実質的に同一であることが好ましい。配線基板１１と被覆部材１３の材料が異なると、温度変化に対するそれぞれの材料の熱膨張率差によって被覆部材１３が配線基板１１から剥離する虞がある。

次いで、本発明の電子部品の製造方法の一実施形態について、図２〜図４を参照しながら説明する。本実施形態では無収縮工法を用いて配線基板１１及び被覆部材１３を作製する。無収縮工法とは、セラミック基板の焼成前後でセラミック基板の平面方向の寸法が実質的に変化しない工法のことを云う。この無収縮工法では後述する収縮抑制シートを用いる。本実施形態の電子部品の製造方法は、以下で説明するように、配線パターン１４を有する配線基板１１を作製する工程と、平板状のセラミック部材によって形成された天井部１３Ａと、この天井部１３Ａと一体化され且つこの天井部１３Ａから下方に延びる柱状部材からなる脚部１３Ｂと、を有する被覆部材１３を作製する工程と、被覆部材１３を配線基板１１の上面に積み重ねて、脚部１３Ｂを介して配線基板１１に接続する工程と、を備えている。

１．配線基板の作製
１）基板用セラミック未焼成体（基板用セラミックグリーンシート）の作製
まず、低温焼結セラミック粉末として例えばアルミナ粉末及びホウ珪酸ガラスからなる混合粉末を調製する。この混合粉末を有機ビヒクル中に分散させてスラリーを調製し、これをキャスティング法によってシート状に成形することによって、図２の（ａ）に示す基板用セラミックグリーンシート１１１Ａを、例えば２０μｍの厚みで所定枚数を作製する。このセラミックグリーンシート１１１Ａは、後述する積層工程、圧着工程及び焼成工程を経て、焼成後の厚みが１０μｍになる。次いで、例えばレーザー光や金型を用いて基板用セラミックグリーンシート１１１Ａに所定のパターンでビアホールを形成した後、このビアホールに導電性ペーストを充填して未焼成ビア導体１１４Ｂを形成する。導電性ペーストとしては、例えばＡｇを主成分とするものを用いる。その後、例えばスクリーン印刷法によって同一の導電性ペーストを基板用セラミックグリーンシート１１１Ａ上に所定のパターンで印刷して未焼成面内導体１１４Ａを形成する。また、同様にして未焼成面内導体１１４Ａ、未焼成ビア導体１１４Ｂ及び未焼成表面電極１１４Ｃを所定のパターンで形成したセラミックグリーンシート１１１Ａを作製し、例えば全部で５枚のセラミックグリーンシート１１１Ａを準備する。

２）収縮抑制用セラミック未焼成体（収縮抑制用セラミックグリーンシート）の作製
収縮抑制用セラミックグリーンシートは、低温焼結セラミック材料の焼成温度では焼結しない難焼結性セラミック粉末を主成分として含んでいる。難焼結性セラミック粉末として例えばアルミナ粉末を準備し、このアルミナ粉末を有機ビヒクル中に分散させてスラリーを調製し、これをキャスティング法によってシート状に成形することによって、図２の（ａ）に示す収縮抑制用セラミックグリーンシート１００、１００Ａを所定枚数作製する。これらの収縮抑制用セラミックグリーンシート１００、１００Ａの焼結温度は１５００〜１６００℃で、低温焼結セラミック粉末からなる基板用セラミックグリーンシート１１１Ａの焼結温度（１０５０℃以下）より格段に高い焼結温度を有するため、基板用セラミックグリーンシート１１１Ａの焼成温度では実質的には焼結しない。これらの収縮抑制用セラミックグリーンシート１００、１００Ａを例えば図２の（ａ）に示すように３枚ずつ作製する。収縮抑制用セラミックグリーンシート１００、１００Ａは実質的に同一のものである。難焼結性セラミック粉末としては、例えば、アルミナの他、ジルコニア、マグネシア等のセラミック粉末を用いることもできる。これらの収縮抑制用セラミックグリーンシート１００、１００Ａとしては、基板用セラミックグリーンシート１１１Ａに含まれるセラミック成分と共通のものを含むことが好ましい。

３）複合積層体の作製
図２の（ｂ）に示すように、収縮抑制用セラミックグリーンシート１００Ａを３枚積層し、この上に未焼成ビア導体１１４Ｂ及び未焼成表面電極１１４Ｃを有する基板用セラミックグリーンシート１１１Ａをその未焼成表面電極１１４Ｃを下向きにして積層し、この上に未焼成面内導体１１４Ａ及び未焼成ビア導体１１４Ｂを有する基板用セラミックグリーンシート１１１Ａを３枚積層し、更にこの上に未焼成ビア導体１１４Ｂ及び未焼成表面電極１１４Ｃを有する基板用セラミックグリーンシート１１１Ａをその未焼成表面電極１１４Ｃを上向きにして積層する。次いで、これらの上に収縮抑制用セラミックグリーンシート１００を３枚積層した後、積層方向（上下方向）から０．２〜１．５ＭＰａの圧力で各層をプレスして圧着しこれらの層を一体化すると、図２の（ｂ）に示す複合積層体１１０を形成することができる。

