JP2020038164A - 位置検出装置、位置検出方法、型、インプリント装置および、物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】型と基板との相対位置の検出精度の点で有利な位置検出装置を提供する。
【解決手段】第１方向に配列されたパターンを含む第１回折格子と、第１方向に配列されたパターンを含む第２回折格子とによって生じるモアレを検出する検出部と、モアレに基づいて、第１回折格子と第２回折格子との相対位置を求める制御部と、を有し、第１回折格子または第２回折格子と隣接して第３回折格子が配置され、第３回折格子は、第１方向に配列されたパターンと第１方向に交差する第２方向に配列されたパターンとを含み、第３回折格子に含まれるパターンは、第１回折格子または第２回折格子に含まれるパターンの周期である第１周期とは異なる第２周期で配置される。
【選択図】図１０

Description

位置検出装置、位置検出方法、型、インプリント装置および、物品の製造方法に関する。

インプリント技術は、基板上に供給されたインプリント材に型（モールド）を用いてパターンを形成することができる技術である。インプリント技術は、半導体デバイスや磁気記憶媒体などの量産用リソグラフィ技術の１つとして提案されている。このインプリント技術を用いたインプリント装置は、基板の上に供給されたインプリント材に型を用いてパターンを形成する。インプリント装置は、型とインプリント材を接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を引き離すことで基板上にインプリント材のパターンを形成する。

インプリント装置では、型とインプリント材を接触させる際に、型と基板とを正確に位置合わせ（アライメント）する必要がある。インプリント装置では位置合わせの方式として、例えば、ダイバイダイアライメント方式が採用されている。ダイバイダイアライメント方式とは、基板のショット領域に形成されたマークと型に形成されたマークを検出することによって位置合わせを行う方式である。このような型と基板との位置合わせに関する技術は、従来から提案されている。

特許文献１には、型と基板との位置合わせに用いるマークを検出するマーク検出装置を有するインプリント装置が提案されている。特許文献１では、型と基板との位置合わせに用いるマークとして、型及び基板のそれぞれに回折格子が設けられている。型及び基板に形成された回折格子は、型と基板の相対位置を求める方向（計測方向）に周期を有する回折格子である。さらに、型及び基板に形成された回折格子の少なくとも一方の回折格子は、計測方向に交わる方向（非計測方向）に周期を有する回折格子であり、例えばチェッカーボード状の回折格子である。

特許文献２には、型と基板の相対位置の検出精度を高めるために、回折格子からの信号を検出する際の画像処理領域を決定するための粗合わせ用マークを回折格子の近傍に構成する例が示されている。このような検出装置では、基板側の回折格子や型側の回折格子の端（回折格子のパターンの両端）から強い回折光や散乱光が発生しうる。また、その影響が位置検出装置で得られる検出信号に混入することで型と基板との位置合わせ精度（重ね合わせ精度）が低下することがある。特許文献３には、回折格子に含まれるパターンの端のパターンの幅を小さくすることにより、回折格子の端から発生する回折光や散乱光を低減する技術が提案されている。

特開２０１３−０３０７５７号公報 特許第５１９８０７０号公報 特開２０１６−０２７３２５号公報

しかしながら、従来技術では、型側の回折格子や基板側の回折格子の端部から発生する、マークの検出に関係しない回折光や散乱光（不要光）を十分に低減することができない。また、従来技術では回折格子の近傍に粗合わせに用いられるアライメントマーク（粗合わせマーク）が構成される場合について考慮されておらず、回折格子の端部から発生する不要光が粗合わせマークからの信号に混入しうる。これにより、粗合わせマークの検出精度が低下する恐れがある。

本発明は、例えば、型と基板との相対位置の検出精度の点で有利な位置検出装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、第１方向に配列されたパターンを含む第１回折格子と、第１方向に配列されたパターンを含む第２回折格子とによって生じるモアレを検出する検出部と、モアレに基づいて、第１回折格子と第２回折格子との相対位置を求める制御部と、を有し、第１回折格子または第２回折格子と隣接して第３回折格子が配置され、第３回折格子は、第１方向に配列されたパターンと第１方向に交差する第２方向に配列されたパターンとを含み、第３回折格子に含まれるパターンは、第１回折格子または第２回折格子に含まれるパターンの周期である第１周期とは異なる第２周期で配置される、ことを特徴とする。

本発明によれば、例えば、型と基板との相対位置の検出精度の点で有利な位置検出装置を提供することができる。

本実施形態に係る位置検出装置を備えたインプリント装置の構成を示す概略図である。 インプリント方法を説明するフロー図である。 第１実施形態の検出部の構成の一例を示す概略図である。 第１実施形態の検出部の構成の他例を示す概略図である。 検出部の瞳における照明光の分布と検出光学系のＮＡとの関係を示す図である。 モアレの発生の原理及びモアレを用いたマークの相対位置の検出を説明するための図である。 型および基板に設けられる回折格子の一例を示す図である。 型および基板に設けられる回折格子の一例を示す図である。 モアレ信号の一例を示す図である。 パターンＰＰ１およびパターンＰＰ２を計測方向に配置した例を示す図である。 モアレ信号の比較例を示す図である 周期がＰｗの基板側回折格子１１ａとＰｗ／ｎと異なる周期をもつパターンＰＰ２との間にパターンＡＰを追加した拡大図である。 パターンＰＰ１およびパターンＰＰ２を非計測方向に配置した例を示す図である。 パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２の他例を示す図である。 物品の製造方法を説明するための図である。

