JP3033009B2

JP3033009B2 - 処理装置

Info

Publication number: JP3033009B2
Application number: JP6240807A
Authority: JP
Inventors: 統廣瀬
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1994-09-09
Filing date: 1994-09-09
Publication date: 2000-04-17
Anticipated expiration: 2015-04-17
Also published as: JPH0883760A; US5762745A; TW294822B; KR960012285A; KR100315137B1

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は被処理体の処理装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、フォトリソグラフィー技術を用いて例えば半導体
ウエハ（以下にウエハという）やＬＣＤ基板等の被処理
体の表面に回路パターンを縮小してフォシトレジストに
転写し、これを現像処理するなどの一連の処理が行われ
ている。

【０００３】このような処理を行う場合には、フォトリ
ソグラフィー技術を実行する各工程、例えば疎水化処理
（アドヒージョン）工程、レジスト塗布工程、現像工
程、加熱処理工程、冷却処理工程等を実施する複数の処
理装置を集合させて、作業効率の向上を図っている。

【０００４】この場合、被処理体を所定温度に冷却する
冷却処理ユニットやレジスト液塗布の後で被処理体を加
熱してプリベークを行うプリベーク用の加熱処理ユニッ
ト又はポストベークを行うポストベーク用の加熱処理ユ
ニットあるいは被処理体の表面を疎水化処理するアドヒ
ージョン処理ユニット等の複数の処理ユニットは多段に
並列された状態で集合化されて、装置の小型化及び処理
効率の向上が図れるように構成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、回路パターン等の高集積
化、微細化、処理プロセスの多様化等に伴い上記処理ユ
ニットの種類及び個数等を適宜変更して使用する場合が
あり、そのために各処理ユニットを組み替えて多段に上
下方向に積層する必要がある。この場合、各処理ユニッ
ト操作に必要な電気系、給・排気系、制御系等の操作系
の配線や配管等を併せて変更しなければならないため、
組立作業に多大な労力及び時間を要するという問題があ
った。

【０００６】また、この種の処理装置においては、定期
的にあるいは内部に故障が発生したときにはそれぞれ補
修するためにメンテナンス作業が行われるが、処理ユニ
ットが積層されてブロック化されているために、その内
の１つの処理ユニットが収容されるブロック体全体を分
解して対応する処理ユニットを修理しなければならず、
メンテナンス作業が非常に煩雑となるという問題もあっ
た。更には、ウエハが大型化してきていることから装置
自体も大型化、重量化してきており、メンテナンス時に
全処理ユニットを同時に持ち上げることは非常に困難と
なり、一層メンテナンス作業の煩雑化を招くという問題
もあった。

【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、複数の処理ユニットを使用目的に応じて任意に組み
替え可能とし、かつメンテナンス作業を効率的に行うこ
とができる処理装置を提供することを目的とするもので
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、少なくとも被処理体を加熱
処理する加熱処理ユニットと、冷却処理する冷却処理ユ
ニットを含む複数の処理ユニットと、上記各処理ユニッ
トを着脱可能に収納する複数の収納室を有する収納体と
からなり、上記処理ユニットに、この処理ユニットの操
作に必要な電気系、給・排気系、制御系等の操作系の接
続部を設け、上記収納室には、上記処理ユニットの操作
系の接続部とそれぞれ接続し得る操作源の接続部を設け
たことを特徴とするものである（請求項１）。この場
合、収納室を、上下及び左右方向に並設した多段棚状に
構成する方が好ましい（請求項２）。

【０００９】この発明において、上記処理ユニットは収
納体の収納室に着脱可能に収納されるものであればその
構造は任意でよいが、好ましくは、共通のベースブロッ
クを具備する方がよい（請求項３）。この場合、処理ユ
ニットは、被処理体が載置される載置台と、この載置台
が上方に配設され、かつ処理ユニットを着脱する際、摺
動可能に案内されるベースブロックとを具備する方が好
ましい（請求項４）。

【００１０】また、上記加熱処理ユニットは、側面に被
処理体の挿入出用の開口部を有する処理容器と、上記開
口部を開閉するシャッターと、上記処理容器内において
上記被処理体を載置すると共に加熱する載置台とを具備
し、上記処理容器の側壁における上記載置台より上方部
位に、複数の給気孔を設け、上記処理容器の上部に、排
気孔を設ける方が好ましい（請求項５）。この場合、上
記シャッターに給気孔を設ける方が好ましい（請求項
６）。

