JP2020066568A - 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ - Google Patents

Abstract

【課題】発光性の半導体材料を含む耐熱性が高い組成物、前記組成物を用いたフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイの提供。【解決手段】（１）：発光性の半導体材料と（２）：第３級アミン、第３級アンモニウムカチオン、及び第３級アンモニウムカチオンから形成される塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンとを含み、前記（１）がペロブスカイト化合物である組成物。【選択図】図１

Description

本発明は、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイに関する。

青色ＬＥＤ（発光ダイオード）と、発光性を有する組成物とを備えるＬＥＤバックライトが開発されている。近年、前記組成物に含まれる発光性を有する化合物として、発光性の半導体材料に対する関心が高まっている（非特許文献１）。

Ｌ． Ｐｒｏｔｅｓｅｓｃｕ， Ｓ． Ｙａｋｕｎｉｎ， Ｍ．Ｉ．Ｂｏｄｎａｒｃｈｕｋ， Ｆ． Ｋｒｉｅｇ， Ｒ． Ｃａｐｕｔｏ，Ｃ． Ｈ． Ｈｅｎｄｏｎ， Ｒ． Ｘ． Ｙａｎｇ， Ａ． Ｗａｌｓｈ， ａｎｄ Ｍ． Ｖ． Ｋｏｖａｌｅｎｋｏ， Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １５， ｐ．３６９２―３６９６ （２０１５）

しかしながら、上記非特許文献１に記載のような発光性の半導体材料を含む組成物を発光材料として用いる場合、さらなる耐熱性の向上が求められている。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、発光性の半導体材料を含む耐熱性が高い組成物、前記組成物を用いたフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することを課題とする。

上記課題を解決するため、本発明は、以下の態様を有する。
［１］ 下記（１）と、下記（２）と、を含む組成物。
（１）：発光性の半導体材料
（２）：第３級アミン、第３級アンモニウムカチオン、及び第３級アンモニウムカチオンから形成される塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオン
［２］ 前記（１）がＡ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物である、［１］に記載の組成物。
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
［３］ さらに下記（５）を含む［１］又は［２］に記載の組成物。
（５）：シラザン、シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５−５１）で表される化合物、下記式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５−５２）で表される化合物、下記式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体、ケイ酸ナトリウム及びケイ酸ナトリウムの改質体からなる群より選択される１種以上の化合物

（式（Ｃ１）中、Ｙ^５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｙ^５が酸素原子の場合、Ｒ^３０及びＲ^３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
Ｙ^５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ^３０は炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ^３１は水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ２）中、Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、
Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
ａは１〜３の整数である。
ａが２又は３のとき、複数存在するＹ^５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。 ａが２又は３のとき、複数存在するＲ^３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが１又は２のとき、複数存在するＲ^３１又はＲ^３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。）

（式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）中、Ａ^Ｃは２価の炭化水素基であり、Ｙ^１５は酸素原子又は硫黄原子である。Ｒ^１２２及びＲ^１２３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ^１２４は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ^１２５及びＲ^１２６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表す。Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。）
［４］ さらに下記（３）、下記（４）、及び下記（４−１）からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、［１］〜［３］のいずれか１に記載の組成物。
（３）：溶媒
（４）：重合性化合物
（４−１）：重合体
［５］ ［１］〜［４］のいずれか１に記載の組成物を形成材料とするフィルム。
［６］ ［５］に記載のフィルムを含む積層構造体。
［７］ ［６］に記載の積層構造体を備える発光装置。
［８］ ［６］に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。

本発明によれば、発光性の半導体材料を含む耐熱性が高い組成物、前記組成物を用いたフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することができる。

本発明に係る積層構造体の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係るディスプレイの一実施形態を示す断面図である。

＜組成物＞
本実施形態の組成物に含まれる（１）の発光性の半導体材料は、発光性を有する。「発光性」とは、光を発する性質を指す。発光性は、電子の励起により発光する性質であることが好ましく、励起光による電子の励起により発光する性質であることがより好ましい。励起光の波長は、例えば、２００ｎｍ〜８００ｎｍであってもよく、２５０ｎｍ〜７５０ｎｍであってもよく、３００ｎｍ〜７００ｎｍであってもよい。

本実施形態の組成物は、下記（１）、及び下記（２）と、を含む。
（１）：発光性の半導体材料
（２）：第３級アミン、第３級アンモニウムカチオン、及び第３級アンモニウムカチオンから形成される塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオン

詳細は後述するが、（２）第３級アミン、第３級アンモニウムカチオン、及び第３級アンモニウムカチオンから形成される塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンは、（１）半導体材料の表面に吸着して、（１）半導体材料を組成物中に安定して分散させる作用を有する化合物又はイオンである。

以下の説明では、（２）第３級アミン、第３級アンモニウムカチオン、及び第３級アンモニウムカチオンから形成される塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを単に、「（２）表面修飾剤」と称すことがある。

本実施形態の組成物は（１）半導体材料と（２）表面修飾剤とを含む組成物であればよく、（１）半導体材料及び（２）表面修飾剤以外の成分をさらに含んでいてもよい。

本実施形態の組成物は、（１）半導体材料と、（２）表面修飾剤とを含み、さらに下記（３）、下記（４）、及び下記（４−１）からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでいてもよい。
（３）：溶媒
（４）：重合性化合物
（４−１）：重合体

以下の説明においては、（３）溶媒、（４）重合性化合物、（４−１）重合体を総称して「分散媒」と称することがある。本実施形態の組成物は、これらの分散媒に分散していてもよい。

本明細書において「分散している」とは、（１）半導体材料が、分散媒に浮遊している状態、又は（１）半導体材料が、分散媒に懸濁している状態のことを指す。（１）半導体材料が分散媒に分散している場合、（１）半導体材料の一部は沈降していてもよい。

組成物において、組成物の総質量に対する分散媒の含有割合は、特に限定されるものではない。（１）半導体材料の分散性を向上させる観点、及び耐久性を向上させる観点から、組成物の総質量に対する分散媒の含有割合は、９９．９９質量％以下であることが好ましく、９９．９質量％以下であることがより好ましく、９９質量％以下であることがさらに好ましい。

また、耐久性を向上させる観点から、組成物の総質量に対する分散媒の含有割合は、０．１質量％以上であることが好ましく、１質量％以上であることがより好ましく、１０質量％以上であることがさらに好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましく、８０質量％以上であることがさらに好ましく、９０質量％以上であることがもっとも好ましい。

上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。

上記上限値及び下限値の組み合わせの一例としては、０．１〜９９．９９質量％、１〜９９．９質量％、１〜９９質量％、１０〜９９質量％、２０〜９９質量％、５０〜９９質量％、９０〜９９質量％が挙げられる。

本実施形態の組成物は、さらに下記（５）を含んでいてもよい。なお、下記（５）の詳細については後述する。
（５）：シラザン、シラザン改質体、前記式（Ｃ１）で表される化合物、前記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、前記式（Ｃ２）で表される化合物、前記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、前記式（Ａ５−５１）で表される化合物、前記式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、前記式（Ａ５−５２）で表される化合物、及び前記式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体、ケイ酸ナトリウム及びケイ酸ナトリウムの改質体からなる群より選択される１種以上の化合物

以下の説明では、上記（５）のことを「（５）改質体群」と称する。

組成物において、組成物の総質量に対する（１）半導体材料の含有割合は、特に限定されるものではない。発光性の半導体材料を凝集させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、組成物の総質量に対する（１）半導体材料の含有割合は、５０質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．３質量％以下であることがさらに好ましい。また、良好な発光強度を得る観点から、組成物の総質量に対する（１）半導体材料の含有割合は、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。

上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。

上記上限値及び下限値の組み合わせの一例としては、０．０００１〜５０質量％、０．０００５〜１質量％、０．００１〜０．３質量％が挙げられる。

組成物の総質量に対する（１）半導体材料の含有割合が上記範囲内である組成物は、（１）半導体材料の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。

組成物において、組成物の総質量に対する（２）表面修飾剤の含有割合は、特に限定されるものではない。耐久性向上の観点から、組成物の総質量に対する（２）表面修飾剤の含有割合は、３０質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．５質量％以下であることがさらに好ましい。また、（１）半導体材料の耐熱性を向上させる観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。

上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。

上記上限値及び下限値の組み合わせの一例としては、０．０００１〜３０質量％、０．００１〜１質量％、０．０１〜０．５質量％が挙げられる。

組成物の総質量に対する（２）表面修飾剤の含有割合が上記範囲内である組成物は、（１）半導体材料が耐熱性に優れる点で好ましい。

組成物において、組成物の総質量に対する（５）改質体群の含有割合は、特に限定されるものではない。（１）半導体材料の分散性を向上させる観点、及び耐久性を向上させる観点から、組成物の総質量に対する（５）改質体群の含有割合は、３０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、７．５質量％以下であることがさらに好ましい。また、耐久性を向上させる観点から、組成物の総質量に対する（１）半導体材料の含有割合は、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
上記上限値及び下限値の組み合わせの一例としては、０．００１〜３０質量％、０．００１〜１０質量％、０．１〜７．５質量％が挙げられる。
組成物の総質量に対する（５）改質体群の含有割合が上記範囲内である組成物は、耐久性の観点で好ましい。

本実施形態の組成物は、上述の（１）〜（５）以外のその他の成分を有していてもよい。
本実施形態の組成物は例えば、下記（６）を有していてもよい。なお、（６）の詳細については後述する。
（６）カルボン酸、カルボキシレートイオン及びカルボキシレート塩からなる群より選択される少なくとも１種の化合物又はイオン

以下の説明では、上記（６）のことを「（６）その他の表面修飾剤」と称する。

組成物において、組成物の総質量に対する（６）その他の表面修飾剤の含有割合は、特に限定されるものではない。耐久性向上の観点から、組成物の総質量に対する（６）その他の表面修飾剤の含有割合は、３０質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．５質量％以下であることがさらに好ましい。また、（１）半導体材料の耐熱性を向上させる観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。

上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。

上記上限値及び下限値の組み合わせの一例としては、０．０００１〜３０質量％、０．００１〜１質量％、０．０１〜０．５質量％が挙げられる。

組成物の総質量に対する（６）その他の表面修飾剤の含有割合が上記範囲内である組成物は、（１）半導体材料が耐熱性に優れる点で好ましい。

また、例えば、本実施形態の組成物は、若干の不純物、（１）半導体材料を構成する元素からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤をさらに含んでいてもよい。

本実施形態の組成物における、若干の不純物、（１）半導体材料を構成する元素からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤の合計含有割合は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。

以下、本実施形態の組成物に含まれる（１）半導体材料、（２）表面修飾剤、（３）溶媒、（４）重合性化合物、（４−１）重合体、（５）改質体群等について説明を行う。

＜＜（１）半導体材料＞＞
本実施形態の組成物に含まれる（１）半導体材料としては、下記（ｉ）〜（ｖｉｉｉ）を挙げることができる。
（ｉ）ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｉｉ）ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｉｉｉ）ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｉｖ）ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｖ）ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｖｉ）ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｖｉｉ）遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体を含む半導体材料
（ｖｉｉｉ）ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を含む半導体材料

＜（ｉ）ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体としては、周期表の第２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体と、周期表の第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体とを挙げることができる。
なお、本明細書において、「周期表」とは、長周期型周期表を意味する。

以下の説明では、第２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体を「化合物半導体（ｉ−１）」、第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体を「化合物半導体（ｉ−２）」と称することがある。

化合物半導体（ｉ−１）のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、又はＢａＴｅが挙げられる。

また、化合物半導体（ｉ−１）としては、
（ｉ−１−１）第２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ−１−２）第２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ−１−３）第２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

化合物半導体（ｉ−２）のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、又はＨｇＴｅが挙げられる。

また、化合物半導体（ｉ−２）としては、
（ｉ−２−１）第１２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ−２−２）第１２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ−２−３）第１２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第２族元素、第１２族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｉｉ）ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１２族元素と、第１５族元素とを含む。

ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ｚｎ_３Ｐ_２、Ｚｎ_３Ａｓ_２、Ｃｄ_３Ｐ_２、Ｃｄ_３Ａｓ_２、Ｃｄ_３Ｎ_２、又はＺｎ_３Ｎ_２が挙げられる。

また、ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体としては、
（ｉｉ−１）第１２族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉ−２）第１２族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉ−３）第１２族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１２族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｉｉｉ）ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１５族元素とを含む。

ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＢＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、又はＢＮが挙げられる。

また、ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体としては、
（ｉｉｉ−１）第１３族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉｉ−２）第１３族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉｉ−３）第１３族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｉｖ）ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１４族元素とを含む。

ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ｂ_４Ｃ_３、Ａｌ_４Ｃ_３、Ｇａ_４Ｃ_３が挙げられる。

また、ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体としては、
（ｉｖ−１）第１３族元素を１種類、第１４族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｖ−２）第１３族元素を２種類、第１４族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｖ−３）第１３族元素を２種類、第１４族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１４族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｖ）ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１６族元素とを含む。

ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ａｌ_２Ｓ_３、Ａｌ_２Ｓｅ_３、Ａｌ_２Ｔｅ_３、Ｇａ_２Ｓ_３、Ｇａ_２Ｓｅ_３、Ｇａ_２Ｔｅ_３、ＧａＴｅ、Ｉｎ_２Ｓ_３、Ｉｎ_２Ｓｅ_３、Ｉｎ_２Ｔｅ_３、又はＩｎＴｅが挙げられる。

