JPH06175126A - 反射型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPH06175126A JPH06175126A JP4331810A JP33181092A JPH06175126A JP H06175126 A JPH06175126 A JP H06175126A JP 4331810 A JP4331810 A JP 4331810A JP 33181092 A JP33181092 A JP 33181092A JP H06175126 A JPH06175126 A JP H06175126A
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- Japan
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- reflective
- film
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 指向性をもった散乱光を得て、明るい表示を
行う。 【構成】 反射型液晶表示装置３０の一方基板３１上に
形成されたゲートバス配線３２、ソースバス配線３９お
よびＴＦＴ４０を覆って有機絶縁膜４２が形成されてい
る。有機絶縁膜４２の反射電極３８が形成される領域に
は、先細状で先端が球面状に形成された凸部４２ａが形
成されており、この凸部４２ａは平均傾斜角度θAVが４
°〜１５°の範囲内となるようにパターニングされてい
る。平均傾斜角度θAVを４°〜１５°の範囲内に定める
ことによって指向性をもった散乱光を得ることができる
ため、非常に明るい表示が実現できる。
行う。 【構成】 反射型液晶表示装置３０の一方基板３１上に
形成されたゲートバス配線３２、ソースバス配線３９お
よびＴＦＴ４０を覆って有機絶縁膜４２が形成されてい
る。有機絶縁膜４２の反射電極３８が形成される領域に
は、先細状で先端が球面状に形成された凸部４２ａが形
成されており、この凸部４２ａは平均傾斜角度θAVが４
°〜１５°の範囲内となるようにパターニングされてい
る。平均傾斜角度θAVを４°〜１５°の範囲内に定める
ことによって指向性をもった散乱光を得ることができる
ため、非常に明るい表示が実現できる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入射光を反射すること
によって表示を行う反射型液晶表示装置およびその製造
方法に関する。
によって表示を行う反射型液晶表示装置およびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
型パーソナルコンピュータ、ポケットテレビなどへの液
晶表示装置の応用が急速に進展している。特に、液晶表
示装置のなかでも外部から入射した光を反射させて表示
を行う反射型液晶表示装置は、バックライトが不要であ
るため消費電力が低く、薄型、軽量化が可能であるので
注目されている。
型パーソナルコンピュータ、ポケットテレビなどへの液
晶表示装置の応用が急速に進展している。特に、液晶表
示装置のなかでも外部から入射した光を反射させて表示
を行う反射型液晶表示装置は、バックライトが不要であ
るため消費電力が低く、薄型、軽量化が可能であるので
注目されている。
【０００３】従来から、反射型液晶表示装置にはＴＮ
（ツイステッドネマティック）方式ならびにＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマティック）方式が用いられてい
るが、これらの方式では直線偏光子によって必然的に自
然光の光強度の１／２が表示に利用されないことにな
り、表示が暗くなるという問題がある。
（ツイステッドネマティック）方式ならびにＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマティック）方式が用いられてい
るが、これらの方式では直線偏光子によって必然的に自
然光の光強度の１／２が表示に利用されないことにな
り、表示が暗くなるという問題がある。
【０００４】このような問題点に対して、偏光板を用い
ず自然光を有効に利用しようとする表示モードが提案さ
れている。このようなモードの例として、相転移型ゲス
ト・ホスト方式が挙げられる（D.L.White and G.N.Tayl
or：J.Appl.Phys.45 4718 1974）。この表示モードで
は、電界によるコレステリック・ネマティック相転移現
象が利用されている。この相転移型ゲスト・ホスト方式
に、さらにマイクロカラーフィルタを組合わせた反射型
マルチカラーディスプレイも提案されている（Tohru Ko
izumi and Tatsuo Uchida,Proceedins of the SID,Vol.
29,157,1988)。
ず自然光を有効に利用しようとする表示モードが提案さ
れている。このようなモードの例として、相転移型ゲス
ト・ホスト方式が挙げられる（D.L.White and G.N.Tayl
or：J.Appl.Phys.45 4718 1974）。この表示モードで
は、電界によるコレステリック・ネマティック相転移現
象が利用されている。この相転移型ゲスト・ホスト方式
に、さらにマイクロカラーフィルタを組合わせた反射型
マルチカラーディスプレイも提案されている（Tohru Ko
izumi and Tatsuo Uchida,Proceedins of the SID,Vol.
29,157,1988)。
【０００５】このような偏光板を必要としない表示モー
ドでさらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度か
らの入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光
の強度を増加させる必要がある。そのためには、反射板
の表面状態を制御して、最適な反射特性を有する反射板
を作製することが必要となる。上述の文献には、ガラス
などから成る基板の表面を研磨剤で粗面化し、フッ化水
素酸でエッチングする時間を変えることによって表面の
凹凸を制御し、その凹凸上に銀の薄膜を形成した反射板
について記載されている。また、反射機能を有する部分
に凹凸を設けて、良好な反射特性を得るための反射板が
特願昭３−２３０６０８号公報で提案されている。
ドでさらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度か
らの入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光
の強度を増加させる必要がある。そのためには、反射板
の表面状態を制御して、最適な反射特性を有する反射板
を作製することが必要となる。上述の文献には、ガラス
などから成る基板の表面を研磨剤で粗面化し、フッ化水
素酸でエッチングする時間を変えることによって表面の
凹凸を制御し、その凹凸上に銀の薄膜を形成した反射板
について記載されている。また、反射機能を有する部分
に凹凸を設けて、良好な反射特性を得るための反射板が
