JP4356730B2 - ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、耐熱性および耐湿性に優れるダイボンディング用接着剤並びにそれを用いた
半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、
高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。これらの半導
体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに粘着
シートを貼付し、ダイシングにより個々の半導体素子に切断分離した後、エキスパンディ
ング、個片チップのピックアップを行い、次いで、半導体チップを金属リードフレームあ
るいはテープ基板または有機硬質基板にダイボンディングする半導体装置の組立工程へ移
送される。

ピックアップされた半導体チップは、ダイボンディング工程において、液状エポキシ接
着剤などのダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、半導体装置
が製造されている。しかしながら、多段にチップを重ねる必要からウエハーの薄型化が進
んでいるが従来のダイボンディング材である樹脂ペーストだと適量の接着剤を塗布するこ
とが困難であり、チップから接着剤がはみ出したり、硬化後のチップの反りのためパッケ
ージに組込み時の信頼性が低下するという問題があった。また、接着剤の塗布工程は繁雑
でもあり、プロセスを簡略化するためにも、改善・改良が要求されている。

この問題の解決のため、液状ダイアタッチ材の代わりに、フィルム状接着剤をダイアタ
ッチ材として使用することが提案され、一部では、既に使用されている（例えば、特許文
献１，２参照）。しかし、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を
実装するのに必要な耐熱性や耐湿性が不足するという問題が生じている。
ダイボンディング材に起因するリフロークラックのメカニズムはダイボンディング材が
吸湿しこの水分がリフローはんだ付け実装時に加熱により水蒸気化し、この時の水蒸気に
よりダイボンディング材が破壊もしくは剥離が生じリフロークラックが生じるという問題
が発生していた。

特開２００２−３５３２５２号公報（全頁） 特開２００２−２９４１７７号公報（全頁）

本発明の目的は、耐チッピング特性、クラック特性に優れたダイシングシートとしての
機能を有し、ダイマウント時には接着剤として使用することができるダイアタッチフィル
ム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。

本発明によれば、厚みの均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、ウエハーを６０℃以
下の条件で貼付を行いダイシング時にはダイシングフィルムとして耐チッピング特性、ク
ラック特性に優れたダイシングシートとしての機能を提供できるダイボンディング用材料
であり、これを用いた半導体装置は、これまでの液状エポキシ系のダイアタッチ材と同等
または、それ以上の耐衝撃性、耐熱性を有する。

本発明は、
［１］ ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム用のダイボンディング用フィルム状接着剤であって、当該ダイボンディング用フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物がアクリル酸共重合体とエポキシ樹脂とを含むものであり、当該ダイボンディング用フィルム状接着剤を、吸湿率測定前に１８０℃／１ｈで処理した後の、フィルム状接着剤の８５℃／８５％／４８時間の吸湿率が１．５％以下であり、透湿度測定前に１８０℃／１ｈで処理した後の、フィルム状接着剤の８５℃／８５％／２４時間の透湿度が６０００ｇ／ｍ^２・２４ｈ以上であるダイボンディング用フィルム状接着剤、
［２］ 前記ダイボンディング用フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度が−３０℃以上６０℃以下である［１］項記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
［３］ 前記ダイボンディング用フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物がガラス転移温度−３０℃以上６０℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含んでなる［１］又は［２］項記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
［４］ アクリル酸共重合体の分子量が１０万以上である［１］ないし［３］項のいずれか１項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
［５］ アクリル酸共重合体が、ニトリル基を含有するアクリル酸共重合体である［１］ないし［４］項のいずれか１項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
［６］ ［１］〜［５］項のいずれか１項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルム、
［７］ （Ａ）［６］項記載のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムでシリコンウエハー裏面とを６０℃以下で貼り合わせる工程、
（Ｂ）該シリコンウエハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
（Ｃ）ダイシング後にダイアタッチフィルム面に紫外線を照射して接着剤層の光透過性基材との接触界面を硬化させる工程、
（Ｄ）接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを光透過性基材から剥離し取り出すピックアップ工程、
（Ｅ）該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工程とを、含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法、
［８］ ［１］〜［５］項のいずれか１項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装置
である。

