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JP4675065B2 - 4−フルオロプロリン誘導体の製造方法 - Google Patents

4−フルオロプロリン誘導体の製造方法 Download PDF

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JP4675065B2 JP2004184099A JP2004184099A JP4675065B2 JP 4675065 B2 JP4675065 B2 JP 4675065B2 JP 2004184099 A JP2004184099 A JP 2004184099A JP 2004184099 A JP2004184099 A JP 2004184099A JP 4675065 B2 JP4675065 B2 JP 4675065B2
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Description

本発明は医薬の重要中間体である4−フルオロプロリン誘導体の製造方法に関する。
本発明で対象とする4−フルオロプロリン誘導体の従来の製造方法は、次の二つに大別でき、それぞれ代表的な文献を引用する。
1)4−ヒドロキシプロリン保護体をDAST[(C252NSF3]で脱ヒドロキシフッ素化する方法(非特許文献1)と、2)4−ヒドロキシプロリン保護体をトリフルオロメタンスルホン酸無水物[(CF3SO22O]でトリフルオロメタンスルホン酸エステル体に変換し、テトラエチルアンモニウムフルオリド[(C25418F]と反応させる方法(非特許文献2)が開示されている。
また関連する技術分野として、3)ヒドロキシル基を有する基質をDBU(1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセ−7−エン)等の特殊な有機塩基の存在下に、パーフルオロブタンスルホニルフルオリド(C49SO2F)等のパーフルオロアルカンスルホニルフルオリド(RfSO2F;Rfはパーフルオロアルキル基を表す)で脱ヒドロキシフッ素化する方法(特許文献1、特許文献2)と、4)ヒドロキシル基を有する基質をトリエチルアミン[(C253N]等の有機塩基とトリエチルアミン・三フッ化水素錯体[(C253N・3HF]等のフッ素化剤の存在下に、パーフルオロブタンスルホニルフルオリドで脱ヒドロキシフッ素化する方法(非特許文献3、非特許文献4)が開示されている。
米国特許第5760255号明細書 米国特許第6248889号明細書 Tetrahedron Letters(英国),1998年,第39巻,第10号,p.1169−1172 Journal of Labelled Compounds and Radiopharmaceuticals(米国),1983年,第20巻,第4号,p.453−461 Organic Letters(米国),2004年,第6巻,第9号,p.1465−1468 第227回 米国化学会 春季年会要旨集(227th ACS Spring National Meeting Abstracts),2004年3月28日〜4月1日,ORGN 198,D.Zarkowsky他(Merck)
本発明の目的は、医薬の重要中間体である4−フルオロプロリン誘導体の工業的な製造方法を提供することにある。
非特許文献1の製造方法では、非常に高価で且つ大量の取り扱いが危険なDASTを使用する必要があった。非特許文献2の製造方法では、工業的な使用において高価なトリフルオロメタンスルホン酸無水物と工業的な入手が困難なテトラエチルアンモニウムフルオリドを使用する必要があった。
関連する技術分野の特許文献1、特許文献2、非特許文献3および非特許文献4においては、ヒドロキシル基を有する基質の脱ヒドロキシフッ素化反応が広く開示されているが、特許文献1および特許文献2の製造方法では、工業的な使用において高価なDBU等の特殊な有機塩基を使用する必要があり、また非特許文献3および非特許文献4の製造方法では、工業的な使用において不適なパーフルオロブタンスルホニルフルオリドを使用する必要があった。
特許文献1、特許文献2、非特許文献3および非特許文献4の製造方法では、パーフルオロアルカンスルホニルフルオリドは基質のヒドロキシル基をパーフルオロアルカンスルホニル化し、引き続くフッ素アニオン(F-)との置換反応においてパーフルオロアルカンスルホネートアニオン(RfSO3 -;Rfはパーフルオロアルキル基を表す)として脱離するため、フッ素の原子経済性の観点から言及すれば、充分なスルホニル化能と脱離能を有するものであれば、炭素鎖が短い方が工業的な使用においてより有利である[パーフルオロオクタンスルホニルフルオリド(C817SO2F)<パーフルオロブタンスルホニルフルオリド<トリフルオロメタンスルホニルフルオリド(CF3SO2F)]。
また炭素鎖が長いパーフルオロアルカンスルホン酸誘導体、特に炭素数が4以上のものは環境への長期残留性と毒性が指摘されており、工業的な使用が制限されている[例えば、パーフルオロオクタンスルホン酸誘導体の環境への長期残留性と毒性については、ファルマシア Vol.40 No.2 2004を参照]。
この様に4−フルオロプロリン誘導体を工業的に製造できる方法が強く望まれていた。
本出願に先立ち、本出願人は、4−ヒドロキシプロリン保護体を有機塩基の存在下にトリフルオロメタンスルホニルフルオリドと反応させることによりなる、4−フルオロプロリン誘導体の製造方法を出願した(特願2004−130375)。
本発明者らは上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、4−ヒドロキシプロリン保護体をトリエチルアミン、ルチジン[(CH3253N]またはコリジン[(CH3352N]等の工業的に安価で且つ汎用されている有機塩基と、「トリエチルアミンまたはピリジン(C55N)等の工業的に安価で且つ汎用されている有機塩基とフッ化水素からなる塩または錯体」の存在下に、工業的な使用において好適なトリフルオロメタンスルホニルフルオリドと反応させることにより4−フルオロプロリン誘導体が製造できることを明らかにした。
本製造方法の第一の特徴は、4−ヒドロキシプロリン保護体の脱ヒドロキシフッ素化反応がパーフルオロアルカンスルホニルフルオリドとしてトリフルオロメタンスルホニルフルオリドを使用することにより良好に進行することにある。本発明で対象とする4−ヒドロキシプロリン保護体の脱ヒドロキシフッ素化反応においてパーフルオロアルカンスルホニルフルオリド、特にトリフルオロメタンスルホニルフルオリドを使用して行う反応例は、関連する技術分野の特許文献1、特許文献2、非特許文献3および非特許文献4でも開示されていなかった。
さらに非特許文献3の製造方法では、本発明で対象とする4−ヒドロキシプロリン保護体と類似の構造的特徴(複素五員環上の二級水酸基)を持つ2−ヒドロキシ−1,3,5−トリ−O−ベンゾイル−α−D−リボフラノースの脱ヒドロキシフッ素化反応には適応できないことが開示されていた。また非特許文献3の記載内容で特に注目しなければならない点は、トリフルオロメタンスルホン酸無水物−トリエチルアミン・三フッ化水素錯体−トリエチルアミンからなる脱ヒドロキシフッ素化剤では、反応系内でガス状(沸点−21℃)のトリフルオロメタンスルホニルフルオリドが生成し、基質のヒドロキシル基が効率的にトリフルオロメタンスルホニル化できず、沸点の高い(64℃)パーフルオロブタンスルホニルフルオリドとの組み合わせ(パーフルオロブタンスルホニルフルオリド−トリエチルアミン・三フッ化水素錯体−トリエチルアミン)が好適であると開示されていた。この記載内容は、脱ヒドロキシフッ素化剤のパーフルオロアルカンスルホニルフルオリドとして沸点の低いトリフルオロメタンスルホニルフルオリドは好適でないことを明示しており、本発明でトリフルオロメタンスルホニルフルオリドが好適に利用できる点と対照的である。
また本製造方法の第二の特徴は、4−ヒドロキシプロリン保護体の脱ヒドロキシフッ素化反応がトリエチルアミン・三フッ化水素錯体またはジイソプロピルエチルアミン・三フッ化水素錯体以外の「ピリジン等の有機塩基とフッ化水素からなる塩または錯体」のフッ素化剤の存在下においても良好に進行することにある。非特許文献3では、「ピリジンとフッ化水素からなる錯体」であるオラー試薬(Olah's reagent)は好適でない試薬として挙げられており、実際にパーフルオロブタンスルホニルフルオリドと「ピリジンとフッ化水素からなる錯体」の組み合わせによる脱ヒドロキシフッ素化反応は開示されていなかった。
すなわち、本発明は、一般式[1]
Figure 0004675065
[式中、Rは二級アミノ基の保護基を表し、R1はカルボキシル基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体をトリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリn−プロピルアミン、ピリジン、2,3−ルチジン、2,4−ルチジン、2,5−ルチジン、2,6−ルチジン、3,4−ルチジン、3,5−ルチジン、2,3,4−コリジン、2,4,5−コリジン、2,5,6−コリジン、2,4,6−コリジン、3,4,5−コリジン、及び、3,5,6−コリジンからなる群より選ばれる少なくとも一つの有機塩基と「有機塩基とフッ化水素からなる塩または錯体」の存在下にトリフルオロメタンスルホニルフルオリド(CF3SO2F)と反応させることにより、一般式[2]
Figure 0004675065
[式中、Rは二級アミノ基の保護基を表し、R1はカルボキシル基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−フルオロプロリン誘導体を製造する方法を提供する。
また、本発明は、一般式[1]
Figure 0004675065
[式中、Rは二級アミノ基の保護基を表し、R1はカルボキシル基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体をトリエチルアミン[(C253N]と「トリエチルアミンとフッ化水素からなる塩または錯体」の存在下にトリフルオロメタンスルホニルフルオリド(CF3SO2F)と反応させることにより、一般式[2]
Figure 0004675065
[式中、Rは二級アミノ基の保護基を表し、R1はカルボキシル基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−フルオロプロリン誘導体を製造する方法を提供する。
また、本発明は、一般式[1]
Figure 0004675065
[式中、Rは二級アミノ基の保護基を表し、R1はカルボキシル基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体をルチジン[(CH3253N]またはコリジン[(CH3352N]と、「ピリジン(C55N)とフッ化水素からなる塩または錯体」の存在下にトリフルオロメタンスルホニルフルオリド(CF3SO2F)と反応させることにより、一般式[2]
Figure 0004675065