４）複合積層体の焼成
上記複合積層体１１０を例えば１０５０℃以下の所定温度（例えば８７０℃）で焼成すると、収縮抑制用セラミックグリーンシート１００、１００Ａは実質的に焼結せず、実質的に面方向に収縮することがないため、５枚の基板用セラミックグリーンシート１１１Ａが焼結して一体化しても、収縮抑制用セラミックグリーンシート１００、１００Ａの働きで、面方向には実質的に収縮することなく、実質的に積層方向（厚み方向）にのみ収縮して高精度な配線パターン１４を有する、図２の（ｃ）に示す配線基板１１を作製することができる。配線基板１１は実質的に厚み方向にのみ収縮するため、電子部品１０の低背化に寄与することができる。この焼成で、収縮抑制セラミックグリーンシート１００、１００Ａは、有機ビヒクルが焼失してアルミナ粉末の集合体になる。アルミナ粉末の集合体はブラスト処理等により簡単に除去することができ、アルミナ粉末を除去することにより配線基板１１を容易に得ることができる。例えば２０μｍの基板用セラミックグリーンシート１１１Ａは５層で１００μｍであるが、この焼成によって高さ方向に収縮して５０μｍ厚の配線基板１１を得ることができる。

５）メッキ処理
配線基板１１を作製した後、表面電極１４Ｃに例えば金メッキ等のメッキ処理を施し、半田等の接合部材との濡れ性を高める。

２．被覆部材の作製
１）天井部用セラミック未焼成体（天井部用セラミックグリーンシート）の作製
被覆部材１２は配線基板１１と同一の材料を用いて同一要領で作製する。まず、図３の（ａ）に示すように天井部用セラミックグリーンシート１１３Ａを所定枚数（例えば２枚）作製する。これらの天井部用セラミックグリーンシート１１３Ａは２０μｍ厚に形成されている。一枚の天井部用セラミックグリーンシート１１３Ａの上面には導電性ペーストのベタ印刷によって広面積の未焼成シールド電極層１１３Ｃを形成する。また、他の天井部用セラミックグリーンシート１１３Ａには所定のパターンで配置されたビアホールを複数形成し、これらのビアホール内に導電性ペーストを充填して複数の未焼成ビア導体１１３Ｄを形成する。これらの天井部用セラミックグリーンシート１１３Ａを積層すると、複数の未焼成ビア導体１１３Ｄが未焼成シールド電極層１１３Ｃの周縁部にそれぞれ位置するようにしてある。

２）収縮抑制用セラミックグリーンシートの作製
配線基板１１の場合と同様に収縮抑制用セラミックグリーンシートを所定枚数（例えば６枚）作製する。３枚の収縮抑制用セラミックグリーンシート２００にレーザー光や金型を用いて所定のパターンで脚部用のビアホールを形成した後、このビアホール内に導電性ペーストを充填して未焼成脚部１１３Ｂを形成する。未焼成脚部１１３Ｂは、焼成後の高さが表面実装部品１２の実装高さと同程度若しくはより長い寸法が必要であり、その高さは収縮抑制用セラミックグリーンシート２００の使用枚数によって調整する。また、未焼成脚部１１３Ｂの焼成後の横方向の断面形状は、円形状でも多角形状でも良く、円形状の直径（多角形状の場合にはその中心を通る最大寸法）は、０．１〜１ｍｍ程度であれば良い。本実施形態では、収縮抑制用セラミックグリーンシート２００を図３の（ａ）、（ｂ）に示すように例えば３枚作製する。また、未焼成脚部１１３Ｂを含まない、抑制収縮用セラミックグリーンシート２００Ａも同図に示すように例えば３枚作製する。尚、電気的導通を取る必要がない場合には、柱状部材用のビアホールにセラミックペースト（低温焼結セラミックを主成分とする）を充填することによって脚部として用いることができる。この場合であっても、セラミックペーストによる柱状部材は、配線基板と同時焼成により一体化される。

３）複合積層体の作製
然る後、図３の（ａ）に示すように未焼成脚部のない収縮抑制用セラミックグリーンシート２００Ａを３枚積層し、この上に未焼成シールド電極層１１３Ｃを有する天井部用セラミックグリーンシート１１３Ａを未焼成シールド電極層１１３Ｃが上向きになるようにして積層し、この上に未焼成ビア導体１１３Ｄを有する天井部用セラミックグリーンシート１１３Ａを積層する。次いで、この上に未焼成脚部１１３Ｂを有する収縮抑制用セラミックグリーンシート２００を３枚積層する。この際、収縮抑制用セラミックグリーンシート２００の未焼成脚部１１３Ｂと天井部用セラミックグリーンシート１１３Ａの未焼成ビア導体１１３Ｄとの位置合わせを行う。然る後、収縮抑制用セラミックグリーンシート２００を所定の圧力（例えば０．２〜１．５ＭＰａ）で圧着して同図の（ｂ）に示す複合積層体１３０を作製した後、この複合積層体１３０を所定温度（例えば８７０℃）で焼成することによって同図の（ｃ）に示す被覆部材１３を作製することができる。

