JP2020088002A - 積層体の加工方法 - Google Patents
積層体の加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020088002A JP2020088002A JP2018215632A JP2018215632A JP2020088002A JP 2020088002 A JP2020088002 A JP 2020088002A JP 2018215632 A JP2018215632 A JP 2018215632A JP 2018215632 A JP2018215632 A JP 2018215632A JP 2020088002 A JP2020088002 A JP 2020088002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- wafer
- laminate
- laminated body
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H10P72/78—
-
- H10P72/0428—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/026—Wafer-level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/028—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 performed after manufacture of the image sensors, e.g. annealing, gettering of impurities, short-circuit elimination or recrystallisation
-
- H10P52/00—
-
- H10P54/00—
-
- H10P70/15—
-
- H10P72/0406—
-
- H10P72/0436—
-
- H10P72/0442—
-
- H10P72/74—
-
- H10P72/7402—
-
- H10W10/00—
-
- H10W10/01—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
- B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
-
- H10P72/7416—
-
- H10P72/742—
-
- H10P72/7422—
-
- H10P72/7444—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
Description
上記したように積層体20を形成したならば、積層体20のガラス基板18側から切削溝を形成する切削溝形成工程を実施する。以下に、切削溝形成工程について、図2、及び図3を参照しながら説明する。
上記した切削溝形成工程を実施したならば、積層体支持工程、及び分割起点形成工程を実施する。以下に、図5、図6を参照しながら、積層体支持工程、及び分割起点形成工程について説明する。
波長 :1342nm
繰り返し周波数 :60kHz
平均出力 :1W
加工送り速度 :600mm/秒
上記したように、積層体支持工程、分割起点形成工程を実施したならば、改質層除去工程を実施する。以下に、図7を参照しながら、改質層除去工程について説明する。
上記したように、積層体20を構成するウエーハ10の分割予定ライン14に対応する領域の内部に沿って形成した改質層110aを除去したならば、図8(a)に示す分割装置70を用いて積層体20に対して外力を付与し、積層体20のウエーハ10に形成されたイメージセンサー12を個々のイメージセンサーチップ12’に分割する分割工程を実施する。
12:イメージセンサー
12’:イメージセンサーチップ
14:分割予定ライン
18:ガラス基板
20:積層体
30、50:ダイシング装置
34、53:切削ブレード
40:レーザー加工装置
42:レーザー光線照射手段
42a:集光器
60:切削水供給回路
70:分割装置
76:テープ拡張手段
80:洗浄手段
100:切削溝
110:分割起点
110a:改質層
110b:クラック
120:切削溝
120’:分割溝
B:接着層(接着剤)
F:フレーム
T:拡張テープ
W:切削水
W0:洗浄水
Claims (3)
- 複数のイメージセンサーが分割予定ラインで区画され表面に複数形成されたウエーハの表面に透明な接着層を介してガラス基板が配設された積層体を個々のイメージセンサーチップに分割する積層体の加工方法であって、
積層体のガラス基板側から切削ブレードを位置付けて分割予定ラインに対応する領域を切削して接着層に達する切削溝を該ガラス基板に形成する切削溝形成工程と、
ウエーハの裏面側から該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該ウエーハの分割予定ラインに対応する領域の内部に位置付けて照射し、該ウエーハの内部に連続的に改質層を形成すると共に該改質層から該接着層に達するクラックを形成して分割起点を形成する分割起点形成工程と、
少なくとも該切削溝形成工程の後、該積層体を収容する大きさの開口部を有するフレームに拡張テープを介して該積層体のガラス基板側を支持する積層体支持工程と、
該積層体のウエーハ側から水溶性樹脂が混入した切削水を供給しながら切削ブレードを分割予定ラインに対応する領域に位置付けて切削し、該ウエーハの内部に形成された該改質層を除去する改質層除去工程と、
該改質層除去工程を実施した後、該拡張テープを拡張して該積層体を個々のイメージセンサーチップに分割する分割工程と、
該拡張テープの該拡張状態を維持した状態で洗浄水を該ウエーハの裏面から供給して該積層体を洗浄する洗浄工程と、
から少なくとも構成される積層体の加工方法。 - 該分割工程、又は洗浄工程において、該積層体と該フレームとの間にある拡張テープに熱を加えて収縮させて拡張状態を維持する請求項1に記載の積層体の加工方法。
- 該洗浄工程において使用する水溶性樹脂が混入した切削水は、フィルタによって切削屑を除去し、循環して使用される請求項1又は2に記載の積層体の加工方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018215632A JP7164412B2 (ja) | 2018-11-16 | 2018-11-16 | 積層体の加工方法 |
| KR1020190136239A KR102721280B1 (ko) | 2018-11-16 | 2019-10-30 | 적층체의 가공 방법 |
| US16/680,591 US11069543B2 (en) | 2018-11-16 | 2019-11-12 | Laminate processing method |
| CN201911098279.0A CN111199916B (zh) | 2018-11-16 | 2019-11-12 | 层叠体的加工方法 |
| TW108141536A TWI856039B (zh) | 2018-11-16 | 2019-11-15 | 疊層體之加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018215632A JP7164412B2 (ja) | 2018-11-16 | 2018-11-16 | 積層体の加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020088002A true JP2020088002A (ja) | 2020-06-04 |
| JP7164412B2 JP7164412B2 (ja) | 2022-11-01 |
Family
ID=70728167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018215632A Active JP7164412B2 (ja) | 2018-11-16 | 2018-11-16 | 積層体の加工方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11069543B2 (ja) |
| JP (1) | JP7164412B2 (ja) |
| KR (1) | KR102721280B1 (ja) |
| CN (1) | CN111199916B (ja) |
| TW (1) | TWI856039B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111630009B (zh) * | 2018-01-31 | 2022-03-01 | Hoya株式会社 | 圆盘形状的玻璃坯板及磁盘用玻璃基板的制造方法 |
| TWI864846B (zh) * | 2023-06-27 | 2024-12-01 | 友達光電股份有限公司 | 沉積層移除方法 |
| CN118866822A (zh) * | 2024-08-19 | 2024-10-29 | 合肥领航微系统集成有限公司 | 一种基于晶圆划片的便扩片结构、开槽方法及划片方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007235008A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Denso Corp | ウェハの分断方法およびチップ |
