JP4443694B2 - Support base for semiconductor device having wiring pattern and liquid crystal display device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線パターンを有する半導体装置の支持基体および液晶表示装置に関し、特に、2つの装置構成要素間を接続する複数の配線から成る配線パターンがフィルム等の基板上に形成された半導体装置の支持基体に用いて好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
装置の小型化に伴い、回路構成に必要な各要素は統合されて同一の基板上に搭載されることが多くなってきている。この場合、2つの要素間を電気的に接続するため、小型化および薄型化が可能な、複数の配線がポリイミドフィルム上に形成されたいわゆるテープキャリアが用いられる。このテープキャリアにベアチップICを装着したパッケージをテープキャリアパッケージ(TCP)と言う。
【0003】
一般的に、液晶表示装置には、液晶表示部のTFT(薄膜トランジスタ)を駆動するためのドライバICが実装されたテープキャリアパッケージが用いられる。図2は、テープキャリアパッケージ1の全体の構成を示す平面図である。このテープキャリアパッケージ1の一端は、配線回路が形成されたプリント基板と接続され、他端は液晶表示基板と接続される。
【0004】
図2に示すように、ポリイミドフィルム2(以下、フィルムと略す)上の略中心部にドライバIC3が実装され、ドライバIC3の出力側と液晶表示基板接続部4との間、およびドライバIC3の入力側とプリント基板接続部5との間に、複数の配線から成る配線パターンが形成される。
【0005】
この配線パターンにより、ドライバIC3上の複数の出力端子電極と、液晶表示基板のトランジスタマトリクス上の複数の端子電極とが接続されるとともに、ドライバIC3上の複数の入力端子電極と、プリント基板の複数の端子電極とが接続される。なお、図2では、ドライバIC3の出力側と液晶表示基板接続部4との間の配線パターン6のみ図示している。
【0006】
特に、ドライバIC3接続側の端子をインナーリードと呼び、液晶表示基板接続側の端子をアウターリードと呼ぶが、図示のようにアウターリードを配置する全体の長さl1 に比べて、インナーリードを配置する全体の長さl2 の方が短いため、インナーリード間のピッチPi とアウターリード間のピッチPo とは、通常はPi <Po の関係で異なっている。そのため、フィルム2上の配線パターン6には、ピッチ変換のための屈曲が施されている。
【0007】
図4は、図2に示した配線パターン6が形成された領域の中央部(A部)の構成を示す平面図である。一般に、ドライバIC3の端子電極の大きさおよび横並びのピッチと、液晶表示基板接続部4の端子電極の大きさおよび横並びのピッチとは異なっているため、それぞれの側の配線パターンの幅と並びのピッチPi ,Po も異なっている。このため、端子電極から直に延びてくる相互の配線41,42どうしが出会う接続領域では、一方のピッチから他方のピッチに変換するために非平行部分(屈曲部)43により相互の配線41,42が接続される。
【0008】
この屈曲部43における配線パターンは、ドライバIC3の長さ方向に対する中央線10の付近を基準軸として左右対称的な配線パターンとした方が、テープキャリアパッケージ1を小型化する上で適している。ところが、この場合、屈曲部43における斜めの配線の長さは、テープキャリアの外側から内側の基準軸に向かって順々に短くなるため、基準軸に一番近い中央部44の配線は屈曲部43の全配線の中で一番短くなってしまう。また、この中央部44は、屈曲の向きが隣線に対して異なる方向に向き、非連続となる部分でもある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、液晶表示装置の品質保証のため、テープキャリアを含めた液晶表示装置は温度サイクル試験にかけられる。また、テープキャリアにプリント基板や液晶表示基板を取り付けた後、最終装置への組み込みの際にプリント基板にはコネクタの着脱が行われる。このような場合、テープキャリアには熱的あるいは機械的に引っ張り応力が加えられることになる。
【0010】
このように、テープキャリアに対して外部から熱的または機械的な引っ張り応力が加わった場合、斜めの配線長が最も短く、かつ屈曲の向きが隣線に対して非連続となる屈曲部43の中央部44に応力が集中的に加わり、ここで配線が破断する一要因となっている。断線に至るまでのプロセスは、次の順序で起こるものと考えられる。
【0011】
1)まず、テープキャリアに外部から応力が加わる。
2)配線パターンの一部に集中的な応力が加わる。
3)集中的な応力が加わった部分の配線パターンが変形しようとする。
4)変形に耐えられないレジスト(配線パターンの絶縁および配線保護の目的で、テープキャリアの配線パターン面に塗布されているもの)に亀裂が入る。
5)亀裂の入った部分に更なる集中的応力が加わり、断線する。
【0012】
本発明は、このような問題を解決するために成されたものであり、テープキャリアのフィルム上に形成された配線の外部応力に対する耐性を向上させ、断線の発生を抑止できるようにすることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線パターンを有する半導体装置の支持基体は、第1の接続端子群と第2の接続端子群との間を接続する複数の配線から成る配線パターンが基板上に形成された、配線パターンを有する半導体装置の支持基体において、上記複数の配線の屈曲部における配線長が一番短くなる配線付近の少なくとも1本の配線は、上記第1の接続端子群のピッチおよび上記第2の接続端子群のピッチのうちのピッチが大きい方に対応する配線の配線幅のままで、上記第1の接続端子群と上記第2の接続端子群との間の基板上に配置して構成されているとともに、上記少なくとも1本の配線を除く他の配線は、上記第1の接続端子群から上記屈曲部までの配線幅と上記屈曲部から上記第2の接続端子群までの配線幅とが異なって構成されている。
本発明の配線パターンを有する半導体装置の支持基体における他の態様は、第1の接続端子群と第2の接続端子群との間を接続する複数の配線から成る配線パターンが基板上に形成された、配線パターンを有する半導体装置の支持基体において、上記複数の配線の屈曲部における配線長が一番短くなる配線付近の少なくとも1本の配線は、上記第1の接続端子群と上記第2の接続端子群との間に屈曲部を設けずに構成されているとともに、上記少なくとも1本の配線を除く他の配線は、上記第1の接続端子群から上記屈曲部までの配線幅と上記屈曲部から上記第2の接続端子群までの配線幅とが異なって構成されており、上記少なくとも1本の配線に隣接する少なくとも1本の上記他の配線をダミー配線としている。
また、本発明の配線パターンを有する半導体装置の支持基体におけるその他の態様は、第1の接続端子群のピッチと第2の接続端子群のピッチとの相違により上記第1の接続端子群と上記第2の接続端子群との間を接続する複数の配線が途中の屈曲部で屈曲している配線パターンが基板上に形成され、ある境界線を境として上記屈曲部における配線の傾きが非連続となる、配線パターンを有する半導体装置の支持基体において、上記境界線付近の少なくとも1本の配線は、上記第1の接続端子群のピッチおよび上記第2の接続端子群のピッチのうちピッチが大きい方に対応する配線の配線幅のままで、上記第1の接続端子群と上記第2の接続端子群との間の基板上に配置して構成されているとともに、上記少なくとも1本の配線を除く他の配線は、上記第1の接続端子群から上記屈曲部までの配線幅と上記屈曲部から上記第2の接続端子群までの配線幅とが異なって構成されている。
本発明の液晶表示装置は、上記配線パターンを有する半導体装置の支持基体と、これに上記第1もしくは第2の接続端子群を介して接続される液晶表示基板を有する液晶パネルとを備える。
【0014】
上記のように構成した本発明によれば、屈曲部において配線長が一番短くなる配線付近の少なくとも1本の配線が、太い線幅のままで或いは屈曲することなく配置されるので、外部からの応力が集中的に加わりやすい部分が強い剛性を有することになり、機械的応力や熱による引っ張り応力が配線方向に生じたときの応力耐性が向上する。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本実施形態による配線パターンの一例を示す平面図である。この配線パターンは、図2に示した配線パターン6が形成された領域の中央部(A部)の構成を示している。本実施形態において、ドライバIC3の複数の入力端子により第1の接続端子群が構成され、液晶表示基板接続部4の複数の出力端子により第2の接続端子群が構成される。
【0016】
上述のように、図2のドライバIC3の端子電極の大きさおよび横並びのピッチと、液晶表示基板接続部4の端子電極の大きさおよび横並びのピッチとは異なっているため、それぞれの側の配線パターンの幅と並びのピッチPi ,Po も異なっている。このため、端子電極から直に延びてくる相互の配線13,14どうしが出会う接続領域では、一方のピッチから他方のピッチに変換するために屈曲部15の斜めの配線により相互の配線13,14が接続される。
【0017】
本実施形態においては、この屈曲部15における配線パターンとして、ドライバIC3の長さ方向に対する中央線10の付近を基準軸として左右対称的な配線パターンとしている。さらに、この屈曲部15において斜めの配線長が一番短くなる最内側の左右2本の配線11,11を、アウターリードの太い線幅dのままで屈曲配線部分を設けず、アウターリードからインナーリード付近まで直線的に配置している。
【0018】
このように、最内側の配線11,11をアウターリードの線幅dのままでインナーリード付近まで直線的に配置すると、インナーリード付近では複数の配線13が等間隔に並ばなくなる。したがって、ドライバIC3上で端子電極が等間隔に並んでいる場合には、それに合わせて不等間隔の配線13のピッチが等間隔となるように、配線13のピッチからドライバIC3の端子電極のピッチに変換するための屈曲部(図示せず)を上記屈曲部15とは別に設ける必要がある。
【0019】
本実施形態では、このもう1つの屈曲部をドライバIC3の保護ポッティング樹脂領域内に設ける。すなわち、図2のテープキャリアパッケージ1に示されるように、フィルム2上にドライバIC3を固定するために、フィルム2に強度を持たせるための保護ポッティング樹脂7がドライバIC3の周囲を縁取るように設けられている。また、図3に示すように、テープキャリアパッケージ1においてドライバIC3が実装された部分の裏側にも、保護ポッティング樹脂8が被着されている。
【0020】
そこで、上記最内側の配線11,11およびその周囲の配線のピッチを変換する屈曲部をこの保護ポッティング樹脂7,8の領域内に設けることにより、テープキャリアに外部から熱的または機械的な引っ張り応力が加えられても、この屈曲部の配線は保護ポッティング樹脂7,8により保護されるので、ここで断線することは防止できる。
【0021】
以上詳しく説明したように、本実施形態では、屈曲部15において左右対称の境界となる基準軸を挟んで配置された最内側の左右2本の配線11,11を、アウターリードの太い線幅dのままで屈曲を設けず、インナーリード付近まで直線的に配置しているので、配線パターン6上の他の配線と比べて、テープキャリアに対して外部から配線方向の引っ張り応力が生じたときの耐性を向上させることができる。
【0022】
また、最内側の配線11,11に接する両隣の配線12,12については、屈曲部15の領域内で斜めの配線が設けられるが、この斜めの配線長は、従来例である図4に示す非連続部44における斜めの配線長よりも長くなっている。さらに、この配線12,12の屈曲部15における斜めの配線は、これに隣接する配線11,11の強い応力耐性の影響も受けて、外部から加わる応力に対する耐性が向上する。
【0023】
これにより、テープキャリアに対して外部から機械的応力もしくは熱による応力が加わったときに、中央付近の配線にかかる集中的応力にも十分に対抗することができるようになり、断線に対する信頼性の向上を図ることができる。
【0024】
また、本実施形態では、上記最内側の配線11,11およびその周囲の配線をドライバIC3の端子電極のピッチに合わせてピッチ変換するための屈曲部を、保護ポッティング樹脂7,8の領域内に設けているので、この保護ポッティング樹脂7,8によって、外部から加えられる応力に対する十分な耐性をこの屈曲部に持たせることができる。
【0025】
以下に、上記図1に示す配線パターンについて、引っ張り応力に対する配線の耐性を有限要素法により検証した結果を示す。検証モデルの構造は、ポリイミドフィルム2をベースとしてその上に銅箔の配線パターン6が密着しているものとする。また、検証モデルに対する拘束条件としては、図1の上部(プリント基板接続部5側)においては引っ張り応力を加え、下部(液晶表示基板接続部4側)においては縦方向の移動に対する自由度のみを拘束するものである。
【0026】
このような検証モデルにおいて、図1のように基準軸を挟んだ最内側の2本の配線11,11の配線幅をアウターリード側とインナーリード側とで一貫して太くした場合には、太い配線11,11に隣接する配線12,12の屈曲部分に集中応力が移動する。中央2本の配線幅を太くしない図4のような通常の配線パターンで中央部44の配線にかかる集中応力の値を100とすると、図1の配線12,12の屈曲部分にかかる集中応力の値は52.46となり、半分程度に低下した。これにより、テープキャリアに外部から加わる応力に対して、従来の約2倍の耐性を得ることができることが確認された。
【0027】
なお、上記実施形態では、基準軸に一番近い最内側の2本の配線11,11を太い線幅のままで屈曲配線部分を設けずに直線的に設けているが、必ずしも2本である必要はなく、少なくとも1本そのような構造の配線があれば良い。また、最内側の配線11,11に隣接する配線12,12も含めて4本、あるいはそれ以上の配線を上記配線11,11と同様に構成しても良い。
【0028】
また、上記実施形態では、図2に示すように、ドライバIC3の出力側と液晶表示基板接続部4との間の配線パターン6について例示しているが、ドライバIC3の入力側とプリント基板接続部5との間の配線パターンについても同様に本発明を適用することが可能である。この場合は、ドライバIC3の複数の入力端子により第1の接続端子群が構成され、プリント基板接続部5の複数の出力端子により第2の接続端子群が構成される。
【0029】
また、上記実施形態では、インナーリード側の配線13のピッチからドライバIC3の端子電極のピッチに変換するための屈曲部を保護ポッティング樹脂7,8の領域内に設けているが、ドライバIC3上で端子電極が等間隔に並んでおらず、配線13のピッチをそのまま利用できるような場合には、必ずしもこの屈曲部は設ける必要がない。
【0030】
また、上記実施形態では、液晶表示装置のテープキャリアに対して本発明を適用した例を示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ノートパソコン等に用いられるマイクロプロセッサユニットのテープキャリアに適用することも可能である。また、絶縁性と可撓性とを併せ持つ薄いフィルム状の表面に導電性の材料による配線パターンを形成した他のFPC(Flexible Printed Circiuts )に本発明を適用することも可能である。
【0031】
また、上記最内側の配線11,11に隣接する2本の配線12,12は、信号線として全く使用しないダミー配線としても良い。このように、図1に示す屈曲部15の中で斜めの配線長が最も短くなる配線12,12をダミー配線とすることにより、仮にこの配線12,12が外部応力の印加によって断線しても、半導体装置を通常通り動作させることができ、万が一のときの保証を得ることができる。
【0032】
なお、この配線12,12の位置に配線を設けず、この部分が空白となるようにしても良いが、導電粒子を利用してテープキャリアと液晶表示部のガラス基板とを接着する場合には、ダミー配線を設けて各配線の幅と並びのピッチを等間隔した方が、接着性を良好にする上で好ましい。
【0033】
本発明の様々な形態をまとめると、以下のようになる。
(1)第1の接続端子群と第2の接続端子群との間を接続する複数の配線から成る配線パターンが基板上に形成された配線パターンを有する半導体装置の支持基体において、
上記複数の配線の屈曲部における配線長が一番短くなる配線付近の少なくとも1本の配線を、上記第1の接続端子群のピッチおよび上記第2の接続端子群のピッチのうちピッチが大きい方に対応する配線の配線幅のままで、上記第1の接続端子群と上記第2の接続端子群との間の基板上に配置したことを特徴とする配線パターンを有する半導体装置の支持基体。
【0034】
(2)第1の接続端子群と第2の接続端子群との間を接続する複数の配線から成る配線パターンが基板上に形成された配線パターンを有する半導体装置の支持基体において、
上記複数の配線の屈曲部における配線長が一番短くなる配線付近の少なくとも1本の配線を、上記第1の接続端子群と上記第2の接続端子群との間に屈曲部を設けずに配置したことを特徴とする配線パターンを有する半導体装置の支持基体。
【0035】
(3)上記少なくとも1本の配線の屈曲部を、上記第1の接続端子群を保護するためのポッティング樹脂領域内に設けたことを特徴とする上記(1)または(2)に記載の配線パターンを有する半導体装置の支持基体。
(4)上記少なくとも1本の配線に隣接する少なくとも1本の他の配線をダミー配線としたことを特徴とする上記(1)〜(3)の何れか1項に記載の配線パターンを有する半導体装置の支持基体。
(5)上記半導体装置の支持基体は、上記第1の接続端子群と上記第2の接続端子群との間を接続する複数の配線から成る配線パターンがフィルム上に形成されたテープキャリアであることを特徴とする上記(1)〜(4)の何れか1項に記載の配線パターンを有する半導体装置の支持基体。
【0036】
(6)第1の接続端子群のピッチと第2の接続端子群のピッチとの相違により上記第1の接続端子群と上記第2の接続端子群との間を接続する複数の配線が途中の屈曲部で屈曲している配線パターンが基板上に形成され、ある境界線を境として上記屈曲部における配線の傾きが非連続となる配線パターンを有する半導体装置の支持基体において、
上記境界線付近の少なくとも1本の配線を、上記第1の接続端子群のピッチおよび上記第2の接続端子群のピッチのうちピッチが大きい方に対応する配線の配線幅のままで、上記第1の接続端子群と上記第2の接続端子群との間の基板上に配置したことを特徴とする配線パターンを有する半導体装置の支持基体。
【0037】
(7)上記(1)または(2)に記載の支持基体と、これに上記第1もしくは第2の接続端子群を介して接続される液晶表示基板を有する液晶パネルとを備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【0038】
【発明の効果】
本発明によれば、複数の配線の屈曲部における配線長が一番短くなる配線付近の少なくとも1本の配線を、第1の接続端子群のピッチおよび第2の接続端子群のピッチのうちのピッチが大きい方に対応する配線の配線幅のままで配置(或いは、第1の接続端子群と第2の接続端子群との間に屈曲部を設けずに配置)したので、外部からの応力が集中的に加わりやすい部分に強い剛性を持たせることが可能となり、機械的応力や熱による引っ張り応力が加えられたときの応力耐性を向上させることができる。これにより、外部からの応力に起因した断線の発生を抑止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態による配線パターンの一例を示す平面図である。
【図2】テープキャリアパッケージの全体の構成を示す平面図である。
【図3】テープキャリアパッケージの全体の構成を示す裏面図である。
【図4】従来の配線パターンの一例を示す平面図である。
【符号の説明】
1 テープキャリアパッケージ
2 ポリイミドフィルム
3 ドライバIC
4 液晶表示基板接続部
5 プリント基板接続部
6 配線パターン
7,8 保護ポッティング樹脂
11 最内側の配線
12 最内側の配線に隣接する配線
