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JP4207535B2 - Electro-optical device substrate, electro-optical device, method for manufacturing electro-optical device substrate, method for manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device substrate, electro-optical device, method for manufacturing electro-optical device substrate, method for manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

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JP4207535B2
JP4207535B2 JP2002323931A JP2002323931A JP4207535B2 JP 4207535 B2 JP4207535 B2 JP 4207535B2 JP 2002323931 A JP2002323931 A JP 2002323931A JP 2002323931 A JP2002323931 A JP 2002323931A JP 4207535 B2 JP4207535 B2 JP 4207535B2
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英樹 金子
睦 松尾
俊裕 大竹
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話や携帯情報端末等に用いられる電気光学装置を構成する電気光学装置用基板及びその電気光学装置用基板を用いて構成される電気光学装置に関する。また、本発明はその電気光学装置用基板の製造方法及びその電気光学装置用基板を用いて構成される電気光学装置の製造方法に関する。更に本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯型パーソナルコンピュータ等といった電子機器に電気光学装置が広く用いられるようになってきており、その電気光学装置の１つとして、部分的に反射型表示が可能な反射半透過型液晶装置が知られている。この液晶装置では、バックライト等による透過光の他、自然光や室内光等といった外部光が該液晶装置の内部へ取り込まれ、その光が該液晶装置の内部に形成された反射層で反射して、再び外部へ射出されることにより表示が行われるが、この反射させる部分の構成は、全面で反射型表示させる反射型液晶装置も同様である。
【０００３】
一方、反射型表示が可能な液晶装置（以下「反射半透過型液晶装置及反射型液晶装置」をいう。）においては、反射層の表面が鏡面状であると、観察者が視認する像に背景や室内照明が映ってしまい、表示された像が見難くなるという問題が生じる。
【０００４】
この問題を解消するため、従来、反射層の下に多数の微細な凹凸構造を表面に形成した下地層を設けて、該反射層の表面に複数の微細な山部を形成し粗面化して、反射光を適度に散乱させるという技術が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、下地層を有する液晶装置でその下地層上に反射層を形成し、更にその上に着色層を形成する構造を採る場合、隣り合うドットの境界領域に構成された光を遮蔽する層（以下「遮蔽層」と言う。）での十分な遮光性を生じさせるには、その部分の厚さが厚くなり、液晶に接する配向膜やオーバコート層によっても場所によって凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる他、ラビング処理が上手くいかなくなる等の問題が生じることとなる。
【０００６】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたもので、隣り合うドット間の境界領域と各ドットとの表面での凹凸を軽減することができる電気光学装置用基板、その電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、その電気光学装置用基板の製造方法、その電気光学装置の製造方法及びその電気光学装置を使用した電子機器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置用基板は、複数のドット領域を有する基板と、
隣り合う前記ドット領域間の境界領域で凹部又は開口部を有するように前記基板上に設けられ、且つ不規則に配列された山部又は谷部を有する下地層と、
前記ドット領域内の前記下地層と平面的に重なる領域においては一層で設けられ、前記凹部又は開口部においては積層されて前記凹部又は開口部に入り込むように設けられた、互いに色が異なる第１の着色層と第２の着色層と第３の着色層と、を有し、
前記第１の着色層の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色層及び前記第３の着色層の可視光波長域における平均透過率よりも低く、
前記第１の着色層及び前記第２の着色層、前記第３の着色層は、前記凹部又は開口部において前記基材に前記第１の着色層及び前記第２の着色層、前記第３の着色層の順に積層され、且つ前記第１の着色層の厚さは前記第２の着色層及び前記第３の着色層の厚さよりも厚く形成されていることを特徴とする電気光学装置用基板。
ことを特徴とする。
【０００８】
本発明のこのような構成によれば、隣り合うドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を設けたので、着色層による例えば遮蔽層の高さを低くでき、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を設けていたため、例えば遮蔽層の高さが高くなり、オーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層をドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように設けたので、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【０００９】
また、下地層を不規則に配列された山部又は谷部を有するように設けたので、適度に反射光を散乱でき表示面での映り込みを軽減できる。
【００１５】
本発明によれば、前記第１の着色部の可視光波長域における平均透過率は、前記第２、第３の着色部の可視光波長域における平均透過率よりも低く、前記第１の着色部および前記第２、第３の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２、第３の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成し、下地層に設けられた凹部又は開口部に最初に形成される着色部を一番厚く形成できるので、より遮光性が大きくなり、コントラストを明瞭にさせることができる。
【００２３】
本発明の電気光学装置は、対向配置された一対の基板と、複数のドットを有する電気光学装置であって、
隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように一方の前記基板上に設けられ、且つ不規則に配列された複数の山部又は谷部を有する下地層と、
前記ドット領域内の前記下地層と平面的に重なる領域においては一層で設けられ、前記凹部又は開口部においては積層されて前記凹部又は開口部に入り込むように設けられた、互いに色が異なる第１の着色層と第２の着色層と第３の着色層と、を有し、
前記第１の着色層の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色層及び前記第３の着色層の可視光波長域における平均透過率よりも低く、
前記第１の着色層及び前記第２の着色層、前記第３の着色層は、前記凹部又は開口部において前記基材に前記第１の着色層及び前記第２の着色層、前記第３の着色層の順に積層され、且つ前記第１の着色層の厚さは前記第２の着色層及び前記第３の着色層の厚さよりも厚く形成されていることを特徴とする。
【００２４】
本発明のこのような構成によれば、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を設けたので、例えば遮蔽層の高さを低くでき、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を設けていたため、例えば遮蔽層の高さが高くなりオーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層をドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように設けたので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを軽減すると共にラビング処理が容易となり、コントラストの明瞭化を図ることができる。
【００２５】
また、下地層を不規則に配列された山部又は谷部を有するように設けたので、適度に反射光を散乱でき表示面での映り込みを軽減できる。
【００２９】
本発明によれば、前記第１の着色部の可視光波長域における平均透過率は、前記第２、第３の着色部の可視光波長域における平均透過率よりも低く、前記第１の着色部および前記第２、第３の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２、第３の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層に設けられた凹部又は開口部に最初に形成される着色部を一番厚く形成できるので、より遮光性が大きくなり、コントラストを明瞭にさせることができる。
【００３０】
本発明の電子機器は、請求項２に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。このように、上述の電気光学装置は、携帯電話や携帯情報端末等のように屋外で使用することも多く、各画素領域と隣り合う画素領域間の境界領域との表面の平坦性が確保できることによる表示画面のコントラストの明瞭化等により、より画面が見やすくなる。
【００３１】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法は、複数のドット領域を有する電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記基板に、隣り合う前記ドット領域間の境界領域で凹部又は開口部を有しか つ不規則に配列された山部又は谷部を有するように下地層を形成する工程と、
前記ドット領域内の前記下地層と平面的に重なる領域に、互いに色が異なる第１の着色層と第２の着色層と第３の着色層のうちいずれかひとつの着色層を形成する工程とを具備し、
前記着色層形成工程では、前記着色層を前記凹部又は開口部へ入り込むように形成し、
前記第１の着色層の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色層及び前記第３の着色層の可視光波長域における平均透過率よりも低く、
前記第１の着色層及び前記第２の着色層、前記第３の着色層は、前記凹部又は開口部において前記基材に前記第１の着色層及び前記第２の着色層、前記第３の着色層の順に積層し、且つ前記第１の着色層の厚さは前記第２の着色層及び前記第３の着色層の厚さよりも厚く形成することを特徴とする。
【００３２】
本発明のこのような構成によれば、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を形成する工程を具備するので、例えば遮蔽層の高さを低くでき、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を設けていたため、例えば遮蔽層において高さが高くなりオーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層をドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように形成する工程を具備するので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【００３３】
また、不規則に配列された山部又は谷部を有するように下地層を形成する工程を具備することとしたので、例えば反射層での反射光を適度に散乱でき、表示面での映り込みを軽減できる。
【００３４】
本発明によれば、前記第１の着色部の可視光波長域における平均透過率は、前記第２、第３の着色部の可視光波長域における平均透過率よりも低く、前記第１の着色部および前記第２、第３の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２、第３の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層に設けられた凹部又は開口部に最初に形成される着色部を一番厚く形成できるので、より遮光性が大きくなり、コントラストを明瞭にさせることができる。
【００４０】
まず、本発明を反射半透過型のパッシブマトリックス方式の液晶装置に適用した第１実施形態について説明する。
【００４１】
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図２は図１の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図、図３は該液晶パネルの部分拡大図（図３におけるＡ−Ａ´線の断面図が図１に相当する。）、図４は完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図、図５は一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図及び図６は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【００４２】
液晶装置１０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル１０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【００４３】
液晶パネル１０２は、図１に示すようにガラス板又は合成樹脂板等から形成された透明な第１基板１０３を基体とするカラーフィルタ基板１０４と、これに対向する同様の第２基板１０５を基体とする対向基板１０６とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、そのカラーフィルタ基板１０４と対向基板１０６との間に液晶が封入された液晶層１０７等により形成されている。
【００４４】
また、第１基板１０３の外面には位相差板１０８及び偏光板１０９が配置され、第２基板１０５の外面には位相差板１１０及び偏光板１１１が配置されている。
【００４５】
カラーフィルタ基板１０４は、図１、図２及び図３に示すように第１基板１０３の液晶層１０７側の表面には下地層１１２が形成され、その下地層１１２の表面に反射層１１３、反射層１１３の開口部に設けられた透過部１２２、着色層１１４（Ｒ（赤）１１４Ｒ、Ｇ（緑）１１４Ｇ、Ｂ（青）１１４Ｂ）及び隣り合う着色層１１４が境界領域で相互に重なり合っている部分（以下遮蔽層という）１１５、更に該着色層１１４及び遮蔽層１１５を保護するオーバコート層１１６が、またオーバコート層１１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなる透明電極１１７が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜１１８が形成されている。
【００４６】
また、対向基板１０６には、図１及び図３に示すように第２基板１０５の液晶層１０７側の表面に、透明電極１１９が第１基板側の透明電極１１７と直交する方向に（図３のＸ方向）伸びる帯状に形成され、更にその上には配向膜１２０が形成されている。
【００４７】
透明電極１１７は、相互に並列してストライプ状に構成されており、透明電極１１９はこれと直交する方向に、相互に並列してストライプ状に構成されている。
【００４８】
ここで、所定の第１基板側の透明電極１１７と第２基板側の透明電極１１９とで特定される領域がドット１２１となる。
【００４９】
カラーフィルタ基板１０４の下地層１１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成されている。この下地層１１２は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、更にこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸が形成される。これによって、透過光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題を解消できる。
【００５０】
また、反射層１１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層１１２上に形成されており、下地層１１２表面の凹凸により反射層１１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射層１１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【００５１】
更に反射層１１３には、例えば図３に示すようにドット１２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部１２２となる。これによって、バックライト等のカラーフィルタ基板１０４から入射した光が液晶層１０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【００５２】
着色層１１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板を通過したバックライト等による光を透過する透過部１２２と、この透過部１２２の周りの反射層１１３を覆うよう形成された原色系フィルタであって、Ｒ（赤）１１４Ｒ、Ｇ（緑）１１４Ｇ、Ｂ（青）１１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【００５３】
これによって、着色層１１４を遮蔽層１１５で他の着色層１１４と重ねることができることとなる。
【００５４】
更に、着色層１１４の配列パターンとして、図３では斜めモザイク配列（１１４Ｒ、１１４Ｇ及び１１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【００５５】
遮蔽層１１５は、各ドット１２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第１基板の透明電極１１７の長手方向（図３のＹ方向）及びこれに直交する方向（図３のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【００５６】
また、遮蔽層１１５には例えば、着色層１１４Ｂと着色層１１４Ｒとの間では、図４に示すように下地層１１２に開口部１２５が形成されており、開口部１２５の底部１２４は、第１基板１０３の直ぐ上に反射層１１３を介して設けられている。
【００５７】
更に開口部１２５には、遮蔽層１１５に隣り合う着色層１１４Ｂが底部１２４からｈ１１の厚さに形成されており、その上に着色層１１４Ｇがｈ１２の厚さに、更にその上に着色層１１４Ｒの張り出し部分がｈ１３の厚さで夫々重なり合って形成されている。
【００５８】
ここで、図４の最下方の着色層１１４Ｂの厚さｈ１１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層１１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域例えば、遮蔽層１１５との表面での平坦性を確保できることとなる。
【００５９】
更に好ましくは、図４のｈ１１を略１．７μｍに、ｈ１２を略１．０μｍ、ｈ１３を略０．９μｍ及び重ねられた着色層の一番上に有る着色層１１４Ｒの上面からのオーバコート層１１６の厚さｈ１４を略１．８μｍに形成すると、下地層１１２の厚さｈ１５が略２．４μｍであり、ドット１２１での着色層１１４Ｂの厚さｈ１６が略１．０μｍ、この部分のオーバコート層１１６の厚さｈ１７が略２．０μｍであることから、遮蔽層１１５上のオーバコート層１１６の上面と着色層１１４Ｂのドット１２１上のオーバコート層１１６の上面とは一致し、平坦な面となる。
【００６０】
ここで、上述のように開口部１２５の一番下に着色層１１４Ｂを形成することによって、最も厚く形成でき厚さを略１．７μｍに形成することができるようになる。
【００６１】
更に着色層１１４Ｇと着色層１１４Ｂとの間では、図２に示すように開口部１２５の底部１２４にまず、隣り合う着色層１１４Ｂが入りこみその上に着色層１１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に着色層１１４Ｒが重なり遮蔽層１１５が形成される。
【００６２】
また、着色層１１４Ｒと着色層１１４Ｇとの間では、図２に示すように開口部１２５の底部１２４にまず、着色層１１４Ｂが形成され、その上に着色層１１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に隣り合う着色層１１４Ｒが重なり遮蔽層１１５が形成される。
【００６３】
更に、遮蔽層１１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図５に示すように凹部１２３の底部１２４で完全には下地層１１２が除かれていないような場合においても、凹部１２３の底部１２４の深さｍ１５だけ遮蔽層１１５の着色層の重ねられた高さが低くなり、オーバコート層１１６上面の凹凸を軽減できることとなる。これによって、セルギャップのバラツキやラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【００６４】
ここで、図５の最下方の着色層１１４Ｂの厚さｍ１１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層１１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との表面での凹凸を軽減できる。
【００６５】
更に好ましくは、図５の着色層１１４Ｂの厚さｍ１１を略１．１μｍ、着色層１１４Ｇの厚さｍ１２を略１．０μｍ及び着色層１１４Ｒの厚さｍ１３を略０．９μｍとすれば、凹部１２３の底部１２４の深さｍ１５を略１．３μｍのときに、例えばよりオーバコート層１１６上面の凹凸を軽減できる。これによって、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【００６６】
なお、ドット１２１は例えば、原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色層１１４からなり、遮蔽層１１５により周囲を囲まれている領域であって反射層１１３と透過部１２２を具備するものであり、１画素は着色層１１４Ｒを有するドット１２１と着色層１１４Ｇを有するドット１２１及び着色層１１４Ｂを有するドット１２１で構成される。
【００６７】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板１０５に形成されている所定の透明電極１１９に信号を供給する一方、第１基板１０３側に形成されている所定の透明電極１１７に信号を供給すると、透明電極１１９と透明電極１１７とが交差する特定のドット１２１において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【００６８】
従って、例えば対向基板１０６側から液晶層１０７に入射した外光はドット１２１毎に光変調され、着色層１１４を透過した後に反射層１１３で反射し、再び対向基板１０６を透過して射出されるが、この際例えばオーバコート層１１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【００６９】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板１０３及び透過部１２２を通過して液晶層１０７に入射した後、該液晶層１０７によってドット１２１毎に光変調されて、透明電極１１９及び第２基板１０５を通過して射出されコントラストの明瞭な画像を見ることができる。
【００７０】
更に射出光は、反射層１１３及び透過部１２２を覆っている着色層１１４（１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂ）により着色される。
【００７１】
本実施形態では、隣り合うドット１２１間の境界領域で凹部１２３又は開口部１２５を有するように下地層１１２を形成したので、着色層１１４による例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【００７２】
また、凹部１２３又は開口部１２５の底部１２４に最初に、青色系例えば青色の着色層１１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層１１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体としての例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【００７３】
更に例えば、開口部１２５に底部１２４の方から青色の着色層１１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層１１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層１１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層１１６の平坦性がより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【００７４】
また、凹部１２３で下地層１１２が完全には取り除かれていない場合に、図５に示すようにその下地層１１２が第１の絶縁層１１２ａと該第１の絶縁層１１２ａ上に凹部１２３を有するように設けられた第２の絶縁層１１２ｂから形成される場合にも、例えばオーバコート層１１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【００７５】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図６の製造工程図に基づいて説明する。
【００７６】
まず、図６に示すように第１基板１０３上に下地層１１２を形成する（ＳＴ１０１）。ここで遮蔽層１１５を形成するドット１２１間の境界領域では例えば、図１、図２及び図３のように下地層１１２に開口部１２５が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層１１２をエッチングし、形成する。
【００７７】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板１０３上に均一に樹脂材料をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層１１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層１１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層１１２の下層が形成される。更に、この下地層１１２の凹凸が滑らかになるように同じ樹脂材料を薄く塗布し、下地層１１２の上層が形成される。
【００７８】
次に、その下地層１１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層１１２に開口部１２５を形成し、遮蔽層１１５となる部分で下地層１１２が除かれた下地層１１２が第１基板１０３上に形成される（ＳＴ１０１）。
【００７９】
次に、下地層１１２上に蒸着法やスパッタリング法等によってアルミニウム等を薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図３のように各ドット１２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射層１１３を形成する（ＳＴ１０２）。
【００８０】
又、形成された反射層及び開口部の上に各色の着色層をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色系例えば青色の着色層１１４Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層１１４Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層１１４Ｒを順次形成していく。
【００８１】
これによって、各ドット１２１には青色の着色層１１４Ｂ、緑色の着色層１１４Ｇ及び赤色の着色層１１４Ｒが夫々単独で形成され、遮蔽層１１５には図２のように一番下層に青色の着色層１１４Ｂが最も厚く形成され、その上に緑色の着色層１１４Ｇ、更に赤色の着色層１１４Ｒが重ねられて形成される（ＳＴ１０３）。
【００８２】
上述のように、一番下層に青色の着色層１１４Ｂが最も厚く形成されるので遮光性を上げながら、例えば遮蔽層１１５全体としての厚さを薄くできる。
【００８３】
更に下地層１１２に開口部１２５が形成されている分、例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層１１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【００８４】
次に、上述の着色層１１４の上にオーバコート層１１６を形成し（ＳＴ１０４）、その上に透明電極１１７の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図３のようにＹ方向に所定の幅を持ってストライプ状に形成する。
【００８５】
更にその上に配向膜１１８を形成し、ラビング処理を施してカラーフィルタ基板１０４の製造が終了する（ＳＴ１０５）。これによって、配向膜１１８の液晶層１０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【００８６】
また、第２基板１０５上に透明電極１１９の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図３のようにＸ方向にストライプ状に、透明電極１１９を形成する（ＳＴ１０６）。
【００８７】
更にその上に配向膜１２０を形成し、ラビング処理を施して対向基板１０６の製造が終了する（ＳＴ１０７）。
【００８８】
次に、対向基板１０６上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述のカラーフィルタ基板１０４と対向基板１０６とを貼り合わせる（ＳＴ１０８）。
【００８９】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ１０９）。更に、位相差板１０８，１１０及び偏光板１０９，１１１を第１基板１０３及び第２基板１０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ１１０）。
【００９０】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図１に示すような液晶装置１０１が完成する。
【００９１】
本実施形態に係る液晶装置１０１の製造方法では、着色層１１４が重ねられる遮蔽層１１５で一番下層に青色系例えば青色の着色層１１４Ｂを配置することとしたので、最も厚く形成され遮光性を上げながら、例えば遮蔽層１１５全体としての厚さを薄くできる。
【００９２】
更に下地層１１２に開口部１２５が形成されている分、例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、オーバコート層１１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【００９３】
また、上述の液晶装置１０１の製造方法では開口部１２５は図４のように遮蔽層１１５となる領域で下地層１１２を全て取り除いたが、図５に示すように、例えばＳＴ１０１で下地層１１２を第１の絶縁層１１２ａ及び第２の絶縁層１１２ｂの２回に分けて形成し、凹部１２３を設けてもよい。例えば１回目では遮蔽層１１５となるドット１２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層１１２ａを形成し下地層１１２の下層と同様に凹凸を設け、２回目の第２の絶縁層１１２ｂの形成では遮蔽層１１５となるドット１２１間の境界領域を除いて、各ドット１２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
【００９４】
これによって、１回目の下地層１１２の形成でフォトレジストを用いて下地層１１２をエッチングする工程を省略できコストの削減が図れ、製造も速くできる。また、開口部１２５のように下地層１１２を完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット１２１間の境界領域とドット１２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層１１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのばらつきを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。なお、遮蔽層１１５の部分で下地層１１２に凹部１２３を形成する方を上述と逆に第１回目にしても良い。
【００９５】
更に、ハーフトーンを用いて凹部１２３を形成することも可能である。
【００９６】
次に、本発明を反射半透過型のスイッチング素子として二端子型スイッチング素子であるＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）を用いた液晶装置に適用した第２実施形態について説明する。
【００９７】
図７は本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図８は図７の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の概略断面図、図９は該液晶パネルの部分拡大図（図９におけるＢ−Ｂ´線及びＣ−Ｃ´の断面図が図７に相当する。）、図１０は完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図、図１１は一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図及び図１２は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【００９８】
液晶装置２０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル２０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【００９９】
液晶パネル２０２は、図７に示すように第１基板２０３とこれに対向する第２基板２０５とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、その両基板間に液晶が封入された液晶層２０７等により形成されている。
【０１００】
また、第１基板２０３の外面には位相差板２０８及び偏光板２０９が配置され、第２基板２０５の外面には位相差板２１０及び偏光板２１１が配置されている。
【０１０１】
第１基板２０３の液晶層２０７側の表面には図７及び図８に示すように下地層２１２が形成され、その下地層２１２の表面に、反射層２１３、透過部２２２、着色層２１４（Ｒ（赤）２１４Ｒ、Ｇ（緑）２１４Ｇ、Ｂ（青）２１４Ｂ）及び隣り合う着色層２１４が境界領域で相互に重なり合っている部分（以下遮蔽層という）２１５、更に該着色層２１４及び遮蔽層２１５を保護するオーバコート層２１６が、またオーバコート層２１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなるデータ線２２６が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜２１８が形成されている。
【０１０２】
また、第２基板２０５の液晶層２０７側の表面にはマトリクス状に配列する複数の画素電極２２７と、各画素電極２２７の境界領域において上述したデータ線２２６と交差する方向（図９のＹ方向）に帯状に伸びる複数の走査線２２８と、該画素電極２２７及び走査線２２８に接続されたＴＦＤ２２９が配置され、その上には配向膜２２０が形成されている。
【０１０３】
ここで、データ線２２６は所定の方向（図９のＸ方向）に伸びる帯状に形成され、複数のデータ線２２６が相互に並列してストライプ状に構成されており、該データ線２２６と画素電極２２７とによって特定される領域がドット２２１となる。
【０１０４】
また、下地層２１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成されている。この下地層２１２は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、更にこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸が形成される。これによって、透過光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題を解消できる。
