JP4195565B2 - 積層型電子部品 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、移動体通信端末や、Ｗ−ＬＡＮなどの高周波（マイクロ波）通信機器に実装される積層型電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
移動体通信端末に、図１８に示すように受信回路１８３と送信回路１８４を、アンテナ１８１に接続されたスイッチング素子１８２を介して接続し、アンテナ１８１からの受信信号を受信回路１８３に、送信回路１８４からの送信信号をアンテナ１８１にそれぞれ伝送するようにスイッチング素子１８２を高速で交互に切替えるものがある。この移動体通信端末の受信回路１８３では、高周波増幅器１８５と周波数混合器１８６間にフィルタ１８７が挿入されている。
近年、この種の移動体通信端末では、何個かのＩＣと、その周辺回路の受動部品、フィルタによって構成されるようになってきている。また、このＩＣは、省電力化されつつある移動体通信端末に用いるために駆動電圧が低電圧化されている。この様な状況の中で、この種の移動体通信端末では、駆動電圧の低電圧化に伴うＳ／Ｎ比の向上を目的に周波数混合器に平衡入出力タイプのＩＣが用いられつつある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、スイッチング素子１８２や高周波増幅器１８５は、今だ不平衡型のものが多い。そのため、受信回路１８３のフィルタ１８７は、フィルタを構成する回路素子にディスクリート部品を用いて移動体通信端末のプリント基板上で不平衡タイプのものを形成したり、フィルタを構成する回路素子を一体に形成した不平衡タイプのものを移動体通信端末のプリント基板上に実装するのが一般的になっている。また、周波数混合器に用いられる平衡入出力タイプのＩＣは、入力インピーダンスが例えば100Ωや200Ωといったように、一般的にフィルタの出力インピーダンスと異なっている。従って、この種の移動体通信端末では、フィルタ１８７から出力された不平衡信号を平衡信号に変換し、かつフィルタ１８７と周波数混合器１８６のインピーダンスの整合を取るために、図１９に示すように、フィルタ１８７と周波数混合器１８６の間にバラン１８８を挿入する必要があり、移動体通信端末のプリント基板にバラン１８８を実装するためのスペースと、バラン１８８とフィルタ１８７及びバラン１８８と周波数混合器１８６を接続するための配線パターンを形成するスペースが必要となり、形状が大型化する。
【０００４】
また、この種の移動体通信端末では、移動体通信端末のプリント基板の配線パターンを介して高周波増幅器１８５、フィルタ１８７、バラン１８８、周波数混合器１８６が順次接続されるので、フィルタ１８７とバラン１８８間のインピーダンスの整合を取るために、フィルタ１８７の入出力インピーダンスとバラン１８８の入力インピーダンスを50Ωに統一する必要がある。そのため、フィルタの特性は入出力インピーダンスによって制限されることになり、フィルタとしての機能を充分に発揮できない場合があった。
【０００５】
本発明は、高周波（マイクロ波）通信機器の小型化に貢献し、使用周波数帯域外のノイズ除去能力を向上させることができる積層型電子部品を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層型電子部品は、絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内に、フィルタとバランを内蔵し、フィルタとバランは、互いに重畳しないように横にずらして形成され、不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続される。フィルタを構成するコイルとバランを構成するコイルは、積層方向にずらして配置される。また、フィルタとバランは、同一の絶縁体層に形成されたフィルタを構成する導体パターンとバランを構成する導体パターンをこの絶縁体層上で接続するか、積層体に設けられた外部電極を介して接続するか、絶縁体層に設けられたスルーホールを介して接続することにより互いに接続される。
【０００７】
また、本発明の積層型電子部品は、絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内に、第１の共振器と第２の共振器を電磁気的に結合したバンドパスフィルタと、第１のコイルと第２のコイルが接続され、第１のコイルに一端が接地された第３のコイルを電磁気的に結合し、第２のコイルに一端が接地された第４のコイルを電磁気的に結合したバランを内蔵し、バンドパスフィルタとバランは、互いに重畳しないように横にずらし、かつフィルタを構成するコイルとバランを構成するコイルとを積層方向にずらして積層体内に形成され、バンドパスフィルタとバランが不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続される。このバンドパスフィルタとバランの接続は、同一の絶縁体層に形成された第２の共振器の一端に接続されたコンデンサを構成する導体パターンとバランの第１のコイルを構成する導体パターンをこの絶縁体層上で接続したり、バンドパスフィルタとバランを外部端子を介して接続したり、バンドパスフィルタとバランを絶縁体層に設けたスルーホールを介して接続したりすることにより行われる。
また、本発明の積層型電子部品は、絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内に、コイルと第１のコンデンサが並列に接続され、コイルの一端とアース間に第２のコンデンサが接続され、コイルの他端とアース間に第３のコンデンサが接続されたローパスフィルタと、第１のコイルと第２のコイルが接続され、第１のコイルに一端が接地された第３のコイルを電磁気的に結合し、第２のコイルに一端が接地された第４のコイルを電磁気的に結合したバランを内蔵し、ローパスフィルタとバランは、互いに重畳しないように横にずらして積層体内に形成され、ローパスフィルタとバランが不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続される。このローパスフィルタとバランの接続は、同一の絶縁体層に形成されたローパスフィルタのコイルを構成する導体パターンとバランの第１のコイルを構成する導体パターンをこの絶縁体層上で接続したり、ローパスフィルタとバランを外部端子を介して接続したり、ローパスフィルタとバランを絶縁体層に設けたスルーホールを介して接続したりすることにより行われる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の積層型電子部品は、絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内にフィルタとバランが一体に形成される。このフィルタとバランは、絶縁体層の積層方向から積層体を透視したとき、互いに横に並ぶ様に積層体の一方の側にフィルタが、他方の側にバランが形成される。この様に形成されたフィルタとバランは、積層体に設けられた不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続される。この場合、フィルタとバランは、同一の絶縁体層に形成されたフィルタを構成する導体パターンとバランを構成する導体パターンを絶縁体層上で接続することにより互いに接続される。
従って、本発明の積層型電子部品は、積層体内にフィルタとバランが前述の様に一体に形成されるので、互いの影響を小さくできると共に、ＩＣの入力インピーダンス（例えば100Ωや200Ω）に応じて必要とされるバランの出力インピーダンスに影響されることなくフィルタの出力インピーダンスを設定することができる。この積層型電子部品は、不平衡用端子が不平衡線路に接続され、１対の平衡用端子が平衡線路に接続される。
【０００９】
【実施例】
以下、本発明の積層型電子部品を図１乃至図１７を参照して説明する。
図１は本発明の積層型電子部品を用いた高周波（マイクロ波）通信機器の回路例を示す回路図、図２は本発明の積層型電子部品の回路図、図３は本発明の積層型電子部品の第１の実施例を示す分解斜視図である。
本発明の積層型電子部品を用いた移動体通信端末は、スイッチング素子１２の共通端にアンテナが接続され、受信回路１３と送信回路１４がスイッチング素子１２の分岐端にそれぞれ接続される。そして、受信回路１３の高周波増幅器１５の出力端と周波数混合器１６に用いられている平衡入出力タイプのＩＣの入力端間に本発明の積層型電子部品１０が挿入される。
【００１０】
この積層型電子部品１０は、積層体内に、不平衡用端子に接続されたフィルタと、このフィルタと１対の平衡用端子間に接続されたバランが形成される。この積層型電子部品１０は、移動体通信端末のプリント配線基板に実装される。そして、この積層型電子部品１０の不平衡用端子が、高周波増幅器１５の出力端に接続された不平衡伝送線路に接続される。また、積層型電子部品１０の１対の平衡用端子が、周波数混合器１６に用いられたＩＣの入力端に接続された平衡伝送線路に接続される。
【００１１】
この積層型電子部品１０のフィルタとバランは、例えば図２に示す様に、コイルＬ１とコンデンサＣ１を並列接続した第１の共振器と、コイルＬ２とコンデンサＣ２を並列接続した第２の共振器を電磁気的に結合して形成されたバンドパスフィルタと、コイルＬ３とコイルＬ４が接続され、コイルＬ３に一端が接地されたコイルＬ５を電磁気的に結合し、コイルＬ４に一端が接地されたコイルＬ６を電磁気的に結合して形成したいわゆるマーチャンド型のバランによって構成される。このバンドパスフィルタは、２つの共振器を電磁気的に結合させたもので、コイルＬ１とコンデンサＣ１の接続点がコンデンサＣ４を介して不平衡用端子２１に接続され、コイルＬ２とコンデンサＣ２の接続点がコンデンサＣ５を介してバランのコイルＬ３に接続される。このバランは、コイルＬ５が平衡用端子２２に接続され、コイルＬ６が平衡用端子２３に接続される。
なお、バンドパスフィルタのコンデンサＣ３は２つの共振器が容量結合することにより生じる容量であり、バランのコイルＬ４の他端は電気的に浮いた状態となっている。
