JP2890601B2 - 半導体センサ - Google Patents
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- G01L23/18—Devices or apparatus for measuring or indicating or recording rapid changes, such as oscillations, in the pressure of steam, gas, or liquid; Indicators for determining work or energy of steam, internal-combustion, or other fluid-pressure engines from the condition of the working fluid operated electrically by resistance strain gauges
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、多結晶シリコン抵抗体を歪ゲージとして
用いた半導体センサに関するものである。
用いた半導体センサに関するものである。
半導体圧力センサは半導体で形成された抵抗体の応力
による抵抗値変動（ピエゾ抵抗効果）を用いて圧力を精
度よく検出できるものである。この半導体抵抗には従
来、単結晶シリコンが用いられている。近年、多結晶シ
リコン抵抗を用いた半導体圧力センサの開発が盛んであ
る。この多結晶シリコン抵抗は絶縁物上に形成が容易
で、薄膜化により高抵抗体を形成でき、広い温度範囲に
わたって高精度な圧力測定が期待できるものである。そ
して、この抵抗体の高抵抗化は、圧力センサの低消費電
力化を可能とする。
による抵抗値変動（ピエゾ抵抗効果）を用いて圧力を精
度よく検出できるものである。この半導体抵抗には従
来、単結晶シリコンが用いられている。近年、多結晶シ
リコン抵抗を用いた半導体圧力センサの開発が盛んであ
る。この多結晶シリコン抵抗は絶縁物上に形成が容易
で、薄膜化により高抵抗体を形成でき、広い温度範囲に
わたって高精度な圧力測定が期待できるものである。そ
して、この抵抗体の高抵抗化は、圧力センサの低消費電
力化を可能とする。
又、ピエゾ抵抗効果を用いた半導体圧力センサでは、
４つの抵抗体を受圧部（ダイアフラム）上に形成しフル
・ブリッジを組むようになっている。このとき、温度に
よる変動を避けるために抵抗の温度係数（TCR）と感度
の温度係数（TCK）とが、絶対値が等しく符号が逆とな
るように、即ち、和が「０」となるように半導体を形成
して定電流自己温度補償を行う。そして、この温度係数
を制御するために不純物キャリア濃度の調整を行ってき
た。又、多結晶シリコンにおいても、Sensors andActua
tors,17（1989）405−414、Sensors andActuators,17
（1989）521−527にて、温度係数の不純物キャリア濃度
依存性を明らかにしている。尚、ここでのキャリア濃度
とは、結晶粒内のキャリア濃度である。
４つの抵抗体を受圧部（ダイアフラム）上に形成しフル
・ブリッジを組むようになっている。このとき、温度に
よる変動を避けるために抵抗の温度係数（TCR）と感度
の温度係数（TCK）とが、絶対値が等しく符号が逆とな
るように、即ち、和が「０」となるように半導体を形成
して定電流自己温度補償を行う。そして、この温度係数
を制御するために不純物キャリア濃度の調整を行ってき
た。又、多結晶シリコンにおいても、Sensors andActua
tors,17（1989）405−414、Sensors andActuators,17
（1989）521−527にて、温度係数の不純物キャリア濃度
依存性を明らかにしている。尚、ここでのキャリア濃度
とは、結晶粒内のキャリア濃度である。
これら文献に示されている多結晶シリコンの膜厚は0.