また、ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体としては、
（ｖ−１）第１３族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖ−２）第１３族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖ−３）第１３族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｖｉ）ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１４族元素と、第１６族元素とを含む。

ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、又はＳｎＴｅが挙げられる。

また、ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体としては、
（ｖｉ−１）第１４族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉ−２）第１４族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉ−３）第１４族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１４族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｖｉｉ）遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体を含む半導体材料＞
遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体は、遷移金属元素と、ｐ−ブロック元素とを含む。「ｐ−ブロック元素」とは、周期表の第１３族から第１８族に属する元素である。

遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＮｉＳ、ＣｒＳが挙げられる。

また、遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体としては、
（ｖｉｉ−１）遷移金属元素を１種類、ｐ−ブロック元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉｉ−２）遷移金属元素を２種類、ｐ−ブロック元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉｉ−３）遷移金属元素を２種類、ｐ−ブロック元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体は、遷移金属元素、及びｐ−ブロック元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

上述の三元系の化合物半導体や四元系の化合物半導体の具体例としては、ＺｎＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＺｎＣｄＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＰＡｓ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＰＡｓ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＰＡｓ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＣｕＩｎＳ_２、又はＩｎＡｌＰＡｓ等が挙げられる。

本実施形態の組成物においては、上述の化合物半導体の中でも、第１２族元素であるＣｄを含む化合物半導体、及び第１３族元素であるＩｎを含む化合物半導体が好ましい。また、本実施形態の組成物においては、上述の化合物半導体の中でも、ＣｄとＳｅとを含む化合物半導体、及びＩｎとＰとを含む化合物半導体が好ましい。

ＣｄとＳｅとを含む化合物半導体は、二元系の化合物半導体、三元系の化合物半導体、四元系の化合物半導体のいずれも好ましい。中でも、二元系の化合物半導体であるＣｄＳｅが特に好ましい。

ＩｎとＰとを含む化合物半導体は、二元系の化合物半導体、三元系の化合物半導体、四元系の化合物半導体のいずれも好ましい。中でも、二元系の化合物半導体であるＩｎＰが特に好ましい。

＜（ｖｉｉｉ）ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を含む半導体材料＞
ペロブスカイト構造を有する化合物半導体は、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する。以下の説明においては、ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を、単に「ペロブスカイト化合物」と称することがある。

Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。

Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物としては、特に限定されず、３次元構造、２次元構造、疑似２次元構造（ｑｕａｓｉ−２Ｄ）のいずれの構造を有する化合物であってもよい。
３次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、ＡＢＸ_{（３＋δ）}で表される。
２次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、Ａ_２ＢＸ_{（４＋δ）}で表される。

ここで、δは、Ｂの電荷バランスに応じて適宜変更が可能な数であり、−０．７以上０．７以下である。例えば、Ａが１価の陽イオン、Ｂが２価の陽イオン、Ｘが１価の陰イオンである場合、ペロブスカイト化合物が電気的に中性となるようにδを選択することができる。ペロブスカイト化合物が電気的に中性とは、ペロブスカイト化合物の電荷が０であることを意味する。

ペロブスカイト化合物は、Ｂを中心とし、頂点をＸとする八面体を含む。八面体は、ＢＸ_６で表される。
ペロブスカイト化合物が３次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ_６は、八面体（ＢＸ_６）において頂点に位置する１つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ_６）で共有することで、３次元ネットワークを構成する。

ペロブスカイト化合物が２次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ_６は、八面体（ＢＸ_６）において頂点に位置する２つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ_６）で共有することで八面体の稜線を共有し、２次元的に連なった層を構成する。ペロブスカイト化合物では、２次元的に連なったＢＸ_６からなる層と、Ａからなる層と、が交互に積層された構造を有する。

本明細書において、ペロブスカイト化合物の結晶構造は、Ｘ線回折パターンにより確認することができる。

ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝１２〜１８°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが確認される。又は２θ＝１８〜２５°の位置に(ｈｋｌ)＝（１１０）に由来するピークが確認される。

ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、２θ＝１３〜１６°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００１）に由来するピークが確認される、又は２θ＝２０〜２３°の位置に、(ｈｋｌ)＝（１１０）に由来するピークが確認されることが好ましい。

ペロブスカイト化合物が２次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝１〜１０°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００２）由来のピークが確認される。また、２θ＝２〜８°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００２）由来のピークが確認されることが好ましい。

ペロブスカイト化合物は、３次元構造を有することが好ましい。

（構成成分Ａ）
ペロブスカイト化合物を構成するＡは、１価の陽イオンである。Ａとしては、セシウムイオン、有機アンモニウムイオン、又はアミジニウムイオンが挙げられる。

（有機アンモニウムイオン）
Ａの有機アンモニウムイオンとして具体的には、下記式（Ａ３）で表される陽イオンが挙げられる。

式（Ａ３）中、Ｒ^６〜Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ^６〜Ｒ^９は、少なくとも１つがアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ^６〜Ｒ^９の全てが同時に水素原子となることはない。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。

Ｒ^６〜Ｒ^９がアルキル基である場合、炭素原子数は、それぞれ独立に通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表される基としては、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。

ペロブスカイト化合物が、Ａとして上記式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンを含む場合、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の数は少ないとよい。また、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数は小さいとよい。これにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。

式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましい。また、式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ^６〜Ｒ^９のうちの１つが炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ^６〜Ｒ^９のうちの３つが水素原子であることがより好ましい。

Ｒ^６〜Ｒ^９のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。

Ｒ^６〜Ｒ^９のシクロアルキル基としては、それぞれ独立にＲ^６〜Ｒ^９のアルキル基で例示した炭素原子数３以上のアルキル基が環を形成したものが挙げられる。一例として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等を例示できる。

Ａで表される有機アンモニウムイオンとしては、ＣＨ_３ＮＨ_３ ^＋（メチルアンモニウムイオンともいう。）、Ｃ_２Ｈ_５ＮＨ_３ ^＋（エチルアンモニウムイオンともいう。）又はＣ_３Ｈ_７ＮＨ_３ ^＋（プロピルアンモニウムイオンともいう。）であることが好ましく、ＣＨ_３ＮＨ_３ ^＋又はＣ_２Ｈ_５ＮＨ_３ ^＋であることより好ましく、ＣＨ_３ＮＨ_３ ^＋であることがさらに好ましい。

（アミジニウムイオン）
Ａで表されるアミジニウムイオンとしては、例えば、下記式（Ａ４）で表されるアミジニウムイオンが挙げられる。
（Ｒ^１０Ｒ^１１Ｎ＝ＣＨ−ＮＲ^１２Ｒ^１３）^＋・・・（Ａ４）

式（Ａ４）中、Ｒ^１０〜Ｒ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３のアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基と同じ基が挙げられる。
Ｒ^１０〜Ｒ^１３のシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基と同じ基が挙げられる。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表される基としては、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基が好ましい。

式（Ａ４）に含まれる、アルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。

アミジニウムイオンにおいて、Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましく、Ｒ^１０が炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ^１１〜Ｒ^１３が水素原子であることがより好ましい。

ペロブスカイト化合物において、Ａがセシウムイオン、炭素原子数が３以下の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数が３以下のアミジニウムイオンである場合、一般的にペロブスカイト化合物は３次元構造を有する。

ペロブスカイト化合物において、Ａが炭素原子数４以上の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数４以上のアミジニウムイオンである場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造及び擬似２次元（ｑｕａｓｉ−２Ｄ）構造のいずれか一方又は両方を有する。この場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造又は疑似２次元構造を、結晶の一部又は全体に有することができる。
２次元のペロブスカイト型結晶構造が複数積層すると３次元のペロブスカイト型結晶構造と同等になる（参考文献：Ｐ．ＰＢｏｉｘら、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２０１５，６，８９８−９０７など）。

ペロブスカイト化合物中のＡは、セシウムイオン又はアミジニウムイオンが好ましい。

（構成成分Ｂ）
ペロブスカイト化合物を構成するＢは、１価の金属イオン、２価の金属イオン、及び３価の金属イオンからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンであってよい。Ｂは２価の金属イオンを含むことが好ましく、鉛、及びスズからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンを含むことがより好ましく、鉛がさらに好ましい。

（構成成分Ｘ）
ペロブスカイト化合物を構成するＸは、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンであってよい。

ハロゲン化物イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン、ヨウ化物イオンを挙げることができる。Ｘは、臭化物イオン又はヨウ化物イオンを含むことが好ましく、臭化物イオンを含むことがより好ましく、臭化物イオン及びヨウ化物イオンを含むことがさらに好ましい。

Ｘが２種以上のハロゲン化物イオンである場合、ハロゲン化物イオンの含有比率は、発光波長により適宜選ぶことができる。例えば、臭化物イオンと塩化物イオンとの組み合わせ、又は、臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせとすることができる。
Ｘは、臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせであることが好ましい。

Ｘは、所望の発光波長に応じて適宜選択することができる。

Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。

また、Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。

ペロブスカイト化合物中のＸが臭化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常４８０〜７００ｎｍであり、５００〜６００ｎｍであることが好ましく、５２０〜５８０ｎｍであることがより好ましい。

Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。

また、Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。

ペロブスカイト化合物中のＸがヨウ化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常５２０〜８００ｎｍであり、５３０〜７５０ｎｍであることが好ましく、５４０〜７３０ｎｍであることがより好ましい。

Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。

また、Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。

ペロブスカイト化合物中のＸが塩化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常３００〜６００ｎｍであり、３１０〜５８０ｎｍであることが好ましく、３３０〜５５０ｎｍであることがより好ましい。

（３次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
ＡＢＸ_{（３＋δ）}で表される３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＣｌ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＩ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＢｒ_３、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＣｌ_３、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＩ_３を挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃａ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｓｒ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｂａ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｄｙ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂＢｒ_３、ＣｓＰｂＣｌ_３、ＣｓＰｂＩ_３、ＣｓＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｚｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｍｇ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

上述した３次元構造のペロブスカイト化合物の中でも、ＣｓＰｂＢｒ_３、ＣｓＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＢｒ_３がより好ましく、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＢｒ_３がさらに好ましい。

（２次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_４、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＣｌ_４、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＩ_４、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_４、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２ＰｂＣｌ_４、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２ＰｂＩ_４、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）を挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_４、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_４も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

（半導体材料の粒径）
組成物に含まれる、（１）半導体材料が粒子状である場合、粒子状の（１）半導体材料（以下、半導体粒子と称する）の平均粒径は、本発明の効果を有する限り、特に限定されない。半導体粒子の平均粒径は、良好に結晶構造を維持させることができるため、１ｎｍ以上であることが好ましい。半導体粒子の平均粒径は、２ｎｍ以上であることがより好ましく、３ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

また、半導体粒子の平均粒径は、半導体材料が沈降しにくくなるため、また所望の発光特性を維持しやすくなるため、１０μｍ以下であることが好ましい。半導体粒子の平均粒径は、１μｍ以下であることがより好ましく、５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。なお、「発光特性」とは、発光性の半導体粒子に励起光を照射して得られる変換光の量子収率、発光強度、色純度などの光学物性を指す。色純度は、変換光のスペクトルの半値幅で評価することができる。

半導体粒子の平均粒径の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
例えば、半導体粒子の平均粒径は、１ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上１μｍ以下であることがより好ましく、３ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

本明細書において、半導体粒子の平均粒径は、例えば、透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭともいう）、又は走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭともいう）により測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、２０個の半導体粒子の最大フェレー径を測定し、測定値の算術平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、平均粒径を求めることができる。
本明細書において「最大フェレー径」とは、ＴＥＭ又はＳＥＭ画像上において、半導体粒子を挟む２本の平行な直線の最大距離を意味する。

半導体の粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、本発明の効果を有する限り、特に限定されない。良好に結晶構造を維持させることができるため、３ｎｍ以上であることが好ましい。半導体粒子のメディアン径は、４ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

また、半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、半導体材料が沈降しにくくなるため、また所望の発光特性を維持しやすくなるため、５μｍ以下であることが好ましい。半導体粒子のメディアン径は、５００ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
例えば、半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、３ｎｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、４ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

本明細書において、半導体粒子の粒度分布は、例えばＴＥＭ、ＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、２０個の半導体粒子の最大フェレー径を観察し、最大フェレー径の分布から、メディアン径（Ｄ５０）を求めることができる。

本実施形態においては、上述の（１）半導体材料を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

＜＜（２）表面修飾剤＞＞
（２）表面修飾剤は第３級アミン、第３級アンモニウムカチオン、及び第３級アンモニウムカチオンから形成される塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンであり、組成物中において、（１）半導体材料の表面に位置し、（１）半導体材料の表面修飾剤（キャッピング配位子ともいう）として作用する。より具体的には、（２）表面修飾剤は、（１）半導体材料の表面の少なくとも一部を被覆していることが好ましい。（２）表面修飾剤が表面修飾剤として、（１）半導体材料の表面の少なくとも一部を被覆することにより、（１）半導体材料の耐熱性が向上する。

