JP2020028928A

JP2020028928A - Processing method and processing apparatus

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Publication number: JP2020028928A
Application number: JP2018154566A
Authority: JP
Inventors: 吉田　篤史; Atsushi Yoshida; 篤史吉田; 道義山下; Michiyoshi Yamashita
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2018-08-21
Filing date: 2018-08-21
Publication date: 2020-02-27

Abstract

To provide a processing method which makes it possible to increase a processing rate and form a smooth processed surface on a substrate.SOLUTION: A processing method includes: forming a horizontal surface HS and a vertical surface VS on an edge part by rotating a substrate W and by pressing a first processing tool 3A against the edge part of the substrate W; and processing the vertical surface VS by pressing a second processing tool 3B against the vertical surface VS formed by the first processing tool 3A. The first processing tool 3A has a processing surface rougher than that of the second processing tool 3B.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ウェハなどの基板を加工する加工方法および加工装置に関する。 The present invention relates to a processing method and a processing apparatus for processing a substrate such as a wafer.

ウェハの周縁部を研磨するために、研磨具を備えた研磨装置が使用されている。この種の研磨装置は、ウェハを回転させながら、ウェハの周縁部に研磨具を接触させることでウェハの周縁部を研磨する。本明細書では、ウェハの周縁部を、ウェハの最外周に位置するベベル部と、このベベル部の半径方向内側に位置するトップエッジ部およびボトムエッジ部とを含む領域として定義する。 A polishing apparatus provided with a polishing tool has been used to polish the peripheral portion of a wafer. This type of polishing apparatus polishes the peripheral edge of a wafer by bringing a polishing tool into contact with the peripheral edge of the wafer while rotating the wafer. In this specification, the peripheral portion of the wafer is defined as a region including a bevel portion located at the outermost periphery of the wafer, and a top edge portion and a bottom edge portion located radially inside the bevel portion.

図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、ウェハの周縁部を示す拡大断面図である。より詳しくは、図１６（ａ）はいわゆるストレート型のウェハの断面図であり、図１６（ｂ）はいわゆるラウンド型のウェハの断面図である。図１６（ａ）のウェハＷにおいて、ベベル部は、上側傾斜部（上側ベベル部）Ｐ、下側傾斜部（下側ベベル部）Ｑ、および側部（アペックス）Ｒから構成されるウェハＷの最外周面（符号Ｂで示す）である。図１６（ｂ）のウェハＷにおいては、ベベル部は、ウェハＷの最外周面を構成する、湾曲した断面を有する部分（符号Ｂで示す）である。トップエッジ部は、ベベル部Ｂよりも半径方向内側に位置する平坦部Ｅ１である。ボトムエッジ部は、トップエッジ部とは反対側に位置し、ベベル部Ｂよりも半径方向内側に位置する平坦部Ｅ２である。以下、これらトップエッジ部Ｅ１およびボトムエッジ部Ｅ２を、総称してエッジ部と称する。エッジ部は、デバイスが形成された領域を含むこともある。 FIGS. 16A and 16B are enlarged cross-sectional views showing the peripheral portion of the wafer. More specifically, FIG. 16A is a cross-sectional view of a so-called straight type wafer, and FIG. 16B is a cross-sectional view of a so-called round type wafer. In the wafer W of FIG. 16A, the bevel portion of the wafer W composed of the upper inclined portion (upper bevel portion) P, the lower inclined portion (lower bevel portion) Q, and the side portion (apex) R This is the outermost peripheral surface (indicated by reference numeral B). In the wafer W shown in FIG. 16B, the bevel portion is a portion having a curved cross section (indicated by reference numeral B) that constitutes the outermost peripheral surface of the wafer W. The top edge portion is a flat portion E1 located radially inward of the bevel portion B. The bottom edge portion is a flat portion E2 located on the opposite side to the top edge portion and located radially inward of the bevel portion B. Hereinafter, the top edge portion E1 and the bottom edge portion E2 are collectively referred to as an edge portion. The edge may include a region where the device is formed.

ウェハＷの研磨方法として、粗い研磨面を有する研磨テープをウェハＷに押し当てて粗研磨を行い、仕上げ用の細かい研磨面を有する研磨テープをウェハＷに押し当てて仕上げ研磨を行う方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。 As a method of polishing the wafer W, a method is known in which a polishing tape having a rough polishing surface is pressed against the wafer W to perform rough polishing, and a polishing tape having a fine polishing surface for finishing is pressed against the wafer W to perform finish polishing. (For example, see Patent Document 1).

特開２０１４−１４４５２５号公報JP 2014-145525 A

しかしながら、ウェハＷに対する研磨テープの研磨力（除去力）は、ウェハＷを研削する場合と比べて低い。これに対し、ウェハＷを研削する方法では、ウェハＷの加工レート（研磨レート）を上げることはできるが、ウェハＷの被加工面は粗くなる。このような粗い被加工面はウェハＷの割れや欠けなどの原因となる。さらには、ウェハＷの研削によって形成された被加工面には、加工痕が残っているため、この加工痕に研磨屑などのパーティクルが滞留するおそれがある。 However, the polishing force (removal force) of the polishing tape on the wafer W is lower than when the wafer W is ground. On the other hand, in the method of grinding the wafer W, the processing rate (polishing rate) of the wafer W can be increased, but the processed surface of the wafer W becomes rough. Such a rough surface to be processed causes the wafer W to crack or chip. Furthermore, since processing marks remain on the surface to be processed formed by grinding the wafer W, particles such as polishing debris may stay in the processing marks.

ウェハＷの加工レートが低いと、ウェハＷの加工時間が長くなり、結果として、研磨装置の生産効率（スループット）が下がってしまう。このような問題を解消して、研磨装置に関するＣｏＯ（Cost of Ownership）を削減することは重要である。ＣｏＯとは、製造装置のライフサイクルコストを装置価格、生産性と信頼性、歩留まりなどを考慮して良品のウェハ当たりのコストの算出方法を意味する。 When the processing rate of the wafer W is low, the processing time of the wafer W is lengthened, and as a result, the production efficiency (throughput) of the polishing apparatus is reduced. It is important to solve such a problem and reduce CoO (Cost of Ownership) related to the polishing apparatus. CoO means a method of calculating the cost per non-defective wafer in consideration of the life cycle cost of the manufacturing apparatus, the apparatus price, productivity and reliability, yield, and the like.

そこで、本発明は、加工レートを上げることができ、かつ基板に滑らかな被加工面を形成することができる加工方法および加工装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a processing method and a processing apparatus capable of increasing a processing rate and forming a smooth processing surface on a substrate.

一態様は、基板を回転させ、第１の加工具を前記基板のエッジ部に押し当てて該エッジ部に水平面と垂直面とを形成し、第２の加工具を前記第１の加工具によって形成された前記垂直面に押し当てて前記垂直面を加工する工程を含み、前記第１の加工具は、前記第２の加工具よりも粗い処理面を有していることを特徴とする加工方法である。 In one embodiment, a substrate is rotated, a first processing tool is pressed against an edge portion of the substrate to form a horizontal surface and a vertical surface at the edge portion, and a second processing tool is formed by the first processing tool. Processing including processing the vertical surface by pressing against the formed vertical surface, wherein the first processing tool has a rougher processing surface than the second processing tool. Is the way.

一態様は、前記第１の加工具は、砥石であり、前記第２の加工具は、研磨テープであることを特徴とする。
一態様は、前記第２の加工具を前記エッジ部に押し付ける押圧パッドと前記エッジ部との間に前記第２の加工具を配置し、前記第２の加工具の一部が前記押圧パッドからはみ出した状態で、前記第２の加工具を前記垂直面および前記水平面に押し当てることを特徴とする。
一態様は、前記第２の加工具は、第１の研磨テープと、第２の研磨テープであり、前記第１の研磨テープの処理面が前記水平面に対向するように配置された状態で、前記第１の研磨テープを前記水平面に押し付け、前記第２の研磨テープの処理面が前記垂直面に対向するように配置された状態で、前記第２の研磨テープを前記垂直面に押し付けることを特徴とする。 In one aspect, the first processing tool is a grindstone, and the second processing tool is a polishing tape.
In one embodiment, the second processing tool is arranged between a pressing pad for pressing the second processing tool against the edge portion and the edge portion, and a part of the second processing tool is moved from the pressing pad. In the protruding state, the second processing tool is pressed against the vertical plane and the horizontal plane.
In one aspect, the second processing tool is a first polishing tape and a second polishing tape, in a state where the processing surface of the first polishing tape is disposed so as to face the horizontal plane, Pressing the first polishing tape against the horizontal surface, and pressing the second polishing tape against the vertical surface in a state where the processing surface of the second polishing tape is disposed so as to face the vertical surface. Features.