以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

＜第１実施形態＞
（インプリント装置について）
図１は、本実施形態に係る位置検出装置（検出部３）を備えたインプリント装置１の構成を示す概略図である。なお、本実施形態に係る位置検出装置は、露光装置など他のリソグラフィ装置にも適用可能である。インプリント装置１は、基板８上に供給されたインプリント材９を型７と接触させ、インプリント材９に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。例えばインプリント装置は、半導体デバイスなどのデバイス製造に使用される。図１に示すように、以下の図面では基板および型の平行な面内に、互いに直交するＸ軸およびＹ軸をとり、Ｘ軸とＹ軸に直交する方向をＺ軸として説明する。インプリント装置１は、凹凸状のパターン７ａが形成された型７を用いて基板８上にパターンを形成する。インプリント装置１は、基板８に供給されたインプリント材９と型７を接触させた状態で、インプリント材９を硬化させる。そして、硬化したインプリント材９から型７を引き離すことによって、基板８上にインプリント材のパターンを形成することができる。

インプリント材９には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。

インプリント装置１は、照射部２と、検出部３、型保持部４、基板ステージ５、供給部６、制御部１２を備える。本実施形態に係るインプリント装置１は、インプリント材９を硬化させる方法として、紫外線などの光の照射によって基板上のインプリント材９を硬化させる光硬化法が採用されている。

照射部２は、インプリント材９を硬化させるために、光を照射する。照射部２は光源（不図示）を備えている。光源としては、例えば、高圧水銀ランプ、各種エキシマランプ、エキシマレーザーまたは発光ダイオード（ＬＥＤ）など用いることができる。また、照射部２は光源から射出される光を基板上のインプリント材に対して所定の形状で均一に照射するための複数の光学素子を備えていても良い。照射部２から照射された光の基板上の照射領域（照射範囲）は、型７のパターン７ａが形成されている領域の面積と同程度、または、わずかに大きいことが望ましい。これは、照射領域を必要最小限とすることで、光の照射に伴う熱に起因して型７または基板８が膨張し、インプリント材９に形成されるパターンに位置ズレや歪みが発生することを低減することができる。加えて、基板８などで反射した光がインプリント材を塗布（供給）する供給部６に到達し、供給部６の吐出口に残留したインプリント材が硬化してしまうことを低減することができる。

検出部３は、型７と基板８の相対的な位置合わせのためにマークの検出を行う。具体的には、検出部３は型７に形成された型側マーク１０と基板８に形成された基板側マーク１１を検出し、検出されたマークから制御部１２が型７と基板８の相対的な位置を求める。また、後述するように検出部３が、型側マーク１０と基板側マーク１１からの回折光によって生じるモアレを検出することで、制御部１２が型７と基板８の相対的な位置を求めることができる。検出部３の光軸は型７または基板８に対して鉛直方向になるように配置されている。また、検出部３には駆動機構が設けられていてもよく、検出部３は型側マーク１０と基板側マーク１１の位置に合わせて、型７と基板８の面に沿って移動することができる。さらには、検出部３の光学系の焦点をマークの位置に合わせるために型７と基板８の面に垂直な方向（Ｚ方向）に移動してもよい。なお、本実施形態においては、一例として複数の検出部３を配置したが、検出部３は一つであってもよい。

制御部１２は、検出部３で検出されたモアレに基づいて、型７と基板８との相対位置を求める。また、制御部１２は、型７と基板８の相対的な位置に基づいて型保持部４や基板ステージ５や後述の形状補正機構を制御する。制御部１２はインプリント装置１に設けてもよいし、インプリント装置１とは別の場所に設置し遠隔で制御しても良い。本実施形態において、検出部３の制御は制御部１２が行うが、検出部３に別途制御部を設けても良い。

型保持部４は、真空吸着力や静電力により型７を保持する型チャック機構を含む。型保持部４は、パターン７ａが形成されている面が基板８に対向するように型７を保持する。照射部２は型７を介して光をインプリント材９に照射するため、型７は光を透過する材料（例えば石英）で作られている。また、型保持部４は、基板８上のインプリント材９と型７を接触させるために型７を移動させるための型駆動機構（不図示）を含んでいる。型駆動機構は型７を基板８に近づけたり離したりする方向（Ｚ方向）に動かすことができる。さらに、型保持部４には、型７を変形させるための形状補正機構１３を含む。形状補正機構１３としては、例えば、型７の側面から力を加えることによって、型７を変形させるものがある。

基板ステージ５は、真空吸着力や静電力により基板８を保持する基板チャック機構と、基板８をＸＹ面内の方向に移動させるための基板駆動機構（不図示）を含む。なお、インプリント装置１では、型保持部４（型７）がＺ方向に移動することで、型７とインプリント材９を接触させたり（押印）引き離したり（離型）しているが、基板ステージ５（基板８）がＺ方向に移動してもよい。また、型保持部４と基板ステージ５の両方を移動させてもよい。基板８は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。

供給部６（ディスペンサ）は、基板８上にインプリント材９を供給する。供給部６は、インプリント材９を供給するための吐出口（ノズル）を備えている。インプリント材９は、スピンコーターやスリットコーターにより基板８上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材９の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。このため、供給部６は、インプリント装置１の内部に備えていなくてもよい。例えば、インプリント装置１の外部に設けられた供給機構により予めインプリント材が供給された基板８をインプリント装置１に搬入する形態もあり得る。

（インプリント方法について）
インプリント装置１によるインプリント方法について説明する。図２は、インプリント方法を説明するフロー図である。まず、基板搬送部（不図示）は基板８をインプリント装置１に搬送し、基板８を基板ステージ５に載置する。基板ステージ５に保持された基板８は、その表面に供給部６を用いてインプリント材９を供給するために供給位置へ移動する。その後、供給部６は基板８上の所定のショット領域（インプリント領域）にインプリント材９を供給する（供給工程）。図２（Ａ）は、供給工程が完了した状態を示している。例えば、図２（Ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材１４が表面に形成されたシリコンウエハ等の基板８を用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材１４の表面にインプリント材９を付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材９が基板８上に付与された様子を示している。

次に、インプリント材９が供給されたショット領域が、型７（パターン７ａ）の直下に移動する。図２（Ｂ）は、ショット領域が、型７（パターン７ａ）の直下へ移動した状態を示している。図２（Ｂ）に示すように、インプリント用の型７を、その凹凸パターンが形成された側を基板８上のインプリント材９に向け、対向させる。

次に、基板８上に供給されたインプリント材９に型７を接触させる（押印工程）。図２（Ｃ）は、このとき、基板８上に供給されたインプリント材９に型７を接触させた状態を示している。インプリント材９が供給された基板８に対して、型７を押し当て、圧力を加える。これにより、インプリント材９は型７と被加工材１４との隙間に充填され、さらにインプリント材９は、パターン７ａの凹部に充填される。この状態で、検出部３が型側マーク１０および基板側マーク１１を検出する。インプリント装置１は、検出部３の検出結果に基づいて、型７と基板８の位置合わせや形状補正機構１３による型７の形状補正などを実施する。

インプリント材９のパターン７ａへの充填と、型７と基板８との位置合わせおよび型７の形状補正などが十分になされた段階で、照射部２は光を照射しインプリント材９を硬化させる（硬化工程）。例えば、図２（Ｃ）に示す状態で硬化用のエネルギーとして光を照射すると、インプリント材は硬化する（硬化工程）。

インプリント材９を硬化させた後、硬化したインプリント材９から型７を引き離すことにより、基板８の上にインプリント材９のパターンが形成される（離型工程）。図２（Ｄ）は、離型が完了した状態を示している。図２（Ｄ）に示すように、インプリント材９を硬化させた後、型７を基板８から引き離すと、基板８上にインプリント材９の硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材９に型７の凹凸パターンが転写されたことになる。図２（Ａ）〜図２（Ｄ）の工程をショット領域ごと繰返すことにより、基板８上の複数のショット領域に対してインプリント材のパターンを形成することができる。

（位置合わせ方法について）
型７に形成された型側マーク１０と、基板８に形成された基板側マーク１１を検出し、型７と基板８を位置合わせする方法について説明する。図３は、第１実施形態の検出部３の構成の一例を示す概略図である。検出部３は、検出光学系２１と照明光学系２２を含む。照明光学系２２は光源２３からの光を、プリズム２４などの光学部材を用いて検出光学系２１と同じ光路へ導き、型側マーク１０および基板側マーク１１を照明する。光源２３には例えばハロゲンランプやＬＥＤなどが用いられる。光源２３から照射される光の波長は、照射部２から照射される光の波長とは異なる波長であることが望ましい。例えば、照射部２から照射される光に紫外線を用いて、光源２３から照射される光に可視光や赤外線を用いる。

検出光学系２１と照明光学系２２はそれらを構成する光学部材の一部を共有するように構成されており、プリズム２４は検出光学系２１と照明光学系２２の瞳面もしくはその近傍に配置されている。型側マーク１０および基板側マーク１１はそれぞれ回折格子で構成されている。照明光学系２２によって照明された型側マーク１０からの回折光と、基板側マーク１１からの回折光により生じるパターン（モアレ）は撮像素子２５によって検出される。検出光学系２１は型側マーク１０および基板側マーク１１からの光を撮像素子２５に導く。撮像素子２５はＣＣＤやＣＭＯＳなどが用いられる。

プリズム２４は、その貼り合せ面において、照明光学系２２の瞳面の周辺部分の光を反射するための反射膜２４ａを有する。反射膜２４ａは、照明光学系２２の瞳強度分布の形状を規定する開口絞りとして働く。また、反射膜２４ａは検出光学系２１の瞳の大きさを規定する開口絞りとして働く。あるいは検出ＮＡ（ＮＡｏ）を規定する。プリズム２４は、貼り合せ面に半透膜を有するハーフプリズムや、あるいはプリズムに限らず表面に反射膜を成膜した板状の光学素子などであってもよい。さらに、照明光学系２２あるいは検出光学系２１の瞳形状を変化させるために、プリズム２４は不図示のターレットやスライド機構の切り換え機構によって、他の開口形状を有するプリズムと交換可能にしてもよい。また、プリズム２４が配置される位置は、必ずしも検出光学系２１と照明光学系２２の瞳面もしくはその近傍でなくてもよい。

さらに、瞳強度分布の形状を規定する開口絞りはプリズム２４に配置しなくても良い。図４は、第１実施形態の検出部３の構成の他例を示す概略図である。例えば、図４に示すように、検出光学系２１の瞳面に開口絞り２６を配置し、照明光学系２２の瞳面に開口絞り２７を配置する。開口絞り２６は検出光学系２１の瞳の大きさを規定し、開口絞り２７は照明光学系２２の瞳強度分布を規定する。このとき、プリズム２４にはその貼り合せ面に半透膜を有するハーフプリズム等が用いられる。さらに、開口絞り２６および開口絞り２７は、不図示のターレット等の切り換え機構によって、異なる開口形状を有する開口絞りに切り替え可能にしてもよい。

図５は、検出部３の瞳における照明光の分布と検出光学系のＮＡとの関係を示す図である。図５では、瞳の大きさを開口数ＮＡで示している。本実施形態の照明光学系２２の瞳における照明光の分布はＩＬ１からＩＬ４の４つの照明光の分布を含む。前述のように照明光学系２２の瞳面に開口絞り２７を配置することによって、１つの光源２３から複数の照明光の分布を形成することができる。照明光の分布ＩＬ１〜ＩＬ４はそれぞれ直径ＮＡｐの円形である。ここでは、Ｘ軸とＹ軸の交点を検出光学系と照明光学系の光軸とする。

