JP2021061365A - 電磁波シールドフィルム、回路基板、及び回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】シールド層とグランド用配線又はグランド層との接続抵抗が低減された電磁波シールドフィルムと、この電磁波シールドフィルムを用いた回路基板とその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０に隣接し、少なくとも絶縁樹脂層１０とは反対側の最外層が金属薄膜層とされたシールド層２２と、シールド層２２の絶縁樹脂層１０とは反対側に設けられた導電性接着剤層２４とを備え、導電性接着剤層２４は、フレーク状の導電性粒子２４ｂを含み、１００〜１９０℃における貯蔵弾性率の最低値が１．０×１０３〜１．０×１０５Ｐａである電磁波シールドフィルム１Ｄ、及びこれを用いた回路基板２。【選択図】図２

Description

本発明は、電磁波シールドフィルム、回路基板、及び回路基板の製造方法に関する。

プリント配線板から発生する電磁波ノイズや外部からの電磁波ノイズを遮蔽するために、絶縁樹脂層と導電層とを有する電磁波シールドフィルムを、絶縁フィルム（カバーレイフィルム）を介してプリント配線板の表面に設けることがある（例えば、特許文献１参照）。導電層は、例えば、電磁波を遮蔽するための金属薄膜層からなるシールド層と、シールド層とプリント配線板のプリント回路におけるグランド用配線又はグランド層とを電気的に接続するための導電性接着剤層とを有する。

電磁波シールドフィルムが設けられた回路基板は、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルムとを、絶縁フィルムと導電性接着剤層とが接するように重ねて熱プレスすることによって製造される。
絶縁フィルムには、グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が設けられている。導電性接着剤層は、熱プレスによって、この貫通項に貫入し、グランド用配線又はグランド層と接触するようになっている。

特開２０１６−０８６１２０号公報

電磁波シールドフィルムには、さらなるシールド効果向上が求められている。そのためには、シールド層とグランド用配線又はグランド層との接続抵抗を低くする必要がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、シールド層とグランド用配線又はグランド層との接続抵抗が低減された電磁波シールドフィルムと、この電磁波シールドフィルムを用いた回路基板とその製造方法を提供する。

上記の課題を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
［１］絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接し、少なくとも前記絶縁樹脂層とは反対側の最外層が金属薄膜層とされたシールド層と、前記シールド層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層とを備え、
前記導電性接着剤層は、フレーク状の導電性粒子を含み、１００〜１９０℃における貯蔵弾性率の最低値が１．０×１０^３〜１．０×１０^５Ｐａである、電磁波シールドフィルム。
［２］前記導電性粒子の体積平均粒子径が１〜１００μｍである、［１］に記載の電磁波シールドフィルム。
［３］前記導電性接着剤層１００質量％に占める前記導電性粒子の割合が、１質量％以上５０質量％以下である、［１］又は［２］に記載の電磁波シールドフィルム。
［４］前記導電性接着剤層の層厚に対する前記導電性粒子の平均厚さの比が０．００２〜０．３である、［１］〜［３］のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
［５］基板の少なくとも一方の面にグランド用配線又はグランド層を含む回路が設けられた回路基板本体と、
前記一方の面に隣接し、前記グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が形成された絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルムの前記回路基板本体とは反対側に隣接する［１］〜［４］のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムと、を備え、
前記電磁波シールドフィルムにおける前記導電性接着剤層が、前記絶縁フィルムに接着すると共に、前記貫通孔に貫入して、前記グランド用配線又はグランド層に接触している、回路基板。
［６］基板の少なくとも一方の面にグランド用配線又はグランド層を含む回路が設けられた回路基板本体に対して、前記グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が形成された絶縁フィルムを重ね、次いで、［１］〜［４］のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムを前記導電性接着剤層が前記絶縁フィルムと前記導電性接着剤層とが接するように重ね、その後熱プレスする回路基板の製造方法。

本発明の電磁波シールドフィルム、回路基板、及び回路基板の製造方法によれば、シールド層と回路基板本体におけるグランド用配線又はグランド層との接続抵抗を低減することができる。そのため、高いシールド効果を得ることができる。

本発明における電磁波シールドフィルムの一実施形態を示す断面図である。 本発明における回路基板の一実施形態を示す断面図である。 図２の回路基板の製造工程を示す断面図である。 導電性接着剤層の貯蔵弾性率が大きい場合の回路基板を示す断面図である。 導電性接着剤層の導電性粒子が球状である場合の回路基板を示す断面図である。

以下の用語の定義は、本明細書及び特許請求の範囲にわたって適用される。
「等方導電性接着剤層」とは、厚さ方向及び面方向に導電性を有する導電性接着剤層を意味する。
「異方導電性接着剤層」とは、厚さ方向に導電性を有し、面方向に導電性を有しない導電性接着剤層を意味する。
「面方向に導電性を有しない導電性接着剤層」とは、表面抵抗が１×１０^４Ω／□以上である導電性接着剤層を意味する。

導電性粒子の平均厚さは、粒子の電子顕微鏡の拡大画像から３０個の粒子を無作為に選び、それぞれの粒子について厚さを測定し、測定した３０個の粒子の厚さを算術平均して得た値によって求められる。
導電性粒子の体積平均粒子径は、レーザー回折・散乱法によって求めた体積基準累積５０％径（ｄ５０）である。

フィルム（離型フィルム、絶縁フィルム等）、塗膜（絶縁樹脂層、導電性接着剤層等）の厚さは、デジタル測長機（ミツトヨ社製、ライトマチックＶＬ−５０−Ｂ）を用いて無作為に選ばれた５箇所の厚さを測定し、平均した値である。ただし、回路基板における層厚は、貫通孔が形成されていない部分から無作為に選ばれた５箇所の厚さを測定し、平均した値である。
金属薄膜層の厚さは、渦電流式膜厚計を用いて無作為に選ばれた５箇所の厚さを測定し、平均した値である。

貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（米国レオメトリック・サイエンティフィック社製、ＲＳＡＩＩ）を用い、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：５℃／分の条件で測定した値である。
表面抵抗は、１０^６Ω／□未満の場合は、低抵抗抵抗率計（例えば、三菱ケミカル社製、ロレスタＧＰ、ＡＳＰプローブ）を用い、四端子法（ＪＩＳ Ｋ ７１９４：１９９４及びＪＩＳ Ｒ １６３７：１９９８に準拠する方法）で測定される表面抵抗率であり、１０^６Ω／□以上の場合は、高抵抗抵抗率計（例えば、三菱ケミカル社製、ハイレスタＵＰ、ＵＲＳプローブ）を用い、二重リング法（ＪＩＳ Ｋ ６９１１：２００６に準拠する方法）で測定される表面抵抗率である。
図１〜図５における寸法比は、説明の便宜上、実際のものとは異なったものである。また、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は「〜」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。

＜電磁波シールドフィルム＞
図１は、本発明の一実施形態に係る電磁波シールドフィルム１Ａを示す断面図である。
本実施形態の電磁波シールドフィルム１Ａは、絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０に隣接するシールド層２２と、シールド層２２の絶縁樹脂層１０とは反対側に設けられた導電性接着剤層２４を有する。
また、本実施形態では、絶縁樹脂層１０のシールド層２２とは反対側に、第１の離型フィルム３０が貼付されている。また、導電性接着剤層２４のシールド層２２とは反対側に、第２の離型フィルム４０が貼付されている。

電磁波シールドフィルム１Ａから離型フィルムを除いた厚さは、５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、８μｍ以上３０μｍ以下がより好ましい。離型フィルムを除いた電磁波シールドフィルム１Ａの厚さが前記範囲の下限値以上であれば、第１の離型フィルム３０を剥離する際に破断しにくい。離型フィルムを除いた電磁波シールドフィルム１Ａの厚さが前記範囲の上限値以下であれば、回路基板を薄くできる。