本実施形態ではシールド電極層１３Ｃが天井部１３Ａの内層として形成されているが、天井部１３Ａの外表面に形成しても良い。しかし、シールド電極層１３Ｃは、天井部１３Ａの内表面（被覆部材１３の内面）になるように形成しない方が良い。シールド電極層１３Ｃが被覆部材１３の内面に形成されていると、特性選別時等に治具の押圧力で天井部１３Ａが内側へ撓み、配線基板１１に実装された表面実装部品１２に接触するなどして、精度の良い特性選別を行えない虞がある。換言すれば、シールド電極層１３Ｃが被覆部材１３の内層または外表面に形成されていると、特性選別を精度良く行うことができる。

３．配線基板への表面実装部品及び被覆部材の搭載
配線基板１１上に表面実装部品１２を実装する場合には、図４の（ａ）に示すように表面実装部品１２が実装される面を上向きにして配置し、例えばメタルマスクを用いて、表面実装部品用の表面電極１４Ｃと、被覆部材１３の脚部が接続されるビア導体１４Ｂに半田ペースト等の接合材Ｐを塗布した後、同図の（ａ）に示すように、マウンター（図示せず）を用いて表面実装部品１２を配線基板１１上に搭載し、配置する。更に、同図の（ｂ）に示すようにマウンターを用いて被覆部材１３を配線基板１１上に搭載し、配置する。引き続き、配線基板１１に対してリフロー等の熱処理を施すことによって、半田を溶融させて同図の（ｃ）に示すように表面実装部品１２及び被覆部材１３を配線基板１１上にそれぞれ実装する。このように実装時にメタルマスクを用いる場合には実装面が平坦面になっているため、実装面にメタルマスクを精度良く密着させることができる。

以上の説明では一個の電子部品１０を作製する場合について説明したが、工業的には図５、図６に示すように複数個の電子部品１０を同時に集合基板状態で作製する。複数個の電子部品１０を同時に作製する場合でも、配線基板及び被覆部材を複数個取りする以外は、上述した作製手順で何等変わることなく作製することができる。即ち、一個の電子部品１０を作製する場合と同一要領で、複数の配線基板がマトリックス状に配列された第１集合基板５１（図６参照）を作製すると共に複数の被覆部材１３がマトリックス状に配列された第２集合基板５３（図５、図６参照）を作製する。第２集合基板５３には個々の被覆部材１３に分割する仮想分割ラインＬが形成され、仮想分割ラインＬの両側に沿って個々の被覆部材１３の脚部１３Ｂが矩形枠状に配列されている。そして、マウンターを用いて、第１集合基板５１の個々の配線基板１１に表面実装部品１２を搭載した後、第２集合基板５３を搭載し、熱処理して一体化することによって、図６に示す電子部品集合体５０を作製することができる。然る後、電子部品集合体５０の仮想分割ラインＬに従って電子部品集合体５０をダイシングすると、個々の電子部品１０を得ることができる。

また、第１、第２集合基板は、図７に示すように形成しても良い。即ち、図７に示す第２集合基板５３Ａは、被覆部材１３の脚部１３Ｂとなる部分が第２集合基板５３Ａの仮想分割ラインＬ上に矩形状に配列されている。また、各脚部１３Ｂに対応する配線基板１１のビア導体１４Ｂは、図８に示すように第１集合基板５１Ａの仮想分割ラインＬに従って形成されている。そして、マウンターを用いて、第１集合基板５１Ａの個々の配線基板に表面実装部品を搭載した後、第２集合基板５３Ａを搭載して一体化し、図８に示す電子部品集合体５０Ａを作製する。然る後、電子部品集合体５０Ａの仮想分割ラインＬに従って電子部品集合体５０をダイシングすると、脚部１３Ｂとなる部分及びビア導体１４Ｂとなる部分を仮想分割ラインＬで二分割し、個々の電子部品１０を得ることができる。この場合には、被覆部材１３の脚部１３Ｂ及び配線基板１１の一部の面内導体１４Ａ及びビア導体１４Ｂは、電子部品１０の端面に揃っているため、電子部品１０の実装時に側面電極としても利用することができる。

以上説明したように本実施形態によれば、配線基板１１上の表面実装部品１２を覆う被覆部材１３は、平板状のセラミック部材によって形成された天井部１３Ａと、少なくとも表面実装部品の高さを有する柱状部材によって形成された脚部１３Ｂと、を有し、天井部１３Ａが平板状のセラミック部材によって形成されているため、従来のように厚みの異なる部分がなく、焼成時に厚み方向に均一に収縮して焼結し、うねり等の発生がなく平坦な天井部１３Ａとして形成することができ、電子部品１０の低背化を促進することができる。また、被覆部材１３の天井部１３Ａがセラミック部材であるため、電子部品１０の特性選別時等に天井部１３Ａが撓むことがあっても、表面実装部品１２との間でショートすることがない。

