JP3330925B2 - レーザー穴開け用銅箔 - Google Patents
レーザー穴開け用銅箔Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント回路基板
の層間接続孔を効率良く形成できるレーザー穴開け性に
優れた銅箔に関する。なお、本発明の銅箔は、銅箔それ
自体のみならず、銅張り積層板あるいは積層板に直接銅
を形成したもの（めっきしたものを含む）の全てを含む
ものとする。
の層間接続孔を効率良く形成できるレーザー穴開け性に
優れた銅箔に関する。なお、本発明の銅箔は、銅箔それ
自体のみならず、銅張り積層板あるいは積層板に直接銅
を形成したもの（めっきしたものを含む）の全てを含む
ものとする。
【０００２】
【従来の技術】近年、銅箔を導電体として用いた電子部
品及び配線基板の製造において、配線の高密度化に伴
い、従来の機械式ドリルに比較して、より微細な加工が
可能であるレーザーによる穴開けが用いられるようにな
ってきた。しかしながら、汎用性の高い炭酸ガスレーザ
ーを照射して銅箔表面に穴開け加工をしようとした場
合、炭酸ガスレーザーの波長である１０μｍ近傍での銅
の反射率が１００％近くなり、レーザー加工効率が極め
て悪いと言う問題点がある。この加工率の低下を補うた
めに、高出力の炭酸ガスレーザー加工装置が必要となる
が、このような高出力の炭酸ガスレーザーを用いて、高
エネルギーでレーザー加工した場合、銅箔と同時に穴開
けする樹脂基板が加工され過ぎてダメージを受け、意図
した形状に穴開けができないという問題を生じた。ま
た、加工に伴う飛散物が多くなり、装置および加工物の
非加工部への汚染等の問題が生じる。
品及び配線基板の製造において、配線の高密度化に伴
い、従来の機械式ドリルに比較して、より微細な加工が
可能であるレーザーによる穴開けが用いられるようにな
ってきた。しかしながら、汎用性の高い炭酸ガスレーザ
ーを照射して銅箔表面に穴開け加工をしようとした場
合、炭酸ガスレーザーの波長である１０μｍ近傍での銅
の反射率が１００％近くなり、レーザー加工効率が極め
て悪いと言う問題点がある。この加工率の低下を補うた
めに、高出力の炭酸ガスレーザー加工装置が必要となる
が、このような高出力の炭酸ガスレーザーを用いて、高
エネルギーでレーザー加工した場合、銅箔と同時に穴開
けする樹脂基板が加工され過ぎてダメージを受け、意図
した形状に穴開けができないという問題を生じた。ま
た、加工に伴う飛散物が多くなり、装置および加工物の
非加工部への汚染等の問題が生じる。
【０００３】そこで、このような問題を避けるため、銅
箔部分に予め化学エッチングで穴開けし、その後樹脂部
をレーザーで穴開けすることが行われている。しかし、
この場合は銅箔及び樹脂部を一度に穴開けする場合に比
較して工程が増え、コスト高になってしまう欠点があ
る。一方、一般にレーザー光波長での反射率の高い金属
へレーザー加工の手段として、吸収率の高い物質を表面
に設けることにより、その物質にレーザー光を吸収さ
せ、熱を発生させて加工することが行われており、ま
た、表面に凹凸を付けることにより、同様に加工効率を
あげることが可能であることも知られている。さらに、
銅箔の穴開け加工に際し吸収率を高めるため銅の酸化表
面処理（黒化処理）を施すなどの提案もなされている。
箔部分に予め化学エッチングで穴開けし、その後樹脂部
をレーザーで穴開けすることが行われている。しかし、
この場合は銅箔及び樹脂部を一度に穴開けする場合に比
較して工程が増え、コスト高になってしまう欠点があ
る。一方、一般にレーザー光波長での反射率の高い金属
へレーザー加工の手段として、吸収率の高い物質を表面
に設けることにより、その物質にレーザー光を吸収さ
せ、熱を発生させて加工することが行われており、ま
た、表面に凹凸を付けることにより、同様に加工効率を
あげることが可能であることも知られている。さらに、
銅箔の穴開け加工に際し吸収率を高めるため銅の酸化表
面処理（黒化処理）を施すなどの提案もなされている。
【０００４】しかし、上記の提案はいずれも操作や処理
が複雑になり、その割には十分なレーザー加工効率が得
られず、また上記表面処理層を設けたものは、処理層が
脆弱で剥離等により工程中の汚染源となるなどの問題が
あった。また、銅箔自体を薄くして低エネルギーでも穴
開け可能とする提案もなされている。しかし、実際に使
用される銅箔の厚さは９〜３６μｍの異なった膜厚のも
のが使用されているので、銅箔を薄くできるのは一部の
材料のみである。また、同じ低エネルギーの条件で穴開
けを行うためには、銅箔を３〜５μｍ程度に極端に薄く
する必要があり、この場合にはハンドリング等が問題と
なる。このように、従来の銅箔を改良したいくつかの提
案は、レーザー光による穴開けに充分でなく、レーザー
加工に適する銅箔材料が得られていないのが現状であ
る。
が複雑になり、その割には十分なレーザー加工効率が得
られず、また上記表面処理層を設けたものは、処理層が
脆弱で剥離等により工程中の汚染源となるなどの問題が
あった。また、銅箔自体を薄くして低エネルギーでも穴
