JP4170864B2 - 基板処理装置および基板処理装置における基板搬送方法および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板や液晶デバイス等に用いるガラス基板などに対し所定の処理を行う処理ユニットを、複数備える基板処理装置における、基板搬送方法に関する。

半導体デバイス、液晶デバイス等の製造工程において、半導体基板やガラス基板などに種々の処理を行う基板処理装置においては、１つの処理工程を担う処理ユニットを複数備える多ユニット化、および、一の装置において異なる処理工程を連続的に行うべく異種の処理ユニットを複数備える複合化によって、スループットの向上という製造メーカーの要求に応えている。ただし、スループットの向上は、そうした複合的な配置のみで実現されるものではなく、各処理ユニットを如何に効率的に稼働させることが出来るのかという点が、重要である。

こうした基板処理装置においては、一般的には、所定の処理フローに従って処理を行う一連のロットに対する処理が終了した後、次後のロットに対する処理が行われる。しかしながら、そうした場合、処理フローの内容によっては、当該処理フローに含まれない処理ユニットが全く稼働しない状況が生じうる。こうした状況を改善するため、例えば、先行する一の処理フローによる処理を実行する際に、該処理フローと処理が競合しない他の処理フローの処理を割り込ませて実行する技術がすでに知られている（例えば、特許文献１参照。）。

特開平７−２８３０９４号公報

しかしながら、特許文献１に開示された方法の場合、基板処理装置が大型化するほどにその制御アルゴリズムが複雑化し、処理の信頼性を維持しつつ効率化を図ることが困難であった。また、割り込みによる処理は、先行する処理フローの内容に依存するものであり、実行可能な処理は限定的なものにすぎなかった。また、処理ユニットの増設を行うと、処理フローを新たに構築しなければならない、という問題もあった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理ユニット数が大きくなっても、単純な制御アルゴリズムで異なる処理フローの処理を並存させることができる、基板処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、１枚または複数枚の基板の集合によってそれぞれの基板処理単位が構成され、基板処理単位ごとに処理手順が定められてなる基板群について、各基板に所定の処理を行う装置であって、少なくとも１つの処理ユニットと、基板入口と基板出口との少なくとも１組と、前記少なくとも１つの処理ユニットと前記基板入口と前記基板出口との間で基板を搬送する搬送手段と、前記少なくとも１つの処理ユニットと前記搬送手段とを制御する制御手段と、をそれぞれに備える複数のセルから構成され、前記複数のセルは、順次に隣接し合うとともに隣接するセル間で基板を受け渡し可能とされてなり、各セルにおいて、前記制御手段は、当該セルのいずれかの基板入口から受け入れた基板を、前記基板が属する基板処理単位についてセルごとに設定されている搬送設定において定められている基板出口から払い出すように、かつ、当該セルの各基板出口からの基板の払い出しは、当該基板出口から払い出されるように前記搬送設定において定められている基板のうち、先に払い出し可能になった基板から順次行うように、前記搬送手段を制御する、ことを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記各セルは、当該セルの基板入口と少なくとも１つの他のセルの基板出口との間、および当該セルの基板出口と前記他のセルの基板入口との間にそれぞれ、基板載置部が存在する、ように配置されており、前記各セルに備わる前記制御手段は、所定のセンサから与えられ、対応する前記基板載置部における基板の載置の有無を示す基板載置状態信号と、前記搬送設定とを参照して、当該セルのそれぞれの基板出口における基板の払い出し順序を定める、ことを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記所定のセンサは、少なくとも前記基板載置部に備わるセンサである、ことを特徴とする。

また、請求項４の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記所定のセンサは、少なくとも前記搬送手段に備わるセンサである、ことを特徴とする。

また、請求項５の発明は、１枚または複数枚の基板の集合によってそれぞれの基板処理単位が構成され、基板処理単位ごとに処理手順が定められてなる基板群について、各基板に所定の処理を行う装置であって、少なくとも１つの処理ユニットと、基板を搬送する搬送手段と、前記少なくとも１つの処理ユニットと前記搬送手段とを制御する制御手段と、をそれぞれに備える複数のセルから構成され、前記複数のセルは、順次に隣接し合うとともに隣接するセル間で基板を受け渡し可能とされてなり、各セルに備わる前記制御手段がそれぞれ、搬送設定が異なる複数の基板処理単位の基板につき、先行基板のセル内処理が完了する前に前記先行基板とは異なる前記基板処理単位に属する後続基板を当該セルに受け入れて、それぞれの基板が属する基板処理単位についての搬送設定に従って各基板の処理と搬送とを行うように、前記少なくとも１つの処理ユニットと前記搬送手段とを制御する、ことを特徴とする。

また、請求項６の発明は、請求項５に記載の基板処理装置であって、前記各セルの前記基板制御手段は、前記搬送設定が異なる前記基板処理単位に属する複数の基板が当該セル内に同時に存在する場合に、当該セルの各基板出口からの基板の払い出しを、当該基板出口から払い出されるように前記搬送設定において定められている基板のうち、先に払い出し可能になった基板から順次行うように、前記搬送手段を制御する、ことを特徴とする。

また、請求項７の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記複数のセルの少なくとも１つが、前記少なくとも１つの処理ユニットとして、基板に対し薬液を用いた処理を行う処理ユニットまたは基板を加熱または冷却する熱処理ユニットのいずれかを少なくとも１つ含むことを特徴とする。

また、請求項８の発明は、少なくとも１つの処理ユニットと、基板入口と基板出口との少なくとも１組と、前記少なくとも１つの処理ユニットと前記基板入口と前記基板出口との間で基板を搬送する搬送手段と、をそれぞれに備える複数のセルから構成される基板処理装置、における基板の搬送方法であって、前記複数のセルは、順次に隣接し合うとともに隣接するセル間で基板を受け渡し可能とされてなり、各セルのいずれかの基板入口から受け入れた基板は、前記基板が属する基板処理単位についてセルごとに設定されている搬送設定において定められている基板出口から払い出し、かつ、各セルの各基板出口からの基板の払い出しは、当該基板出口から払い出されるように前記搬送設定において定められている基板のうち、先に払い出し可能になった基板から順次行う、ことを特徴とする。

また、請求項９の発明は、請求項８に記載の基板搬送方法であって、前記各セルは、当該セルの基板入口と少なくとも１つの他のセルの基板出口との間、および当該セルの基板出口と前記他のセルの基板入口との間にそれぞれ、基板載置部が存在するように、前記基板処理装置において配置されており、かつ、当該セルと対応する前記基板載置部に関する基板載置状態信号と、前記搬送設定とを参照して、当該セルのそれぞれの基板出口における基板の払い出し順序を定める、ことを特徴とする。

また、請求項１０の発明は、少なくとも１つの処理ユニットと、基板を搬送する搬送手段と、をそれぞれに備える複数のセルから構成される基板処理装置における基板処理方法であって、前記複数のセルは、順次に隣接し合うとともに隣接するセル間で基板を受け渡し可能とされてなり、各セルにおいて、基板処理単位ごとに設定されている前記各セルでの搬送設定に従って前記基板処理単位に属する基板を搬送し、かつ、異なる前記搬送設定を有する前記基板処理単位に属する複数の基板につき、先行基板のセル内処理が完了する前に前記先行基板とは異なる前記基板処理単位に属する後続基板を当該セルに受け入れる、ことを特徴とする。

また、請求項１１の発明は、請求項１０に記載の基板処理方法であって、前記搬送設定が異なる前記基板処理単位に属する複数の基板がいずれかのセル内に同時に存在する場合に、当該セルの各基板出口からの基板の払い出しを、当該基板出口から払い出されるように前記搬送設定において定められている基板のうち、先に払い出し可能になった基板から順次行う、ことを特徴とする。

また、請求項１２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、各セルにおいて、前記制御手段は、前記搬送設定が異なる複数の基板処理単位の基板が、共通する前記基板入口から受け入れられ、さらに、共通する前記処理ユニットにてセル内処理が行われる場合に、先に払い出し可能な基板の前記払い出しを前記搬送手段に対して許可することを特徴とする。

また、請求項１３の発明は、請求項５に記載の基板処理装置であって、前記複数のセルはそれぞれ、基板入口と基板出口との少なくとも１組をさらに備え、各セルにおいて、前記制御手段は、当該セルのいずれかの基板入口から受け入れた基板を、前記搬送設定において定められている基板出口から払い出すように、かつ、前記搬送設定が異なる複数の基板処理単位の基板が、共通する前記基板入口から受け入れられ、さらに、共通する前記処理ユニットにてセル内処理が行われる場合に、前記先行基板のセル内処理完了前の前記後続基板の前記受け入れを前記搬送手段に対して許可することを特徴とする。

また、請求項１４の発明は、請求項８に記載の基板搬送方法であって、各セルにおいて、前記搬送設定が異なる複数の基板処理単位の基板が、共通する前記基板入口から受け入れられ、さらに、共通する前記処理ユニットにてセル内処理が行われる場合に、先に払い出し可能な基板の前記払い出しを許可することを特徴とする。