また、天井部１３Ａがセラミック部材で、撓みによる表面実装部品１２への影響が殆どないため、天井部１３Ａと表面実装部品１２との隙間を狭くすることができ、低背化を更に促進することができる。例えば図９の（ａ）に示すように、天井部１３Ａの厚みが５０μｍの場合には、表面実装部品１２との間に天井部１３Ａの厚みに相当する隙間５０μｍを設けても、表面実装部品１２の上面から天井部１３Ａの外表面までの寸法が１００μｍで済む。ところが、従来の金属製被覆部材２は、同図の（ｂ）に示すように機械的強度などを勘案すると被覆部材の厚みは１００μｍが限界であり、被覆部材の厚みに相当する隙間１００μｍを設けると表面実装部品の上面から被覆部材の外表面までの寸法が２００μｍとなる。従って、本実施形態における被覆部材１３は電子部品１０の低背化を確実に実現することができる。

また、本実施形態によれば、天井部１３Ａは、複数のセラミック層を積層してなる多層構造を有し、且つ、その内層としてシールド電極層１３Ｃが配置されてなり、しかもシールド電極層１３Ｃはセラミック層に設けられたビア導体１３Ｄを介して柱状金属からなる脚部１３Ｂに接続されているため、配線基板１１の接地電位となっている配線パターン１４に接続された被覆部材１３は、そのシールド電極層１３Ｃによって配線基板１１上の表面実装部品１２を外部の電磁界環境から遮蔽して保護することができる。

また、本実施形態によれば、シールド電極層１３Ｃと脚部１３Ｂの柱状金属は、同時焼成によって一体化しているため、被覆部材１３の搭載時に被覆部材１３に接続用の半田バンプ等を別途形成する必要がなく、表面実装部品１２と同様に被覆部材１３をマウンターによる配線基板１１へ搭載することができ、製造工程を簡素化することができる。

また、本実施形態によれば、収縮抑制用セラミックグリーンシート１００、１００Ａを用いる無収縮工法によって配線基板１１を作製することにより、歪がなく、高精度の配線パターン１４を有する配線基板１１を作製することができ、しかも無収縮工法では面方向の収縮を抑制する分、積層方向（厚み方向）に大きく収縮して配線基板１１をより薄く形成することができ、電子部品１０の低背化を促進することができる。収縮抑制用セラミックグリーンシート２００、２００Ａを用いる無収縮工法によって被覆部材１３を作製することにより、上述のように天井部１３Ａにうねりを生じることなく薄くすることができ、しかも脚部１３Ｂを天井部１３Ａと同時焼成して一体化することができる。また、被覆部材１３の天井部１３Ａが平坦であるため、マウンターを用いて被覆部材１３を配線基板１１に対して高精度に搭載することができる。

第２の実施形態
本実施形態の電子部品について、第1の実施形態と同一または相当部分には同一符号を附して説明する。上記実施形態では、被覆部材１３のシールド電極層１３Ｃで複数の表面実装部品１２を全て覆う電子部品１０について説明した。しかし、表面実装部品１２の中には、例えばある種のＳＡＷフィルターパッケージのように被覆部材１３のグランド電位であるシールド電極層１３Ｃとの距離により、表面実装部品１２の特性が変化する場合がある。例えば、電子部品１０の特性選別時に被覆部材１３の天井部１３Ａが治具等の作用により撓むと、被覆部材１３のシールド電極層１３Ｃと表面実装部品１２間の距離が変化し、表面実装部品１２の特性が影響を受けることがある。

そこで、本実施形態の電子部品１０Ａは、図１０に○印で囲んで示す特定の表面実装部品１２Ｃと、この表面実装部品１２Ｃの特性選別時等にその特性に影響を与えない被覆部材１３を備えている以外は、上記実施形態と同様に構成されている。この被覆部材１３のシールド電極層１３Ｃには同図に示すように特定の表面実装部品１２Ｃの真上に位置する部分に開口部１３Ｅが形成され、天井部１３Ａの開口部１３Ｅに相当する部分がセラミック材料のみによって形成されている。この被覆部材１３は、天井部セラミックグリーンシートに開口部を有する未焼成シールド電極層をベタ印刷する以外には、上記実施形態と同一要領で作製することができる。

従って、本実施形態によれば、被覆部材１３の天井部１３Ａの特定の表面実装部品１２Ｃの真上がセラミック部材によって形成されているため、電子部品１０Ａの特性選別時等に被覆部材１３の天井部１３Ａが撓んでも、特定の表面実装部品１２Ｃはシールド電極層１３Ｃによる電磁気的な影響を受けることがなく、特定の表面実装部品１２Ｃの本来特性を測定することができ、電子部品１０Ａの良否を高精度に選別することができる。従って、良品を廃棄したり、不良品を市場に出荷したりすることがない。その他、本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果を期することができる。

第３の実施形態
本実施形態の電子部品は、図１１の（ａ）に示すように被覆部材１３の脚部１３Ｂの形状を異にする以外は、第１の実施形態と同様に構成されている。従って、第1の実施形態と同一または相当部分には同一符号を附して本実施形態について説明する。

