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JP2020028928A - 加工方法および加工装置 - Google Patents

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JP2020028928A
JP2020028928A JP2018154566A JP2018154566A JP2020028928A JP 2020028928 A JP2020028928 A JP 2020028928A JP 2018154566 A JP2018154566 A JP 2018154566A JP 2018154566 A JP2018154566 A JP 2018154566A JP 2020028928 A JP2020028928 A JP 2020028928A
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吉田 篤史
Atsushi Yoshida
篤史 吉田
道義 山下
Michiyoshi Yamashita
道義 山下
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  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
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Abstract

【課題】加工レートを上げることができ、かつ基板に滑らかな被加工面を形成することができる加工方法を提供する。【解決手段】加工方法は、基板Wを回転させ、第1の加工具3Aを基板Wのエッジ部に押し当てて該エッジ部に水平面HSと垂直面VSとを形成し、第2の加工具3Bを第1の加工具3Aによって形成された垂直面VSに押し当てて垂直面VSを加工する工程を含む。第1の加工具3Aは、第2の加工具3Bよりも粗い処理面を有している。【選択図】図1

Description

本発明は、ウェハなどの基板を加工する加工方法および加工装置に関する。
ウェハの周縁部を研磨するために、研磨具を備えた研磨装置が使用されている。この種の研磨装置は、ウェハを回転させながら、ウェハの周縁部に研磨具を接触させることでウェハの周縁部を研磨する。本明細書では、ウェハの周縁部を、ウェハの最外周に位置するベベル部と、このベベル部の半径方向内側に位置するトップエッジ部およびボトムエッジ部とを含む領域として定義する。
図16(a)および図16(b)は、ウェハの周縁部を示す拡大断面図である。より詳しくは、図16(a)はいわゆるストレート型のウェハの断面図であり、図16(b)はいわゆるラウンド型のウェハの断面図である。図16(a)のウェハWにおいて、ベベル部は、上側傾斜部(上側ベベル部)P、下側傾斜部(下側ベベル部)Q、および側部(アペックス)Rから構成されるウェハWの最外周面(符号Bで示す)である。図16(b)のウェハWにおいては、ベベル部は、ウェハWの最外周面を構成する、湾曲した断面を有する部分(符号Bで示す)である。トップエッジ部は、ベベル部Bよりも半径方向内側に位置する平坦部E1である。ボトムエッジ部は、トップエッジ部とは反対側に位置し、ベベル部Bよりも半径方向内側に位置する平坦部E2である。以下、これらトップエッジ部E1およびボトムエッジ部E2を、総称してエッジ部と称する。エッジ部は、デバイスが形成された領域を含むこともある。
ウェハWの研磨方法として、粗い研磨面を有する研磨テープをウェハWに押し当てて粗研磨を行い、仕上げ用の細かい研磨面を有する研磨テープをウェハWに押し当てて仕上げ研磨を行う方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2014−144525号公報
しかしながら、ウェハWに対する研磨テープの研磨力(除去力)は、ウェハWを研削する場合と比べて低い。これに対し、ウェハWを研削する方法では、ウェハWの加工レート(研磨レート)を上げることはできるが、ウェハWの被加工面は粗くなる。このような粗い被加工面はウェハWの割れや欠けなどの原因となる。さらには、ウェハWの研削によって形成された被加工面には、加工痕が残っているため、この加工痕に研磨屑などのパーティクルが滞留するおそれがある。
ウェハWの加工レートが低いと、ウェハWの加工時間が長くなり、結果として、研磨装置の生産効率(スループット)が下がってしまう。このような問題を解消して、研磨装置に関するCoO(Cost of Ownership)を削減することは重要である。CoOとは、製造装置のライフサイクルコストを装置価格、生産性と信頼性、歩留まりなどを考慮して良品のウェハ当たりのコストの算出方法を意味する。
そこで、本発明は、加工レートを上げることができ、かつ基板に滑らかな被加工面を形成することができる加工方法および加工装置を提供することを目的とする。
一態様は、基板を回転させ、第1の加工具を前記基板のエッジ部に押し当てて該エッジ部に水平面と垂直面とを形成し、第2の加工具を前記第1の加工具によって形成された前記垂直面に押し当てて前記垂直面を加工する工程を含み、前記第1の加工具は、前記第2の加工具よりも粗い処理面を有していることを特徴とする加工方法である。
一態様は、前記第1の加工具は、砥石であり、前記第2の加工具は、研磨テープであることを特徴とする。
一態様は、前記第2の加工具を前記エッジ部に押し付ける押圧パッドと前記エッジ部との間に前記第2の加工具を配置し、前記第2の加工具の一部が前記押圧パッドからはみ出した状態で、前記第2の加工具を前記垂直面および前記水平面に押し当てることを特徴とする。
一態様は、前記第2の加工具は、第1の研磨テープと、第2の研磨テープであり、前記第1の研磨テープの処理面が前記水平面に対向するように配置された状態で、前記第1の研磨テープを前記水平面に押し付け、前記第2の研磨テープの処理面が前記垂直面に対向するように配置された状態で、前記第2の研磨テープを前記垂直面に押し付けることを特徴とする。
一態様は、基板を保持して回転させる基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板のエッジ部を加工する第1の加工ユニットおよび第2の加工ユニットと、前記基板保持部、前記第1の加工ユニット、および前記第2の加工ユニットの動作を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記基板保持部を動作させて前記基板を回転させ、前記第1の加工ユニットを動作させて第1の加工具を前記エッジ部に押し当てて該エッジ部に水平面と垂直面とを形成し、前記第2の加工ユニットを動作させて第2の加工具を前記第1の加工具によって形成された前記垂直面に押し当てて前記垂直面を加工するように構成されており、前記第1の加工具は、前記第2の加工具よりも粗い処理面を有していることを特徴とする加工装置である。
一態様は、前記第1の加工具は、砥石であり、前記第2の加工具は、研磨テープであることを特徴とする。
一態様は、前記第2の加工具を前記エッジ部に押し付ける押圧パッドと、前記押圧パッドを前記基板の表面と垂直な方向に移動させる垂直移動機構と、前記押圧パッドを前記基板の表面と平行な方向に移動させる押圧パッド移動機構と、前記第2の加工具を前記基板の表面と平行な方向に移動させるテープ移動機構とを備えており、前記制御装置は、前記押圧パッド移動機構および前記テープ移動機構を動作させて、前記第2の加工具の一部が前記押圧パッドからはみ出すように、前記基板の表面と平行な方向における前記押圧パッドと前記第2の加工具との相対位置を調整し、前記第2の加工具の一部が前記押圧パッドからはみ出した状態で、前記垂直移動機構を動作させて、前記第2の加工具を前記垂直面および前記水平面に押し当てることを特徴とする。
一態様は、前記第2の加工具は、第1の研磨テープと、第2の研磨テープであり、前記第2の加工ユニットは、前記垂直面に向かって進行する前記第2の研磨テープをガイドするガイドローラと、前記第2の研磨テープの処理面が前記垂直面に対向するように、前記第2の研磨テープを所定の角度で捻る捻りローラを備えており、前記ガイドローラの軸方向は、前記基板の表面と平行であり、前記捻りローラの軸方向は、前記基板の表面と垂直であることを特徴とする。
第2の加工具よりも粗い処理面を有する第1の加工具によって基板のエッジ部に水平面と垂直面とが形成され、エッジ部の垂直面は第1の加工具よりも細かい処理面を有する第2の加工具により加工される。したがって、第1の加工具と第2の加工具とを用いた加工方法は、基板の加工レートを上げることができ、かつ基板に滑らかな被加工面を形成することができる。
研磨方法の一実施形態を実施するための研磨装置の模式図である。 図1に示す研磨装置の平面図である。 砥石の他の実施形態を示す側面図である。 図3に示す砥石の平面図である。 基板保持部の他の実施形態を示す図である。 砥石をウェハのエッジ部に押圧して、ウェハのエッジ部を研削している状態を示す図である。 ウェハのエッジ部に形成された垂直面および水平面を示す図である。 研磨テープを押圧パッドによりウェハのエッジ部に押圧して、ウェハのエッジ部を研磨している状態を示す図である。 研磨テープをウェハのエッジ部に形成された垂直面および水平面に押圧している状態を示す図である。 研磨テープによって平滑化された垂直面および水平面を示す図である。 図11(a)乃至図11(c)は、研磨方法の一実施形態を示す図である。 ウェハの研磨プロセスを説明するフローチャートである。 第2の研磨ユニットの他の実施形態を示す図である。 ウェハの研磨終点を決定する研磨終点決定装置を示す図である。 ウェハのベベル部の研磨方法を実行する研磨装置を示す図である。 図16(a)および図16(b)は、ウェハの周縁部を示す拡大断面図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、研磨方法の一実施形態を実施するための研磨装置の模式図であり、図2は、図1に示す研磨装置の平面図である。以下に説明する研磨装置は、基板を加工するための加工装置の一例である。研磨装置は、基板の一例であるウェハWを保持して回転させる基板保持部1と、基板保持部1に保持されたウェハWのエッジ部を加工(研磨)する第1の加工ユニット(研磨ユニット)2Aおよび第2の加工ユニット(研磨ユニット)2Bと、ウェハWの中心部に研磨液(例えば純水)を供給する研磨液供給機構(液体供給機構)4と、基板保持部1、第1の研磨ユニット2A、第2の研磨ユニット2B、および研磨液供給機構4に電気的に接続され、これら基板保持部1、第1の研磨ユニット2A、第2の研磨ユニット2B、および研磨液供給機構4の動作を制御する制御装置50とを備えている。
2つの研磨ユニット2A,2Bの配置は、基板保持部1に保持されたウェハWに関して対称である。第1の研磨ユニット2Aは、第1の加工具(研削具)としての砥石3AをウェハWのエッジ部に摺接させることにより該エッジ部を加工(研削)し、第2の研磨ユニット2Bは、第2の加工具(研磨具)としての研磨テープ3BをウェハWのエッジ部に摺接させることにより該エッジ部を研磨する。ウェハWの研磨中は、研磨液供給機構4から研磨液がウェハWの中心部に供給される。使用される研磨液の例としては、純水が挙げられる。