開け可能とする提案もなされている。しかし、実際に使
用される銅箔の厚さは９〜３６μｍの異なった膜厚のも
のが使用されているので、銅箔を薄くできるのは一部の
材料のみである。また、同じ低エネルギーの条件で穴開
けを行うためには、銅箔を３〜５μｍ程度に極端に薄く
する必要があり、この場合にはハンドリング等が問題と
なる。このように、従来の銅箔を改良したいくつかの提
案は、レーザー光による穴開けに充分でなく、レーザー
加工に適する銅箔材料が得られていないのが現状であ
る。
【０００５】
【発明が解決しょうとする課題】本発明は上記のような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、プリント回路基板の製造に際し、銅箔の表面を
改善することにより、レーザーによる穴開けが極めて容
易となり、小径層間接続孔の形成に適した銅箔を提供す
ることにある。
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、プリント回路基板の製造に際し、銅箔の表面を
改善することにより、レーザーによる穴開けが極めて容
易となり、小径層間接続孔の形成に適した銅箔を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上から、本発明は １ レーザーを用いて穴開け加工する銅箔であって、該
銅箔の少なくともレーザー入射面に、銅を含有するＣ
ｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ及びこれらの合金の
少なくとも１種以上の金属めっきを施し、該面に０．０
１〜３μｍの粒子層を形成したことを特徴とするレーザ
ー穴開け用銅箔 ２ 上記金属めっきにより粒子層を形成した面に、さら
に表面形状を変化させずにかぶせ皮膜を形成したことを
特徴とする上記１記載のレーザー穴開け用銅箔、を提供
する。
銅箔の少なくともレーザー入射面に、銅を含有するＣ
ｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ及びこれらの合金の
少なくとも１種以上の金属めっきを施し、該面に０．０
１〜３μｍの粒子層を形成したことを特徴とするレーザ
ー穴開け用銅箔 ２ 上記金属めっきにより粒子層を形成した面に、さら
に表面形状を変化させずにかぶせ皮膜を形成したことを
特徴とする上記１記載のレーザー穴開け用銅箔、を提供
する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は、表面めっき処理により
形成される表面形態に着目し、検討を進めた結果、表面
にめっきにより０．０１〜３μｍの粒子層を形成した場
合に、良好な穴開け特性が得られることを見出した。こ
の微細な０．０１〜３μｍの粒子層によって形成される
銅箔の粗化処理面はレーザー光を乱反射させ、光の吸収
と同様の効果を上げることができ、炭酸ガスレーザーに
よる低エネルギーでも充分な穴開け性を確保することが
可能となった。この時、銅を含有させて使用するめっき
金属としては、それ自体がレーザー光を吸収し、レーザ
ー穴開けに効果があると確認されているＮｉ、Ｃｏ、Ｓ
ｎ、ＺｎＩｎ及びこれらの合金を使用できる。しかし、
これらに限定する必要はなく、他の金属も使用できる。
本発明のように、銅箔のレーザー光入射面に銅を含有さ
せた金属めっきを施し、０．０１〜３μｍの粒子を形成
することにより、さらに高いレーザー加工性を得ること
が可能となった。
形成される表面形態に着目し、検討を進めた結果、表面
にめっきにより０．０１〜３μｍの粒子層を形成した場
合に、良好な穴開け特性が得られることを見出した。こ
の微細な０．０１〜３μｍの粒子層によって形成される
銅箔の粗化処理面はレーザー光を乱反射させ、光の吸収
と同様の効果を上げることができ、炭酸ガスレーザーに
よる低エネルギーでも充分な穴開け性を確保することが
可能となった。この時、銅を含有させて使用するめっき
金属としては、それ自体がレーザー光を吸収し、レーザ
ー穴開けに効果があると確認されているＮｉ、Ｃｏ、Ｓ
ｎ、ＺｎＩｎ及びこれらの合金を使用できる。しかし、
これらに限定する必要はなく、他の金属も使用できる。
本発明のように、銅箔のレーザー光入射面に銅を含有さ
せた金属めっきを施し、０．０１〜３μｍの粒子を形成
することにより、さらに高いレーザー加工性を得ること
が可能となった。
【０００８】なお、銅を含有しない上記Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓ
ｎ、ＺｎＩｎ及びこれらの合金を使用して０．０１〜３
μｍの粒子層を形成し、レーザー穴開け性を向上させる
ことも考えられる。確かにこのようなめっきによる粒子
層を形成することによりレーザー穴開け性は向上した。
しかしながら、このようなめっき処理層の剥離や脱落が
起こり、場合によっては、こすれ等により簡単に剥離す
る現象が見られた。例えば、銅箔上にＣｏ単体の凹凸メ
ッキを施した場合、十分な穴開け性が確認されたが、そ
のめっき処理層は脆く、こすれにより粒子の脱離が起き
た。この脱落や剥離現象の問題を改善しようとして、め
っきの付着量を低減し、突起を低下させたところ、今度
は穴開け性が不十分となった。したがって、上記の金属
層を形成するだけでは、レーザー穴開け性等を向上させ
ることができても、実際には、適当な処理層とは言えず
問題があった。このようなことから、さらに銅箔にめっ
きする金属層を種々を検討した結果、上記粒子層を形成
する電気めっき組成物に銅を含有させることにより、め
っきの付着力が増し、処理層の剥離や脱落を効果的に防
止できることが分かった。
ｎ、ＺｎＩｎ及びこれらの合金を使用して０．０１〜３
μｍの粒子層を形成し、レーザー穴開け性を向上させる
ことも考えられる。確かにこのようなめっきによる粒子
層を形成することによりレーザー穴開け性は向上した。
しかしながら、このようなめっき処理層の剥離や脱落が
起こり、場合によっては、こすれ等により簡単に剥離す
る現象が見られた。例えば、銅箔上にＣｏ単体の凹凸メ
ッキを施した場合、十分な穴開け性が確認されたが、そ
のめっき処理層は脆く、こすれにより粒子の脱離が起き
た。この脱落や剥離現象の問題を改善しようとして、め
っきの付着量を低減し、突起を低下させたところ、今度
は穴開け性が不十分となった。したがって、上記の金属
層を形成するだけでは、レーザー穴開け性等を向上させ
ることができても、実際には、適当な処理層とは言えず
問題があった。このようなことから、さらに銅箔にめっ
きする金属層を種々を検討した結果、上記粒子層を形成
する電気めっき組成物に銅を含有させることにより、め
っきの付着力が増し、処理層の剥離や脱落を効果的に防
止できることが分かった。
【０００９】更に、上記剥離や脱落を防止するために、
粗化処理面の上に1種以上の金属のかぶせめっきを施す
こともさらに有効である。このかぶせめっきは通常のめ
っき条件（正常めっき）でよく、前記粗化面処理で形成
した０．０１〜３μｍの粒子層を損なうことなくめっき
する。すなわち、レーザー光による穴開け性を低下させ
ないように、０．０１〜３μｍの粒子層がこの範囲で、
実質的に存在することが必要である。このかぶせ皮膜形
成のめっきには、上記粒子層を形成する粗化めっきと共
通のめっきでも良いし、異なるめっきでも良い。好まし
くは、上記粒子層を形成する粗化めっきと同様に、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ及びこれらの合金がよく、
更にレーザー穴開け性が改善できる。このように、粗化
処理の上にかぶせメッキを施すことにより、剥離や脱落
がなく且つ十分なレーザー穴開け性を確保できる。
粗化処理面の上に1種以上の金属のかぶせめっきを施す
こともさらに有効である。このかぶせめっきは通常のめ
っき条件（正常めっき）でよく、前記粗化面処理で形成
した０．０１〜３μｍの粒子層を損なうことなくめっき
する。すなわち、レーザー光による穴開け性を低下させ
ないように、０．０１〜３μｍの粒子層がこの範囲で、
実質的に存在することが必要である。このかぶせ皮膜形
成のめっきには、上記粒子層を形成する粗化めっきと共
通のめっきでも良いし、異なるめっきでも良い。好まし
くは、上記粒子層を形成する粗化めっきと同様に、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ及びこれらの合金がよく、
更にレーザー穴開け性が改善できる。このように、粗化
処理の上にかぶせメッキを施すことにより、剥離や脱落
がなく且つ十分なレーザー穴開け性を確保できる。
【００１０】本発明に使用する銅箔は、電解銅箔又は圧
延銅箔のいずれにも適用できる。また、銅箔の厚みは高
密度配線として使用するために、１８μｍ以下であるこ
とが望ましい。しかし、本発明のレーザー穴開け性を向
上させた銅箔は、この厚さに制限されるわけではなく、
これ以上の厚さにも当然適用できるものである。これら
のめっき等により形成される粒子層（粗化処理）は、銅
箔のレーザー光照射面へ部分的に又は銅箔全面に施すこ
とができる。これらのめっき処理等は、回路基板に適用
される銅箔としての特性を損なわないことが要求される
のは当然であり、本発明の処理はこれらの条件を十分に
満たしている。
延銅箔のいずれにも適用できる。また、銅箔の厚みは高
密度配線として使用するために、１８μｍ以下であるこ
とが望ましい。しかし、本発明のレーザー穴開け性を向
上させた銅箔は、この厚さに制限されるわけではなく、
これ以上の厚さにも当然適用できるものである。これら
のめっき等により形成される粒子層（粗化処理）は、銅
箔のレーザー光照射面へ部分的に又は銅箔全面に施すこ
とができる。これらのめっき処理等は、回路基板に適用
される銅箔としての特性を損なわないことが要求される
のは当然であり、本発明の処理はこれらの条件を十分に
満たしている。
【００１１】上記のめっき処理後、クロム及び又は亜鉛
を含有する防錆処理を施すことができる。この防錆処理
の手法または処理液は特に制限されるものではない。こ
の防錆処理は、前記めっき処理の面上に、すなわち銅箔