上記各実施形態では被覆部材１３の脚部１３Ｂが図１１の（ｂ）に示すように直胴状のものについて説明したが、本実施形態における脚部１３Ｂは、同図の（ａ）に示すように、軸芯方向の断面がテーパ状を呈する形状、つまり逆円錐台形状または逆四角錐形状に形成されている。この脚部１３Ｂは、レーザー光によって収縮抑制シートに断面形状がテーパを呈するようにビアホールを加工し、このビアホールに導電性ペーストを充填することによって形成することができる。尚、上記各実施形態の、軸方向の断面形状が直胴状の脚部１３Ｂは、それぞれ金型等でパンチング加工によって直胴状のビアホールを加工し、このビアホールに導電性ペーストを充填することによって形成することができる。

従って、本実施形態によれば、図１１の（ａ）に示すように半田フィレットＦを含めた脚部１３Ｂの配線基板１１との接続面積、つまり直径ｄ’は、同図の（ｂ）に示す直胴状の場合の直径ｄと比較して小さくなる。即ち、脚部１３Ｂの上端面と下端面（被覆部材１３を接続する配線基板１１の接続面）が同一の接続面積で被覆部材１３を配線基板１１上に接続することができる。その他、本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果を期することができる。尚、脚部１３Ｂは、断面テーパ状のものが上下方向に複数連なったものであっても良い。

第４の実施形態
本実施形態の電子部品は、図１２の（ａ）に示すように被覆部材１３がシールド電極層を有さず、被覆部材１３と配線基板１１との間の導通を必要としないこと以外は、第1の実施形態と同様に構成されている。従って、本実施形態においても、第1の実施形態と同一または相当部分には同一符号を附して本実施形態について説明する。

本実施形態における被覆部材１３は、図１２の（ｂ）に示すようにして作製することができる。即ち、同図に示すように、天井部用セラミックグリーンシート１１３Ａとして、例えば２０μｍ厚のセラミックグリーンシートを２枚積層し、その下面に例えば２５０μｍ厚の未焼成脚部を有しない収縮抑制用セラミック層２００Ａを配置し、その上面に例えば２５０μｍ厚の未焼成脚部１１３Ｂを有する収縮抑制用セラミック層２００を配置し、これらを積層し、圧着して複合積層体（図示せず）を作製する。この複合積層体を焼成することによって同図の（ａ）に示す天井部１３Ａ及び脚部１３Ｂからなる被覆部材１３を作製することができる。天井部１３Ａは２０μｍ厚に形成されている。未焼成脚部１１３Ｂとしては例えば低温焼結セラミックを主成分とするセラミックペーストを用いることができる。尚、必要に応じて、被覆部材１３には導通性のない脚部と導通性のある脚部とを混在させることもできる。この場合には天井部１３Ａにシールド電極層が形成されている。その他、本実施形態においても第１の実施形態と同様に低背化に寄与する被覆部材１３を得ることができる。

第５の実施形態
本実施形態の電子部品は、図１３の（ａ）に示すように、配線基板１１上にボンディングワイヤ１２Ｄを介して実装され且つ樹脂Ｒで封止された表面実装部品１２を備えていること以外は、第１の実施形態と同様に構成されている。従って、本実施形態においても、第1の実施形態と同一または相当部分には同一符号を附して本実施形態について説明する。

本実施形態における表面実装部品１２は、配線基板１１上で樹脂封止された状態で実装されているため、被覆部材１３を配線基板１１上に装着する時にメタルマスクを用いてビア導体１４Ｂに半田ペーストを直接塗布することができない。

そこで、本実施形態では、図１３の（ｂ）に示すように被覆部材１３の脚部１３Ｂの先端面に接合材を塗布する方法が用いられる。接合材としては、液状または半液状であれば良く、半田ペーストや導電性樹脂等が好適に用いられる。即ち、例えば図１３の（ｂ）に示すように被覆部材１３の脚部１３Ｂを、容器Ａ内の液状の接合材Ｐに接触させて脚部１３Ｂの先端面に接合材Ｐを直接転写する。そして、同図の（ａ）に示すように被覆部材１３の脚部１３Ｂと配線基板１１のビア導体１４Ｂとの位置合わせを行った後、被覆部材１３を配線基板１１上に積み重ねて熱処理することによって、被覆部材１３を配線基板１１上に搭載することができる。

本実施形態によれば、メタルマスクによって接合材を配線基板１１のビア導体１４Ｂ、表面電極１４Ｃに塗布することができなくても、被覆部材１３の脚部１３Ｂの下端に接合材Ｐを転写することによって被覆部材１３を配線基板１１上に容易に搭載し固定することができる。その他、本実施形態においても第１の実施形態と同様の作用効果を期することができる。