4μｍ〜0.5μｍと厚く、高抵抗化には薄膜化が必要であ
る。しかしながら、本発明者が測定した結果、多結晶シ
リコンでは0.4μｍよりも薄膜化していくと、同一のキ
ャリア濃度でありながら温度係数和が負となるという問
題が生じるということが判明した。
4μｍ〜0.5μｍと厚く、高抵抗化には薄膜化が必要であ
る。しかしながら、本発明者が測定した結果、多結晶シ
リコンでは0.4μｍよりも薄膜化していくと、同一のキ
ャリア濃度でありながら温度係数和が負となるという問
題が生じるということが判明した。
以下に、薄膜化すると温度係数和が負となる理由につ
いて考察してみる。第５図に示すように、多結晶シリコ
ン１は結晶粒２と粒界３とで形成されている。そして、
ピエゾ抵抗効果は結晶粒２内での効果であるから、TCK
は結晶粒２内の不純物キャリア濃度によって決定され
る。このため、TCKは膜厚によって変動しない。これに
対しTCRは、結晶粒内抵抗Rgの温度係数と粒界部抵抗Rb
の温度係数とから次のように与えられる。
いて考察してみる。第５図に示すように、多結晶シリコ
ン１は結晶粒２と粒界３とで形成されている。そして、
ピエゾ抵抗効果は結晶粒２内での効果であるから、TCK
は結晶粒２内の不純物キャリア濃度によって決定され
る。このため、TCKは膜厚によって変動しない。これに
対しTCRは、結晶粒内抵抗Rgの温度係数と粒界部抵抗Rb
の温度係数とから次のように与えられる。
ただし、ｍは電流が通過する結晶粒の数 ｎは電流が通過する粒界の数 は、多結晶シリコンの総抵抗 つまり、第６図に示すように、結晶粒内抵抗Rgと粒界
部抵抗Rbとが交互に、かつ、直列に接続されたものとみ
なすことができる。このとき、結晶粒２内は単結晶であ
るからΔRg/ΔＴ＞０であり、粒界３内は非晶質と考え
られるためΔRb/ΔＴ＜０となる。
部抵抗Rbとが交互に、かつ、直列に接続されたものとみ
なすことができる。このとき、結晶粒２内は単結晶であ
るからΔRg/ΔＴ＞０であり、粒界３内は非晶質と考え
られるためΔRb/ΔＴ＜０となる。
そして、多結晶シリコン１の薄膜化を行うと、第７図
に示すように、結晶粒２の粒径よりその膜厚が薄くなる
結果、結晶粒２の単層構造となる。この状態において、
総抵抗Ｒ（＝ΣRg＋ΣRb）のうちの粒界部抵抗Rbの占め
る割合が上昇してくる。このため、薄膜化を行うと、TC
Rが負の方向へ変化し、温度係数和（TCR＋TCK）を負の
方向へ変動させてしまうものと思われる。
に示すように、結晶粒２の粒径よりその膜厚が薄くなる
結果、結晶粒２の単層構造となる。この状態において、
総抵抗Ｒ（＝ΣRg＋ΣRb）のうちの粒界部抵抗Rbの占め
る割合が上昇してくる。このため、薄膜化を行うと、TC
Rが負の方向へ変化し、温度係数和（TCR＋TCK）を負の
方向へ変動させてしまうものと思われる。
この発明の目的は、キャリア濃度によらず他の要因に
より、0.4μｍより薄膜化した多結晶による高抵抗歪ゲ
ージの形成が可能で、低消費電力かつ広い温度範囲にわ
たって高精度な半導体センサを提供することにある。
より、0.4μｍより薄膜化した多結晶による高抵抗歪ゲ
ージの形成が可能で、低消費電力かつ広い温度範囲にわ
たって高精度な半導体センサを提供することにある。
第１図には、各種膜厚（25nm〜１μｍ）の多結晶シリ
コン抵抗体を用いての多結晶シリコン抵抗体の比抵抗と
温度係数和（TCR＋TCK）の測定結果を示す。その結果、
多結晶シリコン抵抗体の膜厚には無関係に比抵抗のみに
よって温度係数和が決定されることが判明した。一方、
一般にセンサの使用温度範囲は最も狭い範囲であっても
０℃〜40℃であるので、この温度範囲でセンサの温度補
償精度を±１％（フルスケール）とするためには、±１
％／±20℃＝０±500ppm/℃以下の温度係数が必要であ
る。よって、０±500ppm/℃の温度係数を満足するため
に、第１図により1.9×10-3〜3.9×10-3Ω・cmの比抵抗
を有する多結晶シリコン抵抗体を形成すればよいことが
分かった。
コン抵抗体を用いての多結晶シリコン抵抗体の比抵抗と
温度係数和（TCR＋TCK）の測定結果を示す。その結果、
多結晶シリコン抵抗体の膜厚には無関係に比抵抗のみに
よって温度係数和が決定されることが判明した。一方、
一般にセンサの使用温度範囲は最も狭い範囲であっても
０℃〜40℃であるので、この温度範囲でセンサの温度補
償精度を±１％（フルスケール）とするためには、±１
％／±20℃＝０±500ppm/℃以下の温度係数が必要であ
る。よって、０±500ppm/℃の温度係数を満足するため
に、第１図により1.9×10-3〜3.9×10-3Ω・cmの比抵抗
を有する多結晶シリコン抵抗体を形成すればよいことが
分かった。
そこで、この発明は、多結晶シリコン抵抗体を歪ゲー
ジとして用いた半導体センサにおいて、前記多結晶シリ
コン抵抗体の膜厚を0.4μｍより小さくし、かつその比
抵抗を1.9×10-3〜3.9×10-3Ω・cmとした半導体センサ
をその要旨とするものである。
ジとして用いた半導体センサにおいて、前記多結晶シリ
コン抵抗体の膜厚を0.4μｍより小さくし、かつその比
抵抗を1.9×10-3〜3.9×10-3Ω・cmとした半導体センサ
をその要旨とするものである。
比抵抗が1.9×10-3〜3.9×10-3Ω・cmの多結晶シリコ
ン抵抗体を使用することにより、0.4μｍより小さく膜
