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JP4076475B2 - Method for manufacturing dielectric line filter - Google Patents

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JP4076475B2
JP4076475B2 JP2003135860A JP2003135860A JP4076475B2 JP 4076475 B2 JP4076475 B2 JP 4076475B2 JP 2003135860 A JP2003135860 A JP 2003135860A JP 2003135860 A JP2003135860 A JP 2003135860A JP 4076475 B2 JP4076475 B2 JP 4076475B2
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dielectric
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dielectric constant
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manufacturing
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吉人 福本
信之 川上
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Kobe Steel Ltd
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Kobe Steel Ltd
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は,誘電体線路フィルタに関し,さらに詳しくは準ミリ波以上の超高周波信号の伝送に適したNRDガイドフィルタなどの誘電体線路フィルタの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来,ミリ波帯の集積回路には,主にマイクロストリップ線路,導波管線路および誘電体線路が用いられている。ここで,マイクロストリップ線路などのプリント線路は周波数が高くなるにつれて導体損が急増するため,ミリ波帯の伝送路には適していない。また,導波管線路は3次元の立体構造を形成する必要があるため,量産には適していない。
このため,超高周波帯の伝送路として,誘電体線路が注目されている。ところが,誘電体線路は曲がりや不連続部分における放射損が大きく,これにより誘電体線路本来の低損失性が損なわれるという問題がある。
この問題に関し,従来,特許文献1に示すような非放射性誘電体線路(NRDガイド)が提案され,かつ実施されている。
図4に示すように,NRDガイドは,2枚の平行導電体板101,102間の誘電体媒質(通常は空気)103中に挿入するようにしながら伝送路としての誘電体ストリップ104を導電体板101,102の間に介装してなるものとされる。ここで,導電体板101,102の間隙は伝送信号(主信号)の媒質内波長の半分以下とされ,これにより伝送信号が誘電体媒質103中で存在し得なくなるので,不要放射が抑えられる。
そして,従来,NRDガイドを用いたミリ波フィルタとして,非特許文献1に示すような共振型の帯域通過フィルタ,帯域阻止フィルタが提案されている。
【0003】
【特許文献1】
特公昭62-35281号公報
【非特許文献1】
電子通信学会論文誌 '85/2 Vol.J68-B No.2,「非放射性誘電体線路を用いたミリ波フィルタの実験的設計」
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら非特許文献1に記載されているNRDガイドフィルタは,誘電体からなる所定径の円形共振器を通過帯域,阻止帯域に対応した位置関係で精密に配置する必要があり,その加工および位置決めが容易ではない。また,運用中の誘電体ストリップおよび円形共振器のずれを防止するために特別の加工を施すことが必要となり,量産に適しないという問題がある。
さらに,従来のNRDガイドフィルタは,一般に誘電体ストリップ以外の誘電体媒質が空気とされ,この部分が空隙となっているので強度,堅牢性に欠けるという難点もある。
本発明は,上記事情に鑑みてなされたものであり,その目的とするところは,加工が容易で量産に適し,かつ強度,堅牢性の高い誘電体線路フィルタの製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は,略平行な2つの導電体板の間に誘電体媒質と,互いに空孔率及び誘電率が異なるフィルタ部と通常伝送部とを有し,前記フィルタ部と前記通常伝送部とは同一の原料,素材からなる多孔質材料から形成される誘電体ストリップとを設け,前記誘電体ストリップを通して信号を伝送するようにしてなる誘電体線路を用いた誘電体線路フィルタの製造方法であって,
一方の前記導電体板上に誘電体原料の膜を形成する工程と,
前記誘電体原料の膜における前記誘電体ストリップの形状部分に電子ビーム,X線,イオンビームのいずれかを照射するに際し,該誘電体ストリップの形状部分に含まれる前記フィルタ部相当部分の照射量を前記通常伝送部相当部分の照射量よりも小さくする工程と,
前記誘電体原料の膜全体を多孔質化する工程と,
を有してなることを特徴とする。
このようなパターンニングプロセスによって,非特許文献1のように,多数の円形共振器を作成し,それを精密な位置関係で配置していくなどの比較的困難な製造方法によることなく,単に誘電体ストリップのフィルタ部の誘電率を通常伝送部の誘電率と異ならせるように形成するといった簡易な方法で,所望の周波数選択性を誘電体線路に付与し,これにより誘電体線路フィルタを構成することが可能となる。したがって,量産性が向上する。
【0006】
た,誘電体ストリップのフィルタ部通常伝送部とを同一の原料,素材からなる多孔質材料から形成するようにしながら,両者の空孔率を相違させるだけで所望の周波数帯域の信号を遮断することが可能となる。
すなわち,一般には,誘電体材料の誘電率を変えるためには違う材質のものを用意する必要がある。ところが,多孔質材料においては空孔率を調整することによって誘電率を変えることが可能であり,このため,同一の原料,素材からなる誘電体材料を用いながら誘電率を他の部分と相違させるといったことが可能となる。つまり,実質同一の材料を用いて誘電体ストリップのフィルタ部通常伝送部とを形成し得るので誘電体線路フィルタの製造が容易となる。
【0007】
また,多孔質材料は空孔率を上げることで誘電率および誘電損失が低くなり,限りなく空気に近い特性を得ることができる。このため,誘電体ストリップの素材として従来一般に用いられていたテフロン(登録商標)と比較して非常に低損失な伝送特性を達成することが可能となる。
【0008】
さらに,多孔質材料は本発明のパターンニングプロセスを用いて導電体板間に形成し得るので容易に複雑な形状に加工することができる。これにより製作が容易となるとともに,設計の自由度が向上する。
【0009】
また,前記誘電体ストリップの前記フィルタ部と前記通常伝送部との間に信号の反射を抑制するように誘電率が調整される反射抑制部を形成することも考えられる。
この方法により,誘電体ストリップのフィルタ部の誘電率を通常伝送部の誘電率と相違させたことに起因して両者の境界面で主信号の反射が生じるのを抑制することが可能となる。したがって,伝達特性が向上する。
【0010】
このとき,前記反射抑制部が多孔質材料からなり,該反射抑制部の誘電率が多孔質材料の空孔率を調整するようにして調整されるよう構成することも考えられる。
これにより,反射抑制部を誘電体ストリップのフィルタ部および通常伝送部と実質同一の材料から形成することができるので製造が容易となる。
【0011】
そして,反射抑制部の誘電率を調整する具体的態様としては,反射抑制部の誘電率を誘電体ストリップのフィルタ部の誘電率と通常伝送部の誘電率との間の所定の誘電率に調整すること,反射抑制部の誘電率が誘電体ストリップのフィルタ部の誘電率と通常伝送部の誘電率との間で連続的に変化するように調整すること,および反射抑制部の誘電率が誘電体ストリップのフィルタ部の誘電率と通常伝送部の誘電率との間で段階的に変化するように調整することが考えられる。
【0012】
また,前記導電体板の間隙が前記誘電体媒質中における主信号の半波長以下とされてなるよう構成することも考えられる。
これにより,誘電体媒質中における主信号(伝送信号)の不要放射のないNRDガイドとして誘電体線路を構成し,より効率的な信号伝送を行うことが可能となる。
【0013】
このとき,前記誘電体媒質が多孔質材料からなり,該誘電体媒質の誘電率が多孔質材料の空孔率を調整するようにして調整されるように構成することも考えられる。
これにより,誘電体ストリップ以外の部分が空隙とされていた従来の誘電体線路(特許文献1参照)と比較して,誘電体ストリップのずれが生じにくくなるとともに,飛躍的に強度が向上して安定した構造とすることが可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下添付図面を参照しながら,本発明の実施の形態及び実施例を説明し,本発明の理解に供する。尚,以下の実施の形態及び実施例は,本発明を具体化した一例であって,本発明の技術的範囲を限定する性格のものではない。
【0015】
実施形態1
図1に本発明の実施形態1に係る誘電体線路フィルタXの構成を示す。
同図に示すように,実施形態1の誘電体線路フィルタ(以下,単にフィルタという)Xは,所定の間隙αで互いに平行に配された2枚の導電体板1,2の間に誘電体媒質3を配するとともに,この誘電体媒質3中に挿入するように伝送路としての誘電体ストリップ4を導電体板1,2の間に介装してなるものである。
【0016】
ここで,導電体板1,2の間隙α,つまり誘電体ストリップ4の厚みは主信号(伝送信号)が誘電体媒質3中に放射されるときの波長の1/2よりも小さくなるようにされている。これにより誘電体媒質3中に伝送信号が存在し得なくなり,不要放射が抑えられる。すなわち,実施形態1においては,フィルタXは非放射性誘電体線路(NRDガイド:Nonradiative Dielectric Waveguide)を用いたフィルタとして構成されている。
【0017】
また,誘電体ストリップ4においては伝送信号の誘電体ストリップ4内における波長の半分が導電体板1,2の間隙αよりも小さくなるように,その誘電率は誘電体媒質3の誘電率よりも大きくされている。
ここで,誘電体媒質3および誘電体ストリップ4はともに例えば乾燥エアロゲル材からなる多孔質材料から構成される。
【0018】
すなわち,従来のNRDガイドは一般に誘電体媒質3が空気とされ,したがってその部分は空隙とされる。このため,誘電体ストリップ4にずれが生じるなどの難点があるので,実施形態1では誘電体媒質3を誘電体ストリップ4とともに多孔質材料から構成するものとし,これによって誘電体ストリップ4のずれが防止される。
このように,従来は空隙であった誘電体媒質3の部分が多孔質材料を用いて充填されることによって,強度および堅牢性も飛躍的に向上する。
そして,このような多孔質材料は,空孔率を調整することによって誘電率を調整することが可能である。したがって,同一の原料,素材を用いて作成される多孔質材料を適用して誘電体媒質3と誘電体ストリップ4とを構成しながら,誘電体ストリップ4内部にのみ伝送信号が存在し得るように誘電体媒質3および誘電体ストリップ4の誘電率を調整することが可能となる。
【0019】
次に,誘電体ストリップ4をさらに詳しく説明する。
誘電体ストリップ4は,その一部分の誘電率を他の部分の誘電率と相違させるようにして,所定の周波数帯域の信号を遮断するフィルタ部5が設けられる。
すなわち,実施形態1のフィルタXにおいては,誘電体ストリップ4の一部分であるフィルタ部5の誘電率ε5がそれ以外の部分(以下,通常伝送部と称する)6の誘電率ε6よりも小さくなるようにフィルタ部5に相当する部分の空孔率が他の部分よりも大きくされ,これによって誘電体線路が周波数選択性のあるフィルタとして機能するように構成されている。
ここで,誘電体媒質3,フィルタ部5および通常伝送部6の各誘電率ε3,ε5,ε6には下記不等式1の関係があり,この結果,各部3,5,6において存在可能な信号の下限周波数FD3,FD5,FD6の関係は下記不等式2のようになる。
ε3<ε5<ε6 (1)
FD3>FD5>FD6 (2)
ただし,下限周波数FD3,FD5,FD6は誘電体媒質3,フィルタ部5および通常伝送部6において伝送信号の半波長が板間隙αと等しくなるときの周波数である。この結果,周波数Fが,FD5>F>FD6である信号,つまりFD6以上FD5以下の周波数の信号はフィルタ部5を通過することなく遮断される。
【0020】
次に,導電体板1,2の間に多孔質材料からなる誘電体媒質3および誘電体ストリップ4を形成する形成方法を具体的に説明する(なお,特願2003-19344号参照)。
【0021】
まず,所定の誘電体原料を,一方の導電体板1上に厚みが前掲した間隙αとなるように塗布する。
ここで用いられる誘電体原料は,有機金属材料の一例であるテトラメトキシシラン(金属アルコキシド)Si(CH3O)4を2g,エタノールを10g,ブタノールを2g,3−メトキシプロピオン酸メチルを1g,pH(ペーハー)=3の水を1.2gを混合して攪拌した後,60℃にて約6時間保持して反応させ,この溶液に光酸発生剤であるIBCF(株式会社三和ケミカル製)を0.05重量%の割合で混合した透明な溶液を調整し,この溶液10ccとヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド0.2g(界面活性剤の一例)とを混合して攪拌させて調整した溶液である。
【0022】
次に,前掲した誘電体原料が塗布された部分を,大気中において80℃で加熱(ベーク)して乾燥させることにより膜を形成させる。この加熱は,原料溶液に含まれるエタノール等の溶媒を除去し,膜の粘性を高めて基材上に安定化させるのに十分な時間(例えば,1〜5分程度)だけ行う。
続いて,誘電体原料の膜における誘電体ストリップ4に相当する部分にのみ電子ビームを照射する。このような電子ビームとしては,例えば,加速電圧50keV,ドース10μC/cm2の電子ビーム等を用いる。
これにより,テトラメトキシシランから形成されたSi−OHの状態のものが,Si−Oの結合を形成することになる(いわゆる架橋反応)。
【0023】
次に,誘電体原料の膜を大気中において100℃で加熱(ベーク)する。この工程は,電子ビーム未照射部分の架橋反応も促進させるための工程であり,例えば,1〜5分程度行う。
【0024】
次に,15MPa,80℃の超臨界CO2を用いて,界面活性剤であるヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリドの抽出処理を施し,誘電体原料の膜中に残存した有機成分を除去する。この工程では,例えば,まず所定の圧力容器に誘電体原料を入れ,次にその圧力容器に超臨界状態ではないCO2を導入した後,圧力容器内の温度及び/又は圧力を上げてCO2を超臨界状態とする。又は,超臨界状態の流体を,誘電体材料が入った圧力容器に導入してもよい。
