JP2005101028A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】装置内での基板搬送制御を簡素化することが可能な技術を提供する。
【解決手段】セルコントローラは、搬送ロボットの動作を制御して、後投入ロットの基板の搬送が先投入ロットの基板の搬送に干渉しないように、搬送サイクル４で加熱部ＰＨＰ１に搬入された後投入ロットの基板Ｂ１が、次の搬送サイクル５で加熱部ＰＨＰ１から搬出されないようにしている。このように、後投入ロットの基板搬送と先投入ロットの基板搬送とが干渉しそうになる場合に、後投入ロットの基板を搬送せずに処理ユニットに残存させることによって、次の搬送サイクルだけを考慮して後投入ロットの基板搬送を行うことが可能になる。
【選択図】図９

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」と称する）に所定の処理を行う基板処理装置に関する。

複数の処理ユニットに基板を搬送して当該基板に一連の処理を施す基板処理装置に関して、異なる搬送順序（処理フロー）のロットを効率良く連続的に処理できる「フレックスフロー」と呼ばれる基板処理方法が提案されている。

従来のフレックスフローでは、搬送順序が異なるロットＡ，Ｂにおいて、共通して使用する処理ユニット（加熱処理ユニットなど）が存在する場合に、先に投入するロットＡの処理と、後に投入するロットＢの処理とが干渉しない条件の下で、先後のロットＡ，Ｂの処理を途切れることなく接続することによって時間ロスを低減している。なお、従来のフレックスフローの一例については特許文献１に記載されている。また以後、先に投入されるロットを「先投入ロット」、後に投入されるロットを「後投入ロット」と呼ぶ。

一般的な基板処理装置では、カセットに対して基板を出し入れするインデクサを備えている。インデクサ内には基板の受け渡し位置が設定されており、カセット内の基板はその受け渡し位置に載置される。そして、各処理ユニットに基板を搬送する搬送ロボットは、その受け渡し位置で基板を受け取り、各処理ユニットで基板の搬出入と次の処理ユニットへの搬送を行いつつ、各処理ユニットを巡回し、再び受け渡し位置に戻ってくる。従来のフレックスフローでは、基板をカセットから受け渡し位置へ搬出するタイミングを制御することによって、搬送ロボットにカセットからの基板を受け渡すタイミングを制御し、それよって先後のロットＡ，Ｂを連続的に処理している。以下に図１４を参照して、従来のフレックスフローでの基板搬送制御について説明する。

図１４は、従来のフレックスフローでの基板の搬送サイクルの一例を示す図である。図中の「ＩＤ」，「ＨＰ」，「ＣＰ」，「ＳＣ」は、インデクサ、加熱処理ユニット、冷却処理ユニット、レジストの塗布処理ユニットをそれぞれ示している。また「搬送サイクル」とは、インデクサに設けられた基板の受け渡し位置を出発した搬送ロボットが、各処理ユニットを巡回して再びその受け渡し位置に戻ってくるまでの１回の動作サイクルを示している。

先投入ロットＡの基板Ａ１〜Ａ６のそれぞれは、インデクサから搬出され、加熱処理ユニット、冷却処理ユニット、レジストの塗布処理ユニットに順に搬送され、その後インデクサに搬入されるという搬送順序を経て、一連の処理が施される。また後投入ロットＢの基板Ｂ１〜Ｂ４は、インデクサから搬出され、加熱処理ユニットに搬送されて、その後インデクサに搬入されるという搬送順序を経て、加熱処理だけが行われる。

図１４に示されるように、搬送サイクル２において、搬送ロボットは、インデクサ内の受け渡し位置に載置された先投入ロットＡの基板Ａ５を受け取って加熱処理ユニットに搬送する。その際、加熱処理ユニット内には基板Ａ４が入っているため、それを取り出してから基板Ａ５を加熱処理ユニットに搬入する。搬送ロボットは、取り出した基板Ａ４を冷却処理ユニットに搬送し、冷却処理ユニット内の基板Ａ３と、搬送してきた基板Ａ４とを入れ替える。次に、搬送ロボットは、取り出した基板Ａ３をレジストの塗布処理ユニットに搬送し、塗布処理ユニット内の基板Ａ２と、搬送してきた基板Ａ３とを入れ替える。そして、搬送ロボットは、取り出した基板Ａ２をインデクサ内の受け渡し位置に載置する。インデクサは、一連の処理が行われた基板Ａ２を受け取るとカセットに収納する。そしてインデクサは、カセットから先投入ロットの最後の基板Ａ６を取り出して、受け渡し位置に載置する。

次に搬送サイクル３において、搬送ロボットは、インデクサ内の受け渡し位置に載置された基板Ａ６を受け取って加熱処理ユニットに搬送し、基板Ａ６と加熱処理ユニット内の基板Ａ５とを入れ替える。搬送ロボットは、取り出した基板Ａ５を冷却処理ユニットに搬送し、基板Ａ５と冷却処理ユニット内の基板Ａ４とを入れ替える。そして、搬送ロボットは、取り出した基板Ａ４をレジストの塗布処理ユニットに搬送し、基板Ａ４と塗布処理ユニット内の基板Ａ３とを入れ替える。次に搬送ロボットは、取り出した基板Ａ３をインデクサ内の受け渡し位置に載置する。インデクサは、処理済みの基板Ａ３を受け取るとカセットにそれを収納する。

この後、同じロットの基板を処理する場合には、インデクサは、無条件にカセットから基板を取り出して受け渡し位置に載置するのだが、次に処理される基板は、先投入ロットＡと搬送順序が異なる後投入ロットＢの基板であるため、基板Ａ６に続いてロットＢの最初の基板Ｂ１を搬送ロボットに受け渡すと、それ以降の搬送サイクルで、基板Ｂ１の搬送がロットＡの基板の搬送と干渉する可能性がある。これを防止するために、基板処理装置内での基板搬送を制御するコントローラ（以後、「搬送コントローラ」と呼ぶ）は、ロットＢの最初の基板Ｂ１を仮想的に搬送させて、予め定められた搬送順序での基板Ｂ１の搬送がすべて終了するまでに、基板Ｂ１の搬送と先投入ロットＡの基板の搬送とが干渉しないかどうかを判断し、その結果に基づいて実際の基板搬送を制御している。

この例においては、仮に基板Ａ６に連続して基板Ｂ１を受け渡し位置に載置すると、搬送ロボットは、搬送サイクル４で、その基板Ｂ１を受け取って加熱処理ユニットに搬送することになる。この搬送サイクル４においては、先投入ロットＡの基板が加熱処理ユニットに搬送されることは無いため、基板Ｂ１の搬送と、先投入ロットＡの基板の搬送とは干渉することは無い。そして、更に基板Ｂ１の搬送を仮想的に進行させると、搬送サイクル５において、基板Ｂ１はインデクサに搬送されることになる。この搬送サイクル５においては、先投入ロットＡの基板Ａ５がインデクサに搬送されるため、基板Ｂ１の搬送と基板Ａ５の搬送とが干渉することになる。

搬送コントローラは、以上のような仮想的な搬送を内部で行い、基板Ｂ１の搬送と、先投入ロットＡの基板の搬送とが干渉するかどうかを判断する。上記例では、仮に基板Ａ６に続けて基板Ｂ１を搬送させた場合には搬送サイクル５で干渉が生じるため、搬送コントローラは、インデクサによるカセットからの基板Ｂ１の取り出しを中止して実際の搬送サイクル４を実行する。

実際の搬送サイクル４では、搬送ロボットは、インデクサから基板を受け取ることができないので、加熱処理ユニットに基板を搬送せずに、加熱処理ユニット内の基板Ａ６を取り出して冷却処理ユニットに搬送する。搬送ロボットは、基板Ａ６と冷却処理ユニット内の基板Ａ５とを入れ替えて、基板Ａ５を塗布処理ユニットに搬送する。そして、基板Ａ５と塗布処理ユニット内の基板Ａ４とを入れ替て、基板Ａ４をインデクサに搬入する。基板Ａ４を受け取ったインデクサは、カセットにそれを収納する。

搬送コントローラは、搬送サイクル５を開始する前に、再度、仮想的にロットＢの基板Ｂ１を搬送させて、基板Ｂ１に対するすべての搬送が完了するまでに、基板Ｂ１の搬送と先投入ロットＡの基板の搬送とが干渉しないかどうかを判断する。ここでは、仮にカセットから基板Ｂ１を取り出して受け渡し位置に置くと、搬送サイクル５で、搬送ロボットがその基板Ｂ１を受け取って加熱処理ユニットに搬送することになる。この搬送サイクル５においては、先投入ロットＡの基板が加熱処理ユニットに搬送されることは無いため、基板Ｂ１の搬送と、先投入ロットＡの基板の搬送とは干渉することが無い。そして、更に基板Ｂ１の搬送を仮想的に進行させると、搬送サイクル６において、基板Ｂ１はインデクサに搬送されることになる。この搬送サイクル６では、先投入ロットＡの基板Ａ６がインデクサに搬送されるため、基板Ｂ１の搬送と基板Ａ５の搬送とが干渉することになる。従って搬送コントローラは、ここでもインデクサによるカセットからの基板Ｂ１の取り出しを中止して実際の搬送サイクル５を実行する。

実際の搬送サイクル５では、塗布処理ユニットから取り出された基板Ａ５がインデクサに搬入されると、インデクサは基板Ａ５をカセットに収納する。ここで搬送コントローラは、再び、仮想的に後投入ロットＢの基板Ｂ１を搬送させて、基板Ｂ１の搬送と先投入ロットＡの基板の搬送とが干渉しないかどうかを判断する。この例では、仮にカセットから基板Ｂ１を取り出して受け渡し位置に置くと、搬送サイクル６で、その基板Ｂ１を加熱処理ユニットに搬送することになる。この搬送サイクル６においては、先投入ロットＡの基板が加熱処理ユニットに搬送されることは無いため、基板Ｂ１の搬送と、先投入ロットＡの基板の搬送とは干渉することが無い。そして、更に基板Ｂ１の搬送を仮想的に進行させると、搬送サイクル７において、基板Ｂ１はインデクサに搬送されることになる。先投入ロットＡの最後の基板Ａ６は、搬送サイクル６でインデクサに搬入されるため、搬送サイクル７では、先投入ロットＡの基板がインデクサに搬送されることは無い。従って、基板Ｂ１の搬送と基板Ａ５の搬送とは干渉しない。