[式中、Rは二級アミノ基の保護基を表し、R1はカルボキシル基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−フルオロプロリン誘導体を製造する方法を提供する。
また、本発明は、式[3]
Figure 0004675065
[式中、Bocはtert−ブトキシカルボニル基を表す]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体をトリエチルアミン[(C253N]と「トリエチルアミンとフッ化水素からなる塩または錯体」の存在下にトリフルオロメタンスルホニルフルオリド(CF3SO2F)と反応させることにより、式[4]
Figure 0004675065
[式中、Bocはtert−ブトキシカルボニル基を表す]で示される4−フルオロプロリン誘導体を製造する方法を提供する。
また、本発明は、式[3]
Figure 0004675065
[式中、Bocはtert−ブトキシカルボニル基を表す]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体をルチジン[(CH3253N]またはコリジン[(CH3352N]と、「ピリジン(C55N)とフッ化水素からなる塩または錯体」の存在下にトリフルオロメタンスルホニルフルオリド(CF3SO2F)と反応させることにより、式[4]
Figure 0004675065
[式中、Bocはtert−ブトキシカルボニル基を表す]で示される4−フルオロプロリン誘導体を製造する方法を提供する。
本発明の製造方法は、現在までに公知文献に開示されている4−フルオロプロリン誘導体の製造方法の中で工業的に最も安価に実施できる手段である。本発明の製造方法が従来の技術に比べて有利な点を以下に述べる。
非特許文献1に対しては、DASTの様な非常に高価で且つ大量の取り扱いが危険な試薬を使用する必要がない。
非特許文献2に対しては、トリフルオロメタンスルホン酸無水物の様な工業的な使用において高価な試薬や、テトラエチルアンモニウムフルオリドの様な工業的な入手が困難な試薬を使用する必要がない。またトリフルオロメタンスルホン酸無水物には二つのトリフルオロメタンスルホニル基(CF3SO2基)があるが、トリフルオロメタンスルホニル化に利用できるのは一つであり、残りはトリフルオロメタンスルホネートアニオン(CF3SO3 -)の形で脱離基として働き、トリフルオロメタンスルホニル基の官能基経済性の観点から言及すれば、トリフルオロメタンスルホン酸無水物の使用は効率的でなかった。さらに一連のトリフルオロメタンスルホニル化剤の工業的な製造フローをスキーム1に示すが、この中でトリフルオロメタンスルホニルフルオリドは上流に位置し、トリフルオロメタンスルホン酸無水物やトリフルオロメタンスルホニルクロリドに比べて工業的に有利に利用できる。
Figure 0004675065
特許文献1、特許文献2、非特許文献3および非特許文献4に対しては、DBU等の様な工業的な使用において高価で特殊な有機塩基を使用する必要がなく、また環境への長期残留性や毒性が問題となっている炭素鎖が長いパーフルオロアルカンスルホニルフルオリドを使用する必要がない。さらにフッ素の原子経済性が最も高いトリフルオロメタンスルホニルフルオリドが使用できる。
またトリフルオロメタンスルホニルフルオリドを使用することにより新たな発明の効果が見出された。パーフルオロアルカンスルホニルフルオリドを使用する脱ヒドロキシフッ素化反応では、反応終了液にパーフルオロアルカンスルホン酸と有機塩基からなる塩が量論的に副生するが、炭素鎖が長い、特に炭素数が4以上のパーフルオロアルカンスルホン酸と有機塩基からなる塩は有機溶媒に対する分配が比較的高いため、目的生成物と該塩を含む有機層を水洗、さらにはアルカリ金属の無機塩基(例えば、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウムまたは炭酸カリウム等)の水溶液で洗浄する等の一般的な脱塩操作では効率的に除去することができず、実際にパーフルオロブタンスルホン酸カリウム(C49SO3K)の有機溶媒−水系に対する分配においてさえ、トリフルオロメタンスルホン酸カリウム(CF3SO3K)に比べて格段に高い分配比で有機溶媒に存在することが分かった(参考例1、参考例2)。従って炭素数が4以上のパーフルオロアルカンスルホニルフルオリドを使用する脱ヒドロキシフッ素化反応では、粗生成物にパーフルオロアルカンスルホン酸と有機塩基からなる塩またはアルカリ金属塩が多量に持ち込まれ、目的生成物を高い化学純度で得るためには負荷のかかる精製方法を必要とした。特に目的生成物が油状物質で高沸点のために蒸留精製が採用できない場合にはカラムクロマトグラフィー等による煩雑な精製操作を必要とし、また仮に目的生成物が蒸留精製できる場合でもこれらの塩が釜残として多量に残り、釜残に取り込まれた目的生成物を収率良く回収するためには高い温度条件で長時間に渡って蒸留操作を行う必要があり、目的生成物が熱的に不安定な場合には適した精製方法に成り得なかった。
さらに炭素数が4以上のパーフルオロアルカンスルホン酸と有機塩基からなる塩は酸触媒として働く場合もあり、酸に不安定な官能基を有する化合物を高い温度条件で長時間に渡って蒸留精製することも好ましくなかった。実際に二級アミノ基の保護基がtert−ブトキシカルボニル(Boc)基である4−フルオロプロリン誘導体の粗生成物の蒸留精製において、パーフルオロブタンスルホン酸と有機塩基からなる塩が多量に含まれていると脱Boc化が相当に認められた(比較例1)。この様に炭素鎖が長いパーフルオロアルカンスルホニルフルオリドを使用して工業的に脱ヒドロキシフッ素化反応を行う場合の問題点が明らかになった。
本発明で使用するトリフルオロメタンスルホニルフルオリドから副生するトリフルオロメタンスルホン酸と有機塩基からなる塩またはアルカリ金属塩は水に対する分配が格段に高いため、これらの塩を効率的に水洗除去することができ、負荷のかからない精製方法を採用することにより目的生成物を高い化学純度で容易に得ることができる。従ってトリフルオロメタンスルホニルフルオリドを使用することにより、精製での負荷が有意に低減でき、工業的に脱ヒドロキシフッ素化反応を行うことができるようになった。
またフッ素化剤としてトリエチルアミン・三フッ化水素錯体またはジイソプロピルエチルアミン・三フッ化水素錯体以外に、オラー試薬(Olah's reagent)の様な工業的な使用においてより安価な「ピリジン等の有機塩基とフッ化水素からなる塩または錯体」が使用できることは、工業的に安価に脱ヒドロキシフッ素化反応を行うことができ、有利な点と言える。
本発明の製造方法は選択性が高く分離の難しい不純物を殆ど副生しないため、4−フルオロプロリン誘導体を工業的に製造するための極めて有用な方法である。
以下、本発明の4−フルオロプロリン誘導体の製造方法について詳細に説明する。
本製造方法は、一般式[1]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体を有機塩基と「有機塩基とフッ化水素からなる塩または錯体」の存在下にトリフルオロメタンスルホニルフルオリドと反応させることによりなる。先ず4−ヒドロキシプロリン保護体のトリフルオロメタンスルホニル化が進行し、引き続いて反応系内に存在する「有機塩基とフッ化水素からなる塩または錯体」によりフッ素置換反応が進行し、目的生成物である4−フルオロプロリン誘導体を与える。該フッ素置換反応では、フッ素アニオン(F-)源として予め反応系に加えた「有機塩基とフッ化水素からなる塩または錯体」の他に、トリフルオロメタンスルホニル化で副生する「有機塩基とフッ化水素からなる塩または錯体」も係わることができる。トリフルオロメタンスルホニル化では4位の立体化学は保持され、引き続くフッ素置換反応では4位の立体化学は反転する。従って4−ヒドロキシプロリン保護体の4R/2R体からは4−フルオロプロリン誘導体の4S/2R体が得られ、同様に4S/2R体からは4R/2R体が、4R/2S体からは4S/2S体が、4S/2S体からは4R/2S体がそれぞれ得られる。
一般式[1]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体の二級アミノ基の保護基Rとしては、ベンジルオキシカルボニル(Z)基、tert−ブトキシカルボニル(Boc)基、9−フルオレニルメトキシカルボニル(Fmoc)基、3−ニトロ−2−ピリジンスルフェニル(Npys)基、p−メトキシベンジルオキシカルボニル[Z(OMe)]基等が挙げられる。その中でもベンジルオキシカルボニル(Z)基およびtert−ブトキシカルボニル(Boc)基が好ましく、特にtert−ブトキシカルボニル(Boc)基がより好ましい。
一般式[1]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体のカルボキシル基の保護基R1としては、メチル(Me)基、エチル(Et)基、tert−ブチル(t−Bu)基、トリクロロエチル(Tce)基、フェナシル(Pac)基、ベンジル(Bzl)基、4−ニトロベンジル[Bzl(4−NO2)]基、4−メトキシベンジル[Bzl(4−OMe)]基等が挙げられる。その中でもメチル(Me)基、エチル(Et)基およびベンジル(Bzl)基が好ましく、特にメチル(Me)基およびエチル(Et)基がより好ましい。
一般式[1]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体は、第4版 実験化学講座 22 有機合成IV 酸・アミノ酸・ペプチド(丸善、1992年、p.193−309)を参考にして市販の4−ヒドロキシプロリンから製造することができる。また二級アミノ基の保護基Rとカルボキシル基の保護基R1の組み合わせによっては市販されているものがあり、これらを利用することもできる。また式[3]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体(二級アミノ基の保護基Rがtert−ブトキシカルボニル基、カルボキシル基の保護基R1がメチル基)は、上記の非特許文献1に従い、4−ヒドロキシプロリンメチルエステルの塩酸塩から変換できる。
一般式[1]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体の不斉炭素の立体化学としては、2位と4位がそれぞれ独立にR配置またはS配置を採ることができ、立体化学の組み合わせとしては、4R/2R体、4S/2R体、4R/2S体または4S/2S体があり、各立体異性体のエナンチオマー過剰率(%ee)またはジアステレオマー過剰率(%de)としては、特に制限はないが、それぞれ90%eeまたは90%de以上を使用すればよく、通常は95%eeまたは95%de以上が好ましく、特に97%eeまたは97%de以上がより好ましい。
トリフルオロメタンスルホニルフルオリドの使用量としては、特に制限はないが、一般式[1]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体1モルに対して1モル以上を使用すればよく、通常は1〜10モルが好ましく、特に1〜5モルがより好ましい。
