JP3376629B2 - 感光性樹脂組成物およびこれを使用したパターン形成方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物およびこれを使用したパターン形成方法Info
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シロキサンポリマーと
塩基発生剤を含有した新規な感光性樹脂組成物およびこ
れを使用したパターン形成方法に関するものである。
塩基発生剤を含有した新規な感光性樹脂組成物およびこ
れを使用したパターン形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、シロキサンポリマーを含む感
光性樹脂組成物は種々、提案されている。しかし、従来
の感光性樹脂組成物はシロキサンポリマーを酸発生剤と
組み合わせたものであり、パターン精度および加工性が
優れないものであった。
光性樹脂組成物は種々、提案されている。しかし、従来
の感光性樹脂組成物はシロキサンポリマーを酸発生剤と
組み合わせたものであり、パターン精度および加工性が
優れないものであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、パターン精度および加工性が優れた感光性樹脂組成
物およびこれを用いたパターン加工方法を提供すること
にある。
は、パターン精度および加工性が優れた感光性樹脂組成
物およびこれを用いたパターン加工方法を提供すること
にある。
【0004】かかる本発明の目的は、枝分かれしたアル
カリ可溶性シロキサンポリマーと塩基発生剤を含むこと
を特徴とするネガ型感光性樹脂組成物により達成され
る。
カリ可溶性シロキサンポリマーと塩基発生剤を含むこと
を特徴とするネガ型感光性樹脂組成物により達成され
る。
【0005】すなわち、本発明は、パターン精度および
加工性不良の原因について本発明者らが詳細な検討を行
なったところ、シロキサンポリマーのポリマー化を進行
させる主たる反応である縮合反応に好適な触媒は塩基性
化合物であることを見出だしたことに基づいている。従
来の感光性樹脂組成物に用いている酸もポリマー化の触
媒として働くが、その作用は弱く、不適当である。
加工性不良の原因について本発明者らが詳細な検討を行
なったところ、シロキサンポリマーのポリマー化を進行
させる主たる反応である縮合反応に好適な触媒は塩基性
化合物であることを見出だしたことに基づいている。従
来の感光性樹脂組成物に用いている酸もポリマー化の触
媒として働くが、その作用は弱く、不適当である。
【0006】シロキサンポリマーと溶剤からなる系に、
酸、あるいは塩基を触媒として添加し、ポリマー化の様
子、すなわち、ゲル化の様子を観察したところ、酸触媒
を用いた場合はゲル化はなかなか進まないのに対し、塩
基触媒を用いた場合は急速に反応が進行し、ゲル化する
ことが判明した。つまり、シロキサンポリマーとそのポ
リマー化促進剤とから構成される感光性樹脂組成物を構
築するにあたって、ポリマー化促進剤は塩基発生剤とす
るのが適当との知見を得たのである。
酸、あるいは塩基を触媒として添加し、ポリマー化の様
子、すなわち、ゲル化の様子を観察したところ、酸触媒
を用いた場合はゲル化はなかなか進まないのに対し、塩
基触媒を用いた場合は急速に反応が進行し、ゲル化する
ことが判明した。つまり、シロキサンポリマーとそのポ
リマー化促進剤とから構成される感光性樹脂組成物を構
築するにあたって、ポリマー化促進剤は塩基発生剤とす
るのが適当との知見を得たのである。
【0007】実際、枝分かれしたアルカリ可溶性シロキ
サンポリマーと塩基発生剤を少なくとも含むネガ型感光
性樹脂組成物は従来のシロキサンポリマーと酸発生剤を
少なくとも含む感光性樹脂組成物と比較して、パターン
精度が非常に優れ、また、パターン加工性についてもプ
ロセスラチチュードが広く、良好であった。
サンポリマーと塩基発生剤を少なくとも含むネガ型感光
性樹脂組成物は従来のシロキサンポリマーと酸発生剤を
少なくとも含む感光性樹脂組成物と比較して、パターン
精度が非常に優れ、また、パターン加工性についてもプ
ロセスラチチュードが広く、良好であった。
【0008】以下、本発明の構成を順に説明する。
【0009】本発明において用いられるシロキサンポリ
マーとしては、次の一般式(1) [Rx SiR´4-x ] (1) (ただし、Rは水素、アルキル基、アリール基、アリル
基、またはそれらの置換体を表し、R´は加水分解性基
を表す。また、xは0〜3の整数である。)で表される
シラン化合物を加水分解および縮合させることによって
得られるものがあげられる。
マーとしては、次の一般式(1) [Rx SiR´4-x ] (1) (ただし、Rは水素、アルキル基、アリール基、アリル
基、またはそれらの置換体を表し、R´は加水分解性基
を表す。また、xは0〜3の整数である。)で表される
シラン化合物を加水分解および縮合させることによって
得られるものがあげられる。
【0010】Rの具体例としては、水素;メチル基、エ
チル基、プロピル基などのアルキル基;ビニル基などの
アリル基;フェニル基、ナフチル基などのアリール基、
および、トリフルオロメチル基などのフルオロ置換体、
3−グリシドキシプロピル基などのエポキシ置換体、3
−アミノプロピル基などのアミン置換体などが挙げられ
るが、これらに限定されない。
チル基、プロピル基などのアルキル基;ビニル基などの
アリル基;フェニル基、ナフチル基などのアリール基、
および、トリフルオロメチル基などのフルオロ置換体、
3−グリシドキシプロピル基などのエポキシ置換体、3
−アミノプロピル基などのアミン置換体などが挙げられ
るが、これらに限定されない。
【0011】また、R´の具体例としては、メトキシ
基、エトキシ基、メトキシエトキシ基などのアルコキシ
基;クロロ、ブロモなどのハロゲン;アセトキシ基など
の加水分解性基が挙げられるが、これらに限定されな
い。
基、エトキシ基、メトキシエトキシ基などのアルコキシ
基;クロロ、ブロモなどのハロゲン;アセトキシ基など
の加水分解性基が挙げられるが、これらに限定されな
い。
【0012】シラン化合物の具体例としては、テトラメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリ
メトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、ジメ
チルジメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキ
シシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシ
シラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−
メタクリロキシプロピルトリメトキシシランなどを挙げ
ることができる。これらのシラン化合物を単独で用いて
も、二種以上混合して用いても良い。
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリ
メトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、ジメ
チルジメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキ
シシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシ
シラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−
メタクリロキシプロピルトリメトキシシランなどを挙げ
ることができる。これらのシラン化合物を単独で用いて
も、二種以上混合して用いても良い。
【0013】これらのシラン化合物に水を加え、加水分
解および部分縮合させることにより、シロキサンポリマ
ーが得られる。用いる水はイオン交換水が好ましく、そ
の量はシラン化合物1モルに対して、1〜4倍モルの範
囲で用いるのが好ましい。
解および部分縮合させることにより、シロキサンポリマ
ーが得られる。用いる水はイオン交換水が好ましく、そ
の量はシラン化合物1モルに対して、1〜4倍モルの範
囲で用いるのが好ましい。
【0014】反応は無溶媒でも良いが、通常は溶媒中で
行なわれる。溶媒としては、有機溶媒が好ましく、メチ
ルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、ジエチルエ
ーテル、酢酸エチル、ヘキサン、シクロヘキサン、ノル
マルブタノールなどの疎水性有機溶媒が特に好ましい。
溶媒の量は任意に選択可能であるが、シラン化合物1重
量に対して、0.1〜3.0倍重量の範囲で用いるのが
好ましい。
行なわれる。溶媒としては、有機溶媒が好ましく、メチ
ルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、ジエチルエ
ーテル、酢酸エチル、ヘキサン、シクロヘキサン、ノル
マルブタノールなどの疎水性有機溶媒が特に好ましい。
溶媒の量は任意に選択可能であるが、シラン化合物1重
量に対して、0.1〜3.0倍重量の範囲で用いるのが
好ましい。
【0015】また、このとき、酸あるいは塩基触媒を用
いることができるが、酸触媒が好ましい。具体例とし
て、塩酸、硫酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、リン酸など
のほか、イオン交換樹脂などの固体酸も挙げられる。
いることができるが、酸触媒が好ましい。具体例とし
て、塩酸、硫酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、リン酸など
のほか、イオン交換樹脂などの固体酸も挙げられる。
【0016】また、反応温度は、反応系の凝固点から沸
点の範囲で通常選択されるが、高分子量のシロキサンポ
リマーを得るには、還流下で1〜100時間行なうのが
好ましい。そのほかシロキサンポリマーの重合度を上げ
るために、加熱もしくは塩基触媒の添加を行うことも可
能である。
点の範囲で通常選択されるが、高分子量のシロキサンポ
リマーを得るには、還流下で1〜100時間行なうのが
好ましい。そのほかシロキサンポリマーの重合度を上げ
るために、加熱もしくは塩基触媒の添加を行うことも可
能である。
【0017】パターン加工性の観点からは、シロキサン
ポリマーをアルカリ可溶性とする。シロキサンポリマー
をアルカリ可溶性とする場合、重合度を上げ過ぎること
は、ヒドロキシシリル基の数が不十分となり、アルカリ
に対する溶解度が低下してしまうため、注意が必要であ
る。
ポリマーをアルカリ可溶性とする。シロキサンポリマー
をアルカリ可溶性とする場合、重合度を上げ過ぎること
は、ヒドロキシシリル基の数が不十分となり、アルカリ
に対する溶解度が低下してしまうため、注意が必要であ
る。
【0018】また、塗布性、保存安定性の向上のため
に、反応溶液から水および触媒を除去することが好まし
い。除去する方法としては特に限定されないが、例え
ば、イオン交換樹脂、イオン交換繊維、モレキュラーシ
ーブなどの吸着剤および乾燥剤を用いて行うことができ
るが、好ましくは、メチルイソブチルケトン、ジイソブ
チルケトン、ジエチルエーテルなどの疎水性有機溶剤を
用いて該反応溶液からシロキサンポリマーを抽出し、そ
の有機層を水洗する方法である。
に、反応溶液から水および触媒を除去することが好まし
い。除去する方法としては特に限定されないが、例え
ば、イオン交換樹脂、イオン交換繊維、モレキュラーシ
ーブなどの吸着剤および乾燥剤を用いて行うことができ
るが、好ましくは、メチルイソブチルケトン、ジイソブ
チルケトン、ジエチルエーテルなどの疎水性有機溶剤を
用いて該反応溶液からシロキサンポリマーを抽出し、そ
の有機層を水洗する方法である。
【0019】加水分解および部分縮合反応を施した後の
反応溶液に、必要に応じて、溶剤を追加あるいは除去し
て粘度を調整するか、好ましくは、反応溶液から触媒、
溶媒などを適宜除去した後、シロキサンポリマーを所望
の溶剤に溶解し、粘度を調整した後、塩基発生剤を添加
し、感光性樹脂組成物とする。感光性樹脂組成物中のシ
ロキサンポリマーの好ましい配合割合としては、20〜
70重量%である。塩基発生剤の添加量は、シロキサン
ポリマーに対して、10ppm〜20重量%が好まし
く、100ppm〜10重量%がさらに好ましい。
反応溶液に、必要に応じて、溶剤を追加あるいは除去し
て粘度を調整するか、好ましくは、反応溶液から触媒、
溶媒などを適宜除去した後、シロキサンポリマーを所望
の溶剤に溶解し、粘度を調整した後、塩基発生剤を添加
し、感光性樹脂組成物とする。感光性樹脂組成物中のシ
ロキサンポリマーの好ましい配合割合としては、20〜
70重量%である。塩基発生剤の添加量は、シロキサン
ポリマーに対して、10ppm〜20重量%が好まし
く、100ppm〜10重量%がさらに好ましい。
【0020】ここで用いられる溶剤としては、イソプロ
パノール、ノルマルブタノール、メチルセロソルブ、ブ
チルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、エチルセロソルブアセテート、トルエン、キシレ
ン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトンなど
をあげることができる。
パノール、ノルマルブタノール、メチルセロソルブ、ブ
チルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、エチルセロソルブアセテート、トルエン、キシレ
ン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトンなど
をあげることができる。
【0021】ここで、塩基発生剤とは外部からの作用に
より塩基を発生するものを指す。外部からの作用とは、
活性化学線、たとえば紫外線、電子線などの照射、加熱
作用あるいは、適当な気体、液体への暴露などが挙げら
れるが、紫外線の照射が好ましい。
より塩基を発生するものを指す。外部からの作用とは、
活性化学線、たとえば紫外線、電子線などの照射、加熱
作用あるいは、適当な気体、液体への暴露などが挙げら
れるが、紫外線の照射が好ましい。
【0022】紫外線照射により塩基を発生する化合物と
しては、公知のものをいずれも好ましく用いることがで
きる。公知の紫外線塩基発生剤としては、コバルトなど
遷移金属錯体、オルトニトロベンジルカルバメート類、
α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジルカルバ
メート類、アシルオキシイミノ類などを例示することが
できる。紫外線照射により発生する塩基の種類としては
有機、無機の塩基のいずれの場合も好ましく用いること
ができるが、紫外線照射による発生効率、シロキサンポ
リマーのポリマー化における触媒効果、シロキサンポリ
マー溶液への溶解性などの点から有機アミン類が特に好
ましい。発生する有機アミン類の種類としては脂肪族、
芳香族のいずれでも良く、また、1官能でも多官能でも
良い。紫外線照射により発生するアミン類の具体例とし
ては、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、プロ
ピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘ
キシルアミン、デシルアミン、セチルアミン、ヒドラジ
ン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ベンジルアミン、アニリン、ナフチルアミン、フェ
ニレンジアミン、トルエンジアミン、ジアミノジフェニ
ルメタン、ヘキサメチルテトラミン、ピペリジン、ピペ
ラジンなどを列記することができる。
しては、公知のものをいずれも好ましく用いることがで
きる。公知の紫外線塩基発生剤としては、コバルトなど
遷移金属錯体、オルトニトロベンジルカルバメート類、
α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジルカルバ
メート類、アシルオキシイミノ類などを例示することが
できる。紫外線照射により発生する塩基の種類としては
有機、無機の塩基のいずれの場合も好ましく用いること
ができるが、紫外線照射による発生効率、シロキサンポ
リマーのポリマー化における触媒効果、シロキサンポリ
マー溶液への溶解性などの点から有機アミン類が特に好
ましい。発生する有機アミン類の種類としては脂肪族、
芳香族のいずれでも良く、また、1官能でも多官能でも
良い。紫外線照射により発生するアミン類の具体例とし
ては、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、プロ
ピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘ
キシルアミン、デシルアミン、セチルアミン、ヒドラジ
ン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ベンジルアミン、アニリン、ナフチルアミン、フェ
ニレンジアミン、トルエンジアミン、ジアミノジフェニ
ルメタン、ヘキサメチルテトラミン、ピペリジン、ピペ
ラジンなどを列記することができる。
【0023】好ましい紫外線塩基発生剤の具体例を以下
に列記する。
に列記する。
【0024】遷移金属錯体としては、ブロモペンタアン
モニアコバルト過塩素酸塩、ブロモペンタメチルアミン
コバルト過塩素酸塩、ブロモペンタプロピルアミンコバ
ルト過塩素酸塩、ヘキサアンモニアコバルト過塩素酸
塩、ヘキサメチルアミンコバルト過塩素酸塩、ヘキサプ
ロピルアミンコバルト過塩素酸塩などがあげられる。
モニアコバルト過塩素酸塩、ブロモペンタメチルアミン
コバルト過塩素酸塩、ブロモペンタプロピルアミンコバ
ルト過塩素酸塩、ヘキサアンモニアコバルト過塩素酸
塩、ヘキサメチルアミンコバルト過塩素酸塩、ヘキサプ
ロピルアミンコバルト過塩素酸塩などがあげられる。
【0025】オルトニトロベンジルカルバメート類とし
ては、[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニ
ル]メチルアミン、[[(2−ニトロベンジル)オキ
シ]カルボニル]プロピルアミン、[[(2−ニトロベ
ンジル)オキシ]カルボニル]ヘキシルアミン、
[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]シク
ロヘキシルアミン、[[(2−ニトロベンジル)オキ
シ]カルボニル]アニリン、[[(2−ニトロベンジ
ル)オキシ]カルボニル]ピペリジン、ビス[[(2−
ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキサメチレン
ジアミン、ビス[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カ
ルボニル]フェニレンジアミン、ビス[[(2−ニトロ
ベンジル)オキシ]カルボニル]トルエンジアミン、ビ
ス[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ジ
アミノジフェニルメタン、ビス[[(2−ニトロベンジ
ル)オキシ]カルボニル]ピペラジン、[[(2,6−
ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]メチルアミ
ン、[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボ
ニル]プロピルアミン、[[(2,6−ジニトロベンジ
ル)オキシ]カルボニル]ヘキシルアミン、[[(2,
6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]シクロヘ
キシルアミン、[[(2,6−ジニトロベンジル)オキ
シ]カルボニル]アニリン、[[(2,6−ジニトロベ
ンジル)オキシ]カルボニル]ピペリジン、ビス
[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニ
ル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[[(2,6−ジニ
トロベンジル)オキシ]カルボニル]フェニレンジアミ
ン、ビス[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カ
ルボニル]トルエンジアミン、ビス[[(2,6−ジニ
トロベンジル)オキシ]カルボニル]ジアミノジフェニ
ルメタン、ビス[[(2,6−ジニトロベンジル)オキ
シ]カルボニル]ピペラジンなどがあげられる。
ては、[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニ
ル]メチルアミン、[[(2−ニトロベンジル)オキ
シ]カルボニル]プロピルアミン、[[(2−ニトロベ
ンジル)オキシ]カルボニル]ヘキシルアミン、
[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]シク
ロヘキシルアミン、[[(2−ニトロベンジル)オキ
シ]カルボニル]アニリン、[[(2−ニトロベンジ
ル)オキシ]カルボニル]ピペリジン、ビス[[(2−
ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキサメチレン
ジアミン、ビス[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カ
ルボニル]フェニレンジアミン、ビス[[(2−ニトロ
ベンジル)オキシ]カルボニル]トルエンジアミン、ビ
ス[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ジ
アミノジフェニルメタン、ビス[[(2−ニトロベンジ
ル)オキシ]カルボニル]ピペラジン、[[(2,6−
ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]メチルアミ
ン、[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボ
ニル]プロピルアミン、[[(2,6−ジニトロベンジ
ル)オキシ]カルボニル]ヘキシルアミン、[[(2,
6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]シクロヘ
キシルアミン、[[(2,6−ジニトロベンジル)オキ
シ]カルボニル]アニリン、[[(2,6−ジニトロベ
ンジル)オキシ]カルボニル]ピペリジン、ビス
[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニ
ル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[[(2,6−ジニ
トロベンジル)オキシ]カルボニル]フェニレンジアミ
ン、ビス[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カ
ルボニル]トルエンジアミン、ビス[[(2,6−ジニ
トロベンジル)オキシ]カルボニル]ジアミノジフェニ
ルメタン、ビス[[(2,6−ジニトロベンジル)オキ
シ]カルボニル]ピペラジンなどがあげられる。
【0026】α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベ
ンジルカルバメート類としては、[[(α,α−ジメチ
ル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニ
ル]メチルアミン、[[(α,α−ジメチル−3,5−
ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]プロピルア
ミン、[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベ
ンジル)オキシ]カルボニル]ヘキシルアミン、
[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジ
ル)オキシ]カルボニル]シクロヘキシルアミン、
[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジ
ル)オキシ]カルボニル]アニリン、[[(α,α−ジ
メチル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボ
ニル]ピペリジン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,
5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキサ
メチレンジアミン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,
5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]フェニ
レンジアミン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,5−
ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]トルエンジ
アミン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメト
キシベンジル)オキシ]カルボニル]ジアミノジフェニ
ルメタン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメ
トキシベンジル)オキシ]カルボニル]ピペラジンなど
があげられる。
ンジルカルバメート類としては、[[(α,α−ジメチ
ル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニ
ル]メチルアミン、[[(α,α−ジメチル−3,5−
ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]プロピルア
ミン、[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベ
ンジル)オキシ]カルボニル]ヘキシルアミン、
[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジ
ル)オキシ]カルボニル]シクロヘキシルアミン、
[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジ
ル)オキシ]カルボニル]アニリン、[[(α,α−ジ
メチル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボ
ニル]ピペリジン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,
5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキサ
メチレンジアミン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,
5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]フェニ
レンジアミン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,5−
ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]トルエンジ
アミン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメト
キシベンジル)オキシ]カルボニル]ジアミノジフェニ
ルメタン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメ
トキシベンジル)オキシ]カルボニル]ピペラジンなど
があげられる。
【0027】アシルオキシイミノ類としては、プロピオ
ニルアセトフェノンオキシム、プロピオニルベンゾフェ
ノンオキシム、プロピオニルアセトンオキシム、ブチリ
ルアセトフェノンオキシム、ブチリルベンゾフェノンオ
キシム、ブチリルアセトンオキシム、アジポイルアセト
フェノンオキシム、アジポイルベンゾフェノンオキシ
ム、アジポイルアセトンオキシム、アクロイルアセトフ
ェノンオキシム、アクロイルベンゾフェノンオキシム、
アクロイルアセトンオキシムなどがあげられる。上記の
紫外線塩基発生剤の中でも特に好ましいものとしては、
[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]シク
ロヘキシルアミン、ビス[[(2−ニトロベンジル)オ
キシ]カルボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス
[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジ
ル)オキシ]カルボニル]ヘキサメチレンジアミンがあ
げられる。
ニルアセトフェノンオキシム、プロピオニルベンゾフェ
ノンオキシム、プロピオニルアセトンオキシム、ブチリ
ルアセトフェノンオキシム、ブチリルベンゾフェノンオ
キシム、ブチリルアセトンオキシム、アジポイルアセト
フェノンオキシム、アジポイルベンゾフェノンオキシ
ム、アジポイルアセトンオキシム、アクロイルアセトフ
ェノンオキシム、アクロイルベンゾフェノンオキシム、
アクロイルアセトンオキシムなどがあげられる。上記の
紫外線塩基発生剤の中でも特に好ましいものとしては、
[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]シク
ロヘキシルアミン、ビス[[(2−ニトロベンジル)オ
キシ]カルボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス
[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジ
ル)オキシ]カルボニル]ヘキサメチレンジアミンがあ
げられる。
【0028】本発明の組成物には必要に応じて増感剤を
添加することもできる。増感剤としては、ミヒラーケト
ン、N−フェニルグリシン、N−フェニルジエタノール
アミンなどの芳香族アミン、アジドアントラキノン、ア
ジドベンザルアセトフェノンなどの芳香族モノアジド、
3,3´−カルボニルビス(ジエチルアミノクマリン)
など一般に光硬化性樹脂に使用されるようなもの、その
他電子写真の電荷移動剤として使用されるものであれ
ば、好ましく使用できる。増感剤を用いる場合、シロキ
サンポリマーに対して0.1〜5重量%の範囲で添加す
るのが好ましい。この範囲を外れると、感光性が低下し
たり、ポリマーの機械特性が低下したりするので注意を
要する。
添加することもできる。増感剤としては、ミヒラーケト
ン、N−フェニルグリシン、N−フェニルジエタノール
アミンなどの芳香族アミン、アジドアントラキノン、ア
ジドベンザルアセトフェノンなどの芳香族モノアジド、
3,3´−カルボニルビス(ジエチルアミノクマリン)
など一般に光硬化性樹脂に使用されるようなもの、その
他電子写真の電荷移動剤として使用されるものであれ
ば、好ましく使用できる。増感剤を用いる場合、シロキ
サンポリマーに対して0.1〜5重量%の範囲で添加す
るのが好ましい。この範囲を外れると、感光性が低下し
たり、ポリマーの機械特性が低下したりするので注意を
要する。
【0029】本発明の感光性樹脂組成物には、増感剤の
ほか、粘度調整剤、界面活性剤、安定化剤、着色剤、ガ
ラス質形成剤などを添加することもできる。
ほか、粘度調整剤、界面活性剤、安定化剤、着色剤、ガ
ラス質形成剤などを添加することもできる。
【0030】次に、本発明の感光性樹脂組成物を用いた
パターン形成方法を順に説明する。本発明の感光性樹脂
組成物をスピンナー、ディッピングなどの公知の方法に
よってシリコンウェハー、セラミックス板などの基板上
に塗布し、プリベークする。プリベークは、50〜15
0℃の範囲で30秒〜30分間行ない、プリべーク後の
膜厚は、0.1〜10.0μmとするのが好ましい。
パターン形成方法を順に説明する。本発明の感光性樹脂
組成物をスピンナー、ディッピングなどの公知の方法に
よってシリコンウェハー、セラミックス板などの基板上
に塗布し、プリベークする。プリベークは、50〜15
0℃の範囲で30秒〜30分間行ない、プリべーク後の
膜厚は、0.1〜10.0μmとするのが好ましい。
【0031】プリベーク後、PLAなどの露光機を用
い、50〜2000mJ/cm2 程度(365nm)を
所望のマスクを介して露光する。
い、50〜2000mJ/cm2 程度(365nm)を
所望のマスクを介して露光する。
【0032】露光後、加熱(ポストエクスポージャーベ
ーク)を行うことが好ましい。ポストエクスポージャー
ベークを行うことによって、露光によって発生した塩基
性化合物の作用により露光部の高分子量化が未露光部よ
り進行し、未露光部との現像液溶解度差が広がり、解像
コントラストが向上するという効果が得られる。ポスト
エクスポージャーベークは50〜150℃の範囲で、3
0秒〜30分間行うのが好ましい。
ーク)を行うことが好ましい。ポストエクスポージャー
ベークを行うことによって、露光によって発生した塩基
性化合物の作用により露光部の高分子量化が未露光部よ
り進行し、未露光部との現像液溶解度差が広がり、解像
コントラストが向上するという効果が得られる。ポスト
エクスポージャーベークは50〜150℃の範囲で、3
0秒〜30分間行うのが好ましい。
【0033】次に、現像を行う。現像方法としては、現
像液に10秒〜10分間浸漬することが好ましい。現像
液としては、有機溶剤、アルカリ性水溶液などを用いる
ことができる。具体的には、イソプロパノール、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルなどの有機溶剤;テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、炭
酸ナトリウム水溶液などのアルカリ性水溶液が挙げられ
る。
像液に10秒〜10分間浸漬することが好ましい。現像
液としては、有機溶剤、アルカリ性水溶液などを用いる
ことができる。具体的には、イソプロパノール、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルなどの有機溶剤;テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、炭
酸ナトリウム水溶液などのアルカリ性水溶液が挙げられ
る。
【0034】現像後、水あるいは一般有機溶剤でリンス
することが好ましく,つづいて乾燥することによりパタ
ーンが形成される。
することが好ましく,つづいて乾燥することによりパタ
ーンが形成される。
【0035】本発明の感光性樹脂組成物は、半導体装置
のレジスト、層間絶縁膜、導波路形成用材料、位相シフ
ター用材料、バッファコート、平坦化剤、さらには各種
電子部品の保護膜として用いることができるが、これら
に限定されない。
のレジスト、層間絶縁膜、導波路形成用材料、位相シフ
ター用材料、バッファコート、平坦化剤、さらには各種
電子部品の保護膜として用いることができるが、これら
に限定されない。
【0036】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。
明する。
【0037】
【0038】
【0039】比較例1メチルトリアセトキシシラン184g(1.0mo
l)、フェニルトリアセトキシシラン74g(0.3m
ol)をブチルセロソルブ200gに溶解し、水70g
を攪拌しながら加えた。得られた溶液を50℃で加熱
し、5時間反応させた。得られた溶液に、 o−ニトロベ
ンジルフォスフェート2.0g、N−フェニルグリシン
0.5gを加え、感光性樹脂組成物を得た。
l)、フェニルトリアセトキシシラン74g(0.3m
ol)をブチルセロソルブ200gに溶解し、水70g
を攪拌しながら加えた。得られた溶液を50℃で加熱
し、5時間反応させた。得られた溶液に、 o−ニトロベ
ンジルフォスフェート2.0g、N−フェニルグリシン
0.5gを加え、感光性樹脂組成物を得た。
【0040】この感光性樹脂組成物の塗布膜を実施例1
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は5.0μmであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は5.0μmであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
【0041】実施例1
メチルトリメトキシシラン136g(1.0mol)、
トリフルオロメチルトリメトキシシラン19g(0.1
mol)、メチルフェニルジエトキシシラン89g
(0.5mol)をノルマルブタノール100gに溶解
し、5重量%の酢酸水溶液80gを氷冷、攪拌しながら
加えた。さらに、室温にて10時間攪拌後、一昼夜放置
した。得られた溶液に[[(α、α−ジメチル−3,5
−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]アニリン
1.0gを加え、感光性樹脂組成物を得た。
トリフルオロメチルトリメトキシシラン19g(0.1
mol)、メチルフェニルジエトキシシラン89g
(0.5mol)をノルマルブタノール100gに溶解
し、5重量%の酢酸水溶液80gを氷冷、攪拌しながら
加えた。さらに、室温にて10時間攪拌後、一昼夜放置
した。得られた溶液に[[(α、α−ジメチル−3,5
−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]アニリン
1.0gを加え、感光性樹脂組成物を得た。
【0042】この感光性樹脂組成物の塗布膜を通風オー
ブンを用いて、60℃で30分プリベーク後、所望のマ
スクを介して、200mJ/cm2 (365nm)露光
した。ホットプレートを用いて、120℃で7分間のポ
ストエクスポージャーベークを行なった後、水酸化ナト
リウムの1%水溶液で10秒間現像、水洗したところ、
最小0.5μmの良好なパターンが得られた。また、プ
ロセスラチチュードが広く、パターン加工が容易であっ
た。
ブンを用いて、60℃で30分プリベーク後、所望のマ
スクを介して、200mJ/cm2 (365nm)露光
した。ホットプレートを用いて、120℃で7分間のポ
ストエクスポージャーベークを行なった後、水酸化ナト
リウムの1%水溶液で10秒間現像、水洗したところ、
最小0.5μmの良好なパターンが得られた。また、プ
ロセスラチチュードが広く、パターン加工が容易であっ
た。
【0043】比較例2
[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジ
ル)オキシ]カルボニル]アニリンの代わりに、ピロガ
ロールトリトシレートを用いる以外は実施例2と同様に
して、感光性樹脂組成物を得た。
ル)オキシ]カルボニル]アニリンの代わりに、ピロガ
ロールトリトシレートを用いる以外は実施例2と同様に
して、感光性樹脂組成物を得た。
【0044】この感光性樹脂組成物の塗布膜を実施例2
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は5.0μmであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は5.0μmであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
【0045】
【0046】
【0047】比較例3メチルトリメトキシシラン136g(1.0mol)を
ジイソブチルケトン50gに溶解し、水60g、p−ト
ルエンスルホン酸3gを攪拌しながら加えた。得られた
溶液を加熱し、環流させながら、24時間反応させた。
その後、酢酸ブチル500gを用いてシロキサンポリマ
ーを抽出し、有機層をイオン交換水200gを加えて振
とうし、静置後、水層を分離除去した。得られた有機層
を濃縮し、 トリ(ニトロベンジル)フォスフェート0.
2gを加え、感光性樹脂組成物を得た。
ジイソブチルケトン50gに溶解し、水60g、p−ト
ルエンスルホン酸3gを攪拌しながら加えた。得られた
溶液を加熱し、環流させながら、24時間反応させた。
その後、酢酸ブチル500gを用いてシロキサンポリマ
ーを抽出し、有機層をイオン交換水200gを加えて振
とうし、静置後、水層を分離除去した。得られた有機層
を濃縮し、 トリ(ニトロベンジル)フォスフェート0.
2gを加え、感光性樹脂組成物を得た。
【0048】この感光性樹脂組成物の塗布膜を実施例3
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は5.0μmであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は5.0μmであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
【0049】実施例2
メチルトリメトキシシラン190g(1.4mol)、
ジメチルジメトキシシラン72g(0.6mol)、フ
ェニルトリメトキシシラン7.9g(0.4mol)を
メチルイソブチルケトン90gに溶解し、これに、水1
20g、リン酸10gを攪拌しながら加えた。得られた
溶液を加熱し、還流させながら、3時間反応させた。そ
の後、メチルイソブチルケトン1000gを用いてシロ
キサンポリマーを抽出し、有機層をイオン交換水100
0gを加えて振とうし、静置後、水層を分離除去した。
得られた有機層を濃縮して、シロキサンポリマーを得
た。このポリマー20gをプロピレングリコールモノメ
チルエーテル30gに溶解し、さらに[[(2−ニトロ
ベンジル)オキシ]カルボニル]シクロヘキシルアミン
0.1gを加え、感光性樹脂組成物を得た。
ジメチルジメトキシシラン72g(0.6mol)、フ
ェニルトリメトキシシラン7.9g(0.4mol)を
メチルイソブチルケトン90gに溶解し、これに、水1
20g、リン酸10gを攪拌しながら加えた。得られた
溶液を加熱し、還流させながら、3時間反応させた。そ
の後、メチルイソブチルケトン1000gを用いてシロ
キサンポリマーを抽出し、有機層をイオン交換水100
0gを加えて振とうし、静置後、水層を分離除去した。
得られた有機層を濃縮して、シロキサンポリマーを得
た。このポリマー20gをプロピレングリコールモノメ
チルエーテル30gに溶解し、さらに[[(2−ニトロ
ベンジル)オキシ]カルボニル]シクロヘキシルアミン
0.1gを加え、感光性樹脂組成物を得た。
【0050】この感光性樹脂組成物の塗布膜をホットプ
レートを用いて、80℃で10分プリベーク後、所望の
マスクを介して、150mJ/cm2 (365nm)露
光した。ホットプレートを用いて、80℃で20分間の
ポストエクスポージャーベークを行なった後、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドの2.38%水溶
液で15秒間現像、水洗したところ、最小0.5μmの
良好なパターンが得られた。また、プロセスラチチュー
ドが広く、パターン加工が容易であった。
レートを用いて、80℃で10分プリベーク後、所望の
マスクを介して、150mJ/cm2 (365nm)露
光した。ホットプレートを用いて、80℃で20分間の
ポストエクスポージャーベークを行なった後、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドの2.38%水溶
液で15秒間現像、水洗したところ、最小0.5μmの
良好なパターンが得られた。また、プロセスラチチュー
ドが広く、パターン加工が容易であった。
【0051】比較例4
[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]シク
ロヘキシルアミンの代わりに、ベンゾイントシレートを
用いる以外は実施例4と同様にして、感光性樹脂組成物
を得た。
ロヘキシルアミンの代わりに、ベンゾイントシレートを
用いる以外は実施例4と同様にして、感光性樹脂組成物
を得た。
【0052】この感光性樹脂組成物の塗布膜を実施例4
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は2.0μmであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は2.0μmであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
【0053】実施例3
テトラメトキシシラン304g(2.0mol)、ビニ
ルトリメトキシシラン148g(1.0mol)、3−
アミノプロピルトリエトキシシラン111g(0.5m
ol)をメタノール100gに溶解し、これに、水20
0gを攪拌しながら加えた。得られた溶液を加熱し、還
流させながら、8時間反応させた。その後、この溶液を
イオン交換樹脂1kgを充填したカラムに通し、水およ
び触媒を除去し、得られた有機層を濃縮して、シロキサ
ンポリマーを得た。このポリマー20gをプロピレング
リコールモノメチルエーテル50gに溶解し、さらにビ
ス[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニ
ル]ヘキサメチレンジアミン0.1gを加え、感光性樹
脂組成物を得た。
ルトリメトキシシラン148g(1.0mol)、3−
アミノプロピルトリエトキシシラン111g(0.5m
ol)をメタノール100gに溶解し、これに、水20
0gを攪拌しながら加えた。得られた溶液を加熱し、還
流させながら、8時間反応させた。その後、この溶液を
イオン交換樹脂1kgを充填したカラムに通し、水およ
び触媒を除去し、得られた有機層を濃縮して、シロキサ
ンポリマーを得た。このポリマー20gをプロピレング
リコールモノメチルエーテル50gに溶解し、さらにビ
ス[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニ
ル]ヘキサメチレンジアミン0.1gを加え、感光性樹
脂組成物を得た。
【0054】この感光性樹脂組成物の塗布膜をホットプ
レートを用いて、120℃で5分プリベーク後、所望の
マスクを介して、200mJ/cm2(365nm)露
光した。ホットプレートを用いて、70℃で30分間の
ポストエクスポージャーベークを行なった後、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドの2.38%水溶
液で15秒間現像、水洗したところ、最小0.5μmの
良好なパターンが得られた。また、プロセスラティチュ
ードが広く、パターン加工が容易であった。
レートを用いて、120℃で5分プリベーク後、所望の
マスクを介して、200mJ/cm2(365nm)露
光した。ホットプレートを用いて、70℃で30分間の
ポストエクスポージャーベークを行なった後、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドの2.38%水溶
液で15秒間現像、水洗したところ、最小0.5μmの
良好なパターンが得られた。また、プロセスラティチュ
ードが広く、パターン加工が容易であった。
【0055】比較例5
ビス[[2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニ
ル]ヘキサメチレンジアミンの代わりに、トリアニソイ
ンフォスフェートを用いる以外は実施例5と同様にし
て、感光性樹脂組成物を得た。
ル]ヘキサメチレンジアミンの代わりに、トリアニソイ
ンフォスフェートを用いる以外は実施例5と同様にし
て、感光性樹脂組成物を得た。
【0056】この感光性樹脂組成物の塗布膜を実施例5
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は2.0μmであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラティチュードが狭かった。
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は2.0μmであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラティチュードが狭かった。
【0057】
【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は、パターン
精度および加工性に優れている。
精度および加工性に優れている。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平6−148887(JP,A)
特開 平6−130668(JP,A)
特開 平4−158363(JP,A)
特開 平4−162040(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
G03F 7/00 - 7/42
Claims (4)
- 【請求項1】枝分かれしたアルカリ可溶性シロキサンポ
リマーと塩基発生剤を含むことを特徴とするネガ型感光
性樹脂組成物。 - 【請求項2】該塩基性発生剤が活性化学線の作用で塩基
性化合物を発生するものであることを特徴とする請求項
1記載のネガ型感光性樹脂組成物。 - 【請求項3】請求項1または2記載の感光性樹脂組成物
を基板上に塗布、プリベーク後、マスクを介して露光
し、つづいて現像することを特徴とするネガ型パターン
形成方法。 - 【請求項4】マスクを介して露光後、現像前に、加熱す
ることを特徴とする請求項3記載のネガ型パターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06010993A JP3376629B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 感光性樹脂組成物およびこれを使用したパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06010993A JP3376629B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 感光性樹脂組成物およびこれを使用したパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06273936A JPH06273936A (ja) | 1994-09-30 |
| JP3376629B2 true JP3376629B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=13132621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06010993A Expired - Fee Related JP3376629B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 感光性樹脂組成物およびこれを使用したパターン形成方法 |
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| JP3628098B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2005-03-09 | ダウ コーニング アジア株式会社 | 放射線硬化性組成物およびこれを用いた硬化物パターンの製造方法 |
| JPH09268228A (ja) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Dow Corning Asia Ltd | 紫外線硬化性組成物およびこれを用いた硬化物パターンの形成方法 |
| US5861235A (en) * | 1996-06-26 | 1999-01-19 | Dow Corning Asia, Ltd. | Ultraviolet-curable composition and method for patterning the cured product therefrom |
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| US6842577B2 (en) * | 2002-12-02 | 2005-01-11 | Shipley Company L.L.C. | Photoimageable waveguide composition and waveguide formed therefrom |
| CN1698018B (zh) | 2003-10-07 | 2011-08-31 | 日立化成工业株式会社 | 放射线固化性组合物、其保存方法、固化膜形成方法、图案形成方法、图案使用方法、电子部件及光波导 |
| KR100869882B1 (ko) * | 2003-10-07 | 2008-11-24 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 방사선 경화성 조성물, 경화막 형성방법 및 패턴 형성방법 |
| TWI267703B (en) | 2003-10-07 | 2006-12-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Radiation-curing resin composition and preservation method thereof, forming method of curing film, forming method and operating method of pattern, electronic device and optical wave guide |
| DE602005014984D1 (de) * | 2004-04-14 | 2009-07-30 | Rohm & Haas Elect Mat | Zusammensetzungen für Wellenleiter und daraus hergestellte Wellenleiter |
| CN102365341B (zh) * | 2009-03-31 | 2014-12-31 | 大日本印刷株式会社 | 碱产生剂、感光性树脂组合物、含有该感光性树脂组合物的图案形成用材料、使用该感光性树脂组合物的图案形成方法以及物品 |
| JP5399116B2 (ja) * | 2009-04-06 | 2014-01-29 | 三洋化成工業株式会社 | 光塩基発生剤を含有する感光性組成物 |
| JP5568892B2 (ja) * | 2009-05-01 | 2014-08-13 | Jsr株式会社 | ネガ型感放射線性組成物、硬化パターン形成方法及び硬化パターン |
| KR101601271B1 (ko) | 2009-07-20 | 2016-03-08 | 주식회사 엘지화학 | 발광소자 봉지용 조성물, 발광 다이오드 및 액정표시장치 |
| KR101585270B1 (ko) | 2010-03-16 | 2016-01-13 | (주)엘지하우시스 | 점착 필름 및 터치패널 |
| JP5920232B2 (ja) * | 2013-02-01 | 2016-05-18 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜の製造方法 |
-
1993
- 1993-03-19 JP JP06010993A patent/JP3376629B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH06273936A (ja) | 1994-09-30 |
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