| JP2015207604A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2017028259A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、製造方法、基板分割方法 |
| WO2017077792A1 (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070111367A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-05-17 | Basol Bulent M | Method and apparatus for converting precursor layers into photovoltaic absorbers |
| US7923298B2 (en) | 2007-09-07 | 2011-04-12 | Micron Technology, Inc. | Imager die package and methods of packaging an imager die on a temporary carrier |
| JP2010103327A (ja) | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの製造方法 |
| JP5231167B2 (ja) | 2008-10-28 | 2013-07-10 | 株式会社ディスコ | 貼り合わせウエーハの分割方法及び該分割方法により製造されるデバイス |
| JP5436906B2 (ja) | 2009-03-26 | 2014-03-05 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012206869A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Seiko Instruments Inc | ガラス体の切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| JP2014212282A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| KR102150272B1 (ko) * | 2014-01-22 | 2020-09-01 | 린텍 가부시키가이샤 | 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 시트, 보호막 형성용 복합 시트 및 가공물의 제조 방법 |
| JP2015167197A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP2016115800A (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2017084932A (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2017092125A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| US20180040513A1 (en) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Disco Corporation | Processing method for wafer |
| JP2018074109A (ja) * | 2016-11-04 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
| JP2018078249A (ja) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP6808282B2 (ja) * | 2016-12-14 | 2021-01-06 | 株式会社ディスコ | インターポーザの製造方法 |
| JP2018113281A (ja) * | 2017-01-06 | 2018-07-19 | 株式会社ディスコ | 樹脂パッケージ基板の加工方法 |
-
2018
- 2018-11-16 JP JP2018215632A patent/JP7164412B2/ja active Active
-
2019
- 2019-10-30 KR KR1020190136239A patent/KR102721280B1/ko active Active
- 2019-11-12 CN CN201911098279.0A patent/CN111199916B/zh active Active
- 2019-11-12 US US16/680,591 patent/US11069543B2/en active Active
- 2019-11-15 TW TW108141536A patent/TWI856039B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007235008A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Denso Corp | ウェハの分断方法およびチップ |
| JP2015207604A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2017028259A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、製造方法、基板分割方法 |
| WO2017077792A1 (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200161149A1 (en) | 2020-05-21 |
| TWI856039B (zh) | 2024-09-21 |
| US11069543B2 (en) | 2021-07-20 |
| TW202020954A (zh) | 2020-06-01 |
| KR102721280B1 (ko) | 2024-10-23 |
| CN111199916A (zh) | 2020-05-26 |
| JP7164412B2 (ja) | 2022-11-01 |
| CN111199916B (zh) | 2023-08-01 |
| KR20200057624A (ko) | 2020-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7749354B2 (ja) | 加工方法 | |
| US7915142B2 (en) | Wafer processing method | |
| KR20200038416A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| JP7193956B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| US20090280622A1 (en) | Fabrication method for device having die attach film on the back side thereof | |
| KR20130111292A (ko) | 디바이스 웨이퍼의 분할 방법 | |
| JP2017005158A (ja) | ウエーハの裏面研削方法 | |
| KR20150140215A (ko) | 웨이퍼 가공 방법 | |
| KR20100023737A (ko) | 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법 | |
| CN111199916B (zh) | 层叠体的加工方法 | |
| CN117894673A (zh) | 晶片的加工方法 | |
| CN108453370B (zh) | 被加工物的加工方法 | |
| JP6152013B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| CN111192852B (zh) | 层叠体的加工方法 | |
| TW202410167A (zh) | 器件晶圓之加工方法及加工裝置 | |
| JP6029312B2 (ja) | 板状物の加工方法 | |
| US20250167049A1 (en) | Wafer processing method | |
| KR102825372B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| CN116779538A (zh) | 晶片的加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210921 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220927 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220930 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221020 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7164412 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |