JP2962851B2

JP2962851B2 - 光受容部材

Info

Publication number: JP2962851B2
Application number: JP3075118A
Authority: JP
Inventors: 博明新納; 哲也武井; 竜次岡村; 寿康白砂; 茂白井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-04-26
Filing date: 1991-04-08
Publication date: 1999-10-12
Anticipated expiration: 2014-10-12
Also published as: DE69124824T2; ATE149701T1; DE69124824D1; EP0454456B1; US5656404A; EP0454456A1; JPH04218060A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光（ここでは広義の光で
あって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を意
味する。）このような電磁波に対して感受性のある光受
容部材に関する。

【０００２】

【従来技術】像形成分野において、光受容部材における
光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、Ｓ
Ｎ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル
を有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有す
ること、使用時において人体に対して無害であること、
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光
受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は
重要な点である。

【０００３】このような点に立脚して最近注目されてい
る光導電材料にアモルファスシリコン（以下、「Ａ−Ｓ
ｉ」と表記する）があり、たとえば独国公開第２７４６
９６７号公報、同第２８５５７１８号公報等には電子写
真用光受容部材としての応用が記載されている。

【０００４】図２は、従来の電子写真用光受容部材２０
０の層構成を模式的に示す断面図であって、２０１は導
電性支持体、２０２はＡ−Ｓｉからなる光受容層であ
る。こうした電子写真用光受容部材は、一般的には、導
電性支持体２０１を５０℃〜４００℃に加熱し、該支持
体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法
等の成膜法によりＡ−Ｓｉからなる感光層２０２を作製
する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガス
を直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電によ
って分解し、支持体上にＡ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法
が好適なものとして実用に付されている。

【０００５】独国公開第３０４６５０９においては、導
電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素として含むＡ−
Ｓｉ（以下、「Ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）光導電層か
らなる電子写真用光受容部材が提案されている。当該公
報においては、Ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至４０原
子％含有させることによりダングリングボンドを補償し
てエネルギーギャップ内の局在準位密度を低減し、電子
写真用光受容部材の光導電層として好適な電気的、光学
的特性を得ることができるとしている。

【０００６】一方、アモルファス炭化シリコン（以下、
「Ａ−ＳｉＣ」と表記する）について、耐熱性や表面硬
度が高いこと、Ａ−Ｓｉと比較して高い暗抵抗率を有す
ること、炭素の含有量により光学的バンドギャップが
１．６〜２．８の範囲にわたって変えられること等が知
られている。このようなＡ−ＳｉＣによって光導電層を
構成する電子写真用光受容部材が、米国特許第４４７１
０４２において提案されている。当該公報においては、
炭素を化学修飾物質として０．１乃至３０原子％含むＡ
−ＳｉＣを電子写真用光受容部材の光導電層として使用
することにより、暗抵抗が高く、光感度の良好な優れた
電子写真特性を示すことが示されている。

【０００７】さらに、特公昭６３−３５０２６号公報に
おいては導電性支持体上に、炭素原子と水素原子および
／または弗素原子を構成要素として含むＡ−Ｓｉ（以
後、Ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆと表記する）中間層と、Ａ−Ｓ
ｉ光導電層からなる電子写真感光体が提案されており、
少なくとも水素原子および／または弗素原子を含むＡ−
ＳｉＣ中間層によって光導電特性を損なうことなく、Ａ
−Ｓｉ光導電層のクラックや剥離を低減することを図っ
ていた。

【０００８】しかしながら、従来のＡ−Ｓｉ材料で構成
された光導電層を有する電子写真用光受容部材は、暗抵
抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学的、光導電特
性、及び使用環境特性の点、さらには経時安定性および
耐久性の点において、各々個々には特性の向上が図られ
ているが、総合的な特性向上を図る上でさらに改良され
る余地が存在するのが実情である。

【０００９】特に現在、電子写真装置はさらに高画質、
高速、高耐久性が望まれている。その結果、電子写真用
光受容部材においては電気的特性や光導電特性の更なる
向上とともに、高帯電能、高感度を維持しつつあらゆる
環境下で大幅に耐久性能を延ばすことが求められてい
る。

【００１０】たとえば、Ａ−Ｓｉ材料を電子写真用光受
容部材に適用した場合に、高感度化、高暗抵抗化を同時
に図ろうとすると、従来においては、その使用時におい
て残留電位が残る場合が度々観測され、この種の光受容
部材は長期間使用し続けると、繰り返し使用による疲労
の蓄積が起こって残像が生ずるいわゆる「ゴースト」現
象を生ずるようになる等の不都合な点が少なくなかっ
た。

【００１１】また、Ａ−Ｓｉ材料で光受容層を構成する
場合には、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子（Ｈ）、あるいは弗素原子（Ｆ）や塩素原
子（Ｃ１）等のハロゲン原子（Ｘ）、および電気的伝導
型の制御のためにほう素原子（Ｂ）や燐原子（Ｐ）等
が、あるいはその他の特性改良のために他の原子が各々
構成原子として光導電層中に含有されるが、これらの構
成原子の含有の仕方如何によっては、形成した層の電気
的あるいは光導電的特性やその均一性に問題が生じる場
合があった。すなわち、光導電層の電荷輸送能力に不均
一な部分があると画像濃度にむらが生じ特にハーフトー
ン画像においてそれが顕著に現れるため、組織構造的、
電気的、光学的な膜質の高度な均一性が求められてい
る。

【００１２】また、近年、電子写真装置の画像特性向上
のために電子写真装置内の光学露光系、現像装置、転写
装置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材に
おいても従来以上の画像特性の向上が求められるように
なった。特に、画像の解像力が向上した結果、、俗に
「ガサツキ」と呼ばれる画像濃度の微細な領域における
不均一性の減少や、俗に「ポチ」と呼ばれる、黒点状ま
たは白点状の画像欠陥の減少、特には従来あまり問題に
されなかった微少な大きさの「ポチ」の減少が求められ
るようになってきた。また、連続して画像形成を行った
場合に、初期画像より「ポチ」が増加する現象が見られ
ることがあり、この耐久後の「ポチ」の増加も低減する
ことが求められている。

【００１３】さらに、近年、電子写真用光受容部材の製
造コストを低減するために、例えば、後述のマイクロ波
プラズマＣＶＤ法等の成膜方法によって堆積速度を速く
した状態で電子写真用光受容部材の光導電層を形成する
と、膜質に不均一性が生じたり、膜内部の応力によって
Ａ−Ｓｉ膜に微少なクラックやはがれが生じ、生産性に
おける歩留まりが減少することがあった。

【００１４】（発明の概要）本発明の目的は、耐久使用後において、コピー画像にお
ける「ポチ」発生、「ガサツキ」発生及び「ゴースト」
発生を同時に抑制することができる光受容部材を提供す
ることにある。

【００１５】本発明の剥の目的は、耐久使用後におい
て、コピー画像における「ポチ」発生、「ガサツキ」発
生及び「ゴースト」発生を同時に抑制するとともに「球
状突起」発生をも抑制することができる光受容部材を提
供することにある。

【００１６】本発明は導電性支持体上に、光導電層と表
面層からなる光受容層を有する光受容部材において、前
記光導電層が前記支持体側より、シリコン原子を母体と
し、炭素原子、水素原子および弗素原子を含有する非単
結晶材料で構成される第１の光導電層と、シリコン原子
を母体とし、水素原子および／または弗素原子を含有す
る非単結晶材料で構成される第２の光導電層からなり、
かつ、該第１の光導電層中の弗素原子の含有量がシリコ
ン原子に対して１原子ｐｐｍ以上９５原子ｐｐｍ以下で
あることを特徴とする光受容部材である。

【００１７】（発明の態様の詳細な説明）本発明は、光導電層を導電性支持体側からｎｏｎ−Ｓｉ
Ｃ、，ｎｏｎ−Ｓｉの２層構成とすることによって電荷
（フォトキャリア）の発生と該発生した電荷の輸送とい
う電子写真用光受容部材にとっての重要な機能を各々別
々の層に持たせることによって、一つの層で全ての機能
を持たせるよりも層設計の自由度が大きく、特性の優れ
たものができる。また、光導電層に炭素が含有されてい
ることにより光受容層の誘電率を小さくすることができ
るために、層厚当たりの静電容量を減少させることがで
きて高い帯電能と光感度において著しい改善がみられ、
さらに高電圧に対する耐圧性も向上し耐久性も向上す
る。そして、炭素を含む光導電層を支持体側に設置する
ことにより、支持体と光導電層との密着性が向上し、膜
の剥離や微小な欠陥の発生を抑制することができるとい
う特性をも有している。

【００１８】さらに加えて、本発明においては、少なく
ともｎｏｎ−ＳｉＣ光導電層中に弗素原子（Ｆ）を微量
（１乃至９５原子ｐｐｍ）含有させることによってシリ
コン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）等の未結合手を補償
するとともに、特に炭素原子とともに水素原子を含有さ
せた場合の、炭素原子および／または水素原子の凝集を
抑制することにより、組織構造的により安定な状態を得
ることができるため、堆積膜内部の歪を是正することが
できて、その結果、特に画像特性たとえば、前述の「ガ
サツキ」、「ポチ」、「ゴースト」に関して著しい改善
が見られるという特徴を有する。

【００１９】弗素含有量がシリコン原子に対し１原子ｐ
ｐｍ未満であると、弗素原子による膜構造および膜質の
均一性の効果が充分発揮されず、また、シリコン原子に
対して９５原子ｐｐｍを越えると前述の「ゴースト」現
象を生じやすくなってしまう。したがって、弗素含有量
を１原子ｐｐｍ以上９５原子ｐｐｍ以下に設定すること
が必要不可欠である。このような光導電層に含有される
弗素原子の効果は、例えばマイクロ波ＣＶＤ法のように
堆積速度を速くして層形成を行ったときに特に顕著に現
れる。

【００２０】以下図面にしたがって本発明の電子写真用
光受容部材について具体例を挙げて詳細に説明する。

【００２１】図１（ａ）および図１（ｂ）は、本発明の
電子写真用光受容部材の好適な層構成を説明するために
模式的に示した構成図である。

【００２２】図１（ａ）に示す電子写真用光受容部材１
１００は、電子写真用光受容部材用としての導電性支持
体１１０１の上に、ｎｏｎ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆで構成され
る第１の光導電層１１０２とｎｏｎ−Ｓｉ：Ｈ／Ｆで構
成される第２の光導電層１１０３と保護層や電荷注入阻
止層としての表面層１１０４からなる層構成を有する光
受容層１１０５とを有し光受容層１１０５は自由表面１
１０６を有する構成のものである。

【００２３】図１（ｂ）に示す電子写真用光受容部材１
２００は、導電性支持体１２０１とｎｏｎ−ＳｉＣ：
Ｈ：Ｆで構成される第１の光導電層１２０２との間に電
荷注入阻止層１２０５を有する以外は、構成上において
図１（ａ）に示される電子写真用光受容部材１１００と
本質的に異なるものではない。表面層１２０４は自由表
面１２０７を有する。

【００２４】｛支持体｝本発明において使用される導電
性支持体としては、例えば、ステンレス，Ａ１，Ｃｒ，
Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｐｔ，Ｐｔ，Ｐ
ｄ，Ｆｅ等の金属、及びこれらの合金が挙げられる。ま
た、ポリエルテル、ポリエチレン、ポリカーボネート、
セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム
またはシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持
体の少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理
した支持体も用いることができる。

【００２５】支持体の形状は平滑表面あるいは凹凸表面
の円筒状または板状無端ベルト状であることができ、そ
の厚さは、所望通りの電子写真用光受容部材を形成し得
るように適宜決定するが、電子写真用光受容部材として
の可撓性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができ
る。しかしながら、支持体に製造上および取り扱い上、
機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上とされる。

【００２６】特にレーザー光等の可干渉性光を用いて像
記録を行う場合には、可視画像において現れる、いわゆ
る干渉縞模様による画像不良を解消するために、支持体
表面に凹凸を設けてもよい。

【００２７】支持体表面に設けられる凹凸は、ヨーロッ
パ公開第１５５７５８、米国特許第４６９６８８４、米
国特許第４７０５７３３等に記載された公知の方法によ
り作成される。

【００２８】また、レーザー光等の可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法とし
て、支持体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を
設けてもよい。即ち、支持体の表面が電子写真用光受容
部材に要求される解像力よりも微少な凹凸を有し、しか
も該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるものである。支
持体表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸
は、ヨーロッパ公開第２０２７４６に記載された公知の
方法により作成される。

【００２９】｛光導電層｝本発明における光導電層は、
支持体側より構成要素としてシリコン原子と炭素原子、
水素原子、弗素原子および酸素を含むｎｏｎ−ＳｉＣ：
Ｈ：Ｆ：Ｏにより構成される第１の光導電層と、構成要
素としてシリコン原子と水素原子および／または弗素原
子を含むｎｏｎ−Ｓｉ：Ｈ，Ｆにより構成される第２の
光導電層の２層により構成され、所望の光導電特性、特
に電荷保持特性、電荷発生特性、電荷輸送特性を有す
る。

【００３０】前記第１の光導電層に含有される炭素原子
は、該第１の光導電層中に万遍なく均一に分布した状態
で含有されても良いし、あるいは層厚方向には不均一な
分布状態で含有している部分があってもよい。

【００３１】前記第１の光導電層中の炭素原子の含有量
としては、好適には５×１０^-1〜４０原子％、より好ま
しくは１〜３０原子％、最適には１〜２０原子％とされ
るのが好ましい。

【００３２】このような範囲にすることにより暗抵抗を
増大させ、高ＳＮ比をえることができるとともに膜の密
着性をも向上させることができる。

【００３３】また、本発明において第１の光導電層に含
有される水素原子および弗素原子は、シリコン原子の未
結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電特性の向上
に効果を発揮する。

【００３４】第１の光導電層に含有される水素原子の含
有量は好適には１〜４０原子％、より好ましくは５〜３
５原子％、最適には１０〜３０原子％とされるのが好ま
しい。

【００３５】第１の光導電層に含有される弗素原子につ
いては、この光導電層に含有される炭素原子および水素
原子の凝集を抑制し、層品質の均一性の向上に効果を発
揮する。したがって、弗素原子の含有量は好適には１〜
９５原子ｐｐｍ、より好ましくは５〜８０原子ｐｐｍ、
最適には１０〜７０原子ｐｐｍとされるのが好ましい。
また、第２の光導電層には弗素原子を含有させることが
できるが、第１の光導電層中の弗素原子の含有量と第２
の光導電層中の弗素原子の含有量は異なり、第２の光導
電層中の弗素原子の含有量は０．１ｐｐｍ以上５０ｐｐ
ｍ以下とされるのが好ましい。

【００３６】さらに好ましい具体例では、前記第１の光
導電層に酸素原子を含有させることができる。この際、
酸素原子は該第１の光導電層中に万遍なく均一に分布し
た状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向には不
均一な分布状態で含有している部分があってもよい。前
記第１の光導電層に含有される酸素原子の含有量として
は６００原子ｐｐｍ以上１００００原子ｐｐｍ以下、よ
り好ましくは６００原子ｐｐｍ以上５０００原子ｐｐｍ
以下とするのが好ましい。

【００３７】続いて、本発明における第２の光導電層は
前記第１の光導電層とはその組成が異なっており、光の
照射を受けた際に、特に電荷発生特性に優れている。

【００３８】前記第２の光導電層には炭素原子、酸素原
子、窒素原子のいずれも実質的には含有されないか、あ
るいは暗抵抗の増大や膜の密着性の向上及び感度の向上
のため５×１０^-2原子％以下程度含有してもよい。

【００３９】特に、第１の光導電層に前述のごとき範囲
で炭素原子を含有せしめたときに弗素原子および酸素原
子の含有量を上記した範囲に設定することにより、光導
電特性、画像特性および耐久性が著しく向上することが
実験により確認された。

【００４０】本発明において、第１および第２の光導電
層は真空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られる
ように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定されて作
成される。具体的には、例えばグロー放電法（低周波Ｃ
ＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の
交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、ス
パッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング
法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の数々の薄膜堆積法によ
って形成することができる。これらの薄膜堆積法は、製
造条件、設備資本投投資下の負荷程度、製造規模、作成
される電子写真用光受容部材に所望される特性等の要因
によって適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有
する電子写真用光受容部材を製造するに当たっての条件
の制御が比較的容易であることからしてグロー放電法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法が好適であ
る。そしてこれらの方法を同一装置系内で併用して形成
してもよい。例えば、グロー放電法によってｎｏｎ−Ｓ
ｉＣ：Ｈ：Ｆ：Ｏ光導電層を形成するには、基本的には
シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガス
と、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガス
と、弗素原子（Ｆ）を供給し得るＦ供給用の原料ガス
と、酸素原子（Ｏ）を供給し得るＯ供給用の原料ガスと
を内部が減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導
入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あらか
じめ所定の位置に設置されてある所定の支持体表面上に
ｎｏｎ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ：Ｏからなる層を形成すればよ
い。

【００４１】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆，Ｓｉ₃Ｈ
₈，Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ₄，ＳｉＨ₂Ｈ₆好ましいものとして挙
げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要
に応じてＨＨ₂，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈
して使用してもよい。

【００４２】本発明において、炭素原子導入用の原料物
質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまた
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。

【００４３】炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得
るものとして有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを
構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、
炭素数２〜４のエチレン系炭化水素炭素数２〜３のアセ
チレン系炭化水素等が挙げられる。

【００４４】具体的には、飽和炭化水素としては、メタ
ン（ＣＨ₄）、エタン（ＣＨ₂Ｈ₆）、プロパン（Ｃ
₃Ｈ₈）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ₄Ｈ₁₀）、ペンタン（Ｃ₅Ｈ
₁₂）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ
₂Ｈ₄），プロピレン（Ｃ₃Ｈ₆），ブテン−１（Ｃ
₄Ｈ₈），ブテン−２（Ｃ₄Ｈ₈）イソブチレン（Ｃ
₄Ｈ₈），ペンテン（Ｃ₅Ｈ₁₀）、アセチレン系炭化水素
としてはアセチレン（Ｃ₂Ｈ₂），メチルアセチレン（Ｃ
₃Ｈ₄），ブチン（Ｃ₄Ｈ₆）等が挙げられる。

【００４５】また、ＳｉとＣとを構成原子とする原料ガ
スとしては、Ｓｉ（ＣＨ₃）₄，Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅）₄等のケ
イ化アルキルを挙げることができる。

【００４６】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加え
て、弗素原子の導入も行えるという点から、ＣＦ₄，Ｃ
Ｆ₃，Ｃ₂Ｆ₆，Ｃ₃Ｆ₈，Ｃ₄Ｆ₈等のフッ化炭素化合物を
挙げることができる。

【００４７】本発明において酸素原子（Ｏ）導入用のガ
スとなり得るものとして有効に使用される出発物質は、
たとえば、酸素（Ｏ₂），オゾン（Ｏ₃）一酸化窒素（Ｎ
Ｏ），二酸化窒素（ＮＯ₂），一二酸化窒素（Ｎ₂Ｏ），
三二酸化窒素（Ｎ₂Ｏ₃），四三酸化窒素（Ｎ₂Ｏ₄），五
二酸化窒素（Ｎ₂Ｏ₅）等を挙げることができる。

【００４８】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加え
て、酸素原子の導入も行えるという点から、ＣＯ，ＣＯ
₂等の化合物を挙げることができる。

【００４９】本発明において使用される弗素供給用ガス
として有効なのは、たとえば弗素ガス、弗素化物、弗素
をふくむハロゲン間化合物、弗素で置換されたシラン誘
導体等のガス状のまたはガス化し得る弗素化合物が好ま
しく挙げられる。また、さらにはシリコン原子と弗素原
子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、弗
素原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げ
ることができる。

【００５０】本発明に於て好適に使用し得る弗素化合物
としては、具体的には弗素ガス（Ｆ２）、ＢｒＦ，ＣＩ
Ｆ，ＣＩＦ₃，ＢｒＦ₃，ＢｒＦ₅，ＩＦ₃，ＩＦ₇等のハ
ロゲン間化合物を挙げることができる。

【００５１】弗素原子を含む珪素化合物、いわゆる弗素
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、
たとえばＳｉＦ₄，Ｓｉ₂Ｆ₆等のフッ化珪素が好ましい
ものとして挙げることができる。このような弗素原子を
含む珪素化合物を採用してグロー放電等によって本発明
の特徴的な電子写真用光受容部材を形成する場合には、
Ｓｉ供給用ガスとしての水素化珪素ガスを使用しなくて
も、所定の支持体上に弗素原子を含むｎｏｎ−Ｓｉ：
Ｈ：Ｘからなる光導電層を形成することができるが、形
成される光導電層中に導入される水素原子の導入割合の
制御を一層容易になるように図るために、これらのガス
に更に水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物のガス
も所望量混合して層形成することが好ましい。又、各ガ
スは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても
差し支えないものである。