反射層２１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層２１２の上面に形成されており、下地層２１２表面の凹凸により反射層２１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射層２１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０１０５】
更に反射層２１３には、例えば図９に示すようにドット２２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部２２２となる。これによって、バックライト等の第１基板２０３から入射した光が液晶層２０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【０１０６】
着色層２１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板２０３を通過したバックライト等による光を透過する透過部２２２と、この透過部２２２の周りの反射層２１３を覆うよう形成された原色系フィルタであってＲ（赤）２１４Ｒ、Ｇ（緑）２１４Ｇ、Ｂ（青）２１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【０１０７】
これによって、着色層２１４を遮蔽層２１５で他の着色層２１４と重ねることができる。
【０１０８】
遮蔽層２１５は、各ドット２２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第２基板の走査線２２８の長手方向（図９のＹ方向）及びこれに直交する方向（図９のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【０１０９】
また、遮蔽層２１５には例えば、着色層２１４Ｂと着色層２１４Ｒとの間では、図１０に示すように下地層２１２に開口部２２５が形成されており、開口部２２５の底部２２４は、第１基板２０３の上に反射層２１３を介して形成されている。
【０１１０】
更に開口部２２５には、遮蔽層２１５に隣り合う着色層２１４Ｂが底部２２４からｈ２１の厚さに形成されており、その上に着色層２１４Ｇがｈ２２の厚さに、更にその上に着色層２１４Ｒの張り出し部分がｈ２３の厚さで夫々重なり合って形成されている。
【０１１１】
ここで、最下方の着色層２１４Ｂの厚さｈ２１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層２１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット２２１と隣り合うドット２２１間の境界領域との表面での平坦性を確保できることとなる。
【０１１２】
更に好ましくは、図１０のｈ２１を略１．７μｍに、ｈ２２を略１．０μｍ、ｈ２３を略０．９μｍ及び重ねられた着色層の一番上に有る着色層２１４Ｒの上面からのオーバコート層２１６の厚さｈ２４を略１．８μｍに形成すると、下地層２１２の厚さｈ２５が略２．４μｍであり、ドット２２１での着色層２１４Ｂの厚さｈ２６が略１．０μｍ、この部分のオーバコート層２１６の厚さｈ２７が略２．０μｍであることから、遮蔽層２１５上のオーバコート層２１６の上面と着色層２１４Ｂのドット２２１上のオーバコート層２１６の上面とは一致し、平坦な面となる。
【０１１３】
ここで、上述のように開口部２２５の一番下に着色層２１４Ｂを形成することによって、厚さを略１．７μｍに形成することができるようになる。
【０１１４】
更に着色層２１４Ｇと着色層２１４Ｂとの間では、図７及び図８に示すように開口部２２５の底部２２４にまず、隣り合う着色層２１４Ｂが入りこみ、その上に隣り合う着色層２１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に着色層２１４Ｒが重なり遮蔽層２１５が形成される。
【０１１５】
また、着色層２１４Ｒと着色層２１４Ｇとの間では、図７及び図８に示すように開口部２２５の底部２２４にまず、着色層２１４Ｂが形成され、その上に隣り合う着色層２１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に隣り合う着色層２１４Ｒが重なり遮蔽層２１５が形成される。
【０１１６】
更に、遮蔽層２１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図１１に示すように凹部２２３の底部２２４において完全には下地層２１２が除かれていないような場合においても、凹部２２３の底部２２４の深さｍ２５だけ例えば遮蔽層２１５の高さが低くなり、オーバコート層２１６上面の凹凸を軽減できることとなる。これによって、セルギャップのバラツキやラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【０１１７】
ここで、図１１の最下方の着色層２１４Ｂの厚さｍ２１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層２１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで各ドット２２１と隣り合うドット２２１間の境界領域の表面での凹凸を軽減できることとなる。
【０１１８】
更に好ましくは、図１１の着色層２１４Ｂの厚さｍ２１を略１．１μｍ、着色層２１４Ｇの厚さｍ２２を略１．０μｍ及び着色層２１４Ｒの厚さｍ２３を略０．９μｍとすれば、凹部２２３の底部２２４の深さｍ２５を略１．３μｍのときに、例えばよりオーバコート層２１６上面の凹凸を軽減できることとなる。
【０１１９】
この場合の着色層２１４の配列パターンとして、図９では斜めモザイク配列（２１４Ｒ、２１４Ｇ及び２１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【０１２０】
なお、ドット２２１は例えば原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色層２１４からなり、遮蔽層２１５により周囲を囲まれている領域であって反射層２１３と透過部２２２を具備するものであり、１画素は着色層２１４Ｒ（赤）を有するドット２２１と着色層２１４Ｇ（緑）を有するドット２２１及び着色層２１４Ｂ（青）を有するドット２２１で構成される。
【０１２１】
次に、画素電極２２７は、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体により形成されており、当該画素電極２２７に隣り合う走査線２２８とは、ＴＦＤ２２９を介して接続されている。
【０１２２】
ＴＦＤ２２９は、例えば図７に示すように第２基板２０５の表面に成膜された下地層２３０の上に形成されている。
【０１２３】
また、ＴＦＤ２２９は第１金属層２３１と、該第１金属層２３１の表面に形成された絶縁膜２３２と、該絶縁膜２３２の上に形成された第２金属層２３３とによって構成されている。
【０１２４】
ここで、第１金属層２３１は例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度のＴａ単体膜、Ｔａ合金膜等によって形成されており、走査線２２８に接続されている。
【０１２５】
また、絶縁膜２３２は例えば厚さが１０〜３５ｎｍ程度の酸化タンタル等によって形成されている。
【０１２６】
更に、第２金属層２３３は例えば、クロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されており、画素電極２２７に接続されている。
【０１２７】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板２０５に形成されている走査線２２８の夫々に走査信号を供給する一方、第１基板２０３側に形成されているデータ線２２６にデータ信号を供給すると、画素電極２２７とデータ線２２６とが対向する部分において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【０１２８】
従って、例えば第２基板２０５及び画素電極２２７を通過して液晶層２０７に入射した外光は、該液晶層２０７によってドット２２１毎に光変調され、反射層２１３により反射され再び画素電極２２７及び第２基板２０５を通過し射出されるが、その際例えばオーバコート層２１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【０１２９】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板２０３及び透過部２２２を通過して液晶層２０７に入射した後、該液晶層２０７によってドット２２１毎に光変調され、画素電極２２７及び第２基板２０５を通過し射出されるが、この際例えばオーバコート層２１６が平坦なので、コントラストの明瞭な画像を見ることができる。
【０１３０】
更に射出光は、反射層２１３及び透過部２２２を覆っている着色層２１４（２１４Ｒ、２１４Ｇ、２１４Ｂ）により着色される。
【０１３１】
本実施形態では、隣り合うドット２２１間の境界領域で凹部２２３又は開口部２２５を有するように下地層２１２を形成したので、例えば着色層２１４による遮蔽層２１５の高さを低くでき、各ドット２２１と隣り合うドット２２１間の境界領域の表面の平坦性を確保できる。
【０１３２】
また、凹部２２３又は開口部２２５の底部２２４に最初に、青色系例えば青色の着色層２１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層２１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体として例えば遮蔽層２１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【０１３３】
更に例えば、開口部２２５に底部２２４の方から青色の着色層２１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層２１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層２１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット２２１と隣り合うドット２２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層２１６の平坦性がより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【０１３４】
また、凹部２２３で下地層２１２が完全には取り除かれていない場合に、図１１に示すようにその下地層２１２が第１の絶縁層２１２ａと該第１の絶縁層２１２ａ上に凹部２２３を有するように設けられた第２の絶縁層２１２ｂから形成される場合にも、例えばオーバコート層２１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０１３５】
更に、本実施形態ではＴＦＤ型のアクティブマトリックス方式であるため画面が明るくて見やすく、消費電力及び製造コストを低く抑えられる。
【０１３６】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図１２の製造工程図に基づいて説明する。
【０１３７】
まず、図１２に示すように第１基板２０３上に下地層２１２を形成する（ＳＴ２０１）。ここで遮蔽層２１５を形成する各ドット２２１間の境界領域では例えば、図７及び図８のように下地層２１２に開口部２２５が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層２１２をエッチングする。
【０１３８】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板２０３上に均一に樹脂材料をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層２１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層２１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層２１２の下層が形成される。更に、この下地層２１２の凹凸が滑らかになるように同じ樹脂材料を薄く塗布し、下地層２１２の上層が形成される。
【０１３９】
次に、その下地層２１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層２１２に開口部２２５を形成し、遮蔽層２１５となる部分で下地層２１２が除かれた下地層２１２が第１基板２０３上に形成される（ＳＴ１０１）。
次に、下地層２１２上にアルミニウム等を蒸着法やスパッタリング法等によって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図９のように各ドット２２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射層２１３を形成する（ＳＴ２０２）。
【０１４０】
又、形成された反射層２１３及び開口部の上に各色の着色層をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色系例えば青色の着色層２１４Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層２１４Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層２１４Ｒを順次形成していく。
【０１４１】
これによって、各ドット２２１には青色の着色層２１４Ｂ、緑色の着色層２１４Ｇ及び赤色の着色層２１４Ｒが夫々単独で形成され、遮蔽層２１５には図７及び図８のように一番下層に青色の着色層２１４Ｂが最も厚く形成され、その上に緑色の着色層２１４Ｇ、更に赤色の着色層２１４Ｒが重ねられて形成される（ＳＴ２０３）。
【０１４２】
上述のように、一番下層に青色の着色層２１４Ｂが最も厚く形成されるので、遮光性を上げながら例えば、遮蔽層２１５全体としての厚さを薄くできる。
【０１４３】
更に下地層２１２に開口部２２５が形成されている分、例えば遮蔽層２１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層２１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０１４４】
次に、上述の着色層２１４の上にオーバコート層２１６を形成し（ＳＴ２０４）、その上にデータ線２２６の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図９のようにＸ方向に所定の幅をもってデータ線２２６をストライプ状に形成する。
【０１４５】
更にその上に配向膜２１８を形成し、ラビング処理を施して第１基板２０３側の製造が終了する（ＳＴ２０５）。これによって、配向膜２１８の液晶層２０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【０１４６】
また、第２基板２０５上にＴＦＤ、走査線及び画素電極を形成する（ＳＴ１０６）。
【０１４７】
ここで、ＴＦＤは第２基板２０５上にＴａ酸化物等を一様な厚さに成膜し下地層２３０を形成し、その上にＴａ等をスパッタリングによって一様な厚さで成膜して、フォトリソグラフィ法により走査線２２８と第１金属層２３１とを同時に形成する。このとき、走査線２２８と第１金属層２３１とはブリッジでつながっている。
【０１４８】
また、上述の第１金属層２３１に絶縁膜である酸化タンタル等を一様な厚さで成膜し絶縁膜２３２を形成して、更にその上にＣｒをスパッタリング等により一様な厚さで成膜し、フォトリソグラフィ法を利用して第２金属層２３３を形成する。
【０１４９】
次に、画素電極２２７の形成予定領域の下地層２３０を除去した後、ＩＴＯをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、更にフォトリソグラフィ法等によって１ドットの大きさに相当する所定形状の画素電極２２７を一部が第２金属層２３３と重なるように形成する。これら一連の処理により、ＴＦＤ２２９及び画素電極２２７が形成される。
【０１５０】
更にその上に配向膜２２０を形成し、ラビング処理を施して第２基板２０５側の製造が終了する（ＳＴ２０７）。
【０１５１】
次に、第２基板２０５側の配向膜２２０上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述の第１基板２０３側と第２基板２０５側とを貼り合わせる（ＳＴ２０８）。
【０１５２】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ２０９）。更に、位相差板２０８，２１０及び偏光板２０９，２１１を第１基板２０３及び第２基板２０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ２１０）。
【０１５３】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図７に示すような液晶装置２０１が完成する。
【０１５４】
本実施形態に係る液晶装置２０１の製造方法では、着色層２１４が重ねられる遮蔽層２１５で一番下層に青色系例えば青色の着色層２１４Ｂを配置することとしたので、最も厚く形成され遮光性を上げながら、例えば遮蔽層２１５全体としての厚さを薄くできる。
【０１５５】
更に下地層２１２に開口部２２５が形成されている分、例えば遮蔽層２１５の高さを低くでき、オーバコート層２１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０１５６】
また、上述の液晶装置２０１の製造方法では開口部２２５は図１０のように遮蔽層２１５となる領域で下地層２１２を全て取り除いたが、例えば図１１で示すようにＳＴ２０１で下地層２１２を第１の絶縁層２１２ａ及び第２の絶縁層２１２ｂの２回に分けて形成し、凹部２２３を設けてもよい。例えば１回目では遮蔽層２１５となるドット２２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層２１２ａを形成し下地層２１２の下層と同様に凹凸を設け、２回目の第２の絶縁層２１２ｂの形成では遮蔽層２１５となる各ドット２２１間の境界領域を除いて、各ドット２２１にフォトレジストを用いて下地層２１２をエッチングして、形成することもできる。
【０１５７】
これによって、１回目の下地層２１２の形成でフォトレジストを用いて下地層２１２をエッチングする工程を省略できコストの削減が図れ、製造も速くできる。また、開口部２２５のように下地層２１２を完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット２２１間の境界領域とドット２２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層２１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのばらつきを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。なお、遮蔽層２１５の部分で下地層２１２に凹部２２３を形成する方を上述と逆に第１回目にしても良い。
【０１５８】
更に、ハーフトーンを用いて凹部２２３を形成することも可能である。
【０１５９】
次に、本発明を反射半透過型のスイッチング素子として三端子型スイッチング素子であるＴＦＴ（Ｔｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた液晶装置に適用した第３実施形態について説明する。
【０１６０】
図１３は本発明の第３実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図１４は図１３の液晶パネルを構成する第１基板側の概略断面図、図１５は該液晶パネルの部分拡大図（図１５におけるＤ−Ｄ′線及びＥ−Ｅ′線の断面図が図１３に相当する。）、図１６は完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図、図１７は一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図及び図１８は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【０１６１】
液晶装置３０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル３０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【０１６２】
液晶パネル３０２は、図１３に示すように第１基板３０３とこれに対向する第２基板３０５とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、その両基板間に液晶が封入された液晶層３０７等により形成されている。
【０１６３】
また、第１基板３０３の外面には位相差板３０８及び偏光板３０９が配置され、第２基板３０５の外面には位相差板３１０及び偏光板３１１が配置されている。
【０１６４】
第１基板３０３の液晶層３０７側の表面には図１３及び図１４に示すように下地層３１２が形成され、その下地層３１２の表面に、反射層３１３、反射層３１３の開口部である透過部３２２、着色層３１４（Ｒ（赤）３１４Ｒ、Ｇ（緑）３１４Ｇ、Ｂ（青）３１４Ｂ）及び隣り合う着色層３１４が境界領域で相互に重なり合っている部分（以下遮蔽層という）３１５、更に該着色層３１４及び遮蔽層３１５を保護するオーバコート層３１６が、またオーバコート層３１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなる共通電極３３４が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜３１８が形成されている。
【０１６５】
次に、第２基板３０５の液晶層３０７側の表面には、マトリクス状に配列する複数の画素電極３２７と、各画素電極３２７の境界領域においてゲート配線３３５及びソース配線３３６とが直交するように配置され（ゲート配線３３５が図１５のＹ方向、ソース配線３３６がＸ方向）、その配線の交差部分付近にはＴＦＴ３３７が設けられ、更にその上には配向膜３２０が形成されている。
【０１６６】
ここで、共通電極３３４はオーバコート層３１６の表面全域に形成された面電極であり、ゲート配線３３５とソース配線３３６とによって囲まれる領域が、ドット３２１となる。
【０１６７】
また、下地層３１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成されている。この下地層３１２は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、更にこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸が形成される。これによって、透過光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題を解消できる。
反射層３１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層３１２の上面に形成されており、下地層３１２表面の凹凸により反射層３１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射層３１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０１６８】
更に反射層３１３には、例えば図１５に示すようにドット３２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部３２２となる。これによって、バックライト等の第１基板３０３から入射した光が液晶層３０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【０１６９】
着色層３１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板３０３を通過したバックライト等による光を透過する透過部３２２と、この透過部３２２の周りの反射層３１３を覆うよう形成された原色系フィルタであってＲ（赤）３１４Ｒ、Ｇ（緑）３１４Ｇ、Ｂ（青）３１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【０１７０】
これによって、着色層３１４を遮蔽層３１５で他の着色層３１４と重ねることができる。
【０１７１】
遮蔽層３１５は、各ドット３２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に第２基板３０５のゲート配線３３５の長手方向（図１５のＹ方向）及びこれに直交する方向（図１５のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【０１７２】
また、遮蔽層３１５は例えば、着色層３１４Ｂと着色層３１４Ｒとの間では、図１６に示すように下地層３１２に開口部３２５が形成されており、開口部３２５の底部３２４は、第１基板３０３の直ぐ上に反射層３１３を介して形成されている。
【０１７３】
更に開口部３２５には、遮蔽層３１５に隣り合う着色層３１４Ｂが底部３２４からｈ３１の厚さに形成されており、その上に着色層３１４Ｇがｈ３２の厚さに、更にその上に着色層３１４Ｒの張り出し部分がｈ３３の厚さで夫々重なり合って形成されている。
【０１７４】
ここで、最下方の着色層３１４Ｂの厚さｈ３１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層３１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット３２１と隣り合うドット３２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できることとなる。
【０１７５】
更に好ましくは、図１６のｈ３１を略１．７μｍに、ｈ３２を略１．０μｍ、ｈ３３を略０．９μｍ及び重ねられた着色層の一番上に有る着色層３１４Ｒの上面からのオーバコート層３１６の厚さｈ３４を略１．８μｍに形成すると、下地層３１２の厚さｈ３５が略２．４μｍであり、ドット３２１での着色層３１４Ｂの厚さｈ３６が略１．０μｍ、この部分のオーバコート層３１６の厚さｈ３７が略２．０μｍであることから、遮蔽層３１５上のオーバコート層３１６の上面と着色層３１４Ｂのドット３２１上のオーバコート層３１６の上面とは一致し、平坦な面となる。
【０１７６】
ここで、上述のように開口部３２５の一番下に着色層３１４Ｂを形成することによって、厚さを略１．７μｍに形成することができるようになる。
【０１７７】
更に着色層３１４Ｇと着色層３１４Ｂとの間では、図１３及び図１４に示すように開口部３２５の底部３２４にまず、隣り合う着色層３１４Ｂが入りこみその上に隣り合う着色層３１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に着色層３１４Ｒが重なり遮蔽層３１５が形成される。
【０１７８】
また、着色層３１４Ｒと着色層３１４Ｇとの間では、図１３及び図１４に示すように開口部３２５の底部３２４にまず、着色層３１４Ｂが形成され、その上に隣り合う着色層３１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に隣り合う着色層３１４Ｒが重なり遮蔽層３１５が形成される。
【０１７９】
更に、遮蔽層３１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図１７に示すように凹部３２３の底部３２４において完全には下地層３１２が除かれていないような場合においても、凹部３２３の底部３２４の深さｍ３５だけ例えば遮蔽層３１５の高さが低くなり、オーバコート層３１６上面の凹凸を軽減できることとなる。これによって、セルギャップのバラツキやラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【０１８０】
ここで、図１７の最下方の着色層３１４Ｂの厚さｍ３１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層３１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット３２１と隣り合うドット３２１間の境界領域との表面の凹凸を軽減できることとなる。
【０１８１】
更に好ましくは、図１７の着色層３１４Ｂの厚さｍ３１を略１．１μｍ、着色層３１４Ｇの厚さｍ３２を略１．０μｍ及び着色層３１４Ｒの厚さｍ３３を略０．９μｍとすれば、凹部３２３の底部３２４の深さｍ３５を略１．３μｍのときに、例えばよりオーバコート層３１６上面の凹凸を軽減できることとなる。
【０１８２】
この場合の着色層３１４の配列パターンとして、図１５では斜めモザイク配列（３１４Ｒ、３１４Ｇ及び３１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【０１８３】
なお、ドット３２１は例えば原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色層３１４からなり、遮蔽層３１５により周囲を囲まれている領域であって反射層３１３と透過部３２２を具備するものであり、１画素は着色層３１４Ｒ（赤）を有するドット３２１と着色層３１４Ｇ（緑）を有するドット３２１及び着色層３１４Ｂ（青）を有するドット３２１で構成される。
【０１８４】
次に、ＴＦＴ３３７は、第２基板３０５上に形成されたゲート電極３３８と、このゲート電極３３８の上で第２基板３０５の全域に形成されたゲート絶縁膜３３９と、このゲート絶縁膜３３９を挟んでこのゲート電極３３８の上方位置に形成された半導体層３４０と、その半導体層３４０の一方側にコンタクト電極３４１を介して形成されたソース電極３４２と、更に半導体層３４０の他方の側にコンタクト電極３４１を介して形成されたドレイン電極３４３とを有する。
【０１８５】
ここで、ゲート電極３３８はゲート配線３３５に接続され、ソース電極３４２はソース配線３３６に接続されている。ゲート配線３３５は第２基板３０５の平面方向に伸びていて縦方向（図１５のＹ方向）へ等間隔で平行に複数本形成されている。
【０１８６】
また、ソース配線３３６はゲート絶縁膜３３９を挟んでゲート配線３３５と交差するように第２基板３０５の平面方向に伸びていて横方向（図１５のＸ方向）へ等間隔で平行に複数本形成されている。
【０１８７】
画素電極３２７は、互いに交差するゲート配線３３５とソース配線３３６とによって区画される方形領域のうち、ＴＦＴ３３７に対応する部分を除いた領域を覆うように構成され、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体により形成されている。
【０１８８】
更に、ゲート配線３３５とゲート電極３３８とは例えば、クロム、タンタル等によって形成され、ゲート絶縁膜３３９は例えば窒化シリコン（ＳｉＮＸ）、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）等によって形成される。又、ソース電極３４２及びそれと一体的なソース配線３３６並びにドレイン電極３４３は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等によって成形されている。
【０１８９】
以上のように構成された本実施形態において、第１基板３０３に形成されている共通電極３３４に信号を提供する一方、第２基板３０５に形成されているゲート配線３３５とソース配線３３６に信号を提供すると、ドット３２１毎に画素電極３２７が選択され、この選択された画素電極３２７と共通電極３３４との間に保持される液晶のみが、電圧が印加されることによって液晶の配向が制御され、反射光及び透過光が変調される。
【０１９０】
従って、例えば第２基板３０５及び画素電極３２７を通過して液晶層３０７に入射した外光は、該液晶層３０７によってドット３２１毎に光変調され、反射層３１３により反射され、再び画素電極３２７及び第２基板３０５を通過し射出されるが、その際例えばオーバコート層３１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【０１９１】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板３０３及び透過部３２２を通過して液晶層３０７に入射した後、該液晶層３０７によってドット３２１毎に光変調され、画素電極３２７及び第２基板３０５を通過し射出されるが、その際例えばオーバコート層３１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることができる。
【０１９２】
更に射出光は、反射層３１３及び透過部３２２を覆っている着色層３１４（３１４Ｒ、３１４Ｇ、３１４Ｂ）により着色される。
【０１９３】
本実施形態では、隣り合うドット３２１間の境界領域で凹部３２３又開口部３２５を有するように下地層３１２を形成したので、着色層３１４による例えば遮蔽層３１５の高さを低くでき、各ドット３２１と隣り合うドット３２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【０１９４】
また、凹部３２３又開口部３２５の底部３２４の一番下方に、青色系例えば青色の着色層３１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層３１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体として例えば遮蔽層３１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【０１９５】
更に例えば、開口部３２５に底部３２４の方から青色の着色層３１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層３１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層３１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット３２１と隣り合うドット３２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層３１６の平坦性がより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【０１９６】
また、凹部３２３で下地層３１２が図１７に示すように完全には取り除かれていない場合にも、例えば遮蔽層３１５の高さを低くできるのでオーバコート層３１６上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの解消やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０１９７】
更に、本実施形態ではＴＦＴ型のアクティブマトリックス方式であるため画面が明るくて見やすく、コントラストを更に強くできる。
【０１９８】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図１８の製造工程図に基づいて説明する。
【０１９９】
まず、図１８に示すように第１基板３０３上に下地層３１２を形成する（ＳＴ３０１）。ここで遮蔽層３１５を形成する各ドット３２１間の境界領域では例えば、図１３及び図１４のように下地層３１２に開口部３２５が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層３１２をエッチングする。
【０２００】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板３０３上に均一に樹脂材料をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層３１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層３１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層３１２の下層が形成される。更に、この下地層３１２の凹凸が滑らかになるように同じ樹脂材料を薄く塗布し、下地層３１２の上層が形成される。
【０２０１】
次に、その下地層３１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層３１２に開口部３２５を形成し、遮蔽層３１５となる部分で下地層３１２が除かれた下地層３１２が第１基板３０３上に形成される（ＳＴ１０１）。
次に、下地層３１２上にアルミニウム等を蒸着法やスパッタリング法等によって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図１５のように各ドット３２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射層３１３を形成する（ＳＴ３０２）。
【０２０２】
又、形成された反射層３１３及び開口部の上に各色の着色層をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色系例えば青色の着色層３１４Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層３１４Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層３１４Ｒを順次形成していく。
【０２０３】
これによって、各ドット３２１には青色の着色層３１４Ｂ、緑色の着色層３１４Ｇ及び赤色の着色層３１４Ｒが夫々単独で形成され、遮蔽層３１５には図１３及び図１４のように一番下層に青色の着色層３１４Ｂが最も厚く形成され、その上に緑色の着色層３１４Ｇ、更に赤色の着色層３１４Ｒが重ねられて形成される（ＳＴ３０３）。
【０２０４】
上述のように、一番下層に青色の着色層３１４Ｂが最も厚く形成されるので、遮光性を上げながら例えば、遮蔽層３１５全体としての厚さを薄くできる。
【０２０５】
更に下地層３１２に開口部３２５が形成されている分、例えば遮蔽層３１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層３１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２０６】
