JP2010087538A - ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体組立工程に際して、ダイボンディング用接着剤、及びダイアタッチフィルムとダイシングフィルムの機能を併せ持つフィルムをウエハーに６０℃以下の温和な条件で貼付けを行うことの出来るダイアタッチフィルムを提供すること。
【解決手段】フィルム状接着剤を６０℃でウエハー裏面に貼り付けた時のウエハーとフィルム状接着剤とのピール強度が５０ｇ／２５ｍｍ以上であり、好ましくは構成する樹脂組成物のガラス転移温度が−３０℃以上６０℃以下であり、樹脂組成物が、ガラス転移温度が−３０℃以上６０℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含んでなるダイボンディング用フィルム状接着剤であり、これに光透過性基材を用いてダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを製造することができる。
【選択図】なし

Description

本発明は、ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。これらの半導体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに粘着シートを貼付し、ダイシングにより個々の半導体素子に切断分離した後、エキスパンディング、個片チップのピックアップを行い、次いで、半導体チップを金属リードフレームあるいはテープ基板または有機硬質基板にダイボンディングする半導体装置の組立工程へ移送される。

ピックアップされた半導体チップは、ダイボンディング工程において、液状エポキシ接着剤などのダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、半導体装置が製造されている。しかしながら、多段にチップを重ねる必要からウエハーの薄型化が進んでいるが従来のダイボンディング材である樹脂ペーストな場合、適量の接着剤を塗布することが困難であり、チップから接着剤がはみ出したり、硬化後のチップの反りのためパッケージに組込み時の信頼性が低下したりするという問題があった。また、接着剤の塗布工程は繁雑でもあり、プロセスを簡略化するためにも、改善・改良が要求されている。

この問題の解決のため、液状ダイアタッチ材の代わりに、フィルム状接着剤をダイアタッチ材として使用することが提案され、一部では、既に使用されている（例えば、特許文献１、２参照）。また、ダイアタッチ材のウエハー裏面への貼付時、１００℃以上の熱が必要であり、１００μｍ以下の薄型ウエハーにおいては反りや割れが生じるという問題が発生していた。

特開２００２−３５３２５２号公報（全頁） 特開２００２−２９４１７７号公報（全頁）

本発明の目的は、耐チッピング特性、クラック特性に優れたダイシングシートとしての機能を有し、ダイマウント時には接着剤として使用することができ、しかも、厚みの均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、厳しい湿熱条件に耐える耐リフロー性に優れたダイアタッチフィルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにあり、また該ダイアタッチフィルムを構成する低温貼付が可能なフィルム状接着剤を提供することにある。

本発明は、
（１） フィルム状接着剤を６０℃でウエハー裏面に貼り付けた時のウエハーとフィルム状接着剤とのピール強度が５０ｇ／２５ｍｍ以上であることを特徴とするダイボンディング用フィルム状接着剤、
（２） フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度が−３０℃以上６０℃以下である（１）項記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
（３） フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物が、ガラス転移温度が−３０℃以上６０℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含んでなる（１）又は（２）項記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
（４） アクリル酸共重合体の分子量が１０万以上である（３）項記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
（５） アクリル酸共重合体が、ニトリル基を含有するアクリル酸共重合体である（３）又は（４）項記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
（６） （１）〜（５）項のいずれかに記載のダイボンディング用フィルム状接着剤及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルム、
（７） （Ａ）（６）項記載のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムでシリコンウェハー裏面とを６０℃以下で貼り合わせる工程、
（Ｂ）該シリコンウェハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
（Ｃ）ダイシング後にダイアタッチフィルム面に紫外線を照射して接着剤層の光透過性基材との接触界面を硬化させる工程、
（Ｄ）接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを光透過性基材から剥離し取り出すピックアップ工程、
（Ｅ）該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工程とを、含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法、
（８） （１）〜（５）項のいずれかに記載のダイボンディング用フィルム状接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装置
である。

本発明によれば、厚みの均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、ウエハーを６０℃以下の条件で貼付を行いダイシング時にはダイシングフィルムとして耐チッピング特性、クラック特性に優れたダイシングシートとしての機能を提供できるダイボンディング用材料であり、これを用いた半導体装置は、これまでの液状エポキシ系のダイアタッチ材と同等または、それ以上の耐衝撃性、耐熱性を有する。

本発明は、６０℃でウエハー裏面に貼り付けた時のウエハーとフィルム状接着剤とのピール強度が５０ｇ／２５ｍｍ以上であるダイボンディング用フィルム状接着剤である。ピール強度が５０ｇ／２５ｍｍ未満であると、ウエハーとの密着が弱くなりダイシング工程時にチップ飛散を生じ好ましくない。

本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度は−３０℃以上６０℃以下であることが好ましい。ガラス転移温度が６０℃を超えると６０℃以下での貼り付け性が難しくなり−３０℃を下回るとタック性が強すぎハンドリング性が悪くなる。
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は、ガラス転移温度が−３０℃以上６０℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含むことが好ましい。
本発明に用いられるアクリル酸共重合体のガラス転移温度としては−３０℃以上６０℃以下が好ましい。ガラス転移温度が−３０℃を下回るとタック性が強すぎハンドリングが難しくなり、６０℃を超えると６０℃以下での貼り付け性が悪くなる。

本発明に用いるアクリル酸共重合体としてはアクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリルニトリルのうち少なくとも１つをモノマー成分とした共重合体が挙げられ、中でもグリシジルエーテル基を有するグリシジルメタクリレート、水酸基を有するヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を有するカルボキシメタクリレートを
含む共重合体が好ましい。

これらアクリル酸共重合体の分子量は凝集力を高めることから１０万以上が好ましく、１５万から１００万であることがより好ましい。
また本発明に用いるアクリル酸共重合体は、ニトリル基を含有したものであることが好ましい。
本発明に用いられるエポキシ樹脂はモノマー、オリゴマ−及びポリマー全般をいう。例えばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。

これらのエポキシ樹脂の内では、融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂が好ましい。このような結晶性エポキシ樹脂は、ビフェニル骨格、ビスフェノール骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子であるために結晶性を示すものである。結晶性エポキシ樹脂は、常温では結晶化している固体であるが、融点以上の温度域では急速に融解して低粘度の液状に変化するものである。結晶性エポキシ樹脂の融点は、示差走査熱量計を用いて、常温から昇温速度５℃／分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点温度を示す。
本発明に用いるエポキシ樹脂の配合量は、アクリル酸共重合体１００重量部に対しエポキシ樹脂１０〜１００重量部、好ましくは３０〜７０重量部である。

本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物はシアネート基を有する有機化合物を含んでもよい。シアネート基を有する有機化合物としては、ビスフェノールＡジシアネート、ビスフェノールFジシアネート、ビス（４−シアネートフェニル）エーテル、ビスフ
ェノールEジシアネート シアネートノボラック樹脂などが挙げられる。

本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物はフェノール樹脂を含んでいてもよい。この場合、フェノール樹脂はエポキシ樹脂の硬化剤として作用する。

本発明に用いるフェノール樹脂としてはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール及び、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン及びこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）・製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。

本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は紫外線硬化型樹脂を含んでもよく、紫外線硬化型樹脂としては、アクリル系化合物（Ｃ−１）が好ましい。例えばアクリル酸もしくはメタクリル酸エステルモノマーなどが挙げられる。中でもジアクリル酸エチレングリコール、ジメタクリ酸エチレングリコール、ジアクリル酸１，６−ヘキサンジオール、ジメタクリル酸１，６−ヘキサンジオール、ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸グリセリン、ジアクリル酸１，１０−デカンジオール、ジメタクリル酸１，１０−デカン
ジオール等の２官能アクリレート、トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタクリル酸トリメチロールプロパン、トリアクリ酸ペンタエリスリトール、トリメタクリ酸ペンタエリスリトール、ヘキサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタクリル酸ジペンタエリスリトール等の多官能アクリレートなどが挙げられる。これらの内、アルキルエステルが好ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が１〜１５のアクリル酸、メタクリル酸アルキルエステルである。

本発明に用いる紫外線硬化型樹脂であるアクリル酸またはメタクリル酸エステルから誘導される成分単位の含有量は、アクリル酸共重合体１００重量部に対して、通常２０〜５５重量部、好ましくは３０〜４０重量部である下限値未満であると粘着力に乏しくなり上限値を超えると保護フィルムとの密着力が必要以上となり好ましくない。

また、分子内にヒドロキシ基などの水酸基を有する紫外線硬化型樹脂のアクリル酸又はメタクリル酸エステルを導入することで被着体との密着性や粘接着剤の特性を容易に制御することができる。
紫外線硬化型樹脂には、更に、光重合開始剤（Ｃ−２）を混在させることにより、基材から剥離しにくい場合は紫外線を照射することにより粘着剤層の表面を硬化させ剥離しやすくさせることができダイアタッチフィルムとして使用するためにも、重要な成分である。

このような光重合開始剤（Ｃ−２）としては、具体的にはベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。

本発明で用いられる紫外線硬化型樹脂は、好ましくは上記成分（Ｃ−１）〜（Ｃ−２）からなり、それらの配合比は各成分の特性に応じて、適宜に設定されるが、一般的には成分（Ｃ−１）１００重量部に対して、成分（Ｃ−２）は好ましくは１〜３０重量部、より好ましくは３〜１５重量部程度で用いることが好ましい。１重量部未満であると光開始剤の効果が弱く３０重量部を超えると反応性が高くなり保存性が悪くなる。

本発明のフィルム状接着剤には、フィラーを含有していてもよくそのフィラーの平均粒径は０．１〜２５μｍであることが好ましい。平均粒径が０．１μｍ未満であるとフィラー添加の効果が少なく、２５μｍを超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。

本発明のフィルム状接着剤に用いるフィラーとしては、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等が好ましい。
フィラーの含有量は０％〜３０重量％が好ましく、３０％を超えるとフィルムとしてもろくなり接着性が低下する。

また、本発明は前記のフィルム状接着剤と光透過性基材とからなるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムであり、フィルム状接着剤からなる粘接着層は２５℃においてもタック性を有し５０℃以下の低温でウエハーを貼り付けることができる。
本発明に用いる光透過性基材としては、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、等があげられるが、３０〜７０重量部、好ましくは４０〜６０重量部のポリプロピレン樹脂と７０〜３０重量部、好ましくは６０〜４０重量部のポリスチレンブロックとビニルイソプレンブロックからなる共重合体との混合物であることが好ましい。
本発明に用いられる光透過性基材の膜厚は、２０〜２００μｍであることが好ましく、
特に好ましくは２５〜１５０μｍである。

本発明において、フィルム状接着剤に用いる樹脂組成物は、未硬化時に十分な粘接着性を有し、３７０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより硬化する成分を含み、紫外線照射され硬化したフィルム状接着剤と被接着物との界面において粘着性を持たなくなるという特徴を有することが好ましい。

本発明のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムの製造方法としては、先ず離型シート上に、フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物をワニス状で、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーターなど、一般に周知の方法に従って、塗工し、乾燥させて粘接着剤層を形成する。その後離型シートを除去することによって粘接着剤フィルムとし、これに光透過性基材に積層し、更に粘接着剤フィルムに保護フィルムを積層して保護フィルム、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを得ることができる。

又は、離型シート上に形成された粘接着剤層に、光透過性基材に積層して、保護フィルム（離型シート）、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを得ることができる。
または、光透過性基材上に、直接、フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物を同様の方法で塗工し、乾燥させて、フィルム状接着剤に保護フィルムを積層して保護フィルム、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを得ることができる。
このようにして形成される粘接着層の厚さは、好ましくは３〜１００μｍで、１０〜７５μｍであることがより好ましい。厚さが３μｍ未満であると粘接着剤としての効果が少なくなり、１００μｍを超えると製品の作成上難しく厚み精度が悪くなる。

本発明の半導体装置の製造方法は、まず、シリコンウエハーの裏面に本発明のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムの粘接着層を室温あるいは６０℃以下の温和な条件で貼付した後、ダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、ダイアタッチフィルムをダイシングフィルムとして介してダイシング装置上に固定し、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記のダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、個片単位に切断して個片ダイとした半導体チップを得る。

続いて、上記のようにして得られた半導体チップに貼付したダイアタッチフィルムの光透過性基材面に、紫外線（中心波長＝約３６５ｎｍ）を照射する。通常、照度は２０〜５００ｍＪ／ｃｍ²、さらに照射時間は、５〜６００秒の範囲内に設定される。上記の紫外
線照射の場合準じて諸条件を設定することができる。
次いで、ダイアタッチフィルムを半導体チップの裏面に固着残存させたままで、光透過性基材のみを剥離する。

このようにして、ダイアタッチフィルムの粘接着層が固着されている半導体チップを、そのまま金属リードフレームや基板に、粘接着層を介して、加熱・圧着することで、ダイボンディングすることができる。加熱・圧着の条件として、通常は、１００〜３００℃の加熱温度、１〜１０秒の圧着時間であり、好ましくは１００〜２００℃の加熱、１〜５秒の圧着時間である。つづいて、加熱にすることにより、ダイアタッチフィルム中のエポキシ樹脂を硬化させ、半導体チップとリードフレームや基板等とを、強固に接着させた半導体装置を得ることができる。この場合の加熱温度は、通常は１００〜３００℃程度、好ましくは１５０〜２５０℃程度であり、加熱時間は通常は１〜２４０分間、好ましくは１０〜６０分間である。
最終的に硬化したダイアタッチフィルムは、高い耐熱性を有するとともに、アクリルゴ
ム樹脂成分のため硬化物は、脆質性が低く、優れた剪断強度と高い耐衝撃性、耐熱性を有する。

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（Ａ）アクリル酸共重合体樹脂成分又はポリイミド樹脂
（Ａ−１）エポキシ基含有アクリルゴム（ナガセケムテックス（株）製、商品名：ＳＧ８０ＨＤＲ、Ｔｇ：１０℃、分子量Ｍｗ＝３５００００）
（Ａ−２）エポキシ基含有アクリルゴム（ナガセケムテックス（株）製、商品名：ＳＧＰ３ＤＲ、Ｔｇ：１２℃、分子量はＭｗ＝８５００００）
（Ａ−３）シリコーン変性ポリイミド樹脂：
ジアミン成分として２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン（０．１５モル）とα，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均分子量８３７）（０．１５モル）、酸成分として４，４’−オキシジフタル酸二無水物（０．１５モル）３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を用いたアニソールに可溶なポリイミド樹脂。Ｔｇ：１００℃、分子量はＭｗ＝５００００。

（Ｂ）エポキシ基を含む樹脂成分
（Ｂ−１）クレゾールノボラックエポキシ樹脂（商品名：ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量：２００ｇ／ｅｑ、メーカー：日本化薬（株））
（Ｃ）紫外線硬化型樹脂
〔（Ｃ−１）（メタ）アクリル酸エステルモノマー〕１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート（メーカー：共栄社化学（株））
〔（Ｃ−２）光重合開始剤〕２，２−ジメトキシキ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（メーカー：チバガイギ（株））
（Ｄ）フィラー
（Ｄ−１）シリカフィラーＳＰ−４Ｂ（平均粒径４μｍ）（メーカー：扶桑化学(株) ）
（Ｅ）イミダゾール
（Ｅ−１）イミダゾール化合物（商品名：１Ｂ２ＭＺ、メーカー：四国化成）

光透過性基材
ハイブラ６０重量部ポリプロピレン４０重量部からなるクリアテックＣＴ−Ｈ８１７（クラレ製）を、押し出し機で、厚み１００μｍのフィルムを形成した。

《実施例１》
表１に記載の割合で各成分を調合し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタレート基材１００μｍに塗布し、乾燥しフィルム状接着剤を得た。このフィルム状接着剤に、光透過性基材を合わせてラミネートすることで保護フィルム（ポリエチレンテレフタレート基材）、フィルム状接着剤、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを作製した。

このダイアタッチフィルムの保護フィルムを剥離した後、接着剤面に半導体ウエハーを貼り付け、固定保持しダイシングソーを用いて、スピンドル回転数５０，０００ｒｐｍ、カッティングスピード５０ｍｍ／secで、５×５ｍｍ角のチップサイズにカットした。次
いで、紫外線を２０秒で２５０ｍＪ／ｃｍ^２の積算光量を照射後ダイアタッチフィルムの残着した半導体チップから、光透過性基材を剥離し、次いで、半導体チップをフィルム状接着剤を介して、４２−アロイ合金のリードフレームに、１８０℃−１ＭＰａ−１．０ｓｅｃの条件で圧着して、ダイボンディングし、ダイシングシート及びダイアタッチフィルムとしての各項目の評価を行った。結果を表２、３に示す。

《実施例２》
粘接着剤成分の配合割合を表１のように変更した以外は、実施例１と同様の操作を行った。

《比較例１》
粘接着剤成分の配合割合を、表１のように変更した。この系ではタック性がなく光透過性基材へのラミネートができなかったのでダイシング以降の評価は行わなかった。

実施例および比較例の評価は、以下の評価方法を用いた。
（１）ガラス転移温度
セイコーインスツルメント社製動的粘弾性装置を用い、フィルム状接着剤を昇温速度３℃/ｍｉｎ、周波数１０Ｈｚで動的粘弾性を測定したときの緩和ピーク。
（２）ピール強度測定
実施例１，２比較例１：５インチ１００μｍウエハー裏面に２５ｍｍ幅のダイシングシー
ト機能付きダイアタッチフィルムを０．１MPaで加圧し５０℃で貼り付けしピール強度を
測定した。

（３）ウエハー反り測定
実施例１，２：５インチ１００μｍウエハー裏面にダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを０．１MPaで加圧し２５℃で貼り付けしウエハーの反りを東京精密(株)製の
表面粗さ形状測定機で測定した。
比較例１：５インチ１００μｍウエハー裏面にキャリアフィルムつきダイアタッチフィルムを０．１５MPaで加圧し１５０℃で加熱することによりダイアタッチフィルムつきウエ
ハーを作成しウエハーの反りを測定した。

（４） ダイシング後のチップの飛散
半導体ウェハーをダイシングした後に、粘着が弱いためにダイアタッチフィルム上から剥離する半導体チップの個数を計測することにより評価した。
（５）チッピング特性
○：チップのかけの幅が最大で30μｍ以下のもの。
△：チップのかけの幅が最大で30〜50μｍのもの。
×：チップのかけの幅が最大で50μｍ以上のもの。

（６） ピックアップ性
半導体ウェハーのダイシング後に紫外線照射し、ダイアタッチフィルム付き半導体チップを光透過性基材から取り上げること（ピックアップ）ができるかを評価した。
○：ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの
△：ダイシングしたチップの５０〜９０％がピックアップ可能なもの
×：ピックアップが５０％以下のもの
（７） ダイアタッチフィルムとしての初期接着性
ダイアタッチフィルム付き半導体チップを４２−アロイ合金のリードフレームに１８０℃−１ＭＰａ−１．０ｓｅｃの条件でダイボンディングし、そのまま未処理の状態でチップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。

（８） 吸湿後の接着性
上記（７）でダイボンディングした測定サンプルを８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、チップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。
○：剪断強度が１ＭＰａ以上
△：剪断強度が０．５〜１．０ＭＰａ
×：剪断強度が０．５ＭＰａ未満

Claims (8)

1. フィルム状接着剤を６０℃でウエハー裏面に貼り付けた時のウエハーとフィルム状接着剤とのピール強度が５０ｇ／２５ｍｍ以上であることを特徴とするダイボンディング用フィルム状接着剤。
2. フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度が−３０℃以上６０℃以下である請求項１記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
3. フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物が、ガラス転移温度が−３０℃以上６０℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含んでなる請求項１又は２記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
4. アクリル酸共重合体の分子量が１０万以上である請求項３記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
5. アクリル酸共重合体が、ニトリル基を含有するアクリル酸共重合体である請求項３又は４記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルム。
7. （Ａ）請求項６記載のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムでシリコンウェハー裏面とを６０℃以下で貼り合わせる工程、
   （Ｂ）該シリコンウェハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
   （Ｃ）ダイシング後にダイアタッチフィルム面に紫外線を照射して接着剤層の光透過性基材との接触界面を硬化させる工程、
   （Ｄ）接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを光透過性基材から剥離し取り出すピックアップ工程、
   （Ｅ）該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工程とを、含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装置。