膜化しても温度係数和（TCR＋TCK）を０±500ppm/℃の
範囲内にできる。よって、薄膜化による高抵抗化を図る
ことができる。
ン抵抗体を使用することにより、0.4μｍより小さく膜
膜化しても温度係数和（TCR＋TCK）を０±500ppm/℃の
範囲内にできる。よって、薄膜化による高抵抗化を図る
ことができる。
以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って
説明する。
説明する。
第２図には本実施例の半導体センサの断面図を示し、
当該センサは所定の時間間隔（1/10のデューティ）で水
道水の水圧を測定する圧力センサであり、例えば、洗浄
便座において温水と冷水とを混合して適切な噴出圧を制
御するシステムに利用できるものである。
当該センサは所定の時間間隔（1/10のデューティ）で水
道水の水圧を測定する圧力センサであり、例えば、洗浄
便座において温水と冷水とを混合して適切な噴出圧を制
御するシステムに利用できるものである。
パッケージ11内にはパイレックスガラスよりなる台座
12が設けられ、台座12の上にはシリコン基板13が陽極接
合法により固定されている。このシリコン基板13の中央
部は薄膜化され受圧部（ダイアフラム）が形成されると
ともに、受圧部の中央部には突起部13aが形成されてい
る。そのシリコン基板13の上面には絶縁膜としてのシリ
コン酸化膜14が形成され、シリコン酸化膜14上には４つ
の多結晶シリコン抵抗体15a,15b,15c,15dが配設されて
いる。この多結晶シリコン抵抗体15a〜15dの膜厚は500
Å（0.05μｍ）であり、比抵抗は1.9×10-3〜3.9×10-3
Ω・cmとなっている。
12が設けられ、台座12の上にはシリコン基板13が陽極接
合法により固定されている。このシリコン基板13の中央
部は薄膜化され受圧部（ダイアフラム）が形成されると
ともに、受圧部の中央部には突起部13aが形成されてい
る。そのシリコン基板13の上面には絶縁膜としてのシリ
コン酸化膜14が形成され、シリコン酸化膜14上には４つ
の多結晶シリコン抵抗体15a,15b,15c,15dが配設されて
いる。この多結晶シリコン抵抗体15a〜15dの膜厚は500
Å（0.05μｍ）であり、比抵抗は1.9×10-3〜3.9×10-3
Ω・cmとなっている。
つまり、最も狭いセンサの使用温度範囲である０℃〜
40℃に対しセンサの温度補償精度を±１％（フルスケー
ル）とするためには０±500ppm/℃以下の温度係数が必
要であるので、第１図に基づく1.9×10-3〜3.9×10-3Ω
・cmの比抵抗を有する多結晶シリコン抵抗体を形成して
いる。尚、０〜40℃という温度範囲は、例えば、人体へ
噴出する温水圧を制御する洗浄便座システムにおいて、
人体への影響のない温度範囲である。
40℃に対しセンサの温度補償精度を±１％（フルスケー
ル）とするためには０±500ppm/℃以下の温度係数が必
要であるので、第１図に基づく1.9×10-3〜3.9×10-3Ω
・cmの比抵抗を有する多結晶シリコン抵抗体を形成して
いる。尚、０〜40℃という温度範囲は、例えば、人体へ
噴出する温水圧を制御する洗浄便座システムにおいて、
人体への影響のない温度範囲である。
このセンサの製造方法を説明すると、熱酸化により
（100）シリコン基板13の表面にシリコン酸化膜14を形
成する。次に、減圧CVD法によりシリコン酸化膜14の上
に多結晶シリコンを堆積し、その後、多結晶シリコンを
パターン化する。次に、多結晶シリコンの表面を熱酸化
してシリコン酸化膜16を形成した後、多結晶シリコンに
不純物をイオン注入して多結晶シリコン抵抗体15a〜15d
を形成する。そして、注入不純物の活性化アニールを行
う。このとき、多結晶シリコン抵抗体15a〜15dへの不純
物のドーズ量を調整して（例えば、1015〜1016ions/cm2
程度）、比抵抗を1.9×10-3〜3.9×10-3Ω・cmに調整す
る。
（100）シリコン基板13の表面にシリコン酸化膜14を形
成する。次に、減圧CVD法によりシリコン酸化膜14の上
に多結晶シリコンを堆積し、その後、多結晶シリコンを
パターン化する。次に、多結晶シリコンの表面を熱酸化
してシリコン酸化膜16を形成した後、多結晶シリコンに
不純物をイオン注入して多結晶シリコン抵抗体15a〜15d
を形成する。そして、注入不純物の活性化アニールを行
う。このとき、多結晶シリコン抵抗体15a〜15dへの不純
物のドーズ量を調整して（例えば、1015〜1016ions/cm2
程度）、比抵抗を1.9×10-3〜3.9×10-3Ω・cmに調整す
る。
続いて、シリコン酸化膜14の上に表面保護膜17を形成
し、さらに、多結晶シリコン抵抗体15a〜15dと電気接続
するためのアルミ電極配線層18を形成する。そして、シ
リコン基板13の裏面から受圧部のエッチング加工を行
う。ついで、シリコン基板13と台座12とを接合してパッ
ケージ11に収納する。
し、さらに、多結晶シリコン抵抗体15a〜15dと電気接続
するためのアルミ電極配線層18を形成する。そして、シ
リコン基板13の裏面から受圧部のエッチング加工を行
う。ついで、シリコン基板13と台座12とを接合してパッ
ケージ11に収納する。
このように製造されたセンサにおいては、パッケージ
11の接続孔11aは大気に開放されるとともに、接続孔11b
