JP4644881B2 - ルテニウム錯体の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、従来製法に比べて穏やかな反応条件で、かつ、工業的に簡便にカルボキシラート錯体を製造できる方法を提供することを課題とする。
[RuX(L)(PP)]X (1)
(式(1)中、Ruはルテニウム原子を示し、Xはハロゲン原子を示し、Lはアレーンを示し、PPは光学活性ビスホスフィンを示す。)
で示されるルテニウム化合物(以下、ルテニウム化合物(1)ということがある。)を錯体製造の前駆体として用い、これにカルボン酸塩を反応させることにより、短工程、かつ、簡便に目的とするカルボキシラート錯体を製造できることを見出した。
[RuX(L)(PP)]X (1)
(式(1)中、Ruはルテニウム原子を示し、Xはハロゲン原子を示し、Lはアレーンを示し、PPは光学活性ビスホスフィンを示す。)
で示されるルテニウム化合物に、一般式(2)
R1CO2M (2)
(式(2)中、Mは一価のカチオンを示し、R1はアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、1−アミノアルキル基及び1−アミノ−1−フェニルアルキル基からなる群より選ばれる基を示す。)
で示されるカルボン酸塩を反応させることを特徴とする一般式(3)
Ru(OCOR1)2(PP) (3)
(式(3)中、R1はアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、1−アミノアルキル基及び1−アミノ−1−フェニルアルキル基からなる群より選ばれる基を示し、PPは光学活性ビスホスフィンを示す。)
で示されるルテニウム錯体の製造方法を提供する。
[RuX2(L)]n (7)
(式(1)中、Ruはルテニウム原子を示し、Xはハロゲン原子を示し、Lはアレーンを示し、nは2以上の自然数を示す。)
で示されるルテニウム化合物に、光学活性ビスホスフィン及び一般式(2)
R1CO2M (2)
(式(2)中、Mは一価のカチオンを示し、R1はアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、1−アミノアルキル基及び1−アミノ−1−フェニルアルキル基からなる群より選ばれる基を示す。)
で示されるカルボン酸塩を反応させることを特徴とする一般式(3)
Ru(OCOR1)2(PP) (3)
(式(3)中、R1はアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、1−アミノアルキル基及び1−アミノ−1−フェニルアルキル基からなる群より選ばれる基を示し、PPは光学活性ビスホスフィンを示す。)
で示されるルテニウム錯体の製造方法を提供する。
本発明の、一般式(3)
Ru(OCOR1)2(PP) (3)
で示されるルテニウム錯体の製造方法は、一般式(1)
[RuX(L)(PP)]X (1)
で示されるルテニウム化合物に、一般式(2)
R1CO2M (2)
で示されるカルボン酸塩(以下、カルボン酸塩(2)ということがある。)を反応させることを特徴とする。
式(1)中、Lはアレーン(arene)を示し、好ましくはアルキル基で置換されていてもよいベンゼン、より好ましくはp−シメン(p−cymene)、ベンゼン(benzene)、メシチレン(mesitylene)、トルエン(toluene)、o−,m−,p−キシレン(o−,m−,p−xylene)である。
式(1)中、PPは光学活性ビスホスフィンを示し、該光学活性ビスホスフィンとしては、例えば下記の一般式(6)で表されるものが挙げられる。
R2R3P−Q−PR4R5 (6)
(式(6)中、R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルキル基を表し、R2とR3とで及び/又はR4とR5とで環を形成してもよい。Qは置換基を有していてもよい二価のアリーレン基又はフェロセンジイル基を表す。)
上記式中、R2、R3、R4及びR5で表される、置換基を有していてもよいアリール基としては、例えば炭素数6〜14のアリール基が挙げられ、具体的にはフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ビフェニル基などが挙げられる。これらアリール基は1又は2以上の置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、複素環基などが挙げられる。
アリール基の置換基としてのアルコキシ基としては、直鎖状又は分岐状の、例えば炭素数1〜6のアルコキシ基が挙げられ、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、イソブトキシ基及びt−ブトキシ基などが挙げられる。
