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JP4523661B1 - 原子層堆積装置及び薄膜形成方法 - Google Patents

原子層堆積装置及び薄膜形成方法 Download PDF

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Abstract

【課題】原子層堆積法により、簡易な構成で均一な膜質の薄膜を形成する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置１０であって、第１の内部空間を形成する容器であって、基板を搬入又は搬出するための基板搬入出口２８と、基板上に薄膜を形成するガスを内部に導入するためのガス導入口２９とを異なる位置に備える第１の容器２０と、第１の容器２０の内部に設けられ、第１の内部空間と隔てられる第２の内部空間を形成し、第１の開口を備える第２の容器６０と、第２の容器６０を所定の方向に移動する第１の移動機構３６と、基板を搬入又は搬出する場合、基板搬入出口と第１の開口とが対向する第１の位置に第２の容器６０を移動し、基板上に薄膜を形成する場合、ガス導入口と第１の開口とが対向する第２の位置に第２の容器６０を移動するように第１の移動機構を制御する制御部１００と、を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板上に薄膜を形成する原子層堆積（以下、省略してＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）ともいう）装置、及び原子層堆積法により基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法に関する。
ＡＬＤ法は、形成しようとする膜を構成する元素を主成分とする２種類のガスを成膜対象基板上に交互に供給し、基板上に原子層単位で薄膜を形成することを複数回繰り返して所望厚さの膜を形成する薄膜形成技術である。例えば、基板上にＳｉＯ2膜を形成する場合、Ｓｉを含む原料ガスとＯを含む酸化ガスが用いられる。また、基板上に窒化膜を形成する場合、酸化ガスの代わりに窒化ガスが用いられる。
ＡＬＤ法では、原料ガスを供給している間に１層あるいは数層の原料ガス成分だけが基板表面に吸着され、余分な原料ガスは成長に寄与しない、いわゆる成長の自己停止作用（セルフリミット機能）を利用する。
ＡＬＤ法は、一般的なＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法と比較して高い段差被覆性と膜厚制御性を併せ持ち、メモリ素子のキャパシタや、「high-kゲート」と呼ばれる絶縁膜の形成への実用化が期待されている。また、３００℃以下の温度で絶縁膜が形成可能であるため、液晶ディスプレイなどのように、ガラス基板を用いる表示装置の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の形成への適用なども期待されている。
下記特許文献１には、基板上に薄膜を形成するＡＬＤ装置であって、少なくとも一種類の原料ガスを基板に吸着させる原料ガス吸着室と、少なくとも一種類の反応性ガスを基板に照射する反応性ガス照射室と、上記原料ガス吸着室と反応性ガス照射室との間で基板を入れ替える手段と、を有するＡＬＤ装置が記載されている。
当該装置は、ＡＬＤ法による真空成膜において、成膜室の頻繁なメンテナンスが不要で効率良く成膜しうる装置を提供することを課題として実現されたものである。
特開２００８−２４００７７号公報
上記特許文献１では、必要な工程毎に成膜室を分けたことにより、原料ガス吸着室、反応性ガス照射室のいずれにおいても、室内の壁面に成膜されることがなく、従来のような成膜室のメンテナンスが不要になり、成膜室を分けたことにより、反応性の高いラジカルを有効に使うことが可能となる、と記載されている。しかし、このような装置は、装置自体が大掛かりになり、コストは増大する。特に、一辺が２ｍを超える第８世代のガラス板等を、薄膜を形成する対象基板とした場合、設置面積および設備コストは大幅に増大する。