のレーザー光照射面へ部分的に又は銅箔全面に施すこと
ができる。上記と同様に、この防錆処理は回路基板に適
用される銅箔としての特性を損なわないことが要求され
るのは当然であり、本発明の防錆処理はこれらの条件を
十分に満たしている。なお、この防錆処理はレーザー穴
開け性には殆ど影響しない。
を含有する防錆処理を施すことができる。この防錆処理
の手法または処理液は特に制限されるものではない。こ
の防錆処理は、前記めっき処理の面上に、すなわち銅箔
のレーザー光照射面へ部分的に又は銅箔全面に施すこと
ができる。上記と同様に、この防錆処理は回路基板に適
用される銅箔としての特性を損なわないことが要求され
るのは当然であり、本発明の防錆処理はこれらの条件を
十分に満たしている。なお、この防錆処理はレーザー穴
開け性には殆ど影響しない。
【００１２】本発明の金属めっきとして、例えばＣｕ、
Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ及びこれらの合金のめっ
き層を形成するには、次のようなめっき処理が適用でき
る。以下はその代表例である。この範囲内で適宜条件設
定を行うことにより、粗化処理及びかぶせめっきができ
る。なお、このめっき処理は好適な一例を示すのみであ
り、本発明はこれらの例に制限されない。
Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ及びこれらの合金のめっ
き層を形成するには、次のようなめっき処理が適用でき
る。以下はその代表例である。この範囲内で適宜条件設
定を行うことにより、粗化処理及びかぶせめっきができ
る。なお、このめっき処理は好適な一例を示すのみであ
り、本発明はこれらの例に制限されない。
【００１３】 （銅めっき処理） Ｃｕ濃度：１〜３０ｇ／Ｌ 電解液温度：２０〜６０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：５〜６０Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：０．５〜４秒 （ニッケルめっき処理） Ｎｉ濃度：１〜３０ｇ／Ｌ 電解液温度：２５〜６０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：０．５〜４秒 （コバルトめっき処理） Ｃｏ濃度：１〜３０ｇ／Ｌ 電解液温度：２５〜６０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：０．５〜４秒 （錫めっき処理） Ｓｎ濃度：５〜１００ｇ／Ｌ 硫酸：４０〜１５０ｇ／Ｌ 電解液温度：２５〜４０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：１．０〜５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：０．５〜４秒 （インジウムめっき処理） Ｉｎ濃度：１０〜５０ｇ／Ｌ 硫酸：１０〜５０ｇ／Ｌ 電解液温度：２０〜４０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：１．０〜２０Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：０．５〜４秒 （亜鉛−コバルトめっき処理） Ｚｎ濃度：１〜２０ｇ／Ｌ、 Ｃｏ濃度：１〜３０ｇ／Ｌ 電解液温度：２５〜５０°Ｃ、 ｐＨ：１．５〜４．０ 電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜３秒 （銅−ニッケルめっき処理） Ｃｕ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ、 Ｎｉ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ 電解液温度：２５〜５０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：１０〜４５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜３秒 （銅−コバルトめっき処理） Ｃｕ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ、 Ｃｏ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ 電解液温度：２５〜５０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：１０〜４５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜３秒 （亜鉛−ニッケルめっき処理） 亜鉛濃度：１〜１０ｇ／Ｌ、 Ｎｉ濃度：１０〜３０ｇ／Ｌ 電解液温度：４０〜５０°Ｃ、 ｐＨ ：３．０〜４．０ 電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜３秒 （コバルト−ニッケルめっき処理） Ｃｏ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ、 Ｎｉ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ 電解液温度：２０〜５０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：０．５〜１０Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜１８０秒 （銅−コバルト−ニッケルめっき処理） Ｃｏ濃度：１〜１５ｇ／Ｌ、 Ｎｉ濃度：１〜１５ｇ／Ｌ Ｃｕ濃度：５〜２５ｇ／Ｌ 電解液温度：２０〜５０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：１．０〜３０Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜１８０秒
【００１４】
【実施例】次に、実施例に基づいて説明する。なお、本
実施例は好適な一例を示すもので、本発明はこれらの実
施例に限定されるものではない。したがって、本発明の
技術思想に含まれる変形、他の実施例又は態様は、全て
本発明に含まれる。なお、本発明との対比のために、後
段に比較例を掲載した。
実施例は好適な一例を示すもので、本発明はこれらの実
施例に限定されるものではない。したがって、本発明の
技術思想に含まれる変形、他の実施例又は態様は、全て
本発明に含まれる。なお、本発明との対比のために、後
段に比較例を掲載した。
【００１５】（実施例１）厚さ１２μｍの電解銅箔の光
沢面（Ｓ面）に、上記条件で銅−コバルト−ニッケル合
金をめっきし、約０．１〜０．８μｍの粒子層を形成し
たものである。図１は、この粒子層を形成した粗化面の
顕微鏡写真である。
沢面（Ｓ面）に、上記条件で銅−コバルト−ニッケル合
金をめっきし、約０．１〜０．８μｍの粒子層を形成し
たものである。図１は、この粒子層を形成した粗化面の
顕微鏡写真である。
【００１６】（実施例２）厚さ１２μｍの電解銅箔の光
沢面（Ｓ面）に、上記条件で銅−コバルト−ニッケル合
金をめっきして約０．１〜０．８μｍの粒子層を形成
し、さらにその上に上記めっき条件でコバルト−ニッケ
ル合金によるかぶせめっき（被覆層を形成）したもので
ある。
沢面（Ｓ面）に、上記条件で銅−コバルト−ニッケル合
金をめっきして約０．１〜０．８μｍの粒子層を形成
し、さらにその上に上記めっき条件でコバルト−ニッケ
ル合金によるかぶせめっき（被覆層を形成）したもので
ある。
【００１７】（比較例１）厚さ１２μｍの電解銅箔をそ
のまま使用した。図２は、電解銅箔表面の顕微鏡写真で
ある。
のまま使用した。図２は、電解銅箔表面の顕微鏡写真で
ある。
【００１８】（比較例２）厚さ１２μｍの電解銅箔の光
沢面（Ｓ面）に、上記条件でコバルトをめっきして約
０．３〜１μｍの粒子層を形成したものである。図３
は、この粒子層を形成した粗化面の顕微鏡写真である。
沢面（Ｓ面）に、上記条件でコバルトをめっきして約
０．３〜１μｍの粒子層を形成したものである。図３
は、この粒子層を形成した粗化面の顕微鏡写真である。
【００１９】以上の実施例１、２及び比較例１、２の試
料について、プリプレグ（ＦＲ−４）を用いて片面基板
とし、各１００箇所に、次の条件で炭酸ガスレーザー光
を照射し、その穴開け率を比較した。その結果を表１に
示す。 （レーザー照射条件） 使用装置：炭酸ガスレーザー加工装置 スポットサイズ：１４４μｍφ パルス幅：３２μｓｅｃ 周波数：４００Ｈｚ、 ショット数：１ショット レーザー光照射エネルギー：（条件１：２５ｍＪ／パル
ス、条件２：３２ｍＪ／パルス）
料について、プリプレグ（ＦＲ−４）を用いて片面基板
とし、各１００箇所に、次の条件で炭酸ガスレーザー光
を照射し、その穴開け率を比較した。その結果を表１に
示す。 （レーザー照射条件） 使用装置：炭酸ガスレーザー加工装置 スポットサイズ：１４４μｍφ パルス幅：３２μｓｅｃ 周波数：４００Ｈｚ、 ショット数：１ショット レーザー光照射エネルギー：（条件１：２５ｍＪ／パル
ス、条件２：３２ｍＪ／パルス）
【００２０】
【表１】
【００２１】実施例１では、条件１及び条件２のいずれ
も１００％の穴開け率を示し、極めて優れた穴開け率を
示した。この場合、こすれによる粉落ち（めっき層の剥
離、脱落）が微量認められたが、特に問題となるレベル
ではなかった。これは、本発明の粒子層を形成するめっ
きにおいて、銅の含有はめっき層に剥離、脱落を防止す
る有効な手段であることが確認できた。
も１００％の穴開け率を示し、極めて優れた穴開け率を
示した。この場合、こすれによる粉落ち（めっき層の剥
離、脱落）が微量認められたが、特に問題となるレベル
ではなかった。これは、本発明の粒子層を形成するめっ
きにおいて、銅の含有はめっき層に剥離、脱落を防止す
る有効な手段であることが確認できた。
【００２２】実施例２では、上記実施例１と同様に、条
件１及び条件２のいずれも１００％の穴開け率を示し、
極めて優れた穴開け率を示した。この場合、こすれによ
る粉落ち（めっき層の剥離、脱落）もなかった。これ
は、本発明の粒子層を形成した後に、さらにコバルト−
ニッケルのかぶせめっきしたケースであるが、このかぶ
せめっきはめっき層に剥離、脱落を防止する有効な手段
であることが確認できた。
件１及び条件２のいずれも１００％の穴開け率を示し、
極めて優れた穴開け率を示した。この場合、こすれによ
る粉落ち（めっき層の剥離、脱落）もなかった。これ
は、本発明の粒子層を形成した後に、さらにコバルト−
ニッケルのかぶせめっきしたケースであるが、このかぶ
せめっきはめっき層に剥離、脱落を防止する有効な手段
であることが確認できた。
【００２３】比較例１では、銅箔そのものを使用したケ
ースであるが、こすれによる粉落ちは認められないが、
条件１ではレーザー穴開け率が０、すなわち穴開けが事
実上できない。また、条件２でも穴開け率がわずか９％
で、極めて悪い結果となった。
ースであるが、こすれによる粉落ちは認められないが、
条件１ではレーザー穴開け率が０、すなわち穴開けが事
実上できない。また、条件２でも穴開け率がわずか９％
で、極めて悪い結果となった。
【００２４】比較例２では、条件１及び条件２のいずれ
も１００％の穴開け率を示し、極めて優れた穴開け率を
示した。しかし、こすれによる粉落ち（めっき層の剥
離、脱落）が認められ、実際の使用に耐えるものではな
かった。
も１００％の穴開け率を示し、極めて優れた穴開け率を
示した。しかし、こすれによる粉落ち（めっき層の剥
離、脱落）が認められ、実際の使用に耐えるものではな
かった。
【００２５】以上から、銅箔そのものは炭酸ガスレーザ
ーによる穴開けは事実上不可能でありることがわかる。
本発明では、０．０１〜３μｍの粒子層を形成すること
により、上記実施例に示す通り、炭酸ガスレーザーによ
る穴開けが向上した。また、粉落ちの現象はこれらの粒
子を形成する際にめっき組成に銅を含有させることによ
り効果的に防止できる。またかぶせめっきをすることに
より、さらに強固に防止でき、必要に応じてこのような
手段を採用することができる。
ーによる穴開けは事実上不可能でありることがわかる。
本発明では、０．０１〜３μｍの粒子層を形成すること
により、上記実施例に示す通り、炭酸ガスレーザーによ
る穴開けが向上した。また、粉落ちの現象はこれらの粒
子を形成する際にめっき組成に銅を含有させることによ
り効果的に防止できる。またかぶせめっきをすることに
より、さらに強固に防止でき、必要に応じてこのような
手段を採用することができる。
【００２６】
【発明の効果】プリント回路基板の製造に際して、炭酸
ガスレーザー等による低エネルギーレーザーで銅箔の直
接開孔及び簡便な層間接続孔の形成ができ、またこすれ
等によるめっき層の剥離や脱落を防止できるる著しい効
果を有する。
ガスレーザー等による低エネルギーレーザーで銅箔の直
接開孔及び簡便な層間接続孔の形成ができ、またこすれ
等によるめっき層の剥離や脱落を防止できるる著しい効
果を有する。
【図１】実施例１の粒子層を形成した粗化面の顕微鏡写
真である。
真である。
【図２】比較例１の電解銅箔表面の顕微鏡写真である。
【図３】比較例２の粒子層を形成した粗化面の顕微鏡写
真である。
真である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−231152（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−169169（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−169168（ＪＰ，Ａ) 特開2000−190420（ＪＰ，Ａ) 特開2000−43188（ＪＰ，Ａ) 特開2000−228582（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−174263（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 7/06 C25D 5/10 H05K 3/46 B23K 26/00
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザーを用いて穴開け加工する銅箔で
あって、該銅箔の少なくともレーザー入射面に、銅を含
有するＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ及びこれら
の合金の少なくとも１種以上の金属めっきを施し、該面
に０．０１〜３μｍの粒子層を形成したことを特徴とす
るレーザー穴開け用銅箔。 - 【請求項２】 上記金属めっきにより粒子層を形成した
面に、さらに表面形状を変化させずにかぶせ皮膜を形成
したことを特徴とする請求項１記載のレーザー穴開け用
銅箔。
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| PCT/JP2001/002706 WO2001077420A1 (fr) | 2000-04-05 | 2001-03-30 | Forage de trou par laser dans une tôle de cuivre |