（絶縁樹脂層）
絶縁樹脂層１０は、電磁波シールドフィルム１Ａから第２の離型フィルム４０と第１の離型フィルム３０が剥離された後には、シールド層２２の保護層となる。

絶縁樹脂層１０としては、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させて形成された塗膜；熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させて形成された塗膜；熱可塑性樹脂を含む塗料を塗布し、乾燥させて形成された塗膜；熱可塑性樹脂を含む組成物を溶融成形したフィルムからなる層等が挙げられる。はんだリフロー工程に供される際の耐熱性の点から、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させて形成された塗膜、又は熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させて形成された塗膜が好ましい。

光硬化性樹脂としては、（メタ）アクリロイル基を有する化合物等が挙げられる。
光ラジカル重合開始剤としては、光硬化性樹脂の種類に応じた公知の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、アミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂、合成ゴム、紫外線硬化アクリレート樹脂等が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、耐熱性に優れる点から、アミド樹脂、エポキシ樹脂が好ましい。
硬化剤としては、熱硬化性樹脂の種類に応じた公知の硬化剤が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンサルホン、ポリフェニレンサルフィド、ポリフェニレンサルフィドサルホン、ポリフェニレンサルフィドケトン等が挙げられる。

絶縁樹脂層１０は、プリント配線板のプリント回路を隠蔽したり、回路基板に意匠性を付与したりするために、着色剤（顔料、染料等）及びフィラーのいずれか一方又は両方を含んでいてもよい。
着色剤及びフィラーのいずれか一方又は両方としては、耐候性、耐熱性、隠蔽性の点から、顔料又はフィラーが好ましく、プリント回路の隠蔽性、意匠性の点から、黒色顔料、又は黒色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
絶縁樹脂層１０は、難燃剤を含んでいてもよい。絶縁樹脂層１０は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。

絶縁樹脂層１０の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０^６Ω／□以上が好ましい。絶縁樹脂層１０の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０^１９Ω／□以下が好ましい。
絶縁樹脂層１０の厚さは、０．１μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上２０μｍ以下がより好ましい。絶縁樹脂層１０の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、絶縁樹脂層１０が保護層としての機能を十分に発揮できる。絶縁樹脂層１０の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、離型フィルムを除いた電磁波シールドフィルム１Ａの厚さを薄くできる。

（シールド層）
シールド層２２は、面方向に広がるように形成されている１層又は複数層の金属薄膜層を有する。金属薄膜層は、金属のみからなる層である。シールド層２２の、少なくとも絶縁樹脂層１０と反対側の最外層は金属薄膜層とされている。

金属薄膜層としては、物理蒸着（真空蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着、電子ビーム蒸着等）又はＣＶＤ（化学気相蒸着）によって形成された蒸着膜、めっきによって形成されためっき膜、金属箔等が挙げられる。面方向の導電性に優れる点では、金属薄膜層は、蒸着膜、めっき膜が好ましい。シールド層２２を薄くでき、かつ厚さが薄くても面方向の導電性に優れ、ドライプロセスにて簡便に形成できる点で、金属薄膜層は蒸着膜がより好ましく、物理蒸着による蒸着膜がさらに好ましい。

金属薄膜層を構成する金属としては、アルミニウム、銀、銅、金、導電性セラミックス等が挙げられる。電気伝導度の点からは、銀又は銅が好ましい。
金属薄膜層のなかでも、電磁波遮蔽性が高く、しかも金属薄膜を容易に形成しやすいことから、金属蒸着層が好ましく、銀蒸着層又は銅蒸着層がより好ましい。

金属薄膜層の表面抵抗は、０．００１Ω／□以上１Ω／□以下が好ましく、０．００１Ω／□以上０．５Ω／□以下がより好ましい。金属薄膜層の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、シールド層２２を十分に薄くできる。金属薄膜層の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールド層として十分に機能できる。

シールド層２２が１層の金属薄膜層からなる場合、シールド層２２の厚さ、すなわち、金属薄膜層の厚さは、０．０１μｍ以上１μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以上１μｍ以下がより好ましい。シールド層２２の厚さが０．０１μｍ以上であれば、面方向の導電性がさらに良好になる。シールド層２２の厚さが０．０５μｍ以上であれば、電磁波ノイズの遮蔽効果がさらに良好になる。シールド層２２の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、離型フィルムを除いた電磁波シールドフィルム１Ａの厚さを薄くできる。また、電磁波シールドフィルム１Ａの生産性、可とう性がよくなる。

シールド層２２が、複数層の金属薄膜層を有する場合、シールド層２２は各金属薄膜層の間に非金属層が挿入された積層体として構成される。
金属薄膜層の数は、２〜１０層が好ましく、２〜６層がより好ましく、２〜４層がより好ましい。複数の金属薄膜層を有することにより、１層の金属薄膜層を備える場合よりも電磁波の反射界面が多くなり、各金属薄膜層の厚みが薄くても、電磁波遮蔽性が優れる。
各金属薄膜層の厚さ、構成材料、物性等は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。

シールド層２２が、複数層の金属薄膜層を有する場合、各金属薄膜層の厚さは、全て１μｍ以下であることが好ましい。また、それぞれ独立に、０．０１μｍ以上１μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以上０．６μｍ以下がより好ましく、０．１μｍ以上０．４μｍ以下がさらに好ましい。各金属薄膜層の厚さは同じでもよいし、異なっていてもよい。
各金属薄膜層の厚さが上記範囲の上限値以下であると、各金属薄膜層におけるガス透過性が高まり、はんだリフロー処理時に発生したガス（例えば、導電性接着剤層２４から発生したガス）が透過し易くなるので、ガスの滞留による層間剥離や膨れを防止することができる。
各金属薄膜層の厚さが上記範囲の下限値以上であると、各金属薄膜層の界面における電磁波遮蔽性が向上する。

シールド層２２が、複数層の金属薄膜層を有する場合、複数の金属薄膜層の合計の厚さは、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以上２μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下が最も好ましい。
前記合計の厚さが上記範囲の下限値以上であると、シールド層２２におけるガス透過性が高まり、はんだリフロー処理時に発生したガス（例えば、導電性接着剤層２４から発生したガス）が透過し易くなるので、ガスの滞留による層間剥離や膨れを防止することができる。
前記合計の厚さが上記範囲の上限値以下であると、電磁波シールドフィルムを薄型化することができる。

シールド層２２が、複数層の金属薄膜層を有する場合、各金属薄膜層の間には非金属層が必ず介在している。換言すれば、非金属層が介在せずに一纏まりの金属薄膜層が多層化している場合（例えば、金属薄膜層Ａの上に金属薄膜層Ｂが蒸着等により積層されている場合）、この一纏まりの金属薄膜層は１層の金属薄膜層であるとみなす。

シールド層２２の金属薄膜層は金属のみからなる層である。これに対して、各金属薄膜層の間に介在する非金属層は、金属のみからなる層ではなく、少なくとも樹脂を含む層である。非金属層としては、例えば、絶縁樹脂（電気的に絶縁性である樹脂）からなる絶縁層、導電性粒子又は導電性ポリマーを含む導電層が挙げられる。

非金属層の厚みは、０．０１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、１μｍ以上４μｍ以下がより好ましく、２μｍ以上３μｍ以下がさらに好ましい。
非金属層の厚みが上記範囲の下限値以上であると、隣接する金属薄膜層に対する接着力が高まり、上記範囲の上限値以下であると、非金属層におけるガス透過性が高まり、結果として半田耐熱性が向上するので好ましい。

前記絶縁層を構成する絶縁樹脂としては、例えば、公知の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、耐熱性の点から、熱硬化性樹脂が好ましい。非金属層を構成する熱硬化性樹脂は、未硬化状態、Ｂステージ化された状態、及び硬化された状態のうち、何れの状態であってもよい。
前記絶縁層は、必要に応じて絶縁樹脂以外の他の成分を含んでいてもよい。