砥石3Aは、ウェハWのエッジ部に接触可能な円柱形状を有しており、研磨テープ3Bよりも粗い処理面(加工面)を有している。砥石3Aは、その軸方向がウェハWの表面(より具体的には、上面)と平行になるように、かつその処理面がウェハWのエッジ部に対向するように配置されている。砥石3Aは、ウェハWのエッジ部と平行に接触する。より具体的には、砥石3Aの処理面(すなわち、エッジ部との接触面)は、砥石3Aをその軸方向から見たとき、円状の曲面であるため、砥石3AはウェハWのエッジ部と線接触する。
一実施形態では、砥石3Aに保持された砥粒(砥石砥粒)の平均粒径は14〜22μm(例えば、♯1000番手)であってもよい。この場合、砥石3Aは150μm/min程度の研磨レートでウェハWのエッジ部を研削することができる。
研磨テープ3Bに保持された砥粒(テープ砥粒)の平均粒径は3〜9μm(例えば、♯4000〜♯2000番手)である。テープ砥粒の平均粒径が3μmである場合、ウェハWの研磨レートは2〜7μm/min程度ある。テープ砥粒の平均粒径が5μmである場合、ウェハWの研磨レートは3〜9μm/min程度である。テープ砥粒の平均粒径が9μmである場合、ウェハWの研磨レートは6〜18μm/min程度である。
第1の研磨ユニット2Aについて説明する。第1の研磨ユニット2Aは、砥石3Aをその軸心まわりに回転させるモータ20と、モータ20とともに砥石3AをウェハWの表面に対して垂直な方向に移動させる垂直アクチュエータ51と、モータ20とともに砥石3AをウェハWの半径方向に移動させる水平アクチュエータ52とを備えている。制御装置50は、これらモータ20、垂直アクチュエータ51、および水平アクチュエータ52に電気的に接続されており、モータ20、垂直アクチュエータ51、および水平アクチュエータ52の動作を制御するように構成されている。なお、図2では、垂直アクチュエータ51および水平アクチュエータ52の図示は省略されている。
砥石3Aはモータ20に連結されている。垂直アクチュエータ51は、モータ20を介して砥石3Aを上下動可能に支持しており、基板保持部1に保持されたウェハWの表面と垂直に延びている。水平アクチュエータ52は、モータ20および垂直アクチュエータ51を介して砥石3Aを水平移動可能に支持しており、ウェハWの表面と平行に延びている。垂直アクチュエータ51および水平アクチュエータ52としては、エアシリンダの組み合わせ、またはサーボモータとボールねじとの組み合わせなどを使用することができる。
砥石3Aの形状は図1および図2に示す実施形態には限定されない。図3は、砥石3Aの他の実施形態を示す側面図である。図4は、図3に示す砥石3Aの平面図である。図3および図4に示すように、砥石3Aは、その軸方向がウェハWの表面と垂直になるように、かつその処理面がウェハWのエッジ部に対向するように配置されている。図3および図4に示す実施形態では、砥石3Aの処理面は平面であるため、砥石3AはウェハWのエッジ部と面接触する。本実施形態では、水平アクチュエータ52は、モータ20に接続されており、モータ20を介して砥石3Aを水平移動可能に支持している。
基板保持部1の構造は上述した実施形態には限定されない。図5は、基板保持部1の他の実施形態を示す図である。図5に示す実施形態では、基板保持部1は、ウェハWの全体が支持されるステージ部材1aと、ステージ部材1aの上面に露出するように埋め込まれ、ウェハWの下面に接触可能なポーラス部材1bとを備えている。本実施形態では、ステージ部材1aは、セラミックスから構成されており、ウェハWの直径と同じ直径を有している。ポーラス部材1bは、ウェハWを吸引保持するポーラスチャックであり、ステージ部材1aと同心状に配置された環状形状を有している。
図5に示す基板保持部1は堅牢な構造を有している。第1の研磨ユニット2Aは、砥石3AをウェハWのエッジ部に上から押し付けるため、ウェハWのエッジ部には、砥石3Aの押し付けによる負荷がかかってしまう。図5に示す実施形態では、基板保持部1は、そのステージ部材1aによりウェハWの中心部のみならずエッジ部をも支持することができる。
第2の研磨ユニット2Bについて説明する。図1および図2に示すように、第2の研磨ユニット2Bは、研磨テープ3Bを支持する研磨テープ支持機構(研磨具支持機構)5と、研磨テープ3BをウェハWのエッジ部に上から押し付ける押圧パッド7と、押圧パッド7をウェハ表面に対して垂直な方向に移動させる垂直移動機構9と、押圧パッド7および垂直移動機構9をウェハWの半径方向に移動させる押圧パッド移動機構(押圧部材移動機構)10と、研磨テープ3Bおよび研磨テープ支持機構5をウェハWの半径方向に移動させるテープ移動機構(研磨具移動機構)11とを備えている。
押圧パッド移動機構10およびテープ移動機構11は、互いに独立に動作可能となっている。したがって、ウェハWの半径方向における押圧パッド7と研磨テープ3Bとの相対位置は、押圧パッド移動機構10およびテープ移動機構11によって調整することができる。垂直移動機構9、押圧パッド移動機構10、およびテープ移動機構11としては、エアシリンダの組み合わせ、またはサーボモータとボールねじとの組み合せなどを使用することができる。制御装置50は、垂直移動機構9、押圧パッド移動機構10、およびテープ移動機構11に電気的に接続されており、垂直移動機構9、押圧パッド移動機構10、およびテープ移動機構11の動作を制御するように構成されている。
研磨テープ支持機構5は、研磨テープ3Bを押圧パッド7に繰り出す繰り出しリール12と、研磨テープ3Bを巻き取る巻取りリール14とを備えている。研磨テープ3Bは、繰り出しリール12から押圧パッド7を経由して巻取りリール14まで延びている。
