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JP2022000708A - 撮像レンズ及び撮像装置 - Google Patents

撮像レンズ及び撮像装置 Download PDF

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Abstract

【課題】広範な光透過域を有する撮像レンズよりも、近赤外波長域内の特定の波長域での光透過率を高めることができる撮像レンズとそれを用いた撮像装置を提供する。【解決手段】撮像レンズは、複数のレンズを有し、複数のレンズの少なくとも一部に対してコーティングが施されることにより、近赤外光波長域において、1550nmを含む近赤外光ピーク波長域NIRよりも短波長側の光透過率が、近赤外光ピーク波長域NIRの短波長端の光透過率から波長が短くなるにつれて減少し、近赤外光ピーク波長域NIRよりも長波長側の光透過率が、近赤外光ピーク波長域NIRの長波長端の光透過率から波長が長くなるにつれて減少する。【選択図】図6

Description

本開示の技術は、撮像レンズ及び撮像装置に関する。
撮像装置は、可視光での撮像を行うことが一般的であるが、それ以外にも様々な用途に用いられる撮像装置が知られている。例えば、暗視カメラ及び測距カメラ等のように、近赤外光域の波長光を撮像する撮像装置がある。
また、可視光と近赤外光との両方の波長域での撮像が可能な撮像装置も知られている。このような撮像装置に用いる撮像素子は、可視光から近赤外光までの波長域で光を検出できる撮像素子が用いられる。例えば、特許文献1には、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサ又はCCD(Charge Coupled Device)センサを用いた撮像装置が開示されている。特許文献1に記載の撮像装置は、近赤外光域まで撮像可能な撮像装置である。
また、より広い近赤外光域に検出感度を有する撮像素子としては、例えば、0.5μmから1.7μmまでの波長域で光を検出可能なInGaAs撮像素子等が挙げられる。
特開2004−103964号公報
特許文献1に開示された撮像装置は、1.1μmまでの近赤外光域までしか撮像できない。より長い波長域まで撮像する場合は、InGaAs等の半導体撮像素子を用いる必要がある。
本開示の一実施形態は、広範な光透過域を有する撮像レンズよりも、近赤外波長域内の特定の波長域での光透過率を高めることができる撮像レンズとそれを用いた撮像装置を提供する。
第1の態様に係る撮像レンズでは、複数のレンズを有し、複数のレンズの少なくとも一部に対してコーティングが施されることにより、近赤外光波長域において、1550nm(1.55μm)を含む近赤外光ピーク波長域よりも短波長側の光透過率が、近赤外光ピーク波長域の短波長端の光透過率から波長が短くなるにつれて減少し、近赤外光ピーク波長域よりも長波長側の光透過率が、近赤外光ピーク波長域の長波長端の光透過率から波長が長くなるにつれて減少する。従って、第1の態様に係る撮像レンズは、広範な光透過域を有する撮像レンズよりも、近赤外波長内の特定の波長域での光透過率を高めることができる。
第2の態様に係る撮像レンズは、近赤外光ピーク波長域における光透過率が60%以上である。第2の態様に係る撮像レンズによれば、近赤外光ピーク波長域における光透過率が60%以上であることによって、広範な光透過域を有する撮像レンズよりも、近赤外波長内の特定の波長域での光透過率を高めることができる。
第3の態様に係る撮像レンズでは、複数のレンズの少なくとも一部に対してコーティングが施されることにより、可視光波長域において、500nmから650nmの範囲を含む可視光ピーク波長域よりも短波長側の光透過率が、可視光ピーク波長域の短波長端の光透過率から波長が短くなるにつれて減少し、可視光ピーク波長域よりも長波長側の光透過率が、可視光ピーク波長域の長波長端の光透過率から波長が長くなるにつれて減少する。第3の態様に係る撮像レンズによれば、500nmから650nmの範囲を含む可視光ピーク波長域を有することにより、近赤外波長内の特定の波長域での光透過率を高めることができる。
第4の態様に係る撮像レンズにおいて、近赤外光ピーク波長域での光透過率の変動の特性を示すリップルの大きさ及び数のうちの少なくとも一方の第1変数が、可視光ピーク波長域での光透過率の変動の特性を示すリップルの大きさ及び数のうちの、対応する第2変数よりも小さい。第4の態様に係る撮像レンズによれば、近赤外光ピーク波長域でのリップルの大きさ及び数のうちの少なくとも一方が、可視光ピーク波長域での光透過率の対応するリップルの大きさ又は数よりも小さいことにより、近赤外波長内の特定の波長域での光透過率を高めることができる。
第5の態様に係る撮像レンズにおいて、可視光波長域に含まれる青色波長域のうちの短波長側の波長域の光透過率は、青色波長域のうちの長波長側の波長域の光透過率よりも低い。第5の態様に係る撮像レンズによれば、可視光波長域に含まれる青色波長域のうちの短波長側の波長域の光透過率が、青色波長域のうちの長波長側の波長域の光透過率よりも低くすることにより、近赤外波長内の特定の波長域での光透過率を高めることができる。
第6の態様に係る撮像レンズにおいて、青色波長域のうちの短波長側の波長域は、450nm以下の波長域である。第6の態様に係る撮像レンズによれば、青色波長域のうちの450nm以下の波長域の光透過率を、450nmより長い波長域の光透過率よりも低くすることにより、近赤外波長内の特定の波長域での光透過率を高めることができる。
第7の態様に係る撮像レンズにおいて、400nmから430nmの光透過率が、50%以下である。第7の態様に係る撮像レンズによれば、400nmから430nmの光透過率が50%以下であることにより、近赤外波長内の特定の波長域での光透過率を高めることができる。
第8の態様に係る撮像レンズは、複数のレンズの少なくとも一部に対してコーティングが施されることにより、近赤外光ピーク波長域と可視光ピーク波長域との間に、近赤外光ピーク波長域と可視光ピーク波長域よりも光透過率が小さい低光透過率領域を有する。第8の態様に係る撮像レンズによれば、近赤外光ピーク波長域と可視光ピーク波長域との間に、近赤外光ピーク波長域と可視光ピーク波長域よりも光透過率が小さい低光透過率領域を有することにより、近赤外波長内の特定の波長域での光透過率を高めることができる。
第9の態様に係る撮像レンズにおいて、低光透過率領域は、900nmから1100nmの波長域であり、この波長域における光透過率が5%以下である。第9の態様に係る撮像レンズによれば、低光透過率領域が900nmから1100nmの波長域であり、この波長域における光透過率が5%以下であることにより、近赤外波長内の特定の波長域での光透過率を高めることができる。
第10の態様に係る撮像レンズでは、近赤外光ピーク波長域に光透過率ピークを有する基本波のコーティングによる干渉によって生じる基本波の3分の1波長の光透過率ピークが可視光ピーク波長域に存在する。第10の態様に係る撮像レンズによれば、近赤外光ピーク波長域に光透過率ピークを有する基本波のコーティングによる干渉によって生じる基本波の3分の1波長の光透過率ピークが可視光ピーク波長域に存在することにより、近赤外波長内の特定の波長域での光透過率を高めることができる。
第11の態様に係る撮像レンズは、可視光の少なくとも一部の光透過率を下げる第1の光学フィルタ及び近赤外光の少なくとも一部の光透過率を下げる第2の光学フィルタのうちの少なくともいずれかを光路上に配置可能な光学フィルタ切替部を含む。第11の態様に係る撮像レンズによれば、可視光の少なくとも一部の光透過率を下げる第1の光学フィルタ及び近赤外光の少なくとも一部の光透過率を下げる第2の光学フィルタのうちの少なくともいずれかを光路上に配置可能な光学フィルタ切替部を含むことにより、撮像される画像の解像度を高くすることができる。
第12の態様に係る撮像レンズにおいて、第2の光学フィルタの屈折率と厚さの積が、第1の光学フィルタの屈折率と厚さの積よりも大きい。第12の態様に係る撮像レンズによれば、第2の光学フィルタの屈折率と厚さの積が、第1の光学フィルタの屈折率と厚さの積よりも大きいことにより、可視光での合焦位置と近赤外光での合焦位置とのずれの大きさを小さくすることができる。
第13の態様に係る撮像レンズは、複数のレンズのうちの最も結像側に位置するレンズよりもさらに結像側に配置された光学フィルタ切替部を含む。第13の態様に係る撮像レンズによれば、光学フィルタ切替部が最も結像側に位置するレンズと撮像素子との間にあっても効果が得られる。
第14の態様に係る撮像レンズは、第1の光学フィルタ又は第2の光学フィルタを光路上に配置した場合の合焦位置を示す合焦位置情報を有し、合焦位置情報に基づいて、第1の光学フィルタが光路上に配置された場合と第2の光学フィルタが光路上に配置された場合とで合焦位置調整レンズの位置を変更する制御を行う制御部を含む。第14の態様に係る撮像レンズによれば、近赤外光撮像における焦点調節を行うことができる。
第15の態様に係る撮像レンズは、ズーム光学系を含む。第15の態様に係る撮像レンズによれば、近赤外光で遠距離の対象を拡大して撮像することができる。
第16の態様に係る撮像装置は、第1の態様から第15の態様の何れか1つの態様に係る撮像レンズと、撮像レンズを介して被写体を撮像するInGaAs撮像素子とを含む。第16の態様に係る撮像装置によれば、広範な光透過域を有する撮像レンズを用いた場合よりも、近赤外波長内の特定の波長域での光透過率を高めることにより、解像度の高い撮像画像を得ることができる。
本開示の一実施形態によれば、広範な光透過域を有する撮像レンズよりも、近赤外波長域内の特定の波長域での光透過率を高めることができる撮像レンズとそれを用いた撮像装置を提供される。
実施形態に係る撮像レンズを含む撮像装置の概略構成図である。 図1のA‐A方向から見た光学フィルタ切替部の概略図である。 実施形態に係る撮像装置の概略ブロック構成図である。 実施形態に係るコンピュータの概略構成図である。 実施形態に係る合焦処理のフローチャートである。 実施例1の撮像レンズの光透過率プロファイルである。 実施例2の撮像レンズの光透過率プロファイルである。 実施例1の撮像レンズを用いて撮像されることにより得られた画像である。 実施例1の撮像レンズを用いて近赤外光のみを対象にして撮像されることにより得られた画像である。 可視光と近赤外光とを対象にして撮像されることにより得られた画像である。 大気中の微粒子の粒子数を示す図である。 レンズ中の吸収及び散乱による光損失量を示す図である。 記憶媒体からプログラムが撮像装置にインストールされる態様を示す概念図である。
(実施形態)
以下、本開示の技術の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。
先ず、以下の説明で使用される用語について説明する。以下の説明において、「CPU」とは“Central Processing Unit”の略称である。「ROM」とは、“Read Only Memory”の略称である。「DVD−ROM」とは、“Digital Versatile Disc−Read Only Memory”の略称である。「RAM」とは、“Random Access Memory”の略称である。「I/F」とは、“Interface”の略称である。「HDD」とは、“Hard Disk Drive”の略称である。「EEPROM」とは、“Electrically Erasable Programmable Read Only Memory”の略称である。「CMOS」とは、“Complementary Metal Oxide Semiconductor”の略称である。「CCD」とは、“Charge Coupled Device”の略称である。「FPGA」とは、“Field−Programmable Gate Array”の略称である。「PLD」とは、“Programmable Logic Device”の略称である。「ASIC」とは、“Application Specific Integrated Circuit”(特定用途向け集積回路)の略称である。「SSD」とは、“Solid State Drive”の略称を指す。「USB」とは、“Universal Serial Bus”の略称を指す。
従来、特に遠距離の風景を近赤外光で撮像すると、可視光で撮像した画像よりも鮮鋭度の高い画像が得られることが知られている。これは、大気中に存在する微粒子による散乱量が、可視光よりも近赤外光の方が少ないからである。大気中を通過した光は、その距離が長くなるにつれて散乱量が大きくなり、直進する光量が減少していく。そのため、対象から撮像位置までの距離が長いほど、撮像されることにより得られる画像(以下、「撮像画像」とも称する)の解像度は低下する。可視光よりも近赤外光のほうが鮮鋭度の高い撮像画像が得られるということは、解像度の低下の度合いが近赤外光の方が可視光よりも小さいということである。
微粒子による光の散乱には、レイリー散乱とミー散乱とがある。レイリー散乱は、光の波長よりもかなり小さい径を有する微粒子による散乱である。ミー散乱は、光の波長と比較的近い径を有する微粒子による散乱である。散乱の指標として、次式(1)で定義される散乱パラメータαがある。
α=πd/λ (1)
ここで、πは円周率であり、dは粒子径であり、λは光の波長である。径がdの粒子により波長λの光が散乱されるメカニズムは、散乱パラメータαによって変わる。α<<1の場合、レイリー散乱となる。α≒1の場合、ミー散乱となる。
大気中に含まれる微小な水滴及び微小な塵の粒子数の分布模式図を図11に示す。図11の横軸は微粒子の径であり、縦軸は大気中の微粒子の粒子数である。図11に示すように、主に粒子径が数nmから数十nmの間と百nmから数百nmの間に蒸気の微粒子のピークがある。即ち、この範囲の径を有する蒸気微粒子の存在量が多いことが知られている。大気中を通過する光は、主に前者の径を持つ蒸気微粒子によるレイリー散乱によって散乱され、後者の径を持つ蒸気微粒子によるミー散乱によって散乱される。その結果、撮像レンズを有する撮像装置の撮像距離が長くなるにつれて、撮像装置に含まれる撮像レンズに到達する光量が減少する。この減少率は可視光のほうが近赤外光に比べて大きい。したがって、近赤外光を用いて撮像したほうが、可視光を用いて撮像した場合よりも解像度の高い撮像画像が得られるということになる。
一方、撮像装置での撮像に用いられる撮像レンズを通過する光も、撮像レンズに含まれるレンズの成分により散乱及び吸収を受ける。図12に示すように、レンズ中を通過する光は、レンズの主成分である二酸化ケイ素により、レイリー散乱と赤外吸収を受ける。レイリー散乱は、図中に1点鎖線で示すように波長が長いほど小さくなる。また、Si−O結合による赤外吸収は、図中に2点鎖線で示すように、波長1.55μm辺りから吸収が始まり、波長が長いほど吸収が大きくなる。なお図で波長1.4μm辺りに見られる強い吸収は、レンズ成分のOHによる吸収ピークである。
図12から判るように、レンズ中の散乱及び吸収による光量の低下量(損失)は、実線で示す散乱と吸収の合算で、波長1.55μmを中心としてプラスマイナス0.1μm辺りが最も低い範囲となる。つまり、波長1.55μmを中心としてプラスマイナス0.1μmの波長の光の透過率が最も高くなる。
レイリー散乱の場合、散乱強度は散乱される光の波長の4乗に反比例する。これに基づいて波長1.55μmの光と可視光である波長0.553μmの光のレイリー散乱強度を比較すると、波長1.55μmの光の散乱強度は波長0.553μmの光の散乱強度の約72分の1である。
また、ミー散乱の場合、波長1.55μmの光と波長0.77μmの光のミー散乱の前方散乱量とを比較すると、波長1.55μmの光の散乱量は波長0.77μmの光の散乱量の約191分の1という文献値がある。
以上のように、近赤外光のなかでも、波長1.55μm前後の光が最も大気中及びレンズによる散乱及び吸収を抑制するのに適した波長であることが判る。このような考察に基づき、本発明者等は、可視光と近赤外光とで撮像可能な撮像装置において、近赤外光の撮像波長域として、1.55μmを含む領域を撮像波長域に設定することが撮像画像の解像度を向上させるために最も適していることを見出した。
従って、撮像レンズの透過光の波長による透過率プロファイルが、1550nmを含む領域に透過率のピークを有するように設計することが必要である。さらに、可視光波長域においても、できるだけ高い解像度が得られることが好ましいため、可視光波長域でも光透過率のできるだけ高い領域を有することが好ましい。本発明者等による鋭意検討の結果、撮像レンズの透過光の波長による透過率プロファイルが、1550nmを含む領域に透過率のピークを有し、可視光波長域でも光透過率のできるだけ高い領域を有するように設計するためには、可視光波長域と1550nmを含む近赤外光波長域との間に光透過率の低い領域を形成することが役立つことが明らかとなった。
また、可視光における特定の波長の光透過率を低下させることにより、1550nmを含む波長域の光透過率をより向上させることができることが判明した。この構成は、1550nmを含む近赤外光波長域での高解像度の撮像を可視光に対する撮像よりも優先する場合に特に有益である。
一方で、例えば0.4から0.7μmの可視光波長域と1550nmの近赤外光波長とは、桁が異なる程の波長差がある。波長差が大きい程、可視光と近赤外光の焦点距離の差も大きくなる。そのため、可視光と近赤外光との両方の光を用いて撮像されると、合焦状態の光と非合焦状態の光とが混在する。これは撮像画像の解像度が低下する原因となる。従って、撮像装置では、撮像する場合、可視光だけで撮像する構成と、近赤外光だけで撮像する構成とが切り替え可能であることが好ましい。
さらに、可視光波長と近赤外光波長との合焦位置の差はズーム倍率の大きさによって変化する。そのため、可視光を対象にした撮像と近赤外光を対象にした撮像とが切り替えられた場合に、合焦位置の再調整が難しくなる。従来技術では、特定の波長光においてズーム倍率の変更と合焦位置の調節とを連動させて行っているからである。そのため、可視光波長と近赤外光波長との合焦位置の調整を行うため、専用の焦点調節系を用いること、及び/又は、可視光と近赤外光との少なくともいずれかの光路長を変更する光学部材を設けることが好ましい。以下、「ズーム倍率」は単に「倍率」ともいう。
次に、実施形態に係る撮像レンズ100を用いた撮像装置1について、図面を参照して説明する。図1に示すように、撮像装置1は、撮像レンズ100と撮像部130を備えている。撮像部130は、撮像素子132を備えている。撮像素子132は、撮像レンズ100によって結像される撮像対象の光学像を電気信号に変換する。撮像装置1は、例えば遠距離まで撮像可能な監視カメラである。ここで言う「遠距離」とは、例えば、数キロメートルから数十キロメートルまでの距離を指す。
撮像レンズ100は、複数のレンズを有する望遠レンズである。撮像レンズ100は、対物側から結像側に向かって、対物レンズ10、フォーカスレンズ12、ズームレンズ14、絞り30、光学フィルタ切替部50、及び調整レンズ16を備えている。対物側とは、撮像対象がある側であり、結像側とは、対象の光学像が結像される側、つまり撮像素子132がある側である。本明細書でいう「撮像レンズ」とは、例えば、複数のレンズによって撮像素子132の撮像面132Aに撮像対象の光学像を結像させるための光学系を意味する。「撮像レンズ」は、レンズだけではなく、絞り、光学フィルタ、ハーフミラー、及び/又は偏向素子等の光学素子を含んでいてもよい。
対物レンズ10は、レンズ等の各光学素子を保持する筐体90に固定されており、撮像対象からの光を集光する。
フォーカスレンズ12は、対象像の合焦位置を調節する光学系である。ズームレンズ14は、ズーム倍率を調節する光学系である。フォーカスレンズ12及びズームレンズ14は、カム機構(図示省略)により互いに連動して撮像レンズ100の光軸OPに沿って前後に移動する。これにより、倍率を変更し、かつ撮像素子132の撮像面132Aに合焦位置が来るように合焦位置が調節される。なお、光軸OPは光路OPとも称する。フォーカスレンズ12及びズームレンズ14は、ズームレンズ駆動機構20によりズームカム(図示省略)を回転させることにより駆動される。ズームレンズ駆動機構20は、ユーザから撮像装置1に対して与えられた指示に応じて、制御部110により制御される。ズームレンズ14は、本開示の技術に係る「ズーム光学系」の一例である。
絞り30は、迷光等の不要光を遮光し、光束を絞る光学素子である。光学フィルタ切替部50は、可視光での撮像と近赤外光での撮像とで異なる光学フィルタに切り替えるための装置である。図1では、絞り30はズームレンズ14と光学フィルタ切替部50との間に配置されているが、絞り30の位置はこれに限定されず、例えば、フォーカスレンズ12とズームレンズ14との間に移動可能に配置されていてもよい。
光学フィルタ切替部50は、図2に示すように、円板に4つの光学フィルタ52,54,56及び58を配置した、ターレット式の切替装置である。この切替装置は、円板をモータ等のターレット駆動機構22により回転させてそれぞれの光学フィルタを光路OP上に配置させる。光学フィルタ切替部50は、光路OP上に配置されているフィルタを検知するための図示しないセンサを備えている。センサの設置箇所は、光学フィルタ切替部50ではなく、ターレット駆動機構22であってもよい。ターレット駆動機構22は、ユーザから撮像装置1に対して与えられた指示に応じて、制御部110により制御される。
なお、図1では光学フィルタ切替部50は、ズームレンズ14と調整レンズ16との間に配されているが、光学フィルタ切替部50の位置はこれに限定されない。光学フィルタ切替部50は、対物レンズ10よりも対象物側から調整レンズ16よりも結像側までの間に配置可能である。例えば、光学フィルタ切替部50は、調整レンズ16と撮像素子132との間に配置してもよい。
また、撮像装置1は、撮像レンズ100を収容する筐体90と撮像部130とが分離可能な構成であってもよい。例えば、撮像装置1は、筐体90を交換可能なレンズ部とし、撮像部130をカメラ部とし、複数種類のレンズ部のいずれかを1つのカメラ部に取り付け可能に構成されるようにしてもよい。この場合、光学フィルタ切替部50は、撮像部130、つまりカメラ部に配置されていてもよい。
光学フィルタ52は、近赤外光のうちの少なくとも一部の波長域の光透過率を下げるバンドパスフィルタである。近赤外光のうちの少なくとも一部の波長域の光透過率とは、例えば、撮像レンズ100の近赤外光領域における光透過領域に関する光透過率を指す。ここで、近赤外光領域とは、例えば、近赤外光波長域のうちの1100nm以上の波長域を指す。また、近赤外光領域における光透過領域とは、例えば後述の近赤外光ピーク波長域を指す。光学フィルタ(バンドパスフィルタ)52は、本開示の技術に係る第2の光学フィルタの一例である。光学フィルタ52は、撮像装置1により可視光で撮像される場合に光路OP上に配置される。
光学フィルタ54は、可視光のうちの少なくとも一部の波長域の光透過率を下げるバンドパスフィルタである。可視光のうちの少なくとも一部の波長域とは、撮像レンズ100の可視光領域における光透過領域を指す。ここで、可視光領域とは、例えば、800nm以下の波長域を指す。また、可視光領域における光透過領域とは、例えば後述の可視光ピーク波長域を指す。光学フィルタ(バンドパスフィルタ)54は、本開示の技術に係る第1の光学フィルタの一例である。光学フィルタ54は、近赤外光で撮像が行われる場合に光路OP上に配置される。
光学フィルタ56は、他の光学フィルタ52,54及び58と近い屈折率を有する透明なガラス板である。光学フィルタ56は、他の光学フィルタ52,54及び58を使用しない場合に、光路長を光学フィルタ52,54及び58を用いた場合の光路長からできるだけ変えないようにするための光路長調整フィルタである。光学フィルタ58は、光量調整用のND(Nuetral Density)フィルタである。
光学フィルタ52は、屈折率と厚さの積であるND値が、光学フィルタ54の屈折率と厚さの積であるND値よりも大きい。これは、撮像対象の光として可視光と近赤外光とを切り替えた場合の光路長の差を小さくして、可視光での合焦位置と近赤外光での合焦位置の差を小さくするためである。つまり、光学フィルタ52は可視光を透過するが、可視光での焦点距離は近赤外光での焦点距離より短い。そこで光学フィルタ52のND値を、近赤外光を透過する光学フィルタ54のND値よりも大きくして、光路長を長くする。この構成により、可視光での合焦位置と近赤外光での合焦位置とのずれを小さくすることができる。光学フィルタ52のND値と光学フィルタ54のND値とを変える構成は、以下に記載する調整レンズ16だけでは可視光での合焦位置と近赤外光での合焦位置とのずれを調整しきれない場合に有用である。
調整レンズ16は、光学フィルタ52と光学フィルタ54とを切り替えた場合に、可視光での焦点距離と近赤外光での焦点距離との違いを調整するためのレンズである。可視光よりも波長の長い近赤外光の焦点距離は、可視光の焦点距離よりも長い。フォーカスレンズ12及びズームレンズ14は、可視光での変倍時の合焦位置を撮像素子132の撮像面132Aに合わせるように連動して移動するように構成されているため、近赤外光での合焦位置を調整することができない。そのため、調整レンズ16は、近赤外光での撮像時、つまり光学フィルタ54を光路OP上に配置した場合に、後述の合焦位置データに基づいて、合焦位置を撮像面132Aに合わせるように移動される。調整レンズ16は、本開示の技術に係る「合焦位置調整レンズ」の一例である。
調整レンズ16は、調整レンズ駆動機構24により駆動される。調整レンズ駆動機構24は、ユーザからの指示に応じて、制御部110により制御される。具体的には、制御部110は、ユーザによって指示された撮像条件に応じて、調整レンズ16の位置が合焦位置に調整されるように調整レンズ駆動機構24を制御する。ここで、撮像条件とは、例えば、ユーザの指示による可視光か近赤外光かの選択とズーム倍率の選択とを指す。なお、調整レンズ16の合焦位置とは、撮像素子132の撮像面132Aに対して光を合焦状態で結像させるための調整レンズ16の位置を指す。
あるいは、制御部110は、光学フィルタ切替部50に設けられたセンサからのフィルタ位置情報に基づいて光路OP上に配置された光学フィルタを同定し、合焦位置データに基づいて調整レンズ16の位置を調整してもよい。例えば、ユーザにより、後述の入力部28を介して、制御部110に対して可視光での撮像を指示されると、光学フィルタ52が、制御部110によって光路OP上に配置される。また、ユーザにより、入力部28を介して、制御部110に対して近赤外光での撮像が指示されると、光学フィルタ54が、制御部110によって光路OP上に配置される。制御部110は、光学フィルタ切替部50に設けられたセンサにより、光路OP上の光学フィルタの種類を検知し、検知した光学フィルタの種類に基づいて調整レンズ16の位置を調整する。なお、調整レンズ16は、撮像部130を交換した場合のフランジバック調整にも用いることができる。
一例として図3に示すように、撮像装置1は、制御部110によって制御される。制御部110は、コンピュータ200を備えている。コンピュータ200は、一例として図4に示すように、互いにバスライン112で接続されたCPU202、RAM204、及びROM206を有する。CPU202は、撮像装置1の全体を制御する。RAM204は、撮像装置制御プログラムの実行時のワークエリア等として用いられる例えば揮発性のメモリである。ROM206は、撮像装置1を制御する撮像装置制御プログラム210及び合焦位置データ212等を記憶する例えば不揮発性のメモリである。なお、本実施形態では、CPU202を例示しているが、CPU202に代えて、複数のCPUを用いることも可能である。
CPU202は、ROM206から撮像装置制御プログラム210を読み出し、読み出した撮像装置制御プログラム210をRAM204に展開する。そして、CPU202は、撮像装置制御プログラム210を実行することで、一例として図3に示すズームレンズ駆動部114、ターレット駆動部116、及び調整レンズ駆動部118を制御する。
合焦位置データ212は、可視光での撮像を行う場合の調整レンズ16の位置と、近赤外光での撮像を行う場合の調整レンズ16の位置とが倍率と関連付けられたデータである。前述のように、可視光での撮像を行う場合とは、光学フィルタ切替部50により光学フィルタ52が配置された場合である。近赤外光での撮像を行う場合とは、光学フィルタ切替部50により光学フィルタ54が配置された場合である。合焦位置データ212は、例えば可視光及び近赤外光での倍率ごとに調整レンズ16の位置データとして記憶されている。合焦位置データ212は、本開示の技術に係る「合焦位置情報」の一例である。
ズームレンズ駆動機構20、ターレット駆動機構22、及び調整レンズ駆動機構24は公知の機構を用いることができる。図1では、これらの機構が筐体90の内側にある場合を示しているが、筐体90の外側に配置されていてもよい。
撮像素子132は、例えば可視光と近赤外光との両方の光の波長で被写体を撮像可能なInGaAs撮像素子である。撮像レンズ100によって結像される光学像は、撮像部130の撮像素子132によって電気信号に変換され、各種の画像処理が行われてから、後述の画像表示部26に画像として表示される。また、画像処理された画像は有線又は無線で外部へ送信してもよい。
図3に示すように、制御部110は、ズームレンズ駆動部114、ターレット駆動部116、調整レンズ駆動部118、出力I/F120、入力I/F122、画像処理部126、及びコンピュータ200を含む。これらは、バスライン112によって接続されている。また、制御部110は、図示しない外部I/Fを含む。
ズームレンズ駆動部114は、ズームレンズ駆動機構20に接続されている。ターレット駆動部116は、ターレット駆動機構22に接続されている。調整レンズ駆動部118は、調整レンズ駆動機構24に接続されている。出力I/F120は、画像表示部26に接続されている。入力I/F122は、撮像素子132及び入力部28に接続されている。
画像表示部26は、出力I/F120を介して入力された画像信号に基づいて、画像を表示する。入力部28は、ユーザから与えられた指示を受け付ける。入力I/F122は、撮像素子132からの電気信号、及び入力部を介してユーザから入力された指示を受け取ってコンピュータ200に送るためのインターフェースである。外部I/Fは、例えば無線通信によりユーザからの指示を受け取り、また、画像処理された画像を無線通信により送信するためのインターフェースである。画像処理部126は、撮像素子132によって取得された画像を画像処理する。
ズームレンズ駆動部114は、コンピュータ200の指示に従って、ズームレンズ駆動機構20を制御することにより、フォーカスレンズ12の位置とズームレンズ14の位置とを調整する。ターレット駆動部116は、制御部110の指示に従って、ターレット駆動機構22を制御することにより、光学フィルタ切替部50のフィルタを切り替える。調整レンズ駆動部118は、制御部110の指示に従って、調整レンズ駆動機構24を制御することにより、調整レンズ16の位置を調整する。出力I/F120は、画像処理部126によって画像処理が行われることにより得られた撮像画像を画像表示部26に送るためのインターフェースである。
次に、CPU202が光学フィルタ切替部50及び調整レンズ16に対して行う駆動制御の一例である合焦処理について、図5を参照して説明する。図5は、CPU202により撮像装置制御プログラム210に従って実行される合焦処理の流れの一例を示すフローチャートである。図5に示す合焦処理は、ユーザにより入力部28を介して可視光又は近赤外光での撮像条件が指示され、指示された撮像条件に基づいて光学フィルタ切替部50と調整レンズ16とが駆動されることを前提とした処理である。
まず、ステップS10で、CPU202は、可視光での撮像がユーザによって指示されたか否かを判定する。ステップS10において、可視光での撮像がユーザによって指示された場合、判定が肯定されて、合焦処理はステップS12に移行する。ステップS10において、可視光での撮像がユーザによって指示されていない場合は、判定が否定されて、合焦処理はステップS16に移行する。
ステップS12で、CPU202は、ターレット駆動部116を制御することにより、光学フィルタ52を光路OP上に配置する。
次のステップS14で、CPU202は、調整レンズ駆動部118を制御することにより、可視光での合焦位置を撮像素子132の撮像面132Aに合わせるように調整レンズ16を移動させて処理を終了する。
ステップS16で、CPU202は、近赤外光での撮像がユーザによって指示されたか否かを判定する。ステップS16において、近赤外光での撮像がユーザにより指示された場合、判定が肯定されて、合焦処理はステップS18に移行する。ステップS16において、近赤外光での撮像がユーザによって指示されていない場合、判定が否定されて、合焦処理を終了する。
ステップS18で、CPU202は、ターレット駆動部116を制御することにより、光学フィルタ54を光路OP上に配置する。
次のステップS20で、CPU202は、近赤外光での合焦位置を撮像素子132の撮像面132Aに合わせるように調整レンズ16を移動させ、その後、合焦処理を終了する。
上述のとおり、制御部110は、第1の光学フィルタの一例である光学フィルタ54又は第2の光学フィルタの一例である光学フィルタ52を光路上に配置した場合の合焦位置を示す合焦位置情報を有し、合焦位置情報に基づいて、第1の光学フィルタの一例である光学フィルタ54が光路上に配置された場合と第2の光学フィルタの一例である光学フィルタ52が光路上に配置された場合とで合焦位置調整レンズの位置を変更する制御を行う。これにより、近赤外光撮像における焦点調節を容易に行うことができる。
なお、上記の合焦処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。
また、本実施形態では、撮像装置制御プログラム210及び合焦位置データ212が制御部110のROM206に記憶されている例を説明しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、撮像装置制御プログラム210及び合焦位置データ212のうちの少なくとも1つが、バスライン112に接続されたHDD、EEPROM、又はフラッシュメモリ等に記憶されていてもよい。
また、図13に示すように、SSD、USBメモリ、又はDVD−ROM等の任意の可搬型の記憶媒体300に撮像装置制御プログラム210を記憶させておいてもよい。その場合、記憶媒体300に記憶された撮像装置制御プログラム210が制御部110のコンピュータ200にインストールされ、インストールされた撮像装置制御プログラム210が制御部110のCPU202によって実行される。
また、通信網(図示省略)を介して撮像装置1の制御部110に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶部に撮像装置制御プログラム210を記憶させておき、撮像装置制御プログラム210が撮像装置1の要求に応じてダウンロードされるようにしてもよい。その場合、ダウンロードされた撮像装置制御プログラム210は制御部110のCPU202によって実行される。
なお、制御部110は、撮像レンズ100の筐体90に配置してもよい。又は、撮像レンズ100の筐体90ではなく撮像部130に配置してもよい。撮像レンズ100の種類が複数ある場合は、それぞれの撮像レンズごとの制御プログラムをすべて記憶した制御部110を撮像部130に配置することにより、種類の異なる撮像レンズ100を筐体90ごと交換した場合でも、交換した撮像レンズ100を制御部110により制御することが可能である。
次に、撮像レンズ100の光透過率について説明する。撮像レンズ100の各レンズは、可視光及び近赤外光の特定の波長域が高い光透過率を有するようにコーティングされている。コーティングは、レンズ面にTiO,Ta,Al,SiO,MgF等の光を透過する材料を薄膜状に積層したコーティングにより、複数の層から構成されることが好ましい。薄膜を形成する材料の屈折率と厚さと層数とを調整することにより、特定の波長域の光透過率を高くし、特定の波長域の光透過率を小さくすることができる。特定の波長域の光透過率を高くし、特定の波長域の光透過率を小さくするためのコーティング材料、コーティング厚さ、コーティング層数は、コンピュータシミュレーション等により設計することができる。
光透過率とは、ある波長の光を例えばレンズに入射させた場合の、レンズに入射する光の強度に対するレンズから出射する光の強度の割合を意味し、次式で表される。
光透過率(%)=100×(出射光強度)/(入射光強度)
図1では簡略化して描いているが、対物レンズ10、フォーカスレンズ12、ズームレンズ14、及び調整レンズ16は、それぞれが1枚以上のレンズ群から構成される。撮像レンズ100は、全体として、数枚から数十枚のレンズから構成される。撮像レンズ100の各レンズは、可視光と近赤外光のうち、特定の波長域に高い光透過率を有するようにコーティングされている。コーティングは、全部のレンズのうち一部だけに施してもよい。しかしコーティングは全部のレンズに施すことがより好ましい。
前述のように、ユーザが近赤外光を用いて風景等を撮像する場合は、大気及びレンズによる近赤外光の散乱及び吸収が1550nm付近で最も少ないため、撮像レンズは1550nm付近でできるだけ高い光透過率を有することが好ましい。さらに可視光でも撮像可能とするため、撮像レンズは可視光のできるだけ広い領域で高い光透過率を有することが好ましい。
上述の2つの条件を満足するためには、近赤外光波長域において、1550nmを含む近赤外光ピーク波長域に、近赤外光波長域における光透過率のピークを有することが好ましい。つまり、1550nmを含む近赤外光ピーク波長域よりも短波長側の光透過率が、近赤外光ピーク波長域の短波長端の光透過率から波長が短くなるにつれて減少し、近赤外光ピーク波長域よりも長波長側の光透過率が、近赤外光ピーク波長域の長波長端の光透過率から波長が長くなるにつれて減少することが好ましい。
また、可視光波長域において、500nmから650nmの範囲を含む可視光ピーク波長域を有することが好ましい。つまり、500nmから650nmの範囲を含む可視光ピーク波長域よりも短波長側の光透過率が、可視光ピーク波長域の短波長端の光透過率から波長が短くなるにつれて減少し、可視光ピーク波長域よりも長波長側の光透過率が、可視光ピーク波長域の長波長端の光透過率から波長が長くなるにつれて減少することが好ましい。
発明者等は、上述の特徴を有する光透過率ピークを形成するコーティングを施すことにより、近赤外光と可視光の両方で高い解像度を有し、特に近赤外光で非常に高い解像度を有する撮像レンズを製造できることを発見した。
「近赤外光ピーク波長域」とは、1550nm付近の光透過率をできるだけ高めるために、設計上、近赤外光波長域の光透過率のピークが存在することが許容される波長域を指す。後述するように、近赤外光ピーク波長域に高さの同じ又は異なるピークが複数存在してもよい。近赤外光ピーク波長域は、例えば、波長1450nmから1650nmの領域である。好ましくは、近赤外光ピーク波長域は、波長1480nmから1620nmの領域である。より好ましくは、近赤外光ピーク波長域は、波長1500nmから1580nmの領域である。特に撮像レンズ100を遠距離まで観察可能な長焦点ズームレンズに構成した場合、近赤外光ピーク波長域の光透過率が低下するにつれて観察距離が低下するため、近赤外光ピーク波長域の光透過率が重要となる。例えば、波長1550nm付近での光透過率が約90%の場合、30km以上先まで観察できる。また、波長1550nm付近での光透過率が60%以上の場合、約20kmの観察距離の確保が期待できる。
近赤外光ピーク波長域の光透過率は、60%以上であることが好ましく、70%以上であることがより好ましく、80%以上であることがさらに好ましい。また、近赤外光ピーク波長域における光透過率のピーク値は、80%以上であることが好ましく、85%以上であることがより好ましく、90%以上であることがさらに好ましい。特に、波長1550nmにおける光透過率が、80%以上であることが好ましく、85%以上であることがより好ましく、88%以上であることがより好ましく、90%以上であることがさらに好ましい。
「可視光ピーク波長域」とは、1550nm付近の光透過率をできるだけ高め、かつ可視光波長域に光透過率の高い領域を確保するために、設計上、可視光波長域の光透過率のピークが存在することが許容される波長域を指す。後述するように、可視光ピーク波長域に高さの同じ又は異なるピークが複数存在してもよい。可視光ピーク波長域は、例えば、波長450nmから700nmの領域である。好ましくは、可視光ピーク波長域は、波長480nmから680nmの領域である。より好ましくは、可視光ピーク波長域は、波長500nmから650nmの領域である。
可視光ピーク波長域の光透過率は、50%以上であることが好ましく、60%以上であることがより好ましく、70%以上であることがさらに好ましい。可視光ピーク波長域における光透過率のピーク値は、85%以上であることが好ましく、90%以上であることがより好ましく、93%以上であることがさらに好ましい。
上述の光透過率は、撮像レンズ100の複数のレンズ全体の光透過率である。撮像レンズ100の全体の光透過率は、それぞれのレンズの光透過率の積算値である。例えば、個々のレンズの光透過率がすべて同じxであり、レンズの枚数がnとすると、撮像レンズ100の全体の光透過率Xは、X=xで与えられる。レンズの枚数にもよるが、レンズ1枚あたりの光透過率は、95%以上であることが好ましく、98%以上であることがより好ましく、99%以上であることがさらに好ましい。
撮像レンズ100の全体の光透過率の設定は、例えば遠距離撮像用の撮像装置1の場合は、撮像装置1によって近赤外光で撮像される対象までの距離と対象画像の解像度を考慮して決定される。解像度は、例えば、ある距離だけ離れた位置の所定の大きさを有する対象を撮像装置1で撮像した画像にその対象が視認できる最大距離で規定できる。こうして定められた解像度を得るための光透過率が実測又はシミュレーション等により決定され、レンズの総枚数からレンズ1枚あたりの光透過率が決定される。そして1枚のレンズの光透過率プロファイルを上述の方法で決定し、その光透過率プロファイルが得られるコーティングを行う。なお、光透過率の設定にあたり、別な解像度の評価で決定してもよい。また、解像度ではなく、別な観点で光透過率を決定してもよい。
(実施例1)
図6に、実施例1に係る撮像レンズ100の光透過率のプロファイルを示す。図6の横軸が波長、縦軸が撮像レンズ100の光透過率である。図6に示すように、撮像レンズ100の光透過率のプロファイルは、1450nmから1650nmの近赤外光ピーク波長域NIRに第1の透過率ピークPK1を有する。つまり、近赤外光ピーク波長域NIRよりも短波長側の光透過率は、近赤外光ピーク波長域NIRの短波長端(1450nm)の光透過率から波長が短くなるにつれて減少している。また、近赤外光ピーク波長域NIRよりも長波長側の光透過率は、近赤外光ピーク波長域NIRの長波長端(1650nm)の光透過率から波長が長くなるにつれて減少している。
図6からわかるように、第1の透過率ピークPK1の光透過率は、1520nmの波長で約92%である。また、波長1490nmから1560nmの範囲の光透過率は90%以上である。
また、撮像レンズ100の光透過率のプロファイルは、450nmから700nmの可視光ピーク波長域VISに第2の透過率ピークPK2を有する。つまり、可視光ピーク波長域VISよりも短波長側の光透過率は、可視光ピーク波長域VISの短波長端(450nm)の光透過率から波長が短くなるにつれて減少している。また、可視光ピーク波長域VISよりも長波長側の光透過率は、可視光ピーク波長域VISの長波長端(700nm)の光透過率から波長が長くなるにつれて減少している。
図6からわかるように、第2の透過率ピークPK2の光透過率は、570nmから580nmの波長で約96%である。また、波長480nmから660nmの範囲の光透過率は90%以上である。
また、可視光波長域に含まれる青色波長域のうちの短波長側の波長域の光透過率は、青色波長域のうちの長波長側の波長域の光透過率よりも低い。具体的には、青色波長域の450nm以下の波長域の光透過率は、450nmより長い波長域の光透過率より小さい。また、波長400nmから430nmの光透過率は、50%以下である。波長400nmから430nmまでの光透過率を50%より大きくすると、近赤外波長帯のピークとなる3倍波である波長1200nmから1290nmまでの光透過率も大きくなる。これは近赤外波長域のピークが広がることを意味し、波長1550nm付近の光透過率が低下する、又はリップルが残留するなどの特性低下を生じる可能性がある。
さらに、撮像レンズ100は、近赤外光ピーク波長域と可視光ピーク波長域との間の波長900nmから1100nmにわたって、近赤外光ピーク波長域と可視光ピーク波長域よりも光透過率が小さい、低光透過率領域LOWを有する。低光透過率領域LOWの光透過率は5%以下であることが好ましい。低光透過率領域LOWは、近赤外光ピーク波長域NIRに近赤外光域での光透過率ピークを形成し、可視光ピーク波長域VISに可視光域での光透過率ピークを形成したことに伴い生じる領域である。しかし、低光透過率領域LOWの波長は、可視光での撮像及び近赤外光での撮像のいずれにも寄与しない波長域であるので、低光透過率領域LOWの光透過率が低いことは問題とはならない。
図6に示す光透過率のプロファイルは、近赤外光ピーク波長域NIRに1つの光透過率ピークPK1を有し、可視光ピーク波長域VISに1つの光透過率ピークPK2を有している。しかし、本開示の光透過率のプロファイルはこれに限られない。近赤外光ピーク波長域NIRに複数の光透過率ピークによる波形の形状(リップル)を有していてもよい。また、可視光ピーク波長域VISにリップルを有していてもよい。リップルは、光透過率の変動の1つの特性を示す形状である。このように、近赤外光ピーク波長域NIRに光透過率ピークを有し、可視光ピーク波長域VISに光透過率ピークを有するプロファイルであればよく、リップルの有無、つまり光透過率ピークの数は限定されない。
近赤外光ピーク波長域NIRに形成される第1の透過率ピークPK1は、できるだけ半値幅が狭いほうがよい。可視光に比較して波長の長い近赤外光は、波長範囲が広がると色収差が可視光に比べて出やすい。従って、撮像する波長範囲はできるだけ狭いほうが好ましい。
図6に示すような光透過率のプロファイルは、近赤外光ピーク波長域に光透過率ピークを有する基本波のコーティングによる干渉によって生じる基本波の3分の1波長の光透過率ピークが可視光ピーク波長域に存在するようにコーティングすることによって得られる。基本波は、1550nm付近にピークを有することが好ましい。この基本波の2分の1波長の光透過ピークが出ないようにし、3分の1波長の光透過ピークが大きくなるようにコーティングを構成することにより、上述の条件を満たす光透過率プロファイルが得られる。上述の条件を満たす光透過率プロファイルが得られるコーティングを設計し、形成することは従来技術によって可能である。
実施例1の撮像レンズ100によって撮像された、可視光の透過率が小さい光学フィルタ54を用いた近赤外光だけの画像を図8に示す。可視光では撮像されない、推定60km離れた位置を飛行する飛行機が視認できる。
また、実施例1の撮像レンズ100によって撮像された、近赤外光だけの東京スカイツリー(登録商標)の拡大画像を図9に示す。これに対して、可視光の透過率が小さい光学フィルタ54を用いないで、つまり、可視光と近赤外光の両方の波長で撮像した画像を図10に示す。図10では、焦点距離が異なる可視光と近赤外光の両方の波長で撮像したため、図9に比べて画像がややぼやけている。従って、近赤外光のみ、又は可視光のみで撮像することが好ましい。なお、図8から図10は、いずれも、実施例1の撮像レンズ100によって、直線距離で約30kmの地点から東京スカイツリー(登録商標)を撮像することにより得られた画像である。
(実施例2)
実施例2に係る撮像レンズ100の光透過率プロファイルを図7に示す。図7に示す光透過率プロファイルは、可視光ピーク波長域VISにリップルが現れている。一方、近赤外光ピーク波長域NIRには、リップルが現れていない。リップルは、例えばコーティングの層数が相対的に少ない場合に発生しやすい。つまり、コーティングの層数を増やすことでリップルの数又は大きさを減らすことができる。なお、リップルの数は、ピークの数である。また、リップルの大きさは、例えば隣接するピークとの間の最低位置からの高さのうち最も大きい高さである。
近赤外光ピーク波長域NIR及び/又は可視光ピーク波長域VISに図7に示すようなリップルがあってもよい。ただし、近赤外光ピーク波長域NIRでの光透過率の変動の特性を示すリップルの大きさ及び数のうちの少なくとも一方の第1変数が、可視光ピーク波長域VISでの光透過率の変動の特性を示すリップルの対応する大きさ及び数のうちの、対応する第2変数よりも小さくしてもよい。さらには、近赤外光ピーク波長域NIRにはリップル減少するようにコーティングを構成することが好ましい。近赤外光ピーク波長域NIRにリップルがない単一の光透過率ピークを持たせることで、近赤外光ピーク波長域NIRでの光透過率ピーク値を高めることができる。これにより、近赤外光で撮像した画像の解像度を高めることができる。なお、比較する近赤外光ピーク波長域NIRの第1変数がリップルの大きさの場合は、「可視光ピーク波長域でのリップルの大きさ及び数のうちの、対応する第2変数」はリップルの大きさである。また、比較する近赤外光ピーク波長域NIRの第1変数がリップルの数の場合は、「可視光ピーク波長域でのリップルの大きさ及び数のうちの、対応する第2変数」はリップルの数である。
上記実施形態において、例えば、制御部110のハードウェア的な構造としては、次に示す各種のプロセッサや回路を用いることができる。これらには、上述したように、ソフトウェア(プログラム)を実行して各制御部として機能する汎用的なプロセッサであるCPUに加えて、FPGAなどの製造後に回路構成を変更可能なPLD、若しくはASICなどの特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有する専用電気回路、又はPLDやASICなどとCPUの組み合わせなどが含まれる。
制御部110は、これらの各種のプロセッサや回路のうちの1つで構成されてもよいし、同種または異種の2つ以上のプロセッサや回路の組み合わせ(例えば、複数のFPGAの組み合わせや、CPUとFPGAとの組み合わせ)で構成されてもよい。また、複数の制御部を1つのプロセッサで構成してもよい。
複数の制御部を1つのプロセッサで構成する例としては、第1に、クライアントとサーバなどのコンピュータに代表されるように、1つ以上のCPUとソフトウェアの組み合わせで1つのプロセッサを構成し、このプロセッサが複数の制御部として機能する形態がある。第2に、システムオンチップ(System On Chip:SOC)などに代表されるように、複数の制御部を含むシステム全体の機能を1つのICチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、制御部110は、ハードウェア的な構造として、上記各種のプロセッサの1つ以上を用いて構成できる。
さらに、これらの各種のプロセッサや回路のハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子などの回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。
本明細書において、「A及び/又はB」は、「A及びBのうちの少なくとも1つ」と同義である。つまり、「A及び/又はB」は、Aだけであってもよいし、Bだけであってもよいし、A及びBの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、3つ以上の事柄を「及び/又は」で結び付けて表現する場合も、「A及び/又はB」と同様の考え方が適用される。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
1 撮像装置
10 対物レンズ
12 フォーカスレンズ
14 ズームレンズ
16 調整レンズ
20 ズームレンズ駆動機構
22 ターレット駆動機構
24 調整レンズ駆動機構
26 画像表示部
28 入力部
30 絞り
50 光学フィルタ切替部
52、54、56、58 光学フィルタ
90 筐体
100 撮像レンズ
110 制御部
112 バスライン
114 ズームレンズ駆動部
116 ターレット駆動部
118 調整レンズ駆動部
120 出力I/F
122 入力I/F
126 画像処理部
130 撮像部
132 撮像素子
132A 撮像面
200 コンピュータ
202 CPU
204 RAM
206 ROM
210 撮像装置制御プログラム
212 合焦位置データ

Claims (15)

  1. 複数のレンズを有し、
    前記複数のレンズの少なくとも一部に対してコーティングが施され、
    近赤外光波長域において、1550nmを含む近赤外光ピーク波長域よりも短波長側の光透過率が、前記近赤外光ピーク波長域の短波長端から少なくとも1350nmまで波長が短くなるにつれて減少し、
    前記近赤外光ピーク波長域よりも長波長側の光透過率が、前記近赤外光ピーク波長域の長波長端から少なくとも1750nmまで波長が長くなるにつれて減少する、
    撮像レンズ。
  2. 前記複数のレンズの少なくとも一部に対して前記コーティングが施されることにより、可視光波長域において、500nmから650nmの範囲を含む可視光ピーク波長域よりも短波長側の光透過率が、前記可視光ピーク波長域の短波長端から前記可視光波長域の短波長端まで波長が短くなるにつれて減少し、前記可視光ピーク波長域よりも長波長側の光透過率が、前記可視光ピーク波長域の長波長端から前記可視光波長域の長波長端まで波長が長くなるにつれて減少する請求項1に記載の撮像レンズ。
  3. 前記近赤外光ピーク波長域での光透過率の変動の特性を示すリップルの大きさ及び数のうちの少なくとも一方の第1変数が、前記可視光ピーク波長域での光透過率の変動の特性を示すリップルの大きさ及び数のうちの、対応する第2変数よりも小さい請求項2に記載の撮像レンズ。
  4. 前記可視光波長域に含まれる青色波長域のうちの短波長側の波長域の光透過率は、前記青色波長域のうちの長波長側の波長域の光透過率よりも低い請求項2又は請求項3に記載の撮像レンズ。
  5. 前記青色波長域のうちの短波長側の波長域は、450nm以下の波長域である請求項4に記載の撮像レンズ。
  6. 400nmから430nmの光透過率が、50%以下である請求項4又は請求項5に記載の撮像レンズ。
  7. 前記複数のレンズの少なくとも一部に対して前記コーティングが施されることにより、前記近赤外光ピーク波長域と前記可視光ピーク波長域との間に、前記近赤外光ピーク波長域と前記可視光ピーク波長域よりも光透過率が小さい低光透過率領域を有する請求項2から請求項6の何れか一項に記載の撮像レンズ。
  8. 前記低光透過率領域は、900nmから1100nmの波長域であり、前記900nmから1100nmの波長域における光透過率が5%以下である請求項7に記載の撮像レンズ。
  9. 前記近赤外光ピーク波長域に光透過率ピークを有する基本波の前記コーティングによる干渉によって生じる前記基本波の3分の1波長の光透過率ピークが前記可視光ピーク波長域に存在する請求項2から請求項8の何れか一項に記載の撮像レンズ。
  10. 可視光の少なくとも一部の光透過率を下げる第1の光学フィルタ及び近赤外光の少なくとも一部の光透過率を下げる第2の光学フィルタのうちの少なくともいずれかを光路上に配置可能な光学フィルタ切替部を含む請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の撮像レンズ。
  11. 前記第2の光学フィルタの屈折率と厚さの積が、前記第1の光学フィルタの屈折率と厚さの積よりも大きい請求項10に記載の撮像レンズ。
  12. 前記複数のレンズのうちの最も結像側に位置するレンズよりもさらに結像側に配置された前記光学フィルタ切替部を含む請求項10又は請求項11に記載の撮像レンズ。
  13. 前記第1の光学フィルタ又は前記第2の光学フィルタを光路上に配置した場合の合焦位置を示す合焦位置情報を有し、前記合焦位置情報に基づいて、前記第1の光学フィルタが光路上に配置された場合と前記第2の光学フィルタが光路上に配置された場合とで合焦位置調整レンズの位置を変更する制御を行う制御部を含む請求項10から請求項12のいずれか一項に記載の撮像レンズ。
  14. ズーム光学系を含む請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の撮像レンズ。
  15. 請求項1から請求項14のいずれか一項に記載の撮像レンズと、
    前記撮像レンズを介して被写体を撮像するInGaAs撮像素子と、
    を含む撮像装置。
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