JP3219391B2 - 反射型液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置とその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置である反
射型液晶表示装置とその製造方法に関する。
射型液晶表示装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】反射型液晶ディスプレイ（以下、反射型
ＬＣＤと称す）は、パネル前面より入射した外光を液晶
パネルにより変調し、パネル裏面に設けた反射板によっ
て反射させて、表示を行う方式である。このため透過型
液晶ディスプレイ（以下、透過型ＬＣＤと称す）に不可
欠なバックライトが不要であり、消費電力の低減が可能
であるので、反射型ＬＣＤは、携帯情報端末や携帯機器
に最適である。
ＬＣＤと称す）は、パネル前面より入射した外光を液晶
パネルにより変調し、パネル裏面に設けた反射板によっ
て反射させて、表示を行う方式である。このため透過型
液晶ディスプレイ（以下、透過型ＬＣＤと称す）に不可
欠なバックライトが不要であり、消費電力の低減が可能
であるので、反射型ＬＣＤは、携帯情報端末や携帯機器
に最適である。
【０００３】しかし、反射型ＬＣＤでは、外光の反射に
より表示を行うために、入射光の調節機能がない。この
ため外光の照度が弱い場合、例えば、屋内や夜間使用す
る場合では、入射する外光が少ないため、表示画面が非
常に暗くなり、視認性が劣化する欠点を有している。こ
のため、反射型ＬＣＤでは、入射した外光をできるだけ
効率よく反射させるように、反射率を高める必要があ
る。
より表示を行うために、入射光の調節機能がない。この
ため外光の照度が弱い場合、例えば、屋内や夜間使用す
る場合では、入射する外光が少ないため、表示画面が非
常に暗くなり、視認性が劣化する欠点を有している。こ
のため、反射型ＬＣＤでは、入射した外光をできるだけ
効率よく反射させるように、反射率を高める必要があ
る。
【０００４】反射率を高める手段として、液晶セルや光
学部材での光の伝搬損失を防ぐことと反射板での反射率
を高めることが挙げられる。液晶セルや光学部材による
光の伝播損失を低減する方法としては、偏光板での光の
透過損失が最も大きいことに着目して、偏光板を用いな
いゲストホスト型表示方式（特開平７−１４６４６９号
公報）や偏光板を１枚にした１枚偏光板方式（特開平７
−８４２５２号公報）などが開示されている。
学部材での光の伝搬損失を防ぐことと反射板での反射率
を高めることが挙げられる。液晶セルや光学部材による
光の伝播損失を低減する方法としては、偏光板での光の
透過損失が最も大きいことに着目して、偏光板を用いな
いゲストホスト型表示方式（特開平７−１４６４６９号
公報）や偏光板を１枚にした１枚偏光板方式（特開平７
−８４２５２号公報）などが開示されている。
【０００５】また、反射板での反射率を高める方法とし
て、従来液晶セルの外側に設けていた反射板を液晶セル
の内部に設け、かつ反射板の構成材料として、反射率が
高く、電気抵抗値の低いアルミニュウムを用いて、反射
板としての機能と電極としての機能を兼ね備えた反射電
極を形成する方式（特開平８−１０１３８４号公報）が
開示されている。
て、従来液晶セルの外側に設けていた反射板を液晶セル
の内部に設け、かつ反射板の構成材料として、反射率が
高く、電気抵抗値の低いアルミニュウムを用いて、反射
板としての機能と電極としての機能を兼ね備えた反射電
極を形成する方式（特開平８−１０１３８４号公報）が
開示されている。
【０００６】さらに、反射電極面に凹凸を設け、光散乱
機能を付与した液晶セルと位相板と偏光板を用いて、表
示を行う方式（特開平５−２１７７０１号公報）及び反
射電極の凹凸をメルト法により形成する方式（特開平９
−１４６０８７号公報）が開示されている。
機能を付与した液晶セルと位相板と偏光板を用いて、表
示を行う方式（特開平５−２１７７０１号公報）及び反
射電極の凹凸をメルト法により形成する方式（特開平９
−１４６０８７号公報）が開示されている。
【０００７】図５は従来の反射型ＬＣＤ画像部分の一例
を示す構造図である。図５に示すように、偏光フィルム
１とλ／４波長板２と対向基板３とカラーフィルタ４と
透明電極５と液晶層７と凹凸を規則的に配置した凹凸状
の反射電極８０と凹凸状の層間絶縁膜１８０と薄膜トラ
ンジスタ（以下、ＴＦＴ素子と呼ぶ）１５と反射基板１
０とで構成されている。この反射型ＬＣＤは偏光フィル
ム１を１枚にした１枚偏光板方式と凹凸状の反射電極８
０を液晶層７内に設ける方式を併用したものであり、反
射電極に散乱性を付与して拡散反射率を高め、視認性の
向上を意図したものである。なお、ＴＦＴ素子１５は、
ゲート電極１１，ソース電極１３，ドレイン電極１４お
よび層間絶縁膜１２，１６で構成される。
を示す構造図である。図５に示すように、偏光フィルム
１とλ／４波長板２と対向基板３とカラーフィルタ４と
透明電極５と液晶層７と凹凸を規則的に配置した凹凸状
の反射電極８０と凹凸状の層間絶縁膜１８０と薄膜トラ
ンジスタ（以下、ＴＦＴ素子と呼ぶ）１５と反射基板１
０とで構成されている。この反射型ＬＣＤは偏光フィル
ム１を１枚にした１枚偏光板方式と凹凸状の反射電極８
０を液晶層７内に設ける方式を併用したものであり、反
射電極に散乱性を付与して拡散反射率を高め、視認性の
向上を意図したものである。なお、ＴＦＴ素子１５は、
ゲート電極１１，ソース電極１３，ドレイン電極１４お
よび層間絶縁膜１２，１６で構成される。
【０００８】凹凸状の反射電極８０は、凹凸状の層間絶
縁膜１８０上に形成され、層間絶縁膜１８０に設けられ
たコンタクトホール１７を通して、ＴＦＴ素子１５のド
レイン電極１４と電気的に接続されている。反射電極８
０にはＴＦＴ素子１５のスイッチング動作により、電圧
が印加される。反射電極８０は画素電極として液晶層７
に電圧を印加する作用を行う。
縁膜１８０上に形成され、層間絶縁膜１８０に設けられ
たコンタクトホール１７を通して、ＴＦＴ素子１５のド
レイン電極１４と電気的に接続されている。反射電極８
０にはＴＦＴ素子１５のスイッチング動作により、電圧
が印加される。反射電極８０は画素電極として液晶層７
に電圧を印加する作用を行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記反射型ＬＣＤに入
射した光は、偏光フィルム１を通過して直線偏光にな
り、液晶層７で変調された後、凹凸状の反射電極８０の
表面で反射し、再度、液晶層７通過して偏光フィルム１
に達する。１枚偏光板で白，黒の表示を行うには、反射
電極８０面での反射光は、黒表示の場合には円偏光、白
表示の場合には直線偏光であることが必要である。
射した光は、偏光フィルム１を通過して直線偏光にな
り、液晶層７で変調された後、凹凸状の反射電極８０の
表面で反射し、再度、液晶層７通過して偏光フィルム１
に達する。１枚偏光板で白，黒の表示を行うには、反射
電極８０面での反射光は、黒表示の場合には円偏光、白