次に、上述の着色層３１４の上にオーバコート層３１６を形成し（ＳＴ３０４）、その上に共通電極３３４の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングしてオーバコート層３１６の上面に共通電極３３４を形成する。
【０２０７】
更にその上に配向膜３１８を形成し、ラビング処理を施して第１基板３０３側の製造が終了する（ＳＴ３０５）。これによって、配向膜３１８の液晶層３０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【０２０８】
また、第２基板３０５上にＴＦＴ、ゲート配線、ソース配線及び画素電極等を形成する（ＳＴ３０６）。
【０２０９】
ここで、ＴＦＴは第２基板３０５上に例えば、スパッタリングによってクロム、タンタル等を一様な厚さで成膜して、フォトリソグラフィ法によりパターニングしてゲート配線３３５及びそれと一体的なゲート電極３３８を形成し、更に例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって窒化シリコンからなるゲート絶縁膜３３９を形成する。
【０２１０】
次に、例えば半導体層３４０となるａ−Ｓｉ層とコンタクト電極３４１となるｎ＋型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成し、更に形成されたｎ＋型ａ−Ｓｉ層及びａ−Ｓｉ層のパターニングを行って半導体層３４０及びコンタクト電極３４１とを形成すると共に、ゲート絶縁膜３３９上の画素電極３２７となる部分にＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして画素電極３２７を形成する。
【０２１１】
また、第２基板３０５の表面の全域に例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等をスパッタリングによって形成し、パターニングを行ってソース電極３４２、ドレイン電極３４３及びソース配線３３６を形成する。
【０２１２】
これら一連の処理により、ＴＦＴ３３７及び画素電極３２７が形成される。
【０２１３】
更にその上に配向膜３２０を形成し、ラビング処理を施して第２基板３０５側の製造が終了する（ＳＴ３０７）。
【０２１４】
次に、第２基板３０５側の配向膜３２０上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述の第１基板３０３側と第２基板３０５側とを貼り合わせる（ＳＴ３０８）。
【０２１５】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ３０９）。更に、位相差板３０８、３１０及び偏光板３０９、３１１を第１基板３０３及び第２基板３０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ３１０）。
【０２１６】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図１３に示すような液晶装置３０１が完成する。
【０２１７】
本実施形態に係る液晶装置３０１の製造方法では、着色層３１４が重ねられる遮蔽層３１５において一番下層に青色系例えば青色の着色層３１４Ｂを配置することとしたので、最も厚く形成され遮光性を上げながら、例えば遮蔽層３１５全体としての厚さを薄くできる。
【０２１８】
更に下地層３１２に開口部３２５が形成されている分、例えば遮蔽層３１５の高さを低くでき、オーバコート層３１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２１９】
また、上述の液晶装置３０１の製造方法では開口部３２５は図１６のように遮蔽層３１５となる領域で下地層３１２を全て取り除いたが、図１７に示すように、例えばＳＴ３０１で下地層３１２を第１の絶縁層３１２ａ及び第２の絶縁層３１２ｂの２回に分けて形成し、凹部３２３を設けてもよい。例えば１回目では遮蔽層３１５となるドット３２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層３１２ａを形成し下地層３１２の下層と同様に凹凸を設け、２回目の第２の絶縁層３１２ｂの形成では遮蔽層３１５となるドット３２１間の境界領域を除いて、各ドット３２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
これによって、１回目の下地層３１２の形成でフォトレジストを用いて下地層３１２をエッチングする工程を省略できコストの削減が図れ、製造も速くできる。また、開口部３２５のように下地層３１２を完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット３２１間の境界領域とドット３２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層３１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのばらつきを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。なお、遮蔽層３１５の部分で下地層３１２に凹部３２３を形成する方を上述と逆に第１回目にしても良い。
【０２２０】
更に、ハーフトーンを用いて凹部３２３を形成することも可能である。
【０２２１】
次に、本発明を反射型のパッシブマトリックス方式の液晶装置に適用した第４実施形態について説明する。
【０２２２】
図１９は本発明の第４の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図２０は図１９の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図、図２１は該液晶パネルの部分拡大図（図２１におけるＦ−Ｆ´線の断面図が図１９に相当する。）、図２２は完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図、図２３は一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図及図２４は本実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【０２２３】
液晶装置４０１は、いわゆる反射型の構造を有する液晶パネル４０２及びケース体等により構成される。
【０２２４】
液晶パネル４０２は、図１９に示すようにガラス板又は合成樹脂板等から形成された透明な第１基板４０３を基体とするカラーフィルタ基板４０４と、これに対向する同様の第２基板４０５を基体とする対向基板４０６とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、そのカラーフィルタ基板４０４と対向基板４０６との間に液晶が封入された液晶層４０７等により形成されている。
【０２２５】
また、第１基板４０３の外面には位相差板４０８及び偏光板４０９が配置され、第２基板４０５の外面には位相差板４１０及び偏光板４１１が配置されている。
【０２２６】
カラーフィルタ基板４０４は、図１９、図２０及び図２１に示すように第１基板４０３の液晶層４０７側の表面には下地層４１２が形成され、その下地層４１２の表面に反射層４１３、着色層４１４（Ｒ（赤）４１４Ｒ、Ｇ（緑）４１４Ｇ、Ｂ（青）４１４Ｂ）及び隣り合う着色層４１４が境界領域で相互に重なり合っている部分（以下遮蔽層という）４１５、更に該着色層４１４及び遮蔽層４１５を保護するオーバコート層４１６が、またオーバコート層４１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなる透明電極４１７が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜４１８が形成されている。
【０２２７】
また、対向基板４０６は、図１９、図２０及び図２１に示すように第２基板４０５の液晶層４０７側の表面には透明電極４１９が第１基板側の透明電極４１７と直交する方向に（図２１のＸ方向）伸びる帯状に形成され、更にその上には配向膜４２０が形成されている。
【０２２８】
透明電極４１７は、相互に並列してストライプ状に構成されており、透明電極４１９と直交する方向に（図２１のＹ方向）、相互に並列してストライプ状に構成されている。
【０２２９】
ここで、所定の第１基板側の透明電極４１７と第２基板側の透明電極４１９とで特定される領域がドット４２１となる。
【０２３０】
カラーフィルタ基板４０４の下地層４１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成されている。この下地層４１２は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、更にこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸が形成される。これによって、透過光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題を解消できる。
また、反射層４１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層４１２上に形成されており、下地層４１２表面の凹凸により反射層４１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射層４１３によって反射された反射光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０２３１】
着色層４１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、反射層４１３を覆うよう形成された原色系フィルタであって、Ｒ（赤）４１４Ｒ、Ｇ（緑）４１４Ｇ、Ｂ（青）４１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【０２３２】
これによって、着色層４１４を遮蔽層４１５で他の着色層４１４と重ねることができることとなる。
【０２３３】
更に、着色層４１４の配列パターンとして、図２１では斜めモザイク配列（４１４Ｒ、４１４Ｇ及び４１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【０２３４】
遮蔽層４１５は、各ドット４２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第１基板の透明電極４１７の長手方向（図２１のＹ方向）及びこれに直交する方向（図２１のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【０２３５】
また、遮蔽層４１５には例えば、着色層４１４Ｂと着色層４１４Ｒとの間では、図２２に示すように下地層４１２に開口部４２５が形成されており、開口部４２５の底部４２４は、第１基板４０３の直ぐ上に反射層４１３を介して設けられている。
【０２３６】
更に開口部４２５には、遮蔽層４１５に隣り合う着色層４１４Ｂが底部４２４からｈ４１の厚さに形成されており、その上に着色層４１４Ｇがｈ４２の厚さに、更にその上に着色層４１４Ｒの張り出し部分がｈ４３の厚さで夫々重なり合って形成されている。
【０２３７】
ここで、図２２の最下方の着色層４１４Ｂの厚さｈ４１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層４１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット４２１と隣り合うドット４２１間の境界領域との表面での平坦性を確保できることとなる。
【０２３８】
更に好ましくは、図２２のｈ４１を略１．７μｍに、ｈ４２を略１．０μｍ、ｈ４３を略０．９μｍ及び重ねられた着色層の一番上に有る着色層４１４Ｒの上面からのオーバコート層４１６の厚さｈ４４を略１．８μｍに形成すると、下地層４１２の厚さｈ４５が略２．４μｍであり、ドット４２１での着色層４１４Ｂの厚さｈ４６が略１．０μｍ、この部分のオーバコート層４１６の厚さｈ４７が略２．０μｍであることから、遮蔽層４１５上のオーバコート層４１６の上面と着色層４１４Ｂのドット４２１上のオーバコート層４１６の上面とは、第１基板４０３からの高さが一致し平坦な面となる。
【０２３９】
ここで、上述のように開口部４２５の一番下に着色層４１４Ｂを形成することによって、最も厚く形成でき厚さを略１．７μｍに形成することができるようになる。
【０２４０】
更に着色層４１４Ｇと着色層４１４Ｂとの間では、図１９及び図２０に示すように開口部４２５の底部４２４にまず隣り合う着色層４１４Ｂが入りこみ、その上に着色層４１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に着色層４１４Ｒが重なり遮蔽層４１５が形成される。
【０２４１】
また、着色層４１４Ｒと着色層４１４Ｇとの間では、図１９及び図２０に示すように開口部４２５の底部４２４にまず、着色層４１４Ｂが形成され、その上に着色層４１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に隣り合う着色層４１４Ｒが重なり遮蔽層４１５が形成される。
【０２４２】
更に、遮蔽層４１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図２３に示すように凹部４２３の底部４２４において完全には下地層４１２が除かれていないような場合においても、凹部４２３の底部４２４の深さｍ４５だけ例えば、遮蔽層４１５の着色層４１４の重ねられた高さが低くなり、オーバコート層４１６上面の凹凸を軽減することができる。これによって、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【０２４３】
ここで、図２３の最下方の着色層４１４Ｂの厚さｍ４１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層４１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット４２１と隣り合うドット４２１間の境界領域との表面での凹凸を軽減できることとなる。
【０２４４】
更に好ましくは、図２３の着色層４１４Ｂの厚さｍ４１を略１．１μｍ、着色層４１４Ｇの厚さｍ４２を略１．０μｍ及び着色層４１４Ｒの厚さｍ４３を略０．９μｍとすれば、凹部４２３の底部４２４の深さｍ４５を略１．３μｍのときに、例えばよりオーバコート層４１６上面の凹凸を軽減できることとなる。これによって、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【０２４５】
なお、ドット４２１は例えば、原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色層４１４からなり、遮蔽層４１５により周囲を囲まれている領域であって反射層４１３を具備するものであり、１画素は着色層４１４Ｒを有するドット４２１と着色層４１４Ｇを有するドット４２１及び着色層４１４Ｂを有するドット４２１で構成される。
【０２４６】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板４０５に形成されている所定の透明電極４１９に信号を供給する一方、第１基板４０３側に形成されている所定の透明電極４１７に信号を供給すると、透明電極４１９と透明電極４１７とが交差する特定のドット４２１において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【０２４７】
従って、例えば対向基板４０６側から液晶層４０７に入射した外光はドット４２１毎に光変調され、着色層４１４を透過した後に反射層４１３で反射し、再び対向基板４０６を透過して射出されるが、この際例えばオーバコート層４１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【０２４８】
更に射出光は、反射層４１３を覆っている着色層４１４（４１４Ｒ、４１４Ｇ、４１４Ｂ）により着色される。
【０２４９】
本実施形態では、隣り合うドット４２１間の境界領域で凹部４２３又は開口部４２５を有するように下地層４１２を形成したので、例えば遮蔽層４１５の高さを低くでき、第１基板側のオーバコート層の平坦性を確保できる。
【０２５０】
また、凹部４２３又は開口部４２５の底部４２４に最初に、青色系例えば青色の着色層４１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層４１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体として例えば遮蔽層４１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【０２５１】
更に例えば、開口部４２５に底部４２４の方から青色の着色層４１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層４１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層４１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット４２１と隣り合うドット４２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層４１６の平坦性をより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【０２５２】
また、凹部４２３で下地層４１２が完全には取り除かれていない場合に、図２３に示すようにその下地層４１２が第１の絶縁層４１２ａと該第１の絶縁層４１２ａ上に凹部４２３を有するように設けられた第２の絶縁層４１２ｂから形成される場合にも、例えばオーバコート層４１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０２５３】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図２４の製造工程図に基づいて説明する。
【０２５４】
まず、図２４に示すように第１基板４０３上に下地層４１２を形成する（ＳＴ４０１）。ここで遮蔽層４１５を形成するドット４２１間の境界領域では例えば、図１９、図２０及び図２１のように下地層４１２に開口部４２５が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層４１２をエッチングし、形成する。
【０２５５】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板４０３上に均一に樹脂材料をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布し、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層４１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層４１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層４１２の下層が形成される。更に、この下地層４１２の凹凸が滑らかになるように同じ樹脂材料を薄く塗布し、下地層４１２の上層が形成される。
【０２５６】
次に、その下地層４１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層４１２に開口部４２５を形成し、遮蔽層４１５となる部分で下地層４１２が除かれた下地層４１２が第１基板４０３上に形成される（ＳＴ１０１）。
次に、下地層４１２上に蒸着法やスパッタリング法等によって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図１９及び図２０のように各ドット４２１及び遮蔽層４１５の領域に反射層４１３を形成する（ＳＴ４０２）。
【０２５７】
又、形成された反射層の上に各色の着色層をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光し、レジストを現像処理する。その後、エッチングして青色系例えば青色の着色層４１４Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層４１４Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層部材４１４Ｒを順次形成していく。
【０２５８】
これによって、各ドット４２１には青色の着色層４１４Ｂ、緑色の着色層４１４Ｇ及び赤色の着色層４１４Ｒが夫々単独で形成され、遮蔽層４１５には図１９及び図２０のように一番下層に青色の着色層４１４Ｂが最も厚く形成され、その上に緑色の着色層４１４Ｇ、更に赤色の着色層４１４Ｒが重ねられて形成される（ＳＴ４０３）。
【０２５９】
上述のように、一番下層に青色の着色層４１４Ｂが最も厚く形成されるので遮光性を上げながら例えば、遮蔽層４１５全体としての厚さを薄くできる。
【０２６０】
更に下地層４１２に開口部４２５が形成されている分、例えば遮蔽層４１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層４１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２６１】
次に、上述の着色層４１４の上にオーバコート層４１６を形成し（ＳＴ４０４）、その上に透明電極４１７の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図２１のようにＹ方向に所定の幅を持ってストライプ状に形成する。
【０２６２】
更にその上に配向膜４１８を形成し、ラビング処理を施してカラーフィルタ基板４０４の製造が終了する（ＳＴ４０５）。これによって、配向膜４１８の液晶層４０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【０２６３】
また、第２基板４０５上に透明電極４１９の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図２１のようにＸ方向にストライプ状に、透明電極４１９を形成する（ＳＴ４０６）。
【０２６４】
更にその上に配向膜４２０を形成し、ラビング処理を施して対向基板４０６の製造が終了する（ＳＴ４０７）。
【０２６５】
次に、対向基板４０６上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述のカラーフィルタ基板４０４と対向基板４０６とを貼り合わせる（ＳＴ４０８）。
【０２６６】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ４０９）。更に、位相差板４０８，４１０及び偏光板４０９，４１１を第１基板４０３及び第２基板４０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ４１０）。
【０２６７】
最後に必要な配線及びケース体等を取り付けて、図１９に示すような液晶装置４０１が完成する。
【０２６８】
本実施形態に係る液晶装置４０１の製造方法では、着色層４１４が重ねられる遮蔽層４１５において一番下層に青色系例えば青色の着色層４１４Ｂを配置したので、最も厚く形成され遮光性を上げがら、例えば遮蔽層４１５全体としての厚さを薄くできる。
【０２６９】
更に下地層４１２に開口部４２５が形成されている分、例えば遮蔽層４１５の高さを低くでき、オーバコート層４１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２７０】
また、上述の液晶装置４０１の製造方法では開口部４２５は図２２のように遮蔽層４１５となる領域で下地層４１２を全て取り除いたが、図２３に示すように、例えばＳＴ４０１で下地層４１２を第１の絶縁層４１２ａ及び第２の絶縁層４１２ｂの２回に分けて形成し、凹部４２３を設けてもよい。例えば１回目では遮蔽層４１５となるドット４２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層４１２ａを形成し下地層４１２の下層と同様に凹凸を設け、２回目の第２の絶縁層４１２ｂの形成では遮蔽層４１５となるドット４２１間の境界領域を除いて、各ドット４２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
これによって、１回目の下地層４１２の形成でフォトレジストを用いて下地層４１２をエッチングする工程を省略できコストの削減が図れ、製造も速くできる。また、開口部４２５のように下地層４１２を完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット４２１間の境界領域とドット４２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層４１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのばらつきを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。なお、遮蔽層４１５の部分で下地層４１２に凹部４２３を形成する方を上述と逆に第１回目にしても良い。
【０２７１】
更に、ハーフトーンを用いて凹部４２３を形成することも可能である。
【０２７２】
（電子機器）
次に、上述した液晶装置１０１、２０１、３０１及び４０１を備えた本発明の第５の実施形態に係る電子機器について説明する。
【０２７３】
図２５から図２８は本発明の第５の実施形態に係る電子機器の各例の外観概略図である。
【０２７４】
例えば、携帯電話機５００は、図２５に示すように複数の操作ボタン５００ａの他、受話口５００ｂ、送話口５００ｃを有する外枠に例えば、液晶装置１０１を備えている。
【０２７５】
また、パーソナルコンピュータ５０１は、図２６に示すようにキーボード５０１ａを備えた本体部５０１ｂと、液晶表示ユニット５０１ｃとから構成されており、液晶表示ユニット５０１ｃは外枠に例えば、液晶装置１０１を備えている。
【０２７６】
更に通常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ５０２は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）等といった撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。
【０２７７】
ここで、図２７のようにデジタルスチルカメラ５０２のケース５０２ａの背面には、例えば液晶装置１０１が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成となっている。このため、液晶装置１０１は、被写体を表示するファインダとして機能する。
【０２７８】
また、ケース５０２ａの前面側には、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニット５０２ｂが設けられている。撮影者は、液晶装置１０１に表示された被写体を確認して、シャッタボタン５０２ｃを押下して撮影を行うことができる。
【０２７９】
また、腕時計５０３は、図２８のように本体の前面中央に例えば、液晶装置１０１を用いた表示部が設けられている。
【０２８０】
これらの電子機器は、液晶装置１０１の他に図示しないが表示情報出力源、表示情報処理回路等の様々な回路及びそれらの回路に電力を供給する電源回路等からなる表示信号生成部等を含んで構成される。
【０２８１】
更に液晶装置１０１には例えば、パーソナルコンピュータ５０１の場合にあってはキーボード５０１ａから入力された情報等に基づき表示信号生成部によって生成された表示信号が供給されることによって、表示画像が液晶装置１０１に表示される。
【０２８２】
本実施形態では、図１から図４に示すように隣り合うドット１２１間の境界領域で凹部１２３又は開口部１２５を有するように下地層１１２を形成したので、着色層１１４による例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【０２８３】
また、開口部１２５の底部１２４にまず、青色系例えば青色の着色層１１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層１１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体としての例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【０２８４】
更に例えば、開口部１２５に底部１２４の方から青色の着色層１１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層１１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層１１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層１１６の平坦性がより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【０２８５】
また、凹部１２３で下地層１１２が図５に示すように完全には取り除かれていない場合にも、例えばオーバコート層１１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０２８６】
特に上述したような携帯可能な電子機器にあっては、室外で使用しても画面表示が鮮明であることが求められており、例えばオーバコート層１１６の平坦性がより確保でき、表示画面のコントラストの明瞭化が図れる本発明の意義は大きいといえる。
【０２８７】
なお、電子機器としては、他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１０１が適用可能なのは言うまでもない。
【０２８８】
また、上述した電子機器に用いられる液晶装置としては反射半透過型のパッシブマトリックス方式の液晶装置１０１に限られるものではなく、反射半透過型のスイッチング素子として二端子型スイッチング素子であるＴＦＤを用いた液晶装置２０１、反射半透過型のスイッチング素子として三端子型スイッチング素子であるＴＦＴを用いた液晶装置３０１及び反射型のパッシブマトリックス方式の液晶装置４０１であっても良い。
更に、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などにも上述した例えば液晶装置１０１が適用可能である。
【０２８９】
以上、好ましい実施形態を上げて本発明を説明したが、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。
【０２９０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図２】図１の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図４】図１の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図５】図１の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図８】図７の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の該略断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図１０】図７の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図１１】図７の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図１４】図１３の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の該略断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図１６】図１３の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図１７】図１３の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図１８】本発明の第３の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図１９】本発明の第４の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図２０】図１９の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の該略断面図である。
【図２１】本発明の第４の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図２２】図１９の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図２３】図１９の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図２４】本発明の第４の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図２５】本発明の第５の実施形態に係る電子機器である携帯電話機の外観概略図である。
【図２６】本発明の第５の実施形態に係る電子機器であるパーソナルコンピュータの外観概略図である。
【図２７】本発明の第５の実施形態に係る電子機器であるデジタルスチルカメラの外観概略図である。
【図２８】本発明の第５の実施形態に係る電子機器である腕時計の外観概略図である。
【符号の説明】
１０１、２０１、３０１、４０１ 液晶装置
１０２、２０２、３０２、４０２ 液晶パネル
１０３、２０３、３０３、４０３ 第１基板
１０４、４０４ カラーフィルタ基板
１０５、２０５、３０５、４０５ 第２基板
１０６，４０６ 対向基板
１０７、２０７、３０７、４０７ 液晶層
１１２、２１２、３１２、４１２ 下地層
１１３、２１３、３１３、４１３ 反射層
１１４、２１４、３１４、４１４ 着色層
１１５、２１５、３１５、４１５ 遮蔽層
１１６、２１６、３１６、４１６ オーバコート層
１２１、２２１、３２１、４２１ ドット
１２２、２２２、３２２、 透過部
１２３、２２３、３２３、４２３ 凹部
１２４、２２４、３２４、４２４ 底部
１２５、２２５、３２５、４２５ 開口部
２２９ ＴＦＤ
３３７ ＴＦＴ
５００ 携帯電話機
５０１ パーソナルコンピュータ
５０２ デジタルスチルカメラ
５０３ 腕時計[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electro-optical device substrate constituting an electro-optical device used in a mobile phone, a portable information terminal, and the like, and an electro-optical device configured using the electro-optical device substrate. The present invention also relates to a method for manufacturing the electro-optical device substrate and a method for manufacturing the electro-optical device configured using the electro-optical device substrate. Furthermore, the present invention relates to an electronic apparatus configured using the electro-optical device.
[0002]
[Prior art]
In recent years, electro-optical devices have been widely used in electronic devices such as mobile phones and portable personal computers. As one of the electro-optical devices, a reflective transflective type capable of partially reflecting display. Liquid crystal devices are known. In this liquid crystal device, in addition to the transmitted light from the backlight, external light such as natural light and room light is taken into the liquid crystal device, and the light is reflected by the reflective layer formed inside the liquid crystal device. The display is performed by being emitted to the outside again, and the configuration of the reflecting portion is the same as that of the reflective liquid crystal device that performs the reflective display on the entire surface.
[0003]