アリール基の置換基としてのアリール基としては、例えば炭素数6〜14のアリール基が挙げられ、具体的にはフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ビフェニル基などが挙げられる。
アリール基の置換基としての複素環基としては、脂肪族複素環基及び芳香族複素環基が挙げられ、脂肪族複素環基としては、例えば炭素数2〜14で、ヘテロ原子として少なくとも1個、好ましくは1〜3個の窒素原子、酸素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を含んでいる、5〜8員、好ましくは5又は6員の単環、多環又は縮合環の脂肪族複素環基が挙げられる。脂肪族複素環基の具体例としては、例えば2−オキソピロリジル基、ピペリジノ基、ピペラジニル基、モルホリノ基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチエニル基などが挙げられる。一方、芳香族複素環基としては、例えば炭素数2〜15で、ヘテロ原子として少なくとも1個、好ましくは1〜3個の窒素原子、酸素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を含んでいる、5〜8員、好ましくは5又は6員の単環式、多環式又は縮合環式の芳香族複素環基が挙げられ、具体的にはフリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、ナフチリジニル基、シンノリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基などが挙げられる。
また、R2、R3、R4及びR5で表される、置換基を有していてもよいアルキル基としては、直鎖状又は分岐状の、例えば炭素数1〜15、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜6のアルキル基が挙げられる。具体例としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基などが挙げられる。これらアルキル基は1又は2以上の置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
また、Qで表される、置換基を有していてもよい二価のアリーレン基としては、フェニレン基、ビフェニルジイル基、ビナフタレンジイル基などが挙げられる。フェニレン基としては、o又はm−フェニレン基が挙げられ、該フェニレン基は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基及びt−ブチル基などのアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、イソブトキシ基及びt−ブトキシ基などのアルコキシ基;水酸基、アミノ基又は置換アミノ基などで置換されていてもよい。ビフェニルジイル基及びビナフタレンジイル基としては、1,1'−ビアリール−2,2'−ジイル型の構造を有するものが好ましく、該ビフェニルジイル基及びビナフタレンジイル基は、前記したようなアルキル基、アルコキシ基、例えばメチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基、トリメチレンジオキシ基などのアルキレンジオキシ基、水酸基、アミノ基、置換アミノ基などで置換されていてもよい。また、フェロセンジイル基も置換基を有していてもよく、置換基としては、前記したようなアルキル基、アルコキシ基、アルキレンジオキシ基、水酸基、アミノ基、置換アミノ基などが挙げられる。
R6及びR7の具体例としては、例えばフェニル基、p−トリル基、m−トリル基、o−トリル基、3,5−キシリル基、3,5−ジ−t−ブチルフェニル基、p−t−ブチルフェニル基、p−メトキシフェニル基、3,5−ジ−t−ブチル−4−メトキシフェニル基、p−クロロフェニル基、m−クロロフェニル基、p−フルオロフェニル基、m−フルオロフェニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
また、一般式(4)で表される化合物の基本骨格であるビナフチル環は、置換基で置換されていてもよく、該置換基としては、例えばメチル基、t−ブチル基などのアルキル基;メトキシ基、t−ブトキシ基などのアルコキシ基;トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基などのトリアルキルシリル基及びトリフェニルシリル基などのトリアリールシリル基が挙げられる。
R10、R11及びR12のうちの2つの基で置換基を有していてもよいメチレン鎖を形成する場合、並びにR13、R14及びR15のうちの2つの基で置換基を有していてもよいメチレン鎖を形成する場合のメチレン鎖としては、例えば炭素数3〜5のメチレン鎖が好ましく、具体的にはトリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基などが挙げられる。また、該置換基を有していてもよいメチレン鎖における置換基としては、アルキル基及びハロゲン原子などが挙げられ、その具体例としては、例えば炭素数1〜6の前記したようなアルキル基及びフッ素原子などが挙げられる。
また、R10、R11及びR12のうちの2つの基で置換基を有していてもよい(ポリ)メチレンジオキシ基を形成する場合、並びにR13、R14及びR15のうちの2つの基で置換基を有していてもよい(ポリ)メチレンジオキシ基を形成する場合の(ポリ)メチレンジオキシ基の具体例としては、例えばメチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基、トリメチレンジオキシ基などが挙げられる。また、該(ポリ)メチレンジオキシ基に置換する置換基としては、アルキル基及びハロゲン原子などが挙げられ、その具体例としては、例えば炭素数1〜6の前記したようなアルキル基及びフッ素原子などが挙げられる。
式(2)中、R1はアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、1−アミノアルキル基及び1−アミノ−1−フェニルアルキル基からなる群より選ばれる基を示す。
式(2)においてR1で示されるアルキル基としては、炭素数1〜10、好ましくは炭素数1〜6の直鎖又は分岐状のアルキル基が挙げられる。R1で示される具体的なアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などが挙げられる。
式(2)においてR1で示されるハロゲン化アルキル基としては、炭素数1〜10、好ましくは炭素数1〜4の直鎖又は分岐状のハロゲン化アルキル基が挙げられる。R1で示される具体的なハロゲン化アルキル基としては、例えばフルオロメチル基、クロロメチル基、ジフルオロメチル基、ジクロロメチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、ペンタフルオロエチル基などのモノ又はポリハロゲン化アルキル基が挙げられる。
式(2)においてR1で示される置換基を有していてもよいフェニル基の置換基としては、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4の直鎖又は分岐状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基などの炭素数1〜4の直鎖又は分岐状のアルコキシ基、トリフルオロメチル基などの炭素数1〜4のハロゲン化アルキル基、塩素原子、フッ素原子などのハロゲン原子、ニトロ基などが挙げられる。
式(2)においてR1で示される1−アミノアルキル基のアルキル基としては、炭素数1〜10、好ましくは炭素数1〜4の直鎖又は分岐状のアルキル基が挙げられる。R1で示される具体的な1−アミノアルキル基としては、例えばアミノメチル基、1−アミノエチル基、1−アミノプロピル基、1−アミノブチル基などが挙げられる。
式(2)においてR1で示される1−アミノ−1−フェニルアルキル基のアルキル基としては、炭素数1〜10、好ましくは炭素数1〜4の直鎖又は分岐状のアルキル基が挙げられる。R1で示される具体的な1−アミノ−1−フェニルアルキル基としては、例えばアミノフェニルメチル基、1−アミノ−1−フェニルエチル基、1−アミノ−1−フェニルプロピル基、1−アミノ−1−フェニルブチル基などが挙げられる。
前記製造方法におけるカルボン酸塩(2)の使用量は、ルテニウム化合物(1)中のルテニウム原子1モルに対して通常2モル以上、好ましくは2〜10モル、より好ましくは2〜3モルである。
溶媒としては、反応を阻害しないものであれば特に制限はないが、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、メチレンクロライド、ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素類、アセトニトリル、ベンゾニトリルなどの配位性溶媒などが挙げられる。
溶媒は、単独で用いてもよいし、2種類以上を混合して用いてもよい。溶媒の使用量は、特に制限はないが、中性配位子に対して通常1〜100重量部であり、好ましくは5〜20重量部である。
前記製造方法においては、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
反応温度は通常30℃以上、好ましくは40〜80℃である。
反応終了後、反応混合物から濾過、濃縮、抽出、洗浄、乾燥等の所望の分離操作を行うことで目的のカルボキシラート錯体(一般式(3))を得ることができる。
