JP2849495B2 - プラスティック基板を用いたｌｃｄの分断方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラスティック基板を
用いたＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓ
ｐｌａｙ）のセル化分断方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のＬＣＤは、基板材料として、ガラ
ス（３００mm×３００mm、厚みが０．５５mm〜１．１m
m）が用いられ、このガラス基板に、アンダーコート、
ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）電極、配向膜等（何れも図
示しない）を形成し、配向処理後、液晶層用のギャップ
を残して、２枚のガラス基板が貼り合わされる。この状
態で、ガラス基板が個々のセルに分断（セル化分断処
理）、および端子部に対向する部分が分断（端子出し分
断処理）される。

【０００３】ガラス基板の場合、所定の分断ラインに沿
って、ダイヤモンドカッター（図示しない）等で表面に
傷が入れられた後、ブレイク装置（図示しない）にて分
断ラインにショックを与えて分断する（ブレイク工程）
ようになっている。ガラス基板の場合、その材質上、表
面の傷が基板内部に伝わりやすいので、表面の傷に沿っ
て正確に分断処理が行える。なお、上記方法とは別に、
基板を予め分断してから、対向して貼り合わせる方法も
知られている。

【０００４】又、近年、ＬＣＤの薄型化、軽量化のため
に、従来のガラス基板が薄型化されたり、プラスティッ
ク基板を用いて超薄型化、超軽量化への試みがなされた
りしている。この結果、ＴＮ（Twisted Nematic ）型Ｌ
ＣＤについては、フィルム基材が開発され、量産化され
るに至っている。なお、上記フィルム基材として、ＰＥ
Ｓ（Polyether Sulphone）や一軸ＰＥＴ（Polyethylene
Telephthalate）等の厚みが０．１mm〜０．３mmのプラ
スティックフィルムが近年盛んに開発されている。

【０００５】しかし、さらに高品位のＳＴＮ（Super Tw
isted Nematic ）型ＬＣＤについては、フィルム基材の
表面平坦性、耐熱性、寸法安定性等の問題から、未だ開
発中である。

【０００６】なお、上記のプラスティック基材を使用し
た場合、熱刃分断装置又はトムソン型による打抜き等に
より分断処理が行われている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記の厚み０．１mmの
ＰＥＳや一軸ＰＥＴ等は、現在、薄いスリットから押し
出されて成型されているため表面にスジ等が生じる。そ
こで、表面平坦性の向上を図るため、表面が研磨された
鋳型を用いて成型されたプラスティック基材を用いる方
法が試みられている。

【０００８】この方法に適したプラスティック材料とし
ては、エポキシ系、アクリル系の樹脂が挙げられる。こ
れらの材料は、眼鏡のレンズとしても用いられている
が、硬くて脆いという性質を有している。このため、従
来のガラス又は上記の０．１mm〜０．３mmのプラスティ
ックフィルムに対して用いられる分断処理技術では、セ
ル化分断処理及び端子出し分断処理が行えない。

【０００９】厚み０．４mm程度のアクリル系およびエポ
キシ系樹脂からなる基板の場合、曲げ応力に対して或る
程度の弾性を有するので、ガラス基板のような表面の傷
に沿った分断が行えない。また、応力印加時、所定値以
上の応力に対して割れを生じる。所定値以上の応力が印
加されたために割れると、この分断面にはクラックが発
生し易く、このクラックを起点に、小さな応力で更に割
れが進行するという問題点を有している。

【００１０】本発明は上記の点に鑑み、エポキシ系やア
クリル系樹脂に代表される硬くて脆いプラスティック基
板を用いたＬＣＤのセル化分断処理および端子出し分断
処理を行える方法を提供するものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
課題を解決するために、ブレードを備えたダイシング装
置により分断するプラスティック基板を用いたＬＣＤの
分断方法であって、所定の回転数（例えば、１００００
ｒｐｍ）でブレードを回転させて、液晶層を挟持するよ
うに、２枚のプラスティック基板を対向させて貼り合わ
せた後のプラスティック基板の一方を上記ブレードで切
り込んで切断した後、さらに他方のプラスティック基板
にも切り込み、該他方のプラスティック基板の上記２枚
のプラスティック基板の対向面とは反対側の面に設けて
おいた被覆部材（例えば、ポリエチレン製フィルムやポ
リエチレン製フィルム付きの偏光フィルム）を所定の厚
み（例えば、３０μｍ）切り残してちぎり取ることによ
って分断することを特徴としている。