このように、仮想的に基板Ｂ１を最後まで搬送させた場合に、基板Ｂ１の搬送と先投入ロットＡの基板とが干渉しないときには、搬送コントローラは、インデクサによるカセットからの基板Ｂ１の取り出しを許可し、実際の搬送サイクル６を実行する。

搬送サイクル６では、搬送ロボットは、受け渡し位置から基板Ｂ１を受け取って、加熱処理ユニットに搬送する。次に搬送ロボットは、先投入ロットＡの最後の基板Ａ６が入っている塗布処理ユニットに向かい、そこから基板Ａ６を取り出してインデクサに搬入する。インデクサは基板Ａ６をカセットに収納し、カセットから次の基板Ｂ２を取り出して、受け渡し位置に載置する。

搬送サイクル７において、搬送ロボットは、基板Ｂ２をインデクサから受け取って加熱処理ユニットに搬送する。そして、基板Ｂ２と加熱処理ユニット内の基板Ｂ１とを入れ替えて、基板Ｂ１をインデクサに搬入する。インデクサは基板Ｂ１をカセットに収納し、カセットから基板Ｂ３を取り出す。以後、同様の動作が繰り返される。

特開平７−２８３０９４号公報

以上のように、従来の基板処理装置では、搬送ロボットへの基板の受け渡しタイミングを制御することによってフレックスフローを実現しているため、後投入ロットの最初の基板に対する搬送を実際に行う際には、その最初の基板に対するすべての搬送が終了するまでに必要な搬送サイクルを考慮する必要がある。従って、基板処理装置内での基板搬送制御が複雑になり、基板処理装置が誤動作し易くなる。

そこで、本発明は上述の問題に鑑みて成されたものであり、装置内での基板搬送制御を簡素化することが可能な技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板処理装置において、基板が搬送される複数の搬送対象部と、第１の搬送順序が定められた先投入ロットの基板と、前記第１の搬送順序とは異なる第２の搬送順序が定められた後投入ロットの基板とに対して、前記複数の搬送対象部の間で循環搬送を順次行う搬送手段と、前記搬送手段の動作制御を行う動作制御手段とを備え、前記複数の搬送対象部は、基板に対して所定の処理を行う少なくとも一つの処理ユニットを含み、前記動作制御手段は、新たな搬送サイクルにおいて、前記後投入ロットの基板の搬送と、前記先投入ロットの基板の搬送との間に干渉が生じるか否かを、前記第１と第２の搬送順序を表現した情報に基づいて予測的に判定する判定手段と、前記干渉が生じると判定されたときには、当該新たな搬送サイクルにおいて、前記後投入ロットの基板のうちいずれかの処理ユニットに滞在中であって当該処理ユニットからの搬出によって前記干渉の原因となる特定の基板の搬送をとばして、前記特定の基板を当該処理ユニットに残存させつつ、当該新たな搬送サイクルを実行させる搬送サイクル修正手段と、を備える。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、第１の基板載置部を更に備え、前記複数の搬送対象部は第２の基板載置部を含み、前記搬送手段は、前記第１の基板載置部に置かれた基板を前記複数の搬送対象部に搬送し、前記少なくとも一つの処理ユニットでの処理が完了した基板を前記第２の基板載置部に載置する。

また、請求項３の発明は、請求項１及び請求項２のいずれか一つの発明に係る基板処理装置において、前記少なくとも一つの処理ユニットは加熱部を含み、前記加熱部は、搬送されてきた基板に対して加熱処理を行う加熱手段と、前記加熱手段で加熱された基板を保持して、当該基板に対して冷却処理を行う保持アームとを有する。

請求項１の発明によれば、新たな搬送サイクルにおいて、後投入ロットの基板の搬送が先投入ロットの基板の搬送に干渉すると予測された場合には、その新たな搬送サイクルでは、干渉の原因となる後投入ロットの基板を搬出せずに処理ユニットに残存させている。そのため、次の搬送サイクルで後投入ロットの基板の搬送が先投入ロットの基板の搬送と干渉するかどうかを判断するだけで、後投入ロットの基板搬送を行うことが可能になる。従って、次の搬送サイクルだけではなく、後投入ロットの基板に対するすべての搬送が終了するまでに必要な搬送サイクルを考慮して基板搬送制御を行う方法よりも、基板処理装置での搬送制御が簡素化される。その結果、基板処理装置の誤動作が低減し信頼性が向上する。

また、請求項２の発明によれば、搬送手段によって搬送対象部に搬送される基板が載置される第１の基板載置部と、処理ユニットでの処理が完了した基板が載置される第２の基板載置部とが個別に用意されているため、処理ユニットで基板が残存し、第１の基板載置部上の基板が搬送手段によって取り出されない場合であっても、処理が施された基板を第２の基板載置部に置くことができる。従って、処理ユニットで基板が残存した場合であっても、処理済みの基板を他の処理部に確実に引き渡すことができる。

また、請求項３の発明によれば、加熱部は冷却機能を有する保持アームを備えているため、加熱手段で加熱された基板をすぐに冷却することができる。従って、基板が搬送されずに加熱部に残存する場合であっても、基板が加熱後に冷却されずに放置されることを防止できる。そのため、レジスト塗布直後の加熱処理や露光直後の加熱処理などのように加熱時間を厳密に管理する必要がある加熱処理の品質を向上することができる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について詳細に説明する。

図１は、本実施形態の基板処理装置の上面図である。また、図２は基板処理装置の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は基板載置部の周辺構成を示す図である。なお図１〜４には、鉛直方向をＺ軸方向とするＸＹＺ直交座標系を付している。

本実施形態の基板処理装置は、半導体ウェハ等の基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板に現像処理を行う装置である。なお、本発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板は半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示器用のガラス基板等であっても良い。また、本発明に係る基板処理装置の処理内容は塗布膜形成や現像処理に限定されるものではなく、エッチング処理や洗浄処理であっても良い。

本実施形態の基板処理装置は、インデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５の５つの処理ブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置（ステッパ）ＳＴＰが接続配置されている。

インデクサブロック１は、複数のカセットＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台６と、各カセットＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各カセットＣに処理済みの基板Ｗを収納する基板移載機構７とを備えている。基板移載機構７は、載置台６に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能な可動台７ａを備えており、この可動台７ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂが搭載されている。保持アーム７ｂは、可動台７ａ上を昇降（Ｚ軸方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。これにより、基板移載機構７は、保持アーム７ｂを各カセットＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、カセットＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。

インデクサブロック１に隣接してバークブロック２が設けられている。インデクサブロック１とバークブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３に、インデクサブロック１とバークブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１の基板移載機構７はカセットＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２の搬送ロボット１０Ａが受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２の搬送ロボット１０Ａは処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを基板移載機構７が受け取ってカセットＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。

図４に示されるように、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて基板移載機構７やバークブロック２の搬送ロボット１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。

次に、バークブロック２について説明する。バークブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部８と、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー９と、下地塗布処理部８および熱処理タワー９に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボット１０Ａとを備える。

バークブロック２においては、搬送ロボット１０Ａを挟んで下地塗布処理部８と熱処理タワー９とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部８が装置正面側に、２つの熱処理タワー９が装置背面側に、それぞれ位置している。そして、熱処理タワー９の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。このように、下地塗布処理部８と熱処理タワー９とを離して配置するとともに、それらの間を熱隔壁で隔てることにより、熱処理タワー９から下地塗布処理部８に熱的影響を与えることを回避しているのである。

下地塗布処理部８は、図２に示されるように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニット８ａ〜８ｃを下から順に積層配置して構成されている。各塗布処理ユニット８ａ〜８ｃは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック１１、このスピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル１２およびスピンチャック１１上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示されるように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー９には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個の加熱処理ユニットＨＰ１〜ＨＰ６と、常温付近の所定温度に基板Ｗの温度を設定して維持する冷却処理ユニットＣＰ１〜ＣＰ３とが設けられている。この熱処理タワー９には、下から順に冷却処理ユニットＣＰ１〜ＣＰ３、加熱処理ユニットＨＰ１〜ＨＰ６が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー９には、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３が下から順に積層配置されている。

図５は冷却処理ユニットＣＰ１の構造を示す側面図である。なお、冷却処理ユニットＣＰ２，ＣＰ３及び後述する冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ１３の構造も、図５に示される構造と同様である。

図５に示されるように、冷却処理ユニットＣＰ１は、常温付近の所定温度に設定されるプレート４０と、プレート４０にその上面から出没自在に設けられた複数の可動支持ピン４１とを備えている。各可動支持ピン４１はその上端面で基板Ｗを下面から支持し、各可動支持ピン４１が下降してプレート４０内に埋没することによってプレート４０上に基板Ｗが載置される。また、各可動支持ピン４１が上昇してプレート４０の上面から突出することによって基板Ｗが持ち上げられ、プレート４０と基板Ｗとが離間する。

このような構成を採用することにより、例えばプレート４０の温度を２５℃に設定し、基板Ｗをプレート４０上に載置すると、加熱された基板Ｗは冷却されて基板温度が２５℃に設定される。あるいは、既に一度常温付近にまで冷却された基板Ｗは、基板温度が正確に２５℃に設定される。そして、基板Ｗがプレート４０上に搭載されている限り基板温度は２５℃に維持される。

なお、２つの熱処理タワー９のそれぞれの最下端部には、各熱処理ユニット（加熱処理ユニットＨＰ１〜ＨＰ６、冷却処理ユニットＣＰ１〜ＣＰ３、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）での温度を制御するヒータコントローラＣＯＮＴが設けられている。また、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。