照明光の分布ＩＬ１とＩＬ２は、照明光学系の瞳面のＹ軸上の光軸からそれぞれプラス方向とマイナス方向にＮＡｉｌだけ離れた位置に配置されている。このように、光軸上を除きＹ軸方向に平行な軸上に、光軸に対して対称に配置することができる。また、照明光の分布の大きさはＮＡｐである。照明光の分布ＩＬ３とＩＬ４は照明光学系の瞳面のＸ軸上の光軸からそれぞれプラス方向とマイナス方向にＮＡｉｌだけ離れた位置に配置されている。このように、光軸上を除きＸ軸方向に平行な軸上に、光軸に対して対称に配置することができる。また、照明光の分布の大きさはＮＡｐである。

このように、照明光学系２２には型側マーク１０および基板側マーク１１に対して斜入射照明を行うように照明光の分布が形成されている。このとき、型側マーク１０および基板側マーク１１への入射角度θは、
θ＝ｓｉｎ−１（ＮＡｉｌ） ・・・式１
である。また、ＮＡｏ、ＮＡｐ、ＮＡｉｌは下記の式２を満足する。
ＮＡｏ＜ＮＡｉｌ−ＮＡｐ／２ ・・・式２
すなわち型側マーク１０および基板側マーク１１からの正反射光（ゼロ次回折光）を検出しない構成（暗視野照明）になっている。

次に図６を用いて、型側マーク１０および基板側マーク１１からの回折光により生じるパターン（モアレ）の発生する原理とモアレを用いた相対位置検出について説明する。図６は、モアレの発生の原理及びモアレを用いたマークの相対位置の検出を説明するための図である。図６（Ａ）は、回折格子３１を示す図である。図６（Ｂ）は、回折格子３２を示す図である。回折格子３１のパターンと回折格子３２のパターンは、計測方向（図６ではＸ軸方向）の周期が互いに僅かに異なっている。回折格子のパターンの周期が異なる２つの回折格子を重ねると、２つの回折格子からの回折光により、図６（Ｃ）に示すように２つの回折格子の周期差を反映した周期を有するパターン（いわゆるモアレ）が現れる。このとき、２つの回折格子の相対的な位置によってモアレの位相が変化するので、検出部３でモアレを検出することにより基板８と型７の位置合わせを行うことができる。ここで、回折格子の周期とは計測方向に配列されているパターンとパターンの間隔を示す。

モアレは、２つの回折格子３１と回折格子３２の相対的な位置によって明暗の位置（縞の位相）が変化する。例えば、一方の回折格子をＸ方向にシフトすると、図６（Ｃ）のモアレは図６（Ｄ）のように変化する。このモアレは、２つの回折格子が実際にシフトした大きさよりも、大きな周期でモアレの位相が変化するため、検出光学系２１の解像力が低くても、精度良く二物体間の相対的な位置を計測することができる。

ここで、モアレを検出するために図６（Ａ）と図６（Ｂ）の回折格子を明視野で検出（垂直方向から照明し、垂直方向から回折光を検出）しようとすると、回折格子からのゼロ次光も検出してしまう。ゼロ次光はモアレのコントラスを下げる要因になるので、本実施形態の検出部３は、前述のようにゼロ次光を検出しない暗視野の構成をとっている。そこで、斜入射で照明する暗視野の構成でもモアレを検出できるように、型側マーク１０の回折格子と基板側マーク１１の回折格子のいずれか一方を、計測方向（Ｘ方向）に交差する非計測方向（Ｙ方向）に周期構造を設ける。例えば、図７（Ａ）に示すようなチェッカーボード状の型側回折格子１０ａにする。型側マークの回折格子と基板側マークの回折格子のどちらの回折格子をチェッカーボード状の回折格子にしても、基本的に同様の効果を得ることが可能であるが、以下では型側マーク１０の回折格子をチェッカーボード状にした場合を説明する。

図７（Ａ）は、型側マーク１０の回折格子（第１回折格子）である型側回折格子１０ａを図示したものであり、図７（Ｂ）は、基板側マーク１１の回折格子（第２回折格子）である基板側回折格子１１ａを図示したものである。検出部３で型側回折格子１０ａと基板側回折格子１１ａからの回折光を検出することで、型７と基板８のＸ方向に関する相対位置を求めることができる。型側マーク１０はＹ方向とＸ方向にそれぞれ周期Ｐｍの周期構造を有するチェッカーボード状の型側回折格子１０ａである。また、基板側マーク１１はＸ方向に周期Ｐｍと異なる周期Ｐｗの周期構造をもつ基板側回折格子１１ａである。

Ｘ方向に関する相対位置を検出するためのモアレは、型側回折格子１０ａと基板側回折格子１１ａを照明光学系から照射した光で照明することで発生する。すなわち、図５に示した照明光学系２２の瞳においてＹ軸に沿った方向に並んだ照明光の分布ＩＬ１とＩＬ２によってモアレは発生する。

ここで、型側回折格子１０ａと基板側回折格子１１ａとのＸ方向に関する相対位置がＰｍ／２もしくはＰｗ／２ずれると、型側回折格子１０ａと基板側回折格子１１ａとのＸ方向に関する相対位置が全くずれていないときと同じ位相のモアレが発生する。すなわち、型側回折格子１０ａと基板側回折格子１１ａとのＸ方向に関する相対位置がＰｍ／４あるいはＰｗ／４以上ずれると、相対位置を誤って計測してしまう。そのため、型側回折格子１０ａと基板側回折格子１１ａとのＸ方向に関する相対位置がＰｍ／４あるいはＰｗ／４以上ずれていないことを確認するための、型側アライメントマーク４０（型側粗合わせマーク）及び基板側アライメントマーク４１（基板側粗合わせマーク）が構成されている。