一態様は、基板を保持して回転させる基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板のエッジ部を加工する第１の加工ユニットおよび第２の加工ユニットと、前記基板保持部、前記第１の加工ユニット、および前記第２の加工ユニットの動作を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記基板保持部を動作させて前記基板を回転させ、前記第１の加工ユニットを動作させて第１の加工具を前記エッジ部に押し当てて該エッジ部に水平面と垂直面とを形成し、前記第２の加工ユニットを動作させて第２の加工具を前記第１の加工具によって形成された前記垂直面に押し当てて前記垂直面を加工するように構成されており、前記第１の加工具は、前記第２の加工具よりも粗い処理面を有していることを特徴とする加工装置である。 One aspect is a substrate holding unit that holds and rotates a substrate, a first processing unit and a second processing unit that process an edge portion of the substrate held by the substrate holding unit, and the substrate holding unit. A control device that controls the operation of the first processing unit and the second processing unit, wherein the control device operates the substrate holding unit to rotate the substrate, and the first processing unit Is operated to press the first processing tool against the edge portion to form a horizontal surface and a vertical surface on the edge portion, and to operate the second processing unit to move the second processing tool into the first processing tool. It is configured to press the vertical surface formed by a processing tool to process the vertical surface, and the first processing tool has a rougher processing surface than the second processing tool. A processing apparatus characterized in that:

一態様は、前記第１の加工具は、砥石であり、前記第２の加工具は、研磨テープであることを特徴とする。
一態様は、前記第２の加工具を前記エッジ部に押し付ける押圧パッドと、前記押圧パッドを前記基板の表面と垂直な方向に移動させる垂直移動機構と、前記押圧パッドを前記基板の表面と平行な方向に移動させる押圧パッド移動機構と、前記第２の加工具を前記基板の表面と平行な方向に移動させるテープ移動機構とを備えており、前記制御装置は、前記押圧パッド移動機構および前記テープ移動機構を動作させて、前記第２の加工具の一部が前記押圧パッドからはみ出すように、前記基板の表面と平行な方向における前記押圧パッドと前記第２の加工具との相対位置を調整し、前記第２の加工具の一部が前記押圧パッドからはみ出した状態で、前記垂直移動機構を動作させて、前記第２の加工具を前記垂直面および前記水平面に押し当てることを特徴とする。
一態様は、前記第２の加工具は、第１の研磨テープと、第２の研磨テープであり、前記第２の加工ユニットは、前記垂直面に向かって進行する前記第２の研磨テープをガイドするガイドローラと、前記第２の研磨テープの処理面が前記垂直面に対向するように、前記第２の研磨テープを所定の角度で捻る捻りローラを備えており、前記ガイドローラの軸方向は、前記基板の表面と平行であり、前記捻りローラの軸方向は、前記基板の表面と垂直であることを特徴とする。 In one aspect, the first processing tool is a grindstone, and the second processing tool is a polishing tape.
One mode is a pressing pad for pressing the second processing tool against the edge portion, a vertical movement mechanism for moving the pressing pad in a direction perpendicular to the surface of the substrate, and the pressing pad being parallel to the surface of the substrate. And a tape moving mechanism that moves the second processing tool in a direction parallel to the surface of the substrate, wherein the control device includes the pressing pad moving mechanism and the tape moving mechanism. By operating a tape moving mechanism, the relative position between the pressing pad and the second processing tool in a direction parallel to the surface of the substrate so that a part of the second processing tool protrudes from the pressing pad. Adjusting, with the part of the second processing tool protruding from the pressing pad, operating the vertical movement mechanism to press the second processing tool against the vertical plane and the horizontal plane. And wherein the door.
In one embodiment, the second processing tool includes a first polishing tape and a second polishing tape, and the second processing unit controls the second polishing tape to advance toward the vertical plane. A guide roller for guiding, and a torsion roller for twisting the second polishing tape at a predetermined angle such that a processing surface of the second polishing tape faces the vertical surface, and an axial direction of the guide roller. Is parallel to the surface of the substrate, and the axial direction of the torsion roller is perpendicular to the surface of the substrate.

第２の加工具よりも粗い処理面を有する第１の加工具によって基板のエッジ部に水平面と垂直面とが形成され、エッジ部の垂直面は第１の加工具よりも細かい処理面を有する第２の加工具により加工される。したがって、第１の加工具と第２の加工具とを用いた加工方法は、基板の加工レートを上げることができ、かつ基板に滑らかな被加工面を形成することができる。 A horizontal surface and a vertical surface are formed at the edge of the substrate by the first processing tool having a rougher processing surface than the second processing tool, and the vertical surface of the edge has a processing surface finer than the first processing tool. It is processed by the second processing tool. Therefore, the processing method using the first processing tool and the second processing tool can increase the processing rate of the substrate and can form a smooth surface to be processed on the substrate.

研磨方法の一実施形態を実施するための研磨装置の模式図である。1 is a schematic view of a polishing apparatus for performing one embodiment of a polishing method. 図１に示す研磨装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the polishing apparatus shown in FIG. 1. 砥石の他の実施形態を示す側面図である。It is a side view showing other embodiments of a grindstone. 図３に示す砥石の平面図である。It is a top view of the grindstone shown in FIG. 基板保持部の他の実施形態を示す図である。It is a figure showing other embodiments of a substrate holding part. 砥石をウェハのエッジ部に押圧して、ウェハのエッジ部を研削している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which presses a grindstone to the edge part of a wafer and grinds the edge part of a wafer. ウェハのエッジ部に形成された垂直面および水平面を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a vertical plane and a horizontal plane formed at an edge portion of a wafer. 研磨テープを押圧パッドによりウェハのエッジ部に押圧して、ウェハのエッジ部を研磨している状態を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a state in which the polishing tape is pressed against the edge of the wafer by a pressing pad to polish the edge of the wafer. 研磨テープをウェハのエッジ部に形成された垂直面および水平面に押圧している状態を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a state in which a polishing tape is pressed against a vertical surface and a horizontal surface formed at an edge portion of a wafer. 研磨テープによって平滑化された垂直面および水平面を示す図である。It is a figure which shows the vertical surface and the horizontal surface smoothed by the polishing tape. 図１１（ａ）乃至図１１（ｃ）は、研磨方法の一実施形態を示す図である。FIGS. 11A to 11C are diagrams illustrating an embodiment of a polishing method. ウェハの研磨プロセスを説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining a polishing process of a wafer. 第２の研磨ユニットの他の実施形態を示す図である。It is a figure showing other embodiments of the 2nd polish unit. ウェハの研磨終点を決定する研磨終点決定装置を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a polishing end point determination device that determines a polishing end point of a wafer. ウェハのベベル部の研磨方法を実行する研磨装置を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a polishing apparatus that executes a method for polishing a bevel portion of a wafer. 図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、ウェハの周縁部を示す拡大断面図である。FIG. 16A and FIG. 16B are enlarged cross-sectional views showing the peripheral portion of the wafer.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、研磨方法の一実施形態を実施するための研磨装置の模式図であり、図２は、図１に示す研磨装置の平面図である。以下に説明する研磨装置は、基板を加工するための加工装置の一例である。研磨装置は、基板の一例であるウェハＷを保持して回転させる基板保持部１と、基板保持部１に保持されたウェハＷのエッジ部を加工（研磨）する第１の加工ユニット（研磨ユニット）２Ａおよび第２の加工ユニット（研磨ユニット）２Ｂと、ウェハＷの中心部に研磨液（例えば純水）を供給する研磨液供給機構（液体供給機構）４と、基板保持部１、第１の研磨ユニット２Ａ、第２の研磨ユニット２Ｂ、および研磨液供給機構４に電気的に接続され、これら基板保持部１、第１の研磨ユニット２Ａ、第２の研磨ユニット２Ｂ、および研磨液供給機構４の動作を制御する制御装置５０とを備えている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic view of a polishing apparatus for carrying out one embodiment of a polishing method, and FIG. 2 is a plan view of the polishing apparatus shown in FIG. The polishing apparatus described below is an example of a processing apparatus for processing a substrate. The polishing apparatus includes a substrate holding unit 1 for holding and rotating a wafer W, which is an example of a substrate, and a first processing unit (polishing unit) for processing (polishing) an edge portion of the wafer W held on the substrate holding unit 1. 2) 2A and a second processing unit (polishing unit) 2B, a polishing liquid supply mechanism (liquid supply mechanism) 4 for supplying a polishing liquid (for example, pure water) to the central portion of the wafer W, a substrate holding unit 1, a first Are electrically connected to the polishing unit 2A, the second polishing unit 2B, and the polishing liquid supply mechanism 4, and the substrate holding unit 1, the first polishing unit 2A, the second polishing unit 2B, and the polishing liquid supply mechanism And a control device 50 for controlling the operation of the control unit 4.

２つの研磨ユニット２Ａ，２Ｂの配置は、基板保持部１に保持されたウェハＷに関して対称である。第１の研磨ユニット２Ａは、第１の加工具（研削具）としての砥石３ＡをウェハＷのエッジ部に摺接させることにより該エッジ部を加工（研削）し、第２の研磨ユニット２Ｂは、第２の加工具（研磨具）としての研磨テープ３ＢをウェハＷのエッジ部に摺接させることにより該エッジ部を研磨する。ウェハＷの研磨中は、研磨液供給機構４から研磨液がウェハＷの中心部に供給される。使用される研磨液の例としては、純水が挙げられる。 The arrangement of the two polishing units 2A and 2B is symmetric with respect to the wafer W held on the substrate holding unit 1. The first polishing unit 2A processes (grinds) the edge portion by bringing a grindstone 3A as a first processing tool (grinding tool) into sliding contact with the edge portion of the wafer W, and the second polishing unit 2B Then, the polishing tape 3B as a second processing tool (polishing tool) is brought into sliding contact with the edge of the wafer W to polish the edge. During polishing of the wafer W, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply mechanism 4 to the central portion of the wafer W. Examples of the polishing liquid used include pure water.

砥石３Ａは、ウェハＷのエッジ部に接触可能な円柱形状を有しており、研磨テープ３Ｂよりも粗い処理面（加工面）を有している。砥石３Ａは、その軸方向がウェハＷの表面（より具体的には、上面）と平行になるように、かつその処理面がウェハＷのエッジ部に対向するように配置されている。砥石３Ａは、ウェハＷのエッジ部と平行に接触する。より具体的には、砥石３Ａの処理面（すなわち、エッジ部との接触面）は、砥石３Ａをその軸方向から見たとき、円状の曲面であるため、砥石３ＡはウェハＷのエッジ部と線接触する。 The grindstone 3A has a columnar shape capable of contacting the edge of the wafer W, and has a processing surface (processed surface) that is rougher than the polishing tape 3B. The grindstone 3A is arranged so that its axial direction is parallel to the surface (more specifically, the upper surface) of the wafer W, and its processing surface faces the edge of the wafer W. The grindstone 3 </ b> A contacts the edge of the wafer W in parallel. More specifically, the processing surface of grinding wheel 3A (that is, the contact surface with the edge portion) is a circular curved surface when grinding wheel 3A is viewed from its axial direction. Line contact with

一実施形態では、砥石３Ａに保持された砥粒（砥石砥粒）の平均粒径は１４〜２２μｍ（例えば、♯１０００番手）であってもよい。この場合、砥石３Ａは１５０μｍ／ｍｉｎ程度の研磨レートでウェハＷのエッジ部を研削することができる。 In one embodiment, the average grain size of the abrasive grains (grindstone abrasive grains) held on the grindstone 3A may be 14 to 22 μm (for example, # 1000 count). In this case, the grindstone 3A can grind the edge of the wafer W at a polishing rate of about 150 μm / min.