【００１２】

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【作用】請求項１の構成により、ブレードによる切り込
みに先立ってプラスティック基板の対向面と反対側の面
に被覆部材が設けられる。この被覆部材によって、切り
込み時に生ずる切り粉によりプラスティック基板の表面
が傷つくことを防止できる。

【００１６】

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【００２０】それから、ダイシング装置のブレードが所
定の回転数で回転させられる。上記の回転数でブレード
を切り込むことにより、分断面に生じるクラックが抑え
られる。

【００２１】上記のように被覆部材を設けておけば、例
えば、２枚のプラステイック基板の双方に端子出し分断
処理を行う場合、両基板を表裏反転する必要があるが、
この反転させる際に生じることがある基板外面の傷を防
止することもできる。

【００２２】一方、セル化分断処理を行う場合、上記回
転数で回転するブレードにより液晶層を挟持したプラス
ティック基板が切り込まれる。この時、一方のプラステ
ィック基板及びその上に設けられた被覆部材と、他方の
プラスティック基板とはブレードの回転により完全に分
断されるが、他方のプラスティック基板に設けられた被
覆部材だけは、所定の厚み分だけ切り残される。そし
て、所定の厚みだけ残して切り込みが終了すると、被覆
部材の切り残された部分がちぎり取られて分断される。
これにより、プラスティック基板は２枚とも完全に分断
されており、ブレイク工程の実行にあたっては、被覆部
材をちぎり取るだけでよいので、従来のガラス基板のよ
うに上下の基板をそれぞれ別々に処理するのと比較し
て、ブレイク工程を簡略にすることができる。

【００２３】なお、分断処理後は、偏光部材が基板外面
に設けられるが、被覆部材として偏光部材を含む構成を
採用した場合、この工程が簡略化できる。

【００２４】

【実施例】参考例を図１ないし図８に基づいて説明すれ
ば、以下のとおりである。

【００２５】参考例では、エポキシ系、アクリル系等に
代表される硬くて脆いプラスティック基板を用いたＬＣ
Ｄのセル化分断処理および端子出し分断処理をダイシン
グ装置（図示しない）を用いて行っている。

【００２６】ダイシング装置は、ダイヤモンド粒子が混
入された円盤状のダイシングブレードを備えており、こ
のダイシングブレードを高速回転してプラスティック基
板を分断している。なお、上記ダイシングブレードの厚
みは２０μｍ〜２００μｍであり、上記回転数は８００
０ｒｐｍ〜４００００ｒｐｍである。

【００２７】上記高速回転数でダイシングブレードを回
転させてプラスティック基板を切り込むことにより、そ
の分断面にクラックが発生しなくなり、安定して該基板
を分断できる。なお、ダイシングブレードの回転数を変
化させるだけでなく、ダイシングブレードの刃幅、径、
ダイヤモンド粒径および被分断物を吸着するステージ送
り速度等の条件を変化させることによって、更に良好な
分断面が得られる。

【００２８】ここで、上記ダイシング装置を使用して行
う分断処理を以下に説明する。すなわち、厚み０．４mm
のアクリル系の上側・下側プラスティック基板２ａ・２
ｂを用意し、これらの基板２ａ・２ｂにＩＴＯ膜を蒸着
後、エッチングパターン化することにより、ＩＴＯ電極
５（端子部分を含む透明電極）を形成する。その後、配
向膜印刷、配向処理を行い、セルギャップ材を散布し、
シール印刷を行って、２枚の基板２ａ・２ｂを対向させ
て貼り合わせたサンプル１０をダイシング装置（岡本工
作機械製作所製）のステージ４にセットする（図１参
照）。なお、上記基板２ａ・２ｂの間には、液晶層用の
ギャップを確保するスペーサーを含むシール材３が形成
されている。