【００１２】
この様なフィルタとバランは、図３のように絶縁体層と導体パターンを積層することによりこれらの積層体内に形成される。
絶縁体層３１Ａ乃至３１Ｌは、磁性体、非磁性体、誘電体等、絶縁性を有する材料を用いて形成される。
絶縁体層３１Ａの表面には、アース用導体パターン３２Ａが形成される。このアース用導体パターン３２Ａは、絶縁体層３１Ａの４つの端面に引出される。
絶縁体層３１Ｂ、３１Ｃ、３１Ｄ、３１Ｅの表面には、コイル用導体パターン３３Ａとコイル用導体パターン３３Ｂがそれぞれ形成される。コイル用導体パターン３３Ａとコイル用導体パターン３３Ｂは、絶縁体層の片側半面（図３では左半面）に、絶縁体層の幅方向に並べて形成される。そして、絶縁体層３１Ｂ乃至３１Ｅのコイル用導体パターン３３Ａをスルーホールを介して螺旋状に接続してコイルＬ１が形成され、絶縁体層３１Ｂ乃至３１Ｅのコイル用導体パターン３３Ｂをスルーホールを介して螺旋状に接続してコイルＬ２が形成される。このコイルＬ１とコイルＬ２は、絶縁体層３１Ｂの表面のコイル用導体パターン３３Ａとコイル用導体パターン３３Ｂを接続することにより互いに接続され、コイル用導体パターン３３Ａとコイル用導体パターン３３Ｂの接続点が絶縁体層３１Ｂの端面に引出される。また、絶縁体層３１Ｂ乃至３１Ｅのコイル用導体パターン３３Ａ間に形成される容量及び、絶縁体層３１Ｂのコイル用導体パターン３３Ａとアース用導体パターン３２Ａ間に形成される容量によりコイルＬ１と並列にコンデンサＣ１が形成される。また、絶縁体層３１Ｂ乃至３１Ｅのコイル用導体パターン３３Ｂ間に形成される容量及び、絶縁体層３１Ｂのコイル用導体パターン３３Ｂとアース用導体パターン３２Ａ間に形成される容量によりコイルＬ２と並列にコンデンサＣ２が形成される。
絶縁体層３１Ｆの表面には、アース用導体パターン３２Ｂが形成される。このアース用導体パターン３２Ｂは、絶縁体層３１Ｆの３つの端面に引出される。
絶縁体層３１Ｇの表面には、コイル用導体パターン３４とコイル用導体パターン３５が形成される。コイル用導体パターン３４とコイル用導体パターン３５は、絶縁体層の片側半面（図３では右半面）に形成され、互いに接続される。
絶縁体層３１Ｈの表面には、コイル用導体パターン３４、３５と容量用導体パターン３８Ａ、３９Ａが形成される。コイル用導体パターン３４とコイル用導体パターン３５は、絶縁体層３１Ｈの片側半面（図３では右半面）に、絶縁体層の幅方向に並べて形成される。また、容量用導体パターン３８Ａと容量用導体パターン３９Ａは、絶縁体層３１Ｈの残りの半面（図３では左半面）に、絶縁体層の幅方向に並べて形成される。この容量用導体パターン３８Ａは、絶縁体層３１Ｆ〜３１Ｈのスルーホールを介してコイル用導体パターン３３Ａに接続される。また、容量用導体パターン３９Ａは、絶縁体層３１Ｆ〜３１Ｈのスルーホールを介してコイル用導体パターン３３Ｂに接続される。そして、この容量用導体パターン３８Ａと容量用導体パターン３９Ａ間に形成される容量及びコイルＬ１とコイルＬ２間の容量によってコンデンサＣ３が形成される。
絶縁体層３１Ｉの表面には、コイル用導体パターン３４、３５と容量用導体パターン３８Ｂ、３９Ｂが形成される。コイル用導体パターン３４とコイル用導体パターン３５は、絶縁体層３１Ｈの片側半面（図３では右半面）に、絶縁体層の幅方向に並べて形成される。また、容量用導体パターン３８Ｂと容量用導体パターン３９Ｂは、絶縁体層３１Ｉの残りの半面（図３では左半面）に、容量用導体パターン３８Ｂが容量用導体パターン３８Ａと対向し、容量用導体パターン３９Ｂが容量用導体パターン３９Ａと対向するように形成される。そして、絶縁体層３１Ｇ乃至３１Ｉのコイル用導体パターン３４をスルーホールを介して螺旋状に接続してコイルＬ３が形成され、絶縁体層３１Ｇ乃至３１Ｉのコイル用導体パターン３５をスルーホールを介して螺旋状に接続してコイルＬ４が形成される。このコイルＬ３とコイルＬ４は、絶縁体層３１Ｇのコイル用導体３４とコイル用導体３５を接続することにより互いに接続される。このコイルＬ３は、絶縁体層３１Ｉのコイル用導体パターン３４と容量用導体パターン３９Ｂを接続することにより、容量用導体パターン３９Ａと容量用導体パターン３９Ｂ間の容量で形成されるコンデンサＣ５を介してコイルＬ２に接続される。また、コイルＬ４は、絶縁体層３１Ｉのコイル用導体パターン３５の一端をどこにも接続することなく絶縁体層３１Ｉの端面と離れた位置に延在させることにより、一端が電気的に浮いた状態になっている。さらに、容量用導体パターン３８Ａと容量用導体パターン３８Ｂ間に形成された容量によりコンデンサＣ４が形成される。
絶縁体層３１Ｊの表面には、コイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７が形成される。コイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７は、絶縁体層３１Ｊの片側半面（図３では右半面）に、コイル用導体パターン３６がコイル用導体パターン３４と対向し、コイル用導体パターン３７がコイル用導体パターン３５と対向するように形成される。このコイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７は互いに接続され、接続点が絶縁体層３１Ｊの端面まで引出される。