研磨テープ３Ｂに保持された砥粒（テープ砥粒）の平均粒径は３〜９μｍ（例えば、♯４０００〜♯２０００番手）である。テープ砥粒の平均粒径が３μｍである場合、ウェハＷの研磨レートは２〜７μｍ／ｍｉｎ程度ある。テープ砥粒の平均粒径が５μｍである場合、ウェハＷの研磨レートは３〜９μｍ／ｍｉｎ程度である。テープ砥粒の平均粒径が９μｍである場合、ウェハＷの研磨レートは６〜１８μｍ／ｍｉｎ程度である。 The average grain size of the abrasive grains (tape abrasive grains) held on the polishing tape 3B is 3 to 9 μm (for example, # 4000 to # 2000). When the average particle size of the tape abrasive grains is 3 μm, the polishing rate of the wafer W is about 2 to 7 μm / min. When the average particle size of the tape abrasive grains is 5 μm, the polishing rate of the wafer W is about 3 to 9 μm / min. When the average particle diameter of the tape abrasive grains is 9 μm, the polishing rate of the wafer W is about 6 to 18 μm / min.

第１の研磨ユニット２Ａについて説明する。第１の研磨ユニット２Ａは、砥石３Ａをその軸心まわりに回転させるモータ２０と、モータ２０とともに砥石３ＡをウェハＷの表面に対して垂直な方向に移動させる垂直アクチュエータ５１と、モータ２０とともに砥石３ＡをウェハＷの半径方向に移動させる水平アクチュエータ５２とを備えている。制御装置５０は、これらモータ２０、垂直アクチュエータ５１、および水平アクチュエータ５２に電気的に接続されており、モータ２０、垂直アクチュエータ５１、および水平アクチュエータ５２の動作を制御するように構成されている。なお、図２では、垂直アクチュエータ５１および水平アクチュエータ５２の図示は省略されている。 The first polishing unit 2A will be described. The first polishing unit 2A includes a motor 20 for rotating the grindstone 3A around its axis, a vertical actuator 51 for moving the grindstone 3A together with the motor 20 in a direction perpendicular to the surface of the wafer W, and a grindstone together with the motor 20. A horizontal actuator 52 for moving 3A in the radial direction of the wafer W. The control device 50 is electrically connected to the motor 20, the vertical actuator 51, and the horizontal actuator 52, and is configured to control the operations of the motor 20, the vertical actuator 51, and the horizontal actuator 52. In FIG. 2, illustration of the vertical actuator 51 and the horizontal actuator 52 is omitted.

砥石３Ａはモータ２０に連結されている。垂直アクチュエータ５１は、モータ２０を介して砥石３Ａを上下動可能に支持しており、基板保持部１に保持されたウェハＷの表面と垂直に延びている。水平アクチュエータ５２は、モータ２０および垂直アクチュエータ５１を介して砥石３Ａを水平移動可能に支持しており、ウェハＷの表面と平行に延びている。垂直アクチュエータ５１および水平アクチュエータ５２としては、エアシリンダの組み合わせ、またはサーボモータとボールねじとの組み合わせなどを使用することができる。 The grindstone 3A is connected to the motor 20. The vertical actuator 51 supports the grindstone 3A via the motor 20 so as to be vertically movable, and extends perpendicularly to the surface of the wafer W held by the substrate holding unit 1. The horizontal actuator 52 supports the grindstone 3A via the motor 20 and the vertical actuator 51 so as to be horizontally movable, and extends parallel to the surface of the wafer W. As the vertical actuator 51 and the horizontal actuator 52, a combination of an air cylinder or a combination of a servomotor and a ball screw can be used.

砥石３Ａの形状は図１および図２に示す実施形態には限定されない。図３は、砥石３Ａの他の実施形態を示す側面図である。図４は、図３に示す砥石３Ａの平面図である。図３および図４に示すように、砥石３Ａは、その軸方向がウェハＷの表面と垂直になるように、かつその処理面がウェハＷのエッジ部に対向するように配置されている。図３および図４に示す実施形態では、砥石３Ａの処理面は平面であるため、砥石３ＡはウェハＷのエッジ部と面接触する。本実施形態では、水平アクチュエータ５２は、モータ２０に接続されており、モータ２０を介して砥石３Ａを水平移動可能に支持している。 The shape of the grindstone 3A is not limited to the embodiment shown in FIGS. FIG. 3 is a side view showing another embodiment of the grindstone 3A. FIG. 4 is a plan view of the grindstone 3A shown in FIG. As shown in FIGS. 3 and 4, the grindstone 3 </ b> A is arranged so that its axial direction is perpendicular to the surface of the wafer W, and its processing surface faces the edge of the wafer W. In the embodiment shown in FIGS. 3 and 4, the processing surface of the grindstone 3A is a flat surface, so that the grindstone 3A comes into surface contact with the edge portion of the wafer W. In the present embodiment, the horizontal actuator 52 is connected to the motor 20 and supports the grindstone 3A via the motor 20 so as to be horizontally movable.

基板保持部１の構造は上述した実施形態には限定されない。図５は、基板保持部１の他の実施形態を示す図である。図５に示す実施形態では、基板保持部１は、ウェハＷの全体が支持されるステージ部材１ａと、ステージ部材１ａの上面に露出するように埋め込まれ、ウェハＷの下面に接触可能なポーラス部材１ｂとを備えている。本実施形態では、ステージ部材１ａは、セラミックスから構成されており、ウェハＷの直径と同じ直径を有している。ポーラス部材１ｂは、ウェハＷを吸引保持するポーラスチャックであり、ステージ部材１ａと同心状に配置された環状形状を有している。 The structure of the substrate holding unit 1 is not limited to the embodiment described above. FIG. 5 is a diagram illustrating another embodiment of the substrate holding unit 1. In the embodiment shown in FIG. 5, the substrate holding unit 1 includes a stage member 1a on which the entire wafer W is supported, and a porous member embedded so as to be exposed on the upper surface of the stage member 1a and capable of contacting the lower surface of the wafer W. 1b. In the present embodiment, the stage member 1a is made of ceramics and has the same diameter as the diameter of the wafer W. The porous member 1b is a porous chuck that sucks and holds the wafer W, and has an annular shape that is arranged concentrically with the stage member 1a.

図５に示す基板保持部１は堅牢な構造を有している。第１の研磨ユニット２Ａは、砥石３ＡをウェハＷのエッジ部に上から押し付けるため、ウェハＷのエッジ部には、砥石３Ａの押し付けによる負荷がかかってしまう。図５に示す実施形態では、基板保持部１は、そのステージ部材１ａによりウェハＷの中心部のみならずエッジ部をも支持することができる。 The substrate holding unit 1 shown in FIG. 5 has a robust structure. Since the first polishing unit 2A presses the grindstone 3A against the edge of the wafer W from above, a load is applied to the edge of the wafer W due to the pressing of the grindstone 3A. In the embodiment shown in FIG. 5, the substrate holding unit 1 can support not only the center part but also the edge part of the wafer W by the stage member 1a.

第２の研磨ユニット２Ｂについて説明する。図１および図２に示すように、第２の研磨ユニット２Ｂは、研磨テープ３Ｂを支持する研磨テープ支持機構（研磨具支持機構）５と、研磨テープ３ＢをウェハＷのエッジ部に上から押し付ける押圧パッド７と、押圧パッド７をウェハ表面に対して垂直な方向に移動させる垂直移動機構９と、押圧パッド７および垂直移動機構９をウェハＷの半径方向に移動させる押圧パッド移動機構（押圧部材移動機構）１０と、研磨テープ３Ｂおよび研磨テープ支持機構５をウェハＷの半径方向に移動させるテープ移動機構（研磨具移動機構）１１とを備えている。 The second polishing unit 2B will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, the second polishing unit 2B presses the polishing tape 3B against the edge portion of the wafer W from above, and the polishing tape supporting mechanism (polishing tool supporting mechanism) 5 for supporting the polishing tape 3B. A pressing pad 7, a vertical moving mechanism 9 for moving the pressing pad 7 in a direction perpendicular to the wafer surface, and a pressing pad moving mechanism (a pressing member) for moving the pressing pad 7 and the vertical moving mechanism 9 in the radial direction of the wafer W. (A moving mechanism) 10 and a tape moving mechanism (a polishing tool moving mechanism) 11 for moving the polishing tape 3B and the polishing tape supporting mechanism 5 in the radial direction of the wafer W.

押圧パッド移動機構１０およびテープ移動機構１１は、互いに独立に動作可能となっている。したがって、ウェハＷの半径方向における押圧パッド７と研磨テープ３Ｂとの相対位置は、押圧パッド移動機構１０およびテープ移動機構１１によって調整することができる。垂直移動機構９、押圧パッド移動機構１０、およびテープ移動機構１１としては、エアシリンダの組み合わせ、またはサーボモータとボールねじとの組み合せなどを使用することができる。制御装置５０は、垂直移動機構９、押圧パッド移動機構１０、およびテープ移動機構１１に電気的に接続されており、垂直移動機構９、押圧パッド移動機構１０、およびテープ移動機構１１の動作を制御するように構成されている。 The pressing pad moving mechanism 10 and the tape moving mechanism 11 can operate independently of each other. Therefore, the relative position between the pressing pad 7 and the polishing tape 3B in the radial direction of the wafer W can be adjusted by the pressing pad moving mechanism 10 and the tape moving mechanism 11. As the vertical moving mechanism 9, the pressing pad moving mechanism 10, and the tape moving mechanism 11, a combination of an air cylinder or a combination of a servo motor and a ball screw can be used. The control device 50 is electrically connected to the vertical moving mechanism 9, the pressing pad moving mechanism 10, and the tape moving mechanism 11, and controls the operations of the vertical moving mechanism 9, the pressing pad moving mechanism 10, and the tape moving mechanism 11. It is configured to be.

研磨テープ支持機構５は、研磨テープ３Ｂを押圧パッド７に繰り出す繰り出しリール１２と、研磨テープ３Ｂを巻き取る巻取りリール１４とを備えている。研磨テープ３Ｂは、繰り出しリール１２から押圧パッド７を経由して巻取りリール１４まで延びている。 The polishing tape supporting mechanism 5 includes a feeding reel 12 for feeding the polishing tape 3B to the pressing pad 7, and a take-up reel 14 for winding the polishing tape 3B. The polishing tape 3B extends from the pay-out reel 12 to the take-up reel 14 via the pressing pad 7.

研磨テープ３Ｂの片面は、砥粒が固定された研磨面を構成している。研磨テープ３Ｂは、その研磨面がウェハＷのエッジ部に対向するように研磨テープ支持機構５によって支持されている。研磨テープ３Ｂは長尺の研磨具であり、ウェハＷの接線方向に沿って配置されている。 One surface of the polishing tape 3B constitutes a polishing surface to which abrasive grains are fixed. The polishing tape 3B is supported by the polishing tape support mechanism 5 such that the polishing surface faces the edge of the wafer W. The polishing tape 3B is a long polishing tool, and is arranged along the tangential direction of the wafer W.

押圧パッド７は、研磨テープ３ＢをウェハＷのエッジ部に押し付けるための押圧部材であり、ウェハＷのエッジ部の上方に配置されている。研磨テープ３Ｂは、押圧パッド７とウェハＷのエッジ部との間に配置されている。押圧パッド７の底面（水平面）には、研磨テープ３Ｂの外側への移動を制限するテープストッパー１７が固定されている。 The pressing pad 7 is a pressing member for pressing the polishing tape 3B against the edge of the wafer W, and is arranged above the edge of the wafer W. The polishing tape 3B is arranged between the pressing pad 7 and the edge of the wafer W. A tape stopper 17 for limiting the outward movement of the polishing tape 3B is fixed to the bottom surface (horizontal surface) of the pressing pad 7.

図６は、砥石３ＡをウェハＷのエッジ部に押圧して、ウェハＷのエッジ部を研削している状態を示す図である。水平アクチュエータ５２は、モータ２０および垂直アクチュエータ５１とともに砥石３ＡをウェハＷの半径方向に移動させ、砥石３ＡをウェハＷのエッジ部の上方の所定位置に配置する。垂直アクチュエータ５１は、モータ２０が砥石３Ａを回転させた状態で、モータ２０とともに砥石３Ａを下降させて、砥石３ＡをウェハＷのエッジ部に上から押し付ける。回転する砥石３ＡがウェハＷのエッジ部に押し付けられると、ウェハＷのエッジ部は研削され、エッジ部には、直角の断面形状（ステップ形状）、すなわち、垂直面ＶＳおよび水平面（平坦面）ＨＳが形成される。垂直面ＶＳおよび水平面ＨＳはウェハＷの被加工面である。 FIG. 6 is a diagram illustrating a state in which the grindstone 3A is pressed against the edge of the wafer W to grind the edge of the wafer W. The horizontal actuator 52 moves the grindstone 3A in the radial direction of the wafer W together with the motor 20 and the vertical actuator 51, and arranges the grindstone 3A at a predetermined position above the edge of the wafer W. The vertical actuator 51 lowers the grindstone 3A together with the motor 20 while the motor 20 rotates the grindstone 3A, and presses the grindstone 3A against the edge of the wafer W from above. When the rotating grindstone 3A is pressed against the edge of the wafer W, the edge of the wafer W is ground, and the edge has a right-angle cross-sectional shape (step shape), that is, a vertical surface VS and a horizontal surface (flat surface) HS. Is formed. The vertical plane VS and the horizontal plane HS are processing surfaces of the wafer W.

図７は、ウェハのエッジ部に形成された垂直面ＶＳおよび水平面ＨＳを示す図である。砥石３Ａの表面は粗い処理面であるため、砥石３Ａは、ウェハＷのエッジ部を高い加工レート（研磨レート）で研削（研磨）することができる。しかしながら、図７に示すように、ウェハＷのエッジ部には、粗い垂直面ＶＳおよび粗い水平面ＨＳが形成される。そこで、本実施形態では、研磨ユニット２Ｂは、研磨テープ３ＢをウェハＷのエッジ部に形成された垂直面ＶＳおよび水平面ＨＳに押圧して、粗い垂直面ＶＳおよび粗い水平面ＨＳを平滑化する。 FIG. 7 is a diagram showing a vertical plane VS and a horizontal plane HS formed at the edge of the wafer. Since the surface of the grindstone 3A is a rough treated surface, the grindstone 3A can grind (polish) the edge portion of the wafer W at a high processing rate (polishing rate). However, as shown in FIG. 7, a rough vertical plane VS and a rough horizontal plane HS are formed at the edge of the wafer W. Therefore, in the present embodiment, the polishing unit 2B presses the polishing tape 3B against the vertical plane VS and the horizontal plane HS formed at the edge of the wafer W, and smoothes the rough vertical plane VS and the coarse horizontal plane HS.

図８は、研磨テープ３Ｂを押圧パッド７によりウェハＷのエッジ部に押圧して、ウェハＷのエッジ部を研磨している状態を示す図である。図９は、研磨テープ３ＢをウェハＷのエッジ部に形成された垂直面ＶＳおよび水平面ＨＳに押圧している状態を示す図である。 FIG. 8 is a diagram illustrating a state in which the polishing tape 3B is pressed against the edge of the wafer W by the pressing pad 7 to polish the edge of the wafer W. FIG. 9 is a diagram showing a state in which the polishing tape 3B is pressed against the vertical plane VS and the horizontal plane HS formed at the edge of the wafer W.

図９に示すように、第２の研磨ユニット２Ｂは、研磨テープ３Ｂを用いてウェハＷのエッジ部を研磨し、滑らかな垂直面ＶＳおよび滑らかな水平面ＨＳを形成する。押圧パッド移動機構１０およびテープ移動機構１１は、研磨テープ３Ｂの一部が押圧パッド７からはみ出すように、ウェハＷの半径方向における押圧パッド７と研磨テープ３Ｂとの相対位置を調整する。より具体的には、研磨テープ３Ｂの一部は、押圧パッド７からウェハＷの半径方向内側に向かってはみ出している。一実施形態では、研磨テープ３Ｂの幅方向の長さは押圧パッド７の幅方向の長さよりも長くてもよい。この場合であっても、研磨テープ３Ｂは、その一部が押圧パッド７からはみ出すように配置される。 As shown in FIG. 9, the second polishing unit 2B polishes the edge of the wafer W using the polishing tape 3B to form a smooth vertical plane VS and a smooth horizontal plane HS. The pressing pad moving mechanism 10 and the tape moving mechanism 11 adjust the relative positions of the pressing pad 7 and the polishing tape 3B in the radial direction of the wafer W so that a part of the polishing tape 3B protrudes from the pressing pad 7. More specifically, a part of the polishing tape 3B protrudes from the pressing pad 7 toward the inside of the wafer W in the radial direction. In one embodiment, the length of the polishing tape 3B in the width direction may be longer than the length of the pressing pad 7 in the width direction. Even in this case, the polishing tape 3 </ b> B is arranged so that a part thereof protrudes from the pressing pad 7.

研磨ユニット２Ｂの押圧パッド７は、研磨テープ３Ｂの一部が押圧パッド７からはみ出した状態で、垂直移動機構９によって押し下げられる。このとき、研磨テープ３Ｂは、垂直面ＶＳの接線方向に進行する。結果として、研磨テープ３Ｂの一部（はみ出した部分）は垂直面ＶＳに押し当てられて、垂直面ＶＳは研磨される。研磨テープ３Ｂの他の部分は水平面ＨＳに押し当てられて、水平面ＨＳは研磨される。制御装置５０は、垂直移動機構９を動作させつつ、垂直面ＶＳに対向する研磨テープ３Ｂの研磨面が垂直面ＶＳに押し付けられるように、押圧パッド移動機構１０を動作させてもよい。 The pressing pad 7 of the polishing unit 2B is pressed down by the vertical movement mechanism 9 with a part of the polishing tape 3B protruding from the pressing pad 7. At this time, the polishing tape 3B advances in the tangential direction of the vertical plane VS. As a result, a part (protruding part) of the polishing tape 3B is pressed against the vertical surface VS, and the vertical surface VS is polished. The other portion of the polishing tape 3B is pressed against the horizontal surface HS, and the horizontal surface HS is polished. The control device 50 may operate the pressing pad moving mechanism 10 so that the polishing surface of the polishing tape 3B facing the vertical surface VS is pressed against the vertical surface VS while operating the vertical moving mechanism 9.

このようにして、押圧パッド７の底面に接触する研磨テープ３Ｂは水平面ＨＳに摺接し、押圧パッド７の側面（垂直面）に接触する研磨テープ３Ｂは垂直面ＶＳに摺接する。研磨テープ３Ｂは水平面ＨＳのみならず垂直面ＶＳにも摺接することができるため、研磨テープ３Ｂは垂直面ＶＳおよび水平面ＨＳを平滑化することができる（図１０参照）。 Thus, the polishing tape 3B that contacts the bottom surface of the pressing pad 7 slides on the horizontal surface HS, and the polishing tape 3B that contacts the side surface (vertical surface) of the pressing pad 7 slides on the vertical surface VS. Since the polishing tape 3B can slide not only on the horizontal surface HS but also on the vertical surface VS, the polishing tape 3B can smooth the vertical surface VS and the horizontal surface HS (see FIG. 10).