第６の実施形態
本実施形態の電子部品は、図１４の（ａ）に示すように、被覆部材１３の天井部１３Ａ内に、シールド電極層１３Ｃに代えて厚膜抵抗体１３Ｆ及びその配線パターン１３Ｇが設けられている以外は、第１の実施形態と同様に構成されている。従って、本実施形態における被覆部材１３は、実質的に第１の実施形態と同一の要領で作製することができる。従って、本実施形態においても、第1の実施形態と同一または相当部分には同一符号を附して本実施形態について説明する。

図１４の（ａ）に示す被覆部材１３は、シールド電極層１３Ｃに代えて厚膜抵抗体１３Ｆ及びその配線パターン１３Ｇを有している。この被覆部材１３を作製する時には、天井部用セラミックグリーンシート（図示せず）を所定枚数作製し、所定の天井部用セラミックグリーンシートに所定のパターンでビアホールを形成し、このビアホール内に導電性ペーストを充填して未焼成ビア導体をセラミックグリーンシートに形成する。次いで、所定のパターンで導電性ペーストを印刷して未焼成面内導体を形成した後、抵抗ペーストを印刷して未焼成厚膜抵抗体を形成する。抵抗ペーストとしては、例えば、酸化ルテニウムを主成分とする抵抗材料等、従来公知の抵抗材料を用いることができる。一方、第１の実施形態と同様に未焼成脚部を有する収縮抑制シートと未焼成脚部を有さない収縮抑制シートを作製した後、第１の実施形態と同一要領で天井部用セラミックグリーンシートと収縮抑制シートと積層して複合積層体を作製し、この複合積層体を焼成することにより被覆部材１３を作製することができる。この被覆部材１３は、図１４の（ａ）に示すように、厚膜抵抗体１３Ｆ及び配線パターン１３Ｇを有している。焼成後には被覆部材１３の厚膜抵抗体１３Ｆにレーザー光を照射してトリミングすることによって所望の抵抗値を得ることができる。

図１４の（ａ）に示す実施形態によれば、通常、配線基板１１上に実装する必要のあった抵抗チップが被覆部材１３内に厚膜抵抗体１３Ｆとして内蔵されているため、配線基板１１上に抵抗チップを実装する必要がなく、その実装面積を省スペース化することができ、電子部品を小型化、機能の高密度化を実現することができる。その他、本実施形態においても第４の実施形態と同様に低背化に寄与する被覆部材１３を得ることができる。

図１４の（ａ）では被覆部材１３の天井部１３Ａ内に厚膜抵抗体１３Ｆ及びその配線パターン１３Ｇを設けた場合について説明したが、同図の（ｂ）〜（ｄ）に示すように、被覆部材１３のシールド電極層１３Ｃに厚膜抵抗体１３Ｆ及びその配線パターン１３Ｇを付設しても良い。図１４の（ｂ）〜（ｄ）に示す被覆部材の場合には、シールド電極層１３Ｃ以外に厚膜抵抗体１３Ｆ及びその配線パターン１３Ｇを形成するためのセラミックグリーンシートが一枚増やす以外は、第１の実施形態と同一要領で被覆部材を作製することができる。従って、図１４の（ｂ）〜（ｄ）に示す被覆部材の製造方法の説明は省略する。

図１４の（ｂ）に示す被覆部材１３の天井部１３Ａ内にはシールド電極層１３Ｃと厚膜抵抗体１３Ｆ及びその配線パターン１３Ｇが形成され、厚膜抵抗体１３Ｆ及びその配線パターン１３Ｇがシールド電極層１３Ｃの上方に配置して形成されている。厚膜抵抗体１３Ｆのトリミングは、天井部１３Ａの上方から厚膜抵抗体１３Ｆにレーザー光を照射することによって行うことができる。

また、図１４の（ｃ）に示す被覆部材１３の場合には、天井部１３Ａの上面にシールド電極層１３Ｃが形成され、天井部１３Ａの内部に厚膜抵抗体１３Ｆ及びその配線パターン１３Ｇが形成されている。シールド電極層１３Ｃにはトリミング用の開口部１３Ｅが厚膜抵抗体１３Ｆの真上に位置させて形成され、天井部１３Ａの上方からレーザー光を照射して厚膜抵抗体１３Ｆのトリミングを良好に行うことができる。

図１４の（ｄ）に示す被覆部材１３の場合には、天井部１３Ａ内にシールド電極層１３Ｃと厚膜抵抗体１３Ｆ及びその配線パターン１３Ｇが形成され、厚膜抵抗体１３Ｆ及びその配線パターン１３Ｇがシールド電極層１３Ｃの下方に配置して形成されている。シールド電極層１３Ｃにはトリミング用の開口部１３Ｅが厚膜抵抗体１３Ｆの真上に位置させて形成され、天井部１３Ａの上方からレーザー光を照射して厚膜抵抗体１３Ｆのトリミングを良好に行うことができる。