絶縁体層３１Ｋの表面には、コイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７が形成される。コイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７は、絶縁体層３１Ｋの片側半面（図３では右半面）に、絶縁体層の幅方向に並べて形成される。コイル用導体パターン３６の一端とコイル用導体パターン３７の一端は、絶縁体層３１Ｋの対向する端面に引出される。また、このコイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７は、絶縁体層３１Ｌによって覆われる。そして、絶縁体層３１Ｊ、３１Ｋのコイル用導体パターン３６をスルーホールを介して螺旋状に接続してコイルＬ５が形成され、絶縁体層３１Ｊ、３１Ｋのコイル用導体パターン３７をスルーホールを介して螺旋状に接続してコイルＬ６が形成される。
この様に積層された積層体には、図４に示す様に不平衡用端子２１、平衡用端子２２、２３、４つのグランド用端子Ｇ、ダミー端子ＮＣが形成される。そして、容量用導体パターン３８Ｂが不平衡用端子２１に、アース用導体パターン３２Ａ、３２Ｂがグランド用端子Ｇに、絶縁体層３１Ｊのコイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７の共通接続端がグランド用端子Ｇに、絶縁体層３１Ｋのコイル用導体パターン３６が平衡用端子２２に、絶縁体層３１Ｋのコイル用導体パターン３７が平衡用端子２３にそれぞれ接続される。
【００１３】
この様に形成された積層型電子部品は、図５に示す様に、絶縁体層の積層方向から積層体を透視したとき、バンドパスフィルタとバランが横に並ぶ様に、中心線を基準として一方の側（図５では左半分）にバンドパスフィルタが、他方の側（図５では右半分）にバランが形成される。また、バンドパスフィルタを構成するコイルＬ１、Ｌ２と、バランを構成するコイルＬ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６は、その間隔Ｗが200μｍ以上有する様に形成される。
この様な積層型電子部品は、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンの線幅を100μｍ、バランのコイル用導体パターンの線幅を75μｍとしたところ、図６と図７の１に示す様に通過帯域が2.11〜2.17ＧＨｚで、1.7ＧＨｚ付近に減衰極が形成された特性を得ることができ、この積層型電子部品を用いた場合、Ｗ−ＣＤＭＡ帯の信号を通過させ、ＤＣＳ1800ＭＨｚ帯を減衰させることができる。また、この時の積層型電子部品の大きさは、縦横が3.2ｍｍ×1.6ｍｍ、高さが１ｍｍとなった。なお、図６において、横軸は周波数、縦軸は減衰量をそれぞれ示し、Ａに伝送特性、Ｂに反射特性をそれぞれ示している。
【００１４】
図８は、本発明の積層型電子部品の第２の実施例を示す分解斜視図である。
絶縁体層８１Ａの表面には、アース用導体パターン８２Ａが形成される。
絶縁体層８１Ｂ、８１Ｃの表面の片側半面（右半面）にコイル用導体パターン８３、８４を形成し、それぞれのコイル用導体パターンを接続して直列に接続されたコイルＬ３とコイルＬ４が形成される。
絶縁体層８１Ｄ、８１Ｅの表面の片側半面（右半面）にコイル用導体パターン８５、８６を形成し、それぞれのコイル用導体パターンを接続してコイルＬ５とコイルＬ６が形成される。
絶縁体層８１Ｆの表面には、アース用導体パターンが形成される。
絶縁体層８１Ｇ乃至８１Ｊの表面の片側半面（左半面）にコイル用導体パターン８７Ａ、８７Ｂを形成し、それぞれのコイル用導体パターンを接続してコイルＬ１とコイルＬ２が形成される。
絶縁体層８１Ｋの表面の片側半面（左半面）に容量用導体パターン８８Ａと容量用導体パターン８９Ａが形成され、容量用導体パターン８８Ａがコイル用導体パターン８７Ａに、容量用導体パターン８９Ａがコイル用導体パターン８７Ｂにそれぞれ接続される。
絶縁体層８１Ｌの表面の片側半面（左半面）に容量用導体パターン８８Ｂと容量用導体パターン８９Ｂが形成され、容量用導体パターン８８Ａと容量用導体パターン８８Ｂ間にコンデンサＣ４が、容量用導体パターン８９Ａと容量用導体パターン８９Ｂ間にコンデンサＣ５がそれぞれ形成される。また、容量用導体パターン８９Ｂは、積層体の側面に設けられた外部電極を介して絶縁体層８１Ｃのコイル用導体パターン８３に接続される。
この様な積層型電子部品は、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンの線幅を100μｍ、バランのコイル用導体パターンの線幅を75μｍとしたところ、図７の２に示す様に通過帯域が2.11〜2.17ＧＨｚで、1.7ＧＨｚ付近に減衰極が形成された特性を得ることができ、この積層型電子部品を用いた場合、Ｗ−ＣＤＭＡ帯の信号を通過させ、ＤＣＳ1800ＭＨｚ帯を減衰させることができる。また、この時の積層型電子部品の大きさは、縦横が3.2ｍｍ×1.6ｍｍ、高さが１ｍｍとなった。
【００１５】
図９は、本発明の積層型電子部品の第３の実施例を示す分解斜視図である。
絶縁体層９１Ａの表面には、アース用導体パターン９２Ａが形成される。アース用導体パターン９２Ａは、絶縁体層９１Ａの対向する端面にそれぞれ２箇所ずつ引出される。
絶縁体層９１Ｂの表面には、片側半面（左半面）にコイル用導体パターン８３Ｃが形成される。
絶縁体層９１Ｃ乃至９１Ｇの表面の片側半面（左半面）にコイル用導体パターン９３Ａ、９３Ｂを形成し、それぞれのコイル用導体パターンを接続してコイルＬ１とコイルＬ２が形成される。また、絶縁体層９１Ｆの表面の残りの半面（右半面）には、アース用導体パターン９２Ｂが形成される。
絶縁体層９１Ｈ乃至９１Ｊの表面の片側半面（右半面）にコイル用導体パターン９４、９５を形成し、それぞれのコイル用導体パターンを接続して直列に接続されたコイルＬ３とコイルＬ４が形成される。また、絶縁体層９１Ｉの表面の残りの半面（左半面）に容量用導体パターン９８Ａと容量用導体パターン９９Ａが形成され、容量用導体パターン９８Ａがコイル用導体パターン８３Ａに、容量用導体パターン９９Ａがコイル用導体パターン８３Ｂにそれぞれ接続される。さらに、絶縁体層９１Ｊの表面の残りの半面（左半面）に容量用導体パターン９８Ｂと容量用導体パターン９９Ｂが形成され、容量用導体パターン９９Ｂがコイル用導体パターン９４に接続される。この容量用導体パターン９８Ａと容量用導体パターン９８Ｂ間にコンデンサＣ４が、容量用導体パターン９９Ａと容量用導体パターン９９Ｂ間にコンデンサＣ５がそれぞれ形成される。
絶縁体層９１Ｋ、９１Ｌの表面の片側半面（右半面）にコイル用導体パターン９５、９６を形成し、それぞれのコイル用導体パターンを接続してコイルＬ５とコイルＬ６が形成される。
この様に積層された積層体には、図１０に示す様に対向する側面に４つずつ外部端子が形成される。
この様な積層型電子部品は、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンの線幅を100μｍ、バランのコイル用導体パターンの線幅を75μｍとしたところ、図７の３に示す様に通過帯域が2.4〜2.5ＧＨｚで、1.89ＧＨｚ付近に減衰極が形成された特性を得ることができ、この積層型電子部品を用いた場合、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ帯の信号を通過させ、Ｗ−ＣＤＭＡ帯を減衰させることができる。また、この時の積層型電子部品の大きさは、縦横が3.2ｍｍ×1.6ｍｍ、高さが１ｍｍとなった。
【００１６】
図１１は、本発明の積層型電子部品の第４の実施例を示す分解斜視図である。
絶縁体層１１１Ａの表面には、アース用導体パターン１１２Ａが形成される。アース用導体パターン１１２Ａは、絶縁体層１１１Ａの対向する端面にそれぞれ１箇所ずつ引出される。
絶縁体層１１１Ｂの表面の片側半面（左半面）に形成されたコイル用導体パターン１１３Ｃと絶縁体層１１１Ｃ乃至１１１Ｇの表面の片側半面（左半面）に形成されたコイル用導体パターン１１３Ａ、１１３ＢによってコイルＬ１とコイルＬ２が形成される。また、絶縁体層１１１Ｆの表面の残り半面（右半面）には、アース用導体パターン１１２Ｂが形成される。
絶縁体層１１１Ｈ乃至１１１Ｊの表面の片側半面（右半面）に形成されたコイル用導体パターン１１４、１１５によって直列に接続されたコイルＬ３とコイルＬ４が形成される。また、絶縁体層１１１Ｉの表面の残りの半面に形成された容量用導体パターン１１８Ａ、１１９Ａと絶縁体層１１１Ｊの表面の残りの半面に形成された容量用導体パターン１１８Ｂ、１１９ＢによってコンデンサＣ４とコンデンサＣ５が形成される。
絶縁体層１１１Ｋ、１１１Ｌの表面の片側半面に形成されたコイル用導体パターン１１６、１１７によってコイルＬ５とコイルＬ６が形成される。
この様に積層された積層体には、図１２に示す様に対向する側面に３つずつ外部端子が形成される。
この様な積層型電子部品は、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンの線幅を100μｍ、バランのコイル用導体パターンの線幅を75μｍとしたところ、図７の４に示す様に通過帯域が2.4〜2.5ＧＨｚで、1.92ＧＨｚ付近に減衰極が形成された特性を得ることができ、この積層型電子部品を用いた場合、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ帯の信号を通過させ、Ｗ−ＣＤＭＡ帯を減衰させることができる。また、この時の積層型電子部品の大きさは、縦横が3.2ｍｍ×1.6ｍｍ、高さが１ｍｍとなった。
【００１７】