13 ドライバIC側(インナーリード側)の配線
14 液晶表示基板側(アウターリード側)の配線
15 屈曲部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a support base for a semiconductor device having a wiring pattern and a liquid crystal display device, and more particularly to a semiconductor device in which a wiring pattern comprising a plurality of wirings connecting two device components is formed on a substrate such as a film. It is suitable for use as a support substrate.
[0002]
[Prior art]
With the miniaturization of devices, elements necessary for circuit configuration are often integrated and mounted on the same substrate. In this case, in order to electrically connect the two elements, a so-called tape carrier in which a plurality of wirings formed on a polyimide film that can be reduced in size and thickness is used. A package in which a bare chip IC is mounted on the tape carrier is referred to as a tape carrier package (TCP).
[0003]
Generally, a tape carrier package on which a driver IC for driving a TFT (thin film transistor) of a liquid crystal display unit is mounted is used for a liquid crystal display device. FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the
[0004]
As shown in FIG. 2, a
[0005]
With this wiring pattern, a plurality of output terminal electrodes on the
[0006]
In particular, the terminal on the
[0007]
FIG. 4 is a plan view showing the configuration of the central portion (A portion) of the region where the
[0008]
The wiring pattern in the
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in order to guarantee the quality of the liquid crystal display device, the liquid crystal display device including the tape carrier is subjected to a temperature cycle test. In addition, after the printed board or the liquid crystal display board is attached to the tape carrier, the connector is attached to or detached from the printed board at the time of incorporation into the final device. In such a case, a tensile stress is applied to the tape carrier thermally or mechanically.
[0010]
In this way, when thermal or mechanical tensile stress is applied to the tape carrier from the outside, the slanted wiring length is the shortest and the bending direction of the
[0011]
1) First, external stress is applied to the tape carrier.
2) Concentrated stress is applied to a part of the wiring pattern.
3) The wiring pattern in the portion where concentrated stress is applied tends to be deformed.
4) Cracks occur in the resist that cannot withstand deformation (which is applied to the wiring pattern surface of the tape carrier for the purpose of insulating the wiring pattern and protecting the wiring).
5) Further concentrated stress is applied to the cracked portion, resulting in disconnection.
[0012]
The present invention has been made to solve such a problem, and it is intended to improve resistance to external stress of wiring formed on a film of a tape carrier and to suppress occurrence of disconnection. Objective.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
A support base of a semiconductor device having a wiring pattern according to the present invention is a wiring pattern in which a wiring pattern comprising a plurality of wirings connecting between a first connection terminal group and a second connection terminal group is formed on a substrate. And at least one wiring in the vicinity of the wiring having the shortest wiring length at the bent portion of the plurality of wirings is the pitch of the first connection terminal group and the second connection terminal. The wiring width of the wiring corresponding to the larger one of the pitches of the group remains the same, and is arranged on the substrate between the first connection terminal group and the second connection terminal group. In addition, the other wirings except the at least one wiring have different wiring widths from the first connection terminal group to the bent portion and wiring widths from the bent portion to the second connection terminal group. It is configured.
In another aspect of the support base of the semiconductor device having the wiring pattern of the present invention, a wiring pattern comprising a plurality of wirings connecting between the first connection terminal group and the second connection terminal group is formed on the substrate. In addition, in the support base of the semiconductor device having a wiring pattern, at least one wiring in the vicinity of the wiring having the shortest wiring length in the bent portion of the plurality of wirings is the first connection terminal group and the second wiring. The other wiring except for the at least one wiring is configured with a wiring width from the first connecting terminal group to the bent portion and the bent. The wiring width from the first connection terminal group to the second connection terminal group is different, and at least one other wiring adjacent to the at least one wiring is a dummy wiring.
According to another aspect of the support substrate of the semiconductor device having the wiring pattern of the present invention, the first connection terminal group and the second connection terminal group are different from each other due to the difference in pitch between the first connection terminal group and the second connection terminal group. A wiring pattern in which a plurality of wires connected to the second connection terminal group are bent at an intermediate bent portion is formed on the substrate, and the inclination of the wiring at the bent portion is not continuous with a certain boundary line as a boundary. In the support substrate of the semiconductor device having a wiring pattern, at least one wiring in the vicinity of the boundary line has a larger pitch among the pitch of the first connection terminal group and the pitch of the second connection terminal group. The wiring width of the wiring corresponding to the direction is arranged on the substrate between the first connecting terminal group and the second connecting terminal group, and the at least one wiring is Other arrangements except It is configured differently and wiring width of the wiring width and the bending portion from the first connecting terminal groups to the bending portion to the second connection terminal group.
The liquid crystal display device of the present invention comprises a support base of a semiconductor device having an upper Symbol wiring pattern, and a liquid crystal panel having a liquid crystal display substrate connected thereto via the first or second connecting terminal groups.
[0014]
According to the present invention configured as described above, at least one wiring in the vicinity of the wiring having the shortest wiring length in the bent portion is arranged with a large line width or without bending, so that it is externally provided. The portion where the stress is easily applied in a concentrated manner has strong rigidity, and the stress resistance when a mechanical stress or a tensile stress due to heat is generated in the wiring direction is improved .
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a plan view showing an example of a wiring pattern according to the present embodiment. This wiring pattern shows the configuration of the central portion (A portion) of the region where the
[0016]
As described above, the size and the horizontal pitch of the terminal electrodes of the
[0017]
In the present embodiment, the wiring pattern in the
[0018]
As described above, when the
[0019]
In the present embodiment, this other bent portion is provided in the protective potting resin region of the
[0020]
Therefore, by providing a bent portion in the region of the
[0021]
As described above in detail, in the present embodiment, the innermost two left and
[0022]
In addition, for the
[0023]
As a result, when mechanical stress or thermal stress is applied to the tape carrier from the outside, it is possible to sufficiently resist concentrated stress applied to the wiring near the center, and reliability against disconnection can be improved. Improvements can be made.