このように塗布処理ユニット８ａ〜８ｃや熱処理ユニットを多段に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくしてフットプリントを削減することができる。また、２つの熱処理タワー９を並設することによって、熱処理ユニットのメンテナンスが容易になるとともに、熱処理ユニットに必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。

図６は、搬送ロボット１０Ａを説明するための図である。図６（ａ）は搬送ロボット１０Ａの平面図であり、図６（ｂ）は搬送ロボット１０Ａの正面図である。搬送ロボット１０Ａは、基板Ｗを略水平姿勢で保持する２個の保持アーム１０ａ，１０ｂを上下に近接させて備えている。保持アーム１０ａ，１０ｂは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン１０ｃで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。

搬送ロボット１０Ａの基台１０ｄは装置基台（装置フレーム）に対して固定設置されている。この基台１０ｄ上に、ガイド軸１０ｊが立設されるとともに、螺軸１０ｅが回転可能に立設支持されている。また、基台１０ｄには螺軸１０ｅを回転駆動するモータ１０ｆが固定設置されている。そして、螺軸１０ｅには昇降台１０ｇが螺合されるとともに、昇降台１０ｇはガイド軸１０ｊに対して摺動自在とされている。このような構成により、モータ１０ｆが螺軸１０ｅを回転駆動することにより、昇降台１０ｇがガイド軸１０ｊに案内されて鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降移動するようになっている。

また、昇降台１０ｇ上にアーム基台１０ｈが鉛直方向に沿った軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ｇには、アーム基台１０ｈを旋回駆動するモータ１０ｉが内蔵されている。そして、このアーム基台１０ｈ上に上述した２個の保持アーム１０ａ，１０ｂが上下に配設されている。各保持アーム１０ａ，１０ｂは、アーム基台１０ｈに装備されたスライド駆動機構（図示省略）によって、それぞれ独立して水平方向（アーム基台１０ｈの旋回半径方向）に進退移動可能に構成されている。

このような構成によって、図６（ａ）に示されるように、搬送ロボット１０Ａは２個の保持アーム１０ａ，１０ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー９に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部８に設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、レジスト塗布ブロック３について説明する。バークブロック２と現像処理ブロック４との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３が設けられている。このレジスト塗布ブロック３とバークブロック２との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にバークブロック２とレジスト塗布ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２の搬送ロボット１０Ａが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボット１０Ｂが受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボット１０Ｂが基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２の搬送ロボット１０Ａが受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボット１０Ａ，１０Ｂが基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁１３を貫通して上下に設けられている。

レジスト塗布ブロック３は、バークブロック２にて反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３は、下地塗布された反射防止膜の上にフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト塗布処理部１５と、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー１６と、レジスト塗布処理部１５および熱処理タワー１６に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボット１０Ｂとを備える。

レジスト塗布ブロック３においては、搬送ロボット１０Ｂを挟んでレジスト塗布処理部１５と熱処理タワー１６とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部１５が装置正面側に、２つの熱処理タワー１６が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー１６の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。このように、レジスト塗布処理部１５と熱処理タワー１６とを離して配置するとともに、それらの間を熱隔壁で隔てることにより、熱処理タワー１６からレジスト塗布処理部１５に熱的影響を与えることを回避しているのである。

レジスト塗布処理部１５は、図２に示されるように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃを下から順に積層配置して構成されている。各塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック１７、このスピンチャック１７上に保持された基板Ｗ上にフォトレジストを吐出する塗布ノズル１８およびスピンチャック１７上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示されるように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー１６には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個の加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６が下から順に積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー１６には、基板Ｗを常温付近の所定温度に設定して維持する冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９が下から順に積層配置されている。また、２つの熱処理タワー１６のそれぞれの最下端部には、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６や冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９などの熱処理ユニットでの温度を制御するヒータコントローラＣＯＮＴが設けられている。

図７は加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６の構造を示す図であって、図７（ａ）は側面図を、図７（ｂ）は平面図をそれぞれ示している。なお説明の便宜上、図７（ａ），７（ｂ）においては、上蓋２２及び筐体２７だけは断面構造を示しており、図７（ｂ）においては、基板仮置部１９及び隔壁２９の図示を省略している。

図７に示されるように、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のそれぞれは筐体２７を備えている。筐体２７の内部は、隔壁２９で上部と下部とに分割されており、その上部は基板Ｗが載置される基板仮置部１９として、下部は基板Ｗに対して加熱処理を行う加熱室４５としてそれぞれ使用される。そして、各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は、加熱室４５と基板仮置部１９との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構２０を更に備えている。なお、上記下部を基板仮置部１９、上部を加熱室４５としてそれぞれ使用しても良い。

加熱室４５には、載置された基板Ｗに対して加熱処理を行うホットプレート２８が設けられている。ホットプレート２８には、複数本の可動支持ピン２１がプレート表面から出没自在に設けられており、ホットプレート２８の上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。そして、基板仮置部１９においては、基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２３が隔壁２９上に設けられている。

ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを略水平姿勢で保持するプレート状の保持アーム２４を備え、この保持アーム２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動されるように構成されている。保持アーム２４には、これがホットプレート２８や基板仮置部１９の上方に進出したときに、可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しないように複数本のスリット２４ａが形成されている。

また、保持アーム２４は冷却機能を備えている。図７（ｂ）に示されるように、保持アーム２４の内部には冷却水流路２４ｂが設けられており、この冷却水流路２４ｂに冷却水を流通させることによって、保持アーム２４に保持された基板Ｗは冷却されることが可能になる。

ローカル搬送機構２０は、加熱室４５および基板仮置部１９を挟んで搬送ロボット１０Ｂとは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、筐体２７の上部には、装置正面側に基板仮置部１９への搬送ロボット１０Ｂの進入を許容する開口部１９ａが、装置背面側に基板仮置部１９へのローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂがそれぞれ設けられている。また、筐体２７の下部では、装置正面側が閉塞し、その装置背面側に加熱室４５へのローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｃが設けられている。

上述した加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６に対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、搬送ロボット１０Ａが基板Ｗを保持して、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いて、ローカル搬送機構２０の保持アーム２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持アーム２４は筐体２７から退出して、ホットプレート２８に対向する位置まで下降する。このときホットプレート２８の可動支持ピン２１は、基板Ｗの下面と保持アーム２４の上面とが接する加熱位置まで下降しているとともに、上蓋２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持アーム２４はホットプレート２８の上方に進出する。可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを受取位置にて受け取った後に保持アーム２４が退出する。続いて、可動支持ピン２１が下降して基板Ｗをホットプレート２８上に載置するととともに、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。

加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて、保持アーム２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン２１が下降することにより、基板Ｗが保持アーム２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持アーム２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１９に搬送する。基板仮置部１９内で保持アーム２４に支持された基板Ｗは、保持アーム２４によって、大まかに冷却される。そして保持アーム２４は、冷却された基板Ｗを基板仮置部１９の固定支持ピン２３上に載置する。その後、搬送ロボット１０Ｂが基板Ｗを取り出して後段の処理ユニットに搬送する。

このように、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６においては、搬送ロボット１０Ｂが常温の基板仮置部１９に対して基板Ｗの受け渡しを行うだけで、ホットプレート２８に対する基板Ｗの受け渡しを行わないため、搬送ロボット１０Ｂの温度上昇を抑制することができる。また、筐体２７の下部においては、ローカル搬送機構２０側のみに開口部１９ｃが設けられているため、開口部１９ｃから漏出した熱雰囲気によって搬送ロボット１０Ｂやレジスト塗布処理部１５が悪影響を受けることが防止される。なお、冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９に対しては搬送ロボット１０Ｂが直接基板Ｗの受け渡しを行う。

上記のバークブロック２の加熱処理ユニットＨＰ１〜ＨＰ６及び後述の加熱処理ユニットＨＰ７〜１１は、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６の加熱室４５内の構成と同様の構成を成している。すなわち、各加熱処理ユニットＨＰ１〜ＨＰ１１は、ホットプレート２８と、複数の可動支持ピン２１と、上蓋２２とを備えている。各加熱処理ユニットＨＰ１〜ＨＰ１１では、加熱処理が行われる際には、基板Ｗを支持する可動支持ピン２１が下降してホットプレート２８上に基板Ｗが載置され、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。そして、加熱処理が終了すると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗが持ち上げられ、ホットプレート２８と基板Ｗとが離間する。

搬送ロボット１０Ｂの構成は、搬送ロボット１０Ａと全く同じである。よって、搬送ロボット１０Ｂは２個の保持アーム１０ａ，１０ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー１６に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部１５に設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、現像処理ブロック４について説明する。レジスト塗布ブロック３とインターフェイスブロック５との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４が設けられている。レジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３に、レジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボット１０Ｂが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃが受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボット１０Ｂが受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボット１０Ｂ，１０Ｃが基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁１３を貫通して上下に設けられている。

現像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部３０と、現像処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３１ａ，３１ｂと、現像処理部３０および熱処理タワー３１ａ，３１ｂに対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボット１０Ｃとを備える。なお、搬送ロボット１０Ｃは、上述した搬送ロボット１０Ａ，１０Ｂと全く同じ構成を有する。

現像処理部３０は、図２に示されるように、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅを下から順に積層配置して構成されている。各現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３２、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３およびスピンチャック３２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示されるように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー３１ａには、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する５個の加熱処理ユニットＨＰ７〜ＨＰ１１と、基板Ｗの温度を常温付近の所定温度に設定して維持する冷却処理ユニットＣＰ１０〜ＣＰ１２とが設けられている。この熱処理タワー３１ａには、下から順に冷却処理ユニットＣＰ１０〜ＣＰ１２、加熱処理ユニットＨＰ７〜ＨＰ１１が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー３１ｂには、６個の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と冷却処理ユニットＣＰ１３とが積層配置されている。各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２は、上述した加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６と同様に、基板仮置部１９、加熱室４５およびローカル搬送機構２０を備えた熱処理ユニットである。但し、各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２における筐体２７の上部では、ローカル搬送機構２０側とインターフェイスブロック５の搬送ロボット１０Ｄ側とに開口部が設けられており、現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃ側は閉塞している。つまり、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に対してはインターフェイスブロック５の搬送ロボット１０Ｄはアクセス可能であるが、現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃはアクセス不可である。なお、熱処理タワー３１ａに組み込まれた熱処理ユニットに対しては現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃがアクセスする。

