[go: up one dir, main page]

JP2023106454A - 金属ミラーベースのマルチスペクトルフィルタアレイ - Google Patents

金属ミラーベースのマルチスペクトルフィルタアレイ Download PDF

Info

Publication number
JP2023106454A
JP2023106454A JP2023077369A JP2023077369A JP2023106454A JP 2023106454 A JP2023106454 A JP 2023106454A JP 2023077369 A JP2023077369 A JP 2023077369A JP 2023077369 A JP2023077369 A JP 2023077369A JP 2023106454 A JP2023106454 A JP 2023106454A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
layers
sensor elements
spacer
mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023077369A
Other languages
English (en)
Inventor
ゲオルク・イョット・オッケンフス
J Ockenfuss Georg
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Viavi Solutions Inc
Original Assignee
Viavi Solutions Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Viavi Solutions Inc filed Critical Viavi Solutions Inc
Publication of JP2023106454A publication Critical patent/JP2023106454A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02—Details
    • G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
    • G01J3/0208—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows using focussing or collimating elements, e.g. lenses or mirrors; performing aberration correction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02—Details
    • G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
    • G01J3/0229—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows using masks, aperture plates, spatial light modulators or spatial filters, e.g. reflective filters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/30—Measuring the intensity of spectral lines directly on the spectrum itself
    • G01J3/36—Investigating two or more bands of a spectrum by separate detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
    • G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
    • G01J3/51—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
    • G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
    • G01J3/51—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters
    • G01J3/513—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters having fixed filter-detector pairs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/204—Filters in which spectral selection is performed by means of a conductive grid or array, e.g. frequency selective surfaces
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/28—Interference filters
    • G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
    • G02B5/286—Interference filters comprising deposited thin solid films having four or fewer layers, e.g. for achieving a colour effect
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/28—Interference filters
    • G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
    • G02B5/288—Interference filters comprising deposited thin solid films comprising at least one thin film resonant cavity, e.g. in bandpass filters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/024—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/199—Back-illuminated image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H10F39/8053—Colour filters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8063—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8067—Reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H10H20/841—Reflective coatings, e.g. dielectric Bragg reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J2003/1204—Grating and filter
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
    • G01J2003/2806—Array and filter array
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
    • G01J2003/282—Modified CCD or like
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/2823—Imaging spectrometer
    • G01J2003/2826—Multispectral imaging, e.g. filter imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)

Abstract

【課題】基板に配置されたマルチスペクトルフィルタアレイを含むデバイスを提供する。
【解決手段】マルチスペクトルフィルタアレイ１０５は、基板の上に配置された第１の金属ミラー１１０－１を含む。マルチスペクトルフィルタアレイは、第１の金属ミラーの上に配置された層１３０－１から１３０－５のセットを含むスペーサ１２０を含む。スペーサは、層のセットを含む。スペーサは、スペーサの上に配置された第２の金属ミラー１１０－２を含む。第２の金属ミラーは、センサ素子のセットの２つ以上のセンサ素子と整列している。
【選択図】図１

Description

情報を捕獲するためにマルチスペクトルセンサデバイスが利用されることがある。例えば、マルチスペクトルセンサデバイスは、電磁気周波数のセットに関する情報を捕獲してもよい。マルチスペクトルセンサデバイスは、情報を捕獲するセンサ素子（例えば、光センサ、スペクトルセンサ、および／または画像センサ）のセットを含んでもよい。例えば、複数の周波数に関する情報を捕獲するためにセンサ素子のアレイを利用することができる。センサ素子アレイの特定のセンサ素子は、特定のセンサ素子に向けられた周波数の範囲を制限するフィルタと関連付けられてもよい。
いくつかの可能な実施形態によれば、デバイスは、基板上に配置されたマルチスペクトルフィルタアレイを含んでもよい。マルチスペクトルフィルタアレイは、基板上に配置された第１の金属ミラーを含んでもよい。マルチスペクトルフィルタは、第１の金属ミラー上に配置されたスペーサを含んでもよい。スペーサは、層のセットを含んでもよい。スペーサは、スペーサ上に配置された第２の金属ミラーを含んでもよい。第２の金属ミラーは、センサ素子のセットの２つ以上のセンサ素子と整列されてもよい。
いくつかの可能な実施形態によれば、光フィルタは、第１の層を含んでもよい。第１の層は、第１の層に向けられた光の一部を反射する第１のミラーであってもよい。第１の層は、センサ素子のセットに関連する基板の上に堆積されてもよい。光フィルタは、第２の層のセットを含んでもよい。第２の層のセットは、第１の層の上にのみ堆積されてもよい。第２の層のセットは、センサ素子のセットに対応するチャネルセットに関連付けられてもよい。チャネルセットのチャネルは、センサ素子のセットの特定のセンサ素子に向けられた光の特定の波長に対応する特定の厚さに関連付けられてもよい。光フィルタは、第３の層を含んでもよい。第３の層は、第３の層に向けられた光の一部を反射する第２の金属ミラーであってもよい。第３の層は、第２の層のセットに関連する複数のセンサ素子のセットの上に堆積されてもよい。
いくつかの可能な実施形態によれば、システムは、基板に組み込まれた光センサのセットを含んでもよい。システムは、基板上に堆積されたマルチスペクトルフィルタアレイを含んでもよい。マルチスペクトルフィルタアレイは、第１の銀（Ａｇ）金属ミラーと、第２の銀（Ａｇ）金属ミラーと、第１の銀（Ａｇ）金属ミラーと第２の銀（Ａｇ）金属ミラーとの間に配置された複数のスペーサ層と、を含んでもよい。
本明細書に記載の実施例の概要図である。 マルチスペクトルフィルタアレイを有するセンサデバイスの製造プロセス例の図である。 図２に示すプロセス例に関する実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する他の実施例の図である。 図２に示すプロセス例に関する図の例である。 図２に示すプロセス例に関する図の例である。 図２に示すプロセス例に関する図の例である。
以下の実施例の詳細な説明では、添付の図面を参照する。異なる図面における同じ参照番号は、同一または類似の要素を特定してもよい。
センサ素子（例えば光センサ）は、電磁周波数のセットに関する情報（例えばスペクトルデータ）を取得するために光センサデバイスに組み込まれてもよい。例えば、光センサは、特定の光センサに向けられた光のセンサ測定を実行することができるイメージセンサ、マルチスペクトルセンサなどの特定の光センサを含んでもよい。この場合、光センサは、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）技術を使用するイメージセンサ、電荷結合素子（ＣＣＤ）技術を使用するイメージセンサなどの１つ以上のイメージセンサ技術を利用してもよい。光センサデバイスは、それぞれが情報を取得するように構成される複数のセンサ素子（例えばセンサ素子のアレイ）を含んでもよい。加えて、または代わりに、光センサデバイスは、それぞれが異なる波長の光と関連し、画像のセットを取得するように構成されたセンサ素子（例えば光センサ）のセットを含んでもよい。
センサ素子は、センサ素子に向かう光をフィルタするフィルタと関連付けられてもよい。例えば、センサ素子は、センサ素子に向けられた光の一部をフィルタする線形可変フィルタ（ＬＶＦ）、円形可変フィルタ（ＣＶＦ）、ファブリ・ペローフィルタなどと並べられてもよい。しかしながら、ＬＶＦまたはＣＶＦを使用してフィルタアレイを統合すること、または半導体に関連してフィルタをパターン化することは困難である可能性がある。さらに、マルチスペクトル検出に利用されるフィルタのいくつかのセットは、捕捉可能な情報のスペクトル範囲または捕捉される情報の精度を低下させ得る比較的大きな角度シフト値、比較的小さなスペクトル範囲などと関連付けられ得る。
本明細書に記載の実施形態は、マルチスペクトル検出のための金属ミラーを使用する、環境的に耐久性のあるフィルタアレイを利用するものであってもよい。このようにして、耐久性が向上し、スペクトル範囲が改善し、および１つ以上の他のタイプのフィルタと比較して低減された角度シフトを有する光センサデバイス用の光フィルタを提供することができる。さらに、１つ以上の他のタイプのフィルタと比較して、半導体ベースのセンサ素子またはセンサ素子アレイ上にフィルタを組み込むことの難しさを低減することができる。
図１は、本明細書に記載されている実施例１００の概要図である。図１に示すように、マルチスペクトルフィルタ１０５（例えばバイナリ構造のフィルタアレイ）は、第１のミラー１１０－１と、第２のミラー１１０－２と、スペーサ１２０とを含んでもよい。
さらに図１に示すように、第１のミラー１１０－１および第２のミラー１１０－２は、スペーサ１２０を挟んでもよい。言い換えると、スペーサ１２０は、第１のミラー１１０－１と第２のミラー１１０－２とをしきい値距離だけ分離させてもよく、および／またはスペーサ１２０の面は、第１のミラー１１０－１および第２のミラー１１０－２によって囲まれてもよい。いくつかの実施形態では、ミラー１１０は、特定の材料に関連付けられてもよい。例えば、ミラー１１０は、金属（例えば銀）の堆積層であってもよい。ミラー１１０は、マルチスペクトルフィルタアレイの各チャネルに関連するセンサ素子アレイの各センサ素子と並んでもよい。
いくつかの実施形態では、スペーサ１２０は、１つ以上のスペーサ層１３０を含んでもよい。例えば、スペーサ１２０は、スペーサ層１３０－１から１３０－５（例えば誘電体層）のセットを含んでもよい。いくつかの実施形態では、１つ以上の層１３０の厚さは、特定の波長に対する最小のスペーサの厚さを確保することに関連付けられてもよい。
１つ以上のセンサに向けられた３８０ナノメートル（ｎｍ）の波長に関するなどのいくつかの例では、層１３０－１は、２．４４８の屈折率および１９０ｎｍの光学的厚さを有するスペーサ材料については、７７．６ｎｍの厚さと関連付けられてもよい。このように、スペーサ１２０は、１つ以上のセンサ素子に向けられるべき光の最小の波長について、ミラー１１０の間の最小の分離を確保する。いくつかの実施形態では、１つ以上のスペーサ層１３０の厚さは、２進数に基づいて関連付けられてもよい。例えば、スペーサ層１３０－２は、約５６．６ナノメートルの厚さと関連付けられてもよく、スペーサ層１３０－３は、約２８．３ナノメートルの厚さと関連付けられてもよく、スペーサ層１３０－４は、約１４．１ナノメートルの厚さと関連付けられてもよく、およびスペーサ層１３０－５は、約７．１ナノメートルの厚さと関連付けられてもよい。
いくつかの実施形態では、マルチスペクトルフィルタ１０５は、光センサデバイスに関連する基板上に堆積されてもよい。例えば、ミラー１１０－１は、情報（例えばスペクトルデータ）を捕獲するためのセンサ素子のアレイを含む基板上に（例えば堆積プロセスおよび／またはフォトリソグラフィのリフトオフプロセスによって）堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、スペーサ１２０は、複数の波長に関連する情報の捕獲を可能にする。例えば、第１のセンサ素子（例えば、センサアレイの裏面照射型光センサまたは正面照射型光センサ）と並べられたスペーサ１２０の第１の部分は、第１の厚さに関連付けられてもよく、および第２のセンサ素子と並べられたスペーサ１２０の第２の部分は、第２の厚さに関連付けられてもよい。この場合、第１のセンサ素子および第２のセンサ素子に向かう光は、第１の厚さに基づく第１のセンサ素子の第１の波長と、第２の厚さに基づく第２のセンサ素子の第２の波長とに相当してもよい。このようにして、マルチスペクトルフィルタ１０５は、複数の厚さに関連し、光センサデバイスの複数のセンサ素子と並んだ複数の部分に関連するスペーサ（例えばスペーサ１２０）を使用する光センサデバイスによるマルチスペクトル検出を可能にする。
いくつかの実施形態では、ミラー１１０は、保護層に関連付けられてもよい。例えば、保護層は、ミラー１１０－１の劣化の可能性を減らすために、ミラー１１０－１上（例えば、ミラー１１０－１とスペーサ１２０との間）に堆積されてもよく、それによって、マルチスペクトルフィルタ１０５を利用する光センサデバイスの耐久性が向上する。いくつかの実施形態では、ミラー１１０および／またはスペーサ１２０は、テーパ状のエッジに関連付けられてもよい。例えば、本明細書に記載されているように、ミラー１１０および／またはスペーサ１２０のエッジ部分は、テーパ状であってもよいし、およびエッジ部分の劣化の可能性を減らすために、光センサに向けて光を導くことに関連付けられたミラー１１０および／またはスペーサ１２０の別の部分（例えば、エッジでない部分）を妨げることなく、エッジ部分に別の層（例えば、保護層）が堆積させることを許容し、それにより、マルチスペクトルフィルタ１０５を利用する光センサデバイスの耐久性を向上させてもよい。
上に示したように、図１は、単なる一例である。他の例も可能であり、かつ図１に関して説明した例と異なってもよい。
図２は、図１に示すマルチスペクトルフィルタ１０５などのマルチスペクトルフィルタアレイを有する光センサデバイスを製造するためのプロセス例２００を示すフローチャートである。プロセス２００は、スペクトル測定に関する情報を捕獲するために使用されるマルチスペクトルフィルタアレイを有する光センサデバイスの設計に適用されてもよい。図３Ａ～図３Ｃは、図２に示す例示的なプロセス２００に関する実施例３００の図である。
図２に示すように、プロセス２００は、光センサデバイス上で製造を開始することを含んでもよい（ブロック２１０）。例えば、図３Ａに参照番号３０４により示すように、基板３０６は、基板３０６に組み込まれたセンサ素子３０８のセットを含んでもよい。いくつかの実施形態では、基板３０６は、特定の構成に関連付けられてもよい。例えば、基板３０６は、シリコンベース基板などを含んでもよい。別の例では、基板３０６は、ガラスベース基板を含んでもよく、およびセンサ素子３０８は、図８Ａおよび図８Ｂに関して本明細書で説明されるように、ガラスベースの基板に結合されるシリコンベースのウエハに配置される。さらに、または代わりに、基板３０６は、比較的高温条件の下における比較的低い波長またはスペクトルのシフトに関連付けられたマルチスペクトルフィルタアレイに関連付けられてもよい。
いくつかの実施形態では、基板３０６は、センサ素子３０８のセットによって得られた情報を提供するための１つ以上の導電経路（図示せず）を含んでもよい。例えば、基板３０６は、基板３０６が別のデバイスに取り付けられ、およびセンサ素子３０８のセットから、カメラデバイス、スキャンデバイス、計測デバイス、処理デバイス、マイクロコントローラデバイスなどの他のデバイスにデータを提供することを可能にする導電経路のセットを含んでもよい。いくつかの実施形態では、基板３０６は、基板材料の複数の層に関連付けられてもよい。例えば、基板３０６は、層がセンサ素子３０８のセットを受け取ることに関連付けられた多層基板を含んでもよい。
いくつかの実施形態では、基板３０６は、センサ素子３０８の特定の類型に関連付けられてもよい。例えば、基板３０６は、ＣＭＯＳ技術、ＣＣＤ技術などを覆い、またはそれらに近接する１つ以上のフォトダイオード、センサアレイの１つ以上のセンサ素子に関連付けられてもよい。いくつかの実施形態では、基板３０６は、裏面照射型光センサのセットに関連付けられてもよい。この場合、基板３０６は、別の構成と比べてより薄くてもよく、それによって光がシリコン表面を通って光センサに向かうようにすることができる。
図２に更に示すように、プロセス２００は、光センサデバイスに関連付けられた基板上にマルチスペクトルフィルタアレイの複数の層を堆積させることを含んでもよい（ブロック２２０）。例えば、図３Ａに参照番号３１０により更に示すように、第１のミラー構造３１２が基板３０６上に堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、第１のミラー構造３１２は、光センサデバイスのセンサ素子のセットと整列して配置された単一の固体金属ミラーであってもよい。いくつかの実施形態では、第１のミラー構造３１２は、均一な厚さに関連付けられてもよい。いくつかの実施形態では、第１のミラー構造３１２は、基板３０６と第１のミラー構造３１２との間の中間層の上など、基板３０６のしきい値近接内に配置されてもよい。言い換えれば、第１のミラー構造３１２は、必ずしも基板３０６上に配置されず、基板３０６と第１のミラー構造３１２との間の中間層上に配置されてもよい。いくつかの実施形態では、ミラー構造３１２は、金属成分（例えば、金属ミラー）などの特定の組成に関連付けられてもよい。例えば、ミラー構造３１２は、銀（Ａｇ）ベースの材料、アルミニウム（Ａｌ）ベースの材料、銅（Ｃｕ）ベースの材料などを利用してもよい。いくつかの実施形態では、ミラー構造３１２は、部分的に透明な材料を含んでもよい。例えば、ミラー構造３１２は、光の第１の部分（例えば、第１の波長バンド）がセンサ素子３０８のセットに向けられ、および光の第２の部分（例えば、第２の波長バンド）がセンサ素子３０８のセットから遠ざかる方向に向けられるようにしてもよい。いくつかの実施形態では、ミラー構造３１２および／または１つ以上のその他の層は、パルスマグネトロンスパッタリング堆積プロセスを使用して、基板３０６上に、または別の層上に堆積されてもよい。例えば、コーティングプラットフォームは、特定の堆積プロセスを使用して、４０ｎｍから５０ｎｍの間の厚さまたは別の同様の厚さのミラー構造３１２を堆積させることに関連付けられてもよい。同様に、コーティングプラットフォームは、特定の半導体ウエハサイズ（例えば、２００ミリメートル（ｍｍ）のウエハまたは３００ｍｍのウエハ）に関連付けられてもよく、およびパルスマグネトロンを利用して、本明細書に記載の特定の厚さの（例えば、いくつかのスペーサ層ついては５ナノメートル（ｎｍ）未満の厚さの、２ｎｍ未満の厚さの、または１ｎｍ未満の厚さの、およびその他のスペーサ層については５ｎｍより大きい、５０ｎｍより大きい、または１００ｎｍより大きいその他の厚さの）スペーサ層を堆積させてもよい。
いくつかの実施形態では、スペーサのスペーサ層のセットを堆積させて、ミラー構造３１２を別のミラー構造から分離してもよい。例えば、図３Ａに参照番号３１４により更に示すように、スペーサの第１のスペーサ層３１６が、（例えば、パルスマグネトロンスパッタリング堆積プロセスを使用して）ミラー構造３１２上に堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、第１のスペーサ層３１６は、パターニング技術に基づいてミラー構造３１２上に堆積されてもよい。例えば、特定の厚さの第１のスペーサ層３１６を形成するためにリフトオフプロセスが利用されてもよい。第１のスペーサ層３１６および／または別のスペーサ層は、ミラー構造３１２上に全面的に配置されてもよい。例えば、第１のスペーサ層３１６は、連続した固体金属ミラー上に連続したスペーサ層を形成する１つ以上の別個の部分を含んでもよい。この場合、第１のスペーサ層３１６および／または１つ以上のその他のスペーサ層は、本明細書に記載の第１のミラー構造３１２および別のミラー構造を有する全面的な層のセットとして、対応する複数のセンサ素子３０８の方へ光を向かわせるセンサ素子のセットと整列した複数のチャネルを形成してもよい。
いくつかの実施形態では、本明細書に記載の、第１のミラー構造３１２および別のミラー構造に関連する第１のスペーサ層３１６は、特定のフィルタリング機能を実行することに関連付けられてもよい。いくつかの実施形態では、所望のスペクトル範囲（例えば、約３８０ｎｍから約１１００ｎｍの間）または低減された角度シフトについての要望に基づいて、第１のスペーサ層３１６および／または１つ以上のその他のスペーサ層は、酸化物ベースの材料（例えば、可視スペクトル範囲については酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タンタル、またはこれらの組み合わせ）、シリコンベースの材料（例えば、６５０ｎｍより大きいスペクトル範囲については水素化シリコン（ＳｉＨ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、またはシリコン（Ｓｉ））、またはゲルマニウム（Ｇｅ）ベースの材料（例えば、赤外のスペクトル範囲について）などを利用してもよい。いくつかの実施形態では、第１のスペーサ層３１６は、別の材料と比較して角度シフトの低減を達成するために、特定の材料を利用してもよい。例えば、Ｓｉ－Ｈベースの材料を利用することにより、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）ベースの材料を使用することに比べて、角度シフトを低減することができる。別の例では、第１のスペーサ層３１６は、別のタイプの酸化物材料、窒化物材料、またはフッ化物材料などを利用してもよい。
図３Ｂに参照番号３１８により示すように、第２のスペーサ層３２０は、第１のスペーサ層３１６の上に堆積されてもよい。例えば、第２のスペーサ層３２０は、反応性スパッタリングプロセス、パルスマグネトロンスパッタリングプロセス、イオンビーム支援蒸着プロセス、イオンビームスパッタリングプロセス、デュアルイオンビームスパッタリングプロセス、反応性直流スパッタリングプロセス、交流スパッタリングプロセス、高周波スパッタリングプロセス、または原子層堆積プロセスなどを使用して堆積されてもよい。さらに、または代わりに、層３１２、３１６、３２０についてなどの本明細書に記載のその他の堆積は、同様に堆積されてもよい。本明細書では、層の堆積の特定の順序に関して説明したが、層の堆積の別の順序が利用されてもよい。いくつかの実施形態では、第２のスペーサ１２０は、第１のスペーサ層３１６に関する厚さに関連付けられてもよい。例えば、第１のスペーサ層３１６が第１の厚さｔ０に関連付けられている場合、第２のスペーサ層３２０は、第２の厚さｔ１で堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、第２のスペーサ層３２０は、第１のスペーサ層３１６の一部の上に堆積されてもよい。例えば、チャネルセットについての所望のスペーサの厚さの配置に基づいて、第１のスペーサ層の表面のサブセット上に第２のスペーサ層を堆積させて、第１のセンサ素子３０８を第１のスペーサの厚さに関連付けさせ、および第２のセンサ素子３０８を第２のスペーサの厚さに関連付けさせてもよく、これにより第１のセンサ素子３０８が第１の波長に関する情報を捕獲することができ、および第２のセンサ素子３０８が第２の波長に関する情報を捕獲することができるようになる。例えば、第１の層は、堆積されて、センサ素子のセットを覆ってもよく、第２の層は、堆積されてセンサ素子のセットの半分を覆ってもよく、第３の層は、堆積されてセンサ素子の一部を覆ってもよい、などである。スペーサ層のセットのパターニングに関する更なる詳細は、図４Ａ～図４Ｃおよび図５Ａおよび図５Ｂに関して説明される。
図３Ｂに参照番号３２２により更に示すように、第３のスペーサ層３２４は、第２のスペーサ層３２０および／または第１のスペーサ層３１６の上に堆積されてもよい。例えば、第３のスペーサ層３２４および／または１つ以上の後続のスペーサ層（図示せず）が堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、第３のスペーサ層３２４（および／または１つ以上のその他のスペーサ層ｎ、ここでｎは２以上）は、前の層（例えば、第３のスペーサ層３２４に対して第２のスペーサ層３２０）の半分の厚さに関連付けられてもよい。言い換えれば、第３のスペーサ層３２４は、第２のスペーサ層３２０の厚さの１／２の厚さを有してもよい。いくつかの実施形態では、第３のスペーサ層３２４は、第１のスペーサ層３１６および／または第２のスペーサ層３２０の一部の上に選択的に堆積されてもよい。例えば、第３のスペーサ層３２４の第１の部分は、第１のスペーサ層３１６の一部の上に堆積されてもよく、第３のスペーサ層３２４の第２の部分は、第２のスペーサ層３２０の一部の上に堆積されてもよく、これにより、複数のセンサ素子３０８が複数のスペーサの厚さに関連付けられることができ、および複数の波長に関する情報を捕獲することができる。
図３Ｂに参照番号３２６により示すように、ミラー構造３２８が堆積されてもよい。例えば、ミラー構造３２８は、１つ以上の層（例えば、第１のスペーサ層３１６、第２のスペーサ層３２０、第３のスペーサ層３２４、または別の後続の層）の１つ以上の部分の上に堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、ミラー構造３２８は、光センサデバイスの光センサ（例えばセンサ素子３０８）と整列して配置された固体の金属ミラーであってもよい。スペーサ層３１６、３２０、および３２４に基づいて堆積されることにより、ミラー構造３２８は、スペーサによってミラー構造３１２から分離される。このようにして、光は、１つ以上の波長で１つ以上のセンサ素子３０８の方に向けられてもよい。いくつかの実施形態では、ミラー構造３２８とスペーサ層３２４との間に別の層が堆積されてもよい。例えば、１つ以上の機能を行うために、保護フレーム層、薄膜層などが堆積されてもよい。図３Ｃに示すように、レンズ３３０を堆積させる前に、帯域外遮蔽物層のセット３３２（例えば、パターニングされた遮蔽物を形成する層のセット）が堆積されてもよい。代わりに、反射防止コーティング層のセット３３４が堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、複数の別個のフィルタコーティングを堆積させることができる。さらに、または代わりに、複数の波長、複数のチャネルなどの帯域外の光を抑制するために、単一の遮蔽物が堆積されてもよい。別の例では、ミラー構造の銀を密閉する亜鉛酸化物（ＺｎＯ）層などの保護層が提供されてもよい。
図２に更に示すように、いくつかの実施形態では、プロセス２００は、マルチスペクトルフィルタアレイに関連する１つ以上のその他の層を堆積させることを含んでもよい（ブロック２３０）。例えば、本明細書で図７Ａ、図７Ｂおよび図９を参照して詳細に説明するように、反射防止コーティングフィルタ、帯域外遮蔽フィルタ、高次抑制フィルタ（higher-order suppression filter）などのフィルタは、ミラー構造３２８上などに堆積されてもよい。
図２に更に示すように、プロセス２００は、マルチスペクトルフィルタアレイで光センサデバイスをファイナライズすることを含んでもよい（ブロック２４０）。例えば、図３Ｂに更に参照番号３２６により示すように、レンズ３３０のセットがミラー構造３２８に取り付けられてもよい。例えば、ガラスレンズ、プラスチックレンズなどの特定のレンズ３３０は、例えば光を収束させ、光を歪ませ、光を方向付け、光が光センサデバイスに入ることができる角度許容値を増加させ、または光センサデバイスのセンサ素子３０８に向かう光の量を増加させるためなど、対応するセンサ素子３０８に向けられた光の特性を変更させるために、ミラー構造３２８に取り付けられてもよい。
このようにして、マルチスペクトル（例えば、双構造の）ファブリペローフィルタアレイは、金属ミラーを使用して構成されてもよい。いくつかの実施形態では、可視スペクトル範囲については、Ｎｂ２Ｏ５ベースのスペーサまたはＴｉＯ２ベースのスペーサが好ましいこともある。いくつかの実施形態では、近赤外（ＮＩＲ）スペクトル範囲（例えば、７５０ｎｍから１１００ｎｍ）については、Ｎｂ２Ｏ５とＳｉ：ＨまたはＴｉＯ２とＳｉ：Ｈの組み合わせが好ましいこともある。いくつかの実施形態では、アモルファスシリコンまたは水素化アモルファスシリコンが用いられてもよい。さらに、または代わりに、Ａｇベースの金属ミラーの利用に基づいて、比較的大きなスペクトル帯域幅を達成することができる。さらに、または代わりに、パルスマグネトロンスパッタリングプロセスおよび／またはリフトオフプロセスの利用に基づいて、マルチスペクトルファブリペローフィルタアレイは、製造が過度に困難ではない、半導体基板を有する光センサデバイスに組み込まれてもよい。
図２は、プロセス２００の例示的なブロックを示すが、いくつかの実施形態では、プロセス２００は、追加のブロック、より少ないブロック、異なるブロック、または図２に示したものとは異なる配置のブロックを含んでもよい。さらに、または代わりに、プロセス２００の２つ以上のブロックは、並行して実行されてもよい。上述のように、図３Ａ～図３Ｃは、単なる一例として提供されている。その他の例も可能であり、図３Ａ～図３Ｃに関して説明したものと異なってもよい。
図４Ａ～図４Ｃは、図２に示す例示的なプロセス２００に関連する実施例４００の図である。図４Ａ～図４Ｃは、マルチスペクトルフィルタのフィルタアレイのレイアウトの一例を示す。
図４Ａに示すように、フィルタアレイ４０１は、層のセットに関連付けられてもよい。フィルタアレイ４０１は、１６のセンサ素子に対応する１６チャネル（例えば光チャネル）を含む４×４のフィルタアレイであってもよい。いくつかの実施形態では、フィルタアレイ４０１は、図１の断面図に示された例示のマルチスペクトルフィルタ１０５に対応する。いくつかの実施形態では、各チャネルは、センサアレイに関連付けられてもよい。例えば、チャネルは、チャネルを用いて光源からの光に関する情報を捕獲することに関連付けられたセンサ素子のセットを有するセンサアレイを含んでもよい。いくつかの実施形態では、各チャネルは、各層に対する特定の厚さに関連付けられてもよい。チャネルの層のセットの厚さは、チャネルに対応する光センサによって捕獲されるべき情報の所望の波長に基づいて選択されてもよい。いくつかの実施形態では、４×４フィルタアレイ（例えば、または別の次元のフィルタアレイ）は、モザイクパターン（例えば、スナップショットベイヤモザイクパターン）、タイルパターン（例えば、スナップショットタイルパターン）、またはラインパターン（例えば、連続ライン走査パターン、または非連続ライン走査パターン）などの特定のパターニングに関連付けられてもよい。
光センサによって捕獲されるスペクトル範囲に基づいて、４×４フィルタアレイのミラーによって挟まれたスペーサ層の厚さは、
ｔｍａｘ＝２＊（λｍａｘ／（４＊ｎｒｅｆ））；
ｔｍｉｎ＝２＊（λｍｉｎ／（４＊ｎｒｅｆ））；
と決定されてもよく、ここで、ｔｍａｘは、情報が捕獲される最も高い中心波長のためにミラー構造のセットを分離するスペーサ層の合計の厚さを表し、λｍａｘは、情報が捕獲される最も高い中心波長を表し、ｎｒｅｆは、スペーサ層の屈折率を表し、ｔｍｉｎは、情報が捕獲される最も低い中心波長のためにミラー構造のセットを分離するスペーサ層の合計の厚さを表し、およびλｍｉｎは、情報が捕獲される最も高い中心波長を表す。
チャネルセット（例えば、４×４フィルタアレイの１６チャネル）を形成するために堆積されるべきスペーサ層の層の数は、
ｃ＝２ｘ；
と決定されてもよく、ここで、ｃは、堆積されたスペーサ層の所与の数ｘに対して生成されることができるチャネルの最大数を表す。いくつかの実施形態では、スペーサ層の特定の数に対して最大のチャネル数を選択することができる。例えば、４つのスペーサ層の堆積では最大１６チャネルが生成されてもよいが、４つのスペーサ層に対して９チャネル、１０チャネルなどの別のチャネル数が選択されてもよい。この場合、１つ以上のチャネルは、省略または複製されてもよい。例えば、特定の光センサが、特定の波長に関する情報を捕獲することについての性能不足に関連付けられる場合、特定の波長に関する情報は、情報の精度を向上させるために、複数のチャネルに関連する複数の光センサによって捕獲されるようにされてもよい。
特定のチャネルのスペーサ層の各層の厚さは（例えば、等距離チャネルセットについて）、
ｔ０＝ｔｍｉｎ；
ｔ１＝（ｃ／２）／（（ｃ－１）＊２＊ｎｒｅｆ）＊（λｍａｘ－λｍｉｎ）；
ｔｎ＝ｔｎ－１／２；
ｎ＝ｌｏｇ２（ｃ）；
と決定されてもよく、ここで、ｔｎは、第ｎ番目の層の厚さ（例えば、ｔ０は、第１の層であり、ｔ１は、第２の層である）を表し、ｃは、チャネルセットのチャネルのチャネル数を表す。いくつかの実施形態では、等距離でないチャネルセットが利用されてもよい。例えば、第１の波長セットと、第１の波長セットと不連続である第２の波長セットとに関する情報を得るために、チャネルの不連続なパターニングが選択されてもよい。この場合、ｔｍｉｎおよびｔｍａｘは、やはり決定されるが、異なる中間層のセットが選択されてもよい。いくつかの実施形態では、異なるチャネル数が利用されてもよい。さらに、または代わりに、チャネルのパターニングは、共通の厚さを有する複数のチャネルを用いて利用されてもよく、それにより複数の光センサが共通の波長の光に関する情報を捕獲することを可能にする。
参照番号４０２により示すように、フィルタアレイ４０１は、特定の波長の光を対応する光センサに向かわせるために、各チャネルが特定の厚さに関連する（例えば、第１のミラー構造と第２のミラー構造との間のスペーサ層の）層４０２、Ｎを含む。例えば、層４０２のチャネルの第１のグループは、（例えば、第１のミラー構造の上に、または第１のミラー構造の上に堆積された酸化物ベースの保護層などの別の層の上に）８＊ｔ４の厚さの層が堆積されていることを示す８＊ｔ４の厚さに関連付けられる（ここで、ｔ４は、第４の層の厚さを表す）。同様に、層４０２のチャネルの第２のグループは、これらのチャネルについては、堆積が行われているが、堆積した材料を取り除くためにリフトオフが使用されていることを示す０＊ｔ４の厚さに関連付けられる。
図４Ａに参照番号４０４により更に示すように、層４０４、Ｎ＋１は、層４０２の上に堆積されている。層４０４は、４＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第１のグループと、０＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第２のグループとを含む。いくつかの実施形態では、層４０４の厚さは、層４０２の厚さに基づいて選択される。例えば、マルチスペクトルフィルタ（例えば、フィルタ層の二進数列に関連付けられたフィルタ）を製造する場合、層４０４の厚さは、層４０２の厚さの半分として選択されてもよい。別の例では、層４０２と層４０４との間の別の関係が利用されてもよい。例えば、層４０４は、層４０２の厚さの７５％であってもよく、および後続の層は、層４０４の厚さの３３％、２５％などであってもよい。別の例では、層４０４は、層４０２の５０％であってもよく、および後続の層は、層４０４の厚さの３３％、または層４０４の厚さの１０％などであってもよい。
図４Ａに参照番号４０６により更に示すように、層４０６、Ｎ＋２は、層４０４の上に堆積されている。層４０６は、２＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第１のグループと、０＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第２のグループとを含む。参照番号４０８により示すように、層４０８、Ｎ＋３は、層４０６の上に堆積されている。層４０８は、１＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第１のグループと、０＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第２のグループとを含む。参照番号４１０により示すように、フィルタアレイ４０１の層Ｎ～層Ｎ＋３の厚さは、各チャネルの各層の厚さを合計することに基づいて特定される。例えば、二進数列およびフィルタ層の配置に基づいて、各チャネルは異なる厚さに関連付けられてもよく、それにより、対応する各光学センサが異なる波長に関する情報を捕獲することを可能にする。その上にｔ１からｔｎが配置される層の厚さｔ０（例えば、ｔｍｉｎ）は、情報（例えば、スペクトルデータ）が捕獲されるべき光の波長に関連してもよい。
図４Ｂに示すように、同様のフィルタアレイ４２１は、それぞれが１つ以上の厚さに関連付けられている層のセットに関連付けられてもよい。参照番号４２２により示すように、層４２２、Ｍは、８＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第１のグループと、０＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第２のグループとを含む。参照番号４２４により示すように、層４２４、Ｍ＋１は、４＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第１のグループと、０＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第２のグループとを含む。参照番号４２６により示すように、層４２６、Ｍ＋２は、２＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第１のグループと、０＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第２のグループとを含む。参照番号４２８により示すように、層４２８、Ｍ＋３は、１＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第１のグループと、０＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルの第２のグループとを含む。参照番号４３０により示すように、層４２２、４２４、４２６、および４２８の堆積の結果は、フィルタアレイ４２１のチャネルのセットについての厚さのセットであり、フィルタアレイ４２１の光学センサが波長セットに関する情報を捕獲することを可能にする。
図４Ｃに示すように、別のフィルタアレイ４４１は、フィルタアレイ４０１およびフィルタアレイ４２１の４×４の配置ではなく、１６チャネルの線形配置を利用してもよい。参照番号４４２により示すように、層４４２、Ｌは、８＊ｔ４の厚さを有するチャネルの第１のグループと、０＊ｔ４の厚さを有するチャネルの第２のグループとを含む。参照番号４４４により示すように、層４４４、Ｌ＋１は、４＊ｔ４の厚さを有するチャネルの第１のグループと、０＊ｔ４の厚さを有するチャネルの第２のグループとを含む。参照番号４４６により示すように、層４４６、Ｌ＋２は、２＊ｔ４の厚さを有するチャネルの第１のグループと、０＊ｔ４の厚さを有するチャネルの第２のグループとを含む。参照番号４４８により示すように、層４４８、Ｌ＋３は、１＊ｔ４の厚さを有するチャネルの第１のグループと、０＊ｔ４の厚さを有するチャネルの第２のグループとを含む。参照番号４５０により示すように、層４４２、４４４、４４６、および４４８の堆積の結果は、フィルタアレイ４４１のチャネルのセットについての厚さのセットであり、光学センサをして波長セットに関する情報を捕獲させる。
上述のように、図４Ａ～図４Ｃは、単なる一例として提供されている。その他の例も可能であり、図４Ａ～図４Ｃに関して説明したものと異なってもよい。
図５Ａおよび図５Ｂは、図２に示す例示的なプロセス２００に関する実施例５００の図である。図５Ａおよび図５Ｂは、不均一なチャネル間隔を有するマルチスペクトルフィルタのフィルタアレイのレイアウトの一例を示す。
図５Ａに示すように、フィルタアレイ５０１（例えば、マルチスペクトルフィルタ）は、等距離でないチャネルレイアウトを利用してもよい。例えば、参照番号５０２～５０８により示すように、層５０２は、１０＊ｔ４の厚さを有するチャネルのグループを含んでもよく、層５０４は、５＊ｔ４の厚さを有するチャネルのグループを含んでもよく、層５０６は、３＊ｔ４の厚さを有するチャネルのグループを含んでもよく、層５０８は、１＊ｔ４の厚さを有するチャネルのグループを含んでもよい。参照番号５１０により示すように、層５０２、５０４、５０６、および５０８の堆積の結果は、各チャネルに対して等距離ではない厚さのセットである。例えば、チャネル５１１は、０＊ｔ４の厚さに関連付けられ、チャネル５１２は、１＊ｔ４の厚さに関連付けられ、チャネル５１３は、４＊ｔ４の厚さに関連付けられ、およびチャネル５１４は、３＊ｔ４の厚さに関連付けられる（例えば、２＊ｔ４の厚さに関連付けられたチャネルが除かれている）。このようにして、フィルタアレイ５０１は、フィルタアレイ５０１に関連付けられた光センサのセットが、非連続的な波長セット（例えば、波長が等間隔に分離されていない波長セット）に関する情報を捕獲することを可能にする。
図５Ｂに示すように、同様のフィルタアレイ５２１は、等距離でないチャネル間隔を利用してもよい。例えば、参照番号５２２～５２８により示すように、層５２２は、１５＊ｔ４の厚さを有するチャネルのグループを含んでもよく、層５２４は、４＊ｔ４の厚さを有するチャネルのグループを含んでもよく、層５２６は、２＊ｔ４の厚さを有するチャネルのグループを含んでもよく、層５２８は、１＊ｔ４の厚さを有するチャネルのグループを含んでもよい。参照番号５３０により示すように、層５２２、５２４、５２６、および５２８の堆積の結果は、等距離でないチャネルのセットに対する厚さのセットである。例えば、チャネル５３１は、２＊ｔ４の厚さに関連付けられ、チャネル５３２は、６＊ｔ４の厚さに関連付けられ、チャネル５３３は、２１＊ｔ４の厚さに関連付けられ、およびチャネル５３４は、１７＊ｔ４の厚さに関連付けられる（例えば、厚さ８＊ｔ４～１４＊ｔ４のチャネルが除かれている）。チャネル５３２とチャネル５３３との間の不連続は、フィルタアレイ５２１に関連付けられた光センサのセットが、フィルタアレイ５２１のその他のチャネル間の分離と等しくないスペクトル量によって分離された２つの波長範囲に関する情報を捕獲することを可能にする。
上述のように、図５Ａおよび図５Ｂは、単なる一例として提供されている。その他の例も可能であり、図５Ａおよび図５Ｂに関して説明したものと異なってもよい。
図６Ａ～図６Ｅは、図２に示す例示的なプロセス２００に関する実施例６００の図である。図６Ａ～図６Ｅは、マルチスペクトルフィルタを有する光センサデバイスの一例を示す。
図６Ａに示すように、基板６０２は、１つ以上の構成要素を含んでもよい。例えば、基板６０２は、ＣＭＯＳ技術、ＣＣＤ技術などの光センサ６０４のセットを含んでもよい。ミラー６０６（例えば、金属ベースの反射層）は、光センサ６０４上に堆積されてもよく、および光センサ６０４に向けられた光の一部がミラー６０６を通り抜けて光センサ６０４に向かうことを可能にしてもよい。ミラー６０６は、ミラー６０６の酸化を低減する保護コーティングに関連付けられてもよい。例えば、特定の厚さのＺｎＯコーティングを用いたＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ構成のように、酸化亜鉛（ＺｎＯ）ベースの材料が銀ベースのミラーの上にコーティングされてもよい。例えば、ＺｎＯコーティングは、約０．５ｎｍ～約４ｎｍ、または約１ｎｍ～約２ｎｍなどであってもよい。マルチスペクトルフィルタのスペーサ部分の第１のスペーサ層６０８は、ミラー６０６上に堆積されてもよい。
図６Ｂに示すように、第２のスペーサ層６１０は、第１のスペーサ層６０８の一部の上に堆積されて、フィルタアレイのチャネルの第１のグループが第１の厚さに関連付けられ、およびフィルタアレイのチャネルの第２のグループが第２の厚さに関連付けられるようにしてもよい。この場合、第２のスペーサ層６１０は、光センサ６０４と整列した第１のスペーサ層６０８の一部の上に堆積される。このようにして、マルチスペクトルフィルタのスペーサは、光センサ６０４に帯域幅のセット（例えば、第１の厚さに関連付けられた第１の帯域幅、または第２の厚さに関連付けられた第２の帯域幅）に関連付けられた光を受け取らせるように堆積されてもよい。
図６Ｃに示すように、別の例では、同様の第２のスペーサ層６１２は、第１のスペーサ層６０８の同様の部分の上に堆積されて、フィルタアレイのチャネルの第１のグループが第１の厚さに関連付けられ、およびフィルタアレイのチャネルの第２のグループが第２の厚さに関連付けられるようにしてもよい。この場合、参照番号６１２により示すように、第２のスペーサ層６１２は、光センサ６０４と整列された第１の層の部分のみではなく、第１のスペーサ層６０８およびミラー６０６のエッジを覆うように堆積される。
図６Ｄに参照番号６２０により示すように、光センサ６０４に整列した第１のスペーサ層６０８の部分と第１のスペーサ層６０８およびミラー６０６のエッジとの両方を囲むように堆積された第２のスペーサ層６１２に基づいて、第１のスペーサ層６０８およびミラー６０６のエッジは、第２のスペーサ層６１２によって保護されている。このようにして、第２のスペーサ層６１２は、一体化された保護フレーム（例えば、保護層）を、第１のスペーサ層６０８およびミラー６０６に提供し、それにより、第１スペーサ層６０８および／またはミラー６０６がダメージを受ける可能性を減らし、および露出したミラーおよび／または露出したミラーのコーティングを有するフィルタアレイを有する別の光センサデバイスに比べて、光センサデバイスの耐久性を向上させる。
図６Ｅに示すように、同様の基板６０２は、光センサ６０４のセットと、基板６０２に特に近接して配置された第１のミラー層６０６と、第１のミラー層６０６上に配置された第１のスペーサ層６０８とを含んでもよい。この場合、酸化亜鉛の保護層は、基板６０２に特に近接して第１の金属ミラー層６０６を挟むように堆積され、それにより第１の金属ミラー層６０６を少なくとも部分的に囲み、および第１の金属ミラーの耐久性を向上させる。第２のスペーサ層６２２は、第１のスペーサ層６０８の一部（例えば、光センサ６０４のサブセットおよび／または光センサ６０４のサブセットに対応する画素と整列した部分）の上に配置される。フレーム６２４は、保護フレーム（例えば、保護層）を提供するために、基板６０２の一部、第１のスペーサ層６０８の一部、および／または第２のスペーサ層６２０の一部の上に配置され、それにより、基板６０２、ミラー６０６、第１のスペーサ層６０８、および／または第２のスペーサ層６２２がダメージを受ける可能性を減らし、および光センサデバイスの耐久性を向上させる。この場合、フレーム６２４は、第２のスペーサ層６２２から分離され、それにより、フレーム６２４が、第２のスペーサ層６２２と異なる材料から、または第２のスペーサ層６２２に比べて異なる厚さで、などにより構成されることを可能にする。別の例では、第２のスペーサ層６２２は、第２のスペーサ層６２２がフレーム６２４に隣接または接触するように堆積されない構造などの異なる構造で堆積されてもよい。例えば、エッジ６２６は、第２のスペーサ層６２２がフレーム６２４に隣接するかまたは部分的に囲まれていることを示しているが、第２のスペーサ層６２２は、エッジ６２６または別のエッジにおいて、第２のスペーサ層６２２がフレーム６２４に隣接もせず部分的に囲まれもしないように、フレーム６２４から特定の距離だけ離れていてもよい。
上述のように、図６Ａ～図６Ｅは、単なる一例として提供されている。その他の例も可能であり、図６Ａ～図６Ｅに関して説明したものと異なってもよい。
図７Ａおよび図７Ｂは、図２に示す例示的なプロセス２００に関する実施例７００の図である。図７Ａおよび図７Ｂは、マルチスペクトルフィルタアレイに関連付けられた別のフィルタの例を示す。
図７Ａに示すように、光センサデバイス７０２は、層のセットを含む。光センサデバイス７０２は、基板７０５（例えば、これは１つ以上の光センサを含んでもよい）と、第１の酸化亜鉛層７１０－１と、第１の銀ミラー層７１５－１と、第２の酸化亜鉛層７１０－２と、ニオブチタン酸化物層７２０と、第３の酸化亜鉛層７１０－３と、第２の銀ミラー層７１５－２と、第４の酸化亜鉛層７１０－４と、第１の酸化シリコン層７２５－１、ニオブチタン酸化物層７３０と、第２の酸化シリコン層７２５－２とを含んでもよい。酸化亜鉛層７１０は、銀ミラー層７１５を少なくとも部分的に囲むように堆積され、それにより、銀ミラー層７１５を劣化から保護し、それにより、露出したミラー層（例えば、基板７０５に直接に堆積された１つ以上のミラー層、またはその上にニオブチタン酸化物層７２０もしくは第１の酸化シリコン層７２５－１が堆積されている１つ以上の銀ミラー層７１５）を利用する場合に比べて、光センサデバイス７０２の耐久性を向上させる。光センサデバイス７０２は、酸化亜鉛層７１０と、銀ミラー層７１５と、ニオブチタン酸化物層７２０とを含む第１の領域７４０（例えば、マルチスペクトルフィルタアレイ）を含んでもよい。光センサデバイス７０２は、酸化シリコン層７２５およびニオブチタン酸化物層７３０を含む第２の領域７４５を含んでもよい。第２の領域７４５の層は、光センサデバイス７０２にフィルタリング機能を提供するために、領域７４０の一部の上に堆積されてもよい。例えば、第２の領域７４５は、光センサデバイス７０２の光センサに反射防止コーティングを提供してもよい。
図７Ｂに示すように、同様の光センサデバイス７０２は、基板７０５と、同様の領域７４０（例えば、同様のマルチスペクトルフィルタアレイ）と、酸化シリコン層７５０のセット（７５０－１～７５０－５として図示）と、ニオブチタン酸化物層７５５のセット（７５５－１～７５５－４として図示）とを含む。この場合、酸化シリコン層７５０およびニオブチタン酸化物層７５５を含む領域７６０は、ある波長（例えば、紫外（ＵＶ）－緑波長）の高次抑制を提供してもよい。このようにして、１つ以上の層をマルチスペクトルフィルタアレイ上に堆積させることにより、フィルタリング機能がマルチスペクトルフィルタアレイに加えられてもよい。
上述のように、図７Ａおよび図７Ｂは、単なる一例として提供されている。その他の例も可能であり、図７Ａおよび図７Ｂに関して説明したものと異なってもよい。
図８Ａおよび図８Ｂは、図２に示す例示的なプロセス２００に関する実施例８００の図である。
図８Ａに示すように、センサ素子３０８は、本明細書に記載の光センサデバイスの製造中に基板３０６に配置されてもよい。本明細書に記載のように、フィルタ層およびスペーサ層のセットがその上に堆積されるガラスウエハ８０２が提供されてもよい。
図８Ｂに示すように、ガラスウエハ８０２上に層８０４のセットを堆積させた後、ガラスウエハ８０２および層８０４は、参照番号８０６により示すように、基板３０６に結合される。
上述のように、図８Ａおよび図８Ｂは、単なる一例として提供されている。その他の例も可能であり、図８Ａおよび図８Ｂに関して説明したものと異なってもよい。
図９は、（ｎｍで表した光の）波長に対する（光の割合としての）透過率の図９００の例である。図９は、より低い波長でより高次のピークを抑制するための、図７Ｂに関連して本明細書に記載の、フィルタスタックのスペクトル応答を示す。例えば、大きなスペクトル帯域幅をカバーし、および８５０ｎｍなどのスペクトル帯域幅の特定のサブセットを通過させる場合、図７Ｂに関連して説明されたような帯域通過フィルタは、３５０ｎｍおよび４５０ｎｍにおける高次ピークを阻止するために提供されてもよく、および図９００と同様のスペクトル性能を示してもよい。
上述のように、図９は、単なる一例として提供されている。その他の例も可能であり、図９に関して説明したものと異なってもよい。
図１０Ａは、本明細書に記載の銀ベースのミラーおよびニオブチタン酸化物ベースのスペーサを使用した６４チャネルフィルタアレイの例示的な図１０００および図１０１０である。図１０Ａは、対応するフィルタ部分に基づく６４チャネルフィルタアレイの各センサ素子のスペクトル範囲を示す。図１０Ｂは、対応するフィルタ部分に基づく６４チャネルフィルタアレイの各センサ素子の中心波長を示す。この場合、各センサ素子は、異なる波長の中心にある。別の例では、複数のセンサ素子は、同じ波長の中心にあってもよい。
上述のように、図１０は、単なる一例として提供されている。その他の例も可能であり、図１０に関して説明したものと異なってもよい。
このようにして、光センサデバイスの半導体基板上に統合され、比較的低い角度シフトおよび比較的高いスペクトル範囲を提供し、並びにその他のフィルタ構造に比べて環境的に耐久性のある光センサデバイスのためのマルチスペクトルフィルタアレイが製造されてもよい。
上述の開示は、図および説明を提供するが、網羅的であることも、実施形態を開示された厳密な形態に限定することも意図しない。変更および変形は、上述の開示に照らして可能であり、または実施形態の実施から取得されてもよい。
いくつかの実施形態は、しきい値に関連して本明細書で説明されている。本明細書で使用されているように、しきい値を満たすということは、しきい値よりも大きな、しきい値よりも多い、しきい値よりも高い、しきい値以上の、しきい値よりも少ない、しきい値よりも低い、しきい値以下の、しきい値と同じ、などの値を指してもよい。
特徴の特定の組み合わせが特許請求の範囲において列挙され、および／または明細書に開示されているが、これらの組み合わせは、可能な実施形態の開示を限定することを意図するものではない。実際に、これらの特徴の多くは、具体的に特許請求の範囲に列挙されていない、および／または明細書に開示されていない方法で組み合わせることができる。以下に列挙する各従属請求項は、ただ１つの請求項に直接に従属することができるが、可能な実施形態の開示は、請求項セットの他のすべての請求項と組み合わせた各従属請求項を含む。
本明細書で使用される要素、行為、または命令は、明示的に記載されていない限り、決定的または本質的であると解釈されるべきではない。また、本明細書で使用される限り、冠詞「ａ」および「ａｎ」は、１つ以上のものを含むことを意図し、および「１つ以上の」と同じ意味で使用されてもよい。さらに、本明細書で使用される限り、「セット（set）」の用語は、１つ以上のもの（例えば、関連したもの、関連しないもの、関連したものおよび関連しないものの組み合わせなど）を含むことを意図し、および「１つ以上の」と同じ意味で使用されてもよい。１つのもののみが意図されている場合、「１つ（one）」という用語または同様の言葉が使用される。また、本明細書で使用される限り、「有する（has、have、havingなど）」の用語は、無制限の用語であることを意図する。さらに、「に基づいて（based on）」という語句は、明示的に別段の定めがない限り、「少なくとも部分的に基づいて」を意味するものとする。

Claims (20)

  1. 基板に配置されたマルチスペクトルフィルタアレイを含むデバイスであって、
    該マルチスペクトルフィルタアレイは、
    該基板の上に配置された第１の金属ミラーと、
    該第１の金属ミラーの上に配置されたスペーサであって、層のセットを含むスペーサと、
    該スペーサの上に配置された第２の金属ミラーと、
    を含み、
    該第２の金属ミラーは、センサ素子のセットの２つ以上のセンサ素子と整列しているデバイス。
  2. 前記第１の金属ミラーは、前記センサ素子のセットの上に均一な厚さを有する請求項１に記載のデバイス。
  3. 前記第２の金属ミラーは、前記センサ素子のセットのすべてと整列している請求項１に記載のデバイス。
  4. 前記層のセットは、
    スペーサ層のセットであって、
    該スペーサ層のセットの第１の層は、前記センサ素子のセットと整列している光チャネルのセットの第１のチャネルに対応し、および第１の厚さに関連付けられ、
    該スペーサ層のセットの第２の層は、該光チャネルのセットの第２のチャネルに対応し、および該第１の厚さと異なる第２の厚さに関連付けられ、
    該第１の層は、該センサ素子のセットのうち第１の数のセンサ素子を覆い、
    該第２の層は、該センサ素子のセットのうち第２の数のセンサ素子を覆い、
    該第２の数は、該第１の数の半分である、
    スペーサ層のセットを含む請求項１に記載のデバイス。
  5. 前記第１の金属ミラーおよび前記第２の金属ミラーは、
    銀（Ａｇ）ベースのミラー、
    アルミニウム（Ａｌ）ベースのミラー、または
    銅（Ｃｕ）ベースのミラー
    のうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載のデバイス。
  6. 前記スペーサは、
    アモルファスシリコンベースの材料
    水素化アモルファスシリコン（Ｓｉ：Ｈ）ベースの材料
    ゲルマニウム（Ｇｅ）ベースの材料
    酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）ベースの材料
    酸化チタン（ＴｉＯ２）ベースの材料
    酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）ベースの材料
    二酸化シリコン（ＳｉＯ２）ベースの材料
    酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）ベースの材料
    酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）ベースの材料
    酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）ベースの材料
    窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）ベースの材料
    のうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載のデバイス。
  7. 前記マルチスペクトルフィルタアレイの１つ以上の層は、パルスマグネトロンスパッタリングプロセスを使用して前記基板の上に堆積された堆積層である請求項１に記載のデバイス。
  8. 前記センサ素子のセットは、
    フォトダイオードアレイ、
    電荷結合デバイス（ＣＣＤ）、または
    相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）、
    のうちの少なくとも１つを更に含む請求項１に記載のデバイス。
  9. 前記マルチスペクトルフィルタアレイは、
    前記第１の金属ミラーを挟む第１の酸化亜鉛保護層と、
    前記第２の金属ミラーを挟む第２の酸化亜鉛保護層と、
    を更に含む請求項１に記載のデバイス。
  10. 前記センサ素子のセットに向けられた光をフィルタにかけるために前記マルチスペクトルフィルタアレイの上に配置された１つ以上のフィルタ層であって、
    該１つ以上のフィルタ層は、
    帯域外遮蔽層のセット、
    反射防止コーティング層のセット、または
    高次抑制層のセット、
    のうちの少なくとも１つを含む、１つ以上のフィルタ層を更に含む請求項１に記載のデバイス。
  11. 前記マルチスペクトルフィルタアレイの上に配置されたレンズのセットを更に含み、
    該レンズのセットの特定のレンズは、該マルチスペクトルフィルタアレイのチャネルを経由して、前記センサ素子のセットの特定の光センサへ光を向けることに関連付けられている請求項１に記載のデバイス。
  12. 第１の層に向けられた光の一部を反射するための第１のミラーであり、センサ素子のセットに関連付けられた基板の上に堆積されている第１の層と、
    該第１の層の上のみに堆積され、該センサ素子のセットに対応するチャネルのセットに関連付けられ、た第２の層のセットであって、
    該チャネルのセットのチャネルは、該センサ素子のセットの特定のセンサ素子に向けられるべき光の特定の波長に対応する特定の厚さに関連付けられている第２の層のセットと、
    第３の層に向けられた光の一部を反射するための第２の金属ミラーであり、該第２の層のセットに関連付けられた複数の該センサ素子のセットの上に堆積されている第３の層と、
    を含む光フィルタ。
  13. 前記光フィルタが光源に露光された場合、前記センサ素子のセットに向けられた光のスペクトル範囲は、約３８０ｎｍから約１１００ｎｍの間である請求項１２に記載の光フィルタ。
  14. 前記第１の層は、パルスマグネトロンスパッタリングプロセスを用いて前記基板の上に堆積されている請求項１２に記載の光フィルタ。
  15. 請求項１２に記載の光フィルタ。
  16. 基板に組み込まれた光センサのセットと、
    該基板の上に堆積されたマルチスペクトルフィルタアレイと、
    を含み、
    該マルチスペクトルフィルタアレイは、
    第１の銀（Ａｇ）金属ミラーと、
    第２の銀（Ａｇ）金属ミラーと、
    該第１の銀（Ａｇ）金属ミラーおよび該第２の銀（Ａｇ）金属ミラーの間に配置された複数のスペーサ層と、
    を含むシステム。
  17. 前記光センサのセットは、スーパーアレイの複数の光センサである請求項１６に記載のシステム。
  18. 前記光センサのセットは、光源からの光の一部を受け取ることに関連付けられている請求項１６に記載のシステム。
  19. 前記光センサのセットは、裏面照射型センサアレイである請求項１６に記載のシステム。
  20. 前記複数のスペーサ層は、光源から前記光センサのセットに向かう光の角度シフトを低減させるように選択された材料を含む請求項１６に記載のシステム。
JP2023077369A 2015-12-29 2023-05-09 金属ミラーベースのマルチスペクトルフィルタアレイ Pending JP2023106454A (ja)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562272086P 2015-12-29 2015-12-29
US62/272,086 2015-12-29
US201662294970P 2016-02-12 2016-02-12
US62/294,970 2016-02-12
US15/385,240 2016-12-20
US15/385,240 US9923007B2 (en) 2015-12-29 2016-12-20 Metal mirror based multispectral filter array
JP2020208751A JP7336428B2 (ja) 2015-12-29 2020-12-16 デバイス

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020208751A Division JP7336428B2 (ja) 2015-12-29 2020-12-16 デバイス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023106454A true JP2023106454A (ja) 2023-08-01

Family

ID=57714462

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016255684A Active JP6812238B2 (ja) 2015-12-29 2016-12-28 金属ミラーベースのマルチスペクトルフィルタアレイ
JP2020208751A Active JP7336428B2 (ja) 2015-12-29 2020-12-16 デバイス
JP2023077369A Pending JP2023106454A (ja) 2015-12-29 2023-05-09 金属ミラーベースのマルチスペクトルフィルタアレイ

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016255684A Active JP6812238B2 (ja) 2015-12-29 2016-12-28 金属ミラーベースのマルチスペクトルフィルタアレイ
JP2020208751A Active JP7336428B2 (ja) 2015-12-29 2020-12-16 デバイス

Country Status (7)

Country Link
US (6) US9923007B2 (ja)
EP (1) EP3187909A1 (ja)
JP (3) JP6812238B2 (ja)
KR (3) KR102376881B1 (ja)
CN (2) CN107037520B (ja)
CA (2) CA2952683A1 (ja)
TW (5) TWI755172B (ja)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017001437A1 (en) * 2015-06-30 2017-01-05 Imec Vzw Dedicated transformation spectroscopy
US9960199B2 (en) * 2015-12-29 2018-05-01 Viavi Solutions Inc. Dielectric mirror based multispectral filter array
US9923007B2 (en) 2015-12-29 2018-03-20 Viavi Solutions Inc. Metal mirror based multispectral filter array
US11137527B2 (en) * 2017-05-22 2021-10-05 Viavi Solutions Inc. Mixed spacer multispectral filter
US10782460B2 (en) * 2017-05-22 2020-09-22 Viavi Solutions Inc. Multispectral filter
US10247865B2 (en) 2017-07-24 2019-04-02 Viavi Solutions Inc. Optical filter
US10622270B2 (en) 2017-08-31 2020-04-14 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit package with stress directing material
US10553573B2 (en) 2017-09-01 2020-02-04 Texas Instruments Incorporated Self-assembly of semiconductor die onto a leadframe using magnetic fields
KR102461721B1 (ko) * 2017-09-15 2022-11-01 삼성전자주식회사 필터 어레이와 이를 포함하는 분광 측정 소자 및 분광 측정 소자를 채용한 분광기
US10833648B2 (en) 2017-10-24 2020-11-10 Texas Instruments Incorporated Acoustic management in integrated circuit using phononic bandgap structure
US10886187B2 (en) 2017-10-24 2021-01-05 Texas Instruments Incorporated Thermal management in integrated circuit using phononic bandgap structure
US10557754B2 (en) 2017-10-31 2020-02-11 Texas Instruments Incorporated Spectrometry in integrated circuit using a photonic bandgap structure
US10497651B2 (en) 2017-10-31 2019-12-03 Texas Instruments Incorporated Electromagnetic interference shield within integrated circuit encapsulation using photonic bandgap structure
US10444432B2 (en) 2017-10-31 2019-10-15 Texas Instruments Incorporated Galvanic signal path isolation in an encapsulated package using a photonic structure
US10371891B2 (en) 2017-10-31 2019-08-06 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit with dielectric waveguide connector using photonic bandgap structure
US10677972B2 (en) * 2017-12-08 2020-06-09 Viavi Solutions Inc. Multispectral sensor response balancing
MX2019000869A (es) 2018-01-30 2019-12-19 Viavi Solutions Inc Dispositivo óptico que tiene partes ópticas y mecánicas.
US10948640B2 (en) 2018-03-13 2021-03-16 Viavi Solutions Inc. Sensor window with a set of layers configured to a particular color and associated with a threshold opacity in a visible spectral range wherein the color is a color-matched to a surface adjacent to the sensor window
US11009636B2 (en) * 2018-03-13 2021-05-18 Viavi Solutions Inc. Sensor window to provide different opacity and transmissivity at different spectral ranges
EP3546902B1 (en) * 2018-03-29 2021-01-27 ams Sensors Germany GmbH Multispectral sensor and method for multispectral light sensing
US11650361B2 (en) * 2018-12-27 2023-05-16 Viavi Solutions Inc. Optical filter
US11366011B2 (en) 2019-02-13 2022-06-21 Viavi Solutions Inc. Optical device
CN109798979B (zh) * 2019-03-12 2021-02-12 天津津航技术物理研究所 宽光谱范围的半导体工艺兼容高光谱成像芯片设计方法
CN112179491B (zh) * 2019-07-01 2022-03-25 华为技术有限公司 一种高光谱成像系统、摄像头以及终端设备
KR102857450B1 (ko) * 2020-04-08 2025-09-09 삼성전자주식회사 광 필터 및 이를 포함하는 분광기
US12392945B2 (en) * 2020-04-28 2025-08-19 Viavi Solutions Inc. Induced transmission filter with hydrogenated silicon, silver, and silicon dioxide
EP3978905A1 (en) * 2020-10-02 2022-04-06 Université Côte d'Azur Optoacoustic monitoring device for cell characterization
US20240180138A1 (en) 2021-04-05 2024-06-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Heating Transpiration Composition, and Method for Exterminating Harmful Arthropods Using Same
FR3122930B1 (fr) * 2021-05-11 2023-05-26 Safran Electronics & Defense Filtre multi-spectral
CN113865701B (zh) * 2021-09-26 2024-09-10 上海申矽凌微电子科技股份有限公司 光学滤波器、制造方法及环境光传感器
US12372400B2 (en) * 2021-12-06 2025-07-29 Viavi Solutions Inc. Optical system

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62267624A (ja) * 1986-05-15 1987-11-20 Minolta Camera Co Ltd 分光測定センサ
JP2007514961A (ja) * 2003-10-07 2007-06-07 アイギス セミコンダクター インコーポレイテッド Ｃｔｅが一致する透明基板上にヒータを有する調整可能な光フィルタ
US20080042782A1 (en) * 2005-04-27 2008-02-21 Shanghai Institute Of Technical Physics, Chinese Academy Of Sciences Integrated narrow bandpass filter array and a method for fabrication thereof
JP2008233622A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Fujinon Corp 反射防止膜、光学素子および光学系
JP2009545150A (ja) * 2006-07-25 2009-12-17 コミッサリヤ ア レネルジ アトミック 光フィルタリングマトリックス構造及び関連する画像センサ
JP2011198853A (ja) * 2010-03-17 2011-10-06 Fujifilm Corp マイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置
JP2012042584A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Seiko Epson Corp 光フィルター、光フィルターモジュール、分光測定器および光機器
JP2012511709A (ja) * 2008-12-11 2012-05-24 シリオス テクノロジーズ 複数の放射源を含んだ光学分光装置
US20140210031A1 (en) * 2013-01-29 2014-07-31 Karen Denise Hendrix Variable optical filter and a wavelength-selective sensor based thereon
US20140217625A1 (en) * 2011-07-08 2014-08-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method of impression-based production of a filter for an electromagnetic radiation

Family Cites Families (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3442572A (en) 1964-08-25 1969-05-06 Optical Coating Laboratory Inc Circular variable filter
US3617331A (en) 1964-08-25 1971-11-02 Optical Coating Laboratory Inc Method for manufacture of rotatable variable filter
US3530824A (en) 1964-08-25 1970-09-29 Optical Coating Laboratory Inc Deposition apparatus including rotatable and orbital masking assembly
JPS57184937A (en) 1981-05-08 1982-11-13 Omron Tateisi Electronics Co Color discriminating element
US4822998A (en) 1986-05-15 1989-04-18 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Spectral sensor with interference filter
JPS6342429A (ja) 1986-08-08 1988-02-23 Minolta Camera Co Ltd 分光測定センサ
US4957371A (en) 1987-12-11 1990-09-18 Santa Barbara Research Center Wedge-filter spectrometer
US5144498A (en) 1990-02-14 1992-09-01 Hewlett-Packard Company Variable wavelength light filter and sensor system
US5246803A (en) * 1990-07-23 1993-09-21 Eastman Kodak Company Patterned dichroic filters for solid state electronic image sensors
US5784507A (en) 1991-04-05 1998-07-21 Holm-Kennedy; James W. Integrated optical wavelength discrimination devices and methods for fabricating same
US5872655A (en) 1991-07-10 1999-02-16 Optical Coating Laboratory, Inc. Monolithic linear variable filter and method of manufacture
US5337191A (en) 1993-04-13 1994-08-09 Photran Corporation Broad band pass filter including metal layers and dielectric layers of alternating refractive index
KR0181985B1 (ko) * 1993-06-07 1999-05-01 가시오 가즈오 액정표시소자
WO1995017690A1 (en) 1993-12-23 1995-06-29 Honeywell Inc. Color filter array
US5905571A (en) * 1995-08-30 1999-05-18 Sandia Corporation Optical apparatus for forming correlation spectrometers and optical processors
US5986808A (en) 1996-10-11 1999-11-16 California Institute Of Technology Surface-plasmon-wave-coupled tunable filter
US6297907B1 (en) 1997-09-02 2001-10-02 California Institute Of Technology Devices based on surface plasmon interference filters
EP0933925A3 (en) * 1997-12-31 2002-06-26 Texas Instruments Inc. Photofinishing utilizing modulated light source array
US8928967B2 (en) * 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
JP4111288B2 (ja) 1998-07-09 2008-07-02 Ｔｄｋ株式会社 波長選択型光検出器
GB9901858D0 (en) 1999-01-29 1999-03-17 Secr Defence Optical filters
US6215802B1 (en) 1999-05-27 2001-04-10 Blue Sky Research Thermally stable air-gap etalon for dense wavelength-division multiplexing applications
JP3383942B2 (ja) 1999-08-02 2003-03-10 Ｈｏｙａ株式会社 Ｗｄｍ光学フィルター用ガラス基板、ｗｄｍ光学フィルター、ｗｄｍ用光合分波器
US6638668B2 (en) 2000-05-12 2003-10-28 Ocean Optics, Inc. Method for making monolithic patterned dichroic filter detector arrays for spectroscopic imaging
US6574490B2 (en) 2001-04-11 2003-06-03 Rio Grande Medical Technologies, Inc. System for non-invasive measurement of glucose in humans
US6891685B2 (en) 2001-05-17 2005-05-10 Sioptical, Inc. Anisotropic etching of optical components
US6912330B2 (en) 2001-05-17 2005-06-28 Sioptical Inc. Integrated optical/electronic circuits and associated methods of simultaneous generation thereof
US20030087121A1 (en) 2001-06-18 2003-05-08 Lawrence Domash Index tunable thin film interference coatings
US6841238B2 (en) * 2002-04-05 2005-01-11 Flex Products, Inc. Chromatic diffractive pigments and foils
KR20040035708A (ko) 2001-08-02 2004-04-29 이지스 세미컨덕터 가변형 광학기기
US6850366B2 (en) 2002-10-09 2005-02-01 Jds Uniphase Corporation Multi-cavity optical filter
EP1661182A4 (en) 2003-08-06 2011-03-23 Univ Pittsburgh SURFACE PLASMON EXPANDED NANOOPTICS DEVICES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP2005107010A (ja) * 2003-09-29 2005-04-21 Hitachi Metals Ltd 多層膜光学フィルターの製造方法および多層膜光学フィルター
US7123796B2 (en) * 2003-12-08 2006-10-17 University Of Cincinnati Light emissive display based on lightwave coupling
KR100680386B1 (ko) 2004-01-15 2007-02-08 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 고체촬상장치, 고체촬상장치의 제조방법 및 이를 이용한카메라
US7133197B2 (en) 2004-02-23 2006-11-07 Jds Uniphase Corporation Metal-dielectric coating for image sensor lids
KR20050103027A (ko) 2004-04-23 2005-10-27 매그나칩 반도체 유한회사 노치 필터를 갖는 이미지센서 및 그 제조 방법
US7879209B2 (en) 2004-08-20 2011-02-01 Jds Uniphase Corporation Cathode for sputter coating
US7521666B2 (en) 2005-02-17 2009-04-21 Capella Microsystems Inc. Multi-cavity Fabry-Perot ambient light filter apparatus
JP2007019143A (ja) 2005-07-06 2007-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置及びカメラ
US8084728B2 (en) 2005-07-06 2011-12-27 Capella Microsystems, Corp. Optical sensing device
US7406394B2 (en) 2005-08-22 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Spectra based endpointing for chemical mechanical polishing
US7315667B2 (en) 2005-12-22 2008-01-01 Palo Alto Research Center Incorporated Propagating light to be sensed
WO2007086155A1 (ja) 2006-01-24 2007-08-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 固体撮像装置、信号処理方法及びカメラ
US7378346B2 (en) 2006-03-22 2008-05-27 Motorola, Inc. Integrated multi-wavelength Fabry-Perot filter and method of fabrication
KR100762204B1 (ko) 2006-04-25 2007-10-02 전자부품연구원 광학 다층 박막 제조방법
JP2007317750A (ja) 2006-05-23 2007-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置
US8766385B2 (en) 2006-07-25 2014-07-01 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Filtering matrix structure, associated image sensor and 3D mapping device
US7701024B2 (en) 2006-12-13 2010-04-20 Panasonic Corporation Solid-state imaging device, manufactoring method thereof and camera
KR100819706B1 (ko) 2006-12-27 2008-04-04 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법
US8274739B2 (en) 2006-12-29 2012-09-25 Nanolambda, Inc. Plasmonic fabry-perot filter
US7576860B2 (en) * 2007-05-11 2009-08-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light filter having a wedge-shaped profile
JP4891841B2 (ja) 2007-06-08 2012-03-07 浜松ホトニクス株式会社 分光モジュール
KR101491889B1 (ko) 2007-06-08 2015-02-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 분광기
WO2009009077A2 (en) 2007-07-10 2009-01-15 Nanolambda, Inc. Digital filter spectrum sensor
JP5017193B2 (ja) 2008-06-30 2012-09-05 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びカメラ
US8896839B2 (en) 2008-07-30 2014-11-25 Pason Systems Corp. Multiplex tunable filter spectrometer
FR2937425B1 (fr) 2008-10-22 2010-12-31 Commissariat Energie Atomique Structure de filtrage optique en longueur d'onde et capteur d'images associe
US9395473B2 (en) 2009-03-20 2016-07-19 Nanolambda, Inc. Nano-optic filter array based sensor
JP5440110B2 (ja) * 2009-03-30 2014-03-12 株式会社リコー 分光特性取得装置、分光特性取得方法、画像評価装置、及び画像形成装置
BRPI1009664A2 (pt) 2009-06-17 2016-03-15 Koninkl Philips Electronics Nv filtro de interferenci para receber uma luz incidente e selecionar um componente de luz da luz incidente a ser transmitida através do filtro de interferencia como luz filtrada, mini-espectrômetro para receber uma luz incidente e detectar um ou mais dos componentes de luz da luz incidente e método para a fabricação de pelo menos um primeiro filtro de interferência
US8730219B2 (en) * 2009-10-30 2014-05-20 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
EP2511681B1 (en) 2009-11-30 2024-05-22 IMEC vzw Integrated circuit for spectral imaging system
US8559113B2 (en) 2009-12-10 2013-10-15 Raytheon Company Multi-spectral super-pixel filters and methods of formation
JP5619666B2 (ja) 2010-04-16 2014-11-05 ジェイディーエス ユニフェイズ コーポレーションＪＤＳ Ｕｎｉｐｈａｓｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するためのリング・カソード
WO2012007147A1 (de) 2010-07-15 2012-01-19 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. . Optisches bandpass-filtersystem, insbesondere für mehrkanalige spektralselektive messungen
DE102010033137A1 (de) * 2010-08-03 2012-02-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
JP5634836B2 (ja) * 2010-11-22 2014-12-03 浜松ホトニクス株式会社 分光センサの製造方法
CN102798918B (zh) * 2011-05-25 2016-08-03 苏州大学 一种反射式彩色滤光片
TW201317665A (zh) 2011-10-28 2013-05-01 Subtron Technology Co Ltd 光學觸控結構及其製作方法
CN104040309B (zh) 2011-11-03 2019-06-07 威利食品有限公司 用于最终使用者食品分析的低成本光谱测定系统
IN2014CN03038A (ja) 2011-11-04 2015-07-03 Imec
WO2013066606A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-10 The Research Foundation Of State University Of New York Photonic bandgap structures for multispectral imaging devices
IN2014CN02966A (ja) 2011-11-04 2015-07-03 Imec
EP2773929B1 (en) 2011-11-04 2023-12-13 IMEC vzw Spectral camera with mosaic of filters for each image pixel
JP2013190580A (ja) * 2012-03-13 2013-09-26 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP5710526B2 (ja) * 2012-03-14 2015-04-30 株式会社東芝 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法
TWI576617B (zh) 2012-07-16 2017-04-01 唯亞威方案公司 光學濾波器及感測器系統
FR2994282B1 (fr) * 2012-07-31 2014-09-05 Commissariat Energie Atomique Structure de filtrage optique dans le domaine visible et/ou infrarouge
WO2014028380A2 (en) * 2012-08-13 2014-02-20 President And Fellows Of Harvard College Multispectral imaging using silicon nanowires
US9793098B2 (en) * 2012-09-14 2017-10-17 Vapor Technologies, Inc. Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment
US9448346B2 (en) 2012-12-19 2016-09-20 Viavi Solutions Inc. Sensor device including one or more metal-dielectric optical filters
US10197716B2 (en) 2012-12-19 2019-02-05 Viavi Solutions Inc. Metal-dielectric optical filter, sensor device, and fabrication method
US9466628B2 (en) 2012-12-21 2016-10-11 Imec Spectral imaging device and method to calibrate the same
US20150369663A1 (en) * 2013-02-06 2015-12-24 Empire Technology Development Llc. Thermo-optic tunable spectrometer
TWI612649B (zh) * 2013-03-18 2018-01-21 新力股份有限公司 半導體裝置及電子機器
US9443993B2 (en) 2013-03-28 2016-09-13 Seiko Epson Corporation Spectroscopic sensor and method for manufacturing same
US20140320611A1 (en) 2013-04-29 2014-10-30 nanoLambda Korea Multispectral Multi-Camera Display Unit for Accurate Color, Multispectral, or 3D Images
EP3028020B1 (en) 2013-08-02 2021-11-24 Verifood Ltd. Spectrometry system
US9212996B2 (en) 2013-08-05 2015-12-15 Tellspec, Inc. Analyzing and correlating spectra, identifying samples and their ingredients, and displaying related personalized information
US9635228B2 (en) * 2013-08-27 2017-04-25 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with interconnects in cover layer
US10175107B2 (en) 2013-10-31 2019-01-08 Hamamatsu Photonics K.K. Light-detecting device
JP6390090B2 (ja) 2013-11-19 2018-09-19 セイコーエプソン株式会社 光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器
US9645075B2 (en) 2013-11-26 2017-05-09 nanoLambda Korea Multispectral imager with hybrid double layer filter array
KR102163727B1 (ko) * 2014-04-03 2020-10-08 삼성전자주식회사 광 이용 효율이 향상된 이미지 센서
CA3158041A1 (en) 2014-06-18 2015-12-23 Viavi Solutions, Inc. Metal-dielectric optical filter, sensor device, and fabrication method
US10247604B2 (en) 2014-10-30 2019-04-02 Infineon Technologies Ag Spectrometer, method for manufacturing a spectrometer, and method for operating a spectrometer
KR102323208B1 (ko) 2014-11-03 2021-11-08 삼성전자주식회사 수직 적층 구조를 갖는 분광기 및 이를 포함하는 비침습형 생체 센서
EP4163683B1 (en) 2015-02-18 2024-07-24 Materion Corporation Near infrared optical interference filters with improved transmission
EP3112828B1 (en) * 2015-06-30 2022-10-05 IMEC vzw Integrated circuit and method for manufacturing integrated circuit
US9923007B2 (en) 2015-12-29 2018-03-20 Viavi Solutions Inc. Metal mirror based multispectral filter array
US9960199B2 (en) * 2015-12-29 2018-05-01 Viavi Solutions Inc. Dielectric mirror based multispectral filter array

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62267624A (ja) * 1986-05-15 1987-11-20 Minolta Camera Co Ltd 分光測定センサ
JP2007514961A (ja) * 2003-10-07 2007-06-07 アイギス セミコンダクター インコーポレイテッド Ｃｔｅが一致する透明基板上にヒータを有する調整可能な光フィルタ
US20080042782A1 (en) * 2005-04-27 2008-02-21 Shanghai Institute Of Technical Physics, Chinese Academy Of Sciences Integrated narrow bandpass filter array and a method for fabrication thereof
JP2009545150A (ja) * 2006-07-25 2009-12-17 コミッサリヤ ア レネルジ アトミック 光フィルタリングマトリックス構造及び関連する画像センサ
JP2008233622A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Fujinon Corp 反射防止膜、光学素子および光学系
JP2012511709A (ja) * 2008-12-11 2012-05-24 シリオス テクノロジーズ 複数の放射源を含んだ光学分光装置
JP2011198853A (ja) * 2010-03-17 2011-10-06 Fujifilm Corp マイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置
JP2012042584A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Seiko Epson Corp 光フィルター、光フィルターモジュール、分光測定器および光機器
US20140217625A1 (en) * 2011-07-08 2014-08-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method of impression-based production of a filter for an electromagnetic radiation
US20140210031A1 (en) * 2013-01-29 2014-07-31 Karen Denise Hendrix Variable optical filter and a wavelength-selective sensor based thereon

Also Published As

Publication number Publication date
CA3246830A1 (en) 2025-10-31
US11114485B2 (en) 2021-09-07
CN115727950A (zh) 2023-03-03
JP6812238B2 (ja) 2021-01-13
US20200258927A1 (en) 2020-08-13
CA2952683A1 (en) 2017-06-29
TW202111294A (zh) 2021-03-16
EP3187909A1 (en) 2017-07-05
CN107037520A (zh) 2017-08-11
TW201734415A (zh) 2017-10-01
JP2021063990A (ja) 2021-04-22
US20230268362A1 (en) 2023-08-24
TWI893644B (zh) 2025-08-11
TWI713666B (zh) 2020-12-21
US10651216B2 (en) 2020-05-12
US12170300B2 (en) 2024-12-17
JP2017151419A (ja) 2017-08-31
TW202215080A (zh) 2022-04-16
TWI755172B (zh) 2022-02-11
KR20220038327A (ko) 2022-03-28
US9923007B2 (en) 2018-03-20
US11670658B2 (en) 2023-06-06
KR102376881B1 (ko) 2022-03-21
TWI835276B (zh) 2024-03-11
KR20240028407A (ko) 2024-03-05
US20250113635A1 (en) 2025-04-03
US20180204864A1 (en) 2018-07-19
TW202300960A (zh) 2023-01-01
US20170186793A1 (en) 2017-06-29
JP7336428B2 (ja) 2023-08-31
TWI777886B (zh) 2022-09-11
TW202422120A (zh) 2024-06-01
KR102642004B1 (ko) 2024-02-29
KR20170078544A (ko) 2017-07-07
CN107037520B (zh) 2022-11-25
US20210384242A1 (en) 2021-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7336428B2 (ja) デバイス
JP7663457B2 (ja) 誘電体ミラーベースのマルチスペクトルフィルタアレイ
HK40083123A (en) Metal mirror based multispectral filter array
HK1241036B (en) Metal mirror based multispectral filter array
HK1241036A1 (en) Metal mirror based multispectral filter array
HK1240654A1 (en) Dielectric mirror based multispectral filter array
TW202542554A (zh) 基於金屬鏡的多光譜濾光片陣列

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230518

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230518

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240325

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240402

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20241029