特願昭３−２３０６０８号公報で提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述したような従来の
作製方法による凹凸の形状は、最適な凹凸形状とはいえ
ず、良好な反射特性を持つ反射板を得るに至らない。ま
た、前述の反射型マルチカラーディスプレイについての
文献（Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida，Proceedins
of the SID,Vol.29,157,1988）の凹凸形成方法では、凹
凸形状の再現性が悪く、研磨剤で粗面化したり、フッ化
水素酸でエッチングをするため、薄膜トランジスタ（以
下、「ＴＦＴ」と略す）にダメージを与える危険性もあ
る。
作製方法による凹凸の形状は、最適な凹凸形状とはいえ
ず、良好な反射特性を持つ反射板を得るに至らない。ま
た、前述の反射型マルチカラーディスプレイについての
文献（Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida，Proceedins
of the SID,Vol.29,157,1988）の凹凸形成方法では、凹
凸形状の再現性が悪く、研磨剤で粗面化したり、フッ化
水素酸でエッチングをするため、薄膜トランジスタ（以
下、「ＴＦＴ」と略す）にダメージを与える危険性もあ
る。
【０００７】本発明の目的は、上記問題点を解決し、よ
り良好な反射特性を有する反射板を備えた反射型液晶表
示装置およびその製造方法を提供することである。
り良好な反射特性を有する反射板を備えた反射型液晶表
示装置およびその製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を介在
して対向配置される一対の透光性基板のうち、一方基板
の液晶層側表面には、複数の絵素電極と、他方基板側か
らの入射光を反射する反射膜と、配向膜とが形成され、
他方基板の液晶層側表面には、ほぼ全面にわたって透光
性を有する共通電極と、配向膜とが形成される反射型液
晶表示装置において、前記反射膜の反射面は、滑らかな
凹凸面であり、かつ予め定める平均傾斜角度を満たすこ
とを特徴とする反射型液晶表示装置である。
して対向配置される一対の透光性基板のうち、一方基板
の液晶層側表面には、複数の絵素電極と、他方基板側か
らの入射光を反射する反射膜と、配向膜とが形成され、
他方基板の液晶層側表面には、ほぼ全面にわたって透光
性を有する共通電極と、配向膜とが形成される反射型液
晶表示装置において、前記反射膜の反射面は、滑らかな
凹凸面であり、かつ予め定める平均傾斜角度を満たすこ
とを特徴とする反射型液晶表示装置である。
【０００９】また本発明は、前記平均傾斜角度が、４°
〜１５°に選ばれることを特徴とする。
〜１５°に選ばれることを特徴とする。
【００１０】また本発明は、前記反射膜が、絵素電極と
して機能することを特徴とする。
して機能することを特徴とする。
【００１１】また本発明は、一対の透光性基板のうち、
一方基板の表面に有機絶縁膜およびその上に積層される
ホトレジスト層を形成し、パターニングを施してホトレ
ジスト層を予め定める平均傾斜角度を有する滑らかな凹
凸面に形成し、エッチング処理を施して有機絶縁膜を前
記予め定める平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形
成し、該凹凸面上に反射膜を形成し、さらに反射膜の表
面に複数の絵素電極と配向膜とを形成し、前記一対の透
光性基板のうち、他方基板の表面にほぼ全面にわたって
透光性を有する共通電極と配向膜とを形成し、前記一対
の透光性基板を電極形成面が対向するように貼付け、透
光性基板間に液晶を注入することを特徴とする反射型液
晶表示装置の製造方法である。
一方基板の表面に有機絶縁膜およびその上に積層される
ホトレジスト層を形成し、パターニングを施してホトレ
ジスト層を予め定める平均傾斜角度を有する滑らかな凹
凸面に形成し、エッチング処理を施して有機絶縁膜を前
記予め定める平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形
成し、該凹凸面上に反射膜を形成し、さらに反射膜の表
面に複数の絵素電極と配向膜とを形成し、前記一対の透
光性基板のうち、他方基板の表面にほぼ全面にわたって
透光性を有する共通電極と配向膜とを形成し、前記一対
の透光性基板を電極形成面が対向するように貼付け、透
光性基板間に液晶を注入することを特徴とする反射型液
晶表示装置の製造方法である。
【００１２】また本発明は、一対の透光性基板のうち、
一方基板の表面に感光性樹脂を塗布し、パターニングを
施して予め定める平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面
に形成し、該凹凸面上に反射膜を形成し、さらに反射膜
の表面に複数の絵素電極と配向膜とを形成し、前記一対
の透光性基板のうち、他方基板の表面にほぼ全面にわた
って透光性を有する共通電極と配向膜とを形成し、前記
一対の透光性基板を電極形成面が対向するように貼付
け、透光性基板間に液晶を注入することを特徴とする反
射型液晶表示装置の製造方法である。
一方基板の表面に感光性樹脂を塗布し、パターニングを
施して予め定める平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面
に形成し、該凹凸面上に反射膜を形成し、さらに反射膜
の表面に複数の絵素電極と配向膜とを形成し、前記一対
の透光性基板のうち、他方基板の表面にほぼ全面にわた
って透光性を有する共通電極と配向膜とを形成し、前記
一対の透光性基板を電極形成面が対向するように貼付
け、透光性基板間に液晶を注入することを特徴とする反
射型液晶表示装置の製造方法である。
【００１３】また本発明は、前記平均傾斜角度は、４°
〜１５°に選ばれることを特徴とする。
〜１５°に選ばれることを特徴とする。
【００１４】また本発明は、前記複数の絵素電極は、反
射膜としての機能を有し、凹凸面上に直接形成されるこ
とを特徴とする。
射膜としての機能を有し、凹凸面上に直接形成されるこ
とを特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明に従えば、反射型液晶表示装置は液晶層
を介在して対向配置される一対の透光性基板を有し、そ
の一対の透光性基板のうち、一方基板上の液晶層側表面
には、複数の絵素電極と他方基板側からの入射光を反射
する反射膜と配向膜とが形成され、前記反射膜の反射面
は、滑らかな凹凸面であって予め定める平均傾斜角度を
満たすように形成されている。また、他方基板の液晶層
側表面には、ほぼ全面にわたって透光性を有する共通電
極と配向膜とが形成されている。前記反射膜の反射面
を、予め定める平均傾斜角度を満たす滑らかな凹凸面に
形成することによって、基板表面の法線方向への散乱光
強度を高めることができる。
を介在して対向配置される一対の透光性基板を有し、そ
の一対の透光性基板のうち、一方基板上の液晶層側表面
には、複数の絵素電極と他方基板側からの入射光を反射
する反射膜と配向膜とが形成され、前記反射膜の反射面
は、滑らかな凹凸面であって予め定める平均傾斜角度を
満たすように形成されている。また、他方基板の液晶層