【0025】
次に,抽出処理が施された後の誘電体原料を,大気中において200℃にて加熱する。この加熱は例えば,5〜30分程度行う。
以上の工程を経ることによって,誘電体原料の層において除去された有機成分が存在した部分が空孔となり,一方の導電体板1上にいわゆる乾燥エアロゲル材からなる多孔質材料の層が形成されることになる。これにより,電子ビームが照射される誘電体ストリップ4相当部分の空孔率よりも誘電体媒質3相当部分の空孔率の方が高くなり,誘電体ストリップ4の誘電率が誘電体媒質3の誘電率よりも高くなる。
そして,誘電体ストリップ4内部においては,フィルタ部5に相当する部分の電子ビーム照射量が通常伝送部6に相当する部分の照射量よりも小さくされる。これにより,フィルタ部5相当部分の空孔率が通常伝送部6相当部分の空孔率よりも高くなり,この結果,フィルタ部5の誘電率ε5が通常伝送部6の誘電率ε6よりも低くなるように形成される。
このようにして形成された誘電体ストリップ4および誘電体媒質3の層の上に,他方の導電体板2を接着することにより,誘電体線路フィルタXを製造することが可能となる。
【0026】
以上示した製造方法によれば,従来のように各構成部品を個別に製作した後に組み立てるといった製造方法ではなく,パターンニングにより製造できるので,誘電体線路の大量生産に好適である。
また,電子ビームの照射に替えて,X線(例えば,電子エネルギー1GeV)の照射や,イオンビームの照射(例えば,Be2+をエネルギー200keV,イオンドース1e13/cm2〜1e14/cm2で照射する等)を行った場合も同様の結果が得られる。
また,ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリドの抽出処理に用いる超臨界流体としては,少なくとも二酸化炭素,エタノール,メタノール,水,アンモニア又はフッ化炭素物質のうち1以上の物質を含む2種以上の物質が混合されたものとしても同様の結果が得られる。
【0027】
このように,実施形態1のフィルタXは,いわゆるNRDガイドを用いたフィルタにおいて,誘電体ストリップ4が多孔質材料から形成されるとともに,前掲した製造方法によりフィルタ部5の空孔率が調整され,これにより所望周波数帯域の信号が遮断される。したがって,従来技術で言及した非特許文献1の共振型のフィルタと比較して遥かに簡易に,すなわち通過帯域,阻止帯域に対応する所定径の円形共振器を多数作成し,これを精密な寸法管理の下で所定の間隔で配置するといった煩雑な工程を経ることなく所望の周波数選択性を具備した誘電体線路フィルタを構成することが可能となる。
また,誘電体ストリップ4を構成する誘電体材料が従来のテフロン(登録商標)などとは異なり,例えばテトラメトキシシランを原料とする多孔質材料とされるので,誘電損失についての特性が限りなく空気に近く,非常に低損失な誘電特性を達成することが可能となる。
また,実施形態1のフィルタXにおいては,通常は空隙とされる誘電体媒質3が誘電体ストリップ4と同様に多孔質材料から構成される。したがって,誘電体ストリップ4のずれが防止されるとともにフィルタXの強度および堅牢性が向上する。
そして,このような誘電体媒質3および誘電体ストリップ4は個別に製作した後に組み立てるといった製造方法によるのではなく,パターンニングにより製造されるので大量生産するのに好適である。
さらに,実質同一の材料によって誘電体媒質3および誘電体ストリップ4(フィルタ部5,通常伝送部6)を構成するものとしたことによって同一の原料から各部3,4,5,6を製造することが可能となり,製造が容易となる。したがって,製造コストの低減が図れる。
【0028】
実施形態2
次に,図2を参照しながら本発明の実施形態2を説明する。
実施形態2のフィルタX1は,実施形態1のフィルタXの誘電体ストリップ4を改変してなるもので,その他の部分は実施形態1と同様とされる。したがって,以下においては異なる部分のみを説明する。
フィルタX1の誘電ストリップ4Aは,フィルタ部5両端と通常伝送部6との境界に主信号の反射を抑制する反射抑制部7を形成するようにしてなるものとされる。
すなわち,誘電体ストリップ4Aにおいてフィルタ部5は,所定周波数帯域の信号を遮断するように誘電率ε5が通常伝送部6の誘電率ε6と相違するように形成される。ここで,両者の誘電率ε5,ε6の差が大きく急激に変化するような場合は,フィルタ部5と通常伝送部6との境界面で主信号に大きな反射が生じてしまうことがある。反射抑制部7は,このようなフィルタ部5と通常伝送部6との間の誘電率の差異に起因する信号の反射を抑制しながらフィルタ部5と通常伝送部6とを接続するマッチング用の線路として設けられるものとされる。
ここで,反射抑制部7の誘電率ε7は,フィルタ部5の誘電率ε5と通常伝送部6の誘電率ε6との間で反射の発生を効果的に抑制することができる所定の誘電率に設定される。また,このような誘電率ε7は,実験的に求めるようにして設定することが可能である。
【0029】
また,反射抑制部7の誘電率ε7は一定の値に限らず,反射抑制部7とフィルタ部5との接合端面から通常伝送部6との接合端面に向かって誘電率がフィルタ部5の誘電率ε5と通常伝送部6の誘電率ε6との間で連続的に変化するものとされてもよい。
また,反射抑制部7とフィルタ部5との接合端面から通常伝送部6との接合端面に向かって誘電率がフィルタ部5の誘電率ε5と通常伝送部6の誘電率ε6との間で段階的に変化するものとされてもよい。
また,実施形態2においては反射抑制部7は,フィルタ部5および通常伝送部6を構成する多孔質材料と同一の原料からなる多孔質材料から形成するものとされる。すなわち,実施形態1で言及した多孔質材料の形成方法において,反射抑制部7に対する電子ビームの照射量をフィルタ部5相当部分における照射量と通常伝送部6相当部分における照射量との間の所定の照射量に調整するようにして,反射抑制部7の誘電率ε7を調整することができる。
【0030】
このように,実施形態2のフィルタX1においては,誘電体ストリップ4のフィルタ部5と通常伝送部6との間に信号の反射を抑制する反射抑制部7が形成されるので,両者の誘電率ε5,ε7の差異に起因して主信号の反射が生じるのを防止することができる。したがって,伝送特性が向上する。
また,反射抑制部7は,フィルタ部5および通常伝送部6を構成する多孔質材料と実質同一の材料から構成されるので製造が容易となる。
【0031】
【実施例】
以下,図3を参照しながら,実施形態の誘電体線路フィルタの実施例を説明する。図3(a)は,実施形態のフィルタX,X1が適用された周波数分割方式の無線通信システムBを示すブロック図である。
無線通信システムBは,アンテナ11,受信側周波数変換器12,送信側周波数変換器13および分岐14(例;ダイプレクサ,サーキュレータ)を含み,分岐14から受信側周波数変換器12に受信信号を伝送する受信側伝送路21と送信側周波数変換器13から分岐14に送信信号を伝送する送信側伝送路22と,アンテナ11−分岐14間の伝送路23とにそれぞれNRDガイドを適用するようにして構成されている。
【0032】
この無線通信システムBにおいては,大出力である送信信号の一部が分岐14を介して受信側伝送路21に回り込んでしまい,その結果,受信側伝送路21におけるスペクトクルは例えば図3(b)に示すようになる。すなわち,受信信号31のレベルよりもそのような回り込み信号(送信信号)32のレベルの方が大きくなる。
このように,大きなレベルの回り込み信号(送信信号)が受信側周波数変換器12に入力されると受信アンプが飽和するなどの問題が生じる。そこで,無線通信システムBにおいては受信側伝送路21を実施形態のフィルタX,X1から構成するものとされる。
すなわち,NRDガイドからなる受信側伝送路21の図示しない誘電体ストリップ(4)の一部分に誘電率の小さいフィルタ部(5)を形成することによって,受信側伝送路21が回り込み信号を遮断するフィルタとして機能するものとされる。
【0033】
このとき,受信信号の周波数FRX,送信信号の周波数FTXおよびフィルタ部(5)における前掲した下限周波数FCUTは,例えば下記不等式3により示される関係となるように設定される。
FRX>FCUT>FTX (3)
これにより,図3(b)に破線40で示すようなフィルタ特性が達成されるため,図3(c)に示すように,受信側伝送路21において回り込み信号32を十分に減衰させることが可能となる。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように,本発明によれば,伝送特性に優れるとともに,加工が容易で量産性に優れ,かつ強度および堅牢性の良好な誘電体線路フィルタを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1に係る誘電体線路フィルタの構成を示す斜視図である。
【図2】本発明の実施形態2に係る誘電体線路フィルタの構成を示す斜視図である。
【図3】実施形態の誘電体線路フィルタを適用した実施例としての無線通信システムの構成を示すブロック図である。
【図4】従来の一般的な誘電線路の構成を示す斜視図である。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a dielectric line filter, and more particularly to a method for manufacturing a dielectric line filter such as an NRD guide filter suitable for transmission of an ultrahigh frequency signal of quasi-millimeter wave or higher.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a microstrip line, a waveguide line, and a dielectric line are mainly used for millimeter wave band integrated circuits. Here, a printed line such as a microstrip line is not suitable for a millimeter-wave band transmission line because the conductor loss rapidly increases as the frequency increases. In addition, the waveguide line is not suitable for mass production because it needs to form a three-dimensional solid structure.
For this reason, dielectric lines are attracting attention as transmission lines in the ultrahigh frequency band. However, the dielectric line has a large radiation loss at the bends and discontinuities, which causes a problem that the inherent low loss characteristic of the dielectric line is impaired.
With respect to this problem, a nonradiative dielectric line (NRD guide) as shown in Patent Document 1 has been proposed and implemented.
As shown in FIG. 4, the NRD guide is configured to insert a dielectric strip 104 as a transmission line into a dielectric medium (usually air) 103 between two parallel conductive plates 101 and 102 while conducting the transmission. It is assumed to be interposed between the plates 101 and 102. Here, the gap between the conductor plates 101 and 102 is set to be not more than half of the wavelength in the medium of the transmission signal (main signal), so that the transmission signal cannot exist in the dielectric medium 103, so that unnecessary radiation can be suppressed. .
Conventionally, as a millimeter wave filter using an NRD guide, a resonance-type bandpass filter and a band rejection filter as shown in Non-Patent Document 1 have been proposed.
[0003]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Publication No.62-35281 [Non-patent Document 1]
IEICE Transactions '85 / 2 Vol.J68-B No.2, “Experimental Design of Millimeter-Wave Filters Using Nonradiative Dielectric Lines”
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the NRD guide filter described in Non-Patent Document 1 requires that a circular resonator having a predetermined diameter made of a dielectric material be precisely arranged in a positional relationship corresponding to a pass band and a stop band. It's not easy. In addition, special processing is required to prevent deviation of the dielectric strip and the circular resonator in operation, which is not suitable for mass production.