は水道管と接続される。よって、大気と水道水との間の
圧力差によりシリコン基板13の受圧部（ダイアフラム）
が変形する。
11の接続孔11aは大気に開放されるとともに、接続孔11b
は水道管と接続される。よって、大気と水道水との間の
圧力差によりシリコン基板13の受圧部（ダイアフラム）
が変形する。
第３図にはセンサの電気的構成を示す。４つの多結晶
シリコン抵抗体15a〜15dにてフル・ブリッジが形成さ
れ、多結晶シリコン抵抗体15a,15dは加圧時に負の抵抗
変化を示す受圧部位置に配置され、多結晶シリコン抵抗
体15b,15cは加圧時に正の抵抗変化を示す受圧部位置に
配置される。そして、入力端子ａはアースされるととも
に、入力端子ｂは定電流回路19を介して3Vのリチウム電
池20（容量;0.5A・Ｈ）が接続されている。このとき、
多結晶シリコン抵抗体15a〜15dによるフルブリッジ回路
の総抵抗値は150kΩとなっている。
シリコン抵抗体15a〜15dにてフル・ブリッジが形成さ
れ、多結晶シリコン抵抗体15a,15dは加圧時に負の抵抗
変化を示す受圧部位置に配置され、多結晶シリコン抵抗
体15b,15cは加圧時に正の抵抗変化を示す受圧部位置に
配置される。そして、入力端子ａはアースされるととも
に、入力端子ｂは定電流回路19を介して3Vのリチウム電
池20（容量;0.5A・Ｈ）が接続されている。このとき、
多結晶シリコン抵抗体15a〜15dによるフルブリッジ回路
の総抵抗値は150kΩとなっている。
そして、入力端子a,b間に定電圧を印加しておけば、
圧力印加時には出力端子c,d間に電位差の変化が生じ
る。この電位差が出力電圧として取り出され、増幅器
（図示略）にて増幅して出力される。そして、リチウム
電池20等の電池にてこの増幅器が駆動され、そのための
消費電流は８×10-5Aである。又、ブリッジ回路の消費
電流は２×10-5Aである。よって、ブリッジ回路と増幅
器の全消費電流は10×10-5Aであり、リチウム電池20に
より５年間のセンサ使用が可能となる。第４図にはセン
サの温度特性を示す。多結晶シリコン抵抗体15a〜15dの
抵抗値は正の温度係数を示すとともに、入力端子a,bに
定電圧を印加した場合における圧力印加時の出力電圧感
度は負の温度係数を示す。このとき、多結晶シリコン抵
抗体15a〜15dの抵抗値の温度係数（TCR）と定電圧印加
時の出力電圧感度の温度係数（TCK）とが、絶対値が等
しく符号が逆であるように、多結晶シリコン抵抗体15a
〜15dが形成されている。
圧力印加時には出力端子c,d間に電位差の変化が生じ
る。この電位差が出力電圧として取り出され、増幅器
（図示略）にて増幅して出力される。そして、リチウム
電池20等の電池にてこの増幅器が駆動され、そのための
消費電流は８×10-5Aである。又、ブリッジ回路の消費
電流は２×10-5Aである。よって、ブリッジ回路と増幅
器の全消費電流は10×10-5Aであり、リチウム電池20に
より５年間のセンサ使用が可能となる。第４図にはセン
サの温度特性を示す。多結晶シリコン抵抗体15a〜15dの
抵抗値は正の温度係数を示すとともに、入力端子a,bに
定電圧を印加した場合における圧力印加時の出力電圧感
度は負の温度係数を示す。このとき、多結晶シリコン抵
抗体15a〜15dの抵抗値の温度係数（TCR）と定電圧印加
時の出力電圧感度の温度係数（TCK）とが、絶対値が等
しく符号が逆であるように、多結晶シリコン抵抗体15a
〜15dが形成されている。
そして、測定の際には、入力端子a,bの間に定電流を
印加し温度を変化させると、入力端子a,bの間の電圧はT
CRにて上昇して出力電圧はこの入力電圧に比例して上昇
しようとするが、出力電圧感度は温度上昇に伴い負の温
度係数で変化する。従って、TCR＋TCK＝０が成立して、
温度係数が「０」となり温度補償が行われる。
印加し温度を変化させると、入力端子a,bの間の電圧はT
CRにて上昇して出力電圧はこの入力電圧に比例して上昇
しようとするが、出力電圧感度は温度上昇に伴い負の温
度係数で変化する。従って、TCR＋TCK＝０が成立して、
温度係数が「０」となり温度補償が行われる。
このように本実施例においては、複数の多結晶シリコ
ン抵抗体15a〜15dを歪ゲージとしてブリッジを組んだ半
導体センサにおいて、多結晶シリコン抵抗体15a〜15dの
比抵抗を1.9×10-3〜3.9×10-3Ω・cmとした。つまり、
多結晶シリコン抵抗体の不純物キャリア濃度によらず比
抵抗をコントロールすることにより温度係数和を０±50
0ppm/℃とすることができる。よって、高抵抗化のため
に多結晶シリコン抵抗体15a〜15dを薄膜化（500Å）し
てもTCRとTCKの総和を０±500ppm/℃にすることができ
る。その結果、従来の単結晶シリコン技術ではブリッジ
回路の総抵抗が1kΩ〜4kΩであり、厚さ0.4μｍ以上の
多結晶シリコンを用いたものでも10kΩ〜30kΩしか達成
できなかったが、本実施例ではブリッジ回路の総抵抗値
を150kΩにできることにより低消費電力化を図ることが
できる。つまり、リチウム電池20を用いて５年間のセン
サ使用が可能となる。
ン抵抗体15a〜15dを歪ゲージとしてブリッジを組んだ半
導体センサにおいて、多結晶シリコン抵抗体15a〜15dの
比抵抗を1.9×10-3〜3.9×10-3Ω・cmとした。つまり、
多結晶シリコン抵抗体の不純物キャリア濃度によらず比
抵抗をコントロールすることにより温度係数和を０±50
0ppm/℃とすることができる。よって、高抵抗化のため
に多結晶シリコン抵抗体15a〜15dを薄膜化（500Å）し
てもTCRとTCKの総和を０±500ppm/℃にすることができ
る。その結果、従来の単結晶シリコン技術ではブリッジ
回路の総抵抗が1kΩ〜4kΩであり、厚さ0.4μｍ以上の
多結晶シリコンを用いたものでも10kΩ〜30kΩしか達成
できなかったが、本実施例ではブリッジ回路の総抵抗値
を150kΩにできることにより低消費電力化を図ることが
できる。つまり、リチウム電池20を用いて５年間のセン
サ使用が可能となる。
尚、この発明は上記実施例に限定されるものではな
く、例えば、上記実施例では多結晶シリコン抵抗体15a
〜15dにてフルブリッジを形成したが、２つの多結晶シ
リコン抵抗体によりハーフ・ブリッジを形成しても同様
に作用し、圧力に応じた出力電圧を取り出すことができ
る。又、１つの多結晶シリコン抵抗体によりロード・セ
ルタイプの感圧素子を形成してもよい。
く、例えば、上記実施例では多結晶シリコン抵抗体15a
〜15dにてフルブリッジを形成したが、２つの多結晶シ
リコン抵抗体によりハーフ・ブリッジを形成しても同様
に作用し、圧力に応じた出力電圧を取り出すことができ
る。又、１つの多結晶シリコン抵抗体によりロード・セ
ルタイプの感圧素子を形成してもよい。
又、本センサを圧力センサの他に加速度センサとして
使用してもよい。さらに、上記実施例では、シリコン基
板13を薄膜化した受圧部上にシリコン酸化膜14（絶縁
膜）を形成しその上に多結晶シリコン抵抗体15a〜15dを
形成したが、薄膜絶縁膜上に多結晶シリコン抵抗体を形
成し絶縁膜を受圧部とした、いわゆる、マイクロダイア
フラム構造としてもよい。
使用してもよい。さらに、上記実施例では、シリコン基
板13を薄膜化した受圧部上にシリコン酸化膜14（絶縁
膜）を形成しその上に多結晶シリコン抵抗体15a〜15dを
形成したが、薄膜絶縁膜上に多結晶シリコン抵抗体を形
成し絶縁膜を受圧部とした、いわゆる、マイクロダイア
フラム構造としてもよい。
又、上記実施例では受圧部（シリコン基板13）の中央
に突起部13aを形成したが、突起部13aのない受圧部を有
するセンサに具体化してもよい。
に突起部13aを形成したが、突起部13aのない受圧部を有
するセンサに具体化してもよい。
以上詳述したようにこの発明によれば、高抵抗化のた
めに多結晶シリコン抵抗体からなる歪ゲージの膜厚を0.
4μｍより小さくしても、低消費電力で、かつ広い温度
範囲にわたって高精度な半導体センサとすることができ
る優れた効果を発揮する。
めに多結晶シリコン抵抗体からなる歪ゲージの膜厚を0.
4μｍより小さくしても、低消費電力で、かつ広い温度
範囲にわたって高精度な半導体センサとすることができ
る優れた効果を発揮する。
第１図は比抵抗と温度係数和との関係を示す図、第２図
は実施例の半導体センサの断面図、第３図は半導体セン
サの電気回路図、第４図は温度の依存性を示す図、第５
図は多結晶シリコン抵抗体をモデル化した図、第６図は
多結晶シリコン抵抗体をモデル化した場合の等価回路
図、第７図は多結晶シリコン抵抗体をモデル化した図で
ある。 15a〜15dは多結晶シリコン抵抗体。
は実施例の半導体センサの断面図、第３図は半導体セン
サの電気回路図、第４図は温度の依存性を示す図、第５
図は多結晶シリコン抵抗体をモデル化した図、第６図は
多結晶シリコン抵抗体をモデル化した場合の等価回路
図、第７図は多結晶シリコン抵抗体をモデル化した図で
ある。 15a〜15dは多結晶シリコン抵抗体。
Claims (1)
- 【請求項１】多結晶シリコン抵抗体を歪ゲージとして用
いた半導体センサにおいて、 前記多結晶シリコン抵抗体の膜厚を0.4μｍより小さく
し、かつその比抵抗を1.9×10-3〜3.9×10-3Ω・cmとし
たことを特徴とする半導体センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2029863A JP2890601B2 (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 半導体センサ |
| US08/284,292 US5622901A (en) | 1990-02-08 | 1994-08-02 | Method of forming a semiconductor strain sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2029863A JP2890601B2 (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 半導体センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03233975A JPH03233975A (ja) | 1991-10-17 |
