JP3032600B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JP3032600B2 JP3032600B2 JP3103253A JP10325391A JP3032600B2 JP 3032600 B2 JP3032600 B2 JP 3032600B2 JP 3103253 A JP3103253 A JP 3103253A JP 10325391 A JP10325391 A JP 10325391A JP 3032600 B2 JP3032600 B2 JP 3032600B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- recording
- erasing
- layer
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光情報記録媒体に関し、
詳しくは、光ビームを照射することにより記録層材料に
相変化を生じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ、書
換えが可能ないわゆる相変化型光情報記録媒体に関す
る。
詳しくは、光ビームを照射することにより記録層材料に
相変化を生じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ、書
換えが可能ないわゆる相変化型光情報記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生及び消去可能な光メモリー媒体の一
つとして、結晶−非晶質層間あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体がよく知ら
れている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームに
よるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系
もより単純であることなどから最近その研究開発が活発
になっている。その代表的な記録材料としては、USP 3,
530,441に開示されているような、Ge−Te、Ge−Te−Sb
−S、Ge−Te−S、Ge−Se−S、Ge−Se−Sb、Ge−As−S
e、In−Te、Se−Te、Se−Asなどのいわゆるカルコゲン
系合金材料があげられる。又、安定性、高速結晶化など
の向上を目的にGe−Te系にＡｕ（特開昭61−219692）、
Ｓｎ及びＡｕ（特開昭61−270190）、Ｐｄ（特開昭62−
19490)等を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し
性能向上を目的にGe−Te−Se−Sbの組成比を特定した材
料（特開昭62−73438)の提案などもなされている。しか
しながら、そのいずれもが相変化型書換え可能光メモリ
ー媒体として要求される諸特性のすべてを満足しうるも
のとはいえない。
る情報の記録、再生及び消去可能な光メモリー媒体の一
つとして、結晶−非晶質層間あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体がよく知ら
れている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームに
よるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系
もより単純であることなどから最近その研究開発が活発
になっている。その代表的な記録材料としては、USP 3,
530,441に開示されているような、Ge−Te、Ge−Te−Sb
−S、Ge−Te−S、Ge−Se−S、Ge−Se−Sb、Ge−As−S
e、In−Te、Se−Te、Se−Asなどのいわゆるカルコゲン
系合金材料があげられる。又、安定性、高速結晶化など
の向上を目的にGe−Te系にＡｕ（特開昭61−219692）、
Ｓｎ及びＡｕ（特開昭61−270190）、Ｐｄ（特開昭62−
19490)等を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し
性能向上を目的にGe−Te−Se−Sbの組成比を特定した材
料（特開昭62−73438)の提案などもなされている。しか
しながら、そのいずれもが相変化型書換え可能光メモリ
ー媒体として要求される諸特性のすべてを満足しうるも
のとはいえない。
【０００３】また、特開昭63-251290号公報には、結晶
状態が実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録
層を形成した光情報記録媒体（以降「光記録媒体」と略
記することがある）が提案されている。ここでの“実質
的に三元以上の多元化合物単相”とは、三元以上の化学
量論組成をもった化合物（例えばＩｎ3ＳｂＴｅ2など）
を記録層中に９０原子％以上含むものとされている。そ
して、このような記録層を用いることにより、高速記
録、高速消去が可能となるとしている。だが、このもの
では記録、消去に要するレ−ザ−パワ−は未だ充分では
なく、消去比も低い（消し残りが大きい）等の欠点を有
している。
状態が実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録
層を形成した光情報記録媒体（以降「光記録媒体」と略
記することがある）が提案されている。ここでの“実質
的に三元以上の多元化合物単相”とは、三元以上の化学
量論組成をもった化合物（例えばＩｎ3ＳｂＴｅ2など）
を記録層中に９０原子％以上含むものとされている。そ
して、このような記録層を用いることにより、高速記
録、高速消去が可能となるとしている。だが、このもの
では記録、消去に要するレ−ザ−パワ−は未だ充分では
なく、消去比も低い（消し残りが大きい）等の欠点を有
している。
【０００４】更に、特開平1-277338号公報には（Ｓｂa
Ｔｅ1-a ）1-Y ＭY （ここで0.4 ≦ａ＜0.7 、Ｙ≦0.2
であり、ＭはAg、Al、As、Au、Bi、Cu、Ga、Ge、In、P
b、Pt、Se、Si、Sn及びZnからなる群から選ばれる少な
くとも１種である。）で表される組成の合金からなる記
録層を有する光記録媒体が提案されている。この系の基
本はSb2Te3であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速消
去、繰返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消去を
促進させている。加えて、ＤＣ光による消去率も大きい
としている。しかし、この文献にはオ−バ−ライト時の
消去率は示されておらず（本発明者らの検討結果では消
し残りが認められた）、記録感度も不十分である。
Ｔｅ1-a ）1-Y ＭY （ここで0.4 ≦ａ＜0.7 、Ｙ≦0.2
であり、ＭはAg、Al、As、Au、Bi、Cu、Ga、Ge、In、P
b、Pt、Se、Si、Sn及びZnからなる群から選ばれる少な
くとも１種である。）で表される組成の合金からなる記
録層を有する光記録媒体が提案されている。この系の基
本はSb2Te3であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速消
去、繰返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消去を
促進させている。加えて、ＤＣ光による消去率も大きい
としている。しかし、この文献にはオ−バ−ライト時の
消去率は示されておらず（本発明者らの検討結果では消
し残りが認められた）、記録感度も不十分である。
【０００５】同様に、特開昭60-177446号公報では記録
層に（Ｉｎ1-X ＳｂX ）1-Y ＭY （0.55≦Ｘ≦0.80、0
≦Ｙ≦0.20であり、ＭはAu、Ag、Cu、Pd、Pt、Al、Si、
Ge、Ga、Sn、Te、Se、Biである。）なる合金を用い、ま
た、特開昭63-228433号公報では記録層にGeTe-Sb2Te3-S
b（過剰）なる合金を用いているが、いずれも感度、消
去比等の特性を満足するものではない。これまでみてき
たように、光記録媒体においては、特に記録感度、消去
感度の向上、オ−バ−ライト時の消し残りによる消去比
低下の防止、並びに記録部、未記録部の長寿命化が解決
すべき最重要課題となっている。中でも、レ−ザ−光照
射時間が１００ｎｓｅｃ以下という条件下で光記録媒体
面でのレ−ザ−書き込みパワ−については、現在までの
報告例のいずれもが、１５mW程度以上のパワ−を必要と
しており、転送速度向上のためには大きな障壁となって
いる。それに加え、記録、消去の繰返し時に発生する熱
により、記録層、耐熱保護層等が損傷を受け、特性劣化
を招来することから、繰返し性能向上に対しても大きな
障害となっている。
層に（Ｉｎ1-X ＳｂX ）1-Y ＭY （0.55≦Ｘ≦0.80、0
≦Ｙ≦0.20であり、ＭはAu、Ag、Cu、Pd、Pt、Al、Si、
Ge、Ga、Sn、Te、Se、Biである。）なる合金を用い、ま
た、特開昭63-228433号公報では記録層にGeTe-Sb2Te3-S
b（過剰）なる合金を用いているが、いずれも感度、消
去比等の特性を満足するものではない。これまでみてき
たように、光記録媒体においては、特に記録感度、消去
感度の向上、オ−バ−ライト時の消し残りによる消去比
低下の防止、並びに記録部、未記録部の長寿命化が解決
すべき最重要課題となっている。中でも、レ−ザ−光照
射時間が１００ｎｓｅｃ以下という条件下で光記録媒体
面でのレ−ザ−書き込みパワ−については、現在までの
報告例のいずれもが、１５mW程度以上のパワ−を必要と
しており、転送速度向上のためには大きな障壁となって
いる。それに加え、記録、消去の繰返し時に発生する熱
により、記録層、耐熱保護層等が損傷を受け、特性劣化
を招来することから、繰返し性能向上に対しても大きな
障害となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な欠点、不都合を解消し、良質の相変化型光情報記録媒
体を提供するものである。
な欠点、不都合を解消し、良質の相変化型光情報記録媒
体を提供するものである。
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に記録
層が形成されたものであって、記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔ
ｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有
し、記録時に一様なアモルファス相を形成し、消去時に
ＡｇＳｂＴｅ2相が相分離して結晶化する事を特徴とし
ている。本発明者らは、記録層材料として前記のような
相変化を行うものを用いれば前記課題を達成しうること
を確かめた。本発明はそれによりなされたものである。
層が形成されたものであって、記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔ
ｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有