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| JP2000103505A JP3330925B2 (ja) | 2000-04-05 | 2000-04-05 | レーザー穴開け用銅箔 |
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| KR101065758B1 (ko) | 2003-02-27 | 2011-09-19 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 전자파 실드용 동박, 그 제조방법 및 전자파 실드체 |
| JP4458519B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2010-04-28 | 三井金属鉱業株式会社 | 黒色化処理面を備える表面処理銅箔、その表面処理銅箔の製造方法及びその表面処理銅箔を用いたプラズマディスプレイの前面パネル用の電磁波遮蔽導電性メッシュ |
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| KR100654737B1 (ko) * | 2004-07-16 | 2006-12-08 | 일진소재산업주식회사 | 미세회로기판용 표면처리동박의 제조방법 및 그 동박 |
| JP2006210689A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | 高周波プリント配線板用銅箔及びその製造方法 |
| US7886437B2 (en) * | 2007-05-25 | 2011-02-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Process for forming an isolated electrically conductive contact through a metal package |
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| KR101400778B1 (ko) * | 2012-10-05 | 2014-06-02 | 일진머티리얼즈 주식회사 | 레이저 가공용 동박, 이를 채용한 동부착적층판 및 상기 동박의 제조방법 |
| CN103972513B (zh) * | 2013-02-06 | 2016-08-17 | 永箔科技股份有限公司 | 多孔性集流体金属材料连续加工法 |
| KR102356407B1 (ko) * | 2013-03-05 | 2022-01-28 | 미쓰이금속광업주식회사 | 레이저 가공용 구리 박, 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박, 구리클래드 적층체 및 프린트 배선판의 제조 방법 |
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JP2000190420A (ja) | 1998-10-21 | 2000-07-11 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 新規な複合箔およびその製造方法、銅張り積層板 |
| JP2000228582A (ja) | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 信頼性に優れたスルーホールを有するプリント配線板の製造方法 |
-
2000
- 2000-04-05 JP JP2000103505A patent/JP3330925B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-03-29 TW TW090107469A patent/TWI238027B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-03-30 KR KR10-2002-7012574A patent/KR100495481B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-05 MY MYPI20011627A patent/MY122999A/en unknown
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| Publication number | Publication date |
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| KR20020084243A (ko) | 2002-11-04 |
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