【００１１】また、操作系の接続部と操作源の接続部と
は、互いに接続可能であればその構成は任意でよいが、
好ましくは、操作系の接続部をベースブロックの挿入側
端部に取り付け、操作源の接続部を収納体の背面側端部
に配設し、上記処理ユニットを収納体に挿着する際に、
上記操作系の接続部と操作源の接続部とを接続し得るよ
うに形成する方がよい（請求項７）。

【００１２】

【作用】この発明の処理装置によれば、処理ユニット
に、この処理ユニットの操作に必要な電気系、給・排気
系、制御系等の操作系の接続部を設け、収納室には、処
理ユニットの操作系の接続部とそれぞれ接続し得る操作
源の接続部を設けることにより、収納体の収納室内に任
意の処理ユニットを収納することができると共に、収納
と同時に処理ユニットの操作系を容易に接続することが
できる。したがって、使用目的に応じた各処理ユニット
の組み替えを容易に行うことができる。また、補修する
処理ユニットが大型のものであっても収納室から容易に
引き出すことができるので、メンテナンス作業を効率良
く行うことができる。

【００１３】

【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。ここでは、この発明の処理装置を被処理体
として半導体ウエハの塗布・現像処理システムに組み込
まれて使用される加熱装置に適用した場合について説明
する。

【００１４】半導体ウエハの処理システムは、図１に示
すように、中継ステーション３を介して接続される第１
の処理部１と第２の処理部２とで主要部が構成されてい
る。

【００１５】第１の処理部１には、長手方向に沿ってウ
エハ搬送路４が設けられ、このウエハ搬送路４にウエハ
Ｗの受け渡しを行うメインアーム５を備えたウエハ搬送
機構６がウエハ搬送路４に沿って移動自在に設けられて
いる。そして、ウエハ搬送路４の一側にはウエハＷを搬
入及び搬出するローダ部７から搬入されたウエハＷをブ
ラシ洗浄するブラシ洗浄装置８とウエハＷを高圧ジェッ
ト水で洗浄するジェット水洗浄装置９が配置され、他側
にはエウハＷ表面にレジストを塗布するレジスト塗布装
置１０とウエハＷ周辺部のレジストを除去するレジスト
除去装置１１が配置されている。

【００１６】一方、第２の処理部２には、第１の処理部
１と同様に長手方向に沿ってウエハ搬送路４が設けら
れ、このウエハ搬送路４にウエハＷの受け渡しを行うメ
インアーム５を備えたウエハ搬送機構６がウエハ搬送路
４に沿って移動自在に設けられている。そして、ウエハ
搬送路４の一側にはこの発明に係る処理装置２０として
ウエハＷの表面を疎水化処理するアドヒージョン処理ユ
ニット２３、ウエハＷを所定温度に冷却する冷却処理ユ
ニット２２、レジスト塗布の後でウエハＷを加熱してプ
リベーク並びにポストベークを行う加熱処理ユニット２
１を収納枠３０の収納室３１内に収納した処理ユニット
群が配置され、他側には図示しない露光装置により露光
されたウエハＷを現像処理する２つの現像処理装置１２
が並設されている。

【００１７】上記のように構成される処理システムにお
いて、例えば、ローダ部７の図示省略のウエハカセット
内に収納されている処理前のウエハＷを１枚取り出して
搬送し、順に、洗浄処理、アドヒージョン処理、冷却処
理し、レジスト塗布装置１０によってレジストを塗布す
ると共に、ウエハＷの周辺部のレジスト膜を除去した
後、レジスト中に残留する溶剤を加熱蒸発させるプリベ
ーク処理、露光装置による露光後に、現像処理した後、
現像後のフォトレジストに残留する現像液を加熱蒸発さ
せるポストベーク処理を行い、処理後のウエハＷをロー
ダ部７の図示省略のウエハカセット内に搬送して収納す
ることができる。

【００１８】この発明に係る処理装置２０は、ウエハＷ
を加熱処理する加熱処理ユニット２１と、冷却処理する
冷却処理ユニット２２及び疎水化処理するアドヒージョ
ン処理ユニット２３等の複数の処理ユニット群と、各処
理ユニット２１〜２３を引出し式に着脱可能に収納する
複数の収納室３１を有する収納体としての箱状に形成さ
れた収納枠３０とで主要部が構成されている。

【００１９】この場合、各処理ユニット２１〜２３は、
後述するように共通のベースブロック２４と、このベー
スブロック２４上に配設されるウエハＷの載置台２５〜
２７と、載置台２５〜２７上にウエハＷを受け渡す支持
ピン（図示せず）の昇降機構の駆動電源の電気系や給・
排気系、制御系等の操作系の接続部２８とを具備してお
り、収納枠３０の各収納室３１には各処理ユニット２１
〜２３の操作系の接続部２８とそれぞれ接続し得る操作
源の接続部３２が設けられている（図２及び図３参
照）。

【００２０】また、図２及び図３に示すように、各処理
ユニット２１〜２３のベースブロック２４の左右両側に
は、ガイド部材２９が突設されており、このガイド部材
２９が各収納室３１の両側壁に設けられたガイド溝３３
内に摺動可能に嵌合すると共に、ガイド溝３３の底部に
配設されたガイドローラ３４によって支持されて円滑な
摺動すなわち引き出し移動が可能に処理ユニットの移動
機構が構成されている。処理ユニットの移動機構は必ず
しもこのような構造である必要はなく、例えばベースブ
ロック２４の両側方に設けられた車輪を、収納室３１の
両側壁に沿設されたレール上を転動させるなど任意の構
造とすることができる。

【００２１】上記収納枠３０は、各処理ユニット２１〜
２３のベースブロック２４を引き出し式に着脱可能に収
納する矩形状（直方体状）の収納室３１を上下及び左右
方向に積層及び並設した多段棚状に構成されており、各
収納室３１の背面側端部に操作源の接続部３２が設けら
れている。この操作源の接続部３２は、図４に示すよう
に、３種類の全ての処理ユニット２１〜２３（図４では
加熱処理ユニット２１の場合を示す）の挿入側端部に取
り付けられた操作系の接続部２８と接続し得るようにな
っている。具体的には、各処理ユニット２１〜２３の支
持ピン駆動電源接続部３２ａ，加熱処理ユニット２１の
シャッター駆動電源接続部３２ｂ，加熱処理ユニット２
１のヒーター電源接続部３２ｃ，アドヒージョン処理ユ
ニット２３のカバー昇降駆動電源接続部３２ｄ等の電源
接続部と、各処理ユニット２１〜２３の温度制御接続部
３２ｅ，各処理ユニット２１〜２３の位置制御接続部３
２ｆ等の制御接続部と、各処理ユニット２１〜２３の給
・排気接続部３２ｇと、各処理ユニット２１〜２３の真
空（ＶＡＣ）接続部３２ｈと、冷却処理ユニット２２の
冷却水接続部３２ｉと、アドヒージョン処理ユニット２
３の処理液接続部３２ｊ及び加熱処理ユニット２１とア
ドヒージョン処理ユニット２３の不活性ガス（Ｎ2ガ
ス）接続部３２ｋのいずれかに各処理ユニット２１〜２
３の操作系の接続部２８等がそれぞれ接続可能に構成さ
れている。なお、各電源接続部３２ａ〜３２ｄには電源
３５が接続されている。また、温度制御接続部３２ｅ及
び位置制御接続部３２ｆにはコントローラ３６が接続さ
れて、温度センサー３７あるいは位置決めセンサー（図
示せず）等にて検出した検出信号をコントローラ３６に
送り、コントローラ３６にて比較演算された制御信号を
ヒーター３８等の温度部や昇降機構等の駆動部に伝達す
るように構成されている。

【００２２】上記処理ユニット２１〜２３のうち、加熱
処理ユニット２１は、図４ないし図８に示すように、両
側辺に側壁２４ａを有する断面略Ｕ字状（コの字状）の
ベースブロック２４の底部２４ｂ上に、側面（正面）に
ウエハＷの挿入出用の開口部４１を有する処理容器４０
と、開口部４１を開閉するシャッター４２と、処理容器
４０内において、内部に発熱体例えばヒーター３８を埋
設する載置台としての熱板２５とを具備し、処理容器４
０の側壁における熱板２５より上方部位に、複数の給気
孔４３が設けられ、処理容器４０の上部中央部には排気
孔４４が設けられている。このように給気孔４３を熱板
２５より上方位置に設け、排気孔４４を処理容器４０の
上方に設けた理由は、給気孔４３を熱板２５より下方に
設けると、給気孔４３から処理容器４０内に流入するダ
ウンフローの清浄空気に乱流が生じ、ウエハＷの周辺部
の温度が低下して均一な加熱処理が行えなくなるので、
これを防止するたに給気孔４３から処理容器４０内に流
入する空気を上方の排気孔４４から排気通路４５を介し
て外部に排気することにより、ウエハＷの周辺から上方
に向う空気の流れを均一にしてウエハＷの表面全体を均
一に加熱処理するためである。

【００２３】この場合、熱板２５には例えば３つの孔４
６が同心状に設けられており、各孔４６にはその下方よ
り３本の支持ピン４７が遊嵌状態に挿通されると共に、
この支持ピン４７は加熱処理ユニット２１の背面側に設
けられたボールネジにより構成される昇降機構４８にア
ーム４９を介して上下方向へ昇降可能に取り付けられて
いる。したがって、昇降機構４８の駆動部であるモータ
５０を駆動することにより、支持ピン４７を上昇させて
その先端を熱板２５の表面より突出させてこの支持ピン
４７の先端にてウエハＷを支持させるとウエハＷは熱板
２５から離れ、逆に支持ピン４７を下降させてその先端
を熱板２５の上面より下方に位置させるとウエハＷは熱
板２５の表面と接触するように構成されている。

【００２４】一方、シャッター４２は加熱処理ユニット
２１の背面側に設けられたボールネジにより構成される
シャッター昇降機構５１にアーム５２を介して上下方向
へ昇降すなわち開口部４１を開閉可能に取り付けられて
いる。したがって、シャッター昇降機構５１の駆動部で
あるモータ５３を駆動することにより、シャッター４２
を上下方向に移動させて開口部４１を開閉することがで
きる。このシャッター４２にも複数の給気孔４３が設け
られており、加熱処理時にダウンフローの清浄空気がこ
のシャッター４２に設けられた給気孔４３と処理容器４
０の側壁に設けられた給気孔４３から処理容器４０内に
流入して上方の排気孔４４から排気通路４５を介して外
部に排出されることにより、ウエハＷの周辺から上方に
向う空気の流れをより一層均一にしてウエハ温度が局部
的に低下することを防止することができ、ウエハＷの表
面全体を均一に加熱処理することができるように構成さ
れている。なお、処理容器４０の外部周辺に障害物等が
ある場合や処理容器４０内あるいは近接して操作系の駆
動部や配管類がある場合等においても給気孔４３の間隔
や孔径を変えることによって給気量を均一に調整するこ
とができる。

【００２５】また、加熱処理ユニット２１には、熱板２
５の温度を検出する温度センサー３７が設けられてお
り、この温度センサー３７によって加熱温度を所定の温
度例えば１００〜１５０℃に調整し得るようになってい
る。また、加熱処理ユニット２１の処理容器４０は図示
しない真空（ＶＡＣ）機構に接続可能となっており、処
理容器４０内の雰囲気を減圧状態にしてウエハＷを所定
時間加熱処理し得るように構成されている。なお、図４
に想像線で示すように、熱板２５の外周部に図示しない
窒素（Ｎ2）ガス供給源に接続する多数の噴射孔５４を
有するリング状の中空パイプ５５を配設して、必要時に
この中空パイプ５５に沿って設けられた多数の噴射孔５
４から上方へ噴射される不活性ガスであるＮ2ガスによ
ってウエハＷの酸化を防止することができる。

【００２６】上記のように構成される加熱処理ユニット
２１のベースブロック２４の背面側端部には、支持ピン
４７の昇降機構４８の駆動電源接続部２８ａ，シャッタ
ー４２の昇降機構５１の駆動電源接続部２８ｂ，ヒータ
電源接続部２８ｃ，熱板２５の近傍位置に配設された温
度センサー３７に接続する温度制御接続部２８ｅ，昇降
機構４８の上限及び下限位置を検出する位置決めセンサ
ー（図示せず）に接続する位置制御接続部２８ｆ，給・
排気接続部２８ｇ，処理容器４０内を所定の負圧状態に
するためのＶＡＣ接続部２８ｈ及びＮ2ガス接続部２８
ｋ等が設けられており、加熱処理ユニット２１を所定の
収納室３１内に収納した際にこれら接続部と収納室３１
側に設けられた操作源側接続部とがそれぞれ接続し得る
ように構成されている。

【００２７】上記冷却処理ユニット２２は、図９及び図
１０に示すように、上記加熱処理ユニット２１と同様に
構成されるベースブロック２４の底部２４ｂの上方に支
持部材５６を介して冷却水供給通路２６ａを有する載置
台２６を配置してなり、載置台２６には、上記加熱処理
ユニット２１の熱板２５と同様に例えば３つの孔４６が
同心状に設けられており、各孔４６にはその下方より３
本の支持ピン４７が遊嵌状態に挿通されると共に、この
支持ピン４７は冷却処理ユニット２２の背面側に設けら
れたボールネジにより構成される昇降機構４８にアーム
４９を介して上下方向へ昇降可能に取り付けられてい
る。

【００２８】上記のように構成される冷却処理ユニット
２２のベースブロック２４の背面側端部には、支持ピン
４７の昇降機構４８の駆動電源接続部２８ａと、載置台
２６の近傍位置に配設された温度センサー３７に接続す
る温度制御接続部２８ｅと、昇降機構４８の上限及び下
限位置を検出する位置決めセンサー（図示せず）に接続
する位置制御接続部２８ｆと、給・排気接続部２８ｇ
と、収納室３１内に収納された冷却処理ユニット２２の
処理空間を所定の負圧状態にするためのＶＡＣ接続部２
８ｈ及び冷却水供給用接続部２８ｉ等が設けられてい
る。したがって、冷却処理ユニット２２を所定の収納室
３１内に収納した状態において、これら接続部２８ａ，
２８ｅ〜２８ｉが収納室３１に設けられた操作源側接続
部３２ａ，３２ｅ〜３２ｉと接続して、冷却処理ユニッ
ト２２の載置台２６上にウエハＷを載置し、所定温度例
えば室温（約２３℃）及び所定雰囲気の圧力（約常圧）
の下でウエハＷの冷却処理を行うことができる。

【００２９】なお、冷却処理ユニット２２において、そ
の他の部分は上記加熱処理ユニット２１と同じであるの
で、同一部分には同一符号を付してその説明は省略す
る。

【００３０】一方、上記アドヒージョン処理ユニット２
３は、図１１ないし図１３に示すように、上記冷却処理
ユニット２２と同様に構成されるベースブロック２４の
底部２４ｂの上方に支持部材５７を介して載置台２７を
配置してなり、載置台２７には上記加熱処理ユニット２
１の熱板２５と同様に例えば３つの孔４６が同心状に設
けられており、各孔４６にはその下方より３本の支持ピ
ン４７が遊嵌状態に挿通されると共に、この支持ピン４
７はアドヒージョン処理ユニット２３の背面側に設けら
れたボールネジにより構成される昇降機構４８にアーム
４９を介して上下方向へ昇降可能に取り付けられてい
る。

【００３１】また、載置台２７の上方には、載置台２７
上に載置されるウエハＷの処理空間を外部から密閉状態
に区画して維持すべく下端に０リング５９を有するカバ
ー６０が上下移動可能に配設されている。このカバー６
０はアドヒージョン処理ユニット２３の背面側に設けら
れたエアーシリンダにより構成されるカバー昇降機構６
１にアーム６２を介して上下方向へ移動可能に構成され
ている。また、カバー６０の上部中央部には、処理空間
内に処理液例えばヘキサメチルザサン（ＨＭＤＳ）を供
給するための供給管６３及び処理空間内を減圧状態にす
るための排気管６４が接続されている。

【００３２】上記のように構成されるアドヒージョン処
理ユニット２３のベースブロック２４の背面側端部に
は、支持ピン４７の昇降機構４８の駆動電源接続部２８
ａと、カバー６０のカバー昇降機構６１の駆動電源接続
部２８ｄと、載置台２７の近傍位置に配設された温度セ
ンサー３７に接続する温度制御接続部２８ｅと、昇降機
構４８及びカバー昇降機構６１の上限及び下限位置を検
出する位置決めセンサー（図示せず）に接続する位置制
御接続部２８ｆと、給・排気接続部２８ｇと、カバー６
０によって密閉された処理空間を所定の負圧状態にする
ためのＶＡＣ接続部２８ｈと、処理空間内にＨＭＤＳを
供給するためのＨＭＤＳ接続部２８ｊ及びＮ2 ガス供給
用接続部２８ｋ等が設けられている。したがって、冷却
処理ユニット２２を所定の収納室３１内に収納した状態
において、これら接続部２８ａ，２８ｄ，２８ｅ，２８
ｆ，２８ｇ，２８ｈ，２８ｊ，２８ｋが収納室３１に設
けられた操作源側接続部３２ａ，３２ｅ，３２ｆ，３２
ｈ，３２ｊ，３２ｋと接続して、アドヒージョン処理ユ
ニット２３の載置台２７上にウエハＷを載置した後、カ
バー６０のカバー昇降機構６１の駆動部であるエアーシ
リンダを駆動してカバー６０を下降してウエハＷを密閉
処理空間内におき、そして、処理空間内を処理空間内を
真空引き（約−４５０ｍｍＨｇ）すると共に基板温度を
所定温度（例えば６０℃）に設定した後、処理空間内に
ＨＭＤＳを供給してアドヒージョン処理を行う。

【００３３】なお、アドヒージョン処理ユニット２３に
おいて、その他の部分は上記加熱処理ユニット２１及び
冷却処理ユニット２２と同じであるので、同一部分には
同一符号を付してその説明は省略する。

【００３４】上記のように構成される加熱処理ユニット
２１，冷却処理ユニット２２及びアドヒージョン処理ユ
ニット２３を収納枠３０の任意の収納室３１内に収納す
ることにより、表１に示すような組み合わせで各処理ユ
ニット２１〜２３の操作系の接続部群２８ａ〜２８ｋと
収納室３１内に設けられた対応する操作源の接続部３２
ａ〜３２ｋとが接続される。これら処理ユニット２１〜
２３の個数は使用目的に応じて任意に決定することがで
き、例えば加熱処理ユニット２１を４〜６個、冷却処理
ユニット２２を１〜２個、そしてアドヒージョン処理ユ
ニット２３を１〜２個の範囲で収納枠３０の任意の収納
室３１内に組み込むことができる。

【００３５】

【表１】

【００３６】したがって、各処理ユニット２１〜２３は
収納枠３０のいずれの収納室３１内に任意に収納するこ
とができると共に、収納室３１内への収納と同時に操作
系の接続部２８ａ〜２８ｋを対応する操作源側の接続部
３２ａ〜３２ｋに接続することができる。また、処理ユ
ニット２１〜２３の１つに故障が生じた場合や修理する
場合には、その処理ユニットが、１０，１２インチサイ
ズの大型半導体ウエハや、大型のＬＣＤ基板に対応した
大型のものであっても容易に収納室３１から引き出して
修理することができる。

【００３７】なお、上記操作系接続部２８と操作源接続
部３２との接続及び切離し動作は、処理ユニット２１，
２２，２３の着脱により、プラグイン式に自動的に行え
ることが望ましいが、自動的に行うことが困難なものに
ついては、手動にて行うように構成してもよい。

【００３８】例えば、各電源接続部３２ａ〜３２ｄ、各
制御接続部３２ｅ，３２ｆのような電気系の接続部はプ
ラグ，ジャックの組合せによるプラグイン式に、また、
給・排気，真空，冷却水，処理液，不活性ガス等の接続
部３２ｇ〜３２ｋのように配管系で自動化が困難なもの
は、カップラー等の配管接続部材の雄部・雌部を各接続
部に対応させて設け、手動にて接続及び切離し可能に構
成してもよい。更に、上記配管接続部材は、各接続部が
容易に判別可能なように、型式を変えたり、色分けをし
たり、文字や記号による表示をしておいてもよい。

【００３９】次に、上記のように構成された実施例の動
作について説明する。まず、上記加熱処理ユニット２
１，冷却処理ユニット２２及びアドヒージョン処理ユニ
ット２３を適宜組合わせて収納枠３０の収納室３１内に
収納して第２の処理部２のメインアーム５側に臨ませて
配置する。

【００４０】次に、ローダ部７からこの処理ユニット２
１〜２３へ搬送された処理前のウエハＷはメインアーム
５によりその処理順序に従って、例えばブラシ洗浄装置
８，ジェット水洗浄装置９，アドヒージョン処理ユニッ
ト２３，冷却処理ユニット２２，レジスト塗布装置１０
及び加熱処理ユニット２１などのように順次搬送され
て、処理が行われて行く。

【００４１】このような処理の過程において、アドヒー
ジョン処理ユニット２３に搬送されたウエハＷは、メイ
ンアーム５から上昇する支持ピン４７に受け渡された
後、モーター５０の駆動によって支持ピン４７が下降し
て載置台２７上に載置され、その後カバー昇降機構６１
のエアーシリンダの駆動によってカバー６０が下降して
載置台２７上のウエハＷを密閉空間内におき、この処理
空間内を真空引きした後、処理空間内を例えば８０〜１
００℃の温度とし、処理液であるＨＭＤＳを供給してウ
エハＷ表面をアドヒージョン処理する。アドヒージョン
処理が終了した後、カバー６０が上昇し、支持ピン４７
が上昇してウエハＷを載置台２７の上方へ移動してメイ
ンアーム５に受け渡してアドヒージョン処理ユニット２
３から次の処理工程すなわち冷却処理工程を行う冷却処
理ユニット２２に搬送する。

【００４２】冷却処理ユニット２２に搬送されたウエハ
Ｗは、上述と同様に載置台２６上に上昇する支持ピン４
７に受け渡された後、支持ピン４７が下降して載置台２
６上に載置される。この状態において載置台２６の冷却
水通路２６ａ内に冷却水が供給されてウエハＷは所定の
温度例えば２３℃に冷却された後、上述と同様に上昇す
る支持ピン４７からメインアーム５に受け渡されて冷却
処理ユニット２２から次の処理工程例えばレジスト塗布
処理工程を行うレジスト塗布装置１０に搬送される。

【００４３】レジスト塗布装置１０，レジスト除去装置
１１で各々の処理を終え、加熱処理ユニット２１に搬送
されたウエハＷは、メインアーム５にて保持された状態
で処理容器４０の開口部４１から処理容器４０内に搬入
され、上述と同様に上昇する支持ピン４７に受け渡され
た後、支持ピン４７が下降して載置台としての熱板２５
上に載置される。この間メインアーム５は処理容器４０
の外に後退し、シャッター昇降機構５１のモーター５３
の駆動によりシャッター４２が下降して開口部４１を閉
鎖する。この状態においてヒーター３８からの発熱によ
ってウエハＷは約１００〜１５０℃の温度下に所定時間
おかれてプリベーキング加熱処理される。この加熱処理
時にダウンフローの清浄空気がシャッター４２に設けら
れた給気孔４３と処理容器４０の側壁に設けられた給気
孔４３から処理容器４０内に流入して上方の排気孔４４
から排気通路４５を介して外部に排出されることによ
り、ウエハＷの周辺から上方に向う空気の流れを均一に
してウエハ温度が局部的に低下するのを防止することが
でき、ウエハＷの表面全体が均一に加熱処理される。

【００４４】加熱処理されたウエハＷは、上述と同様に
上昇する支持ピン４７からメインアーム５に受け渡され
て加熱処理ユニット２１から次の処理工程例えば順次露
光装置による露光処理、現像処理装置１２による現像処
理、加熱処理ユニット２１によるポストベーク処理が行
われる。

【００４５】なお、上記実施例では、この発明の処理装
置が収納枠３０の収納室３１内に比較的小型で駆動源や
操作系の共通部分が多い加熱処理ユニット２１と、冷却
処理ユニット２２及びアドヒージョン処理ユニット２３
を組み込んだ場合について説明したが、必ずしもこのよ
うな組合わせである必要はなく、少なくとも加熱処理ユ
ニット２１と冷却処理ユニット２２を収納枠３０の収納
室３１内に組み込んだ構造のものであれば、加熱処理ユ
ニット２１及び冷却処理ユニット２２あるいはその他の
処理ユニットの数や配列形態を適宜設定したものは全て
この発明の主旨に含まれるものである。

【００４６】また、上記実施例では、この発明の処理装
置が半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムに
適用される場合について説明したが、半導体ウエハ以外
のＬＣＤ基板、ＣＤ等の被処理体の処理装置にも適用で
きるものである。方形状のＬＣＤ基板の場合には、メイ
ンアーム５のコの字状に構成したり、また、載置台２５
〜２７の形状を図８に２点鎖線で示すように方形状の載
置台２５ａに構成する。