また、積層型電子部品１０のフィルタとバランは、図１３に示す様に、コイルＬ７とコンデンサＣ６を並列に接続し、コイルＬ７の一端とアース間にコンデンサＣ７を、コイルＬ７の他端とアース間にコンデンサＣ８をそれぞれ接続したローパスフィルタと、コイルＬ８とコイルＬ９が接続され、コイルＬ８に一端が接地されたコイルＬ１０を電磁気的に結合し、コイルＬ９に一端が接地されたコイルＬ１１を電磁気的に結合して形成したいわゆるマーチャンド型のバランによって構成されてもよい。
【００１８】
この様なフィルタとバランは、図１４のように絶縁体層と導体パターンを積層することによりこれらの積層体内に形成される。
絶縁体層１４１Ａ乃至１４１Ｊは、磁性体、非磁性体、誘電体等、絶縁性を有する材料を用いて形成される。
絶縁体層１４１Ａの表面には、アース用導体パターン１４２Ａが形成される。
絶縁体層１４１Ｂの表面の片側半面（図１４では左半面）には、容量用導体パターン１４３、１４４が形成される。このアース用導体パターン１４２Ａと容量用導体パターン１４３間にコンデンサＣ７が形成される。また、アース用導体パターン１４２Ａと容量用導体パターン１４４間にコンデンサＣ８が形成される。
絶縁体層１４１Ｃの表面の片側半面（左半面）には、容量用導体パターン１４５が形成される。この容量用導体パターン１４５と容量用導体パターン１４３、１４４によってコンデンサＣ６が形成される。
絶縁体層１４１Ｄの表面には、アース用導体パターン１４２Ｂが形成される。
絶縁体層１４１Ｅの表面の片側半面（左半面）に形成されたコイル用導体パターン１４６と絶縁体層１４１Ｇの表面の片側半面（左半面）に形成されたコイル用導体パターン１４６を螺旋状に接続してコイルＬ７が形成される。
絶縁体層１４１Ｅの表面の残り半面（右半面）に形成されたコイル用導体パターン１４７、１４８、絶縁体層１４１Ｆの表面の片側半面（右半面）に形成されたコイル用導体パターン１４７、１４８及び、絶縁体層１４１Ｇの表面の残り半面（右半面）に形成されたコイル用導体パターン１４７、１４８によって直列に接続されたコイルＬ８とコイルＬ９が形成される。このコイルＬ８とローパスフィルタを構成するコイルＬ７は、絶縁体層１４１Ｇのコイル用導体パターン１４６とコイル用導体パターン１４７を接続することにより、互いに接続される。
絶縁体層１４１Ｈ、１４１Ｉの表面の残り半面（右半面）に形成されたコイル用導体パターン１４９、１５０によってコイルＬ１０とコイルＬ１１が形成される。
この様に積層された積層体には、図１５に示す様に対向する側面に４つずつ外部端子が形成される。
この様に形成された積層型電子部品は、図１６に示す様に、絶縁体層の積層方向から積層体を透視したとき、ローパスフィルタとバランが横に並ぶ様に、中心線を基準として一方の側（図１６では左半分）にローパスフィルタが、他方の側（図１６では右半分）にバランが形成される。また、ローパスフィルタを構成するコイルＬ７と、バランを構成するコイルＬ８、Ｌ９、Ｌ１０、Ｌ１１は、その間隔Ｗが300μｍ以上有する様に形成される。
この様な積層型電子部品は、ローパスフィルタのコイル用導体パターンの線幅を100μｍ、バランのコイル用導体パターンの線幅を75μｍとしたところ、図１７に示す様に通過帯域が2.4〜2.5ＧＨｚで、５ＧＨｚ付近に減衰極が形成された特性を得ることができ、この積層型電子部品を用いた場合、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ帯の信号を通過させ、２倍高調波成分を減衰させることができる。また、この時の積層型電子部品の大きさは、縦横が3.2ｍｍ×1.6ｍｍ、高さが１ｍｍとなった。なお、図１７において、横軸は周波数、縦軸は減衰量を示し、Ａに伝送特性を、Ｂに反射特性を示している。
【００１９】
以上、本発明の積層型電子部品の実施例を述べたが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。例えば、バランは、実施例ではマーチャンド型のものについて説明したが、純伝送型や、トリファイラ型でもよい。また、バンドパスフィルタとバランは、コイルＬ３を構成するコイル用導体パターンとコンデンサＣ５を構成する容量用導体パターンを絶縁体層のスルーホールを介して接続してもよい。さらに、コンデンサＣ３を構成する２つの容量用導体パターンは、実施例では横に並べて形成されているが、絶縁体層を介して対向する様に形成されてもよい。またさらに、バンドパスフィルタは様々な回路構成にすることができる。
また、ローパスフィルタとバランは、コイルＬ７を構成するコイル用導体パターンとコイルＬ８を構成するコイル用導体パターンを、外部端子を介して接続したり、絶縁体層のスルーホールを介して接続したりすることにより互いに接続されてもよい。さらに、ローパスフィルタは様々な回路構成にすることができる。
さらに、実施例では、受信回路の高周波増幅器の出力端と周波数混合器の平衡入出力タイプのＩＣの入力端間に挿入する場合を説明したが、周波数混合器の平衡入出力タイプのＩＣの入力端とＶＣＯの出力端間に挿入することもできる。
またさらに、実施例では移動体通信端末の場合を説明したが、不平衡線路と平衡線路間に挿入されればよく、本発明をＷ−ＬＡＮに適用することもできる。