本実施形態において、（１）半導体材料の表面の少なくとも一部を被覆する（２）表面修飾剤は、例えば、組成物をＳＥＭ、又はＴＥＭなどを用いて観察することによって確認することができる。さらに、ＳＥＭ、又はＴＥＭを用いたエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）測定によって、詳細な元素分布を解析することができる。

＜第３級アミン＞
第３級アミンとしては、例えば、下記式（Ａ５）で表される第３級アミンが挙げられる。

式（Ａ５）中、Ｒ^４１〜Ｒ^４３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、それぞれ独立に置換基を有していてもよい。前記置換基としては、炭化水素基、アミノ基、シアノ基、メルカプト基、ニトロ基等が例として挙げられる。Ｒ^４１〜Ｒ^４３に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。

Ｒ^４１〜Ｒ^４３の有機基は、特に制限はないがそれぞれ独立に２０以下の炭素原子数の有機基であることが好ましい。なお、炭素原子数は置換基の炭素原子数を含めた数である。

Ｒ^４１〜Ｒ^４３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が例として挙げられる。また、上記ｎ−アルキル基は側鎖としてさらにアルキル基を有し、分岐鎖状となっていてもよい。

Ｒ^４１〜Ｒ^４３のシクロアルキル基としては、炭素原子数の合計が２０以下の範囲であれば炭化水素基で置換されていてもよく、置換基を有してもよいシクロブチル基、置換基を有してもよいシクロペンチル基、置換基を有してもよいシクロヘキシル基等が例として挙げられる。

Ｒ^４１〜Ｒ^４３のアリール基としては、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいアントラセニル基、置換基を有してもよいフルオレニル基などが挙げられる。ここで置換基は炭化水素基であり、炭化水素基全体の炭素原子数が２０以下の範囲で任意の置換位置に置換することができ、置換位置が複数であってもよい。置換基としての炭化水素基としては、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基等が例として挙げられる。

Ｒ^４１〜Ｒ^４３のアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、イコセニル基等が例として挙げられる。

Ｒ^４１〜Ｒ^４３のアルキニル基としては、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、ノニニル基、デシニル基、ウンデシニル基、ドデシニル基、トリデシニル基、テトラデシニル基、ペンタデシニル基、ヘキサデシニル基、ヘプタデシニル基、オクタデシニル基、ノナデシニル基、イコシニル基等が例として挙げられる。

その中でも、Ｒ^４１、Ｒ^４２の有機基はそれぞれ独立に炭素原子数が１０以下であることが好ましく、３以下であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。Ｒ^４３の有機基は炭素原子数が３以上であることが好ましく、８以上であることがより好ましく、１６以上であることがより好ましい。

さらにＲ^４１〜Ｒ^４３の有機基の炭素原子数の和は、５０以下であることが好ましく、３０以下であることがより好ましく、２５以下であることがさらに好ましい。Ｒ^４１〜Ｒ^４３の有機基の炭素原子数の和が前記上限値以下であると、第３級アミンの大きさが、（１）半導体材料を被覆する上で適切な大きさとなり、結果として、（１）半導体材料の耐熱性が向上する。

Ｒ^４１〜Ｒ^４３は直鎖のアルキル基であることが特に好ましい。すなわち、Ｒ^４１、Ｒ^４２の有機基はそれぞれ独立に炭素原子数が１０以下であるｎ−アルキル基であることが好ましく、炭素原子数が３以下であるｎ−アルキル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。また、Ｒ^４３の有機基は、炭素原子数が３以上のｎ−アルキル基であることが好ましく、炭素原子数が８以上のｎ−アルキル基であることがより好ましく、炭素原子数が１６以上のｎ−アルキル基であることがさらに好ましい。

このようなＲ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４３の組み合わせとしては、Ｒ^４１、Ｒ^４２がそれぞれ独立に、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基からなる群から選ばれるアルキル基であり、Ｒ^４３がｎ−ヘキサデカニル基、ｎ−ヘプタデカニル基、ｎ−オクタデカニル基、ｎ−ノナデカニル基、ｎ−イコサニル基からなる群から選ばれるアルキル基であることが好ましい。

式（Ａ５）の化合物としては、Ｎ−ｎ−オクチルジメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルラウリルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルミリスチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルヘキサデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルステアリルアミン、Ｎ,Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、ジデシルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルメチルアミン、トリヘプチルアミン、Ｎ−メチルジドデシルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリノニルアミンが挙げられ、耐久性向上の観点から、Ｎ−ｎ−オクチルジメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルラウリルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルミリスチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルヘキサデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルステアリルアミン、Ｎ,Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミンが好ましく、Ｎ,Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミンが最も好ましい。

＜第３級アンモニウムカチオン、第３級アンモニウムカチオンから形成される塩＞
第３級アンモニウムカチオンとしては、例えば、下記式（Ａ６）で表される第３級アンモニウムカチオンが挙げられる。ただし、本実施形態の組成物において、前記（１）半導体材料がペロブスカイト化合物の場合、ペロブスカイト化合物の構成成分Ａと、（２）表面修飾剤としての第３級アンモニウムカチオンとは異なる。

上記式（Ａ６）において、Ｒ^４１〜Ｒ^４３は、上記式（Ａ５）が有するＲ^４１〜Ｒ^４３と同じ基を示す。

上記式（Ａ６）で表される第３級アンモニウムカチオンが塩を形成する場合、カウンターアニオンとしては、特に制限はない。カウンターアニオンとしては、ハロゲン化物イオンやカルボキシレートイオンなどが好ましい。ハロゲン化物イオンとしては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオンが挙げられる。

本実施形態においては、上述の（２）表面修飾剤を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

＜＜（６）その他の表面修飾剤＞＞
（６）その他の表面修飾剤は、カルボン酸、カルボキシレートイオン及びカルボキシレート塩からなる群より選択される少なくとも１種の化合物又はイオンである。

（６）その他の表面修飾剤は、前記（２）表面修飾剤以外の表面修飾剤であり、本実施形態の組成物中において、（１）半導体材料の表面に位置し、（１）半導体材料の表面修飾剤として作用する。より具体的には、（６）その他の表面修飾剤は、（１）半導体材料の表面の少なくとも一部を被覆していることが好ましい。（６）その他の表面修飾剤が表面修飾剤として、（１）半導体材料の表面の少なくとも一部を被覆することにより、（１）半導体材料の耐熱性が向上する。

本実施形態において、（１）半導体材料の表面の少なくとも一部を被覆する（６）その他の表面修飾剤は、例えば、組成物をＳＥＭ、又はＴＥＭなどを用いて観察することによって確認することができる。さらに、ＳＥＭ、又はＴＥＭを用いたＥＤＸ測定によって、詳細な元素分布を解析することができる。

＜カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩＞
表面修飾剤であるカルボキシレートイオンは、下記式（Ａ２）で表される。表面修飾剤であるカルボキシレート塩は、下記式（Ａ２）で表されるイオンを含む塩である。
Ｒ^５−ＣＯ_２ ⁻・・・（Ａ２）

表面修飾剤であるカルボン酸は、上記（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンにプロトン（Ｈ^＋）が結合したカルボン酸が挙げられる。

式（Ａ２）で表されるイオンにおいて、Ｒ^５は、一価の炭化水素基を表す。Ｒ^５で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。

Ｒ^５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^５で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。

Ｒ^５で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^５で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^５はアルキル基又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。

Ｒ^５のアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ^５のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^５のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基、９−オクタデセニル基が挙げられる。

式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンは、オレイン酸アニオンが好ましい。

カルボキレートアニオンが塩を形成する場合、カウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましい例として挙げられる。

表面修飾剤であるカルボン酸としては、オレイン酸が好ましい。
＜＜（３）溶媒＞＞
本実施形態の組成物が有する（３）溶媒は、（１）半導体材料を分散させることができる媒体であれば特に限定されない。本実施形態の組成物が有する溶媒は、（１）半導体材料を溶解し難いものが好ましい。

本明細書において「溶媒」とは、１気圧、２５℃において液体状態である物質のことをいう。但し、溶媒には、後述する重合性化合物及び重合体は含まない。

溶媒としては、下記（ａ）〜（ｋ）を挙げることができる。
（ａ）：エステル
（ｂ）：ケトン
（ｃ）：エーテル
（ｄ）：アルコール
（ｅ）：グリコールエーテル
（ｆ）：アミド基を有する有機溶媒
（ｇ）：ニトリル基を有する有機溶媒
（ｈ）：カーボネート基を有する有機溶媒
（ｉ）：ハロゲン化炭化水素
（ｊ）：炭化水素
（ｋ）：ジメチルスルホキシド

（ａ）エステルとしては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等を挙げることができる。

（ｂ）ケトンとしては、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等を挙げることができる。

（ｃ）エーテルとしては、ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等を挙げることができる。

（ｄ）アルコールとしては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等を挙げることができる。

（ｅ）グリコールエーテルとしては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等を挙げることができる。

（ｆ）アミド基を有する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。

（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒としては、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等を挙げることができる。

（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。

（ｉ）ハロゲン化炭化水素としては、塩化メチレン、クロロホルム等を挙げることができる。

（ｊ）炭化水素としては、ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、１−オクタデセン、ベンゼン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。

これらの溶媒の中でも、（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、（ｉ）ハロゲン化炭化水素及び（ｊ）炭化水素は、極性が低く、（１）半導体材料を溶解し難いと考えられるため好ましい。

さらに、本実施形態の組成物に用いる溶媒としては、（ｉ）ハロゲン化炭化水素、（ｊ）炭化水素がより好ましい。

本実施形態の組成物においては、上述の溶媒を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

＜＜（４）重合性化合物＞＞
本実施形態の組成物が有する（４）重合性化合物は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の（１）半導体材料を溶解し難いものが好ましい。

本明細書において「重合性化合物」とは、重合性基を有する単量体化合物（モノマー）を意味する。例えば、重合性化合物は、１気圧、２５℃において液体状態であるモノマーを挙げることができる。

例えば、室温、常圧下において組成物を製造する場合、重合性化合物としては、特に制限は無い。重合性化合物としては、例えば、スチレン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリロニトリル等の公知の重合性化合物が挙げられる。中でも、重合性化合物としては、アクリル系樹脂の単量体であるアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方が好ましい。

本実施形態の組成物においては、重合性化合物を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

本実施形態の組成物において、全ての（４）重合性化合物に対する、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。

＜＜（４−１）重合体＞＞
本実施形態の組成物に含まれる重合体は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の（１）半導体材料の溶解度が低い重合体が好ましい。

例えば、室温、常圧下において組成物を製造する場合、重合体としては、特に制限は無いが、例えば、ポリスチレン、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂等の公知の重合体が挙げられる。中でも、重合体としては、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位のいずれか一方又は両方を含む。

本実施形態の組成物において、（４−１）重合体に含まれる全ての構成単位に対する、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位の合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０％ｍｏｌ以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく１００ｍｏｌ％であってもよい。

（４−１）重合体の重量平均分子量は、１００〜１２０００００であることが好ましく、１０００〜８０００００であることがより好ましく、５０００〜１５００００であることがさらに好ましい。

本明細書において「重量平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。

本実施形態においては、上述の（４−１）重合体を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

＜＜（５）改質体群＞＞
（５）改質体群は、シラザン、シラザン改質体、後述の式（Ｃ１）で表される化合物、式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、後述の式（Ｃ２）で表される化合物、式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、後述の式（Ａ５−５１）で表される化合物、式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、後述の式（Ａ５−５２）で表される化合物、式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体、ケイ酸ナトリウム及びケイ酸ナトリウムの改質体からなる群より選択される１種以上の化合物である。

組成物中、（５）改質体群は、（２）表面修飾剤に被覆された（１）半導体材料をコアとしてシェル構造を形成することが好ましい。具体的には、（５）改質体群は（１）半導体材料の表面に被覆している（２）表面修飾剤の表面の少なくとも一部に被覆していることが好ましく、（２）表面修飾剤が被覆していない（１）半導体材料の表面の少なくとも一部に被覆していてもよい。

本実施形態において、（１）半導体材料又は（２）表面修飾剤の表面の少なくとも一部を被覆する（５）改質体群は、例えば、組成物をＳＥＭ、又はＴＥＭなどを用いて観察することによって確認することができる。さらに、ＳＥＭ、又はＴＥＭを用いたＥＤＸ測定によって、詳細な元素分布を解析することができる。

本明細書において「改質」とは、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−ＳＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）又はＳｉ−ＯＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）を有するケイ素化合物が加水分解し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するケイ素化合物が生成することをいう。Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合は、分子間の縮合反応で生成してもよく、分子内の縮合反応で生成してもよい。

本明細書において、「改質体」とは、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−ＳＲ結合又はＳｉ−ＯＲ結合を有するケイ素化合物を改質することにより得られた化合物をいう。

（１．シラザン）
シラザンは、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合を有する化合物である。シラザンは、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のいずれであってもよい。

シラザンは、低分子シラザンであっても、高分子シラザンであってもよい。本明細書では、高分子シラザンをポリシラザンと記載することがある。

本明細書において「低分子」とは、数平均分子量が６００未満であることを意味する。また、本明細書において「高分子」とは、数平均分子量が６００以上２０００以下であることを意味する。

本明細書において「数平均分子量」とはゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。

（１−１．低分子シラザン）
シラザンとしては、例えば、低分子シラザンである下記式（Ｂ１）で表されるジシラザンであることが好ましい。

式（Ｂ１）中、Ｒ^１４及びＲ^１５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基を表す。

Ｒ^１４及びＲ^１５は、アミノ基などの置換基を有していてもよい。複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。

式（Ｂ１）で表される低分子シラザンとしては、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、１，３−ジフェニルテトラメチルジシラザン、及び１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。

（１−２．低分子シラザン）
シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ２）で表される低分子シラザンも好ましい。

式（Ｂ２）中、Ｒ^１４、及びＲ^１５は上記式（Ｂ１）におけるＲ^１４、及びＲ^１５と同様である。

複数あるＲ^１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
複数あるＲ^１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。

式（Ｂ２）中、ｎ_１は１以上２０以下の整数を表す。ｎ_１は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。

式（Ｂ２）で表される低分子シラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、２，２，４，４，６，６−ヘキサメチルシクロトリシラザン、及び２，４，６−トリメチル−２，４，６−トリビニルシクロトリシラザンが挙げられる。

低分子のシラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、及び１，３−ジフェニルテトラメチルジシラザンが好ましく、オクタメチルシクロテトラシラザンがより好ましい。

（１−３．高分子シラザン）
シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ３）で表される高分子シラザン（ポリシラザン）が好ましい。

ポリシラザンは、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合を有する高分子化合物である。式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位は、一種であっても、複数種であってもよい。

式（Ｂ３）中、Ｒ^１４、及びＲ^１５は、上記式（Ｂ１）におけるＲ^１４、及びＲ^１５と同様である。

式（Ｂ３）中、＊は、結合手を表す。分子鎖末端のＮ原子の結合手には、Ｒ^１４が結合している。
分子鎖末端のＳｉ原子の結合手には、Ｒ^１５が結合している。

複数あるＲ^１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
複数あるＲ^１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。

ｍは、２以上１００００以下の整数を表す。

式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、Ｒ^１４、及びＲ^１５のすべてが水素原子であるパーヒドロポリシラザンでもよい。

また、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、少なくとも１つのＲ^１５が水素原子以外の基であるオルガノポリシラザンであってもよい。用途に応じて適宜、パーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。

（１−４．高分子シラザン）
シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンも好ましい。

ポリシラザンは、分子内の一部に環構造を有していてもよく、例えば、式（Ｂ４）で表される構造を有していてもよい。

式（Ｂ４）中、＊は、結合手を表す。
式（Ｂ４）の結合手は、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、又は式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手と結合していてもよい。

また、ポリシラザンが、分子内に複数の式（Ｂ４）で表される構造を含む場合、式（Ｂ４）で表される構造の結合手は、他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手と直接結合していてもよい。

式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していないＮ原子の結合手には、Ｒ^１４が結合している。

式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していないＳｉ原子の結合手には、Ｒ^１５が結合している。

ｎ_２は、１以上１００００以下の整数を表す。ｎ_２は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。

一般的なポリシラザンは、例えば、直鎖構造と、６員環、又は８員環等の環構造とが存在した構造、すなわち上記（Ｂ３）、（Ｂ４）で表される構造を有する。一般的なポリシラザンの分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）で６００〜２０００程度（ポリスチレン換算）であり、分子量によって液体又は固体の物質でありうる。

ポリシラザンは、市販品を使用してもよく、市販品としては、ＮＮ１２０−１０、ＮＮ１２０−２０、ＮＡＸ１２０−２０、ＮＮ１１０、ＮＡＸ１２０、ＮＡＸ１１０、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）並びに、ＡＺＮＮ−１２０−２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ（登録商標）１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１８００、及びＤｕｒａｚａｎｅ１０３３（メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）等が挙げられる。

ポリシラザンは、好ましくはＡＺＮＮ−１２０−２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅであり、より好ましくはＤｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅであり、さらに好ましくはＤｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅである。

式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１〜１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０〜９８％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。

なお、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、後述する測定値を用いて、（（Ｓｉ（モル）−（ＳｉＮ結合中のＮ（モル））／Ｓｉ（モル）×１００で求められる。改質反応を考慮すると、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」とは、「改質処理にて生じるシロキサン結合に含まれるケイ素原子の割合」を意味する。

式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１〜１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０〜９８％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。

式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１〜９９％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０〜９７％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。

改質体中のＳｉ原子数、ＳｉＮ結合の数は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定することができる。

改質体について、上述の方法による測定値を用いて求められる「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、０．１〜９９％であることが好ましく、１０〜９９％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。

（５）改質体群に含まれるシラザン、又はその改質体としては、特に制限は無いが、分散性を向上させ、凝集を抑制できる観点からオルガノポリシラザン、又はその改質体が好ましい。

オルガノポリシラザンとしては、例えば、式（Ｂ３）で表され、Ｒ^１４及びＲ^１５の少なくとも１つが、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基であるオルガノポリシラザンであってもよい。

また、オルガノポリシラザンとしては、例えば、式（Ｂ４）で表される構造を含み、少なくとも１つの結合手がＲ^１４又はＲ^１５と結合し、当該Ｒ^１４及びＲ^１５の少なくとも１つが、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基であるオルガノポリシラザンであってもよい。

オルガノポリシラザンは、式（Ｂ３）で表されＲ^１４及びＲ^１５の少なくとも１つがメチル基であるオルガノポリシラザン、又は、式（Ｂ４）で表される構造を含み、少なくとも１つの結合手がＲ^１４又はＲ^１５と結合し、当該Ｒ^１４及びＲ^１５の少なくとも１つがメチル基であるポリシラザンであることが好ましい。

（２．式（Ｃ１）で表される化合物、式（Ｃ２）で表される化合物）
（５）改質体群としては、下記式（Ｃ１）で表される化合物、下記式（Ｃ２）で表される化合物であってもよい。

式（Ｃ１）において、Ｙ^５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。

Ｙ^５が酸素原子の場合、Ｒ^３０、Ｒ^３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。

Ｙ^５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ^３０は炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ^３１は水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。

式（Ｃ２）において、Ｒ^３０、Ｒ^３１、Ｒ^３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。

式（Ｃ１）、（Ｃ２）において、Ｒ^３０、Ｒ^３１、Ｒ^３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基、不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。

Ｒ^３０、Ｒ^３１、Ｒ^３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基、不飽和炭化水素基に含まれる水素原子を置換してもよいハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点からフッ素原子が好ましい。

式（Ｃ１）、（Ｃ２）において、ａは１〜３の整数である。
ａが２又は３のとき、複数存在するＹ^５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが２又は３のとき、複数存在するＲ^３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが１又は２のとき、複数存在するＲ^３１又はＲ^３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^３０及びＲ^３１で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。

式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ^５が酸素原子である場合、Ｒ^３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、改質が素早く進行することから、１〜２０であることが好ましい。また、Ｒ^３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、１〜３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。

式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ^５が単結合、又は硫黄原子である場合、Ｒ^３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ^５は、改質が素早く進行することから、酸素原子が好ましい。

式（Ｃ２）で表される化合物において、Ｒ^３０及びＲ^３２で表されるアルキル基の炭素原子数は、改質が素早く進行することから、それぞれ独立に１〜２０であることが好ましい。また、Ｒ^３０及びＲ^３２で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に１〜３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。

式（Ｃ１）で表される化合物、及び式（Ｃ２）で表される化合物ともに、Ｒ^３１で表されるアルキル基の炭素原子数は、１〜５であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。

Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表される基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるシクロアルキル基にある水素原子が、それぞれ独立に、アルキル基で置換されている場合、シクロアルキル基の炭素原子数は、４以上である。シクロアルキル基にある水素原子が置換されてもよいアルキル基は、炭素原子数が１〜２７である。

Ｒ^３０，Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表される基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、環状であってもよい。

Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表される不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましく、炭素原子数８〜２０のアルケニル基であることがより好ましい。

Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるアルケニル基としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表される基において例示した直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示できる。アルケニル基において、二重結合の位置は限定されない。

このようなアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基、９−オクタデセニル基が挙げられる。

Ｒ^３０及びＲ^３２は、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。

Ｒ^３１は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。

Ｒ^３１で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基が上述の炭素原子数であると、式（Ｃ１）で表される化合物、式（Ｃ２）で表される化合物が加水分解されやすく、改質体を生じやすい。そのため、式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、及び式（Ｃ２）で表される化合物の改質体が（１）半導体材料の表面を覆いやすい。その結果、熱環境下においても（１）半導体材料が劣化しにくく、耐久性が高い（１）半導体材料が得られると考えられる。

式（Ｃ１）で表される化合物としては、具体的に、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、エトキシトリエチルシラン、メトキシトリメチルシラン、メトキシジメチル（フェニル）シラン、ペンタフルオロフェニルエトキシジメチルシラン、トリメチルエトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシメチルシラン、（３−クロロプロピル）ジエトキシ（メチル）シラン、（クロロメチル）ジメトキシ（メチル）シラン、（クロロメチル）ジエトキシ（メチル）シラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシ（メチル）フェニルシラン、ジメトキシ（メチル）（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、（３−ブロモプロピル）トリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、（クロロメチル）トリエトキシシラン、（クロロメチル）トリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、トリエトキシエチルシラン、デシルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリメトキシ（メチル）シラン、トリエトキシメチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシル）シラン、トリエトキシ−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリデカフルオロ−ｎ−オクチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シラン、トリメトキシ（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン等が挙げられる。

なかでも、式（Ｃ１）で表される化合物としては、トリメトキシフェニルシラン、メトキシジメチル（フェニル）シラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシル）シラン、トリエトキシ−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリデカフルオロ−ｎ−オクチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シラン、トリメトキシ（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトライソプロポキシシランが好ましく、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトライソプロポキシシランがより好ましく、テトラメトキシシランがもっとも好ましい。

さらに、式（Ｃ１）で表される化合物としては、ドデシルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シランでもよい。

（３．式（Ａ５−５１）で表される化合物、式（Ａ５−５２）で表される化合物）
（５）改質体群としては、下記式（Ａ５−５１）で表される化合物、下記式（Ａ５−５２）で表される化合物であってもよい。

式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）において、Ａ^Ｃは２価の炭化水素基であり、Ｙ^１５は酸素原子又は硫黄原子である。

式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）において、Ｒ^１２２及びＲ^１２３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。

式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）において、Ｒ^１２４は、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。

式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）において、Ｒ^１２５及びＲ^１２６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はシクロアルキル基を表す。

Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６がアルキル基である場合、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。アルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６がシクロアルキル基である場合、シクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６で表されるアルキル基、シクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。

Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６で表されるアルキル基、シクロアルキル基に含まれる水素原子を置換してもよいハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点からフッ素原子が好ましい。

Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６のアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１２５、Ｒ^１２６のアルコキシ基としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示した直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が酸素原子に結合した１価の基が例示できる。

Ｒ^１２５、Ｒ^１２６がアルコキシ基である場合、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられ、好ましくはメトキシ基である。

Ａ^Ｃで表される２価の炭化水素基は、炭化水素化合物から２個の水素原子を除去した基であればよく、当該炭化水素化合物は、脂肪族炭化水素であってもよく、芳香族炭化水素であってもよく、飽和脂肪族炭化水素であってもよい。Ａ^Ｃがアルキレン基である場合、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素原子数は、通常１〜１００であり、１〜２０であることが好ましく、１〜５であることがより好ましい。

式（Ａ５−５１）で表される化合物としては、トリメトキシ［３−（メチルアミノ）プロピル］シラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルジメトキシメチルシラン、３−アミノプロピルジエトキシメチルシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、が好ましい。

式（Ａ５−５１）で表される化合物としては、Ｒ^１２２及びＲ^１２３が水素原子であり、Ｒ^１２４がアルキル基であり、Ｒ^１２５及びＲ^１２６がアルコキシ基である化合物が好ましい。例えば３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシランがより好ましい。

式（Ａ５−５１）で表される化合物としては、３−アミノプロピルトリメトキシシランがさらに好ましい。
式（Ａ５−５２）で表される化合物としては、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシランがさらに好ましい。

（ケイ酸ナトリウム）
（５）改質体群としては、ケイ酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＯ_３）であってもよい。

ケイ酸ナトリウムは、酸で処理することにより加水分解が進行し、改質される。

本実施形態においては、上述の（５）改質体群を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

＜各成分の配合比について＞
本実施形態の組成物において、（１）半導体材料と、（２）表面修飾剤との配合比は、組成物を構成する成分の種類等に応じて、適宜定めることができる。
本実施形態の組成物において、（１）半導体材料と、（２）表面修飾剤とのモル比［（１）半導体材料／（２）表面修飾剤］は、０．０００１〜１０００であってもよく、０．０１〜１００であってもよい。
（１）半導体材料と、（２）表面修飾剤との配合比に係る範囲が上記範囲内である樹脂組成物は、（１）半導体材料の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。

本実施形態の組成物において、（１）半導体材料がペロブスカイト化合物である場合、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（２）第３級アミンのＮ元素とのモル比［Ｎ／Ｂ］は、０．００１〜１００であってもよく、０．０１〜１０であってもよく、０．１〜１であってもよい。

本実施形態の組成物において、（１）半導体材料と（５）改質体群との配合比は、（５）改質体群による、耐久性向上の作用が発揮される程度であればよく、（１）半導体材料及び（５）改質体群の種類等に応じて、適宜定めることができる。
本実施形態の組成物において、（１）半導体材料がペロブスカイト化合物である場合、（１）半導体材料のＢ成分である金属イオンと、（５）改質体群のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜２０００であってもよく、０．０１〜５００であってもよい。

本実施形態の組成物において、（５）改質体群が、式（Ｂ１）又は（Ｂ２）で表されるシラザン、及びその改質体であり、（１）半導体材料がペロブスカイト化合物である場合、（１）半導体材料のＢ成分である金属イオンと、（５）改質体群のＳｉとのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、１〜１０００であってもよく、１０〜５００であってもよく、２０〜３００であってもよい。

本実施形態の組成物において、（５）改質体群が、式（Ｂ３）で表される構造を有するポリシラザンであり、（１）半導体材料がペロブスカイト化合物である場合、（１）半導体材料のＢ成分である金属イオンと、（５）改質体群のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜２０００であってもよく、０．０１〜２０００であってもよく、０．１〜１０００であってもよく、１〜５００であってもよく、２〜３００であってもよい。

（１）半導体材料と（５）改質体群との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（５）改質体群による、耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。

上記ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、改質体のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、以下のような方法で求めることができる。

ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）（単位：モル）は、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−ＭＳ）によって、Ｂ成分である金属の質量を測定し、測定値を物質量に換算して求める。

改質体のＳｉ元素の物質量（Ｓｉ）は、用いた改質体の原料化合物の質量を物質量に換算した値と、単位質量の原料化合物に含まれるＳｉ量（物質量）とから求める。原料化合物の単位質量とは、原料化合物が低分子化合物であれば原料化合物の分子量であり、原料化合物が高分子化合物であれば原料化合物の繰り返し単位の分子量である。

Ｓｉ元素の物質量（Ｓｉ）と、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）とから、モル比［Ｓｉ／Ｂ］を算出することができる。

＜組成物の製造方法＞
以下、本発明における組成物の製造方法に関し、実施形態を示して説明する。なお、本実施形態の組成物は、以下の実施形態の組成物の製造方法によって製造されるものに限定されるものではない。

＜（１）半導体材料の製造方法＞
（（ｉ）〜（ｖｉｉ）の半導体材料の製造方法）
（ｉ）〜（ｖｉｉ）の半導体材料は、半導体材料を構成する元素の単体又は半導体材料を構成する元素の化合物と、脂溶性溶媒とを混合した混合液を加熱する方法で製造することができる。

半導体材料を構成する元素を含む化合物の例としては、特に制限はないが、酸化物、酢酸塩、有機金属化合物、ハロゲン化物、硝酸塩等が挙げられる。

脂溶性溶媒としては、例えば炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含酸素化合物などが挙げられる。

炭素原子数４〜２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、不飽和脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基を挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の飽和脂肪族炭化水素基としては、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基などを挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の不飽和脂肪族炭化水素基としては、オレイル基を挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ナフチルメチル基などを挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、及び不飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。

含窒素化合物としては、アミン類やアミド類を挙げることができる。
含酸素化合物としては、脂肪酸類を挙げることができる。

このような脂溶性溶媒のうち、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物が好ましい。このような含窒素化合物としては、例えばｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンなどのアルキルアミンや、オレイルアミンなどのアルケニルアミンが好ましい。

こうした脂溶性溶媒は、合成により生じる半導体材料の表面に結合可能である。脂溶性溶媒が半導体材料の表面に結合する際の結合としては、例えば共有結合、イオン結合、配位結合、水素結合、ファンデルワールス結合等の化学結合が挙げられる。

上記混合液の加熱温度は、使用する原料（単体や化合物）の種類によって適宜設定すればよい。混合液の加熱温度は、例えば、１３０〜３００℃が好ましく、２４０〜３００℃がより好ましい。加熱温度が上記下限値以上であると結晶構造が単一化しやすいため好ましい。加熱温度が上記上限値以下であると、生じる半導体材料の結晶構造が崩壊しにくく、目的物が得られやすいため好ましい。

混合液の加熱時間は、使用する原料（単体や化合物）の種類、加熱温度によって適宜設定すればよい。混合液の加熱時間は、例えば、数秒間〜数時間が好ましく、１〜６０分間がより好ましい。

上述の半導体材料の製造方法においては、加熱後の混合液を冷却することにより、目的物である半導体材料を含む沈殿物が得られる。沈殿物を分離して適宜洗浄することで、目的物である半導体材料が得られる。

沈殿物を分離した上澄み液については、合成した半導体材料が不溶又は難溶な溶媒を添加し、上澄み液における半導体材料の溶解度を低下させて沈殿物を生じさせ、上澄み液に含まれる半導体材料を回収してもよい。「半導体材料が不溶又は難溶な溶媒」としては、例えばメタノール、エタノール、アセトン、アセトニトリルなどを挙げることができる。

上述の半導体材料の製造方法においては、分離した沈殿物を有機溶媒（例えばクロロホルム、トルエン、ヘキサン、ｎ−ブタノールなど）に入れて半導体材料を含む溶液としてもよい。

（（ｖｉｉｉ）の半導体材料の製造方法）
（ｖｉｉｉ）の半導体材料の製造方法は、既知文献（Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔ． ２０１５， １５， ３６９２−３６９６、ＡＣＳＮａｎｏ，２０１５，９，４５３３−４５４２）を参考に、以下に述べる方法によって製造することができる。

（第１の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を第１溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。

第２溶媒は、ペロブスカイト化合物に対する溶解度が第１溶媒よりも低い溶媒である。なお、溶解度とは、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う温度における溶解度を意味する。

第１溶媒及び第２溶媒としては、上述の（ａ）〜（ｋ）として挙げる有機溶媒の群から選ばれる少なくとも２種を挙げることができる。

例えば、室温（１０℃〜３０℃）で溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う場合、第１溶媒としては、上述の（ｄ）アルコール、（ｅ）グリコールエーテル、（ｆ）アミド基を有する有機溶媒、（ｋ）ジメチルスルホキシドを挙げることができる。

また、室温（１０℃〜３０℃）で溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う場合、第２溶媒としては、上述の（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、（ｉ）ハロゲン化炭化水素、（ｊ）炭化水素を挙げることができる。

以下、第１の製造方法を具体的に説明する。
まず、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を第１溶媒に溶解させ、溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。「Ｂ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。

次いで、得られた溶液と第２溶媒とを混合する。溶液と、第２溶媒とを混合する工程は、（Ｉ）溶液を第２溶媒に加えることとしてもよく、（ＩＩ）第２溶媒を溶液に加えることとしてもよい。第１の製造方法で生じるペロブスカイト化合物の粒子が溶液中に分散しやすいため、（Ｉ）溶液を第２溶媒に加えるとよい。

溶液と第２溶媒とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら溶液と第２溶媒とを混合するとよい。

溶液と第２溶媒とを混合する工程において、溶液と第２溶媒との温度には特に制限は無い。得られるペロブスカイト化合物が析出し易いため、−２０℃〜４０℃の範囲であることが好ましく、−５℃〜３０℃の範囲であることがより好ましい。溶液の温度及び第２溶媒の温度は、同じであってもよく、異なっていてもよい。

第１溶媒と第２溶媒との溶解度の差は１００μｇ／溶媒１００ｇ〜９０ｇ／溶媒１００ｇであることが好ましく、１ｍｇ／溶媒１００ｇ〜９０ｇ／溶媒１００ｇであることがより好ましい。

第１溶媒と第２溶媒との組み合わせとして、第１溶媒がＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒やジメチルスルホキシドであり、第２溶媒がハロゲン化炭化水素や炭化水素であると好ましい。第１溶媒と第２溶媒とがこれらの溶媒の組み合わせであると、例えば、室温（１０℃〜３０℃）で混合する工程を行う場合に、第１溶媒と第２溶媒との溶解度の差を１００μｇ／溶媒１００ｇ〜９０ｇ／溶媒１００ｇに制御しやすいため好ましい。

溶液と第２溶媒とを混合することにより、得られる混合液においてはペロブスカイト化合物の溶解度が低下し、ペロブスカイト化合物が析出する。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。

得られたペロブスカイト化合物を含む分散液について固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、ろ過、溶媒の蒸発による濃縮などが挙げられる。固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物のみを回収することができる。

なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。

表面修飾剤を加える工程は、溶液と第２溶媒とを混合する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第１溶媒に添加してもよく、溶液に添加してもよく、第２溶媒に添加してもよい。また、表面修飾剤は、第１溶媒、及び第２溶媒の両方に添加してもよい。

また、上述した製造方法においては、溶液と第２溶媒とを混合する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。除去する工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。

（第２の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。

以下、第２の製造方法を具体的に説明する。

まず、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。「Ｂ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。
本工程は、高温の第３溶媒に各化合物を加えて溶解させ溶液を得ることとしてもよい。
また、本工程は、第３溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで溶液を得ることとしてもよい。

第３溶媒としては、原料であるＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物と、及びＸ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第３溶媒としては、例えば、上述の第１溶媒、第２溶媒が挙げられる。

「高温」とは、各原料が溶解する温度の溶媒であればよい。例えば、高温の第３溶媒の温度として、６０〜６００℃であることが好ましく、８０〜４００℃であることがより好ましい。

次いで、得られた溶液を冷却する。
冷却する温度としては、−２０〜５０℃が好ましく、−１０〜３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１〜１５００℃／分が好ましく、１０〜１５０℃／分がより好ましい。

高温の溶液を冷却することで、溶液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。

得られたペロブスカイト化合物を含む分散液については、固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、第１の製造方法で示した方法が挙げられる。

なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。

表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第３溶媒に添加してもよく、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物のうち少なくとも１種を含む溶液に添加してもよい。

また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、第１の製造方法で示した遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。

（第３の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解させた第１溶液を得る工程と、ペロブスカイト化合物を構成するＸ成分を含む化合物を溶解させた第２溶液を得る工程と、第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。

以下、第３の製造方法を具体的に説明する。

まず、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを高温の第４溶媒に溶解させ第１溶液を得る。

第４溶媒としては、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第４溶媒としては、上述の第３溶媒が挙げられる。

「高温」とは、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とが溶解する温度であればよい。例えば、高温の第４溶媒の温度として、６０〜６００℃であることが好ましく、８０〜４００℃であることがより好ましい。

また、Ｘ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを第５溶媒に溶解させ第２溶液を得る。

第５溶媒としては、Ｘ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第５溶媒としては、上述の第３溶媒が挙げられる。

次いで、得られた第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る。第１溶液と第２溶液とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら第１溶液と第２溶液とを混合するとよい。

次いで、得られた混合液を冷却する。
冷却する温度としては、−２０〜５０℃が好ましく、−１０〜３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１〜１５００℃／分が好ましく、１０〜１５０℃／分がより好ましい。

混合液を冷却することで、混合液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。

得られたペロブスカイト化合物を含む分散液については、固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、第１の製造方法で示した方法が挙げられる。

なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。

表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第４溶媒、第５溶媒、第１溶液、第２溶液、混合液のいずれに添加してもよい。

また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、第１の製造方法で示した遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。

＜＜組成物の製造方法１＞＞
以下、得られる組成物の性状を理解しやすくするため、組成物の製造方法１で得られる組成物を「液状組成物」と称する。

本実施形態の液状組成物は、（１）半導体材料及び（２）表面修飾剤に、さらに（３）溶媒及び（４）重合性化合物のいずれか一方又は両方と混合することで製造することができる。

（１）半導体材料及び（２）表面修飾剤と、（３）溶媒及び（４）重合性化合物のいずれか一方又は両方と、を混合する際には、撹拌しながら行うことが好ましい。

（１）半導体材料及び（２）表面修飾剤と（４）重合性化合物とを混合する際、混合時の温度には特に制限は無い。（１）半導体材料及び（２）表面修飾剤が均一に混合しやすいため、０℃〜１００℃の範囲であることが好ましく、１０℃〜８０℃の範囲であることがより好ましい。

（（３）溶媒を含む液状組成物の製造方法）
（１）半導体材料、（２）表面修飾剤と（３）溶媒とを含む組成物の製造方法としては、例えば、下記製造方法（ａ１）であってもよく、下記製造方法（ａ２）であってもよい。

製造方法（ａ１）：（１）半導体材料と（３）溶媒とを混合する工程と、得られた混合物と（２）表面修飾剤とを混合する工程と、を含む組成物の製造方法。

製造方法（ａ２）：（１）半導体材料と（２）表面修飾剤を混合する工程と、得られた混合物と（３）溶媒とを混合する工程と、を含む組成物の製造方法。

製造方法（ａ１）、（ａ２）で用いる（３）溶媒は、上述した（１）半導体材料を溶解しにくいものが好ましい。このような（３）溶媒を用いると、製造方法（ａ１）で得られる混合物、及び製造方法（ａ１）、（ａ２）で得られる組成物は、分散液となる。

本実施形態の組成物が（５）改質体群を含む場合、組成物の製造方法としては、下記（５Ａ）を用いる製造方法（ａ３）であってもよく、製造方法（ａ４）であってもよい。
（５Ａ）：シラザン、式（Ｃ１）で表される化合物、式（Ｃ２）で表される化合物、式（Ａ５−５１）で表される化合物、式（Ａ５−５２）で表される化合物、及びケイ酸ナトリウムからなる群より選択される１種以上の化合物