そこで、本発明は、コストを抑えるべく、上記ＡＬＤ装置の構成と異なり、成膜室を１つとする構成であって、均一な膜質の薄膜を基板上に形成することのできる原子層堆積装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。
本発明の原子層堆積装置は、基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、第１の内部空間を形成する容器であって、基板を搬入又は搬出するための基板搬入出口と、基板上に薄膜を形成するガスを内部に導入するためのガス導入口とを異なる位置に備える第１の容器と、前記第１の容器の内部に設けられ、前記第１の内部空間と隔てられる第２の内部空間を形成し、第１の開口を備える第２の容器と、前記第２の容器を所定の方向に移動する第１の移動機構と、基板を搬入又は搬出する場合、前記基板搬入出口と前記第１の開口とが対向する第１の位置に前記第２の容器を移動し、基板上に薄膜を形成する場合、前記ガス導入口と前記第１の開口とが対向する第２の位置に前記第２の容器を移動するように、前記第１の移動機構を制御する制御部と、を有することを特徴とする。
また、本発明の薄膜形成方法は、第１の内部空間を形成する第１の容器と、該第１の容器の内部に設けられ、該第１の内部空間と隔てられる第２の内部空間を形成する第２の容器とを用い、原子層堆積方法により基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記第２の容器が備える第１の開口が、前記第１の容器が備える、基板を搬入又は搬出するための基板搬入出口と対向する第１の位置に移動し、基板を搬入する基板搬入工程と、前記第１の開口が、前記第１の容器が備える、基板上に薄膜を形成するガスを前記第２の内部空間に導入するためのガス導入口と対向する第２の位置に移動し、薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記第１の開口が、前記基板搬入出口と対向する位置に移動し、基板を搬出する基板搬出工程と、を有することを特徴とする。
本発明の原子層堆積装置及び薄膜形成方法によれば、均一な膜質の薄膜を基板上に形成することができる。
本発明の原子層堆積装置の一実施形態の概略の装置構成を示し、薄膜形成工程時の状態を示す断面図である。 （ａ）は、図１に示す原子層堆積装置の第２の容器の概略構成図である。（ｂ）は、基板の搬入及び搬出方法を説明する図である。 図１に示す原子層堆積装置の基板搬入工程時、基板搬出工程時の状態を示す断面図である。 図１に示す原子層堆積装置のクリーニング工程時の状態を示す断面図である。
以下、本発明の原子層堆積装置及び薄膜形成方法を、一実施形態に基づいて、詳細に説明する。
＜原子層堆積装置の概略構成＞
原子層堆積装置１０は、ＴＭＡ（Tri-Methyl-Aluminium）等の原料ガスと、オゾンＯ3等の酸化ガスを交互に供給して、原子単位で堆積して薄膜を形成する装置である。
図１は、基板１２上に薄膜を形成する薄膜形成工程時における原子層堆積装置（以降、ＡＬＤ装置という）１０の概略の装置構成を示す断面図である。
ＡＬＤ装置１０は、主に、第１の容器２０と、第２の容器６０と、押え部材８０とを有する。第１の容器２０は、所定の圧力を維持する第１の内部空間２２を形成する外側容器である。第２の容器６０は、第１の容器２０の内部に設けられ、所定の圧力を維持する第２の内部空間６２を形成する内側容器である。押え部材８０は、第２の容器６０を押えることにより、第２の内部空間６２を第１の内部空間２２から隔てる部材である。
以下、これらの構成について、より詳細に説明する。
（第１の容器）
第１の容器２０は、ＳＵＳ等の金属材料で構成されている。第１の容器２０の上壁には、Ｎ２ガス（あるいは不活性ガス）を第１の内部空間２２に導入するガス導入口が設けられている。また、第１の容器２０の上壁には、排気管４２が接続される排気口が設けられており、ターボ分子ポンプなどの排気部４４により、第１の内部空間２２内のガスは、第１の容器２０の外部に排気される。これにより、第１の内部空間２２内は、導入されたＮ２ガスの雰囲気で、所定の圧力に維持される。第１の内部空間２２を所定の圧力に減圧することにより、後述するヒータ２４、２５が酸化するのを抑制することができる。
第１の容器２０の内部に設けられる第２の容器６０の上方には、第２の容器６０に隣接してヒータ２４が設けられている。ヒータ２４は、第２の容器６０を通して、第２の容器６０の内部に載置される基板１２、及び第２の内部空間６２に供給される原料ガスを加熱する。ヒータ２４の配線等は、第１の容器２０の上部に設けられた貫通孔を通して外部に引き出され、不図示の電源に接続されている。
また、第１の容器２０の内部に設けられる第２の容器６０の下方には、第２の容器６０に隣接してヒータ２５が設けられている。ヒータ２５は、第２の容器６０を通して、第２の容器６０の内部に載置される基板１２、及び第２の内部空間６２に供給される原料ガスを加熱する。ヒータ２５の配線等は、不図示の貫通孔を通して第１の容器２０の外部に引き出され、不図示の電源に接続されている。
第１の容器２０の壁面２６（図１中右側の面）には、基板１２の搬入及び搬出を行う基板搬入出口２８が設けられている。また、この基板搬入出口２８から第１の容器２０の外側に向けて水平方向に延長した部分に、第１の容器２０の外部に繋がるシャッタ２７が設けられている。したがって、基板１２を搬入、搬出するときは、シャッタ２７を開き、基板搬入搬出口２８を通して、第１の容器２０内に基板１２を搬入し、あるいは第１の容器２０内から基板１２を搬出することができる。
なお、基板１２の搬入、搬出時の状態は、図３に示されている。図３についての説明は後述する。
基板搬入出口２８が設けられる壁面２６には、基板上に薄膜を形成するガスを内部に導入するためのガス導入口２９が設けられている。ガス導入口２９には、原料ガスや酸化ガスを第２の内部空間６２に導入するガス導入管３０が接続されている。図１に示す例では、２つのガス導入管３０ａ，３０ｂが接続されている。
ガス導入管３０ａは、原料ガス（例えば、ＴＭＡ等の有機金属のガス）やパージガス（例えば、窒素ガス）を第２の内部空間６２に導入する。ガス導入管３０ｂは、酸化ガス（例えば、オゾン）やパージガス（例えば、窒素ガス）を第２の内部空間６２に導入する。
基板１２に原料ガスを均一に供給するため、ガス導入口２９は基板１２の幅方向（図１の紙面垂直方向）に等間隔に複数設けられている。また、ガス導入口２９は、基板１２の幅方向よりも広い範囲に設けられている。
図１に示す例では、後述する基板支持部６７が設けられる高さ方向の位置よりも鉛直上方の位置に、ガス導入口２９が位置するように構成される。
また、第１の容器２０の他の壁面（図１中左側の面）には、後述する排気管６８が貫通する貫通孔が設けられている。
第１の容器２０の底面３２の上には、ヒータ２５を鉛直方向に移動する第１の移動機構３６が設けられている。第１の移動機構３６から延びる支持機構３６ａの長さを調節することにより、ヒータ２５を鉛直方向に移動することができる。ヒータ２５は第２の容器６０を支持しているため、第１の移動機構３６から延びる支持機構３６ａの長さを制御することにより、第２の容器６０を所定の位置に支持することができる。
また、第１の移動機構３６はキャスタ３７を備えており、第１の容器２０の底面３２の面内方向に移動することができる。
第１の容器２０の底面３２は、第１の容器２０の壁面及び上壁と分離可能になっている。第１の容器２０の底面３２には、図中下方に延びる２つの支持機構３８ａが設けられ、この２つの支持機構３８ａに油圧シリンダ等の第２の移動機構３８が設けられている。第２の移動機構３８の支持機構３８ａは、第１の容器２０の底面３２と、第１の移動機構３６と、第１の移動機構３６の支持機構３６ａが支持するヒータ２５と、ヒータ２５が支持する第２の容器６０とを鉛直方向に移動させる。第１の容器２０の底面３２と壁面との間にはＯリング３３が設けられており、第２の移動機構３８が底面３２を上昇させることで、第１の内部空間２２が外部に対して閉じる構成となっている。
第１の移動機構３６、第２の移動機構３８は制御部１００と接続されている。制御部１００は、第２の容器６０が所定の位置となるように、第１の移動機構３６、第２の移動機構３８を制御する。制御部１００による移動機構３６、３８の制御の詳細は、後述する。
本実施形態によれば、基板搬入出口２８と、ガス導入口２９と、排気管６８が貫通する貫通孔とを別々の開口とすることができる。これにより、原料ガスを均一に供給するためのガス導入口２９の構造に対する制約がなくなり、均一な膜質の薄膜を形成することができる。
（第２の容器）
図２（ａ）は、第２の容器６０の概略構成図である。
第２の容器６０は、第１の容器２０の内部に設けられ、第１の内部空間２２と隔てられる第２の内部空間６２を形成する筒形状の容器である。第２の容器６０は、安定した材質の点から石英が好適に用いられる。基板１２をガラス基板とした場合、材料自体が略同じであるため、基板１２に異なる成分が付着する心配がないという利点がある。
第２の容器６０は、第１の容器２０の内部に水平に位置するように、支持機構３６ａに支持されている。筒形状の一端には、基板１２上に薄膜を形成する原料ガスが流れる第１の開口６４が設けられている。図１は、薄膜形成工程の状態を示すが、この状態では、第１の容器２０の壁面２６に設けられるガス導入口２９と第１の開口６４とが対向する位置にある。
第１の開口６４を備える側と反対側の端には、第２の内部空間６２内のガスが第２の内部空間６２外に流れる第２の開口６６が設けられている。図２（ａ）に示す例では、２つの第２の開口６６ａ，６６ｂが設けられている。第２の開口６６ａは、後述する基板支持部６７が設けられる高さ方向の位置よりも鉛直上方の位置に設けられている。
第２の開口６６を通って第２の内部空間６２外に流れるガスは、第１の容器２０の左壁面に設けられた貫通孔を通り、この貫通孔に接続される排気管６８を通って、真空ポンプなどの排気部６９により排気される。これにより、第２の内部空間６２内は、導入された原料ガスの雰囲気で、所定の圧力に維持される。第２の内部空間６２の圧力は、前述した第１の内部空間２２の圧力と同じ圧力であってもよいし、異なる圧力であってもよい。
図２（ｂ）は、基板１２の搬入及び搬出方法を説明する図である。基板１２は、搬送台車の基板載置先端のフォーク部７０に載置され、シャッタ２７を開いて、基板搬入出口２８、第１の開口６４を通って第２の容器６０に搬入及び搬出される。基板搬入工程、基板搬出工程については、後に詳しく説明する。
第２の容器６０の内部には、基板１２を載置するための基板支持部６７が設けられている。基板支持部６７は、第２の内部空間６２の高さ方向の中間の位置に、第２の容器６０の筒形状の長手方向に平行に設けられた平面を持ち、この平面を基板の載置面とする。基板支持部６７の第１の開口６４側の形状は、基板１２を搬入及び搬出する搬送台車の基板載置先端のフォーク部７０に対応した櫛歯状である。
このように、第１の開口６４側の形状をフォーク部７０に対応した櫛歯状としたことにより、筒形状の高さの低い第２の内部空間６２に大きな基板１２を搬入、搬出する場合でも、薄膜を形成する面が第２の容器６０の内面と触れることなく、基板１２を搬入及び搬出することができる。
原料ガスは、基板支持部６７に載置される基板１２上を通過し、その一部が基板１２に吸着される。また、加熱状態にあり活性化された酸化ガスは、基板１２に吸着された原料ガスの成分を酸化することができる。
（押え部材）
押え部材８０は、第２の容器６０を筒形状の長手方向（水平方向）に押える。押え部材８０と第２の容器６０との間には、Ｏリング８６ａ、スペーサ８４、Ｏリング８６ｂが順に設けられている。また、第１の容器２０の図１中左側の壁面と押え部材８０との間には角型ベローズ８２が設けられており、押え部材８０を水平方向に移動することができる。また、第２の容器６０と第１の容器２０の壁面２６（図１中右側の面）との間には、Ｏリング９０ａ、スペーサ８８、Ｏリング９０ｂが順に設けられている。また、ガス導入口２９近傍の壁面２６の内壁や、排気管６８の内壁には、薄膜を形成すべき基板以外に薄膜が付着するのを防ぐための防着板３１，８３が設けられている。
第２の容器６０はキャスタ３７を備える第１の移動機構３６に支持されているため、第２の容器６０は筒形状の長手方向に移動する自由度を持つ。そのため、筒形状の長手方向に、押え部材８０が第２の容器６０を押えることで、第２の容器６０は、Ｏリング８６ａ，８６ｂ，９０ａ，９０ｂを通して第１の容器２０に押し付けられ、第２の内部空間６２は第１の内部空間２２に対して隔てられる。すなわち、押え部材８０が第２の容器６０の筒形状の長手方向に第２の容器６０を押えることにより、押え部材８０は第２の内部空間６２を第１の内部空間２２から隔てる。
なお、第１の内部空間２２と第２の内部空間６２とを隔てるとは、第１の内部空間２２の圧力と第２の内部空間６２の圧力とが個別に制御可能な程度に空間的に分離していることを意味する。
一般に、Ｏリングを用いて空間を密閉する場合、Ｏリングの周の長さが短いほど、より確実に２つの空間を隔てることができる。図１に示す例では、第２の容器６０の筒形状の長手方向に第２の容器６０を押える構成としたため、第２の内部空間６２を第１の内部空間２２に対して隔てるために必要なＯリングの周の長さを筒形状に合わせて短くすることができる。
このように、第２の容器６０の筒形状の長手方向に第２の容器６０を押える構成とすることにより、第２の容器６０の第２の内部空間６２を第１の内部空間２２に対してより確実に隔てることができる。そのため、第２の内部空間６２から第１の内部空間２２へ原料ガスが漏れ出ることを抑制する。
第２の内部空間６２から第１の内部空間２２へ原料ガスが漏れ出ることを抑制することにより、第１の内部空間２２へ漏れる原料ガスによる第１の内部空間２２内面への膜形成が抑制され、結果的にパーティクルを低減することができる。さらに、第２の内部空間６２を第１の内部空間２２に対してより確実に隔てることにより、第１の内部空間２２に存在するパーティクルが第２の内部空間６２に混入することを抑制することができる。したがって、図１に示す例のように、第２の容器６０の筒形状の長手方向に第２の容器６０を押える構成とすることで、より均一な膜質の薄膜を成膜することができる。
＜原子層堆積方法の概略工程＞
（基板搬入工程）
図３は、原子層堆積装置１０の基板搬入工程時の状態を示す断面図である。第２の容器６０の第１の開口６４は基板搬入出口２８と対向する位置にある。以降、第１の開口６４と基板搬入出口２８とが対向する状態における第２の容器６０の位置を第１の位置とする。すなわち、基板搬入工程では、第２の容器６０は第１の位置にある。
基板を搬入する際に、第２の容器６０が第１の位置にない場合、第２の容器６０が第１の位置に移動する。この移動は、制御部１００が第１の移動機構３６を制御することによりなされる。
そして、シャッタ２７を開き、シャッタ２７、基板搬入出口２８、第１の開口６４を通して、基板１２を第２の容器６０の内部に搬入する。基板の搬入は、図２（ｂ）に示すように、搬送台車の基板載置先端のフォーク部７０に基板１２を載置して行う。
（薄膜形成工程）
図１は、原子層堆積装置１０の薄膜形成工程時の状態を示す断面図である。第２の容器６０の第１の開口６４はガス導入口２９と対向する位置にある。以降、第１の開口６４とガス導入口２９とが対向する状態における第２の容器６０の位置を第２の位置とする。すなわち、薄膜形成工程では、第２の容器６０は第２の位置にある。
基板上に薄膜を形成する際に、第２の容器６０が第２の位置にない場合、第２の容器６０が第２の位置に移動する。この移動は、制御部１００が第１の移動機構３６を制御することによりなされる。
第２の容器６０が第２の位置に移動した後、押え部材８０は、第２の容器６０の筒形状の長手方向（水平方向）に第２の容器６０を押さえ、第２の内部空間６２を第１の内部空間２２から隔てる。そして、ガス導入管３０から第２の内部空間６２に原料ガスを流し、基板１２上に薄膜を形成する。
（基板搬出工程）
図３は、原子層堆積装置１０の基板搬出工程時の状態を示す断面図である。第２の容器６０は第１の位置にある。
薄膜形成工程が終了した際は、押え部材８０が第２の容器６０を第１の容器２０に押さえつけた状態となっている。そのため、押え部材８０が第２の容器６０から離れる方向（図１中左方向）に、押え部材８０を移動し、第２の容器６０の押さえを開放する。
そして、第２の容器６０が第１の位置に移動する。この移動は、制御部１００が第１の移動機構３６を制御することによりなされる。
そして、シャッタ２７を開き、第１の開口６４、基板搬入出口２８、シャッタ２７を通して、第２の容器６０の内部から基板１２を搬出する。基板の搬出は、図２（ｂ）に示すように、搬送台車の基板載置先端のフォーク部７０に基板１２を載置して行う。
このように、ＡＬＤ装置１０は、第１の容器２０の内部で第２の容器６０を移動させるという、従来の技術に比べて簡易な構成により、薄膜を形成する第２の内部空間６２と基板の搬入搬出を行う第１の内部空間２２とを隔てることができる。そのため、第１の容器２０の内壁面、基板搬入出口２８の内壁面、シャッタ２７の内壁面が原料ガスに曝されることがなく、基板１２を搬入、搬出する際に、パーティクルが混入することを抑制することができる。
（クリーニング工程）
図４は、原子層堆積装置１０のクリーニング工程時の状態を示す断面図である。第１の容器２０の下側部分３４と上側部分４０とが分離した状態となっている。
第２の容器６０のクリーニングを行うために、第２の容器６０を第１の容器２０の外部に取り出す。第２の容器６０を第１の容器２０の外部に取り出すために、第２の移動機構３８は第１の容器２０の底面３２を含む下側部分３４を、上側部分４０から分離するように（すなわち、鉛直下方に）移動し、第２の容器６０が外部に取り出せる位置（第３の位置）に移動する。この移動は、制御部１００が第２の移動機構３８を制御することによりなされる。
第２の容器６０が外部に取り出せる位置とは、第２の容器６０の最上部の高さ方向の位置が、第１の容器２０の上側部分４０の最下部の高さ方向の位置より低くなるような位置である。クリーニング工程において、支持機構３６ａの長さができるだけ短くなるよう、制御部１００が第１の移動機構３６を制御することが好ましい。これにより、原子層堆積装置１０の高さ方向の大きさを小さくすることができる。
図４に示すように、第１の容器２０の下側部分３４と上側部分４０とを分離した後、第１の容器２０の底面３２の面内方向に第１の移動機構３６を移動することにより、第２の容器６０を第１の容器の上側部分４０の鉛直下方から移動することができる。こうして、第２の容器６０は第１の容器２０から取り外される。
図４に示す例では、第１の容器２０の内部に設けた第２の容器６０を容易に取り出すことができるため、第２の容器６０のクリーニングを容易に行うことができる。クリーニングは、例えばウェットエッチングを行う。
１０ 原子層堆積装置
１２ 基板
２０ 第１の容器
２２ 第１の内部空間
２４，２５ ヒータ
２６ 壁面
２７ シャッタ
２８ 基板搬入出口
２９ ガス導入口
３０，３０ａ，３０ｂ ガス導入管
３１ 防着板
３２ 底面
３３ Ｏリング
３４ 下側部分
３６ 第１の移動機構
３６ａ 支持機構
３７ キャスタ
３８ 第２の移動機構
３８ａ 支持機構
４０ 上側部分
４２ 排気管
４４ 排気部
６０ 第２の容器
６２ 第２の内部空間
６４ 第１の開口
６６，６６ａ，６６ｂ 第２の開口
６７ 基板支持部
６８ 排気管
６９ 排気部
７０ フォーク部
８０ 固定部材
８２ 角型ベローズ
８３ 防着板
８４，８８ スペーサ
８６ａ，８６ｂ，９０ａ，９０ｂ Ｏリング
１００ 制御部

Claims (10)

  1. 基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、
    第１の内部空間を形成する容器であって、基板を搬入又は搬出するための基板搬入出口と、基板上に薄膜を形成するガスを内部に導入するためのガス導入口とを異なる位置に備える第１の容器と、
    前記第１の容器の内部に設けられ、前記第１の内部空間と隔てられる第２の内部空間を形成し、第１の開口を備える第２の容器と、
    前記第２の容器を所定の方向に移動する第１の移動機構と、
    基板を搬入又は搬出する場合、前記基板搬入出口と前記第１の開口とが対向する第１の位置に前記第２の容器を移動し、基板上に薄膜を形成する場合、前記ガス導入口と前記第１の開口とが対向する第２の位置に前記第２の容器を移動するように、前記第１の移動機構を制御する制御部と、
    を有することを特徴とする原子層堆積装置。
  2. 前記基板搬入出口と前記ガス導入口とは、前記第１の容器の同じ壁面に設けられている、請求項１に記載の原子層堆積装置。
  3. 前記第２の容器は筒形状であり、この筒形状の長手方向に該第２の容器を押えることにより、前記第２の内部空間を前記第１の内部空間から隔てる押え部材を備える、請求項１又は２のいずれかに記載の原子層堆積装置。
  4. 前記第２の容器は、前記第１の開口を備える側と反対側の端に、前記第２の内部空間内のガスが該第２の内部空間外に流れる第２の開口を備える、請求項３に記載の原子層堆積装置。
  5. 前記第１の容器は、該第１の容器の底面を含む下側部分と、該下側部分以外の上側部分とに分離可能に構成され、
    前記原子層堆積装置は、前記下側部分を前記上側部分から分離するように移動する第２の移動機構を備え、
    前記制御部は、前記第２の容器を前記第１の容器の外部に取り出す場合、前記第２の容器が外部に取り出せる位置である第３の位置に移動するように、前記第２の移動機構を制御する、請求項１乃至４のいずれかに記載の原子層堆積装置。
  6. 第１の内部空間を形成する第１の容器と、該第１の容器の内部に設けられ、該第１の内部空間と隔てられる第２の内部空間を形成する第２の容器とを用い、原子層堆積方法により基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
    前記第２の容器が備える第１の開口が、前記第１の容器が備える、基板を搬入又は搬出するための基板搬入出口と対向する第１の位置に移動し、基板を搬入する基板搬入工程と、
    前記第１の開口が、前記第１の容器が備える、基板上に薄膜を形成するガスを前記第２の内部空間に導入するためのガス導入口と対向する第２の位置に移動し、薄膜を形成する薄膜形成工程と、
    前記第１の開口が、前記基板搬入出口と対向する位置に移動し、基板を搬出する基板搬出工程と、
    を有することを特徴とする薄膜形成方法。
  7. 前記基板搬入出口が設けられる壁面と同じ壁面に設けられる前記ガス導入口を通して、基板上に薄膜を形成するガスを前記第２の内部空間に導入する、請求項６に記載の薄膜形成方法。
  8. 前記第２の容器は筒形状であり、
    前記第２の内部空間を前記第１の内部空間から隔てるように、前記第２の容器の筒形状の長手方向に該第２の容器を押えて、前記第２の容器を前記第１の容器の内部で固定する工程を有する、請求項６又は７に記載の薄膜形成方法。
  9. 前記第２の容器が、前記第１の開口を備える側と反対側の端に備える第２の開口から、前記第２の内部空間内のガスを該第２の内部空間外に流す、請求項８に記載の薄膜形成方法。
  10. 前記第１の容器は、該第１の容器の底面を含む下側部分と、該下側部分以外の上側部分とに分離可能に構成され、
    前記第２の容器を前記第１の容器の外部に取り出すために、前記第２の容器が外部に取り出せる位置である第３の位置に移動するように、前記下側部分を移動する工程を有する、請求項６乃至９のいずれかに記載の薄膜形成方法。
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