し、記録時に一様なアモルファス相を形成し、消去時に
ＡｇＳｂＴｅ2相が相分離して結晶化する事を特徴とし
ている。本発明者らは、記録層材料として前記のような
相変化を行うものを用いれば前記課題を達成しうること
を確かめた。本発明はそれによりなされたものである。
【０００７】本発明をさらに詳細に説明すると、本発明
に係る記録層は構成元素としてＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅを含む
ものである。これらに加えてＩｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なく
とも一種を構成元素としている。これらの元素は記録時
には一様なアモルファス相を形成している。一方、消去
時にはＡｇＳｂＴｅ2相とＸ相に分相して結晶化する。
この場合ＡｇＳｂＴｅ2相は結晶化するが、Ｘ相は結晶
化してもアモルファス状態でもよい。Ｘ相は単相でもよ
いし、複数の相でもよい。Ｘ相としては、Ａｇ、Ｓｂ、
Ｔｅ、Ｉｎなどの単元素からなるものや、Ｉｎ−Ｓｂ、
Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅなど
の多元素からなるものがある。Ｘ相としては光吸収係数
が１０2ｃｍ~1以上のものが望ましい。また、記録層に
は他の不純物（例えば酸素など）が微量（１原子％以
下）含まれていてもよい。この様な記録層はスパッタリ
ング、蒸着などの薄膜製膜法によって基板上に製膜す
る。基板上に堆積した膜はアモルファス状態であること
が多いが、これを熱処理してＡｇＳｂＴｅ2相とＸ相に
相分離させることにより初期化する。熱処理方法として
はレーザービームによる方法、ヒーターによる方法など
がある。レーザービームによる場合、レーザービーム強
度、基板（ディスク）回転数を制御することにより熱処
理条件を任意に選択できるため好適である。
に係る記録層は構成元素としてＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅを含む
ものである。これらに加えてＩｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なく
とも一種を構成元素としている。これらの元素は記録時
には一様なアモルファス相を形成している。一方、消去
時にはＡｇＳｂＴｅ2相とＸ相に分相して結晶化する。
この場合ＡｇＳｂＴｅ2相は結晶化するが、Ｘ相は結晶
化してもアモルファス状態でもよい。Ｘ相は単相でもよ
いし、複数の相でもよい。Ｘ相としては、Ａｇ、Ｓｂ、
Ｔｅ、Ｉｎなどの単元素からなるものや、Ｉｎ−Ｓｂ、
Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅなど
の多元素からなるものがある。Ｘ相としては光吸収係数
が１０2ｃｍ~1以上のものが望ましい。また、記録層に
は他の不純物（例えば酸素など）が微量（１原子％以
下）含まれていてもよい。この様な記録層はスパッタリ
ング、蒸着などの薄膜製膜法によって基板上に製膜す
る。基板上に堆積した膜はアモルファス状態であること
が多いが、これを熱処理してＡｇＳｂＴｅ2相とＸ相に
相分離させることにより初期化する。熱処理方法として
はレーザービームによる方法、ヒーターによる方法など
がある。レーザービームによる場合、レーザービーム強
度、基板（ディスク）回転数を制御することにより熱処
理条件を任意に選択できるため好適である。
【０００８】ところで、記録パワ−(Pw)のレ−ザ−ビ−
ムを照射した場合、記録層のＡｇＳｂＴｅ2相とＸ相は
溶融後急冷されて一様なアモルファス状態になる。つぎ
にこのアモルファス状態の記録部に消去パワ−(Pe)のレ
−ザ−ビ−ムを照射すると初期化の場合と同様にＡｇＳ
ｂＴｅ2相とＸ相に相分離してＡｇＳｂＴｅ2の結晶化が
起こる（消去）。この様に消去時に一様なアモルファス
相からの相分離でＡｇＳｂＴｅ2相ができ、これが結晶
化することにより、ディスクの反射率が変化して、ここ
に記録、消去が行われると共に、著しく高い消去比が得
られるようになる。
ムを照射した場合、記録層のＡｇＳｂＴｅ2相とＸ相は
溶融後急冷されて一様なアモルファス状態になる。つぎ
にこのアモルファス状態の記録部に消去パワ−(Pe)のレ
−ザ−ビ−ムを照射すると初期化の場合と同様にＡｇＳ
ｂＴｅ2相とＸ相に相分離してＡｇＳｂＴｅ2の結晶化が
起こる（消去）。この様に消去時に一様なアモルファス
相からの相分離でＡｇＳｂＴｅ2相ができ、これが結晶
化することにより、ディスクの反射率が変化して、ここ
に記録、消去が行われると共に、著しく高い消去比が得
られるようになる。
【０００９】高い消去比が得られるメカニズムは必ずし
も明確にはなっていないが、つぎのように考えることが
できる。ＡｇＳｂＴｅ2は元々結晶化しやすい物質であ
るため、相分離によってＡｇＳｂＴｅ2を得ることで高
消去率が期待できる。逆に結晶化しやすいために記録時
（アモルファス状態）での安定性に問題があった。とこ
ろが本発明の記録層では記録部の状態はＡｇＳｂＴｅ2
（アモルファス）とは異なった状態（例えばAg-In-Te-S
b）であるため、安定性を改善することができる。つま
りこの系では記録、消去の過程が単純な結晶化過程では
なくて、結晶化スピ−ドの速いＡｇＳｂＴｅ2相の相分
離過程になっているために、結晶化スピ−ドが速く（つ
まり高い消去比が得られる）なおかつ記録状態が安定に
なっていると思われる。ここでの相分離の起こり易さは
アモルファス状態の組成、従って相分離で生じるＸ相に
依存する。前述のようにＸ相としてはいろいろな系を用
