JP2024058161A

JP2024058161A - サセプタ

Info

Publication number: JP2024058161A
Application number: JP2022165335A
Authority: JP
Inventors: 良太佐藤; Ryota Sato
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2022-10-14
Filing date: 2022-10-14
Publication date: 2024-04-25

Abstract

【課題】２００℃を超えるような高温で使用できる、耐熱性の高いサセプタを提供する。
【解決手段】
サセプタ１００は、ＳｉＣを主成分とする円板状のセラミック焼結体１１０と、セラミック焼結体１１０に埋設された板状の金属体１２０とを備えている。金属体１２０の厚さ（上下方向５の長さ）は、０．１ｍｍ以上である。金属体１２０は、セラミック焼結体１１０の上面１１１から下方に０．０５ｍｍ以上離れた位置に埋設されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、シリコンウェハ等の基板を保持するサセプタに関する。

特許文献１には、ウェハなどの基板を保持するサセプタが開示されている。特許文献１に記載のサセプタは、基板が載置されるセラミック焼結体（基板支持部）と、表面から０．２ｍｍ～５０ｍｍの深さに埋設された金属体（ＲＦプレート）とを備える。特許文献１に記載のサセプタにおいては、セラミック焼結体は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）またはアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）によって形成されている。

特開２００８－３００８３２号公報

従来、サセプタは、加工容易性、高熱伝導性、及び高周波電極の兼用の観点から、ＡｌＮなどのＡｌ合金が用いられてきた。しかしながら、Ａｌ合金自体の耐熱性のため、２００℃を超えるような高温での使用には制約があった。近年の半導体プロセスのハイパワー化に伴い、耐熱性の高いサセプタが要望されている。

本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであり、２００℃を超えるような高温で使用できる、耐熱性の高いサセプタを提供することを目的とする。

本発明の態様に従えば、上面、前記上面と上下方向において対向する下面を有し、ＳｉＣを主成分とする円板状のセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体に埋設され、前記上下方向の長さが０．１ｍｍ以上である板状の金属体と、を備え、
前記金属体は、前記セラミック焼結体の前記上面から下方に０．０５ｍｍ以上離れた位置に埋設されていることを特徴とするサセプタが提供される。

金属体が、セラミック焼結体の上面から下方に０．０５ｍｍ以上離れた位置に埋設されているので、金属体を高周波電極やヒータ電極として用いることができる。金属体の厚さが０．１ｍｍ以上であるので、金属体の強度を高めることができる。また、金属体の厚さ（上下方向の長さ）を０．１ｍｍ以上にすることにより、インピーダンスを小さく抑えることができる。このことは、金属体を高周波電極として用いる場合に特に有効である。なお、一般に、Ａｌ合金製のサセプタの使用温度は、約１００℃～２００℃である。これに対して、本発明のサセプタでは、セラミック焼結体がＡｌ合金よりも高融点のＳｉＣを主成分とするセラミック材料を焼結することにより形成されているので、５００℃以上の高温で使用することができる。

図１は、サセプタ１００の斜視図である。図２は、サセプタ１００の概略説明図である。図３は、金属体１２０の概略説明図である。（ａ）～（ｄ）は、セラミック焼結体１１０の製造方法（仮焼体接合法）の流れを示す図である。（ａ）～（ｄ）は、セラミック焼結体１１０の別の製造方法（粉末ホットプレス法）の流れを示す図である。図６は、実施例１～６の結果をまとめた表である。

＜サセプタ１００＞
本発明の実施形態に係るサセプタ１００について、図１、２を参照しつつ説明する。本実施形態に係るサセプタ１００は、例えば、半導体製造装置の内部でシリコンウェハなどの半導体ウェハ（以下、単にウェハ１０という）を保持する台、又は、別のサセプタを保持する台として用いられる。なお、以下の説明においては、サセプタ１００が使用可能に設置された状態（図１の状態）を基準として上下方向５が定義される。図１に示されるように、本実施形態に係るサセプタ１００は、セラミック焼結体１１０と、金属体１２０（図２、３参照）と、配線１４０（図２参照）とを備える。

セラミック焼結体１１０は、直径約４００ｍｍの円形の板状の形状を有する部材であり、セラミック焼結体１１０の上面１１１にはウェハ１０が載置される。セラミック焼結体１１０の厚さ（上下方向５の長さ）は１０ｍｍ～５０ｍｍが好適である。なお、図１では図面を見やすくするためにウェハ１０とセラミック焼結体１１０とを離して図示している。また、図２に示されるように、セラミック焼結体１１０の内部には、後述の第１流路１６２が形成されている。セラミック焼結体１１０は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を主成分として含むセラミックス焼結体により形成されている。ここで、ＳｉＣを主成分として含むとは、ＳｉＣを９０ｗｔ％以上含むことをいう。なお、ＳｉＣを主成分として含むセラミックス焼結体には、ホウ素（Ｂ）を成分として含む焼結助剤（Ｂ成分の焼結助剤）及び／又は炭素（Ｃ）を成分として含む焼結助剤（Ｃ成分の焼結助剤）が添加されていてもよい。これらのＢ成分の焼結助剤、Ｃ成分の焼結助剤は、それぞれ、５ｗｔ％以下の濃度で添加されていてもよい。また、ＳｉＣを主成分として含むセラミックス焼結体には、Ａｌ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３－Ｙ_２Ｏ_３、ＡｌＢ_２などのＡｌ化合物が５ｗｔ％以下の濃度で添加されていてもよい。

図２に示されるように、セラミック焼結体１１０の、上面１１１から下方に０．０５ｍｍ以上離れた位置には、金属体１２０が埋設されている。後述のように、金属体１２０は、ＳｉＣを主成分とするセラミック焼結体１１０と同時に焼結される焼結金属体である。図３に示されるように、金属体１２０は円形の形状を有している。金属体１２０の直径は３００ｍｍであり、セラミック焼結体１１０の側面から露出しない。金属体１２０の略中央には、配線１４０（図２参照）と接続される端子部１２１が設けられている。本実施形態において、金属体１２０は高周波電極として機能する。

金属体１２０は、タングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）、モリブデン及び／又はタングステンを含む合金により形成される。これらの金属又は合金の純度は９９％以上であることが好ましい。なお、ＳｉＣとの線膨張係数の差を小さくして、焼結後の残留応力を軽減するという観点からは、特にタングステン（Ｗ）が好ましい。

金属体１２０は、粉末冶金や圧延によって形成される緻密な金属バルク体（例えば金属箔など）や、金属ワイヤーを織ったメッシュや、金属製の多孔体により形成することができる。金属体１２０が多孔体により形成される場合において、気孔率は４０～９０％が好適であり、５０～７５％がさらに好適である。気孔径は５０～１０００μｍが好適である。焼成後の金属体１２０の厚さは０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。金属体１２０の厚さは１ｍｍ以上５ｍｍ以下がさらに好適である。なお、金属体１２０の厚さは一様であることが好ましいが、厚さが一様でなくてもよい。その場合には、金属体１２０の最大厚さを、金属体１２０の厚さとする。本実施形態においては、金属体１２０は、図３に示されるような円形状の形状を有しているが金属体１２０の形状はこれには限られず、適宜変更しうる。なお、セラミック焼結体１１０の内部には高周波電極としての金属体１２０に加えて、あるいは、高周波電極としての金属体１２０に代えて、別の金属体が埋設されていてもよい。例えば、別の金属体として、発熱抵抗体（ヒータ電極）が埋設されていてもよい。

図２に示されるように、セラミック焼結体１１０の内部には、第１流路１６２が形成されている。第１流路１６２は、円板状のセラミック焼結体１１０と同心の２重円を描くように延びている。第１流路１６２の一端には入口ポート１６２ａが設けられ、他端には出口ポート１６２ｂが設けられている。入口ポート１６２ａ及び出口ポート１６２ｂは、セラミック焼結体１１０の下面１１３から第１流路１６２まで上下方向５に延びる貫通孔として形成されている。入口ポート１６２ａ及び出口ポート１６２ｂを介して、第１流路１６２に冷媒を流すことができる。なお、第１流路１６２を流れる冷媒は、液体であってもよく、気体であってもよい。例えば、冷媒として、水、アルコールなどを用いることができる。なお、一般的なサセプタに用いられるセラミック焼結体の主成分は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であることが多いが、ＡｌＮは水と反応するため、本実施形態のように、セラミック焼結体の内部に冷媒用の流路を形成して、直接冷却水を流すことができない。これに対して、本実施形態のサセプタ１００のセラミック焼結体１１０は、ＳｉＣを主成分として含んでいる。ＳｉＣは水と反応しないため、セラミック焼結体１１０の内部に形成された第１流路１６２に、直接冷却水を流すことが可能である。

図２に示されるように、セラミック焼結体１１０の内部には、金属体１２０に接続される配線１４０と、熱電対などの温度センサ１４１とが配置されている。なお、図２においては、配線１４０は１つしか図示されていないが、複数の配線１４０を設けることができる。配線１４０の上端は、金属体１２０に電気的に接続されている。温度センサ１４１の上端には測温体が設けられており、セラミック焼結体１１０の内部に配置されている。

次に、サセプタ１００の製造方法について説明する。まず、セラミック焼結体１１０の製造方法として、仮焼体接合法について説明する。なお、説明を簡略化するために、セラミック焼結体１１０の内部には、１つの金属体１２０が埋設されているものとする。また、以下の説明においては、３つの仮焼体を作製して積層することを例に挙げているが、本発明はそのような態様には限られず、２つ又は４つ以上の仮焼体を作製して積層してもよい。

図４（ａ）に示されるように、ＳｉＣの造粒粉Ｐに熱硬化性樹脂バインダー等のバインダー及び焼結助剤を加えて混合し、ＣＩＰ成型し、円板状に加工して、３つのＳｉＣ成形体６１０ａ、６１０ｂ、６１０ｃを作製する。ＳｉＣの造粒粉Ｐには、５ｗｔ％以下のＢ成分の焼結助剤及び／又は５ｗｔ％以下のＣ成分の焼結助剤が含まれることが好ましい。ＳｉＣの造粒粉Ｐは、高純度であることが好ましく、その純度は、好ましくは９６％以上、より好ましくは９８％以上である。また、ＳｉＣの造粒粉の平均粒径は、好ましくは０．１μｍ以上１．０μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以上０．８μｍ以下である。混合方式は、湿式、乾式のいずれであってもよい。

次に、図４（ｂ）に示されるように、ＳｉＣ成形体６１０ａ～６１０ｃを９００℃以上１２００℃未満の温度で加熱して脱脂処理を行い、バインダーを除去した後、１２００℃以上１９００℃以下の温度で加熱してＳｉＣ仮焼体６１１ａ～６１１ｃを作製する。なお、ＳｉＣ成形体６１０ａ～６１０ｃを１２００℃以上１９００℃以下の温度まで連続的に昇温させながら加熱して、ＳｉＣ仮焼体６１１ａ～６１１ｃを作製してもよい。あるいは、ＳｉＣ成形体６１０ａ～６１０ｃを脱脂処理した脱脂体を、ＳｉＣ仮焼体６１１ａ～６１１ｃとすることもできる。

次に、図４（ｃ）に示されるように、ＳｉＣ仮焼体６１１ｃに、第１流路１６２となる凹部６１２を形成し、ＳｉＣ仮焼体６１１ｂに金属体１２０を埋設するための凹部６１３を形成し、凹部６１３に金属体１２０を配置する。凹部６１２が形成されたＳｉＣ仮焼体６１１ｃの上に、凹部６１３が形成されたＳｉＣ仮焼体６１１ｂを積層し、さらにその上にＳｉＣ仮焼体６１１ａを積層する。なお、凹部６１２、６１３は予め成形体６１０ｃ、６１０ｂに形成しておいてもよい。

次に、図４（ｄ）に示されるように、金属体１２０を挟むように積層されたＳｉＣ仮焼体６１１ａ～６１１ｃをプレスした状態で２０００℃以上２２００℃以下の温度で焼成し、焼成体６１５を作製する。焼成の際に加える圧力は、１ＭＰａ以上であることが好ましい。焼成時間は、好ましくは０．１時間以上１０時間以下、より好ましくは１時間以上５時間以下である。

焼成体６１５を作製した後、配線１４０を挿入するための挿入孔を形成するために、金属体１２０までの止まり穴加工を行う。同様に、温度センサ１４１を挿入するための挿入孔を形成するための止り穴加工を行う。さらに、第１流路１６２の入口ポート１６２ａ及び出口ポート１６２ｂとなる貫通孔を形成する。これにより、内部に第１流路１６２が形成されたセラミック焼結体１１０を作製することができる。

なお、セラミック焼結体１１０の内部に第１流路１６１を形成しない場合には、以下のような粉末ホットプレス法によりセラミック焼結体１１０を作製することができる。

図５（ａ）に示されるように、ＳｉＣ粉末を主成分とする造粒粉Ｐをカーボン製の有床型５０１に投入し、パンチ５０２で仮プレスする。なお、造粒粉Ｐには、５ｗｔ％以下のＢ成分の焼結助剤及び／又は５ｗｔ％以下のＣ成分の焼結助剤が含まれることが好ましい。次に、図５（ｂ）に示されるように、仮プレスされた造粒粉Ｐの上に、金属体１２０を配置する。なお、金属体１２０は、加圧方向に垂直な面（有床型５０１の底面）に平行になるように配置される。このとき、Ｗのペレット又はＭｏのペレットを金属体１２０の配線１４０と重なる位置（図３参照）の位置に埋設してもよい。

図５（ｃ）に示されるように、金属体１２０を覆うようにさらに造粒粉Ｐを有床型５０１に投入し、パンチ５０２でプレスして成形する。次に、図５（ｄ）に示されるように、金属体１２０が埋設された造粒粉Ｐをプレスした状態で焼成して、焼成体を作製する。焼成の際に加える圧力は、１ＭＰａ以上であることが好ましい。また、１８００℃以上の温度で焼成することが好ましい。焼成体を作製した後の工程は、上述の工程と同様であるので説明を省略する。

以下、本発明について実施例１～６を用いて更に説明する。但し、本発明は、以下に説明する実施例に限定されない。なお、図６には、実施例１～６の結果をまとめた表が示されている。

［実施例１］
実施例１のサセプタ１００（図２参照）について説明する。実施例１においては、０．５ｗｔ％のＢ_４Ｃと、４ｗｔ％のＣを添加した炭化ケイ素（ＳｉＣ）の造粒粉を原料として、上述の仮焼体接合法により直径４００ｍｍ、厚さ４５ｍｍのセラミック焼結体１１０を作製した。なお、金属体１２０として、厚さ０．１ｍｍ、直径３００ｍｍの円形のタングステン箔（図３参照）を用いた。

ＳｉＣ成形体６１０ａ～６１０ｃを仮焼する際の仮焼条件は、温度１７００℃、仮焼時間３時間とし、アルゴンガス中で常圧焼成した。ＳｉＣ仮焼体６１１ａ、６１１ｂを、直径４００ｍｍ、厚さ１０ｍｍとなるように加工し、ＳｉＣ仮焼体６１１ｃを、直径４００ｍｍ、厚さ２５ｍｍとなるように加工した。ＳｉＣ仮焼体６１１ｂに形成される凹部６１３の深さは、金属体１２０の厚さと同じ０．１ｍｍとした。また、凹部６１３の直径は３０２ｍｍとした。ＳｉＣ仮焼体６１１ｃに形成される凹部１６２の幅は２０ｍｍ、深さ１５ｍｍとした。また、ＳｉＣ仮焼体６１１ａ～６１１ｃを焼成する際の焼成条件は、温度２０７０℃、圧力２．４５ＭＰａとした。このような焼成条件で焼成することにより、セラミック焼結体１１０内においてＳｉＣセラミックと金属体１２０とが焼結して一体化したサセプタ１００を作製することができた。つまり、セラミック焼結体１１０の内部において、ＳｉＣセラミックと金属体１２０とを、接合剤などを介さずに直接的に接合させることができた。また、第１流路１６２に冷媒として水を循環させても水漏れ等の不具合は発生しなかった。

［実施例２］
実施例２のサセプタ１００は、金属体１２０の厚さを０．３ｍｍとしたことと、ＳｉＣ仮焼体６１１ｂに形成される凹部６１３の深さを、金属体１２０の厚さと同じ０．３ｍｍとしたことを除いて、実施例１のサセプタ１００と同様の製造方法により作製された。実施例１と同様に、セラミック焼結体１１０内においてＳｉＣセラミックと金属体１２０とが焼結して一体化したサセプタ１００、つまり、セラミック焼結体１１０の内部において、ＳｉＣセラミックと金属体１２０とが接合剤などを介さずに直接的に接合したサセプタ１００を作製することができた。また、第１流路１６２に冷媒として水を循環させても水漏れ等の不具合は発生しなかった。

［実施例３］
実施例３のサセプタ１００は、金属体１２０の厚さを１ｍｍとしたことと、ＳｉＣ仮焼体６１１ｂに形成される凹部６１３の深さを、金属体１２０の厚さと同じ１ｍｍとしたことを除いて、実施例１のサセプタ１００と同様の製造方法により作製された。実施例１と同様に、セラミック焼結体１１０内においてＳｉＣセラミックと金属体１２０とが焼結して一体化したサセプタ１００、つまり、セラミック焼結体１１０の内部において、ＳｉＣセラミックと金属体１２０とが接合剤などを介さずに直接的に接合したサセプタ１００を作製することができた。また、第１流路１６２に冷媒として水を循環させても水漏れ等の不具合は発生しなかった。

［実施例４］
実施例４のサセプタ１００は、金属体１２０の厚さを５ｍｍとしたことと、ＳｉＣ仮焼体６１１ｂに形成される凹部６１３の深さを、金属体１２０の厚さと同じ５ｍｍとしたことを除いて、実施例１のサセプタ１００と同様の製造方法により作製された。実施例１と同様に、セラミック焼結体１１０内においてＳｉＣセラミックと金属体１２０とが焼結して一体化したサセプタ１００、つまり、セラミック焼結体１１０の内部において、ＳｉＣセラミックと金属体１２０とが接合剤などを介さずに直接的に接合したサセプタ１００を作製することができた。また、第１流路１６２に冷媒として水を循環させても水漏れ等の不具合は発生しなかった。

［実施例５］
実施例５のサセプタ１００は、金属体１２０として、モリブデンのメッシュ（線径０．１ｍｍのモリブデンワイヤーの平織、メッシュサイズ５０）を用いたことと、ＳｉＣ仮焼体６１１ｂに形成される凹部６１３の深さを、金属体１２０の厚さと同じ０．１ｍｍとしたことを除いて、実施例１のサセプタ１００と同様の製造方法により作製された。実施例１と同様に、セラミック焼結体１１０内においてＳｉＣセラミックと金属体１２０とが焼結して一体化したサセプタ１００、つまり、セラミック焼結体１１０の内部において、ＳｉＣセラミックと金属体１２０とが接合剤などを介さずに直接的に接合したサセプタ１００を作製することができた。また、第１流路１６２に冷媒として水を循環させても水漏れ等の不具合は発生しなかった。

［実施例６］
実施例６のサセプタ１００は、金属体１２０として、厚さ５ｍｍのタングステンの多孔体（気孔率４０％）を用いたことと、ＳｉＣ仮焼体６１１ｂに形成される凹部６１３の深さを、多孔体の厚さの７０％である３．５ｍｍとしたことを除いて、実施例１のサセプタ１００と同様の製造方法により作製された。実施例１と同様に、セラミック焼結体１１０内においてＳｉＣセラミックと金属体１２０とが焼結して一体化したサセプタ１００、つまり、セラミック焼結体１１０の内部において、ＳｉＣセラミックと金属体１２０とが接合剤などを介さずに直接的に接合したサセプタ１００を作製することができた。凹部６１３の深さを多孔体の厚さの７０％としたので、焼成時に加える圧力により多孔体を緻密化することができた。また、金属体１２０として、多孔体を用いているので、焼成の際に多孔体の気孔の一部にＳｉＣが侵入し、ＳｉＣと金属体１２０とを強固に結合させることができた。また、第１流路１６２に冷媒として水を循環させても水漏れ等の不具合は発生しなかった。

＜実施形態の作用効果＞
上記実施形態及び実施例１～６において、サセプタ１００は、ＳｉＣを主成分とする円板状のセラミック焼結体１１０と、セラミック焼結体１１０に埋設された板状の金属体１２０とを備えている。なお、ＳｉＣを主成分とするとは、セラミック焼結体１１０を構成するセラミック材料のうち、ＳｉＣが占める割合が９０ｗｔ％以上であることを意味している。また、金属体１２０の厚さ（上下方向５の長さ）は、０．１ｍｍ以上である。金属体１２０は、セラミック焼結体１１０の上面１１１から下方に０．０５ｍｍ以上離れた位置に埋設されている。

金属体１２０が、セラミック焼結体１１０の上面１１１から下方に０．０５ｍｍ以上離れた位置に埋設されているので、金属体１２０を高周波電極やヒータ電極として用いることができる。金属体１２０の厚さが０．１ｍｍ以上であるので、金属体１２０の強度を高めることができる。また、金属体１２０の厚さを０．１ｍｍ以上にすることにより、インピーダンスを小さく抑えることができる。このことは、金属体１２０を高周波電極として用いる場合に特に有効である。なお、金属体１２０の厚さは３ｍｍ以上にすることができ、５ｍｍ以上にすることもできる。

一般に、Ａｌ合金製のサセプタの使用温度は、約１００℃～２００℃である。これに対して、本実施形態のサセプタ１００では、セラミック焼結体１１０がＡｌ合金よりも高融点のＳｉＣを主成分とするセラミック材料を焼結することにより形成されているので、２００℃以上の高温で使用することができる。

上記実施形態及び実施例１～６において、セラミック焼結体１１０の内部において、セラミック焼結体１１０と金属体１２０は直接的に接合している。つまり、セラミック焼結体１１０と金属体１２０とは、焼結により一体化している。そのため、セラミック焼結体１１０と金属体１２０とを、有機系の接着剤やその他の低融点の接合剤で一体化した場合と比較して、耐熱性を高めることができる。

サセプタ１００の上面１１１には、直接ウェハ１０を載置することができる。あるいは、サセプタ１００の上面１１１に、別のサセプタを介してウェハ１０を載置することができる。上記実施形態及び実施例１～６において、セラミック焼結体１１０の内部には第１流路１６２が形成されている。第１流路１６２に所定の温度に調整された冷媒を流すことにより、サセプタ１００の熱量を除去することができる。これにより、サセプタ１００の上面１１１に配置された別のサセプタやウェハ１０の温度を調節することができる。また、セラミック焼結体１１０はＳｉＣを主成分としているので、水との反応性がない。そのため、セラミック焼結体１１０の内部に形成された第１流路１６２に、冷媒として水を流すことができる。

上記実施形態及び実施例１～６において、金属体１２０は、Ｗ、Ｍｏ、及びＷとＭｏの合金のうち、少なくとも一種の金属を主成分として含んでいる。これらの金属を金属体１２０として用いる場合には、他の金属を用いる場合と比べて、金属体１２０の線膨張係数とＳｉＣの線膨張係数との差を小さくすることができる。これにより、焼成後にセラミック焼成体１１０の内部に残る残留応力を小さくすることができるので、サセプタ１００を繰り返し長期間使用した場合における破損の発生を抑えることができる。なお、Ｗ、Ｍｏ、及びＷとＭｏの合金のうち、Ｗの線膨張係数とＳｉＣの線膨張係数との差が最も小さい。そのため、金属体１２０の線膨張係数とＳｉＣの線膨張係数との差を小さくするという観点からは、金属体１２０として、Ｗを用いることが好ましい。

上記実施例６において、金属体１２０は多孔体であった。この場合には、焼結時に圧力が加えられることによって多孔体が緻密化するとともに、焼成の際に多孔体の気孔の一部にＳｉＣが侵入するため、ＳｉＣと金属体１２０とを強固に結合させることができる。

＜変更形態＞
上述の実施形態は、あくまで例示に過ぎず、適宜変更しうる。例えば、セラミック焼結体１１０の形状、寸法は上記実施形態のものには限られず、適宜変更しうる。

上記実施形態においては、金属体１２０として、モリブデン、タングステン、モリブデン及び／又はタングステンを含む合金を用いていたが、本発明はそのような態様には限られない。例えば、モリブデン、タングステン以外の金属又は合金を用いることもできる。また、上記実施形態においては、金属体１２０の個数は１つであった。しかしながら本発明はそのような態様には限られず、複数の金属体１２０がセラミック焼結体１１０に埋設されていてもよい。

以上、発明の実施形態及びその変更形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記の記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることが当業者に明らかである。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれうることが請求の範囲の記載からも明らかである。

明細書、及び図面中において示した製造方法における各処理の実行順序は、特段に順序が明記されておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるので無い限り、任意の順序で実行しうる。便宜上、「まず、」「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するわけではない。

１００サセプタ
１１０セラミック焼結体
１２０金属体

Claims

上面、前記上面と上下方向において対向する下面を有し、ＳｉＣを主成分とする円板状のセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体に埋設され、前記上下方向の長さが０．１ｍｍ以上である板状の金属体と、を備え、
前記金属体は、前記セラミック焼結体の前記上面から下方に０．０５ｍｍ以上離れた位置に埋設されていることを特徴とするサセプタ。
前記セラミック焼結体と前記金属体は直接的に接合している請求項１に記載のサセプタ。
前記セラミック焼結体は、内部に形成された流路を含む請求項１に記載のサセプタ。
前記セラミック焼結体は、内部に形成された流路を含む請求項２に記載のサセプタ。
前記金属体は、Ｗ、Ｍｏ、及びＷとＭｏの合金からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を主成分として含む請求項１～４のいずれか一項に記載のサセプタ。
前記金属体は、多孔体である請求項５に記載のサセプタ。