JP2660010B2 - 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ - Google Patents
高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JP2660010B2 JP2660010B2 JP63214858A JP21485888A JP2660010B2 JP 2660010 B2 JP2660010 B2 JP 2660010B2 JP 63214858 A JP63214858 A JP 63214858A JP 21485888 A JP21485888 A JP 21485888A JP 2660010 B2 JP2660010 B2 JP 2660010B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- high dielectric
- porcelain composition
- constant porcelain
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は高誘電率磁器組成物に係り、特に寿命特性に
優れたPbを主成分とする高誘電率磁器組成物及びセラミ
ックコンデンサに関する。
優れたPbを主成分とする高誘電率磁器組成物及びセラミ
ックコンデンサに関する。
（従来の技術） 従来から各種の誘電体材料が研究されている。
従来から知られている高誘電率磁器組成物としてチタ
ン酸バリウムをベースとして、これに錫酸鉛、ジルコン
酸鉛、チタン酸鉛等を固溶したものがある。確かに誘電
率の高いものを得ることはできるが、誘電率が高くなる
誘電率温度係数（T.C.C.）が大きくなり、また、バイア
ス電界依存性も大きくなってしまうという問題があっ
た。さらに、チタン酸バリウム系の材料の焼成温度は13
00〜1400℃程度と高温であり、電極材料として必然的に
白金、パラジウム等の高温で耐えうる高価な材料を用い
なければならず、コスト高の原因となる。
ン酸バリウムをベースとして、これに錫酸鉛、ジルコン
酸鉛、チタン酸鉛等を固溶したものがある。確かに誘電
率の高いものを得ることはできるが、誘電率が高くなる
誘電率温度係数（T.C.C.）が大きくなり、また、バイア
ス電界依存性も大きくなってしまうという問題があっ
た。さらに、チタン酸バリウム系の材料の焼成温度は13
00〜1400℃程度と高温であり、電極材料として必然的に
白金、パラジウム等の高温で耐えうる高価な材料を用い
なければならず、コスト高の原因となる。
このチタン酸バリウム系の問題点を解消すべく、各種
組成物の研究がなされている。例えば鉄ニオブ酸鉛を主
体としたもの（特開昭57−57204号）、マグネシウム・
ニオブ酸鉛を主体としたもの（特開昭55−51758）、マ
グネシウム・タングステン酸鉛を主体としたもの（特開
昭52−21699号）等がある。鉄ニオブ酸鉛を主体とした
ものは、CR値の焼成温度による変化が大きく、特に高温
におけるCR値の低下が大きいという問題点がある。マグ
ネシウム・ニオブ酸鉛を主体としたものは焼成温度が比
較的高く、また、マグネシウム・タングステン酸鉛を主
体としたものは、CR値が大きいと誘電率が小さく、誘電
率が大きいとCR値が小さいという問題点が有った。さら
にこれらの材料のT.C.C.はチタン酸バリウム系より優れ
てはいるものの十分ではない。
組成物の研究がなされている。例えば鉄ニオブ酸鉛を主
体としたもの（特開昭57−57204号）、マグネシウム・
ニオブ酸鉛を主体としたもの（特開昭55−51758）、マ
グネシウム・タングステン酸鉛を主体としたもの（特開
昭52−21699号）等がある。鉄ニオブ酸鉛を主体とした
ものは、CR値の焼成温度による変化が大きく、特に高温
におけるCR値の低下が大きいという問題点がある。マグ
ネシウム・ニオブ酸鉛を主体としたものは焼成温度が比
較的高く、また、マグネシウム・タングステン酸鉛を主
体としたものは、CR値が大きいと誘電率が小さく、誘電
率が大きいとCR値が小さいという問題点が有った。さら
にこれらの材料のT.C.C.はチタン酸バリウム系より優れ
てはいるものの十分ではない。
さらに、マグネシウムニオブ酸鉛とチタン酸鉛との固
溶体で必要に応じ鉛の一部をバリウム，ストロンチウ
ム，カルシウムで置換した材料についても研究されてい
る（特開昭55−121959号）。しかしながらこの材料のT.
C.C.は−25〜85℃で最良のものでも−59.8％であり、十
分とは言えない。さらに、コンデンサ材料として最も重
要なCR値については述べられず、コンデンサ材料として
の有用性は明らかではない。
溶体で必要に応じ鉛の一部をバリウム，ストロンチウ
ム，カルシウムで置換した材料についても研究されてい
る（特開昭55−121959号）。しかしながらこの材料のT.