また、熱処理タワー３１ｂには、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４からインターフェイスブロック５へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃが基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５の搬送ロボット１０Ｄが受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５の搬送ロボット１０Ｄが基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃが受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃおよびインターフェイスブロック５の搬送ロボット１０Ｄの両側に対して開口している。

また、２つの熱処理タワー３１ａ，３１ｂのそれぞれの最下端部には、各熱処理ユニットでの温度を制御するヒータコントローラＣＯＮＴが設けられている。

次に、インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、現像処理ブロック４に隣接して設けられ、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しを行うブロックである。本実施形態のインターフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構３５の他に、フォトレジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２およびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボット１０Ｄとを備えている。

エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示されるように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３６や、このスピンチャック３６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理タワー３１ｂとに隣接して配置されている搬送ロボット１０Ｄは上述した搬送ロボット１０Ａ〜１０Ｃと同様の構成を備えている。

また、図２に示されるように、２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側には基板戻し用のリターンバッファＲＢＦが設けられ、さらにその下側には２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に積層して設けられている。リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２で露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このリターンバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。また、上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボット１０Ｄから搬送機構３５に基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構３５から搬送ロボット１０Ｄに基板Ｗを渡すために使用するものである。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボット１０Ｄがアクセスを行う。

搬送機構３５は、図２に示されるように、Ｙ軸方向に水平移動可能な可動台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂは、可動台３５ａに対して昇降移動、旋回動作および旋回半径方向への進退移動が可能に構成されている。このような構成によって、搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うとともに、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板送り用のセンドバッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納および取り出しを行う。センドバッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。

以上のインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。

また、上述したインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５は、本実施形態の基板処理装置を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている。

一方、本実施形態では、基板搬送に係る搬送制御単位を機械的に分割したブロックとは別に構成している。本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。１つのセルは、基板搬送の対象となる搬送対象部と、当該搬送対象部に対して基板搬送を行う搬送手段として機能する搬送ロボットとを含んで構成されている。本実施形態の搬送対象部には、例えば各種処理ユニット（熱処理ユニット、塗布処理ユニットおよび現像処理ユニット）や、単に基板Ｗを載置するだけの基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０、載置台６、リターンバッファＲＢＦ及びセンドバッファＳＢＦなどが含まれる。

また、各基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出すための出口基板載置部として機能する。そして、セル間の基板Ｗの受け渡しは基板載置部を介して行われる。なお本明細書では、基板移載機構７や搬送機構３５もセルの構成要素の一つである「搬送ロボット」に含める。

本実施形態の基板処理装置には、インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの６つのセルが含まれている。インデクサセルは、載置台６と基板移載機構７とを含み、結果的に機械的に分割した単位であるインデクサブロック１と同じ構成となっている。また、バークセルは、下地塗布処理部８と２つの熱処理タワー９と搬送ロボット１０Ａとを含む。このバークセルも、結果として機械的に分割した単位であるバークブロック２と同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルは、レジスト塗布処理部１５と２つの熱処理タワー１６と搬送ロボット１０Ｂとを含む。このレジスト塗布セルも、結果として機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック３と同じ構成になっている。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、後述の本実施形態の基板処理装置の動作説明からも理解できるように、インデクサセルおよびバークセルの入口基板載置部または出口基板載置部として機能するため、インデクサセルおよびバークセルの両方に含まれることになる。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、バークセルおよびレジスト塗布セルの入口基板載置部または出口基板載置部として機能するため、バークセルおよびレジスト塗布セルの両方に含まれることになる。

現像処理セルは、現像処理部３０と熱処理タワー３１ａと搬送ロボット１０Ｃとを含む。上述したように、搬送ロボット１０Ｃは熱処理タワー３１ｂの加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に対してアクセスすることができず、現像処理セルに熱処理タワー３１ｂは含まれない。この点において、現像処理セルは機械的に分割した単位である現像処理ブロック４と異なる。

また露光後ベークセルは、現像処理ブロック４に位置する熱処理タワー３１ｂ（基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８を除く）と、インターフェイスブロック５に位置するエッジ露光部ＥＥＷと、リターンバッファＲＢＦと、搬送ロボット１０Ｄとを含む。すなわち、露光後ベークセルは、機械的に分割した単位である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と搬送ロボット１０Ｄとを含んで１つのセルを構成しているので、露光後の基板Ｗを速やかに加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。

なお、熱処理タワー３１ｂに含まれる基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は現像処理セルの搬送ロボット１０Ｃと露光後ベークセルの搬送ロボット１０Ｄとの間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

インターフェイスセルは、センドバッファＳＢＦと、外部装置である露光装置ＳＴＰに対しても基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構３５とを含んで構成されている。このインターフェイスセルは、搬送ロボット１０Ｄやエッジ露光部ＥＥＷ等を含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック５とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光部ＥＥＷの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は露光後ベークセルの搬送ロボット１０Ｄとインターフェイスセルの搬送機構３５との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。また上述の各セルは、後述するスレーブコントローラＳＣをも含んで構成される。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、レジスト塗布セルおよび現像処理セルの入口基板載置部または出口基板載置部として機能するため、レジスト塗布セルおよび現像処理セルの両方に含まれることになる。また、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理セルおよび露光後ベークセルの入口基板載置部または出口基板載置部として機能するため、現像処理セルおよび露光後ベークセルの両方に含まれることになる。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの入口基板載置部または出口基板載置部として機能するため、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの両方に含まれることになる。

次に、本実施形態の基板処理装置の制御機構について説明する。図８は、制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示されるように、本実施形態の基板処理装置は、メインコントローラＭＣ、各セルに対応して個別に設けられたセルコントローラＣＣ、各セル内に個別に設けられたスレーブコントローラＳＣとで構成される３階層の制御階層を備えている。なお、図中のセルＣ１〜Ｃ６は、インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルをそれぞれ示している。

第１階層のメインコントローラＭＣは、基板処理装置全体に１つ設けられており、装置全体の動作管理およびセルコントローラＣＣの動作管理を主に担当する。メインコントローラＭＣには、各種データを記憶するメモリ５１と、各種情報を画面に表示する表示部５２と、オペレータからのデータ入力を受け付けるデータ入力部５３と、それらの動作を制御したり、セルコントローラＣＣとの通信を行う制御部５０とを備えている。

制御部５０は各種演算処理を行うＣＰＵを含んで構成されている。データ入力部５３は例えばキーボードであって、オペレータがこのキーボードを操作することによって制御部５０にデータが入力される。またメモリ５１は、オペレータがデータ入力部５３を操作して作成した処理ユニットレシピやフローレシピなどを記憶し、更に動作プログラムなども記憶している。なお、「処理ユニットレシピ」とは、各処理ユニットでの処理条件をまとめたものであって、加熱処理ユニットを例に挙げると、加熱温度や加熱時間などをまとめたものである。また「フローレシピ」とは、装置内での搬送ロボットによる基板の搬送順序、言い換えれば処理フローをまとめたものであって、搬送順序の異なるロットを基板搬送する場合にはロットごとに個別に準備される。

第２階層のセルコントローラＣＣのそれぞれは、対応するセル内での基板搬送管理および処理ユニットの動作管理を主に担当する。具体的には、例えば、各セルのセルコントローラＣＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラＣＣに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラＣＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラＣＣに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラＭＣを介して行われる。そして、各セルコントローラＣＣはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報を受け取ると、メインコントローラＭＣから受け取ったフローレシピに従って搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを搬送させる。

第３階層のスレーブコントローラＳＣのそれぞれは、セルコントローラＣＣの指示の下で、メインコントローラＭＣから受け取ったフローレシピと処理ユニットレシピとに基づいて、セル内に配置された処理ユニットを直接制御する。具体的には、熱処理ユニット（加熱処理ユニット、冷却処理ユニット、加熱部等）を制御する場合にはプレート温度等を制御し、塗布処理ユニットや現像処理ユニットを制御する場合には基板Ｗの回転数や処理液の吐出タイミング等を制御する。

このように本実施形態では、３階層の制御階層とすることによって各コントローラの制御負荷を軽減している。また、各セルコントローラＣＣは、隣接するセル内での搬送スケジュールを考慮することなく、それぞれのセル内だけの基板搬送スケジュールを管理している。そのため、各セルコントローラＣＣの搬送制御の負担が軽くなる。その結果、基板処理装置のスループットを向上させることができる。

なお、セルコントローラＣＣおよびスレーブコントローラＳＣのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵや、動作プログラムやデータなどを記憶するメモリ等を備えている。また、メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ及びスレーブコントローラＳＣは、上述の各ブロックとともに装置フレームに組み付けられる。

次に、本実施形態の基板処理装置の動作について説明する。まず、すべての処理ブロックを使用した場合の基板処理装置における基板Ｗの処理フローの一例について簡単に説明する。なお以下の例では、バークセルにおいて基板Ｗに対する密着強化処理は行われていない。

インデクサセル（インデクサブロック１）では、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に基板Ｗが無い場合、基板移載機構７が所定のカセットＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。そして、下側の基板仮置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、基板移載機構７は、その処理済の基板Ｗを受け取って、所定のカセットＣに当該基板Ｗを収納する。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に基板Ｗがなくなると、基板移載機構７は、所定のカセットＣから未処理の基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。そして、下側の基板仮置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、基板移載機構７は、その処理済の基板Ｗを受け取って、所定のカセットＣに当該基板Ｗを収納する。以後、同様の動作が繰り返して行われる。

このように、インデクサセルの基板移載機構７は、他のセル内での基板搬送状況に関わらず、基板載置部ＰＡＳＳ１に基板Ｗがない場合には、カセットＣから基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に載置し、基板載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗが載置されている場合には、その基板Ｗを取り出してカセットＣ内に収納する。