以下の説明では上記（５Ａ）のことを、「（５Ａ）原料化合物」と称する。（５Ａ）原料化合物は、改質処理を施すことにより（５）改質体群となる。

製造方法（ａ３）：（１）半導体材料と（３）溶媒とを混合する工程と、得られた混合物、（２）表面修飾剤及び（５Ａ）原料化合物を混合する工程と、得られた混合物に改質処理を施す工程と、を含む組成物の製造方法。

製造方法（ａ４）：（１）半導体材料、（２）表面修飾剤及び（５Ａ）原料化合物を混合する工程と、得られた混合物と（３）溶媒とを混合する工程と、得られた混合物に改質処理を施す工程と、を含む組成物の製造方法。

（３）溶媒には、（４−１）重合体が溶解又は分散していてもよい。

上述の製造方法に含まれる混合する工程では、撹拌を行うことが分散性を高める観点から好ましい。

上述の製造方法に含まれる混合する工程において、温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０℃以上１００℃以下の範囲であることが好ましく、１０℃以上８０℃以下の範囲であることがより好ましい。

組成物の製造方法は、（１）半導体材料の分散性を向上させる観点から、製造方法（ａ１）、又は製造方法（ａ３）であることが好ましい。

（改質処理を施す方法）
改質処理の方法は、（５Ａ）原料化合物に対し紫外線を照射する方法、及び（５Ａ）原料化合物と水蒸気とを反応させる方法等の公知の方法が挙げられる。以下の説明では、（５Ａ）原料化合物と水蒸気とを反応させる処理のことを、「加湿処理」と称することがある。

中でも、改質処理を施すことが、（１）半導体材料の近傍により強固な保護領域を形成する観点から好ましい。

紫外線を照射する方法で用いられる紫外線の波長は、通常１０〜４００ｎｍであり、１０〜３５０ｎｍが好ましく、１００〜１８０ｎｍがより好ましい。紫外線の発生させる光源としては、例えば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、エキシマランプ、ＵＶレーザー光等が挙げられる。

加湿処理を施す場合、例えば、後述する温度、及び湿度条件下で一定の時間、組成物を静置してもよく、撹拌してもよい。

加湿処理における温度は、十分に改質が進行する温度であればよい。加湿処理における温度は、例えば、５〜１５０℃であることが好ましく、１０〜１００℃であることがより好ましく、１５〜８０℃であることがさらに好ましい。

加湿処理における湿度は、組成物中の（５Ａ）原料化合物に十分に水分が供給される湿度であればよい。加湿処理における湿度は、例えば３０％〜１００％であることが好ましく、４０％〜９５％であることがより好ましく、６０％〜９０％であることがさらに好ましい。

加湿処理に要する時間は、十分に改質が進行する時間であればよい。加湿処理に要する時間は、例えば、１０分間以上１週間以下であることが好ましく、１時間以上５日間以下であることがより好ましく、２時間以上３日間以下であることがさらに好ましい。

組成物に含まれる（５Ａ）原料化合物の分散性を高める観点から、撹拌することが好ましい。

加湿処理における水の供給は、水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させることによってもよく、水蒸気を含む雰囲気中で撹拌することで、界面から水分を供給してもよい。

水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させる場合、得られる組成物の耐久性が向上するため、水蒸気を含むガス流量は、０．０１Ｌ／分以上１００Ｌ／分以下が好ましく、０．１Ｌ／分以上１０Ｌ／分以下がより好ましく、０．１５Ｌ／分以上５Ｌ／分以下がさらに好ましい。水蒸気を含むガスとしては、例えば飽和量の水蒸気を含む窒素を挙げることができる。

（１）半導体材料がペロブスカイト化合物の場合、本実施形態の組成物の製造方法において（２）表面修飾剤、（３）溶媒及び（５）改質体群は、上述した（１）半導体材料の製造方法に含まれるいずれかの工程で混合させてもよい。例えば、下記製造方法（ａ５）であってもよく、下記製造方法（ａ６）であってもよい。

製造方法（ａ５）：ペロブスカイト化合物を構成するＢ成分を含む化合物、Ｘ成分を含む化合物、及びＡ成分を含む化合物と、（２）表面修飾剤と、（５）改質体群とを第１溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。
第１溶媒、第２溶媒は、上述した溶媒と同じである。

製造方法（ａ６）：ペロブスカイト化合物を構成するＢ成分を含む化合物、Ｘ成分を含む化合物、及びＡ成分を含む化合物と、（２）表面修飾剤と、（５）改質体群とを高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
第３溶媒は、上述した溶媒と同じである。

これらの製造方法に含まれる各工程の条件は、上述の（ｖｉｉｉ）の半導体材料の製造方法における第１の製造方法、及び第２の製造方法で条件と同様である。

（（４）重合性化合物を含む液状組成物の製造方法）
（１）半導体材料、（２）表面修飾剤、（４）重合性化合物、及び（５）改質体群を含む組成物の製造方法は、例えば、下記製造方法（ｃ１）〜（ｃ３）が挙げられる。

製造方法（ｃ１）：（４）重合性化合物に（１）半導体材料を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（２）表面修飾剤と（５）改質体群とを混合する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｃ２）：（４）重合性化合物に（２）表面修飾剤と（５）改質体群とを分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）半導体材料とを混合する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｃ３）：（４）重合性化合物に、（１）半導体材料と（２）表面修飾剤と（５）改質体群との混合物を分散させる工程を含む製造方法。

製造方法（ｃ１）〜（ｃ３）において、（１）半導体材料の分散性を高める観点から製造方法（ｃ１）であることが好ましい。

製造方法（ｃ１）〜（ｃ３）において、各分散体を得る工程では、（４）重合性化合物を、各材料に滴下してもよいし、各材料を（４）重合性化合物に滴下してよい。
均一に分散しやすいため、（１）半導体材料、（２）表面修飾剤、（５）改質体群の少なくとも一つを（４）重合性化合物に滴下することが好ましい。

製造方法（ｃ１）〜（ｃ３）において、各混合する工程では、分散体を各材料に滴下してもよいし、各材料を分散体に滴下してもよい。
均一に分散しやすいため、（１）半導体材料、（２）表面修飾剤、（５）改質体群の少なくとも一つを分散体に滴下することが好ましい。

（４）重合性化合物には、（３）溶媒と（４−１）重合体との少なくともいずれか一方が溶解又は分散していてもよい。

（４−１）重合体を溶解又は分散させる溶媒は、特に限定されない。溶媒としては、（１）半導体材料を溶解し難いものが好ましい。
（４−１）重合体が溶解している溶媒としては、例えば、上述の第３溶媒とおなじ溶媒が挙げられる。

中でも第２溶媒は極性が低く、（１）半導体材料を溶解し難いと考えられるため好ましい。

第２溶媒の中でも、ハロゲン化炭化水素、及び炭化水素がより好ましい。

また、本実施形態の組成物の製造方法は、下記製造方法（ｃ４）であってもよく、製造方法（ｃ５）であってもよい。

製造方法（ｃ４）：（１）半導体材料を（３）溶媒に分散させ分散液を得る工程と、得られた分散液に、（４）重合性化合物と（４−１）重合体との少なくとも一方を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液と（２）表面修飾剤と（５）改質体群とを混合する工程とを有する、組成物の製造方法。

製造方法（ｃ５）：（１）半導体材料を（３）溶媒に分散させ分散液を得る工程と、得られた分散液と（２）表面修飾剤と（５Ａ）原料化合物とを混合し、混合液を得る工程と、得られた混合液に改質処理を施し（５）改質体群を含む混合液を得る工程と、得られた混合液と（３）溶媒とを混合する工程とを有する、組成物の製造方法。

組成物の製造方法１において、（６）その他の表面修飾剤を使用するときは、（２）表面修飾剤とともに添加することができる。

＜＜組成物の製造方法２＞＞
本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）半導体材料と、（２）表面修飾剤と、（４）重合性化合物と、（５）改質体群とを混合する工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法を挙げることができる。

組成物の製造方法２で得られる組成物は、（１）半導体材料、（２）表面修飾剤、（４−１）重合体、（５）改質体群の合計が組成物全体の９０質量％以上であることが好ましい。

また、本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）半導体材料と、（２）表面修飾剤と、（３）溶媒に溶解している（４−１）重合体と、（５）改質体群とを混合する工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法も挙げることができる。

上述の製造方法に含まれる混合する工程には、上述の組成物の製造方法１で示した方法と同様の混合方法を用いることができる。

組成物の製造方法は、例えば、下記（ｄ１）〜（ｄ６）の製造方法が挙げられる。

製造方法（ｄ１）：（４）重合性化合物に（１）半導体材料を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（２）表面修飾剤と（５）改質体群とを混合する工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ２）：（４−１）重合体を溶解させた（３）溶媒に（１）半導体材料を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（２）表面修飾剤と（５）改質体群とを混合する工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ３）：（４）重合性化合物に（２）表面修飾剤と（５）改質体群とを分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）半導体材料とを混合する工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ４）：（４−１）重合体を溶解させた（３）溶媒に（２）表面修飾剤と（５）改質体群とを分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）半導体材料とを混合する工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ５）：（４）重合性化合物に、（１）半導体材料と（２）表面修飾剤と（５）改質体群との混合物を分散させる工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ６）：（４−１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（１）半導体材料と（２）表面修飾剤と（５）改質体群との混合物を分散させる工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ２）、（ｄ４）及び（ｄ６）に含まれる、（３）溶媒を除去する工程は、室温で静置し、自然乾燥させる工程であってもよいし、真空乾燥機を用いた減圧乾燥であってもよいし、加熱によって（３）溶媒を蒸発させる工程であってもよい。

（３）溶媒を除去する工程では、例えば、０℃以上３００℃以下で、１分間以上７日間以下乾燥させることで、（３）溶媒を除去することができる。

製造方法（ｄ１）、（ｄ３）及び（ｄ５）に含まれる、（４）重合性化合物を重合させる工程は、ラジカル重合などの公知の重合反応を適宜用いることで行うことができる。

例えばラジカル重合の場合は、（１）半導体材料と、（２）表面修飾剤と、（４）重合性化合物と、（５）改質体群との混合物に、ラジカル重合開始剤を添加し、ラジカルを発生させることで重合反応を進行させることができる。

ラジカル重合開始剤は特に限定されるものではないが、例えば、光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。

上記光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。

組成物の製造方法２において、（６）その他の表面修飾剤を使用するときは、（２）表面修飾剤とともに添加することができる。

＜＜組成物の製造方法３＞＞
また、本実施形態の組成物の製造方法は、下記（ｄ７）の製造方法も採用することができる。

製造方法（ｄ７）：（１）半導体材料と、（２）表面修飾剤と、（４−１）重合体とを溶融混練する工程を含む製造方法。

製造方法（ｄ８）：（１）半導体材料と、（２）表面修飾剤と、（４−１）重合体と、（５Ａ）原料化合物とを溶融混練する工程と、（４−１）重合体が溶融した状態で改質処理を施す工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ９）：（１）半導体材料と、（２）表面修飾剤とを含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物から固形分を取り出す工程と、得られた固形分と（４−１）重合体とを溶融混練する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ１０）：（１）半導体材料と、（２）表面修飾剤と、（５）改質体群を含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物から固形分を取り出す工程と、得られた固形分と（４−１）重合体とを溶融混練する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ１１）：（１）半導体材料と、（２）表面修飾剤とを含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物から固形分を取り出す工程と、得られた固形分と、（５）改質体群と、（４−１）重合体とを溶融混練する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ７）〜（ｄ１１）の溶融混練する工程では、（４−１）重合体と他の材料との混合物を溶融混練してもよく、溶融した（４−１）重合体に他の材料を添加してもよい。「他の材料」とは、（４−１）重合体の他に各製造方法で用いる材料を指し、具体的には（１）半導体材料、（２）表面修飾剤、（５Ａ）原料化合物及び（５）改質体群を指す。

製造方法（ｄ１１）の溶融混練する工程で添加する（５）改質体群は、（５Ａ）原料化合物を改質処理することで得られる。

製造方法（ｄ７）〜（ｄ１１）において（４−１）重合体を溶融混練する方法としては、重合体の混練方法として公知の方法を採用することができる。例えば、単軸押出機、又は二軸押出機を用いた押出加工を採用することができる。

製造方法（ｄ８）の改質処理を施す工程は、上述した方法を採用することができる。

製造方法（ｄ９）及び（ｄ１１）の液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ａ１）又は（ａ２）を採用することができる。

製造方法（ｄ１０）の液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ａ３）又は（ａ４）を採用することができる。

製造方法（ｄ９）〜（ｄ１１）の固形分を取り出す工程は、例えば加熱、減圧、送風及びこれらの組み合わせにより、液状組成物から液状組成物を構成する（３）溶媒及び（４）重合性化合物を除去することで行う。