【００５２】本発明においては、弗素原子供給用ガスと
して上記された弗化物あるいは弗素を含む珪素化合物が
有効なものとして使用されるものであるが、そのほか
に、ＨＦ、ＳｉＨ₃Ｆ，ＳｉＨ₂Ｆ₂，ＳｉＨＦ₃等の弗素
置換水素化珪素、等々のガス状態のあるいはガス化し得
る物質も有効な光導電層形成用の原料物質として挙げる
ことが出来る。これらの物質の内、水素原子を含む弗素
化物は、光導電層形成の際に層中に弗素原子の導入と同
時に、電気的或は光電的特性の制御にきわめて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適な弗素
原子供給用ガスとして使用される。

【００５３】水素原子を光導電層中に構造的に導入する
には上記の他にＨ₂、あるいはＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆，Ｓｉ
₃Ｈ₈，Ｓｉ₄Ｈ₁₀等の水素化珪素とＳｉを供給するため
のシリコンまたはシリコン化合物とを反応容器中に共存
させて放電を生起させることでも行うことができる。

【００５４】光導電層中に含有される水素原子および／
または弗素原子の量を制御するには、例えば支持体温
度、水素原子あるいは弗素原子を含有させるために使用
される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力等
を制御すればよい。

【００５５】さらに本発明においては、光導電層には必
要に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）を含有させるこ
とが好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層中に
万遍なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あ
るいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部
分があってもよい。

【００５６】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩ族に属する
原子（以後「第ＩＩＩ族原子」と略記する）またはｎ型
伝導特性を与える周期律表第Ｖ族に属する原子（以後
「第Ｖ族原子」と略記する）を用いることができる。

【００５７】第ＩＩＩ族原子としては、具体的には、Ｂ
（硼素），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウム）．
Ｉｎ（インジウム），Ｔｌ（タリウム）等があり、特に
Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具
体的にはＰ（燐），Ａｓ（砒素），Ｓｂ（アンチモ
ン），Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。

【００５８】光導電層に含有される伝導性を制御する原
子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜５
×１０⁴原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜１×
１０⁴原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜５×１０³原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。特に、光導電層において
炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１０³原子ｐｐｍ以下の
場合は、光導電層に含有される原子（Ｍ）の含有量とし
ては好ましくは１×１０^-3〜１×１０³原子ｐｐｍとさ
れるのが望ましく、炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１０
³原子ｐｐｍを越える場合は、原子（Ｍ）の含有量とし
ては、好ましくは１×１０^-1〜５×１０⁴原子ｐｐｍと
されるのが望ましい。

【００５９】光導電層中に、伝導性を制御する原子、た
とえば、第ＩＩＩ族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的に
導入するには、層形成の際に、第ＩＩＩ族原子導入用の
原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス状
態で反応容器中に、光導電層を形成するための他のガス
とともに導入してやればよい。第ＩＩＩ族原子導入用の
原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質となり得
るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくと
も層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用される
のが望ましい。そのような第ＩＩＩ族原子導入用の原料
物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂
Ｈ₆，Ｂ₄Ｈ₁₀，Ｂ₅Ｈ₉，Ｂ₅Ｈ₁₁，Ｂ₆Ｈ₁₀，Ｂ₆Ｈ₁₂，
Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃，ＢＣ１₃，ＢＢｒ₃等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃，
ＧａＣ₁₃，Ｇａ（ＣＨ₃）₃，ＩｎＣｌ₃，ＴｌＣｌ₃等も
挙げることができる。

【００６０】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ₃，Ｐ₂Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ，ＰＦ₃，Ｐ
Ｆ₅，ＰＣｌ₃，ＰＣｌ₅，ＰＢｒ₃，ＰＢｒ₅，ＰＩ₃等の
ハロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃，Ａｓ
Ｆ₃，ＡｓＣｌ₃，ＡｓＢｒ₃，ＡｓＦ₅，ＳｂＨ₃，Ｓｂ
Ｆ₃，ＳｂＦ₅，ＳｂＣｌ₃，ＳｂＣｌ₅，ＢｉＨ₃，Ｂｉ
Ｃｌ₃，ＢｉＢｒ₃等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有
効なものとして挙げることができる。

【００６１】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。

【００６２】さらに本発明の光受容部材の光導電層に
は、周期律表第Ｉａ族、第ＩＩａ族、第ＶＩａ族、第Ｖ
ＩＩＩａ族から選ばれる少なくとも１種の元素を含有し
てもよい。前記元素は前記光導電層中に万偏無く均一に
分布されてもよいし、あるいは該光導電層中に万遍なく
含有されてはいるが、層厚方向に対して均一に分布する
状態で含有している部分があってもよい。

【００６３】しかしながら、いずれの場合においても支
持体の表面と平行な面内方向においては、均一な分布で
万偏無く含有されていることが、面内方向における特性
の均一化を図る点からも必要である。

【００６４】第Ｉａ族原子としては、具体的には、Ｌｉ
（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、
を挙げることができ、第ＩＩａ族原子としては、Ｂｅ
（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシ
ウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等
を挙げることができる。

【００６５】また、第ＶＩａ族原子としては、具体的に
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第ＶＩＩＩａ族原子と
しては、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケ
ル）等を挙げることができる。

【００６６】本発明において、光導電層の層厚は所望の
電子写真特性が得られること及び経済的効果等の点から
適宜所望にしたがって決定され、第１の光導電層につい
ては、好ましくは１０〜４０μｍ、より好ましくは２０
〜３０μｍ、最適には１５〜２５μｍとされるのが好ま
しくこのような層厚は十分な電荷保持能を有しかつゴー
ストの発生防止に望ましい。第２の光導電層について
は、好ましくは０．０１〜３０μｍ、より好ましくは
０．１〜２０μｍ、最適には１〜１０μｍとされるのが
望ましく、このような層厚は照射された光の強度に究め
て良く対応したホトキャリアを発生させるのに有利であ
る。

【００６７】本発明の目的を達成し得る特性を有するｎ
ｏｎ−Ｓｉ：Ｈ，Ｆ、ｎｏｎ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ：Ｏから
成る光導電層を形成するには、支持体の温度、反応容器
内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定する必要があ
る。

【００６８】支持体の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたが
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好まし
くは１００〜４５０℃、より好ましくは２００〜４００
℃とするのが望ましい。

【００６９】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０^-4〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-3１Ｔｏｒｒと
するのが好ましい。

【００７０】本発明においては、前記各層を作成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファクターは
通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の
特性を有する光導電層を形成すべく相互的且つ有機的関
連性に基づいて、各層作成ファクターの最適値を決める
のが望ましい。

【００７１】本発明の光受容部材においては、第１の光
導電層と第２の光導電層との間および／または第２の光
導電層と表面層との間に、組成を連続的に変化させた層
領域を設けてもよい。該層領域を設けることにより各層
間でのキャリアの注入性を向上させることができる。

【００７２】さらに本発明の光受容部材においては、第
１の光導電層の前記支持体側に、少なくともアルミニウ
ム原子、シリコン原子、炭素原子および水素原子が層厚
方向に不均一な分布状態で含有する層領域を有すること
が望ましい。｛表面層｝本発明における表面層は、構成要素としてシリコン原子
と炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも
一種と、水素原子および／またはハロゲン原子とを含有
するｎｏｎ−Ｓｉ（Ｃ，Ｏ，Ｎ）：（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れるのが望ましい。表面層には光導電層中に含有される
ような伝導性を制御する物質はまったく含有されないか
または実質的には含有されない。

【００７３】該層に含有される炭素原子または窒素原子
または酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布されても
良いし、あるいは層厚方向には万偏なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。

【００７４】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。

【００７５】本発明における表面層の全層領域に含有さ
れる炭素原子及び／または窒素原子および／または酸素
原子は、おもに高暗抵抗化、高硬度化等の効果を奏す
る。表面層中に含有される炭素原子および／または窒素
原子および／または酸素原子の含有量は、好適には１×
１０^-3〜９０原子％、より好適には１×１０^-1〜８５原
子％、最適には１０〜８０原子％とされるのが望まし
い。

【００７６】また、本発明における表面層に含有される
水素原子および／またはハロゲン原子はｎｏｎ−Ｓｉ
（Ｃ，Ｎ，Ｏ）：（Ｈ，Ｘ）内に存在する未結合手を補
償し膜質の向上に効果を奏する。表面層中の水素原子ま
たはハロゲン原子または水素原子とハロゲン原子の和の
含有量は好適には１〜７０原子％、より好適には５〜５
０原子％、最適には１０〜３０原子％である。

【００７７】本発明において、表面層の層厚は所望の電
子写真特性が得られること、及び経済的効果等の点から
好ましくは０．００３〜３０μｍ、より好ましくは０．
０１〜２０μｍ、最適には０．１〜１０μｍとされるの
が望ましい。

【００７８】本発明においてｎｏｎ−Ｓｉ（Ｃ，Ｎ，
Ｏ）：（Ｈ，Ｘ）で構成される表面層を形成するには、
前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積法が採
用される。

【００７９】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層を形成する場合には、支持体の温度、ガス圧が前記
表面層の特性を左右する重要な要因である。支持体温度
は適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２０〜５０
０℃、より好ましくは５０〜４８０℃、最適には１００
〜４５０℃とするのが望ましい。

【００８０】反応容器内のガス圧も適宜最適範囲が選択
されるが、好ましくは１×１０^-5〜１０Ｔｏｒｒ、より
好ましくは５×１０^-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０
^-4〜１Ｔｏｒｒとするのが望ましい。

【００８１】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、これらの層作成ファクターは通
常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特
性を有する表面層を形成すべく相互的且つ有機的関連性
に基づいて各層作成ファクターの最適値を決めるのが望
ましい。｛電荷注入阻止層｝本発明の電子写真用光受容部材においては、導電性支持
体と光導電層との間に、導電性支持体側からの電荷の注
入を阻止する働きのある電荷注入阻止層を設けるのがい
っそう好ましい。すなわち、電荷注入阻止層は光受容層
が、ある極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、支
持体側光導電層側に電荷が注入されるのを素子する機能
を有し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのような
機能は発揮されないいわゆる極性依存性を有している。
そのような機能を付与するために、電荷注入阻止層には
一方の伝導型を与える伝導性を制御する物質を比較的多
く含有させる。

【００８２】該層に含有される伝導性を制御する物質
は、該層中に万偏なく均一に分布されても良いし、ある
いは層厚方向には万偏なく含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があってもよい。分
布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するよ
うに含有されるのが好適である。

【００８３】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。

【００８４】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する物質としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第ＩＩＩ族に属する原子（第ＩＩＩ族原子）またはｎ型
伝導特性を与える周期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ族
原子）を用いることができる。

【００８５】第ＩＩＩ族原子としては、具体的には、Ｂ
（ほう素），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウ
ム），Ｉｎ（インジウム），Ｔｌ（タリウム）等があ
り、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖ族原子とし
ては、具体的にはＰ（リン），Ａｓ（ヒ素），Ｓｂ（ア
ンチモン），Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，Ａｓ
が好適である。