いることができるが、高消去率の点でIn-Sb、In-Sb-Te
などが好適である。またＸ相は記録層の熱伝導率にも影
響を与えるため、Ｘ相の組成を選択することによりオ−
バ−ライトモ−ドでのＣ／Ｎ、消去率を改善することが
できる。
も明確にはなっていないが、つぎのように考えることが
できる。ＡｇＳｂＴｅ2は元々結晶化しやすい物質であ
るため、相分離によってＡｇＳｂＴｅ2を得ることで高
消去率が期待できる。逆に結晶化しやすいために記録時
（アモルファス状態）での安定性に問題があった。とこ
ろが本発明の記録層では記録部の状態はＡｇＳｂＴｅ2
（アモルファス）とは異なった状態（例えばAg-In-Te-S
b）であるため、安定性を改善することができる。つま
りこの系では記録、消去の過程が単純な結晶化過程では
なくて、結晶化スピ−ドの速いＡｇＳｂＴｅ2相の相分
離過程になっているために、結晶化スピ−ドが速く（つ
まり高い消去比が得られる）なおかつ記録状態が安定に
なっていると思われる。ここでの相分離の起こり易さは
アモルファス状態の組成、従って相分離で生じるＸ相に
依存する。前述のようにＸ相としてはいろいろな系を用
いることができるが、高消去率の点でIn-Sb、In-Sb-Te
などが好適である。またＸ相は記録層の熱伝導率にも影
響を与えるため、Ｘ相の組成を選択することによりオ−
バ−ライトモ−ドでのＣ／Ｎ、消去率を改善することが
できる。
【００１０】本発明に係る記録層によれば、 （１）光吸収率が大きくなり、記録、消去感度が向上す
る。 （２）転移前後の光学的コントラストが大きくなりＣ／
Ｎが向上する。 （３）オ−バ−ライト時の消去比が飛躍的に向上する。 等も認められた。本発明の光情報記録媒体は、基本的に
は、かかる記録層が200〜10000Å厚、好ましくは500〜3
000Å厚、更に好ましくは700〜2000Å厚で基板上に形成
されたものからなっている。本発明で用いられる基板は
通常、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂であり、樹
脂基板が成形性、コスト等の点で好適である。樹脂の代
表例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−ス
チレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレ
ン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、
ウレタン樹脂等があげられるが、加工性、光学特性等の
点でポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好まし
い。又、基板の形状としてはディスク状、カード状ある
いはシート状であってもよい。
る。 （２）転移前後の光学的コントラストが大きくなりＣ／
Ｎが向上する。 （３）オ−バ−ライト時の消去比が飛躍的に向上する。 等も認められた。本発明の光情報記録媒体は、基本的に
は、かかる記録層が200〜10000Å厚、好ましくは500〜3
000Å厚、更に好ましくは700〜2000Å厚で基板上に形成
されたものからなっている。本発明で用いられる基板は
通常、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂であり、樹
脂基板が成形性、コスト等の点で好適である。樹脂の代
表例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−ス
チレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレ
ン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、
ウレタン樹脂等があげられるが、加工性、光学特性等の
点でポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好まし
い。又、基板の形状としてはディスク状、カード状ある
いはシート状であってもよい。
【００１１】本発明の光情報記録媒体には、必要に応じ
て、耐熱保護層、表面保護層、反射層、放熱層、接着層
等の補助層が設けられてもよい。耐熱性保護層の材料と
しては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2等の金属酸
化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの
窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4等の硫化物、Ｓｉ
Ｃ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化
物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれらの混合物が
あげられる。必要に応じては、不純物を含んでいてもよ
い。このような耐熱性保護層は各種気相成膜法、例えば
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
等によって形成できる。
て、耐熱保護層、表面保護層、反射層、放熱層、接着層
等の補助層が設けられてもよい。耐熱性保護層の材料と
しては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2等の金属酸
化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの
窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4等の硫化物、Ｓｉ
Ｃ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化
物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれらの混合物が
あげられる。必要に応じては、不純物を含んでいてもよ
い。このような耐熱性保護層は各種気相成膜法、例えば
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
等によって形成できる。
【００１２】耐熱性保護層の膜厚としては200〜5000
Å、好適には500〜3000Åとするのがよい。200Åより薄
くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなくなり、
逆に5000Åより厚くなると、感度低下をきたしたり、界
面剥離を生じやすくなる。又、必要に応じて保護層を多
層化することもできる。反射層と放熱層を兼ねるものと
して、Al、Auなどの薄膜（200〜2000Å厚くらい）が用
いられる。本発明における相変化材料は単層のみなら
ず、多層膜あるいは超微粒子状の相変化物質を耐熱性マ
トリックス中に分散せしめたようなものであってもよ
い。記録層の製膜法としては、前記気相成膜法以外にゾ
ル−ゲル法のような湿式プロセスも適用可能である。
Å、好適には500〜3000Åとするのがよい。200Åより薄
くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなくなり、
逆に5000Åより厚くなると、感度低下をきたしたり、界
面剥離を生じやすくなる。又、必要に応じて保護層を多
層化することもできる。反射層と放熱層を兼ねるものと
して、Al、Auなどの薄膜（200〜2000Å厚くらい）が用
いられる。本発明における相変化材料は単層のみなら
ず、多層膜あるいは超微粒子状の相変化物質を耐熱性マ
トリックス中に分散せしめたようなものであってもよ
い。記録層の製膜法としては、前記気相成膜法以外にゾ
ル−ゲル法のような湿式プロセスも適用可能である。
【００１３】気相成膜法の中では、膜の特性、成膜の容
易さ等の点で高周波（ｒｆ）スパッタ法が好適な方法で
ある。 ｒｆスパッタ法の代表的な記録層作製条件としては、 タ−ゲット：(AgSbTe2)(In1.5Sb3.5Te) スパッタ（反応）時圧力：0.5〜20Ｐａ ｒｆパワ−：20Ｗ〜1ＫＷ スパッタガス：Ａｒ＋（Ｏ2：膜中酸素量制御時） スパッタ時間：10秒〜20分 等が挙げられるが、製膜法及び条件については何ら限定
されるものではない。記録、再生及び消去に用いる電磁
波としては、レ−ザ−光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視
光線、赤外線、マイクロ波等種々のものが採用可能であ
るが、ドライブに取り付ける際、小型でコンパクトな半
導体レ−ザ−のビ−ムが最適である。
易さ等の点で高周波（ｒｆ）スパッタ法が好適な方法で
ある。 ｒｆスパッタ法の代表的な記録層作製条件としては、 タ−ゲット：(AgSbTe2)(In1.5Sb3.5Te) スパッタ（反応）時圧力：0.5〜20Ｐａ ｒｆパワ−：20Ｗ〜1ＫＷ スパッタガス：Ａｒ＋（Ｏ2：膜中酸素量制御時） スパッタ時間：10秒〜20分 等が挙げられるが、製膜法及び条件については何ら限定
されるものではない。記録、再生及び消去に用いる電磁
波としては、レ−ザ−光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視
光線、赤外線、マイクロ波等種々のものが採用可能であ
るが、ドライブに取り付ける際、小型でコンパクトな半
導体レ−ザ−のビ−ムが最適である。
【００１４】
【実施例】以下、実施例および比較例によって本発明を
具体的に説明する。 実施例１、比較例１及び２ ピッチ約1.6μm、深さ約700Åの溝付きで、厚さ1.2mmの
86mmφのポリカーボネート基板上にｒｆスパッタリング
法により下部（基板側）耐熱保護層、記録層、上部耐熱
保護層、反射層を順次積層し、３種類の評価用光ディス
クを作製した。各層に用いた材料と膜厚とを下記表１に
示した。なお共通して、下部耐熱保護層としてはSi3N4
（約2000Å厚）、上部耐熱保護層としてはSi3N4（約100
0Å厚）、反射層としてはAl(約500Å厚)とした。光ディ
スクの評価は830nmの半導体レーザー光をNA 0.5のレン
ズを通して記録層面で約1μmφのスポット径にしぼり込
み基板側から照射することにより行った。成膜後の記録
膜は非晶質であったが、測定に際し最初に記録層面で4
〜10mWのＤＣ光でディスク全面を十分に結晶化させ、そ
れを初期（未記録）状態とした。ディスクの線速度は7m
/secとした。記録の書き込み条件は、線速度7m/s、周波
数4MHz一定とし、レ−ザ−パワ−(Pw)を7〜14mWまで変
化させた。読み取りパワ−(Pr)は1.0mWとした。Ｃ／Ｎ
（キャリア対ノイズ比）値が飽和もしくは最大となった
時のレ−ザ−パワ−(Pw)と最適消去パワ−(Pe)、並び
に、得られたＣ／Ｎ値及び消去比をも併せて表１に示
す。
具体的に説明する。 実施例１、比較例１及び２ ピッチ約1.6μm、深さ約700Åの溝付きで、厚さ1.2mmの
86mmφのポリカーボネート基板上にｒｆスパッタリング
法により下部（基板側）耐熱保護層、記録層、上部耐熱
保護層、反射層を順次積層し、３種類の評価用光ディス
クを作製した。各層に用いた材料と膜厚とを下記表１に