また、請求項１５の発明は、請求項１０に記載の基板処理方法であって、前記基板処理装置内の前記複数のセルはそれぞれ、基板入口と基板出口との少なくとも１組をさらに備え、各セルにおいて、当該セルのいずれかの基板入口から受け入れた基板を、前記搬送設定において定められている基板出口から払い出し、かつ、前記搬送設定が異なる複数の基板処理単位の基板が、共通する前記基板入口から受け入れられ、さらに、共通する前記処理ユニットにてセル内処理が行われる場合に、前記先行基板のセル内処理完了前の前記後続基板の前記受け入れを許可することを特徴とする。

請求項１ないし請求項４、請求項８および請求項９の発明によれば、基板処理単位ごとに搬送設定を適宜に定めることにより、任意のセルにおいて基板処理単位ごとに基板の搬送経路を分岐させることができ、かつ、異なる搬送経路をたどってきた基板を、受け入れた順序とは異なる順序で同一の基板出口から払い出すことが出来るので、各セルごとに基板の搬送を独立に行いつつ、結果的にダブルフローを実現できる。

また、請求項２ないし請求項４、および請求項９の発明によれば、隣接するセルの搬送手段によって基板載置部から基板が受け取られたという情報を取得さえすれば、払い出し可能な基板を払い出すことが出来るので、制御を複雑化させることなく、ダブルフローを実現できる。

また、請求項４の発明によれば、基板の搬送に係る情報を利用して基板載置部の基板の有無を判定できるので、基板載置部にセンサを特段に設けなくとも、ダブルフローを実現することができる。

また、請求項５、請求項６、請求項１０および請求項１１の発明によれば、各セルにおいて、受け入れた基板が該セルの前後でどのような搬送経路をたどるかに無関係に、該セルにおける搬送設定に従って当該基板を搬送し、所定の処理を行うことができるので、異なる搬送設定を有する基板を混在させて処理することができる。

また、請求項６および請求項１１の発明によれば、異なる搬送経路をたどってきた基板を、受け入れた順序とは異なる順序で同一の基板出口から払い出すことが出来るので、各セルごとに基板の搬送を独立に行いつつ、結果的にダブルフローが実現できる。

また、請求項７の発明によれば、各セルにおいて、異なる基板処理単位に属する基板が混在している場合に、所定の基板出口から払い出されるよう搬送設定がなされている基板について、薬液処理あるいは熱処理のタイミングに応じて払い出し可能な基板から払い出すことが出来る。

また、請求項１２および請求項１４の発明によれば、搬送設定が異なる複数の基板処理単位の基板が、共通する基板入口から受け入れられ、さらに、共通する処理ユニットにてセル内処理が行われる場合に、先に払い出し可能な基板の払い出しを許可する。これはすなわち、基板処理単位ごとの基板の搬送経路が複数の搬送経路へと分岐する方向へのフロー（分岐方向フロー）である場合において、それらの複数の搬送経路で共通して用いる処理ユニットがあれば、先に払い出し可能な基板の払い出しを許可することを意味する。このような分岐方向フローにおいては、複数の搬送経路のそれぞれの基板処理の順序制御さえ行えば、その後の各フローの衝突は生じない。よって、各フローの衝突を発生させずにスループットを向上させることができる。

また、請求項１３および請求項１５の発明によれば、搬送設定が異なる複数の基板処理単位の基板が、共通する基板入口から受け入れられ、さらに、共通する処理ユニットにてセル内処理が行われる場合に、先行基板のセル内処理完了前の後続基板の受け入れを許可する。これはすなわち、基板処理単位ごとの基板の搬送経路が複数の搬送経路へと分岐する方向へのフロー（分岐方向フロー）である場合において、それらの複数の搬送経路で共通して用いる処理ユニットがあれば、先行基板のセル内処理完了前の後続基板の受け入れを許可することを意味する。このような分岐方向フローにおいては、複数の搬送経路のそれぞれの基板処理の順序制御さえ行えば、その後の各フローの衝突は生じない。よって、各フローの衝突を発生させずにスループットを向上させることができる。

＜全体構成＞
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置１００の平面図である。基板処理装置１００は、半導体基板（以下、単に「基板」という）に対し、所定の回路パターンを形成するためのフォトリソグラフィー工程に係る、レジスト塗布処理、現像処理やそれらに伴う所定の熱処理、薬液処理等を担う装置である。なお、図１には、基板処理装置１００の長手方向をＸ軸方向とする水平面をＸＹ平面とし、鉛直上向きをＺ軸とする三次元座標系を付している。

図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、インデクサブロック（ＩＤブロック）１と、反射防止膜処理ブロック（ＢＡＲＣブロック）２と、レジスト膜処理ブロック（ＳＣブロック）３と、現像処理ブロック（ＳＤブロック）４と、インタフェイスブロック（ＩＦＢブロック）５とから主に構成される。基板処理装置１００においては、これらの５つのブロックが上記の順に隣接配置されている。また、ＩＦＢブロック５の側方には、レジスト膜に対し所定の回路パターンを露光する処理を担う露光装置（ステッパ）ＳＴＰが、隣接して配置されている。各ブロックは、個別にフレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロックのフレームを上記の順に連結することにより、基板処理装置１００が構成されている（図６（ａ）参照）。なお、基板処理装置１００においては、図示しない所定の供給手段によって各ブロック内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されている。これにより、各ブロック内おいて、パーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響が回避される。また、各ブロック内は外部に対して若干陽圧に保たれており、パーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、ＢＡＲＣブロック２内の気圧はＩＤブロック１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、ＩＤブロック１内の雰囲気がＢＡＲＣブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロックで処理を行うことができる。

＜ＩＤブロック＞
ＩＤブロック１は、基板処理装置１００の外部からの未処理の基板Ｗの受け入れや、逆に処理済の基板Ｗの外部への払い出しを担う部位である。ＩＤブロック１には、所定枚数の基板Ｗを多段に収納可能なカセットＣを複数個（図１においては４個）並べて載置するカセット載置台６と、カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出して後段の処理へと供するとともに、処理済の基板Ｗを受け取って再びカセットＣへと順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。

インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６にＹ軸方向に水平移動可能な可動台７ａと、可動台７ａ上にあって基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂと、保持アーム７ｂの先端部分の内側に突出する複数本のピン１０ｃ（図１には３個の場合を図示）とを備えている（図２参照）。保持アーム７ｂは、Ｚ軸方向への上下移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向への進退移動がそれぞれ可能に設けられている。基板Ｗは、ピン１０ｃによって水平姿勢で保持される。

ＩＤブロック１における基板Ｗの受け渡しについて概説する。まず、インデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカセットＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。

＜ＢＡＲＣブロック、ＳＣブロック、ＳＤブロック＞
図２は、後述する薬液処理部ＬＰの配置構成を示す、基板処理装置１００の正面図である。図３は、図２と同じ方向からみた場合の、後述する熱処理部ＴＰの配置構成を示す図である。以下、図１ないし図３に基づいて、ＢＡＲＣブロック２、ＳＣブロック３、ＳＤブロック４について説明する。

ＢＡＲＣブロック２は、フォトレジスト膜の下部に、露光装置ＳＴＰにおける露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜を形成する処理を担う。ＢＡＲＣブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布する処理を担う第１塗布処理部８と、塗布に際し必要な熱処理を行う第１熱処理部９と、第１塗布処理部８および第１熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１主搬送機構１０Ａとを備える。

ＳＣブロック３は、反射防止膜が形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を形成する処理を担う。なお、本実施の形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いる。ＳＣブロック３は、フォトレジスト膜を塗布する処理を担う第２塗布処理部１５と、塗布に際し必要な熱処理を行う第２熱処理部１６と、第２塗布処理部１５およぴ第２熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをする第２主搬送機構１０Ｂとを備える。

ＳＤブロック４は、露光装置ＳＴＰにおいて所定の回路パターンが露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。ＳＤブロック４は、現像液により現像処理を行う現像処理部３０と、現像処理に際し必要な熱処理を行う第３熱処理部３１と、現像処理部３０および第３熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第３主搬送機構１０Ｃとを備える。

以上のＢＡＲＣブロック２、ＳＣブロック３、およびＳＤブロック４においては、それぞれ、第１主搬送機構１０Ａ、第２主搬送機構１０Ｂ、および第３主搬送機構１０Ｃ（以下、これらを「主搬送機構１０」と総称する）を間に挟み、第１塗布処理部８、第２塗布処理部１５、および現像処理部３０（以下、これらを「薬液処理部ＬＰ」と総称する）が装置正面側に位置するように、そして、第１熱処理部９、第２熱処理部１６、および第３熱処理部３１（以下、これらを「熱処理部ＴＰ」と総称する）が装置背面側に位置するように配置されている。すなわち、各部においてそれぞれに所定の薬液を用いた処理を行う薬液処理部ＬＰと、各部においてそれぞれに熱処理を担う熱処理部ＴＰとが、主搬送機構１０を介在させて離間して備わるので、熱処理部ＴＰから薬液処理部ＬＰへの熱的影響が抑制される。また、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、熱処理部ＴＰの正面側（主搬送機構１０側）に図示しない熱隔壁が設けられており、この熱隔壁によっても、薬液処理部ＬＰへの熱的影響が回避される態様となっている。