基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークセルの搬送ロボット１０Ａは保持アーム１０ｂを使用してその基板Ｗを受け取る。このとき、保持アーム１０ｂには処理済みの基板Ｗが保持されているため、搬送ロボット１０Ａは、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置されている基板Ｗを受け取る前に、この処理済の基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なおこのとき、保持アーム１０ａでは基板Ｗは保持されていない。

搬送ロボット１０Ａは未処理の基板Ｗを受け取ると、その基板Ｗを冷却処理ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送する。このとき、搬送先の冷却処理ユニットには、先行で処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ａは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗを冷却処理ユニットに搬入する。冷却処理ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬入された基板Ｗは常温付近の所定温度に設定され、搬送ロボット１０Ａが次にその冷却処理ユニットに来るまで当該所定温度に高精度に維持されている。

保持アーム１０ａ上の処理が行われた基板Ｗは、搬送ロボット１０Ａによって塗布処理ユニット８ａ〜８ｃのいずれかに搬送される。このとき、搬送先の塗布処理ユニットには、先行で反射防止用の塗布液の塗布処理が行われた基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ａは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板Ｗを塗布処理ユニットに搬入する。塗布処理ユニット８ａ〜８ｃのいずれかに搬入された基板Ｗには、搬送ロボット１０Ａが次にその塗布処理ユニットに来るまでの間に、反射防止用の塗布液が回転塗布される。

保持アーム１０ｂ上の塗布処理が終了した基板Ｗは搬送ロボット１０Ａによって加熱処理ユニットＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送される。このとき、搬送先の加熱処理ユニットには、先行で加熱処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ａは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗをホットプレートに搬入する。加熱処理ユニットＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬入された基板Ｗは、搬送ロボット１０Ａが次にその加熱処理ユニットに来るまでの間に加熱処理が行われる。そして、加熱処理ユニットにて基板Ｗが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。

保持アーム１０ａ上の加熱処理が終了した基板Ｗは、搬送ロボット１０Ａによって、基板載置部ＰＡＳＳ３，４の下方に設置された２つの水冷式のクールプレートＷＣＰのどちらかに搬送される。このとき、搬送先のクールプレートＷＣＰ上には、先行で冷却されている基板Ｗが載置されているので、搬送ロボット１０Ａは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板ＷをそのクールプレートＷＣＰに載置する。クールプレートＷＣＰに載置された基板Ｗは、搬送ロボット１０Ａが次にそのクールプレートＷＣＰに来るまで冷却される。

保持アーム１０ｂ上の冷却後の基板Ｗは搬送ロボット１０Ａによって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。そして、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に、レジスト塗布セルを介して現像処理セルから送られてきた現象処理済みの基板Ｗが置かれていると、空になった保持アーム１０ｂでその現像処理済みの基板Ｗを受け取る。

現像処理済みの基板Ｗを受け取った搬送ロボット１０Ａは、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に向かい、その現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なお、基板載置部ＰＡＳＳ４に基板Ｗが置かれていない場合には、搬送ロボット１０Ａは基板Ｗを持たずに基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に戻ってくる。そして搬送ロボット１０Ａは、基板載置部ＰＡＳＳ１に置かれている、次の未処理の基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取って、冷却処理ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送する。その後、同様の動作が繰り返して行われる。

このように、搬送ロボット１０Ａは、処理ユニットや基板載置部を含む複数の搬送対象部において、最初に基板搬送を行う搬送対象部から最後に基板搬送を行う搬送対象部まで順に基板搬送を行って、再び最初の搬送対象部への基板搬送を行って、以後同様の動作を繰り返すという、複数の搬送対象部の間での循環搬送を行っている。上記例において、基板載置部ＰＡＳＳ４に基板Ｗが置かれていない場合には、搬送ロボット１０Ａは、まず最初に冷却処理ユニットに対して基板搬送を行い、その後、塗布処理ユニット、加熱処理ユニット、クールプレートＷＣＰに対して順に基板搬送を行って、最後に基板載置部ＰＡＳＳ３に対して基板搬送を行う。そして搬送ロボット１０Ａは、再び最初の冷却処理ユニットへの基板搬送を行って、以後同様の動作を繰り返して行う。

レジスト塗布セルでは、反射防止膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、搬送ロボット１０Ｂが保持アーム１０ｂを使用してその基板Ｗを受け取る。このとき、保持アーム１０ｂには処理済みの基板Ｗが保持されているため、搬送ロボット１０Ｂは、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されている基板Ｗを受け取る前に、この処理済の基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。なおこのとき、保持アーム１０ａでは基板Ｗは保持されていない。

搬送ロボット１０Ｂは反射防止膜が形成された基板Ｗを受け取ると、その基板Ｗを冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送する。このとき、搬送先の冷却処理ユニットには、先行で処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｂは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗを冷却処理ユニットに搬入する。冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬入された基板Ｗは常温付近の所定温度に設定され、搬送ロボット１０Ｂが次にその冷却処理ユニットに来るまで当該所定温度に高精度に維持されている。

保持アーム１０ａ上の温度維持処理が行われた基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｂによって塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃのいずれかに搬送される。このとき、搬送先の塗布処理ユニットには、先行でレジストの塗布処理が行われた基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｂは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板Ｗを塗布処理ユニットに搬入する。塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃのいずれかに搬入された基板Ｗには、搬送ロボット１０Ｂが次にその塗布処理ユニットに来るまでの間に、レジストが回転塗布される。

なお、塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃに搬送される基板Ｗの温度は、冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９で所定温度に高精度で維持されていたため、塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃ内での基板間の基板温度のばらつきは小さい。従って、精密な基板温調が要求されるレジスト塗布処理での塗布性能を向上させることができる。

保持アーム１０ｂ上のレジスト塗布処理が行われた基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｂによって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のいずれかに搬送される。このとき、搬送先の加熱部の基板仮置部１９には、先行で加熱処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｂは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗを加熱部の基板仮置部１９に搬入する。加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のいずれかに搬入された基板Ｗには、搬送ロボット１０Ｂが次にその加熱部に来るまでの間に加熱処理が行われる。そして、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６にて基板Ｗが加熱処理されることにより、フォトレジスト中の溶媒成分が除去されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。なお、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６から取り出される基板Ｗは、冷却機能付きの保持アーム２４で大まかに冷却されている。

保持アーム１０ａ上の加熱処理が終了した基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｂによって、冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９のうち、先程使用された冷却処理ユニットとは別の冷却処理ユニットに搬送される。このとき、搬送先の冷却処理ユニットには、先行で処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｂは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板Ｗを冷却処理ユニットに搬入する。冷却処理ユニットに搬入された基板Ｗは常温付近の所定温度にまで冷却され、搬送ロボット１０Ｂが次にその冷却処理ユニットに来るまで当該所定温度に高精度で維持されている。

保持アーム１０ｂ上の冷却後の基板Ｗは搬送ロボット１０Ｂによって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。そして、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６に現象処理済みの基板Ｗが置かれていると、空になった保持アーム１０ｂでその現像処理済みの基板Ｗを受け取る。

現像処理済みの基板Ｗを受け取った搬送ロボット１０Ｂは、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に向かい、その現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。なお、基板載置部ＰＡＳＳ６に基板Ｗが置かれていない場合には、搬送ロボット１０Ｂは基板Ｗを持たずに基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に戻ってくる。そして、搬送ロボット１０Ｂは、基板載置部ＰＡＳＳ３に置かれている、次の反射防止膜が形成されている基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取り、その基板Ｗを冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送する。その後、同様の動作が繰り返して行われる。

このように、搬送ロボット１０Ｂは、バークセルの搬送ロボット１０Ａと同様に、複数の搬送対象部の間での循環搬送を行っている。上記例において、基板載置部ＰＡＳＳ６に基板Ｗが置かれていない場合には、搬送ロボット１０Ｂは、まず最初に冷却処理ユニットに対して基板搬送を行い、その後、レジストの塗布処理ユニット、加熱部、冷却処理ユニットに対して順に基板搬送を行って、最後に基板載置部ＰＡＳＳ５に対して基板搬送を行う。そして搬送ロボット１０Ｂは、再び最初の冷却処理ユニットへの基板搬送を行って、以後同様の動作を繰り返して行う。

現像処理セルでは、レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、搬送ロボット１０Ｃが保持アーム１０ｂを使用してその基板Ｗを受け取る。このとき、保持アーム１０ｂには処理済みの基板Ｗが保持されているため、搬送ロボット１０Ｃは、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されている基板Ｗを受け取る前に、この処理済の基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。なおこのとき、保持アーム１０ａでは基板Ｗは保持されていない。

搬送ロボット１０Ｃはレジスト膜が形成された基板Ｗを受け取ると、その基板Ｗをそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８に、露光後の加熱処理が行われた基板Ｗが置かれていると、空になった保持アーム１０ｂでその基板Ｗを受け取る。

搬送ロボット１０Ｃは露光後の加熱処理が行われた基板Ｗを受け取ると、その基板Ｗを冷却処理ユニットＣＰ１０〜ＣＰ１２のいずれかに搬送する。このとき、搬送先の冷却処理ユニットには、先行で処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｃは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗを冷却処理ユニットに搬入する。冷却処理ユニットＣＰ１０〜ＣＰ１２のいずれかに搬入された基板Ｗは常温付近の所定温度に設定され、搬送ロボット１０Ｃが次にその冷却処理ユニットに来るまで当該所定温度に高精度に維持されている。

保持アーム１０ａ上の温度維持処理が行われた基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｃによって現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅのいずれかに搬送される。このとき、搬送先の現像処理ユニットには、先行で現像処理が行われた基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｃは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板Ｗを現像処理ユニットに搬入する。現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅのいずれかに搬入された基板Ｗには、搬送ロボット１０Ｃが次にその現像処理ユニットに来るまでの間に、現像処理が行われる。