側表面には、ほぼ全面にわたって透光性を有する共通電
極と配向膜とが形成されている。前記反射膜の反射面
を、予め定める平均傾斜角度を満たす滑らかな凹凸面に
形成することによって、基板表面の法線方向への散乱光
強度を高めることができる。
【００１６】また、前記反射膜の平均傾斜角度は好まし
くは４°〜１５°であり、これによって散乱光の指向
性、すなわち基板表面の法線方向への散乱光強度を高め
ることが可能となる。
くは４°〜１５°であり、これによって散乱光の指向
性、すなわち基板表面の法線方向への散乱光強度を高め
ることが可能となる。
【００１７】さらにまた、前記反射膜を絵素電極として
機能させることによって、視差に起因する表示のずれを
防止することができる。
機能させることによって、視差に起因する表示のずれを
防止することができる。
【００１８】また本発明に従えば、一対の透光性基板の
うち一方基板の表面には有機絶縁膜とホトレジスト層と
が積層して形成され、前記ホトレジスト層を予め定める
平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形成する。その
後、エッチング処理を施して有機絶縁膜を予め定める平
均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形成する。当該凹
凸面上に反射膜を形成し、さらにその上に複数の絵素電
極と配向膜とを形成する。また、他方基板の表面にはほ
ぼ全面にわたって透光性を有する共通電極と配向膜とを
形成する。このような一対の透光性基板を電極形成面が
対向するように貼付け、透光性基板間に液晶を注入して
反射型液晶表示装置が製造される。
うち一方基板の表面には有機絶縁膜とホトレジスト層と
が積層して形成され、前記ホトレジスト層を予め定める
平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形成する。その
後、エッチング処理を施して有機絶縁膜を予め定める平
均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形成する。当該凹
凸面上に反射膜を形成し、さらにその上に複数の絵素電
極と配向膜とを形成する。また、他方基板の表面にはほ
ぼ全面にわたって透光性を有する共通電極と配向膜とを
形成する。このような一対の透光性基板を電極形成面が
対向するように貼付け、透光性基板間に液晶を注入して
反射型液晶表示装置が製造される。
【００１９】したがって、前記反射膜の反射面が予め定
める平均傾斜角度を満たす滑らかな凹凸面に形成される
ので、基板表面の法線方向への散乱光強度を高めること
ができる。
める平均傾斜角度を満たす滑らかな凹凸面に形成される
ので、基板表面の法線方向への散乱光強度を高めること
ができる。
【００２０】さらに本発明に従えば、一対の透光性基板
のうちの一方基板の表面に感光性樹脂を塗布し、パター
ニングを施して予め定める平均傾斜角度を有する滑らか
な凹凸面を形成する。当該凹凸面上に反射膜を形成し、
さらにその上に複数の絵素電極と配向膜とを形成する。
また、他方基板の表面にはほぼ全面にわたって透光性を
有する共通電極と配向膜とを形成する。このような一対
の透光性基板を電極形成面が対向するように貼付け、透
光性基板間に液晶を注入して反射型液晶表示装置が製造
される。
のうちの一方基板の表面に感光性樹脂を塗布し、パター
ニングを施して予め定める平均傾斜角度を有する滑らか
な凹凸面を形成する。当該凹凸面上に反射膜を形成し、
さらにその上に複数の絵素電極と配向膜とを形成する。
また、他方基板の表面にはほぼ全面にわたって透光性を
有する共通電極と配向膜とを形成する。このような一対
の透光性基板を電極形成面が対向するように貼付け、透
光性基板間に液晶を注入して反射型液晶表示装置が製造
される。
【００２１】したがって、前記反射膜の反射面が予め定
める平均傾斜角度を満たす滑らかな凹凸面に形成される
ので、基板表面の法線方向への散乱光強度を高めること
ができる。
める平均傾斜角度を満たす滑らかな凹凸面に形成される
ので、基板表面の法線方向への散乱光強度を高めること
ができる。
【００２２】また、前記滑らかな凹凸面は、平均傾斜角
度が４°〜１５°となるように形成する。これによっ
て、基板の法線方向への散乱光強度をより高めることが
できる。
度が４°〜１５°となるように形成する。これによっ
て、基板の法線方向への散乱光強度をより高めることが
できる。
【００２３】さらにまた、複数の絵素電極は反射膜とし
ての機能を有し、前記凹凸表面に直接形成される。した
がって、視差に起因する表示のずれを防止することがで
きる。
ての機能を有し、前記凹凸表面に直接形成される。した
がって、視差に起因する表示のずれを防止することがで
きる。
【００２４】
【実施例】図１は本発明の一実施例である反射型液晶表
示装置３０の断面図であり、図２は図１に示される基板
３１の平面図である。ガラスなどから成る絶縁性の基板
３１上には、クロム、タンタルなどから成る複数のゲー
トバス配線３２が互いに平行に設けられ、走査線として
機能している前記ゲートバス配線３２からはゲート電極
３３が分岐している。
示装置３０の断面図であり、図２は図１に示される基板
３１の平面図である。ガラスなどから成る絶縁性の基板
３１上には、クロム、タンタルなどから成る複数のゲー
トバス配線３２が互いに平行に設けられ、走査線として
機能している前記ゲートバス配線３２からはゲート電極
３３が分岐している。
【００２５】ゲートバス配線およびゲート電極３３を覆
って基板３１上の全面にわたって、窒化シリコン（Ｓｉ
ＮX）、酸化シリコン（ＳｉＯX）などから成るゲート絶
縁膜３４が形成されている。ゲート電極３３の図１紙面
上方のゲート絶縁膜３４上には、非晶質シリコン（以
下、「ａ−Ｓｉ」と記す）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ
などから成る半導体層３５が形成されている。半導体層
３５の図１紙面左右方向両端部には、ａ−Ｓｉなどから
成るコンタクト電極４１が形成されている。両端部のう
ちの一方のコンタクト電極４１ａ上にはチタン、モリブ
デン、アルミニウムなどから成るソース電極３６が重畳
形成され、他方のコンタクト電極４１ｂ上には、ソース
電極３６と同様にチタン、モリブデン、アルミニウムな
どから成るドレイン電極３７が重畳形成されている。
って基板３１上の全面にわたって、窒化シリコン（Ｓｉ
ＮX）、酸化シリコン（ＳｉＯX）などから成るゲート絶
縁膜３４が形成されている。ゲート電極３３の図１紙面
上方のゲート絶縁膜３４上には、非晶質シリコン（以
下、「ａ−Ｓｉ」と記す）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ
などから成る半導体層３５が形成されている。半導体層
３５の図１紙面左右方向両端部には、ａ−Ｓｉなどから
成るコンタクト電極４１が形成されている。両端部のう
ちの一方のコンタクト電極４１ａ上にはチタン、モリブ
デン、アルミニウムなどから成るソース電極３６が重畳
形成され、他方のコンタクト電極４１ｂ上には、ソース
電極３６と同様にチタン、モリブデン、アルミニウムな
どから成るドレイン電極３７が重畳形成されている。
【００２６】図２に示すようにソース電極３６には、ゲ
ートバス配線３２に交差し、信号線として機能するソー
スバス配線３９が接続されている。ソースバス配線３９
も、ソース電極３６と同様の金属で形成されている。ゲ
ート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３５、ソー
ス電極３６およびドレイン電極３７は、ＴＦＴ４０を構
成し、該ＴＦＴ４０は、スイッチング素子の機能を有す
る。
ートバス配線３２に交差し、信号線として機能するソー
スバス配線３９が接続されている。ソースバス配線３９
も、ソース電極３６と同様の金属で形成されている。ゲ
ート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３５、ソー
ス電極３６およびドレイン電極３７は、ＴＦＴ４０を構
成し、該ＴＦＴ４０は、スイッチング素子の機能を有す
る。
【００２７】ゲートバス配線３２、ソースバス配線３９
およびＴＦＴ４０を覆って、基板３１上全面にわたって
有機絶縁膜４２が形成されている。有機絶縁膜４２上で
あって反射電極３８が形成される領域には、先細状で先
端部が球面状に形成された凸部４２ａが形成されてお
り、ドレイン電極３７部分にはコンタクトホール４３が
形成されている。有機絶縁膜４２の凸部４２ａ形成領域
上にアルミニウム、銀などから成る反射電極３８が形成
され、反射電極３８はコンタクトホール４３においてド
レイン電極３７と接続され、さらにその上には配向膜４
４が形成される。
およびＴＦＴ４０を覆って、基板３１上全面にわたって
有機絶縁膜４２が形成されている。有機絶縁膜４２上で
あって反射電極３８が形成される領域には、先細状で先
端部が球面状に形成された凸部４２ａが形成されてお
り、ドレイン電極３７部分にはコンタクトホール４３が
形成されている。有機絶縁膜４２の凸部４２ａ形成領域
上にアルミニウム、銀などから成る反射電極３８が形成
され、反射電極３８はコンタクトホール４３においてド
レイン電極３７と接続され、さらにその上には配向膜４
４が形成される。
【００２８】以上のような構成にすると、反射電極３８
とゲートバス配線３２およびソースバス配線３９とを重
畳して形成することができるので、反射電極３８とゲー
トバス配線３２およびソースバス配線３９との間の間隔
をなくして、反射電極３８の面積を大きくすることがで
きる。反射電極３８の面積が大きくなると、表示画面の
開口率が大きくなり、明るい表示が可能となる。このと
き、反射電極３８とゲートバス配線３２およびソースバ
ス配線３９とが重畳する部分で絶縁不良が問題となる場
合には、重畳する部分には凸部４２ａを形成しないこと
によって問題は解消される。
とゲートバス配線３２およびソースバス配線３９とを重
畳して形成することができるので、反射電極３８とゲー
トバス配線３２およびソースバス配線３９との間の間隔
をなくして、反射電極３８の面積を大きくすることがで
きる。反射電極３８の面積が大きくなると、表示画面の
開口率が大きくなり、明るい表示が可能となる。このと
き、反射電極３８とゲートバス配線３２およびソースバ
ス配線３９とが重畳する部分で絶縁不良が問題となる場
合には、重畳する部分には凸部４２ａを形成しないこと
によって問題は解消される。
【００２９】基板４５上には、補色カラーフィルタ４６
が形成される。カラーフィルタ４６は、反射電極３８に
対向する位置にマゼンタまたはグリーンのフィルタ４６
ａが形成され、反射電極３８に対向しない位置にブラッ
クの遮光層４６ｂが形成されて成る。カラーフィルタ４
６上の全面にはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜が１０
００Åの厚さに成膜されて透明共通電極４７が形成さ
れ、ポリイミドを塗布後、焼成することによって配向膜
４８が形成される。
が形成される。カラーフィルタ４６は、反射電極３８に
対向する位置にマゼンタまたはグリーンのフィルタ４６
ａが形成され、反射電極３８に対向しない位置にブラッ
クの遮光層４６ｂが形成されて成る。カラーフィルタ４
６上の全面にはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜が１０
００Åの厚さに成膜されて透明共通電極４７が形成さ
れ、ポリイミドを塗布後、焼成することによって配向膜
４８が形成される。
【００３０】両基板３１，４５は、反射電極３８とフィ
ルタ４６ａとが一致するように対向して貼合わされ、た
とえば７μｍのスペーサを混入した図示しない接着剤シ
ール剤をスクリーン印刷することによって液晶注入空間
が形成され、真空脱気することによって液晶４９が注入
されて反射型液晶表示装置３０が完成する。なお、液晶
４９には、黒色色素を混入したゲスト・ホスト液晶（メ
ルク社製、商品名ＺＬ１２３２７）に光学活性物質（メ
ルク社製、商品名Ｓ８１１）を４．５％混入したものを
用いた。
ルタ４６ａとが一致するように対向して貼合わされ、た
とえば７μｍのスペーサを混入した図示しない接着剤シ
ール剤をスクリーン印刷することによって液晶注入空間
が形成され、真空脱気することによって液晶４９が注入
されて反射型液晶表示装置３０が完成する。なお、液晶
４９には、黒色色素を混入したゲスト・ホスト液晶（メ
ルク社製、商品名ＺＬ１２３２７）に光学活性物質（メ
ルク社製、商品名Ｓ８１１）を４．５％混入したものを
用いた。
【００３１】図３は、反射板２９を作製する一般的な作
製方法を説明する断面図である。図３（ａ）に示すガラ
スなどから成る厚さ１．１ｍｍの絶縁性の基板２５（コ
ーニング社、商品名７０５９）上に、図３（ｂ）に示す
ように、アクリル系樹脂（日本合成ゴム、商品名ＪＳＳ
−７２１５）を１２００ｒ．ｐ．ｍで２０秒間スピンコ
ートし、有機絶縁膜２６を形成する。
製方法を説明する断面図である。図３（ａ）に示すガラ
スなどから成る厚さ１．１ｍｍの絶縁性の基板２５（コ
ーニング社、商品名７０５９）上に、図３（ｂ）に示す
ように、アクリル系樹脂（日本合成ゴム、商品名ＪＳＳ
−７２１５）を１２００ｒ．ｐ．ｍで２０秒間スピンコ
ートし、有機絶縁膜２６を形成する。
【００３２】続いて、図３（ｃ）に示すように、有機絶
縁膜２６上にホトレジスト２２を塗布し、図３（ｄ）に
示すように、円形の透孔が規則的または不規則に配列し
たマスク２３を用いて、光２４を選択的に照射し、不要
なホトレジスト部分を除去し、図３（ｅ）に示すように
円柱状の凸部２２ａを形成する。さらに、凸部２２ａの
先端部分の角を取るためにホットプレートやオーブンな
どで１２０℃〜２５０℃の範囲で熱処理を行い、図３
（ｆ）に示すように、所望の平均傾斜角度（４°〜１５
°）を有する滑らかな凹凸面に形成する。その後、図３
（ｇ）に示すように、凸部２２ａを利用して有機絶縁膜
２６をエッチングし、所望の平均傾斜角度（４°〜１５
°）を有する凸部２６ａを形成する。また、凸部２６ａ
形成後に凸部２６ａの平均傾斜角度を調節するために、
さらに有機絶縁膜２６ｂを塗布してもよい。
縁膜２６上にホトレジスト２２を塗布し、図３（ｄ）に
示すように、円形の透孔が規則的または不規則に配列し
たマスク２３を用いて、光２４を選択的に照射し、不要
なホトレジスト部分を除去し、図３（ｅ）に示すように
円柱状の凸部２２ａを形成する。さらに、凸部２２ａの
先端部分の角を取るためにホットプレートやオーブンな
どで１２０℃〜２５０℃の範囲で熱処理を行い、図３
（ｆ）に示すように、所望の平均傾斜角度（４°〜１５
°）を有する滑らかな凹凸面に形成する。その後、図３
（ｇ）に示すように、凸部２２ａを利用して有機絶縁膜
２６をエッチングし、所望の平均傾斜角度（４°〜１５
°）を有する凸部２６ａを形成する。また、凸部２６ａ
形成後に凸部２６ａの平均傾斜角度を調節するために、
さらに有機絶縁膜２６ｂを塗布してもよい。
【００３３】さらに、図３（ｈ）に示すように、有機絶
縁膜２６ｂを形成した後、図３（ｉ）に示すように、ア
ルミニウムを真空蒸着して０．０１〜１．０μｍの厚さ
の金属薄膜を形成して反射膜２７を形成する。反射膜２
７は、アルミニウムの他に、ニッケル、クロム、銀など
を用いてもよい。以上の工程によって、反射板２９が形
成される。反射膜２７の反射面２８は、前記平均傾斜角
度を有する凹凸面に形成される。
縁膜２６ｂを形成した後、図３（ｉ）に示すように、ア
ルミニウムを真空蒸着して０．０１〜１．０μｍの厚さ
の金属薄膜を形成して反射膜２７を形成する。反射膜２
７は、アルミニウムの他に、ニッケル、クロム、銀など
を用いてもよい。以上の工程によって、反射板２９が形
成される。反射膜２７の反射面２８は、前記平均傾斜角
度を有する凹凸面に形成される。
【００３４】図４は、図１および図２に示される基板３
１の作製方法を説明する工程図であり、図５はその工程
を示す断面図である。工程ｓ１では、ガラスなどから成
る絶縁性の基板３１上にスパッタリング法によって３０
００Åの厚さのタンタル金属層を形成し、この金属層を
ホトリソグラフィ法およびエッチングによってパターニ
ングを行い、ゲートバス配線３２およびゲート電極３３
を形成する。工程ｓ２では、プラズマＣＶＤ法によって
４０００Åの厚さの窒化シリコンから成るゲート絶縁膜
３４を形成する。
１の作製方法を説明する工程図であり、図５はその工程
を示す断面図である。工程ｓ１では、ガラスなどから成
る絶縁性の基板３１上にスパッタリング法によって３０
００Åの厚さのタンタル金属層を形成し、この金属層を
ホトリソグラフィ法およびエッチングによってパターニ
ングを行い、ゲートバス配線３２およびゲート電極３３
を形成する。工程ｓ２では、プラズマＣＶＤ法によって
４０００Åの厚さの窒化シリコンから成るゲート絶縁膜
３４を形成する。
【００３５】工程ｓ３では、半導体層３５となる厚さ１
０００Åのａ−Ｓｉ層と、コンタクト層４１となる厚さ
４００Åのｎ+ 型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成
する。形成されたｎ+ 型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層の
パターニングを行い、半導体３５およびコンタクト層４
１を形成する。工程ｓ４では、基板３１の全面に厚さ２
０００Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成
し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソ
ース電極３６、ドレイン電極３７およびソースバス配線
３９を形成し、ＴＦＴ４０が完成する。図４（ａ）は、
工程ｓ４までの工程終了後のＴＦＴ４０が形成された基
板３１の断面図である。以下、前述の図３に関連した反
射板の製造方法に従って、反射電極を形成する。
０００Åのａ−Ｓｉ層と、コンタクト層４１となる厚さ
４００Åのｎ+ 型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成
する。形成されたｎ+ 型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層の
パターニングを行い、半導体３５およびコンタクト層４
１を形成する。工程ｓ４では、基板３１の全面に厚さ２
０００Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成
し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソ
ース電極３６、ドレイン電極３７およびソースバス配線
３９を形成し、ＴＦＴ４０が完成する。図４（ａ）は、
工程ｓ４までの工程終了後のＴＦＴ４０が形成された基
板３１の断面図である。以下、前述の図３に関連した反
射板の製造方法に従って、反射電極を形成する。
【００３６】工程ｓ５では、ＴＦＴ４０を形成した基板
３１上全面にポリイミド樹脂を２μｍの厚さに形成し、
有機絶縁膜４２を形成する。工程ｓ６では、ホトリソグ
ラフィ法およびドライエッチング法を用いて有機絶縁膜
４２にコンタクトホール４３を形成する。工程ｓ７で
は、有機絶縁膜４２上にホトレジスト５０を塗布し、マ
スクを用いて反射電極３８形成領域に凸部５０ａをパタ
ーニングする。さらに凸部５０ａの角を取るために１２
０℃〜２５０℃の範囲で熱処理を行い、所望の平均傾斜
角度（４゜〜１５゜）の滑らかな凹凸面を形成する。本
実施例では、２００℃、３０分の熱処理を行った。図４
（ｂ）に、工程ｓ７までの工程終了後の基板３１の断面
図を示す。
３１上全面にポリイミド樹脂を２μｍの厚さに形成し、
有機絶縁膜４２を形成する。工程ｓ６では、ホトリソグ
ラフィ法およびドライエッチング法を用いて有機絶縁膜
４２にコンタクトホール４３を形成する。工程ｓ７で
は、有機絶縁膜４２上にホトレジスト５０を塗布し、マ
スクを用いて反射電極３８形成領域に凸部５０ａをパタ
ーニングする。さらに凸部５０ａの角を取るために１２
０℃〜２５０℃の範囲で熱処理を行い、所望の平均傾斜
角度（４゜〜１５゜）の滑らかな凹凸面を形成する。本
実施例では、２００℃、３０分の熱処理を行った。図４
（ｂ）に、工程ｓ７までの工程終了後の基板３１の断面
図を示す。
【００３７】工程ｓ８では図４（ｃ）に示されるよう
に、ホトレジスト５０に応じて有機絶縁膜４２をエッチ
ングして所望の平均傾斜角度（４°〜１５°）を有する
凸部４２ａを形成する。このとき、熱処理を行い凸部５
０ａの角を取って、予め定める平均傾斜角度に形成して
あるため、凸部４２ａもまた角が取れ、かつ前記予め定
める平均傾斜角度に形成される。また、コンタクトホー
ル４３およびＴＦＴ４０上の有機絶縁膜４２は、ホトレ
ジスト５０によって保護されており、エッチングは行わ
れない。
に、ホトレジスト５０に応じて有機絶縁膜４２をエッチ
ングして所望の平均傾斜角度（４°〜１５°）を有する
凸部４２ａを形成する。このとき、熱処理を行い凸部５
０ａの角を取って、予め定める平均傾斜角度に形成して
あるため、凸部４２ａもまた角が取れ、かつ前記予め定
める平均傾斜角度に形成される。また、コンタクトホー
ル４３およびＴＦＴ４０上の有機絶縁膜４２は、ホトレ
ジスト５０によって保護されており、エッチングは行わ
れない。
【００３８】工程ｓ９では、有機絶縁膜４２上全面にア
ルミニウム層を形成した後にパターニングを施して、図