前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、ウレタン樹脂、縮合硬化型シリコーン、付加硬化型シリコーン、熱硬化性アクリル樹脂等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れる点から、エポキシ樹脂が好ましい。
前記絶縁樹脂には、熱硬化性樹脂の硬化剤が含まれていてもよい。硬化剤としては、例えば、イソシアネート基を２つ以上有するイソシアネート化合物、エポキシ基を２つ以上有するエポキシ化合物等が挙げられ、熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜選択される。

前記熱可塑性樹脂としては、例えば、熱可塑性アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、クロロプレン、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体又はその水素添加物、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体又はその水素添加物等が挙げられる。

前記導電層に含まれる樹脂としては、例えば、上述の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、耐熱性の点から、熱硬化性樹脂が好ましい。また、前記導電層に導電性を付与する点で、導電性ポリマーも好適である。

前記導電層が導電性粒子及び絶縁樹脂を含む場合、導電性粒子の体積平均粒子径は、０．２μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上８μｍ以下がより好ましく、０．８μｍ以上５μｍ以下がさらに好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、前記導電層の厚さを維持することができる。前記範囲の上限値以下であれば、金属薄膜層間の接着強度を高めることができる。

前記導電層における前記導電性粒子の割合は、前記導電層の１００体積％のうち、１体積％以上３０体積％以下が好ましく、２体積％以上１５体積％以下がより好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、導電層の導電性が良好になる。前記範囲の上限値以下であれば、導電層の接着性が良好になる。また、電磁波シールドフィルム１Ａの可とう性が良好になる。

前記導電性粒子を含む前記導電層の厚さは、０．２μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上８μｍ以下がより好ましく、０．８μｍ以上５μｍ以下がさらに好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、金属薄膜層間の接着強度を高めることができる。前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１Ａを薄くすることができる。また、電磁波シールドフィルム１Ａの可とう性が良好になる。

前記導電層が導電性ポリマーを含む場合、前記導電層には導電性ポリマー以外の樹脂が含まれてもよいし、含まれなくてもよい。導電性ポリマー以外の樹脂として、前記熱硬化性樹脂、前記熱可塑性樹脂が挙げられる。前記導電層には、導電性ポリマーに加えて前記導電性粒子が含まれていてもよい。
前記導電性ポリマーとしては、例えば、公知のπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体が挙げられる。
シールド層２２を構成する非金属薄膜層が複数である場合、各非金属層の厚さ、構成材料、物性等は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。

（導電性接着剤層）
導電性接着剤層２４は、接着剤成分２４ａ及び導電性粒子２４ｂを含む。
接着剤成分２４ａは接着性樹脂を含む。また、難燃剤を含んでいてもよい。接着剤成分２４ａは、導電性接着剤層２４の強度を高め、打ち抜き特性を向上させるために、セルロース樹脂、ミクロフィブリル（ガラス繊維等）を含んでいてもよい。接着剤成分２４ａは、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。

接着性樹脂としては、硬化後に耐熱性を発揮できる点から、熱硬化性樹脂を用いる。
熱硬化性樹脂は、未硬化の状態であってもよく、Ｂステージ化された状態であってもよい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂、合成ゴム、紫外線硬化アクリレート樹脂等が挙げられる。耐熱性に優れる点から、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分（カルボキシ変性ニトリルゴム、アクリルゴム等）、粘着付与剤等を含んでいてもよい。
接着剤成分２４ａにおける他の成分としては、硬化剤、硬化促進剤、低応力化剤（応力緩和剤）等が挙げられる。

硬化剤としては、導電性接着剤層２４の接着性がさらに向上する点から、１つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族カルボン酸が好ましく、４−ヒドロキシ安息香酸又はガリック酸がより好ましい。
接着剤成分２４ａにおける硬化剤の含有量は、接着性樹脂１００質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下が好ましく、５質量部以上５０質量部以下がより好ましく、１０質量部以上３０質量部以下がさらに好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲の下限値以上であれば、導電性接着剤層２４の硬化性に優れ、接着性がさらに優れる。硬化剤の含有量が前記範囲の上限値以下であれば、導電性接着剤層２４の硬化速度が適度なものとなる。

硬化剤が１つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族カルボン酸であり、接着性樹脂がエポキシ樹脂である場合、エポキシ基１モルに対する硬化剤の活性水素基のモル数は、０．５モル以上１．５モル以下が好ましい。硬化剤の活性水素基のモル数が前記範囲の下限値以上であれば、導電性接着剤層２４の硬化性に優れ、接着性がさらに優れる。硬化剤の活性水素基のモル数が前記範囲の上限値以下であれば、導電性接着剤層２４の硬化速度が適度なものとなる。ここで、硬化剤の活性水素基は、水酸基及びカルボキシ基である。

低応力化剤としては、酢酸ビニル樹脂、シリコーン化合物等が挙げられる。
接着剤成分２４ａにおける低応力化剤の含有量は、接着剤成分２４ａ（固形分）１００質量％のうち、１０質量％以上８０質量％以下が好ましく、３０質量％以上７０質量％以下がより好ましい。低応力化剤の含有量が前記範囲内であれば、導電性接着剤層２４の可とう性に優れる。

「１００〜１９０℃における貯蔵弾性率の最低値」（以下「熱プレス時最低貯蔵弾性率」という。）を低くするためには、接着剤成分２４ａにおける接着性樹脂として貯蔵弾性率の低い樹脂を使用すればよい。「１００〜１９０℃における貯蔵弾性率の最低値」が低くなりすぎないようにするためには、樹脂微粒子または無機微粒子等のフィラーを添加する、もしくは１００〜１９０℃で硬化し、硬化後の貯蔵弾性率が高くなる熱硬化性樹脂と硬化剤の種類と配合量を選択すればよい。

導電性粒子２４ｂは、両表面が扁平面とされたフレーク状である。本発明で用いるフレーク状導電粒子とは、体積平均粒子径に対する厚みが１０分の１以下である葉状の粒子のことを言う。
導電性粒子２４ｂの体積平均粒子径は、１μｍ〜１００μｍであることが好ましく、３μｍ〜８０μｍであることがより好ましく、５μｍ〜５０μｍであることがさらに好ましい。導電性粒子２４ｂの厚みは０．０５μｍ〜１μｍの範囲のものが好ましい。
また、導電粒子１つの扁平部長手方向及び扁平部短手方向の長さは、それぞれ独立して１μｍ〜１００μｍの範囲にあることが好ましい。

導電性粒子２４ｂを構成する材質としては、銀、白金、金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウム等が挙げられる。中でも、導電率が高いことから、銀が好ましい。
また、金属酸化物を含むコア粒子の表面に、金属コート層を有する粒子であってもよい。
金属酸化物は、アルミナ、シリカ、ジルコニア、及びマグネシアからなる群から選択される一種以上であることが好ましい。
金属コート層に含まれる金属としては、銀、白金、金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウム等が挙げられる。中でも、導電率が高いことから、銀が好ましい。

導電性粒子２４ｂの１０％圧縮強度は、３０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下が好ましく、５０ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下がより好ましく、７０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下がさらに好ましい。導電性粒子２４ｂの１０％圧縮強度が前記範囲の下限値以上であれば、熱プレスの際にシールド層２２にかけられた圧力を大きく損失することなく、導電性接着剤層２４が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。導電性粒子２４ｂの１０％圧縮強度が前記範囲の上限値以下であれば、シールド層２２との接触がよくなり、電気的接続が確実になる。

導電性接着剤層２４の１００質量％に占める導電性粒子２４ｂの割合は、１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上４０質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上３０質量％以下であることがさらに好ましい。
導電性接着剤層２４における導電性粒子２４ｂの含有量が好ましい上限値以下であれば、導電性接着剤層２４は、厚さ方向に導電性を有し、面方向には導電性を有さない異方性導電性接着剤層となりやすい。導電性接着剤層２４が異方性導電性接着剤層となると、等方性接着剤層となった場合と比較して、導電性を維持しながら、コストダウンができる。
導電性接着剤層２４における導電性粒子２４ｂの含有量が好ましい下限値以上であれば、導電性接着剤層２４の導電性が良好になる。

導電性接着剤層２４の１００〜１９０℃における貯蔵弾性率の貯蔵弾性率（熱プレス時最低貯蔵弾性率）は、１．０×１０^３〜１．０×１０^５Ｐａである。熱プレス時最低貯蔵弾性率は、１．０×１０^３〜５．０×１０^４Ｐａであることが好ましく、１．０×１０^３〜１．０×１０^４Ｐａであることがより好ましい。
熱プレス時最低貯蔵弾性率が好ましい上限値以下であれば、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルム１Ａとを熱プレスする際に導電性粒子２４ｂが基板の面方向に沿って配向しやすい。熱プレス時最低貯蔵弾性率が好ましい下限値以上であれば、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルム１Ａとを熱プレスする際に導電性接着剤層２４から接着剤成分２４ａが溶出しにくくなる。

導電性接着剤層２４の表面抵抗は、１×１０^４Ω／□以上１×１０^１６Ω／□以下が好ましく、１×１０^６Ω／□以上１×１０^１４Ω／□以下がより好ましい。導電性接着剤層２４の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子２４ｂの含有量を低く抑えられる。導電性接着剤層２４の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、実用上、異方性に問題がない。

導電性接着剤層２４の厚さは、３〜２５μｍであることが好ましく、３〜１５μｍであることがより好ましく、５〜１０μｍであることがさらに好ましい。
導電性接着剤層２４の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、導電性接着剤層２４の流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。導電性接着剤層２４の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１Ａを薄くできる。また、電磁波シールドフィルム１Ａの可とう性がよくなる。また、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルム１Ａとを熱プレスする際に導電性接着剤層２４から接着剤成分２４ａが溶出しにくくなる。

導電性接着剤層２４の層厚に対する導電性粒子２４ｂの平均厚さの比は、０．００２〜０．３であることが好ましく、０．０１〜０．３であることがより好ましく、０．０４〜０．２であることがさらに好ましい。
上記の比が好ましい下限値以上であれば、回路基板において、絶縁フィルムの貫通孔で、面方向に導電粒子が配向し、厚さ方向に導電しやすくなるなので、接続抵抗を低下させやすい。

（第１の離型フィルム）
第１の離型フィルム３０は、絶縁樹脂層１０やシールド層２２のキャリアフィルムとなるものであり、電磁波シールドフィルム１Ａのハンドリング性を良好にする。第１の離型フィルム３０は、電磁波シールドフィルム１Ａをプリント配線板等に貼り付けた後には、絶縁樹脂層１０から剥離される。

第１の離型フィルム３０は、例えば、離型フィルム本体３２と、離型フィルム本体３２の絶縁樹脂層１０側の表面に設けられた粘着剤層３４とを有する。

離型フィルム本体３２の樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート（以下、「ＰＥＴ」とも記す。）、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリアセテート、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、合成ゴム、液晶ポリマー等が挙げられる。樹脂材料としては、電磁波シールドフィルム１Ａを製造する際の耐熱性（寸法安定性）及び価格の点から、ＰＥＴが好ましい。

離型フィルム本体３２は、着色剤（顔料、染料等）及びフィラーのいずれか一方又は両方を含んでいてもよい。
着色剤及びフィラーのいずれか一方又は両方としては、絶縁樹脂層１０と明確に区別でき、熱プレスした後に第１の離型フィルム３０の剥がし残しに気が付きやすい点から、絶縁樹脂層１０とは異なる色のものが好ましく、白色顔料、フィラー、又は白色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。

離型フィルム本体３２の１８０℃における貯蔵弾性率は、８×１０^７Ｐａ以上５×１０^９Ｐａが好ましく、１×１０^８Ｐａ以上８×１０^８Ｐａがより好ましい。離型フィルム本体３２の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の下限値以上であれば、第１の離型フィルム３０が適度の硬さを有するようになり、熱プレスの際の第１の離型フィルム３０における圧力損失を低減できる。離型フィルム本体３２の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の上限値以下であれば、第１の離型フィルム３０の柔軟性が良好となる。

離型フィルム本体３２の厚さは、３μｍ以上７５μｍ以下が好ましく、１２μｍ以上５０μｍ以下がより好ましい。離型フィルム本体３２の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム１Ａのハンドリング性が良好となる。離型フィルム本体３２の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、絶縁フィルムの表面に電磁波シールドフィルム１Ａの導電性接着剤層を熱プレスする際に導電性接着剤層に熱が伝わりやすい。

粘着剤層３４は、例えば、離型フィルム本体３２の表面に粘着剤を含む粘着剤組成物を塗布して形成される。第１の離型フィルム３０が粘着剤層３４を有することによって、第２の離型フィルム４０を導電性接着剤層から剥離する際や電磁波シールドフィルム１Ａをプリント配線板等に熱プレスによって貼り付ける際に、第１の離型フィルム３０が絶縁樹脂層１０から剥離することが抑えられ、第１の離型フィルム３０が保護フィルムとしての役割を十分に果たすことができる。

粘着剤は、熱プレス前には第１の離型フィルム３０が絶縁樹脂層１０から容易に剥離することなく、熱プレス後には第１の離型フィルム３０を絶縁樹脂層１０から剥離できる程度の適度な粘着性を粘着剤層３４に付与するものであることが好ましい。
粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。粘着剤のガラス転移温度は、−１００℃以上６０℃以下が好ましく、−６０℃以上４０℃以下がより好ましい。

第１の離型フィルム３０の厚さは、２５μｍ以上１２５μｍ以下が好ましく、３８μｍ以上１００μｍ以下がより好ましい。第１の離型フィルム３０の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム１Ａのハンドリング性が良好となる。第１の離型フィルム３０の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、絶縁フィルムの表面に電磁波シールドフィルム１Ａの導電性接着剤層を熱プレスする際に導電性接着剤層に熱が伝わりやすい。

（第２の離型フィルム）
第２の離型フィルム４０は、導電性接着剤層を保護するものであり、電磁波シールドフィルム１Ａのハンドリング性を良好にする。第２の離型フィルム４０は、電磁波シールドフィルム１Ａをプリント配線板等に貼り付ける前に、導電性接着剤層から剥離される。

第２の離型フィルム４０は、例えば、離型フィルム本体４２と、離型フィルム本体４２の導電性接着剤層側の表面に設けられた離型剤層４４とを有する。

離型フィルム本体４２の樹脂材料としては、離型フィルム本体３２の樹脂材料と同様なものが挙げられる。
離型フィルム本体４２は、着色剤、フィラー等を含んでいてもよい。
離型フィルム本体４２の厚さは、５μｍ以上５００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上１５０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以上１００μｍ以下がさらに好ましい。

離型剤層４４は、例えば、離型フィルム本体４２の表面を離型剤で処理して形成される。第２の離型フィルム４０が離型剤層４４を有することによって、第２の離型フィルム４０を導電性接着剤層から剥離する際に、第２の離型フィルム４０を剥離しやすく、導電性接着剤層が破断しにくくなる。
離型剤としては、公知の離型剤を用いればよい。

離型剤層４４の厚さは、０．０５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上２０μｍ以下がより好ましい。離型剤層４４の厚さが前記範囲内であれば、第２の離型フィルム４０をさらに剥離しやすくなる。

＜電磁波シールドフィルムの他の実施形態＞
例えば、絶縁樹脂層１０が十分な柔軟性や強度を有する場合は、第１の離型フィルム３０を省略してもよい。
導電性接着剤層２４の表面の粘着力が小さい場合には、第２の離型フィルム４０を省略してもよい。
第１の離型フィルム３０は、離型フィルム本体３２が自己粘着性を有するフィルムである場合には、粘着剤層３４を有しなくてもよい。
第１の離型フィルム３０は、粘着剤層３４の代わりに離型剤層を有していてもよい。
第２の離型フィルム４０は、離型フィルム本体４２のみで十分な離型性を有する場合は、離型剤層４４を有しなくてもよい。

＜電磁波シールドフィルムの製造方法＞
本発明における電磁波シールドフィルムは、例えば、第１の離型フィルム、絶縁樹脂層及びシールド層を順に有する第１の積層体と、第２の離型フィルム及び導電性接着剤層を順に有する第２の積層体とを、シールド層と導電性接着剤層とが接するように重ねて圧着することによって製造できる。

具体的に、下記の方法（Ａ１）、又は方法（Ａ２）が挙げられる。
ただし、本発明における電磁波シールドフィルムの製造方法は、方法（Ａ１）、又は方法（Ａ２）に限定されない。

方法（Ａ１）は、下記の工程（Ａ１−１）〜（Ａ１−４）を有する方法である。
工程（Ａ１−１）：キャリアフィルムの表面にシールド層２２を設けたキャリアフィルム付き金属薄膜を用意する工程。
工程（Ａ１−２）：キャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層２２の表面に絶縁樹脂層１０を形成し、絶縁樹脂層１０の表面に第１の離型フィルム３０を貼り付け、キャリアフィルムを剥離して第１の積層体を得る工程。
工程（Ａ１−３）：第２の離型フィルム４０の片面に導電性接着剤層２４を形成して第２の積層体を得る工程。
工程（Ａ１−４）：第１の積層体と第２の積層体とを、第１の積層体のシールド層２２と第２の積層体の導電性接着剤層２４とが接するように貼り合せる工程。
以下、方法（Ａ−１）の各工程について詳細に説明する。

工程（Ａ１−１）におけるキャリアフィルム付き金属薄膜は、キャリアフィルムの表面にシールド層２２を形成して作製してもよく、市販のキャリアフィルム付き金属薄膜を入手してもよい。
キャリアフィルムとしては、キャリアフィルム（ＰＥＴフィルム等）の表面に離型剤層が形成されたものが挙げられる。
工程（Ａ１−１）におけるシールド層２２の形成方法としては、シールド層２２が１層の金属薄膜層からなる場合、物理蒸着、ＣＶＤ（化学気相蒸着）によって蒸着膜を形成する方法、めっきによってめっき膜を形成する方法、金属箔を貼り付ける方法等が挙げられる。面方向の導電性に優れるシールド層２２を形成できる点から、物理蒸着、ＣＶＤによって蒸着膜を形成する方法、又はめっきによってめっき膜を形成する方法が好ましい。シールド層２２の厚さを薄くでき、かつ厚さが薄くても面方向の導電性に優れるシールド層２２を形成でき、ドライプロセスにて簡便にシールド層２２を形成できる点から、物理蒸着、ＣＶＤによって蒸着膜を形成する方法がより好ましく、物理蒸着によって蒸着膜を形成する方法がさらに好ましい。

工程（Ａ１−２）における絶縁樹脂層１０の形成方法としては、例えば、下記の方法が挙げられる。
・キャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層２２の表面に、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させる方法。
・キャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層２２の表面に、熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させる方法。
・キャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層２２の表面に、熱可塑性樹脂を含む塗料を塗布し、乾燥させる方法。
・キャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層２２の表面に、熱可塑性樹脂を含む組成物を押出成形により成形したフィルムを直接積層する方法。
これらの方法のなかでも、はんだ付け等の際の耐熱性の点から、キャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層２２の表面に、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させる方法、又はキャリアフィルム付き金属薄膜のシールド層２２の表面に、熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化又は硬化させる方法が好ましい。

塗料の塗布方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター、スピンコーター、バーコーター、リバースコーター、キスコーター、ファウンテンコーター、ロッドコーター、エアドクターコーター、ナイフコーター、ブレードコーター、キャストコーター、スクリーンコーター等の各種コーターを用いた方法を適用することができる。
光硬化性樹脂を半硬化又は硬化させる際には、光（紫外線等）を照射すればよい。
熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化させる際には、ヒータ、赤外線ランプ等の加熱器を用いて加熱すればよい。

工程（Ａ１−３）では、第２の離型フィルム４０の離型剤層４４が設けられた面に導電性接着剤塗料を塗布する。
導電性接着剤塗料は、接着剤成分２４ａと導電性粒子２４ｂと溶剤とを含む。
導電性接着剤塗料に含まれる溶剤としては、エステル（酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸イソプロピル、エチレングリコールモノアセテート等）、ケトン（メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、アルコール（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、プロピレングリールモノメチルエーテル、プロピレングルコール等）等が挙げられる。

導電性接着剤塗料の塗布方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター、スピンコーター、バーコーター、リバースコーター、キスコーター、ファウンテンコーター、ロッドコーター、エアドクターコーター、ナイフコーター、ブレードコーター、キャストコーター、スクリーンコーター等の各種コーターを用いた方法を適用することができる。
塗布した導電性接着剤塗料より溶剤を揮発させることにより、導電性接着剤層２４を形成する。

工程（Ａ１−４）における第１の積層体と第２の積層体との貼り合せでは、第１の積層体と第２の積層体との密着性を高めるために圧着を行う。
圧着の際の圧力は、０．１ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下が好ましく、０．１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下がより好ましく、１ｋＰａ以上１０ｋＰａ以下がさらに好ましい。
圧着の際の温度（熱盤の温度）は、５０℃以上１００℃以下が好ましい。

方法（Ａ２）は、下記の工程（Ａ２−１）〜（Ａ２−４）を有する方法である。
工程（Ａ２−１）：第１の離型フィルム３０の片面に絶縁樹脂層１０を形成する工程。
工程（Ａ２−２）：絶縁樹脂層１０の第１の離型フィルム３０とは反対側の面にシールド層２２を形成して第１の積層体を得る工程。
工程（Ａ２−３）：第２の離型フィルム４０の片面に導電性接着剤層２４を形成して第２の積層体を得る工程。
工程（Ａ２−４）：第１の積層体と第２の積層体とを、第１の積層体のシールド層２２と第２の積層体の導電性接着剤層２４とが接するように貼り合せる工程。

工程（Ａ２−１）では、第１の離型フィルム３０の粘着剤層３４側の面に絶縁樹脂層１０を形成する。塗料及び塗布方法は、方法（Ａ１）における工程（Ａ１−２）と同様である。
工程（Ａ２−２）では、絶縁樹脂層１０の第１の離型フィルム３０とは反対側の面にシールド層２２を形成する。シールド層２２の形成方法は、方法（Ａ１）における工程（Ａ１−１）と同様である。
工程（Ａ２−３）及び工程（Ａ２−４）は、方法（Ａ１）における工程（Ａ１−３）及び工程（Ａ１−４）と同様である。

＜回路基板＞
本発明における回路基板は、基板の少なくとも一方の面にグランド用配線又はグランド層を含む回路が設けられた回路基板本体と、前記一方の面に隣接し、前記グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が形成された絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの前記回路基板本体とは反対側に隣接する本発明の電磁波シールドフィルムと、を備える。
前記電磁波シールドフィルムにおける前記導電性接着剤層は、前記絶縁フィルムに接着すると共に、前記貫通孔に貫入して、前記グランド用配線又はグランド層に接触している。

本発明の回路基板は、電磁波シールドフィルムの導電性接着剤がフレーク状の粒子を含み、熱プレス時最低貯蔵弾性率が低いため、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルム１Ａとを熱プレスする際に導電性粒子２４ｂが基板の面方向に沿って配向しやすい。そのため、シールド層２２と導電性粒子２４ｂ、導電性接着剤層２４の厚さ方向に重なった導電性粒子２４ｂ同士、導電性粒子２４ｂとグランド用配線５４ａの接触面積が大きくなる。また、熱プレスによって、シールド層２２とグランド用配線５４ａとの距離を近づけやすい。例えば、導電性粒子２４ｂの厚さ程度までシールド層２２とグランド用配線５４ａとの距離を近づけることが可能である。

そのため、小さい接続抵抗で、シールド層と回路基板本体におけるグランド用配線又はグランド層を導通させることができる。したがって、高いシールド効果が得られる。
また、配向した導電性粒子２４ｂのシールド層２２に接触する側は扁平なため、熱プレスの圧力が加わっても、導電性粒子２４ｂがシールド層２２を突き破る等の不都合は生じにくい。

図２は、本態様の回路基板の一実施形態を示す断面図である。
回路基板２は、基板本体の一例であるフレキシブルプリント配線板５０と、絶縁フィルム６０と、第１の実施形態の電磁波シールドフィルム１Ａから、第１の離型フィルム３０と第２の離型フィルム４０とが剥離された電磁波シールドフィルム１Ｄとを備える。
フレキシブルプリント配線板５０は、基板の一例であるベースフィルム５２の少なくとも片面にプリント回路５４が設けられたものである。プリント回路５４は、グランド用配線５４ａと信号回路を含んでいる。

絶縁フィルム６０は、フレキシブルプリント配線板５０のプリント回路５４が設けられた側の表面に設けられる。
電磁波シールドフィルム１Ｄの導電性接着剤層２４は、絶縁フィルム６０の表面に接着され、かつ硬化されている。また、導電性接着剤層２４は、絶縁フィルム６０に形成された貫通孔６２を通ってプリント回路５４のグランド用配線５４ａに電気的に接続されている。

貫通孔６２のある部分を除くプリント回路５４の近傍には、電磁波シールドフィルム１Ｄのシールド層２２が、絶縁フィルム６０及び導電性接着剤層２４を介して離間して対向配置される。
貫通孔６２のある部分を除くプリント回路５４とシールド層２２との離間距離は、絶縁フィルム６０の厚さと導電性接着剤層２４の厚さの総和とほぼ等しい。離間距離は、３０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、６０μｍ以上２００μｍ以下がより好ましい。離間距離が３０μｍより小さいと、信号回路のインピーダンスが低くなるため、１００Ω等の特性インピーダンスを有するためには、信号回路の線幅を小さくしなければならず、線幅のバラツキが特性インピーダンスのバラツキとなって、インピーダンスのミスマッチによる反射共鳴ノイズが電気信号に乗りやすくなる。離間距離が２００μｍより大きいと、回路基板２が厚くなり、可とう性が不足する。

（フレキシブルプリント配線板）
フレキシブルプリント配線板５０は、銅張積層板の銅箔を公知のエッチング法により所望のパターンに加工してプリント回路５４としたものである。
銅張積層板としては、ベースフィルム５２の片面又は両面に接着剤層（図示略）を介して銅箔を貼り付けたもの；銅箔の表面にベースフィルム５２を形成する樹脂溶液等をキャストしたもの等が挙げられる。
接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。
接着剤層の厚さは、０．５μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。

ベースフィルム５２としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
ベースフィルム５２の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０^６Ω／□以上が好ましい。ベースフィルム５２の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０^１９Ω／□以下が好ましい。
ベースフィルム５２の厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、屈曲性の点から、６μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。

プリント回路５４を構成する銅箔としては、圧延銅箔、電解銅箔等が挙げられ、屈曲性の点から、圧延銅箔が好ましい。プリント回路５４は、信号用回路、グランド用回路、グランド層等として使用される。
銅箔の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１８μｍ以上３５μｍ以下がより好ましい。
プリント回路５４の長さ方向の端部（端子）は、ハンダ接続、コネクター接続、部品搭載等のため、絶縁フィルム６０や電磁波シールドフィルム１Ｄに覆われず、露出している。

（絶縁フィルム）
絶縁フィルム６０（カバーレイフィルム）は、絶縁フィルム本体（図示略）の片面に、接着剤の塗布、接着剤シートの貼り付け等によって接着剤層（図示略）を形成したものである。
絶縁フィルム本体の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０^６Ω／□以上が好ましい。絶縁フィルム本体の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０^１９Ω／□以下が好ましい。
絶縁フィルム本体としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
絶縁フィルム本体の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、可とう性の点から、３μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。

接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン等が挙げられる。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分（カルボキシ変性ニトリルゴム等）を含んでいてもよい。
接着剤層の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以上６０μｍ以下がより好ましい。

絶縁フィルム６０に形成される貫通孔６２の開口部の形状は、特に限定されない。貫通孔６２の開口部の形状としては、円形、楕円形、四角形等が挙げられる。貫通孔６２は、グランド用配線５４ａ又はグランド層に重なる部分に形成される。

（他の実施形態）
本発明における回路基板は、図示例の実施形態に限定されない。
例えば、フレキシブルプリント配線板５０は、裏側にグランド層を有し、このグランド層がビアホールによって表側のグランド用配線５４ａに接続されたものであってもよい。また、フレキシブルプリント配線板５０は、両面にプリント回路５４を有し、両面に絶縁フィルム６０及び電磁波シールドフィルム１Ｄが貼り付けられたものであってもよい。
フレキシブルプリント配線板５０の代わりに、柔軟性のないリジッドプリント基板を用いてもよい。

＜回路基板の製造方法＞
本発明の回路基板の製造方法は、基板の少なくとも一方の面にグランド用配線又はグランド層を含む回路が設けられた回路基板本体に対して、前記グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が形成された絶縁フィルムを重ね、次いで、本発明の電磁波シールドフィルムを前記導電性接着剤層が前記絶縁フィルムと前記導電性接着剤層とが接するように重ね、その後熱プレスする回路基板の製造方法である。

回路基板２は、例えば、下記の工程（ａ）〜（ｄ）を有する方法によって製造できる（図４参照）。
工程（ａ）：フレキシブルプリント配線板５０のプリント回路５４が設けられた側の表面に、グランド用配線５４ａに対応する位置に貫通孔６２が形成された絶縁フィルム６０を設け、絶縁フィルム付きプリント配線板３を得る工程。
工程（ｂ）：工程（ａ）の後、絶縁フィルム付きプリント配線板３と、電磁波シールドフィルム１Ａから第２の離型フィルム４０を剥離して得られた電磁波シールドフィルム１Ｃとを、絶縁フィルム６０の表面に導電性接着剤層２４が接触するように重ね、これらを熱プレスする工程。
工程（ｃ）：工程（ｂ）の後、第１の離型フィルム３０が不要になった際に、電磁波シールドフィルム１Ｃから第１の離型フィルム３０を剥離する工程。
工程（ｄ）：必要に応じて、工程（ａ）と工程（ｂ）との間、又は工程（ｃ）の後に導電性接着剤層２４を本硬化させる工程。
以下、各工程について、図３を参照しながら詳細に説明する。

工程（ａ）：
工程（ａ）は、フレキシブルプリント配線板５０に絶縁フィルム６０を積層して、絶縁フィルム付きプリント配線板３を得る工程である。
具体的には、まず、フレキシブルプリント配線板５０に、プリント回路５４に対応する位置に貫通孔６２が形成された絶縁フィルム６０を重ねる。なお、貫通孔６２は、フレキシブルプリント配線板５０と貫通孔６２が形成されていない絶縁フィルム６０を重ねた後から、形成してもよい。
次いで、フレキシブルプリント配線板５０の表面に絶縁フィルム６０の接着剤層（図示略）を接着し、接着剤層を硬化させることによって、絶縁フィルム付きプリント配線板３を得る。フレキシブルプリント配線板５０の表面に絶縁フィルム６０の接着剤層を仮接着し、工程（ｄ）にて接着剤層を本硬化させてもよい。
接着剤層の接着及び硬化は、例えば、プレス機（図示略）等による熱プレスによって行う。

工程（ｂ）：
工程（ｂ）は、絶縁フィルム付きプリント配線板３に、電磁波シールドフィルム１Ａから第２の離型フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム１Ｃを熱プレスする工程である。
具体的には、絶縁フィルム付きプリント配線板３に、第２の離型フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム１Ｃを重ね、熱プレスする。これにより、絶縁フィルム６０の表面に導電性接着剤層２４を接着するとともに、導電性接着剤層２４を貫通孔６２内に押し込み、貫通孔６２内を埋めてプリント回路５４のグランド用配線５４ａに電気的に接続する。

この熱プレスする工程において、導電性接着剤層２４は、硬化前に一端熱プレス時最低貯蔵弾性率まで軟化する。このとき、軟化した導電性接着剤層２４内で、導電性粒子２４ｂが基板の面方向に沿って配向する。
また、熱プレス時最低貯蔵弾性率が低いため、貫通孔６２における導電性接着剤層２４の厚さが充分に薄くなる。

導電性接着剤層２４の接着及び硬化は、例えば、プレス機（図示略）等による熱プレスによって行う。
熱プレスの時間は、２０秒以上６０分以下が好ましく、３０秒以上３０分以下がより好ましい。熱プレスの時間が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム６０の表面に導電性接着剤層２４を容易に接着できる。熱プレスの時間が前記範囲の上限値以下であれば、回路基板２の製造時間を短縮できる。

熱プレスの温度は、１４０℃以上１９０℃以下が好ましく、１５０℃以上１７５℃以下がより好ましい。熱プレスの温度が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム６０の表面に導電性接着剤層２４を容易に接着できる。また、熱プレスの時間を短縮できる。熱プレスの温度が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１Ｃ、フレキシブルプリント配線板５０等の劣化等を容易に抑えることができる。

熱プレスの圧力は、０．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であり、１ＭＰａ以上１６ＭＰａ以下が好ましい。熱プレスの圧力が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム６０の表面に導電性接着剤層２４が接着される。また、熱プレスの時間を短縮できる。熱プレスの圧力が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１Ｃ、フレキシブルプリント配線板５０等の破損等を抑えることができる。また、絶縁フィルム付きプリント配線板３と電磁波シールドフィルム１Ｃとを熱プレスする際に導電性接着剤層から接着剤成分が溶出しにくくなる。

工程（ｃ）：
工程（ｃ）は、電磁波シールドフィルム１Ｃから第１の離型フィルム３０を剥離する工程である。
具体的には、キャリアフィルムが不要になった際に、絶縁樹脂層１０から第１の離型フィルム３０を剥離し、フレキシブルプリント配線板５０に、電磁波シールドフィルム１Ｄが積層した回路基板２の層構成を得る。

工程（ｄ）：
工程（ｄ）は、導電性接着剤層２４を本硬化させる工程である。
工程（ｂ）における熱プレスの時間が２０秒以上１０分以下の短時間である場合、工程（ｂ）と工程（ｃ）との間、又は工程（ｃ）の後に導電性接着剤層２４の本硬化を行うことが好ましい。
導電性接着剤層２４の本硬化は、例えば、オーブン等の加熱装置を用いて行う。
加熱時間は、１５分以上１２０分以下であり、３０分以上６０分以下がより好ましい。
加熱時間が前記範囲の下限値以上であれば、導電性接着剤層２４を十分に硬化できる。加熱時間が前記範囲の上限値以下であれば、回路基板２の製造時間を短縮できる。
加熱温度（オーブン中の雰囲気温度）は、１２０℃以上１８０℃以下が好ましく、１２０℃以上１５０℃以下がより好ましい。加熱温度が前記範囲の下限値以上であれば、加熱時間を短縮できる。加熱温度が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１Ｄ、フレキシブルプリント配線板５０等の劣化等を抑えることができる。

図４は、熱プレス時最低貯蔵弾性率が高すぎた場合の回路基板２Ｘを示す図である。図４において、図２と同一の構成部材には、図２と同じ参照符号を付している。
回路基板２Ｘの電磁波シールドフィルム１Ｘにおける導電性接着剤層２７は、接着剤成分２７ａ及び導電性粒子２７ｂを含む。
導電性粒子２７ｂは、導電性粒子２４ｂと同様のフレーク状の導電性粒子である。導電性接着剤層２７の熱プレス時最低貯蔵弾性率は、１．０×１０^５Ｐａを超えている。

この場合、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルムとを熱プレスする際に導電性粒子２７ｂが基板の面方向に沿って配向しにくく、図４のように、ランダムな方向のまま、接着剤成分２７ａ中に固定されてしまう。
その結果、シールド層２２と導電性粒子２７ｂ、導電性接着剤層２４の厚さ方向における導電性粒子２７ｂ同士、導電性粒子２７ｂとグランド用配線５４ａの接触面積が不充分となる。そのため、小さい接続抵抗で、シールド層と回路基板本体におけるグランド用配線又はグランド層を導通させることができない。したがって、高いシールド効果が得られない。

図５は、熱プレス時最低貯蔵弾性率が図２の実施形態と同様に低いものの、導電性粒子が球状である場合の回路基板２Ｙを示す図である。図５において、図２と同一の構成部材には、図２と同じ参照符号を付している。
回路基板２Ｙの電磁波シールドフィルム１Ｙにおける導電性接着剤層２８は、接着剤成分２８ａ及び導電性粒子２８ｂを含む。
導電性粒子２７ｂは、導電性粒子２４ｂと異なり、球状である。導電性接着剤層２７の熱プレス時最低貯蔵弾性率は、１．０×１０^３〜１．０×１０^５Ｐａである。

この場合、絶縁フィルム付きプリント配線板と電磁波シールドフィルムとを熱プレスしても、シールド層２２と導電性粒子２８ｂ、導電性粒子２８ｂとグランド用配線５４ａの接触面積が不充分となる。
また、熱プレス時最低貯蔵弾性率が低いため、熱プレスによって、シールド層２２とグランド用配線５４ａとの距離は近づけやすいが、近づけすぎると、シールド層２２とグランド用配線５４ａの間に存在する導電性粒子２８ｂが横方向に押し出されてしまい、導電性粒子２８ｂを介した接続ができなくなってしまうと考えられる。また、横方向に押し出されない場合は、導電性粒子２８ｂが、シールド層２２を突き破ってしまう等、別の問題が生じかねない。
そのため、小さい接続抵抗で、シールド層と回路基板本体におけるグランド用配線又はグランド層を導通させることができない。したがって、高いシールド効果が得られない。

以下、実施例及び比較例を示して本発明をより詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されない。

（接続抵抗の測定）
各例で得られた回路基板におけるシールド層とグランド用配線との間の接続抵抗を、日置電機社製のデジタルマルチメータを用いて測定した。

（原材料）
各例で用いた導電性粒子、キャリアフィルム付き金属薄膜、第１の離型フィルム、及び第２の離型フィルムは、以下の通りである。
各導電性粒子の長手方向の平均長さ、短手方向の平均長さ、平均厚さ、及びこれらの比率は、各導電性粒子を使用した実施例、比較例の結果等と共に表１に示す。

導電性粒子Ａ：銅、フレーク状、体積平均粒子径８．７μｍ、厚さ０．２μｍ。
導電性粒子Ｂ：銀コートアルミナ、フレーク状、体積平均粒子径１２．４μｍ、厚さ０．６μｍ。
導電性粒子Ｃ：銅、フレーク状、体積平均粒子径４５μｍ、厚さ０．５μｍ。
導電性粒子Ｄ：銅、球状、体積平均粒子径６μｍ。

キャリアフィルム付き金属薄膜：離型層付き銅箔（東レＫＰフィルム社製、ケーピーセデュース（登録商標）、銅箔厚さ：０．５μｍ、銅箔表面抵抗：０．０１５Ω／□、ＰＥＴフィルム厚さ：５０μｍ）。
第１の離型フィルム：粘着フィルム（パナック社製、パナプロテクト（登録商標）ＧＮ、粘着力：０．４９Ｎ／ｃｍ、ＰＥＴフィルム厚さ：７５μｍ）。
第２の離型フィルム：離型フィルム（パナック社製、パナピール（登録商標）ＳＭ−１、ＰＥＴフィルム厚さ：５０μｍ）。

（実施例１）
キャリアフィルム付き金属薄膜の金属薄膜層の表面に、絶縁樹脂層形成用塗工液を＃４のバーコーターを用いて塗布した。塗膜を１００℃で１分間乾燥した後、４００ｍＪの紫外線を照射して、金属薄膜層の表面に絶縁樹脂層（厚さ：１０μｍ、表面抵抗：１．０×１０^１２Ω／□以上）を設けた。
絶縁樹脂層の表面に第１の離型フィルムを、絶縁樹脂層と粘着剤層とが接するように貼り付けた。キャリアフィルムを金属薄膜層から剥離し、第１の積層体を得た。

導電性接着剤塗料として、熱硬化性接着剤（エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、ｊＥＲ１００７）の５６質量部とエポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、ｊＥＲ１２５６）の２４質量部とエポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、ｊＥＲ１５２）の２０質量部と硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ）の３質量部とを混合してなる潜在硬化性エポキシ樹脂）、導電性粒子Ａの２０質量部を、溶剤（メチルエチルケトン）の２００質量部に溶解または分散したものを用意した。

第２の離型フィルムの離型剤層側の表面に、導電性接着剤塗料を、コンマコーターを用いて２５μｍの厚さで塗布した。塗膜を１００℃で１分間乾燥して、導電性接着剤層（厚さ：１０μｍ、表面抵抗：１．０×１０^１２Ω／□以上）を設け、第２の積層体を得た。
第１の積層体と第２の積層体とを、金属薄膜層と導電性接着剤層とが接するように重ね、温度：９５℃、圧力：５ｋＰａの条件で圧着し、電磁波シールドフィルムを得た。

厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（絶縁フィルム本体）の表面に絶縁性接着剤組成物を、乾燥膜厚が２５μｍになるように塗布し、接着剤層を形成し、絶縁フィルム（厚さ：５０μｍ）を得た。プリント回路のグランドに対応する位置に貫通孔（孔径：１５０μｍ）を形成した。
厚さ１２μｍのポリイミドフィルム（ベースフィルム）の表面にプリント回路が形成されたフレキシブルプリント配線板を用意した。
フレキシブルプリント配線板に絶縁フィルムを熱プレスにより貼り付けて、絶縁フィルム付きフレキシブルプリント配線板を得た。

絶縁フィルム付きフレキシブルプリント配線板に、第２の離型フィルムを剥離した電磁波シールドフィルムを重ね、ホットプレス装置（折原製作所社製、Ｇ−１２）を用い、熱盤温度：１７０℃、荷重：５ＭＰａで１分間熱プレスし、絶縁フィルムの表面に導電性接着剤層を接着した。
絶縁樹脂層から第１の離型フィルムを剥離した後、１５０℃で１時間加熱し、回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表１に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表１に示す。

（実施例２）
導電性粒子の配合量を表１に示すように変更した他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表１に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表１に示す。

（実施例３）
導電性粒子Ａに代えて導電性粒子Ｂを表１に示す配合量で配合した他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表１に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表１に示す。

（実施例４）
導電性粒子Ａに代えて導電性粒子Ｃを表１に示す配合量で配合した他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表１に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表１に示す。

（実施例５）
導電性粒子Ａに代えて導電性粒子Ｃを表１に示す配合量で配合した他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表１に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表１に示す。

（実施例６）
硬化剤（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）の３質量部に代えて硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ）の１質量部を、導電性粒子Ａに代えて導電性粒子Ｂを表１に示す配合量で配合した他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表１に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表１に示す。

（実施例７）
硬化剤（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）の３質量部に代えて硬化剤（四国化成社製、２ＭＺ−Ｈ）の０．３質量部を、導電性粒子Ａに代えて導電性粒子Ｂを表１に示す配合量で配合した他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表１に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表１に示す。

（比較例１）
硬化剤（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）の３質量部に代えて硬化剤（四国化成社製、２ＭＺ−Ｈ）の１質量部を、導電性粒子Ａに代えて導電性粒子Ｂを表２に示す配合量で配合した他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表２に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表２に示す。

（比較例２）
導電性粒子Ａに代えて導電性粒子Ｄを表２に示す配合量で配合した他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表２に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表２に示す。

（比較例３）
導電性粒子Ａに代えて導電性粒子Ｄを表２に示す配合量で配合した他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
得られた回路基板の導電性接着剤層の層厚と、この層厚と導電性粒子の平均厚さの比を表２に示す。また、得られた回路基板の接続抵抗の測定結果を表２に示す。

（比較例４）
硬化剤を配合せず、導電性粒子Ａに代えて導電性粒子Ｂを表２に示す配合量で配合した他は、実施例１と同様にして回路基板を得ようとした。
しかし、熱プレス中に接着剤層が溶出してしまい、接着することができなかった。そのため、回路基板の導電性接着剤層の層厚と、接続抵抗は測定できなかった。

表１に示すように、実施例の回路基板では、シールド層とグランド用配線との接続抵抗が小さかった。
一方、表２の比較例１に示すように、熱プレス時貯蔵弾性率が高すぎると、シールド層とグランド用配線との接続抵抗が大きかった。また、比較例２、３に示すように、熱プレス時貯蔵弾性率が適切であっても、導電性粒子が球状の場合は、接続抵抗が大きかった。
また、比較例４に示すように、熱プレス時貯蔵弾性率が低すぎると、熱プレス時に接着剤層が溶出してしまい、接着が困難となることがわかった。

１Ａ 電磁波シールドフィルム、
１Ｃ 電磁波シールドフィルム、
１Ｄ 電磁波シールドフィルム、
２ 回路基板、
３ 絶縁フィルム付きプリント配線板、
１０ 絶縁樹脂層、
２２ シールド層、
２４ 導電性接着剤層、
２４ａ 接着剤成分、
２４ｂ 導電性粒子、
３０ 第１の離型フィルム、
３２ 離型フィルム本体、
３４ 粘着剤層、
４０ 第２の離型フィルム、
４２ 離型フィルム本体、
４４ 離型剤層、
５０ フレキシブルプリント配線板、
５２ ベースフィルム、
５４ プリント回路、
５４ａ グランド用配線、
６０ 絶縁フィルム、
６２ 貫通孔。

Claims (6)

1. 絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接し、少なくとも前記絶縁樹脂層とは反対側の最外層が金属薄膜層とされたシールド層と、前記シールド層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層とを備え、
   前記導電性接着剤層は、フレーク状の導電性粒子を含み、１００〜１９０℃における貯蔵弾性率の最低値が１．０×１０^３〜１．０×１０^５Ｐａである、電磁波シールドフィルム。
2. 前記導電性粒子の体積平均粒子径が１〜１００μｍである、請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
3. 前記導電性接着剤層１００質量％に占める前記導電性粒子の割合が、１質量％以上５０質量％以下である、請求項１又は２に記載の電磁波シールドフィルム。
4. 前記導電性接着剤層の層厚に対する前記導電性粒子の平均厚さの比が０．００２〜０．３である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
5. 基板の少なくとも一方の面にグランド用配線又はグランド層を含む回路が設けられた回路基板本体と、
   前記一方の面に隣接し、前記グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が形成された絶縁フィルムと、
   前記絶縁フィルムの前記回路基板本体とは反対側に隣接する請求項１〜４のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムと、を備え、
   前記電磁波シールドフィルムにおける前記導電性接着剤層が、前記絶縁フィルムに接着すると共に、前記貫通孔に貫入して、前記グランド用配線又はグランド層に接触している、回路基板。
6. 基板の少なくとも一方の面にグランド用配線又はグランド層を含む回路が設けられた回路基板本体に対して、前記グランド用配線又はグランド層に重なる部分に貫通孔が形成された絶縁フィルムを重ね、次いで、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムを前記導電性接着剤層が前記絶縁フィルムと前記導電性接着剤層とが接するように重ね、その後熱プレスする回路基板の製造方法。

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