Ru(OCOR1)2(PP) (3)
で示されるルテニウム錯体の製造方法は、一般式(7)
[RuX2(L)]n (7)
で示されるルテニウム化合物(以下、ルテニウム化合物(7)ということがある。)に、光学活性ビスホスフィン及び一般式(2)
R1CO2M (2)
で示されるカルボン酸塩を反応させることを特徴とする。
一般式(7)におけるX及びL、並びに光学活性ビスホスフィン(PP)については、一般式(1)における説明と同様である。また、一般式(2)については、先に説明したとおりである。
溶媒としては、反応を阻害しないものであれば特に制限はないが、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、メチレンクロライド、ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素類、アセトニトリル、ベンゾニトリルなどの配位性溶媒などが挙げられる。好ましくは、アミド化合物以外の溶媒である。
溶媒は、単独で用いてもよいし、2種類以上を混合して用いてもよい。溶媒の使用量は、特に制限はないが、中性配位子に対して通常1〜100重量部であり、好ましくは5〜20重量部である。
前記製造方法においては、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
反応温度は通常30℃以上、好ましくは40〜80℃である。
反応終了後、反応混合物から濾過、濃縮、抽出、洗浄、乾燥等の所望の分離操作を行うことで目的のカルボキシラート錯体(一般式(3))を得ることができる。
Ru(OAc)2((R)−tol−binap)の合成
[RuCl(p−cymene)(R)−tol−binap]Cl(1g、1.1mmol)、NaOAc・3H2O(455mg、3.3mmol)、トルエン(7ml)、エタノール(2.7ml)をフラスコに入れ、46℃で2時間攪拌した。反応液の水洗を数回行い、濃縮することにより表題化合物0.8gを得た。
1H−NMR(CDCl3,δppm):1.78(6H,s),1.85(6H,s),2.39(6H,s),6.28−7.74(28H,m)
Ru(OAc)2((R)−tol−binap)の合成
[RuCl2(p−cymene)]2(612mg、1mmol)、(R)−Tol−BINAP(1.4g、2mmol)をフラスコにいれ、窒素置換した。その後、トルエン(14ml)、メタノール(1.4ml)を加え、50℃で1時間攪拌した。その後、NaOAc・3H2O(0.82g、6mmol)を加えて更に2時間同温で攪拌した。反応液の水洗を数回行い、濃縮することにより表題化合物1.8gを得た。
Ru(OAc)2((S)−binap)の合成
[RuCl(p−cymene)(S)−binap](1g、1.1mmol)、NaOAc・3H2O(455mg、3.3mmol)、トルエン(7ml)、メタノール(3ml)をフラスコに入れ、50℃で2時間攪拌した。反応液の水洗を数回行い、濃縮することにより表題化合物0.87gを得た。
1H−NMR(CDCl3,δppm):1.81(6H,s), 6.5−7.86(32H,m)
Ru(OAc)2((S)−binap)の合成
[RuCl2(p−cymene)]2(12.3g、80mmol)、(S)−BINAP(25g、40mmol)、トルエン(240ml)、エタノール(50ml)をフラスコに入れ、45℃で1時間撹拌した。その後、NaOAc・3H2O(16g、12mmol)を加え、同温で3時間攪拌した。反応液の水洗を数回行い、溶媒を濃縮後、ヘプタンを加え、晶析し、表題化合物28.1gを得た。
Ru(OAc)2((S)−binap)の合成
[RuCl2(benzene)]2(500mg、4mmol)、(S)−BINAP(1.2g、2mmol)、トルエン(12ml)、メタノール(3ml)をフラスコに入れ、50℃で1時間撹拌した。その後、NaOAc・3H2O(790mg、6mmol)を加え、同温で2時間攪拌した。反応液の水洗を数回行い、溶媒を濃縮した後に得られた残渣にヘプタンを加え、晶析して表題化合物1.6gを得た。
Ru(OCOCH2CH3)2((S)−binap)の合成
[RuCl2(p−cymene)]2(612mg、1mmol)、(S)−BINAP(1.2g、2mmol)をフラスコに入れ、窒素置換した。その後、トルエン(12ml)、メタノール(3ml)を加え、50℃で1時間攪拌した。その後、CH3CH2CO2Na(576mg、6mmol)を加え、更に2時間同温で攪拌した。反応液の水洗を数回行い、濃縮することにより表題化合物1.7gを得た。
1H−NMR(CDCl3,δppm):0.77(6H,t,J=7.8Hz),1.97(4H,q,J = 7.5Hz)),6.42−7.72(32H,m)