有機塩基としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリn−プロピルアミン、ピリジン、2,3−ルチジン、2,4−ルチジン、2,5−ルチジン、2,6−ルチジン、3,4−ルチジン、3,5−ルチジン、2,3,4−コリジン、2,4,5−コリジン、2,5,6−コリジン、2,4,6−コリジン、3,4,5−コリジン、及び、3,5,6−コリジンを用いる。その中でもトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリn−プロピルアミン、ピリジン、2,3−ルチジン、2,4−ルチジン、2,6−ルチジン、3,4−ルチジン、3,5−ルチジン、2,4,6−コリジンおよび3,5,6−コリジンが好ましく、特にトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、2,4−ルチジン、2,6−ルチジン、3,5−ルチジンおよび2,4,6−コリジンがより好ましい。
有機塩基の使用量としては、特に制限はないが、一般式[1]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体1モルに対して1モル以上を使用すればよく、通常は1〜10モルが好ましく、特に1〜7モルがより好ましい。
「有機塩基とフッ化水素からなる塩または錯体」の有機塩基としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリn−プロピルアミン、ピリジン、2,3−ルチジン、2,4−ルチジン、2,5−ルチジン、2,6−ルチジン、3,4−ルチジン、3,5−ルチジン、2,3,4−コリジン、2,4,5−コリジン、2,5,6−コリジン、2,4,6−コリジン、3,4,5−コリジン、及び、3,5,6−コリジンを用いる。その中でもトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリn−プロピルアミン、ピリジン、2,3−ルチジン、2,4−ルチジン、2,6−ルチジン、3,4−ルチジン、3,5−ルチジン、2,4,6−コリジンおよび3,5,6−コリジンが好ましく、特にトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、2,4−ルチジン、2,6−ルチジン、3,5−ルチジンおよび2,4,6−コリジンがより好ましい。
「有機塩基とフッ化水素からなる塩または錯体」の有機塩基とフッ化水素のモル比としては、100:1〜1:100の範囲であり、通常は50:1〜1:50の範囲が好ましく、特に25:1〜1:25の範囲がより好ましい。さらにアルドリッチ(Aldrich、2003−2004総合カタログ)から市販されている、「トリエチルアミン1モルとフッ化水素3モルからなる錯体」および、「ピリジン〜30%(〜10モル%)とフッ化水素〜70%(〜90モル%)からなる錯体」を使用するのが極めて便利である。
「有機塩基とフッ化水素からなる塩または錯体」の使用量としては、特に制限はないが、一般式[1]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体1モルに対してフッ素アニオン(F-)として0.3モル以上を使用すればよく、通常は0.5〜10モルが好ましく、特に1.0〜7モルがより好ましい。
反応溶媒としては、n−ヘキサン、シクロヘキサン、n−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系、塩化メチレン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、tert−ブチルメチルエーテル等のエーテル系、酢酸エチル、酢酸n−ブチル等のエステル系、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド系、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。その中でもn−ヘプタン、トルエン、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトニトリルおよびジメチルスルホキシドが好ましく、特にトルエン、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルホルムアミドおよびアセトニトリルがより好ましい。これらの反応溶媒は単独または組み合わせて使用することができる。
反応溶媒の使用量としては、特に制限はないが、一般式[1]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体1モルに対して0.1L(リットル)以上を使用すればよく、通常は0.1〜20Lが好ましく、特に0.2〜10Lがより好ましい。
温度条件としては、−100〜+100℃であり、通常は−80〜+80℃が好ましく、特に−60〜+60℃がより好ましい。トリフルオロメタンスルホニルフルオリドの沸点以上の温度条件で反応を行う場合には耐圧反応容器を使用することができる。
反応時間としては、0.1〜72時間であるが、基質および反応条件により異なるため、ガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー、NMR等の分析手段により反応の進行状況を追跡して原料が殆ど消失した時点を終点とすることが好ましい。