Furthermore, the conventional NRD guide filter generally has a drawback that it lacks strength and robustness because the dielectric medium other than the dielectric strip is generally air, and this portion is a gap.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a dielectric line filter that is easy to process, suitable for mass production, and has high strength and robustness. .
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention comprises a dielectric medium between two substantially parallel conductive plates, a filter unit and a normal transmission unit having different porosity and dielectric constant, and the filter unit and the Usually, a transmission line is provided with a dielectric strip formed of a porous material made of the same raw material and material, and a dielectric line filter using a dielectric line configured to transmit a signal through the dielectric strip . A manufacturing method,
Forming a dielectric material film on one of the conductor plates;
When irradiating any one of an electron beam, an X-ray, and an ion beam on the dielectric strip shape portion of the dielectric material film, the irradiation amount of the filter portion corresponding portion included in the dielectric strip shape portion is determined. A step of making it smaller than the irradiation amount of the portion corresponding to the normal transmission part;
Making the entire dielectric material film porous,
It is characterized by having.
By such a patterning process , as in Non-Patent Document 1, a large number of circular resonators are created, and they are simply dielectric without using a relatively difficult manufacturing method such as arranging them in a precise positional relationship. The desired frequency selectivity is imparted to the dielectric line by a simple method such that the dielectric constant of the filter part of the body strip is made different from the dielectric constant of the normal transmission part , thereby forming a dielectric line filter. It becomes possible. Therefore, mass productivity is improved.
[0006]
Also, the filter unit and the normal transmission unit and the same raw material dielectrics strip, while so as to form a porous material comprising a material, a signal of a desired frequency band only by differences of the porosity of both It becomes possible to block.
That is, in general, it is necessary to prepare a different material in order to change the dielectric constant of the dielectric material. However, in a porous material, it is possible to change the dielectric constant by adjusting the porosity. For this reason, the dielectric constant is made different from other parts while using a dielectric material made of the same raw material and material. It becomes possible. In other words, the dielectric strip filter and the normal transmission section can be formed using substantially the same material, which facilitates the production of the dielectric line filter.
[0007]
In addition, the porous material has a lower dielectric constant and dielectric loss by increasing the porosity, and can obtain characteristics that are as close to air as possible. For this reason, it is possible to achieve transmission characteristics with very low loss compared to Teflon (registered trademark) which has been conventionally used as a material for the dielectric strip.
[0008]
In addition, the multi-porous material can be easily processed into complex shapes because it can be formed to the conductor plates using a patterning process of the present invention. This facilitates production and increases the degree of design freedom.
[0009]
It is also conceivable to form a reflection suppressing part whose dielectric constant is adjusted so as to suppress signal reflection between the filter part of the dielectric strip and the normal transmission part .
By this method , it is possible to suppress the reflection of the main signal at the boundary surface between the two due to the dielectric constant of the filter portion of the dielectric strip being different from the dielectric constant of the normal transmission portion . Therefore, transfer characteristics are improved.
[0010]
At this time, it is also conceivable that the reflection suppressing portion is made of a porous material, and the dielectric constant of the reflection suppressing portion is adjusted so as to adjust the porosity of the porous material.
As a result, the reflection suppressing portion can be formed from substantially the same material as the filter portion and the normal transmission portion of the dielectric strip, and thus manufacturing is facilitated.
[0011]
As a specific mode for adjusting the dielectric constant of the reflection suppressing portion, the dielectric constant of the reflection suppressing portion is adjusted to a predetermined dielectric constant between the dielectric constant of the filter portion of the dielectric strip and the dielectric constant of the normal transmission portion. Adjusting the dielectric constant of the reflection suppression unit so that it continuously changes between the dielectric constant of the filter portion of the dielectric strip and the dielectric constant of the normal transmission unit , and the dielectric constant of the reflection suppression unit It can be considered to adjust the dielectric constant of the filter part of the body strip so as to change stepwise between the dielectric constant of the normal transmission part .
[0012]
It is also conceivable that the gap between the conductor plates is set to be equal to or less than a half wavelength of the main signal in the dielectric medium.
As a result, the dielectric line can be configured as an NRD guide without unnecessary radiation of the main signal (transmission signal) in the dielectric medium, and more efficient signal transmission can be performed.
[0013]
At this time, it is conceivable that the dielectric medium is made of a porous material, and the dielectric constant of the dielectric medium is adjusted by adjusting the porosity of the porous material.
As a result, compared with the conventional dielectric line (see Patent Document 1) where the portion other than the dielectric strip is a gap, the dielectric strip is less likely to be displaced, and the strength is dramatically improved. A stable structure can be obtained.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings for understanding of the present invention. It should be noted that the following embodiments and examples are examples embodying the present invention, and do not limit the technical scope of the present invention.
[0015]
Embodiment 1
FIG. 1 shows the configuration of a dielectric line filter X according to Embodiment 1 of the present invention.
As shown in the figure, a dielectric line filter (hereinafter simply referred to as a filter) X according to the first embodiment is a dielectric between two conductor plates 1 and 2 arranged in parallel with each other with a predetermined gap α. A medium 3 is disposed, and a dielectric strip 4 as a transmission path is interposed between the conductor plates 1 and 2 so as to be inserted into the dielectric medium 3.
[0016]
Here, the gap α between the conductor plates 1 and 2, that is, the thickness of the dielectric strip 4 is made smaller than 1/2 of the wavelength when the main signal (transmission signal) is radiated into the dielectric medium 3. Has been. As a result, no transmission signal can exist in the dielectric medium 3, and unnecessary radiation can be suppressed. That is, in the first embodiment, the filter X is configured as a filter using a nonradiative dielectric line (NRD guide).
[0017]
The dielectric constant of the dielectric strip 4 is larger than the dielectric constant of the dielectric medium 3 so that half of the wavelength of the transmission signal in the dielectric strip 4 is smaller than the gap α between the conductor plates 1 and 2. It has been enlarged.