上述した研磨装置（加工装置）による研磨方法（加工方法）は、砥石３Ａにより垂直面ＶＳおよび水平面ＨＳをウェハＷのエッジ部に形成する粗加工工程と、ウェハＷのエッジ部に形成された垂直面ＶＳ（および水平面ＨＳ）を研磨テープ３Ｂにより平滑化する仕上げ加工工程とを備えている。 The above-described polishing method (processing method) using the polishing apparatus (processing apparatus) includes a rough processing step of forming a vertical surface VS and a horizontal surface HS at the edge of the wafer W by the grindstone 3A, and a vertical processing formed at the edge of the wafer W. And a finishing step of smoothing the surface VS (and the horizontal surface HS) with the polishing tape 3B.

制御装置５０は、プログラムに従って動作するコンピュータでもよい。このプログラムは、記憶媒体に格納されてもよい。この記憶媒体は、ウェハＷのエッジ部を加工（研磨）する方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。 Control device 50 may be a computer that operates according to a program. This program may be stored on a storage medium. This storage medium is a non-temporary computer-readable storage medium storing a computer program for executing a method of processing (polishing) the edge portion of the wafer W.

図１１（ａ）乃至図１１（ｃ）は、研磨方法の一実施形態を示す図である。図１２は、ウェハの研磨プロセスを説明するフローチャートである。制御装置５０は、基板保持部１（図１および図２参照）を動作させて、ウェハＷを回転させる。ウェハＷはその軸心まわりに基板保持部１によって回転される（図１２のステップＳ１０１参照）。 FIGS. 11A to 11C are diagrams illustrating an embodiment of a polishing method. FIG. 12 is a flowchart illustrating a wafer polishing process. The control device 50 operates the substrate holding unit 1 (see FIGS. 1 and 2) to rotate the wafer W. The wafer W is rotated around its axis by the substrate holder 1 (see step S101 in FIG. 12).

この状態で、制御装置５０は、第１の研磨ユニット２Ａを動作させて、第１の加工具としての砥石３ＡをウェハＷのエッジ部に押し当ててエッジ部に水平面ＨＳと垂直面ＶＳとを形成する。図１１（ａ）に示すように、砥石３ＡがまずウェハＷのエッジ部に接触し、エッジ部の研削を開始する（図１２のステップＳ１０２参照）。このとき、研磨テープ３ＢはウェハＷから離れている。垂直アクチュエータ５１が砥石３Ａを押し下げると、ウェハＷのエッジ部には、粗い垂直面ＶＳおよび粗い水平面ＨＳが形成される。 In this state, the control device 50 operates the first polishing unit 2A, presses the grindstone 3A as the first processing tool against the edge of the wafer W, and sets the horizontal plane HS and the vertical plane VS on the edge. Form. As shown in FIG. 11A, the grindstone 3A first comes into contact with the edge of the wafer W and starts grinding the edge (see step S102 in FIG. 12). At this time, the polishing tape 3B is separated from the wafer W. When the vertical actuator 51 pushes down the grindstone 3A, a rough vertical surface VS and a rough horizontal surface HS are formed at the edge of the wafer W.

砥石３ＡがウェハＷのエッジ部に接触した時点（すなわち、砥石３Ａがエッジ部の研削を開始した時点）から所定の時間が経過した後、制御装置５０は、垂直移動機構９を動作させて、押圧パッド７を押し下げる。 After a predetermined time has elapsed from the time when the grindstone 3A contacts the edge of the wafer W (that is, the time when the grindstone 3A starts grinding the edge), the control device 50 operates the vertical movement mechanism 9 to The pressing pad 7 is pressed down.

図１１（ｂ）に示すように、研磨テープ３ＢがウェハＷのエッジ部に接触し、エッジ部の研磨を開始する。エッジ部に接触しているときの研磨テープ３Ｂの接触幅は、エッジ部に接触しているときの砥石３Ａの接触幅と同一である。接触幅は、ウェハＷの半径方向における砥石３Ａおよび研磨テープ３Ｂの接触幅である。 As shown in FIG. 11B, the polishing tape 3B comes into contact with the edge of the wafer W, and starts polishing the edge. The contact width of the polishing tape 3B when in contact with the edge is the same as the contact width of the grindstone 3A when in contact with the edge. The contact width is a contact width between the grindstone 3A and the polishing tape 3B in the radial direction of the wafer W.

さらに、図１１（ｃ）に示すように、押圧パッド７を押し下げることにより、研磨テープ３ＢによってウェハＷのエッジ部に滑らかな垂直面ＶＳおよび滑らかな水平面ＨＳを形成する（図１２のステップＳ１０３参照）。図１１（ａ）乃至図１１（ｃ）には図示しないが、ウェハＷのエッジ部の研磨中は、研磨液供給機構４から研磨液がウェハＷの上面に供給される。 Further, as shown in FIG. 11C, by pressing down the pressing pad 7, a smooth vertical surface VS and a smooth horizontal surface HS are formed on the edge portion of the wafer W by the polishing tape 3B (see step S103 in FIG. 12). ). Although not shown in FIGS. 11A to 11C, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply mechanism 4 to the upper surface of the wafer W during polishing of the edge portion of the wafer W.

一実施形態では、ウェハＷの処理後、エッジ部の表面状態はＣＣＤカメラ、光学顕微鏡、または走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）などの観察機器で観察されてもよい。また、粗加工工程に要する時間および仕上げ加工工程に要する時間は、ウェハＷの加工（研磨）を行う条件を設定する加工レシピ（研磨レシピ）に組み込まれてもよい。この場合、制御装置５０は、この加工レシピに基づいて、粗加工工程および仕上げ加工工程を実行する。 In one embodiment, after processing the wafer W, the surface state of the edge portion may be observed with an observation device such as a CCD camera, an optical microscope, or a scanning electron microscope (SEM). Further, the time required for the rough processing step and the time required for the finishing processing step may be incorporated in a processing recipe (polishing recipe) for setting conditions for processing (polishing) the wafer W. In this case, the control device 50 executes the roughing step and the finishing step based on the processing recipe.

研磨テープ３Ｂよりも粗い処理面（加工面）を有する砥石３Ａは、高い研磨レートで、ウェハＷのエッジ部に粗い垂直面ＶＳおよび粗い水平面ＨＳを形成するため、ウェハＷの全体の加工時間を短くすることができる。したがって、研磨装置の生産効率を上げることができる。砥石３Ａよりも細かい処理面（加工面）を有する研磨テープ３Ｂは、粗い垂直面ＶＳ（および水平面ＨＳ）を滑らかにし、粗加工工程で発生した研磨屑を除去することができる。したがって、研磨屑の発生に起因するウェハＷの損傷を防止することができる。本実施形態によれば、研磨装置に関するＣｏＯ（Cost of Ownership）を削減することができる。 The grindstone 3A having a processing surface (processed surface) coarser than the polishing tape 3B forms a rough vertical surface VS and a coarse horizontal surface HS at the edge portion of the wafer W at a high polishing rate, so that the entire processing time of the wafer W is reduced. Can be shorter. Therefore, the production efficiency of the polishing apparatus can be improved. The polishing tape 3B having a processing surface (processed surface) finer than the grindstone 3A can smooth the rough vertical surface VS (and the horizontal surface HS) and remove polishing debris generated in the rough processing step. Therefore, it is possible to prevent the wafer W from being damaged due to the generation of polishing debris. According to the present embodiment, the cost of ownership (CoO) of the polishing apparatus can be reduced.

さらに本実施形態では、砥石３Ａは粗い処理面を有しているため、砥石３Ａの処理面の目詰まりは起こらず、砥石３Ａは、その研削力が常に維持された状態で、ウェハＷのエッジ部を研削することができる。したがって、砥石３Ａのメンテナンスは不要である。さらに、仕上げ加工工程では、研磨テープ３Ｂは繰り出しリール１２から巻取りリール１４に送られた状態でエッジ部の垂直面ＶＳおよび水平面ＨＳに接触するため、使用されていない新たな研磨面が垂直面ＶＳおよび水平面ＨＳを平滑化することができる。 Further, in the present embodiment, since the grinding wheel 3A has a rough processing surface, the processing surface of the grinding stone 3A is not clogged, and the grinding stone 3A is kept at the edge of the wafer W while its grinding force is constantly maintained. The part can be ground. Therefore, maintenance of the grindstone 3A is unnecessary. Further, in the finishing processing step, the polishing tape 3B comes into contact with the vertical surface VS and the horizontal surface HS of the edge portion in a state where the polishing tape 3B is sent from the pay-out reel 12 to the take-up reel 14, so that a new polished surface that is not used is The VS and the horizontal plane HS can be smoothed.

研磨テープ３ＢによるウェハＷの処理時間（仕上げ加工時間）が砥石３ＡによるウェハＷの処理時間（粗加工時間）よりも極端に大きい場合、ウェハＷの全体の処理時間が必要以上に長くなるおそれがある。そこで、仕上げ加工時間と粗加工時間との差分が所定の値よりも大きい場合、粗加工工程と仕上げ加工工程との間に中間加工工程を実行してもよい。中間加工工程では、砥石３Ａよりも細かく、かつ研磨テープ３Ｂよりも粗い処理面を有する砥石（図示しない）が使用される。この場合、研磨装置は、上記砥石をウェハＷのエッジ部に押し当てる第３の研磨ユニット（図示しない）を備える。第３の研磨ユニットは、第１の研磨ユニット２Ａと同様の構造を有する。 When the processing time (finishing processing time) of the wafer W by the polishing tape 3B is extremely longer than the processing time (rough processing time) of the wafer W by the grindstone 3A, there is a possibility that the entire processing time of the wafer W becomes longer than necessary. is there. Therefore, when the difference between the finishing time and the roughing time is larger than a predetermined value, an intermediate working step may be executed between the roughing step and the finishing step. In the intermediate processing step, a grindstone (not shown) having a processing surface finer than the grindstone 3A and rougher than the polishing tape 3B is used. In this case, the polishing apparatus includes a third polishing unit (not shown) that presses the grinding stone against the edge of the wafer W. The third polishing unit has the same structure as the first polishing unit 2A.

ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板の製造工程では、本実施形態の研磨装置によって研磨されたデバイス基板をシリコン基板に貼り合わせ、デバイス基板をその裏面からグラインダーで研削することで、ＳＯＩ基板を得る。デバイス基板には、細かい研磨面を有する研磨テープ３Ｂによって形成された滑らかな垂直面ＶＳのみが残る。 In the process of manufacturing an SOI (Silicon on Insulator) substrate, a device substrate polished by the polishing apparatus of the present embodiment is attached to a silicon substrate, and the device substrate is ground from the back surface with a grinder to obtain an SOI substrate. Only a smooth vertical surface VS formed by the polishing tape 3B having a fine polishing surface remains on the device substrate.

上述した実施形態では、研磨テープ３Ｂの一部を押圧パッド７からはみ出した状態で、ウェハＷのエッジ部の垂直面ＶＳを平滑化する構成例について説明したが、垂直面ＶＳを平滑化する構成は、本実施形態には限定されない。 In the above-described embodiment, the configuration example in which the vertical surface VS of the edge portion of the wafer W is smoothed with a part of the polishing tape 3B protruding from the pressing pad 7 has been described. Is not limited to this embodiment.

図１３は、第２の研磨ユニット２Ｂの他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、上述した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。図１３では、第１の研磨ユニット２Ａの図示は省略されている。 FIG. 13 is a view showing another embodiment of the second polishing unit 2B. The configuration of this embodiment, which is not particularly described, is the same as that of the above-described embodiment, and a duplicate description thereof will be omitted. In FIG. 13, the illustration of the first polishing unit 2A is omitted.

図１３に示すように、第２の加工具は、第１の研磨テープ３Ｂ−１および第２の研磨テープ３Ｂ−２である。第２の研磨ユニット２Ｂの研磨テープ支持機構５は、第１の研磨テープ３Ｂ−１を押圧パッド７に繰り出す繰り出しリール１２Ａと、第２の研磨テープ３Ｂ−２を押圧パッド７に繰り出す繰り出しリール１２Ｂとを備えている。第１の研磨テープ３Ｂ−１は、繰り出しリール１２Ａから押圧パッド７の底面を経由して巻取りリール１４Ａまで延びている。第２の研磨テープ３Ｂ−２は、繰り出しリール１２Ｂから押圧パッド７の側面を経由して巻取りリール１４Ｂまで延びている。 As shown in FIG. 13, the second processing tools are a first polishing tape 3B-1 and a second polishing tape 3B-2. The polishing tape supporting mechanism 5 of the second polishing unit 2B includes a feed reel 12A for feeding the first polishing tape 3B-1 to the pressing pad 7, and a feeding reel 12B for feeding the second polishing tape 3B-2 to the pressing pad 7. And The first polishing tape 3B-1 extends from the reel 12A to the take-up reel 14A via the bottom surface of the pressing pad 7. The second polishing tape 3B-2 extends from the pay-out reel 12B to the take-up reel 14B via the side surface of the pressing pad 7.

第１の研磨テープ３Ｂ−１は、その研磨面がウェハＷの表面と平行に、かつウェハＷのエッジ部の水平面ＨＳに対向するように研磨テープ支持機構５によって支持されている。第２の研磨テープ３Ｂ−２は、その研磨面がウェハＷの表面と垂直に、かつウェハＷのエッジ部の垂直面ＶＳに対向するように研磨テープ支持機構５によって支持されている。 The first polishing tape 3B-1 is supported by the polishing tape supporting mechanism 5 such that the polishing surface is parallel to the surface of the wafer W and faces the horizontal plane HS at the edge of the wafer W. The second polishing tape 3B-2 is supported by the polishing tape support mechanism 5 such that the polishing surface is perpendicular to the surface of the wafer W and faces the vertical surface VS at the edge of the wafer W.

繰り出しリール１２Ａおよび繰り出しリール１２Ｂは、互いに同心状に配置されており、リールモータ１８に連結されている。巻取りリール１４Ａおよび巻取りリール１４Ｂは、互いに同心状に配置されており、リールモータ１９に連結されている。繰り出しリール１２Ａ，１２Ｂおよび巻取りリール１４Ａ，１４Ｂには、それぞれリールモータ１８，１９によって反対方向にトルクが加えられており、これにより研磨テープ３Ｂ−１，３Ｂ−２のそれぞれにはテンションが付与される。なお、上述した実施形態における第２の研磨ユニット２Ｂ（図２参照）もリールモータを備えてもよい。 The pay-out reel 12A and the pay-out reel 12B are arranged concentrically with each other, and are connected to a reel motor 18. The take-up reel 14A and the take-up reel 14B are arranged concentrically with each other, and are connected to a reel motor 19. Torques are applied to the supply reels 12A and 12B and the take-up reels 14A and 14B in opposite directions by reel motors 18 and 19, respectively, whereby tension is applied to the polishing tapes 3B-1 and 3B-2. Is done. Note that the second polishing unit 2B (see FIG. 2) in the above-described embodiment may also include a reel motor.

繰り出しリール１２Ａと巻取りリール１４Ａとの間を延びる第１の研磨テープ３Ｂ−１はガイドローラ２１Ａおよびガイドローラ２２Ａによってガイドされている。繰り出しリール１２Ｂと巻取りリール１４Ｂとの間を延びる第２の研磨テープ３Ｂ−２はガイドローラ２１Ｂおよびガイドローラ２２Ｂによってガイドされている。これらガイドローラ２１Ａ，２２Ａ，２１Ｂ，２２Ｂのそれぞれの軸方向はウェハＷの表面と平行である。 The first polishing tape 3B-1 extending between the payout reel 12A and the take-up reel 14A is guided by guide rollers 21A and 22A. The second polishing tape 3B-2 extending between the pay-out reel 12B and the take-up reel 14B is guided by guide rollers 21B and 22B. The axial direction of each of the guide rollers 21A, 22A, 21B, 22B is parallel to the surface of the wafer W.

研磨テープ支持機構５は、繰り出しリール１２Ｂから送られる第２の研磨テープ３Ｂ−２の研磨面が垂直面ＶＳに対向するように、すなわち、ウェハＷの表面と垂直になるように、第２の研磨テープ３Ｂ−２を所定の角度（本実施形態では、９０度の角度）で捻る捻りローラ３１を備えている。研磨テープ支持機構５は、さらに、第２の研磨テープ３Ｂ−２の研磨面がウェハＷの表面と平行になるように、第２の研磨テープ３Ｂ−２を所定の角度（本実施形態では、９０度の角度）で捻る捻りローラ３２を備えている。 The polishing tape supporting mechanism 5 performs the second polishing so that the polishing surface of the second polishing tape 3B-2 sent from the pay-out reel 12B faces the vertical surface VS, that is, the second polishing tape 3B-2 is perpendicular to the surface of the wafer W. A twist roller 31 for twisting the polishing tape 3B-2 at a predetermined angle (in the present embodiment, an angle of 90 degrees) is provided. The polishing tape supporting mechanism 5 further tilts the second polishing tape 3B-2 at a predetermined angle (in the present embodiment, so that the polishing surface of the second polishing tape 3B-2 is parallel to the surface of the wafer W). (A 90-degree angle).

これら捻りローラ３１，３２は、押圧パッド７の両側に、かつガイドローラ２１Ａ，２１Ｂとガイドローラ２２Ａ，２２Ｂとの間に配置されている。捻りローラ３１，３２のそれぞれの軸方向は、ウェハＷの表面と垂直である。一実施形態では、捻りローラ３１，３２の代わりに、ウェハＷの表面と垂直に延びるピンが設けられてもよい。 These twist rollers 31, 32 are arranged on both sides of the pressing pad 7 and between the guide rollers 21A, 21B and the guide rollers 22A, 22B. The axial direction of each of the twist rollers 31 and 32 is perpendicular to the surface of the wafer W. In one embodiment, a pin extending perpendicular to the surface of the wafer W may be provided instead of the twist rollers 31 and 32.

捻りローラ３１，３２の間には、第２の研磨テープ３Ｂ−２を押圧パッド７に対して位置決めする２つの位置決めピン（補正ピン）３３，３４が配置されている。これら位置決めピン３３，３４は、押圧パッド７の両側に配置されており、押圧パッド７に隣接している。位置決めピン３３，３４の軸方向はウェハＷの表面と垂直、すなわち、捻りローラ３１，３２の軸方向と平行である。 Two positioning pins (correction pins) 33, 34 for positioning the second polishing tape 3B-2 with respect to the pressing pad 7 are disposed between the twist rollers 31, 32. These positioning pins 33 and 34 are arranged on both sides of the pressing pad 7 and are adjacent to the pressing pad 7. The axial direction of the positioning pins 33 and 34 is perpendicular to the surface of the wafer W, that is, parallel to the axial direction of the twist rollers 31 and 32.

繰り出しリール１２Ｂから巻取りリール１４Ｂに向かって進行する第２の研磨テープ３Ｂ−２は、その進行方向における押圧パッド７の上流側の位置で、捻りローラ３１によって捻られる。第２の研磨テープ３Ｂ−２は、その研磨面がエッジ部の垂直面ＶＳと平行になるように、垂直面ＶＳの接線方向に進行する。結果として、第２の研磨テープ３Ｂ−２は、ウェハＷのエッジ部に滑らかな垂直面ＶＳを形成する。第２の研磨テープ３Ｂ−２の捻りは、その進行方向における押圧パッド７の下流側の位置で、捻りローラ３２によって戻される。 The second polishing tape 3B-2 advancing from the pay-out reel 12B toward the take-up reel 14B is twisted by the twist roller 31 at a position on the upstream side of the pressing pad 7 in the advancing direction. The second polishing tape 3B-2 advances in the tangential direction of the vertical surface VS such that the polishing surface is parallel to the vertical surface VS of the edge portion. As a result, the second polishing tape 3B-2 forms a smooth vertical surface VS at the edge of the wafer W. The twist of the second polishing tape 3B-2 is returned by the twist roller 32 at a position downstream of the pressing pad 7 in the traveling direction.