Ru(OAc)2((S)−segphos)の合成
[RuCl2(p−cymene)]2(612mg,1mmol)、(S)−SEGPHOS(1.22g、2mmol)、トルエン(12ml)、メタノール(3ml)をフラスコに入れ、50℃で1時間撹拌した。その後、NaOAc・3H2O(816mg、6mmol)を加え、同温で2時間攪拌した。反応液の水洗を数回行い、濃縮することにより表題化合物1.46gを得た。
1H−NMR(CDCl3,δppm):1.76(6H,s),5.37(2H,d,J=1.5Hz),5.72(2H,d,J=1.2Hz),6.25(2H,d、J=8.1Hz),6.47−6.53(2H,m),7.02−7.67(20H,m)
Ru(OAc)2((S)−dm−segphos)の合成
[RuCl2(p−cymene)]2(12g,78mmol)、(S)−DM−SEGPHOS(28.3g、40mmol)、トルエン(120ml)、エタノール(24ml)をフラスコに入れ、45℃で1時間撹拌した。その後、NaOAc・3H2O(10.7g、12mmol)を加え、同温で3時間攪拌した。反応液の水洗を数回行い、溶媒を濃縮した後に得られた残渣にヘプタンを加え、晶析して表題化合物33.2gを得た。
1H−NMR(CDCl3,δppm):1.68(6H,s),2.07(12H,s),2.33(12H,s),5.31(2H,d,J=1.2Hz),5.70(2H,d,J=1.2Hz),6.29−7.25(16H,m)
Ru(OAc)2((S)−dtbm−segphos)の合成
[RuCl2(p−cymene)]2(306.2mg,1mmol)、(S)−DTBM−SEGPHOS(1.2g、1mmol)、THF(12ml)、NaOAc(166mg、2mmol)をフラスコに入れ、64℃で3時間攪拌した。反応終了後、THFを濃縮した後に得られた残渣にトルエン10mlを加え、水洗を数回行い、濃縮して表題化合物1.2gを得た。
31P−NMR(CDCl3,δppm)66.63(s)
Ru(OAc)2((S)−binap)の合成
[RuCl2(p−cymene)]2(1.2g、2mmol)、(S)−BINAP(2.5g、4mmol)、NaOAc・3H2O(1.6g、12mmol)をフラスコに入れ、窒素置換した。その後、トルエン(12ml)、エタノール(2ml)を加え、75℃で3時間撹拌した。反応液の水洗を数回行い、濃縮することにより表題化合物2.5gを得た。
Claims (5)
- 一般式(1)
[RuX(L)(PP)]X (1)
(式(1)中、
Ruはルテニウム原子を示し、
Xはハロゲン原子を示し、
Lはアレーンを示し、
PPは光学活性ビスホスフィンを示す。)
で示されるルテニウム化合物に、一般式(2)
R1CO2M (2)
(式(2)中、
Mは一価のカチオンを示し、
R1はアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、1−アミノアルキル基及び1−アミノ−1−フェニルアルキル基からなる群より選ばれる基を示す。)
で示されるカルボン酸塩を反応させることを特徴とする一般式(3)
Ru(OCOR1)2(PP) (3)
(式(3)中、
R1はアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、1−アミノアルキル基及び1−アミノ−1−フェニルアルキル基からなる群より選ばれる基を示し、
PPは光学活性ビスホスフィンを示す。)
で示されるルテニウム錯体の製造方法。 - 一般式(1)における光学活性ビスホスフィンが下記式(4)又は(5)
(式(4)中、
R6及びR7は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基及びアルコキシ基からなる群より選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示すか、又はシクロペンチル基若しくはシクロヘキシル基を示す。)
(式(5)中、
R8及びR9は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基及びアルコキシ基からなる群より選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示すか、又はシクロペンチル基若しくはシクロヘキシル基を示し、
R10、R11、R13及びR14は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基及びジアルキルアミノ基からなる群より選ばれる基を示し、
R12及びR15は、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基及びジアルキルアミノ基からなる群より選ばれる基を示し、
