JP2671235B2 - 水素不透過性外側被覆層を有する黒鉛製チャック - Google Patents
水素不透過性外側被覆層を有する黒鉛製チャックInfo
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガス状のケイ素化合物
を熱分解することによって無炭素多結晶ケイ素を製造す
る分野に関するものである。さらに詳しくは、本発明
は、水素不透過性外側被覆層を有する黒鉛製チャックに
関するものであり、この黒鉛製チャックは、ガス状のケ
イ素化合物を熱分解する加熱したスタータフィラメント
を保持するために使用され、これによって炭素で汚染さ
れることなくスタータフィラメント上にケイ素が析出す
る。
を熱分解することによって無炭素多結晶ケイ素を製造す
る分野に関するものである。さらに詳しくは、本発明
は、水素不透過性外側被覆層を有する黒鉛製チャックに
関するものであり、この黒鉛製チャックは、ガス状のケ
イ素化合物を熱分解する加熱したスタータフィラメント
を保持するために使用され、これによって炭素で汚染さ
れることなくスタータフィラメント上にケイ素が析出す
る。
【０００２】
【従来の技術】多結晶棒は、半導体産業用の単結晶棒を
ＦＺ溶融法或いはチョクラルスキー結晶引上げ法によっ
て製造するための前駆物質として主に使用されている。
これらの単結晶棒は次に加工されてシリコンチップ製造
のためのシリコンウエハに形成される。
ＦＺ溶融法或いはチョクラルスキー結晶引上げ法によっ
て製造するための前駆物質として主に使用されている。
これらの単結晶棒は次に加工されてシリコンチップ製造
のためのシリコンウエハに形成される。
【０００３】通常多結晶棒は、好ましくはケイ素種晶棒
からさもなくばタングステンやタンタルのような導電性
に優れた高融点金属から作られた棒型の赤熱したスター
タフィラメント上でシランやクロロシラン（例えばトリ
クロロシラン）のようなガス状のケイ素化合物を熱分解
することによって製造されている。シランやクロロシラ
ンの熱分解に使用される現在の技術的水準による反応器
のデザインの基本的なことは、例えば米国特許番号第
３，１４７，１４１号，４，１４７，８１４号及び４，
１５０，１６８号に述べられている。クロロシランを熱
分解すると塩化物の副生物が形成され面倒な事態が起こ
るので、一般的にはそれを避けるためにシランを熱分解
して多結晶ケイ素棒を製造するのがより望ましい。
からさもなくばタングステンやタンタルのような導電性
に優れた高融点金属から作られた棒型の赤熱したスター
タフィラメント上でシランやクロロシラン（例えばトリ
クロロシラン）のようなガス状のケイ素化合物を熱分解
することによって製造されている。シランやクロロシラ
ンの熱分解に使用される現在の技術的水準による反応器
のデザインの基本的なことは、例えば米国特許番号第
３，１４７，１４１号，４，１４７，８１４号及び４，
１５０，１６８号に述べられている。クロロシランを熱
分解すると塩化物の副生物が形成され面倒な事態が起こ
るので、一般的にはそれを避けるためにシランを熱分解
して多結晶ケイ素棒を製造するのがより望ましい。
【０００４】ケイ素及び水素を生成するシランの熱分解
或いはＨＣｌやＳｉＨＣｌ２等の塩化物を含有する化合
物を生成するクロロシランの熱分解は、周囲を冷却した
表面で囲んだ何本言の加熱したフィラメント一般的には
ケイ素棒からなる反応器内で行われる。それらのフィラ
メントはフィラメントに電流を流すことによって加熱さ
れるのが一般的である。この方法は、周囲温度にあるケ
イ素フィラメントで開始される。
或いはＨＣｌやＳｉＨＣｌ２等の塩化物を含有する化合
物を生成するクロロシランの熱分解は、周囲を冷却した
表面で囲んだ何本言の加熱したフィラメント一般的には
ケイ素棒からなる反応器内で行われる。それらのフィラ
メントはフィラメントに電流を流すことによって加熱さ
れるのが一般的である。この方法は、周囲温度にあるケ
イ素フィラメントで開始される。
【０００５】多結晶ケイ素は、次第に熱くなるケイ素フ
ィラメント棒上でシラン或いはクロロシランの不均一分
解によって生成される。この反応によってケイ素が棒の
表面上に析出し、もしシランの分解によってケイ素が生
成される場合は水素ガスが放出され、ケイ素源がクロロ
シランである場合は水素ガスと同時に他の塩化物含有副