【００４７】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、処理ユニットに、この処理ユニットの操作に必要な
電気系、給・排気系、制御系等の操作系の接続部を設
け、収納室には、全ての処理ユニットの操作系の接続部
とそれぞれ接続し得る操作源の接続部を設けるので、収
納枠の収納室内に任意の処理ユニットを収納することが
できると共に、収納と同時に処理ユニットの操作系を接
続することができる。したがって、使用目的に応じた各
処理ユニットの組み替えを容易に行うことができるの
で、処理能率の向上を図ることができる。また、補修す
る処理ユニットが大型のものであっても収納室から容易
に引き出すことができるので、メンテナンス作業を効率
良く行うことができる。更には、収納枠の収納室内に複
数の処理ユニットを多段式に収納することができるの
で、装置の小型化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の処理装置を適用した半導体ウエハの
塗布・現像処理システムの斜視図である。

【図２】この発明における処理ユニットの収納枠への収
納状態を示す概略断面図である。

【図３】処理ユニットの収納状態を示す拡大断面図であ
る。

【図４】この発明における加熱処理ユニットの収納枠へ
の収納状態を示す概略断面図である。

【図５】加熱処理ユニットの断面図である。

【図６】加熱処理ユニットの正面図である。

【図７】加熱処理ユニットの側断面図である。

【図８】加熱処理ユニットの駆動機構を示す概略平断面
図である。

【図９】この発明における冷却処理ユニットの正面図で
ある。

【図１０】冷却処理ユニットの概略平面図である。

【図１１】この発明におけるアドヒージョン処理ユニッ
トの一部を断面で示す正面図である。

【図１２】アドヒージョン処理ユニットの駆動機構を示
す側断面図である。

【図１３】アドヒージョン処理ユニットの概略平面図で
ある。

【符号の説明】

２１加熱処理ユニット２２冷却処理ユニット２３アドヒージョン処理ユニット２４ベースブロック２５載置台（熱板）２６載置台２７載置台２８，２８ａ〜２８ｋ操作系の接続部３０収納体（収納枠）３１収納室３２，３２ａ〜３２ｋ操作源の接続部４０処理容器４１開口部４２シャッター４３給気孔４４排気孔４８昇降機構５１シャッター昇降機構

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/30 ５７０

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも被処理体を加熱処理する加熱
処理ユニットと、冷却処理する冷却処理ユニットを含む
複数の処理ユニットと、上記各処理ユニットを着脱可能
に収納する複数の収納室を有する収納体とからなり、上記処理ユニットに、この処理ユニットの操作に必要な
電気系、給・排気系、制御系等の操作系の接続部を設
け、上記収納室には、上記処理ユニットの操作系の接続部と
接続し得る操作源の接続部を設けたことを特徴とする処
理装置。
【請求項２】収納室は、上下及び左右方向に並設した
多段棚状に構成されたことを特徴とする請求項１記載の
処理装置。
【請求項３】処理ユニットは、共通のベースブロック
を具備することを特徴とする請求項１記載の処理装置。
【請求項４】処理ユニットは、被処理体が載置される
載置台と、この載置台が上方に配設され、かつ処理ユニ
ットを着脱する際、摺動可能に案内されるベースブロッ
クとを具備することを特徴とする請求項１記載の処理装
置。
【請求項５】加熱処理ユニットは、側面に被処理体の
挿入出用の開口部を有する処理容器と、上記開口部を開
閉するシャッターと、上記処理容器内において上記被処
理体を載置すると共に加熱する載置台とを具備し、上記処理容器の側壁における上記載置台より上方部位
に、複数の給気孔を設け、上記処理容器の上部に、排気孔を設けたことを特徴とす
る請求項１記載の処理装置。
【請求項６】シャッターに給気孔を設けたことを特徴
とする請求項５記載の処理装置。
【請求項７】操作系の接続部はベースブロックの挿入
側端部に取り付けられ、操作源の接続部は収納体の背面側端部に配設され、上記処理ユニットを収納体に装着する際に、上記操作系
の接続部と操作源の接続部とが接続し得るように形成し
たことを特徴とする請求項１又は４記載の処理装置。