JP4242401B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1におけるパワー半導体パッケージの構造を示す平面図である。図2は、図1のパワー半導体パッケージにおける端子の固定方法を模式的に示す斜視図である。
図14は、本発明の実施の形態2におけるネジ端子の構造を示す斜視図である。図15は、図14のXV−XV線に沿った断面図である。図14および図15を参照して、本実施の形態におけるネジ端子31は、電極32がスリット状の形状を有している点において、図4のネジ端子と異なっている。
図16は、本発明の実施の形態3におけるネジ端子の構造を示す斜視図である。図17は、図16のXVII−XVII線に沿った断面図である。図16および図17を参照して、本実施の形態におけるネジ端子31は、突起部38の先端38aと電極32とが接続されている点において、実施の形態2のネジ端子と異なっている。突起部38は、ネジ端子本体35の直方体部分と張出部35aとの間の開口39を貫通するように電極32から下方に分岐し、再び水平方向に延在してその先端38aが電極32に接続されている。
図18は、本発明の実施の形態4におけるネジ端子の構造を示す斜視図である。図19は、図18のXIX−XIX線に沿った断面図である。図18および図19を参照して、本実施の形態におけるネジ端子31は、電極32の固定方法において図4のネジ端子と異なっている。
図22は、本発明の実施の形態5におけるネジ端子およびマザーケースの構造を示す断面図である。図22を参照して、本実施の形態において、ネジ端子本体35のマザーケース11側の下部側面は外方に張出しており、張出した部分の上面に段差面43(第1段差面)が形成されている。またマザーケース11のネジ端子本体35側の下部側面は内側に凹んでおり、凹んだ部分の天井面に段差面44(第2段差面)が形成されている。段差面43および44は共に突起部38の嵌合方向(図22中矢印方向)の法線を有しており、かつ互いに対向して接触している。
図23は、本発明の実施の形態6におけるネジ端子の構造を示す断面図である。図24は、図23のネジ端子の底面図である。図23および図24を参照して、本実施の形態におけるネジ端子31では、互いに対向する張出部35aの側面35cおよび直方体部分の側面35bの距離W1と、壁本体23aの側面26およびマザーケース11の側面14の厚さW2とが等しくなっている。また、突起部38は側面35bに向かって延在しており、その先端は図24中縦方向には広がっていない。
Claims (13)
- 半導体搭載基板と、
開口を有し、前記半導体搭載基板を収納する筐体と、
前記開口を構成する周縁に沿って形成された複数の固定位置を有する固定部材と、
前記周縁において固定され、前記半導体搭載基板と電気的に接続された端子とを備え、
前記複数の固定位置のうちいずれかの固定位置の前記固定部材によって前記端子は固定され、
前記固定部材は前記周縁に対して平行に延在する複数の壁本体と、前記複数の壁本体の各々と前記周縁とを接続する複数の接続部とを有し、かつ前記端子は突起部を有し、
前記複数の壁本体の各々と前記周縁とにより構成された溝と、前記突起部との嵌合により前記端子は固定され、
複数の固定位置のうち一の固定位置と、前記一の固定位置に隣接する他の固定位置とは、1つの壁本体および1つの接続部によって分離されている、半導体装置。 - 前記周縁は互いに平行な2組の辺を有し、前記複数の固定位置は前記2組の辺の各々に沿って形成されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記固定部材は、前記複数の壁本体に対して垂直に延在する底部であって、前記周縁の反対側に延在する前記底部をさらに有することを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記端子は前記底部に固定された端子底部をさらに有し、かつ前記突起部は前記端子底部に対して垂直に延在することを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記底部は厚肉部と薄肉部とを有し、前記端子底部は前記薄肉部に固定され、かつ前記厚肉部は溶融されて前記端子底部の上面端部を被覆していることを特徴とする、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記端子は、前記溝から前記周縁を跨いで前記筐体の側部へ延在することを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記端子は、端子本体と、前記端子本体に固定されたナットと、前記端子本体に保持され、かつ前記ナットおよび前記半導体搭載基板を電気的に接続する電極とを有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記突起部と端子本体とは同一材料で形成されることを特徴とする、請求項7に記載の半導体装置。
- 前記電極はスリット状の形状を有し、スリット状の前記電極の間に前記突起部が形成されることを特徴とする、請求項7に記載の半導体装置。
- 前記突起部の先端と前記電極とが接続されることを特徴とする、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記端子本体は本体突起部と爪とを有し、かつ前記電極は孔を有し、前記本体突起部および前記孔の嵌合と、前記爪および前記電極の係合とによって前記電極は前記端子本体に保持されることを特徴とする、請求項7〜10のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記本体突起部はスリット形状を有し、かつ前記本体突起部の外形は前記孔よりも大きく、前記本体突起部と前記孔とを嵌合させる際には前記本体突起部がスリット形状の内側に倒れることにより前記孔に挿入され、前記本体突起部が前記孔へ挿入された後は前記本体突起部の外形が前記孔よりも大きいことにより前記本体突起部が前記孔内に保持されることを特徴とする、請求項11に記載の半導体装置。
- 前記端子本体は前記突起部の嵌合方向の法線を有する第1段差面を有し、かつ前記筐体は前記突起部の嵌合方向の法線を有する第2段差面を有し、前記第1段差面および前記第2段差面が互いに対向して接触することを特徴とする、請求項7〜12のいずれかに記載の半導体装置。
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