JP3382141B2 - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願の発明は、半導体薄膜に
入射した光のエネルギーを電力に変換する薄膜系の光電
変換素子に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】図１は、光電変換素子の一般的な構成を
示している。この光電変換素子１１では、ガラス基板１
２上にＳｉＯ2膜１３が積層されており、これらのガラ
ス基板１２とＳｉＯ2膜１３とで透光性基体１４が構成
されている。ＳｉＯ2膜１３上には、ＣＶＤ法やスパッ
タ法や蒸着法等で形成されたＳｎＯ2膜やＺｎＯ膜やＩ
ｎ2Ｏ3膜等の金属酸化物膜である透光性電極１５が積層
されている。これらの金属酸化物膜には不純物が含まれ
ている場合も含まれていない場合もある。 【０００３】透光性電極１５上には非晶質Ｓｉ薄膜等で
ある半導体薄膜１６が積層されており、ｐｎ接合やｐｉ
ｎ接合等が半導体薄膜１６に形成されている。半導体薄
膜１６上には、Ａｌ膜等である裏面電極１７が積層され
ている。なお、ガラス基板１２からアルカリ成分が溶出
して透光性電極１５に欠陥が生じたり透光性電極１５の
電気抵抗が高くなったりすることを防止するためにＳｉ
Ｏ2膜１３が設けられているが、このＳｉＯ2膜１３は必
ずしも必要ではない。 【０００４】この様な光電変換素子１１では、ガラス基
板１２側から光を入射させる。ガラス基板１２に入射し
ＳｉＯ2膜１３及び透光性電極１５を透過して半導体薄
膜１６に入射した光が半導体薄膜１６の禁制帯幅よりも
大きなエネルギーを有していると、この光が半導体薄膜
１６の空乏層等で吸収されて、電子−正孔対を生成す
る。これらの電子及び正孔が透光性電極１５または裏面
電極１７に集められて、起電力が発生する。 【０００５】ところで、光電変換素子１１の光電変換効
率を高めるためには、半導体薄膜１６に多くの光を入射
させる必要がある。このため、従来の光電変換素子１１
では、透光性基体１４に入射した光が透光性電極１５で
吸収されにくくするために、光透過率の高い材料で透光
性電極１５を形成することが考えられていた。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光電変
換素子１１では、透光性基体１４と透光性電極１５との
界面や透光性電極１５と半導体薄膜１６との界面におけ
る反射率が高かった。このため、光透過率の高い材料で
透光性電極１５が形成されていても、十分な量の光が半
導体薄膜１６に入射しなくて、光電変換効率が十分には
高くなかった。 【０００７】従って、本願の発明は、製造コストの増大
が抑制されているにも拘らず半導体薄膜に多くの光を入
射させることができて光電変換効率が高い光電変換素子
を提供することを目的としている。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本願の発明による光電変
換素子では、複数層の透光性導電膜が積層されて透光性
電極が構成されているが、複数層の透光性導電膜の主成
分が互いに同じＳｎＯ 2 で、添加されているＦである不
純物の濃度が相対的に高い透光性導電膜と不純物の濃度
が相対的に低い透光性導電膜とが交互に３層以上積層さ
れているだけであるので、透光性電極を構成している複
数層の透光性導電膜を同一の製造装置で連続的に形成す
ることができる。 【０００９】そして、それにも拘らず、添加されている
不純物の濃度が相対的に高い透光性導電膜と不純物の濃
度が相対的に低い透光性導電膜とが交互に積層されてい
るので、積層方向に接している２層の透光性導電膜の屈
折率が互いに異なっている。このため、透光性基体に接
する透光性導電膜や半導体薄膜に接する透光性導電膜と
して透光性基体や半導体薄膜との屈折率差が小さい透光
性導電膜を選択することができて、透光性基体と透光性
電極との界面や透光性電極と半導体薄膜との界面におけ