【００２０】
【発明の効果】
以上述べた様に、本発明の積層型電子部品は、絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内に、フィルタとバランを内蔵し、フィルタとバランは、互いに重畳しないように横にずらして形成され、不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続されるので、従来の様にプリント基板上で配線することなく、使用周波数帯域外のノイズの除去と平衡信号と不平衡信号の変換を１つのチップ部品で達成できる。また、必要とされるバランの出力インピーダンスに影響されることなくフィルタの特性が最良になる様にフィルタの出力インピーダンスを設定することができる。
従って、本発明の積層型電子部品は、高周波（マイクロ波）通信機器の小型化に貢献することができると共に、従来よりも使用周波数帯域外のノイズ除去能力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の積層型電子部品を用いた高周波（マイクロ波）通信機器の回路例を示す回路図である。
【図２】 本発明の積層型電子部品の回路図である。
【図３】 本発明の積層型電子部品の第１の実施例を示す分解斜視図である。
【図４】 本発明の積層型電子部品の第１の実施例の斜視図である。
【図５】 本発明の積層型電子部品の上面図である。
【図６】 本発明の積層型電子部品の第１の実施例の特性を示すグラフである。
【図７】 本発明の積層型電子部品の特性を示す表である。
【図８】 本発明の積層型電子部品の第２の実施例を示す分解斜視図である。
【図９】 本発明の積層型電子部品の第３の実施例を示す分解斜視図である。
【図１０】 本発明の積層型電子部品の第３の実施例の斜視図である。
【図１１】 本発明の積層型電子部品の第４の実施例を示す分解斜視図である。
【図１２】 本発明の積層型電子部品の第４の実施例の斜視図である。
【図１３】 本発明の積層型電子部品の別の回路図である。
【図１４】 本発明の積層型電子部品の第５の実施例の分解斜視図である。
【図１５】 本発明の積層型電子部品の第５の実施例の斜視図である。
【図１６】 本発明の積層型電子部品の上面図である。
【図１７】 本発明の積層型電子部品の第５の実施例の特性を示すグラフである。
【図１８】 高周波（マイクロ波）通信機器の回路図である。
【図１９】 別の高周波（マイクロ波）通信機器の回路図である。
【符号の説明】
１１ アンテナ
１２ スイッチング素子
１３ 受信回路
１４ 送信回路

Claims (6)

1. 絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に、第１の共振器と第２の共振器を電磁気的に結合したバンドパスフィルタと、第１のコイルと第２のコイルが接続され、第１のコイルに一端が接地された第３のコイルを電磁気的に結合し、第２のコイルに一端が接地された第４のコイルを電磁気的に結合したバランが形成され、
   該バンドパスフィルタと該バランは、互いに積層方向に重畳しない様に、該バンドパスフィルタを構成する導体パターンと該バランを構成する導体パターンが、該絶縁体層上に形成される位置を互いに横にずらして形成され、
   この互いに積層方向に重畳しない様に形成された該バンドパスフィルタと該バランは、該バンドパスフィルタを構成するコイルと該バランを構成するコイルとを積層方向にずらして形成され、
   該バンドパスフィルタの該第２の共振器の一端に接続されたコンデンサを構成する導体パターンと該バランの該第１のコイルの一端を構成する導体パターンが同一の絶縁体層に形成され、互いに接続されることにより、該バンドパスフィルタと該バランが不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続されることを特徴とする積層型電子部品。
2. 絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に、第１の共振器と第２の共振器を電磁気的に結合したバンドパスフィルタと、第１のコイルと第２のコイルが接続され、第１のコイルに一端が接地された第３のコイルを電磁気的に結合し、第２のコイルに一端が接地された第４のコイルを電磁気的に結合したバランが形成され、
   該バンドパスフィルタと該バランは、互いに積層方向に重畳しない様に、該バンドパスフィルタを構成する導体パターンと該バランを構成する導体パターンが、該絶縁体層上に形成される位置を互いに横にずらして形成され、
   この互いに積層方向に重畳しない様に形成された該バンドパスフィルタと該バランは、該バンドパスフィルタを構成するコイルと該バランを構成するコイルとを積層方向にずらして形成され、
   該バンドパスフィルタの該第２の共振器の一端に接続されたコンデンサを構成する導体パターンと該バランの該第１のコイルを構成する導体パターンが外部端子を介して接続されることにより、該バンドパスフィルタと該バランが不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続されることを特徴とする積層型電子部品。