研磨テープ3Bの片面は、砥粒が固定された研磨面を構成している。研磨テープ3Bは、その研磨面がウェハWのエッジ部に対向するように研磨テープ支持機構5によって支持されている。研磨テープ3Bは長尺の研磨具であり、ウェハWの接線方向に沿って配置されている。
押圧パッド7は、研磨テープ3BをウェハWのエッジ部に押し付けるための押圧部材であり、ウェハWのエッジ部の上方に配置されている。研磨テープ3Bは、押圧パッド7とウェハWのエッジ部との間に配置されている。押圧パッド7の底面(水平面)には、研磨テープ3Bの外側への移動を制限するテープストッパー17が固定されている。
図6は、砥石3AをウェハWのエッジ部に押圧して、ウェハWのエッジ部を研削している状態を示す図である。水平アクチュエータ52は、モータ20および垂直アクチュエータ51とともに砥石3AをウェハWの半径方向に移動させ、砥石3AをウェハWのエッジ部の上方の所定位置に配置する。垂直アクチュエータ51は、モータ20が砥石3Aを回転させた状態で、モータ20とともに砥石3Aを下降させて、砥石3AをウェハWのエッジ部に上から押し付ける。回転する砥石3AがウェハWのエッジ部に押し付けられると、ウェハWのエッジ部は研削され、エッジ部には、直角の断面形状(ステップ形状)、すなわち、垂直面VSおよび水平面(平坦面)HSが形成される。垂直面VSおよび水平面HSはウェハWの被加工面である。
図7は、ウェハのエッジ部に形成された垂直面VSおよび水平面HSを示す図である。砥石3Aの表面は粗い処理面であるため、砥石3Aは、ウェハWのエッジ部を高い加工レート(研磨レート)で研削(研磨)することができる。しかしながら、図7に示すように、ウェハWのエッジ部には、粗い垂直面VSおよび粗い水平面HSが形成される。そこで、本実施形態では、研磨ユニット2Bは、研磨テープ3BをウェハWのエッジ部に形成された垂直面VSおよび水平面HSに押圧して、粗い垂直面VSおよび粗い水平面HSを平滑化する。
図8は、研磨テープ3Bを押圧パッド7によりウェハWのエッジ部に押圧して、ウェハWのエッジ部を研磨している状態を示す図である。図9は、研磨テープ3BをウェハWのエッジ部に形成された垂直面VSおよび水平面HSに押圧している状態を示す図である。
図9に示すように、第2の研磨ユニット2Bは、研磨テープ3Bを用いてウェハWのエッジ部を研磨し、滑らかな垂直面VSおよび滑らかな水平面HSを形成する。押圧パッド移動機構10およびテープ移動機構11は、研磨テープ3Bの一部が押圧パッド7からはみ出すように、ウェハWの半径方向における押圧パッド7と研磨テープ3Bとの相対位置を調整する。より具体的には、研磨テープ3Bの一部は、押圧パッド7からウェハWの半径方向内側に向かってはみ出している。一実施形態では、研磨テープ3Bの幅方向の長さは押圧パッド7の幅方向の長さよりも長くてもよい。この場合であっても、研磨テープ3Bは、その一部が押圧パッド7からはみ出すように配置される。
研磨ユニット2Bの押圧パッド7は、研磨テープ3Bの一部が押圧パッド7からはみ出した状態で、垂直移動機構9によって押し下げられる。このとき、研磨テープ3Bは、垂直面VSの接線方向に進行する。結果として、研磨テープ3Bの一部(はみ出した部分)は垂直面VSに押し当てられて、垂直面VSは研磨される。研磨テープ3Bの他の部分は水平面HSに押し当てられて、水平面HSは研磨される。制御装置50は、垂直移動機構9を動作させつつ、垂直面VSに対向する研磨テープ3Bの研磨面が垂直面VSに押し付けられるように、押圧パッド移動機構10を動作させてもよい。
このようにして、押圧パッド7の底面に接触する研磨テープ3Bは水平面HSに摺接し、押圧パッド7の側面(垂直面)に接触する研磨テープ3Bは垂直面VSに摺接する。研磨テープ3Bは水平面HSのみならず垂直面VSにも摺接することができるため、研磨テープ3Bは垂直面VSおよび水平面HSを平滑化することができる(図10参照)。
上述した研磨装置(加工装置)による研磨方法(加工方法)は、砥石3Aにより垂直面VSおよび水平面HSをウェハWのエッジ部に形成する粗加工工程と、ウェハWのエッジ部に形成された垂直面VS(および水平面HS)を研磨テープ3Bにより平滑化する仕上げ加工工程とを備えている。
制御装置50は、プログラムに従って動作するコンピュータでもよい。このプログラムは、記憶媒体に格納されてもよい。この記憶媒体は、ウェハWのエッジ部を加工(研磨)する方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
図11(a)乃至図11(c)は、研磨方法の一実施形態を示す図である。図12は、ウェハの研磨プロセスを説明するフローチャートである。制御装置50は、基板保持部1(図1および図2参照)を動作させて、ウェハWを回転させる。ウェハWはその軸心まわりに基板保持部1によって回転される(図12のステップS101参照)。
この状態で、制御装置50は、第1の研磨ユニット2Aを動作させて、第1の加工具としての砥石3AをウェハWのエッジ部に押し当ててエッジ部に水平面HSと垂直面VSとを形成する。図11(a)に示すように、砥石3AがまずウェハWのエッジ部に接触し、エッジ部の研削を開始する(図12のステップS102参照)。このとき、研磨テープ3BはウェハWから離れている。垂直アクチュエータ51が砥石3Aを押し下げると、ウェハWのエッジ部には、粗い垂直面VSおよび粗い水平面HSが形成される。
砥石3AがウェハWのエッジ部に接触した時点(すなわち、砥石3Aがエッジ部の研削を開始した時点)から所定の時間が経過した後、制御装置50は、垂直移動機構9を動作させて、押圧パッド7を押し下げる。