型側マーク１０と基板側マーク１１との相対位置検出は、以下の２段階のステップで行われる。まず型側アライメントマーク４０と基板側アライメントマーク４１との相対位置を検出して、相対位置がＰｍ／４もしくはＰｗ／４以下となるように、型側マーク１０と基板側マーク１１との相対位置合わせを行う。その後、型側回折格子１０ａと基板側回折格子１１ａとで発生するモアレを検出することで、型側マーク１０と基板側マーク１１との相対位置を精密に検出する。

従って、型側アライメントマーク４０と基板側アライメントマーク４１との相対位置の計測精度はＰｍ／４あるいはＰｗ／４以下であれば良く、その数や形状、線幅等に限定されない。本実施形態においては十字状のアライメントマークを例示的に示しているが、単純な四角形状のマークでも良い。また、型側アライメントマーク４０と基板側アライメントマーク４１とで所謂Ｂｏｘ ｉｎ ＢｏｘやＢａｒ ｉｎ Ｂａｒマークを構成するようにしても良い。また、型側アライメントマーク４０及び基板側アライメントマーク４１は、撮像素子２５上でのモアレの位置を特定し、画像処理する領域を決定する役割も有する。

また、型側アライメントマーク４０及び基板側アライメントマーク４１の信号がモアレに混入すると、型側回折格子１０ａと基板側回折格子１１ａとの相対位置の検出結果に誤差が生じる恐れがある。このため、型側アライメントマーク４０及び基板側アライメントマーク４１と型側回折格子１０ａ及び基板側回折格子１１ａとの距離は十分離すことが望ましく、少なくともエアリーディスク径（λを波長として、１．２２×λ／ＮＡｏ）以上離すことが望ましい。

図８（Ａ）は、型側回折格子１０ｂを図示したものであり、図８（Ｂ）は、基板側回折格子１１ｂを図示したものである。検出部３で型側回折格子１０ｂと基板側回折格子１１ｂからの回折光を検出することで、型７と基板８のＹ方向に関する相対位置を求めることができる。型側マーク１０はＹ方向とＸ方向にそれぞれ周期Ｐｍの周期構造を有するチェッカーボード状の型側回折格子１０ｂである。また、基板側マーク１１はＹ方向に周期Ｐｍと異なる周期Ｐｗの周期構造をもつ基板側回折格子１１ｂである。

Ｙ方向に関する相対位置を検出するためのモアレは、型側回折格子１０ｂと基板側回折格子１１ｂを照明光学系から照射した光で照明することで発生する。すなわち、図５に示した照明光学系２２の瞳においてＸ軸に沿った方向に並んだ照明光の分布ＩＬ３とＩＬ４によってモアレは発生する。

ここで、型側回折格子１０ｂと基板側回折格子１１ｂとのＸ方向に関する相対位置がＰｍ／２あるいはＰｗ／２ずれると、型側回折格子１０ｂと基板側回折格子１１ｂとのＹ方向に関する相対位置が全くずれていないときと同じ位相のモアレが発生する。すなわち、型側回折格子１０ｂと基板側回折格子１１ｂとのＸ方向に関する相対位置がＰｍ／４あるいはＰｗ／４以上ずれると、相対位置を誤って計測してしまう。そのため、型側回折格子１０ｂと基板側回折格子１１ｂとのＹ方向に関する相対位置がＰｍ／４あるいはＰｗ／４以上ずれていないことを確認するための、型側アライメントマーク４０及び基板側アライメントマーク４１が構成されている。

このように、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示す回折格子の組と、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示す回折格子の組とを検出光学系２１の同一視野内に配置し、１つの検出系で２つの方向の相対位置を検出する場合には、図５に示す照明光の分布は有効である。

ここまで、計測方向と非計測方向が垂直な場合について説明したが、計測方向と非計測方向は必ずしも垂直である必要はない。そのため、計測方向と非計測方向が垂直に出ない場合には、その角度に合わせた照明光の分布が適宜選択される。また、同一視野内に配置されたＸ方向に関する相対位置を検出するためのモアレとＹ方向に関する相対位置を検出するためのモアレとを同時に検出する必要はなく、順次検出しても良い。

上述した回折格子に光を照明すると、回折格子の端部では照明光が散乱あるいは回折され、大きな信号（光）が発生する。この大きな信号はアライメントマークの相対位置を計測するのには不要となる信号である。例えば、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示す回折格子の組に光を照射した際の、光学シミュレーションによって求めた回折格子からの信号の大きさ（光の強度）を図９に示す。図９は、モアレ信号の一例を示す図である。図９は、横軸を計測方向の位置とし、縦軸をアライメントマークからの信号強度（光の強度）としている。図９を参照するに、回折格子のパターンの端部でも大きな信号（光）が発生していることが確認できる。これは、回折格子のパターンが端部で途切れることによって発生した信号であると考えられる。このように、回折格子の端部で発生する信号（不要光）がモアレやアライメントマークに混入すると、回折格子の相対位置の検出結果に誤差が生じる恐れがある。

そこで本実施形態に係る回折格子は、型７や基板８に形成された回折格子の周辺部または回折格子とアライメントマークとの間にパターンを追加することによって、この影響を低減する。

図１０は、パターンＰＰ１およびパターンＰＰ２を計測方向に配置した例を示す図である。図１０（Ａ）は、型側回折格子１０ａの計測方向にパターンＰＰ１を配置した例の拡大図である。図１０（Ｂ）は、基板側回折格子１１ａの計測方向にパターンＰＰ２を配置した例の拡大図である。パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２は、計測方向（第１方向、例えばＸ方向）に配列されたパターンと計測方向に交差する非計測方向（第２方向、例えばＹ方向）に配列されたパターンとを含む。

パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２は、型側回折格子１０ａ及び基板側回折格子１１ａにそれぞれ隣接して配置される、例えば、チェッカーボード状の周期パターン（回折格子）である。パターンＰＰ１の周期Ｐｍｐ及びパターンＰＰ２の周期Ｐｗｐは、型側回折格子１０ａの周期Ｐｍ及び基板側回折格子１１ａの周期Ｐｗ（第１周期）と同じか、それよりも小さく、検出光学系の解像力よりも小さいことが望ましい。なお、図１０において、パターンＰＰ１の計測方向の周期を周期Ｐｍｐ１と、非計測方向の周期をＰｍｐ２とし、パターンＰＰ２の計測方向の周期を周期Ｐｗｐ１と、非計測方向の周期をＰｗｐ２とする。さらに好適には型側回折格子１０ａまたは基板側回折格子１１ａの周期の１／ｎ（ｎは１以上の整数）であることが望ましい。また、パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２の線幅は、パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２同等であることが望ましい。また、型側回折格子１０ａのパターンの線幅と周期の比＝パターンＰＰ１の線幅と周期の比とすることで、不要光を低減する効果が最大となる。パターンＰＰ２についても同様である。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）においては、パターンＰＰ１の周期Ｐｍｐ及びパターンＰＰ２の周期Ｐｗｐは、型側回折格子１０ａの周期Ｐｍ及び基板側回折格子１１ａの周期Ｐｗの１／２である。

また、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）において、パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２内にそれぞれ破線で示される非パターン領域はパターンＰＰ１及びパターンＰＰ２内に構成された型側アライメントマーク４０および基板側アライメントマーク４１である。すなわち、パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２は、型側回折格子１０ａ及び基板側回折格子１１ａとアライメントマークとの間にも構成されている。ここで、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示した回折格子の組によるモアレ縞を光学シミュレーションによって求めた結果を図１１に示す。図１１は計測方向の位置を横軸に、信号強度を縦軸にとっている。図１１ではパターンＰＰ１及びパターンＰＰ２の効果によって、計測方向端部の信号が減少していることが分かる。本実施形態においては、回折格子の周辺部に配置されるパターンＰＰ１及びパターンＰＰ２（周辺パターン）の周期を回折格子の周期の１／ｎとすることで、周辺パターンが回折格子と同じ周期の構造も包含する構造となっている。そのため、回折格子と周辺パターンとの境界で散乱光が発生しにくくなり、回折格子端で発生する信号が低減したと考えられる。回折格子周辺部の周辺パターンの周期は、必ずしも回折格子の周期の１／ｎである必要はないが、周辺パターンの周期が回折格子の周期の１／ｎから離れるほど、回折格子端で発生する信号を低減する効果は薄れてしまう。そのため、周辺パターンの周期は、回折格子の周期の０．８／ｎ以上かつ回折格子の周期の１．２／ｎ以下であることが望ましい。

型７または基板８の加工上、どうしても周辺パターンの周期を回折格子の１／ｎにできない場合には、回折格子と周辺パターンとの間に、周辺パターンの周期の１／２よりも小さい線幅のパターンを追加してもよい。図１２は、周期がＰｗの基板側回折格子１１ａとＰｗ／ｎと異なる周期をもつパターンＰＰ２との間にパターンＡＰを追加した拡大図である。回折格子と周辺パターンとの間に、周辺パターンの周期の１／２よりも小さい線幅のパターンＡＰを追加することで、回折格子と周辺パターンとの間の位相の変化が連続的になり、回折格子の端部で発生する信号（散乱光）を低減することができる。

また、本実施形態のパターンＰＰ１及びパターンＰＰ２はチェッカーボード状の周期パターンとなっていることから、パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２では計測方向及び非計測方向と異なる（斜めの）方向に光が回折される。従って、図５に示したような四重極状の照明でアライメントマークを照明した場合には、パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２からの回折光は検出光学系で検出されない。すなわち、周辺パターン自身がモアレ計測に不要な光を発生させることはない。なお、パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２は、第１方向に配列されたパターンと第１方向に交差する第２方向に配列されたパターンとを含んでいれば良く、例えば、ドットや菱形などのチェック状であっても良い。

なお、本実施形態においては、パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２の計測方向の周期（Ｐｍｐ１、Ｐｗｐ１）と非計測方向の周期（Ｐｍｐ２、Ｐｗｐ２）をそれぞれ等しくしているが、これに限定されない。パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２の計測方向と非計測方向の周期は異なっていても良い。また、パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２の数や周期は組み合わされる回折格子や検出光学系の構成により適宜選択され、そのパターンの数や形状及び周期に限定されない。しかし、パターンＰＰ１もしくはパターンＰＰ２、更にはパターンＰＰ１とパターンＰＰ２の両方で回折された光（特に低次の回折光）が検出光学系で検出されないように、適切な組み合わせを選択する必要がある。

ここで、型側回折格子１０ａと基板側回折格子１１ａのそれぞれの周辺部にパターンＰＰ１とパターンＰＰ２を追加した場合の型側アライメントマーク４０及び基板側アライメントマーク４１の構成について説明する。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）においては、パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２のパターンの一部を抜くことで、型側アライメントマーク４０及び基板側アライメントマーク４１を構成している。周期パターンであるパターンＰＰ１及びパターンＰＰ２から、そのパターンの一部を抜くことで周期パターンの端部を作り、そこで発生する信号（散乱光）を利用してアライメントマークとしている。