保持アーム１０ｂ上の現像処理が終了した基板Ｗは搬送ロボット１０Ｃによって加熱処理ユニットＨＰ７〜ＨＰ１１のいずれかに搬送される。このとき、搬送先の加熱処理ユニットには、先行で加熱処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｃは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗを加熱処理ユニットに搬入する。加熱処理ユニットＨＰ７〜ＨＰ１１のいずれかに搬入された基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｃが次にその加熱処理ユニットに来るまでの間に加熱処理が行われる。

保持アーム１０ａ上の加熱処理が終了した基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｃによって、基板載置部ＰＡＳＳ５，６の下方に設置された２つの水冷式のクールプレートＷＣＰのどちらかに搬送される。このとき、搬送先のクールプレートＷＣＰ上には、先行で冷却されている基板Ｗが載置されているので、搬送ロボット１０Ｃは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板ＷをそのクールプレートＷＣＰに載置する。クールプレートＷＣＰに載置された基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｃが次にそのクールプレートＷＣＰに来るまで冷却される。

冷却後の基板Ｗを受け取った搬送ロボット１０Ｃは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ５に次のレジスト膜形成後の基板Ｗが置かれていれば、それを保持アーム１０ｂで受け取り、基板載置部ＰＡＳＳ７に搬送して載置し、置かれていなければ基板Ｗを持たずに基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に戻る。そして搬送ロボット１０Ｃは、基板載置部ＰＡＳＳ８から次の基板Ｗを受け取って、冷却処理ユニットＣＰ１０〜ＣＰ１２のいずれかに搬送する。その後、同様の動作が繰り返して行われる。

このように、搬送ロボット１０Ｃは、搬送ロボット１０Ａ，１０Ｂと同様に、複数の搬送対象部の間での循環搬送を行っている。上記例において、基板載置部ＰＡＳＳ５に基板Ｗが置かれていない場合には、搬送ロボット１０Ｃは、まず最初に冷却処理ユニットに対して基板搬送を行い、その後、現像処理ユニット、加熱処理ユニット、クールプレートＷＣＰに対して順に基板搬送を行って、最後に基板載置部ＰＡＳＳ６に対して基板搬送を行う。そして搬送ロボット１０Ｃは、再び最初の冷却処理ユニットへの基板搬送を行って、以後同様の動作を繰り返して行う。

露光後ベークセルでは、レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されると、搬送ロボット１０Ｄが保持アーム１０ｂを使用してその基板Ｗを受け取る。このとき、保持アーム１０ｂには、露光後の加熱処理が行われた基板Ｗが保持されているため、搬送ロボット１０Ｄは、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されている基板Ｗを受け取る前に、この処理済の基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。なおこのとき、保持アーム１０ａでは基板Ｗは保持されていない。

搬送ロボット１０Ｄはレジスト膜が形成された基板Ｗを受け取ると、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷのいずれかに搬入する。このとき、搬送先のエッジ露光部ＥＥＷには、先行で処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｄは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷに搬入された基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｄが次にそのエッジ露光部ＥＥＷに来るまでの間に、その周縁部が露光される。

保持アーム１０ａ上のエッジ露光処理が終了した基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｄによって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０に、露光装置ＳＴＰで露光された基板Ｗが置かれていると、空になった保持アーム１０ａでその露光処理済みの基板Ｗを受け取る。

保持アーム１０ａ上の露光処理済みの基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｄによって、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬送される。このとき、搬送先の加熱部には、先行で加熱処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｄは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板Ｗを加熱部に搬入する。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬入された基板Ｗには、搬送ロボット１０Ｄが次にその加熱部に来るまでの間に、露光時の光化学反応によって生じた生成物をレジスト膜内に均一に拡散させるための加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。なお、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２から取り出される基板Ｗは、冷却機能付きの保持アーム２４で大まかに冷却されている。

露光後の加熱処理が行われた基板Ｗを受け取った搬送ロボット１０Ｄは、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に向かい、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが置かれていない場合には、搬送ロボット１０Ｄは加熱部ＰＨＰを経由せずに基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に戻る。そして搬送ロボット１０Ｄは、基板載置部ＰＡＳＳ７に置かれている、次のレジスト膜が形成された基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取って、エッジ露光部ＥＥＷのいずれかに搬入する。その後、同様の動作が繰り返して行われる。

このように、搬送ロボット１０Ｄは、搬送ロボット１０Ａ〜１０Ｃと同様に、複数の搬送対象部の間での循環搬送を行っている。上記例において、基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが置かれていない場合には、搬送ロボット１０Ｄは、まず最初にエッジ露光部ＥＥＷに対して基板搬送を行い、最後に基板載置部ＰＡＳＳ９に対して基板搬送を行う。そして搬送ロボット１０Ｄは、再び最初のエッジ露光部ＥＥＷへの基板搬送を行って、以後同様の動作を繰り返して行う。

インターフェイスセルでは、エッジ露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９に載置されると、搬送機構３５はその基板Ｗを受け取って、装置外の露光装置ＳＴＰに当該基板Ｗを搬入する。露光装置ＳＴＰに搬入された基板Ｗはパターン露光処理に供される。また、搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから露光済みの基板Ｗを受け取ってその基板を基板載置部ＰＡＳＳ１０に載せる。そして搬送機構３５は、基板載置部ＰＡＳＳ９から次のエッジ露光後の基板Ｗを受け取って、同様の動作を繰り返す。

ここで、装置外の露光装置ＳＴＰも一つの搬送対象部と見なすと、搬送機構３５は、搬送ロボット１０Ａ〜１０Ｄと同様に、複数の搬送対象部の間での循環搬送を行っている。上記例では、搬送機構３５は、まず最初に露光装置ＳＴＰに対して基板搬送を行い、最後に基板載置部ＰＡＳＳ１０に対して基板搬送を行う。そして搬送機構３５は、再び最初の露光装置ＳＴＰへの基板搬送を行って、以後同様の動作を繰り返して行う。

以上のように、カセットＣから順次取り出された基板Ｗは、基板載置部や処理ユニット等の基板Ｗの搬送対象部に順次搬送され、搬送対象部に搬送された基板Ｗは、搬送ロボットによって順次そこから搬出される。また各処理ユニットにおいては、搬送されてくる基板Ｗは順次入れ替えられて所定の処理が実行される。そして、一連の処理が実行された基板Ｗはインデクサに戻り再度カセットＣ内に収納される。

本実施形態の基板処理装置では、各セルでの搬送対象部への基板Ｗの搬送は、対応するセルコントローラＣＣがフローレシピに基づいて搬送ロボットを制御して行われる。そして、基板Ｗを受け取った処理ユニットは、スレーブコントローラＳＣの制御下で所定の処理を行う。

また、本実施形態の各セルにおいては、相互に独立して基板の搬送制御が行われる。そのため、各セルコントローラＣＣは、自身が管理するセル以外での基板搬送状況を知ることが無い。従って、本実施形態の基板処理装置に新たなセルを追加したとしても、他のセル内での基板搬送には影響を与えないため、機能の拡張性に優れている。

なお、セル内の搬送ロボットが行う循環搬送においては、搬送ロボットが基板Ｗの受け取り位置、つまり入口基板載置部で基板Ｗを受け取って、各搬送対象部への基板搬送を行い、再び基板Ｗの受け取り位置に戻ってくることによって、１回の搬送サイクルが終了する。例えば、バークセルにおいては、搬送ロボット１０Ａが基板載置部ＰＡＳＳ１を出発し、再度基板載置部ＰＡＳＳ１に戻ってくることによって、１回の搬送サイクルが終了する。

次に、本実施形態の基板処理装置におけるフレックスフローについて図９を参照して説明する。図９は本実施形態のフレックスフローにおける搬送サイクルの一例を示している。ここでは、インデクサセルから払い出された基板Ｗが、バークセルでの処理が行われずにそのままレジスト塗布セルに搬送され、レジスト塗布セルで処理された後に、現像処理セル等の後段のセルへは搬送されずにインデクサセルへと戻っていく搬送順序を考える。

先投入ロットＡの基板Ａ１〜Ａ６のそれぞれは、搬送ロボット１０Ｂによる循環搬送によって、基板載置部ＰＡＳＳ３から搬出され、加熱部ＰＨＰ１、冷却処理ユニットＣＰ４、レジストの塗布処理ユニット１５ａに順に搬送されて、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置されるという搬送順序を経て、一連の処理が施される。また後投入ロットＢの基板Ｂ１〜Ｂ４は、基板載置部ＰＡＳＳ３から搬出され、加熱部ＰＨＰ１に搬送されて、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置されるという搬送順序を経て、加熱処理が行われる。

なお、レジスト塗布セル内でのロットＡ，Ｂの基板搬送は、レジスト塗布セルを制御するセルコントローラＣＣ（以後、「セルコントローラＲＣＣ」と呼ぶ）が、メインコントローラＭＣから受け取ったロットＡのフローレシピと、ロットＢのフローレシピとに基づいて、搬送ロボット１０Ｂの動作制御を行うことによって実現される。

図９に示されるように、バークセルの搬送ロボット１０Ａが基板載置部ＰＡＳＳ１から先投入ロットＡの基板Ａ５を取り出して基板載置部ＰＡＳＳ３にその基板Ａ５を載置すると、レジスト塗布セルでの搬送サイクル２が開始し、搬送ロボット１０Ｂは、基板載置部ＰＡＳＳ３上の基板Ａ５を受け取って加熱部ＰＨＰ１に搬送する。その際、加熱部ＰＨＰ１の基板仮置部１９には基板Ａ４が入っているため、それを取り出してから基板Ａ５を加熱部ＰＨＰ１に搬入する。

バークセルの搬送ロボット１０Ａによって基板載置部ＰＡＳＳ１から基板Ａ５が取り出されると、インデクサセルの基板移載機構７はカセットＣから次の基板Ｗ、つまり先投入ロットＡの最後の基板Ａ６を取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。そして、バークセルの搬送ロボット１０Ａは、基板載置部ＰＡＳＳ１から基板Ａ６を取り出して、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