[0024]
Further, in the present embodiment, the bent portions for converting the pitch of the
[0025]
The results of verifying the wiring resistance to tensile stress by the finite element method for the wiring pattern shown in FIG. The structure of the verification model is based on the
[0026]
In such a verification model, when the wiring widths of the innermost two
[0027]
In the above-described embodiment, the innermost two
[0028]
Moreover, in the said embodiment, as shown in FIG. 2, although illustrated about the
[0029]
In the above embodiment, the bent portion for converting the pitch of the
[0030]
Moreover, in the said embodiment, although the example which applied this invention with respect to the tape carrier of a liquid crystal display device is shown, this invention is not limited to this. For example, the present invention can be applied to a tape carrier of a microprocessor unit used in a notebook personal computer or the like. Further, the present invention can also be applied to other FPC (Flexible Printed Circuits) in which a wiring pattern made of a conductive material is formed on a thin film-like surface having both insulating properties and flexibility.
[0031]
The two
[0032]
The
[0033]
The various aspects of the present invention are summarized as follows.
(1) In a support base of a semiconductor device having a wiring pattern in which a wiring pattern composed of a plurality of wirings connecting between a first connection terminal group and a second connection terminal group is formed on a substrate,
At least one wiring in the vicinity of the wiring having the shortest wiring length at the bent portion of the plurality of wirings, the larger of the pitch of the first connection terminal group and the pitch of the second connection terminal group A support base for a semiconductor device having a wiring pattern, wherein the wiring width of the wiring corresponding to 1 is maintained on a substrate between the first connection terminal group and the second connection terminal group.
[0034]
(2) In a support base of a semiconductor device having a wiring pattern in which a wiring pattern composed of a plurality of wirings connecting between the first connection terminal group and the second connection terminal group is formed on a substrate,
Without providing a bent portion between the first connection terminal group and the second connection terminal group, at least one wire in the vicinity of the wiring having the shortest wiring length in the bent portion of the plurality of wirings. A support base of a semiconductor device having a wiring pattern characterized by being arranged.
[0035]
(3) The wiring according to (1) or (2), wherein the bent portion of the at least one wiring is provided in a potting resin region for protecting the first connection terminal group. A support base of a semiconductor device having a pattern.
(4) The semiconductor having a wiring pattern according to any one of (1) to (3), wherein at least one other wiring adjacent to the at least one wiring is a dummy wiring. Support substrate for the device.
(5) The support base of the semiconductor device is a tape carrier in which a wiring pattern composed of a plurality of wirings connecting the first connection terminal group and the second connection terminal group is formed on a film. A support base for a semiconductor device having the wiring pattern according to any one of (1) to (4) above.
[0036]
(6) Due to the difference between the pitch of the first connection terminal group and the pitch of the second connection terminal group, a plurality of wirings connecting the first connection terminal group and the second connection terminal group are halfway. In a support base of a semiconductor device having a wiring pattern formed on a substrate, the wiring pattern being bent at the bent portion, and having a wiring pattern in which the inclination of the wiring at the bent portion becomes discontinuous with respect to a certain boundary line,
At least one wiring in the vicinity of the boundary line is kept in the wiring width of the wiring corresponding to the larger one of the pitch of the first connection terminal group and the pitch of the second connection terminal group. A support base for a semiconductor device having a wiring pattern, wherein the support base is disposed on a substrate between one connection terminal group and the second connection terminal group.
[0037]
(7) A support base according to (1) or (2) above, and a liquid crystal panel having a liquid crystal display substrate connected thereto via the first or second connection terminal group. A liquid crystal display device.
[0038]
【The invention's effect】
According to the present invention, at least one wire of wire around the wiring length becomes shortest at the bent portion of the plurality of wires, of the pitch of first pitch and the second connecting terminal groups of the connecting terminal groups Since wiring is arranged with the wiring width corresponding to the one having the larger pitch (or arranged without providing a bent portion between the first connection terminal group and the second connection terminal group) , the stress from the outside It is possible to impart strong rigidity to the portion where the slabs are intensively applied, and it is possible to improve the stress resistance when mechanical stress or tensile stress due to heat is applied. Thereby, generation | occurrence | production of the disconnection resulting from the stress from the outside can be suppressed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view illustrating an example of a wiring pattern according to an embodiment.
FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the tape carrier package.
FIG. 3 is a back view showing the overall configuration of the tape carrier package.
FIG. 4 is a plan view showing an example of a conventional wiring pattern.
[Explanation of symbols]
1
4 Liquid crystal display
Claims (5)
上記複数の配線の屈曲部における配線長が一番短くなる配線付近の少なくとも1本の配線は、上記第1の接続端子群のピッチおよび上記第2の接続端子群のピッチのうちのピッチが大きい方に対応する配線の配線幅のままで、上記第1の接続端子群と上記第2の接続端子群との間の基板上に配置して構成されているとともに、
上記少なくとも1本の配線を除く他の配線は、上記第1の接続端子群から上記屈曲部までの配線幅と上記屈曲部から上記第2の接続端子群までの配線幅とが異なって構成されていることを特徴とする配線パターンを有する半導体装置の支持基体。In a support base of a semiconductor device having a wiring pattern, wherein a wiring pattern comprising a plurality of wirings connecting between the first connection terminal group and the second connection terminal group is formed on a substrate.
At least one wiring in the vicinity of the wiring having the shortest wiring length at the bent portion of the plurality of wirings has a larger pitch between the pitch of the first connection terminal group and the pitch of the second connection terminal group. The wiring width of the wiring corresponding to the direction is arranged on the substrate between the first connection terminal group and the second connection terminal group,
The wiring other than the at least one wiring is configured such that the wiring width from the first connection terminal group to the bent portion is different from the wiring width from the bent portion to the second connection terminal group. A support base for a semiconductor device having a wiring pattern.
上記複数の配線の屈曲部における配線長が一番短くなる配線付近の少なくとも1本の配線は、上記第1の接続端子群と上記第2の接続端子群との間に屈曲部を設けずに構成されているとともに、
上記少なくとも1本の配線を除く他の配線は、上記第1の接続端子群から上記屈曲部までの配線幅と上記屈曲部から上記第2の接続端子群までの配線幅とが異なって構成されており、
上記少なくとも1本の配線に隣接する少なくとも1本の上記他の配線をダミー配線としたことを特徴とする配線パターンを有する半導体装置の支持基体。In a support base of a semiconductor device having a wiring pattern, wherein a wiring pattern comprising a plurality of wirings connecting between the first connection terminal group and the second connection terminal group is formed on a substrate.
At least one wiring near the wiring having the shortest wiring length in the bent portion of the plurality of wirings is provided without a bent portion between the first connection terminal group and the second connection terminal group. Configured, and
The wiring other than the at least one wiring is configured such that the wiring width from the first connection terminal group to the bent portion is different from the wiring width from the bent portion to the second connection terminal group. and,
A support base for a semiconductor device having a wiring pattern, wherein at least one of the other wirings adjacent to the at least one wiring is a dummy wiring .
上記境界線付近の少なくとも1本の配線は、上記第1の接続端子群のピッチおよび上記第2の接続端子群のピッチのうちピッチが大きい方に対応する配線の配線幅のままで、上記第1の接続端子群と上記第2の接続端子群との間の基板上に配置して構成されているとともに、
上記少なくとも1本の配線を除く他の配線は、上記第1の接続端子群から上記屈曲部までの配線幅と上記屈曲部から上記第2の接続端子群までの配線幅とが異なって構成されていることを特徴とする配線パターンを有する半導体装置の支持基体。A plurality of wires connecting between the first connection terminal group and the second connection terminal group due to the difference between the pitch of the first connection terminal group and the pitch of the second connection terminal group are bent portions in the middle. In the support base of the semiconductor device having a wiring pattern, the wiring pattern bent at the above is formed on the substrate, and the inclination of the wiring at the bent portion is discontinuous at a certain boundary line,
At least one wiring in the vicinity of the boundary line has the wiring width of the wiring corresponding to the larger one of the pitch of the first connection terminal group and the pitch of the second connection terminal group. And arranged on a substrate between one connection terminal group and the second connection terminal group,
The wiring other than the at least one wiring is configured such that the wiring width from the first connection terminal group to the bent portion is different from the wiring width from the bent portion to the second connection terminal group. A support base for a semiconductor device having a wiring pattern.
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