ただし、型７と基板８との相対位置を検出するときは、型７を通して基板側アライメントマーク４１を観察することになる。従って、基板側アライメントマーク４１に相当する型側の位置にパターンＰＰ１が構成されていると、パターンＰＰ１を通して基板側アライメントマーク４１を観察することになり、基板側アライメントマーク４１を誤検出する場合がある。そのため、本実施形態においては、基板側アライメントマーク４１に相当する型側の位置にはパターンＰＰ１を配置せず非パターン領域としている。型側には、型を通して基板側アライメントマークを観察するのに十分な非パターン領域を設け、その周辺部が型側アライメントマーク４０となる構成としている。すなわち、図１０（Ａ）の型側アライメントマーク４０からは非パターン領域の位置に信号が得られ、その中に図１０（Ｂ）の基板側アライメントマーク４１の信号が得られる。なお、非パターン領域内に十字状のアライメントマークなどのマークを設ける構成としても良い。

また、本実施形態においては基板側アライメントマーク４１を、パターンＰＰ２の一部を抜くことで周期パターンの端部を作り、そこで発生する信号（散乱光）を利用しているが、アライメントマークの構成は、これに限定されない。例えば、パターンＰＰ２の一部を繋げることで周期パターンの端部を作り、そこで発生する信号（散乱光）を利用してアライメントマークとしてもよい。もしくは、パターンＰＰ２の中に、さらに異なる周期をもつ周期パターンを配置して、それをアライメントマーク（アライメント回折マーク）としてもよい。このとき、アライメント回折マークの周期をλ／ＮＡｉｌとすれば、一次回折光を効率よく検出できるため、精度良くアライメントマークを検出することができる。

ここまで、パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２を回折格子の計測方向の周辺部に追加した場合について説明してきたが、回折格子の非計測方向の周辺部にパターンを追加してもよい。図１３は、パターンＰＰ１およびパターンＰＰ２を非計測方向に配置した例を示す図である。図１３（Ａ）は、型側回折格子１０ａの非計測方向にパターンＰＰ１を配置した例の拡大図である。図１３（Ｂ）は、基板側回折格子１１ａの非計測方向にパターンＰＰ２を配置した例の拡大図である。

図１３（ａ）におけるパターンＰＰ１の周期は型側回折格子１０ａの周期の１／２であり、図１３（ｂ）におけるパターンＰＰ２の周期は基板側回折格子１１ａの周期と等しい。このように回折格子の非計測方向の周辺部にパターンを追加した場合でも、計測方向に配置した場合と同様に、回折格子の端部で発生する信号を低減することができる。

パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２の他の構成としては、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すパターンとしてもよい。図１４（ａ）のパターンＰＰ１は、計測方向に型側回折格子１０ａの周期の１／２の周期をもつ周期パターンであり、図１４（ｂ）のパターンＰＰ２は、計測方向に基板側回折格子１１ａの周期の１／３の周期をもつ周期パターンである。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すパターンにおいても、周辺パターンの周期は検出光学系の解像力よりも小さく、回折格子周辺部の周辺パターンの周期を回折格子の周期の１／ｎとする。これにより、周辺パターンが回折格子と同じ周期の構造も包含する構造となっている。そのため、回折格子と周辺パターンとの境界で散乱光が発生しにくくなり、回折格子端で発生する信号が低減する。

ただし、本構成のパターンＰＰ１及びパターンＰＰ２に入射した光は計測方向に回折される。パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２もしくはその両方によって回折された光（特に低次回折光）が検出ＮＡ（ＮＡｏ）に入射してしまうと、モアレ計測に不要な光を発生してしまう。そのため、パターンＰＰ１とパターンＰＰ２の周期は、パターンＰＰ１及びパターンＰＰ２もしくはその両方によって回折された光（特に低次回折光）が検出ＮＡ（ＮＡｏ）に入射しないように選択されなければならない。

なお、本実施形態では型側回折格子１０ａと基板側回折格子１１ａの両方にパターンＰＰ１とパターンＰＰ２をそれぞれ配置したが、いずれか一方の回折格子にパターンＰＰ１もしくはパターンＰＰ２を配置するだけでもよい。

以上、本実施形態では回折格子を暗視野検出する場合について説明したが、回折格子を明視野検出する場合にも同様に、回折格子の端部から散乱光あるいは回折光が発生し、検出精度を悪化させる要因となり得る。従って、回折格子を明視野検出する場合にも、回折格子の周辺部あるいは回折格子とアライメントマークとの中間部に回折格子の周期と同じかそれよりも短い周期のパターンを構成することで、回折格子の相対的な位置の検出精度を向上することができる。

また、本実施形態では型側の型側回折格子１０ａと基板側の基板側回折格子１１ａとの周期が異なる場合について説明したが、型側の型側回折格子１０ａと基板側の基板側回折格子１１ａとの周期は同一でもよい。このような場合においても、回折格子の周辺部あるいは回折格子とアライメントマークとの間に回折格子の周期と同じかそれよりも小さい周期のパターンを構成することで、回折格子の相対的な位置の検出精度を向上することができる。

このように、本実施形態では、型側の型側回折格子１０ａ及び基板側の基板側回折格子１１ａのうち少なくともいずれか一方の回折格子の周辺部あるいは回折格子とアライメントマークとの間に、回折格子の周期よりも小さい線幅のパターンを構成している。これにより、型側の型側回折格子１０ａ及び基板側の基板側回折格子１１ａの端部から強い散乱光あるいは回折光が発生することを低減し、検出部３は、かかる回折格子の相対位置を高精度に検出することができる。従って、インプリント装置１は、検出部３の検出結果に基づいて、型７と基板８との位置合わせを高精度に行うことができ、パターンの転写不良（製品不良）を低減することができる。

（物品の製造方法）
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用の型等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１５（Ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図１５（Ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１５（Ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透過させて照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図１５（Ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１５（Ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１５（Ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

（その他の実施形態）
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。

３ 検出部（位置検出装置）
１０ａ、ｂ 型側回折格子
１１ａ、ｂ 基板側回折格子
４０ 型側アライメントマーク
４１ 基板側アライメントマーク

Claims (15)

1. 第１方向に配列されたパターンを含む第１回折格子と、前記第１方向に配列されたパターンを含む第２回折格子とによって生じるモアレを検出する検出部と、
   前記モアレに基づいて、前記第１回折格子と前記第２回折格子との相対位置を求める制御部と、を有し、
   前記第１回折格子または前記第２回折格子と隣接して第３回折格子が配置され、
   前記第３回折格子は、前記第１方向に配列されたパターンと前記第１方向に交差する第２方向に配列されたパターンとを含み、前記第３回折格子に含まれるパターンは、前記第１回折格子または前記第２回折格子に含まれるパターンの周期である第１周期とは異なる第２周期で配置される、ことを特徴とする位置検出装置。
2. 前記第１回折格子および前記第２回折格子の近傍には、それぞれアライメントマークが配置され、
   前記第３回折格子は、前記第１回折格子または前記第２回折格子と前記アライメントマークとの間に配置される、ことを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
3. 前記第２周期は前記第１周期よりも小さい、ことを特徴とする請求項１または２に記載の位置検出装置。
4. 前記第２周期は、前記第１周期の１／ｎ（ｎは１以上の整数）である、ことを特徴とする請求項３に記載の位置検出装置。
5. 前記第２周期は、前記第１周期の０．８／ｎ（ｎは１以上の整数）以上、１．２／ｎ以下である、請求項１または２に記載の位置検出装置。
6. 第１方向に配列されたパターンを含む第１回折格子と、前記第１方向に配列されたパターンを含む第２回折格子とによって生じるモアレを検出する検出部と、
   前記モアレに基づいて、前記第１回折格子と前記第２回折格子との相対位置を求める制御部と、を有し、
   前記第１回折格子および前記第２回折格子の近傍には、アライメントマークがそれぞれ配置され、
   前記第１回折格子または前記第２回折格子と前記アライメントマークとの間に第３回折格子が配置され、
   前記第３回折格子は、前記第１方向に配列されたパターンと前記第１方向に交差する第２方向に配列されたパターンとを含み、前記第３回折格子に含まれるパターンは、前記第１回折格子または前記第２回折格子に含まれるパターンの周期である第１周期で配置される、ことを特徴とする位置検出装置。
7. 前記アライメントマークは、非パターン領域である、ことを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の位置検出装置。
8. 前記アライメントマークは、前記第３回折格子に含まれるパターンの周期とは異なる第３周期で配置されるパターンである、ことを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の位置検出装置。
9. 前記第１回折格子または前記第２回折格子と、前記第３回折格子との間に、前記第３回折格子に含まれるパターンの線幅よりも小さい線幅のパターンが配置される、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の位置検出装置。
10. 前記第１回折格子または前記第２回折格子と、前記第３回折格子との間に配置されるパターンの線幅は、前記第３回折格子に含まれる線幅の１／２よりも小さい、ことを特徴とする請求項９に記載の位置検出装置。
11. 前記第１回折格子及び前記第２回折格子のうち少なくとも一方の回折格子は、前記第２方向に配列されたパターンを含むことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の位置検出装置。
12. 第１方向に配列されたパターンを含む第１回折格子と、前記第１方向に配列されたパターンを含む第２回折格子とによって生じるモアレを検出する工程と、
    前記モアレに基づいて、前記第１回折格子と前記第２回折格子との相対位置を求める工程と、を含み、
    前記第１回折格子または前記第２回折格子と隣接して第３回折格子が配置され、
    前記第３回折格子は、前記第１方向に配列されたパターンと前記第１方向に交差する第２方向に配列されたパターンとを含み、前記第３回折格子に含まれるパターンは、前記第１回折格子または前記第２回折格子に含まれるパターンの周期である第１周期とは異なる第２周期で配置される、ことを特徴とする位置検出方法。
13. 基板の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置に用いられる型であって
    第１方向に配列されたパターンを含む第１回折格子と、
    前記第１回折格子と隣接して配置される第３回折格子と、を有し、
    前記第３回折格子は、前記第１方向に配列されたパターンと前記第１方向に交差する第２方向に配列されたパターンとを含み、前記第３回折格子に含まれるパターンは、前記第１回折格子に含まれるパターンの周期である第１周期とは異なる第２周期で配置される、ことを特徴とする型。
14. 型を用いて基板の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記型に設けられた第１方向に配列されたパターンを含む第１回折格子と、前記基板に設けられた前記第１方向に配列されたパターンを含む第２回折格子とによって生じるモアレを検出する検出部と、
    前記モアレに基づいて、前記第１回折格子と前記第２回折格子との相対位置を求め、前記相対位置に基づいて、前記型と前記基板との位置合わせを行う制御部と、を有し、
    前記第１回折格子または前記第２回折格子と隣接して第３回折格子が配置され、
    前記第３回折格子は、前記第１方向に配列されたパターンと前記第１方向に交差する第２方向に配列されたパターンとを含み、前記第３回折格子に含まれるパターンは、前記第１回折格子または前記第２回折格子に含まれるパターンの周期である第１周期とは異なる第２周期で配置される、
    ことを特徴とするインプリント装置。
15. 請求項１１に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、を含み、
    前記加工された基板から物品を製造する、
    ことを特徴とする物品の製造方法。

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