示した。なお共通して、下部耐熱保護層としてはSi3N4
（約2000Å厚）、上部耐熱保護層としてはSi3N4（約100
0Å厚）、反射層としてはAl(約500Å厚)とした。光ディ
スクの評価は830nmの半導体レーザー光をNA 0.5のレン
ズを通して記録層面で約1μmφのスポット径にしぼり込
み基板側から照射することにより行った。成膜後の記録
膜は非晶質であったが、測定に際し最初に記録層面で4
〜10mWのＤＣ光でディスク全面を十分に結晶化させ、そ
れを初期（未記録）状態とした。ディスクの線速度は7m
/secとした。記録の書き込み条件は、線速度7m/s、周波
数4MHz一定とし、レ−ザ−パワ−(Pw)を7〜14mWまで変
化させた。読み取りパワ−(Pr)は1.0mWとした。Ｃ／Ｎ
（キャリア対ノイズ比）値が飽和もしくは最大となった
時のレ−ザ−パワ−(Pw)と最適消去パワ−(Pe)、並び
に、得られたＣ／Ｎ値及び消去比をも併せて表１に示
す。
【００１５】
【表１】 続いて、オ−バ−ライト特性を評価した。方法は２つの
書き込み周波数ｆ1＝４ＭＨｚ、ｆ2＝５ＭＨｚで交互に
オ−バ−ライトを実施した。また、オ−バ−ライト時の
書き込みパワ−(Pw)及び消去パワ−(Pe)はディスク７に
よって最適な値を選択した。その他の条件は書き込みテ
スト時と同様にした。表２にその結果を示す。
書き込み周波数ｆ1＝４ＭＨｚ、ｆ2＝５ＭＨｚで交互に
オ−バ−ライトを実施した。また、オ−バ−ライト時の
書き込みパワ−(Pw)及び消去パワ−(Pe)はディスク７に
よって最適な値を選択した。その他の条件は書き込みテ
スト時と同様にした。表２にその結果を示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】また、オ−バ−ライトした記録層の記録
部、消去部のそれぞれに電子線回析を行ったところ、記
録部についてはアモルファス特有のブロ−ドなリングパ
タ−ンが観察された。これに対して消去部については記
録部と似たリングパタ−ンに加え、明確な回析斑点が見
られた。この回析斑点はＡｇＳｂＴｅ2の面間隔と一致
しており、消去時にＡｇＳｂＴｅ2が相分離しているこ
とが確認された。また記録部のリング径と消去部のリン
グ径とは異なっており、違ったアモルファス状態になっ
ていることがわかる。したがって、実施例１のディスク
では本発明の特徴である アモルファス←→ＡｇＳｂＴｅ2＋アモルファス (Ag-In-Te-Sb) (In-Te-Sb) なる相分離が記録←→消去でおこっていることがわか
る。
部、消去部のそれぞれに電子線回析を行ったところ、記
録部についてはアモルファス特有のブロ−ドなリングパ
タ−ンが観察された。これに対して消去部については記
録部と似たリングパタ−ンに加え、明確な回析斑点が見
られた。この回析斑点はＡｇＳｂＴｅ2の面間隔と一致
しており、消去時にＡｇＳｂＴｅ2が相分離しているこ
とが確認された。また記録部のリング径と消去部のリン
グ径とは異なっており、違ったアモルファス状態になっ
ていることがわかる。したがって、実施例１のディスク
では本発明の特徴である アモルファス←→ＡｇＳｂＴｅ2＋アモルファス (Ag-In-Te-Sb) (In-Te-Sb) なる相分離が記録←→消去でおこっていることがわか
る。
【００１８】
【発明の効果】実施例の記載からも明らかなように、本
発明は相変化型光記録媒体として優れた性能を有し、特
にオ−バ−ライト時の消去比が飛躍的に向上しており、
更に、記録感度の点で高感度化が達成される。
発明は相変化型光記録媒体として優れた性能を有し、特
にオ−バ−ライト時の消去比が飛躍的に向上しており、
更に、記録感度の点で高感度化が達成される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコ−内 (56)参考文献 特開 平３−16783（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−251332（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に記録層が形成されており、その
記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの
少なくとも一種を含有し、記録時に一様なアモルファス
層を形成し、消去時にＡｇＳｂＴｅ2相が相分離して結
晶化することを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3103253A JP3032600B2 (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3103253A JP3032600B2 (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04267192A JPH04267192A (ja) | 1992-09-22 |
| JP3032600B2 true JP3032600B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=14349283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3103253A Expired - Fee Related JP3032600B2 (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3032600B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2999916B2 (ja) * | 1994-03-31 | 2000-01-17 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録方法および光記録媒体 |