表示の場合には直線偏光であることが必要である。
【００１０】しかし上記規則的な凹凸状の反射電極８０
面では入射した偏光の消偏性と光の干渉が発生し、コン
トラスト低下と虹色の着色を引き起こす問題と、前記反
射電極面の製造方法では凹表面形状の不均一性による反
射率むらが発生するという問題を有していた。本発明
は、散乱反射率を高めかつ反射面での消偏性、干渉及び
反射率むらを抑制してコントラスト低下と着色を防ぐ反
射型液晶表示装置とその製造方法を提供することを目的
とする。
面では入射した偏光の消偏性と光の干渉が発生し、コン
トラスト低下と虹色の着色を引き起こす問題と、前記反
射電極面の製造方法では凹表面形状の不均一性による反
射率むらが発生するという問題を有していた。本発明
は、散乱反射率を高めかつ反射面での消偏性、干渉及び
反射率むらを抑制してコントラスト低下と着色を防ぐ反
射型液晶表示装置とその製造方法を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置は、反射電極面に反射と散乱の機能を有する平坦部
分と、拡散用凹面に凹構造群のパターンがランダムに設
けられ、所定の面積比率で形成されたことを特徴とする
ものである。
装置は、反射電極面に反射と散乱の機能を有する平坦部
分と、拡散用凹面に凹構造群のパターンがランダムに設
けられ、所定の面積比率で形成されたことを特徴とする
ものである。
【００１２】本発明によると、反射電極面には光を鏡面
反射する平坦な反射面と、光を一定の範囲に拡散する凹
構造からなる拡散反射面が得られ、拡散反射面を設ける
ことで拡散反射率を高めかつ凹構造をランダムに配置す
ることにより光の干渉を抑制するとともに、鏡面反射面
を設けることでコントラスト低下の少ない反射型液晶表
示装置が得られ、上記目的が達成される。
反射する平坦な反射面と、光を一定の範囲に拡散する凹
構造からなる拡散反射面が得られ、拡散反射面を設ける
ことで拡散反射率を高めかつ凹構造をランダムに配置す
ることにより光の干渉を抑制するとともに、鏡面反射面
を設けることでコントラスト低下の少ない反射型液晶表
示装置が得られ、上記目的が達成される。
【００１３】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法
は、少なくともマトリックス状に配置された薄膜トラン
ジスタとゲート電極とソース電極とを有する反射基板上
に層間絶縁膜を介して、凹構造群とコンタクトホールと
が形成された反射電極を有する反射型液晶表示装置の製
造方法であって、第１に前記基板上に層間絶縁膜として
有機系感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をフォトマ
スクを用いて露光、現像して、画素部表示領域の前記凹
構造群及びコンタクトホールに相当する場所に孔を形成
する工程と、第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有
機系感光性樹脂を塗布し、前記凹構造群の側面形状を曲
面状にする工程と、前記感光性樹脂をフォトマスクを用
いて露光、現像して、前記画素部表示領域のコンタクト
ホールに相当する場所に孔を形成し、ドライバー実装部
分を含む非画素部表示領域の前記層間絶縁膜を除去する
工程と、前記感光性樹脂に熱処理を施して、架橋反応さ
せる工程と、前記基板に反射電極を形成する工程とを少
なくとも含むことを特徴とするものである。
は、少なくともマトリックス状に配置された薄膜トラン
ジスタとゲート電極とソース電極とを有する反射基板上
に層間絶縁膜を介して、凹構造群とコンタクトホールと
が形成された反射電極を有する反射型液晶表示装置の製
造方法であって、第１に前記基板上に層間絶縁膜として
有機系感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をフォトマ
スクを用いて露光、現像して、画素部表示領域の前記凹
構造群及びコンタクトホールに相当する場所に孔を形成
する工程と、第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有
機系感光性樹脂を塗布し、前記凹構造群の側面形状を曲
面状にする工程と、前記感光性樹脂をフォトマスクを用
いて露光、現像して、前記画素部表示領域のコンタクト
ホールに相当する場所に孔を形成し、ドライバー実装部
分を含む非画素部表示領域の前記層間絶縁膜を除去する
工程と、前記感光性樹脂に熱処理を施して、架橋反応さ
せる工程と、前記基板に反射電極を形成する工程とを少
なくとも含むことを特徴とするものである。
【００１４】本発明によると、少なくともマトリックス
状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース
電極とを有する反射基板上に、第１に層間絶縁膜として
有機系感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂をフォトマスク
を用いて露光、現像して、画素部表示領域の凹構造群及
びコンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、第２
に層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹脂を塗布
し、凹構造群の側面形状を曲面状にし、感光性樹脂をフ
ォトマスクを用いて露光、現像して、前記画素部表示領
域のコンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、ド
ライバー実装部分を含む非画素部表示領域の前記層間絶
縁膜を除去することにより、凹表面形状の不均一性によ
る反射率むらを抑制でき、上記目的が達成される。
状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース
電極とを有する反射基板上に、第１に層間絶縁膜として
有機系感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂をフォトマスク
を用いて露光、現像して、画素部表示領域の凹構造群及
びコンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、第２
に層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹脂を塗布
し、凹構造群の側面形状を曲面状にし、感光性樹脂をフ
ォトマスクを用いて露光、現像して、前記画素部表示領
域のコンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、ド
ライバー実装部分を含む非画素部表示領域の前記層間絶
縁膜を除去することにより、凹表面形状の不均一性によ
る反射率むらを抑制でき、上記目的が達成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明によ
れば、第１の基板の１主面上に画素電極として反射電極
面が形成され、前記反射電極面には反射と散乱との機能
を有する平坦面と拡散用凹面とが所定の面積比率で形成
され、第２の基板の１主面上には少なくとも透明電極か
らなる対向電極が形成され、第１の基板と第２の基板と
の対向内面に液晶層が挟持されていることを特徴とする
反射型液晶表示装置であり、拡散反射率を高めるととも
にコントラスト低下及び干渉による着色を低減すること
ができる。
れば、第１の基板の１主面上に画素電極として反射電極
面が形成され、前記反射電極面には反射と散乱との機能
を有する平坦面と拡散用凹面とが所定の面積比率で形成
され、第２の基板の１主面上には少なくとも透明電極か
らなる対向電極が形成され、第１の基板と第２の基板と
の対向内面に液晶層が挟持されていることを特徴とする
反射型液晶表示装置であり、拡散反射率を高めるととも
にコントラスト低下及び干渉による着色を低減すること
ができる。
【００１６】さらに、反射電極面の拡散用凹面に凹構造
群のパターンをランダムに設け、１画素の面積をＳと
し、前記凹構造群の外接円の直径をＲ１、前記凹構造群
の１画素あたりの個数をＮとしたとき、（数１）Ｄ＝
（π（Ｒ１／２）2×Ｎ）／Ｓで定義される画素あたり
の前記凹構造群の面積比率Ｄが０．３≦Ｄ≦０．８の関
係を満たす反射型液晶表示装置であり、拡散反射率を高
めるとともにコントラスト低下と干渉による着色を低減
することができる。
群のパターンをランダムに設け、１画素の面積をＳと
し、前記凹構造群の外接円の直径をＲ１、前記凹構造群
の１画素あたりの個数をＮとしたとき、（数１）Ｄ＝
（π（Ｒ１／２）2×Ｎ）／Ｓで定義される画素あたり
の前記凹構造群の面積比率Ｄが０．３≦Ｄ≦０．８の関
係を満たす反射型液晶表示装置であり、拡散反射率を高
めるとともにコントラスト低下と干渉による着色を低減
することができる。
【００１７】本発明の請求項２記載の発明によれば、凹
構造群の外接円の直径Ｒ１が５μｍ≦Ｒ１≦１２μｍ、
前記凹構造群の１画素あたりの個数Ｎが４０≦Ｎ≦３５
０の関係を満たす反射型液晶表示装置であり、拡散反射
率を高めるとともにコントラスト低下及び干渉による着
色を低減することができる。
構造群の外接円の直径Ｒ１が５μｍ≦Ｒ１≦１２μｍ、
前記凹構造群の１画素あたりの個数Ｎが４０≦Ｎ≦３５
０の関係を満たす反射型液晶表示装置であり、拡散反射
率を高めるとともにコントラスト低下及び干渉による着
色を低減することができる。
【００１８】本発明の請求項３記載の発明によれば、凹
構造群を有する反射電極面は、少なくともマトリックス
状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース
電極上とに層間絶縁膜を介して形成され、前記反射電極
面はコンタクトホールを有し、前記凹構造群の平均深さ
をｂ１、前記コンタクトホールの平均深さをｂ２とする
と、ｂ１＜ｂ２の関係を満たし、かつ０．３μｍ≦ｂ１
≦１．０μｍであり、層間絶縁膜で形成されている請求
項１記載の反射型液晶表示装置であり、拡散反射率を高
めるとともに、コントラスト低下及び干渉による着色を
低減することができる。
構造群を有する反射電極面は、少なくともマトリックス
状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース
電極上とに層間絶縁膜を介して形成され、前記反射電極
面はコンタクトホールを有し、前記凹構造群の平均深さ
をｂ１、前記コンタクトホールの平均深さをｂ２とする
と、ｂ１＜ｂ２の関係を満たし、かつ０．３μｍ≦ｂ１
≦１．０μｍであり、層間絶縁膜で形成されている請求
項１記載の反射型液晶表示装置であり、拡散反射率を高
めるとともに、コントラスト低下及び干渉による着色を
低減することができる。
【００１９】本発明の請求項４記載の発明によれば、少
なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタ
とゲート電極とソース電極とを有する基板上に層間絶縁
膜を介して、凹構造群とコンタクトホールが形成された
反射電極を有する反射型液晶表示装置の製造方法であっ
て、第１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性
樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて
露光、現像して、画素部表示領域の前記凹構造群及びコ
ンタクトホールに相当する場所に孔を形成する工程と、
第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹
脂を塗布し、前記凹構造群の側面形状を曲面状にする工
程と、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現
像して、前記画素部表示領域の前記コンタクトホールに
相当する場所に孔を形成し、ドライバー実装部分を含む
非画素部表示領域の前記層間絶縁膜を除去する工程と、
前記感光性樹脂に熱処理を施して、架橋反応させる工程
と、前記基板に反射電極を形成する工程とを少なくとも
含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法で
あり、拡散反射率が高く、消偏性と干渉による着色を低
減できる均一な表面形状を有する反射電極基板を製造す
ることができる。
なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタ
とゲート電極とソース電極とを有する基板上に層間絶縁
膜を介して、凹構造群とコンタクトホールが形成された
反射電極を有する反射型液晶表示装置の製造方法であっ
て、第１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性
樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて
露光、現像して、画素部表示領域の前記凹構造群及びコ
ンタクトホールに相当する場所に孔を形成する工程と、
第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹
脂を塗布し、前記凹構造群の側面形状を曲面状にする工
程と、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現
像して、前記画素部表示領域の前記コンタクトホールに
相当する場所に孔を形成し、ドライバー実装部分を含む
非画素部表示領域の前記層間絶縁膜を除去する工程と、
前記感光性樹脂に熱処理を施して、架橋反応させる工程
と、前記基板に反射電極を形成する工程とを少なくとも
含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法で
あり、拡散反射率が高く、消偏性と干渉による着色を低
減できる均一な表面形状を有する反射電極基板を製造す
ることができる。
【００２０】本発明の請求項５記載の発明によれば、第
１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を
塗布し、フォトマスクを用いて画素部表示領域の前記凹
構造群及びコンタクトホールに相当する場所に孔を形成
する工程において、前記基板上に塗布され得る層間絶縁
膜の膜厚をＭとすると、２μｍ≦Ｍ≦４μｍであること
を特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法であって、
拡散反射率が高く、消偏性と干渉による着色を低減でき
る均一な表面形状を有する反射電極基板を製造すること
ができる。
１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を
塗布し、フォトマスクを用いて画素部表示領域の前記凹
構造群及びコンタクトホールに相当する場所に孔を形成
する工程において、前記基板上に塗布され得る層間絶縁
膜の膜厚をＭとすると、２μｍ≦Ｍ≦４μｍであること
を特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法であって、
拡散反射率が高く、消偏性と干渉による着色を低減でき
る均一な表面形状を有する反射電極基板を製造すること
ができる。
【００２１】本発明の請求項６記載した発明によれば、
第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹
脂を塗布し、フォトマスクを用いて前記画素部表示領域
の該コンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、ド
ライバー実装部分を含む非画素部表示領域の前記層間絶
縁膜を除去する工程において、前記層間絶縁膜上に塗布
され得る有機系感光性樹脂の膜厚をＰとすると、０．５
μｍ≦Ｐ≦１．５μｍであることを特徴とする反射型液
晶表示装置の製造方法であって、拡散反射率が高く、消
偏性と干渉による着色を低減できる均一な表面形状を有
する反射電極基板を製造することができる。
第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹
脂を塗布し、フォトマスクを用いて前記画素部表示領域
の該コンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、ド
ライバー実装部分を含む非画素部表示領域の前記層間絶
縁膜を除去する工程において、前記層間絶縁膜上に塗布
され得る有機系感光性樹脂の膜厚をＰとすると、０．５
μｍ≦Ｐ≦１．５μｍであることを特徴とする反射型液
晶表示装置の製造方法であって、拡散反射率が高く、消
偏性と干渉による着色を低減できる均一な表面形状を有
する反射電極基板を製造することができる。
【００２２】本発明の請求項７記載の発明によれば、前
記凹構造群に相当する孔を形成する工程において、フォ
トマスク面に設けた凹構造形成用のパターンは、正多角
形であり、前記正多角形に外接する円の直径をＲ２とす
ると、５μｍ≦Ｒ２≦１０μｍであることを特徴とする
反射型液晶表示装置の製造方法であって、拡散反射率が
高く、消偏性と干渉による着色を低減できる均一な表面
形状を有する反射電極基板を製造することができる。
記凹構造群に相当する孔を形成する工程において、フォ
トマスク面に設けた凹構造形成用のパターンは、正多角
形であり、前記正多角形に外接する円の直径をＲ２とす
ると、５μｍ≦Ｒ２≦１０μｍであることを特徴とする
反射型液晶表示装置の製造方法であって、拡散反射率が
高く、消偏性と干渉による着色を低減できる均一な表面
形状を有する反射電極基板を製造することができる。
【００２３】以下、本発明の反射型液晶表示装置の各実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００２４】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１における反射型液晶表示装置の画素部分の１例を示
す構造図である。図１に示すように画素部分は反射基板
１０上の反射電極８と対向基板３上の透明電極５、液晶
層７とから構成される。対向基板３側より入射した光を
液晶層７で変調し、反射電極８面と対向基板３の方向に
反射させて表示を行う。
態１における反射型液晶表示装置の画素部分の１例を示
す構造図である。図１に示すように画素部分は反射基板
１０上の反射電極８と対向基板３上の透明電極５、液晶
層７とから構成される。対向基板３側より入射した光を
液晶層７で変調し、反射電極８面と対向基板３の方向に
反射させて表示を行う。
【００２５】図１に示す対向基板３には無アルカリガラ
スを用い、この対向基板３上に顔料分散レジストからな
る赤、緑、青のストライプ状のカラーフィルタ４が形成
されている。
スを用い、この対向基板３上に顔料分散レジストからな
る赤、緑、青のストライプ状のカラーフィルタ４が形成
されている。
【００２６】その後、カラーフィルタ４上に酸化インジ
ュウム錫（以下、ＩＴＯと呼ぶ）膜を成膜し透明電極５
を形成した。
ュウム錫（以下、ＩＴＯと呼ぶ）膜を成膜し透明電極５
を形成した。
【００２７】次に、無アルカリガラスを用いた反射基板
１０の上に所定の方法により、アルミニュウムとタンタ
ルからなるゲート電極１１，窒化シリコンからなる層間
絶縁膜１２を介してチタンとアルミニュウムからなるソ
ース電極１３およびドレイン電極１４をマトリックス状
に配置し、ゲート電極１１とソース電極１２との各交差
部にアモルファスシリコンからなるＴＦＴ素子１５を形
成した。
１０の上に所定の方法により、アルミニュウムとタンタ
ルからなるゲート電極１１，窒化シリコンからなる層間
絶縁膜１２を介してチタンとアルミニュウムからなるソ
ース電極１３およびドレイン電極１４をマトリックス状
に配置し、ゲート電極１１とソース電極１２との各交差
部にアモルファスシリコンからなるＴＦＴ素子１５を形
成した。
【００２８】次に反射基板１０上に窒化シリコンからな
る無機の層間絶縁膜１６を形成し、フォトレジストと所
定のフォトマスクを用いて紫外線を照射し、その後、ド
ライエッチングにより窒化シリコンをエッチングし、ド
レイン電極１４上にコンタクトホール１７形成した。無
機の層間絶縁膜１６は、ＴＦＴ素子１５の層間絶縁膜と
して機能するとともに、ドライバー実装部分での電極保
護膜としても機能する。
る無機の層間絶縁膜１６を形成し、フォトレジストと所
定のフォトマスクを用いて紫外線を照射し、その後、ド
ライエッチングにより窒化シリコンをエッチングし、ド
レイン電極１４上にコンタクトホール１７形成した。無
機の層間絶縁膜１６は、ＴＦＴ素子１５の層間絶縁膜と
して機能するとともに、ドライバー実装部分での電極保
護膜としても機能する。
【００２９】反射基板１０の全面に感光性アクリル樹脂
（例えば、ＰＣ３３５：ＪＳＲ（株）製）を塗布して膜
厚Ｍ約３μｍの有機の層間絶縁膜１８を形成した。
（例えば、ＰＣ３３５：ＪＳＲ（株）製）を塗布して膜
厚Ｍ約３μｍの有機の層間絶縁膜１８を形成した。
【００３０】次に、図２は図１の実施の形態１で使用し
たフォトマスクの平面図を示すものである。図２に示す
ような面内に形状が正六角形でその外接円の直径Ｒ１
が、８μｍの多数の凹構造形成用パターンが設けられた
フォトマスクを用いて紫外線を８０〜１００ｍJ/cｍ2照
射した。
たフォトマスクの平面図を示すものである。図２に示す
ような面内に形状が正六角形でその外接円の直径Ｒ１
が、８μｍの多数の凹構造形成用パターンが設けられた
フォトマスクを用いて紫外線を８０〜１００ｍJ/cｍ2照
射した。
【００３１】ここで、フォトマスクには正六角形の凹構
造群の外接円の直径Ｒ１が８μｍ、１画素あたりの凹構
造群の面積比率Ｄが０．４となるよう凹構造群の１画素
あたりの個数Ｎを９６個としたパターンをランダムに配
置した。
造群の外接円の直径Ｒ１が８μｍ、１画素あたりの凹構
造群の面積比率Ｄが０．４となるよう凹構造群の１画素
あたりの個数Ｎを９６個としたパターンをランダムに配
置した。
【００３２】次に有機アルカリを用いて一定時間現像を
行った。このとき、反射基板１０上の層間絶縁膜１２に
は、画素部表示領域に凹構造群の孔のみが形成されてい
た。次に、孔を形成した無機の層間絶縁膜１６の全面に
感光性アクリル樹脂（例えば、ＰＣ３３５：ＪＳＲ
（株）製）を塗布して膜厚約１μｍの有機の層間絶縁膜
１８を形成し、凹構造の側面形状を曲面状に形成した。
行った。このとき、反射基板１０上の層間絶縁膜１２に
は、画素部表示領域に凹構造群の孔のみが形成されてい
た。次に、孔を形成した無機の層間絶縁膜１６の全面に
感光性アクリル樹脂（例えば、ＰＣ３３５：ＪＳＲ
（株）製）を塗布して膜厚約１μｍの有機の層間絶縁膜
１８を形成し、凹構造の側面形状を曲面状に形成した。
【００３３】次に画素部表示領域のコンタクトホール１
７とドライバー実装部分を含む非画素部表示領域のみ開
口したフォトマスクを用いて、画素部表示領域のコンタ
クトホールに相当する場所とドライバー実装部分を含む
非画素部表示領域の層間絶縁膜部分を露光、現像し、感
光性樹脂を除去した。反射基板１０上の層間絶縁膜１２
に画素部表示領域に凹構造群を形成し、ドライバー実装
部分を含む非画素部表示領域の層間絶縁膜部分を除去し
た後、無機の層間絶縁膜１６の全面に感光性樹脂を塗布
して有機の層間絶縁膜１８を形成すると、画素部表示領
域とドライバー実装部分を含む非画素部表示領域間の段
差により塗布むらが発生し、画素部表示領域の凹構造の
表面形状が不均一となり、反射率むらが発生した。
７とドライバー実装部分を含む非画素部表示領域のみ開
口したフォトマスクを用いて、画素部表示領域のコンタ
クトホールに相当する場所とドライバー実装部分を含む
非画素部表示領域の層間絶縁膜部分を露光、現像し、感
光性樹脂を除去した。反射基板１０上の層間絶縁膜１２
に画素部表示領域に凹構造群を形成し、ドライバー実装
部分を含む非画素部表示領域の層間絶縁膜部分を除去し
た後、無機の層間絶縁膜１６の全面に感光性樹脂を塗布
して有機の層間絶縁膜１８を形成すると、画素部表示領
域とドライバー実装部分を含む非画素部表示領域間の段
差により塗布むらが発生し、画素部表示領域の凹構造の
表面形状が不均一となり、反射率むらが発生した。
【００３４】このことから、反射基板１０上の層間絶縁
膜１２に画素部表示領域に凹構造群の孔のみをまず形成
し、次に層間絶縁膜１２の全面に感光性樹脂を塗布して
凹構造の側面形状を曲面状にすると同時に、フォトマス
クを用いて画素部表示領域のコンタクトホール１７とド
ライバー実装部分を含む非画素部表示領域の層間絶縁膜
部分を露光、現像し、感光性樹脂を除去することで、画
素部表示領域の凹構造の表面形状が均一になることがわ
かった。その後、２００℃のクリーンオーブンの中で熱
処理を行いて、感光性アクリル樹脂を架橋させた。熱処
理後、凹構造、コンタクトホールに相当する部分では、
それぞれ平均深さ約０．６〜０．８μｍと３．２μｍ、
凹構造群の外接円の直径Ｒ１が１０μｍの孔が形成され
ていた。
膜１２に画素部表示領域に凹構造群の孔のみをまず形成
し、次に層間絶縁膜１２の全面に感光性樹脂を塗布して
凹構造の側面形状を曲面状にすると同時に、フォトマス
クを用いて画素部表示領域のコンタクトホール１７とド
ライバー実装部分を含む非画素部表示領域の層間絶縁膜
部分を露光、現像し、感光性樹脂を除去することで、画
素部表示領域の凹構造の表面形状が均一になることがわ
かった。その後、２００℃のクリーンオーブンの中で熱
処理を行いて、感光性アクリル樹脂を架橋させた。熱処
理後、凹構造、コンタクトホールに相当する部分では、
それぞれ平均深さ約０．６〜０．８μｍと３．２μｍ、
凹構造群の外接円の直径Ｒ１が１０μｍの孔が形成され
ていた。
【００３５】次に、有機の層間絶縁膜１８上にアルミニ
ュウムを成膜し、フォトレジストと所定のフォトマスク
を用いて紫外線を照射し、その後燐酸系のエッチング液
を用いて、反射電極８形成した。
ュウムを成膜し、フォトレジストと所定のフォトマスク
を用いて紫外線を照射し、その後燐酸系のエッチング液
を用いて、反射電極８形成した。
【００３６】透明電極５および反射電極８上には固形分
濃度５重量％のポリアミック酸溶液（ＳＥ−７２１１：
日産化学工業（株））を印刷し、２２０℃で硬化した、
ＴＮ配向になるようにレーヨン布を用いて回転ラビング
して配向処理を行い、ポリイミドからなる膜厚１２０ｎ
ｍの配向膜を形成した。
濃度５重量％のポリアミック酸溶液（ＳＥ−７２１１：
日産化学工業（株））を印刷し、２２０℃で硬化した、
ＴＮ配向になるようにレーヨン布を用いて回転ラビング
して配向処理を行い、ポリイミドからなる膜厚１２０ｎ
ｍの配向膜を形成した。
【００３７】次に対向基板３の周辺部に熱硬化型のシー
ル材（例えばストラクトボンド：三井東圧化学（株）
製）を液晶注入口を設けて印刷形成し、反射基板１０上
には直径３μｍのプラスチックからなる球状のスペーサ
を１５０〜２００個／ｍｍ2 分散して、対向基板３と反
射基板１０を互いに貼り合わせ、１５０℃でシール材を
硬化した。
ル材（例えばストラクトボンド：三井東圧化学（株）
製）を液晶注入口を設けて印刷形成し、反射基板１０上
には直径３μｍのプラスチックからなる球状のスペーサ
を１５０〜２００個／ｍｍ2 分散して、対向基板３と反
射基板１０を互いに貼り合わせ、１５０℃でシール材を
硬化した。
【００３８】次に屈折率異方性が０．０９であるフッ素
系ネマチック液晶組成物にカイラル組成物を添加した液
晶層７を真空注入して、紫外線硬化樹脂により注入口を
封口して、液晶セルを作製した。
系ネマチック液晶組成物にカイラル組成物を添加した液
晶層７を真空注入して、紫外線硬化樹脂により注入口を
封口して、液晶セルを作製した。
【００３９】上記により形成した液晶セルの対向基板３
に、λ／４波長板２を積層した偏光フィルム１を貼付
け、アクティブマトリックスタイプの反射型ＬＣＤを作
製した。
に、λ／４波長板２を積層した偏光フィルム１を貼付
け、アクティブマトリックスタイプの反射型ＬＣＤを作
製した。
【００４０】図３は、本実施の形態１における反射電極
８の反射特性である。反射電極の反射特性は、図４に示
す測定系により行った。比較例１として凹構造を設けな