図１４の（ｂ）〜（ｄ）に示す本実施形態によれば、電子部品を小型化、高機能化を実現することができる他、第１の実施形態と同様の作用効果を期することができる。

第７の実施形態
本実施形態の電子部品は、図１５の（ａ）〜（ｃ）に示すように、第６の実施形態の厚膜抵抗体１３Ｆに代えてチップ状セラミック電子部品１３Ｈが設けられている以外は、図１４の（ａ）、（ｃ）、（ｄ）に示す実施形態に準じて構成されている。チップ状セラミック電子部品１３Ｈは、セラミック焼結体を素体とし、その両端に外部端子電極を有している。チップ状セラミック電子部品１３Ｈとしては、例えば積層セラミックコンデンサ、積層インダクタ等の受動電子部品を挙げることができる。従って、本実施形態における被覆部材１３は、実質的に第１の実施形態と同一の要領で作製することができる。従って、本実施形態においても、第１の実施形態と同一または相当部分には同一符号を附して本実施形態について説明する。

図１５の（ａ）に示す被覆部材１３は、図１４の（ａ）の厚膜抵抗体１３Ｆに代えてチップ状セラミック電子部品１３Ｈを有している。このチップ状セラミック電子部品１３Ｈは被覆部材１３の天井部１３Ａの下面側から内部の配線パターン１３Ｇに接続されている。被覆部材１３を作製する時には、第６の実施形態と同様に天井部用セラミックグリーンシート上に所定の未焼成配線パターン（未焼成面内導体及び未焼成ビア導体）を形成する。所定枚数の天井用セラミックグリーンシートを収縮抑制セラミックグリーンシート上に積層し、積層体の上面に所定のパターンで未焼成ランド部が表出する積層体を形成する。その後、スプレー等を用いて積層体の上面に有機系接着剤を塗布して有機系接着剤層を形成した後、マウンター（図示せず）を用いて未焼成ランド部にチップ状セラミック電子部品１３Ｈを搭載し、未焼成ランド部上にチップ状セラミック電子部品を接合、固定する。次いで、未焼成脚部を有する収縮抑制セラミックグリーンシートを積層、圧着して複合積層体を作製する。この圧着によってチップ状セラミック電子部品１３Ｈが未焼成ランド部と一緒に積層体の上面から少し埋め込まれる。この複合積層体を焼成するとチップ状セラミック電子部品１３Ｈの外部端子電極がランド部１３Ｉと一体化して焼結し、チップ状セラミック電子部品１３Ｈが部分的に埋め込まれた被覆部材１３（図１５（ａ）参照）を作製することができる。チップ状セラミック電子部品１３Ｈの天井部１３Ａ内への埋め込み量は、１μｍ以上が好ましく、特に１〜２００μｍが好ましい。

本実施形態によれば、被覆部材１３に実装されたチップ状セラミック電子部品１３Ｈは、天井部１３Ａの下面から埋め込まれているため、被覆部材１３を配線基板１１上に搭載し、固定する時にリフロー等の熱処理を行ってもチップ状セラミック電子部品１３Ｈとランド部との接続部分が劣化することなく、長時間に渡って接続信頼性を確保することができる他、第１の実施形態と同様の作用効果を期することができる。

図１５の（ｂ）に示す被覆部材１３の場合には、天井部１３Ａの上面にシールド電極層１３Ｃが形成され、天井部１３Ａの内部に配線パターン１３Ｇが形成され、この配線パターン１３Ｇにはチップ状セラミック電子部品１３Ｈが同図の（ａ）に示す場合と同様に接続されている。

図１５の（ｃ）に示す被覆部材１３の場合には、天井部１３Ａ内にシールド電極層１３Ｃとチップ状セラミック電子部品１３Ｈ用の配線パターン１３Ｇが形成され、配線パターン１３Ｇがシールド電極層１３Ｃの下方に配置して形成されている。この配線パターン１３Ｇにはチップ状セラミック電子部品１３Ｈが同図の（ａ）に示す場合と同様に接続されている。

図１５の（ｂ）、（ｃ）に示す本実施形態によれば、チップ状セラミック電子部品１３Ｈの接続信頼性を長時間に渡って確保できると共に、外部の電磁界環境から確実に保護することができる他、第１の実施形態と同様の作用効果を期することができる。

図１５の（ａ）〜（ｃ）に示す被覆部材１３を配線基板１１に搭載する場合には、図１６の（ａ）に示すようチップ状セラミック電子部品１３Ｈの配線基板１１上の対向面には表面実装部品１２を搭載しない方が良い。このようにすることで、電子部品１０の特性選別の際に、治具で被覆部材１３の天井部１３Ａが撓んでもチップ状セラミック電子部品１３Ｈが配線基板１１上でショートすることがない。また、表面実装部品１２を搭載するにしても、図１６の（ｂ）に示すようにチップ状セラミック電子部品１３Ｈの配線基板１１上の対向面には樹脂によって封止された表面実装部品１２Ｃを搭載する。表面実装部品１２Ｃが樹脂によって封止されたものであれば、被覆部材１３の天井部１３Ａが撓んでチップ状セラミック電子部品１３Ｈが表面実装部品１２Ｃと接触してもショートすることがなく、精度良く特性を評価することができる。

尚、本発明は、上記各実施形態に何等制限されるものではなく、本発明の趣旨に反しない限り、本発明に含まれる。

本発明は、種々の電子機器等に使用される電子部品として、好適に利用することができる。

Claims (17)

