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JP2010010267A - Working device for semiconductor wafer - Google Patents

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JP2010010267A
JP2010010267A JP2008165690A JP2008165690A JP2010010267A JP 2010010267 A JP2010010267 A JP 2010010267A JP 2008165690 A JP2008165690 A JP 2008165690A JP 2008165690 A JP2008165690 A JP 2008165690A JP 2010010267 A JP2010010267 A JP 2010010267A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
spinner
wafer
outer peripheral
spin
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Pending
Application number
JP2008165690A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takahiko Tsuno
貴彦 津野
Yasutaka Mizomoto
康隆 溝本
Ken Kimura
謙 木村
Takeru Kobayashi
長 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
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Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】半導体ウエーハを所定の向きに位置付けた後、次工程へ搬出可能な研削装置等の加工装置を提供する。
【解決手段】研削又は研磨された半導体ウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナ洗浄装置64を有し、外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハの加工装置であって、スピンナ洗浄装置は、スピンナテーブル68と、スピンナテーブルの回転角を検出するエンコーダと、洗浄水供給ノズルと、洗浄及びスピン乾燥された半導体ウエーハの外周部を撮像して、半導体ウエーハの結晶方位を示すマークを検出する照明手段を含む撮像手段とを具備し、検出したマークを元に制御手段がスピンナテーブルを回転させることで半導体ウエーハを所定の向きに位置付けた後に、搬出手段66が所定の向きに位置付けられた半導体ウエーハを搬出する。
【選択図】図3
Provided is a processing apparatus such as a grinding apparatus capable of positioning a semiconductor wafer in a predetermined direction and then carrying it out to the next process.
A semiconductor wafer processing apparatus having a spinner cleaning apparatus 64 for cleaning and spin-drying a ground or polished semiconductor wafer, and having a mark indicating a crystal orientation on the outer periphery, the spinner cleaning apparatus including a spinner cleaning apparatus. Illuminating means for detecting a mark indicating the crystal orientation of the semiconductor wafer by imaging the outer periphery of the table 68, an encoder for detecting the rotation angle of the spinner table, a cleaning water supply nozzle, and a cleaned and spin-dried semiconductor wafer And the control means rotates the spinner table on the basis of the detected mark to position the semiconductor wafer in a predetermined direction, and then the unloading means 66 moves the semiconductor wafer positioned in the predetermined direction. Take it out.
[Selection] Figure 3

Description

本発明は、外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハを研削又は研磨した後に次工程へ搬出する半導体ウエーハの加工装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor wafer processing apparatus for grinding or polishing a semiconductor wafer having a crystal orientation mark on its outer periphery and then carrying it out to the next process.

IC、LSI等のデバイスが表面に形成され、個々のデバイスが分割予定ラインによって区画された半導体ウエーハは研削・研磨装置によって裏面が研削又は研磨されて所望の厚みへ加工された後、ダイシング装置等によって分割予定ラインが切削されて個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に広く利用されている。   A semiconductor wafer in which devices such as IC and LSI are formed on the surface, and each device is defined by lines to be divided is ground or polished by a grinding / polishing device and processed to a desired thickness, and then a dicing device or the like The line to be divided is cut and divided into individual devices, and the divided devices are widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers.

近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するために、これら半導体ウエーハ等の被加工物を例えば、100μm以下更には50μm以下と非常に薄く研削することが要求されている。   In recent years, in order to achieve weight reduction and miniaturization of electrical equipment, it has been required to grind these workpieces such as semiconductor wafers to a very thin thickness of, for example, 100 μm or less and further 50 μm or less.

しかし、例えば50μm以下と非常に薄く研削された半導体ウエーハは破損し易く、ハンドリングが困難になるという問題がある。通常、裏面が研削又は研磨された半導体ウエーハは研削・研磨装置から搬出された後、ダイシング後のチップピックアップを容易にするために、ダイシングの前に環状フレームに装着されたダイシングテープに貼着される。   However, there is a problem that a semiconductor wafer ground to be very thin, for example, 50 μm or less, is easily damaged and is difficult to handle. Usually, a semiconductor wafer whose back surface is ground or polished is taken out from a grinding / polishing apparatus and then attached to a dicing tape mounted on an annular frame before dicing to facilitate chip pick-up after dicing. The

一方、ダイシング装置で半導体ウエーハを切削する際に、装置が自動で切削位置を検出できるようにダイシングテープへの貼着時にウエーハの向きを揃える必要がある。   On the other hand, when cutting a semiconductor wafer with a dicing machine, it is necessary to align the direction of the wafer when sticking to a dicing tape so that the machine can automatically detect the cutting position.

そこで一般に、研削又は研磨されたウエーハはテープ貼着装置へと搬送された後、テープ貼着装置の位置合わせテーブル上に載置されて所定の向きへ位置合わせされてから、テープマウント用テーブルへと搬送されてダイシングテープが貼着される。
特開2006−21264号公報
Therefore, in general, the ground or polished wafer is transported to a tape sticking device, and then placed on a positioning table of the tape sticking device and aligned in a predetermined direction, and then transferred to a tape mounting table. And the dicing tape is attached.
JP 2006-21264 A

ところが、薄い半導体ウエーハでは抗折強度が十分でないため、テーブルへ載置する際に破損してしまうことが多く、テーブルへの載置回数が多ければそれだけ破損の可能性は高くなる。   However, since the bending strength of a thin semiconductor wafer is not sufficient, it is often damaged when it is placed on a table, and the possibility of breakage increases as the number of times of placement on the table increases.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、研削又は研磨された半導体ウエーハを所定の向きに位置合わせした後、次工程へ搬出可能な半導体ウエーハの加工装置を提供することである。   The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to process a semiconductor wafer that can be taken out to the next process after the ground or polished semiconductor wafer is aligned in a predetermined direction. Is to provide a device.

本発明によると、外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハの裏面を所望の厚みに研削又は研磨する加工手段と、研削又は研磨された半導体ウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナ洗浄装置と、該スピンナ洗浄装置を制御する制御手段と、洗浄及びスピン乾燥された半導体ウエーハを該スピンナ洗浄装置から次工程へ搬出する搬出手段とを備えた半導体ウエーハの加工装置であって、前記スピンナ洗浄装置は、半導体ウエーハと略同径以上の径を有し半導体ウエーハを保持して回転するスピンナテーブルと、該スピンナテーブルの回転角を検出するエンコーダと、半導体ウエーハへ洗浄水を供給する洗浄水供給ノズルと、該スピンナテーブルのウエーハ保持面より上方に配置され、洗浄及びスピン乾燥された半導体ウエーハの外周部を撮像して、半導体ウエーハの結晶方位を示す前記マークを検出する照明手段を含む撮像手段とを具備し、検出した該マークを元に前記制御手段が前記スピンナテーブルを回転させることで半導体ウエーハを所定の向きに位置付けた後に、前記搬出手段が所定の向きに位置付けられた半導体ウエーハを搬出することを特徴とする半導体ウエーハの加工装置が提供される。   According to the present invention, a chuck table for holding a semiconductor wafer having a crystal orientation mark on the outer periphery, a processing means for grinding or polishing the back surface of the semiconductor wafer held on the chuck table to a desired thickness, A spinner cleaning apparatus for cleaning and spin drying the polished semiconductor wafer, a control means for controlling the spinner cleaning apparatus, and an unloading means for transporting the cleaned and spin dried semiconductor wafer from the spinner cleaning apparatus to the next process. A semiconductor wafer processing apparatus provided, wherein the spinner cleaning apparatus detects a rotation angle of the spinner table having a diameter substantially equal to or larger than that of the semiconductor wafer and rotating while holding the semiconductor wafer. An encoder, a cleaning water supply nozzle for supplying cleaning water to the semiconductor wafer, and a spinner table An image pickup means including an illuminating means for detecting the mark indicating the crystal orientation of the semiconductor wafer by imaging the outer periphery of the cleaned and spin-dried semiconductor wafer disposed above the wafer holding surface; Based on the mark, the control means rotates the spinner table to position the semiconductor wafer in a predetermined direction, and then the unloading means carries out the semiconductor wafer positioned in the predetermined direction. A wafer processing apparatus is provided.

請求項2記載の発明によると、請求項1記載の発明において、スピンナテーブルは半導体ウエーハを吸着保持するポーラス吸着部と、ポーラス吸着部を囲繞する外周部を有する基台とから構成され、外周部は撮像手段で撮像した際に照明手段からの光を乱反射させる乱反射面を有している。   According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the spinner table includes a porous adsorbing portion that adsorbs and holds the semiconductor wafer and a base having an outer peripheral portion that surrounds the porous adsorbing portion. Has an irregular reflection surface for irregularly reflecting light from the illumination means when imaged by the imaging means.

請求項1記載の発明によると、スピンナテーブル上で半導体ウエーハを所定の向きに揃えることが可能であるため、ダイシングテープを貼着するテープマウント工程等の次工程で、再度半導体ウエーハの向きを揃えるステップを省略でき、半導体ウエーハの破損を低減できる。   According to the first aspect of the present invention, since the semiconductor wafer can be aligned in a predetermined direction on the spinner table, the direction of the semiconductor wafer is aligned again in the next process such as a tape mounting process for attaching a dicing tape. Steps can be omitted and damage to the semiconductor wafer can be reduced.

請求項2記載の発明によると、スピンナテーブルの外周が撮像手段からの光を乱反射する乱反射面を有しているため、半導体ウエーハを撮像した際に半導体ウエーハ外周を明瞭に検出することができる。   According to the second aspect of the invention, since the outer periphery of the spinner table has the irregular reflection surface for irregularly reflecting the light from the imaging means, the outer periphery of the semiconductor wafer can be clearly detected when the semiconductor wafer is imaged.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハ11の斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハから成っており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer 11 before being processed to a predetermined thickness. The semiconductor wafer 11 shown in FIG. 1 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm, and a plurality of streets 13 are formed in a lattice shape on the surface 11a, and a plurality of streets partitioned by the plurality of streets 13 are formed. A device 15 such as an IC or LSI is formed in the region.

このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。このノッチ21の方向は、ストリート13に平行である。   The semiconductor wafer 11 configured as described above includes a device region 17 in which the device 15 is formed, and an outer peripheral surplus region 19 that surrounds the device region 17. A notch 21 is formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 11 as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer. The direction of the notch 21 is parallel to the street 13.

半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の研削時には、半導体ウエーハ11の表面11aは、保護テープ23によって保護され、図2に示すように裏面11bが露出する形態となる。   A protective tape 23 is attached to the surface 11a of the semiconductor wafer 11 by a protective tape attaching process. Therefore, when the semiconductor wafer 11 is ground, the front surface 11a of the semiconductor wafer 11 is protected by the protective tape 23, and the back surface 11b is exposed as shown in FIG.

以下、このように形成された半導体ウエーハ11の裏面11bを所定厚さに研削する研削装置2を図3を参照して説明する。4は研削装置2のハウジングであり、ハウジング4の後方には二つのコラム6a6bが垂直に立設されている。   Hereinafter, a grinding apparatus 2 for grinding the back surface 11b of the semiconductor wafer 11 thus formed to a predetermined thickness will be described with reference to FIG. Reference numeral 4 denotes a housing of the grinding apparatus 2, and two columns 6 a 6 b are erected vertically at the rear of the housing 4.

コラム6aには、上下方向に伸びる一対のガイドレール(一本のみ図示)8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿って粗研削ユニット10が上下方向に移動可能に装着されている。粗研削ユニット10は、そのハウジング20が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。   A pair of guide rails (only one is shown) 8 extending in the vertical direction is fixed to the column 6a. A rough grinding unit 10 is mounted along the pair of guide rails 8 so as to be movable in the vertical direction. The rough grinding unit 10 is attached to a moving base 12 whose housing 20 moves up and down along a pair of guide rails 8.

粗研削ユニット10は、ハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容された図示しないスピンドルと、スピンドルを回転駆動するサーボモータ22と、スピンドルの先端に固定された複数の粗研削用の研削砥石26を有する研削ホイール24を含んでいる。   The rough grinding unit 10 includes a housing 20, a spindle (not shown) rotatably accommodated in the housing 20, a servo motor 22 that rotationally drives the spindle, and a plurality of rough grinding grinding wheels fixed to the tip of the spindle. A grinding wheel 24 having 26 is included.

粗研削ユニット10は、粗研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモータ16とから構成される粗研削ユニット移動機構18を備えている。パルスモータ16をパルス駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。   The rough grinding unit 10 includes a rough grinding unit moving mechanism 18 including a ball screw 14 and a pulse motor 16 that move the rough grinding unit 10 up and down along a pair of guide rails 8. When the pulse motor 16 is pulse-driven, the ball screw 14 rotates and the moving base 12 is moved in the vertical direction.

他方のコラム6bにも、上下方向に伸びる一対のガイドレール(一本のみ図示)19が固定されている。この一対のガイドレール19に沿って仕上げ研削ユニット28が上下方向に移動可能に装着されている。   A pair of guide rails 19 (only one is shown) 19 extending in the vertical direction are also fixed to the other column 6b. A finish grinding unit 28 is mounted along the pair of guide rails 19 so as to be movable in the vertical direction.

仕上げ研削ユニット28は、そのハウジング36が一対のガイドレール19に沿って上下方向に移動する図示しない移動基台に取り付けられている。仕上げ研削ユニット28は、ハウジング36と、ハウジング36中に回転可能に収容された図示しないスピンドルと、スピンドルを回転駆動するサーボモータ38と、スピンドルの先端に固定された仕上げ研削用の研削砥石42を有する研削ホイール40を含んでいる。   The finish grinding unit 28 is attached to a moving base (not shown) in which the housing 36 moves in the vertical direction along the pair of guide rails 19. The finish grinding unit 28 includes a housing 36, a spindle (not shown) rotatably accommodated in the housing 36, a servo motor 38 that rotationally drives the spindle, and a grinding wheel 42 for finish grinding fixed to the tip of the spindle. A grinding wheel 40 is included.

仕上げ研削ユニット28は、仕上げ研削ユニット28を一対の案内レール19に沿って上下方向に移動するボールねじ30とパルスモータ32とから構成される仕上げ研削ユニット移動機構34を備えている。パルスモータ32を駆動すると、ボールねじ30が回転し、仕上げ研削ユニット28が上下方向に移動される。   The finish grinding unit 28 includes a finish grinding unit moving mechanism 34 including a ball screw 30 and a pulse motor 32 that move the finish grinding unit 28 in the vertical direction along the pair of guide rails 19. When the pulse motor 32 is driven, the ball screw 30 rotates and the finish grinding unit 28 is moved in the vertical direction.

研削装置2は、コラム6a,6bの前側においてハウジング4の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル44を具備している。ターンテーブル44は比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印45で示す方向に回転される。   The grinding device 2 includes a turntable 44 disposed so as to be substantially flush with the upper surface of the housing 4 on the front side of the columns 6a and 6b. The turntable 44 is formed in a relatively large-diameter disk shape, and is rotated in a direction indicated by an arrow 45 by a rotation drive mechanism (not shown).

ターンテーブル44には、互いに円周方向に120°離間して3個のチャックテーブル46が水平面内で回転可能に配置されている。チャックテーブル46は、ポーラスセラミック材によって円盤状に形成された吸着チャックを有しており、吸着チャックの保持面上に載置されたウエーハを真空吸引手段を作動することにより吸引保持する。   On the turntable 44, three chuck tables 46 are arranged so as to be rotatable in a horizontal plane, spaced from each other by 120 ° in the circumferential direction. The chuck table 46 has a suction chuck formed in a disk shape by a porous ceramic material, and sucks and holds the wafer placed on the holding surface of the suction chuck by operating a vacuum suction means.

ターンテーブル44に配設された3個のチャックテーブル46は、ターンテーブル44が適宜回転することにより、ウエーハ搬入・搬出領域A、粗研削加工領域B、仕上げ研削加工領域C、及びウエーハ搬入・搬出領域Aに順次移動される。   The three chuck tables 46 arranged on the turntable 44 are rotated in accordance with the turntable 44, so that the wafer loading / unloading area A, rough grinding area B, finish grinding area C, and wafer loading / unloading are performed. The region A is sequentially moved.

ハウジング4の前側部分には、ウエーハカセット50と、リンク51及びハンド52を有するウエーハ搬送ロボット54と、複数の位置決めピン58を有する位置決めテーブル56と、ウエーハ搬入機構(ローディングアーム)60と、ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)62と、研削されたウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナ洗浄装置64と、スピンナ洗浄装置64で洗浄及びスピン乾燥された研削後のウエーハを次工程へ搬出する搬出手段66が配設されている。   In the front portion of the housing 4, a wafer cassette 50, a wafer transfer robot 54 having a link 51 and a hand 52, a positioning table 56 having a plurality of positioning pins 58, a wafer carry-in mechanism (loading arm) 60, and a wafer carry-out A mechanism (unloading arm) 62, a spinner cleaning device 64 that cleans and spin-drys the ground wafer, and an unloading means 66 that transports the ground wafer cleaned and spin-dried by the spinner cleaning device 64 to the next process. It is arranged.

スピンナ洗浄装置64は、研削された半導体ウエーハを吸引保持して回転するスピンナテーブル68を有している。スピンナテーブル68は半導体ウエーハの直径と概略同径以上の直径を有している。   The spinner cleaning device 64 has a spinner table 68 that rotates while sucking and holding the ground semiconductor wafer. The spinner table 68 has a diameter that is approximately equal to or larger than the diameter of the semiconductor wafer.

図4に示すように、スピンナテーブル68はウエーハ11を吸着保持するポーラス吸着部70と、ポーラス吸着部70を囲繞する外周部72を有する基台71とから構成される。外周部72を有する基台71は例えば白色セラミックから形成されており、その上面72aは乱反射面に形成されている。   As shown in FIG. 4, the spinner table 68 includes a porous suction portion 70 that sucks and holds the wafer 11 and a base 71 having an outer peripheral portion 72 that surrounds the porous suction portion 70. The base 71 having the outer peripheral portion 72 is made of, for example, white ceramic, and the upper surface 72a is formed as an irregular reflection surface.

代替案として、外周部72をSUS等の金属から形成することもできる。この場合、その上面72aは粗研削加工が施されて乱反射面とされている。外周部72を、例えば明色に着色された樹脂から形成することもでき、上面72aは同じく乱反射面とされている。   As an alternative, the outer peripheral portion 72 can be formed of a metal such as SUS. In this case, the upper surface 72a is subjected to rough grinding to be a irregular reflection surface. The outer peripheral part 72 can also be formed, for example from the resin colored brightly, and the upper surface 72a is also used as the irregular reflection surface.

あるいは、外周部72を金属、セラミック、樹脂の組み合わせから形成するようにしても良い。ポーラス吸着部70の上面(ウエーハ保持面)と外周部72の上面72aは面一に形成されている。   Or you may make it form the outer peripheral part 72 from the combination of a metal, a ceramic, and resin. The upper surface (wafer holding surface) of the porous suction portion 70 and the upper surface 72a of the outer peripheral portion 72 are formed flush with each other.

スピンナ洗浄装置64は、スピンナテーブル68に吸着保持された研削済みのウエーハに向けて洗浄水を供給する図示しない洗浄水供給ノズルを有している。スピンナ洗浄装置64のカバー74には、半導体ウエーハ11の結晶方位を示すマーク21を撮像して検出する撮像手段76が下向きに取り付けられている。   The spinner cleaning device 64 has a cleaning water supply nozzle (not shown) that supplies cleaning water toward the ground wafer that is adsorbed and held on the spinner table 68. An image pickup means 76 for picking up and detecting the mark 21 indicating the crystal orientation of the semiconductor wafer 11 is attached downward to the cover 74 of the spinner cleaning device 64.

図4に示すように、撮像手段76には撮像時にウエーハ11の外周部及びスピンナテーブル68の外周部72の上面72aを照明する照明手段78が取り付けられている。撮像手段76は、半導体ウエーハ11の外周部及びスピンナテーブル68の外周部72の上面72aを撮像可能なようにカバー74に取り付けられている。スピンナ洗浄装置64はスピンナテーブル68の回転角を検出するエンコーダを有している。   As shown in FIG. 4, an illuminating unit 78 that illuminates the outer peripheral portion of the wafer 11 and the upper surface 72 a of the outer peripheral portion 72 of the spinner table 68 is attached to the imaging unit 76. The image pickup means 76 is attached to the cover 74 so as to be able to image the outer peripheral portion of the semiconductor wafer 11 and the upper surface 72a of the outer peripheral portion 72 of the spinner table 68. The spinner cleaning device 64 has an encoder that detects the rotation angle of the spinner table 68.

仕上げ研削の終了したウエーハが、ターンテーブル44を回転することによりウエーハ搬入・搬出領域Aに位置付けられると、ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)62の吸着パッド62bがウエーハを吸着し、アンローディングアーム62が旋回することにより、ウエーハはスピンナ洗浄装置64のスピンナテーブル68に搬送され、スピンナテーブル68により吸引保持される。   When the wafer after finish grinding is positioned in the wafer loading / unloading area A by rotating the turntable 44, the suction pad 62b of the wafer unloading mechanism (unloading arm) 62 sucks the wafer, and the unloading arm 62 , The wafer is transported to the spinner table 68 of the spinner cleaning device 64 and sucked and held by the spinner table 68.

スピンナテーブル68に保持されたウエーハは、洗浄水供給ノズルから洗浄水を供給しながらスピンナテーブル68を約800rpmで回転しながら洗浄され、洗浄後には洗浄水供給ノズルからの洗浄水の供給を絶ってスピンナテーブル68を約3000rpm等の高速で回転させて洗浄後のウエーハをスピン乾燥する。   The wafer held by the spinner table 68 is cleaned while rotating the spinner table 68 at about 800 rpm while supplying the cleaning water from the cleaning water supply nozzle, and after the cleaning, the supply of the cleaning water from the cleaning water supply nozzle is stopped. The spinner table 68 is rotated at a high speed such as about 3000 rpm to spin dry the washed wafer.

洗浄及びスピン乾燥されたウエーハ11の外周エッジ部は、照明手段78から照明光80をウエーハ11の外周エッジ部及びスピンナテーブル68の外周部72の上面72aに照射しながら撮像手段76で撮像される。   The outer peripheral edge portion of the cleaned and spin-dried wafer 11 is imaged by the imaging means 76 while irradiating illumination light 80 from the illumination means 78 to the outer peripheral edge portion of the wafer 11 and the upper surface 72 a of the outer peripheral portion 72 of the spinner table 68. .

ウエーハ11の裏面は鏡面加工されているため、照明光80は符号82で示すようにウエーハ11の外周エッジ部で鏡面反射される。一方、スピンナテーブル68の外周部72の上面72aは乱反射加工されているため、照明光80は符号84で示すようにスピンナテーブル68の外周部72の上面72aにより乱反射される。   Since the back surface of the wafer 11 is mirror-finished, the illumination light 80 is specularly reflected at the outer peripheral edge portion of the wafer 11 as indicated by reference numeral 82. On the other hand, since the upper surface 72 a of the outer peripheral portion 72 of the spinner table 68 is subjected to irregular reflection processing, the illumination light 80 is irregularly reflected by the upper surface 72 a of the outer peripheral portion 72 of the spinner table 68 as indicated by reference numeral 84.

その結果、ウエーハ11の外周エッジ部は白っぽく撮像され、スピンナテーブル68の外周部72の上面72aは乱反射のために黒っぽく撮像されるため、ウエーハ11の外周エッジ部を明瞭に検出することができる。   As a result, the outer peripheral edge portion of the wafer 11 is imaged whitish, and the upper surface 72a of the outer peripheral portion 72 of the spinner table 68 is imaged blackish due to irregular reflection, so that the outer peripheral edge portion of the wafer 11 can be detected clearly.

スピンナテーブル68を回転しながら撮像手段76により連続的に撮像することにより、ウエーハ11の外周に形成された結晶方位を示すノッチ21を容易に検出することができる。   By continuously imaging with the imaging means 76 while rotating the spinner table 68, the notch 21 indicating the crystal orientation formed on the outer periphery of the wafer 11 can be easily detected.

検出したノッチ21に基づいて、研削装置2のコントローラがスピンナテーブル68を所定量回転させることで半導体ウエーハ11を所定の向きへ位置付けた後に、搬出手段66が所定の向きに位置付けられたウエーハを吸着して、例えばテープ貼着装置のテープマウント用テーブルへと搬送する。   Based on the detected notch 21, the controller of the grinding apparatus 2 rotates the spinner table 68 by a predetermined amount to position the semiconductor wafer 11 in a predetermined direction, and then the unloading means 66 sucks the wafer positioned in the predetermined direction. Then, for example, it conveys to the tape mount table of a tape sticking apparatus.

このテープ貼着装置では、環状フレームFに外周部が貼着されたダイシングテープTに、ウエーハ11のノッチ21の向きが両側に切欠き88、90を有する環状フレームFの直線部分86に概略直交するように半導体ウエーハ11を貼着する。   In this tape applicator, the direction of the notch 21 of the wafer 11 is approximately perpendicular to the straight portion 86 of the annular frame F having notches 88 and 90 on both sides of the dicing tape T having the outer peripheral portion attached to the annular frame F. Then, the semiconductor wafer 11 is stuck.

本実施形態では、スピナ洗浄装置64が撮像手段76を具備していて、撮像手段76で撮像して検出したウエーハ11のノッチ21に基づいてスピンナテーブル68で半導体ウエーハを所定の向きへ位置付けることができるため、従来テープ貼着装置で必要であった位置合わせ用テーブルを省略することができる。よって、テープ貼着工程等の次工程で再度ウエーハの向きを揃えるステップを省略することができ、半導体ウエーハの破損を低減することができる。   In the present embodiment, the spinner cleaning device 64 includes the imaging unit 76, and the semiconductor wafer is positioned in a predetermined direction by the spinner table 68 based on the notch 21 of the wafer 11 detected by imaging by the imaging unit 76. Therefore, it is possible to omit the alignment table that has been necessary in the conventional tape applicator. Therefore, it is possible to omit the step of aligning the direction of the wafer again in the next process such as a tape sticking process, and the damage of the semiconductor wafer can be reduced.

なお、上述した実施形態の研削装置2は、粗研削ユニット10と仕上げ研削ユニット28を具備しているが、仕上げ研削ユニット28に替えて研磨バフが先端に装着された研磨ユニットを設けるようにすれば、研削されたウエーハの裏面を鏡面に研磨することもできる。   The grinding device 2 of the above-described embodiment includes the rough grinding unit 10 and the finish grinding unit 28. However, instead of the finish grinding unit 28, a grinding unit with a polishing buff attached to the tip is provided. For example, the back surface of the ground wafer can be polished to a mirror surface.

半導体ウエーハの表面側斜視図である。It is a surface side perspective view of a semiconductor wafer. 保護テープが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。It is a back surface side perspective view of the semiconductor wafer where the protective tape was stuck. 本発明実施形態に係る研削装置の外観斜視図である。1 is an external perspective view of a grinding apparatus according to an embodiment of the present invention. 半導体ウエーハの外周エッジ部の撮像時の状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state at the time of imaging of the outer periphery edge part of a semiconductor wafer. 環状フレームに装着された状態の半導体ウエーハの斜視図である。It is a perspective view of the semiconductor wafer of the state with which the annular frame was mounted | worn.

符号の説明Explanation of symbols

2 研削装置
10 粗研削ユニット
11 半導体ウエーハ
13 ストリート
15 デバイス
21 ノッチ
28 仕上げ研削ユニット
44 ターンテーブル
46 チャックテーブル
60 ウエーハ搬入機構(ローディングアーム)
62 ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)
64 スピンナ洗浄装置
66 搬出手段
68 スピンナテーブル
76 撮像手段
78 照明手段
2 Grinding device 10 Rough grinding unit 11 Semiconductor wafer 13 Street 15 Device 21 Notch 28 Finish grinding unit 44 Turntable 46 Chuck table 60 Wafer loading mechanism (loading arm)
62 Wafer unloading mechanism (unloading arm)
64 Spinner cleaning device 66 Unloading means 68 Spinner table 76 Imaging means 78 Illumination means

Claims (3)

外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハの裏面を所望の厚みに研削又は研磨する加工手段と、研削又は研磨された半導体ウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナ洗浄装置と、該スピンナ洗浄装置を制御する制御手段と、洗浄及びスピン乾燥された半導体ウエーハを該スピンナ洗浄装置から次工程へ搬出する搬出手段とを備えた半導体ウエーハの加工装置であって、
前記スピンナ洗浄装置は、半導体ウエーハと略同径以上の径を有し半導体ウエーハを保持して回転するスピンナテーブルと、
該スピンナテーブルの回転角を検出するエンコーダと、
半導体ウエーハへ洗浄水を供給する洗浄水供給ノズルと、
該スピンナテーブルのウエーハ保持面より上方に配置され、洗浄及びスピン乾燥された半導体ウエーハの外周部を撮像して、半導体ウエーハの結晶方位を示す前記マークを検出する照明手段を含む撮像手段とを具備し、
検出した該マークを元に前記制御手段が前記スピンナテーブルを回転させることで半導体ウエーハを所定の向きに位置付けた後に、前記搬出手段が所定の向きに位置付けられた半導体ウエーハを搬出することを特徴とする半導体ウエーハの加工装置。
A chuck table for holding a semiconductor wafer having a crystal orientation mark on its outer periphery, a processing means for grinding or polishing the back surface of the semiconductor wafer held on the chuck table to a desired thickness, and a ground or polished semiconductor wafer A semiconductor wafer comprising: a spinner cleaning apparatus that cleans and spin-drys the semiconductor wafer; a control unit that controls the spinner cleaning apparatus; and a carry-out means that transports the cleaned and spin-dried semiconductor wafer from the spinner cleaning apparatus to the next process. A processing device,
The spinner cleaning apparatus includes a spinner table having a diameter substantially equal to or larger than that of a semiconductor wafer and rotating while holding the semiconductor wafer;
An encoder for detecting the rotation angle of the spinner table;
A cleaning water supply nozzle for supplying cleaning water to the semiconductor wafer;
Imaging means including an illuminating means that is disposed above the wafer holding surface of the spinner table and images the outer periphery of the cleaned and spin-dried semiconductor wafer to detect the mark indicating the crystal orientation of the semiconductor wafer. And
The control means rotates the spinner table based on the detected mark to position the semiconductor wafer in a predetermined direction, and then the carry-out means carries out the semiconductor wafer positioned in the predetermined direction. Semiconductor wafer processing equipment.
前記スピンナテーブルは半導体ウエーハを吸着保持するポーラス吸着部と、
該ポーラス吸着部を囲繞する外周部を有する基台とから構成され、
該外周部は前記撮像手段で撮像した際に前記照明手段からの光を乱反射させる乱反射面を有することを特徴とする請求項1記載の半導体ウエーハの加工装置。
The spinner table has a porous adsorption part for adsorbing and holding a semiconductor wafer;
A base having an outer peripheral portion surrounding the porous adsorption portion;
2. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the outer peripheral portion has an irregular reflection surface for irregularly reflecting light from the illuminating means when imaged by the imaging means.
前記外周部は金属、セラミック及び樹脂からなる群から選択された物質及びその組み合わせから構成されることを特徴とする請求項2記載の半導体ウエーハの加工装置。   3. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 2, wherein the outer peripheral portion is made of a material selected from the group consisting of metal, ceramic and resin, and a combination thereof.
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