【００２９】ところで、使用したダイシングブレード
は、厚みが０．０３５mm、直径が５０．２mm、回転数が
２００００ｒｐｍであり、ステージ送り速度は３０mm／
ｓｅｃに設定されている。なお、ダイシング装置で通常
使用される切削水はセル内部への水分の浸透を避けるた
め使用していない。

【００３０】図１乃至図８を参照しながら、上記条件下
における、参考例に係るプラスティック基板を用いたＬ
ＣＤの分断方法を説明すると、以下のとおりである。

【００３１】上記のサンプル１０に対して端子出し分断
処理を行う場合、図１に示すように、まず、分断用マー
ク（図示しない）に沿って、上側プラスティック基板２
ａをダイシングブレード１によって切り込む（図５参
照）。但し、この際、５０μｍの厚みだけ残るように切
り込む。

【００３２】なお、上側プラスティック基板２ａにも、
上記ＩＴＯ電極５が形成されている場合には、サンプル
１０の表裏を反転した後、９０°回転し、上記と同様
に、分断マークに沿って下側プラスティック基板２ｂを
厚み５０μｍだけ残るように切り込む（図６の破線参
照）。

【００３３】以上のようにして、切り込まれたサンプル
１０は、その後、切り込みによりできた溝にそって折り
取られることによって、サンプル１０から分断される
（図２参照）。これにより、高速回転数のダイシングブ
レード１で上側プラスティック基板２ａ、或いは下側プ
ラスティック基板２ｂが切り込まれるので、その分断面
に発生するクラックを抑えることができると共に、対向
基板上に形成されたＩＴＯ電極５が傷つくことを防止で
きる。

【００３４】次に、上記のサンプル１０に対してセル化
分断処理を行う場合、まず、分断用マーク（図示しな
い）に沿って、図３に示すように、上側プラスティック
基板２ａをダイシングブレード１によって切り込む。そ
して、上側プラスティック基板２ａを完全に切断した
後、更に、下側プラスティック基板２ｂを切り込む（図
５参照）。但し、この際、５０μｍの厚みだけ残るよう
に切り込む。その後、サンプル１０を９０°回転し、上
記と同様に、上側・下側プラスティック基板２ａ・２ｂ
の切り込みを行う（図７の一点鎖線参照）。

【００３５】以上のようにして、切り込まれたサンプル
１０は、その後、下側プラスティック基板２ｂの切り込
みによりできた溝に沿って折り取られることによって、
図４及び図８に示すように、サンプル１０から分断され
る（ブレイク工程）。

【００３６】これにより、高速回転数のダイシングブレ
ード１で上側プラスティック基板２ａおよび下側プラス
ティック基板２ｂが切り込まれるので、その分断面に発
生するクラックを抑えることができる。セル化分断処理
の際、下側プラスティック基板２ｂを切り残すのは、ダ
イシング装置のステージ４の汎用性を確保するためであ
る。

【００３７】又、上側・下側プラスティック基板２ａ・
２ｂを所定の厚みだけ残して切り込むことによって、ブ
レイク工程が従来のガラス基板に比べて簡略化できる。
更に、プラスティック基板２ａ・２ｂの貼り合わせ後に
分断処理が行えるので、予め分断してから貼り合わせる
方法に比べて、基板段差がない状態で貼り合わせプレス
を行うことが可能であり、セルギャップの均一性が向上
すると共に、電極パターンの断線も防止できる。

【００３８】なお、基板の切り残し厚みは、エポキシ
系、アクリル系樹脂からなり厚みが０．４mmの基板の場
合、５０μｍ以下に設定することが好ましい。

【００３９】ところで、上記ダイシング装置により分断
処理を行う場合、切り込み時に発生する切り粉によりプ
ラスティック基板の外面に傷がつくことがある。これに
対処するために、ここで示す別の参考例および本発明の
実施例では、被覆部材がプラスティック基板に設けられ
るようになっている。なお、上記参考例と同一の機能を
有する部材については同一の参照符号を付記する。

【００４０】別の参考例および本発明の実施例でも、前
記参考例と同様に、プラスティック基板を用いたＬＣＤ
のセル化分断処理および端子出し分断処理をダイシング
装置（図示しない）を用いて行っている。また、ダイシ
ングブレードの回転数が１００００ｒｐｍであること以
外は、前記参考例と同じ条件下で分断処理が行われるも
のとする。