| JP2890601B2 true JP2890601B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=12287811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2029863A Expired - Lifetime JP2890601B2 (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 半導体センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5622901A (ja) |
| JP (1) | JP2890601B2 (ja) |
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| US5783853A (en) * | 1996-01-02 | 1998-07-21 | Motorola, Inc. | Sensor having an offset voltage and method of operation |
| US6107861A (en) * | 1998-01-27 | 2000-08-22 | Bristol Babcock, Inc. | Circuit for self compensation of silicon strain gauge pressure transmitters |
| CA2320857A1 (en) | 1998-02-18 | 1999-08-26 | Honeywell Data Instruments, Inc. | Electrically insulated strain gage |
| US6635910B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-10-21 | Measurement Specialties, Inc. | Silicon strain gage having a thin layer of highly conductive silicon |
| JP2002340713A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-27 | Denso Corp | 半導体圧力センサ |
| JP3811042B2 (ja) * | 2001-10-04 | 2006-08-16 | アルプス電気株式会社 | 歪みセンサおよびその製造方法 |
| US6647809B1 (en) | 2002-08-29 | 2003-11-18 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Silicon carbide high temperature anemometer and method for assembling the same |
| JP3713008B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2005-11-02 | 長野計器株式会社 | 歪み量検出装置の製造方法 |
| US20070096918A1 (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-03 | Jorge Badillo | Package opened indicating device |
| US7412892B1 (en) | 2007-06-06 | 2008-08-19 | Measurement Specialties, Inc. | Method of making pressure transducer and apparatus |
| JP5092167B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2012-12-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
| JP5696045B2 (ja) | 2009-07-24 | 2015-04-08 | ローム株式会社 | 半導体圧力センサ |
| WO2015072189A1 (ja) * | 2013-11-14 | 2015-05-21 | シャープ株式会社 | 圧力センサー、圧力センシングシステム、および圧力センサーの製造方法 |
| JP2019066454A (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ、センサモジュール |
| JP2019066312A (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
| JP2019066453A (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
| JP6793103B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2020-12-02 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
| JP2019113411A (ja) | 2017-12-22 | 2019-07-11 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ、センサモジュール |