R10、R11及びR12のうちの2つの基は一緒になって置換基を有していてもよいメチレン鎖又は置換基を有していてもよい(ポリ)メチレンジオキシ基を形成していてもよく、
R13、R14及びR15のうちの2つの基は一緒になって置換基を有していてもよいメチレン鎖又は置換基を有していてもよい(ポリ)メチレンジオキシ基を形成していてもよく、
R12及びR15は一緒になって置換基を有していてもよいメチレン鎖又は置換基を有していてもよい(ポリ)メチレンジオキシ基を形成していてもよい。)
で示される光学活性ビスホスフィンである、請求項1に記載の製造方法。 - 一般式(7)
[RuX2(L)]n (7)
(式(7)中、
Ruはルテニウム原子を示し、
Xはハロゲン原子を示し、
Lはアレーン(ベンゼンを除く)を示し、
nは2以上の自然数を示す。)
で示されるルテニウム化合物に、光学活性ビスホスフィン及び一般式(2)
R1CO2M (2)
(式(2)中、
Mは一価のカチオンを示し、
R1はアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、1−アミノアルキル基及び1−アミノ−1−フェニルアルキル基からなる群より選ばれる基を示す。)
で示されるカルボン酸塩を反応させることを特徴とする一般式(3)
Ru(OCOR1)2(PP) (3)
(式(3)中、
R1はアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、1−アミノアルキル基及び1−アミノ−1−フェニルアルキル基からなる群より選ばれる基を示し、
PPは光学活性ビスホスフィンを示す。)
で示されるルテニウム錯体の製造方法。 - 一般式(7)
[RuX 2 (L)] n (7)
(式(7)中、
Ruはルテニウム原子を示し、
Xはハロゲン原子を示し、
Lはアレーンを示し、
nは2以上の自然数を示す。)
で示されるルテニウム化合物に、光学活性ビスホスフィン及び一般式(2)
R 1 CO 2 M (2)
(式(2)中、
Mは一価のカチオンを示し、
R 1 はアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、1−アミノアルキル基及び1−アミノ−1−フェニルアルキル基からなる群より選ばれる基を示す。)
で示されるカルボン酸塩を反応させることを特徴とする一般式(3)
Ru(OCOR 1 ) 2 (PP) (3)
(式(3)中、
R 1 はアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、1−アミノアルキル基及び1−アミノ−1−フェニルアルキル基からなる群より選ばれる基を示し、
PPは光学活性ビスホスフィンを示す。)
で示されるルテニウム錯体の製造方法であって、使用される溶媒がアミド化合物以外の溶媒である、製造方法。 - 光学活性ビスホスフィンが下記式(4)又は(5)
(式(4)中、
R6及びR7は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基及びアルコキシ基からなる群より選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示すか、又はシクロペンチル基若しくはシクロヘキシル基を示す。)
(式(5)中、
R8及びR9は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基及びアルコキシ基からなる群より選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示すか、又はシクロペンチル基若しくはシクロヘキシル基を示し、
R10、R11、R13及びR14は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基及びジアルキルアミノ基からなる群より選ばれる基を示し、
R12及びR15は、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基及びジアルキルアミノ基からなる群より選ばれる基を示し、
R10、R11及びR12のうちの2つの基は一緒になって置換基を有していてもよいメチレン鎖又は置換基を有していてもよい(ポリ)メチレンジオキシ基を形成していてもよく、
R13、R14及びR15のうちの2つの基は一緒になって置換基を有していてもよいメチレン鎖又は置換基を有していてもよい(ポリ)メチレンジオキシ基を形成していてもよく、
R12及びR15は一緒になって置換基を有していてもよいメチレン鎖又は置換基を有していてもよい(ポリ)メチレンジオキシ基を形成していてもよい。)
で示される光学活性ビスホスフィンである、請求項3又は4に記載の製造方法。
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