後処理としては、特に制限はないが、通常は反応終了液をアルカリ金属の無機塩基(例えば、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウムまたは炭酸カリウム等)の水溶液に注ぎ込み、有機溶媒(例えば、トルエン、塩化メチレンまたは酢酸エチル等)で抽出することにより粗生成物を得ることができる。トリフルオロメタンスルホニルフルオリドから副生するトリフルオロメタンスルホン酸と有機塩基からなる塩またはアルカリ金属塩は水に対する分配が格段に高いため、これらの塩を効率的に水洗除去することができ、蒸留等の負荷のかからない精製方法を採用することにより、目的とする一般式[2]で示される4−フルオロプロリン誘導体を高い化学純度で得ることができる。
さらに得られた4−フルオロプロリン誘導体の二級アミノ基の保護基Rとカルボキシル基の保護基R1を選択的にまたは同時に脱保護することにより、一般式[5]
Figure 0004675065
[式中、R1はカルボキシル基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−フルオロプロリンのカルボキシル基保護体、一般式[6]
Figure 0004675065
[式中、Rは二級アミノ基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−フルオロプロリンの二級アミノ基保護体、または式[7]
Figure 0004675065
[式中、*は不斉炭素を表す]で示される4−フルオロプロリンに変換できる。二級アミノ基の保護基Rとカルボキシル基の保護基R1の脱保護反応は、第4版 実験化学講座 22 有機合成IV 酸・アミノ酸・ペプチド(丸善、1992年、p.193−309)を参考にして行うことができる。また式[4]で示される4−フルオロプロリン誘導体(二級アミノ基の保護基Rがtert−ブトキシカルボニル基、カルボキシル基の保護基R1がメチル基)は、上記の非特許文献1に従い、式[8]
Figure 0004675065
[式中、Bocはtert−ブトキシカルボニル基を表す]で示される4−フルオロプロリンの二級アミノ基保護体に変換できる。
以下、実施例により本発明の実施の形態を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
[実施例1]
ステンレス鋼(SUS)製耐圧反応容器に、下記式
Figure 0004675065
で示される4−ヒドロキシプロリン保護体 20.06g(ガスクロマトグラフィー純度93.73%、76.66mmolとする、1.00eq)、アセトニトリル 108.7ml、トリエチルアミン 40.00ml(286.98mmol、3.74eq)とトリエチルアミン・三フッ化水素錯体[(C253N・3HF] 13.30ml(フッ素アニオンとして244.77mmol、3.19eq)を加え、内温を−35℃に冷却してトリフルオロメタンスルホニルフルオリド 18.80g(123.63mmol、1.61eq)をボンベより吹き込んだ。同温度で30分間攪拌し、さらに室温で24時間攪拌した。反応の変換率をガスクロマトグラフィーにより測定したところ99%以上であった。反応終了液を炭酸カリウムの水溶液[炭酸カリウム 45.21g(327.11mmol、4.27eq)と水 180mlから調整]に注ぎ込み、酢酸エチル 200mlで2回抽出した。さらに、有機層を10%食塩水 613mlで2回洗浄した。回収有機層は、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、減圧下濃縮し、真空乾燥し、下記式
Figure 0004675065
で示される4−フルオロプロリン誘導体の粗生成物 20.74gを濃褐色の油状物質として得た。粗生成物のガスクロマトグラフィー純度は87.96%であった。主な不純物は3種類あり、不純物A〜Cと命名すると、不純物A、不純物Bおよび不純物Cはそれぞれ5.49%、3.05%、<0.10%含まれていた。生成物の理論収量は18.95gで、粗生成物にはトリフルオロメタンスルホン酸の塩が殆ど含まれていないことが示唆された。そこで粗生成物中の目的生成物とトリフルオロメタンスルホン酸の塩のモル比を19F−NMRスペクトルにより測定したところ、目的生成物:トリフルオロメタンスルホン酸の塩=96.1:3.9であった。
粗生成物全量を蒸留精製し(減圧度270Pa、沸点116−122℃、油浴温度130−140℃)、蒸留精製品 15.99gを淡黄色の油状物質として得た。蒸留精製品のガスクロマトグラフィー純度は91.21%(不純物A、不純物Bおよび不純物Cはそれぞれ6.36%、1.58%、0.08%)であった。粗生成物にはトリフルオロメタンスルホン酸の塩が殆ど含まれていなかったことから、蒸留精製での脱Boc化は全く認められなかった。ガスクロマトグラフィー純度を考慮したトータル収率は77.0%であった。
4−フルオロプロリン誘導体の1H−NMRと19F−NMRスペクトルを下に示す(Boc基に起因する異性体の混合物として)。
1H−NMR(基準物質:(CH34Si,重溶媒:CDCl3)、δ ppm:1.43&1.49(s×2,トータル9H),1.95−2.55(トータル2H),3.51−3.94(トータル2H),3.75(S,3H),4.36−4.58(トータル1H),5.10−5.31(トータル1H),
19F−NMR(基準物質:C66,重溶媒:CDCl3)、δ ppm:−11.27(トータル1F).
トリフルオロメタンスルホン酸の塩の19F−NMRスペクトルを下に示す。
19F−NMR(基準物質:C66,重溶媒:CDCl3)、δ ppm:+83.36(s,3F).