3. 絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に、第１の共振器と第２の共振器を電磁気的に結合したバンドパスフィルタと、第１のコイルと第２のコイルが接続され、第１のコイルに一端が接地された第３のコイルを電磁気的に結合し、第２のコイルに一端が接地された第４のコイルを電磁気的に結合したバランが形成され、
   該バンドパスフィルタと該バランは、互いに積層方向に重畳しない様に、該バンドパスフィルタを構成する導体パターンと該バランを構成する導体パターンが、該絶縁体層上に形成される位置を互いに横にずらして形成され、
   この互いに積層方向に重畳しない様に形成された該バンドパスフィルタと該バランは、該バンドパスフィルタを構成するコイルと該バランを構成するコイルとを積層方向にずらして形成され、
   該バンドパスフィルタの該第２の共振器の一端に接続されたコンデンサを構成する導体パターンと該バランの該第１のコイルを構成する導体パターンが該絶縁体層に設けられたスルーホールを介して接続されることにより、該バンドパスフィルタと該バランが不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続されることを特徴とする積層型電子部品。
4. 絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に、第１のコイルと第１のコンデンサが並列に接続され、該第１のコイルの一端とアース間に第２のコンデンサが接続され、該第１のコイルの他端とアース間に第３のコンデンサが接続されたローパスフィルタと、第２のコイルと第３のコイルが接続され、該第２のコイルに一端が接地された第４のコイルを電磁気的に結合し、該第３のコイルに一端が接地された第５のコイルを電磁気的に結合したバランが形成され、
   該ローパスフィルタと該バランは、互いに積層方向に重畳しない様に、ローパスフィル タを構成する導体パターンとバランを構成する導体パターンが、該絶縁体層上に形成される位置を互いに横にずらして形成され、
   該ローパスフィルタの第１のコイルの他端を構成する導体パターンと該バランの第２のコイルの一端を構成する導体パターンが同一の絶縁体層に形成され、互いに接続されることにより、該ローパスフィルタと該バランが不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続されることを特徴とする積層型電子部品。
5. 絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に、第１のコイルと第１のコンデンサが並列に接続され、該第１のコイルの一端とアース間に第２のコンデンサが接続され、該第１のコイルの他端とアース間に第３のコンデンサが接続されたローパスフィルタと、第２のコイルと第３のコイルが接続され、該第２のコイルに一端が接地された第４のコイルを電磁気的に結合し、該第３のコイルに一端が接地された第５のコイルを電磁気的に結合したバランが形成され、
   該ローパスフィルタと該バランは、互いに積層方向に重畳しない様に、ローパスフィルタを構成する導体パターンとバランを構成する導体パターンが、該絶縁体層上に形成される位置を互いに横にずらして形成され、
   該ローパスフィルタの第１のコイルを構成する導体パターンと該バランの第２のコイルを構成する導体パターンが外部端子を介して接続されることにより、該ローパスフィルタと該バランが不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続されることを特徴とする積層型電子部品。
6. 絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に、第１のコイルと第１のコンデンサが並列に接続され、該第１のコイルの一端とアース間に第２のコンデンサが接続され、該第１のコイルの他端とアース間に第３のコンデンサが接続されたローパスフィルタと、第２のコイルと第３のコイルが接続され、該第２のコイルに一端が接地された第４のコイルを電磁気的に結合し、該第３のコイルに一端が接地された第５のコイルを電磁気的に結合したバランが形成され、
   該ローパスフィルタと該バランは、互いに積層方向に重畳しない様に、ローパスフィルタを構成する導体パターンとバランを構成する導体パターンが、該絶縁体層上に形成される位置を互いに横にずらして形成され、
   該ローパスフィルタの第１のコイルを構成する導体パターンと該バランの第２のコイルを構成する導体パターンが該絶縁体層に設けられたスルーホールを介して接続されることにより、該ローパスフィルタと該バランが不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続されることを特徴とする積層型電子部品。

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