1. 配線パターンを有する配線基板と、この配線基板の主面に搭載された表面実装部品と、この表面実装部品を覆う被覆部材と、を備え、上記被覆部材は、平板状のセラミック部材によって形成された天井部と、少なくとも上記表面実装部品と同程度の高さを有する柱状部材によって形成された脚部と、を有し、且つ、上記天井部は、シールド電極層を含み、上記柱状部材は、上記シールド層に接続される柱状金属であって、この柱状金属は上記平板状のセラミック部材及びシールド電極層と同時焼成によって一体化していることを特徴とする電子部品。
2. 上記天井部は、複数のセラミック層を積層してなる多層構造を有し、且つ、その内層部分及び／または外表面部分にはシールド電極層が配置されてなり、上記シールド電極層は、上記セラミック層に設けられたビア導体を介して上記柱状金属に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 上記シールド電極層のうち少なくとも一つの上記表面実装部品に対向する部分には、開口部が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子部品。
4. 上記天井部は、複数のセラミック層を積層してなる多層構造を有し、且つ、その内層部分及び／または表面部分には厚膜抵抗体が配置されてなり、上記厚膜抵抗体は、上記セラミック層に設けられたビア導体を介して上記柱状金属に接続されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子部品。
5. 上記天井部には、その内層部分及び／または外側表面部分にシールド電極層が配置されており、上記シールド電極層のうち上記厚膜抵抗体に対向する部分には、開口部が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
6. 上記天井部には、セラミック焼結体を素体とし且つ端子電極を有するチップ状セラミック電子部品が設けられており、このチップ状セラミック電子部品の少なくとも一部が上記天井部に埋め込まれていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電子部品。
7. 上記配線基板は、複数の第１の低温焼結セラミック層を積層してなるセラミック多層基板として形成され、その内層に銀または銅を主成分とする配線パターンを有することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の電子部品。
8. 上記天井部は、複数の第２の低温焼結セラミック層を積層してなる積層構造を有し、この第２の低温焼結セラミック層と上記第１の低温焼結セラミック層は、実質的に同じ材料組成からなることを特徴とする請求項７に記載の電子部品。
9. 配線パターンを有する配線基板を作製する工程と、
   平板状の天井部と、この天井部と一体化され且つこの天井部から垂直方向に延びる柱状部材からなる脚部と、を有する被覆部材を作製する工程と、
   上記被覆部材を、配線基板の主面上に積み重ねて、上記脚部を介して上記配線基板に接続する工程と、を備えており、
   上記天井部は、複数のセラミック層を積層してなる多層構造を有し、その内層部分及び／または表面部分にシールド電極層が配置されてなり、上記柱状部材は、上記シールド電極層との同時焼結により一体化された柱状金属である
   ことを特徴とする電子部品の製造方法。
10. 上記被覆部材を作製する工程は、
    低温焼結セラミックを主成分とし且つ内層部分及び／または表面部分に未焼成シールド電極層を有する天井部用セラミック未焼成体を作製する工程と、
    上記低温焼結セラミックの焼成温度では実質的に焼結しない難焼結セラミックを主成分とし且つ上記柱状部材となる未焼成柱状部材を有する収縮抑制用セラミック未焼成体を作製する工程と、
    上記天井部用セラミック未焼成体の一方の主面に上記収縮抑制用セラミック未焼成体を重ね合わせる工程と、
    上記天井部用セラミック未焼成体と上記収縮抑制用セラミック未焼成体とを上記低温焼結セラミックの焼成温度で焼成し、上記天井部用セラミック未焼成体を焼結させると共に上記未焼成シールド電極層と上記未焼成柱状部材とを同時焼結により一体化させる工程と、
    上記収縮抑制用セラミック未焼成体を除去する工程と、
    を有することを特徴とする請求項９に記載の電子部品の製造方法。
11. 上記天井部用セラミック未焼成体は、その内層部分及び／または表面部分に未焼成厚膜抵抗体を有することを特徴とする請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
12. 上記未焼成シールド電極層のうち少なくとも一つの上記表面実装部品に対向する部分には、開口部を有することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の電子部品の製造方法。
13. 上記天井部用セラミック未焼成体は、上記主面に、セラミック焼結体を素体とし且つ端子電極を有するチップ状セラミック電子部品を有することを特徴とする請求項１０〜請求項１２のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
14. 上記柱状部材を、断面テーパ状に形成することを特徴とする請求項９〜請求項１３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
15. 上記被覆部材の柱状部材を、接合材を介して上記配線基板の表面に設けられた上記配線パターンに接続することを特徴とする請求項９〜請求項１４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
16. 上記配線基板と上記被覆部材とを集合基板状態で接続し、これを個々の電子部品に分割する工程を有することを特徴とする請求項９〜請求項１５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
17. 上記集合基板状態のものを分割するに際し、上記柱状部材をも分割し、この柱状部材の分割面を側面電極とする電子部品を得ることを特徴とする請求項１６に記載の電子部品の製造方法。

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