【００８６】本発明において電荷注入阻止層中に含有さ
れる伝導性を制御する物質（Ｍ）の含有量としては、本
発明の目的が効果的に達成できるように所望にしたがっ
て適宜決定されるが、好ましくは３０〜５×１０⁴原子
ｐｐｍ、より好適には５０〜１×１０⁴原子ｐｐｍ、最
適には１×１０²〜５×１０³原子ｐｐｍとされるのが望
ましい。

【００８７】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられ
る他の層との間の密着性の向上をより一層図ることがで
きる。

【００８８】該層に含有される炭素原子または窒素原子
または酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布されても
良いし、あるいは層厚方向には万偏なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行面方向においては、均一な分布で万偏なく含有
されることが面内方向における特性の均一化をはかる点
からも必要である。

【００８９】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子及び／または窒素原子及び／また
は酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成さ
れるように適宜決定されるが、一種の場合はその量とし
て、二種以上の場合はその総和として、好ましくは１×
１０^-3〜９０原子％、より好ましくは５×１０^-3〜８０
原子％、最適には１×１０^-2〜５０原子％とされるのが
望ましい。

【００９０】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子および／またはハロゲン原子は層内に
存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。
電荷注入阻止層中に水素原子またはハロゲン原子または
水素原子とハロゲン原子の和の含有量は好適には１〜７
０原子％、より好適には５〜５０原子％、最適には１０
〜３０原子％である。

【００９１】本発明において、電荷注入阻止層の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等
の点から好ましくは０．０１〜１０μｍ、より好ましく
は０．０５〜７μｍ、最適には０．１〜５μｍとされる
のが望ましい。

【００９２】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。

【００９３】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層を形成する場合には、支持体の温度、ガス
圧が前記表面層の特性を左右する重要な要因である。支
持体温度は適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２
０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８０℃、最適に
は１００〜４５０℃とするのが望ましい。

【００９４】反応容器内のガス圧も適宜最適範囲が選択
されるが、好ましくは１×１０^-5〜１０Ｔｏｒｒ、より
好ましくは５×１０^-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０
^-4〜１Ｔｏｒｒとするのが望ましい。

【００９５】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲とし
て前記した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファク
ターは通常は独立的に別々に決められるものではなく、
所望の特性を有する表面層を形成すべく相互的且つ有機
的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値を決め
るのが望ましい。

【００９６】以下、高周波プラズマＣＶＤ法およびマイ
クロ波プラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成するため
の装置及び形成方法について詳述する。

【００９７】図３は高周波プラズマＣＶＤ（以下「ＲＦ
−ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写真用光受容部
材の製造装置の一例を示す模式的な構成図、図４はマイ
クロ波プラズマＣＶＤ（以下「μＷ−ＰＣＶＤ」と表記
する）法によって電子写真用光受容部材用の堆積膜を形
成するための堆積膜形成装置の一例を示す模式的な構成
図、図６はμＷ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部
材の製造装置の説明図である。

【００９８】図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積膜
の製造装置の構成は以下の通りである。この装置は大別
すると、堆積装置（３１００）、原料ガスの供給装置
（３２００）、反応容器（３１１１）内を減圧するため
の排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置
（３１００）中の反応容器（３１１１）内には円筒状支
持体（３１１２）、支持体加熱用ヒーター（３１１
３）、原料ガス導入管（３１１４）が設置され、更に高
周波マッチングボックス（３１１５）が接続されてい
る。

【００９９】原料ガス供給装置（３２００）は、ＳｉＨ
₄，ＧｅＨ₄，Ｈ₂，ＣＨ₄，Ｂ₂Ｈ₆およびＰＨ₃等の原料
ガスのボンベ（３２２１〜３２２６）とバルブ（３２３
１〜３２３６，３２４１〜３２４６，３２５１〜３２５
６）およびマスフローコントローラ（３２１１〜３２１
６）から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（３２
６０）を介して反応容器（３１１１）内のガス導入管
（３１１４）に接続されている。

【０１００】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。

【０１０１】まず、反応容器（３１１１）内に円筒状支
持体（３１１２）を設置し、不図示の排気装置（例えば
真空ポンプ）により反応容器（３１１１）内を排気す
る。続いて、支持体加熱用ヒーター（３１１３）により
円筒状支持体（３１１２）の温度を２０℃乃至５００℃
の所定の温度に制御する。

【０１０２】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（３１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（３２３
１〜３２３６）、反応容器のリークバルブ（３１１７）
が閉じられていることを確認し、又、流入バルブ（３２
４１〜３２４６）、流出バルブ（３２５１〜３２５
６）、補助バルブ（３２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（３１１８）を開いて反応容
器（３１１１）およびガス配管内（３１１６）を排気す
る。

【０１０３】次に真空計（３１１９）の読みが約５×１
０^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ（３２６０）、
流出バルブ（３２５１〜３２５６）を閉じる。

【０１０４】その後、ガスボンベ（３２２１〜３２２
６）より各ガスをバルブ（３２３１〜３２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（３２６１〜３２６６）により各
ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ²に調整する。次に、流入バルブ
（３２４１〜３２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（３２１１〜３２１６）内に導入
する。

【０１０５】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状支持体（３１１２）上に電荷注入阻止層、光
導電層、表面層の各層の形成を行う。

【０１０６】円筒状支持体（３１１２）が所定の温度に
なったところで流出バルブ（３２５１〜３２５６）のう
ちの必要なものおよび補助バルブ（３２６０）を徐々に
開き、ガスボンベ（３２２１〜３２２６）から所定のガ
スをガス導入管（３１１４）を介して反応容器（３１１
１）内に導入する。次にマスフローコントローラー（３
２１１〜３２１６）によって各原料ガスが所定の流量に
なるように調整する。その際、反応容器（３１１１）内
の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空
計（３１１９）を見ながらメインバルブ（３１１８）の
開口を調整する。内圧が安定したところで、ＲＦ電源
（不図示）を所望の電力に設定して、高周波のマッチン
グボックス（３１１５）を通じて反応容器（３１１１）
内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起させる。
この放電エネルギーによって反応容器内に導入された原
料ガスが分解され、円筒状支持体（３１１２）上に所定
のシリコンを主成分とする堆積膜が形成されるところと
なる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給
を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を
止め、堆積膜の形成を終える。

【０１０７】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【０１０８】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器（３１１
１）内、流出バルブ（３２５１〜３２５６）から反応容
器（３１１１）に至る配管内に至る配管内に残留するこ
とを避けるために、流出バルブ（３２５１〜３２５６）
を閉じ、補助バルブ（３２６０）を開き、さらにメイン
バルブ（３１１８）を全開にして系内を一旦高真空に排
気する操作を必要に応じて行う。

【０１０９】また、膜形成の均一化を図る場合は、膜形
成を行なっている間は、円筒状支持体（３１１２）を駆
動装置（不図示）によって所定の速度で回転させる。

【０１１０】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うま
でもない。

【０１１１】堆積膜形成時の支持体温度はいずれの温度
でも有効だが、特に２０℃以上５００℃以下、好ましく
は５０℃以上４８０℃以下、より好ましくは１００℃以
上４５０℃以下が良好な効果を示すため好ましい。

【０１１２】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手
段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。

【０１１３】また、それ以外にも、反応容器以外に加熱
専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で
支持体を搬送する等の方法が用いられる。

【０１１４】次に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によっ
て形成される電子写真用光受容部材の製造方法について
説明する。

【０１１５】図３に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣ
ＶＤ法による堆積装置（３１００）を図４及び図５に示
す堆積装置（４１００）に交換して原料ガス供給装置
（３２００）と接続することにより、図６に示すμＷプ
ラズマＣＶＤ法による以下の構成の電子写真用光受容部
材製造装置を得ることができる。

【０１１６】この装置は、真空気密化構造を成した減圧
にし得る反応容器（４１１１）、原料ガスの供給装置
（３２００）、および反応容器内を減圧にするための排
気装置（不図示）から構成されている。反応容器（４１
１１）内にはマイクロ波電力を反応容器内に効率よく透
過し、かつ、真空気密を保持し得るような材料（例えば
石英ガラス、アルミナセラミックス等）で形成されたマ
イクロ波導入窓（４１１２）、スタブチューナー（図示
せず）およびアイソレーター（図示せず）を介してマイ
クロ波電源（図示せず）に接続されているマイクロ波の
導波管（４１１３）、堆積膜を形成すべき円筒状支持体
（４１１５）、支持体加熱用ヒーター（４１１６）、原
料ガス導入管（４１１７）、プラズマ電位を制御するた
めの外部電気バイアスを与えるための電極（４１１８）
が設置されており、反応容器（４１１１）内は排気管
（４１２１）を通じて不図示の拡散ポンプに接続されて
いる。原料ガス供給装置（３２００）は、ＳｉＨ₄，Ｇ
ｅＨ₄，Ｈ₂，ＣＨ₄，Ｂ ₂Ｈ₆およびＰＨ₃等の原料ガスの
ボンベ（３２２１〜３２２６）とバルブ（３２３１〜３
２３６，３２４１〜３２４６，３２５１〜３２５６）お
よびマスフローコントローラー（３２１１〜３２１６）
から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（３２６
０）を介して反応容器内のガス導入管（４１１７）に接
続されている。また、円筒状支持体（４１１５）によっ
て取り囲まれた空間（４１３０）が放電空間を形成して
いる。

【０１１７】マイクロ波プラズマＣＶＤ法によるこの装
置での堆積膜の形成は、以下のように行うことができ
る。

【０１１８】まず、反応容器（４１１１）内に円筒状支
持体（４１１５）を設置し、駆動装置（４１２０）によ
って支持体（４１１５）を回転し、不図示の排気装置
（例えば真空ポンプ）により反応容器（４１１１）内を
排気管（４１２１）を介して排気し、反応容器（４１１
１）内の圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に調整する。続
いて、支持体加熱用ヒーター（４１１６）により円筒状
支持体（４１１５）の温度を２０℃乃至５００℃の所定
の温度に加熱保持する。

【０１１９】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（４１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（３２３
１〜３２３６）、反応容器のリークバルブ（不図示）が
閉じられていることを確認し、又、流入バルブ（３２４
１〜３２４６）、流出バルブ（３２５１〜３２５６）、
補助バルブ（３２６０）が開かれていることを確認し
て、まずメインバルブ（不図示）を開いて反応容器（４
１１１）およびガス配管（４１２２）内を排気する。次
に真空計（不図示）の読みが約５×１０^-6Ｔｏｒｒにな
った時点で補助バルブ（３２６０）、流出バルブ（３２
５１〜３２５６）を閉じる。