組成物の製造方法３において、（６）その他の表面修飾剤を使用するときは、（２）表面修飾剤とともに添加することができる。

≪ペロブスカイト化合物の測定≫
本実施形態の組成物に含まれるペロブスカイト化合物の量は、誘導結合プラズマ質量分析計ＩＣＰ−ＭＳ（例えば、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製、ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ）、及びイオンクロマトグラフ（例えば、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製、Ｉｎｔｅｇｒｉｏｎ）を用いて測定することができる。
ペロブスカイト化合物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の良溶媒を用いて溶解した後に測定を行う。
≪（５）改質体群に含まれるＳｉ元素の濃度測定≫
本実施形態の組成物に含まれる（５）改質体群の含有するＳｉ元素の濃度（μｇ／ｇ）は、誘導結合プラズマ質量分析計ＩＣＰ−ＭＳ（例えば、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製、ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ）を用いて測定する。
それぞれの測定は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の良溶媒と（５）改質体群との溶液を用いて行う。

≪発光スペクトルの測定≫
本実施形態の組成物の発光スペクトルは、絶対ＰＬ量子収率測定装置（例えば、浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定する。

≪量子収率の測定≫
本実施形態の組成物の量子収率は、絶対ＰＬ量子収率測定装置（例えば、浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定する。

≪耐熱性の評価≫
本実施形態の組成物をホットプレート上で２６０℃、２分間加熱し、加熱前後の量子収率を測定して、下記の式を用いて維持率を評価する。
維持率（％）＝耐熱性試験後の量子収率÷耐熱性試験前の量子収率×１００

実施形態の組成物は、上記のそれぞれの測定方法において、維持率が、２０％以上であってもよく、４０％以上であってもよく、６０％以上であってもよく、８０％以上であってもよく、８５％以上であってもよい。組成物の耐熱性の作用が高いことから、維持率は高いほうがよい。

＜＜フィルム＞＞
本実施形態に係るフィルムは、上述の組成物を形成材料とする。例えば、本実施形態に係るフィルムは、（１）半導体材料、（２）表面修飾剤、及び（４−１）重合体を含み、（１）半導体材料、（２）表面修飾剤、及び（４−１）重合体の合計がフィルム全体の９０質量％以上である。

フィルム形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。本明細書において「バー状の形状」とは、例えば、一方向に延在する平面視帯状の形状を意味する。平面視帯状の形状としては、各辺の長さが異なる板状の形状が例示される。

フィルムの厚みは、０．０１μｍ〜１０００ｍｍであってもよく、０．１μｍ〜１０ｍｍであってもよく、１μｍ〜１ｍｍであってもよい。

本明細書において前記フィルムの厚みは、フィルムの縦、横、高さの中で最も値の小さい辺を「厚さ方向」としたときの、フィルムの厚さ方向のおもて面と裏面との間の距離を指す。具体的には、マイクロメータを用い、フィルムの任意の３点においてフィルムの厚みを測定し、３点の測定値の平均値を、フィルムの厚みとする。

フィルムは、単層であってもよく、複層であってもよい。複層の場合、各層は同一の種類の組成物が用いられていてもよく、互いに異なる種類の組成物が用いられていてもよい。

＜＜積層構造体＞＞
本実施形態に係る積層構造体は、複数の層を有し、少なくとも一層が、上述のフィルムである。

積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム以外の層としては、基板、バリア層、光散乱層等の任意の層が挙げられる。
積層されるフィルムの形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。

（基板）
基板は、特に制限はないが、フィルムであってもよい。基板は、光透過性を有するものが好ましい。光透過性を有する基板を有する積層構造体では、（１）半導体材料が発した光を取り出しやすいため好ましい。

基板の形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラスなどの公知の材料を用いることができる。
例えば、積層構造体において、上述のフィルムを、基板上に設けていてもよい。

図１は、本実施形態の積層構造体の構成を模式的に示す断面図である。第１の積層構造体１ａは、第１の基板２０及び第２の基板２１の間に、本実施形態のフィルム１０が設けられている。フィルム１０は、封止層２２によって封止されている。

本発明の一つの側面は、第１の基板２０と、第２の基板２１と、第１の基板２０と第２の基板２１との間に位置する本実施形態に係るフィルム１０と、封止層２２と、を有する積層構造体であって、封止層２２が、フィルム１０の第１の基板２０、及び第２の基板２１と接していない面上に配置されることを特徴とする積層構造体１ａである。

（バリア層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、バリア層が挙げられる。外気の水蒸気、及び大気中の空気から前述の組成物を保護する観点から、バリア層を含んでいてもよい。

バリア層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。バリア層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラス膜などの公知のバリア層を用いることができる。

（光散乱層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光散乱層が挙げられる。入射した光を有効に利用する観点から、光散乱層を含んでいてもよい。
光散乱層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。光散乱層としては、シリカ粒子などの光散乱粒子や、増幅拡散フィルムなどの公知の光散乱層を用いることができる。

＜＜発光装置＞＞
本実施形態に係る発光装置は、本実施形態のフィルム又は積層構造体と、光源とを合せることで得ることができる。発光装置は、光源から発光した光を、光源の光射出方向に設置したフィルム又は積層構造体に照射することで、フィルム又は積層構造体を発光させ、光を取り出す装置である。

発光装置における積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム、基板、バリア層、光散乱層以外の層としては、光反射部材、輝度強化部、プリズムシート、導光板、要素間の媒体材料層等の任意の層が挙げられる。

本発明の一つの側面は、プリズムシート５０と、導光板６０と、第１の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された発光装置２である。

（光源）
本実施形態の発光装置を構成する光源としては、（１）半導体材料の吸収波長帯に含まれる光を射出する光源を用いる。例えば、上述のフィルム、又は積層構造体中の半導体材料を発光させるという観点から、６００ｎｍ以下の発光波長を有する光源が好ましい。光源としては、例えば、青色発光ダイオードなどの発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー、ＥＬなどの公知の光源を用いることができる。

（光反射部材）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光反射部材が挙げられる。光反射部材を有する発光装置は、光源の光を効率的にフィルム、又は積層構造体に向かって照射することができる。

光反射部材は、特に制限は無いが、反射フィルムであっても良い。反射フィルムとしては、例えば、反射鏡、反射粒子のフィルム、反射金属フィルムや反射体などの公知の反射フィルムを用いることができる。

（輝度強化部）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、輝度強化部が挙げられる。光の一部分を、光が伝送された方向に向かって反射して戻す観点から、輝度強化部を含んでいてもよい。

（プリズムシート）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、プリズムシートが挙げられる。プリズムシートは、代表的には、基材部とプリズム部とを有する。なお、基材部は、隣接する部材に応じて省略してもよい。

プリズムシートは、任意の適切な接着層（例えば、接着剤層、粘着剤層）を介して隣接する部材に貼り合わせることができる。

発光装置を後述のディスプレイに用いる場合、プリズムシートは、視認側とは反対側（背面側）に凸となる複数の単位プリズムが並列されて構成されている。プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置することにより、プリズムシートを透過する光が集光されやすくなる。また、プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置すれば、凸部を視認側に向けて配置する場合と比較して、プリズムシートに入射せずに反射する光が少なく、輝度の高いディスプレイを得ることができる。

（導光板）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、導光板が挙げられる。導光板としては、例えば、横方向からの光を厚さ方向に偏向可能となるよう、背面側にレンズパターンが形成された導光板、背面側と視認側とのいずれか一方又は両方にプリズム形状等が形成された導光板など、任意の適切な導光板を用いることができる。

（要素間の媒体材料層）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、隣接する要素（層）間の光路上に１つ以上の媒体材料からなる層（要素間の媒体材料層）が挙げられる。

要素間の媒体材料層に含まれる１つ以上の媒体には、特に制限は無いが、真空、空気、ガス、光学材料、接着剤、光学接着剤、ガラス、ポリマー、固体、液体、ゲル、硬化材料、光学結合材料、屈折率整合又は屈折率不整合材料、屈折率勾配材料、クラッディング又は抗クラッディング材料、スペーサー、シリカゲル、輝度強化材料、散乱又は拡散材料、反射又は抗反射材料、波長選択性材料、波長選択性抗反射材料、色フィルター、又は上記技術分野で既知の好適な媒体、が含まれる。

本実施形態の発光装置の具体例としては、例えば、ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ用の波長変換材料を備えたものが挙げられる。
具体的には、以下の（Ｅ１）〜（Ｅ４）の各構成を挙げることができる。

構成（Ｅ１）：本実施形態の組成物をガラスチューブ等の中に入れて封止し、これを導光板の端面（側面）に沿うように、光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンエッジ方式のバックライト）。

構成（Ｅ２）：本実施形態の組成物をシート化し、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを、導光板の上に設置して、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（表面実装方式のバックライト）。

構成（Ｅ３）：本実施形態の組成物を、樹脂等に分散させて青色発光ダイオードの発光部近傍に設置し、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンチップ方式のバックライト）。

構成（Ｅ４）：本実施形態の組成物を、レジスト中に分散させて、カラーフィルター上に設置し、光源から照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト。

また、本実施形態に係る発光装置の具体例としては、本実施形態の組成物を成形し、光源である青色発光ダイオードの後段に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発する照明が挙げられる。

＜＜ディスプレイ＞＞
図２に示すように、本実施形態のディスプレイ３は、液晶パネル４０と、前述の発光装置２とを視認側からこの順に備える。発光装置２は、第２の積層構造体１ｂと光源３０とを備える。第２の積層構造体１ｂは、前述の第１の積層構造体１ａが、プリズムシート５０と、導光板６０と、をさらに備えたものである。ディスプレイは、任意の適切なその他の部材をさらに備えていてもよい。

本発明の一つの側面は、液晶パネル４０と、プリズムシート５０と、導光板６０と、第１の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された液晶ディスプレイ３である。

（液晶パネル）
上記液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。視認側偏光板及び背面側偏光板は、それぞれの吸収軸が実質的に直交又は平行となるようにして配置され得る。

（液晶セル）
液晶セルは、一対の基板と、一対の基板間に挟持された表示媒体としての液晶層とを有する。一般的な構成においては、一方の基板に、カラーフィルター及びブラックマトリクスが設けられており、他方の基板に、液晶の電気光学特性を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子にゲート信号を与える走査線及びソース信号を与える信号線と、画素電極及び対向電極とが設けられている。上記基板の間隔（セルギャップ）は、スペーサー等によって制御できる。上記基板の液晶層と接する側には、例えば、ポリイミドからなる配向膜等を設けることができる。

（偏光板）
偏光板は、代表的には、偏光子と、偏光子の両側に配置された保護層とを有する。偏光子は、代表的には、吸収型偏光子である。
偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。

＜＜組成物の用途＞＞
本実施形態の組成物の用途としては、以下のような用途を挙げることができる。

＜ＬＥＤ＞
本実施形態の組成物は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）の発光層の材料として用いることができる。

本実施形態の組成物を含むＬＥＤとしては、例えば、本実施形態の組成物とＺｎＳなどの導電性粒子を混合して膜状に積層し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面にｐ型輸送層を積層した構造をしており、電流を流すことで、ｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の組成物に含まれる（１）及び（２）の粒子中で電荷を打ち消すことで発光する方式が挙げられる。

＜太陽電池＞
本実施形態の組成物は、太陽電池の活性層に含まれる電子輸送性材料として利用することができる。

前記太陽電池としては、構成は特に限定されないが、例えば、フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板、酸化チタン緻密層、多孔質酸化アルミニウム層、本実施形態の組成物を含む活性層、２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ （Ｓｐｉｒｏ−ＭｅＯＴＡＤ）などのホール輸送層、及び銀（Ａｇ）電極をこの順で有する太陽電池が挙げられる。

酸化チタン緻密層は、電子輸送の機能、ＦＴＯのラフネスを抑える効果、及び逆電子移動を抑制する機能を有する。

多孔質酸化アルミニウム層は、光吸収効率を向上させる機能を有する。

活性層に含まれる、本実施形態の組成物は、電荷分離及び電子輸送の機能を有する。

＜センサー＞
本実施形態の組成物は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーの検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料として利用することができる。

＜＜フィルムの製造方法＞＞
フィルムの製造方法は、例えば、下記（ｅ１）〜（ｅ３）の製造方法が挙げられる。

製造方法（ｅ１）：液状組成物を塗工して塗膜を得る工程と、塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含むフィルムの製造方法。

製造方法（ｅ２）：（４）重合性化合物を含む液状組成物を塗工して塗膜を得る工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含むフィルムの製造方法。

製造方法（ｅ３）：上述の製造方法（ｄ１）〜（ｄ６）で得られた組成物を成形加工するフィルムの製造方法。

上記製造方法（ｅ１）（ｅ２）で製造したフィルムは、製造位置から剥離して用いてもよい。

＜＜積層構造体の製造方法＞＞
積層構造体の製造方法は、例えば、下記（ｆ１）〜（ｆ３）の製造方法が挙げられる。

製造方法（ｆ１）：液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含む積層構造体の製造方法。

製造方法（ｆ２）：フィルムを基板に張り合わせる工程を含む積層構造体の製造方法。

製造方法（ｆ３）：（４）重合性化合物を含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ｃ１）〜（ｃ５）を採用することができる。

製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における液状組成物を基板上に塗工する工程は、特に制限は無いが、グラビア塗布法、バー塗布法、印刷法、スプレー法、スピンコーティング法、ディップ法、ダイコート法などの、公知の塗布、塗工方法を用いることができる。

製造方法（ｆ１）における（３）溶媒を除去する工程は、上述した製造方法（ｄ２）、（ｄ４）、（ｄ６）に含まれる（３）溶媒を除去する工程と同様の工程とすることができる。