い反射電極の反射特性と、比較例２として凹凸状の反射
電極の反射特性をあわせて示したものである。本発明の
実施の形態１では、鏡面成分と拡散成分の両方を有して
いるのに対して、凹構造を設けない反射電極特性（比較
例１）は鏡面性のみ有し、凹凸状の反射電極（比較例
２）では、等方的な拡散性を有する。
８の反射特性である。反射電極の反射特性は、図４に示
す測定系により行った。比較例１として凹構造を設けな
い反射電極の反射特性と、比較例２として凹凸状の反射
電極の反射特性をあわせて示したものである。本発明の
実施の形態１では、鏡面成分と拡散成分の両方を有して
いるのに対して、凹構造を設けない反射電極特性（比較
例１）は鏡面性のみ有し、凹凸状の反射電極（比較例
２）では、等方的な拡散性を有する。
【００４１】なお、図４の測定においては反射電極８上
に直接、偏光フィルム１を置き、光源４０から光の反射
率を受光器４１でもって測定した結果である。測定には
色彩測色計（CＭ-508Ｄ、ミノルタ（株）製）を使用
し、標準白色板を基準とした。
に直接、偏光フィルム１を置き、光源４０から光の反射
率を受光器４１でもって測定した結果である。測定には
色彩測色計（CＭ-508Ｄ、ミノルタ（株）製）を使用
し、標準白色板を基準とした。
【００４２】本実施の形態１での反射率は、０．９％で
あり、比較例２の凹凸状の反射電極の反射率３．９％に
対して、十分低い値を得ることができた。また、１画素
の面積をＳとし、凹構造群の外接円の直径をＲ１、凹構
造群の１画素あたりの個数をＮとしたとき、１画素あた
りの凹構造群の面積比率Ｄ（Ｄ＝（π（Ｒ１/2）2×
Ｎ）/Ｓ）が、Ｄ＜０．３では、拡散反射成分が弱く、
またＤ＞０．８では拡散反射成分が強すぎ、偏光変化が
大きかった。このことから、面積比率Ｄは０．３≦Ｄ≦
０．８が好ましかった。
あり、比較例２の凹凸状の反射電極の反射率３．９％に
対して、十分低い値を得ることができた。また、１画素
の面積をＳとし、凹構造群の外接円の直径をＲ１、凹構
造群の１画素あたりの個数をＮとしたとき、１画素あた
りの凹構造群の面積比率Ｄ（Ｄ＝（π（Ｒ１/2）2×
Ｎ）/Ｓ）が、Ｄ＜０．３では、拡散反射成分が弱く、
またＤ＞０．８では拡散反射成分が強すぎ、偏光変化が
大きかった。このことから、面積比率Ｄは０．３≦Ｄ≦
０．８が好ましかった。
【００４３】本実施の形態のアクティブマトリックス型
反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源下でのパネル
反射率を測定したところ、黒状態で反射率が１．３％、
白状態で反射率が１６．９％であり、反射率の高い良好
なパネル反射特性が実現できた。また、干渉による着
色、反射率むらも見られず、無彩色な白黒表示を実現す
ることができた。
反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源下でのパネル
反射率を測定したところ、黒状態で反射率が１．３％、
白状態で反射率が１６．９％であり、反射率の高い良好
なパネル反射特性が実現できた。また、干渉による着
色、反射率むらも見られず、無彩色な白黒表示を実現す
ることができた。
【００４４】（実施の形態２）次に、実施の形態２につ
いて説明する。構成は実施の形態１と同じであるが、相
違点は凹構造形成に正八角形の外接円の直径Ｒ２が異な
るフォトマスクを用いた点である。本実施の形態２で
は、外接円の直径Ｒ２が１０μｍのパターンを有するフ
ォトマスクを用いた。具体的には、１画素あたりの凹構
造群の面積比率Ｄが０．４となるよう６１個の正八角形
パターンをランダムに配置した。実施の形態１と同じ手
順によって、反射型液晶表示装置を作製したところ、反
射電極面には、凹構造群の外接円の直径Ｒ１が１２μｍ
で、平均深さ約０．６〜０．９μｍの凹構造群が形成さ
れていた。
いて説明する。構成は実施の形態１と同じであるが、相
違点は凹構造形成に正八角形の外接円の直径Ｒ２が異な
るフォトマスクを用いた点である。本実施の形態２で
は、外接円の直径Ｒ２が１０μｍのパターンを有するフ
ォトマスクを用いた。具体的には、１画素あたりの凹構
造群の面積比率Ｄが０．４となるよう６１個の正八角形
パターンをランダムに配置した。実施の形態１と同じ手
順によって、反射型液晶表示装置を作製したところ、反
射電極面には、凹構造群の外接円の直径Ｒ１が１２μｍ
で、平均深さ約０．６〜０．９μｍの凹構造群が形成さ
れていた。
【００４５】本実施の形態２においても、アクティブマ
トリックス型反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源
下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率
が１．２％、白状態で反射率が１６．２％であり、反射
率の高い良好なパネル反射特性が実現できた。また、干
渉による着色、反射率むらも見られず、無彩色な白黒表
示を実現することができた。
トリックス型反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源
下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率
が１．２％、白状態で反射率が１６．２％であり、反射
率の高い良好なパネル反射特性が実現できた。また、干
渉による着色、反射率むらも見られず、無彩色な白黒表
示を実現することができた。
【００４６】（実施の形態３）次に、実施の形態３につ
いて説明する。構成は実施の形態１と同じであるが、相
違点は凹構造形成に正六角形の外接円の直径Ｒ２が異な
るフォトマスクを用いた点である。本実施の形態３で
は、外接円の直径Ｒ２が５μｍのパターンを有するフォ
トマスクを用いた。具体的には、１画素あたりの凹構造
群の面積比率Ｄが０．４となるよう２９０個の正六角形
パターンをランダムに配置した。実施の形態１と同じ手
順によって、反射型液晶表示装置を作製したところ、反
射電極面には、凹構造群の外接円の直径Ｒ１が５μｍ
で、平均深さ約０．５〜０．８μｍの凹構造群が形成さ
れていた。
いて説明する。構成は実施の形態１と同じであるが、相
違点は凹構造形成に正六角形の外接円の直径Ｒ２が異な
るフォトマスクを用いた点である。本実施の形態３で
は、外接円の直径Ｒ２が５μｍのパターンを有するフォ
トマスクを用いた。具体的には、１画素あたりの凹構造
群の面積比率Ｄが０．４となるよう２９０個の正六角形
パターンをランダムに配置した。実施の形態１と同じ手
順によって、反射型液晶表示装置を作製したところ、反
射電極面には、凹構造群の外接円の直径Ｒ１が５μｍ
で、平均深さ約０．５〜０．８μｍの凹構造群が形成さ
れていた。
【００４７】本実施の形態３においても、アクティブマ
トリックス型反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源
下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率
が１．７％、白状態で反射率が１５．４％であり、反射
率の比較的高い良好なパネル反射特性が実現できた。ま
た、干渉による着色、反射率むらも見られず、無彩色な
白黒表示を実現することができた。
トリックス型反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源
下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率
が１．７％、白状態で反射率が１５．４％であり、反射
率の比較的高い良好なパネル反射特性が実現できた。ま
た、干渉による着色、反射率むらも見られず、無彩色な
白黒表示を実現することができた。
【００４８】（実施の形態４）次に、実施の形態４につ
いて説明する。構成は実施の形態１と同じであるが、相
違点は第１に反射基板１０上に塗布された層間絶縁膜１
２の膜厚Ｍを２μｍ、第２に層間絶縁膜上に塗布された
樹脂膜の膜厚Ｐを０．５μｍとした点である。本実施の
形態４では、外接円の直径Ｒ２が８μｍのパターンを有
するパターンを有するフォトマスクを用いた。具体的に
は、１画素あたりの凹構造群の面積比率Ｄが０．４とな
るよう９６個の正六角形パターンをランダムに配置し
た。実施の形態１と同じ手順によって、反射型液晶表示
装置を作製したところ、反射電極面には、凹構造群の外
接円の直径Ｒ１が１０．１μｍで、平均深さ約０．３〜
０．６μｍの凹構造群が形成されていた。
いて説明する。構成は実施の形態１と同じであるが、相
違点は第１に反射基板１０上に塗布された層間絶縁膜１
２の膜厚Ｍを２μｍ、第２に層間絶縁膜上に塗布された
樹脂膜の膜厚Ｐを０．５μｍとした点である。本実施の
形態４では、外接円の直径Ｒ２が８μｍのパターンを有
するパターンを有するフォトマスクを用いた。具体的に
は、１画素あたりの凹構造群の面積比率Ｄが０．４とな
るよう９６個の正六角形パターンをランダムに配置し
た。実施の形態１と同じ手順によって、反射型液晶表示
装置を作製したところ、反射電極面には、凹構造群の外
接円の直径Ｒ１が１０．１μｍで、平均深さ約０．３〜
０．６μｍの凹構造群が形成されていた。
【００４９】本実施の形態４においても、アクティブマ
トリックス型反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源
下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率
が１．３％、白状態で反射率が１４．５％であり、反射
率の高い良好なパネル反射特性が実現できた。また、干
渉による着色、反射率むらも見られず、無彩色な白黒表
示を実現することができた。
トリックス型反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源
下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率
が１．３％、白状態で反射率が１４．５％であり、反射
率の高い良好なパネル反射特性が実現できた。また、干
渉による着色、反射率むらも見られず、無彩色な白黒表
示を実現することができた。
【００５０】（実施の形態５）次に、実施の形態５につ
いて説明する。構成は実施の形態１と同じであるが、相
違点は第１に反射基板１０上に塗布された層間絶縁膜１
２の膜厚Ｍを４μｍ、第２に層間絶縁膜上に塗布された
樹脂膜の膜厚Ｐを１．５μｍとした点である。本実施の
形態５では、外接円の直径Ｒ２が８μｍのパターンを有
するフォトマスクを用いた。具体的には、１画素あたり
の凹構造群の面積比率Ｄが０．４となるよう９６個の正
六角形パターンをランダムに配置した。実施の形態１と
同じ手順によって、反射型液晶表示装置を作製したとこ
ろ、反射電極面には、凹構造群の外接円の直径Ｒ１が１
０μｍで、平均深さ約０．７〜１．０μｍの凹構造群が
形成されていた。
いて説明する。構成は実施の形態１と同じであるが、相
違点は第１に反射基板１０上に塗布された層間絶縁膜１
２の膜厚Ｍを４μｍ、第２に層間絶縁膜上に塗布された
樹脂膜の膜厚Ｐを１．５μｍとした点である。本実施の
形態５では、外接円の直径Ｒ２が８μｍのパターンを有
するフォトマスクを用いた。具体的には、１画素あたり
の凹構造群の面積比率Ｄが０．４となるよう９６個の正
六角形パターンをランダムに配置した。実施の形態１と
同じ手順によって、反射型液晶表示装置を作製したとこ
ろ、反射電極面には、凹構造群の外接円の直径Ｒ１が１
０μｍで、平均深さ約０．７〜１．０μｍの凹構造群が
形成されていた。
【００５１】本実施の形態５においても、アクティブマ
トリックス型反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源
下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率
が１．９％、白状態で反射率が１３．７％であり、反射
率の高い良好なパネル反射特性が実現できた。また、干
渉による着色、反射率むらも見られず、無彩色な白黒表
示を実現することができた。
トリックス型反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源
下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率
が１．９％、白状態で反射率が１３．７％であり、反射
率の高い良好なパネル反射特性が実現できた。また、干
渉による着色、反射率むらも見られず、無彩色な白黒表
示を実現することができた。
【００５２】上記各実施の形態の結果より、１画素あた
りの凹構造群の面積比率Ｄが０．３≦Ｄ≦０．８、凹構
造群が、直径に関して外接円の直径Ｒ１が５μｍ≦Ｒ１
≦１２μｍ、平均深さｂ１に関して０．３μｍ≦ｂ１≦
１．０μｍであると、拡散反射率及びコントラストが高
く、かつ干渉による着色のない特性を実現することがで
きた。
りの凹構造群の面積比率Ｄが０．３≦Ｄ≦０．８、凹構
造群が、直径に関して外接円の直径Ｒ１が５μｍ≦Ｒ１
≦１２μｍ、平均深さｂ１に関して０．３μｍ≦ｂ１≦
１．０μｍであると、拡散反射率及びコントラストが高
く、かつ干渉による着色のない特性を実現することがで
きた。
【００５３】また、フォトマスク状の凹構造群形成用正
多角形に外接する円の直径Ｒ２が、５μｍ≦Ｒ２≦１０
μｍであれば、コントラスト低下と干渉による着色を抑
制し、かつ拡散反射率の高い反射型液晶表示装置を実現
できることが分かった。
多角形に外接する円の直径Ｒ２が、５μｍ≦Ｒ２≦１０
μｍであれば、コントラスト低下と干渉による着色を抑
制し、かつ拡散反射率の高い反射型液晶表示装置を実現
できることが分かった。
【００５４】また、第１に反射基板１０上に塗布された
層間絶縁膜１２の膜厚Ｍが２μｍ≦Ｍ≦４μｍ、第２に
層間絶縁膜１２上に塗布された樹脂膜の膜厚Ｐが０．５
μｍ≦Ｐ≦１．５μｍであれば、コントラスト低下と干
渉による着色を抑制し、かつ拡散反射率の高い反射型液
晶表示装置を実現できることが分かった。
層間絶縁膜１２の膜厚Ｍが２μｍ≦Ｍ≦４μｍ、第２に