生成化合物が放出される。
ィラメント棒上でシラン或いはクロロシランの不均一分
解によって生成される。この反応によってケイ素が棒の
表面上に析出し、もしシランの分解によってケイ素が生
成される場合は水素ガスが放出され、ケイ素源がクロロ
シランである場合は水素ガスと同時に他の塩化物含有副
生成化合物が放出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】多結晶ケイ素の生成に
おいて主な目的の一つは、可能な限り純度の高いケイ素
棒を製造することにある。汚染物質が極く微量であって
も、この前駆物質である多結晶ケイ素から最終的に製造
されるシリコンチップの効力に大きな影響を与えるので
ある。多結晶ケイ素製造のための先行技術は、炭素など
の様々な汚染物質への対処という問題を抱えている。本
発明の目的は、具体的にはこの様な多結晶ケイ素棒に存
在する炭素の量を減らすことにある。
おいて主な目的の一つは、可能な限り純度の高いケイ素
棒を製造することにある。汚染物質が極く微量であって
も、この前駆物質である多結晶ケイ素から最終的に製造
されるシリコンチップの効力に大きな影響を与えるので
ある。多結晶ケイ素製造のための先行技術は、炭素など
の様々な汚染物質への対処という問題を抱えている。本
発明の目的は、具体的にはこの様な多結晶ケイ素棒に存
在する炭素の量を減らすことにある。
【０００７】炭素が、好ましからざることではあるが多
結晶ケイ素棒内に汚染物質として存在すると言うことは
既に認められている。しかしこの様な炭素の発生源が何
であるか或いはこの炭素がどの様にして多結晶ケイ素棒
を汚染しているのかについては何も分かっていない。実
際、この様な汚染の汚染源やこの様な汚染の起こる方法
について結論付けることができないままに、この問題の
解決策が長いこと待たれてきた。
結晶ケイ素棒内に汚染物質として存在すると言うことは
既に認められている。しかしこの様な炭素の発生源が何
であるか或いはこの炭素がどの様にして多結晶ケイ素棒
を汚染しているのかについては何も分かっていない。実
際、この様な汚染の汚染源やこの様な汚染の起こる方法
について結論付けることができないままに、この問題の
解決策が長いこと待たれてきた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によって、汚染源
や多結晶ケイ素棒がどの様に炭素で汚染されるかについ
ての結論が得られた。最も重要なことは、前述の問題へ
の解決策が発見されたことにより、実質的に炭素を含有
しない多結晶ケイ素棒が今や製造可能となったことであ
る。
や多結晶ケイ素棒がどの様に炭素で汚染されるかについ
ての結論が得られた。最も重要なことは、前述の問題へ
の解決策が発見されたことにより、実質的に炭素を含有
しない多結晶ケイ素棒が今や製造可能となったことであ
る。
【０００９】さらに詳しくのべると、前述のようにケイ
素源となるガス状のケイ素化合物は加熱したスタータフ
ィラメントによって熱分解される。典型的にはケイ素種
晶棒からなるこのフィラメントは、通常このフィラメン
トに電流を流して加熱される。従ってこのフィラメント
は、ケイ素が析出しかつ同時に電流を流すことの可能で
ある成長多結晶ケイ素棒を収容するようにしっかりと固
定しなくてはならない。これら二つの目的を両方とも達
成するために先行技術では黒鉛製チャックが使用されて
いる，この黒鉛製チャックは次のにように作られてい
る。（１）スタータフィラメントは、黒鉛製チャック上
にしっかりと取り付けられている。（２）必要な電流に
みあった電力を供給する電極上に位置し固定されてい
る。そして最も重要なことは（３）電極からフィラメン
トに電流を流すことができるように黒鉛製チャックは導
電性である。
素源となるガス状のケイ素化合物は加熱したスタータフ
ィラメントによって熱分解される。典型的にはケイ素種
晶棒からなるこのフィラメントは、通常このフィラメン
トに電流を流して加熱される。従ってこのフィラメント
は、ケイ素が析出しかつ同時に電流を流すことの可能で
ある成長多結晶ケイ素棒を収容するようにしっかりと固
定しなくてはならない。これら二つの目的を両方とも達
成するために先行技術では黒鉛製チャックが使用されて
いる，この黒鉛製チャックは次のにように作られてい
る。（１）スタータフィラメントは、黒鉛製チャック上