Here, both the dielectric medium 3 and the dielectric strip 4 are made of a porous material made of, for example, a dry airgel material.
[0018]
That is, in the conventional NRD guide, the dielectric medium 3 is generally air, and the portion is therefore a gap. For this reason, there is a problem that the dielectric strip 4 is displaced. Therefore, in the first embodiment, the dielectric medium 3 is made of a porous material together with the dielectric strip 4, and thereby the dielectric strip 4 is displaced. Is prevented.
As described above, the portion of the dielectric medium 3 which has been a void in the past is filled with the porous material, so that the strength and the robustness are remarkably improved.
And such a porous material can adjust a dielectric constant by adjusting a porosity. Accordingly, a transmission signal can exist only inside the dielectric strip 4 while forming the dielectric medium 3 and the dielectric strip 4 by applying a porous material made of the same raw material and material. The dielectric constants of the dielectric medium 3 and the dielectric strip 4 can be adjusted.
[0019]
Next, the dielectric strip 4 will be described in more detail.
The dielectric strip 4 is provided with a filter unit 5 that blocks a signal in a predetermined frequency band so that a dielectric constant of a part of the dielectric strip 4 is different from a dielectric constant of another part.
That is, in the filter X of the first embodiment, the dielectric constant ε 5 of the filter unit 5 that is a part of the dielectric strip 4 is smaller than the dielectric constant ε 6 of the other portion (hereinafter referred to as a normal transmission unit) 6. Thus, the porosity of the part corresponding to the filter unit 5 is made larger than that of the other parts, and the dielectric line functions as a filter having frequency selectivity.
Here, each dielectric constant ε 3, ε 5 , ε 6 of the dielectric medium 3, the filter unit 5, and the normal transmission unit 6 has the relationship of the following inequality 1 and, as a result, can exist in each unit 3, 5, 6. The relationship between the lower limit frequencies F D3 , F D5 , and F D6 of the correct signal is as shown in inequality 2 below.
ε 356 (1)
F D3 > F D5 > F D6 (2)
However, the lower limit frequencies F D3 , F D5 , and F D6 are frequencies when the half wavelength of the transmission signal is equal to the plate gap α in the dielectric medium 3, the filter unit 5, and the normal transmission unit 6. As a result, a signal whose frequency F is F D5 >F> F D6, that is, a signal having a frequency between F D6 and F D5 is cut off without passing through the filter unit 5.
[0020]
Next, a method for forming the dielectric medium 3 and the dielectric strip 4 made of a porous material between the conductor plates 1 and 2 will be described in detail (refer to Japanese Patent Application No. 2003-19344).
[0021]
First, a predetermined dielectric material is applied on one conductor plate 1 so as to have the gap α described above.
The dielectric material used here is 2 g of tetramethoxysilane (metal alkoxide) Si (CH 3 O) 4 , which is an example of an organometallic material, 10 g of ethanol, 2 g of butanol, 1 g of methyl 3-methoxypropionate, After 1.2 g of water having a pH of 3 was mixed and stirred, the mixture was allowed to react at 60 ° C. for about 6 hours, and this solution was reacted with IBCF (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) as a photoacid generator. Is prepared by mixing 10 cc of this solution with 0.2 g of hexadecyltrimethylammonium chloride (an example of a surfactant) and stirring the solution. is there.
[0022]
Next, the portion coated with the above dielectric material is heated (baked) at 80 ° C. in the atmosphere and dried to form a film. This heating is performed for a sufficient time (for example, about 1 to 5 minutes) to remove the solvent such as ethanol contained in the raw material solution and increase the viscosity of the film to stabilize it on the substrate.
Subsequently, only the portion corresponding to the dielectric strip 4 in the dielectric material film is irradiated with an electron beam. As such an electron beam, for example, an electron beam having an acceleration voltage of 50 keV and a dose of 10 μC / cm 2 is used.
Thereby, the Si-OH state formed from tetramethoxysilane forms a Si-O bond (so-called cross-linking reaction).
[0023]
Next, the dielectric material film is heated (baked) at 100 ° C. in the air. This step is a step for promoting the cross-linking reaction of the non-irradiated portion of the electron beam, and is performed for about 1 to 5 minutes, for example.
[0024]
Next, extraction processing of hexadecyltrimethylammonium chloride, which is a surfactant, is performed using supercritical CO 2 at 15 MPa and 80 ° C. to remove organic components remaining in the dielectric material film. In this step, for example, first, a dielectric material is put into a predetermined pressure vessel, and then CO 2 that is not in a supercritical state is introduced into the pressure vessel, and then the temperature and / or pressure in the pressure vessel is increased to increase CO 2. Is in a supercritical state. Alternatively, a supercritical fluid may be introduced into a pressure vessel containing a dielectric material.
[0025]
Next, the dielectric material after the extraction treatment is heated at 200 ° C. in the atmosphere. This heating is performed for about 5 to 30 minutes, for example.
Through the above steps, the portion of the dielectric material layer where the removed organic component was present becomes a void, and a porous material layer made of a so-called dry airgel material is formed on one conductor plate 1. Will be. As a result, the porosity of the portion corresponding to the dielectric medium 3 is higher than the porosity of the portion corresponding to the dielectric strip 4 irradiated with the electron beam, and the dielectric constant of the dielectric strip 4 is less than that of the dielectric medium 3. It becomes higher than the dielectric constant.
In the dielectric strip 4, the electron beam irradiation amount at the portion corresponding to the filter unit 5 is made smaller than the irradiation amount at the portion corresponding to the normal transmission unit 6. Thus, the porosity of the filter unit 5 corresponding parts is higher than the porosity of the normal transmission unit 6 corresponding parts, as a result, the dielectric constant epsilon 5 of the filter unit 5 than the dielectric constant epsilon 6 of normal transmission portions 6 Is also formed to be low.
The dielectric line filter X can be manufactured by adhering the other conductor plate 2 onto the dielectric strip 4 and the dielectric medium 3 formed as described above.
[0026]
The manufacturing method described above is suitable for mass production of dielectric lines because it can be manufactured by patterning rather than a manufacturing method in which each component is manufactured individually as in the prior art and then assembled.
Further, instead of the electron beam irradiation, irradiation with X-rays (for example, electron energy 1 GeV) or ion beam irradiation (for example, Be 2+ with an energy of 200 keV, ion dose 1e 13 / cm 2 to 1e 14 / cm 2) . Similar results are obtained when irradiation is performed.
In addition, as a supercritical fluid used for the extraction treatment of hexadecyltrimethylammonium chloride, at least two kinds of substances including at least one of carbon dioxide, ethanol, methanol, water, ammonia, and fluorocarbon substances are mixed. Similar results can be obtained.
[0027]
As described above, in the filter X of Embodiment 1, in the filter using a so-called NRD guide, the dielectric strip 4 is formed of a porous material, and the porosity of the filter unit 5 is adjusted by the manufacturing method described above. This cuts off the signal in the desired frequency band. Therefore, it is much simpler than the resonance type filter of Non-Patent Document 1 mentioned in the prior art, that is, a large number of circular resonators having a predetermined diameter corresponding to the pass band and the stop band are prepared, and these are precisely sized. It is possible to configure a dielectric line filter having a desired frequency selectivity without going through a complicated process of arranging at predetermined intervals under management.
Further, unlike the conventional Teflon (registered trademark) or the like, the dielectric material constituting the dielectric strip 4 is a porous material made of, for example, tetramethoxysilane. It is possible to achieve very low loss dielectric characteristics.
Further, in the filter X of the first embodiment, the dielectric medium 3 that is normally a gap is made of a porous material like the dielectric strip 4. Therefore, displacement of the dielectric strip 4 is prevented and the strength and robustness of the filter X are improved.
The dielectric medium 3 and the dielectric strip 4 are suitable for mass production because they are manufactured by patterning rather than by a manufacturing method in which the dielectric medium 3 and the dielectric strip 4 are individually manufactured and then assembled.
Furthermore, each part 3, 4, 5, 6 is manufactured from the same raw material by comprising the dielectric medium 3 and the dielectric strip 4 (filter part 5, normal transmission part 6) with substantially the same material. This makes it easier to manufacture. Therefore, the manufacturing cost can be reduced.
[0028]
Embodiment 2
Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG.
The filter X1 of the second embodiment is obtained by modifying the dielectric strip 4 of the filter X of the first embodiment, and other parts are the same as those of the first embodiment. Therefore, only different parts will be described below.
The dielectric strip 4 </ b> A of the filter X <b> 1 is configured to form a reflection suppression unit 7 that suppresses reflection of the main signal at the boundary between both ends of the filter unit 5 and the normal transmission unit 6.
That is, in the dielectric strip 4A, the filter unit 5 is formed so that the dielectric constant ε 5 is different from the dielectric constant ε 6 of the normal transmission unit 6 so as to block a signal in a predetermined frequency band. Here, when the difference between the dielectric constants ε 5 and ε 6 changes greatly and suddenly, a large reflection may occur in the main signal at the boundary surface between the filter unit 5 and the normal transmission unit 6. . The reflection suppression unit 7 is used for matching that connects the filter unit 5 and the normal transmission unit 6 while suppressing the reflection of the signal due to the difference in dielectric constant between the filter unit 5 and the normal transmission unit 6. It is supposed to be provided as a track.
Here, the dielectric constant epsilon 7 reflection-inhibiting portion 7, a predetermined capable of effectively suppressing the occurrence of reflections between the dielectric constant epsilon 6 permittivity epsilon 5 and normal transmission portion 6 of the filter unit 5 Set to dielectric constant. Further, such a dielectric constant ε 7 can be set as experimentally obtained.
[0029]
The dielectric constant ε 7 of the reflection suppressing unit 7 is not limited to a constant value, and the dielectric constant of the filter unit 5 increases from the junction end surface between the reflection suppression unit 7 and the filter unit 5 toward the junction end surface with the normal transmission unit 6. The dielectric constant ε 5 may be continuously changed between the dielectric constant ε 6 of the normal transmission unit 6.
Further, while towards the joining end face of the normal transmission unit 6 dielectric constant from the joining end faces of the reflection suppressing portion 7 and the filter unit 5 and the dielectric constant epsilon 6 permittivity epsilon 5 and normal transmission portion 6 of the filter unit 5 It may be changed step by step.
In the second embodiment, the reflection suppressing unit 7 is formed of a porous material made of the same raw material as the porous material constituting the filter unit 5 and the normal transmission unit 6. That is, in the porous material forming method referred to in Embodiment 1, the electron beam irradiation amount to the reflection suppressing unit 7 is a predetermined value between the irradiation amount in the portion corresponding to the filter unit 5 and the irradiation amount in the portion corresponding to the normal transmission unit 6. The dielectric constant ε 7 of the reflection suppressing unit 7 can be adjusted by adjusting the amount of irradiation.
[0030]
As described above, in the filter X1 of the second embodiment, since the reflection suppressing portion 7 that suppresses the reflection of the signal is formed between the filter portion 5 and the normal transmission portion 6 of the dielectric strip 4, the dielectric constant of both of them. The reflection of the main signal due to the difference between ε 5 and ε 7 can be prevented. Therefore, transmission characteristics are improved.
Moreover, since the reflection suppression part 7 is comprised from the material substantially the same as the porous material which comprises the filter part 5 and the normal transmission part 6, manufacture becomes easy.
[0031]
【Example】
Hereinafter, an example of the dielectric line filter of the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3A is a block diagram illustrating a frequency division wireless communication system B to which the filters X and X1 of the embodiment are applied.
The wireless communication system B includes an antenna 11, a reception-side frequency converter 12, a transmission-side frequency converter 13, and a branch 14 (eg, a diplexer or a circulator), and transmits a reception signal from the branch 14 to the reception-side frequency converter 12. and transmitting-side transmission line 22 for transmitting a transmission signal and a reception side transmission line 21 from the transmission side frequency converter 13 to the branch 14, to apply the transmission line 23 and Niso respectively NRD guide between the antenna 11 branches 14 Configured.
[0032]
In this wireless communication system B, a part of the transmission signal having a large output wraps around the reception side transmission path 21 via the branch 14, and as a result, the spectrum in the reception side transmission path 21 is, for example, FIG. ) As shown. That is, the level of such a sneak signal (transmission signal) 32 is higher than the level of the reception signal 31.
As described above, when a large level of sneak signal (transmission signal) is input to the reception-side frequency converter 12, a problem such as saturation of the reception amplifier occurs. Therefore, in the radio communication system B, the reception side transmission path 21 is configured by the filters X and X1 of the embodiment.
In other words, a filter portion (5) having a low dielectric constant is formed in a part of a dielectric strip (4) (not shown) of the reception side transmission line 21 made of an NRD guide, so that the reception side transmission line 21 blocks a sneak signal. It is supposed to function as.
[0033]
At this time, the frequency F RX of the reception signal, the frequency F TX of the transmission signal, and the above-described lower limit frequency F CUT in the filter unit (5) are set so as to have a relationship represented by the following inequality 3, for example.
F RX > F CUT > F TX (3)
As a result, a filter characteristic as indicated by a broken line 40 in FIG. 3B is achieved, so that the sneak signal 32 can be sufficiently attenuated in the reception-side transmission path 21 as shown in FIG. 3C. It becomes.
[0034]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to realize a dielectric line filter having excellent transmission characteristics, easy processing, excellent mass productivity, and good strength and robustness.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a dielectric line filter according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing a configuration of a dielectric line filter according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a wireless communication system as an example to which the dielectric line filter according to the embodiment is applied.
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a conventional general dielectric line.

Claims (8)

略平行な2つの導電体板の間に誘電体媒質と,互いに空孔率及び誘電率が異なるフィルタ部と通常伝送部とを有し,前記フィルタ部と前記通常伝送部とは同一の原料,素材からなる多孔質材料から形成される誘電体ストリップとを設け,前記誘電体ストリップを通して信号を伝送するようにしてなる誘電体線路を用いた誘電体線路フィルタの製造方法であって,
一方の前記導電体板上に誘電体原料の膜を形成する工程と,
前記誘電体原料の膜における前記誘電体ストリップの形状部分に電子ビーム,X線,イオンビームのいずれかを照射するに際し,該誘電体ストリップの形状部分に含まれる前記フィルタ部相当部分の照射量を前記通常伝送部相当部分の照射量よりも小さくする工程と,
前記誘電体原料の膜全体を多孔質化する工程と,
を有してなることを特徴とする誘電体線路フィルタの製造方法。
A dielectric medium between two substantially parallel conductor plates, a filter part and a normal transmission part having different porosity and dielectric constant, and the filter part and the normal transmission part are made of the same raw material and material. A dielectric strip formed of a porous material, and a dielectric line filter using a dielectric line configured to transmit a signal through the dielectric strip ,
Forming a dielectric material film on one of the conductor plates;
When irradiating any one of an electron beam, an X-ray, and an ion beam on the dielectric strip shape portion of the dielectric material film, the irradiation amount of the filter portion corresponding portion included in the dielectric strip shape portion is determined. A step of making it smaller than the irradiation amount of the portion corresponding to the normal transmission part;
Making the entire dielectric material film porous,
A method of manufacturing a dielectric line filter, comprising:
前記誘電体ストリップの前記フィルタ部と前記通常伝送部との間に信号の反射を抑制するようにその誘電率が調整される反射抑制部が形成されてなる請求項1に記載の誘電体線路フィルタの製造方法2. The dielectric line filter according to claim 1, wherein a reflection suppressing portion whose dielectric constant is adjusted so as to suppress signal reflection is formed between the filter portion of the dielectric strip and the normal transmission portion. Manufacturing method . 前記反射抑制部が多孔質材料からなり,該反射抑制部の誘電率が多孔質材料の空孔率を調整するようにして調整される請求項2に記載の誘電体線路フィルタの製造方法 3. The method of manufacturing a dielectric line filter according to claim 2, wherein the reflection suppressing portion is made of a porous material, and a dielectric constant of the reflection suppressing portion is adjusted so as to adjust a porosity of the porous material. 前記反射抑制部の誘電率が前記誘電体ストリップの前記フィルタ部の誘電率と前記通常伝送部の誘電率との間の所定の誘電率に調整されてなる請求項2又は3のいずれかに記載の誘電体線路フィルタの製造方法 According to claim 2 or 3 formed by adjusting the predetermined dielectric constant between the dielectric constant and the normal transmission part of the dielectric constant of the filter part of the dielectric constant of the reflection suppressing portion is the dielectric strips Of manufacturing a dielectric line filter . 前記反射抑制部の誘電率が前記誘電体ストリップの前記フィルタ部の誘電率と前記通常伝送部の誘電率との間で連続的に変化するよう構成されてなる請求項2又は3のいずれかに記載の誘電体線路フィルタの製造方法 To claim 2 or 3 dielectric constant of the reflection suppressing portion is configured continuously varying as between the dielectric constant and the normal transmission part of the dielectric constant of the filter portion of the dielectric strip The manufacturing method of the dielectric-line filter of description . 前記反射抑制部の誘電率が前記誘電体ストリップの前記フィルタ部の誘電率と前記通常伝送部の誘電率との間で段階的に変化するよう構成されてなる請求項2又は3のいずれかに記載の誘電体線路フィルタの製造方法 To claim 2 or 3 consisting configured to change stepwise between the dielectric constant and the normal transmission part of the dielectric constant of the filter part of the dielectric constant of the reflection suppressing portion is the dielectric strips The manufacturing method of the dielectric-line filter of description . 前記導電体板の間隙が前記誘電体媒質中における主信号の半波長以下とされてなる請求項1〜6のいずれかに記載の誘電体線路フィルタの製造方法The method for manufacturing a dielectric line filter according to claim 1, wherein a gap between the conductor plates is set to be equal to or less than a half wavelength of a main signal in the dielectric medium. 前記誘電体媒質が多孔質材料からなり,該誘電体媒質の誘電率が多孔質材料の空孔率を調整するようにして調整される請求項7に記載の誘電体線路フィルタの製造方法8. The method of manufacturing a dielectric line filter according to claim 7, wherein the dielectric medium is made of a porous material, and a dielectric constant of the dielectric medium is adjusted so as to adjust a porosity of the porous material.
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