搬送ロボット１０Ｂは、加熱部ＰＨＰ１から取り出した基板Ａ４を冷却処理ユニットＣＰ４に搬送し、冷却処理ユニットＣＰ４内の基板Ａ３と、搬送してきた基板Ａ４とを入れ替える。次に搬送ロボット１０Ｂは、取り出した基板Ａ３を塗布処理ユニット１５ａに搬送し、塗布処理ユニット１５ａ内の基板Ａ２と、搬送してきた基板Ａ３とを入れ替える。そして搬送ロボット１０Ｂは、取り出した基板Ａ２を持って基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に戻り、当該基板Ａ２を基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。これによってレジスト塗布セルでの搬送サイクル２が終了する。

基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ａ２は、バークセルの搬送ロボット１０Ａによって受け取られ、搬送ロボット１０Ａは基板Ａ２を基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。インデクサセルの基板移載機構７は、基板載置部ＰＡＳＳ２から一連の処理が行われた基板Ａ２を受け取ってカセットＣに収納する。

バークセルの搬送ロボット１０Ａが基板載置部ＰＡＳＳ１から基板Ａ６を取り出して基板載置部ＰＡＳＳ３に載置すると、レジスト塗布ユニットでの搬送サイクル３が開始し、搬送ロボット１０Ｂは、基板載置部ＰＡＳＳ３上の基板Ａ６を受け取って加熱部ＰＨＰ１に搬送し、基板Ａ６と加熱部ＰＨＰ１内の基板Ａ５とを入れ替える。

基板載置部ＰＡＳＳ１から基板Ａ６が取り出されると、インデクサセルの基板移載機構７はカセットＣから次の基板Ｗ、つまり後投入ロットＢの最初の基板Ｂ１を取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。そして、バークセルの搬送ロボット１０Ａは、基板載置部ＰＡＳＳ１から基板Ｂ１を取り出して基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

搬送ロボット１０Ｂは、加熱部ＰＨＰ１から取り出した基板Ａ５を冷却処理ユニットＣＰ４に搬送し、基板Ａ５と冷却処理ユニットＣＰ４内の基板Ａ４とを入れ替える。そして搬送ロボット１０Ｂは、取り出した基板Ａ４を塗布処理ユニット１５ａに搬送し、基板Ａ４と塗布処理ユニット１５ａ内の基板Ａ３とを入れ替える。次に搬送ロボット１０Ｂは、取り出した基板Ａ３を基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。これにより、搬送サイクル３が終了する。

基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ａ３は、バークセルを介してインデクサセルに搬送され、インデクサセルは受け取った処理済みの基板Ａ３をカセットＣ内に収納する。

バークセルの搬送ロボット１０Ａによって、基板載置部ＰＡＳＳ１から基板Ｂ１が取り出されて基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、セルコントローラＲＣＣは、基板Ｂ１を基板載置部ＰＡＳＳ３から取り出す前に、図１０に示されるように、後投入ロットＢの基板を搬送する場合の次の搬送サイクル４を、ロットＡ，Ｂのそれぞれのフローレシピに基づいて内部で仮想的に行う。そして、この仮想的な搬送サイクル４において、基板Ｂ１の搬送と先投入ロットＡの基板の搬送とが干渉するかどうかを判定する。図１０に示されるように、仮想的な搬送サイクル４では、基板Ｂ１は加熱部ＰＨＰ１に搬送され、加熱部ＰＨＰ１にはロットＡの基板は搬送されないため、基板Ｂ１の搬送とロットＡの基板の搬送との干渉は生じない。

このように、セルコントローラＲＣＣは、後投入ロットＢの基板の搬送を行う前に、次の搬送サイクルを仮想的に実行して、新たな搬送サイクルにおいて、後投入ロットＢの基板の搬送と先投入ロットＡの基板の搬送との間に干渉が生じるか否かを、ロットＡ，Ｂの搬送順序を表現した情報であるフローレシピに基づいて予測的に判定している。上述のように、仮想的な搬送サイクル４では、基板Ｂ１の搬送と、先投入ロットＡの基板の搬送とは干渉しないため、セルコントローラＲＣＣは、搬送ロボット１０Ｂの動作制御を行って、図９に示されるように、仮想的に行った搬送サイクル４を実際に実行する。搬送サイクル４が開始すると、搬送ロボット１０Ｂは、基板載置部ＰＡＳＳ３から基板Ｂ１を取り出して、基板Ｂ１を加熱部ＰＨＰ１に搬送し、基板Ｂ１と加熱部ＰＨＰ１内の基板Ａ６とを入れ替える。

なお、基板載置部ＰＡＳＳ１から基板Ｂ１が取り出されると、インデクサセルの基板移載機構７はカセットＣから次の基板Ｂ２を取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。そして、バークセルの搬送ロボット１０Ａは、基板載置部ＰＡＳＳ１から基板Ｂ２を取り出して、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

搬送ロボット１０Ｂは、加熱部ＰＨＰ１から取り出した基板Ａ６を冷却処理ユニットＣＰ４に搬送し、基板Ａ６と冷却処理ユニットＣＰ４内の基板Ａ５とを入れ替える。そして、搬送ロボット１０Ｂは、取り出した基板Ａ５を塗布処理ユニット１５ａに搬送し、基板Ａ５と塗布処理ユニット１５ａ内の基板Ａ４とを入れ替える。次に搬送ロボット１０Ｂは、取り出した基板Ａ４を基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。これにより、搬送サイクル４が終了する。その後、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ａ４はカセットＣに収納される。

バークセルの搬送ロボット１０Ａによって、基板載置部ＰＡＳＳ１から基板Ｂ２が取り出されて基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、セルコントローラＲＣＣは、基板Ｂ２を基板載置部ＰＡＳＳ３から取り出す前に、図１１に示されるように、後投入ロットの基板を搬送する場合の次の搬送サイクル５を仮想的に行う。そして、この仮想的な搬送サイクル５において、後投入ロットＢの基板の搬送と先投入ロットＡの基板の搬送とが干渉するかどうかを判定する。図１１に示されるように、仮想的な搬送サイクル５では、基板Ａ５と基板Ｂ１とがＰＡＳＳ４に搬送されるため、先投入ロットＡの基板の搬送と、後投入ロットＢの基板の搬送とが干渉する。

セルコントローラＲＣＣは、次の搬送サイクルを仮想的に行った結果、このように先投入ロットＡの基板の搬送と後投入ロットＢの基板の搬送との間に干渉が生じる判定した際には、実際に行う次の搬送サイクルにおいて、処理ユニットに滞在中であって当該処理ユニットからの搬出によってこの干渉の原因となる後投入ロットＢの基板の搬送をとばすように、搬送ロボット１０Ｂの動作制御を行う。

この例においては、セルコントローラＲＣＣは、実際の次の搬送サイクル５において、図１１に示される仮想的な搬送サイクル５を実行せずに、搬送ロボット１０Ｂの動作を制御して、干渉原因となる基板Ｂ１の加熱部ＰＨＰ１からの搬出を行わない。これにより、基板Ｂ１が加熱部ＰＨＰ１内に残存する。具体的には、実際の搬送サイクル５では、図９に示されるように、搬送ロボット１０Ｂは基板載置部ＰＡＳＳ３から基板Ｂ２を受け取らず、更に加熱部ＰＨＰ１内の基板Ｂ１の冷却処理ユニットＣＰ４への搬送をとばして、冷却処理ユニットＣＰ４の中の基板Ａ６を取り出し、その基板Ａ６を塗布処理ユニット１５ａに搬送する。そして搬送ロボット１０Ｂは、基板Ａ６と塗布処理ユニット１５ａ内の基板Ａ５とを入れ替えて、取り出した基板Ａ５を基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。その後、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ａ５はカセットＣ内に収納される。

なお、加熱部ＰＨＰ１での基板Ｂ１に対する加熱処理は搬送サイクル４で完了し、実際の搬送サイクル５では、大まかに冷却された基板Ｂ１が基板仮置部１９に載置されている。

セルコントローラＲＣＣは、搬送ロボット１０Ｂが基板載置部ＰＡＳＳ４に基板Ａ５を載置すると、図１２に示されるように再び次の搬送サイクル６を仮想的に行う。図１２に示されるように、この仮想的な搬送サイクル６では、基板Ａ６と基板Ｂ１とがＰＡＳＳ４に搬送されるため、先投入ロットＡの基板の搬送と、後投入ロットＢの基板の搬送とが干渉する。従って、図９に示されるように、セルコントローラＲＣＣは、実際の次の搬送サイクル６において、搬送ロボット１０Ｂの動作を制御して、加熱部ＰＨＰ１からの基板Ｂ１の搬出を行わずに、基板Ｂ１を加熱部ＰＨＰ１内に残存させる。具体的には、実際の搬送サイクル６では、搬送ロボット１０Ｂは基板載置部ＰＡＳＳ３から基板Ｂ２を受け取らず、更に基板Ｂ１の搬送をとばして、塗布処理ユニット１５ａに向かい、塗布処理ユニット１５ａ内の基板Ａ６を取り出す。そして搬送ロボット１０Ｂは、取り出した基板Ａ６を基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。その後、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ａ６はカセットＣ内に収納される。

セルコントローラＲＣＣは、搬送ロボット１０Ｂが基板載置部ＰＡＳＳ４に基板Ａ６を載置すると、図１３に示されるように、再度次の搬送サイクル７を仮想的に行う。図１３に示されるように、この仮想的な搬送サイクル７では、基板Ｂ１，Ｂ２はそれぞれ基板載置部ＰＡＳＳ４及び加熱部ＰＨＰ１に搬送され、基板載置部ＰＡＳＳ４及び加熱部ＰＨＰ１にはロットＡの基板は搬送されないため、ロットＢの基板の搬送とロットＡの基板の搬送とは干渉しない。従って図９に示されるように、セルコントローラＲＣＣは、図１３に示される仮想的な搬送サイクル７を実際に実行する。