４（ｄ）に示されるように凸部４２ａ上に反射電極３８
を形成する。反射電極３８は、有機絶縁膜４２に形成さ
れたコンタクトホール４３を介してＴＦＴ４０のドレイ
ン電極３７と接続されている。
ルミニウム層を形成した後にパターニングを施して、図
４（ｄ）に示されるように凸部４２ａ上に反射電極３８
を形成する。反射電極３８は、有機絶縁膜４２に形成さ
れたコンタクトホール４３を介してＴＦＴ４０のドレイ
ン電極３７と接続されている。
【００３９】有機絶縁膜４２上の凸部４２ａの形状は、
マスクの形状、ホトレジスト５０の厚さ、ドライエッチ
ングの時間によって制御することができることが確認さ
れている。また上述の製造工程において、有機絶縁膜４
２のドライエッチング時間を長くして、凸部４２ａの平
均傾斜角度を４°〜１５°とした基板３１を得ることが
できる。
マスクの形状、ホトレジスト５０の厚さ、ドライエッチ
ングの時間によって制御することができることが確認さ
れている。また上述の製造工程において、有機絶縁膜４
２のドライエッチング時間を長くして、凸部４２ａの平
均傾斜角度を４°〜１５°とした基板３１を得ることが
できる。
【００４０】図６は、平均傾斜角度を説明するための図
である。凸部４２ａの傾斜角度θAVは、凸部４２ａに関
して、頂点Ａと頂点Ａに最も近い傾斜のない点Ｂとを結
んだ直線Ｃと、他の複数の凸部における点Ｂを含んだ平
面Ｄとによって成る角度である。本実施例では、この傾
斜角度θAVを予め定める範囲の値にして指向性を有する
散乱光を得ようとするものである。
である。凸部４２ａの傾斜角度θAVは、凸部４２ａに関
して、頂点Ａと頂点Ａに最も近い傾斜のない点Ｂとを結
んだ直線Ｃと、他の複数の凸部における点Ｂを含んだ平
面Ｄとによって成る角度である。本実施例では、この傾
斜角度θAVを予め定める範囲の値にして指向性を有する
散乱光を得ようとするものである。
【００４１】図７は、反射膜１３を有する基板１９，２
０，２１の反射特性の測定法を示す断面図である。有機
絶縁膜１２上に形成された反射膜１３を有する基板１
９，２０，２１上に紫外線硬化接着樹脂１４を介してガ
ラス基板１５を密着し、測定用装置１０を形成する。前
述の反射型液晶表示装置３０において、基板４５と液晶
４９との屈折率のいずれも約１．５であるので、紫外線
硬化接着樹脂１４および基板１５の屈折率は約１．５の
ものを用いている。基板１５の上方に、光の強度を測定
するフォトマルチメータ１８が配置されている。フォト
マルチメータ１８は、基板１５表面に対して入射角θで
入射する入射光１６のうち、反射膜１３によって基板１
５の法線方向に反射する散乱光１７を検出するように、
基板１５の法線方向に固定されている。
０，２１の反射特性の測定法を示す断面図である。有機
絶縁膜１２上に形成された反射膜１３を有する基板１
９，２０，２１上に紫外線硬化接着樹脂１４を介してガ
ラス基板１５を密着し、測定用装置１０を形成する。前
述の反射型液晶表示装置３０において、基板４５と液晶
４９との屈折率のいずれも約１．５であるので、紫外線
硬化接着樹脂１４および基板１５の屈折率は約１．５の
ものを用いている。基板１５の上方に、光の強度を測定
するフォトマルチメータ１８が配置されている。フォト
マルチメータ１８は、基板１５表面に対して入射角θで
入射する入射光１６のうち、反射膜１３によって基板１
５の法線方向に反射する散乱光１７を検出するように、
基板１５の法線方向に固定されている。
【００４２】測定用装置１０に入射される入射光１６の
入射角θを変化させて反射膜１３による散乱光１７を測
定することによって、反射膜１３の反射特性が得られ
る。この測定結果は、反射型液晶表示装置３０内の反射
電極３８と液晶４９層などとの境界における反射特性と
同様の結果が得られることが確認されている。
入射角θを変化させて反射膜１３による散乱光１７を測
定することによって、反射膜１３の反射特性が得られ
る。この測定結果は、反射型液晶表示装置３０内の反射
電極３８と液晶４９層などとの境界における反射特性と
同様の結果が得られることが確認されている。
【００４３】図８、図９および図１０は、前述の反射膜
１３を有する基板１９，２０，２１の反射特性をそれぞ
れ示すグラフであり、凹凸面の平均傾斜角度θAVをそれ
ぞれ８°，３°，１８°とした測定結果である。基板１
９の反射特性は図８の曲線１で示され、基板２０の反射
特性は図９の曲線２で示され、基板２１の反射特性は図
１０の曲線３で示される。
１３を有する基板１９，２０，２１の反射特性をそれぞ
れ示すグラフであり、凹凸面の平均傾斜角度θAVをそれ
ぞれ８°，３°，１８°とした測定結果である。基板１
９の反射特性は図８の曲線１で示され、基板２０の反射
特性は図９の曲線２で示され、基板２１の反射特性は図
１０の曲線３で示される。
【００４４】図８〜図１０において、入射角θにて入射
する光の反射強度は、θ＝０°の直線に対する角度θの
方向に原点０からの距離として表されている。また、図
８〜図１０において、破線で示す曲線４は標準白色板
（酸化マグネシウム）について測定した反射特性を示し
たものである。
する光の反射強度は、θ＝０°の直線に対する角度θの
方向に原点０からの距離として表されている。また、図
８〜図１０において、破線で示す曲線４は標準白色板
（酸化マグネシウム）について測定した反射特性を示し
たものである。
【００４５】図８の曲線１によると、視野角として評価
している±３０°での反射率は、標準白色板の反射率の
１２０％が得られた。また、±４０°以上での反射率は
数％〜数十％に抑えられ、指向性をもった良好な反射特
性となっている。
している±３０°での反射率は、標準白色板の反射率の
１２０％が得られた。また、±４０°以上での反射率は
数％〜数十％に抑えられ、指向性をもった良好な反射特
性となっている。
【００４６】次に図９の曲線２では、指向性が強すぎて
鏡面反射のようになっている。このような凹凸形状であ
ると、散乱による白色光が得られず、本実施例で用いた
反射膜１３のアルミニウムの金属色が出てしまい、明る
く鮮明な白色表示が実現できない。さらに図１０の曲線
３では、散乱の度合が大きすぎて反射膜１３で大きく散
乱された反射光は、液晶層およびガラス基板を通過して
視野角以外の方向に多くの光が出射し、視野角内に反射
光が集まらない状態となる。このため、明るい表示が行
えず、鮮明な白表示も行えない。
鏡面反射のようになっている。このような凹凸形状であ
ると、散乱による白色光が得られず、本実施例で用いた
反射膜１３のアルミニウムの金属色が出てしまい、明る
く鮮明な白色表示が実現できない。さらに図１０の曲線
３では、散乱の度合が大きすぎて反射膜１３で大きく散
乱された反射光は、液晶層およびガラス基板を通過して
視野角以外の方向に多くの光が出射し、視野角内に反射
光が集まらない状態となる。このため、明るい表示が行
えず、鮮明な白表示も行えない。
【００４７】図１１は、凹凸面の平均傾斜角度θAVと±
３０°での反射板の反射光強度との関係を示すグラフで
ある。斜線を付した範囲の平均傾斜角度θAV（＝４°〜
１５°）である場合の反射率は、標準白色板に対して８
０％以上となり、非常に明るいことが確認された。感光