| US6022605A (en) * | 1997-02-28 | 2000-02-08 | Kao Corporation | Optical recording medium and recording/erasing method therefor |
| EP1193696B1 (en) | 2000-09-28 | 2007-01-03 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium, method of manufacturing the optical information recording medium, and method of and apparatus for recording/reproducing optical information |
| JP2003305955A (ja) | 2001-05-21 | 2003-10-28 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体及び記録方法 |
| FR2915678B1 (fr) | 2007-05-02 | 2010-04-16 | Lapeyre Ind Llc | Valve cardiaque prothetique mecanique |
-
1991
- 1991-02-21 JP JP3103253A patent/JP3032600B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04267192A (ja) | 1992-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5736657A (en) | Sputtering target | |
| US6652806B2 (en) | Method of producing a sputtering target | |
| US6592958B2 (en) | Optical recording medium and sputtering target for fabricating the recording medium | |
| TW407271B (en) | Rewritable optical information medium | |
| JP3032585B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP3032600B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2908826B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH0737251A (ja) | 光情報記録方法 | |
| JP4357144B2 (ja) | 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット | |
| JP2868849B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH05151619A (ja) | 光情報記録媒体及び記録方法 | |
| JP3058443B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH0558047A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| EP1058248A2 (en) | Optical recording medium and recording method using the medium | |
| JP2003511267A (ja) | ＧｅＳｂＴｅ記録層を有する光学記録媒体 | |
| JP3810025B2 (ja) | スパッタリング用ターゲット、その製造方法、そのターゲットを用いた光記録媒体、その光記録媒体の成膜方法、及び光記録方法 | |
| JP3784819B2 (ja) | 光記録方法 | |
| JP3176582B2 (ja) | 情報の記録及び消去方法 | |
| JP2986897B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2954731B2 (ja) | 情報記録媒体及びそれを用いる情報記録方法 | |
| JP2963106B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH0428587A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH07161072A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP3224591B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH06333266A (ja) | 光情報記録媒体及び製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080210 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |