JP2021111645A - 仮固定用の樹脂組成物と樹脂フィルム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表面に電子素子のついた半導体チップをボイドなく埋め込むことが可能であり、その後の半導体チップを加工する際の圧力や加熱工程において半導体チップ側面に這い上がることのない仮固定用の樹脂組成物と樹脂フィルム、及び該樹脂組成物又は該樹脂フィルムを用いる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の仮固定用樹脂組成物は、半導体チップの仮固定用として支持部材上に形成される仮固定材層を構成する樹脂層に含まれ、硬化前の未硬化状態における１００℃時ずり粘度が９０００〜３００００Ｐａ・ｓで、硬化後に得られる硬化物の２７０℃時貯蔵弾性率が１．５〜２０ＭＰａであり、例えば、半導体装置の製造方法時に適用される仮固定用樹脂フィルムに含まれる熱硬化樹脂成分として使用される。
【選択図】図１

Description

本発明は、仮固定用の樹脂組成物と樹脂フィルム及び半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置の高密度化及び高性能化を目的に、異なる性能の半導体チップを一つの半導体装置に混載する実装形態が提案されており、コスト面に優れたチップ間の高密度インターコネクト技術が重要になっている（例えば、特許文献１参照）。

半導体チップ上に異なる半導体チップをフリップチップ実装によって積層することで接続するパッケージ・オン・パッケージがスマートフォン及びタブレット端末に広く採用されている（例えば、非特許文献１及び非特許文献２参照）。
さらに、高密度で実装するための形態として、高密度配線を有する有機基板を用いたパッケージ技術（有機インターポーザ）、スルーモールドビア（ＴＭＶ）を有するファンアウト型のパッケージ技術（ＦＯ−ＷＬＰ）、シリコン又はガラスインターポーザを用いたパッケージ技術、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を用いたパッケージ技術、及び、基板に埋め込まれた半導体チップをチップ間の伝送に用いるパッケージ技術等が提案されている。

半導体チップ上に異なる半導体チップをフリップチップ実装する場合、樹脂組成物を成形した支持体に最下段半導体チップを一時的に固定して半導体装置を製造する方法が現在用いられている。(例えば、特許文献２参照)

特表２０１２−５２９７７０号公報 特開２０１８−９３１６２号公報

しかし、半導体チップを樹脂組成物上に固定する際、樹脂組成物が低粘度及び低弾性であるとチップ側面に樹脂組成物が這い上がってしまい、逆に、高粘度及び高弾性すぎるとチップ表面の電子素子を保護できず、半導体装置の信頼性に悪影響を及ぼすことが懸念されている。

本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、電子素子のついた半導体チップをボイドなく埋め込むことが可能であり、その後の半導体チップ仮固定材が半導体チップ側面に這い上がることのない半導体装置の製造に用いられる仮固定用の樹脂組成物及び樹脂フィルムを提供することを目的とする。

硬化前の未硬化状態における１００℃時ずり粘度が９０００〜３００００Ｐａ・ｓで、硬化後に得られる硬化物の２７０℃時貯蔵弾性率を１．５〜２０ＭＰａとした仮固定用樹脂組成物を、半導体チップの仮固定用部材を構成する層として形成する仮固定材層に含まれる樹脂層に適用することで、半導体チップを埋め込む際は電子素子と仮固定材層間でボイドなく埋め込むことができ、仮固定用樹脂組成物を硬化し、半導体チップ上にフリップチップ実装を行う際は、チップ側面に樹脂が這い上がることなく実装できる半導体装置の製造に用いられる仮固定用樹脂組成物を提供する。

本発明は、半導体装置を支持体に仮固定するための仮固定材層を構成する樹脂層に含まれる仮固定用樹脂組成物であって、熱可塑性樹脂と硬化性樹脂成分を含む樹脂組成物であり、硬化前の未硬化状態における１００℃のずり粘度が９０００〜３００００ＭＰａであり、硬化後に得られる硬化物としての２７０℃時の貯蔵弾性率が１．５〜２０ＭＰａである仮固定用樹脂組成物を提供する。

前記仮固定用樹脂組成物は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂成分を含む樹脂組成物であるが、さらに酸化防止剤、硬化促進剤を含んでもよい。

また、本発明は、支持フィルムと、前記支持フィルム上に形成され、前記仮固定用樹脂組成物が含まれる樹脂層とを有する仮固定用樹脂フィルムを提供する。前記仮固定用樹脂フィルムは、前記支持フィルム上に積層して形成される、光吸収層と前記仮固定用樹脂組成物が含まれる樹脂層とを有してもよい。

前記仮固定樹脂層は、半導体チップ表面にある電子素子（外部接続部材及び配線層）の凸部高さより２０〜５０μｍ厚く形成してもよい。

前記仮固定用樹脂フィルムが適用される半導体装置製造方法として、
前記支持体上に、前記仮固定用樹脂組成物又は前記仮固定用樹脂フィルムを用いて、前記樹脂層を有する仮固定材層を形成する工程と、
前記仮固定材層に、外部接続部材及び配線層を表面に有する半導体チップを搭載する工程と、
前記仮固定材層を熱又は光で硬化する工程と、
前記半導体チップを加工する工程と、
前記支持部材上に搭載された前記半導体チップ又は前記加工後の半導体チップの一括封止を行い、半導体装置を製造する工程と、
前記半導体装置を前記支持体から分離する工程と、
前記半導体装置から前記仮固定材層を分離する工程
を備える半導体装置の製造方法を提供する。

前記半導体装置の製造方法においては、前記支持部材の上に、離型層及び光吸収層の少なくともいずれかの層が形成されてもよい。

前記半導体装置と前記支持部材との分離は、少なくとも光吸収層を有する前記仮固定材層に光を照射することで、前記光吸収層が光を吸収して熱を発生し、分離する方式が好ましい。

前記分離工程における光は、少なくとも赤外光を含む光であってよい。前記光の光源が、キセノンランプであってよい。

前記半導体装置を前記支持部材から分離する工程は、前記支持部材を介して前記仮固定材層に光を照射する工程であってよい。

本発明によれば、チップ側面への這い上りを抑制し、且つ、チップ表面の電子素子（外部接続端子及び配線層）の確実な保護ができるため、仮固定材として有用な仮固定用樹脂組成物及び該仮固定用樹脂組成物を有する仮固定用樹脂フィルムを提供することができる。
また、本発明によれば、仮固定された半導体装置を、支持部材から容易に分離することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。

図１は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図１（ａ）及び（ｂ）は、各工程を示す模式断面図である。 図２（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、光吸収層を有する仮固定材前駆体層の実施形態の例を示す模式断面図である。 図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）は、図２（ａ）に示す仮固定材前駆体層を用いて形成される積層体の一実施形態を示す模式断面図である。 図４は、図３（ｄ）に示す積層体を用いた本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図４（ａ）及び（ｂ）は、各工程を示す模式断面図である。 図５は、図１（ａ）に示す積層体の製造方法の他の実施形態を説明するための模式断面図であり、図５（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、各工程を示す模式断面図である。

以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。

本明細書における数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。

本明細書において、（メタ）アクリル酸は、アクリル酸又はそれに対応するメタクリル酸を意味する。（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイル基等の他の類似表現についても同様である。

［半導体装置の製造方法］
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、支持部材と、光を吸収して熱を発生する仮固定材層（以下、単に「仮固定材層」という場合がある。）と、半導体装置とがこの順に積層された積層体を準備する準備工程と、積層体における仮固定材層に光を照射して、支持部材から半導体装置を分離する分離工程とを備える。

＜積層体の準備工程＞
図１は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図１（ａ）及び（ｂ）は、各工程を示す模式断面図である。図１（ａ）に示すとおり、積層体の準備工程においては、支持部材１０と、仮固定材層３０ｃと、半導体装置（半導体チップが含まれる）４０とがこの順に積層された積層体１００を準備する。

支持部材１０は、特に制限されないが、例えば、ガラス基板、樹脂基板、シリコンウェハ、金属薄膜等であってよい。支持部材１０は、光の透過を妨げない基板であってよく、ガラス基板であってよい。

支持部材１０の厚さは、例えば、０．１〜２．０ｍｍであってよい。厚さが０．１ｍｍ以上であると、ハンドリングが容易となる傾向にあり、厚さが２．０ｍｍ以下であると、材料費を抑制することができる傾向にある。

仮固定材層３０ｃは、支持部材１０と半導体装置４０とを仮固定するための層であって、光を照射したときに、光を吸収して熱を発生する層である。仮固定材層３０ｃにおける吸収の対象となる光は、赤外光、可視光、又は紫外光のいずれかを含む光であってよい。
後述の光吸収層が熱を効率よく発生させることができることから、仮固定材層３０ｃにおける吸収の対象となる光は、少なくとも赤外光を含む光であってよい。また、仮固定材層３０ｃは、赤外光を含む光を照射したときに、赤外光を吸収して熱を発生する層であってよい。

図１（ａ）に示す積層体１００は、例えば、支持部材上に仮固定材前駆体層を形成し、仮固定材前駆体層上に半導体装置を配置し、仮固定材前駆体層に含まれる硬化性樹脂成分を硬化させ、仮固定材層を形成することによって作製することができる。このように、仮固定材前駆体層は、少なくとも硬化性樹脂成分を含む樹脂層を有し、前記硬化樹脂成分が硬化前の未硬化状態にある層として形成される。

仮固定材前駆体層は、前記硬化性樹脂成分を含む樹脂層と、光を吸収して熱を発生する光吸収層とを有してよい。図２（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、光吸収層を有する仮固定材前駆体層の実施形態の例を示す模式断面図である。仮固定材前駆体層３０としては、光吸収層３２と樹脂層３４とを有しているのであれば、その構成に特に制限されないが、例えば、光吸収層３２と樹脂層３４とを支持部材１０側からこの順に有する構成（図２（ａ））、樹脂層３４と光吸収層３２とを支持部材１０側からこの順に有する構成（図２（ｂ））、光吸収層３２と樹脂層３４と光吸収層３２とをこの順に有する構成（図２（ｃ））等が挙げられる。これらのうち、仮固定材前駆体層３０は、光吸収層３２と樹脂層３４とを支持部材１０側からこの順に有する構成（図２（ａ））であってよい。以下では、主に図２（ａ）で示す構成の仮固定材前駆体層３０を用いた態様について詳細に説明する。

光吸収層３２の一態様は、光を吸収して熱を発生する導電体（以下、単に「導電体」という場合がある。）からなる層（以下、「導電体層」という場合がある。）である。このような導電体層を構成する導電体は、光を吸収して熱を発生する導電体であれば特に制限されないが、赤外光を吸収して熱を発生する導電体であってよい。導電体としては、例えば、クロム、銅、チタン、銀、白金、金等の金属、ニッケル−クロム、ステンレス鋼、銅−亜鉛等の合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化ニオブ等の金属酸化物、導電性カーボン等のカーボン材料などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、導電体は、クロム、チタン、銅、アルミニウム、銀、金、白金、又はカーボンであってよい。

光吸収層３２は、複数の導電体層から構成されていてもよい。このような光吸収層としては、例えば、支持部材１０上に設けられる第１の導電体層と、第１の導電体層の支持部材１０の反対側の面上に設けられる第２の導電体層とから構成される光吸収層等が挙げられる。第１の導電体層における導電体は、支持部材（例えば、ガラス）との密着性、成膜性、熱伝導性、低熱容量等の観点から、チタンであってよい。第２の導電体層における導電体は、高膨張係数、高熱伝導等の観点から、銅、アルミニウム、銀、金、又は白金であってよく、これらの中でも、銅又はアルミニウムであることが好ましい。

光吸収層３２は、これらの導電体を、真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）、電解めっき、無電解めっき、プラズマ化学蒸着等の化学気相成長（ＣＶＤ）によって、支持部材１０に直接形成することができる。これらのうち、導電体層は、大面積に導電体層を形成できることから、物理気相成長を用いて形成してもよく、スパッタリング又は真空蒸着を用いて形成してもよい。

光吸収層３２の一態様の厚さは、軽剥離性の観点から、１〜５０００ｎｍ（０．００１〜５μｍ）又は５０〜３０００ｎｍ（０．０５〜３μｍ）であってよい。光吸収層３２が、第１の導電体層と第２の導電体層とから構成される場合、第１の導電体層の厚さは、１〜１０００ｎｍ、５〜５００ｎｍ、又は１０〜１００ｎｍであってよく、第２の導電体層の厚さは、１〜５０００ｎｍ、１０〜５００ｎｍ、又は５０〜２００ｎｍであってよい。

光吸収層３２の他の態様は、光を吸収して熱を発生する導電性粒子を含む硬化性樹脂組成物の硬化物を含有する層である。硬化性樹脂組成物は、導電性粒子及び硬化性樹脂成分を含有するものであってよい。硬化性樹脂成分は、熱又は光によって硬化する硬化性樹脂成分であり得る。硬化性樹脂成分としては、特に制限されず、例えば、後述の樹脂層における硬化性樹脂成分で例示したもの等が挙げられる。

導電性粒子は、光を吸収して熱を発生するものであれば特に制限されないが、赤外光を吸収して熱を発生するものであってよい。導電性粒子は、例えば、銀粉、銅粉、ニッケル粉、アルミニウム粉、クロム粉、鉄粉、真鋳粉、スズ粉、チタン合金、金粉、合金銅粉、酸化銅粉、酸化銀粉、酸化スズ粉、及び導電性カーボン（炭素）粉からなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。導電性粒子は、取り扱い性及び安全性の観点から、銀粉、銅粉、酸化銀粉、酸化銅粉、及びカーボン（炭素）粉からなる群より選ばれる少なくとも１種であってもよい。また、導電性粒子は、樹脂又は金属をコアとし、当該コアをニッケル、金、銀等の金属でめっきした粒子であってもよい。さらに、導電性粒子は、溶剤との分散性の観点から、その表面が表面処理剤で処理された粒子であってもよい。

導電性粒子の含有量は、硬化性樹脂組成物の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、１０〜９０質量部であってよい。なお、硬化性樹脂組成物の導電性粒子以外の成分には、後述の有機溶剤は包含されない。導電性粒子の含有量は、１５質量部以上、２０質量部以上、又は２５質量部以上であってもよい。導電性粒子の含有量は、８０質量部以下又は５０質量部以下であってもよい。

硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂、硬化剤、及び硬化促進剤を含有していてもよい。
熱硬化性樹脂の含有量は、硬化性樹脂組成物の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、１０〜９０質量部であってよい。硬化剤及び硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂の総量１００質量部に対して、０．０１〜５質量部であってよい。

光吸収層３２は、光を吸収して熱を発生する導電性粒子を含む硬化性樹脂組成物から形成することができる。硬化性樹脂組成物は、有機溶剤で希釈された硬化性樹脂組成物のワニスとして用いてもよい。有機溶剤としては、例えば、アセトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）等が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いていてもよい。ワニス中の固形成分濃度は、ワニスの全質量を基準として、１０〜８０質量％であってよい。

光吸収層３２は、硬化性樹脂組成物を、支持部材１０に直接塗布することによって形成することができる。有機溶剤で希釈された硬化性樹脂組成物のワニスを用いる場合、硬化性樹脂組成物を支持部材１０に塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによって形成することができる。

光吸収層３２の他の態様の厚さは、軽剥離性の観点から、１〜５０００ｎｍ（０．００１〜５μｍ）又は５０〜３０００ｎｍ（０．０５〜３μｍ）であってよい。

続いて、光吸収層３２上に樹脂層３４を形成する。

樹脂層３４は、導電性粒子を含有しない層であって、熱又は光によって硬化する硬化性樹脂成分を含む層である。樹脂層３４は、硬化性樹脂成分を含む層であり、前記硬化性樹脂成分の硬化後に得られる硬化物としての２７０℃の貯蔵弾性率が、１．５〜２０ＭＰａである。硬化性樹脂成分は、炭化水素樹脂を含んでよい。

本実施形態で使用する炭化水素樹脂は、主骨格が炭化水素で構成される樹脂であり、熱可塑性樹脂の範疇に入るものである。このような炭化水素樹脂としては、例えば、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・１−ブテン共重合体、エチレン・プロピレン・１−ブテン共重合体エラストマー、エチレン・１−ヘキセン共重合体、エチレン・１−オクテン共重合体、エチレン・スチレン共重合体、エチレン・ノルボルネン共重合体、プロピレン・１−ブテン共重合体、エチレン・プロピレン・非共役ジエン共重合体、エチレン・１−ブテン・非共役ジエン共重合体、エチレン・プロピレン・１−ブテン・非共役ジエン共重合体、ポリイソプレン、ポリブタジエン、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）等が挙げられる。これらの炭化水素樹脂は、水添処理が施されていてもよい。また、これらの炭化水素樹脂は、無水マレイン酸等によってカルボキシ変性されていてもよい。これらのうち、炭化水素樹脂は、スチレンに由来するモノマー単位を含む炭化水素樹脂（スチレン系樹脂）を含んでいてもよく、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）を含んでいてもよい。

炭化水素樹脂のＴｇは、−１００〜５００℃、−５０〜３００℃、又は−５０〜５０℃であってよい。炭化水素樹脂のＴｇが５００℃以下であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性を確保し易く、低温貼付性を向上させることができる傾向にある。
炭化水素樹脂のＴｇが−１００℃以上であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性が高くなり過ぎることによる半導体チップ搭載時の樹脂這い上がりの抑制及び剥離性の低下を抑制できる傾向にある。

炭化水素樹脂のＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって得られる中間点ガラス転移温度値である。炭化水素樹脂のＴｇは、具体的には、昇温速度１０℃／分、測定温度：−８０〜８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ Ｋ ７１２１に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。

炭化水素樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万〜５００万又は１０万〜２００万であってよい。重量平均分子量が１万以上であると、形成される仮固定材層の耐熱性を確保し易くなる傾向にある。重量平均分子量が５００万以下であると、フィルム状の仮固定材層を形成したときに、フローの低下及び貼付性の低下を抑制し易い傾向にある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。

炭化水素樹脂の含有量は、硬化性樹脂成分の硬化物における２５℃の貯蔵弾性率が５〜１００ＭＰａの範囲となるように適宜設定することができる。炭化水素樹脂の含有量は、例えば、硬化性樹脂成分の全質量１００質量部に対して、４０〜９０質量部であってよい。炭化水素樹脂の含有量は、５０質量部以上又は６０質量部以上であってもよい。炭化水素樹脂の含有量は、８５質量部以下又は８０量部以下あってもよい。炭化水素樹脂の含有量が上記範囲にあると、仮固定材層の薄膜形成性及び平坦性により優れる傾向にある。

前記樹脂層に含まれる硬化性樹脂成分は、熱硬化性樹脂を含んでいてもよい。熱硬化性樹脂は、熱により硬化する樹脂であれば特に制限されない。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、熱硬化性樹脂は、耐熱性、作業性、及び信頼性により優れることから、エポキシ樹脂であってよい。熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂硬化剤と組み合わせて用いてもよい。

エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などが挙げられる。また、エポキシ樹脂は、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、又は脂環式エポキシ樹脂であってもよい。また、エポキシ基の官能基当量が低いものを選定することで、硬化後の高温時の貯蔵弾性率が高くなり、半導体チップの加工時に高温及び高圧がかかっても樹脂が低粘度化せず、樹脂這い上がりの抑制につながる。

熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、硬化性樹脂成分は、エポキシ樹脂硬化剤を含んでいてもよい。エポキシ樹脂硬化剤は、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等のフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。

熱硬化性樹脂及び硬化剤の合計の含有量は、硬化性樹脂成分の全質量１００質量部に対して、１０〜６０質量部であってよい。熱硬化性樹脂及び硬化剤の合計の含有量は、１５質量部以上又は２０質量部以上であってもよい。熱硬化性樹脂及び硬化剤の合計の含有量は、５０質量部以下又は４０質量部以下であってもよい。熱硬化性樹脂及び硬化剤の合計の含有量が上記範囲にあると、仮固定材層の薄膜形成性及び平坦性により優れる傾向にある。熱硬化性樹脂及び硬化剤の合計の含有量が上記範囲内であると、耐熱性がより優れる傾向にある。

上記硬化性樹脂成分は、硬化促進剤をさらに含んでいてもよい。硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール誘導体、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂及び硬化剤の総量１００質量部に対して、０．０１〜５質量部であってよい。硬化促進剤の含有量が上記範囲内であると、硬化性が向上し、耐熱性がより優れる傾向にある。

上記硬化性樹脂成分は、重合性モノマー及び重合開始剤をさらに含んでいてもよい。重合性モノマーは、加熱又は紫外光等の照射によって重合するものであれば特に制限されない。重合性モノマーは、材料の選択性及び入手の容易さの観点から、例えば、エチレン性不飽和基等の重合性官能基を有する化合物であってよい。重合性モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルエステル、ビニルピリジン、ビニルアミド、アリール化ビニル等が挙げられる。これらのうち、重合性モノマーは、（メタ）アクリレートであってもよい。（メタ）アクリレートは、単官能（１官能）、２官能、又は３官能以上のいずれであってもよいが、充分な硬化性を得る観点から、２官能以上の（メタ）アクリレートであってもよい。

単官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、（メタ）アクリル酸；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ−ビフェニル（メタ）アクリレート、１−ナフチル（メタ）アクリレート、２−ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ−クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（ｏ−フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（１−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（２−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレートなどが挙げられる。

２官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、３−メチル−１，５−ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、２−ブチル−２−エチル−１，３−プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化２−メチル−１，３−プロパンジオールジ（メタ）アクリレート等の脂肪族（メタ）アクリレート；エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレートなどが挙げられる。

３官能以上の多官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の脂肪族（メタ）アクリレート；フェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等の芳香族エポキシ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。

これらの（メタ）アクリレートは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。さらに、これらの（メタ）アクリレートをその他の重合性モノマーと組み合わせて用いてもよい。

重合性モノマーの含有量は、硬化性樹脂成分の全質量１００質量部に対して、１０〜６０質量部であってよい。

重合開始剤は、加熱又は紫外光等の照射によって重合を開始させるものであれば特に制限されない。例えば、重合性モノマーとして、エチレン性不飽和基を有する化合物を用いる場合、重合性開始剤は熱ラジカル重合開始剤又は光ラジカル重合開始剤であってよい。

熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、オクタノイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ステアリルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド；ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウリレート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート等のパーオキシエステル；２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２’−ジメチルバレロニトリル）等のアゾ化合物などが挙げられる。

光ラジカル重合開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン等のベンゾインケタール；１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン等のα−ヒドロキシケトン；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシドなどが挙げられる。

これらの熱及び光ラジカル重合開始剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

重合開始剤の含有量は、重合性モノマーの総量１００質量部に対して、０．０１〜５質量部であってよい。

上記硬化性樹脂成分は、その他の成分として、絶縁性フィラー、増感剤、酸化防止剤等をさらに含んでいてもよい。

絶縁性フィラーは、樹脂組成物に低熱膨張性、低吸湿性を付与する目的で添加される。
絶縁性フィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、セラミック等の非金属無機フィラーなどが挙げられる。これらの絶縁性フィラーは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。絶縁性フィラーは、溶剤との分散性の観点から、その表面が表面処理剤で処理された粒子であってもよい。表面処理剤としては、特に限定されないが、シランカップリング剤等を用いることができる。

絶縁性フィラーの含有量は、硬化性樹脂成分の全質量１００質量部に対して、５〜２０質量部であってよい。絶縁性フィラーの含有量が上記範囲内であると、光透過を妨げることなく耐熱性をより向上させることができる傾向にある。また、絶縁性フィラーの含有量が上記範囲内であると、軽剥離性にも寄与する可能性がある。

増感剤としては、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンゾピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン−９−オン、２−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン等が挙げられる。

増感剤の含有量は、硬化性樹脂成分の全質量１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部であってよい。増感剤の含有量が上記範囲内であると、硬化性樹脂成分の特性及び薄膜性への影響が少ない傾向にある。

酸化防止剤としては、例えば、ベンゾキノン、ハイドロキノン等のキノン誘導体、４−メトキシフェノール、４−ｔ−ブチルカテコール等のフェノール誘導体、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシル、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシル等のアミノキシル誘導体、テトラメチルピペリジルメタクリレート等のヒンダードアミン誘導体などが挙げられる。

酸化防止剤の含有量は、硬化性樹脂成分の全質量１００質量部に対して、０．１〜１０質量部であってよい。酸化防止剤の含有量が上記範囲内であると、硬化性樹脂成分の分解を抑制し、汚染を防ぐことができる傾向にある。

本実施形態においては、上述するような各硬化性樹脂成分を含む樹脂組成物を仮固定用樹脂組成物として使用する。本実施形態の仮固定用樹脂組成物は、硬化前の未硬化状態における１００℃のずり粘度が９０００〜３００００Ｐａ・ｓであってよい。硬化前の仮固定用樹脂組成物は、１００℃のずり粘度を９０００〜３００００Ｐａ・ｓに設定することにより、半導体チップ側面への仮固定用樹脂組成物の這い上がりを抑制し、チップ表面の電子素子（電極等の外部接続部材及び配線層）を保護するために必要な埋込性を向上させることができる。１００℃のずり粘度は、仮固定用樹脂組成物を所定の厚さに調製した試料を用いて、例えば、回転式粘弾性測定装置によって測定することができる。

また、上記仮固定用樹脂組成物に含まれる硬化性樹脂成分の硬化後に得られる硬化物（後述の樹脂硬化物層）は、２５℃の貯蔵弾性率が５〜２００ＭＰａである。硬化性樹脂成分の硬化物は、２５℃の貯蔵弾性率が、５．５ＭＰａ以上、６ＭＰａ以上、又は６．３ＭＰａ以上であってもよく、１５０ＭＰａ以下、１００ＭＰａ以下、７０ＭＰａ以下、又は６５ＭＰａ以下であってもよい。硬化性樹脂成分の硬化物において２５℃の貯蔵弾性率は、適宜調整することが可能であり、例えば、熱可塑性樹脂である炭化水素樹脂の割合を増やす、高Ｔｇの炭化水素樹脂を適用する、絶縁性フィラーを添加する等によって、硬化性樹脂成分の硬化物における２５℃の貯蔵弾性率を向上させることができる。硬化性樹脂成分の硬化物における２５℃の貯蔵弾性率が５ＭＰａ以上であると、取り扱い性が向上し、支持部材にたわみなくチップ等を仮固定し易くなり、はく離時に凝集破壊し難く、さらに残さが少なくなる傾向にある。硬化性樹脂成分の硬化物における２５℃の貯蔵弾性率が２００ＭＰａ以下であると、支持部材へチップ等を搭載する際に、位置ずれを小さくすることができる傾向にある。なお、本明細書において、硬化性樹脂成分の硬化物における貯蔵弾性率は、実施例に記載の硬化方法及び測定手順で測定されものを意味する。

硬化性樹脂成分の硬化後に得られる硬化物は、２７０℃の貯蔵弾性率が、１．５〜２０ＭＰａであってよい。前記硬化物の２７０℃の貯蔵弾性率は、１５ＭＰａ以下、１０ＭＰａ以下、又は５ＭＰａ以下であってもよい。ここで、前記硬化物とは、示唆走査熱量測定（ＤＳＣ）において硬化に伴う発熱ピークが全く観測されない状態のものをいう。

樹脂層３４は、熱可塑性樹脂である炭化水素樹脂を含む硬化性樹脂成分（導電性粒子を含まない硬化性樹脂組成物）から形成することができる。硬化性樹脂成分は、溶剤で希釈され硬化性樹脂成分のワニスとして用いてもよい。溶剤は、絶縁性フィラー以外の成分を溶解できるものであれば特に制限されない。溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ−シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらの溶剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、トルエン、キシレン、ヘプタン、又はシクロヘキサンであってもよい。ワニス中の固形成分濃度は、ワニスの全質量を基準として、１０〜８０質量％であってよい。

硬化性樹脂成分のワニスは、炭化水素樹脂を含む硬化性樹脂成分及び溶剤を混合、混練することによって調製することができる。混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ビーズミル等の分散機を適宜組み合わせて行うことができる。

樹脂層３４は、硬化性樹脂成分を、光吸収層３２に直接塗布することによって形成することができる。溶剤で希釈された硬化性樹脂成分のワニスを用いる場合、硬化性樹脂成分を光吸収層３２に塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによって形成することができる。

また、樹脂層３４は、硬化性樹脂成分からなる硬化性樹脂成分フィルムを作製することによっても形成することができる。例えば、支持フィルム上に熱硬化性成分のワニスを塗布し、加熱乾燥して溶剤等の揮発成分を除去することにより硬化性樹脂成分フィルムを作製することができる。そのようにして作製される硬化性樹脂成分フィルムを、支持基材１０の上に形成される光吸収層３２にプレス又はラミネートすることにより、支持基材１０の上に仮固定材前駆体層３０が形成される。

樹脂層３４の厚さは、仮固定材層３０ｃの厚さに合わせて調整することができる。樹脂層３４の厚さは、半導体チップ上に形成される外部接続部材（電極等の外部接続端子を含む）及び配線層等の電子素子の埋め込みの観点から、電子素子の凸部高さより２０〜５０μｍ厚く形成されるものであってよい。樹脂層３４の厚さが電子素子の凸部高さより２０μｍ以上厚いと、電子素子が支持体に接触し変形することを防ぐことができ、５０μｍ以下であれば半導体素子の凹凸を十分埋め込めることができる。

上記硬化性樹脂成分フィルムを使用する以外にも、光吸収層３２と樹脂層３４とを有する仮固定用積層フィルム（以下、上述の「熱硬化性樹脂成分フィルム」と合わせて、「仮固定用樹脂フィルム」という場合がある。）を予め作製し、これを光吸収層３２と支持部材１０とが接するようにラミネートすることによっても仮固定材前駆体層３０を形成することができる。

仮固定用樹脂フィルムにおける光吸収層３２及び樹脂層３４の積層構成は、光吸収層３２と樹脂層３４とを有しているのであれば、その構成が特に制限されないが、例えば、光吸収層３２と樹脂層３４とを有する構成、光吸収層３２と樹脂層３４と光吸収層３２とをこの順に有する構成等が挙げられる。これらのうち、仮固定用樹脂フィルムは、光吸収層３２と樹脂層３４とを有する構成であってよい。光吸収層３２は、導電体からなる層（導電体層）であっても、導電性粒子を含有する層であってもよい。仮固定用樹脂フィルムは、支持フィルム上に設けられていてもよく、支持フィルムとは反対側の表面上に、必要に応じて、保護フィルムが設けられていてもよい。

支持フィルムとしては、特に制限されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリ（メタ）アクリレート、ポリスルホン、液晶ポリマのフィルム等が挙げられる。これらは、離型処理が施されていてもよい。支持フィルムの厚さは、例えば、３〜２５０μｍであってよい。

保護フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィンなどが挙げられる。保護フィルムの厚さは、例えば、１０〜２５０μｍであってよい。

仮固定用樹脂フィルムにおける光吸収層３２の厚さは、軽剥離性の観点から、１〜５０００ｎｍ（０．００１〜５μｍ）又は５０〜３０００ｎｍ（０．０５〜３μｍ）であってよい。

仮固定用樹脂フィルムは、半導体チップ上に形成される外部接続部材（電極等の外部接続端子を含む）及び配線層等の電子素子の埋め込みの観点から、電子素子の凸部高さより２０〜５０μｍ厚く形成されるものであってよい。仮固定用樹脂フィルムの厚さが電子素子の凸部高さより２０μｍ以上厚く形成される場合は、電子素子が支持体に接触し変形することを防ぐことができ、５０μｍ以下であれば半導体素子の凹凸を十分埋め込めることができる。半導体チップ上に凹凸がない場合は、０．１〜１００μｍであってよい。仮固定用樹脂フィルムでは、樹脂層と同じように光吸収層が電子素子の埋め込み層として機能する。

図２（ｂ）で示す構成の仮固定材前駆体層３０は、例えば、支持部材１０上に樹脂層３４を形成し、続いて、光吸収層３２を形成することによって作製することができる。図２（ｃ）で示す構成の仮固定材前駆体層３０は、例えば、支持部材１０上に光吸収層３２、樹脂層３４、及び光吸収層３２を交互に形成することによって作製することができる。これらの仮固定材前駆体層３０は、予め上記構成の仮固定材用積層フィルムを作製し、支持部材１０にラミネートすることによって作製してもよい。

仮固定材前駆体層３０の厚さ（光吸収層３２と樹脂層３４との合計の厚さ）は、上述の仮固定用樹脂フィルムの厚さと同様であってよい。

次いで、作製した仮固定材前駆体層上に半導体装置を配置し、仮固定材前駆体層における硬化性樹脂成分を硬化させ、光吸収層と、硬化性樹脂成分の硬化物を含む樹脂硬化物層とを有する仮固定材層を形成することによって、支持部材１０と仮固定材層３０ｃと半導体装置４０とがこの順に積層された積層体を作製する（図１（ｂ））。図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）は、図２（ａ）に示す仮固定材前駆体層を用いて形成される積層体の一実施形態を示す模式断面図である。

半導体装置４０は、半導体ウェハ又は半導体ウェハを所定サイズに切断してチップ状に個片化した半導体チップであってよい。半導体装置４０として、半導体チップを用いる場合、通常、複数の半導体チップが用いられる。半導体装置４０の厚さは、半導体装置の小型化、薄型化に加えて、搬送時、加工工程等の際の割れ抑制の観点から、１〜１０００μｍ、１０〜５００μｍ、又は２０〜２００μｍであってよい。半導体ウェハ又は半導体チップには、再配線層、パターン層、又は外部接続端子を有する外部接続部材が備えられていてもよい。

作製した仮固定材前駆体層３０を設けた支持部材１０を、真空プレス機又は真空ラミネーター上に設置し、半導体装置４０をプレスで圧着して配置することができる。

真空プレス機を用いる場合は、例えば、気圧１ｈＰａ以下、圧着圧力１ＭＰａ、圧着温度１２０〜２００℃、保持時間１００〜３００秒間で、仮固定材前駆体層３０に半導体装置４０を圧着する。

真空ラミネーターを用いる場合は、例えば、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度６０〜１８０℃又は８０〜１５０℃、ラミネート圧力０．０１〜０．５ＭＰａ又は０．１〜０．５ＭＰａ、保持時間１〜６００秒間又は３０〜３００秒間で、仮固定材前駆体層３０に半導体装置４０を圧着する。

仮固定材前駆体層３０を介して支持部材１０上に半導体装置４０を配置した後、仮固定材前駆体層３０における硬化性樹脂成分を所定条件で熱硬化又は光硬化させる。熱硬化の条件は、例えば、３００℃以下又は１００〜２００℃で、１〜１８０分間又は１〜６０分間であってよい。このようにして、硬化性樹脂成分の硬化物が形成され、半導体装置４０は、支持部材１０に硬化性樹脂成分の硬化物を含む仮固定材層３０ｃを介して仮固定され、積層体３００が得られる。仮固定材層３０ｃは、図３（ａ）に示すとおり、光吸収層３２と硬化性樹脂成分の硬化物を含む樹脂硬化物層３４ｃとから構成され得る。

積層体は、例えば、仮固定材層を形成した後に、半導体装置を配置することによっても作製することができる。図５は、図１（ａ）に示す積層体の製造方法の他の実施形態を説明するための模式断面図であり、図５（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、各工程を示す模式断面図である。図５の各工程は、図２（ａ）に示す仮固定材前駆体層を使用するものである。積層体は、支持部材１０上に硬化性樹脂成分を含む仮固定材前駆体層３０を形成し（図５（ａ））、仮固定材前駆体層３０における硬化性樹脂成分を硬化させて硬化性樹脂成分の硬化物を含む仮固定材層３０ｃを形成し（図５（ｂ））、形成した仮固定材層３０ｃ上に半導体装置４０を配置することによって作製することができる（図５（ｃ））。このような製造方法では、半導体装置４０を配置する前に、仮固定材層３０ｃ上に再配線層、パターン層等の配線層４１を設けることができるため、配線層４１上に半導体装置４０を配置することによって、配線層４１を有する半導体装置４０を形成することができる。

積層体１００における半導体装置４０（支持部材１０に仮固定された半導体装置４０）は、さらに加工されていてもよい。図３（ａ）に示す積層体３００における半導体装置４０を加工することによって、積層体３１０（図３（ｂ））、３２０（図３（ｃ））、３３０（図３（ｄ））等が得られる。半導体装置の加工は、特に制限されないが、例えば、半導体装置の薄化、貫通電極の作製、再配線層、パターン層等の配線層の形成、エッチング処理、めっきリフロー処理、スパッタリング処理等が挙げられる。

半導体装置の薄化は、グラインダー等で、半導体装置４０の仮固定材層３０ｃに接している面とは反対側の面を研削することによって行うことができる。薄化された半導体装置の厚さは、例えば、１００μｍ以下であってよい。

研削条件は、所望の半導体装置の厚さ、研削状態等に応じて任意に設定することができる。

貫通電極の作製は、薄化した半導体装置４０の仮固定材層３０ｃに接している面とは反対側の面に、ドライイオンエッチング、ボッシュプロセス等の加工を行い、貫通孔を形成した後、銅めっき等の処理をすることによって行うことができる。

このようにして半導体装置４０に加工が施され、例えば、半導体装置４０が薄化され、貫通電極４４が設けられた積層体３１０（図３（ｂ））を得ることができる。

図３（ｂ）で示す積層体３１０は、図３（ｃ）に示すように、封止層５０で覆われていてもよい。封止層５０の材質には特に制限はないが、耐熱性、その他の信頼性等の観点から、熱硬化性樹脂組成物であってよい。封止層５０に用いられる熱硬化性樹脂としては、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられる。封止層５０を形成するための組成物には、フィラー及び／又はブロム化合物等の難燃性物質等の添加剤が添加されていてもよい。

封止層５０の供給形態は、特に制限されないが、固形材、液状材、細粒材、フィルム材等であってよい。

封止フィルムから形成される封止層５０による加工後の半導体装置４２の封止には、例えば、コンプレッション封止成形機、真空ラミネート装置等が用いられる。上記装置を使用して、例えば、４０〜１８０℃（又は６０〜１５０℃）、０．１〜１０ＭＰａ（又は０．５〜８ＭＰａ）、かつ０．５〜１０分間の条件で熱溶融させた封止フィルムにて加工後の半導体装置４２を覆うことによって、封止層５０を形成することができる。封止フィルムは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の剥離ライナー上に積層された状態で準備されてもよい。この場合、封止フィルムを加工後の半導体装置４２上に配置し、加工後の半導体装置４２を埋め込んだ後、剥離ライナーを剥離することによって封止層５０を形成することができる。このようにして、図３（ｃ）で示す積層体３２０を得ることができる。

封止フィルムの厚さは、封止層５０が加工半導体装置４２の厚み以上になるように調整する。封止フィルムの厚さは、５０〜２０００μｍ、７０〜１５００μｍ、又は１００〜１０００μｍであってよい。

封止層５０を有する加工後の半導体装置４２は、図３（ｄ）に示すように、ダイシングによって個片化されていてもよい。このようにして、図３（ｄ）で示す積層体３３０を得ることができる。なお、ダイシングによる個片化は、後述の半導体装置の分離工程後に実施されてもよい。

＜半導体装置の分離工程＞
図１（ｂ）に示すとおり、半導体装置の分離工程においては、積層体１００における仮固定材層３０ｃに光を照射して、支持部材１０から半導体装置４０を分離する。

図４は、図３（ｄ）に示す積層体を用いた本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図４（ａ）及び（ｂ）は、各工程を示す模式断面図である。

仮固定材層３０ｃは、光を照射することによって、仮固定材層３０ｃに含まれる光吸収層３２が光を吸収して熱を瞬間的に発生し、界面又はバルクにおいて、樹脂硬化物層３４ｃの溶融、支持部材１０と半導体装置４０（又は加工後の半導体装置４２）との応力、光吸収層３２の飛散等が発生し得る。このような現象の発生によって、仮固定されている加工後の半導体装置４２を、支持部材１０から容易に分離（剥離）することができる。なお、分離工程においては、光の照射とともに、加工後の半導体装置４２に対して、支持部材１０の主面に対して平行な方向に応力をわずかに加えてもよい。

分離工程における光は、インコヒーレント光であってよい。インコヒーレント光は、干渉縞が発生しない、可干渉性が低い、指向性が低いといった性質を有する電磁波であり、光路長が長くなるほど、減衰する傾向にある。インコヒーレント光は、コヒーレント光でない光である。レーザー光は、一般にコヒーレント光であるのに対して、太陽光、蛍光灯の光等の光は、インコヒーレント光である。インコヒーレント光は、レーザー光を除く光ということもできる。インコヒーレント光の照射面積は、コヒーレント光（すなわち、レーザー光）よりも圧倒的に広いため、照射回数を少なくすること（例えば、１回）が可能である。

分離工程における光は、少なくとも赤外光を含む光であってよい。分離工程における光の光源は、特に制限されないが、キセノンランプであってよい。キセノンランプは、キセノンガスを封入した発光管での印加・放電による発光を利用したランプである。キセノンランプは、電離及び励起を繰り返しながら放電するため、紫外光領域から赤外光領域までの連続波長を安定的に有する。キセノンランプは、メタルハライドランプ等のランプと比較して始動に要する時間が短いため、工程に係る時間を大幅に短縮することができる。また、発光には、高電圧を印加する必要があるため、高熱が瞬間的に生じるが、冷却時間が短く、連続的な作業が可能である。また、キセノンランプの照射面積は、レーザー光よりも圧倒的に広いため、照射回数を少なくすること（例えば、１回）が可能である。

キセノンランプによる照射条件は、印加電圧、パルス幅、照射時間、照射距離（光源と仮固定材層との距離）、照射エネルギー等を任意に設定することができる。キセノンランプによる照射条件は、１回の照射で分離できる条件を設定してもよく、２回以上の照射で分離できる条件を設定してもよいが、加工後の半導体装置４２のダメージを低減する観点から、キセノンランプによる照射条件は、１回の照射で分離できる条件を設定してもよい。

分離工程は、支持部材１０を介して仮固定材層３０ｃに光を照射する工程であってよい（図４（ａ）の方向Ａ）。すなわち、仮固定材層３０ｃに対する光による照射は、支持部材１０側からの照射であってよい。支持部材１０を介して仮固定材層３０ｃに光を照射することによって、仮固定材層３０ｃ全体を照射することが可能となる。

支持部材１０から半導体装置４０又は加工後の半導体装置４２を分離したときに、半導体装置４０又は加工後の半導体装置４２に仮固定材層の残さ３０ｃ’（図４（ａ）、（ｂ））が付着している場合、これらは、溶剤で洗浄することにより分離（剥離）することができる。溶剤としては、特に制限されないが、エタノール、メタノール、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ヘキサン等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、これら溶剤に浸漬させてもよく、超音波洗浄を行ってもよい。さらに、１００℃以下の範囲で、加熱してもよい。

このように支持部材から半導体装置を分離することによって、半導体装置４０又は加工半導体装置４２を備える半導体素子６０が得られる（図４（ｂ））。得られた半導体素子６０を他の半導体素子又は半導体素子搭載用基板に接続することにより半導体装置を製造することができる。

［仮固定用樹脂フィルム］
本実施形態の仮固定用樹脂フィルムは、上述したように、少なくとも硬化性樹脂成分を含む樹脂層とを有し、必要に応じて、光を吸収して熱を発生する光吸収層を有するものであり、硬化性樹脂成分が、炭化水素樹脂を含み、さらに、硬化性樹脂成分の硬化物における２５℃の貯蔵弾性率が、５〜１００ＭＰａである。このような構成を有する仮固定用樹脂フィルムは、半導体装置を支持部材に仮固定するための仮固定材として好適に用いることができる。

仮固定用樹脂フィルムには、支持部材１０からの半導体装置４０又は加工後の半導体装置４２の分離を容易にするため、光吸収層３２に代えて離型層を設けてもよい。また、光吸収層３２を有する仮固定用樹脂フィルムの場合は、支持部材１０と光吸収層３２の間、又は光吸収層３２と樹脂層３４との間に離型層を設けてもよい。それにより、半導体装置４０又は加工半導体装置４２の分離を容易に行うことができる。

以下、本発明について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

［実施例１〜２及び比較例１〜３］
―仮固定用樹脂フィルムの調製―
表１に示す質量部の組成で、仮固定用樹脂フィルムを形成するためのワニスを調製した。調製したワニスを、支持フィルムとして使用する離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人フィルムソリューション株式会社製、Ａ３１、厚さ３８μｍ）の離型処理面上に塗布し、９０℃で５分間、１００℃で５分間加熱乾燥した。その後、樹脂層上に上記フィルムをカバーフィルムとして更に貼り合わせ、カバーフィルム及び支持フィルムが付いた、仮固定用樹脂フィルムをそれぞれ得た。表１に示す材料は以下の通りである。
・熱可塑性樹脂
ＦＧ１９２４ＧＴ：無水マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（クレイトンポリマージャパン株式会社製、スチレン含有量１３質量％）
ＦＧ１９０４ＧＴ：無水マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（クレイトンポリマージャパン株式会社製、スチレン含有量３０質量％）
ＫＫ２：ＧＰＣによる重量平均分子量３０万、ＴＧ−３０℃のアクリルゴム(日立化成株式会社製)
・熱硬化性樹脂
ＨＰ７２００Ｈ：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製）
ＨＰ４７１０：ナフタレン骨格エポキシ樹脂(ＤＩＣ株式会社製)
Ｎ−５００Ｐ−１０: クレゾールノボラック型多官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製）
ＭＥＨ７８００Ｍ：フェノール系硬化剤（明和化成株式会社製）
・酸化防止剤
ＡＯ−６０：ヒンダードフェノール系酸化防止剤（株式会社ＡＤＥＫＡ製）
・硬化促進剤
２ＰＺ−ＣＮ：イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製）

―光吸収層の作製―
支持部材であるスライドガラス（サイズ：４０ｍｍ×４０ｍｍ、厚さ：０．８μｍ）上にスパッタで第１の導電体層がチタン、第２の導電体層が銅である光吸収層を作製し、光吸収層を備える支持部材を得た。なお、当該光吸収層は、逆スパッタリングによる前処理（Ａｒ流速：１．２×１０^−２Ｐａ・ｍ^３／ｓ（７０ｓｃｃｍ）、ＲＦ電力：３００Ｗ、時間：３００秒間）後、表２に示す処理条件でＲＦスパッタリングを行い、チタン層／銅層の厚さを５０ｎｍ／２００ｎｍとすることによって作製した。

―積層体―
上記スライドガラスに上にスパッタで第１の導電体層がチタン、第２の導電体層が銅である光吸収層を作製した支持体上に、実施例１〜２及び比較例１〜３に示す仮固定用樹脂組成物を用いて作製した仮固定用樹脂フィルムの保護フィルムを剥離後１００℃でラミネートし、その上に半導体チップを実装した後、１３０℃で３０分加熱し、続いて２００℃で１時間加熱することで仮固定用樹脂フィルムを硬化した。その後、半導体チップ上に８０℃／２５Ｎ／０秒、１９５℃／２５Ｎ／２．５秒、２７０℃／２５Ｎ／３．５秒の圧力と熱を連続して加えた。その後、支持体スケールで１５０℃／５ＭＰａ、０．７Ｔｏｒｒの条件下で下記の封止材を用いて封止成形を行い、１５０℃／６時間加熱して封止材を硬化させることにより、吸光層付き支持体／仮固定用樹脂フィルム／半導体用チップ／封止材の積層体を作製した。
・封止材：ＣＥＬ−４００ＺＨＦ４０−Ｗ５Ｇ（日立化成株式会社製）

実施例１〜２及び比較例１〜３に示す仮固定用樹脂組成物を用いて作製される仮固定用樹脂フィルムについて、その性状及び特性を下記の方法で評価した。
―ラミネート性―
２層構成のフィルム状仮固定材の第２の層側の塗工基材を剥離し、小型ラミネート機（大成ラミネーター株式会社製、FIRST LAMINATOR）を用いて１００℃で厚さ７７５μｍのシリコンミラーウェハ（１２インチ）にラミネートした。その後、表面を目視にて確認し、ボイドの有無を観察し、ラミネート性を評価した。評価基準は以下のとおりである。結果を表３に示す。
×：ボイドが発生する場合
○：ボイドが発生しない場合

―硬化前１００℃ずり粘度―
仮固定用樹脂フィルムについて、硬化前のずり粘度を下記の方法により評価した。第一の層又は第二の層のいずれかを厚さ８０μｍに調整した測定用単層フィルムを１００℃でラミネートし、厚さを１６０μｍに調整したのち、回転式粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント株式会社製、ＡＲＥＳ）を用いて、ずり粘度を測定した。測定方法は「ｐａｒａｌｌ ｐｌａｔｅ」、測定冶具は直径８ｍｍの円形の治具、測定モードは「Ｄｙｎａｍｉｃ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｒａｍｐ」、周波数は１Ｈｚで行い、測定用単層フィルムに３５℃で５％の歪みを与えながら２０℃／分の昇温速度で１２０℃まで昇温し、１００℃に到達したときの測定用フィルムの粘度を測定した。
結果を表３に示す。

―硬化後２７０℃弾性率―
仮固定用樹脂フィルムについて、硬化後の貯蔵弾性率を下記の方法により評価した。厚さ８０μｍに調整した測定用仮固定用樹脂フィルムを１００℃でラミネートした。これを１３０℃のオーブンで３０分、更に１７０℃で２時間加熱してフィルムを硬化させた後、さらに２００℃で１時間加熱を行った。その後、幅方向に４ｍｍ幅、長さ３３ｍｍに切り出した。切り出した測定用単層フィルムを動的粘弾性装置（製品名：Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００、株式会社ユービーエム製）にセットし、引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３℃／分で測定し、２７０℃での貯蔵弾性率を測定した。結果を表３に示す。

―埋込性―
支持体上(スライドガラス)に仮固定用樹脂フィルム（支持フィルム及び保護フィルムを除いた厚さ：８０μｍ）の保護フィルム側を剥離し１００℃でラミネートし、その上に１３０℃／５０Ｎ／１０秒の条件で７．３ｍｍ×７．３ｍｍ、厚さ１５０μｍ、表面に４０μｍの半円形段差のある半導体チップを搭載した。ここで、仮固定樹脂層の厚さと、半導体チップ表面の半円形段差（凹凸間の高さに相当）との差は４０μｍである。その後１３０℃で３０分加熱し、続いて２００℃で１時間加熱して仮固定用樹脂フィルムを硬化させた。このようにして得られたサンプルをスライドガラス面から観察し、画像をＰｈｏｔｏｓｈｏｐ（登録商標）等のソフトウェハで解析し、半導体チップと仮固定用樹脂フィルム間にボイドが発生しているかを観察した。結果を表３に示す。
×：ボイドが発生する場合
○：ボイドが発生しない場合

―樹脂這い上がり―
上記埋込性の評価で得られたサンプルをそれぞれ２つ用意し、１つはそのままの状態でエポキシ樹脂にて注型を行い、スライドガラス／仮固定用樹脂フィルム／半導体チップの断面を観察できるよう研磨し、半導体チップの端部を確認し、半導体チップ搭載時の仮固定用樹脂フィルムの樹脂這い上がり量を確認した。もう１つのサンプルは半導体チップ上に８０℃／２５Ｎ／０秒、１９５℃／２５Ｎ／２．５秒、２７０℃／２５Ｎ／３．５秒の圧力と熱を連続して加え、その後エポキシ樹脂にて注型を行い、スライドガラス／仮固定用樹脂フィルム／半導体チップの断面を観察できるよう研磨し、半導体チップの端部を確認し、半導体チップ積層時の仮固定用樹脂フィルムの樹脂這い上がり量を確認した。結果を表３に示す。
×：チップ側面への樹脂の這い上がり量が３１μｍ以上の場合
〇：チップ側面への樹脂の這い上がり量が３０μｍ以下の場合

―２７０℃耐熱性―
仮固定用樹脂フィルムの２７０℃での耐熱性を下記の方法により評価した。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）をブレードダイシングにより２５ｍｍ×２５ｍｍに小片化した。小片化したシリコンミラーウェハ表面に、仮固定用樹脂フィルムを１００℃でロールラミネートした。次に、厚さが０．１〜０．２ｍｍで大きさが約１８ｍｍ×１８ｍｍのスライドガラスを、仮固定用樹脂フィルムに１００℃でロールラミネートし、仮固定用樹脂フィルムがシリコンウェハ及びスライドガラスで挟まれた積層体サンプルを作製した。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて２００℃で１時間加熱して仮固定用樹脂フィルムを硬化させ、その後、２７０℃で６０分間加熱した。このようにして得られたサンプルをスライドガラス面から観察し、画像をＰｈｏｔｏｓｈｏｐ（登録商標）等のソフトウェハで解析し、仮固定用樹脂フィルム全体の面積に占めるボイドの割合から２００℃での耐熱性を評価した。評価基準は以下のとおりである。結果を表３に示す。
○：ボイドの割合が５％未満の場合
×：ボイドの割合が５％以上の場合

―剥離性―
上記積層体を、印加電圧４０００Ｖ、パルス幅２００μｓ、照射距離５０ｍｍ、照射回数１回、及び照射時間２００μｓの照射条件でキセノンランプを照射し、支持部材からの剥離性を評価した。キセノンランプは、Ｘｅｎｏｎ社製のＳ２３００（波長範囲：２７０ｎｍ〜近赤外領域、単位面積あたりの照射エネルギー：７Ｊ／ｃｍ^２（予測値、照射条件Ａ）、１３Ｊ／ｃｍ^２（予測値、照射条件Ｂ））を用い、キセノンランプ照射は、積層体の支持部材（スライドガラス）側から行った。照射距離は、光源とスライドガラスを設置したステージとの距離である。剥離性試験の評価は、キセノンランプ照射後、自然に半導体チップがスライドガラスから剥離したものを「〇」と評価し、本照射条件で分離しなかったものを「×」と評価した。結果を表３に示す。

表３に示すように、仮固定用樹脂組成物に含まれる硬化性樹脂成分の硬化前の未硬化状態における１００℃のずり粘度が９０００〜３００００ＭＰａであり、硬化後に得られる硬化物としての２７０℃の貯蔵弾性率が１．５〜２０ＭＰaを満たす実施例１〜２の積層体は、前記１００℃のずり粘度及び前記２７０℃の貯蔵弾性率の少なくともいずれかの要件を満たさない比較例１〜３の積層体と比較して、優れた埋込性を有しつつ、樹脂這い上がりを大幅に抑制することができた。このように、実施例１〜２の積層体は、両者の要件を両立できることが分かる。さらに、２７０℃耐熱性及び支持部材からの剥離性においても、優れた特性を有していた。以上の結果から、本発明の仮固定材樹脂組成物が、半導体装置の製造にあたり、良好な結果を示すことが確認された。それにより、半導体装置の信頼性に対する悪影響を除くことができる。

以上のように、本発明によれば、チップ側面への這い上りを抑制し、且つ、チップ表面の電子素子（外部接続部材及び配線層）の確実な保護ができるため、仮固定材として有用な仮固定用樹脂組成物、及び該仮固定用樹脂組成物を有する仮固定用樹脂フィルムを提供することができる。それにより、仮固定された半導体装置を支持部材から容易に分離することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。

１０・・・支持部材、３０・・・仮固定材前駆体層、３０ｃ・・・仮固定材層、３２・・・光吸収層、３４・・・樹脂層、３４ｃ・・・樹脂硬化物層、４０・・・半導体装置、４１・・・配線層、４２・・・加工後の半導体装置、４４・・・貫通電極、５０・・・封止層、６０・・・半導体素子、１００，３００，３１０，３２０，３３０・・・積層体。

Claims (12)

1. 半導体チップの仮固定用として支持部材上に形成される仮固定材層を構成する樹脂層に含まれる仮固定用樹脂組成物であって、
   前記仮固定材用樹脂組成物は、硬化前の未硬化状態における１００℃のずり粘度が９０００〜３００００Ｐａ・ｓであり、硬化後に得られる硬化物としての２７０℃の貯蔵弾性率が１．５〜２０ＭＰａである、仮固定用樹脂組成物。
2. 前記仮固定用樹脂組成物が、熱可塑性樹脂及び硬化性樹脂を含有する請求項１に記載の仮固定用樹脂組成物。
3. 前記仮固定用樹脂組成物が、さらに酸化防止剤を含有する請求項１又は２に記載の仮固定用樹脂組成物。
4. 前記仮固定用樹脂組成物が、さらに硬化促進剤を含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
5. 支持フィルムと、前記支持フィルム上に形成され、請求項１〜４のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物が含まれる樹脂層と、を有する仮固定用樹脂フィルム。
6. 前記支持フィルム上に積層して形成される、光吸収層と前記仮固定用樹脂組成物が含まれる樹脂層とを有する請求項５に記載の仮固定用樹脂フィルム。
7. 前記仮固定材層が、半導体チップ表面の外部接続部材及び配線層が有する凸部高さより２０〜５０μｍ厚い請求項５又は６に記載の仮固定用樹脂フィルム。
8. 前記支持部材上に、請求項１〜４のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物又は請求項５〜７のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂フィルムを用いて、前記樹脂層を有する仮固定材層を形成する工程と、
   前記仮固定材層に外部接続部材及び配線層を表面に有する半導体チップを搭載する工程と、
   前記仮固定材層を熱又は光で硬化する工程と、
   前記半導体チップを加工する工程と、
   前記支持部材上に搭載された前記半導体チップ又は前記加工後の半導体チップの一括封止を行い、半導体装置を製造する工程と、
   前記半導体装置を前記支持部材から分離する工程と、
   前記半導体装置から前記仮固定材層を分離する工程と
   を備える半導体装置の製造方法。
9. 前記支持部材の上に、離型層及び光吸収層の少なくともいずれかの層が形成される請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記半導体装置と前記支持部材との分離が、少なくとも光吸収層を有する前記仮固定材層に光を照射することで、前記光吸収層が光を吸収して熱を発生することによって行われる、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記光が、少なくとも赤外光を含む光である、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記半導体装置を前記支持部材から分離する工程が、前記支持部材を介して前記仮固定材層に前記光を照射して行われる、請求項１０又は１１に記載の半導体装置の製造方法。

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