【０１２０】その後、ガスボンベ（３２２１〜３２２
６）より各ガスをバルブ（３２３１〜３２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（３２６１〜３２６６）により各
ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ²に調整する、次に、流入バルブ
（３２４１〜３２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（３２１１〜３２１６）内に導入
する。

【０１２１】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状支持体（４１１５）上に電荷注入阻止層、光
導電層、表面層の各層の形成を行う。

【０１２２】円筒状支持体（４１１５）が所定の温度に
なったところで流出バルブ（３２５１〜３２５６）のう
ちの必要なものおよび補助バルブ（３２６０）を徐々に
開き、ガスボンベ（３２２１〜３２２６）から所定のガ
スをガス導入管（４１１７）を介して反応容器（４１１
１）内の放電空間（４１３０）に導入する。次にマスフ
ローコントローラー（３２１１〜３２１６）によって各
原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、
放電空間（４１３０）内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定
の圧力になるように真空計（不図示）を見ながらメイン
バルブ（不図示）の開口を調整する。圧力が安定した
後、マイクロ波電源（不図示）により周波数５００ＭＨ
ｚ以上の、好ましくは２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発
生させ、マイクロ波電源（不図示）を所望の電力に設定
し、導波管（４１１３）、マイクロ波導入窓（４１１
２）を介して放電空間（４１３０）にμＷエネルギーを
導入して、μＷグロー放電を生起させる。それと同時併
行的に、電源（４１１９）から電極（４１１８）に例え
ば直流等の電気バイアスを印加する。かくして支持体
（４１１５）により取り囲まれた放電空間（４１３０）
において、導入された原料ガスは、マイクロ波のエネル
ギーにより励起されて解離し、円筒状支持体（４１１
５）上に所定の堆積膜が形成される。この時、膜形成の
均一化を図るため支持体回転用モーター（４１２０）に
よって、所望の回転速度で回転させる。

【０１２３】所望の膜厚の形成が行われた後、μＷ電力
の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの
流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【０１２４】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【０１２５】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器（４１１
１）内、流出バルブ（３２５１〜３２５６）から反応容
器（４１１１）に至る配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ（３２５１〜３２５６）を閉じ、補助
バルブ（３２６０）を開き、さらにメインバルブ（不図
示）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行う。

【０１２６】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うま
でもない。

【０１２７】堆積膜形成時の支持体温度はいずれの温度
でも有効だが、特に２０℃以上５００℃以下、好ましく
は５０℃以上４８０℃以下、より好ましくは１００℃以
上４５０℃以下が良好な効果を示すため好ましい。

【０１２８】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手
段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。

【０１２９】また、それ以外にも、反応容器以外に加熱
専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で
支持体を搬送する等の方法が用いられる。

【０１３０】μＷ−ＰＣＶＤ法においては、放電空間内
の圧力としては、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上１００ｍ
Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上５０ｍ
Ｔｏｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以上３０ｍ
Ｔｏｒｒ以下に設定することが望ましい。

【０１３１】放電空間外の圧力は、放電空間内の圧力よ
りも低ければよいが、放電空間内の圧力が１００ｍＴｏ
ｒｒ以下では、又、特に顕著には５０ｍＴｏｒｒ以下で
は、放電空間内の圧力が放電空間外の圧力の３倍以上の
時、特に堆積膜特性向上の効果が大きい。

【０１３２】マイクロ波の反応炉までの導入方法として
は導波管による方法が挙げられ、反応炉内への導入は、
１つまたは複数の誘電体窓から導入する方法が挙げられ
る。この時、炉内へのマイクロ波の導入窓の材質として
はアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化
珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ₂）、酸化ベリリウ
ム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン等マイクロ波の
損失の少ない材料が通常使用される。

【０１３３】電極と支持体間に発生させる電界は直流電
界が好ましく、又、電界の向きは電極からの支持体に向
けるのがより好ましい。電界を発生させるために電極に
印加する直流電圧の平均の大きさは、１５Ｖ以上３００
Ｖ以下、好ましくは３０Ｖ以上２００Ｖ以下が適する。
直流電圧波形としては、特に制限はなく、種々の波形の
ものが本発明では有効である。つまり、時間によって電
圧の向きが変化しなければいずれの場合でもよく、例え
ば、時間に対して大きさの変化しない定電圧はもちろ
ん、パルス状の電圧、及び整流機により整流された時間
によって大きさが変化する脈動電圧でもは有効である。

【０１３４】また、交流電圧を印加することも有効であ
る。交流の周波数は、いずれの周波数でも問題はなく、
実用的には低周波では５０Ｈｚまたは６０Ｈｚ、高周波
では１３．５６ＭＨｚが適する。交流の波形としてはサ
イン波でも矩形波でも、他のいずれの波形でもよいが、
実用的には、サイン波が適する。但し、この時電圧は、
いずれの場合も実効値を言う。

【０１３５】電極の大きさ及び形状は、放電を乱さない
ならばいずれのものでも良いが、実用上は直径１ｍｍ以
上５ｃｍ以下の円筒状の形状が好ましい。この時、電極
の長さも、支持体に電界が均一にかかる長さであれば任
意に設定できる。

【０１３６】電極の材質としては。表面が導電性となる
ものならばいずれものでも良く、例えば、ステンレス、
Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔ
ｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、これらの合金または表
面を導電処理したガラス、セラミック、プラスチック等
が通常使用される。

【０１３７】以下、本発明の実施例に従って説明する。

【０１３８】実施例１図３に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上
に、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電
法により第１表（Ａ）の作製条件で電子写真用光受容部
材を作製した。この時、ＳｉＦ₄（Ｈ₂で１００ｐｐｍ又
は１％に希釈）の流量を第１表（Ｂ）に示す様に変える
ことにより、第１の光導電層の組成を種々変えて数種類
の電子写真用光受容部材を作製した。

【０１３９】

【表１】

【０１４０】

【表２】

【０１４１】本実施例において作製したサンプルＮｏ．
１−１１の電子写真用光受容部材をキヤノン製複写機Ｎ
Ｐ−８５５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し
て、初期画像における「ポチ」、「ガサツキ」、「ゴー
スト」等の電子写真特性を評価し、また、温度２３℃、
湿度６０％の環境下でプロセススピード４８３ｍｍ／ｓ
ｅｃにてＡ４紙２００万枚連続通紙にて画像形成を繰り
返す耐久試験後のポチ、ガサツキ、ゴーストについて調
べた。その結果を第２表に示す。

【０１４２】第２表に示す第１の光導電層中の弗素原子
の含有量（ａｔｍｉｃｐｐｍ）は、ＳＩＭＳによる元
素分析を行なった結果を示した。

【０１４３】

【表３】

【０１４４】第２表において、ポチは直径０．２ｍｍ以
下のものについて、ガサツキに関しては、直径０．０５
ｍｍの円形の領域を１単位として１００点の画像濃度を
測定し、その画像濃度のばらつきを評価した。それぞれ
について、◎は「特に良好」、○は「良好」、△は「実
用上問題無し」、×は「実用上問題有り」を表わしてい
る。

【０１４５】第２表にみられるように、第１の光導電層
の弗素の含有量を１乃至９５原子ｐｐｍの範囲にするこ
とにより全項目について良好な結果が得られることがわ
かった。

【０１４６】実施例２図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、さきに詳述した手順にしたがって
第３表（Ａ）の作製条件で、鏡面加工を施した直径１０
８ｍｍのアルミシリンダー上に電子写真用光受容部材の
光受容層を形成した。この際第１の光導電層を作製した
時に用いたＳｉＦ₄ガス（Ｈｅで１００ｐｐｍ又は１％
に希釈）は第３表（Ｂ）のとおり変化させた。

【０１４７】本実施例で作製したサンプルＮｏ．１２−
１９の電子写真用光受容部材に関して実施例１と同様の
テストを行なったところ、第３表（Ｃ）に示す結果が得
られた。表中の弗素含有量は、ＳＩＭＳによる元素分析
を行なった結果である。

【０１４８】

【表４】

【０１４９】

【表５】

【０１５０】

【表６】

【０１５１】実施例３図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第４表（Ａ）及び（Ｂ）に示す作
製条件で、実施例１と同様に電子写真用光受容部材を作
製し、同様の評価を行なったところ、実施例１と同様に
良好な結果であった。これらの結果を第４表（Ｃ）に示
す。尚、第４表（Ｃ）中の弗素含有量は、ＳＩＭＳによ
る元素分析によって得た値である。

【０１５２】

【表７】

【０１５３】

【表８】

【０１５４】

【表９】

【０１５５】実施例４図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第５表に示す作製条件で、実施例
１と同様に電子写真用光受容部材を作製し、同様の評価
を行なったところ、実施例１と同様に良好な結果であっ
た。

【０１５６】

【表１０】

【０１５７】実施例５図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第６表に示す作製条件で、実施例
１と同様に電子写真用光受容部材を作製し、同様の評価
を行なったところ、実施例１と同様に良好な結果であっ
た。

【０１５８】

【表１１】

【０１５９】実施例６図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第７表に示す作製条件で、実施例
１と同様に電子写真用光受容部材を作製し、同様の評価
を行なったところ、実施例１と同様に良好な結果であっ
た。

【０１６０】

【表１２】

【０１６１】実施例７図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第８表に示す作製条件で、実施例
１と同様に電子写真用光受容部材を作製し、同様の評価
を行なったところ、実施例１と同様に良好な結果であっ
た。

【０１６２】

【表１３】

【０１６３】実施例８図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第９表（Ａ）及び（Ｂ）に示す作
製条件で、実施例１と同様に電子写真用光受容部材を作
製し、同様の評価を行なったところ、実施例１と同様に
良好な結果であった。これらの結果を第９表（Ｃ）に示
す。尚、第９表（Ｃ）中の弗素含有量は、ＳＩＭＳによ
る元素分析によって得た値である。

【０１６４】

【表１４】

【０１６５】

【表１５】

【０１６６】

【表１６】

【０１６７】実施例９図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第１０表に示す作製条件で、実施
例１と同様に電子写真用光受容部材を作製し、同様の評
価を行なったところ、実施例１と同様に良好な結果であ
った。

【０１６８】

【表１７】

【０１６９】実施例１０図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第１１表に示す作製条件で、実施
例１と同様に電子写真用光受容部材を作製し、同様の評
価を行なったところ、実施例１と同様に良好な結果であ
った。

【０１７０】

【表１８】

【０１７１】実施例１１図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第１２表に示す作製条件で、実施
例１と同様に電子写真用光受容部材を作製し、同様の評
価を行なったところ、実施例１と同様に良好な結果であ
った。

【０１７２】

【表１９】

【０１７３】実施例１２図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、さきに詳述した
手順に従って第１３表の作製条件で、鏡面加工を施した
直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に光受容層を形成
し、電子写真用光受容部材を作製した。

【０１７４】

【表２０】

【０１７５】実施例１と同様の評価を行なったところ良
好な結果が得られた。また、実施例１２で作製した電子
写真用光受容部材をＳＩＭＳによる元素分析を行なった
結果、第１の光導電層中の弗素の含有量は４００ｐｐｍ
であった。

【０１７６】実施例１３図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、第１４表に示す
作製条件で、実施例１２と同様に電子写真用光受容部材
を作製し、実施例１と同様の評価を行なったところ、実
施例１と同様に良好な結果が得られた。

【０１７７】

【表２１】

【０１７８】実施例１４図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、第１５表に示す
作製条件で、実施例１２と同様に電子写真用光受容部材
を作製し、実施例１と同様の評価を行なったところ、実
施例１と同様に良好な結果が得られた。

【０１７９】

【表２２】

【０１８０】実施例１５図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、第１６表に示す
作製条件で、実施例１２と同様に電子写真用光受容部材
を作製し、実施例１と同様の評価を行なったところ、実
施例１と同様に良好な結果が得られた。

【０１８１】

【表２３】

【０１８２】実施例１６図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、第１７表に示す
作製条件で、実施例１２と同様に電子写真用光受容部材
を作製し、実施例１と同様の評価を行なったところ、実
施例１と同様に良好な結果が得られた。

【０１８３】

【表２４】

【０１８４】実施例１７図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、第１８表に示す
作製条件で、実施例１２と同様に電子写真用光受容部材
を作製し、実施例１と同様の評価を行なったところ、実
施例１と同様に良好な結果が得られた。

【０１８５】

【表２５】

【０１８６】実施例１８図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、第１９表に示す
作製条件で、実施例１２と同様に電子写真用光受容部材
を作製し、実施例１と同様の評価を行なったところ、実
施例１と同様に良好な結果が得られた。

【０１８７】

【表２６】

【０１８８】本発明の電子写真用光受容部材を前述のご
とき特定の層構成としたことにより、Ａ−Ｓｉで構成さ
れた従来の電子写真用光受容部材における諸問題をすべ
て解決することができ、特にきわめて優れた電気的特
性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性および
使用環境特性を示す。

【０１８９】特に本発明においては、光導電層を導電性
支持体側からｎｏｎ−ＳｉＣ、ｎｏｎ−Ｓｉの２層構成
とすることによって電荷（フォトキャリア）の発生と該
発生した電荷の輸送という電子写真用光受容部材にとっ
ての重要な機能を各々別々の層に持たせることによっ
て、一つの層で全ての機能を持たせるより層設計の自由
度が大きく、特性の優れたものができる。また、光導電
層に炭素が含有されていることにより、光受容層の誘電
率を小さくすることができるために、層厚当りの静電容
量を減少させることができて高い帯電能と光感度におい
て著しい改善がみられ、さらに高電圧に対する耐圧性も
向上し耐久性も向上する。そして、炭素を含む光導電層
を支持体側に設置することにより、支持体と光導電層と
の密着性が向上し、膜の剥離や微少な欠陥の発生を抑制
することができて生産性における歩留まりを向上させる
ことができる。

【０１９０】さらに加えて、本発明においては、少なく
ともｎｏｎ−ＳｉＣ光導電層中に弗素原子（Ｆ）を微量
（１原子ｐｐｍ以上９５原子ｐｐｍ以下）含有させるこ
とによってシリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）等の
未結合手を補償するとともに、特に炭素原子とともに水
素原子を含有させた場合、炭素原子および／または水素
原子の凝集を抑制することにより、組織構造的により安
定な状態を得ることができるため、堆積膜内部の歪みを
是正することができて、その結果、「ポチ」や「ガサツ
キ」等の画像特性が改善され、「ハーフトーン」が鮮明
にでて、且つ解像力の高い、高品質の画像を安定して繰
り返し得ることができるという特徴を有する。

【０１９１】実施例１９図３に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上
に、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電
法により第２０表の作製条件で電子写真用光受容部材を
作製した。本実施例では、第一の光導電層中の酸素含有
量および弗素含有量を変化させるように、第一の光導電
層の形成時に導入するＣＯ₂（Ｈｅにより５０００ｐｐ
ｍ又は５％に希釈）および／またはＳｉＦ₄（Ｈ₂により
１００ｐｐｍ又は１％に希釈）の流量を変化させた。そ
して第１の光導電層中の酸素含有量および弗素含有量
は、ＳＩＭＳ（ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ−３Ｆ）による元
素分析で行なった。

【０１９２】

【表２７】

【０１９３】測定（Ｉ）作製した電子写真用光受容部材をキヤノン製複写機ＮＰ
−８５５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、
耐久試験を行なう前の電位シフト量、感度、白ポチ、ガ
サツキ、ゴースト等の電子写真特性および、電子写真用
光受容部材表面の球状突起の発生数について評価を行な
った。各項目は、以下の方法で評価した。

【０１９４】球状突起の数の測定作製した電子写真用光受容部材の表面全域を光学顕微鏡
で観察し、１００ｃｍ²の面積内での直径２０μｍ以上
の球状突起の個数を調べ、第１の光導電層においてＣＯ
₂、ＳｉＦ₄のいずれも使用せずに作製した電子写真用光
受容部材の球状突起の個数を同様の方法で調べた結果を
１００として相対評価を行なった。

【０１９５】その結果を第２０表（Ｂ）に示す。

【０１９６】第２０表（Ｂ）において ◎は６０（％）未満：画像として適 ○は８０〜６０（％）：画像として適 △は１００〜８０（％）：画像として不適をそれぞれ表す。

【０１９７】

【表２８】

【０１９８】感度・電位シフトの測定感度：電子写真用光受容部材を、４００ｖの暗部表面電
位に帯電させた後、直ちに光像を照射した。光像はキセ
ノンランプ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎｍ
以下の波長域の光を除いた光を照射した。この時表面電
位計により電子写真用光受容部材の明部表面電位を測定
し、明部表面電位が５０ｖの電位になるよう露光量を調
整して、この時の露光量をもって感度とした。

【０１９９】電位シフト：電子写真用光受容部材を、実
験装置に設置し、帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印加して
コロナ帯電を行ない、表面電位計により電子写真用光受
容部材の暗部表面電位を測定した。この時帯電器に電圧
を印加し始めた時の暗部表面電位をＶｄ０、２分経過後
の暗部表面電位をＶｄとし、Ｖｄ０とＶｄとの差をもっ
て電位シフト量とした。

【０２００】感度および電位シフトのそれぞれについ
て、第一の光導電層中の弗素含有量を５０原子ｐｐｍと
して、第一の光導電層中の酸素含有量を変化させ、第１
の光導電層においてＣＯ₂、ＳｉＦ₄のいずれも用いずに
作製した電子写真用光受容部材の感度および、電位シフ
ト量に対する相対評価を行なった。

【０２０１】すなわち、ＣＯ₂、ＳｉＦ₄のいずれも用い
ずに作成した電子写真用光受容部材の感度を（Ａ）、電
位シフト量を（Ａ）とし、第一の光導電層中の弗素含有
量を５０原子ｐｐｍ一定として酸素含有量を変化させた
ときの感度、電位シフト量を各々（Ｃ）、（Ｄ）として

【０２０２】

【外１】

【０２０３】を酸素含有量に対してそれぞれプロットし
た。

【０２０４】その結果を図７および図８に示す。ここで
は数値が小さい方が感度、電位シフトが優れており、第
１の光導電層中の酸素含有量が６００原子ｐｐｍから１
００００原子ｐｐｍの範囲において感度および電位シフ
トが良好な値を示すことがわかった。

【０２０５】また、感度、電位シフトのいずれも、第一
の光導電層中の弗素含有量を９５原子ｐｐｍ以下の範囲
で変化させても、まったく同様の結果が得られた。一方
弗素含有量が９５原子ｐｐｍを越えると感度が低下して
くることがわかった。

【０２０６】測定（ＩＩ）：耐久使用後のテスト作製した数電子写真用光受容部材をキヤノン製複写機Ｎ
Ｐ−８５５０を実験用に改造した電子写真装置に設置
し、２５０万枚の耐久試験を行なった。具体的には、該
電子写真装置の原稿台にキヤノン製テストチャート（部
品番号：ＴＣ−１）を置き、Ｎ／Ｎ環境（温度２３℃、
湿度６０％）下でプロセススピード４８４ｍｍ／ｓｅｃ
にてＡ４紙（キヤノンペーパー：ＮＰ−ＤＲＹ）に２５
０万回連続して画像形成を行なった。

【０２０７】そして、感度と電位シフトの電子写真特性
の評価を行なった。

【０２０８】感度・電位シフトの測定測定（Ｉ）と同様
に感度および電位シフト量を測定し、耐久前後でのそれ
ぞれの変化の割合を調べた。すなわち、

【０２０９】

【外２】その結果を図８および図９に示す。

【０２１０】図９および図１０においては第一の光導電
層中の弗素含有量を５０原子ｐｐｍで一定とし、第一の
光導電層中の酸素含有量を変化させたときの結果を示し
た。図８および図９より、第１の光導電層中の酸素含有
量が６００原子ｐｐｍから１００００原子ｐｐｍの範囲
において、連続使用による感度および電位シフトの変化
が少ないことがわかった。

【０２１１】また、感度、電位シフトのいずれも、第一
の光導電層中の弗素含有量を９５原子ｐｐｍ以下の範囲
で変化させても、まったく上記と同様の結果が得られ
た。一方、弗素含有量が９５原子ｐｐｍを越えると感度
の変化が大きくなることがわかった。

【０２１２】第２表〜第８表および図７〜図１０の結果
から、第一の光導電層中の弗素含有量を１乃至９５原子
ｐｐｍ、並びに酸素含有量を６００乃至１００００原子
ｐｐｍの範囲に設定することが表面電位特性、画像特性
および耐久性に関して非常に効果的であることが実験的
に明らかになった。

【０２１３】さらに、クリーニングブレードおよび分離
爪を、加速耐久中２０万枚毎にそれぞれ顕微鏡観察した
ところ、本発明の電子写真用光受容部材においては、ク
リーニングブレードへのダメージが極めて少なく、分離
爪の摩耗は非常に少ないということがわかった。

【０２１４】また、耐久後にポチが増加したものについ
てその原因を調べたところ、次の２つが原因であること
がわかった。

【０２１５】１．クリーニングブレード、転写紙等と
の摺擦よって球状突起が欠落する。

【０２１６】２．転写紙の紙扮が分離帯電器に堆積
し、分離帯電器が異常放電を起こし、光受容部材の一箇
所に電位が集中して、膜の絶縁破壊を誘発する。

【０２１７】しかしながら、本発明の電子写真用光受容
部材においては、上記の２つの現象ともまったく発生し
ていなかった。

【０２１８】さらに、再生紙を使い本実施例の測定（Ｉ
Ｉ）と同様に２５０万枚の耐久試験を行なったところ、
本発明の電子写真用光受容部材においては「白ポチ」の
増加はみられなかった。