にしっかりと取り付けられている。（２）必要な電流に
みあった電力を供給する電極上に位置し固定されてい
る。そして最も重要なことは（３）電極からフィラメン
トに電流を流すことができるように黒鉛製チャックは導
電性である。
【００１０】本発明の結果、多結晶製品における炭素汚
染の源はこの黒鉛製チャックであると言うことが判明し
た。特に、シランやクロロシランのようなガス状ケイ素
化合物の熱分解の結果、副生物として生成される水素が
黒鉛、即ち炭素、と反応してメタンを生成することが判
明した。このメタンが次に加熱されたケイ素棒と接触す
ると分解して炭素とさらに水素を生成する。この炭素
が、多結晶ケイ素に汚染物質としてはいりこむのであ
る。
染の源はこの黒鉛製チャックであると言うことが判明し
た。特に、シランやクロロシランのようなガス状ケイ素
化合物の熱分解の結果、副生物として生成される水素が
黒鉛、即ち炭素、と反応してメタンを生成することが判
明した。このメタンが次に加熱されたケイ素棒と接触す
ると分解して炭素とさらに水素を生成する。この炭素
が、多結晶ケイ素に汚染物質としてはいりこむのであ
る。
【００１１】この多結晶ケイ素棒の汚染源及び汚染メカ
ニズムが解明されたので、黒鉛製チャックに水素不透過
性外側被覆層を施すことをこの問題の解決策とする。こ
の方法によれば、生成した水素は黒鉛と反応することが
不可能となり、故にメタンの生成が妨げられる。
ニズムが解明されたので、黒鉛製チャックに水素不透過
性外側被覆層を施すことをこの問題の解決策とする。こ
の方法によれば、生成した水素は黒鉛と反応することが
不可能となり、故にメタンの生成が妨げられる。
【００１２】従って、最も広義の態様においては、本発
明は長寸のスタータフィラメント上でガス状ケイ素化合
物を熱分解することによって多結晶ケイ素棒を製造する
際に前記スタータフィラメントを装着するのに適した黒
鉛製チャックにおいて、水素不透過性外側被覆層を有す
ることを特徴とする黒鉛製チャックに関するものであ
る。
明は長寸のスタータフィラメント上でガス状ケイ素化合
物を熱分解することによって多結晶ケイ素棒を製造する
際に前記スタータフィラメントを装着するのに適した黒
鉛製チャックにおいて、水素不透過性外側被覆層を有す
ることを特徴とする黒鉛製チャックに関するものであ
る。
【００１３】さらに好ましい態様においては、本発明は
黒鉛製チャック上に装着されている加熱された前記スタ
ータフィラメント上でガス状ケイ素化合物を熱分解する
ことによって実質的に炭素を含有しない多結晶ケイ素を
製造する方法において、前記加熱されたスタータフィラ
メントはガス状ケイ素化合物の熱分解を実施するのに十
分な温度に保持してスタータフィラメント上に析出した
多結晶ケイ素と副生物である水素とを生成させ、この場
合前記黒鉛製チャックは、前記副生物である水素が黒鉛
と反応して析出した多結晶ケイ素上で分解して炭素とな
るメタンを生成することを防止するための水素不透過性
外側被覆層を有することを特徴とする方法に関する。
黒鉛製チャック上に装着されている加熱された前記スタ
ータフィラメント上でガス状ケイ素化合物を熱分解する
ことによって実質的に炭素を含有しない多結晶ケイ素を
製造する方法において、前記加熱されたスタータフィラ
メントはガス状ケイ素化合物の熱分解を実施するのに十
分な温度に保持してスタータフィラメント上に析出した
多結晶ケイ素と副生物である水素とを生成させ、この場
合前記黒鉛製チャックは、前記副生物である水素が黒鉛
と反応して析出した多結晶ケイ素上で分解して炭素とな
るメタンを生成することを防止するための水素不透過性
外側被覆層を有することを特徴とする方法に関する。
【００１４】シラン又はクロロシランの熱分解による多
結晶ケイ素の製造に関わらない先行技術においては、黒
鉛材料は種々の物質で被覆されている。例えばハリスの
米国特許番号第３，４０６、０４４号では、シリコンウ
エハはエピタキシャルシリコン反応炉で表面処理される
ことを示している。このシリコンウエハは、エピタキシ
ャルシリコン反応炉の一部を成している黒鉛製発熱体上
に置かれ加熱される。ハリスによると、これらの黒鉛製
発熱体はむしろ多孔性であり、高温においては多量のガ
スを放出する。さらにハリスは、このガスがしばしばシ
リコンウエハと反応して表面欠陥を生じる事を開示して