図11(b)に示すように、研磨テープ3BがウェハWのエッジ部に接触し、エッジ部の研磨を開始する。エッジ部に接触しているときの研磨テープ3Bの接触幅は、エッジ部に接触しているときの砥石3Aの接触幅と同一である。接触幅は、ウェハWの半径方向における砥石3Aおよび研磨テープ3Bの接触幅である。
さらに、図11(c)に示すように、押圧パッド7を押し下げることにより、研磨テープ3BによってウェハWのエッジ部に滑らかな垂直面VSおよび滑らかな水平面HSを形成する(図12のステップS103参照)。図11(a)乃至図11(c)には図示しないが、ウェハWのエッジ部の研磨中は、研磨液供給機構4から研磨液がウェハWの上面に供給される。
一実施形態では、ウェハWの処理後、エッジ部の表面状態はCCDカメラ、光学顕微鏡、または走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)などの観察機器で観察されてもよい。また、粗加工工程に要する時間および仕上げ加工工程に要する時間は、ウェハWの加工(研磨)を行う条件を設定する加工レシピ(研磨レシピ)に組み込まれてもよい。この場合、制御装置50は、この加工レシピに基づいて、粗加工工程および仕上げ加工工程を実行する。
研磨テープ3Bよりも粗い処理面(加工面)を有する砥石3Aは、高い研磨レートで、ウェハWのエッジ部に粗い垂直面VSおよび粗い水平面HSを形成するため、ウェハWの全体の加工時間を短くすることができる。したがって、研磨装置の生産効率を上げることができる。砥石3Aよりも細かい処理面(加工面)を有する研磨テープ3Bは、粗い垂直面VS(および水平面HS)を滑らかにし、粗加工工程で発生した研磨屑を除去することができる。したがって、研磨屑の発生に起因するウェハWの損傷を防止することができる。本実施形態によれば、研磨装置に関するCoO(Cost of Ownership)を削減することができる。
さらに本実施形態では、砥石3Aは粗い処理面を有しているため、砥石3Aの処理面の目詰まりは起こらず、砥石3Aは、その研削力が常に維持された状態で、ウェハWのエッジ部を研削することができる。したがって、砥石3Aのメンテナンスは不要である。さらに、仕上げ加工工程では、研磨テープ3Bは繰り出しリール12から巻取りリール14に送られた状態でエッジ部の垂直面VSおよび水平面HSに接触するため、使用されていない新たな研磨面が垂直面VSおよび水平面HSを平滑化することができる。
研磨テープ3BによるウェハWの処理時間(仕上げ加工時間)が砥石3AによるウェハWの処理時間(粗加工時間)よりも極端に大きい場合、ウェハWの全体の処理時間が必要以上に長くなるおそれがある。そこで、仕上げ加工時間と粗加工時間との差分が所定の値よりも大きい場合、粗加工工程と仕上げ加工工程との間に中間加工工程を実行してもよい。中間加工工程では、砥石3Aよりも細かく、かつ研磨テープ3Bよりも粗い処理面を有する砥石(図示しない)が使用される。この場合、研磨装置は、上記砥石をウェハWのエッジ部に押し当てる第3の研磨ユニット(図示しない)を備える。第3の研磨ユニットは、第1の研磨ユニット2Aと同様の構造を有する。
SOI(Silicon on Insulator)基板の製造工程では、本実施形態の研磨装置によって研磨されたデバイス基板をシリコン基板に貼り合わせ、デバイス基板をその裏面からグラインダーで研削することで、SOI基板を得る。デバイス基板には、細かい研磨面を有する研磨テープ3Bによって形成された滑らかな垂直面VSのみが残る。
上述した実施形態では、研磨テープ3Bの一部を押圧パッド7からはみ出した状態で、ウェハWのエッジ部の垂直面VSを平滑化する構成例について説明したが、垂直面VSを平滑化する構成は、本実施形態には限定されない。
図13は、第2の研磨ユニット2Bの他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、上述した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。図13では、第1の研磨ユニット2Aの図示は省略されている。
図13に示すように、第2の加工具は、第1の研磨テープ3B−1および第2の研磨テープ3B−2である。第2の研磨ユニット2Bの研磨テープ支持機構5は、第1の研磨テープ3B−1を押圧パッド7に繰り出す繰り出しリール12Aと、第2の研磨テープ3B−2を押圧パッド7に繰り出す繰り出しリール12Bとを備えている。第1の研磨テープ3B−1は、繰り出しリール12Aから押圧パッド7の底面を経由して巻取りリール14Aまで延びている。第2の研磨テープ3B−2は、繰り出しリール12Bから押圧パッド7の側面を経由して巻取りリール14Bまで延びている。
第1の研磨テープ3B−1は、その研磨面がウェハWの表面と平行に、かつウェハWのエッジ部の水平面HSに対向するように研磨テープ支持機構5によって支持されている。第2の研磨テープ3B−2は、その研磨面がウェハWの表面と垂直に、かつウェハWのエッジ部の垂直面VSに対向するように研磨テープ支持機構5によって支持されている。
繰り出しリール12Aおよび繰り出しリール12Bは、互いに同心状に配置されており、リールモータ18に連結されている。巻取りリール14Aおよび巻取りリール14Bは、互いに同心状に配置されており、リールモータ19に連結されている。繰り出しリール12A,12Bおよび巻取りリール14A,14Bには、それぞれリールモータ18,19によって反対方向にトルクが加えられており、これにより研磨テープ3B−1,3B−2のそれぞれにはテンションが付与される。なお、上述した実施形態における第2の研磨ユニット2B(図2参照)もリールモータを備えてもよい。
繰り出しリール12Aと巻取りリール14Aとの間を延びる第1の研磨テープ3B−1はガイドローラ21Aおよびガイドローラ22Aによってガイドされている。繰り出しリール12Bと巻取りリール14Bとの間を延びる第2の研磨テープ3B−2はガイドローラ21Bおよびガイドローラ22Bによってガイドされている。これらガイドローラ21A,22A,21B,22Bのそれぞれの軸方向はウェハWの表面と平行である。
研磨テープ支持機構5は、繰り出しリール12Bから送られる第2の研磨テープ3B−2の研磨面が垂直面VSに対向するように、すなわち、ウェハWの表面と垂直になるように、第2の研磨テープ3B−2を所定の角度(本実施形態では、90度の角度)で捻る捻りローラ31を備えている。研磨テープ支持機構5は、さらに、第2の研磨テープ3B−2の研磨面がウェハWの表面と平行になるように、第2の研磨テープ3B−2を所定の角度(本実施形態では、90度の角度)で捻る捻りローラ32を備えている。
これら捻りローラ31,32は、押圧パッド7の両側に、かつガイドローラ21A,21Bとガイドローラ22A,22Bとの間に配置されている。捻りローラ31,32のそれぞれの軸方向は、ウェハWの表面と垂直である。一実施形態では、捻りローラ31,32の代わりに、ウェハWの表面と垂直に延びるピンが設けられてもよい。
捻りローラ31,32の間には、第2の研磨テープ3B−2を押圧パッド7に対して位置決めする2つの位置決めピン(補正ピン)33,34が配置されている。これら位置決めピン33,34は、押圧パッド7の両側に配置されており、押圧パッド7に隣接している。位置決めピン33,34の軸方向はウェハWの表面と垂直、すなわち、捻りローラ31,32の軸方向と平行である。
繰り出しリール12Bから巻取りリール14Bに向かって進行する第2の研磨テープ3B−2は、その進行方向における押圧パッド7の上流側の位置で、捻りローラ31によって捻られる。第2の研磨テープ3B−2は、その研磨面がエッジ部の垂直面VSと平行になるように、垂直面VSの接線方向に進行する。結果として、第2の研磨テープ3B−2は、ウェハWのエッジ部に滑らかな垂直面VSを形成する。第2の研磨テープ3B−2の捻りは、その進行方向における押圧パッド7の下流側の位置で、捻りローラ32によって戻される。
図13に示す実施形態では、異なる2つのテープ部材(第1の研磨テープ3B−1および第2の研磨テープ3B−2)が設けられるため、第1の研磨テープ3B−1の研磨面と第2の研磨テープ3B−2の研磨面とは、異なる粗さを有してもよい。言い換えれば、第1の研磨テープ3B−1に保持された砥粒の平均粒径と第2の研磨テープ3B−2に保持された砥粒の平均粒径は異なってもよい。
ウェハWの研磨は、予め設定された目標研磨量に到達したときに終了される。砥石3Aは高い加工レートでウェハWのエッジ部を研削することができるため、第1の研磨ユニット2Aにおける研磨終点は研磨時間によって管理してもよい。一実施形態では、研磨装置は、第1の研磨ユニット2Aおよび/または第2の研磨ユニット2BによるウェハWの研磨の終了時点(研磨終点)を決定する装置を備えてもよい。
図14は、ウェハWの研磨終点を決定する研磨終点決定装置40を示す図である。図14では、第2の研磨ユニット2Bが研磨終点決定装置40を備えている場合について説明する。図14に示すように、研磨終点決定装置40は、垂直移動機構9の可動部材9aに固定された位置決め部材41と、位置決め部材41の下方に配置された研磨位置制限機構42とを備えている。押圧パッド7は垂直移動機構9の可動部材9aに連結されており、位置決め部材41は押圧パッド7と一体に上下動する。研磨終点決定装置40は加工終点決定装置と呼ばれてもよく、研磨位置制限機構42は加工位置制限機構と呼ばれてもよい。
研磨位置制限機構42は、位置決め部材41の下降移動を制限するストッパー43と、ストッパー43を昇降させるボールねじ機構44と、ボールねじ機構44を駆動するサーボモータ45とを備えている。位置決め部材41がストッパー43に接触することで位置決め部材41の位置および移動が制限される。サーボモータ45を駆動すると、ボールねじ機構44およびストッパー43は昇降する。
エッジ部の水平面HSが平滑化されるにつれて、押圧パッド7が下降し、やがて位置決め部材41がストッパー43に当接する。位置決め部材41がストッパー43に当接した後は、押圧パッド7はそれ以上下降しない。したがって、位置決め部材41がストッパー43に当接したときに実質的にウェハWの研磨が終了される。
ウェハWを所定の目標研磨量だけ正確に研磨するためには、研磨始点を決定する必要がある。まず、サーボモータ45によりストッパー43を上昇させ、または、垂直移動機構9により位置決め部材41を下降させて、位置決め部材41とストッパー43とを互いに接触させる。次いで、位置決め部材41とストッパー43との接触を保ちながら、垂直移動機構9およびサーボモータ45により位置決め部材41およびストッパー43を下降させる。研磨テープ3Bがエッジ部の水平面HSに接触した瞬間にストッパー43は位置決め部材41から離間する。この瞬間のストッパー43の位置はストッパー43の初期位置であり、この初期位置が研磨始点に決定される。
ストッパー43は、その初期位置からウェハWの目標研磨量に相当する距離だけサーボモータ45によって下降される。そして、位置決め部材41がストッパー43に当接するまでウェハWが研磨される。
一実施形態では、研磨終点決定装置40は、位置決め部材41のストッパー33との接触を検出する接触センサ46を備えてもよい。位置決め部材41がストッパー43に当接した時点は、距離センサまたは変位センサなどの接触センサ46の出力信号の変化から決定することができる。接触センサ46は、ストッパー43の上面に設けられており、制御装置50に電気的に接続されている。接触センサ46は位置決め部材41の下面に固定されてもよい。
上述した実施形態では、ウェハWのエッジ部を研磨する研磨装置について説明したが、粗加工工程と仕上げ加工工程とを含む研磨方法(加工方法)は、ウェハWのベベル部(図16(a)および図16(b)参照)を研磨する研磨装置(加工装置)に適用されてもよい。
図15は、ウェハWのベベル部の研磨方法を実行する研磨装置(ベベル研磨装置)を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、上述した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。図15に示すように、本実施形態では、砥石3Aは、ウェハWのベベル部に接触可能な湾曲形状を有している。より具体的には、砥石3Aのベベル部との接触面は、処理後のベベル部の縦断面形状に沿うように、内側に湾曲する湾曲形状を有している。砥石3Aは湾曲した接触面を有する柱形状を有しており、砥石3Aの軸方向はウェハWの表面と垂直である。
第2の研磨ユニット2Bは、図示しないテープ供給回収機構から供給された研磨テープ3BをウェハWの周縁部(より具体的には、ベベル部)に当接させるための研磨ヘッド60と、研磨ヘッド60を傾斜させるチルト機構62とを備えている。研磨テープ3Bは、その研磨面がウェハWのベベル部を向くように研磨ヘッド60に供給される。研磨ヘッド60は、研磨テープ3Bの裏面を加圧してウェハWに研磨テープ3Bの研磨面を所定の力で加圧する加圧機構61を備えている。
研磨ヘッド60は、研磨ヘッド60を傾斜させるチルト機構62に連結されている。チルト機構62は、研磨ヘッド60に連結されたモータ(図示しない)を備えており、このモータが時計回りおよび反時計回りに所定の角度だけ回転することで、研磨ヘッド60は、ウェハWの表面と平行な軸心まわりに所定の角度だけ回転する。このような構成により、研磨テープ3Bは、ベベル部を中心としてウェハWのベベル部の形状に沿うように鉛直方向に揺動可能である。
水平アクチュエータ52は、モータ20が砥石3Aを回転させた状態で、モータ20とともに砥石3AをウェハWに近接させて、砥石3AをウェハWのベベル部に横から押し付ける。研磨テープ3Bよりも粗い処理面を有する砥石3Aは、高い研磨レートで、ウェハWのベベル部を研削することができる。より具体的には、湾曲形状を有する砥石3Aは、ベベル部に付着した汚れおよび不要な膜を除去することができ、ウェハWのベベル部の形状を整えることができる。このベベル部は、ウェハWの最外周面であり、ウェハWの被加工面である。
ウェハWのベベル部を研磨するときには、チルト機構62により研磨ヘッド60の傾斜角度を連続的に変化させながら、加圧機構61により研磨テープ3BをウェハWのベベル部に押し当てる。ウェハWの研磨中は、研磨テープ3Bはテープ送り機構(図示しない)により所定の速度で送られる。砥石3Aよりも細かい処理面を有する研磨テープ3Bは、砥石3Aのベベル部との摺接によって発生した研磨屑を除去することができ、かつ砥石3Aによって整えられた粗いベベル部を滑らかにすることができる。本実施形態によっても、研磨装置に関するCoO(Cost of Ownership)を削減することができる。
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
1 基板保持部
1a ステージ部材
1b ポーラス部材
2A 第1の加工ユニット
2B 第2の加工ユニット
3A 第1の加工具(砥石)
3B 第2の加工具(研磨テープ)
3B−1 第1の研磨テープ
3B−2 第2の研磨テープ
4 液体供給機構
5 研磨テープ支持機構
7 押圧パッド
9 垂直移動機構
9a 可動部材
10 押圧パッド移動機構
11 テープ移動機構
12,12A,12B 繰り出しリール
14,14A,14B 巻取りリール
17 テープストッパー
18,19 リールモータ
20 モータ
21A,21B,22A,22B ガイドローラ
31,32 捻りローラ
33,34 位置決めピン
40 研磨終点決定装置
41 位置決め部材
42 研磨位置制限機構
43 ストッパー
44 ボールねじ機構
45 サーボモータ
50 制御装置
51 垂直アクチュエータ
52 水平アクチュエータ

Claims (8)

  1. 基板を回転させ、
    第1の加工具を前記基板のエッジ部に押し当てて該エッジ部に水平面と垂直面とを形成し、
    第2の加工具を前記第1の加工具によって形成された前記垂直面に押し当てて前記垂直面を加工する工程を含み、
    前記第1の加工具は、前記第2の加工具よりも粗い処理面を有していることを特徴とする加工方法。
  2. 前記第1の加工具は、砥石であり、
    前記第2の加工具は、研磨テープであることを特徴とする請求項1に記載の加工方法。
  3. 前記第2の加工具を前記エッジ部に押し付ける押圧パッドと前記エッジ部との間に前記第2の加工具を配置し、
    前記第2の加工具の一部が前記押圧パッドからはみ出した状態で、前記第2の加工具を前記垂直面および前記水平面に押し当てることを特徴とする請求項1に記載の加工方法。
  4. 前記第2の加工具は、第1の研磨テープと、第2の研磨テープであり、
    前記第1の研磨テープの処理面が前記水平面に対向するように配置された状態で、前記第1の研磨テープを前記水平面に押し付け、
    前記第2の研磨テープの処理面が前記垂直面に対向するように配置された状態で、前記第2の研磨テープを前記垂直面に押し付けることを特徴とする請求項1に記載の加工方法。
  5. 基板を保持して回転させる基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された前記基板のエッジ部を加工する第1の加工ユニットおよび第2の加工ユニットと、
    前記基板保持部、前記第1の加工ユニット、および前記第2の加工ユニットの動作を制御する制御装置とを備え、
    前記制御装置は、
    前記基板保持部を動作させて前記基板を回転させ、
    前記第1の加工ユニットを動作させて第1の加工具を前記エッジ部に押し当てて該エッジ部に水平面と垂直面とを形成し、
    前記第2の加工ユニットを動作させて第2の加工具を前記第1の加工具によって形成された前記垂直面に押し当てて前記垂直面を加工するように構成されており、
    前記第1の加工具は、前記第2の加工具よりも粗い処理面を有していることを特徴とする加工装置。
  6. 前記第1の加工具は、砥石であり、
    前記第2の加工具は、研磨テープであることを特徴とする請求項5に記載の加工装置。
  7. 前記第2の加工具を前記エッジ部に押し付ける押圧パッドと、
    前記押圧パッドを前記基板の表面と垂直な方向に移動させる垂直移動機構と、
    前記押圧パッドを前記基板の表面と平行な方向に移動させる押圧パッド移動機構と、
    前記第2の加工具を前記基板の表面と平行な方向に移動させるテープ移動機構とを備えており、
    前記制御装置は、
    前記押圧パッド移動機構および前記テープ移動機構を動作させて、前記第2の加工具の一部が前記押圧パッドからはみ出すように、前記基板の表面と平行な方向における前記押圧パッドと前記第2の加工具との相対位置を調整し、
    前記第2の加工具の一部が前記押圧パッドからはみ出した状態で、前記垂直移動機構を動作させて、前記第2の加工具を前記垂直面および前記水平面に押し当てることを特徴とする請求項5に記載の加工装置。
  8. 前記第2の加工具は、第1の研磨テープと、第2の研磨テープであり、
    前記第2の加工ユニットは、
    前記垂直面に向かって進行する前記第2の研磨テープをガイドするガイドローラと、
    前記第2の研磨テープの処理面が前記垂直面に対向するように、前記第2の研磨テープを所定の角度で捻る捻りローラを備えており、
    前記ガイドローラの軸方向は、前記基板の表面と平行であり、
    前記捻りローラの軸方向は、前記基板の表面と垂直であることを特徴とする請求項5に記載の加工装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113664658A (zh) * 2021-09-01 2021-11-19 江西三格滤清器制造有限公司 一种滤清器打磨装置
WO2024106263A1 (ja) * 2022-11-14 2024-05-23 株式会社荏原製作所 研磨装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04263425A (ja) * 1991-02-18 1992-09-18 Toshiba Corp 半導体基板の研削装置及び研削方法
US20140094095A1 (en) * 2012-09-24 2014-04-03 Ebara Corporation Polishing method
JP2014063955A (ja) * 2012-09-24 2014-04-10 Ebara Corp 研磨方法
US20140213152A1 (en) * 2013-01-31 2014-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer Edge Trimming Tool Using Abrasive Tape
JP2014144525A (ja) * 2013-01-30 2014-08-14 Ebara Corp 研磨方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04263425A (ja) * 1991-02-18 1992-09-18 Toshiba Corp 半導体基板の研削装置及び研削方法
US20140094095A1 (en) * 2012-09-24 2014-04-03 Ebara Corporation Polishing method
JP2014063955A (ja) * 2012-09-24 2014-04-10 Ebara Corp 研磨方法
JP2014144525A (ja) * 2013-01-30 2014-08-14 Ebara Corp 研磨方法
US20140213152A1 (en) * 2013-01-31 2014-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer Edge Trimming Tool Using Abrasive Tape

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113664658A (zh) * 2021-09-01 2021-11-19 江西三格滤清器制造有限公司 一种滤清器打磨装置
WO2024106263A1 (ja) * 2022-11-14 2024-05-23 株式会社荏原製作所 研磨装置

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