図２に示すように、薬液処理部ＬＰを構成する第１塗布処理部８、第２塗布処理部１５、および現像処理部３０においては、いずれも、複数の処理ユニットが積層配置されている。

第１塗布処理部８においては、３つの第１塗布処理ユニット８ａ〜８ｃが積層配置されている。第１塗布処理ユニット８ａ〜８ｃはそれぞれ、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１、スピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２などを備えている。

同様に、第２塗布処理部１５においては、３つの第２塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃが積層配置されている。第２塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃはそれぞれ、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１７、スピンチャック１７上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル１８などを備えている。

さらに、現像処理部３０においては、５つの現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅが積層配置されている。現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅはそれぞれ、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２、スピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。

図３に示すように、熱処理部ＴＰを構成する第１熱処理部９、第２熱処理部１６、および第３熱処理部３１においては、それぞれに、複数の処理ユニットが２列に積層配置されている。

第１熱処理部９においては、基板Ｗを所定の温度にまで加熱し、当該温度に保持可能な複数の加熱プレートＨＰ、基板Ｗを所定の温度にまで冷却し当該温度に保持可能な複数の冷却プレートＣＰ、基板Ｗに対するレジスト膜の密着力強化のために、ＨＭＤＳ（へキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数のアドヒージョン処理ユニットＡＨＬが処理ユニットとして備わり、それぞれが所定の位置に積層配置されている。また、下部には、熱処理部ＣＰの各部を制御するヒータコントローラＣＯＮＴが配置されている。なお、図３中において「×」印で示した箇所は、配管配線部が備わっていたり、処理ユニットを追加するための空きスペースとして確保されている箇所である。

同様に、第２熱処理部１６および第３熱処理部３１においても、複数の加熱プレートＨＰ、複数の冷却プレートＣＰなどが処理ユニットとして備わる。各処理ユニットが２列に積層配置されている点は、第１熱処理部９と同様である。なお、第３熱処理部３１には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８も備わっている。

なお、加熱プレートＨＰの一部には、加熱後の基板を一時的に載置するための基板仮置部１９（図１参照）に設けられる仮置部付加熱プレート（図示せず）を採用すればよい。この場合、加熱された基板Ｗはいったん基板仮置部１９に載置され、主搬送機構１０Ｂないし１０Ｃは、基板仮置部１９にアクセスして基板を受け取ることができる。加熱プレートＨＰに対して直接に基板の受け渡しをしないので、主搬送機構１０Ｂおよび１０Ｃに対する熱的影響が最小限に抑制されるという利点がある。図１には、第２熱処理部１６および第３熱処理部３１に基板仮置部１９が備わる態様を例示的に示している。

次に、主搬送機構１０（１０Ａ〜１０Ｃ）について説明する。なお、後述するＩＦＢブロック５に備わる第４主搬送機構１０Ｄも同様に構成されている。

主搬送機構１０においては、基台１０ｄ上に２個の保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に備わっている（ただし、図１には１個のみ図示）。保持アーム１０ａ、１０ｂは、略Ｃ字状の先端部分を有しており、この先端部分の内側に突出する複数本のピン１０ｃ（図１には３個の場合を図示）によって基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。保持アーム１０ａ、１０ｂは、図示しない駆動機構によって、水平面内の旋回移動、Ｚ軸方向の昇降移動、および旋回半径方向の進退移動が可能に構成されている。

＜ＩＦＢブロック＞
ＩＦＢブロック５は、基板処理装置１００と、隣接して備わる露光装置ＳＴＰとの間の基板Ｗの受け渡しを担う。図４は、Ｘ軸の正の側から基板処理装置１００の側面方向をみた場合の、ＩＦＢブロック５の配置構成を、第３熱処理部３１の一部とともに示す図である。ＩＦＢブロック５は、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするインタフェイス用搬送機構３５と、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を前もって露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れが出来ない場合に、一時的に基板Ｗを収納する送り用バッファＳＢＦと、露光後の基板Ｗを後段の処理部が処理できない場合に基板Ｗを収納する戻し用バッファＲＢＦと、第４主搬送機構１０Ｄとインタフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行う後述する基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０と、該エッジ露光ユニットＥＥＷと現像処理ブロック４に備わる加熱プレートＨＰとに隣接し、これらに対して基板Ｗを受け渡しする第４主搬送機構１０Ｄと、を主として備えている。このうち、２つのＥＥＷ、戻し用ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、上からこの順に積層配置されている。また、基板載置用送り用バッファＳＢＦおよび戻し用バッファＲＢＦはいずれも、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。

エッジ露光ユニットＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６、スピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷは、ＩＦＢブロック５の中央部分に積層配置されている。

図１、図２および図４に示すように、インタフェイス用搬送機構３５は、矢印ＡＲ２に示すように水平方向（Ｙ軸方向）に移動可能な可動台３５ａと、この可動台３５ａ上にあって基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂとを備えている。保持アーム３５ｂは、図示しない駆動手段によって、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能とされている。インタフェイス用搬送機構３５の水平方向の可動範囲は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０の下方位置Ｐ１にまで延びており、この位置Ｐ１で、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しが行われる。また、インタフェイス用搬送機構３５の可動範囲の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの受け渡しとを行えるようになっている。

＜基板の受け渡し＞
次に、基板処理装置１００における基板Ｗの受け渡しについて、隣接するブロック間における受け渡しを中心に説明する。図５は、図２と同じ方向からみた場合の、基板Ｗの受け渡しに係る各部の配置構成を示す図である。図１および図５に示すように、基板処理装置１００においては、隣接するブロック同士の境界部に、互いの雰囲気を遮断することを目的とする隔壁１３がそれぞれ設けられている。そして、それぞれの隔壁１３には、基板Ｗを載置するための基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６が、当該隔壁１３を部分的に貫通させて、上下に２個一組で設けられている。なお、図５に示すように、基板Ｗを大まかに冷却するための複数の冷却プレートＷＣＰが基板載置部ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ６の下方に設けられている。

いま、ＩＤブロック１とＢＡＲＣブロック２との間には上段側から順に基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２が、ＢＡＲＣブロック２とＳＣブロック３との間には同様に基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４が、ＳＣブロック３とＳＤブロック４との間には、同様にＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６が、それぞれ設けられている。

また、ＳＤブロック４とＩＦＢブロック５との間で基板Ｗを受け渡すための基板載置部ＰＡＳＳ７およびＰＡＳＳ８は、ＳＤブロック４の第３熱処理部３１に設けられている（図３参照）。さらに、上述したように、ＩＦＢブロック５には基板載置部ＰＡＳＳ９およびＰＡＳＳ１０が備わっている。これらを総称して基板載置部ＰＡＳＳと称する。

基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０には、それぞれ、基板Ｗを支持可能な図示しない複数本の支持ピンと、光学式センサＳとがそれぞれ設けられている。該光学式センサＳは、基板Ｗが支持ピン上に載置されているか否かを検出するために備わる。なお、各図に示されたセンサＳの配置位置は例示であり、これには限定されない。

なお、１０個の基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は、５カ所に上下２段に設けられているが、それぞれ上段側に備わる基板載置部ＰＡＳＳには、原則として、ＩＤブロック１から露光装置ＳＴＰに向かって基板Ｗを搬送する方向（これを「送り方向」と称する）の受け渡しに際して使用される。一方、下段側に備わる基板載置部ＰＡＳＳには、原則として、露光装置ＳＴＰからＩＤブロック１に向かって基板を搬送する方向（これを「戻り方向」と称する）の受け渡しに際して使用される。

＜セル単位制御＞
次に基板処理装置１００において実現される、基板Ｗの搬送を含む動作制御について説明する。上述したように、基板処理装置１００は、各ブロックが互いに隣接配置されて構成されているが、動作制御については、「セル」と呼ばれる構成要素単位を基準に行われる。

各セルは、原則として、基板Ｗに所定の処理を行う少なくとも１つの処理ユニット、および、該処理ユニットに対して基板の受け渡しをする一の搬送機構を含む被制御ユニットと、該被制御ユニットを制御するセルコントローラとから構成される。また、各セルは、隣り合うセルとの間の基板の受け渡しを、後述する送り入口パスＳＩ、送り出口パスＳＯ、戻り入口パスＲＩ、および戻り出口パスＲＯを通じて行う。

図６（ａ）および（ｂ）は、基板処理装置１００における各セルの構成を説明するために、ブロックの構成とセルの構成とを対比して示す図である。図６（ｂ）に示すように、基板処理装置１００は、インデクサセル（ＩＤセル）Ｃ１と、ＢＡＲＣ処理セル（ＢＡＲＣセル）Ｃ２と、レジスト膜処理セル（ＳＣセル）Ｃ３と、現像処理セル（ＳＤセル）Ｃ４と、露光後加熱処理セル（ＰＥＢセル）Ｃ５と、インタフェイスセル（ＩＦＢセル）Ｃ６とから構成される。

図６（ｂ）に示すように、ＩＤセルＣ１、ＢＡＲＣセルＣ２、およびＳＣセルＣ３は、それぞれ、ＩＤブロック１、ＢＡＲＣブロック２、ＳＣブロック３と実質的に同じ構成要素から構成される。

ＳＤセルＣ４は、ＳＤブロック４の構成要素のうち、露光後加熱に使われる一部の加熱プレートＨＰを除いた構成要素から構成される。

ＰＥＢセルＣ５は、ＳＤブロック４の構成要素のうちＳＤセルＣ４に含まれない一部の加熱プレートＨＰと、ＩＦＢブロック５の構成要素の一部であるエッジ露光ユニットＥＥＷと、第４主搬送機構１０Ｄとを含む。すなわち、このＰＥＢセルＣ５は、ＳＤブロック４とＩＦＢブロック５とにまたがるもので、基板処理装置１００において特徴的なセルである。

ＩＦＢセルＣ６は、ＩＦＢブロック５の構成要素のうち、エッジ露光ユニットＥＥＷと、第４主搬送機構１０Ｄとを除いた構成要素からなる。

各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、少なくとも、各々の制御対象であるセルに備わる搬送機構（インデクサ用搬送機構７、第１ないし第４主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄ、およぴインタフェイス用搬送機構３５）における基板Ｗの受け渡し動作を制御する。また、基板処理装置１００には、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６を統括制御するメインコントローラＭｃ（図２および図７参照）も備わっている。メインコントローラＭｃは、本実施の形態に係る基板処理装置１００が設置される半導体製造行程の全体を管理する図示しないホストコンピュータとの間で通信可能に構成されている。

基板処理装置１００は、あらかじめ設定されたレシピデータに従って、メインコントローラＭｃおよび各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６が各部を制御することにより動作する。レシピデータには、各セルにおける基板の出入り口となる基板載置部ＰＡＳＳの指定、搬送順序やタイミング等についての設定である搬送設定や、各処理ユニットにおける処理条件についての設定である処理条件設定が各セルに対応させて記述されている。レシピデータは、例えば、カセット１個分の基板や、所定枚数の基板など、１枚または複数枚の基板の集合である所定の基板処理単位ごとに定められる。これより、基板処理装置１００は、基板処理単位ごとに処理手順が定められてなる基板群について、各基板に所定の処理を行う装置であるともいえる。

図７は、一例としてのレシピデータＲＤの構造を模式的に示す図である。レシピデータＲＤは、ヘッダ部ＨＤと、ＩＤセル部Ｄ１、ＢＡＲＣセル部Ｄ２と、ＳＣセル部Ｄ３と、ＳＤセル部Ｄ４と、ＰＥＢセル部Ｄ５と、ＩＦＢセル部Ｄ６とから構成されるデータである。レシピデータＲＤの各セル部には、それぞれに対応するセルにおける搬送設定Ｄ１１、Ｄ２１、Ｄ３１、Ｄ４１、Ｄ５１、あるいはＤ６１が、さらに処理ユニットを備えるセルにおける処理条件設定Ｄ２２、Ｄ３２、Ｄ４２、あるいはＤ５２が記述されている。各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、このレシピデータＲＤのうち、対応するセルに関するセル部のデータを与えられて、これに基づいてセル内の各部の動作を制御する。これにより、各セルの動作は、互いに独立して行われることになる。なお、レシピデータの構造は上記の形式に限定されるものではない。

各セル内の基板処理状況は各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６を介してメインコントローラＭｃに集められ、さらにホストコンピュータに伝達される。これにより、各セルの稼働状態をホストコンピュータにおいて容易に把握できるようになっている。図４および図５には、セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の配置が例示的に示されている。図２には、メインコントローラＭｃの配置が例示的に示されている。ただし、セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６およびメインコントローラＭｃの配置はこれに限定されない。

＜セルにおける搬送動作＞
上述のように、セルを単位として制御されることから、基板処理装置１００は、独立して動作する６つのセルを並設して構成されたものであり、各セル間の基板の受け渡しを、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０を介して行っている、と考えることができる。

ここで、各セルにおける搬送動作、つまりは、隣接するセル間の基板の受け渡し、および、セル内の基板の受け渡しについて、ＳＣセルＣ３を例にとって説明する（図１０参照）。

なお、ＳＣセルＣ３においては、基板載置部ＰＡＳＳ３が、送り方向において、隣接するＢＡＲＣセルＣ２から基板Ｗを受け入れるための入口となる。各セルにおいて、このように送り方向において基板Ｗの入口となる基板載置部ＰＡＳＳを、以下、「送り入口パス」ＳＩと称する。同様に、送り方向の出口を「送り出口パス」ＳＯ、戻り方向の入り口を「戻り入口パス」ＲＩ、戻り方向の出口を「戻り出口パス」ＲＯと称する。ＳＣセルＣ３については、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６、ＰＡＳＳ４が、順にこれらに相当する。

ＢＡＲＣセルＣ２に備わる第１主搬送機構１０Ａにより、ＳＣセルＣ３にとっての送り入口パスＳＩである基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理基板Ｗが載置されると、基板載置部ＰＡＳＳ３に備わる光学式センサＳがこれを検知する。ＳＣセルＣ３の制御を担うセルコントローラＣＴ３は、このとき発せられる載置状態信号に応答して、ＳＣセルＣ３に備わる第２主搬送機構１０Ｂを制御し、所定のタイミングによって、載置された基板Ｗを受け取らせる。その際、第２主搬送機構１０Ｂが、戻り出口パスＲＯに相当する基板載置部ＰＡＳＳ４を介してＢＡＲＣセルＣ２に戻す基板Ｗを保持しているのであれば、その払い出しも行わせる。

基板Ｗの受け渡しを行うために、第２主搬送機構１０Ｂは、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。そして、まず、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済みの基板Ｗを、戻り出口パスＲＯである基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。その後、送り入口パスＳＩである基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されている基板Ｗを、空の状態になった一方の保持アーム１０ｂを再び駆動して、その保持アーム１０ｂ上に受け取る。すなわち、保持アーム１０ｂだけを使って基板Ｗの受け渡し動作を行う。

この受け渡し動作によって、基板載置部ＰＡＳＳ３は空状態になり、基板載置部ＰＡＳＳ４には基板が載置された状態となる。それぞれに備わる光学式センサＳによってその状態は検知され、それぞれの状態を示す信号が、ＢＡＲＣセルＣ２のセルコントローラＣＴ２へと伝達されることになる。ＢＡＲＣセルＣ２においては、この信号に応答することにより、次後の基板Ｗの受け渡しが可能となる。

基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２主搬送機構１０Ｂは、レシピデータＲＤの設定内容に基づくセルコントローラＣＴ３の制御に従って、受け取った基板Ｗを、原則として所定の処理ユニットヘと搬送する。ＳＣセルＣ３の場合、具体的には、冷却プレートＣＰ、加熱プレートＨＰ、第２塗布処理ユニット１５ａないし１５ｃのいずれかが搬送先となる。第２主搬送機構１０Ｂは、基板Ｗを保持していない空の状態の保持アーム１０ａと、基板Ｗを保持している保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、搬送先となる処理ユニットに対向させる。通常、この搬送先となる処理ユニットには、先行して処理されている基板Ｗが入っている。そこで、まず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その処理ユニットにおいて処理された基板Ｗを受け取り、続いて、基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗを該処理ユニットの所定位置に載置する。

第２主搬送機構１０Ｂは、以降も同様に、レシピデータＲＤに基づくセルコントローラＣＴ３の制御に従い、保持アーム１０ａおよび１０ｂにより、所定の処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。すなわち、基板Ｗを保持していない一方の保持アームによって該処理ユニットで処理された基板Ｗを受け取り、入れ替わりに、もう一方の保持アームで保持していた基板Ｗを該処理ユニットの所定位置に載置する。ただし、加熱プレートＨＰで加熱処理がなされた基板Ｗを受け取る場合だけは、保持アーム１０ａ、１０ｂのうちのいずれか一方のみを用いるように制御される。これにより、保持アーム１０ａ、１０ｂから基板Ｗに与える熱的影響を抑制するとともに、その熱的影響の「変動」を最小限度に抑えることができる。

このようにして、いくつかの処理ユニットに順次受け渡されて、レシピデータＲＤに定められた所定の処理がなされた基板Ｗは、ＳＣセルＣ３からＳＤセルＣ４へと受け渡すべく、送り出口パスＳＯに相当する基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されることとなる。その際の手順は、ＢＡＲＣセルＣ２からＳＣセルＣ３に基板が受け渡される際と同様である。なお、レシピデータＲＤの設定内容によっては、セル内で所定の処理を行った基板Ｗを、後段のセルにおける処理に供することなく、戻り出口パスＲＯに相当する基板処理部ＰＡＳＳ４からＢＡＲＣセルＣ２側へと戻す場合、受け取った基板Ｗに対し処理ユニットによる処理を行うことなく直ちにＳＤセル４へと払い出す場合も、基本的な動作は同様である。また、露光等の処理を経て戻り方向をＩＤセルＣ１へと基板Ｗを戻す場合は、戻り入口パスＲＩに相当する基板処理部ＰＡＳＳ６から基板Ｗを受け取って、所定のタイミングでそのまま戻り出口パスＲＯに相当する基板処理部ＰＡＳＳ４へと払い出すことになるが、これらの受け渡し動作も、上述と同様に行われることになる。

以上に示したように、ＳＣセルＣ３においては、セルコントローラＣＴ３が、レシピデータＲＤの設定に従って、第２主搬送機構１０Ｂと各処理ユニットとの動作を制御するが、送り入口パスＳＩあるいは戻り入口パスＲＩに基板Ｗが載置されたことを示す所定の信号に応答して、動作が行われることを除けば、セル内の処理は、隣接するセルとは独立に行われることになる。

他のセルにおいても、処理対象が異なるだけで、その点については同様である。すなわち、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、それぞれに対応する送り入口パスＳＩあるいは戻り入口パスＲＩに載置された基板Ｗを受け取り、所定の処理ユニットヘ順次に搬送し、所定の処理がなされた基板Ｗを送り出口パスＳＯもしくは戻り出口パスＲＯに載置することによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。これは、レシピデータＲＤがセルを単位として、具体的には、処理ユニットあるいは基板載置部ＰＡＳＳから受け取った基板Ｗを搬送機構によってどこに搬送させるか、その際にどのようなタイミングと優先順位で搬送を実行するか、およびそれぞれの処理ユニットでどのような条件で基板Ｗを処理するか、についてセル単位で設定されることで実現されている。

これは、基板処理装置１００においては、各セルにおける搬送および処理が、レシピデータＲＤに基づいて各セルごとに独立に行われ、その結果として、全体の処理が行われることを意味する。全体の処理基板Ｗの出入り口となるせいぜい４つの基板載置部ＰＡＳＳにおける基板Ｗの載置状況を参照することを除くと、隣接するセル間における基板Ｗの受け渡しそのものを直接には制御対象としないので、あるセルにおける動作が他のセルに与える影響を小さくすることができる。よって、装置全体として制御が単純化されるとともに、レシピデータＲＤにおいて容易かつ柔軟な動作設定も可能である。

よって、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、対応する各セル内における搬送機構による基板Ｗの受け渡しと、セルに含まれる処理ユニットの動作だけを制御対象とするので、隣接するセル内での動作内容を考慮する必要がない。従って、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６における制御の負担は、比較的軽くなり、全体の搬送動作を一括制御する従来の制御方法に比べて、全体の制御も容易になる。

また、従来の制御方法の場合、新たに処理ユニット等が追加されると、制御プログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明の場合は、新たにセルを追加しても、該セルに係るレシピデータＲＤを付加すればよく、隣接する既存のセルの制御内容に影響を与えることはない。よって、セルの追加を容易かつ柔軟に行うことができる。例えば、ＳＣセルＣ３とＳＤセルＣ４との間に、レジスト膜の厚みや線幅を検査する検査処理ユニットやセル内の搬送を担う搬送機構とを含むセルを追加する態様などが考えられる。

＜ダブルフロー処理＞
上述のように、基板処理装置１００においては、各セルにおける搬送動作が各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６によって独立して制御され、かつ、その制御は、ある任意の第１位置（基板載置部あるいは処理ユニット）にある基板Ｗを所定の第２位置（基板載置部あるいは処理ユニット）へと搬送する、という手順を順次繰り返させるものであって、個々の搬送動作が、どういうフローの中の一動作であるかということには無関係である。従って、レシピデータＲＤの設定の仕方によっては、搬送先が基板Ｗを受け入れることが出来るのであれば、ある第１位置から複数の第２位置のいずれにも搬送させることが可能である。これは結果的に、異なる搬送経路を有する複数の処理フローを並立して処理する、いわゆるダブルフローによる処理を実行することに相当する。以下、このダブルフロー処理について説明する。

図８は、基板処理装置１００において行われるダブルフロー処理の例を概念的に示す図である。また、図９は、基板搬送単位ごとに搬送設定が定められることにより実現される、メインフローＦ１とサブフローＦ２それぞれの搬送経路を例示的に示す図である。つまり、図９（ａ）〜（ｃ）は、図８の具体例に相当する。図９（ａ）はメインフローＦ１の搬送経路を、図９（ｂ）はサブフローＦ２の搬送経路の例を示すものである。

図８および図９（ａ）に示すメインフロー（露光機インラインフロー）Ｆ１は、ＩＤセルＣ１において外部から受け取った基板Ｗに対し、ＢＡＲＣセルＣ２における反射防止膜の形成、ＳＣセルＣ３におけるレジスト膜の形成、ＰＥＢセルＣ５における周辺露光処理、露光装置ＳＴＰにおける露光処理、ＳＤセルＣ４における現像処理、すなわち基板処理装置１００において行うべき一連の処理（いずれも付随する熱処理を含む）を順次行って外部へと払い出す処理フローを示している。一方、サブフロー（露光機オフラインフロー）Ｆ２は、ＳＣセルＣ３におけるレジスト膜の形成のみを行う処理フローを示している。

例えば、ＩＤセルＣ１に備わるいずれかのカセットＣから、まずメインフローＦ１において処理する基板Ｗを順次受け取ってこれを後段に順次払い出した後、異なるカセットＣから、サブフローＦ２において処理する基板Ｗの受け取りと払い出しを行うことになるとすると、それぞれのカセットＣに収納されている基板Ｗの組がメインフローＦ１の処理を行う基板処理単位、およびサブフローＦ２の処理を行う基板処理単位に相当する。ＳＣセルＣ３においては、どちらの基板Ｗであるのかという情報に基づいて、基板Ｗの搬送経路が決まることになる。これは結果的に、ＳＣセルＣ３において２つの処理フローが分岐することに相当する。

図１０は、この場合のＳＣセルＣ３の内部におけるメインフローＦ１およびサブフローＦ２それぞれの搬送経路を説明する図である。

メインフローＦ１においては、送り入口パスＳＩに相当する基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、部分フローＦ１Ｓに示すように、薬液処理部ＬＰあるいは熱処理部ＴＰの所定の処理ユニットに搬送される。処理が終了すると、基板Ｗは送り出口パスＳＯに相当する基板載置部ＰＡＳＳ５に払い出される。また、露光、現像を経て戻り入口ＲＩに相当する基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗについては、部分フローＦ１Ｒに示すように、直接に戻り出口パスＲＯに相当する基板載置部ＰＡＳＳ４へと直接に払い出されることになる。

一方、サブフローＦ２の場合は、送り入口パスＳＩに載置された基板Ｗが、部分フローＦ２Ｓに示すように、薬液処理部ＬＰあるいは熱処理部ＴＰの所定の処理ユニットに搬送され所定の処理がなされるまではメインフローＦ１と同じであるが、処理が終了すると、部分フローＦ２Ｒに示すように、直ちに戻り出口パスＲＯへと搬送されることになる。

以上のことからわかるように、メインフローＦ１の処理はサブフローＦ２の処理よりも、ＳＣセルＣ３以降の工程数が多いので、サブフローＦ２用に供給された基板Ｗは、メインフローＦ１におけるＳＣセルＣ３以降の処理を終えていない基板Ｗを、結果的に追い越すことになる。これはつまり、メインフローＦ１の処理が全て終わらないうちにサブフローＦ２の処理を行えることを、ひいては、２つの処理フローによる処理が混在しうることを意味している。これはすなわち、異なる処理フローを並存させて基板Ｗを処理する、ダブルフロー処理に相当する。ダブルフロー処理を行うことにより、それぞれの処理フローによる処理を順次に行う場合に比して、スループットが向上することになる。

図１１は、メインフローＦ１とサブフローＦ２とのダブルフロー処理が実現される場合の、ＳＣセルＣ３における第２主搬送機構１０Ｂの動作と、基板Ｗの搬送状況と、各処理ユニットにおける処理状況との関係を示す図である。いま、議論の簡単のため、ＳＣセルＣ３においてはメインフローＦ１およびサブフローＦ２のいずれにおいても第２塗布処理ユニットは１つだけ（これを第２塗布処理ユニットＳＣ（例えば図２に示した第２塗布処理ユニット１５ａ）とする）用いられ、加熱プレートおよび冷却プレートはメインフローＦ１の場合にそれぞれ２つだけ、サブフローＦ２の場合はそれぞれ１つだけ用いられるものとする。また、図１１においては、左から右へと時間が経過し、横線が各部（処理ユニットおよび出入り口）の状態を示すものである。なお、戻り入口パスＲＩについては省略する。すなわち、戻り入口パスＲＩからは基板がまだ戻ってこない、という状況を対象に説明を行う。また点線は、第２主搬送機構１０Ｂの動きを示している。各部のラインの太線部分は、その場所に基板が存在する（処理中および待機中である）ことを示している。さらに、各太線に付された数字は、個々の基板Ｗを区別するための基板Ｎｏ．である。単に「１、２、・・・、６」と数字が付されているのはメインフローＦ１にて処理される基板Ｗを、丸囲み数字「１、２、・・・、６」が付されているのは、サブフローＦ２にて処理される基板Ｗを表している。数字が小さいほど、先にＳＣセルＣ３に受け入れらた基板Ｗであることを意味している。

まず、矢印ａの時点で、ＳＣセルＣ３には、メインフローＦ１にて処理されるべきＮ０．１〜Ｎｏ．５の基板Ｗが、各処理ユニットにおいて処理中ないしは待機中であり、Ｎｏ．６の基板Ｗが、第２主搬送機構１０Ｂにて送り入口パスＳＩから受け取られようとしている。いま、Ｎｏ．６の基板Ｗが、メインフローＦ１で処理する基板処理単位の最後の基板であるとする。第２主搬送機構１０Ｂは、Ｎｏ．６の基板Ｗを、メインフローＦ１についてのＳＣセル内における搬送設定としてあらかじめ定められた最初の搬送先である、加熱プレートＨＰ（１）まで搬送する。そして、加熱プレートＨＰ（１）に到達した矢印ｂの時点で、第２主搬送機構１０Ｂは、それまで加熱プレートＨＰ（１）にて処理されていたＮｏ．５の基板Ｗを受け取り、代わりに搬送してきたＮｏ．６の基板Ｗを受け渡す。そして次には、今受け取ったＮｏ．５の基板Ｗを冷却プレートＣＰ（１）へと搬送し、Ｎｏ．４と入れ替える。このような搬送と入れ替えとを順次繰り返すと、やがては、矢印ｃの時点で、冷却プレートＣＰ（２）から搬送してきたＮｏ．１の基板が、送り出口パスＳＯへと搬送され、払い出される。払い出されたＮｏ．１の基板Ｗは、ＳＤセルに備わる第３主搬送機構１０Ｃにより、適当なタイミングで受け取られていくことになる。

一方、送り出口パスＳＯで基板を払い出した第２主搬送機構１０Ｂは、何も基板Ｗを保持しない状態で加熱プレートＨＰ（１）へと戻り、先ほど矢印ｂの時点で該加熱プレートＨＰ（１）に払い出したＮｏ．６の基板Ｗを受け取る。そしてこれを冷却プレートＣＰ（１）へと搬送する。以降、上記と同様に、各処理ユニットへと基板Ｗを搬送しては入れ替える処理を繰り返すと、矢印ｅの時点でＮｏ．２の基板Ｗが送り出口パスＳＯから払い出される。

再び、何も基板Ｗを保持しない状態となった第２主搬送機構１０Ｂは、今度は、送り入口パスＳＩに移動する。送り入口パスＳＩにおいては、Ｎｏ．６の基板Ｗが受け取られてしばらくした後、すでにＢＡＲＣセルＣ２の第１主搬送機構１０ＡによってサブフローＦ２にて処理すべきＮｏ．丸１の基板Ｗが載置されている。第２主搬送機構１０Ｂは、このＮｏ．丸１の基板Ｗを受け取ると、サブフローＦ２についてのＳＣセル内における搬送設定としてあらかじめ定められた最初の搬送先である、冷却プレートＨＰ（１）までこれを搬送し、受け渡す。これにより、サブフローＦ２のＳＣセルＣ３における処理が開始されることになる。また、この時点で、先行してＳＣセルＣ３に受け入れられたメインフローＦ１で処理すべき基板の処理が完了する前に、後続するサブフローＦ２で処理すべき基板がＳＣセルＣ３内に受け入れられたことになる。冷却プレートＣＰ（１）においては、Ｎｏ．６の基板Ｗを受け取って、Ｎｏ．丸１の基板を受け渡すことになる。以降は、異なるフローで処理される基板が混在した状態で、各フローにて処理されるべき基板が、それぞれのフローに対応して定められた搬送設定に従って、処理されていくことになる。前述したように、ＳＣセルＣ３のセルコントローラＣＴ３は、それぞれの基板（もしくは基板処理単位）に対応づけられている搬送設定に従って、個々の基板を搬送し処理するので、このように、異なる搬送設定の基板が混在することができる。

なお、矢印ｄの時点ですでにＮｏ．丸１の基板Ｗは送り入口パスＳＩに載置されているので、あらかじめ定められた優先順位によっては、こちらを先に受け取りに行く態様であってもよい。その場合、以降の状況は若干異なるが、これは本発明の本質的な問題ではなく、同様の効果を得ることが出来る。

矢印ｆの時点以降、さらに引き続いて搬送と受け渡しとを繰り返すことで、Ｎｏ．３、４、５の基板の払い出しと、Ｎｏ．丸２、丸３、丸４の受け入れとが順次行われていく。その後、矢印ｇの時点に達すると、Ｎｏ．丸１の基板を加熱プレートＨＰ（２）にて受け取ることになるが、サブフローＦ２で処理されるＮｏ．丸１の基板については、この時点でＳＣセルＣ３で行われるべき全ての処理がなされているので、ＳＣセルＣ３から先に払い出しが可能となったことになる。よって、受け取ったＮｏ．丸１の基板Ｗは、戻り出口パスＲＯへと搬送され、矢印ｉの時点で該戻り出口パスＲＯに払い出される。このとき、Ｎｏ．６の基板Ｗはまだ冷却プレートＣＰ（２）に存在するので払い出しは行えない。また、メインフローＦ１にて処理されるＮｏ．１〜Ｎｏ．５の基板Ｗは、まだＳＣセルＣ３に戻ってきていない。すなわち、サブフローＦ２にて処理されるＮｏ．丸１の基板Ｗは、ＳＣセルＣ３において先に処理されたメインフローＦ１にて処理されるこれらの基板Ｗを追い越して、ＢＡＲＣセルＣ２へと受け渡されることになる。つまり、基板の受け渡しという観点からみて、２つの異なる処理フローが並存したダブルフローの状態が実現されていることを意味している。

Ｎｏ．丸１の基板Ｗを払い出した後は、Ｎｏ．６、Ｎｏ．丸２、丸３・・・の基板Ｗの払い出しが順次行われていくことになる。そして、図示は省略するが、やがてＮｏ．１〜６の基板が戻り入口パスＲＩからＳＣセルＣ３に戻ってくることになる。その時点で、サブフローＦ２で処理される基板Ｗがまだ残っていれば、そのときも、両者が混在しつつ処理が行われることになる。

以上、説明したように、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、基板処理単位について各セルごとの搬送設定を定め、セルコントローラがこの搬送設定に基づいて個々の基板を搬送するので、個々のセルにおいて、異なる搬送設定と対応する基板が混在していても、処理を行うことが可能である。これにより、セル単位に設定された単純な制御アルゴリズムによって、結果的に異なる処理フローに属する基板を混在させて処理する、いわゆるダブルフローが実現され、基板処理装置のスループットを向上させることが可能となる。

なお、上記の図１０および図１１を用いた記述においては、ＳＣセルＣ３においてメインフローＦ１およびサブフローＦ２のいずれにおいても第２塗布処理ユニットＳＣ（例えば図２に示した第２塗布処理ユニット１５ａ）を１つだけ用い、加熱プレート及び冷却プレートについてはメインフローＦ１でＨＰ（１）、ＨＰ（２）、ＣＰ（１）、ＣＰ（２）の各２つずつを、サブフローＦ２でＨＰ（２）、ＣＰ（１）の１つずつを用いる場合について説明した。

ところで、サブフローＦ２においては、メインフローＦ１で用いたのとは異なる処理ユニットを採用することも考えられる。具体的には例えば、上記メインフローＦ１で採用された、第２塗布処理ユニット１５ａ、加熱プレートＨＰ（１）、ＨＰ（２）および冷却プレートＣＰ（１）、ＣＰ（２）とは異なる、第２塗布処理ユニット１５ｂ、加熱プレートＨＰ（３）、冷却プレートＣＰ（３）をサブフローＦ２で採用してもよい。

このように、メインフローＦ１とサブフローＦ２とで使用する処理ユニットを異ならしめておけば、両フローの衝突の問題、すなわち例えば、メイン及びサブフロー間での処理ユニット使用の競合やウェハ占有済み処理ユニットへのウェハの二重載置、等の問題を回避可能という利点がある。

この利点に鑑みれば、メイン及びサブフローの両者に共通して用いる処理ユニットがある場合には、両フローの衝突を避けるためにダブルフロー処理を禁則としてもよい。すなわち、メインフローＦ１の基板がＩＤブロック１から出発して露光装置ＳＴＰを経て再度、ＩＤブロック１へと戻った後でなければサブフローＦ２の基板処理を行わないように、メインコントローラＭｃおよびセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６を制御してもよい。