いる。この特許出願においては、黒鉛製物質からこのよ
うなガスが逃げ出さないようにケイ素の第一層を黒鉛上
に置き、次に炭化ケイ素の第二層を置く。
結晶ケイ素の製造に関わらない先行技術においては、黒
鉛材料は種々の物質で被覆されている。例えばハリスの
米国特許番号第３，４０６、０４４号では、シリコンウ
エハはエピタキシャルシリコン反応炉で表面処理される
ことを示している。このシリコンウエハは、エピタキシ
ャルシリコン反応炉の一部を成している黒鉛製発熱体上
に置かれ加熱される。ハリスによると、これらの黒鉛製
発熱体はむしろ多孔性であり、高温においては多量のガ
スを放出する。さらにハリスは、このガスがしばしばシ
リコンウエハと反応して表面欠陥を生じる事を開示して
いる。この特許出願においては、黒鉛製物質からこのよ
うなガスが逃げ出さないようにケイ素の第一層を黒鉛上
に置き、次に炭化ケイ素の第二層を置く。
【００１５】チャンドラー他による米国特許番号第４，
６２１，０１７号では、炭化ケイ素で黒鉛製物質を被覆
する。この炭化ケイ素は次に燐酸アルミニウムで処理さ
れるが、炭化ケイ素の被膜同様黒鉛にも浸透する。この
ような被覆の目的は、耐腐蝕性で耐摩耗性の黒鉛製物質
を供給することであり、酸化という形をとる腐蝕及び高
温の流体の流れによる摩耗の両方に対してかなり抵抗性
を持たせることが可能である。
６２１，０１７号では、炭化ケイ素で黒鉛製物質を被覆
する。この炭化ケイ素は次に燐酸アルミニウムで処理さ
れるが、炭化ケイ素の被膜同様黒鉛にも浸透する。この
ような被覆の目的は、耐腐蝕性で耐摩耗性の黒鉛製物質
を供給することであり、酸化という形をとる腐蝕及び高
温の流体の流れによる摩耗の両方に対してかなり抵抗性
を持たせることが可能である。
【００１６】ミッドランド材料研究所（Ｍｉｄｌａｎｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｃ．）
は、炭化ケイ素で被覆したサセプタ製品のための紹介用
文献を発行した。この製品は、黒鉛製物質と一体化した
不透過性炭化ケイ素被膜を有していると言われている。
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｃ．）
は、炭化ケイ素で被覆したサセプタ製品のための紹介用
文献を発行した。この製品は、黒鉛製物質と一体化した
不透過性炭化ケイ素被膜を有していると言われている。
【００１７】黒鉛製チャックの構造又はデザインは本発
明にとって決して決定的なものではない。通常黒鉛製チ
ャックはその名が示すようにスタータフィラメントをし
っかりと固定出来なくてはならないし、かつそのチャッ
クは電極の上に位置づけることができなくてはならな
い。
明にとって決して決定的なものではない。通常黒鉛製チ
ャックはその名が示すようにスタータフィラメントをし
っかりと固定出来なくてはならないし、かつそのチャッ
クは電極の上に位置づけることができなくてはならな
い。
【００１８】図は、黒鉛製チャック１０を示している。
この黒鉛製チャックは、典型的にはスタータフィラメン
ト１４を装着させる溝１２を有している。黒鉛製チャッ
クのフィラメント１４と溝１２の間隙はフィラメントを
導入させるのにちょうど十分であるが、ぴったりとそし
てしっかりとフィットさせている。
この黒鉛製チャックは、典型的にはスタータフィラメン
ト１４を装着させる溝１２を有している。黒鉛製チャッ
クのフィラメント１４と溝１２の間隙はフィラメントを
導入させるのにちょうど十分であるが、ぴったりとそし
てしっかりとフィットさせている。
【００１９】一般的に、黒鉛製チャックの底は、熱分解
工程に電力を供給する電極１６上にそのチャックをしっ
かりと位置付けることができる手段を有している。典型
的には、黒鉛製チャックは電極上にチャックを固定させ
るための溝１８を有している。
工程に電力を供給する電極１６上にそのチャックをしっ
かりと位置付けることができる手段を有している。典型
的には、黒鉛製チャックは電極上にチャックを固定させ
るための溝１８を有している。
【００２０】黒鉛製チャックの外測に施された被覆はそ
の黒鉛に不活性でなくてはならないし、また黒鉛製チャ
ックをのせる電極を始めとして多結晶ケイ素製造工程に
おける反応物、製品、或いは副生物のいずれにも不活性
でなくてはならない。更に、外側の保護層としての被覆
は、水素が黒鉛と接触して反応可能となることを実質的
に阻止するのに効果的でなくてはならない。
の黒鉛に不活性でなくてはならないし、また黒鉛製チャ
ックをのせる電極を始めとして多結晶ケイ素製造工程に
おける反応物、製品、或いは副生物のいずれにも不活性
でなくてはならない。更に、外側の保護層としての被覆
は、水素が黒鉛と接触して反応可能となることを実質的
に阻止するのに効果的でなくてはならない。
【００２１】水素不透過性被覆として使用可能な物質
は、例えば炭化ケイ素、多結晶ケイ素、タンタル、チタ
ニウム、タングステン、窒化ケイ素、酸化ケイ素、モリ
ブデン、及びそれらの混合物が挙げられるが、それらに
限定されるわけではない。特に好ましいのは炭化ケイ素
である。
は、例えば炭化ケイ素、多結晶ケイ素、タンタル、チタ
ニウム、タングステン、窒化ケイ素、酸化ケイ素、モリ
ブデン、及びそれらの混合物が挙げられるが、それらに
限定されるわけではない。特に好ましいのは炭化ケイ素
である。
【００２２】外部保護層は、実質的に連続しているのが
好ましい。この保護層の厚さは、必要とされる水素不透
過性を供給するほど効果的でなくてはならない。この厚
さは個々の使用される被覆材料によって異なる。水素不
透過性層の厚さは、通常は約０．１ミル以上であり、好
ましくは厚さ１ミル以上であり、典型的には約０．５か
ら約３ミルの範囲になくてはならない。最大厚さは効果
によって左右されない、何故なら黒鉛製チャックに一度
最少厚さを採用し、それが水素が黒鉛と反応するのを効
果的に防止するならばこの最小値を越える厚さは何等そ
れ以上の利益をもたらさないからである。この最小値以
上では、経済性が最大厚さを決定するであろう
好ましい。この保護層の厚さは、必要とされる水素不透
過性を供給するほど効果的でなくてはならない。この厚
さは個々の使用される被覆材料によって異なる。水素不
透過性層の厚さは、通常は約０．１ミル以上であり、好
ましくは厚さ１ミル以上であり、典型的には約０．５か
ら約３ミルの範囲になくてはならない。最大厚さは効果
によって左右されない、何故なら黒鉛製チャックに一度
最少厚さを採用し、それが水素が黒鉛と反応するのを効
果的に防止するならばこの最小値を越える厚さは何等そ
れ以上の利益をもたらさないからである。この最小値以
上では、経済性が最大厚さを決定するであろう
【００２３】本発明における使用のために利用可能な１
種あるいはそれ以上の物質はさほど導電性である必要は
ない。従って、例えば炭化ケイ素等のこの様な物質を使
う場合電極と接触する黒鉛製チャックの表面を被覆せず
に適切な電流の流れを得るのが通常望ましいことであ
る。
種あるいはそれ以上の物質はさほど導電性である必要は
ない。従って、例えば炭化ケイ素等のこの様な物質を使
う場合電極と接触する黒鉛製チャックの表面を被覆せず
に適切な電流の流れを得るのが通常望ましいことであ
る。
【００２４】別の考察は、更に一方の被覆材料に対して
もう一方の被覆材料を選択する事について示唆してい
る。特に前記に述べた被覆材料の中には他の材料よりも
優れた引っ掻き抵抗をもたらすものがある。この事はチ
ャックの取り扱い易さ及び不本意にも被覆層が除去され
て黒鉛の表面を水素との反応にさらしやすいかどうかと
いう点で重要である。
もう一方の被覆材料を選択する事について示唆してい
る。特に前記に述べた被覆材料の中には他の材料よりも
優れた引っ掻き抵抗をもたらすものがある。この事はチ
ャックの取り扱い易さ及び不本意にも被覆層が除去され
て黒鉛の表面を水素との反応にさらしやすいかどうかと
いう点で重要である。
【００２５】更に注意しなくてはならないのは、保護層
は本明細書中では被覆層として述べられているが、本発
明では保護層はただ単に最外層として位置する層に限ら
ない。本明細書中で使用されているように、被覆層とい
う言葉はチャックの最外層としてのみ存在する層或いは
最外層としてだけではなくチャックにどの程度でも入り
込んでいる層をも含んでいる。
は本明細書中では被覆層として述べられているが、本発
明では保護層はただ単に最外層として位置する層に限ら
ない。本明細書中で使用されているように、被覆層とい
う言葉はチャックの最外層としてのみ存在する層或いは
最外層としてだけではなくチャックにどの程度でも入り
込んでいる層をも含んでいる。
【００２６】黒鉛製チャックに上述のような被覆を適用
する方法はいずれもその筋の業界にとっては良く知られ
たものである。本発明において、このような適用のため
の従来技術もまた使用可能である。先に述べた米国特許
番号第３，４０６，０４４及び４、６２１，０１７号で
はこのような技術を幾つか開示していて、参考になる。
する方法はいずれもその筋の業界にとっては良く知られ
たものである。本発明において、このような適用のため
の従来技術もまた使用可能である。先に述べた米国特許
番号第３，４０６，０４４及び４、６２１，０１７号で
はこのような技術を幾つか開示していて、参考になる。
【００２７】例えば炭化ケイ素被覆を施すことに関して
言えば、炭化ケイ素は、通常２，０００゜Ｃ以上という
高温で昇華し炭化ケイ素の蒸気が黒鉛製チャック上に析
出して被覆層を形成する。（例えば特公昭４１−９３２
２号を参照のこと）。もう一つ方法としては、一般式
言えば、炭化ケイ素は、通常２，０００゜Ｃ以上という
高温で昇華し炭化ケイ素の蒸気が黒鉛製チャック上に析
出して被覆層を形成する。（例えば特公昭４１−９３２
２号を参照のこと）。もう一つ方法としては、一般式
【化１】 （ＣＨ3）aＳｉＣｌ4-a （式中、ａは０，１，２または３を表わす）で表わされ
る塩索含有シラン化合物のガス状混合物は高温で加熱さ
れた黒鉛製基板の表面上で熱分解しそこで炭化ケイ素を
形成する。（例えば特公昭４４−１８５７５号参照のこ
と）。炭化ケイ素被覆を施すための技術は米国特許番号
第４，５６０，５８９号に開示されている。
る塩索含有シラン化合物のガス状混合物は高温で加熱さ
れた黒鉛製基板の表面上で熱分解しそこで炭化ケイ素を
形成する。（例えば特公昭４４−１８５７５号参照のこ
と）。炭化ケイ素被覆を施すための技術は米国特許番号
第４，５６０，５８９号に開示されている。
【図１】本図は、本発明に従って製造された黒鉛製チャ
ックの断面図であり、黒鉛上に装着されたスタータフィ
ラメントと、更に電極上に配置されたチャックを示して
いる。
ックの断面図であり、黒鉛上に装着されたスタータフィ
ラメントと、更に電極上に配置されたチャックを示して
いる。
１０ 黒鉛製チャック １２ 溝 １４ フィラメント １６ 電極 １８ 溝
Claims (4)
- 【請求項１】 長寸のスタータフィラメント上でガス状
ケイ素化合物を熱分解することによって多結晶ケイ素棒
を製造する際に前記スタータフィラメントを装着するの
に適した黒鉛製チャックにおいて、水素不透過製外側被
覆層を有することを特徴とする黒鉛製チャック。 - 【請求項２】 前記黒鉛製チャックが前記スタータフィ
ラメントを加熱するための電流を供給する電極上へ前記
黒鉛製チャックを装着するのに適した下側溝を有するこ
とを特徴とする請求項１の黒鉛製チャック。 - 【請求項３】 前記水素不透過性外側被覆層が炭化ケイ
素からなり、前記被覆層は、前記チャックの前記電極と
接触する表面上には存在しないことを特徴とする請求項
２の黒鉛製チャック。 - 【請求項４】 黒鉛製チャック上に装着されている加熱
された前記スタータフィラメント上でガス状ケイ素化合
物を熱分解することによって実質的に炭素を含有しない
多結晶ケイ素を製造する方法において、前記加熱された
スタータフィラメントはガス状ケイ素化合物の熱分解を
実施するのに十分な温度に保持してスタータフィラメン
ト上に析出した多結晶ケイ素と副生物である水素とを生
成させ、この場合前記黒鉛製チャックは、前記副生物で
ある水素が黒鉛と反応して析出した多結晶ケイ素上で分
解して炭素となるメタンを生成することを防止するため
の水素不透過性外側被覆層を有することを特徴とする方
法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US45673089A | 1989-12-26 | 1989-12-26 | |
| US7/456730 | 1989-12-26 | ||
| US07/456730 | 1989-12-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH069295A JPH069295A (ja) | 1994-01-18 |
| JP2671235B2 true JP2671235B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=23813914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2418276A Expired - Lifetime JP2671235B2 (ja) | 1989-12-26 | 1990-12-25 | 水素不透過性外側被覆層を有する黒鉛製チャック |
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| DE (1) | DE4041901A1 (ja) |
| IT (1) | IT1246772B (ja) |
Cited By (1)
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| KR20170024609A (ko) | 2014-07-04 | 2017-03-07 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 다결정 실리콘 봉 제조용의 실리콘 심선 및 다결정 실리콘 봉의 제조 장치 |
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| RU2191847C2 (ru) * | 2000-03-16 | 2002-10-27 | Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Способ формирования слоев поликристаллического кремния |
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| DE102010003069A1 (de) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Wacker Chemie Ag | Kegelförmige Graphitelektrode mit hochgezogenem Rand |
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| DE102011084372A1 (de) | 2011-10-12 | 2012-02-09 | Wacker Chemie Ag | Vorrichtung für die Abscheidung von polykristallinem Silicium auf Dünnstäben |
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-
1990
- 1990-12-24 KR KR1019900021577A patent/KR950013069B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-24 IT IT02253690A patent/IT1246772B/it active IP Right Grant
- 1990-12-25 JP JP2418276A patent/JP2671235B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-27 DE DE4041901A patent/DE4041901A1/de active Granted
-
1992
- 1992-09-17 US US07/947,882 patent/US5284640A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| IT1246772B (it) | 1994-11-26 |
| KR950013069B1 (ko) | 1995-10-24 |
| DE4041901C2 (ja) | 1993-04-08 |
| IT9022536A0 (it) | 1990-12-24 |
| US5284640A (en) | 1994-02-08 |
| IT9022536A1 (it) | 1992-06-24 |
| KR910011636A (ko) | 1991-08-07 |
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