層間絶縁膜１２上に塗布された樹脂膜の膜厚Ｐが０．５
μｍ≦Ｐ≦１．５μｍであれば、コントラスト低下と干
渉による着色を抑制し、かつ拡散反射率の高い反射型液
晶表示装置を実現できることが分かった。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、反
射電極面に反射と散乱の機能を有する平坦部分と、拡散
用凹面に凹構造群のパターンがランダムに設けられ、所
定の面積比率で形成することにより、拡散反射率が高く
かつコントラスト低下および干渉による着色、反射率む
らを抑制した反射型液晶表示装置を実現することができ
る。
射電極面に反射と散乱の機能を有する平坦部分と、拡散
用凹面に凹構造群のパターンがランダムに設けられ、所
定の面積比率で形成することにより、拡散反射率が高く
かつコントラスト低下および干渉による着色、反射率む
らを抑制した反射型液晶表示装置を実現することができ
る。
【図１】本発明の実施の形態１における反射型液晶表示
装置の画素部分の一例を示す構造図
装置の画素部分の一例を示す構造図
【図２】本発明の実施の形態１で使用したフォトマスク
の平面図
の平面図
【図３】本発明の実施の形態１における反射電極の反射
特性図
特性図
【図４】本発明の実施の形態１における反射電極の反射
特性の測定図
特性の測定図
【図５】従来の反射型液晶表示装置の画素部分の一例を
示す構造図
示す構造図
１ 偏光フィルム ２ λ／４波長板 ３ 対向基板 ４ カラーフィルタ ５ 透明電極 ７ 液晶層 ８ 反射電極 １０ 反射基板 １１ ゲート電極 １２ 層間絶縁膜 １３ ソース電極 １４ ドレイン電極 １５ ＴＦＴ素子 １６ 無機の層間絶縁膜 １７ コンタクトホール １８ 有機の層間絶縁膜 １９ 凹構造 ２０ 鏡面性を有する平坦な部分 ２１ 外接円 ２２ 凹構造パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関目 智明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平９−90426（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−318924（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−34730（ＪＰ，Ａ) 特開2000−180882（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1335 G02F 1/1343
Claims (7)
- 【請求項１】 第１の基板の１主面上に画素電極として
反射電極面が形成され、前記反射電極面には反射と散乱
との機能を有する平坦面と拡散用凹面とが所定の面積比
率で形成され、第２の基板の１主面上には少なくとも透
明電極からなる対向電極が形成され、第１の基板と第２
の基板との対向内面に液晶層が挟持され、前記反射電極
面の拡散用凹面において、凹構造群のパターンがランダ
ムに設けられており、１画素の面積をＳとし、前記凹構
造群の外接円の直径をＲ１、前記凹構造群の１画素あた
りの個数をＮとしたとき、（数１）で定義される１画素
あたりの前記凹構造群の面積比率Ｄが０．３≦Ｄ≦０．
８であることを特徴とする反射型液晶表示装置。 【数１】Ｄ＝（π（Ｒ１／２） 2 ×Ｎ）／Ｓ - 【請求項２】 凹構造群の外接円の直径Ｒ１が５μｍ≦
Ｒ１≦１２μｍ、前記凹構造の１画素あたりの個数Ｎが
４０≦Ｎ≦３５０の関係を満たすことを特徴とする請求
項１記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項３】 凹構造群を有する反射電極面が、少なく
ともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタとゲ
ート電極とソース電極上とに層間絶縁膜を介して形成さ
れ、前記反射電極面はコンタクトホールを有し、前記凹
構造群の平均深さをｂ１、前記コンタクトホールの平均
深さをｂ２とすると、ｂ１＜ｂ２の関係を満たし、０．
３μｍ≦ｂ１≦１．０μｍであり、層間絶縁膜で形成さ
れていることを特徴とする請求項１または請求項２記載
の反射型液晶表示装置。 - 【請求項４】 少なくともマトリックス状に配置された
薄膜トランジスタとゲート電極とソース電極とを有する
基板上に層間絶縁膜を介して、凹構造群とコンタクトホ
ールが形成された反射電極を有する反射型液晶表示装置
の製造方法であって、第１に前記基板上に層間絶縁膜と
して有機系感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をフォ
トマスクを用いて露光、現像して、画素部表示領域の前
記凹構造群に相当する場所に孔を形成する工程と、第２
に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹脂を
塗布し、前記凹構造群の側面形状を曲面状にする工程
と、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像
して、前記画素部表示領域 のコンタクトホールに相当す
る場所に孔を形成し、ドライバー実装部分を含む非画素
部表示領域の前記層間絶縁膜を除去する工程と、前記感
光性樹脂に熱処理を施して、架橋反応させる工程と、前
記基板に反射電極を形成する工程とを少なくとも含むこ
とを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 第１に前記基板上に層間絶縁膜として有
機系感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いて画素部
表示領域の前記凹構造群及びコンタクトホールに相当す
る場所に孔を形成する工程において、前記基板上に塗布
され得る層間絶縁膜の膜厚をＭとすると、２μｍ≦Ｍ≦
４μｍであることを特徴とする請求項４記載の反射型液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として
有機系感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いて前記
画素部表示領域のコンタクトホールに相当する場所に孔
を形成し、ドライバー実装部分を含む非画素部表示領域
の前記層間絶縁膜を除去する工程において、前記層間絶
縁膜上に塗布され得る有機系感光性樹脂の膜厚をＰとす
ると、０．５μｍ≦Ｐ≦１．５μｍであることを特徴と
する請求項４記載の反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記凹構造群に相当する孔を形成する工
程において、フォトマスク面に設けた凹構造形成用のパ
ターンは、正多角形であり、前記正多角形に外接する円
の直径をＲ２とすると、５μｍ≦Ｒ２≦１０μｍである
ことを特徴とする請求項４または請求項５記載の反射型
液晶表示装置の製造方法。
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