図１３に示す実施形態では、異なる２つのテープ部材（第１の研磨テープ３Ｂ−１および第２の研磨テープ３Ｂ−２）が設けられるため、第１の研磨テープ３Ｂ−１の研磨面と第２の研磨テープ３Ｂ−２の研磨面とは、異なる粗さを有してもよい。言い換えれば、第１の研磨テープ３Ｂ−１に保持された砥粒の平均粒径と第２の研磨テープ３Ｂ−２に保持された砥粒の平均粒径は異なってもよい。 In the embodiment shown in FIG. 13, since two different tape members (the first polishing tape 3B-1 and the second polishing tape 3B-2) are provided, the polishing surface of the first polishing tape 3B-1 and the second The polishing surface of the second polishing tape 3B-2 may have a different roughness. In other words, the average grain size of the abrasive grains held on the first polishing tape 3B-1 may be different from the average grain size of the abrasive grains held on the second polishing tape 3B-2.

ウェハＷの研磨は、予め設定された目標研磨量に到達したときに終了される。砥石３Ａは高い加工レートでウェハＷのエッジ部を研削することができるため、第１の研磨ユニット２Ａにおける研磨終点は研磨時間によって管理してもよい。一実施形態では、研磨装置は、第１の研磨ユニット２Ａおよび／または第２の研磨ユニット２ＢによるウェハＷの研磨の終了時点（研磨終点）を決定する装置を備えてもよい。 The polishing of the wafer W is terminated when the polishing amount reaches a preset target polishing amount. Since the grindstone 3A can grind the edge of the wafer W at a high processing rate, the polishing end point in the first polishing unit 2A may be controlled by the polishing time. In one embodiment, the polishing apparatus may include a device that determines the end point (polishing end point) of polishing of the wafer W by the first polishing unit 2A and / or the second polishing unit 2B.

図１４は、ウェハＷの研磨終点を決定する研磨終点決定装置４０を示す図である。図１４では、第２の研磨ユニット２Ｂが研磨終点決定装置４０を備えている場合について説明する。図１４に示すように、研磨終点決定装置４０は、垂直移動機構９の可動部材９ａに固定された位置決め部材４１と、位置決め部材４１の下方に配置された研磨位置制限機構４２とを備えている。押圧パッド７は垂直移動機構９の可動部材９ａに連結されており、位置決め部材４１は押圧パッド７と一体に上下動する。研磨終点決定装置４０は加工終点決定装置と呼ばれてもよく、研磨位置制限機構４２は加工位置制限機構と呼ばれてもよい。 FIG. 14 is a diagram illustrating a polishing end point determination device 40 that determines the polishing end point of the wafer W. FIG. 14 illustrates a case where the second polishing unit 2B includes the polishing end point determining device 40. As shown in FIG. 14, the polishing end point determination device 40 includes a positioning member 41 fixed to the movable member 9a of the vertical movement mechanism 9, and a polishing position restriction mechanism 42 disposed below the positioning member 41. . The pressing pad 7 is connected to the movable member 9 a of the vertical movement mechanism 9, and the positioning member 41 moves up and down integrally with the pressing pad 7. The polishing end point determining device 40 may be called a processing end point determining device, and the polishing position limiting mechanism 42 may be called a processing position limiting mechanism.

研磨位置制限機構４２は、位置決め部材４１の下降移動を制限するストッパー４３と、ストッパー４３を昇降させるボールねじ機構４４と、ボールねじ機構４４を駆動するサーボモータ４５とを備えている。位置決め部材４１がストッパー４３に接触することで位置決め部材４１の位置および移動が制限される。サーボモータ４５を駆動すると、ボールねじ機構４４およびストッパー４３は昇降する。 The polishing position limiting mechanism 42 includes a stopper 43 that limits the downward movement of the positioning member 41, a ball screw mechanism 44 that moves the stopper 43 up and down, and a servomotor 45 that drives the ball screw mechanism 44. When the positioning member 41 contacts the stopper 43, the position and movement of the positioning member 41 are restricted. When the servo motor 45 is driven, the ball screw mechanism 44 and the stopper 43 move up and down.

エッジ部の水平面ＨＳが平滑化されるにつれて、押圧パッド７が下降し、やがて位置決め部材４１がストッパー４３に当接する。位置決め部材４１がストッパー４３に当接した後は、押圧パッド７はそれ以上下降しない。したがって、位置決め部材４１がストッパー４３に当接したときに実質的にウェハＷの研磨が終了される。 As the horizontal plane HS of the edge portion is smoothed, the pressing pad 7 descends, and the positioning member 41 eventually comes into contact with the stopper 43. After the positioning member 41 contacts the stopper 43, the pressing pad 7 does not descend any more. Therefore, when the positioning member 41 comes into contact with the stopper 43, the polishing of the wafer W is substantially finished.

ウェハＷを所定の目標研磨量だけ正確に研磨するためには、研磨始点を決定する必要がある。まず、サーボモータ４５によりストッパー４３を上昇させ、または、垂直移動機構９により位置決め部材４１を下降させて、位置決め部材４１とストッパー４３とを互いに接触させる。次いで、位置決め部材４１とストッパー４３との接触を保ちながら、垂直移動機構９およびサーボモータ４５により位置決め部材４１およびストッパー４３を下降させる。研磨テープ３Ｂがエッジ部の水平面ＨＳに接触した瞬間にストッパー４３は位置決め部材４１から離間する。この瞬間のストッパー４３の位置はストッパー４３の初期位置であり、この初期位置が研磨始点に決定される。 In order to accurately polish the wafer W by a predetermined target polishing amount, it is necessary to determine a polishing start point. First, the stopper 43 is raised by the servomotor 45 or the positioning member 41 is lowered by the vertical movement mechanism 9 to bring the positioning member 41 and the stopper 43 into contact with each other. Next, while maintaining contact between the positioning member 41 and the stopper 43, the positioning member 41 and the stopper 43 are lowered by the vertical movement mechanism 9 and the servomotor 45. The stopper 43 separates from the positioning member 41 at the moment when the polishing tape 3B comes into contact with the horizontal surface HS of the edge portion. The position of the stopper 43 at this moment is the initial position of the stopper 43, and this initial position is determined as the polishing start point.

ストッパー４３は、その初期位置からウェハＷの目標研磨量に相当する距離だけサーボモータ４５によって下降される。そして、位置決め部材４１がストッパー４３に当接するまでウェハＷが研磨される。 The stopper 43 is lowered by the servo motor 45 from the initial position by a distance corresponding to the target polishing amount of the wafer W. Then, the wafer W is polished until the positioning member 41 comes into contact with the stopper 43.

一実施形態では、研磨終点決定装置４０は、位置決め部材４１のストッパー３３との接触を検出する接触センサ４６を備えてもよい。位置決め部材４１がストッパー４３に当接した時点は、距離センサまたは変位センサなどの接触センサ４６の出力信号の変化から決定することができる。接触センサ４６は、ストッパー４３の上面に設けられており、制御装置５０に電気的に接続されている。接触センサ４６は位置決め部材４１の下面に固定されてもよい。 In one embodiment, the polishing end point determining device 40 may include a contact sensor 46 that detects the contact of the positioning member 41 with the stopper 33. The time when the positioning member 41 abuts on the stopper 43 can be determined from a change in the output signal of the contact sensor 46 such as a distance sensor or a displacement sensor. The contact sensor 46 is provided on the upper surface of the stopper 43 and is electrically connected to the control device 50. The contact sensor 46 may be fixed to the lower surface of the positioning member 41.

上述した実施形態では、ウェハＷのエッジ部を研磨する研磨装置について説明したが、粗加工工程と仕上げ加工工程とを含む研磨方法（加工方法）は、ウェハＷのベベル部（図１６（ａ）および図１６（ｂ）参照）を研磨する研磨装置（加工装置）に適用されてもよい。 In the above-described embodiment, the polishing apparatus for polishing the edge portion of the wafer W has been described. However, the polishing method (processing method) including the rough processing step and the finishing processing step is performed on the bevel portion of the wafer W (FIG. 16A). And FIG. 16B) may be applied to a polishing apparatus (processing apparatus) for polishing.

図１５は、ウェハＷのベベル部の研磨方法を実行する研磨装置（ベベル研磨装置）を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、上述した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。図１５に示すように、本実施形態では、砥石３Ａは、ウェハＷのベベル部に接触可能な湾曲形状を有している。より具体的には、砥石３Ａのベベル部との接触面は、処理後のベベル部の縦断面形状に沿うように、内側に湾曲する湾曲形状を有している。砥石３Ａは湾曲した接触面を有する柱形状を有しており、砥石３Ａの軸方向はウェハＷの表面と垂直である。 FIG. 15 is a diagram illustrating a polishing apparatus (bevel polishing apparatus) that executes the method of polishing the bevel portion of the wafer W. The configuration of this embodiment, which is not particularly described, is the same as that of the above-described embodiment, and a duplicate description thereof will be omitted. As shown in FIG. 15, in the present embodiment, the grindstone 3A has a curved shape that can contact the bevel portion of the wafer W. More specifically, the contact surface of the grindstone 3A with the bevel portion has a curved shape that curves inward so as to follow the longitudinal cross-sectional shape of the processed bevel portion. The grindstone 3A has a columnar shape having a curved contact surface, and the axial direction of the grindstone 3A is perpendicular to the surface of the wafer W.

第２の研磨ユニット２Ｂは、図示しないテープ供給回収機構から供給された研磨テープ３ＢをウェハＷの周縁部（より具体的には、ベベル部）に当接させるための研磨ヘッド６０と、研磨ヘッド６０を傾斜させるチルト機構６２とを備えている。研磨テープ３Ｂは、その研磨面がウェハＷのベベル部を向くように研磨ヘッド６０に供給される。研磨ヘッド６０は、研磨テープ３Ｂの裏面を加圧してウェハＷに研磨テープ３Ｂの研磨面を所定の力で加圧する加圧機構６１を備えている。 The second polishing unit 2B includes a polishing head 60 for bringing the polishing tape 3B supplied from a tape supply / recovery mechanism (not shown) into contact with a peripheral portion (more specifically, a bevel portion) of the wafer W, and a polishing head 60. And a tilt mechanism 62 for inclining 60. The polishing tape 3B is supplied to the polishing head 60 so that the polishing surface faces the bevel portion of the wafer W. The polishing head 60 includes a pressing mechanism 61 that presses the back surface of the polishing tape 3B to press the polishing surface of the polishing tape 3B against the wafer W with a predetermined force.

研磨ヘッド６０は、研磨ヘッド６０を傾斜させるチルト機構６２に連結されている。チルト機構６２は、研磨ヘッド６０に連結されたモータ（図示しない）を備えており、このモータが時計回りおよび反時計回りに所定の角度だけ回転することで、研磨ヘッド６０は、ウェハＷの表面と平行な軸心まわりに所定の角度だけ回転する。このような構成により、研磨テープ３Ｂは、ベベル部を中心としてウェハＷのベベル部の形状に沿うように鉛直方向に揺動可能である。 The polishing head 60 is connected to a tilt mechanism 62 that tilts the polishing head 60. The tilt mechanism 62 includes a motor (not shown) connected to the polishing head 60. When the motor rotates clockwise and counterclockwise by a predetermined angle, the polishing head 60 moves the surface of the wafer W. Rotate about a predetermined axis about an axis parallel to. With such a configuration, the polishing tape 3B can swing vertically around the bevel portion so as to follow the shape of the bevel portion of the wafer W.

水平アクチュエータ５２は、モータ２０が砥石３Ａを回転させた状態で、モータ２０とともに砥石３ＡをウェハＷに近接させて、砥石３ＡをウェハＷのベベル部に横から押し付ける。研磨テープ３Ｂよりも粗い処理面を有する砥石３Ａは、高い研磨レートで、ウェハＷのベベル部を研削することができる。より具体的には、湾曲形状を有する砥石３Ａは、ベベル部に付着した汚れおよび不要な膜を除去することができ、ウェハＷのベベル部の形状を整えることができる。このベベル部は、ウェハＷの最外周面であり、ウェハＷの被加工面である。 With the motor 20 rotating the grindstone 3A, the horizontal actuator 52 moves the grindstone 3A close to the wafer W together with the motor 20 and presses the grindstone 3A against the bevel portion of the wafer W from the side. The grindstone 3A having a processing surface coarser than the polishing tape 3B can grind the bevel portion of the wafer W at a high polishing rate. More specifically, the grindstone 3A having a curved shape can remove dirt and unnecessary films attached to the bevel portion, and can adjust the shape of the bevel portion of the wafer W. This bevel portion is the outermost peripheral surface of the wafer W, and is the surface to be processed of the wafer W.

ウェハＷのベベル部を研磨するときには、チルト機構６２により研磨ヘッド６０の傾斜角度を連続的に変化させながら、加圧機構６１により研磨テープ３ＢをウェハＷのベベル部に押し当てる。ウェハＷの研磨中は、研磨テープ３Ｂはテープ送り機構（図示しない）により所定の速度で送られる。砥石３Ａよりも細かい処理面を有する研磨テープ３Ｂは、砥石３Ａのベベル部との摺接によって発生した研磨屑を除去することができ、かつ砥石３Ａによって整えられた粗いベベル部を滑らかにすることができる。本実施形態によっても、研磨装置に関するＣｏＯ（Cost of Ownership）を削減することができる。 When polishing the bevel portion of the wafer W, the pressing mechanism 61 presses the polishing tape 3B against the bevel portion of the wafer W while continuously changing the inclination angle of the polishing head 60 by the tilt mechanism 62. While the wafer W is being polished, the polishing tape 3B is fed at a predetermined speed by a tape feeding mechanism (not shown). The polishing tape 3B having a processing surface finer than the grindstone 3A can remove polishing debris generated by sliding contact with the bevel portion of the grindstone 3A, and smooth the rough bevel portion prepared by the grindstone 3A. Can be. Also according to the present embodiment, it is possible to reduce CoO (Cost of Ownership) related to the polishing apparatus.

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。 The above embodiments have been described for the purpose of enabling a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains to implement the present invention. Various modifications of the above embodiment can be naturally made by those skilled in the art, and the technical idea of the present invention can be applied to other embodiments. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described, but is to be construed in its broadest scope in accordance with the spirit defined by the appended claims.

１基板保持部
１ａステージ部材
１ｂポーラス部材
２Ａ第１の加工ユニット
２Ｂ第２の加工ユニット
３Ａ第１の加工具（砥石）
３Ｂ第２の加工具（研磨テープ）
３Ｂ−１第１の研磨テープ
３Ｂ−２第２の研磨テープ
４液体供給機構
５研磨テープ支持機構
７押圧パッド
９垂直移動機構
９ａ可動部材
１０押圧パッド移動機構
１１テープ移動機構
１２，１２Ａ，１２Ｂ繰り出しリール
１４，１４Ａ，１４Ｂ巻取りリール
１７テープストッパー
１８，１９リールモータ
２０モータ
２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂガイドローラ
３１，３２捻りローラ
３３，３４位置決めピン
４０研磨終点決定装置
４１位置決め部材
４２研磨位置制限機構
４３ストッパー
４４ボールねじ機構
４５サーボモータ
５０制御装置
５１垂直アクチュエータ
５２水平アクチュエータ Reference Signs List 1 substrate holder 1a stage member 1b porous member 2A first processing unit 2B second processing unit 3A first processing tool (grinding stone)
3B Second processing tool (polishing tape)
3B-1 First polishing tape 3B-2 Second polishing tape 4 Liquid supply mechanism 5 Polishing tape support mechanism 7 Press pad 9 Vertical moving mechanism 9a Movable member 10 Press pad moving mechanism 11 Tape moving mechanisms 12, 12A, 12B Reels 14, 14A, 14B Take-up reel 17 Tape stopper 18, 19 Reel motor 20 Motors 21A, 21B, 22A, 22B Guide rollers 31, 32 Twisting rollers 33, 34 Positioning pins 40 Polishing end point determining device 41 Positioning member 42 Polishing position limit Mechanism 43 Stopper 44 Ball screw mechanism 45 Servo motor 50 Control device 51 Vertical actuator 52 Horizontal actuator

Claims

Rotate the board,
Pressing a first processing tool against an edge of the substrate to form a horizontal surface and a vertical surface on the edge;
Pressing a second processing tool against the vertical surface formed by the first processing tool to process the vertical surface,
The processing method, wherein the first processing tool has a rougher processing surface than the second processing tool.

The first processing tool is a grindstone,
The processing method according to claim 1, wherein the second processing tool is a polishing tape.

Arranging the second processing tool between the press pad and the edge portion that presses the second processing tool against the edge portion,
2. The processing method according to claim 1, wherein the second processing tool is pressed against the vertical surface and the horizontal surface with a part of the second processing tool protruding from the pressing pad. 3.

The second processing tool is a first polishing tape and a second polishing tape,
In a state where the processing surface of the first polishing tape is arranged so as to face the horizontal surface, the first polishing tape is pressed against the horizontal surface,
2. The processing method according to claim 1, wherein the second polishing tape is pressed against the vertical surface in a state where the processing surface of the second polishing tape is disposed so as to face the vertical surface. 3.

A substrate holding unit that holds and rotates the substrate,
A first processing unit and a second processing unit that process an edge of the substrate held by the substrate holding unit;
A control device that controls the operation of the substrate holding unit, the first processing unit, and the second processing unit,
The control device includes:
Operating the substrate holding unit to rotate the substrate,
Operating the first processing unit to press the first processing tool against the edge portion to form a horizontal surface and a vertical surface on the edge portion;
Operating the second processing unit to press the second processing tool against the vertical surface formed by the first processing tool, and processing the vertical surface;
The processing apparatus according to claim 1, wherein the first processing tool has a rougher processing surface than the second processing tool.

The first processing tool is a grindstone,
The processing apparatus according to claim 5, wherein the second processing tool is a polishing tape.

A pressing pad for pressing the second processing tool against the edge portion;
A vertical movement mechanism for moving the pressing pad in a direction perpendicular to the surface of the substrate,
A pressing pad moving mechanism for moving the pressing pad in a direction parallel to the surface of the substrate,
A tape moving mechanism for moving the second processing tool in a direction parallel to the surface of the substrate,
The control device includes:
By operating the pressing pad moving mechanism and the tape moving mechanism, the pressing pad and the second in a direction parallel to the surface of the substrate so that a part of the second processing tool protrudes from the pressing pad. Adjust the relative position with the processing tool,
The vertical processing mechanism is operated in a state where a part of the second processing tool protrudes from the pressing pad, and the second processing tool is pressed against the vertical plane and the horizontal plane. Item 6. The processing apparatus according to Item 5.

The second processing tool is a first polishing tape and a second polishing tape,
The second processing unit includes:
A guide roller for guiding the second polishing tape traveling toward the vertical surface;
A twist roller for twisting the second polishing tape at a predetermined angle so that a processing surface of the second polishing tape faces the vertical surface,
The axial direction of the guide roller is parallel to the surface of the substrate,
The processing apparatus according to claim 5, wherein an axial direction of the torsion roller is perpendicular to a surface of the substrate.