[実施例2]
ステンレス鋼(SUS)製耐圧反応容器に、下記式
Figure 0004675065
で示される4−ヒドロキシプロリン保護体 18.78g(ガスクロマトグラフィー純度99.77%、76.39mmolとする、1.00eq)、アセトニトリル 108.7ml、2,6−ルチジン 40.00ml(343.44mmol、4.50eq)、ピリジン・フッ化水素錯体(30%ピリジン・70%フッ化水素) 7.03g(フッ素アニオンとして245.93mmol、3.22eq)を加え、内温を−35℃に冷却してトリフルオロメタンスルホニルフルオリド 18.83g(123.82mmol、1.62eq)をボンベより吹き込んだ。同温度で20分間攪拌し、さらに室温で24時間攪拌した。反応の変換率をガスクロマトグラフィーにより測定したところ99%以上であった。反応終了液を炭酸カリウムの水溶液[炭酸カリウム 45.42g(328.63mmol、4.30eq)と水 180mlから調整]に注ぎ込み、酢酸エチル 200mlで2回抽出した。さらに、有機層を10%食塩水 613mlで3回洗浄した。回収有機層は、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、減圧下濃縮し、真空乾燥し、下記式
Figure 0004675065
で示される4−フルオロプロリン誘導体の粗生成物 32.70gを淡褐色の油状物質として得た。粗生成物のガスクロマトグラフィー純度は87.70%であった(後述の2,6−ルチジンを除いた純度)。主な不純物は3種類あり、不純物A〜Cと命名すると、不純物A、不純物Bおよび不純物Cはそれぞれ5.55%、1.63%、5.12%含まれていた(後述の2,6−ルチジンを除いた純度)。生成物の理論収量は18.89gで、粗生成物にはガスクロマトグラフィー分析より2,6−ルチジンが約14g程度含まれていることが示唆された。粗生成物中の目的生成物とトリフルオロメタンスルホン酸の塩のモル比を19F−NMRスペクトルにより測定したところ、目的生成物:トリフルオロメタンスルホン酸の塩=98.3:1.7であった。
粗生成物全量を蒸留精製し(減圧度200Pa、沸点108−112℃、油浴温度130−140℃)、蒸留精製品 12.96gを淡黄色の油状物質として得た。蒸留精製品のガスクロマトグラフィー純度は90.05%(不純物A、不純物Bおよび不純物Cはそれぞれ3.48%、0.97%、4.25%、2,6−ルチジンは0.60%)であった。粗生成物にはトリフルオロメタンスルホン酸の塩が殆ど含まれていなかったことから、蒸留精製での脱Boc化は殆ど認められなかった(0.66%)。ガスクロマトグラフィー純度を考慮したトータル収率は61.8%であった。
4−フルオロプロリン誘導体の1H−NMRと19F−NMRスペクトル、およびトリフルオロメタンスルホン酸の塩の19F−NMRスペクトルは実施例1で得られたものと同様であった。
[比較例1]
ガラス製反応容器に、下記式
Figure 0004675065
で示される4−ヒドロキシプロリン保護体 20.01g(ガスクロマトグラフィー純度93.73%、76.47mmolとする、1.00eq)、アセトニトリル 108.7ml、トリエチルアミン 40.00ml(286.98mmol、3.75eq)とトリエチルアミン・三フッ化水素錯体[(C253N・3HF] 13.30ml(フッ素アニオンとして244.77mmol、3.20eq)を加え、内温を−30℃に冷却してパーフルオロブタンスルホニルフルオリド 30.02g(99.37mmol、1.30eq)を加えた。同温度で30分間攪拌し、さらに室温で24時間攪拌した。反応の変換率をガスクロマトグラフィーにより測定したところ99%以上であった。反応終了液を炭酸カリウムの水溶液[炭酸カリウム 45.36g(328.20mmol、4.29eq)と水 180mlから調整]に注ぎ込み、酢酸エチル 200mlで2回抽出した。さらに、有機層を10%食塩水 613mlで2回洗浄した。回収有機層は、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、減圧下濃縮し、真空乾燥し、下記式
Figure 0004675065
で示される4−フルオロプロリン誘導体の粗生成物 72.83gを淡黄色のワックス状物質として得た。粗生成物のガスクロマトグラフィー純度は88.96%であった。主な不純物は3種類あり、不純物A〜Cと命名すると、不純物A、不純物Bおよび不純物Cはそれぞれ6.91%、4.13%、<0.10%含まれていた。生成物の理論収量は18.91gで、粗生成物にはパーフルオロブタンスルホン酸の塩が多量に含まれていることが示唆された。そこで粗生成物中の目的生成物とパーフルオロブタンスルホン酸の塩のモル比を19F−NMRスペクトルにより測定したところ、目的生成物:パーフルオロブタンスルホン酸の塩=43.6:56.4であった。
粗生成物全量を蒸留精製し[減圧度400−670Pa(さらに減圧度を上げても留出せず)、沸点85−98℃、油浴温度140−150℃]、蒸留精製品 5.76gを淡黄色の油状物質として得た。蒸留精製品のガスクロマトグラフィー純度は50.60%(不純物A、不純物Bおよび不純物Cはそれぞれ8.12%、0.79%、0.14%)であった。粗生成物にはパーフルオロブタンスルホン酸の塩が多量に含まれていたことから、蒸留精製での脱Boc化が相当に認められた(40.35%、下記式構造)。
Figure 0004675065
ガスクロマトグラフィー純度を考慮したトータル収率は15.4%であった。4−フルオロプロリン誘導体の1H−NMRと19F−NMRスペクトルは実施例1で得られたものと同様であった。パーフルオロブタンスルホン酸の塩の19F−NMRスペクトルを下に示す。
19F−NMR(基準物質:C66,重溶媒:CDCl3)、δ ppm:+35.79(2F),+40.12(2F),+47.26(2F),+80.90(3F).