る反射率を低減させることができる。 【００１０】 【発明の実施の形態】以下、ＳｎＯ2膜が透光性電極１
５になっている薄膜系の光電変換素子に適用した本願の
発明の一参考形態及び第１〜第３実施形態を、図１を参
照しながら説明する。参考形態及び第１〜第３実施形態
の何れの光電変換素子でも、全体的な構成は既に図１に
示した通りである。しかし、参考形態及び第１〜第３実
施形態の光電変換素子１１では、単層ではなく複数層の
ＳｎＯ2膜が積層されて透光性電極１５が構成されてい
る。 【００１１】まず、２層のＳｎＯ2膜で透光性電極１５
が構成されている参考形態を説明する。この参考形態の
光電変換素子１１を製造するためには、ソーダ石灰シリ
カガラスを溶融窯で溶融させ、溶融した素地を錫槽に流
し込む所謂フロート法によって、後に切断されてガラス
基板１２になる厚さ２ｍｍの板状ガラスを形成する。錫
槽内の雰囲気は９８体積％の窒素と２体積％の水素とか
ら成っており、この雰囲気の圧力は錫槽外の圧力よりも
若干高い。 【００１２】錫槽内には、オンラインＣＶＤ法を実行す
ることができる様に、原料ガスを供給するための複数の
ノズルが板状ガラスの移動方向に沿って設けられてい
る。形成された板状ガラスが第１群のノズルの下方を通
過する際に、モノシラン、エチレン、酸素及び窒素の混
合ガスを第１群のノズルから板状ガラスに供給して、厚
さ３０ｎｍのＳｉＯ2膜１３を板状ガラス上に形成す
る。 【００１３】そして、板状ガラスが第２群のノズルの下
方を通過する際に、ジメチル錫ジクロライドの蒸気、酸
素、水蒸気及び窒素の混合ガスを第２群のノズルから板
状ガラスに供給して、厚さ３６０ｎｍの純粋な第１層目
のＳｎＯ2膜をＳｉＯ2膜１３上に形成する。 【００１４】そして、更に、板状ガラスが第３群のノズ
ルの下方を通過する際に、ジメチル錫ジクロライドの蒸
気、酸素、水蒸気、窒素及びフッ化水素の混合ガスを第
３群のノズルから板状ガラスに供給して、Ｆが添加され
た厚さ２３０ｎｍの第２層目のＳｎＯ2膜を第１層目の
ＳｎＯ2膜上に形成する。 【００１５】板状ガラスが第１〜第３群の夫々のノズル
の下方を通過する時間は互いに略等しいので、ＳｉＯ2
膜１３並びに第１層目及び第２層目のＳｎＯ2膜の夫々
の厚さは、夫々のノズルから供給する原料ガスの濃度を
変化させることによって制御する。その後、板状ガラス
を徐冷させてから、４５０ｍｍ×４５０ｍｍの寸法のガ
ラス板に切断する。 【００１６】次に、切断したガラス板を十分に洗浄し且
つ乾燥させた後、高周波グロー放電を行う容量結合型の
プラズマＣＶＤ装置で、ｐｉｎ接合を有する半導体薄膜
１６を透光性電極１５上に形成する。半導体薄膜１６の
構成及び各層の形成条件は下記の通りであり、各層の厚
さは形成時間によって制御する。 【００１７】 ｐ層 ａ−ＳｉＣ：Ｈ １０ｎｍ モノシラン ５５ｓｃｃｍ メタン １５ｓｃｃｍ ジボラン ３０ｓｃｃｍ 放電電力 ５Ｗ 基板温度 ２２０℃ 圧力 １７０Ｐａ程度 【００１８】 ｉ層 ａ−Ｓｉ：Ｈ ３００〜５５０ｎｍ モノシラン １００ｓｃｃｍ 放電電力 ５Ｗ 基板温度 ２２０℃ 圧力 １７０Ｐａ程度 【００１９】 ｎ層 μｃ−Ｓｉ：Ｈ ４０ｎｍ モノシラン ２５ｓｃｃｍ フォスフィン ２５ｓｃｃｍ 放電電力 ５０Ｗ 基板温度 ２２０℃ 圧力 １７０Ｐａ程度 【００２０】次に、１３３Ｐａ程度の圧力の真空蒸着に
よって、厚さ３００ｎｍ程度のＡｌ膜を裏面電極１７と
して半導体薄膜１６上に形成する。そして、このガラス
板を４３０ｍｍ×４３０ｍｍの寸法に切断して、この参
考形態の光電変換素子１１を完成させる。 【００２１】半導体薄膜１６及び裏面電極１７を除いた
参考形態の光電変換素子１１における構造及び光の透過
率が、表１の項番１に示されている。表１の項番１の右
端欄には、参考形態の透光性電極１５と全体の厚さが同
じであるがＦが添加された単層のＳｎＯ2膜で透光性電
極１５が形成されている比較例における光の透過率も示
されている。 【００２２】 【表１】【００２３】なお、第１層目及び第２層目の夫々のＳｎ
Ｏ2膜の厚さは、以下の様にして測定した。即ち、移動
している板状ガラスに対して第１層目のＳｎＯ2膜の形
成を開始する位置よりも第２層目のＳｎＯ2膜の形成を
開始する位置を遅らせて、第２層目のＳｎＯ2膜の表面
が露出している部分のみならず第１層目のＳｎＯ2膜の
表面が露出している部分も形成した。 【００２４】そして、第１層目のＳｎＯ2膜の表面が露
出している部分と第２層目のＳｎＯ2膜の表面が露出し
ている部分とから測定領域を選択し、測定領域以外の領
域をテープでマスクすると共に測定領域に亜鉛の粉末を
付け、これらの上から希塩酸を注いでＳｎＯ2膜をエッ
チングし、触針計（アルファステップ−２００：テンコ
ールインスツルメンツ社の製品名）で夫々のＳｎＯ2膜
の厚さを測定した。 【００２５】次に、第１〜第３実施形態を説明する。表
１の項番２〜４には、半導体薄膜１６及び裏面電極１７
を除いた第１〜第３実施形態の光電変換素子１１におけ
る構造及び光の透過率と、各々の比較例における光の透
過率も示されている。これら第１〜第３実施形態の光電
変換素子１１では、透光性電極１５を構成しているＳｎ
Ｏ2膜の積層構造のみが上述の参考形態と相違している
だけであり、しかも、各層のＳｎＯ2膜は参考形態の製
造方法と同様にして形成される。 【００２６】表１の項番５には、４層のＳｎＯ2膜で透
光性電極１５が構成されている点は第２実施形態と同じ
であるが、Ｆが添加されていない純粋なＳｎＯ2膜が半
導体薄膜１６に接している点で第２実施形態と相違して
いる比較例も示されている。この表１から明らかな様
に、参考形態及び第１〜第３実施形態の何れの光電変換
素子１１における光の透過率も比較例における光の透過
率よりも高い。従って、参考形態及び第１〜第３実施形
態の何れの光電変換素子１１も、半導体薄膜１６に多く
の光を入射させることができて光電変換効率が高い。 【００２７】透光性電極１５は低抵抗である必要がある
ので、積層されている複数層のＳｎＯ2膜全体の厚さは
４００ｎｍ程度以上である必要がある。しかし、透光性
電極１５が厚過ぎると光の透過率が低下すると共に製造
コストが上昇するので、積層されている複数層のＳｎＯ
2膜全体の厚さは１５００ｎｍ程度以下である必要があ
る。なお、以上に述べた光電変換素子１１としては、太
陽電池やフォトダイオード等がある。 【００２８】 【発明の効果】本願の発明による光電変換素子では、透
光性電極を構成している複数層の透光性導電膜を同一の
製造装置で連続的に形成することができるので、製造コ
ストの増大が抑制されており、そして、それにも拘ら
ず、透光性基体と透光性電極との界面や透光性電極と半
導体薄膜との界面における反射率を低減させることがで
きるので、半導体薄膜に多くの光を入射させることがで
きて光電変換効率が高い。
入射した光のエネルギーを電力に変換する薄膜系の光電
変換素子に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】図１は、光電変換素子の一般的な構成を
示している。この光電変換素子１１では、ガラス基板１
２上にＳｉＯ2膜１３が積層されており、これらのガラ
ス基板１２とＳｉＯ2膜１３とで透光性基体１４が構成
されている。ＳｉＯ2膜１３上には、ＣＶＤ法やスパッ
タ法や蒸着法等で形成されたＳｎＯ2膜やＺｎＯ膜やＩ
ｎ2Ｏ3膜等の金属酸化物膜である透光性電極１５が積層
されている。これらの金属酸化物膜には不純物が含まれ
ている場合も含まれていない場合もある。 【０００３】透光性電極１５上には非晶質Ｓｉ薄膜等で
ある半導体薄膜１６が積層されており、ｐｎ接合やｐｉ
ｎ接合等が半導体薄膜１６に形成されている。半導体薄
膜１６上には、Ａｌ膜等である裏面電極１７が積層され
ている。なお、ガラス基板１２からアルカリ成分が溶出
して透光性電極１５に欠陥が生じたり透光性電極１５の
電気抵抗が高くなったりすることを防止するためにＳｉ
Ｏ2膜１３が設けられているが、このＳｉＯ2膜１３は必
ずしも必要ではない。 【０００４】この様な光電変換素子１１では、ガラス基
板１２側から光を入射させる。ガラス基板１２に入射し
ＳｉＯ2膜１３及び透光性電極１５を透過して半導体薄
膜１６に入射した光が半導体薄膜１６の禁制帯幅よりも
大きなエネルギーを有していると、この光が半導体薄膜
１６の空乏層等で吸収されて、電子−正孔対を生成す
る。これらの電子及び正孔が透光性電極１５または裏面
電極１７に集められて、起電力が発生する。 【０００５】ところで、光電変換素子１１の光電変換効
率を高めるためには、半導体薄膜１６に多くの光を入射
させる必要がある。このため、従来の光電変換素子１１
では、透光性基体１４に入射した光が透光性電極１５で
吸収されにくくするために、光透過率の高い材料で透光
性電極１５を形成することが考えられていた。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光電変
換素子１１では、透光性基体１４と透光性電極１５との
界面や透光性電極１５と半導体薄膜１６との界面におけ
る反射率が高かった。このため、光透過率の高い材料で
透光性電極１５が形成されていても、十分な量の光が半
導体薄膜１６に入射しなくて、光電変換効率が十分には
高くなかった。 【０００７】従って、本願の発明は、製造コストの増大
が抑制されているにも拘らず半導体薄膜に多くの光を入
射させることができて光電変換効率が高い光電変換素子
を提供することを目的としている。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本願の発明による光電変
換素子では、複数層の透光性導電膜が積層されて透光性
電極が構成されているが、複数層の透光性導電膜の主成
分が互いに同じＳｎＯ 2 で、添加されているＦである不
純物の濃度が相対的に高い透光性導電膜と不純物の濃度
が相対的に低い透光性導電膜とが交互に３層以上積層さ
れているだけであるので、透光性電極を構成している複
数層の透光性導電膜を同一の製造装置で連続的に形成す
ることができる。 【０００９】そして、それにも拘らず、添加されている
不純物の濃度が相対的に高い透光性導電膜と不純物の濃
度が相対的に低い透光性導電膜とが交互に積層されてい
るので、積層方向に接している２層の透光性導電膜の屈
折率が互いに異なっている。このため、透光性基体に接
する透光性導電膜や半導体薄膜に接する透光性導電膜と
して透光性基体や半導体薄膜との屈折率差が小さい透光
性導電膜を選択することができて、透光性基体と透光性
電極との界面や透光性電極と半導体薄膜との界面におけ
る反射率を低減させることができる。 【００１０】 【発明の実施の形態】以下、ＳｎＯ2膜が透光性電極１
５になっている薄膜系の光電変換素子に適用した本願の
発明の一参考形態及び第１〜第３実施形態を、図１を参
照しながら説明する。参考形態及び第１〜第３実施形態
の何れの光電変換素子でも、全体的な構成は既に図１に
示した通りである。しかし、参考形態及び第１〜第３実
施形態の光電変換素子１１では、単層ではなく複数層の
ＳｎＯ2膜が積層されて透光性電極１５が構成されてい
る。 【００１１】まず、２層のＳｎＯ2膜で透光性電極１５
が構成されている参考形態を説明する。この参考形態の
光電変換素子１１を製造するためには、ソーダ石灰シリ
カガラスを溶融窯で溶融させ、溶融した素地を錫槽に流
し込む所謂フロート法によって、後に切断されてガラス
基板１２になる厚さ２ｍｍの板状ガラスを形成する。錫
槽内の雰囲気は９８体積％の窒素と２体積％の水素とか
ら成っており、この雰囲気の圧力は錫槽外の圧力よりも
若干高い。 【００１２】錫槽内には、オンラインＣＶＤ法を実行す
ることができる様に、原料ガスを供給するための複数の
ノズルが板状ガラスの移動方向に沿って設けられてい
る。形成された板状ガラスが第１群のノズルの下方を通
過する際に、モノシラン、エチレン、酸素及び窒素の混
合ガスを第１群のノズルから板状ガラスに供給して、厚
さ３０ｎｍのＳｉＯ2膜１３を板状ガラス上に形成す
る。 【００１３】そして、板状ガラスが第２群のノズルの下
方を通過する際に、ジメチル錫ジクロライドの蒸気、酸
素、水蒸気及び窒素の混合ガスを第２群のノズルから板
状ガラスに供給して、厚さ３６０ｎｍの純粋な第１層目
のＳｎＯ2膜をＳｉＯ2膜１３上に形成する。 【００１４】そして、更に、板状ガラスが第３群のノズ
ルの下方を通過する際に、ジメチル錫ジクロライドの蒸
気、酸素、水蒸気、窒素及びフッ化水素の混合ガスを第
３群のノズルから板状ガラスに供給して、Ｆが添加され
た厚さ２３０ｎｍの第２層目のＳｎＯ2膜を第１層目の
ＳｎＯ2膜上に形成する。 【００１５】板状ガラスが第１〜第３群の夫々のノズル
の下方を通過する時間は互いに略等しいので、ＳｉＯ2
膜１３並びに第１層目及び第２層目のＳｎＯ2膜の夫々
の厚さは、夫々のノズルから供給する原料ガスの濃度を
変化させることによって制御する。その後、板状ガラス
を徐冷させてから、４５０ｍｍ×４５０ｍｍの寸法のガ
ラス板に切断する。 【００１６】次に、切断したガラス板を十分に洗浄し且
つ乾燥させた後、高周波グロー放電を行う容量結合型の
プラズマＣＶＤ装置で、ｐｉｎ接合を有する半導体薄膜
１６を透光性電極１５上に形成する。半導体薄膜１６の
構成及び各層の形成条件は下記の通りであり、各層の厚
さは形成時間によって制御する。 【００１７】 ｐ層 ａ−ＳｉＣ：Ｈ １０ｎｍ モノシラン ５５ｓｃｃｍ メタン １５ｓｃｃｍ ジボラン ３０ｓｃｃｍ 放電電力 ５Ｗ 基板温度 ２２０℃ 圧力 １７０Ｐａ程度 【００１８】 ｉ層 ａ−Ｓｉ：Ｈ ３００〜５５０ｎｍ モノシラン １００ｓｃｃｍ 放電電力 ５Ｗ 基板温度 ２２０℃ 圧力 １７０Ｐａ程度 【００１９】 ｎ層 μｃ−Ｓｉ：Ｈ ４０ｎｍ モノシラン ２５ｓｃｃｍ フォスフィン ２５ｓｃｃｍ 放電電力 ５０Ｗ 基板温度 ２２０℃ 圧力 １７０Ｐａ程度 【００２０】次に、１３３Ｐａ程度の圧力の真空蒸着に
よって、厚さ３００ｎｍ程度のＡｌ膜を裏面電極１７と
して半導体薄膜１６上に形成する。そして、このガラス
板を４３０ｍｍ×４３０ｍｍの寸法に切断して、この参
考形態の光電変換素子１１を完成させる。 【００２１】半導体薄膜１６及び裏面電極１７を除いた
参考形態の光電変換素子１１における構造及び光の透過
率が、表１の項番１に示されている。表１の項番１の右
端欄には、参考形態の透光性電極１５と全体の厚さが同
じであるがＦが添加された単層のＳｎＯ2膜で透光性電
極１５が形成されている比較例における光の透過率も示
されている。 【００２２】 【表１】【００２３】なお、第１層目及び第２層目の夫々のＳｎ
Ｏ2膜の厚さは、以下の様にして測定した。即ち、移動
している板状ガラスに対して第１層目のＳｎＯ2膜の形
成を開始する位置よりも第２層目のＳｎＯ2膜の形成を
開始する位置を遅らせて、第２層目のＳｎＯ2膜の表面
が露出している部分のみならず第１層目のＳｎＯ2膜の
表面が露出している部分も形成した。 【００２４】そして、第１層目のＳｎＯ2膜の表面が露
出している部分と第２層目のＳｎＯ2膜の表面が露出し
ている部分とから測定領域を選択し、測定領域以外の領
域をテープでマスクすると共に測定領域に亜鉛の粉末を
付け、これらの上から希塩酸を注いでＳｎＯ2膜をエッ
チングし、触針計（アルファステップ−２００：テンコ
ールインスツルメンツ社の製品名）で夫々のＳｎＯ2膜
の厚さを測定した。 【００２５】次に、第１〜第３実施形態を説明する。表
１の項番２〜４には、半導体薄膜１６及び裏面電極１７
を除いた第１〜第３実施形態の光電変換素子１１におけ
る構造及び光の透過率と、各々の比較例における光の透
過率も示されている。これら第１〜第３実施形態の光電
変換素子１１では、透光性電極１５を構成しているＳｎ
Ｏ2膜の積層構造のみが上述の参考形態と相違している