【０２１９】又、耐久使用後の「白ポチ」発生、「ガサ
ツキ」発生及び「ゴースト」発生に関しても、実施例１
と同様の方法で測定したところ、実施例１と同様に第１
光導電層中に含有した弗素原子の含有量をシリコン原子
に対して０．５ａｔｍｉｃｐｐｍ〜９５ａｔｍｉｃｐ
ｐｍの範囲とした時のみに顕著な改善が見られるのが判
った。

【０２２０】実施例２０図３に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上
に、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電
法により第２１表の作製条件で電子写真用光受容部材を
作製した。本実験では、表面層に含有される水素原子量
および弗素原子量を変化させるように、表面層形成時に
導入するパワー、Ｈ₂および／またはＳｉＦ₄流量を変化
させた。

【０２２１】作製した電子写真用光受容部材を実施例１
９と同様にキヤノン製複写機ＮＰ−８５５０を実験用に
改造した電子写真装置に設置して、以下に示す方法で残
留電位・感度・画像流れの３項目について評価を行なっ
た。

【０２２２】

【表２９】

【０２２３】残留電位：電子写真用光受容部材を、４０
０ｖの暗部表面電位に帯電させ、０．２ｓｅｃ後に光像
を照射した。光像にキセノンランプ光源を用い、フィル
ターを用い５５０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を
１．５１ｌｕｘ・ｓｅｃの光量で照射した。この時表面
電位計により電子写真用光受容部材の明部表面電位を測
定する。その結果を第２２表に示す。同表において、 ◎は特に良好 ○は良好 △は実用上問題なしをそれぞれ示している。

【０２２４】

【表３０】

【０２２５】感度：電子写真用光受容部材を、４００ｖ
の暗部表面電位に帯電させた。そして直ちに光像を照射
した。光像はキセノンランプ光源を用い、フィルターを
用いて５５０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を照射し
た。この時表面電位計により電子写真用光受容部材の明
部表面電位を測定する。明部表面電位が５０ｖの電位に
なるよう露光量を調整して、この時の露光量をもって感
度とした。その結果を第１０表に示す。表において、 ◎は特に良好 ○は良好 △は実用上問題なしをそれぞれ示している。

【０２２６】画像流れ：白地に全面文字よりなるキヤノ
ン製テストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０５８）を
原稿台に置き、１．５ｌｕｘ・ｓｅｃの光照射を行な
い、コピーを取った。得られたコピー画像を観察し、画
像上の細線が途切れずにつながっているか評価した。但
しこの時画像上でむらがある時は、全画像領域で評価し
一番悪い部分の結果を示した。その結果を第２２表に示
す。同表において、 ◎は良好 ○は一部途切れあり △は途切れは多いが文字として認識でき、実用上問題な
いをそれぞれ示している。

【０２２７】第２２表より明らかなように、表面層中
の、水素含有量と弗素含有量の和を３０乃至７０原子％
とし、かつ弗素の含有量を２０原子％以下の範囲とする
ことによって、残留電位、感度のいずれも良好な結果が
得られ、さらに強露光での画像流れが大幅に抑制できる
ことがわかった。

【０２２８】実施例２１図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、さきに詳述した手順にしたがって
第２３表（Ａ）と（Ｂ）に示す作製条件で、鏡面加工を
施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に光受容層
を形成し、にサンプルＮｏ．３６〜４４の電子写真用光
受容部材を作製した。サンプルＮｏ．３６〜４４に関
し、実施例１９と同様の方法で「球状突起」発生の測定
を行なった。これらの結果を第２３表（Ｃ）に示す。

【０２２９】

【表３１】

【０２３０】

【表３２】

【０２３１】

【表３３】

【０２３２】実施例２２図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第２４表（Ａ）と（Ｂ）に示す作
製条件で、実施例２１と同様に電子写真用光受容部材を
作製し、同様の評価を行なったところ、実施例２１と同
様に良好な結果であった。この結果を第２４表（Ｃ）に
示す。

【０２３３】

【表３４】

【０２３４】

【表３５】

【０２３５】

【表３６】

【０２３６】実施例２３図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第２５表に示す作製条件で、実施
例２１と同様に電子写真用光受容部材を作製し、同様の
評価を行なったところ、実施例２１と同様に良好な結果
であった。

【０２３７】

【表３７】

【０２３８】実施例２４図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第２６表（Ａ）と（Ｂ）に示す作
製条件で、実施例２１と同様に電子写真用光受容部材を
作製し、同様の評価を行なったところ、実施例２１と同
様に良好な結果であった。この結果を第２６表（Ｃ）に
示す。

【０２３９】

【表３８】

【０２４０】

【表３９】

【０２４１】

【表４０】

【０２４２】実施例２５図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第２７表に示す作製条件で、実施
例２１と同様に電子写真用光受容部材を作製し、同様の
評価を行なったところ、実施例２１と同様に良好な結果
であった。

【０２４３】

【表４１】

【０２４４】実施例２６図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第２８表に示す作製条件で、実施
例２１と同様に電子写真用光受容部材を作製し、同様の
評価を行なったところ、実施例２１と同様に良好な結果
であった。

【０２４５】

【表４２】

【０２４６】実施例２７図３に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、第２９表に示す作製条件で、実施
例２１と同様に電子写真用光受容部材を作製した。この
電子写真用光受容部材をマイナス帯電用に改造したキヤ
ノン製複写機ＮＰ−８５５０で同様の耐久評価を行なっ
たところ、実施例２１と同様に良好な結果であった。

【０２４７】

【表４３】

【０２４８】実施例２８図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、さきに詳述した
手順に従って第３０表の作製条件で、鏡面加工を施した
直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に光受容層を形成
し、電子写真用光受容部材を作製した。実施例２１と同
様の評価を行なったところ良好な結果が得られた。

【０２４９】また、実施例２８で作製した電子写真用光
受容部材についてＳＩＭＳ（ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ−３
Ｆ）による元素分析を行なった結果、第１の光導電層中
の弗素の含有量は５０原子ｐｐｍ、酸素の含有量は、８
００原子ｐｐｍであった。

【０２５０】

【表４４】

【０２５１】実施例２９図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、第３１表に示す
作製条件で実施例２８と同様に電子写真用光受容部材を
作製し、実施例２１と同様の評価を行なったところ実施
例２１と同様に良好な結果が得られた。

【０２５２】

【表４５】

【０２５３】実施例３０図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、第３２表に示す
作製条件で実施例２８と同様に電子写真用光受容部材を
作製し、実施例２１と同様の評価を行なったところ実施
例２１と同様に良好な結果が得られた。

【０２５４】

【表４６】

【０２５５】実施例３１図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、第３３表に示す
作製条件で実施例２８と同様に電子写真用光受容部材を
作製し、実施例２１と同様の評価を行なったところ実施
例２１と同様に良好な結果が得られた。

【０２５６】

【表４７】

【０２５７】実施例３２図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、第３４表に示す
作製条件で実施例２８と同様に電子写真用光受容部材を
作製し、実施例２１と同様の評価を行なったところ実施
例２１と同様に良好な結果が得られた。

【０２５８】

【表４８】

【０２５９】実施例３３図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、第３４表に示す
作製条件で実施例２８と同様に電子写真用光受容部材を
作製し、実施例２１と同様の評価を行なったところ実施
例２１と同様に良好な結果が得られた。

【０２６０】

【表４９】

【０２６１】実施例３４図４、図５および図６に示すμＷグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置を用い、第３５表に示す
作製条件で実施例２８と同様に電子写真用光受容部材を
作製し、実施例２１と同様の評価を行なったところ実施
例２１と同様に良好な結果が得られた。

【０２６２】

【表５０】

【０２６３】

【表５１】

【０２６４】

【０２６５】

【発明の効果】本発明の光受容部材は前述のごとき特定
の層構成としたことにより、Ａ−Ｓｉで構成された従来
の電子写真用光受容部材における諸問題をすべて解決す
ることができ、特にきわめて優れた電気的特性、光学的
特性、光導電特性、画像特性、耐久性および使用環境特
性を示す。

【０２６６】特に本発明においては、光導電層を導電性
支持体側からｎｏｎ−ＳｉＣ、ｎｏｎ−Ｓｉの２層構成
とすることによって電荷（フォトキャリア）の発生と該
発生した電荷の輸送という電子写真用光受容部材にとっ
ての重要な機能を各々別々の層に持たせることによっ
て、一つの層で全ての機能を持たせることにより層設計
の自由度が大きく、特性の優れたものができる。

【０２６７】また、光導電層に炭素が含有されているこ
とにより光受容層の誘電率を小さくすることができるた
めに、層厚当りの静電容量を減少させることができて高
い帯電能と光感度において著しい改善がみられ、さらに
高電圧に対する耐圧性も向上し耐久性も向上する。そし
て、炭素とともに酸素を微量含む光導電層を支持体側に
設置することにより、支持体と光導電層との密着性が向
上し、膜の剥離や微少な欠陥の発生を抑制することがで
きて生産性における歩留まりを向上させることができ
る。

【０２６８】さらに加えて、本発明においては、少なく
ともｎｏｎ−ＳｉＣ光導電層中に弗素原子（Ｆ）を微量
（シリコン原子に対して１乃至９５原子ｐｐｍ）含有さ
せ、さらに酸素原子（Ｏ）をシリコン原子に対して６０
０乃至１００００原子ｐｐｍの範囲で含有させることの
相乗効果によって堆積膜内部の歪みを効果的に緩和する
ことができ膜の構造欠陥の発生を抑制することができる
とともに、異常成長の発生を減少させることができる。

【０２６９】その結果、特に画像特性たとえば、前述の
「ガサツキ」、「ポチ」、「ゴースト」に関して著しい
改善がみられるとともに、それらのすぐれた特性を維持
した状態で、電子写真プロセスのなかで飛躍的に耐久性
をのばすことができる。

【０２７０】また、本発明の表面層は、機械的強度や電
気的耐圧性が向上し、また帯電処理を受けた際に表面よ
り電荷が注入されるのを効果的に阻止でき、帯電能、使
用環境特性、耐久性及び電気的耐圧性を向上することが
できる。さらに、表面層中での光の吸収が減少するため
に感度の向上を図ることができ、光導電層と表面層の間
でのキャリアの蓄積が減少するために、帯電能を高い状
態に維持したままで画像流れを抑制することが出来る。

【０２７１】特に、本発明ではＡ−ＳｉＣにおいて酸素
含有量を上述した範囲に設定することによって、光受容
部材の電器的特性を高いレベルで維持したままで、耐久
性を飛躍的に向上させることができる。すなわち、膜の
歪みを効果的に緩和するとともに膜の密着性が向上する
ため、異常成長の発生数が飛躍的に減少し、連続して大
量に画像形成を行なってもクリーニングブレードや分離
爪へのダメージが少なく、クリーニング性および転写紙
の分離性も良好になる。従って、画像形成装置としての
耐久性を飛躍的に向上することができる。

【０２７２】さらに、高電圧に対する耐圧性も向上する
ため、光受容部材の一部が絶縁破壊することによって起
こる「リークポチ」が更に発生し難くなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真用光受容部材の好適な実施態
様例の層構成を説明するための模式的層構成図。

【図２】従来の電子写真用光受容部材の層構成を説明す
るための模式的層構成図。

【図３】本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形
成するための装置の一例で、高周波（ＲＦ）を用いたグ
ロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の模
式的説明図。

【図４】本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形
成するための装置の一例で、マイクロ波（μＷ）を用い
たグロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置
の模式的側断面図。

【図５】本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形
成するための装置の一例で、マイクロ波（μＷ）を用い
たグロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置
の模式的横断面図。

【図６】本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形
成するための装置の一例で、マイクロ波（μＷ）を用い
たグロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置
における原料ガス供給装置の模式的説明図。

【図７】本発明の光受容部材の第１の光導電層中の酸素
の含有量と感度との関係を示す図。

【図８】第１の光導電層中の酸素の含有量と電位シフト
との関係を示す図。

【図９】第１の光導電層中の酸素の含有量と耐久前後で
の感度の変化との関係を示す図。

【図１０】第１の光導電層中の酸素の含有量と耐久前後
での電位シフト量の変化との関係を示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＧ０３Ｇ 5/08 ３１３Ｇ０３Ｇ 5/08 ３１３３１６３１６３３３３３３３３４３３４３３５３３５３３６３３６３６０３６０ (72)発明者白砂寿康東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者白井茂東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (56)参考文献特開昭58−119358（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−183656（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−159657（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−113469（ＪＰ，Ａ) 特開平１−214871（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G03G 5/08 301 - 360

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性支持体上に、光導電層と表面層か
らなる光受容層を有する光受容部材において、前記光導
電層が前記支持体側よりシリコン原子を母体とし、炭素
原子、水素原子及び弗素原子を含有する非単結晶材料で
構成される第１の光導電層と、シリコン原子を母体と
し、水素原子および／または弗素原子を含有する非単結
晶材料で構成される第２の光導電層からなり、かつ、該
第１の光導電層中の弗素原子の含有量がシリコン原子に
対して１原子ｐｐｍ以上９５原子ｐｐｍ以下であること
を特徴とする光受容部材。
【請求項２】前記光導電層が、少なくとも一部に周期
律表の第ＩＩＩ族または第Ｖ族に属する元素を含有する
ことを特徴とする請求項１に記載の光受容部材。
【請求項３】前記光導電層が、前記第ＩＩＩ族または
第Ｖ族に属する元素を層厚方向に不均一な分布状態で含
有する部分を有することを特徴とする請求項２に記載の
光受容部材。
【請求項４】前記表面層が、シリコン原子を母体と
し、炭素原子、窒素原子及び酸素原子から選ばれる少な
くとも一種、並びに水素原子および／またはハロゲン原
子を含有することを特徴とする請求項１に記載の光受容
部材。
【請求項５】前記表面層が、シリコン原子を母体と
し、窒素原子及び酸素原子並びに水素原子および／また
はハロゲン原子を含有する層である請求項１の光受容部
材。
【請求項６】前記表面層が、シリコン原子を母体と
し、炭素原子、窒素原子及び酸素原子並びに水素原子お
よび／またはハロゲン原子を含有する層である請求項１
の光受容部材。
【請求項７】前記表面層が、シリコン原子を母体と
し、炭素原子、水素原子及び弗素原子を含有する層であ
る請求項１の光受容部材。
【請求項８】前記第１及び第２の光導電層がともに周
期律表第ＩＩＩ族に属する元素を含有している請求項１
の光受容部材。
【請求項９】前記導電性支持体と第１の光導電層との
間に、シリコン原子を母体とし、炭素原子、窒素原子お
よび酸素原子から選ばれる少なくとも１種、水素原子お
よび／またはハロゲン原子、並びに周期律表第ＩＩＩ族
または第Ｖ族に属する元素を含有する非単結晶質材料で
構成される電荷注入阻止層を設けることを特徴とする請
求項１に記載の光受容部材。
【請求項１０】前記電荷注入阻止層がシリコン原子を
母体とし、炭素原子、周期律表第ＩＩＩ族に属する元素
および水素原子を含有する層である請求項９の光受容部
材。
【請求項１１】前記電荷注入阻止層がシリコン原子を
母体とし、炭素原子、窒素原子、酸素原子および弗素原
子を含有する層である請求項９の光受容部材。
【請求項１２】前記電荷注入阻止層と層がさらに周期
律表第ＩＩＩ族に属する元素を含有する層である請求項
１１の光受容部材。
【請求項１３】前記電荷注入阻止層がさらに周期律表
第Ｖ族に属する元素を含有する層である請求項１１の光
受容部材。
【請求項１４】前記第１の光導電層中のシリコン原子
に対する弗素原子の含有量が５原子ｐｐｍ〜８０原子ｐ
ｐｍである請求項１の光受容部材。
【請求項１５】前記第１の光導電層中のシリコン原子
に対する弗素原子の含有量が１０原子ｐｐｍ〜７０原子
ｐｐｍである請求項１の光受容部材。
【請求項１６】前記第１の光導電層がμｗグロー放電
装置によって形成された膜である請求項１の光受容部
材。
【請求項１７】前記第１の光導電層がＲＦグロー放電
装置によって形成された膜である請求項１の光受容部
材。
【請求項１８】導電性支持体上に、光導電層と表面層
からなる光受容層を有する光受容部材において、前記光
導電層が前記支持体側より、シリコン原子を母体とし、
炭素原子、水素原子、弗素原子および酸素原子を含有す
る非単結晶材料で構成される第１の光導電層と、シリコ
ン原子を母体とし、水素原子および／または弗素原子を
含有する非単結晶材料で構成される第２の光導電層から
なり、かつ、該第１の光導電層中の弗素原子の含有量が
該シリコン原子に対して１原子ｐｐｍ以上９５原子ｐｐ
ｍ以下であり、該シリコン原子に対する酸素原子の含有
量が６００ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下であること
を特徴とする光受容部材。
【請求項１９】前記光導電層が少なくとも一部に周期
律表の第ＩＩＩ族または第Ｖ族に属する元素を含有する
ことを特徴とする請求項１８に記載の光受容部材。
【請求項２０】前記光導電層が、前記第ＩＩＩ族また
は第Ｖ族に属する元素を層厚方向に不均一な分布状態で
含有する部分を有することを特徴とする請求項１９に記
載の光受容部材。
【請求項２１】前記表面層が、シリコン原子を母体と
し、炭素原子、窒素原子及び酸素原子から選ばれる少な
くとも一種、並びに水素原子およびハロゲン原子を含有
し、該ハロゲン原子の含有量は２０原子％以下であり、
かつ前記水素原子とハロゲン原子の含有量の和が３０原
子％以上７０原子％以下であることを特徴とする請求項
１８に記載の光受容部材。
【請求項２２】前記導電性支持体と第１の光導電層と
の間に、シリコン原子を母体とし、炭素原子、窒素原子
および酸素原子から選ばれる少なくとも１種、水素原子
および／またはハロゲン原子、並びに周期律表第ＩＩＩ
族または第Ｖ族に属する元素を含有する非単結晶質材料
で構成される電荷注入阻止層を設けることを特徴とする
請求項１８に記載の光受容部材。
【請求項２３】前記第１の光導電層中のシリコン原子
に対するフッ素原子の含有量が５原子ｐｐｍ〜８０原子
ｐｐｍである請求項１８の光受容部材。
【請求項２４】前記第１の光導電層中のシリコン原子
に対する弗素原子の含有量が１０原子ｐｐｍ〜７０原子
ｐｐｍである請求項１８の光受容部材。
【請求項２５】前記第１の光導電層がμｗグロー放電
装置によって形成された膜である請求項１８の光受容部
材。
【請求項２６】前記第１の光導電層がＲＦグロー放電
装置によって形成された膜である請求項１８の光受容部
材。
【請求項２７】前記第１の光導電層中のシリコン原子
に対する酸素原子の含有量が６００原子ｐｐｍ〜５００
原子ｐｐｍである請求項１８の光受容部材。
【請求項２８】導電性支持体と、該導電性支持体上に
設けられシリコン原子を母体とし伝導性を制御する元素
を含有する電荷注入阻止層と、該電荷注入阻止層上に設
けられシリコン原子を母体とし、炭素原子、水素原子、
弗素原子および酸素原子を含有する非単結晶材料で構成
され、かつ該シリコン原子に対する弗素原子の含有量が
１原子ｐｐｍ以上９５原子ｐｐｍ以下であり、該シリコ
ン原子に対する酸素原子の含有量が６００原子ｐｐｍ以
上１００００原子ｐｐｍ以下である第１の光導電層と、
該第１の光導電層上に設けられシリコン原子を母体と
し、水素原子および／または弗素原子を含有する非単結
晶材料で構成される第２の光導電層と、該第２の光導電
層上に設けられシリコン原子を母体とし、炭素原子、窒
素原子および酸素原子から選ばれる少なくとも一種、並
びに水素原子およびハロゲン原子を含有し、該ハロゲン
原子の含有量は２０原子％以下であり、かつ前記水素原
子とハロゲン原子の含有量の和が３０原子％以上７０原
子％以下である表面層と、を有することを特徴とする光
受容部材。
【請求項２９】前記第１の光導電層中のシリコン原子
に対するフッ素原子の含有量が５原子ｐｐｍ〜８０原子
ｐｐｍである請求項２８の光受容部材。
【請求項３０】前記第１の光導電層中のシリコン原子
に対する弗素原子の含有量が１０原子ｐｐｍ〜７０原子
ｐｐｍである請求項２８の光受容部材。
【請求項３１】前記第１の光導電層がμｗグロー放電
装置によって形成された膜である請求項２８の光受容部
材。
【請求項３２】前記第１の光導電層がＲＦグロー放電
装置によって形成された膜である請求項２８の光受容部
材。
【請求項３３】前記第１の光導電層中のシリコン原子
に対する酸素原子の含有量が６００原子ｐｐｍ〜５００
原子ｐｐｍである請求項２８の光受容部材。