[参考例1]
ガラス製反応容器に、パーフルオロブタンスルホン酸カリウム(C49SO3K) 2.02g(5.97mmol)、水 30mlと酢酸エチル 30mlを加え、室温で2時間攪拌した。静定後、有機層と水層を分液し、それぞれの層に含まれるパーフルオロブタンスルホン酸カリウムのモル比を19F−NMRスペクトルにより測定したところ、有機層:水層=26.0:74.0であった。
[参考例2]
ガラス製反応容器に、トリフルオロメタンスルホン酸カリウム(CF3SO3K) 1.13g(6.01mmol)、水 30mlと酢酸エチル 30mlを加え、室温で2時間攪拌した。静定後、有機層と水層を分液し、それぞれの層に含まれるトリフルオロメタンスルホン酸カリウムのモル比を19F−NMRスペクトルにより測定したところ、有機層:水層=0.8:99.2であった。

Claims (6)

  1. 一般式[1]
    Figure 0004675065
    [式中、Rは二級アミノ基の保護基を表し、R1はカルボキシル基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体をトリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリn−プロピルアミン、ピリジン、2,3−ルチジン、2,4−ルチジン、2,5−ルチジン、2,6−ルチジン、3,4−ルチジン、3,5−ルチジン、2,3,4−コリジン、2,4,5−コリジン、2,5,6−コリジン、2,4,6−コリジン、3,4,5−コリジン、及び、3,5,6−コリジンからなる群より選ばれる少なくとも一つの有機塩基と「トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリn−プロピルアミン、ピリジン、2,3−ルチジン、2,4−ルチジン、2,5−ルチジン、2,6−ルチジン、3,4−ルチジン、3,5−ルチジン、2,3,4−コリジン、2,4,5−コリジン、2,5,6−コリジン、2,4,6−コリジン、3,4,5−コリジン、及び、3,5,6−コリジンからなる群より選ばれる少なくとも一つの有機塩基とフッ化水素からなる塩または錯体」の存在下にトリフルオロメタンスルホニルフルオリド(CF3SO2F)と反応させることにより、一般式[2]
    Figure 0004675065
    [式中、Rは二級アミノ基の保護基を表し、R1はカルボキシル基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−フルオロプロリン誘導体を製造する方法。
  2. 一般式[1]
    Figure 0004675065
    [式中、Rは二級アミノ基の保護基を表し、R1はカルボキシル基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体をトリエチルアミン[(C253N]と「トリエチルアミンとフッ化水素からなる塩または錯体」の存在下にトリフルオロメタンスルホニルフルオリド(CF3SO2F)と反応させることにより、一般式[2]
    Figure 0004675065
    [式中、Rは二級アミノ基の保護基を表し、R1はカルボキシル基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−フルオロプロリン誘導体を製造する方法。
  3. 一般式[1]
    Figure 0004675065
    [式中、Rは二級アミノ基の保護基を表し、R1はカルボキシル基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体をルチジン[(CH3253N]またはコリジン[(CH3352N]と、「ピリジン(C55N)とフッ化水素からなる塩または錯体」の存在下にトリフルオロメタンスルホニルフルオリド(CF3SO2F)と反応させることにより、一般式[2]
    Figure 0004675065
    [式中、Rは二級アミノ基の保護基を表し、R1はカルボキシル基の保護基を表し、*は不斉炭素を表す]で示される4−フルオロプロリン誘導体を製造する方法。
  4. 式[3]
    Figure 0004675065
    [式中、Bocはtert−ブトキシカルボニル基を表す]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体をトリエチルアミン[(C253N]と「トリエチルアミンとフッ化水素からなる塩または錯体」の存在下にトリフルオロメタンスルホニルフルオリド(CF3SO2F)と反応させることにより、式[4]
    Figure 0004675065
    [式中、Bocはtert−ブトキシカルボニル基を表す]で示される4−フルオロプロリン誘導体を製造する方法。
  5. 式[3]
    Figure 0004675065
    [式中、Bocはtert−ブトキシカルボニル基を表す]で示される4−ヒドロキシプロリン保護体をルチジン[(CH3253N]またはコリジン[(CH3352N]と、「ピリジン(C55N)とフッ化水素からなる塩または錯体」の存在下にトリフルオロメタンスルホニルフルオリド(CF3SO2F)と反応させることにより、式[4]
    Figure 0004675065
    [式中、Bocはtert−ブトキシカルボニル基を表す]で示される4−フルオロプロリン誘導体を製造する方法。
  6. 請求項1乃至請求項5の何れかの方法で4−フルオロプロリン誘導体を合成した後、得られた反応混合液をアルカリ金属の無機塩基の水溶液で洗浄し、かかる後に、該反応混合物を蒸留精製することを特徴とする、請求項1乃至請求項5の何れかに記載の方法。
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