性樹脂の種類や膜厚および熱処理温度を適当に選択する
ことによって、凹凸面の平均傾斜角度θAVを４°〜１５
°の最適な角度にすることが可能である。
３０°での反射板の反射光強度との関係を示すグラフで
ある。斜線を付した範囲の平均傾斜角度θAV（＝４°〜
１５°）である場合の反射率は、標準白色板に対して８
０％以上となり、非常に明るいことが確認された。感光
性樹脂の種類や膜厚および熱処理温度を適当に選択する
ことによって、凹凸面の平均傾斜角度θAVを４°〜１５
°の最適な角度にすることが可能である。
【００４８】本実施例の反射型液晶表示装置では、反射
型アクティブマトリクス基板３１の反射電極３８を形成
した面が、液晶層側に配設されているので視差がなくな
り、良好な表示画面が得られる。また、本実施例では反
射型アクティブマトリクス基板３１の反射電極３８が液
晶層側、すなわち液晶層にほぼ隣接する位置に配設され
ている構成となるので、凸部４２ａの高さは液晶層厚よ
りも小さく選ばれ、本発明で示した４°〜１５°の平均
傾斜角度は液晶分子の配向を乱さない程度に緩やかな角
度である。
型アクティブマトリクス基板３１の反射電極３８を形成
した面が、液晶層側に配設されているので視差がなくな
り、良好な表示画面が得られる。また、本実施例では反
射型アクティブマトリクス基板３１の反射電極３８が液
晶層側、すなわち液晶層にほぼ隣接する位置に配設され
ている構成となるので、凸部４２ａの高さは液晶層厚よ
りも小さく選ばれ、本発明で示した４°〜１５°の平均
傾斜角度は液晶分子の配向を乱さない程度に緩やかな角
度である。
【００４９】さらに、本実施例では有機絶縁膜４２のパ
ターニングをドライエッチング法によって行ったが、有
機絶縁膜４２がポリイミド樹脂の場合にはアルカリ溶液
によるウエットエッチング法によって行ってもよい。ま
た、有機絶縁膜４２としてポリイミド樹脂を用いたが、
アクリル樹脂などの他の有機材料を用いることもでき
る。さらに基板３１としては、本実施例ではガラス基板
を用いたがシリコン基板のような不透明基板でも同様な
効果が発揮され、この場合には回路を基板上に集積でき
るメリットがある。
ターニングをドライエッチング法によって行ったが、有
機絶縁膜４２がポリイミド樹脂の場合にはアルカリ溶液
によるウエットエッチング法によって行ってもよい。ま
た、有機絶縁膜４２としてポリイミド樹脂を用いたが、
アクリル樹脂などの他の有機材料を用いることもでき
る。さらに基板３１としては、本実施例ではガラス基板
を用いたがシリコン基板のような不透明基板でも同様な
効果が発揮され、この場合には回路を基板上に集積でき
るメリットがある。
【００５０】なお、前記実施例では表示モードとして相
転移型ゲスト・ホストモードを取り上げたが、これに限
定することなくたとえば、２層式ゲスト・ホストのよう
な他の光吸収モード、高分子分散型ＬＣＤのような光散
乱型表示モード、強誘電性ＬＣＤで使用される複屈折表
示モードなど、本発明にかかわる反射型アクティブマト
リクス基板およびそのパネル構成への適用が可能であ
る。スイッチング素子としてＴＦＴを用いた場合につい
て説明したが、たとえば、ＭＩＭ（Metal−Insulator−
Metal）素子、ダイオード、バリスタなどを用いたアク
ティブマトリクス基板にも適用することができる。
転移型ゲスト・ホストモードを取り上げたが、これに限
定することなくたとえば、２層式ゲスト・ホストのよう
な他の光吸収モード、高分子分散型ＬＣＤのような光散
乱型表示モード、強誘電性ＬＣＤで使用される複屈折表
示モードなど、本発明にかかわる反射型アクティブマト
リクス基板およびそのパネル構成への適用が可能であ
る。スイッチング素子としてＴＦＴを用いた場合につい
て説明したが、たとえば、ＭＩＭ（Metal−Insulator−
Metal）素子、ダイオード、バリスタなどを用いたアク
ティブマトリクス基板にも適用することができる。
【００５１】図１２は、本発明の他の実施例を説明する
工程図である。図１２（ａ）に示すガラスなどから成る
厚さ１．１ｍｍの基板７１（コーニング社、商品名７０
５９）表面に、図１２（ｂ）に示すように感光性樹脂
（東京応化、商品名ＯＦＰＲ−８００）を１５００ｒ．
ｐ．ｍで２０秒間スピンコートし、１．７μｍの膜７２
を形成する。図１２（ｃ）に示すように円形の透孔が規
則的または不規則に配列したマスク７３を用いて光７４
を選択的に照射し、不要部分を除去して図１２（ｄ）に
示すように凸部７２ａを形成する。
工程図である。図１２（ａ）に示すガラスなどから成る
厚さ１．１ｍｍの基板７１（コーニング社、商品名７０
５９）表面に、図１２（ｂ）に示すように感光性樹脂
（東京応化、商品名ＯＦＰＲ−８００）を１５００ｒ．
ｐ．ｍで２０秒間スピンコートし、１．７μｍの膜７２
を形成する。図１２（ｃ）に示すように円形の透孔が規
則的または不規則に配列したマスク７３を用いて光７４
を選択的に照射し、不要部分を除去して図１２（ｄ）に
示すように凸部７２ａを形成する。
【００５２】さらに凸部７２ａの角を取るために凸部７
２ａをホットプレートやオーブンなどで１２０℃〜２５
０℃の範囲で熱処理を行い、図１２（ｅ）に示すよう
に、所望の角度（４°〜１５°）を有する滑らかな凸部
７２ａを形成する。さらに図１２（ｆ）に示すように、
有機絶縁膜７５を形成した後、図１２（ｇ）に示すよう
にアルミニウムを真空蒸着して０．０１〜１．０μｍの
厚さの金属薄膜７６を形成する。金属薄膜７６は第１の
実施例と同様に、ニッケル、クロム、銀などを用いても
よい。以上の工程によって、反射板が形成される。この
反射板も凸部７２ａの平均傾斜角度θAVを４°〜１５°
に調整することによって第１の実施例と同様の効果を得
ることができる。
２ａをホットプレートやオーブンなどで１２０℃〜２５
０℃の範囲で熱処理を行い、図１２（ｅ）に示すよう
に、所望の角度（４°〜１５°）を有する滑らかな凸部
７２ａを形成する。さらに図１２（ｆ）に示すように、
有機絶縁膜７５を形成した後、図１２（ｇ）に示すよう
にアルミニウムを真空蒸着して０．０１〜１．０μｍの
厚さの金属薄膜７６を形成する。金属薄膜７６は第１の
実施例と同様に、ニッケル、クロム、銀などを用いても
よい。以上の工程によって、反射板が形成される。この
反射板も凸部７２ａの平均傾斜角度θAVを４°〜１５°
に調整することによって第１の実施例と同様の効果を得
ることができる。
【００５３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、反射型液
晶表示装置を構成する一対の透光性基板の一方基板の液
晶層側表面には凹凸面を有する反射膜がその平均傾斜角
度が４°〜１５°に選ばれるように形成される。したが
って、表示面の法線方向への指向性をもった散乱光が得
られ、非常に明るい白表示が可能となり、また、カラー
フィルタを配置することによって鮮明なカラー表示も可
能となる。
晶表示装置を構成する一対の透光性基板の一方基板の液
晶層側表面には凹凸面を有する反射膜がその平均傾斜角
度が４°〜１５°に選ばれるように形成される。したが
って、表示面の法線方向への指向性をもった散乱光が得
られ、非常に明るい白表示が可能となり、また、カラー
フィルタを配置することによって鮮明なカラー表示も可