搬送サイクル７において、搬送ロボット１０Ｂは、基板載置部ＰＡＳＳ３から基板Ｂ２を取り出して加熱部ＰＨＰ１に搬送する。そして搬送ロボット１０Ｂは、基板Ｂ２と加熱部ＰＨＰ１内の基板Ｂ１とを入れ替え、基板Ｂ１を基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。その後、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｂ１はカセットＣ内に収納される。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１から基板Ｂ２が取り出されると、インデクサセルの基板移載機構７はカセットＣから次の基板Ｂ３を取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。そして、バークセルの搬送ロボット１０Ａは、基板載置部ＰＡＳＳ１から基板Ｂ３を取り出して、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

セルコントローラＲＣＣは、後投入ロットＢの最初の基板Ｂ１を最後の搬送対象部まで搬送すると、仮想的な搬送サイクルを実行せずに、後投入ロットＢの基板の搬送を順次行う。本例では、搬送サイクル７で基板Ｂ１は最後の搬送対象部である基板載置部ＰＡＳＳ４に載置されるため、次の搬送サイクル８がすぐに実行される。搬送サイクル８においては、搬送ロボット１０Ｂが、基板載置部ＰＡＳＳ３から基板Ｂ３を取り出して加熱部ＰＨＰ１に搬送し、基板Ｂ３と加熱部ＰＨＰ１内の基板Ｂ２とを入れ替える。そして、基板Ｂ２を基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。以後、同様の動作が繰り返される。

なお上記例では、レジスト塗布セルだけで処理が行われる場合について説明したが、バークセルや現像処理セル、あるいは露光後ベークセルで処理が行われる場合であっても、それぞれのセルを制御するセルコントローラＣＣは、自身が管理するセル以外での搬送状況に関係なく、次の搬送サイクルで先投入ロットの基板の搬送と後投入ロットの基板の搬送とが干渉すると予測的に判定した際には、実際に行う次の搬送サイクルにおいて、処理ユニットからの搬出によってこの干渉の原因となる後投入ロットの基板の搬送をとばすように、搬送ロボットの動作を制御する。また、基板Ｗの搬送がとばされて当該基板Ｗが加熱処理ユニットや冷却処理ユニットに残存している場合には、可動支持ピンが上昇しておりプレートと基板Ｗとが離間している。

このように本実施形態の基板処理装置では、セルコントローラＣＣは、新たな搬送サイクルにおいて、後投入ロットの基板搬送と先投入ロットの基板搬送との間に干渉が生じるか否かを予測的に判定している。そして、干渉が生じると判定した場合には、その新たな搬送サイクルにおいて、処理ユニットからの搬出によってこの干渉の原因となる後投入ロットの基板の搬送をとばしている。つまり、新たな搬送サイクルにおいて、後投入ロットの基板の搬送が先投入ロットの基板の搬送に干渉すると予測された場合には、その新たな搬送サイクルでは、干渉の原因となる後投入ロットの基板を搬出せずに処理ユニットに残存させている。そのため、本実施形態でのフレックスフローのように、次の搬送サイクルで後投入ロットの基板の搬送が先投入ロットの基板の搬送と干渉するかどうかを判断するだけで、後投入ロットの基板搬送を行うことが可能になる。従って、次の搬送サイクルだけではなく、後投入ロットの基板に対するすべての搬送が終了するまでに必要な搬送サイクルを考慮して基板搬送制御を行う方法よりも、基板処理装置での搬送制御が簡素化される。その結果、基板処理装置の誤動作が低減し信頼性が向上する。

また、本実施形態の基板処理装置では、搬送ロボットによって搬送対象部に搬送される基板Ｗが載置される入口基板載置部と、処理ユニットでの処理が完了した基板Ｗが載置される出口基板載置部が個別に用意されているため、図９に示される搬送サイクル５，６のように、処理ユニットで基板Ｗが残存し、入口基板載置部上の基板Ｗが搬送ロボットによって取り出されない場合であっても、処理が施された基板Ｗを出口基板載置部に置くことができる。従って、処理ユニットで基板Ｗが残存した場合であっても、処理済みの基板Ｗを他の処理部に確実に引き渡すことができる。

また、本実施形態の加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ１２では、冷却機能を有する保持アーム２４を備えているため、ホットプレート２８で加熱された基板Ｗをすぐに冷却することができる。従って、基板Ｗが搬送されずに加熱部に残存する場合であっても、基板Ｗが加熱後に冷却されずに放置されることを防止できる。そのため、レジスト塗布直後の加熱処理や露光直後の加熱処理などの、加熱時間を厳密に管理する必要がある加熱処理の品質を向上することができる。

なおバークセルや現像処理セルにおいては、通常、レジスト塗布セルや露光後バークセルほど、加熱処理後すぐに冷却処理を行うことは求められていないが、ユーザーがより高い品質を求めている場合には、各セルの加熱処理ユニットの代わりに加熱部を設けても良い。

また上記例では、後投入ロットＢの基板を実際に搬送する段階で次の搬送サイクルを仮想的に実行し、ロットＢにおける実際の搬送サイクルの内容を決定していたが、先投入ロットＡの基板搬送を開始する前に、ロットＡ，Ｂに関するすべての搬送サイクルの内容をまとめた搬送工程表を予め作成し、この搬送工程表に基づいてロットＡ，Ｂの基板搬送を行ってもよい。この搬送工程表は、例えば図９に示される表に、最初の基板Ａ１の搬送が開始する搬送サイクルから、基板Ａ３の搬送が開始する搬送サイクル（図９の搬送サイクル１の一つまえの搬送サイクル）までの内容と、後投入ロットＢの最後の基板Ｂ４の搬送が開始する搬送サイクル（図９の搬送サイクル８の次の搬送サイクル）から、基板Ｂ４の搬送が終了する搬送サイクルまでの内容とを追加したものであって、セルコントローラＲＣＣが事前に作成する。

搬送工程表の作成方法としては、例えばセルコントローラＲＣＣは、図９の搬送サイクル３までの搬送工程表をロットＡのフローレシピに基づいてまず作成する。そしてセルコントローラＲＣＣは、上述のように、次の搬送サイクルをロットＡ，Ｂのフローレシピに基づいて内部で仮想的に行って、ロットＢの基板搬送とロットＡの基板搬送とが干渉するか否かを予測的に判定する。そして、判定した結果に基づいて実際に行う搬送サイクルの内容を決定し、図９の搬送サイクル４以降の搬送工程表を作成する。その後セルコントローラＲＣＣは、完成した搬送工程表に基づいてロットＡ，Ｂの基板搬送を行う。

このような場合であっても、後投入ロットＢの基板の次の搬送サイクルだけを考慮して搬送工程表を作成することができるため、搬送工程表の作成段階から基板搬送制御が開始されると考えると、装置内の搬送制御を簡素化できる。なお、上述のように各セルコントローラは自身が管理するセル以外での基板搬送状況を認識していないため、搬送工程表はセルごとに用意される。

また、本発明に係る基板処理装置の構成は図１から図４に示したような形態に限定されるものではなく、基板Ｗに所定の処理を行う処理部に対して搬送ロボットによって基板Ｗを搬送するような形態であれば種々の変形が可能である。

本実施形態の基板処理装置の平面図である。 本実施形態の液処理部の正面図である。 本実施形態の熱処理部の正面図である。 本実施形態の基板処理装置の基板載置部の周辺構成を示す図である。 本実施形態の冷却処理ユニットの構成を示す側面図である。 本実施形態の搬送ロボットの構成を示す図である。 本実施形態の加熱部の構成を示す図である。 本実施形態の基板処理装置の制御機構の概略を示すブロック図である。 本実施形態の基板処理装置での搬送サイクルを示す図である。 本実施形態の基板処理装置での仮想的な搬送サイクルを示す図である。 本実施形態の基板処理装置での仮想的な搬送サイクルを示す図である。 本実施形態の基板処理装置での仮想的な搬送サイクルを示す図である。 本実施形態の基板処理装置での仮想的な搬送サイクルを示す図である。 従来の基板処理装置での搬送サイクルを示す図である。

符号の説明

２４ 保持アーム
２８ ホットプレート
ＣＣ セルコントローラ
ＣＰ１〜ＣＰ１３ 冷却処理ユニット
ＨＰ１〜ＨＰ１１ 加熱処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ 基板載置部
ＰＨＰ１〜ＰＨＰ１２ 加熱部
Ｗ 基板

Claims (3)

1. 基板が搬送される複数の搬送対象部と、
   第１の搬送順序が定められた先投入ロットの基板と、前記第１の搬送順序とは異なる第２の搬送順序が定められた後投入ロットの基板とに対して、前記複数の搬送対象部の間で循環搬送を順次行う搬送手段と、
   前記搬送手段の動作制御を行う動作制御手段と
   を備え、
   前記複数の搬送対象部は、基板に対して所定の処理を行う少なくとも一つの処理ユニットを含み、
   前記動作制御手段は、
   新たな搬送サイクルにおいて、前記後投入ロットの基板の搬送と、前記先投入ロットの基板の搬送との間に干渉が生じるか否かを、前記第１と第２の搬送順序を表現した情報に基づいて予測的に判定する判定手段と、
   前記干渉が生じると判定されたときには、当該新たな搬送サイクルにおいて、前記後投入ロットの基板のうちいずれかの処理ユニットに滞在中であって当該処理ユニットからの搬出によって前記干渉の原因となる特定の基板の搬送をとばして、前記特定の基板を当該処理ユニットに残存させつつ、当該新たな搬送サイクルを実行させる搬送サイクル修正手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 第１の基板載置部を更に備え、
   前記複数の搬送対象部は第２の基板載置部を含み、
   前記搬送手段は、
   前記第１の基板載置部に置かれた基板を前記複数の搬送対象部に搬送し、
   前記少なくとも一つの処理ユニットでの処理が完了した基板を前記第２の基板載置部に載置することを特徴する請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記少なくとも一つの処理ユニットは加熱部を含み、
   前記加熱部は、
   搬送されてきた基板に対して加熱処理を行う加熱手段と、
   前記加熱手段で加熱された基板を保持して、当該基板に対して冷却処理を行う保持アームと
   を有することを特徴とする請求項１及び請求項２のいずれか一つに記載の基板処理装置。
   

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