On the other hand, in a liquid crystal device capable of reflective display (hereinafter referred to as “reflective transflective liquid crystal device and reflective liquid crystal device”), if the surface of the reflective layer is mirror-like, an image visually recognized by an observer is obtained. There arises a problem that the background and room lighting are reflected, making it difficult to see the displayed image.
[0004]
In order to solve this problem, conventionally, a ground layer having a number of fine uneven structures formed on the surface is provided under the reflective layer, and a plurality of fine peaks are formed on the surface of the reflective layer to roughen the surface. A technique of scattering scattered light moderately is known.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, when a liquid crystal device having a base layer has a structure in which a reflective layer is formed on the base layer and a colored layer is further formed thereon, a layer that shields light formed in the boundary region between adjacent dots ( (Hereinafter referred to as “shielding layer”) in order to produce sufficient light-shielding properties, the thickness of the portion is increased, and the alignment film and the overcoat layer in contact with the liquid crystal are also uneven depending on the location. In addition to the large variation, problems such as failure of the rubbing process occur.
[0006]
The present invention has been made in view of the above-described problems. An electro-optical device substrate that can reduce unevenness on a boundary region between adjacent dots and the surface of each dot, and an electro-optical device substrate are provided. It is an object to provide an electro-optical device used, a method for manufacturing the electro-optical device substrate, a method for manufacturing the electro-optical device, and an electronic apparatus using the electro-optical device.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The electro-optical device substrate of the present invention includes a substrate having a plurality of dot regions;
An underlayer having crests or troughs provided on the substrate so as to have a recess or an opening in a boundary region between the adjacent dot regions, and irregularly arranged;
Within the dot area The underlayer In a region that overlaps with the plane, it is provided in one layer, Said recess or opening In the laminated or recessed portion or opening Get into Provided with different colors from each other With colored layer A second colored layer and a third colored layer; Have
The first Colored layer The average transmittance in the visible light wavelength region is the second Colored layer And the third Colored layer Lower than the average transmittance in the visible light wavelength region,
The first Colored layer And the second Colored layer The third Colored layer Is the first part on the substrate in the recess or opening. Colored layer And the second Colored layer The third Colored layer And the first layer Colored layer The thickness of the second Colored layer And the third Colored layer A substrate for an electro-optical device, wherein the substrate is formed thicker than the thickness of the substrate.
It is characterized by that.
[0008]
According to such a configuration of the present invention, since the base layer is provided so as to have a recess or an opening in the boundary region between adjacent dots, for example, the height of the shielding layer by the colored layer can be reduced, and each dot and The flatness of the surface with the boundary region can be ensured. That is, in the past, since the base layer was uniformly provided on the substrate, for example, the height of the shielding layer was increased, the surface was uneven due to the overcoat layer, etc., and the variation in the cell gap was increased. Has occurred. On the other hand, in the present invention, since the base layer is provided so as to have a recess or an opening in the boundary region between the dots, the flatness of the surface between each dot and the boundary region can be ensured.
[0009]
Further, since the base layer is provided so as to have irregularly arranged peaks or valleys, the reflected light can be appropriately scattered and reflection on the display surface can be reduced.
[0015]
According to the present invention, the average transmittance of the first colored portion in the visible light wavelength region is lower than the average transmittance of the second and third colored portions in the visible light wavelength region, and the first colored portion And the second and third colored portions are laminated on the substrate in the order of the first colored portion and the second and third colored portions. With such a configuration, the colored portion formed first in the concave portion or the opening provided in the base layer can be formed thickest, so that the light-shielding property can be increased and the contrast can be made clear.
[0023]
An electro-optical device of the present invention is an electro-optical device having a pair of substrates arranged opposite to each other and a plurality of dots,
An underlayer having a plurality of peaks or valleys provided on one of the substrates so as to have a recess or an opening in a boundary region between the adjacent dots, and irregularly arranged;
Within the dot area The underlayer In a region that overlaps with the plane, it is provided in one layer, Said recess or opening In the laminated or recessed portion or opening Get into Provided with different colors from each other With colored layer A second colored layer and a third colored layer; Have
The first Colored layer The average transmittance in the visible light wavelength region is the second Colored layer And the third Colored layer Lower than the average transmittance in the visible light wavelength region,
The first Colored layer And the second Colored layer The third Colored layer Is the first part on the substrate in the recess or opening. Colored layer And the second Colored layer The third Colored layer And the first layer Colored layer The thickness of the second Colored layer And the third Colored layer It is characterized by being formed to be thicker than the thickness.
[0024]
According to such a configuration of the present invention, since the base layer is provided so as to have a recess or an opening in the boundary region between the adjacent dots, for example, the height of the shielding layer can be reduced, and each dot and the boundary can be reduced. The flatness of the surface with the region can be ensured. In other words, in the past, since the base layer was uniformly provided on the substrate, for example, the height of the shielding layer was increased, the surface was uneven due to the overcoat layer, etc., and the variation in cell gap was increased. It was happening. On the other hand, in the present invention, since the base layer is provided so as to have a recess or an opening in the boundary region between the dots, it is possible to ensure the flatness of the surface with the boundary region between each dot and the adjacent dots, The variation in the cell gap can be reduced, the rubbing process can be facilitated, and the contrast can be clarified.
[0025]
Further, since the base layer is provided so as to have irregularly arranged peaks or valleys, the reflected light can be appropriately scattered and reflection on the display surface can be reduced.
[0029]
According to the present invention, the average transmittance of the first colored portion in the visible light wavelength region is lower than the average transmittance of the second and third colored portions in the visible light wavelength region, and the first colored portion And the second and third colored portions are laminated on the substrate in the order of the first colored portion and the second and third colored portions. According to such a configuration, the colored portion formed first in the concave portion or the opening provided in the base layer can be formed to be the thickest, so that the light shielding property can be increased and the contrast can be made clear.
[0030]
An electronic apparatus according to an aspect of the invention includes the electro-optical device according to claim 2. As described above, the electro-optical device described above is often used outdoors such as a mobile phone or a portable information terminal. Pixel Adjacent to the area Pixel The screen becomes easier to see by clarifying the contrast of the display screen by ensuring the flatness of the surface with the boundary region between the regions.
[0031]
The method for manufacturing an electro-optical device substrate of the present invention is a method for manufacturing an electro-optical device substrate having a plurality of dot regions,
Forming a base layer on the substrate so as to have crests or valleys irregularly arranged in a boundary region between the adjacent dot regions;
Within the dot area The underlayer Area that overlaps with the plane In addition, Different colors Forming any one colored layer of the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer,
In the colored layer forming step, the colored layer is formed so as to enter the recess or the opening,
The average transmittance in the visible light wavelength region of the first colored layer is lower than the average transmittance in the visible light wavelength region of the second colored layer and the third colored layer,
The first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer are formed on the substrate in the recess or the opening, and the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer. The colored layers are laminated in order, and the thickness of the first colored layer is larger than the thickness of the second colored layer and the third colored layer.
[0032]
According to such a configuration of the present invention, since the base layer is formed so as to have a recess or an opening in the boundary region between the adjacent dots, for example, the height of the shielding layer can be reduced, The flatness of the surface between the dot and the boundary region can be ensured. That is, in the past, since the base layer was provided uniformly on the substrate, for example, the height of the shielding layer was increased, and the surface was uneven due to the overcoat layer or the like, resulting in increased cell gap variation. It was happening. On the other hand, in the present invention, since the base layer includes a step of forming a recess or an opening in the boundary region between the dots, the surface flatness between each dot and the boundary region between adjacent dots is provided. Can be secured.
[0033]
In addition, since the base layer is formed so as to have irregularly arranged peaks or valleys, for example, the reflected light from the reflective layer can be appropriately scattered and reflected on the display surface. Can be reduced.
[0034]
According to the present invention, the average transmittance of the first colored portion in the visible light wavelength region is lower than the average transmittance of the second and third colored portions in the visible light wavelength region, and the first colored portion And the second and third colored portions are laminated on the substrate in the order of the first colored portion and the second and third colored portions. According to such a configuration, the colored portion formed first in the concave portion or the opening provided in the base layer can be formed to be the thickest, so that the light shielding property can be increased and the contrast can be made clear.
[0040]
First, a first embodiment in which the present invention is applied to a reflective transflective passive matrix liquid crystal device will be described.
[0041]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a color filter substrate which is a substrate for a liquid crystal device constituting the liquid crystal panel of FIG. 3 is a partially enlarged view of the liquid crystal panel (a sectional view taken along line AA ′ in FIG. 3 corresponds to FIG. 1), and FIG. 4 is a partially enlarged sectional view of the shielding layer from which the underlayer has been completely removed. FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view of the shielding layer from which the base layer is partially removed, and FIG. 6 is a manufacturing process diagram for the manufacturing method of the liquid crystal device according to this embodiment.
[0042]
The liquid crystal device 101 includes a liquid crystal panel 102 having a so-called reflective transflective structure, an illumination device such as a backlight and a front light, and a case body (not shown) as necessary.
[0043]
As shown in FIG. 1, the liquid crystal panel 102 includes a color filter substrate 104 having a transparent first substrate 103 formed from a glass plate or a synthetic resin plate as a base, and a similar second substrate 105 facing the base. Is formed by a liquid crystal layer 107 or the like in which liquid crystal is sealed between the color filter substrate 104 and the counter substrate 106.
[0044]
A retardation plate 108 and a polarizing plate 109 are disposed on the outer surface of the first substrate 103, and a retardation plate 110 and a polarizing plate 111 are disposed on the outer surface of the second substrate 105.
[0045]
As shown in FIGS. 1, 2, and 3, the color filter substrate 104 has a base layer 112 formed on the surface of the first substrate 103 on the liquid crystal layer 107 side, and a reflective layer 113 and a reflective layer are formed on the surface of the base layer 112. The transparent portion 122 provided in the opening of the layer 113, the colored layer 114 (R (red) 114R, G (green) 114G, B (blue) 114B), and the adjacent colored layer 114 overlap each other in the boundary region. A portion (hereinafter referred to as a shielding layer) 115, an overcoat layer 116 for protecting the colored layer 114 and the shielding layer 115, and a transparent conductor such as ITO (indium tin oxide) are formed on the overcoat layer 116. A transparent electrode 117 is formed, and an alignment film 118 made of polyimide resin or the like is further formed thereon.
[0046]
Further, as shown in FIGS. 1 and 3, the transparent substrate 119 is formed on the counter substrate 106 on the surface of the second substrate 105 on the liquid crystal layer 107 side in a direction perpendicular to the transparent electrode 117 on the first substrate side (FIG. 3). In the X direction), and an alignment film 120 is further formed thereon.
[0047]
The transparent electrodes 117 are configured in stripes in parallel with each other, and the transparent electrodes 119 are configured in stripes in parallel with each other in a direction perpendicular to the transparent electrodes 119.
[0048]
Here, a region specified by the predetermined transparent electrode 117 on the first substrate side and the transparent electrode 119 on the second substrate side is the dot 121.
[0049]
The base layer 112 of the color filter substrate 104 is made of a resin material, and is formed of two layers, a lower layer and an upper layer, as shown in the figure. In the underlayer 112, the surface of the lower layer is processed into fine irregularities, and the entire surface of the lower layer is covered with a thin upper layer of the same material, so that smooth irregularities are formed. Thereby, the transmitted light can be scattered, and the problem that it is difficult to see the image of the displayed screen can be solved.
[0050]
In addition, the reflective layer 113 is a single metal film such as aluminum or silver and is formed on the base layer 112, and fine irregularities are formed on the surface of the reflective layer 113 due to the irregularities on the surface of the base layer 112. . Thereby, the reflected light reflected by the reflective layer 113 can also be scattered, and the problem that it becomes difficult to see the image of the displayed screen can be solved.
[0051]
Further, in the reflective layer 113, for example, as shown in FIG. 3, a substantially rhombic opening is formed in the approximate center of the dot 121, and this opening becomes the transmission part 122. As a result, light incident from the color filter substrate 104 such as a backlight can be transmitted to the liquid crystal layer 107. The opening is not limited to the shape of this example, and may be a circular hole or a plurality of openings.
[0052]
The colored layer 114 is, for example, coated with a colored resist made of a photosensitive resin containing a colorant such as a pigment or a dye, and by a photolithography method, a transmissive portion 122 that transmits light from a backlight or the like that has passed through the first substrate; A primary color filter formed so as to cover the reflective layer 113 around the transmissive portion 122, and is configured by one of three colors of R (red) 114R, G (green) 114G, and B (blue) 114B. Yes.