能となる。
【図１】本発明の一実施例の反射型液晶表示装置３０の
断面図である。
断面図である。
【図２】図１に示される基板３１の平面図である。
【図３】反射板２９を形成する一般的な工程を示す断面
図である。
図である。
【図４】図１および図２に示される基板３１の作製方法
を説明する工程図である。
を説明する工程図である。
【図５】図１および図２に示される基板３１の作製方法
を示す工程の断面図である。
を示す工程の断面図である。
【図６】平均傾斜角度を説明するための図である。
【図７】反射板の反射特性の測定法を示す断面図であ
る。
る。
【図８】平均傾斜角度θAV＝８゜の反射膜１３を有する
基板１９の反射特性を示すグラフである。
基板１９の反射特性を示すグラフである。
【図９】平均傾斜角度θAV＝３゜の反射膜１３を有する
基板２０の反射特性を示すグラフである。
基板２０の反射特性を示すグラフである。
【図１０】平均傾斜角度θAV＝１８゜の反射膜１３を有
する基板２１の反射特性を示すグラフである。
する基板２１の反射特性を示すグラフである。
【図１１】平均傾斜角度θAVと±３０°での反射光強度
との関係を示したグラフである。
との関係を示したグラフである。
【図１２】本発明の他の実施例を説明する断面図であ
る。
る。
１１，１５，１９，２０，２１，３１，４５，５２，７
１ 基板 １２，２６，２６ａ，４２，４２ａ，７２，７２ａ 有
機絶縁膜 １３，３８，７８ 反射電極 ２７，７６ 金属薄膜 ２９ 反射板 ３０ 反射型液晶表示装置 ４９ 液晶層 θAV 平均傾斜角度 θ 法線方向に対する角度
１ 基板 １２，２６，２６ａ，４２，４２ａ，７２，７２ａ 有
機絶縁膜 １３，３８，７８ 反射電極 ２７，７６ 金属薄膜 ２９ 反射板 ３０ 反射型液晶表示装置 ４９ 液晶層 θAV 平均傾斜角度 θ 法線方向に対する角度
Claims (7)
- 【請求項１】 液晶層を介在して対向配置される一対の
透光性基板のうち、一方基板の液晶層側表面には、複数
の絵素電極と、他方基板側からの入射光を反射する反射
膜と、配向膜とが形成され、他方基板の液晶層側表面に
は、ほぼ全面にわたって透光性を有する共通電極と、配
向膜とが形成される反射型液晶表示装置において、 前記反射膜の反射面は、滑らかな凹凸面であり、かつ予
め定める平均傾斜角度を満たすことを特徴とする反射型
液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記平均傾斜角度が、４°〜１５°に選
ばれることを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示
装置。 - 【請求項３】 前記反射膜が、絵素電極として機能する
ことを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項４】 一対の透光性基板のうち、一方基板の表
面に有機絶縁膜およびその上に積層されるホトレジスト
層を形成し、パターニングを施してホトレジスト層を予
め定める平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形成
し、エッチング処理を施して有機絶縁膜を前記予め定め
る平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形成し、該凹
凸面上に反射膜を形成し、さらに反射膜の表面に複数の
絵素電極と配向膜とを形成し、 前記一対の透光性基板のうち、他方基板の表面にほぼ全
面にわたって透光性を有する共通電極と配向膜とを形成
し、 前記一対の透光性基板を電極形成面が対向するように貼
付け、 透光性基板間に液晶を注入することを特徴とする反射型
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 一対の透光性基板のうち、一方基板の表
面に感光性樹脂を塗布し、パターニングを施して予め定
める平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形成し、該
凹凸面上に反射膜を形成し、さらに反射膜の表面に複数
の絵素電極と配向膜とを形成し、 前記一対の透光性基板のうち、他方基板の表面にほぼ全
面にわたって透光性を有する共通電極と配向膜とを形成
し、 前記一対の透光性基板を電極形成面が対向するように貼
付け、 透光性基板間に液晶を注入することを特徴とする反射型
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記平均傾斜角度は、４°〜１５°に選
ばれることを特徴とする請求項４または５記載の反射型
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記複数の絵素電極は、反射膜としての
機能を有し、凹凸面上に直接形成されることを特徴とす
る請求項４または５記載の反射型液晶表示装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4331810A JPH06175126A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4331810A JPH06175126A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06175126A true JPH06175126A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18247904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4331810A Pending JPH06175126A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06175126A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6313895B1 (en) | 1996-10-23 | 2001-11-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflecting plate, reflection type liquid crystal display device and processes for manufacturing same |
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| US7480019B2 (en) | 2001-01-25 | 2009-01-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a substrate for an lcd device |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP4331810A patent/JPH06175126A/ja active Pending
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