【００４１】上記サンプル１０を準備し、この両面、即
ち、上側・下側プラスティック基板２ａ・２ｂの裏面
に、フィルム状のラミネーター６・６（被覆部材）をそ
れぞれ貼り付けた後、ステージ４にセットする（図９参
照）。なお、上記ラミネーター６の材質としては、例え
ばポリエチレンが挙げられ、その厚みは、例えば５０μ
ｍに設定されている。

【００４２】上記のサンプル１０に対して端子出し分断
処理を行う別の参考例の場合、図１０に示すように、ま
ず、分断用マーク（図示しない）に沿って、ラミネータ
ー６をダイシングブレード１によって切り込み、ラミネ
ーター６の切断が完了したら、上側プラスティック基板
２ａをダイシングブレード１によって更に切り込む（図
５参照）。

【００４３】但し、この際、基板２ａが５０μｍの厚み
だけ残るように切り込む。

【００４４】なお、上側プラスティック基板２ａにも、
上記ＩＴＯ電極５が形成されている場合には、サンプル
１０の表裏を反転した後、９０°回転し、上記と同様
に、分断マークに沿ってラミネーター６及び下側プラス
ティック基板２ｂを厚み５０μｍだけ残るように切り込
む（図６の破線参照）。

【００４５】以上のようにして、切り込まれたサンプル
１０は、その後、切り込みによりできた基板の溝に沿っ
て折り取られることによって、サンプル１０から分断さ
れる（図１１参照）。

【００４６】これにより、両面の端子出し分断処理を行
うために、サンプル１０の表裏を反転させる際に生じる
ことがある基板外面の傷を防止できる。また、高速回転
数のダイシングブレード１で上側プラスティック基板２
ａ、或いは下側プラスティック基板２ｂが切り込まれる
ので、その分断面に発生するクラックを抑えることがで
きると共に、対向基板上に形成されたＩＴＯ電極５が傷
つくことも併せて防止できる。

【００４７】次に、上記のサンプル１０に対してセル化
分断処理を行う本発明の実施例の場合、まず、分断用マ
ーク（図示しない）に沿って、図１２に示すように、ラ
ミネーター６及び上側プラスティック基板２ａをダイシ
ングブレード１によって切り込む。そして、ラミネータ
ー６及び上側プラスティック基板２ａを完全に切断した
後、更に、下側プラスティック基板２ｂを切り込み、完
全に下側プラスティック基板２ｂを切断後、基板２ｂの
裏面のラミネーター６に更に切り込む。但し、この際、
ラミネーター６が３０μｍの厚みだけ残るように切り込
む。その後、サンプル１０を９０゜回転し、上記と同様
に、ラミネーター６・６および上側・下側プラスティッ
ク基板２ａ・２ｂの切り込みを行う（図７の一点鎖線参
照）。

【００４８】以上のようにして、切り込まれたサンプル
１０は、その後、下側プラスティック基板２ｂ側のラミ
ネーター６の切り込みによりできた溝に沿ってちぎり取
られることによって、図１３に示すように、サンプル１
０から分断される（ブレイク工程）。

【００４９】これにより、ラミネーター６を所定厚みだ
け切り残し、高速回転数のダイシングブレード１で上側
・下側プラスティック基板２ａ・２ｂが完全に切断され
るので、基板自身のバリの発生の防止および分断面のレ
ベルが向上し、クラックの発生が抑えられる。

【００５０】又、３０μｍの厚みだけ切り残したラミネ
ーター６をちぎり取ることにより、ブレイク工程が従来
のガラス基板に比べて簡略化できる。更に、プラスティ
ック基板２ａ・２ｂの貼り合わせ後に分断処理が行える
ので、予め分断してから貼り合わせる方法に比べて、基
板段差がない状態で貼り合わせプレスを行うことが可能
であり、セルギャップの均一性が向上すると共に、電極
パターンの断線も防止できる。