しかし、このようなダブルフロー処理の禁則を行うと、当然ながらスループットが低下する。

ここでは、メイン及びサブフローの両者に共通して用いる処理ユニットがある場合であっても、ダブルフロー処理を禁則とせずに済む方策について考える。

例えば図８中のＳＣセルＣ３において、メインフローＦ１中のＩＤセルＣ１への戻り方向フローとサブフローＦ２中のＩＤセルＣ１への戻り方向フローとで共通して用いる処理ユニットがある場合、ダブルフロー処理を行うと両フローの衝突が発生する恐れがある。なぜならば、メインフローＦ１の基板がＳＤセルＣ４からＳＣセルＣ３にいつ戻ってくるかが不確定であり、ＳＣセルＣ３中の共通処理ユニット（例えば冷却プレートＣＰ（１）等）においてサブフローＦ２中の基板を処理中であれば、当該共通処理ユニットへのウェハの二重載置、等の発生の可能性があるからである。

一方、図８中のＳＣセルＣ３において、メインフローＦ１中のＩＤセルからの送り方向フローとサブフローＦ２中のＩＤセルＣ１からの送り方向フローとで共通して用いる処理ユニットがある場合には、ダブルフロー処理を行っても両フローの衝突が発生する恐れはない。なぜならば、図１１に示したように、メインフローＦ１の各基板をＳＣセルＣ３に投入した後でサブフローＦ２の各基板をＳＣセルＣ３に投入することにより、両フロー間での基板処理の順序制御を確実に行え、その結果、上記の戻り方向フローで共通処理ユニットがある場合と異なり、その後の両フローの衝突が生じないからである。

すなわち、ＳＣセルＣ３において図１０に示すように、メインフローＦ１で処理されるべき基板及びサブフローＦ２で処理されるべき基板が、共通する送り入口パスＳＩから受け入れられ、さらに、共通する処理ユニットＬＴ，ＴＰにてセル内処理が行われる場合に、メインコントローラＭｃおよびその制御下にあるセルコントローラＣＴ３が、以下を許可する構成とすればよい。つまり、上記条件を満たす場合には、先に払い出し可能なサブフローＦ２の基板の払い出しＦ２Ｒを許可し、先行するメインフローＦ１の基板のセル内処理が完了する前に、後続するサブフローＦ２の基板の受け入れＦ２Ｓを第２主搬送機構１０Ｂに対して許可するのである。

これはすなわち、基板処理単位ごとの基板の搬送経路をメインフローとサブフローとに分岐させる場合において、メインおよびサブフローの両者に共通して用いる処理ユニットが両者の送り方向フロー内にある場合に、払い出しＦ２Ｒおよび受け入れＦ２Ｓを許可することを意味する。

メイン及びサブフローの両者に共通して用いる処理ユニットがある場合、両フローの衝突を避けるためにダブルフロー処理を禁則としてもよいが、その場合は上述のようにスループットが低下する。一方、共通して用いる処理ユニットが両者の送り方向フロー内にあれば、送り方向フローにおけるメインフローおよびサブフローでの基板処理の順序制御さえ行えば、その後の両フローの衝突は生じない。よって、ダブルフロー処理にて両フローの衝突を発生させることなく、スループットを向上させることができる。

なお、上記においてはＳＣセルＣ３を例にとって説明したが、もちろん他のセルにおいても、送り方向フローで共通処理ユニットがある場合にのみダブルフロー処理を許可するよう制御すればよい。その場合も上記作用効果が得られる。

また、より一般には、「送り方向フロー内に共通処理ユニットがある場合」とは、「複数の搬送経路へと分岐する方向へのフロー（分岐方向フロー）において共通処理ユニットが存在する場合」に相当する。また、「戻り方向フローで共通処理ユニットがある場合」とは、「複数の搬送経路が合流する方向へのフロー（合流方向フロー）において共通処理ユニットが存在する場合に相当する。そして、これらのうち分岐方向フローについて、共通処理ユニットで異フローの混在を許可するよう制御すればよいことになる。

＜変形例＞
図１２は、図９（ｂ）に示すサブフローＦ２に代わり、図９（ｃ）に示すサブフローＦ３にて処理する場合の、ＳＣセルＣ３における第２主搬送機構１０Ｂの動作と、基板Ｗの搬送状況と、各処理ユニットにおける処理状況との関係を示す図である。サブフローＦ３は、ＳＣセルＣ３における処理が、第２塗布処理ユニットＳＣにおける処理のみである点が、サブフローＦ２と異なっている。しかしながら、この場合も同様に、ダブルフローが実現されている。

図１２の場合、サブフローＦ３で処理されるＮｏ．丸１の基板Ｗが、図１１の場合に比して長く載置されているが、サブフローＦ３の方がＳＣセルＣ３で施される処理が少ないために、結果的には、より早くサブフローＦ３の基板Ｗが戻り出口パスＲＯから払い出されていることになる。なお、図１２においては、ダブルフローが実現している状態において、サブフローＦ３の基板Ｗの払い出しとメインフローＦ１の基板Ｗの払い出しとが、２：１で行われる場合に相当する。

上述の実施の形態においては、図８に示すように、全てのセルが直線的に他のセルと接続されている態様のみを示しているが、本発明の実施はこれには限定されない。図１３は上述の実施の形態とは異なるセルの接続関係を例示的に示す図である。図１３に示す基板処理装置２００においては、ＩＤセルＣ１に隣接するのは、ＢＡＲＣセルＣ２ではなくＳＣセルＣ３であり、ＢＡＲＣセルＣ２は枝分かれ位置に接続されている。この場合、ＳＣセルＣ３は３カ所、計６つの基板載置部ＰＡＳＳとの間で基板の受け渡しを行うことになる。

図８に示したメインフローＦ１とサブフローＦ２とのダブルフローに相当する処理を、基板処理装置２００において行う場合に相当するのが、図１３に示す、メインフローＦ１’とサブフローＦ２’とのダブルフローによる処理を行う場合である。このダブルフローにおいても、ＳＣセルＣ３において基板の処理が分岐することになる。この場合も、それぞれの処理フローで処理すべき基板処理単位についてのレシピデータにおいてセルごとに設定されている搬送設定に従って、セルコントローラが主搬送機構を動作させることにより、ＳＣセルＣ３においては、いずれの基板処理単位に属する基板であっても、該搬送設定に応じて処理が行れるので、結果的にダブルフローが実現されることになる。

他の接続関係においてセルが接続されている場合であっても、基板処理単位ごとに各セルにおける搬送設定を与えることで、同様にダブルフローは実現される。

さらに、異なる搬送設定を有する基板処理単位が３つ以上混在する場合も、セル内の搬送能力に限界が生じない範囲で、同様に本発明は実施可能である。

なお、上述の実施の形態では、各基板載置部に設けた光学式センサＳによって基板Ｗの有無を検知し、該光学式センサＳからの載置状態信号に隣接するセルコントローラが応答して、対応する主搬送機構１０に基板Ｗを受け取らせる、という態様を示しているが、これとは異なる態様によって基板の受け渡しをおこなってもよい。例えば、主搬送機構がレシピデータＲＤにて定められた搬送設定に従って基板Ｗを搬送する際の、基板の受け渡し先に係る情報と、主搬送機構の各保持アームにおける基板の保持・不保持に係る情報とが、対応するセルコントローラあるいはメインコントローラに与えられることによって、基板載置部における基板Ｗの受け渡しを実現する態様であってもよい。すなわち、主搬送機構には各保持アームにおける基板Ｗの保持の有無を判別するための図示しないセンサが好適な位置に設けられており、主搬送機構が搬送設定に従い基板Ｗを順次に搬送するなかで、保持している基板Ｗを送り方向あるいは戻り方向の基板載置部に受け渡そうとする状況に達すると、搬送設定により定まる、受け渡し先となる基板載置部を特定する情報と、該センサにより得られる、受け渡し動作に伴う保持アームにおける基板の保持状態の変化（保持→不保持、あるいは不保持→保持）に係る情報とを示す信号（保持状態信号）とに応答して、隣接するセルのセルコントローラが対応する主搬送機構に基板を受け取らせる態様であってもよい。つまりは、基板保持信号が基板載置状態信号に相当することになる。隣接するセルにおいては、基板Ｗを受け取ることにより、保持状態信号が変化し、これにより、基板載置部からは基板がなくなった、という情報が、受け渡し元のセルにより取得されることになる。この態様の場合、基板載置部に光学式センサＳを特段設ける必要がなくなる。あるいは、基板載置部に備わる光学式センサＳと保持アームに備わるセンサとを併用する態様であってもよい。また、それぞれの基板載置部ごとに、両者を適宜使い分ける態様であってもよい。

基板処理装置１００の平面図である。 基板処理装置１００の正面図である。 熱処理部ＴＰの配置構成を示す図である。 ＩＦＢブロック５の配置構成を、第３熱処理部３１の一部とともに示す図である。 基板Ｗの受け渡しに係る各部の配置構成を示す図である。 ブロックの構成とセルの構成とを対比して示す図である。 レシピデータＲＤの構造を模式的に示す図である。 ダブルフロー処理の例を模式的に示す図である。 メインフローＦ１およびサブフローＦ２それぞれの搬送経路を例示的に示す図である。 ＳＣセルＣ３の内部におけるメインフローＦ１およびサブフローＦ２それぞれの搬送経路を説明する図である。 ダブルフローを実現する際の、ＳＣセルＣ３における第２主搬送機構１０Ｂの動作と、基板Ｗの搬送状況と、各処理ユニットにおける処理状況との関係を示す図である。 異なるサブフローＦ３による変形例を示す図である。 セルの配置構成の変形例を示す図である。

符号の説明

６ カセット載置台
７ インデクサ用搬送機構
８ａ〜８ｃ 第１塗布処理ユニット
１０ 主搬送機構
１３ 隔壁
１５ａ〜１５ｃ 第２塗布処理ユニット
１９ 基板仮置部
３０ａ〜３０ｅ 現像処理ユニット
３５ インタフェイス用搬送機構
１００、２００ 基板処理装置
ＡＨＬ アドヒージョン処理ユニット
Ｃ カセット
ＣＴ１〜ＣＴ６ セルコントローラ
ＥＥＷ エッジ露光ユニット
Ｆ１ メインフロー
Ｆ２、Ｆ３ サブフロー
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ 基板載置部
ＲＩ 戻り入口パス
ＲＯ 戻り出口パス
ＳＩ 送り入口パス
ＳＯ 送り出口パス
ＳＴＰ 露光装置
Ｗ 基板
ｓ 光学式センサ

Claims (15)

1. １枚または複数枚の基板の集合によってそれぞれの基板処理単位が構成され、基板処理単位ごとに処理手順が定められてなる基板群について、各基板に所定の処理を行う装置であって、
   少なくとも１つの処理ユニットと、
   基板入口と基板出口との少なくとも１組と、
   前記少なくとも１つの処理ユニットと前記基板入口と前記基板出口との間で基板を搬送する搬送手段と、
   前記少なくとも１つの処理ユニットと前記搬送手段とを制御する制御手段と、
   をそれぞれに備える複数のセルから構成され、
   前記複数のセルは、順次に隣接し合うとともに隣接するセル間で基板を受け渡し可能とされてなり、
   各セルにおいて、前記制御手段は、
   当該セルのいずれかの基板入口から受け入れた基板を、前記基板が属する基板処理単位についてセルごとに設定されている搬送設定において定められている基板出口から払い出すように、
   かつ、
   当該セルの各基板出口からの基板の払い出しは、当該基板出口から払い出されるように前記搬送設定において定められている基板のうち、先に払い出し可能になった基板から順次行うように、
   前記搬送手段を制御する、
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記各セルは、
   当該セルの基板入口と少なくとも１つの他のセルの基板出口との間、および当該セルの基板出口と前記他のセルの基板入口との間にそれぞれ、基板載置部が存在する、
   ように配置されており、
   前記各セルに備わる前記制御手段は、所定のセンサから与えられ、対応する前記基板載置部における基板の載置の有無を示す基板載置状態信号と、前記搬送設定とを参照して、当該セルのそれぞれの基板出口における基板の払い出し順序を定める、
   ことを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記所定のセンサは、少なくとも前記基板載置部に備わるセンサである、
   ことを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記所定のセンサは、少なくとも前記搬送手段に備わるセンサである、
   ことを特徴とする基板処理装置。
5. １枚または複数枚の基板の集合によってそれぞれの基板処理単位が構成され、基板処理単位ごとに処理手順が定められてなる基板群について、各基板に所定の処理を行う装置であって、
   少なくとも１つの処理ユニットと、
   基板を搬送する搬送手段と、
   前記少なくとも１つの処理ユニットと前記搬送手段とを制御する制御手段と、
   をそれぞれに備える複数のセルから構成され、
   前記複数のセルは、順次に隣接し合うとともに隣接するセル間で基板を受け渡し可能とされてなり、
   各セルに備わる前記制御手段がそれぞれ、
   搬送設定が異なる複数の基板処理単位の基板につき、先行基板のセル内処理が完了する前に前記先行基板とは異なる前記基板処理単位に属する後続基板を当該セルに受け入れて、それぞれの基板が属する基板処理単位についての搬送設定に従って各基板の処理と搬送とを行うように、
   前記少なくとも１つの処理ユニットと前記搬送手段とを制御する、
   ことを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置であって、
   前記各セルの前記基板制御手段は、前記搬送設定が異なる前記基板処理単位に属する複数の基板が当該セル内に同時に存在する場合に、当該セルの各基板出口からの基板の払い出しを、当該基板出口から払い出されるように前記搬送設定において定められている基板のうち、先に払い出し可能になった基板から順次行うように、前記搬送手段を制御する、
   ことを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記複数のセルの少なくとも１つが、前記少なくとも１つの処理ユニットとして、基板に対し薬液を用いた処理を行う処理ユニットまたは基板を加熱または冷却する熱処理ユニットのいずれかを少なくとも１つ含むことを特徴とする基板処理装置。
8. 少なくとも１つの処理ユニットと、
   基板入口と基板出口との少なくとも１組と、
   前記少なくとも１つの処理ユニットと前記基板入口と前記基板出口との間で基板を搬送する搬送手段と、
   をそれぞれに備える複数のセルから構成される基板処理装置、における基板の搬送方法であって、
   前記複数のセルは、順次に隣接し合うとともに隣接するセル間で基板を受け渡し可能とされてなり、
   各セルのいずれかの基板入口から受け入れた基板は、前記基板が属する基板処理単位についてセルごとに設定されている搬送設定において定められている基板出口から払い出し、
   かつ、
   各セルの各基板出口からの基板の払い出しは、当該基板出口から払い出されるように前記搬送設定において定められている基板のうち、先に払い出し可能になった基板から順次行う、
   ことを特徴とする基板搬送方法。
9. 請求項８に記載の基板搬送方法であって、
   前記各セルは、当該セルの基板入口と少なくとも１つの他のセルの基板出口との間、および当該セルの基板出口と前記他のセルの基板入口との間にそれぞれ、基板載置部が存在するように、前記基板処理装置において配置されており、
   かつ、
   当該セルと対応する前記基板載置部に関する基板載置状態信号と、前記搬送設定とを参照して、当該セルのそれぞれの基板出口における基板の払い出し順序を定める、
   ことを特徴とする基板搬送方法。
10. 少なくとも１つの処理ユニットと、
    基板を搬送する搬送手段と、
    をそれぞれに備える複数のセルから構成される基板処理装置における基板処理方法であって、
    前記複数のセルは、順次に隣接し合うとともに隣接するセル間で基板を受け渡し可能とされてなり、
    各セルにおいて、
    基板処理単位ごとに設定されている前記各セルでの搬送設定に従って前記基板処理単位に属する基板を搬送し、
    かつ、
    異なる前記搬送設定を有する前記基板処理単位に属する複数の基板につき、先行基板のセル内処理が完了する前に前記先行基板とは異なる前記基板処理単位に属する後続基板を当該セルに受け入れる、
    ことを特徴とする基板処理方法。
11. 請求項１０に記載の基板処理方法であって、
    前記搬送設定が異なる前記基板処理単位に属する複数の基板がいずれかのセル内に同時に存在する場合に、当該セルの各基板出口からの基板の払い出しを、当該基板出口から払い出されるように前記搬送設定において定められている基板のうち、先に払い出し可能になった基板から順次行う、
    ことを特徴とする基板処理方法。
12. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
    各セルにおいて、前記制御手段は、
    前記搬送設定が異なる複数の基板処理単位の基板が、共通する前記基板入口から受け入れられ、さらに、共通する前記処理ユニットにてセル内処理が行われる場合に、先に払い出し可能な基板の前記払い出しを前記搬送手段に対して許可する
    ことを特徴とする基板処理装置。
13. 請求項５に記載の基板処理装置であって、
    前記複数のセルはそれぞれ、
    基板入口と基板出口との少なくとも１組
    をさらに備え、
    各セルにおいて、前記制御手段は、
    当該セルのいずれかの基板入口から受け入れた基板を、前記搬送設定において定められている基板出口から払い出すように、
    かつ、
    前記搬送設定が異なる複数の基板処理単位の基板が、共通する前記基板入口から受け入れられ、さらに、共通する前記処理ユニットにてセル内処理が行われる場合に、前記先行基板のセル内処理完了前の前記後続基板の前記受け入れを前記搬送手段に対して許可する
    ことを特徴とする基板処理装置。
14. 請求項８に記載の基板搬送方法であって、
    各セルにおいて、前記搬送設定が異なる複数の基板処理単位の基板が、共通する前記基板入口から受け入れられ、さらに、共通する前記処理ユニットにてセル内処理が行われる場合に、先に払い出し可能な基板の前記払い出しを許可する
    ことを特徴とする基板搬送方法。
15. 請求項１０に記載の基板処理方法であって、
    前記基板処理装置内の前記複数のセルはそれぞれ、
    基板入口と基板出口との少なくとも１組
    をさらに備え、
    各セルにおいて、
    当該セルのいずれかの基板入口から受け入れた基板を、前記搬送設定において定められている基板出口から払い出し、
    かつ、
    前記搬送設定が異なる複数の基板処理単位の基板が、共通する前記基板入口から受け入れられ、さらに、共通する前記処理ユニットにてセル内処理が行われる場合に、前記先行基板のセル内処理完了前の前記後続基板の前記受け入れを許可する
    ことを特徴とする基板処理方法。

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