本発明は、１８０℃/１ｈで処理したフィルムの８５℃/８５％/４８時間の吸湿率が１
．５％以下であり、また、８５℃/８５％/２４時間の透湿度が６０００ｇ/ｍ^２・２４ｈ
以上であるフィルム状接着剤である。
本発明のフィルム状接着剤の吸湿率が１．５％を超えるとリフロー中に発泡しクラック
が生じやすくなり、好ましくない。また透湿度が６０００ｇ/ｍ^２・２４ｈ以上であると
水分がフィルムから抜けやすくなりリフロー中の耐クラック性に優れるため好ましい。

本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度は−３０℃以上６０
℃以下であることが好ましい。ガラス転移温度が６０℃を超えると６０℃以下での貼り付
け性が難しくなり、−３０℃を下回るとタック性が強すぎハンドリング性が悪くなる。
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は、ガラス転移温度が−３０℃以上６
０℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含むことが好ましい。
本発明に用いられるアクリル酸共重合体のガラス転移温度としては−３０℃以上６０℃
以下であることが好ましい。ガラス転移温度が−３０℃を下回るとタック性が強すぎハン
ドリングが難しくなり、６０℃を超えると６０℃以下での貼り付け性が悪くなる。

本発明に用いるアクリル酸重合体としてはアクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリ
ル酸エステル、アクリルニトリルのうち少なくとも１つをモノマー成分とした共重合体が
挙げられ、中でもグリシジルエーテル基を有するグリシジルメタクリレート、水酸基を有
するヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を有するカルボキシメタクリレートを含
む共重合体が好ましい。

これらアクリル酸共重合体の分子量は凝集力を高めることから１０万以上が好ましく、
１５万から１００万であることがより好ましい。
また本発明に用いるアクリル酸共重合体は、ニトリル基を含有したものであることが好
ましい。

本発明に用いられるエポキシ樹脂はモノマー、オリゴマ−及びポリマー全般をいう。例
えばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ
樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキ
シ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキ
シ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。

これらのエポキシ樹脂の内では、融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂が好まし
い。このような結晶性エポキシ樹脂は、ビフェニル骨格、ビスフェノール骨格、スチルベ
ン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子であるために結晶性を示すものである
。結晶性エポキシ樹脂は、常温では結晶化している固体であるが、融点以上の温度域では
急速に融解して低粘度の液状に変化するものである。結晶性エポキシ樹脂の融点は、示差
走査熱量計を用いて、常温から昇温速度５℃／分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点
の温度を示す。
本発明に用いるエポキシ樹脂の配合量は、アクリル酸共重合体１００重量部に対しエポ
キシ樹脂１０〜１００重量部、好ましくは３０〜７０重量部である。

本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は、シアネート基を有する有機化合物
を含んでもよい。シアネート基を有する有機化合物としては、ビスフェノールＡジシアネ
ート、ビスフェノールFジシアネート、ビス（４−シアネートフェニル）エーテル、ビス
フェノールEジシアネート シアネートノボラック樹脂などが挙げられる。

本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は、フェノール樹脂を含んでいてもよ
い。この場合，フェノール樹脂はエポキシ樹脂の硬化剤として作用する。
本発明に用いるフェノール樹脂としてはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェ
ニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノー
ル及び、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロ
キシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン及びこれらの内ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル
）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）・製
、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−
ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４
−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン
等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフ
ェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。

本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は紫外線硬化型樹脂を含んでもよく、
紫外線硬化型樹脂としては、アクリル系化合物（Ｃ−１）が好ましい。例えばアクリル酸
もしくはメタクリル酸エステルモノマーなどが挙げられる。中でもジアクリル酸エチレン
グリコール、ジメタクリ酸エチレングリコール、ジアクリル酸１，６−ヘキサンジオール
、ジメタクリル酸１，６−ヘキサンジオール、ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸
グリセリン、ジアクリル酸１，１０−デカンジオール、ジメタクリル酸１，１０−デカン
ジオール等の２官能アクリレート、トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタク
リル酸トリメチロールプロパン、トリアクリ酸ペンタエリスリトール、トリメタクリ酸ペ
ンタエリスリトール、ヘキサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタクリル酸ジ
ペンタエリスリトール等の多官能アクリレートなどが挙げられる。これらの内、アルキル
エステルが好ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が１〜１５のアクリル酸、メ
タクリル酸アルキルエステルである。