【００５１】ここで、上記被覆部材として、偏光部材７
（例えば、フィルム状の部材）がプラスティック基板上
に設けられる場合について以下に説明する。なお、偏光
部材７は、所定の偏光軸角度において、例えば接着剤に
よりプラスティック基板に貼り合わせたものであり、表
面保護用として偏光部材外面にラミネータ６が付けられ
ている（図１４参照）。また、サンプル１０において、
これ以外の構成および分断条件は、図９に示したものと
同じであるので、詳細な説明をここでは省略する。

【００５２】上記のサンプル１０に対して端子出し分断
処理を行う別の参考例の場合、前記参考例と同様に、５
０μｍの厚みだけ残るように上側プラスティック基板２
ａ／下側プラスティック基板２ｂを切り込む。そして、
切り込まれたサンプル１０は、その後、切り込みにより
できた基板の溝に沿って折り取られることによって、サ
ンプル１０から分断される。

【００５３】これにより、両面の端子出し分断処理を行
うために、サンプル１０の表裏を反転させる際に切り粉
により生じることがある偏光部材外面及び基板外面の傷
を防止できる。また、高速回転数のダイシングブレード
１で上側プラスティック基板２ａ、或いは下側プラステ
ィック基板２ｂが切り込まれるので、その分断面に発生
するクラックを抑えることができると共に、対向基板上
に形成されたＩＴＯ電極５等が傷つくことを回避でき
る。

【００５４】次に、上記のサンプル１０に対してセル化
分断処理を行う本発明の実施例の場合、まず、分断用マ
ーク（図示しない）に沿って、図１５に示すように、上
側のラミネーター６、偏光部材７、及び上側プラスティ
ック基板２ａをダイシングブレード１によって切り込
み、完全に切断した後、更に、下側プラスティック基板
２ｂを切り込み、完全に下側プラスティック基板２ｂ及
び下側の偏光部材７を切断後、基板２ｂの外面のラミネ
ーター６に更に切り込む。但し、この際、ラミネーター
６が３０μｍの厚みだけ残るようにラミネーター６を切
り込む。その後、サンプル１０を９０゜回転し、上記と
同様に、ラミネーター６・６、上側・下側プラスティッ
ク基板２ａ・２ｂ及び偏光部材７の切り込みを行う（図
７の一点鎖線参照）。

【００５５】以上のようにして、切り込まれたサンプル
１０は、その後、下側プラスティック基板２ｂ側のラミ
ネーター６の切り込みによりできた溝に沿ってちぎり取
られることによって、図１３に示すように、サンプル１
０から分断される（ブレイク工程）。

【００５６】これにより、下側のラミネーター６を所定
の厚みだけ切り残し、高速回転数のダイシングブレード
１で上側のラミネーター６、上側・下側偏光部材７・７
及び上側・下側プラスティック基板２ａ・２ｂが完全に
切断されるので、基板自身のバリの発生の防止および分
断面のレベルが向上し、クラックの発生が抑えられると
共に、偏光部材及び基板が切り粉により傷つくことを防
止できる。なお、ラミネーター６を所定の厚みだけ切り
残すのは、ダイシング装置のステージ４の汎用性を確保
するためである。

【００５７】又、ラミネーター６を所定の厚みだけ残し
て切り込むことによって、ブレイク工程が従来のガラス
基板に比べて簡略化できる。更に、プラスティック基板
２ａ・２ｂの貼り合わせ後に分断処理が行えるので、予
め分断してから貼り合わせる方法に比べて、基板段差が
ない状態で貼り合わせプレスを行うことが可能であり、
セルギャップの均一性が向上すると共に、電極パターン
の断線も防止できる。

【００５８】又、偏光部材７も同時に分断しているの
で、後工程である偏光部材７の分断および貼り付け工程
が簡略化され、コスト低減が図れる。

【００５９】

【発明の効果】請求項１の発明のプラスティック基板を
用いたＬＣＤの分断方法は、以上のように、所定の回転
数でブレードを回転させて、液晶層を挟持するように、
２枚のプラスティック基板を対向させて貼り合わせた後
のプラスティック基板の一方を上記ブレードで切り込ん
で切断した後、さらに他方のプラスティック基板にも切
り込み、該他方のプラスティック基板の上記２枚のプラ
スティック基板の対向面とは反対側の面に設けておいた
被覆部材を所定の厚み切り残してちぎり取ることによっ
て分断する構成である。