| JP2019184344A (ja) | 2018-04-05 | 2019-10-24 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ及びその製造方法 |
| EP3855148B1 (en) | 2018-10-23 | 2025-07-16 | Minebea Mitsumi Inc. | Accelerator pedal and steering apparatus |
| JP2021162303A (ja) | 2020-03-30 | 2021-10-11 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
| WO2021254611A1 (de) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikromembranpumpeinrichtung |
Family Cites Families (15)
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| JPS4912795B1 (ja) * | 1968-12-05 | 1974-03-27 | ||
| US4455567A (en) * | 1981-11-27 | 1984-06-19 | Hughes Aircraft Company | Polycrystalline semiconductor resistor having a noise reducing field plate |
| JPS59117271A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | 圧力感知素子を有する半導体装置とその製造法 |
| DE3319605A1 (de) * | 1983-05-30 | 1984-12-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sensor mit polykristallinen silicium-widerstaenden |
| US4579600A (en) * | 1983-06-17 | 1986-04-01 | Texas Instruments Incorporated | Method of making zero temperature coefficient of resistance resistors |
| JPH0712086B2 (ja) * | 1984-01-27 | 1995-02-08 | 株式会社日立製作所 | ダイヤフラムセンサの製造方法 |
| US4637126A (en) * | 1985-08-30 | 1987-01-20 | Rca, Inc. | Method for making an avalanche photodiode |
| JPS62234363A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
| JPS6323372A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体歪検出器 |
| JPS6323371A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体歪検出器 |
| JPS6352467A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 抵抗素子 |
| US4762801A (en) * | 1987-02-20 | 1988-08-09 | National Semiconductor Corporation | Method of fabricating polycrystalline silicon resistors having desired temperature coefficients |
| JPS63299159A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US4843027A (en) * | 1987-08-21 | 1989-06-27 | Siliconix Incorporated | Method of fabricating a high value semiconductor resistor |
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-
1990
- 1990-02-08 JP JP2029863A patent/JP2890601B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-08-02 US US08/284,292 patent/US5622901A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03233975A (ja) | 1991-10-17 |
| US5622901A (en) | 1997-04-22 |
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Legal Events
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