[0053]
As a result, the colored layer 114 can be overlapped with the other colored layer 114 by the shielding layer 115.
[0054]
Furthermore, as the arrangement pattern of the colored layer 114, an oblique mosaic arrangement (114R, 114G, and 114B) is adopted in FIG. 3. In addition to the oblique mosaic arrangement, various pattern shapes such as a stripe arrangement or a digital arrangement can be used. Can be adopted.
[0055]
The shielding layer 115 is for shielding the boundary region between the dots 121, and in the boundary region, the longitudinal direction (Y direction in FIG. 3) of the transparent electrode 117 of the first substrate and the direction orthogonal to this ( It is formed in a strip shape extending in the X direction in FIG.
[0056]
In addition, for example, an opening 125 is formed in the base layer 112 between the colored layer 114B and the colored layer 114R in the shielding layer 115 as shown in FIG. A reflective layer 113 is provided immediately above the substrate 103.
[0057]
Further, in the opening 125, a colored layer 114B adjacent to the shielding layer 115 is formed to a thickness of h11 from the bottom 124, and a colored layer 114G is formed to a thickness of h12 thereon, and further a colored layer 114R is formed thereon. The overhanging portions are formed to overlap each other with a thickness of h13.
[0058]
Here, if the thickness h11 of the lowermost colored layer 114B in FIG. 4 is 0.7 μm or more and 2.0 μm or less, the light-shielding property of the blue color layer 114B, for example, is improved, and the other colored layers In combination, the boundary region between each dot 121 and the adjacent dot 121, for example, the flatness on the surface with the shielding layer 115 can be secured.
[0059]
More preferably, h11 in FIG. 4 is approximately 1.7 μm, h12 is approximately 1.0 μm, h13 is approximately 0.9 μm, and the overcoat layer from the upper surface of the colored layer 114R on the top of the superimposed colored layers. When the thickness h14 of 116 is formed to be approximately 1.8 μm, the thickness h15 of the base layer 112 is approximately 2.4 μm, and the thickness h16 of the colored layer 114B at the dot 121 is approximately 1.0 μm, Since the thickness h17 of the coat layer 116 is approximately 2.0 μm, the upper surface of the overcoat layer 116 on the shielding layer 115 coincides with the upper surface of the overcoat layer 116 on the dots 121 of the colored layer 114B and is flat. It becomes a surface.
[0060]
Here, by forming the colored layer 114B at the bottom of the opening 125 as described above, it is possible to form the thickest layer and to form a thickness of about 1.7 μm.
[0061]
Further, between the colored layer 114G and the colored layer 114B, as shown in FIG. 2, the adjacent colored layer 114B first enters the bottom portion 124 of the opening 125, and the overhanging portion of the colored layer 114G is overlapped thereon, and further, The shielding layer 115 is formed by overlapping the colored layer 114R.
[0062]
Further, between the colored layer 114R and the colored layer 114G, as shown in FIG. 2, the colored layer 114B is first formed on the bottom 124 of the opening 125, and the protruding portion of the colored layer 114G is overlapped on the colored layer 114G. The shielding layer 115 is formed by overlapping the adjacent colored layers 114R.
[0063]
Furthermore, the shielding layer 115 is not limited to the above-described configuration. For example, as shown in FIG. 5, even when the base layer 112 is not completely removed at the bottom 124 of the recess 123, The overlapping height of the colored layer of the shielding layer 115 is lowered by the depth m15 of the bottom portion 124, and the unevenness on the upper surface of the overcoat layer 116 can be reduced. This facilitates cell gap variation and rubbing processing and improves the contrast of the screen display.
[0064]
Here, if the thickness m11 of the lowermost colored layer 114B in FIG. 5 is 0.7 μm or more and 2.0 μm or less, the light-shielding property of the blue colored layer 114B, for example, is improved, and the other colored layers In combination, the unevenness on the surface of each dot 121 and the boundary region between adjacent dots 121 can be reduced.
[0065]
More preferably, if the thickness m11 of the colored layer 114B in FIG. 5 is about 1.1 μm, the thickness m12 of the colored layer 114G is about 1.0 μm, and the thickness m13 of the colored layer 114R is about 0.9 μm, the concave portion When the depth m15 of the bottom portion 124 of 123 is approximately 1.3 μm, for example, the unevenness on the upper surface of the overcoat layer 116 can be further reduced. As a result, the variation in cell gap and the rubbing process are facilitated, and the contrast of the screen display is improved.
[0066]
In addition, the dot 121 includes, for example, a color layer 114 of any one of the primary color filters RGB and is surrounded by a shielding layer 115 and includes a reflective layer 113 and a transmissive portion 122. One pixel includes a dot 121 having a colored layer 114R, a dot 121 having a colored layer 114G, and a dot 121 having a colored layer 114B.
[0067]
In the present embodiment configured as described above, a signal is supplied to a predetermined transparent electrode 119 formed on the second substrate 105, while a signal is supplied to the predetermined transparent electrode 117 formed on the first substrate 103 side. Is supplied, it is possible to drive only the liquid crystal held in a specific dot 121 where the transparent electrode 119 and the transparent electrode 117 intersect.
[0068]
Therefore, for example, external light incident on the liquid crystal layer 107 from the counter substrate 106 side is modulated for each dot 121, passes through the colored layer 114, reflects off the reflective layer 113, and then passes through the counter substrate 106 again to be emitted. However, at this time, for example, since the overcoat layer 116 is flat, an image with clear contrast can be seen.
[0069]
In addition, light emitted from a backlight device or the like passes through the first substrate 103 and the transmission unit 122 and enters the liquid crystal layer 107, and then is optically modulated for each dot 121 by the liquid crystal layer 107, so that the transparent electrode 119 and An image with a clear contrast can be seen through the second substrate 105.
[0070]
Further, the emitted light is colored by the colored layer 114 (114R, 114G, 114B) covering the reflective layer 113 and the transmissive portion 122.
[0071]
In the present embodiment, since the base layer 112 is formed so as to have the concave portion 123 or the opening portion 125 in the boundary region between the adjacent dots 121, for example, the height of the shielding layer 115 due to the colored layer 114 can be reduced, and each dot 121. And the flatness of the surface with the boundary region between adjacent dots 121 can be ensured.
[0072]
In addition, since the blue colored layer 114B, for example, is first formed on the bottom portion 124 of the recess 123 or the opening 125, blue having a low average transmittance in the visible light wavelength region is another green type such as green and green. It is formed to be thickest than the red colored layer 114, for example, the red color layer 114, and the height of the shielding layer 115 as a whole can be lowered and the contrast can be improved while improving the light shielding property.
[0073]
Further, for example, a blue colored layer 114B having a thickness of about 1.7 μm is formed in the opening 125 from the bottom 124, and a green colored layer 114G is formed thereon with a thickness of about 1.0 μm. If the layer 114R is formed to be approximately 0.9 μm, the flatness of, for example, the overcoat layer 116 on the upper surface of each dot 121 and the boundary region between the adjacent dots 121 can be ensured, and the variation in cell gap and the rubbing can be improved The processing becomes easy and the contrast of the display screen can be clarified.
[0074]
Further, when the base layer 112 is not completely removed by the recess 123, the base layer 112 has the first insulating layer 112a and the recess 123 on the first insulating layer 112a as shown in FIG. In the case where the second insulating layer 112b is provided as described above, for example, the unevenness on the upper surface of the overcoat layer 116 can be reduced, the variation in the cell gap and the rubbing process can be facilitated, and the contrast of the display screen can be reduced. Improvements can be made.
[0075]
(Manufacturing method of liquid crystal device)
Next, a manufacturing method of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described based on the manufacturing process diagram of FIG.
[0076]
First, as shown in FIG. 6, the base layer 112 is formed on the first substrate 103 (ST101). Here, in the boundary region between the dots 121 forming the shielding layer 115, for example, the base layer 112 is formed using a photoresist so that the opening 125 is formed in the base layer 112 as shown in FIGS. 1, 2, and 3. Is formed by etching.
[0077]
This will be explained in more detail. A resin material is uniformly applied on the first substrate 103 by spin coating, a resist is further applied thereon, and then exposure is performed from above the photomask on which a predetermined pattern is formed. Then, the resist is developed. Thereafter, etching is performed to form a plurality of holes in the base layer 112. Next, by applying heat to the foundation layer 112, these holes are smoothly deformed to form a lower layer of the uneven foundation layer 112. Further, the same resin material is thinly applied so that the unevenness of the base layer 112 is smooth, and an upper layer of the base layer 112 is formed.
[0078]
Next, a resist is applied onto the base layer 112, and then the resist is developed by exposure from a photomask on which a predetermined pattern is formed. Thereafter, etching is performed to form an opening 125 in the base layer 112, and the base layer 112 is formed on the first substrate 103 from which the base layer 112 is removed at a portion to be the shielding layer 115 (ST101).
[0079]
Next, a thin film of aluminum or the like is formed on the base layer 112 by vapor deposition or sputtering, and this is patterned using a photolithography method, so that, for example, approximately the center of each dot 121 as shown in FIG. Are provided with rhombus openings, and the reflective layer 113 is formed in other regions (ST102).
[0080]
In addition, a colored layer of each color is applied onto the formed reflective layer and opening by spin coating, a resist is further applied thereon, and then exposure is performed from above a photomask on which a predetermined pattern is formed. Then, the resist is developed. Thereafter, etching is performed to sequentially form a blue color layer 114B, for example, a green color layer 114G, a green color layer 114G, and a red color layer 114R, for example.
[0081]
As a result, each dot 121 is formed with a blue colored layer 114B, a green colored layer 114G, and a red colored layer 114R, respectively, and the shielding layer 115 has a blue colored layer as the lowermost layer as shown in FIG. 114B is formed to be the thickest, and a green colored layer 114G and a red colored layer 114R are overlaid thereon (ST103).
[0082]
As described above, since the blue colored layer 114B is formed to be the thickest in the lowermost layer, for example, the thickness of the entire shielding layer 115 can be reduced while improving the light shielding property.
[0083]
Further, since the opening 125 is formed in the base layer 112, for example, the height of the shielding layer 115 can be reduced, and the flatness of the surface of the overcoat layer 116 to be formed thereafter can be ensured, thereby reducing the variation in the cell gap. And the rubbing process can clarify the contrast.
[0084]
Next, an overcoat layer 116 is formed on the colored layer 114 (ST104), ITO or the like, which is a material of the transparent electrode 117, is deposited thereon by a sputtering method, and patterned by a photolithography method. 3 is formed in a stripe shape having a predetermined width in the Y direction.
[0085]
Further, an alignment film 118 is formed thereon, and a rubbing process is performed to complete the manufacture of the color filter substrate 104 (ST105). As a result, the flatness of the surface of the alignment film 118 on the liquid crystal layer 107 side is ensured, the variation in the cell gap can be eliminated, and the image quality of the screen can be improved.
[0086]
Further, ITO or the like, which is a material of the transparent electrode 119, is deposited on the second substrate 105 by a sputtering method, and patterned by a photolithography method to form the transparent electrode 119 in a stripe shape in the X direction as shown in FIG. (ST106).
[0087]
Further, an alignment film 120 is formed thereon, and a rubbing process is performed to complete the manufacture of the counter substrate 106 (ST107).
[0088]
Next, a gap material (not shown) is sprayed on the counter substrate 106 by dry spraying or the like, and the above-described color filter substrate 104 and the counter substrate 106 are bonded together via a seal material (ST108).
[0089]
Thereafter, liquid crystal is injected from the opening of the sealing material, and the opening of the sealing material is sealed with a sealing material such as an ultraviolet curable resin (ST109). Further, the retardation plates 108 and 110 and the polarizing plates 109 and 111 are attached to the outer surfaces of the first substrate 103 and the second substrate 105 by a method such as sticking (ST110).
[0090]
Finally, necessary wiring, illumination device, case body and the like are attached, and the liquid crystal device 101 as shown in FIG. 1 is completed.
[0091]
In the manufacturing method of the liquid crystal device 101 according to the present embodiment, the blue color layer 114B, for example, the blue color layer 114B is disposed in the lowermost layer of the shielding layer 115 on which the colored layer 114 is overlaid. For example, the thickness of the entire shielding layer 115 can be reduced while increasing.
[0092]
Further, since the opening 125 is formed in the base layer 112, for example, the height of the shielding layer 115 can be reduced, and the flatness of the surface of the overcoat layer 116 can be ensured. Can be clarified.
[0093]
Further, in the manufacturing method of the liquid crystal device 101 described above, the opening 125 has completely removed the base layer 112 in the region to be the shielding layer 115 as shown in FIG. 4, but the base layer 112 is removed in ST101, for example, as shown in FIG. The first insulating layer 112a and the second insulating layer 112b may be formed in two steps, and the concave portion 123 may be provided. For example, the first insulating layer 112a is formed on the entire surface including the boundary region between the dots 121 to be the shielding layer 115 at the first time, and unevenness is provided similarly to the lower layer of the base layer 112, and the second insulating layer 112b at the second time. In the formation, each dot 121 can be formed by etching using a photoresist except for the boundary region between the dots 121 to be the shielding layer 115.
[0094]
As a result, the step of etching the base layer 112 using a photoresist in the first formation of the base layer 112 can be omitted, the cost can be reduced, and the manufacturing speed can be increased. In addition, when the underlying layer 112 is completely removed as in the opening 125, the desired thickness can be obtained even when the surface flatness between the boundary region between the adjacent dots 121 and the dots 121 is impaired. Thus, the base layer 112 can be formed to ensure flatness, variation in cell gap can be reduced, and rubbing treatment is facilitated. Note that the formation of the recess 123 in the base layer 112 at the portion of the shielding layer 115 may be the first time contrary to the above.
[0095]
Furthermore, it is also possible to form the recessed part 123 using a halftone.
[0096]
Next, a second embodiment in which the present invention is applied to a liquid crystal device using a TFD (Thin Film Diode) that is a two-terminal switching element as a reflective transflective switching element will be described.
[0097]
7 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a schematic cross-sectional view on the first substrate side which is a substrate for a liquid crystal device constituting the liquid crystal panel of FIG. 9 is a partially enlarged view of the liquid crystal panel (the sectional view taken along line BB ′ and CC ′ in FIG. 9 corresponds to FIG. 7), and FIG. 10 is a shielding layer from which the underlayer has been completely removed. FIG. 11 is a partial cross-sectional enlarged view of the shielding layer from which a part of the base layer has been removed, and FIG. 12 is a manufacturing process diagram for the manufacturing method of the liquid crystal device according to the present embodiment.
[0098]
The liquid crystal device 201 includes a liquid crystal panel 202 having a so-called reflective transflective structure, an illumination device such as a backlight and a front light, and a case body (not shown) as necessary.
[0099]
In the liquid crystal panel 202, as shown in FIG. 7, a first substrate 203 and a second substrate 205 opposite to the first substrate 203 are bonded together through a sealing material (not shown), and liquid crystal is sealed between the two substrates. The liquid crystal layer 207 is formed.
[0100]
A retardation plate 208 and a polarizing plate 209 are disposed on the outer surface of the first substrate 203, and a retardation plate 210 and a polarizing plate 211 are disposed on the outer surface of the second substrate 205.
[0101]
As shown in FIGS. 7 and 8, a base layer 212 is formed on the surface of the first substrate 203 on the liquid crystal layer 207 side, and a reflective layer 213, a transmissive portion 222, and a colored layer 214 (R) are formed on the surface of the base layer 212. (Red) 214R, G (green) 214G, B (blue) 214B) and a portion where the adjacent colored layers 214 overlap each other in the boundary region (hereinafter referred to as a shielding layer) 215, and further, the colored layer 214 and the shielding layer 215 An overcoat layer 216 is formed on the overcoat layer 216, and a data line 226 made of a transparent conductor such as ITO (indium tin oxide) is formed on the overcoat layer 216. An alignment film 218 is formed.
[0102]
Further, a plurality of pixel electrodes 227 arranged in a matrix form on the surface of the second substrate 205 on the liquid crystal layer 207 side, and a direction intersecting the data line 226 described above in the boundary region of each pixel electrode 227 (Y direction in FIG. 9). ), A plurality of scanning lines 228 extending in a band shape, and the pixel electrode 227 and the TFD 229 connected to the scanning lines 228 are arranged, and an alignment film 220 is formed thereon.
[0103]
Here, the data lines 226 are formed in a strip shape extending in a predetermined direction (X direction in FIG. 9), and a plurality of data lines 226 are formed in a stripe shape in parallel with each other. An area specified by H.227 is a dot 221.
[0104]
Further, the base layer 212 is made of a resin material and is formed of two layers, a lower layer and an upper layer, as shown in the figure. Since the surface of the lower layer 212 is processed into fine irregularities, and the entire surface of the lower layer is covered with a thin upper layer of the same material, smooth irregularities are formed. Thereby, the transmitted light can be scattered, and the problem that it is difficult to see the image of the displayed screen can be solved.
The reflective layer 213 is a single metal film such as aluminum or silver, for example, and is formed on the upper surface of the base layer 212, and fine unevenness is also formed on the surface of the reflective layer 213 due to the unevenness of the surface of the base layer 212. Thereby, the reflected light reflected by the reflective layer 213 can also be scattered, and the problem that it becomes difficult to see the image of the displayed screen can be solved.
[0105]
Further, for example, as shown in FIG. 9, a substantially rhombus opening is formed in the reflection layer 213 at substantially the center of the dot 221, and this opening becomes the transmission part 222. As a result, light incident from the first substrate 203 such as a backlight can be transmitted to the liquid crystal layer 207. The opening is not limited to the shape of this example, and may be a circular hole or a plurality of openings.
[0106]
For example, the colored layer 214 is formed by applying a colored resist made of a photosensitive resin containing a colorant such as a pigment or a dye, and transmitting light from a backlight or the like that has passed through the first substrate 203 by a photolithography method. A primary color filter formed so as to cover the reflective layer 213 around the transmissive portion 222, and is configured by one of three colors R (red) 214R, G (green) 214G, and B (blue) 214B. Yes.
[0107]
Accordingly, the colored layer 214 can be overlapped with the other colored layer 214 by the shielding layer 215.
[0108]
The shielding layer 215 is for shielding the boundary region between the dots 221, and in the boundary region, the longitudinal direction of the scanning line 228 of the second substrate (Y direction in FIG. 9) and a direction orthogonal to this ( It is formed in a strip shape extending in the X direction in FIG.
[0109]
Further, in the shielding layer 215, for example, an opening 225 is formed in the base layer 212 between the colored layer 214B and the colored layer 214R as shown in FIG. 10, and the bottom 224 of the opening 225 is the first portion 224. A reflective layer 213 is formed on the substrate 203.
[0110]
Further, in the opening 225, a colored layer 214B adjacent to the shielding layer 215 is formed to a thickness of h21 from the bottom 224, and a colored layer 214G is formed thereon to a thickness of h22, and further over the colored layer 214R. The overhanging portions are formed to overlap each other with a thickness of h23.
[0111]
Here, if the thickness h21 of the lowermost colored layer 214B is 0.7 μm or more and 2.0 μm or less, the light-shielding property of the blue colored layer 214B, for example, is improved, and the combination with other colored layers Thus, the flatness on the surface of each dot 221 and the boundary region between adjacent dots 221 can be secured.
[0112]
More preferably, h21 in FIG. 10 is approximately 1.7 μm, h22 is approximately 1.0 μm, h23 is approximately 0.9 μm, and the overcoat layer from the upper surface of the colored layer 214R at the top of the overlaid colored layer. When the thickness h24 of 216 is formed to be approximately 1.8 μm, the thickness h25 of the base layer 212 is approximately 2.4 μm, the thickness h26 of the colored layer 214B at the dots 221 is approximately 1.0 μm, Since the thickness h27 of the coat layer 216 is approximately 2.0 μm, the upper surface of the overcoat layer 216 on the shielding layer 215 and the upper surface of the overcoat layer 216 on the dots 221 of the colored layer 214B are coincident and flat. It becomes a surface.
[0113]
Here, by forming the colored layer 214B at the bottom of the opening 225 as described above, the thickness can be formed to be approximately 1.7 μm.
[0114]
Further, between the colored layer 214G and the colored layer 214B, the adjacent colored layer 214B first enters the bottom 224 of the opening 225 as shown in FIGS. And a colored layer 214R is further overlapped thereon to form a shielding layer 215.
[0115]
Further, between the colored layer 214R and the colored layer 214G, as shown in FIGS. 7 and 8, a colored layer 214B is first formed on the bottom 224 of the opening 225, and the protruding portion of the adjacent colored layer 214G is formed thereon. And a color layer 214R adjacent to each other overlaps to form a shielding layer 215.
[0116]
Furthermore, the shielding layer 215 is not limited to the above-described configuration. For example, as shown in FIG. 11, even when the base layer 212 is not completely removed at the bottom 224 of the recess 223, For example, the height of the shielding layer 215 is lowered by the depth m25 of the bottom portion 224, and unevenness on the upper surface of the overcoat layer 216 can be reduced. This facilitates cell gap variation and rubbing processing and improves the contrast of the screen display.
[0117]
Here, if the thickness m21 of the lowermost colored layer 214B in FIG. 11 is 0.7 μm or more and 2.0 μm or less, the light-shielding property of the blue colored layer 214B, for example, is improved, and the other colored layers In combination, the unevenness on the surface of the boundary region between each dot 221 and the adjacent dot 221 can be reduced.