【００６０】それゆえ、硬くて脆いプラスティック基板
を分断しても、その分断面におけるクラックの発生を抑
えることができる。更に、プラスティック基板の貼り合
わせ後に分断処理が行えるので、予め分断してから貼り
合わせる方法と比較して、基板段差がない状態で貼り合
わせプレスを行うことが可能であり、セルギャップの均
一性を向上させることができると共に、電極パターンの
断線も回避できる。又、ガラス基板採用の際のブレイク
工程と比べて、大幅に工程を簡略化でき、コスト低減が
図れるという効果を併せて奏する。

【００６１】

【００６２】更に、上記効果に加えて、切り粉による基
板の表面のダメージを防止できる。又、プラスティック
基板は２枚とも連続して完全に分断されるので、分断工
程を簡略化でき、また基板にバリが発生することを防止
できる。更に、偏光部材を含む被覆部材を採用すれば、
分断工程以降に正規サイズに切断された偏光部材を貼り
付ける際に位置精度が要求される後工程の簡略化が可能
であり、位置精度の向上、時間短縮およびコスト低減が
可能となるという効果を併せて奏する。

【００６３】なお、本発明は、アクリル系およびエポキ
シ系の基板用に適用されるのに限定されるものではな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】参考例の端子出し分断処理を示す説明図であ
る。

【図２】図１において、端子出し分断処理が終了したこ
とを示す説明図である。

【図３】参考例のセル化分断処理を示す説明図である。

【図４】図３において、セル化分断処理が終了したこと
を示す説明図である。

【図５】本発明および参考例に係るプラスティック基板
を用いたＬＣＤの分断手順を示し、所定の分断ラインに
沿って端子出し分断あるいはセル化分断が行われたこと
を示す説明図である。

【図６】図５の状態を反転し、さらに９０°回転して、
端子出し分断が行われたことを示す説明図である。

【図７】図６の状態でセル化分断処理が行われたことを
示す説明図である。

【図８】図７の状態から、折り取り或いはちぎり取りに
より分断されたことを示す説明図である。

【図９】基板の外面にラミネーターが貼り付けられた場
合のサンプルがステージにセットされたことを示す説明
図である。

【図１０】図９のサンプルに対して端子出し分断処理を
行うことを示す説明図である。

【図１１】図１０において、端子出し分断処理が行われ
て分断されたことを示す説明図である。

【図１２】図９のサンプルに対してセル化分断処理を行
うことを示す説明図である。

【図１３】図１２において、セル化分断処理が行われて
分断されたことを示す説明図である。

【図１４】図９において、偏光部材の上にラミネーター
が設けられたサンプルがステージにセットされたことを
示す説明図である。

【図１５】図１４のサンプルに対してセル化分断処理を
行うことを示す説明図である。

【符号の説明】

１ ダイシングブレード（ブレード） ２ａ 上側プラスティック基板 ２ｂ 下側プラスティック基板 ４ ステージ ５ ＩＴＯ電極 ６ ラミネーター（被覆部材） ７ 偏光部材 １０ サンプル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福地 俊生 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 磯畑 恭平 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−92916（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−155325（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−100440（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−154023（ＪＰ，Ａ) 実開 昭52−108836（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−8632（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G02F 1/13 101 G02F 1/1333 500 B26D 1/12

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ブレードを備えたダイシング装置により
   分断するプラスティック基板を用いたＬＣＤの分断方法
   であって、 所定の回転数でブレードを回転させて、液晶層を挟持す
   るように、２枚のプラスティック基板を対向させて貼り
   合わせた後のプラスティック基板の一方を上記ブレード
   で切り込んで切断した後、さらに他方のプラスティック
   基板にも切り込み、該他方のプラスティック基板の上記
   ２枚のプラスティック基板の対向面とは反対側の面に設
   けておいた被覆部材を所定の厚み切り残してちぎり取る
   ことによって分断することを特徴とするプラスティック
   基板を用いたＬＣＤの分断方法。