本発明に用いる紫外線硬化型樹脂であるアクリル酸またはメタクリル酸エステルから誘
導される成分単位の含有量は、アクリル樹脂１００重量部に対して、通常２０〜５５重量
部、好ましくは３０〜４０重量部である。下限値未満であると粘着力に乏しくなり上限値
を超えると保護フィルムとの密着力が必要以上となり好ましくない。

また、分子内にヒドロキシ基などの水酸基を有する紫外線硬化型樹脂のアクリル酸又は
メタクリル酸エステルを導入することで被着体との密着性や粘接着剤の特性を容易に制御
することができる。
紫外線硬化型樹脂には、更に、光重合開始剤（Ｃ−２）を混在させることにより、基材
から剥離しにくい場合は紫外線を照射することにより粘着剤層の表面を硬化させ剥離しや
すくさせることができダイアタッチフィルムとして使用するためにも、重要な成分である
。

このような光重合開始剤（Ｃ−２）としては、具体的にはベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾ
イン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、
ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。

本発明で用いられる紫外線硬化型樹脂は、好ましくは上記成分（Ｃ−１）〜（Ｃ−２）
からなり、それらの配合比は各成分の特性に応じて、適宜に設定されるが、一般的には成
分（Ｃ−１）１００重量部に対して、成分（Ｃ−２）は好ましくは１〜３０重量部、より
好ましくは３〜１５重量部程度で用いることが好ましい。１重量部未満であると光開始剤
の効果が弱く３０重量部を超えると反応性が高くなり保存性が悪くなる。

本発明のフィルム状接着剤には、フィラーを含有していてもよくそのフィラーの平均粒
径は０．１〜２５μｍであることが好ましい。平均粒径が０．１μｍ未満であるとフィラ
ー添加の効果が少なく、２５μｍを超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可
能性がある。

本発明のフィルム状接着剤に用いるフィラーとしては、金、銀、銅、ニッケル、アルミ
ニウム、ステンレス、セラミック、酸化チタン、シリカ、マイカ等が好ましい。
フィラーの含有量は０％〜３０重量％が好ましく、３０％を超えるとフィルムとしても
ろくなり接着性が低下する。

また本発明のフィルム状接着剤には硬化後の被着体との密着性向上のためにカップリン
グ剤を添加する事もできる。
カップリング剤としてはシランカップリング剤、チタンカップリング剤等が挙げられ中
でも汎用性、コストの観点からもシランカップリング剤が好ましい。

また、本発明は前記のフィルム状接着剤と光透過性基材とからなるダイシングシート機
能付きダイアタッチフィルムであり、フィルム状接着剤からなる粘接着層は２５℃におい
てもタック性を有し５０℃以下の低温でウエハーを貼り付けることができる。
本発明に用いる光透過性基材としては、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィル
ム、ポリブタジエンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、等があげられるが、３０〜７０
重量部、好ましくは４０〜６０重量部のポリプロピレン樹脂と７０〜３０重量部、好まし
くは６０〜４０重量部のポリスチレンブロックとビニルイソプレンブロックからなる共重
合体との混合物であることが好ましい。
本発明に用いられる光透過性基材の膜厚は、２０〜２００μｍであることが好ましく、
特に好ましくは２５〜１５０μｍである。

本発明において、フィルム状接着剤に用いる樹脂組成物は、未硬化時に十分な粘接着性
を有し、３７０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより硬化する成分を含み、紫外線照射
され硬化したフィルム状接着剤と被接着物との界面において粘着性を持たなくなるという
特徴を有することが好ましい。

本発明のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムの製造方法としては、先ず離
型シート上に、フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物をワニス状で、コンマコーター、
ダイコーター、グラビアコーターなど、一般に周知の方法に従って、塗工し、乾燥させて
粘接着剤層を形成する。その後離型シートを除去することによって粘接着剤フィルムとし
、これに光透過性基材に積層し、更に粘接着剤フィルムに保護フィルムを積層して保護フ
ィルム、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフ
ィルムを得ることができる。
又は、離型シート上に形成された粘接着剤層に、光透過性基材に積層して、保護フィル
ム（離型シート）、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイ
アタッチフィルムを得ることができる。

または、光透過性基材上に、直接、フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物を同様の方
法で塗工し、乾燥させて、フィルム状接着剤に保護フィルムを積層して保護フィルム、粘
接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを得
ることができる。

このようにして形成される粘接着層の厚さは、好ましくは３〜１００μｍで、１０〜７
５μｍであることがより好ましい。厚さが３μｍ未満であると粘接着剤としての効果が少
なくなり、１００μｍを超えると製品の作成上難しく厚み精度が悪くなる。

本発明の半導体装置の製造方法は、まず、シリコンウエハーの裏面に本発明のダイシン
グシート機能つきダイアタッチフィルムの粘接着層を室温あるいは６０℃以下の温和な条
件で貼付した後、ダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、ダイアタッチフィルム
をダイシングフィルムとして介してダイシング装置上に固定し、ダイシングソーなどの切
断手段を用いて、上記のダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、個片単位に切断
して個片ダイとした半導体チップを得る。

続いて、上記のようにして得られた半導体チップに貼付したダイアタッチフィルムの光
透過性基材面に、紫外線（中心波長＝約３６５ｎｍ）を照射する。通常、照度は２０〜５
００ｍＪ／ｃｍ²、さらに照射時間は、５〜６００秒の範囲内に設定される。上記の紫外
線照射の場合準じて諸条件を設定することができる。

次いで、ダイアタッチフィルムを半導体チップの裏面に固着残存させたままで、光透過
性基材のみを剥離する。
このようにして、ダイアタッチフィルムの粘接着層が固着されている半導体チップを、
そのまま金属リードフレームや基板に、粘接着層を介して、加熱・圧着することで、ダイ
ボンディングすることができる。加熱・圧着の条件として、通常は、１００〜３００℃の
加熱温度、１〜１０秒の圧着時間であり、好ましくは１００〜２００℃の加熱、１〜５秒
の圧着時間である。つづいて、加熱にすることにより、ダイアタッチフィルム中のエポキ
シ樹脂を硬化させ、半導体チップとリードフレームや基板等とを、強固に接着させた半導
体装置を得ることができる。この場合の加熱温度は、通常は１００〜３００℃程度、好ま
しくは１５０〜２５０℃程度であり、加熱時間は通常は１〜２４０分間、好ましくは１０
〜６０分間である。
最終的に硬化したダイアタッチフィルムは、高い耐熱性を有するとともに、アクリルゴ
ム樹脂成分のため硬化物は、脆質性が低く、優れた剪断強度と高い耐衝撃性、耐熱性を有
する。

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない
。

（Ａ）アクリル酸共重合体樹脂成分又はポリイミド樹脂
［（Ａ−１）エポキシ基含有アクリルゴム（ナガセケムテックス（株）製、商品名：ＳＧ
８０ＨＤＲ、Ｔｇ：１０℃、分子量Ｍｗ＝３５００００）
（Ａ−２）エポキシ基含有アクリルゴム（ナガセケムテックス（株）製、商品名：ＳＧＰ
３ＤＲ、Ｔｇ：１２℃、分子量Ｍｗ＝８５００００）
（Ａ−３）シリコーン変性ポリイミド樹脂
ジアミン成分として２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン（０
．１５モル）とα，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均分子
量８３７）（０．１５モル）、酸成分として４，４’−オキシジフタル酸二無水物（０．
１５モル）と３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とを用いたアニ
ソールに可溶なポリイミド樹脂。分子量Ｍｗ＝５００００。

（Ｂ）エポキシ基を含む樹脂成分
（Ｂ−１）クレゾールノボラックエポキシ樹脂（商品名：ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エ
ポキシ当量：２００ｇ／ｅｑ、メーカー：日本化薬（株））
（Ｃ）紫外線硬化型樹脂
〔（Ｃ−１）（メタ）アクリル酸エステルモノマー〕１，６−ヘキサンジオールジメタク
リレート（メーカー：共栄社化学（株））
〔（Ｃ−２）光重合開始剤〕２，２−ジメトキシキ−１，２−ジフェニルエタン−１−オ
ン（メーカー：チバガイギ（株））
（Ｄ）フィラー
（Ｄ−１）シリカフィラーＳＰ−４Ｂ（平均粒径４μｍ）（メーカー：扶桑化学(株) ）
（Ｅ）イミダゾール
（Ｅ−１）イミダゾール化合物（商品名：１Ｂ２ＭＺ、メーカー：四国化成）

光透過性基材
ハイブラ６０重量部ポリプロピレン４０重量部からなるクリアテックＣＴ−Ｈ８１７（
クラレ製）を、押し出し機で、厚み１００μｍのフィルムを形成した。

《実施例１》
表１に記載の割合で各成分を調合し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を、ポリエチ
レンテレフタレート基材１００μｍに塗布し、乾燥しフィルム状接着剤を得た。このフィ
ルム状接着剤に、光透過性基材を合わせてラミネートすることで保護フィルム（ポリエチ
レンテレフタレート基材）、フィルム状接着剤、及び光透過性基材からなるダイシングシ
ート機能つきダイアタッチフィルムを作製した。
このダイアタッチフィルムの保護フィルムを剥離した後、接着剤面に半導体ウエハーを
貼り付け、固定保持しダイシングソーを用いて、スピンドル回転数５０，０００ｒｐｍ、
カッティングスピード５０ｍｍ／secで、５×５ｍｍ角のチップサイズにカットした。次
いで、紫外線を２０秒で２５０ｍＪ／ｃｍ^２の積算光量を照射後ダイアタッチフィルムの
残着した半導体チップから、光透過性基材を剥離し、次いで、半導体チップをフィルム状
接着剤を介して、４２−アロイ合金のリードフレームに、１８０℃−１ＭＰａ−１．０ｓ
ｅｃの条件で圧着して、ダイボンディングし、ダイシングシート及びダイアタッチフィル
ムとしての各項目の評価を行った。結果を表２、３に示す。

《実施例２》
粘接着剤成分の配合割合を表１のように変更した以外は、実施例１と同様の操作を行っ
た。
《比較例１》
粘接着剤成分の配合割合を表１のように変更した以外は、実施例１と同様の操作を行っ
た。

実施例および比較例の評価は、以下の評価方法を用いた。
（１）吸湿率測定
粘接着シートに粘接着層が自立したフィルムとなるまで紫外線を照射した後、基材とカバ
ーフィルムを剥離し５ｃｍ×５ｃｍの大きさに切断したフィルムを１２０℃３時間で乾燥
させさらに１８０℃１時間で処理したフィルムをデシケータ内で放冷し乾燥重量（Ｍ１）
を測定し８５℃/８５％で４８時間吸湿させ吸湿後重量（Ｍ２）を測定する。吸湿率は（
Ｍ２−Ｍ１）/Ｍ１×１００＝吸湿率として計算した。
（２）透湿度測定
粘接着シートに粘接着層が自立したフィルムとなるまで紫外線を照射した後、基材とカバ
ーフィルムを剥離し透過面積φ０．０３８ｍとなるように切断し１２０℃３時間で乾燥さ
せさらに１８０℃１時間で処理したフィルムをＪＩＳ Ｚ０２０８ カップ法に準じて８
５℃/８５％/２４時間処理した時のフィルムを透過した水分の量を測定した。