C.C.は−25〜85℃で最良のものでも−59.8％であり、十
分とは言えない。さらに、コンデンサ材料として最も重
要なCR値については述べられず、コンデンサ材料として
の有用性は明らかではない。
また特開昭57−25607号にはマグネシウム・ニオブ酸
鉛と亜鉛ニオブ酸鉛との固溶体の材料についても研究さ
れている。しかしながらCR値、及びT.C.C.については述
べられておらず、コンデンサ材料としての有用性は明ら
かではない。
鉛と亜鉛ニオブ酸鉛との固溶体の材料についても研究さ
れている。しかしながらCR値、及びT.C.C.については述
べられておらず、コンデンサ材料としての有用性は明ら
かではない。
これらの問題点を考慮して誘電率が大きく、かつその
温度係数の小さい高誘電率磁器組成物が発明されている
（特開昭61−155245）。
温度係数の小さい高誘電率磁器組成物が発明されている
（特開昭61−155245）。
コンデンサ材料には誘電率、T.C.C.,誘電損失，誘電
バイアス電界依存性，容量抵抗積等の優れた電気的特性
が要求されるが、さらにコンデンサの信頼性、つまり寿
命特性はそれ以上に重要である。しかしながら、優れた
電気的特性を有しかつ過酷な条件下（高温、高湿、一定
電圧印加）でも特性の劣化の少ない高誘電率磁器組成物
はまだ得られていない。
バイアス電界依存性，容量抵抗積等の優れた電気的特性
が要求されるが、さらにコンデンサの信頼性、つまり寿
命特性はそれ以上に重要である。しかしながら、優れた
電気的特性を有しかつ過酷な条件下（高温、高湿、一定
電圧印加）でも特性の劣化の少ない高誘電率磁器組成物
はまだ得られていない。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は以上の点を考慮してなされたもので、寿命特
性に優れ信頼性の優れた高誘電率磁器組成物及びセラミ
ックコンデンサを提供することを目的とする。
性に優れ信頼性の優れた高誘電率磁器組成物及びセラミ
ックコンデンサを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段及び作用〕 本発明はPbを構成元素として含有するペロブスカイト
系高誘電率磁器組成物に、イットリウム（Ｙ）をY2O3に
換算して重量比で100乃至50000ppm添加含有することを
特徴とした高誘電率磁器組成物であり、これを誘電体層
として用いることにより優れたセラミックコンデンサを
設けることができる。
系高誘電率磁器組成物に、イットリウム（Ｙ）をY2O3に
換算して重量比で100乃至50000ppm添加含有することを
特徴とした高誘電率磁器組成物であり、これを誘電体層
として用いることにより優れたセラミックコンデンサを
設けることができる。
イットリウムをY2O3に換算して重量比で100≦Y2O3≦5
0000ppm添加すると高温，高湿状態においても常時電圧
を印加された誘電体の電気的特性（特に絶縁抵抗）はほ
とんど劣化しない。イットリウムは1000ppm以上の添加
で効果をあらわすが、特に500ppm以上の添加で優れた効
果を奏する。50000ppmを超えるとかえって寿命特性を劣
化させる。
0000ppm添加すると高温，高湿状態においても常時電圧
を印加された誘電体の電気的特性（特に絶縁抵抗）はほ
とんど劣化しない。イットリウムは1000ppm以上の添加
で効果をあらわすが、特に500ppm以上の添加で優れた効
果を奏する。50000ppmを超えるとかえって寿命特性を劣
化させる。
この原因は定かではないが、Pbを構成元素として含む
ペロブスカイト系高誘電率磁器組成物にはY2O3が固溶し
にくく、個々の粒子の３重点等にY2O3が局在するめと考
えられる。従ってPbを含むペロブスカイト系の高誘電率
磁器組成物であれば特に限定されるものではない。Pbの
存在量としては、PbO換算で30〜70wtが好ましく、この
範囲で誘電率が高くなる。
ペロブスカイト系高誘電率磁器組成物にはY2O3が固溶し
にくく、個々の粒子の３重点等にY2O3が局在するめと考
えられる。従ってPbを含むペロブスカイト系の高誘電率
磁器組成物であれば特に限定されるものではない。Pbの
存在量としては、PbO換算で30〜70wtが好ましく、この
範囲で誘電率が高くなる。
このPbを含むペロブスカイト系高誘電率磁器組成物と
しては、Pb（Mg1/3Nb2/3）O3,Pb（Zn1/3Nb2/3）O3,PbTi
O3,PbZrO3,Pb（Fe1/2Nb1/2）O3,Pb（Fe2/3Ｗ1/3）O3,Pb
（Mg1/2Ｗ1/2）O3Pb（Ni1/3Nb1/3）O3等を基本成分とす
るものが挙げられる。当然これらの複合系も挙げられ、
さらにMnO2,Co2O3,La2O3,Sb2O3,NiO,MgO,ZrO2等の各種
添加物を含んでいても良いことは言うまでもない。
しては、Pb（Mg1/3Nb2/3）O3,Pb（Zn1/3Nb2/3）O3,PbTi
O3,PbZrO3,Pb（Fe1/2Nb1/2）O3,Pb（Fe2/3Ｗ1/3）O3,Pb
（Mg1/2Ｗ1/2）O3Pb（Ni1/3Nb1/3）O3等を基本成分とす
るものが挙げられる。当然これらの複合系も挙げられ、
さらにMnO2,Co2O3,La2O3,Sb2O3,NiO,MgO,ZrO2等の各種
添加物を含んでいても良いことは言うまでもない。
特にPb（Mg1/3Nb1/3）O3,Pb（Zn1/3Nb1/3）O3のうち
少なくとも一種を50モル％以上含有する組成物にイット
リウムをY2O3に換算して100≦Y2O3≦50000ppm添加する
ことにより高い誘電率を有しかつ寿命特性の優れた材料
が得られる。この場合、Pb原子の１〜35モル％をBa,Sr,
Caのうち少なくとも１種で置換することにより高い誘電
率と絶縁抵抗を一層高めることができる。
少なくとも一種を50モル％以上含有する組成物にイット
リウムをY2O3に換算して100≦Y2O3≦50000ppm添加する
ことにより高い誘電率を有しかつ寿命特性の優れた材料
が得られる。この場合、Pb原子の１〜35モル％をBa,Sr,
Caのうち少なくとも１種で置換することにより高い誘電
率と絶縁抵抗を一層高めることができる。
特に好ましい態様としては、一般式 xPb（Zn1/3Nb2/3）O3− yPb（Mg1/3Nb2/3）O3−zPbTiO3 で表わしたとき、それぞれの成分を頂点とする三元図
（第１図）の ａ（ｘ＝0.50,y＝0.00,z＝0.50） ｂ（ｘ＝1.00,y＝0.00,z＝0.00） ｃ（ｘ＝0.20,y＝0.80,z＝0.00） ｄ（ｘ＝0.05,y＝0.90,z＝0.05） で示される各点を結ぶ線内の基本組成（ただし、abを結
ぶ線分上は除く）のPbの一部を１〜35mol％のBa及びSr
の少なくとも一種で置換した基本組成にイットリウム
（Ｙ）元素をY2O3に換算して基本組成の重量に対して10
0≦Y2O3≦50000ppm添加した事を特徴とする高誘電率磁
器組成物が挙げられる。
（第１図）の ａ（ｘ＝0.50,y＝0.00,z＝0.50） ｂ（ｘ＝1.00,y＝0.00,z＝0.00） ｃ（ｘ＝0.20,y＝0.80,z＝0.00） ｄ（ｘ＝0.05,y＝0.90,z＝0.05） で示される各点を結ぶ線内の基本組成（ただし、abを結
ぶ線分上は除く）のPbの一部を１〜35mol％のBa及びSr
の少なくとも一種で置換した基本組成にイットリウム
（Ｙ）元素をY2O3に換算して基本組成の重量に対して10
0≦Y2O3≦50000ppm添加した事を特徴とする高誘電率磁
器組成物が挙げられる。
本発明において基本組成を上記のようにa,b,c,dの各
点を結ぶ線内としたのはこの範囲をはずれると線分adの
外側では焼成温度が1100℃以上と高くなってしまい、ま
た絶縁抵抗も低下し高いCR値を得ることができない。
点を結ぶ線内としたのはこの範囲をはずれると線分adの
外側では焼成温度が1100℃以上と高くなってしまい、ま
た絶縁抵抗も低下し高いCR値を得ることができない。
また、線分cdの外側では、キュリー温度がもともと常
温付近にあるため、Me成分による置換で誘電率が大幅に
低温側に移動して、常温における誘電率が大幅に低下し
てしまう。また、d1（ｘ＝0.10,y＝0.80,z＝0.10）とし
たとき、線分cd1の内側がより好ましい。
温付近にあるため、Me成分による置換で誘電率が大幅に
低温側に移動して、常温における誘電率が大幅に低下し
てしまう。また、d1（ｘ＝0.10,y＝0.80,z＝0.10）とし
たとき、線分cd1の内側がより好ましい。
またマグネシウム・ニオブ酸鉛は少量の添加・含有で
その効果を発揮するが実用上は1mol％以上含有すること
が望ましい。
その効果を発揮するが実用上は1mol％以上含有すること
が望ましい。
また、CR値を考慮すると、亜鉛、ニオブ酸鉛を15mol
％以上含有することが好ましく、さらには、20mol％以
上含有することがより好ましい。20mol％以上含有する
時は、誘電損失も特に小さい。
％以上含有することが好ましく、さらには、20mol％以
上含有することがより好ましい。20mol％以上含有する
時は、誘電損失も特に小さい。
またc1（ｘ＝0.40,y＝0.60,z＝0.00）,d2（ｘ＝0.15,
y＝0.70,z＝0.15）,d3（ｘ＝0.20,y＝0.60,z＝0.20）,c
2（ｘ＝0.45,y＝0.55,z＝0.00）としたとき、線分c1d1
の外側では、緻密な磁器を得るのが比較的困難である。
y＝0.70,z＝0.15）,d3（ｘ＝0.20,y＝0.60,z＝0.20）,c
2（ｘ＝0.45,y＝0.55,z＝0.00）としたとき、線分c1d1
の外側では、緻密な磁器を得るのが比較的困難である。
このように、CR値,T.C.C.,焼結性等を考慮すると線分
c1d2の内側、特に線分c2d2さらには線分c2d3の内側が好
ましい。しかしながら誘電率等を考慮した場合には、こ
の様な線分で区切られた組成系でも十分な特性を有して
いる。さらにはｙ0.01,z0.01とPb（Mg1/3Nb2/3）
O3,PbTiO3が存在する元素の方が好ましい。
c1d2の内側、特に線分c2d2さらには線分c2d3の内側が好
ましい。しかしながら誘電率等を考慮した場合には、こ
の様な線分で区切られた組成系でも十分な特性を有して
いる。さらにはｙ0.01,z0.01とPb（Mg1/3Nb2/3）
O3,PbTiO3が存在する元素の方が好ましい。
一方、Ba,Srは上記した一般式のペロブスカイト構造
を形成するために必要な元素であり、1mol％以下だと、
パイロクロア構造が混在し、高い誘電率および高い絶縁
抵抗を示さない。35mol％以上では誘電率が1000程度以
下と小さくなってしまったりしてしまう。よって、Me成
分での置換量は、（Pb1αMeα）と表わしたとき 0.01＜α＜0.35 とする。
を形成するために必要な元素であり、1mol％以下だと、
パイロクロア構造が混在し、高い誘電率および高い絶縁
抵抗を示さない。35mol％以上では誘電率が1000程度以
下と小さくなってしまったりしてしまう。よって、Me成
分での置換量は、（Pb1αMeα）と表わしたとき 0.01＜α＜0.35 とする。
その他 xPb（Zn1/3Nb2/3）O3− yPb（Mg1/3Nb1/3）O3−zPb（Ni1/3Nb2/3）O3 で表わしたとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の ａ（ｘ＝0.50,y＝0.00,z＝0.50） ｂ（ｘ＝1.00,y＝0.00,z＝0.00） ｃ（ｘ＝0.10,y＝0.90,z＝0.00） で示される各点を結ぶ線内の組成（ただし、abcを結ぶ
線分上は除く）のPbの一部を１〜30mol％のBa及びSrの
少なくとも一種で置換したもの、 （１−ｘ）（Pb1-a-bBaaSrb） ｛（Zn1/3Nb2/3）1-c-d（Mg1/3Nb2/3）cTid｝O3・ xBaTiO3 で表わしたとき、 ０≦ａ≦0.35 ０≦ｂ≦0.35 0.01≦ａ＋ｂ≦0.35 ０＜ｃ≦0.9 ０＜ｄ≦0.5 0.3≦ｘ≦0.5 を満たすもの、 ｘ・Pb（Zn1/3Nb2/3）O3−ｙ・Pb（Mg1/3Nb2/3）O3・ ｚ−PbTiO3 で表わしたとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の ａ（ｘ＝0.60,y＝0.40,z＝0.00） ｂ（ｘ＝0.60,y＝0.05,z＝0.35） ｃ（ｘ＝0.45,y＝0.05,z＝0.50） ｄ（ｘ＝0.01,y＝0.49,z＝0.50） ｅ（ｘ＝0.01,y＝0.85,z＝0.14） ｆ（ｘ＝0.15,y＝0.85,z＝0.00） で示される各点を結ぶ線内の組成のPbの一部を２〜30mo
l％のCaで置換したもの等が挙げられる。
線分上は除く）のPbの一部を１〜30mol％のBa及びSrの
少なくとも一種で置換したもの、 （１−ｘ）（Pb1-a-bBaaSrb） ｛（Zn1/3Nb2/3）1-c-d（Mg1/3Nb2/3）cTid｝O3・ xBaTiO3 で表わしたとき、 ０≦ａ≦0.35 ０≦ｂ≦0.35 0.01≦ａ＋ｂ≦0.35 ０＜ｃ≦0.9 ０＜ｄ≦0.5 0.3≦ｘ≦0.5 を満たすもの、 ｘ・Pb（Zn1/3Nb2/3）O3−ｙ・Pb（Mg1/3Nb2/3）O3・ ｚ−PbTiO3 で表わしたとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の ａ（ｘ＝0.60,y＝0.40,z＝0.00） ｂ（ｘ＝0.60,y＝0.05,z＝0.35） ｃ（ｘ＝0.45,y＝0.05,z＝0.50） ｄ（ｘ＝0.01,y＝0.49,z＝0.50） ｅ（ｘ＝0.01,y＝0.85,z＝0.14） ｆ（ｘ＝0.15,y＝0.85,z＝0.00） で示される各点を結ぶ線内の組成のPbの一部を２〜30mo
l％のCaで置換したもの等が挙げられる。
積層タイプの素子を製造する場合は、前述の原料粉末
または混合粉砕後の粉末にバインダー，溶財等を加えス
ラリー化して、グリーンシートを形成しこのグリーンシ
ート上に内部電極を印刷した後、所定の枚数を積層・圧
着し、焼成することにより製造する。この時、本発明の
誘電体材料は低温で焼結ができるため、内部電極材料と
して例えばAg主体（Ag80〜50％,Pb20〜50％など）の安
価な材料を用いることができる。
または混合粉砕後の粉末にバインダー，溶財等を加えス
ラリー化して、グリーンシートを形成しこのグリーンシ
ート上に内部電極を印刷した後、所定の枚数を積層・圧
着し、焼成することにより製造する。この時、本発明の
誘電体材料は低温で焼結ができるため、内部電極材料と
して例えばAg主体（Ag80〜50％,Pb20〜50％など）の安
価な材料を用いることができる。
また、このように低温で焼成が可能であることから、
回路基板上等に印刷・焼成する厚膜誘電体ペーストの材
料としても有効である。
回路基板上等に印刷・焼成する厚膜誘電体ペーストの材
料としても有効である。
この様な本発明磁器組成物は、高誘電率かつ、その温
度特性が良好である。また、CR値も大きく、特に高温で
も十分な値を有し、高温での信頼性に優れたセラミック
コンデンサを得ることができる。
度特性が良好である。また、CR値も大きく、特に高温で
も十分な値を有し、高温での信頼性に優れたセラミック
コンデンサを得ることができる。
さらに誘電率バイアス電界依存性も優れており、2kV/
mmでも10％以下程度の材料を得ることもできる。したが
って、MILのBX特性や高圧用の材料として有効である。
また誘電損失が小さく、交流用、高周波用としても有効
である。さらに前述のごとく誘電率の温度特性に優れて
いるため、電歪素子へ応用した場合でも変位量の温度変
化の小さいものを得ることができる。
mmでも10％以下程度の材料を得ることもできる。したが
って、MILのBX特性や高圧用の材料として有効である。
また誘電損失が小さく、交流用、高周波用としても有効
である。さらに前述のごとく誘電率の温度特性に優れて
いるため、電歪素子へ応用した場合でも変位量の温度変
化の小さいものを得ることができる。
（実施例） 以下に本発明の実施例を説明する。
実施例−１ 出発原料としてPb,Ba,Sr,Zn,Nb,Y,Fe,W,Ti,Mg等の酸
化物等の出発原料を用いて所望の組成になるように調合
した後、ボールミル等で混合し、700〜850℃で仮焼す
る。次いでこの仮焼体をボールミル等で粉砕し乾燥の
後、バインダーを加え造粒し、プレスして直径17mm,厚
さ約2mmの円板状素体を形成した。混合，粉砕用のボー
ルは、不純物の混入を防止するため、部分安定化ジルコ
ニアボール等の硬度が大きく、かつ靱性の高いボールを
用いることが好ましい。
化物等の出発原料を用いて所望の組成になるように調合
した後、ボールミル等で混合し、700〜850℃で仮焼す
る。次いでこの仮焼体をボールミル等で粉砕し乾燥の
後、バインダーを加え造粒し、プレスして直径17mm,厚
さ約2mmの円板状素体を形成した。混合，粉砕用のボー
ルは、不純物の混入を防止するため、部分安定化ジルコ
ニアボール等の硬度が大きく、かつ靱性の高いボールを
用いることが好ましい。
この素体を空気中980〜1080℃,2時間の条件で焼結
し、両面に銀電極を焼付けた。その後100Vの電圧を２分
間印加した後、絶縁抵抗計を用いて25℃にて絶縁抵抗を
測定した。寿命試験は55℃,95％RHの恒温恒湿槽中に素
子を保持し、100V印加した。200時間経過後、素子を取
り出し、表面の水分を取り除き、室温に一昼夜放置した
後、再び25℃において絶縁抵抗を測定した。
し、両面に銀電極を焼付けた。その後100Vの電圧を２分
間印加した後、絶縁抵抗計を用いて25℃にて絶縁抵抗を
測定した。寿命試験は55℃,95％RHの恒温恒湿槽中に素
子を保持し、100V印加した。200時間経過後、素子を取
り出し、表面の水分を取り除き、室温に一昼夜放置した
後、再び25℃において絶縁抵抗を測定した。
容量は1KHz,1Vrms,25℃の条件でデジタルLCRメーター
による測定値であり、この値から誘電率を求めた。容量
抵抗積CRは25℃での（誘電率）×（絶縁抵抗）×（真空
の誘電率）から求めた。
による測定値であり、この値から誘電率を求めた。容量
抵抗積CRは25℃での（誘電率）×（絶縁抵抗）×（真空
の誘電率）から求めた。
第１表にはCRの初期値と200時間の寿命試験後のCR値
を示す。第１表から明らかなように本発明の磁器組成物
は高温，高湿かつ電圧印加状態においても容量抵抗積の
劣化が少なく、信頼性に優れていることがわかる。
を示す。第１表から明らかなように本発明の磁器組成物
は高温，高湿かつ電圧印加状態においても容量抵抗積の
劣化が少なく、信頼性に優れていることがわかる。
実施例−２ 第２表に示す組成の焼結体を実施例−１と同様に作成
し、各特性を測定した。誘電損失、容量は、1KHz,1Vrm
s,25℃の条件でのデジタルLCRメーターによる測定値で
あり、この値から誘電率を算出した。また、絶縁抵抗
は、100Vの電圧を２分間印加した後、絶縁抵抗計を用い
て測定した値から算出した。容量抵抗積は、25℃での
（誘電率）×（絶縁抵抗）×（真空の誘電率）から求め
た。
し、各特性を測定した。誘電損失、容量は、1KHz,1Vrm
s,25℃の条件でのデジタルLCRメーターによる測定値で
あり、この値から誘電率を算出した。また、絶縁抵抗
は、100Vの電圧を２分間印加した後、絶縁抵抗計を用い
て測定した値から算出した。容量抵抗積は、25℃での
（誘電率）×（絶縁抵抗）×（真空の誘電率）から求め
た。
寿命試験は、55℃,95％RHの恒温恒湿槽中に素子を保
持し,100V印加した。
持し,100V印加した。
200時間経過後、素子を取り出し表面の水分を取り除
き室温に一昼夜放置した後、容量、誘電損失および絶縁
抵抗を測定した。
き室温に一昼夜放置した後、容量、誘電損失および絶縁
抵抗を測定した。
その結果を第２表に示す。第２表から明らかなように
本発明の磁器組成物は高温、高湿かつ電圧印加状態にお
いても絶縁抵抗の劣化が少なく、信頼性に優れているこ
とがわかる。
本発明の磁器組成物は高温、高湿かつ電圧印加状態にお
いても絶縁抵抗の劣化が少なく、信頼性に優れているこ
とがわかる。
〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、信頼性に優れ
かつ高誘電率でかつ温度特性，バイアス特性にも優れた
高誘電率磁器組成物を得ることができる。特に、この様
な各種特性に優れた磁器を低温焼成で得ることができる
ため、積層セラミックコンデンサ、積層型セラミック変
位発生素子等の積層タイプのセラミック素子への応用に
適している。
かつ高誘電率でかつ温度特性，バイアス特性にも優れた
高誘電率磁器組成物を得ることができる。特に、この様
な各種特性に優れた磁器を低温焼成で得ることができる
ため、積層セラミックコンデンサ、積層型セラミック変
位発生素子等の積層タイプのセラミック素子への応用に
適している。
第１図は本発明を示す組成図。
Claims (4)
- 【請求項１】Pbを構成元素として含有するペロブスカイ
ト系高誘電率磁器組成物に、イットリウム（Ｙ）をY2O5
に換算して重量比で100乃至50000ppm添加含有すること
を特徴とした高誘電率磁器組成物。 - 【請求項２】前記ペロブスカイト系高誘電率磁器組成物
は、Pb（Mg1/3Nb2/3）O3及びPb（Zn1/3Nb2/3）O3の少な
くとも一種を50mol％以上含有し、Pbの１〜35mol％をB
a,Sr,Caの少なくとも一種で置換したものであることを
特徴とする請求項１記載の高誘電率磁器組成物。 - 【請求項３】前記ペロブスカイト系高誘電率磁器組成物
は、一般式 xPb（Zn1/3Nb2/3）O3− yPb（Mg1/3Nb2/3）O3−zPbTiO3 で表わしたとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の ａ（ｘ＝0.50,y＝0.00,z＝0.50） ｂ（ｘ＝1.00,y＝0.00,z＝0.00） ｃ（ｘ＝0.20,y＝0.80,z＝0.00） ｄ（ｘ＝0.05,y＝0.90,z＝0.05） で示される各点を結ぶ線内の基本組成（ただし、abを結
ぶ線分上は除く）のPbの一部を１〜35mol％のBa及びSr
の少なくとも一種で置換したものであることを特徴とす
る請求項１記載の高誘電率磁器組成物。 - 【請求項４】請求項1,2又は３記載の高誘電率磁器組成
物からなる誘電体層を有するセラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214858A JP2660010B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214858A JP2660010B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0264055A JPH0264055A (ja) | 1990-03-05 |
| JP2660010B2 true JP2660010B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=16662720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63214858A Expired - Lifetime JP2660010B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2660010B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4114775C2 (de) * | 1990-05-11 | 1995-07-06 | Murata Machinery Ltd | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Geflechts |
| US5357839A (en) * | 1990-07-12 | 1994-10-25 | Albany International Corp. | Solid braid structure |
| JPH0645498B2 (ja) * | 1990-08-28 | 1994-06-15 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| JPH04243952A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-01 | Nec Corp | 磁器組成物 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56160372A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-10 | Nippon Electric Co | High dielectric constant ceramic composition |
| JPS6355813A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-10 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63214858A patent/JP2660010B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0264055A (ja) | 1990-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3046436B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| KR100324721B1 (ko) | 비환원성 유전체 세라믹 조성물 및 이것을 사용한 모놀리식 세라믹 커패시터 | |
| JPWO2008152851A1 (ja) | 圧電磁器組成物、及び圧電セラミック電子部品 | |
| US5264402A (en) | Non-reducible dielectric ceramic composition | |
| JP4354224B2 (ja) | 誘電体磁器および積層型電子部品 | |
| JP2566995B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ | |
| JPH0831232A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2660010B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ | |
| JPH0825795B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| US5202814A (en) | Nonreducing dielectric ceramic composition | |
| JP2915217B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JP3087644B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR890004286B1 (ko) | 고유전율(高誘電率) 자기 조성물 | |
| JP2779740B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JP2875936B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JPH0987014A (ja) | 高誘電率磁器組成物の製造方法 | |
| JP2872513B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JPS61251563A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH0478577B2 (ja) | ||
| JPH0544763B2 (ja) | ||
| JPH0715855B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP2680395B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH0460943B2 (ja) | ||
| JPH0544762B2 (ja) | ||
| JPH054354B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606 Year of fee payment: 12 |