だけであり、しかも、各層のＳｎＯ2膜は参考形態の製
造方法と同様にして形成される。 【００２６】表１の項番５には、４層のＳｎＯ2膜で透
光性電極１５が構成されている点は第２実施形態と同じ
であるが、Ｆが添加されていない純粋なＳｎＯ2膜が半
導体薄膜１６に接している点で第２実施形態と相違して
いる比較例も示されている。この表１から明らかな様
に、参考形態及び第１〜第３実施形態の何れの光電変換
素子１１における光の透過率も比較例における光の透過
率よりも高い。従って、参考形態及び第１〜第３実施形
態の何れの光電変換素子１１も、半導体薄膜１６に多く
の光を入射させることができて光電変換効率が高い。 【００２７】透光性電極１５は低抵抗である必要がある
ので、積層されている複数層のＳｎＯ2膜全体の厚さは
４００ｎｍ程度以上である必要がある。しかし、透光性
電極１５が厚過ぎると光の透過率が低下すると共に製造
コストが上昇するので、積層されている複数層のＳｎＯ
2膜全体の厚さは１５００ｎｍ程度以下である必要があ
る。なお、以上に述べた光電変換素子１１としては、太
陽電池やフォトダイオード等がある。 【００２８】 【発明の効果】本願の発明による光電変換素子では、透
光性電極を構成している複数層の透光性導電膜を同一の
製造装置で連続的に形成することができるので、製造コ
ストの増大が抑制されており、そして、それにも拘ら
ず、透光性基体と透光性電極との界面や透光性電極と半
導体薄膜との界面における反射率を低減させることがで
きるので、半導体薄膜に多くの光を入射させることがで
きて光電変換効率が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願の発明を適用し得る薄膜系の光電変換素子
の側面図である。 【符号の説明】 １１ 光電変換素子 １４ 透光性基体 １５ 透光性電極 １６ 半導体薄膜
の側面図である。 【符号の説明】 １１ 光電変換素子 １４ 透光性基体 １５ 透光性電極 １６ 半導体薄膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 平田 昌宏
大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11
号 日本板硝子株式会社内
(56)参考文献 特開 平６−120534（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−275187（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−198169（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−199863（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−149485（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/04 - 31/078
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 透光性基体上に透光性電極と半導体薄膜
とが順次に積層されている光電変換素子において、 複数層の透光性導電膜が積層されて前記透光性電極が構
成されており、 前記複数層の透光性導電膜の主成分がＳｎＯ 2 であり、 添加されているＦである不純物の濃度が相対的に高い前
記透光性導電膜と前記不純物の濃度が相対的に低い前記
透光性導電膜とが交互に３層以上積層されており、 前記不純物の濃度が相対的に高い前記透光性導電膜が前
記半導体薄膜に接していることを特徴とする光電変換素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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