JP2024065440A - Detection method and processing device - Google Patents
Detection method and processing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024065440A JP2024065440A JP2022174299A JP2022174299A JP2024065440A JP 2024065440 A JP2024065440 A JP 2024065440A JP 2022174299 A JP2022174299 A JP 2022174299A JP 2022174299 A JP2022174299 A JP 2022174299A JP 2024065440 A JP2024065440 A JP 2024065440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- orientation flat
- unit
- processing
- back sides
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】加工装置に搬入されてきたウェーハの表裏を検出する。【解決手段】互いに隣接し長さの異なる第1のオリエンテーションフラット及び第2のオリエンテーションフラットを外周部に有するウェーハの表裏を検出する検出方法であって、該ウェーハの該外周部を撮像ユニットで撮像し、該ウェーハの外形を検出する外形検出し、検出された該ウェーハの該外形に基づいて該ウェーハの表裏を判定する。特定の視野において該第1のオリエンテーションフラットが該第2のオリエンテーションフラットの時計回り方向に隣接して位置するとき、該ウェーハが表面及び裏面の一方を該上方に向けていると判定し、該特定の視野において該第1のオリエンテーションフラットが該第2のオリエンテーションフラットの反時計回り方向に隣接して位置するとき、該ウェーハが該表面及び該裏面の他方を該上方に向けていると判定する。【選択図】図5[Problem] To detect the front and back sides of a wafer carried into a processing device. [Solution] A detection method for detecting the front and back sides of a wafer having a first orientation flat and a second orientation flat adjacent to each other and different in length on its outer periphery, the outer periphery of the wafer is imaged by an imaging unit, the outer shape of the wafer is detected, and the front and back sides of the wafer are determined based on the detected outer shape of the wafer. When the first orientation flat is located adjacent to the second orientation flat in the clockwise direction in a specific field of view, it is determined that one of the front and back sides of the wafer faces upward, and when the first orientation flat is located adjacent to the second orientation flat in the counterclockwise direction in the specific field of view, it is determined that the other of the front and back sides of the wafer faces upward. [Selected Figure] Figure 5
Description
本発明は、複数のウェーハを収容するカセットから各ウェーハを次々に搬出し加工して再びカセットに収容するまでの一連のステップが実施される加工装置において、加工前の各ウェーハの表裏を検出する検出方法、及び、加工装置に関する。 The present invention relates to a processing device that performs a series of steps from unloading each wafer from a cassette that contains multiple wafers, processing them, and then storing them back in the cassette. The present invention relates to a detection method for detecting the front and back sides of each wafer before processing, and the processing device.
携帯電話やコンピュータ等の電子機器に使用されるデバイスチップの製造工程では、まず、半導体でなるウェーハの表面にIC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等の複数のデバイスを形成する。次に、ウェーハを裏面側から研削して所定の厚みに薄化し、該裏面側を研磨し、デバイス毎に該ウェーハを分割して個々のデバイスチップを形成する。 In the manufacturing process of device chips used in electronic devices such as mobile phones and computers, first, multiple devices such as ICs (Integrated Circuits) and LSIs (Large Scale Integration) are formed on the surface of a semiconductor wafer. Next, the wafer is ground from the back side to thin it to a specified thickness, the back side is polished, and the wafer is divided for each device to form individual device chips.
ウェーハの研削、研磨及び分割等の加工は、ウェーハを保持するチャックテーブルと、チャックテーブルで保持されたウェーハを加工する加工ユニットと、を備える各種の加工装置で実施される。ウェーハは、加工装置に搬入される前にカセットに収容される。そして、複数のウェーハを収容するカセットが加工装置に搬入される。加工装置の制御ユニットには、カセットに収容されたウェーハを次々に搬出して加工し、再びカセットに戻すまでの一連のステップを実行する自動加工プログラムが登録されている。 Wafer grinding, polishing, division, and other processing are performed by various types of processing equipment that includes a chuck table that holds the wafers and a processing unit that processes the wafers held by the chuck table. The wafers are stored in a cassette before being carried into the processing equipment. Then, a cassette containing multiple wafers is carried into the processing equipment. An automatic processing program is registered in the control unit of the processing equipment, which executes a series of steps to sequentially remove the wafers stored in the cassette, process them, and return them to the cassette.
加工装置で加工されるウェーハは、外形が略円形状である。ウェーハの外周には、ウェーハの結晶方位を示すオリエンテーションフラットやノッチ等の切り欠き部が形成されている。そして、ウェーハの外形形状を特定し、外形形状から中心や切り欠き部の位置を特定する加工装置が知られている(特許文献1参照)。 The wafers processed by the processing device have an approximately circular outer shape. The outer periphery of the wafer is formed with cutouts such as orientation flats and notches that indicate the crystal orientation of the wafer. Processing devices are known that identify the outer shape of the wafer and use the outer shape to determine the position of the center and the cutouts (see Patent Document 1).
SiC(シリコンカーバイド)やGaN(ガリウムナイトライド)等の化合物半導体で形成された円板状のウェーハ等では、表面と裏面とで加工性が異なることがある。通常であれば、ウェーハは、加工装置での加工に適した向きでカセットに収容される。すなわち、加工装置での加工時に上方に向けられているべき面が上方に向けられ、加工時に下方に向けられているべき面が下方に向けられた状態でウェーハがカセットに収容される。そして、加工装置は、カセットから搬出したウェーハをそのままの向きで加工する。 Disc-shaped wafers made of compound semiconductors such as SiC (silicon carbide) and GaN (gallium nitride) can have different processability on the front and back sides. Normally, the wafers are stored in a cassette in an orientation suitable for processing in the processing equipment. That is, the wafers are stored in the cassette with the side that should face upwards during processing in the processing equipment facing upwards, and the side that should face downwards during processing facing downwards. The processing equipment then processes the wafers removed from the cassette in that orientation.
しかしながら、カセットに収容されたウェーハがすべて必ず所定の向きになっているとは限らない。例えば、作業者が正しくない向きでウェーハをカセットに収容する場合がある。この場合、正しくない向きに向けられたウェーハが加工装置で加工されるため、所定の加工結果が得られない。 However, not all wafers stored in a cassette are necessarily oriented in the specified direction. For example, an operator may place wafers in a cassette in an incorrect direction. In this case, the processing equipment processes wafers that are oriented in the incorrect direction, and the specified processing results are not obtained.
さらに、研削装置で裏面側から研削されるウェーハには、保護テープが予め表面側に貼着される。ここで、保護テープが貼着されたウェーハが正しくない向きでカセットに収容されていた場合、研削装置がカセットからウェーハを取り出してウェーハを研削すると、研削装置がウェーハに貼着された保護テープを加工してしまう。この場合、ウェーハに破損が生じるだけでなく研削装置の研削砥石が使用不能となり、研削砥石の交換が必要となる。その被害は甚大である。 Furthermore, a protective tape is attached to the front side of the wafer that is ground from the back side by the grinding device in advance. If the wafer with the protective tape attached is stored in the cassette in the wrong orientation, when the grinding device removes the wafer from the cassette and grinds it, the grinding device will process the protective tape attached to the wafer. In this case, not only will the wafer be damaged, but the grinding wheel of the grinding device will become unusable and will need to be replaced. The damage caused by this is enormous.
ウェーハの外周に形成された切り欠き部やウェーハの中心を特定できる加工装置は、従来、ウェーハの表裏を判定することはできなかった。そのため、このような問題を回避できなかった。 Conventionally, processing equipment that can identify the notch formed on the outer periphery of a wafer or the center of the wafer could not determine the front and back of the wafer. As a result, such problems could not be avoided.
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、加工装置に搬入されてきたウェーハの表裏を検出する検出方法、及び、ウェーハの表裏を検出できる加工装置を提供することである。 The present invention was made in consideration of these problems, and its purpose is to provide a detection method for detecting the front and back sides of a wafer that has been brought into a processing device, and a processing device that can detect the front and back sides of a wafer.
本発明の一態様によれば、互いに隣接し長さの異なる第1のオリエンテーションフラット及び第2のオリエンテーションフラットを外周部に有するウェーハの表裏を検出する検出方法であって、該ウェーハの該外周部を撮像ユニットで撮像し、該ウェーハの外形を検出する外形検出ステップと、該外形検出ステップで検出された該ウェーハの該外形に基づいて該ウェーハの表裏を判定する判定ステップと、を備え、該判定ステップでは、特定の視野において該第1のオリエンテーションフラットが該第2のオリエンテーションフラットの時計回り方向に隣接して位置するとき、該ウェーハが表面及び裏面の一方を上方に向けていると判定し、該特定の視野において該第1のオリエンテーションフラットが該第2のオリエンテーションフラットの反時計回り方向に隣接して位置するとき、該ウェーハが該表面及び該裏面の他方を上方に向けていると判定する検出方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a detection method for detecting the front and back sides of a wafer having a first orientation flat and a second orientation flat adjacent to each other and having different lengths on its outer periphery, the detection method comprising: an outer shape detection step for capturing an image of the outer periphery of the wafer with an imaging unit and detecting the outer shape of the wafer; and a determination step for determining the front and back sides of the wafer based on the outer shape of the wafer detected in the outer shape detection step, in which the determination step determines that one of the front and back sides of the wafer faces upward when the first orientation flat is located adjacent to the second orientation flat in the clockwise direction in a specific field of view, and determines that the other of the front and back sides of the wafer faces upward when the first orientation flat is located adjacent to the second orientation flat in the counterclockwise direction in the specific field of view.
本発明の他の一態様によれば、互いに隣接する長さの異なる第1のオリエンテーションフラット及び第2のオリエンテーションフラットを外周部に有するウェーハを加工する加工装置であって、該ウェーハを保持しつつ回転できる保持テーブルと、該ウェーハを加工する加工ユニットと、該保持テーブルで保持された該ウェーハを撮像できる撮像ユニットと、制御ユニットと、を備え、該制御ユニットは、該ウェーハを保持する該保持テーブルを回転させるとともに、該撮像ユニットに該ウェーハの該外周部を撮像させ、得られた撮像画像から該ウェーハの外形を特定し、特定の視野において該第1のオリエンテーションフラットが該第2のオリエンテーションフラットの時計回り方向に隣接して位置するとき、該ウェーハが表面及び裏面の一方を上方に向けていると判定し、該特定の視野において該第1のオリエンテーションフラットが該第2のオリエンテーションフラットの反時計回り方向に隣接して位置するとき、該ウェーハが該表面及び該裏面の他方を上方に向けていると判定する加工装置が提供される。 According to another aspect of the present invention, a processing device for processing a wafer having a first orientation flat and a second orientation flat on the outer periphery that are adjacent to each other and have different lengths is provided, the processing device comprising: a holding table that can rotate while holding the wafer; a processing unit that processes the wafer; an imaging unit that can image the wafer held by the holding table; and a control unit, the control unit rotates the holding table that holds the wafer, causes the imaging unit to image the outer periphery of the wafer, identifies the outer shape of the wafer from the obtained image, and determines that one of the front and back surfaces of the wafer faces upward when the first orientation flat is located adjacent to the second orientation flat in the clockwise direction in a specific field of view, and determines that the other of the front and back surfaces of the wafer faces upward when the first orientation flat is located adjacent to the second orientation flat in the counterclockwise direction in the specific field of view.
本発明のさらに他の一態様によれば、互いに隣接する長さの異なる第1のオリエンテーションフラット及び第2のオリエンテーションフラットを外周部に有するウェーハを加工する加工装置であって、該ウェーハが収容されたカセットが載置されるカセット載置台と、該ウェーハを保持しつつ上面に垂直な軸の周りに回転できるとともに、該上面に平行な方向に移動できる保持テーブルと、該カセット載置台に置かれた該カセットから該ウェーハを搬出し、該保持テーブル上に該ウェーハを搬送する搬送ロボットと、該保持テーブルで保持された該ウェーハを撮像できる撮像ユニットと、該ウェーハを吸引保持できるチャックテーブルと、該保持テーブルから該ウェーハを搬出し、該チャックテーブルに該ウェーハを搬送できる搬送ユニットと、該チャックテーブルで吸引保持された該ウェーハを加工する加工ユニットと、制御ユニットと、を備え、該制御ユニットは、該加工ユニットで加工される該ウェーハの適正な表裏を記憶する記憶部と、該ウェーハを保持する該保持テーブルを回転させるとともに、該撮像ユニットに該ウェーハの該外周部を撮像させ、得られた撮像画像から該ウェーハの外形を特定する外形特定部と、該外形特定部が特定した該ウェーハの該外形における該第1のオリエンテーションフラットと、該第2のオリエンテーションフラットと、の位置関係から該ウェーハの表裏を特定する表裏特定部と、該記憶部に記憶された該適正な表裏を読み出し、該表裏特定部が特定した該ウェーハの該表裏が該適正な表裏と一致するか否かを判定する判定部と、を備え、該ウェーハの該表裏が該適正な表裏と一致すると該判定部が判定する場合、該搬送ユニットを制御して該保持テーブルから該チャックテーブルに該ウェーハを搬送させ、該加工ユニットに該ウェーハを加工させる通常加工動作を実施し、該ウェーハの該表裏が該適正な表裏と一致しないと該判定部が判定する場合、該通常加工動作を実施しない加工装置が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, a processing device for processing a wafer having a first orientation flat and a second orientation flat adjacent to each other and having different lengths on the outer periphery includes a cassette placement stage on which a cassette containing the wafer is placed, a holding table that can rotate around an axis perpendicular to the upper surface while holding the wafer and can move in a direction parallel to the upper surface, a transport robot that removes the wafer from the cassette placed on the cassette placement stage and transports the wafer onto the holding table, an imaging unit that can image the wafer held on the holding table, a chuck table that can hold the wafer by suction, a transport unit that can remove the wafer from the holding table and transport the wafer to the chuck table, a processing unit that processes the wafer held by suction on the chuck table, and a control unit, and the control unit is configured to determine the appropriate front and back sides of the wafer to be processed by the processing unit. A processing device is provided that includes a memory unit that stores the wafer, a contour specifying unit that rotates the holding table that holds the wafer and causes the imaging unit to capture an image of the outer periphery of the wafer and specifies the contour of the wafer from the captured image, a front/back specifying unit that specifies the front/back of the wafer from the positional relationship between the first orientation flat and the second orientation flat in the contour of the wafer specified by the contour specifying unit, and a judgment unit that reads the appropriate front/back stored in the memory unit and judges whether the front/back of the wafer specified by the front/back specifying unit matches the appropriate front/back. If the judgment unit judges that the front/back of the wafer matches the appropriate front/back, the transport unit is controlled to transport the wafer from the holding table to the chuck table, and a normal processing operation is performed to have the processing unit process the wafer. If the judgment unit judges that the front/back of the wafer does not match the appropriate front/back, the processing device does not perform the normal processing operation.
本発明の一態様に係る検出方法、及び加工装置では、互いに隣接し長さの異なる第1のオリエンテーションフラット及び第2のオリエンテーションフラットを外周部に有するウェーハの外形を検出する。そして、検出されたウェーハの外形に基づいてウェーハの表裏を判定する。 In one aspect of the present invention, a detection method and processing device detect the outer shape of a wafer that has a first orientation flat and a second orientation flat on its outer periphery that are adjacent to each other and have different lengths. Then, the front and back of the wafer are determined based on the detected outer shape of the wafer.
より詳細には、特定の視野において第1のオリエンテーションフラットに第2のオリエンテーションフラットが時計回り方向に隣接するとき、ウェーハが表面及び裏面の一方を上方に向けていると判定する。その一方で、この特定の視野において第1のオリエンテーションフラットに第2のオリエンテーションフラットが反時計回り方向に隣接するとき、ウェーハが表面及び裏面の他方を上方に向けていると判定する。 More specifically, when the second orientation flat is adjacent to the first orientation flat in a clockwise direction in a particular field of view, it is determined that the wafer has one of its front and back sides facing upward. On the other hand, when the second orientation flat is adjacent to the first orientation flat in a counterclockwise direction in this particular field of view, it is determined that the wafer has the other of its front and back sides facing upward.
このように、第1のオリエンテーションフラットと第2のオリエンテーションフラットの位置関係によりウェーハの表裏を判定できる。ウェーハを加工する前に加工装置がウェーハの表裏を判定できると、加工されるウェーハが適正な表裏となっているか確認できる。そして、ウェーハが適正な表裏となっていないことが確認された場合、このウェーハの加工を実施しないことで加工装置やウェーハの損害を防止できる。 In this way, the front and back sides of the wafer can be determined based on the relative positions of the first orientation flat and the second orientation flat. If the processing device can determine the front and back sides of the wafer before processing the wafer, it can be confirmed whether the wafer to be processed has the correct front and back sides. If it is confirmed that the wafer does not have the correct front and back sides, damage to the processing device and the wafer can be prevented by not processing the wafer.
したがって、本発明の一態様により、加工装置に搬入されてきたウェーハの表裏を検出する検出方法、及び、ウェーハの表裏を検出できる加工装置が提供される。 Therefore, one aspect of the present invention provides a detection method for detecting the front and back sides of a wafer that has been brought into a processing device, and a processing device that can detect the front and back sides of a wafer.
本発明に係る実施形態について図面を参照して説明する。本実施形態に係る検出方法が実施される加工装置は、例えば、SiCやGaN等の化合物半導体等からなるウェーハを加工する加工装置である。図1は、ウェーハ1を模式的に示す斜視図である。ウェーハ1は、例えば、六方晶単結晶SiCウェーハである。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. A processing device in which the detection method according to this embodiment is implemented is, for example, a processing device that processes wafers made of compound semiconductors such as SiC and GaN. FIG. 1 is a perspective view that shows a typical wafer 1. Wafer 1 is, for example, a hexagonal single crystal SiC wafer.
ウェーハ1は、略円板状の平面形状を有する。すなわち、ウェーハ1は、略円形状の表面1a及び裏面1bを備え、外周部1cが略円弧状となる。ウェーハ1の外周部1cには、結晶方位を示す矩形状の第1のオリエンテーションフラット3a及び第2のオリエンテーションフラット3bが形成されている。
The wafer 1 has a substantially circular planar shape. That is, the wafer 1 has a substantially circular front surface 1a and
例えば、第2のオリエンテーションフラット3bの長さは、第1のオリエンテーションフラット3aの長さよりも短い。また、第1のオリエンテーションフラット3aと、第2のオリエンテーションフラット3bと、は直交している。 For example, the length of the second orientation flat 3b is shorter than the length of the first orientation flat 3a. Also, the first orientation flat 3a and the second orientation flat 3b are perpendicular to each other.
化合物半導体等の材料でなるウェーハ1では表面1aと裏面1bとで加工性が異なることがあるため、ウェーハ1の加工時には、ウェーハ1の表面1aと裏面1bのうち予め決められた面が上方に露出するようにウェーハ1の表裏が調整されるとよい。ウェーハ1を見る作業者は、両オリエンテーションフラット3a,3bの位置関係からウェーハ1の表面1aと裏面1bを特定できる。
In the case of a wafer 1 made of a material such as a compound semiconductor, the front surface 1a and the
次に、ウェーハ1を加工する加工装置について説明する。ウェーハ1を加工する加工装置は、例えば、ウェーハ1を裏面1b側から研削する研削装置、または、研磨する研磨装置である。加工装置は、ウェーハ1を切削して分割する切削装置や、ウェーハ1をレーザ加工するレーザ加工装置でもよい。以下、該加工装置が研削装置である場合を例に説明するが、該加工装置は研削装置に限定されない。図2は、加工装置(研削装置)2を模式的に示す斜視図である。
Next, a processing device for processing the wafer 1 will be described. The processing device for processing the wafer 1 is, for example, a grinding device that grinds the wafer 1 from the
加工装置(研削装置)2は、各構成要素を支持する基台4を備える。基台4上には、円盤状のターンテーブル6が水平面内において回転可能に設けられている。ターンテーブル6の上面には、円周方向に120度離間して3個のチャックテーブル8が備えられており、ターンテーブル6を回転させることで各チャックテーブル8が、ウェーハ搬入・搬出領域、粗研削領域、仕上げ研削領域、にそれぞれ位置付けられるようになっている。
The processing device (grinding device) 2 has a base 4 that supports each component. A disk-
ウェーハ搬入・搬出領域では、加工前のウェーハ1がチャックテーブル8上に載置され、また、加工後にウェーハ1が該チャックテーブル8上から取り外される。粗研削領域では、加工ユニット(研削ユニット)10aを使用して速い加工送り速度でウェーハ1を研削する粗研削を実施する。該仕上げ研削領域では、加工ユニット(研削ユニット)10bを使用して、該粗研削よりも研削後の該被研削面の平坦性が高くなる仕上げ研削を実施する。 In the wafer loading/unloading area, the wafer 1 before processing is placed on the chuck table 8, and after processing, the wafer 1 is removed from the chuck table 8. In the rough grinding area, a processing unit (grinding unit) 10a is used to perform rough grinding, which grinds the wafer 1 at a high processing feed rate. In the finish grinding area, a processing unit (grinding unit) 10b is used to perform finish grinding, which results in a higher flatness of the ground surface after grinding than after the rough grinding.
チャックテーブル8は、一端が吸引源(不図示)と接続された吸引路(不図示)を内部に有し、該吸引路の他端がチャックテーブル8の上面の保持面8aに接続されている。保持面8aは多孔質部材によって構成されており、保持面8a上に載せ置かれたウェーハ1に該多孔質部材を通して該吸引源により生じた負圧を作用させると、チャックテーブル8でウェーハ1を吸引保持できる。
The chuck table 8 has an internal suction path (not shown) with one end connected to a suction source (not shown), and the other end of the suction path connected to a holding
加工装置(研削装置)2は、チャックテーブル8で吸引保持されたウェーハ1を加工する加工ユニット(研削ユニット)10a,10bを備える。基台4の後部にはコラム22a,22bが立設されており、このコラム22a,22bにはそれぞれ加工ユニット10a,10bが設けられている。加工ユニット10a,10bは、それぞれ、上端がスピンドルモータ12a,12bに接続され、該スピンドルモータ12a,12bにより回転駆動される鉛直方向に沿って伸長するスピンドル14a,14bを備える。
The processing device (grinding device) 2 includes processing units (grinding units) 10a, 10b that process the wafer 1 held by suction on the chuck table 8.
それぞれのスピンドル14a,14bの下端には、ホイールマウント16a,16bが配設され、それぞれのホイールマウント16a,16bの下面には、研削ホイール18a,18bが装着される。研削ホイール18a,18bは円環状に配された研削砥石20a,20bを下面に備え、チャックテーブル8で保持されたウェーハ1を研削する。加工ユニット10a,10bは、それぞれ、加工送りユニット24a,24bにより上下移動されるように構成されている。
Wheel mounts 16a, 16b are provided at the lower ends of the
基台4の前側となる部分はターンテーブル6が設けられた部分よりも一段高く、基台4の前端にはカセット載置台(カセット載置領域)26a,26bが固定されている。カセット載置台26a,26bには、複数のウェーハ1が収容されたカセット28a,28bが置かれる。研削装置(加工装置)2では、カセット28a,28bに収容されたウェーハ1が次々にカセット28a,28bから搬出され、加工送りユニット24a,24bにより加工され、カセット28a,28bに戻される。
The front part of the base 4 is one step higher than the part where the
カセット載置台26a,26bに隣接して基台4上に搬送ロボット30が据え付けられている。基台4の前側部分には更に、保持テーブル32と、撮像ユニット40と、搬送ユニット(ローディングアーム)34と、搬出ユニット(アンローディングアーム)36と、研削されたウェーハ1を洗浄及びスピン乾燥するスピンナ洗浄装置38と、が配設されている。
A
加工前のウェーハ1は、カセット載置台26a,26bに載せられたカセット28a,28bから搬送ロボット30により搬出される。搬送ロボット30は、互いに端部で回転可能に連結された複数のアームを備え、先端にウェーハ1を保持する保持部を備える。カセット載置台26a,26bは昇降可能であり、目的のウェーハ1の高さが搬送ロボット30の保持部の高さに合うように昇降する。また、搬送ロボット30が昇降可能でもよい。
Unprocessed wafers 1 are carried out by a
そして、搬送ロボット30は、保持テーブル32にウェーハ1を搬送する。図3には、保持テーブル32を模式的に示す斜視図が含まれており、図4(A)及び図4(B)には、保持テーブル32を模式的に示す側面図が含まれている。保持テーブル32は、上面32aが吸引面となっており、上面32aに載せられたウェーハ1を吸引保持できる。
Then, the
保持テーブル32の上面32aの径は、ウェーハ1の径よりも小さい。そのため、保持テーブル32にウェーハ1が吸引保持されたとき、ウェーハ1の下面が保持テーブル32の上面32aの外側で露出する。
The diameter of the
また、保持テーブル32は、モータ等の回転駆動源32dに接続されており、上面32aの中心を垂直に貫く回転軸32bのまわりに回転できる。また、保持テーブル32は、移動テーブル32eに支持されており、上面32aに平行な方向に移動できる。図4(A)に示す通り、移動テーブル32eを移動させる移動機構や回転駆動源32d等は、基台4に収容されている。また、図3に示す通り、基台4の上面には、保持テーブル32を支持する支持軸の移動を可能とする長穴32cが設けられる。
The holding table 32 is connected to a
加工装置2は、基台4上の保持テーブル32の近傍に、補助テーブル42を備える。補助テーブル42は、保持テーブル32の移動方向に沿って保持テーブル32から所定の距離離間した位置に配置される。補助テーブル42は、上面42aが吸引面となっている。補助テーブル42の上面42aは、保持テーブル32の上面32aと同じ高さとなる。
The processing device 2 is provided with an auxiliary table 42 near the holding table 32 on the base 4. The auxiliary table 42 is disposed at a position a predetermined distance away from the holding table 32 along the movement direction of the holding table 32. The
保持テーブル32に載るウェーハ1の下面のうち保持テーブル32の外側に露出した部分が補助テーブル42の上面42aに対面した状態において、補助テーブル42はウェーハ1を吸引保持できる。
When the portion of the underside of the wafer 1 placed on the holding table 32 that is exposed to the outside of the holding table 32 faces the
補助テーブル42でウェーハ1を吸引保持した状態で保持テーブル32によるウェーハ1の吸引保持を解除して保持テーブル32を移動させると、保持テーブル32に対するウェーハ1の位置を調整できる。また、保持テーブル32を回転軸32bのまわりに回転させると、補助テーブル42を利用したウェーハ1の保持テーブル32に対する移動の方向を変更できる。したがって、ウェーハ1の保持テーブル32に対する位置は、自在に調整可能である。
When the wafer 1 is held by suction on the auxiliary table 42, the position of the wafer 1 relative to the holding table 32 can be adjusted by releasing the suction hold of the wafer 1 by the holding table 32 and moving the holding table 32. In addition, by rotating the holding table 32 around the
補助テーブル42の上方には、ウェーハ1の外周部を撮像する撮像ユニット40が配置される。撮像ユニット40は、CCDセンサーまたはCMOSセンサーを備えるカメラを有し、さらに照明光源を備えても良い。
An
撮像ユニット40は、補助テーブル42を挟んで保持テーブル32とは反対側において基台4に対して立設する支持構造41により支持される。ウェーハ1を吸引保持する保持テーブル32を回転させつつ撮像ユニット40でウェーハ1の外周部を繰り返し撮像すると、ウェーハ1の外周部を全周に渡って撮像できる。
The
保持テーブル32、補助テーブル42、及び撮像ユニット40は、カセット28a,28bから搬出されたウェーハ1の位置合わせに使用される。すなわち、保持テーブル32と、補助テーブル42と、撮像ユニット40と、は位置調整ユニット44を構成する。ウェーハ1の外周部を撮像ユニット40で撮像して外周部の位置を特定し、この外周部の位置に基づいてウェーハ1の中心1dを検出し、ウェーハ1の中心1dが所定の位置に位置付けられるようにウェーハ1を移動させることでウェーハ1の位置を調整できる。
The holding table 32, auxiliary table 42, and
ウェーハ搬入機構(ローディングアーム)34は、例えば、基台4に固定された軸の周りに回転可能な軸部と、軸部の上端から水平方向に伸びた腕部と、腕部の先端に設けられウェーハ1を上方から吸引保持する保持部と、を備える。ウェーハ搬入機構34は、位置調整ユニット44で位置が調整されたウェーハ1を保持部で上方から保持してウェーハ搬入・搬出領域に配されたチャックテーブル8に搬送する。
The wafer loading mechanism (loading arm) 34 includes, for example, an axis portion that can rotate around an axis fixed to the base 4, an arm portion that extends horizontally from the upper end of the axis portion, and a holding portion that is provided at the tip of the arm portion and sucks and holds the wafer 1 from above. The
このように、ウェーハ搬入機構(ローディングアーム)34は、位置調整ユニット44の保持テーブル32からウェーハ1を搬出し、チャックテーブル8にウェーハ1を搬送できる搬送ユニットとして機能する。
In this way, the wafer loading mechanism (loading arm) 34 functions as a transport unit that can transport the wafer 1 from the holding table 32 of the
次に、加工装置(研削装置)2が備える制御ユニット(コントローラ)50について説明する。制御ユニット(コントローラ)50は加工装置2の各構成要素に接続されており各構成要素を制御する機能を有する。制御ユニット(コントローラ)50は、例えば、CPU(Central Processing Unit)等の処理装置と、DRAM(Dynamic Random Access Memory)等の主記憶装置と、フラッシュメモリ等の補助記憶装置と、を含むコンピュータによって構成されている。補助記憶装置に記憶されるソフトウェアに従い処理装置等を動作させることによって、制御ユニット(コントローラ)50の機能が実現される。 Next, the control unit (controller) 50 provided in the processing device (grinding device) 2 will be described. The control unit (controller) 50 is connected to each component of the processing device 2 and has the function of controlling each component. The control unit (controller) 50 is composed of a computer including, for example, a processing device such as a CPU (Central Processing Unit), a main storage device such as a DRAM (Dynamic Random Access Memory), and an auxiliary storage device such as a flash memory. The functions of the control unit (controller) 50 are realized by operating the processing device etc. according to software stored in the auxiliary storage device.
制御ユニット(コントローラ)50は、加工対象のウェーハ1を加工するための加工条件が予め入力され登録される記憶部52を備える。記憶部52には、加工装置2の各構成要素を制御するための情報やプログラム、ソフトウェア等が記憶されている。そして、制御ユニット(コントローラ)50は、加工条件に従って各構成要素を制御する。
The control unit (controller) 50 includes a
加工条件は、ウェーハ1の種別や所望の加工結果に合わせて適宜設定される。最適な加工条件は、例えば、ウェーハ1の直径や厚さ、材質等の種別により変化する。加工条件には、加工(研削)によるウェーハ1の仕上がり厚さ、研削ホイールの回転数、チャックテーブル8の回転数、加工送り速度等の各種の設定条件を含む。 The processing conditions are set appropriately according to the type of wafer 1 and the desired processing results. The optimal processing conditions vary depending on, for example, the diameter, thickness, material, and other types of wafer 1. The processing conditions include various setting conditions such as the finished thickness of wafer 1 after processing (grinding), the rotation speed of the grinding wheel, the rotation speed of the chuck table 8, and the processing feed speed.
また、加工条件には、カセット28a,28bから搬出されチャックテーブル8に搬送されるウェーハ1が、加工の対象であるか否かを判定するための参照用の情報が含まれる。例えば、加工ユニット10a,10bで加工されるウェーハ1の外形形状、ウェーハ1の大きさや径、または、加工の対象となるウェーハ1の被加工面が記憶部52に記憶される。そして、記憶部52は、加工条件の一部として加工ユニット10a,10bで加工されるウェーハ1の適正な表裏を記憶する。
The processing conditions also include reference information for determining whether the wafer 1 removed from the
制御ユニット(コントローラ)50は、撮像ユニット40を使用してウェーハ1の外形を特定し、特定したウェーハ1の外形からウェーハ1の表裏を特定する。そして、カセット28a,28bから搬出されたウェーハ1の表裏がウェーハ1の加工に適した適正な表裏であるか否かを判定する。以下、この判定に寄与する構成を中心に加工装置2の説明を続ける。
The control unit (controller) 50 uses the
制御ユニット(コントローラ)50は、ウェーハ1を保持する保持テーブル32を回転させるとともに、撮像ユニット40にウェーハ1の外周部を撮像させ、得られた撮像画像からウェーハ1の外形を特定する外形特定部54を備える。外形特定部54は、搬送ロボット30によりカセット28a,28bからウェーハ1が引き出され保持テーブル32に搬送され、ウェーハ1が保持テーブル32に吸引保持されたとき、ウェーハ1の外形を特定する動作を実施する。
The control unit (controller) 50 rotates the holding table 32 that holds the wafer 1, and has the
より詳細には、保持テーブル32に吸引保持されたウェーハ1の外周部のうち補助テーブル42と重なる部分を撮像ユニット40で撮像して撮像画像を得る。そして、外形特定部54は、得られた撮像画像からウェーハ1の外周縁を検出し、外周縁の位置を特定する。このとき、撮像画像には、外周縁を検出しやすくなるように所定の画像処理等が実施されてもよい。
More specifically, the
次に、保持テーブル32を回転軸32bのまわりに所定の回転角で回転させ、撮像ユニット40の視野にウェーハ1の外周部の別の部分を位置付ける。そして、同様に撮像ユニット40でウェーハ1の外周部を撮像し、得られた撮像画像からウェーハ1の外周縁の位置を特定する。こうして、保持テーブル32の回転と、ウェーハ1の外周部の撮像と、をくり返してウェーハ1の外周縁の位置を特定すると、ウェーハ1の外形が特定される。
Next, the holding table 32 is rotated around the
なお、制御ユニット(コントローラ)50は、ウェーハ1がチャックテーブル8の所定の位置に搬送されるように、外形特定部54が特定したウェーハ1の外周縁の位置を参照してウェーハ1の中心1dの位置を特定し、ウェーハ1の位置を調整してもよい。すなわち、制御ユニット50は、位置調整ユニット44を作動させてウェーハ1の位置合わせをするために、外形特定部54が特定したウェーハ1の外周縁の位置を利用できる。
The control unit (controller) 50 may determine the position of the
制御ユニット(コントローラ)50は、保持テーブル32に吸引保持されたウェーハ1の表裏を特定する表裏特定部56を備える。外形特定部54が特定したウェーハ1の外形には、図1に示すウェーハ1の第1のオリエンテーションフラット3a及び第2のオリエンテーションフラット3bが含まれる。そこで、表裏特定部56は、外形特定部54が特定したウェーハ1の外形における第1のオリエンテーションフラット3aと、第2のオリエンテーションフラット3bと、の位置関係を特定し、この位置関係からウェーハ1の表裏を特定する。
The control unit (controller) 50 includes a front/
表裏特定部56は、上方から見た視野において第1のオリエンテーションフラット3aが第2のオリエンテーションフラット3bの時計回り方向に隣接して位置するとき、ウェーハ1が表面1a及び裏面1bの一方を上方に向けていると判定する。その一方で、表裏特定部56は、同視野において第1のオリエンテーションフラット3aが第2のオリエンテーションフラット3bの反時計回り方向に隣接して位置するとき、ウェーハ1が表面1a及び裏面1bの他方を上方に向けていると判定する。
When the first orientation flat 3a is located adjacent to the second orientation flat 3b in the clockwise direction in the field of view seen from above, the front/
このように、表裏特定部56は、ウェーハ1の外形における第1のオリエンテーションフラット3a及び第2のオリエンテーションフラット3bの位置関係からウェーハ1が表面1aを上方に向けているのか、裏面1bを上方に向けているのか判定できる。すなわち、表裏特定部56は、保持テーブル32に保持されたウェーハ1の表裏を判定できる。
In this way, the front/
制御ユニット(コントローラ)50は、さらに、ウェーハ1の表裏が加工ユニット10a,10bによる加工に適した向きであるか否かを判定する判定部58をさらに備える。判定部58は、記憶部52に記憶された適正な表裏を読み出し、表裏特定部56が特定したウェーハ1の表裏が適正な表裏と一致するか否かを判定する。
The control unit (controller) 50 further includes a
その結果、ウェーハ1の表裏が適正な表裏と一致すると判定部58が判定する場合、制御ユニット(コントローラ)50は、搬送ユニット(ローディングアーム)34に保持テーブル32からチャックテーブル8にウェーハ1を搬送させる。そして、制御ユニット(コントローラ)50は、記憶部52に記憶された加工条件に従って各構成要素を制御して、加工ユニット10a,10bにウェーハ1を加工させる通常加工動作を実施する。
As a result, if the
その一方で、ウェーハ1の表裏が適正な表裏と一致しないと判定部58が判定する場合、制御ユニット(コントローラ)50は、ウェーハ1の通常加工動作を実施しない。これは、そのままウェーハ1を加工するとウェーハ1の加工されるべき面が加工されず、予定された加工結果が得られないためである。
On the other hand, if the
例えば、ウェーハ1の表面1a側が上方に向けられていた場合、ウェーハ1を加工する際、表面1aを保護するために表面1aに貼着されていた保護テープに加工ユニット10aの研削砥石20aが接触することになる。この場合、ウェーハ1が正しく加工されないだけでなくウェーハ1に破損が生じることもある。その上、保護テープを研削した研削砥石20aはその後の研削加工に使用できなくなるため、その被害は極めて甚大である。本実施形態に係る加工装置では、このような事態を事前に回避できる。
For example, if the front surface 1a of the wafer 1 is facing upward, when the wafer 1 is processed, the
なお、ウェーハ1の表裏が適正な表裏と一致しないと判定部58が判定する場合、制御ユニット50は、搬送ロボット30を制御して保持テーブル32からカセット28a,28bにウェーハ1を搬送させる。すなわち、加工装置(研削装置)2は、通常の加工動作を実施せず返送動作を実施する。
If the
また、加工装置(研削装置)2は、ウェーハ1の表裏を反転させる機能を備えても良い。例えば、搬送ロボット30の保持部は、ウェーハ1を吸引保持する吸引機構を備えるとともに、保持部がその根元から先端までを結ぶ方向に沿った回転軸の周りに回転可能である。そして、搬送ロボット30は、保持テーブル32に載るウェーハ1を保持部で吸引保持して保持テーブル32から持ち上げ、保持部を回転させてウェーハ1を上下反転させ、保持テーブル32に戻す。
The processing device (grinding device) 2 may also have a function of inverting the wafer 1. For example, the holding part of the
ただし、ウェーハ1の表裏反転方法はこれに限定されない。例えば、搬送ユニット(ローディングアーム)34は、搬送ロボット30と同様の反転機構を備えて保持テーブル32からチャックテーブル8にウェーハ1を搬送しつつ上下反転できてもよい。また、加工装置(研削装置)2は、さらに他の方法でウェーハ1を上下反転させてもよい。いずれにせよ、ウェーハ1の表裏が適正な表裏と一致しないと判定部58が判定する場合、制御ユニット50は、通常加工動作を実施しない。
However, the method of flipping the wafer 1 is not limited to this. For example, the transport unit (loading arm) 34 may be equipped with an inversion mechanism similar to that of the
なお、本実施形態に係る加工装置(研削装置)2では、ウェーハ1の表裏が適正な表裏と一致しないと判定部58が判定する場合、加工装置2の使用者や管理者等に警告を報知してもよい。例えば、加工装置2は、各種の警告を使用者や管理者等に報知する報知ユニットを備えることが好ましい。
In addition, in the processing device (grinding device) 2 according to this embodiment, if the
例えば、加工装置2は、報知ユニットとして複数の色の光を発することのできる警報ランプ46(図2参照)を備えてもよい。制御ユニット50は、警報ランプ46を制御する。そして、ウェーハ1の表裏が適正でないと判定される場合、制御ユニット50は、この警報ランプ46を制御して、警告を表す赤色を発するランプを点灯させる。また、加工装置2が報知ユニットとして警報音を発生できるブザーを備える場合、制御ユニット50は、このブザーを制御して警報音を発生させる。
For example, the processing device 2 may be provided with an alarm lamp 46 (see FIG. 2) capable of emitting light of multiple colors as an alarm unit. The
以上に、本実施形態に係る加工装置(研削装置)2について説明した。次に、加工装置2等で実施されるウェーハ1の表裏を検出する検出方法について説明する。下記の検出方法は、他の装置等で実施されてもよく、上記の加工装置2で実施されてもよい。そのため、下記の検出方法の説明は上述の加工装置2の動作の説明として適宜参照されるとともに、上述の加工装置2に関する説明は下記の検出方法の説明として適宜参照される。 The above describes the processing device (grinding device) 2 according to this embodiment. Next, a detection method for detecting the front and back sides of the wafer 1 implemented by the processing device 2 or the like will be described. The detection method described below may be implemented by other devices or the like, or may be implemented by the processing device 2 described above. Therefore, the description of the detection method described below may be appropriately referenced as a description of the operation of the processing device 2 described above, and the description of the processing device 2 described above may be appropriately referenced as a description of the detection method described below.
本実施形態に係る検出方法は、互いに隣接し長さの異なる第1のオリエンテーションフラット3a及び第2のオリエンテーションフラット3bを外周部1cに有するウェーハ1(図1参照)の表裏を検出する検出方法である。ただし、下記のウェーハ1の表裏を検出する検出方法は、加工装置2においてウェーハ1を加工する加工方法の一部として実施されてもよい。
The detection method according to this embodiment is a method for detecting the front and back of a wafer 1 (see FIG. 1) that has a first orientation flat 3a and a second orientation flat 3b on its
図5は、ウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図5に示すフローチャートに示すウェーハの加工方法には、本実施形態に係る検出方法で実施される各ステップが含まれる。この検出方法では、下記の各ステップの全てが実施される必要はなく、一部のステップが実施されてもよい。以下、ウェーハ1を加工する加工方法をステップごとに説明することにより、ウェーハ1の表裏を検出する検出方法をステップごとに詳述する。 Figure 5 is a flowchart showing the flow of a wafer processing method. The wafer processing method shown in the flowchart in Figure 5 includes each step performed in the detection method according to this embodiment. In this detection method, it is not necessary to perform all of the steps described below, and some of the steps may be performed. Below, the processing method for processing the wafer 1 will be explained step by step, and the detection method for detecting the front and back of the wafer 1 will be explained in detail step by step.
まず、ウェーハ1をカセット28a,28bから搬出する搬出ステップS10が実施される。例えば、カセット28a,28bからのウェーハ1の搬出は、搬送ロボット30により実施される。搬送ロボット30は、ウェーハ1を保持テーブル32に搬送する。このとき、ウェーハ1の外周部1cは、撮像ユニット40の撮像視野に位置付けられる。
First, a carry-out step S10 is performed to carry out the wafer 1 from the
次に、ウェーハ1の外周部1cを撮像ユニット40で撮像し、ウェーハ1の外形を検出する外形検出ステップS20を実施する。図4(B)は、外形検出ステップS20の実施中のウェーハ1及び撮像ユニット40等を模式的に示す側面図である。外形検出ステップS20では、例えば、撮像ユニット40でウェーハ1の外周部1cを撮像する。
Next, the
一度の撮像でウェーハ1の外周部1cの全域を撮像できない場合、撮像位置を切り替えながら撮像ユニット40で繰り返しウェーハ1を撮像する。例えば、撮像ユニット40の撮像視野の切り替えは、保持テーブル32を回転軸32bの周りに回転させることで実施されるとよい。そして、ウェーハ1の外周部1cの撮像が完了した後、得られた1枚または複数枚の撮像画像からウェーハ1の外周部1cの各点の位置を特定し、ウェーハ1の外形を特定する。
If it is not possible to capture the entire
次に、外形検出ステップS20で検出されたウェーハ1の外形に基づいてウェーハ1の表裏を判定する判定ステップS30を実施する。判定ステップS30では、ウェーハ1の外形から第1のオリエンテーションフラット3a及び第2のオリエンテーションフラット3bを特定する。 Next, a determination step S30 is performed to determine the front and back of the wafer 1 based on the outer shape of the wafer 1 detected in the outer shape detection step S20. In the determination step S30, the first orientation flat 3a and the second orientation flat 3b are identified from the outer shape of the wafer 1.
円弧状に形成されたウェーハ1の外周部1cのうち、直線状の切断線で切り取られた2つの形状がそれぞれオリエンテーションフラットとして検出される。そして、2つのオリエンテーションフラットの長さを比較することで、一方を第1のオリエンテーションフラット3aとして特定でき、他方を第2のオリエンテーションフラット3bとして特定できる。
Of the
そして、判定ステップS30では、特定の視野において第1のオリエンテーションフラット3aが第2のオリエンテーションフラット3bの時計回り方向に隣接して位置するとき、ウェーハ1が表面1a及び裏面1bの一方を上方に向けていると判定する。また、特定の視野において第1のオリエンテーションフラット3aが第2のオリエンテーションフラット3bの反時計回り方向に隣接して位置するとき、ウェーハ1が表面1a及び裏面1bの他方を上方に向けていると判定する。
Then, in the judgment step S30, when the first orientation flat 3a is located adjacent to the second orientation flat 3b in the clockwise direction in a specific field of view, it is judged that one of the front surface 1a and the
判定ステップS30の後、ウェーハ1の表裏の適否を判定する適否判定ステップS40が実施される。例えば、ウェーハ1の正しい表裏は、加工装置(研削装置)2の制御ユニット(コントローラ)50の記憶部52に予め記憶されている。そして、適否判定ステップS40では、ウェーハ1の正しい表裏が記憶部52から読み出されて判定ステップS30の判定結果と照合される。
After the judgment step S30, a suitability judgment step S40 is performed to judge whether the front and back sides of the wafer 1 are suitable. For example, the correct front and back sides of the wafer 1 are stored in advance in the
適否判定ステップS40の判定の結果、ウェーハ1の表裏が適正であると判定される場合、加工装置2では、ウェーハ1を加工する加工ステップS50が実施される。すなわち、保持テーブル32からチャックテーブル8にウェーハ1が搬送され、加工ユニット10a,10bによりウェーハ1が加工される。より詳細には、ウェーハ1の被加工面である裏面1bが上方に露出されていることが確認された場合、そのままウェーハ1の裏面1bの加工(研削)が実施される。
If the front and back sides of the wafer 1 are judged to be appropriate as a result of the judgment in the suitability judgment step S40, the processing device 2 performs the processing step S50 to process the wafer 1. That is, the wafer 1 is transferred from the holding table 32 to the chuck table 8, and the wafer 1 is processed by the
その一方で、適否判定ステップS40の判定の結果、ウェーハ1の表裏が適正でないと判定される場合、加工ステップS50がそのままでは実施されない。この場合、ウェーハ1を上下反転してウェーハ1の表裏を適性化する適正化ステップS60が実施されるとよい。 On the other hand, if the result of the suitability determination step S40 is that the front and back sides of the wafer 1 are not suitable, the processing step S50 is not performed as is. In this case, it is advisable to perform the suitability step S60, in which the wafer 1 is turned upside down to suit the front and back sides of the wafer 1.
加工装置2の搬送ロボット30等がウェーハ1の上下反転を実施できる場合、搬送ロボット30により適正化ステップS60が実施されるとよい。そして、適正化ステップS60によりウェーハ1が上下反転されウェーハ1が加工に適した表裏となった場合、その後に加工ステップS50が実施されるとよい。
If the
より詳細には、保持テーブル32にウェーハ1が載置されたときに、ウェーハ1の被加工面である裏面1bが保持テーブル32の上面32aと対面していた場合、ウェーハ1の上下が反転されることでウェーハ1の被加工面が上方に露出される。その後、ウェーハ1がチャックテーブル8に搬送され、ウェーハ1の加工が実施される。
More specifically, when the wafer 1 is placed on the holding table 32, if the
その一方で、適否判定ステップS40の判定の結果、ウェーハ1の表裏が適正でないと判定される場合でも適正化ステップS60が実施されなくてもよい。加工装置2がウェーハ1の上下を反転させる機構を備えない場合や、カセット28a,28bに加工の対象とならないウェーハ1が収容されていたことが疑われる場合等においては、ウェーハ1の加工がされるべきではない。この場合、適正化ステップS60が実施されず、ウェーハ1がカセット28a,28bに戻されるとよい。
On the other hand, even if the result of the suitability determination step S40 indicates that the front and back sides of the wafer 1 are not suitable, the optimization step S60 does not have to be performed. If the processing device 2 does not have a mechanism for turning the wafer 1 upside down, or if it is suspected that the
以上に説明する通り、本実施形態に係る加工装置及び検出方法(加工方法)では、第1のオリエンテーションフラット3a及び第2のオリエンテーションフラット3bを外周部1cに有するウェーハ1の表裏を検出する。特に、第1のオリエンテーションフラット3a及び第2のオリエンテーションフラット3bの位置関係からウェーハ1の表裏が判定される。
As described above, the processing device and detection method (processing method) according to this embodiment detect the front and back sides of a wafer 1 having a first orientation flat 3a and a second orientation flat 3b on its
ウェーハ1を加工する前に加工装置2がウェーハ1の表裏を判定できると、加工されるウェーハ1が適正な表裏となっているか確認できる。そして、ウェーハ1が適正な表裏となっていないことが確認された場合、このウェーハ1の加工を実施しないことで加工装置2やウェーハ1の損害を防止できる。 If the processing device 2 can determine the front and back sides of the wafer 1 before processing the wafer 1, it can confirm whether the wafer 1 to be processed has the correct front and back sides. If it is confirmed that the wafer 1 does not have the correct front and back sides, processing of the wafer 1 is not performed, thereby preventing damage to the processing device 2 and the wafer 1.
なお、本発明は、上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。上記実施形態では、表裏の判定対象となるウェーハ1を撮像ユニット40で上方から撮像する場合を例に説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。
The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified in various ways. In the above embodiment, an image of the wafer 1 to be determined as to whether it is front or back is captured from above by the
すなわち、撮像ユニット40は、補助テーブル42の外側において上面42aよりも低い位置に配置されていてもよく、下方からウェーハ1を撮像してもよい。この場合においても、得られた撮像画像を基にウェーハ1の外形の検出が可能であり、第1のオリエンテーションフラット3aと、第2のオリエンテーションフラット3bと、の位置関係からウェーハ1の表裏の判定が実施可能である。
That is, the
より詳細には、下方からウェーハ1を見た視野において第1のオリエンテーションフラット3aが第2のオリエンテーションフラット3bの時計回り方向に隣接して位置するとき、ウェーハ1が表面1a及び裏面1bの一方を上方に向けていると判定できる。また、下方からウェーハ1を見た視野において第1のオリエンテーションフラット3aが第2のオリエンテーションフラット3bの反時計回り方向に隣接して位置するとき、ウェーハ1が表面1a及び裏面1bの他方を上方に向けていると判定できる。
More specifically, when the first orientation flat 3a is located adjacent to the second orientation flat 3b in the clockwise direction in the field of view when the wafer 1 is viewed from below, it can be determined that one of the front surface 1a and back
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structures, methods, etc. relating to the above embodiments can be modified as appropriate without departing from the scope of the purpose of the present invention.
1 ウェーハ
1a 表面
1b 裏面
1c 外周部
1d 中心
3a,3b オリエンテーションフラット
2 加工装置
4 基台
6 ターンテーブル
8 チャックテーブル
8a 保持面
10a,10b 加工ユニット(研削ユニット)
12a,12b スピンドルモータ
14a,14b スピンドル
16a,16b ホイールマウント
18a,18b 研削ホイール
20a,20b 研削砥石
22a,22b コラム
24a,24b 加工送りユニット
26a,26b カセット載置台(カセット載置領域)
28a,28b カセット
30 搬送ロボット
32 保持テーブル
32a 上面
32b 回転軸
32c 長穴
32d 回転駆動源
32e 移動テーブル
34 ウェーハ搬入機構(ローディングアーム)
36 ウェーハ搬出機構(アンローディングアーム)
38 スピンナ洗浄装置
40 撮像ユニット
41 支持構造
42 補助テーブル
42a 上面
44 位置調整ユニット
46 警報ランプ
50 制御ユニット
52 記憶部
54 外形特定部
56 表裏特定部
58 判定部
REFERENCE SIGNS LIST 1 wafer 1a
12a,
28a,
36 Wafer unloading mechanism (unloading arm)
38
Claims (3)
該ウェーハの該外周部を撮像ユニットで撮像し、該ウェーハの外形を検出する外形検出ステップと、
該外形検出ステップで検出された該ウェーハの該外形に基づいて該ウェーハの表裏を判定する判定ステップと、を備え、
該判定ステップでは、
特定の視野において該第1のオリエンテーションフラットが該第2のオリエンテーションフラットの時計回り方向に隣接して位置するとき、該ウェーハが表面及び裏面の一方を上方に向けていると判定し、
該特定の視野において該第1のオリエンテーションフラットが該第2のオリエンテーションフラットの反時計回り方向に隣接して位置するとき、該ウェーハが該表面及び該裏面の他方を上方に向けていると判定することを特徴とする検出方法。 A method for detecting the front and back of a wafer having a first orientation flat and a second orientation flat adjacent to each other and having different lengths on an outer periphery thereof, comprising the steps of:
an outer shape detection step of capturing an image of the outer periphery of the wafer with an imaging unit and detecting the outer shape of the wafer;
a determination step of determining the front and back sides of the wafer based on the outer shape of the wafer detected in the outer shape detection step,
In the determination step,
determining that the wafer is facing one of its front side and back side upward when the first orientation flat is located adjacent to the second orientation flat in a clockwise direction in a particular field of view;
a detection method for determining that the wafer is facing with the other of the front surface and the back surface facing upward when the first orientation flat is located adjacent to the second orientation flat in a counterclockwise direction in the specific field of view.
該ウェーハを保持しつつ回転できる保持テーブルと、
該ウェーハを加工する加工ユニットと、
該保持テーブルで保持された該ウェーハを撮像できる撮像ユニットと、
制御ユニットと、を備え、
該制御ユニットは、該ウェーハを保持する該保持テーブルを回転させるとともに、該撮像ユニットに該ウェーハの該外周部を撮像させ、得られた撮像画像から該ウェーハの外形を特定し、
特定の視野において該第1のオリエンテーションフラットが該第2のオリエンテーションフラットの時計回り方向に隣接して位置するとき、該ウェーハが表面及び裏面の一方を上方に向けていると判定し、
該特定の視野において該第1のオリエンテーションフラットが該第2のオリエンテーションフラットの反時計回り方向に隣接して位置するとき、該ウェーハが該表面及び該裏面の他方を上方に向けていると判定することを特徴とする加工装置。 A processing apparatus for processing a wafer having a first orientation flat and a second orientation flat adjacent to each other and having different lengths on an outer periphery thereof, comprising:
a holding table capable of rotating while holding the wafer;
a processing unit for processing the wafer;
an imaging unit capable of imaging the wafer held by the holding table;
A control unit,
the control unit rotates the holding table that holds the wafer, and causes the imaging unit to capture an image of the outer periphery of the wafer, and identifies an outer shape of the wafer from the captured image;
determining that the wafer is facing one of its front side and back side upward when the first orientation flat is located adjacent to the second orientation flat in a clockwise direction in a particular field of view;
A processing apparatus characterized in that when the first orientation flat is located adjacent to the second orientation flat in a counterclockwise direction in the specific field of view, it is determined that the wafer is facing with the other of the front surface and the back surface facing upward.
該ウェーハが収容されたカセットが載置されるカセット載置台と、
該ウェーハを保持しつつ上面に垂直な軸の周りに回転できるとともに、該上面に平行な方向に移動できる保持テーブルと、
該カセット載置台に置かれた該カセットから該ウェーハを搬出し、該保持テーブル上に該ウェーハを搬送する搬送ロボットと、
該保持テーブルで保持された該ウェーハを撮像できる撮像ユニットと、
該ウェーハを吸引保持できるチャックテーブルと、
該保持テーブルから該ウェーハを搬出し、該チャックテーブルに該ウェーハを搬送できる搬送ユニットと、
該チャックテーブルで吸引保持された該ウェーハを加工する加工ユニットと、
制御ユニットと、を備え、
該制御ユニットは、
該加工ユニットで加工される該ウェーハの適正な表裏を記憶する記憶部と、
該ウェーハを保持する該保持テーブルを回転させるとともに、該撮像ユニットに該ウェーハの該外周部を撮像させ、得られた撮像画像から該ウェーハの外形を特定する外形特定部と、
該外形特定部が特定した該ウェーハの該外形における該第1のオリエンテーションフラットと、該第2のオリエンテーションフラットと、の位置関係から該ウェーハの表裏を特定する表裏特定部と、
該記憶部に記憶された該適正な表裏を読み出し、該表裏特定部が特定した該ウェーハの該表裏が該適正な表裏と一致するか否かを判定する判定部と、を備え、
該ウェーハの該表裏が該適正な表裏と一致すると該判定部が判定する場合、該搬送ユニットを制御して該保持テーブルから該チャックテーブルに該ウェーハを搬送させ、該加工ユニットに該ウェーハを加工させる通常加工動作を実施し、
該ウェーハの該表裏が該適正な表裏と一致しないと該判定部が判定する場合、該通常加工動作を実施しないことを特徴とする加工装置。 A processing apparatus for processing a wafer having a first orientation flat and a second orientation flat adjacent to each other and having different lengths on an outer periphery thereof, comprising:
a cassette placement stage on which a cassette containing the wafers is placed;
a holding table that can rotate around an axis perpendicular to an upper surface while holding the wafer and can move in a direction parallel to the upper surface;
a transfer robot that takes out the wafer from the cassette placed on the cassette placement table and transfers the wafer onto the holding table;
an imaging unit capable of imaging the wafer held by the holding table;
a chuck table capable of suction-holding the wafer;
a transport unit capable of unloading the wafer from the holding table and transporting the wafer to the chuck table;
a processing unit that processes the wafer held by suction on the chuck table;
A control unit,
The control unit
A memory unit that stores the appropriate front and back sides of the wafer to be processed by the processing unit;
an outer shape specifying section that rotates the holding table that holds the wafer, causes the imaging unit to capture an image of the outer periphery of the wafer, and specifies the outer shape of the wafer from the captured image;
a front/back specifying unit that specifies the front/back of the wafer based on a positional relationship between the first orientation flat and the second orientation flat in the outer shape of the wafer specified by the outer shape specifying unit;
a determination unit that reads out the appropriate front and back sides stored in the memory unit and determines whether or not the front and back sides of the wafer identified by the front and back side identification unit match the appropriate front and back sides,
When the determination unit determines that the front and back sides of the wafer match the appropriate front and back sides, the transfer unit is controlled to transfer the wafer from the holding table to the chuck table, and a normal processing operation is performed to cause the processing unit to process the wafer;
The processing apparatus is characterized in that, when the determining unit determines that the front and back sides of the wafer do not match the appropriate front and back sides, the normal processing operation is not performed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022174299A JP2024065440A (en) | 2022-10-31 | 2022-10-31 | Detection method and processing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022174299A JP2024065440A (en) | 2022-10-31 | 2022-10-31 | Detection method and processing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024065440A true JP2024065440A (en) | 2024-05-15 |
Family
ID=91064198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022174299A Pending JP2024065440A (en) | 2022-10-31 | 2022-10-31 | Detection method and processing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2024065440A (en) |
-
2022
- 2022-10-31 JP JP2022174299A patent/JP2024065440A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6906859B2 (en) | Processing equipment | |
| JP2004207606A (en) | Wafer support plate | |
| JP2009123790A (en) | Grinding device | |
| JP2010186863A (en) | Aligning mechanism, working device and aligning method | |
| US20200185241A1 (en) | Cutting apparatus and wafer processing method using cutting apparatus | |
| US20200130124A1 (en) | Grinding apparatus, grinding method and computer-readable recording medium | |
| US12290898B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| KR20220009869A (en) | Method of grinding workpiece | |
| JP5215159B2 (en) | Alignment mechanism, grinding apparatus, alignment method and grinding method | |
| JP2010114125A (en) | Semiconductor wafer processing apparatus | |
| JP7708581B2 (en) | Suction holding table and processing device | |
| JP5117686B2 (en) | Grinding equipment | |
| JP6707291B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP2012069677A (en) | Grinding apparatus | |
| JP4861061B2 (en) | Method and apparatus for confirming annular reinforcing portion formed on outer periphery of wafer | |
| JP2024065440A (en) | Detection method and processing device | |
| JP2009302369A (en) | Method and apparatus for processing plate-like object | |
| JP7187119B2 (en) | Grinding device and dressing board type discrimination method | |
| JP4342861B2 (en) | Semiconductor wafer processing equipment | |
| KR102803743B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
| TWI849189B (en) | processing method | |
| JP5508114B2 (en) | Grinding equipment | |
| JP2010010267A (en) | Working device for semiconductor wafer | |
| JP2010005717A (en) | Machining apparatus | |
| JP7768786B2 (en) | Processing device and method for detecting abnormalities in proximity sensors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20250825 |