（３） ダイシング後のチップの飛散
半導体ウェハーをダイシングした後に、粘着が弱いためにダイアタッチフィルム上から
剥離する半導体チップの個数を計測することにより評価した。
（４）チッピング特性
○：チップのかけの幅が最大で30μｍ以下のもの。
△：チップのかけの幅が最大で30〜50μｍのもの。
×：チップのかけの幅が最大で50μｍ以上のもの。

（５） ピックアップ性
半導体ウェハーのダイシング後に紫外線照射し、ダイアタッチフィルム付き半導体チッ
プを光透過性基材から取り上げること（ピックアップ）ができるかを評価した。
○：ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの
△：ダイシングしたチップの５０〜９０％がピックアップ可能なもの
×：ピックアップが５０％以下のもの
（６） ダイアタッチフィルムとしての初期接着性
ダイアタッチフィルム付き半導体チップを４２−アロイ合金のリードフレームに１８０
℃−１ＭＰａ−１．０ｓｅｃの条件でダイボンディングし、そのまま未処理の状態でチッ
プとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。

（７） 吸湿後の接着性
上記（６）でダイボンディングした測定サンプルを８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸
湿処理をした後、チップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。
○：剪断強度が１ＭＰａ以上
△：剪断強度が０．５〜１．０ＭＰａ
×：剪断強度が０．５ＭＰａ未満
（８）リフロークラック発生率
厚み２００μｍのシリコンウエハーの裏面に表１に示す粘接着剤フィルムを貼り付けし９
ｍｍ×９ｍｍにダイシングし粘接着層とともにピックアップし得られた粘接着層付き半導
体素子をＢＴ基板の上に１３０℃、５Ｎ、１ｓでマウントし１８０℃、１時間でキュア処
理し封止材（住友ベークライト株式会社製Ｇ７７０）でモールドし半導体装置を製造した
。（ＢＧＡパッケージ１６ｍｍ×１６ｍｍ×１．０６ｍｍ、チップサイズ９ｍｍ×９ｍｍ
、ＢＴ基板。）
封止後の半導体装置を８５℃/８５％ＲＨの恒温恒湿層で１６８時間処理した後ＩＲリ
フロー炉で２６０℃１０秒加熱した。その後半導体装置をポリエステル樹脂で注型しダイ
アモンドカッターで切断し断面の観察を行った。（リフロークラック発生数）/（試験数
）×１００＝リフロークラック発生率（％）とし耐リフロークラック性を評価した。

Claims (8)

1. ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム用のダイボンディング用フィルム状接着剤であって、
   当該ダイボンディング用フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物がアクリル酸共重合体とエポキシ樹脂とを含むものであり、
   当該ダイボンディング用フィルム状接着剤を、吸湿率測定前に１８０℃／１ｈで処理した後の、フィルム状接着剤の８５℃／８５％／４８時間の吸湿率が１．５％以下であり、透湿度測定前に１８０℃／１ｈで処理した後の、フィルム状接着剤の８５℃／８５％／２４時間の透湿度が６０００ｇ／ｍ^２・２４ｈ以上であるダイボンディング用フィルム状接着剤。
2. 前記ダイボンディング用フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度が−３０℃以上６０℃以下である請求項１記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
3. 前記ダイボンディング用フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物がガラス転移温度−３０℃以上６０℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含んでなる請求項１又は２記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
4. アクリル酸共重合体の分子量が１０万以上である請求項１ないし３のいずれか１項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
5. アクリル酸共重合体が、ニトリル基を含有するアクリル酸共重合体である請求項１ないし４のいずれか１項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルム。
7. （Ａ）請求項６記載のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムでシリコンウエハー裏面とを６０℃以下で貼り合わせる工程、
   （Ｂ）該シリコンウエハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
   （Ｃ）ダイシング後にダイアタッチフィルム面に紫外線を照射して接着剤層の光透過性基材との接触界面を硬化させる工程、
   （Ｄ）接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを光透過性基材から剥離し取り出すピックアップ工程、
   （Ｅ）該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工程とを、
   含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装置。