[0118]
More preferably, if the thickness m21 of the colored layer 214B in FIG. 11 is about 1.1 μm, the thickness m22 of the colored layer 214G is about 1.0 μm, and the thickness m23 of the colored layer 214R is about 0.9 μm, the concave portion When the depth m25 of the bottom portion 224 of 223 is approximately 1.3 μm, for example, the unevenness on the upper surface of the overcoat layer 216 can be further reduced.
[0119]
As the arrangement pattern of the colored layer 214 in this case, an oblique mosaic arrangement (214R, 214G and 214B) is adopted in FIG. 9, but in addition to this oblique mosaic arrangement, various pattern shapes such as a stripe arrangement or a digital arrangement are used. Can be adopted.
[0120]
The dot 221 is composed of, for example, any one of the primary color filters RGB colored layer 214 and is surrounded by a shielding layer 215 and includes a reflective layer 213 and a transmissive portion 222. The pixel includes a dot 221 having a colored layer 214R (red), a dot 221 having a colored layer 214G (green), and a dot 221 having a colored layer 214B (blue).
[0121]
Next, the pixel electrode 227 is formed of a transparent conductor such as ITO (Indium Tin Oxide), for example, and is connected to the scanning line 228 adjacent to the pixel electrode 227 via the TFD 229.
[0122]
The TFD 229 is formed on the base layer 230 formed on the surface of the second substrate 205, for example, as shown in FIG.
[0123]
The TFD 229 includes a first metal layer 231, an insulating film 232 formed on the surface of the first metal layer 231, and a second metal layer 233 formed on the insulating film 232.
[0124]
Here, the first metal layer 231 is formed of, for example, a Ta single film or a Ta alloy film having a thickness of about 100 to 500 nm, and is connected to the scanning line 228.
[0125]
The insulating film 232 is made of, for example, tantalum oxide having a thickness of about 10 to 35 nm.
[0126]
Furthermore, the second metal layer 233 is formed to a thickness of about 50 to 300 nm by a metal film such as chromium (Cr), and is connected to the pixel electrode 227.
[0127]
In the present embodiment configured as described above, a scanning signal is supplied to each of the scanning lines 228 formed on the second substrate 205, while a data signal is supplied to the data line 226 formed on the first substrate 203 side. Is supplied, it is possible to drive only the liquid crystal held in the portion where the pixel electrode 227 and the data line 226 face each other.
[0128]
Accordingly, for example, external light that has passed through the second substrate 205 and the pixel electrode 227 and entered the liquid crystal layer 207 is optically modulated for each dot 221 by the liquid crystal layer 207, reflected by the reflective layer 213, and again reflected by the pixel electrode 227 and the second electrode 207. In this case, since the overcoat layer 216 is flat, for example, an image with clear contrast can be seen.
[0129]
In addition, light emitted from a backlight device or the like passes through the first substrate 203 and the transmission unit 222 and enters the liquid crystal layer 207, and then is optically modulated for each dot 221 by the liquid crystal layer 207, and the pixel electrode 227 and the In this case, since the overcoat layer 216 is flat, for example, an image with clear contrast can be seen.
[0130]
Further, the emitted light is colored by the colored layer 214 (214R, 214G, 214B) that covers the reflective layer 213 and the transmissive portion 222.
[0131]
In the present embodiment, since the base layer 212 is formed so as to have the recess 223 or the opening 225 in the boundary region between the adjacent dots 221, for example, the height of the shielding layer 215 by the colored layer 214 can be reduced, and each dot 221. And the flatness of the surface of the boundary region between the adjacent dots 221 can be ensured.
[0132]
In addition, since the blue colored layer 214B is first formed at the bottom 224 of the recess 223 or the opening 225, blue having a low average transmittance in the visible light wavelength region is another green type such as green and It is formed to be thickest than the red colored layer 214 such as a red color layer, and the height of the shielding layer 215 can be lowered as a whole while improving the light shielding property, and the contrast can be improved.
[0133]
Further, for example, a blue colored layer 214B is formed in the opening 225 from the bottom 224 to a thickness of about 1.7 μm, and a green colored layer 214G is formed thereon with a thickness of about 1.0 μm, and a red color is formed thereon. If the layer 214R is formed to be approximately 0.9 μm, the flatness of, for example, the overcoat layer 216 on the upper surface of each dot 221 and the boundary region between the adjacent dots 221 can be further ensured, and variations in cell gap and rubbing can be improved. The processing becomes easy and the contrast of the display screen can be clarified.
[0134]
In addition, when the base layer 212 is not completely removed by the recess 223, the base layer 212 has the first insulating layer 212a and the recess 223 on the first insulating layer 212a as shown in FIG. Even when the second insulating layer 212b is formed as described above, for example, the unevenness of the upper surface of the overcoat layer 216 can be reduced, the cell gap variation can be improved and the rubbing process can be facilitated, and the contrast of the display screen can be reduced. Improvements can be made.
[0135]
Further, in the present embodiment, since it is a TFD type active matrix system, the screen is bright and easy to see, and power consumption and manufacturing cost can be kept low.
[0136]
(Manufacturing method of liquid crystal device)
Next, a manufacturing method of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described based on the manufacturing process diagram of FIG.
[0137]
First, as shown in FIG. 12, the base layer 212 is formed on the first substrate 203 (ST201). Here, in the boundary region between the dots 221 forming the shielding layer 215, for example, the base layer 212 is etched using a photoresist so that the opening 225 is formed in the base layer 212 as shown in FIGS. To do.
[0138]
This will be explained in more detail. A resin material is uniformly applied on the first substrate 203 by spin coating, a resist is further applied thereon, and then exposure is performed from above a photomask on which a predetermined pattern is formed. Then, the resist is developed. Thereafter, etching is performed to form a plurality of holes in the base layer 212. Next, by applying heat to the foundation layer 212, these holes are smoothly deformed to form a lower layer of the uneven foundation layer 212. Further, the same resin material is thinly applied so that the unevenness of the base layer 212 is smooth, and an upper layer of the base layer 212 is formed.
[0139]
Next, a resist is applied on the base layer 212, and then the resist is developed by exposing from a photomask on which a predetermined pattern is formed. Thereafter, an opening 225 is formed in the base layer 212 by etching, and the base layer 212 from which the base layer 212 is removed at a portion to be the shielding layer 215 is formed on the first substrate 203 (ST101).
Next, aluminum or the like is formed into a thin film on the base layer 212 by vapor deposition or sputtering, and this is patterned by using a photolithography method, so that, for example, approximately the center of each dot 221 as shown in FIG. Are provided with a diamond-shaped opening, and a reflective layer 213 is formed in the other region (ST202).
[0140]
Further, a colored layer of each color is applied onto the formed reflective layer 213 and the opening by spin coating, a resist is further applied thereon, and then a photomask on which a predetermined pattern is formed is applied. The resist is developed by exposure. Thereafter, etching is performed to sequentially form a blue color layer 214B, for example, a green color layer 214G, and a red color layer 214R.
[0141]
As a result, each dot 221 is formed with a blue colored layer 214B, a green colored layer 214G, and a red colored layer 214R independently, and the shielding layer 215 has a blue colored layer as the lowermost layer as shown in FIGS. The colored layer 214B is formed to be the thickest, and the green colored layer 214G and the red colored layer 214R are further stacked thereon (ST203).
[0142]
As described above, since the blue colored layer 214B is formed to be the thickest in the lowermost layer, for example, the thickness of the entire shielding layer 215 can be reduced while improving the light shielding property.
[0143]
Further, since the opening 225 is formed in the base layer 212, for example, the height of the shielding layer 215 can be reduced, and the flatness of the surface of the overcoat layer 216 formed thereafter can be ensured, and the variation in the cell gap can be reduced. And the rubbing process can clarify the contrast.
[0144]
Next, an overcoat layer 216 is formed on the colored layer 214 (ST204), ITO or the like, which is a material of the data line 226, is deposited thereon by a sputtering method, and patterned by a photolithography method. As shown in FIG. 9, the data lines 226 are formed in a stripe shape with a predetermined width in the X direction.
[0145]
Further, an alignment film 218 is formed thereon, and a rubbing process is performed to complete the manufacture on the first substrate 203 side (ST205). As a result, the flatness of the surface of the alignment film 218 on the liquid crystal layer 207 side is ensured, the variation in the cell gap can be eliminated, and the image quality of the screen can be improved.
[0146]
Further, a TFD, a scanning line, and a pixel electrode are formed on the second substrate 205 (ST106).
[0147]
Here, the TFD is formed by depositing Ta oxide or the like on the second substrate 205 to a uniform thickness to form a base layer 230, and then depositing Ta or the like on the second substrate 205 to a uniform thickness by sputtering. The scanning line 228 and the first metal layer 231 are simultaneously formed by photolithography. At this time, the scanning line 228 and the first metal layer 231 are connected by a bridge.
[0148]
Further, tantalum oxide or the like, which is an insulating film, is formed on the first metal layer 231 with a uniform thickness to form an insulating film 232, and Cr is further formed thereon with a uniform thickness by sputtering or the like. A second metal layer 233 is formed using a photolithography method.
[0149]
Next, after removing the base layer 230 in the region where the pixel electrode 227 is to be formed, ITO is deposited to a uniform thickness by sputtering or the like, and further, a predetermined shape corresponding to the size of one dot is obtained by photolithography or the like. The pixel electrode 227 is formed so as to partially overlap the second metal layer 233. Through these series of processes, the TFD 229 and the pixel electrode 227 are formed.
[0150]
Further, an alignment film 220 is formed thereon, and a rubbing process is performed to complete the manufacturing on the second substrate 205 side (ST207).
[0151]
Next, a gap material (not shown) is sprayed on the alignment film 220 on the second substrate 205 side by dry spraying or the like, and the first substrate 203 side and the second substrate 205 side are pasted via a sealing material. Match (ST208).
[0152]
Thereafter, liquid crystal is injected from the opening of the sealing material, and the opening of the sealing material is sealed with a sealing material such as an ultraviolet curable resin (ST209). Further, the retardation plates 208 and 210 and the polarizing plates 209 and 211 are attached to the outer surfaces of the first substrate 203 and the second substrate 205 by a method such as sticking (ST210).
[0153]
Finally, necessary wiring, illumination device, case body, and the like are attached, and the liquid crystal device 201 as shown in FIG. 7 is completed.
[0154]
In the manufacturing method of the liquid crystal device 201 according to the present embodiment, the blue color layer 214B, for example, the blue color layer 214B is disposed in the lowermost layer of the shielding layer 215 on which the colored layer 214 is overlaid. For example, the thickness of the entire shielding layer 215 can be reduced while increasing.
[0155]
Further, since the opening 225 is formed in the base layer 212, for example, the height of the shielding layer 215 can be reduced, and the flatness of the surface of the overcoat layer 216 can be ensured. Can be clarified.
[0156]
Further, in the manufacturing method of the liquid crystal device 201 described above, the opening 225 has all of the foundation layer 212 removed in the region that becomes the shielding layer 215 as shown in FIG. 10, but the foundation layer 212 is removed in ST201 as shown in FIG. The first insulating layer 212a and the second insulating layer 212b may be formed in two steps, and the concave portion 223 may be provided. For example, in the first time, the first insulating layer 212a is formed on the entire surface including the boundary region between the dots 221 to be the shielding layer 215, and unevenness is provided in the same manner as the lower layer of the base layer 212, and the second second insulating layer 212b. In the formation, the base layer 212 can be formed by etching each dot 221 using a photoresist except for the boundary region between the dots 221 to be the shielding layer 215.
[0157]
As a result, the step of etching the base layer 212 using a photoresist in the first formation of the base layer 212 can be omitted, the cost can be reduced, and the manufacturing speed can be increased. In addition, when the underlying layer 212 is completely removed as in the opening 225, the desired thickness is also obtained when the surface flatness between the boundary region between the adjacent dots 221 and the dots 221 is impaired. Thus, the base layer 212 can be formed to ensure flatness, variation in cell gap can be reduced, and rubbing processing is facilitated. Note that the method of forming the recess 223 in the base layer 212 at the portion of the shielding layer 215 may be the first time contrary to the above.
[0158]
Furthermore, it is also possible to form the recessed part 223 using a halftone.
[0159]
Next, a third embodiment in which the present invention is applied to a liquid crystal device using a TFT (Tin Film Transistor) that is a three-terminal switching element as a reflective transflective switching element will be described.
[0160]
13 is a schematic sectional view of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal device according to a third embodiment of the present invention, FIG. 14 is a schematic sectional view on the first substrate side constituting the liquid crystal panel of FIG. 13, and FIG. FIG. 16 is a partially enlarged view of the shielding layer from which the underlayer has been completely removed, and FIG. 16 is a partially enlarged view of the shielding layer, with the DD ′ line and the EE ′ line in FIG. FIG. 17 is a partially enlarged cross-sectional view of the shielding layer from which the base layer is partially removed, and FIG.
[0161]
The liquid crystal device 301 includes a liquid crystal panel 302 having a so-called reflective transflective structure, and a lighting device such as a backlight and a front light (not shown), a case body, and the like as necessary.
[0162]
In the liquid crystal panel 302, as shown in FIG. 13, a first substrate 303 and a second substrate 305 opposite to the first substrate 303 are bonded together via a sealing material (not shown), and liquid crystal is sealed between the two substrates. The liquid crystal layer 307 and the like are formed.
[0163]
A retardation plate 308 and a polarizing plate 309 are disposed on the outer surface of the first substrate 303, and a retardation plate 310 and a polarizing plate 311 are disposed on the outer surface of the second substrate 305.
[0164]
A base layer 312 is formed on the surface of the first substrate 303 on the liquid crystal layer 307 side, as shown in FIGS. 13 and 14, and the reflective layer 313 and the transparent layer 313 that are openings are formed on the surface of the base layer 312. A portion 322, a colored layer 314 (R (red) 314R, G (green) 314G, B (blue) 314B) and a portion where adjacent colored layers 314 overlap each other in a boundary region (hereinafter referred to as a shielding layer) 315, and An overcoat layer 316 that protects the colored layer 314 and the shielding layer 315 is formed, and a common electrode 334 made of a transparent conductor such as ITO (indium tin oxide) is formed on the overcoat layer 316. An alignment film 318 made of polyimide resin or the like is formed thereon.
[0165]
Next, on the surface of the second substrate 305 on the liquid crystal layer 307 side, a plurality of pixel electrodes 327 arranged in a matrix, and the gate wiring 335 and the source wiring 336 are orthogonal to each other in the boundary region between the pixel electrodes 327. The gate wiring 335 is arranged in the Y direction in FIG. 15 and the source wiring 336 is in the X direction. A TFT 337 is provided near the intersection of the wirings, and an alignment film 320 is formed thereon.
[0166]
Here, the common electrode 334 is a surface electrode formed over the entire surface of the overcoat layer 316, and a region surrounded by the gate wiring 335 and the source wiring 336 is a dot 321.
[0167]
The underlayer 312 is made of a resin material and is formed of two layers, a lower layer and an upper layer, as shown in the figure. In the underlayer 312, the surface of the lower layer is processed into fine irregularities, and the entire surface of the lower layer is covered with a thin upper layer of the same material, so that smooth irregularities are formed. Thereby, the transmitted light can be scattered, and the problem that it is difficult to see the image of the displayed screen can be solved.
The reflective layer 313 is, for example, a single metal film such as aluminum or silver, and is formed on the upper surface of the base layer 312, and fine unevenness is also formed on the surface of the reflective layer 313 due to the unevenness of the surface of the base layer 312. Thereby, the reflected light reflected by the reflective layer 313 can also be scattered, and the problem that it becomes difficult to see the image of the displayed screen can be solved.
[0168]
Further, in the reflective layer 313, for example, as shown in FIG. 15, a substantially rhombic opening is formed in the approximate center of the dot 321, and this opening becomes a transmission part 322. As a result, light incident from the first substrate 303 such as a backlight can be transmitted to the liquid crystal layer 307. The opening is not limited to the shape of this example, and may be a circular hole or a plurality of openings.
[0169]
For example, the colored layer 314 is formed by applying a colored resist made of a photosensitive resin containing a colorant such as a pigment or a dye and transmitting light from a backlight or the like that has passed through the first substrate 303 by a photolithography method. A primary color filter formed so as to cover the reflective layer 313 around the transmission part 322, and is configured by any one of three colors of R (red) 314R, G (green) 314G, and B (blue) 314B. Yes.
[0170]
Accordingly, the colored layer 314 can be overlapped with the other colored layer 314 by the shielding layer 315.
[0171]
The shielding layer 315 is for shielding the boundary region between the dots 321, and the longitudinal direction (Y direction in FIG. 15) of the gate wiring 335 of the second substrate 305 and a direction orthogonal to the boundary region (Y direction in FIG. 15). It is formed in a strip shape extending in the X direction in FIG.
[0172]
The shielding layer 315 includes, for example, an opening 325 formed in the base layer 312 between the colored layer 314B and the colored layer 314R as shown in FIG. 16, and the bottom 324 of the opening 325 is formed on the first substrate. A reflective layer 313 is formed immediately above 303.
[0173]
Further, in the opening 325, a colored layer 314B adjacent to the shielding layer 315 is formed with a thickness of h31 from the bottom 324, and a colored layer 314G is formed thereon with a thickness of h32, and further on the colored layer 314R. The overhanging portions are formed to overlap each other with a thickness of h33.
[0174]
Here, if the thickness h31 of the lowermost colored layer 314B is 0.7 μm or more and 2.0 μm or less, the light-shielding property of the blue colored layer 314B, for example, is improved, and the combination with other colored layers Thus, the surface flatness between each dot 321 and the boundary region between the adjacent dots 321 can be ensured.
[0175]
More preferably, h31 in FIG. 16 is approximately 1.7 μm, h32 is approximately 1.0 μm, h33 is approximately 0.9 μm, and the overcoat layer from the upper surface of the colored layer 314R on the top of the overlaid colored layer. When the thickness h34 of 316 is formed to be approximately 1.8 μm, the thickness h35 of the base layer 312 is approximately 2.4 μm, the thickness h36 of the colored layer 314B at the dots 321 is approximately 1.0 μm, Since the thickness h37 of the coat layer 316 is approximately 2.0 μm, the upper surface of the overcoat layer 316 on the shielding layer 315 and the upper surface of the overcoat layer 316 on the dots 321 of the coloring layer 314B are coincident and flat. It becomes a surface.
[0176]
Here, by forming the colored layer 314B at the bottom of the opening 325 as described above, the thickness can be formed to be approximately 1.7 μm.
[0177]
Further, between the colored layer 314G and the colored layer 314B, as shown in FIG. 13 and FIG. 14, the adjacent colored layer 314B first enters the bottom 324 of the opening 325, and the protruding portion of the adjacent colored layer 314G is formed thereon. The color layer 314R is further overlapped thereon, and a shielding layer 315 is formed thereon.
[0178]
Also, between the colored layer 314R and the colored layer 314G, a colored layer 314B is first formed at the bottom 324 of the opening 325 as shown in FIGS. 13 and 14, and the overhanging portion of the adjacent colored layer 314G is formed thereon. And a color layer 314R adjacent to the color layer 314R overlaps to form a shielding layer 315.
[0179]
Furthermore, the shielding layer 315 is not limited to the above-described configuration. For example, as shown in FIG. 17, even when the base layer 312 is not completely removed at the bottom 324 of the recess 323, For example, the height of the shielding layer 315 is lowered by the depth m35 of the bottom portion 324, and the unevenness on the upper surface of the overcoat layer 316 can be reduced. This facilitates cell gap variation and rubbing processing and improves the contrast of the screen display.
[0180]
Here, if the thickness m31 of the lowermost colored layer 314B in FIG. 17 is 0.7 μm or more and 2.0 μm or less, the light-shielding property of the blue colored layer 314B, for example, is improved, and the other colored layers In combination, the surface unevenness between each dot 321 and the boundary region between adjacent dots 321 can be reduced.
[0181]
More preferably, if the thickness m31 of the colored layer 314B in FIG. 17 is about 1.1 μm, the thickness m32 of the colored layer 314G is about 1.0 μm, and the thickness m33 of the colored layer 314R is about 0.9 μm, the concave portion When the depth m35 of the bottom portion 324 of the H.323 is approximately 1.3 μm, for example, the unevenness on the upper surface of the overcoat layer 316 can be further reduced.
[0182]
As the arrangement pattern of the colored layer 314 in this case, an oblique mosaic arrangement (314R, 314G, and 314B) is adopted in FIG. 15. In addition to this oblique mosaic arrangement, various pattern shapes such as a stripe arrangement or a digital arrangement are used. Can be adopted.
[0183]
Note that the dot 321 is composed of, for example, any one of the primary color filter RGB colored layers 314 and is surrounded by a shielding layer 315 and includes a reflective layer 313 and a transmissive portion 322. The pixel includes a dot 321 having a colored layer 314R (red), a dot 321 having a colored layer 314G (green), and a dot 321 having a colored layer 314B (blue).
[0184]
Next, the TFT 337 includes a gate electrode 338 formed on the second substrate 305, a gate insulating film 339 formed on the entire area of the second substrate 305 on the gate electrode 338, and the gate insulating film 339 interposed therebetween. The semiconductor layer 340 formed above the gate electrode 338, the source electrode 342 formed on one side of the semiconductor layer 340 via the contact electrode 341, and the contact electrode on the other side of the semiconductor layer 340. 341 and a drain electrode 343 formed via 341.
[0185]
Here, the gate electrode 338 is connected to the gate wiring 335, and the source electrode 342 is connected to the source wiring 336. A plurality of gate wirings 335 extend in the planar direction of the second substrate 305 and are formed in parallel in the vertical direction (Y direction in FIG. 15) at equal intervals.
[0186]
The source wiring 336 extends in the plane direction of the second substrate 305 so as to cross the gate wiring 335 across the gate insulating film 339, and a plurality of source wirings 336 are formed in parallel in the lateral direction (X direction in FIG. 15) at equal intervals. Has been.
[0187]
The pixel electrode 327 is configured so as to cover a region excluding a portion corresponding to the TFT 337 in a rectangular region defined by the gate wiring 335 and the source wiring 336 intersecting each other, for example, ITO (Indium Tin Oxide) or the like. The transparent conductor is formed.
[0188]
Further, the gate wiring 335 and the gate electrode 338 are formed of, for example, chromium, tantalum or the like, and the gate insulating film 339 is formed of, for example, silicon nitride (SiN). X ), Silicon oxide (SiO X ) Etc. The source electrode 342, the source wiring 336 integrated with the source electrode 342, and the drain electrode 343 are formed of, for example, titanium, molybdenum, aluminum, or the like.
[0189]
In the present embodiment configured as described above, a signal is supplied to the common electrode 334 formed on the first substrate 303, while a signal is supplied to the gate wiring 335 and the source wiring 336 formed on the second substrate 305. When provided, the pixel electrode 327 is selected for each dot 321, and only the liquid crystal held between the selected pixel electrode 327 and the common electrode 334 is controlled in orientation of the liquid crystal by applying a voltage, Reflected light and transmitted light are modulated.
[0190]
Accordingly, for example, external light that has passed through the second substrate 305 and the pixel electrode 327 and entered the liquid crystal layer 307 is optically modulated for each dot 321 by the liquid crystal layer 307, reflected by the reflective layer 313, and again the pixel electrode 327 and The light passes through the second substrate 305 and is emitted. At this time, for example, since the overcoat layer 316 is flat, an image with clear contrast can be seen.
[0191]
In addition, light emitted from a backlight device or the like passes through the first substrate 303 and the transmission unit 322 and enters the liquid crystal layer 307, and then is optically modulated for each dot 321 by the liquid crystal layer 307. In this case, since the overcoat layer 316 is flat, an image with clear contrast can be seen.
[0192]
Further, the emitted light is colored by the colored layer 314 (314R, 314G, 314B) covering the reflective layer 313 and the transmission part 322.
[0193]
In the present embodiment, since the base layer 312 is formed so as to have the concave portion 323 or the opening 325 in the boundary region between the adjacent dots 321, for example, the height of the shielding layer 315 by the colored layer 314 can be reduced, and each dot 321. And the flatness of the surface with the boundary region between adjacent dots 321 can be ensured.
[0194]
In addition, since the blue colored layer 314B, for example, a blue colored layer 314B is formed at the lowermost part of the bottom 324 of the recess 323 or the opening 325, blue having a low average transmittance in the visible light wavelength region is another green type, for example, It is formed to be thickest than the green and red colored layers 314, for example, and the height of the shielding layer 315 can be lowered as a whole while improving the light shielding property, and the contrast can be improved.
[0195]
Further, for example, a blue colored layer 314B is formed in the opening 325 from the bottom 324 to a thickness of about 1.7 μm, and a green colored layer 314G is formed thereon with a thickness of about 1.0 μm, and a red color is formed thereon. If the layer 314R is formed to be approximately 0.9 μm, the flatness of, for example, the overcoat layer 316 on the upper surface between each dot 321 and the boundary region between the adjacent dots 321 can be further ensured, and the variation in cell gap and the rubbing can be improved. The processing becomes easy and the contrast of the display screen can be clarified.
[0196]
Further, even when the underlying layer 312 is not completely removed by the recess 323 as shown in FIG. 17, for example, the height of the shielding layer 315 can be reduced, so that the unevenness on the upper surface of the overcoat layer 316 can be reduced and the cell gap can be reduced. This makes it easy to eliminate the variation and the rubbing process, thereby improving the contrast of the display screen.
[0197]
Furthermore, in this embodiment, since it is a TFT type active matrix system, the screen is bright and easy to see, and the contrast can be further enhanced.
[0198]
(Manufacturing method of liquid crystal device)
Next, a manufacturing method of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described based on the manufacturing process diagram of FIG.
[0199]
First, as shown in FIG. 18, a base layer 312 is formed on a first substrate 303 (ST301). Here, in the boundary region between the dots 321 forming the shielding layer 315, for example, the base layer 312 is etched using a photoresist so that the opening 325 is formed in the base layer 312 as shown in FIGS. To do.
[0200]
This will be explained in more detail. A resin material is uniformly applied on the first substrate 303 by spin coating, a resist is further applied thereon, and then exposure is performed from above a photomask on which a predetermined pattern is formed. Then, the resist is developed. Thereafter, etching is performed to form a plurality of holes in the base layer 312. Next, by applying heat to the base layer 312, these holes are smoothly deformed to form a lower layer of the uneven base layer 312. Further, the same resin material is thinly applied so that the unevenness of the base layer 312 is smooth, and an upper layer of the base layer 312 is formed.
[0201]
Next, a resist is applied on the base layer 312 and then exposed from above a photomask on which a predetermined pattern is formed to develop the resist. Thereafter, an opening 325 is formed in the base layer 312 by etching, and the base layer 312 from which the base layer 312 is removed at a portion to be the shielding layer 315 is formed on the first substrate 303 (ST101).
Next, aluminum or the like is formed into a thin film on the base layer 312 by vapor deposition or sputtering, and this is patterned by using a photolithography method, so that, for example, approximately the center of each dot 321 as shown in FIG. Are provided with a rhombus opening, and a reflective layer 313 is formed in the other region (ST302).
[0202]
Further, a colored layer of each color is applied onto the formed reflective layer 313 and the opening by spin coating, and a resist is further applied thereon, and then from above the photomask on which a predetermined pattern is formed. The resist is developed by exposure. Thereafter, etching is performed to sequentially form a blue color layer 314B, for example, a green color layer 314G, and a red color layer 314R, for example.
[0203]
As a result, each dot 321 is formed with a blue colored layer 314B, a green colored layer 314G, and a red colored layer 314R independently, and the shielding layer 315 has a blue colored layer at the bottom as shown in FIGS. The colored layer 314B is formed to be the thickest, and the green colored layer 314G and the red colored layer 314R are further stacked thereon (ST303).
[0204]
As described above, since the blue colored layer 314B is formed to be the thickest in the lowermost layer, for example, the thickness of the entire shielding layer 315 can be reduced while improving the light shielding property.
[0205]
Further, since the opening 325 is formed in the base layer 312, for example, the height of the shielding layer 315 can be lowered, and the flatness of the surface of the overcoat layer 316 to be formed thereafter can be secured, thereby reducing the variation in the cell gap. And the rubbing process can clarify the contrast.
[0206]
Next, an overcoat layer 316 is formed on the colored layer 314 (ST304), and ITO or the like, which is a material of the common electrode 334, is deposited thereon by a sputtering method and patterned by a photolithography method to form an overcoat layer. A common electrode 334 is formed on the upper surface of the coat layer 316.
[0207]
Further, an alignment film 318 is formed thereon, and a rubbing process is performed to complete the manufacture on the first substrate 303 side (ST305). As a result, the flatness of the surface of the alignment film 318 on the liquid crystal layer 307 side is ensured, the variation in the cell gap can be eliminated, and the image quality of the screen can be improved.
[0208]
Further, a TFT, a gate wiring, a source wiring, a pixel electrode, and the like are formed over the second substrate 305 (ST306).
[0209]
Here, the TFT is formed, for example, by sputtering on the second substrate 305 with a uniform thickness of chromium, tantalum or the like, and patterned by photolithography to form the gate wiring 335 and the gate electrode 338 integrated therewith. Further, a gate insulating film 339 made of silicon nitride is formed by, for example, plasma CVD (Chemical Vapor Deposition).
[0210]
Next, for example, an a-Si layer to be the semiconductor layer 340 and n to be the contact electrode 341 + The type a-Si layer is continuously formed in this order, and further formed n + The semiconductor layer 340 and the contact electrode 341 are formed by patterning the mold a-Si layer and the a-Si layer, and ITO or the like is deposited on the portion of the gate insulating film 339 that becomes the pixel electrode 327 by a sputtering method. The pixel electrode 327 is formed by patterning using a photolithography method.
[0211]
Further, for example, titanium, molybdenum, aluminum, or the like is formed over the entire surface of the second substrate 305 by sputtering, and patterning is performed to form the source electrode 342, the drain electrode 343, and the source wiring 336.
[0212]
Through a series of these processes, the TFT 337 and the pixel electrode 327 are formed.
[0213]
Further, an alignment film 320 is formed thereon, and a rubbing process is performed to complete the manufacturing on the second substrate 305 side (ST307).
[0214]
Next, a gap material (not shown) is sprayed on the alignment film 320 on the second substrate 305 side by dry spraying or the like, and the above-described first substrate 303 side and second substrate 305 side are bonded via a sealing material. Match (ST308).
[0215]
Thereafter, liquid crystal is injected from the opening of the sealing material, and the opening of the sealing material is sealed with a sealing material such as an ultraviolet curable resin (ST309). Furthermore, the retardation plates 308 and 310 and the polarizing plates 309 and 311 are attached to the outer surfaces of the first substrate 303 and the second substrate 305 by a method such as sticking (ST310).
[0216]
Finally, necessary wiring, illumination device, case body and the like are attached, and the liquid crystal device 301 as shown in FIG. 13 is completed.
[0217]
In the manufacturing method of the liquid crystal device 301 according to the present embodiment, since the blue colored layer 314B, for example, the blue colored layer 314B is disposed in the lowermost layer in the shielding layer 315 on which the colored layer 314 is overlaid, the lightest light shielding property is formed. For example, the thickness of the entire shielding layer 315 can be reduced while increasing.
[0218]
Further, since the opening 325 is formed in the base layer 312, for example, the height of the shielding layer 315 can be reduced, and the flatness of the surface of the overcoat layer 316 can be ensured. Can be clarified.
[0219]
Further, in the manufacturing method of the liquid crystal device 301 described above, the opening 325 is completely removed from the base layer 312 in the region that becomes the shielding layer 315 as shown in FIG. 16, but the base layer 312 is removed in ST301, for example, as shown in FIG. The first insulating layer 312a and the second insulating layer 312b may be formed in two steps, and the concave portion 323 may be provided. For example, in the first time, the first insulating layer 312a is formed on the entire surface including the boundary region between the dots 321 to be the shielding layer 315, and unevenness is provided similarly to the lower layer of the base layer 312. In the formation, each dot 321 can be formed by etching using a photoresist except for the boundary region between the dots 321 to be the shielding layer 315.
As a result, the step of etching the base layer 312 using a photoresist in the first formation of the base layer 312 can be omitted, the cost can be reduced, and the manufacturing speed can be increased. In addition, when the underlying layer 312 is completely removed as in the opening 325, the desired thickness can be obtained even when the surface flatness between the boundary region between the adjacent dots 321 and the dots 321 is impaired. Thus, the base layer 312 can be formed to ensure flatness, variation in the cell gap can be reduced, and rubbing treatment is facilitated. Note that the method of forming the recess 323 in the base layer 312 in the shielding layer 315 may be the first time contrary to the above.
[0220]
Further, the concave portion 323 can be formed using halftone.
[0221]
Next, a fourth embodiment in which the present invention is applied to a reflective passive matrix liquid crystal device will be described.
[0222]
19 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal device according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 20 is a schematic cross-sectional view of a color filter substrate which is a substrate for a liquid crystal device constituting the liquid crystal panel of FIG. 21 is a partially enlarged view of the liquid crystal panel (a sectional view taken along line FF ′ in FIG. 21 corresponds to FIG. 19), and FIG. 22 is a partially enlarged view of the shielding layer from which the underlayer has been completely removed. FIG. 23 is an enlarged partial cross-sectional view of the shielding layer from which a part of the base layer has been removed, and FIG. 24 is a manufacturing process diagram of the manufacturing method of the liquid crystal device according to the present embodiment.
[0223]
The liquid crystal device 401 includes a liquid crystal panel 402 having a so-called reflective structure, a case body, and the like.
[0224]
As shown in FIG. 19, the liquid crystal panel 402 has a color filter substrate 404 having a transparent first substrate 403 formed from a glass plate or a synthetic resin plate as a base, and a similar second substrate 405 facing the base. Is formed by a liquid crystal layer 407 in which liquid crystal is sealed between the color filter substrate 404 and the counter substrate 406.
[0225]
A retardation plate 408 and a polarizing plate 409 are disposed on the outer surface of the first substrate 403, and a retardation plate 410 and a polarizing plate 411 are disposed on the outer surface of the second substrate 405.
[0226]
In the color filter substrate 404, as shown in FIGS. 19, 20, and 21, a base layer 412 is formed on the surface of the first substrate 403 on the liquid crystal layer 407 side, and a reflective layer 413 and a colored layer are formed on the surface of the base layer 412. A layer 414 (R (red) 414R, G (green) 414G, B (blue) 414B) and a portion where adjacent colored layers 414 overlap each other in a boundary region (hereinafter referred to as a shielding layer) 415, and further the colored layer 414 And an overcoat layer 416 for protecting the shielding layer 415, and a transparent electrode 417 made of a transparent conductor such as ITO (indium tin oxide) is formed on the overcoat layer 416, and a polyimide is further formed thereon. An alignment film 418 made of a resin or the like is formed.
[0227]
Further, as shown in FIGS. 19, 20, and 21, the counter substrate 406 has a transparent electrode 419 on the surface of the second substrate 405 on the liquid crystal layer 407 side in a direction orthogonal to the transparent electrode 417 on the first substrate side ( It is formed in a strip shape extending in the X direction in FIG. 21, and an alignment film 420 is further formed thereon.
[0228]
The transparent electrodes 417 are formed in stripes in parallel with each other, and are formed in stripes in parallel with each other in the direction orthogonal to the transparent electrodes 419 (Y direction in FIG. 21).
[0229]
Here, a region specified by the predetermined transparent electrode 417 on the first substrate side and the transparent electrode 419 on the second substrate side is a dot 421.
[0230]
The base layer 412 of the color filter substrate 404 is made of a resin material, and is formed of two layers, a lower layer and an upper layer, as shown in the figure. In the underlayer 412, the surface of the lower layer is processed into fine irregularities, and the entire surface of the lower layer is covered with a thin upper layer of the same material, so that smooth irregularities are formed. Thereby, the transmitted light can be scattered, and the problem that it is difficult to see the image of the displayed screen can be solved.
In addition, the reflective layer 413 is a single metal film such as aluminum or silver, and is formed on the base layer 412, and fine irregularities are formed on the surface of the reflective layer 413 due to the irregularities on the surface of the base layer 412. . Thereby, the reflected light reflected by the reflective layer 413 can be scattered, and the problem that the displayed screen image becomes difficult to see can be solved.
[0231]
The colored layer 414 is, for example, a primary color filter formed by applying a colored resist made of a photosensitive resin containing a colorant such as a pigment or a dye and covering the reflective layer 413 by a photolithography method. ) 414R, G (green) 414G, and B (blue) 414B.
[0232]
As a result, the colored layer 414 can be overlapped with the other colored layer 414 by the shielding layer 415.
[0233]
Furthermore, as the arrangement pattern of the colored layer 414, an oblique mosaic arrangement (414R, 414G, and 414B) is adopted in FIG. 21, but in addition to this oblique mosaic arrangement, various pattern shapes such as a stripe arrangement or a digital arrangement can be used. Can be adopted.
[0234]
The shielding layer 415 is for shielding the boundary region between the dots 421, and in the boundary region, the longitudinal direction of the transparent electrode 417 of the first substrate (Y direction in FIG. 21) and a direction orthogonal to this ( It is formed in a strip shape extending in the X direction in FIG.
[0235]
Further, in the shielding layer 415, for example, an opening 425 is formed in the base layer 412 between the colored layer 414B and the colored layer 414R as shown in FIG. 22, and the bottom 424 of the opening 425 is the first portion 424. A reflective layer 413 is provided immediately above the substrate 403.
[0236]
Further, in the opening 425, a colored layer 414B adjacent to the shielding layer 415 is formed with a thickness of h41 from the bottom 424, and a colored layer 414G is formed thereon with a thickness of h42, and further on the colored layer 414R. The overhanging portions are formed to overlap each other with a thickness of h43.
[0237]
Here, if the thickness h41 of the lowermost colored layer 414B in FIG. 22 is 0.7 μm or more and 2.0 μm or less, the light-shielding property of the blue colored layer 414B, for example, is improved, and the other colored layers In combination, the flatness on the surface of each dot 421 and the boundary region between adjacent dots 421 can be secured.
[0238]
More preferably, h41 in FIG. 22 is approximately 1.7 μm, h42 is approximately 1.0 μm, h43 is approximately 0.9 μm, and the overcoat layer from the upper surface of the colored layer 414R on the top of the superimposed colored layers. When the thickness h44 of 416 is formed to be approximately 1.8 μm, the thickness h45 of the base layer 412 is approximately 2.4 μm, the thickness h46 of the colored layer 414B at the dots 421 is approximately 1.0 μm, Since the thickness h47 of the coating layer 416 is approximately 2.0 μm, the upper surface of the overcoat layer 416 on the shielding layer 415 and the upper surface of the overcoat layer 416 on the dots 421 of the coloring layer 414B are the first substrate 403. The height from each other matches and becomes a flat surface.
[0239]
Here, by forming the colored layer 414B at the bottom of the opening 425 as described above, it is possible to form the thickest layer and to form a thickness of about 1.7 μm.
[0240]
Further, between the colored layer 414G and the colored layer 414B, as shown in FIGS. 19 and 20, the adjacent colored layer 414B first enters the bottom 424 of the opening 425, and the protruding portion of the colored layer 414G is overlapped thereon, Further, a colored layer 414R is overlapped thereon to form a shielding layer 415.
[0241]
Further, between the colored layer 414R and the colored layer 414G, as shown in FIGS. 19 and 20, a colored layer 414B is first formed on the bottom 424 of the opening 425, and a protruding portion of the colored layer 414G is overlapped thereon. Further, the adjacent colored layer 414R is further overlapped thereon to form a shielding layer 415.
[0242]
Furthermore, the shielding layer 415 is not limited to the above-described configuration. For example, as shown in FIG. 23, even when the base layer 412 is not completely removed at the bottom 424 of the recess 423, For example, the overlapping height of the colored layer 414 of the shielding layer 415 is reduced by the depth m45 of the bottom 424, and unevenness on the upper surface of the overcoat layer 416 can be reduced. As a result, the variation in cell gap and the rubbing process are facilitated, and the contrast of the screen display is improved.
[0243]
Here, if the thickness m41 of the lowermost colored layer 414B in FIG. 23 is 0.7 μm or more and 2.0 μm or less, the light-shielding property of the blue colored layer 414B, for example, is improved, and the other colored layers In combination, the unevenness on the surface of each dot 421 and the boundary region between adjacent dots 421 can be reduced.
[0244]
More preferably, if the thickness m41 of the colored layer 414B in FIG. 23 is approximately 1.1 μm, the thickness m42 of the colored layer 414G is approximately 1.0 μm, and the thickness m43 of the colored layer 414R is approximately 0.9 μm, the concave portion When the depth m45 of the bottom portion 424 of 423 is approximately 1.3 μm, for example, the unevenness on the upper surface of the overcoat layer 416 can be further reduced. As a result, the variation in cell gap and the rubbing process are facilitated, and the contrast of the screen display is improved.
[0245]
For example, the dot 421 includes any one of the colored layers 414 of the primary color filter RGB and is surrounded by a shielding layer 415 and includes a reflective layer 413, and one pixel is colored. The dot 421 having the layer 414R, the dot 421 having the colored layer 414G, and the dot 421 having the colored layer 414B are included.
[0246]
In the present embodiment configured as described above, a signal is supplied to the predetermined transparent electrode 419 formed on the first substrate 403 side while a signal is supplied to the predetermined transparent electrode 419 formed on the second substrate 405. Is supplied, it is possible to drive only the liquid crystal held in the specific dot 421 where the transparent electrode 419 and the transparent electrode 417 intersect.
[0247]
Therefore, for example, external light incident on the liquid crystal layer 407 from the counter substrate 406 side is modulated for each dot 421, passes through the colored layer 414, reflects off the reflective layer 413, and then passes through the counter substrate 406 again to be emitted. However, at this time, for example, since the overcoat layer 416 is flat, an image with clear contrast can be seen.
[0248]
Further, the emitted light is colored by the colored layer 414 (414R, 414G, 414B) covering the reflective layer 413.
[0249]
In the present embodiment, since the base layer 412 is formed so as to have the recess 423 or the opening 425 in the boundary region between the adjacent dots 421, for example, the height of the shielding layer 415 can be reduced, and the overcoat on the first substrate side can be achieved. The flatness of the layer can be ensured.
[0250]
In addition, since the blue color layer 414B is first formed on the bottom portion 424 of the recess 423 or the opening 425, blue having a low average transmittance in the visible light wavelength region is other green color such as green and It is formed to be thickest compared to the red-based, for example, red colored layer 414, and as a whole, for example, the height of the shielding layer 415 can be lowered and the contrast can be improved while improving the light shielding property.
[0251]
Further, for example, a blue colored layer 414B having a thickness of about 1.7 μm is formed in the opening 425 from the bottom 424, and a green colored layer 414G is formed thereon with a thickness of about 1.0 μm. If the layer 414R is formed to be approximately 0.9 μm, the flatness of, for example, the overcoat layer 416 on the upper surface of each dot 421 and the boundary region between the adjacent dots 421 can be further ensured, and the variation in cell gap and the rubbing can be improved. The processing becomes easy and the contrast of the display screen can be clarified.
[0252]
Further, when the base layer 412 is not completely removed by the recess 423, the base layer 412 has a first insulating layer 412a and a recess 423 on the first insulating layer 412a as shown in FIG. In the case where the second insulating layer 412b is provided as described above, for example, the unevenness of the upper surface of the overcoat layer 416 can be reduced, the cell gap variation can be improved and the rubbing process can be facilitated, and the contrast of the display screen can be reduced. Improvements can be made.
[0253]
(Manufacturing method of liquid crystal device)
Next, a manufacturing method of the liquid crystal device according to this embodiment will be described based on the manufacturing process diagram of FIG.
[0254]
First, as shown in FIG. 24, a base layer 412 is formed on the first substrate 403 (ST401). Here, in the boundary region between the dots 421 forming the shielding layer 415, for example, the base layer 412 is formed using a photoresist so that the opening 425 is formed in the base layer 412 as shown in FIGS. Is formed by etching.
[0255]
This will be explained in more detail. A resin material is uniformly applied on the first substrate 403 by spin coating, a resist is further applied thereon, and then exposed from above a photomask on which a predetermined pattern is formed. The resist is developed. Thereafter, etching is performed to form a plurality of holes in the base layer 412. Next, by applying heat to the base layer 412, these holes are smoothly deformed to form a lower layer of the uneven base layer 412. Further, the same resin material is thinly applied so that the unevenness of the base layer 412 is smooth, and an upper layer of the base layer 412 is formed.
[0256]
Next, a resist is applied on the base layer 412, and then the resist is developed by exposure from above a photomask on which a predetermined pattern is formed. Thereafter, etching is performed to form an opening 425 in the base layer 412, and the base layer 412 from which the base layer 412 is removed at a portion to be the shielding layer 415 is formed on the first substrate 403 (ST101).
Next, a thin film is formed on the base layer 412 by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like, and this is patterned by using a photolithography method. Thus, for example, as shown in FIGS. A reflective layer 413 is formed in the region 415 (ST402).
[0257]
In addition, a colored layer of each color is applied onto the formed reflective layer by spin coating, a resist is further applied thereon, and then exposed from above a photomask on which a predetermined pattern is formed. Is developed. After that, etching is performed to sequentially form a blue colored layer 414B, for example, a green colored layer 414G, and a red colored layer member 414R, for example.
[0258]
As a result, a blue colored layer 414B, a green colored layer 414G, and a red colored layer 414R are independently formed on each dot 421, and the blue color layer 414R is formed on the lowermost layer of the shielding layer 415 as shown in FIGS. The colored layer 414B is formed to be the thickest, and the green colored layer 414G and the red colored layer 414R are further stacked thereon (ST403).
[0259]
As described above, since the blue colored layer 414B is formed thickest in the lowermost layer, for example, the thickness of the entire shielding layer 415 can be reduced while improving the light shielding property.
[0260]
Further, since the opening 425 is formed in the base layer 412, for example, the height of the shielding layer 415 can be reduced, and the flatness of the surface of the overcoat layer 416 formed thereafter can be ensured, and the variation in the cell gap can be reduced. And the rubbing process can clarify the contrast.
[0261]
Next, an overcoat layer 416 is formed on the colored layer 414 (ST404), ITO or the like, which is a material of the transparent electrode 417, is deposited thereon by a sputtering method, and patterned by a photolithography method. As shown in FIG. 21, it is formed in a stripe shape having a predetermined width in the Y direction.
[0262]
Further, an alignment film 418 is formed thereon, and a rubbing process is performed to complete the manufacture of the color filter substrate 404 (ST405). As a result, the flatness of the surface of the alignment film 418 on the liquid crystal layer 407 side is ensured, and the variation in the cell gap can be eliminated, so that the image quality of the screen is improved.
[0263]
Further, ITO or the like, which is the material of the transparent electrode 419, is deposited on the second substrate 405 by sputtering, and patterned by photolithography to form the transparent electrode 419 in stripes in the X direction as shown in FIG. (ST406).
[0264]
Further, an alignment film 420 is formed thereon, and a rubbing process is performed to complete the manufacture of the counter substrate 406 (ST407).
[0265]
Next, a gap material (not shown) is sprayed on the counter substrate 406 by dry spraying or the like, and the above-described color filter substrate 404 and the counter substrate 406 are bonded to each other through a seal material (ST408).
[0266]
Thereafter, liquid crystal is injected from the opening of the sealing material, and the opening of the sealing material is sealed with a sealing material such as an ultraviolet curable resin (ST409). Further, the retardation plates 408 and 410 and the polarizing plates 409 and 411 are attached to the outer surfaces of the first substrate 403 and the second substrate 405 by a method such as sticking (ST410).
[0267]
Finally, necessary wiring, a case body, and the like are attached, and a liquid crystal device 401 as shown in FIG. 19 is completed.
[0268]
In the manufacturing method of the liquid crystal device 401 according to the present embodiment, the blue color layer 414B, for example, the blue color layer 414B is disposed in the lowermost layer in the shielding layer 415 on which the colored layer 414 is overlaid. For example, the thickness of the entire shielding layer 415 can be reduced.
[0269]
Further, since the opening 425 is formed in the base layer 412, for example, the height of the shielding layer 415 can be reduced, and the flatness of the surface of the overcoat layer 416 can be ensured. Can be clarified.
[0270]
Further, in the manufacturing method of the liquid crystal device 401 described above, the opening 425 is completely removed of the base layer 412 in the region to be the shielding layer 415 as shown in FIG. 22, but the base layer 412 is removed in ST401, for example, as shown in FIG. The first insulating layer 412a and the second insulating layer 412b may be formed in two steps, and the concave portion 423 may be provided. For example, in the first time, the first insulating layer 412a is formed on the entire surface including the boundary region between the dots 421 to be the shielding layer 415, and unevenness is provided in the same manner as the lower layer of the base layer 412, and the second insulating layer 412b in the second time. In the formation, each dot 421 can be formed by etching using a photoresist except for the boundary region between the dots 421 to be the shielding layer 415.
As a result, the step of etching the base layer 412 using a photoresist in the first formation of the base layer 412 can be omitted, the cost can be reduced, and the manufacturing speed can be increased. In addition, when the underlying layer 412 is completely removed as in the opening 425, the flatness of the surface between the boundary region between the adjacent dots 421 and the dots 421 is impaired. Thus, the base layer 412 can be formed to ensure flatness, variation in cell gap can be reduced, and rubbing treatment is facilitated. Note that the method of forming the recess 423 in the base layer 412 in the portion of the shielding layer 415 may be the first time contrary to the above.
[0271]
Further, the concave portion 423 can be formed using halftone.
[0272]
(Electronics)
Next, an electronic apparatus according to the fifth embodiment of the present invention including the above-described liquid crystal devices 101, 201, 301, and 401 will be described.
[0273]
25 to 28 are schematic external views of examples of the electronic apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.
[0274]
For example, as shown in FIG. 25, the mobile phone 500 includes, for example, the liquid crystal device 101 in an outer frame having a plurality of operation buttons 500a, an earpiece 500b, and a mouthpiece 500c.
[0275]
As shown in FIG. 26, the personal computer 501 includes a main body 501b having a keyboard 501a and a liquid crystal display unit 501c. The liquid crystal display unit 501c includes, for example, a liquid crystal device 101 on an outer frame. Yes.
[0276]
Further, a normal camera sensitizes a film with a light image of a subject, whereas a digital still camera 502 photoelectrically converts a light image of a subject with an image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device) to generate an image signal. Is.
[0277]
Here, as shown in FIG. 27, for example, a liquid crystal device 101 is provided on the back surface of the case 502a of the digital still camera 502, and a display is performed based on an imaging signal by a CCD. For this reason, the liquid crystal device 101 functions as a finder for displaying a subject.
[0278]
A light receiving unit 502b including an optical lens, a CCD, and the like is provided on the front side of the case 502a. The photographer can confirm the subject displayed on the liquid crystal device 101 and press the shutter button 502c to perform photographing.
[0279]
In addition, as shown in FIG. 28, the wristwatch 503 is provided with a display unit using the liquid crystal device 101, for example, in the center of the front surface of the main body.
[0280]
In addition to the liquid crystal device 101, these electronic devices include various display circuits such as a display information output source and a display information processing circuit (not shown), and a display signal generation unit including a power supply circuit that supplies power to these circuits. Consists of.
[0281]
Further, for example, in the case of the personal computer 501, the liquid crystal device 101 is supplied with a display signal generated by the display signal generation unit based on information input from the keyboard 501 a, so that the display image is displayed on the liquid crystal device 101. Is displayed.
[0282]
In the present embodiment, since the base layer 112 is formed so as to have the concave portion 123 or the opening portion 125 in the boundary region between the adjacent dots 121 as shown in FIGS. The height can be reduced, and the surface flatness between each dot 121 and the boundary region between adjacent dots 121 can be ensured.
[0283]
In addition, since the blue colored layer 114B is first formed on the bottom portion 124 of the opening 125, blue having a low average transmittance in the visible light wavelength region is another green type such as green and red type such as red. It is formed to be thickest than the colored layer 114, and the height of the shielding layer 115 as a whole can be lowered and the contrast can be improved while improving the light shielding property.
[0284]
Further, for example, a blue colored layer 114B having a thickness of about 1.7 μm is formed in the opening 125 from the bottom 124, and a green colored layer 114G is formed thereon with a thickness of about 1.0 μm. If the layer 114R is formed to be approximately 0.9 μm, the flatness of, for example, the overcoat layer 116 on the upper surface of each dot 121 and the boundary region between the adjacent dots 121 can be ensured, and the variation in cell gap and the rubbing can be improved The processing becomes easy and the contrast of the display screen can be clarified.
[0285]
Further, even when the underlying layer 112 is not completely removed as shown in FIG. 5 in the recess 123, for example, the unevenness of the upper surface of the overcoat layer 116 can be reduced, and the cell gap variation and the rubbing process can be easily performed. Thus, the contrast of the display screen can be improved.
[0286]
In particular, portable electronic devices such as those described above are required to have a clear screen display even when used outdoors. For example, the flatness of the overcoat layer 116 can be further ensured, and the display screen It can be said that the present invention that can clarify the contrast is significant.
[0287]
Electronic devices include touch panels, projectors, liquid crystal televisions, viewfinder type, monitor direct view type video tape recorders, car navigation systems, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, televisions equipped with other liquid crystal devices. Examples include telephones and POS terminals. Needless to say, for example, the liquid crystal device 101 described above can be used as a display unit of these various electronic devices.
[0288]
Further, the liquid crystal device used in the electronic device described above is not limited to the reflective transflective passive matrix liquid crystal device 101, and a TFD that is a two-terminal switching element is used as the reflective transflective switching element. The liquid crystal device 201, the liquid crystal device 301 using a TFT which is a three-terminal switching element as a reflective transflective switching element, and the reflective passive matrix liquid crystal device 401 may be used.
Furthermore, electroluminescence devices, in particular organic electroluminescence devices, inorganic electroluminescence devices, etc., LED (light emitting diode) display devices, electrophoretic display devices, plasma display devices, FED (field emission display) devices, thin cathode ray tubes, liquid crystals For example, the liquid crystal device 101 described above can be applied to a small television using a shutter or the like, a device using a digital micromirror device (DMD), or the like.
[0289]
Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, the present invention is not limited to any of the above-described embodiments, and can be implemented with appropriate modifications within the scope of the technical idea of the present invention.
[0290]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the flatness of the surface between each dot and the boundary region between adjacent dots can be ensured, the variation in cell gap and the rubbing process can be facilitated, and the contrast of the display screen can be reduced. Improvements can be made.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of a color filter substrate that is a substrate for a liquid crystal device constituting the liquid crystal panel of FIG.
FIG. 3 is a partially enlarged view of a liquid crystal panel constituting the liquid crystal device according to the first embodiment of the present invention.
4 is a partially enlarged view of the shielding layer from which the underlayer has been completely removed in the liquid crystal panel of FIG. 1;
FIG. 5 is a partially enlarged view of the shielding layer from which the base layer is partially removed in the liquid crystal panel of FIG. 1;
6 is a manufacturing process diagram of the manufacturing method of the liquid crystal device according to the first embodiment of the invention. FIG.
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal device according to a second embodiment of the present invention.
8 is a schematic cross-sectional view of a first substrate side that is a substrate for a liquid crystal device constituting the liquid crystal panel of FIG. 7;
FIG. 9 is a partially enlarged view of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal device according to a second embodiment of the present invention.
10 is a partially enlarged view of the shielding layer from which the underlayer has been completely removed in the liquid crystal panel of FIG.
11 is a partially enlarged view of the shielding layer from which the base layer is partially removed in the liquid crystal panel of FIG.
FIG. 12 is a manufacturing process diagram of a method for manufacturing a liquid crystal device according to the second embodiment of the present invention;
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal device according to a third embodiment of the present invention.
14 is a schematic cross-sectional view of a first substrate side that is a substrate for a liquid crystal device constituting the liquid crystal panel of FIG.
FIG. 15 is a partially enlarged view of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal device according to a third embodiment of the present invention.
16 is a partially enlarged view of the shielding layer from which the underlayer has been completely removed in the liquid crystal panel of FIG.
17 is a partially enlarged view of the shielding layer from which the base layer is partially removed in the liquid crystal panel of FIG. 13;
FIG. 18 is a manufacturing process diagram of a method for manufacturing a liquid crystal device according to the third embodiment of the present invention;
FIG. 19 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal device according to a fourth embodiment of the present invention.
20 is a schematic cross-sectional view of a first substrate side that is a substrate for a liquid crystal device constituting the liquid crystal panel of FIG. 19;
FIG. 21 is a partially enlarged view of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal device according to a fourth embodiment of the present invention.
22 is a partially enlarged view of the shielding layer from which the underlayer has been completely removed in the liquid crystal panel of FIG.
FIG. 23 is a partially enlarged view of the shielding layer from which the base layer is partially removed in the liquid crystal panel of FIG.
FIG. 24 is a manufacturing process diagram of a manufacturing method of a liquid crystal device according to the fourth embodiment of the present invention;
FIG. 25 is a schematic external view of a mobile phone that is an electronic apparatus according to a fifth embodiment of the invention.
FIG. 26 is a schematic external view of a personal computer that is an electronic apparatus according to a fifth embodiment of the invention.
FIG. 27 is a schematic external view of a digital still camera which is an electronic apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 28 is a schematic external view of a wrist watch that is an electronic apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
101, 201, 301, 401 Liquid crystal device
102, 202, 302, 402 Liquid crystal panel
103, 203, 303, 403 First substrate
104, 404 color filter substrate
105, 205, 305, 405 Second substrate
106,406 Counter substrate
107, 207, 307, 407 Liquid crystal layer
112, 212, 312, 412 Underlayer
113, 213, 313, 413 Reflective layer
114, 214, 314, 414 Colored layer
115, 215, 315, 415 Shielding layer
116, 216, 316, 416 Overcoat layer
121,221,321,421 dots
122, 222, 322, transmission part
123, 223, 323, 423 Recess
124, 224, 324, 424 Bottom
125, 225, 325, 425 opening
229 TFD
337 TFT
500 Mobile phone
501 Personal computer
502 Digital still camera
503 watch

Claims (4)

複数のドット領域を有する基板と、
隣り合う前記ドット領域間の境界領域で凹部又は開口部を有するように前記基板上に設けられ、且つ不規則に配列された山部又は谷部を有する下地層と、
前記ドット領域内の前記下地層と平面的に重なる領域においては一層で設けられ、前記凹部又は開口部においては積層されて前記凹部又は開口部に入り込むように設けられた、互いに色が異なる第１の着色層と第２の着色層と第３の着色層と、を有し、
前記第１の着色層の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色層及び前記第３の着色層の可視光波長域における平均透過率よりも低く、
前記第１の着色層及び前記第２の着色層、前記第３の着色層は、前記凹部又は開口部において前記基材に前記第１の着色層及び前記第２の着色層、前記第３の着色層の順に積層され、且つ前記第１の着色層の厚さは前記第２の着色層及び前記第３の着色層の厚さよりも厚く形成されていることを特徴とする電気光学装置用基板。A substrate having a plurality of dot regions;
An underlayer having crests or troughs provided on the substrate so as to have a recess or an opening in a boundary region between the adjacent dot regions, and irregularly arranged;
A first layer having a color different from each other is provided in a single layer in a region that overlaps the underlying layer in the dot region and is stacked in the recess or opening to enter the recess or opening . A colored layer, a second colored layer, and a third colored layer ,
The average transmittance in the visible light wavelength region of the first colored layer is lower than the average transmittance in the visible light wavelength region of the second colored layer and the third colored layer ,
The first colored layer and the second colored layer, the third colored layer, the first colored layer and the second colored layer on the base material in the recess or opening, the third A substrate for an electro-optical device, wherein the colored layers are laminated in order, and the thickness of the first colored layer is larger than the thickness of the second colored layer and the third colored layer. . 対向配置された一対の基板と、複数のドットを有する電気光学装置であって、
隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように一方の前記基板上に設けられ、且つ不規則に配列された複数の山部又は谷部を有する下地層と、
前記ドット領域内の前記下地層と平面的に重なる領域においては一層で設けられ、前記凹部又は開口部においては積層されて前記凹部又は開口部に入り込むように設けられた、互いに色が異なる第１の着色層と第２の着色層と第３の着色層と、を有し、
前記第１の着色層の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色層及び前記第３の着色層の可視光波長域における平均透過率よりも低く、
前記第１の着色層及び前記第２の着色層、前記第３の着色層は、前記凹部又は開口部において前記基材に前記第１の着色層及び前記第２の着色層、前記第３の着色層の順に積層され、且つ前記第１の着色層の厚さは前記第２の着色層及び前記第３の着色層の厚さよりも厚く形成されていることを特徴とする電気光学装置。An electro-optical device having a pair of opposed substrates and a plurality of dots,
An underlayer having a plurality of peaks or valleys provided on one of the substrates so as to have a recess or an opening in a boundary region between the adjacent dots, and irregularly arranged;
A first layer having a color different from each other is provided in a single layer in a region that overlaps the underlying layer in the dot region and is stacked in the recess or opening to enter the recess or opening . A colored layer, a second colored layer, and a third colored layer ,
The average transmittance in the visible light wavelength region of the first colored layer is lower than the average transmittance in the visible light wavelength region of the second colored layer and the third colored layer ,
The first colored layer and the second colored layer, the third colored layer, the first colored layer and the second colored layer on the base material in the recess or opening, the third They are laminated in this order of the colored layers, and the first said of the thickness of the colored layer and the second colored layer and the electro-optical apparatus characterized by being thicker than the thickness of the third colored layer. 請求項２に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。  An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 2. 複数のドット領域を有する電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記基板に、隣り合う前記ドット領域間の境界領域で凹部又は開口部を有しか つ不規則に配列された山部又は谷部を有するように下地層を形成する工程と、
前記ドット領域内の前記下地層と平面的に重なる領域に、互いに色が異なる第１の着色層と第２の着色層と第３の着色層のうちいずれかひとつの着色層を形成する工程とを具備し、
前記着色層形成工程では、前記着色層を前記凹部又は開口部へ入り込むように形成し、
前記第１の着色層の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色層及び前記第３の着色層の可視光波長域における平均透過率よりも低く、
前記第１の着色層及び前記第２の着色層、前記第３の着色層は、前記凹部又は開口部において前記基材に前記第１の着色層及び前記第２の着色層、前記第３の着色層の順に積層し、且つ前記第１の着色層の厚さは前記第２の着色層及び前記第３の着色層の厚さよりも厚く形成することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。A method for manufacturing an electro-optical device substrate having a plurality of dot regions,
Forming a base layer on the substrate so as to have crests or valleys irregularly arranged in a boundary region between the adjacent dot regions;
Forming one of the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer having different colors in a region overlapping with the underlayer in the dot region in a plan view ; Comprising
In the colored layer forming step, the colored layer is formed so as to enter the recess or the opening,
The average transmittance in the visible light wavelength region of the first colored layer is lower than the average transmittance in the visible light wavelength region of the second colored layer and the third colored layer ,
The first colored layer and the second colored layer, the third colored layer, the first colored layer and the second colored layer on the base material in the recess or opening, the third The electro-optical device substrate is manufactured by stacking colored layers in order, and the first colored layer is thicker than the second colored layer and the third colored layer. Method.
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