製造方法（ｆ３）における（４）重合性化合物を重合させる工程は、上述した製造方法（ｄ１）、（ｄ３）、（ｄ５）に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と同様の工程とすることができる。

製造方法（ｆ２）におけるフィルムを基板に張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。

接着剤は、（１）半導体材料を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。

積層構造体の製造方法は、得られた積層構造体に、さらに任意のフィルムを張り合わせる工程を含んでいてもよい。

張り合わせる任意のフィルムとしては、例えば、反射フィルム、拡散フィルムが挙げられる。

フィルムを張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。

上述の接着剤は、（１）半導体材料を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。

＜＜発光装置の製造方法＞＞
例えば、上述の光源と、光源から射出される光の光路上に上述のフィルム、又は積層構造体を設置する工程とを含む製造方法が挙げられる。

なお、本発明の技術範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（アミン化合物に含まれるＮ含有量の測定）
実施例１〜３で得られた組成物のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）（Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ、アルバック・ファイ株式会社製、ＡｌＫα線光電子取り出し角４５度、アパーチャー直径を１００μｍ、表面汚染炭化水素のＣ １ｓに帰属されるピークを２８４．６ｅＶとして帯電補正の基準として使用）測定により、組成物に含まれるペロブスカイト中のＰｂのモルとアミン化合物中のＮのモルとの比（Ｎ／Ｐｂ（モル比））を算出した。ＸＰＳ測定は、ペロブスカイトを含む組成物０．０５ｍＬを１ｃｍ×１ｃｍのガラス基板にキャスト、乾燥した後に行った。

（ペロブスカイト化合物の濃度測定）
実施例１〜３、及び比較例１で得られた組成物におけるペロブスカイト化合物の濃度は以下の方法により測定した。

まず、後述の方法で得られた（１）半導体材料を、精秤したトルエンに再分散させることで分散液を得た。次いで、得られた分散液に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを添加することでペロブスカイト化合物を溶解させた。

その後、ＩＣＰ−ＭＳ（ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製、ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ）を用いて分散液に含まれるＣｓ及びＰｂを定量した。また、イオンクロマトグラフ（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製、Ｉｎｔｅｇｒｉｏｎ）を用いて分散液に含まれるＢｒを定量した。各測定値の合計から分散液に含まれるペロブスカイト化合物の質量を求め、ペロブスカイト化合物の質量とトルエン量とから分散液濃度を求めた。

（量子収率の測定）
実施例１〜３、及び比較例１で得られた組成物の量子収率を、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定した。

（耐熱性評価）
実施例１〜３、及び比較例１で得られた組成物をホットプレート上で、２６０℃で、２分間加熱し耐熱性試験を行った。耐熱性試験前後の量子収率を測定して、下記の式を用いて維持率を求めた。こうして求めた維持率が高いほど耐熱性が高いと評価できる。
維持率（％）＝耐熱性試験後の量子収率÷耐熱性試験前の量子収率×１００

（透過型電子顕微鏡による（１）半導体材料の観察）
（１）半導体材料は透過型電子顕微鏡（日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２２００ＦＳ）を用いて観察した。観察用の試料は、組成物から支持膜付きグリッドに（１）半導体材料を採取することで得た。観察条件は、加速電圧を２００ｋＶとした。

得られた電子顕微鏡写真に写る半導体材料の像を、２本の平行線で挟んだときの平行線の間隔をフェレー径として求めた。２０個の半導体材料のフェレー径の算術平均値を求め、平均のフェレー径を求めた。

（ペロブスカイト化合物のＢ成分と、改質体のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］の算出）
ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）（単位：モル）は、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−ＭＳ）によって、Ｂ成分である金属の質量を測定し、測定値を物質量に換算して求めた。

改質体のＳｉ元素の物質量（Ｓｉ）は、用いた改質体の原料化合物の質量を物質量に換算した値と、単位質量の原料化合物に含まれるＳｉ量（物質量）とから求めた。原料化合物の単位質量とは、原料化合物が低分子化合物であれば原料化合物の分子量であり、原料化合物が高分子化合物であれば原料化合物の繰り返し単位の分子量である。

Ｓｉ元素の物質量（Ｓｉ）と、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）とから、モル比［Ｓｉ／Ｂ］を算出した。

［実施例１］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１−オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。

臭化鉛（ＰｂＢｒ_２）０．２７６ｇを１−オクタデセンの溶媒２０ｍＬと混合した。マグネチックスターラーで攪拌して窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びＮ,Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン２．１１７ｍＬを添加して臭化鉛分散液を調製した。

臭化鉛分散液を１３０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、分散液を得た。

次いで、分散液を１００００ｒｐｍ、５分間遠心分離し、沈殿物を分離した後、酢酸エチル１５ｍＬ、及びトルエン５ｍＬを加えて分散させた後に再度１００００ｒｐｍ、５分間で遠心分離し、沈殿物を分離して洗浄した。洗浄を３度実施した後、沈殿物のペロブスカイト化合物を得た。ペロブスカイト化合物をトルエン１０ｍＬに分散させた後に、再度０．５ｍＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに分散させることで、ペロブスカイト化合物及び溶媒を含む分散液を得た。

ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、１２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。ＸＰＳによって測定したＮ／Ｐｂモル比は０．３２であった。

溶媒を自然乾燥させて回収した化合物のＸ線回折パターンをＸ線回折測定装置（ＸＲＤ、Ｃｕ Ｋα線、Ｘ’ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ、スペクトリス社製）で測定した所、２θ＝１４°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）由来のピークを有しており、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。

次いで上述の分散液にオルガノポリシラザン（Ｄｕｒａｚａｎｅ １５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製： ０．９６７ｇ／ｃｍ^３）を１００μＬ混合した。分散液において、オルガノポリシラザンに含まれるＳｉ元素とペロブスカイト化合物に含まれるＰｂ元素とのモル比はＳｉ／Ｐｂ＝１７２であった。

上述の分散液を２５℃、８０％の湿度条件で、スターラーで攪拌しながら、１日間改質処理した。

上述の改質処理後の分散液５０μＬを１ｃｍ×１ｃｍサイズのガラス基板上にキャストし、自然乾燥させたのち、１００℃で１２時間ベーク処理して組成物を得た。耐熱性試験前後の量子収率を測定して維持率を算出すると、維持率は４２．７％であった。結果を表１に示す。

［実施例２］
実施例１と同様の方法で、ペロブスカイト化合物及びＮ,Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミンを含む分散液を得た。
次いで上述の分散液にオルガノポリシラザン（Ｄｕｒａｚａｎｅ １５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅ、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製：０．９６７ｇ／ｃｍ^３）を１００μＬ混合した。分散液において、オルガノポリシラザンに含まれるＳｉ元素とペロブスカイト化合物に含まれるＰｂ元素とのモル比はＳｉ／Ｐｂ＝５０．４であった。

上述の分散液を２５℃、８０％の湿度条件で、スターラーで攪拌しながら、１日間改質処理した。

上述の改質処理後の分散液５０μＬを１ｃｍ×１ｃｍサイズのガラス基板上にキャストし、自然乾燥させたのち、１００℃で１２時間ベーク処理して組成物を得た。耐久試験前後の量子収率を測定して維持率を算出すると、維持率は８６．４％であった。結果を表１に示す。

［実施例３］
オルガノポリシラザン（Ｄｕｒａｚａｎｅ １５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅ、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製：０．９６７ｇ／ｃｍ^３）の添加量を３００μＬとする以外は、実施例２と同様の方法で組成物を得た。分散液中のオルガノポリシラザンに含まれるＳｉ元素とペロブスカイト化合物に含まれるＰｂ元素とのモル比はＳｉ／Ｐｂ＝１５１であった。

上述の分散液５０μＬを１ｃｍ×１ｃｍサイズのガラス基板上にキャストし、自然乾燥させたのち、１００℃で１２時間ベーク処理して組成物を得た。耐熱性試験前後の量子収率を測定して維持率を算出すると、維持率は７７．９％であった。結果を表１に示す。

［比較例１］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１−オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。

臭化鉛（ＰｂＢｒ_２）０．２７６ｇを１−オクタデセンの溶媒２０ｍＬと混合した。マグネチックスターラーで攪拌して窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加して臭化鉛分散液を調製した。

臭化鉛分散液を１６０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、分散液を得た。

次いで、分散液を１００００ｒｐｍ、５分間遠心分離し、沈殿物のペロブスカイト化合物を得た。ペロブスカイト化合物をトルエン５ｍＬに分散させた後に、再度０．５ｍＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに分散させることで、ペロブスカイト化合物及びオレイルアミンを含む分散液を得た。

ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２０００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。

溶媒を自然乾燥させて回収した化合物のＸ線回折パターンをＸ線回折測定装置（ＸＲＤ、Ｃｕ Ｋα線、Ｘ’ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ、スペクトリス社製）で測定した所、２θ＝１４°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）由来のピークを有しており、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。

ＴＥＭで観察したペロブスカイト化合物の平均のフェレー径は１１ｎｍであった。

トルエンでペロブスカイト化合物の濃度が２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）になるように希釈した後、量子収率測定装置によって測定した量子収率は３０％であった。
次いで上述のペロブスカイト化合物及び溶媒を含む分散液１にオルガノポリシラザン（Ｄｕｒａｚａｎｅ １５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製：０．９６７ｇ／ｃｍ^３）を１００μL混合した。分散液において、オルガノポリシラザンに含まれるＳｉ元素とペロブスカイト化合物に含まれるＰｂ元素とのモル比はＳｉ／Ｐｂ＝７６であった。

上述の分散液を２５℃、８０％の湿度条件で、スターラーで攪拌しながら、１日間改質処理した。

上述の改質処理後の分散液５０μＬを１ｃｍ×１ｃｍサイズのガラス基板上にキャストし、自然乾燥させたのち、１００℃で１２時間ベーク処理して組成物を得た。耐熱性試験前後の量子収率を測定して維持率を算出すると、維持率は８％であった。結果を表１に示す。

上記の結果から、本発明を適用した実施例１〜３に係る組成物は、本発明を適用しない比較例１の組成物と比べて、優れた耐熱性を有していることが確認できた。

［参考例１］
実施例１〜３に記載の組成物を、ガラスチューブ等の中に入れて封止した後に、これを光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置することで、青色発光ダイオードの青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例２］
実施例１〜３に記載の組成物をシート化する事でフィルムを得ることができ、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを導光板の上に設置することで、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例３］
実施例１〜３に記載の組成物を、青色発光ダイオードの発光部近傍に設置することで照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例４］
実施例１〜３に記載の組成物とレジストを混合した後に、溶媒を除去する事で波長変換材料を得ることができる。得られた波長変換材料を光源である青色発光ダイオードと導光板の間や、光源であるＯＬＥＤの後段に配置することで、光源の青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例５］
実施例１〜３に記載の組成物をＺｎＳなどの導電性粒子を混合して成膜し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層することでＬＥＤを得る。電流を流すことによりｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面のペロブスカイト化合物中で電荷を打ち消されることで発光させることができる。

［参考例６］
フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板の表面上に、酸化チタン緻密層を積層させ、その上から多孔質酸化アルミニウム層を積層し、その上に実施例１〜３に記載の組成物を積層し、溶媒を除去した後にその上から２，２‘−，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ−（Ｎ，Ｎ‘−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ （Ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層を積層し、その上に銀（Ａｇ）層を積層し、太陽電池を作製する。

［参考例７］
実施例１〜３に記載の組成物の溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができ、これを青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから組成物に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。

［参考例８］
実施例１〜３に記載の組成物の溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができる。得られた組成物を光電変換層の一部とすることで、光を検知する検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料を製造する。光電変換素子材料は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーに用いられる。

本発明によれば、発光性の半導体材料を含む耐熱性が高い組成物、前記組成物を用いたフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することが可能となる。
したがって、本発明の組成物、前記組成物を用いたフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイは、発光用途において好適に使用することができる。

１ａ…第１の積層構造体、１ｂ…第２の積層構造体、１０…フィルム、２０…第１の基板、２１…第２の基板、２２…封止層、２…発光装置、３…ディスプレイ、３０…光源、４０…液晶パネル、５０…プリズムシート、６０…導光板

Claims (8)

1. 下記（１）と、下記（２）と、を含む組成物。
   （１）：発光性の半導体材料
   （２）：第３級アミン、第３級アンモニウムカチオン、及び第３級アンモニウムカチオンから形成される塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオン
2. 前記（１）がＡ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物である、請求項１に記載の組成物。
   （Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
   Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
   Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
3. さらに下記（５）を含む請求項１又は２に記載の組成物。
   （５）：シラザン、シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５−５１）で表される化合物、下記式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５−５２）で表される化合物、下記式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体、ケイ酸ナトリウム及びケイ酸ナトリウムの改質体からなる群より選択される１種以上の化合物
   

   

   （式（Ｃ１）中、Ｙ^５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
   Ｙ^５が酸素原子の場合、Ｒ^３０及びＲ^３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
   Ｙ^５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ^３０は炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ^３１は水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
   式（Ｃ２）中、Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
   式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、
   Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
   ａは１〜３の整数である。
   ａが２又は３のとき、複数存在するＹ^５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
   ａが２又は３のとき、複数存在するＲ^３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
   ａが１又は２のとき、複数存在するＲ^３１又はＲ^３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。）
   

   

   （式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）中、Ａ^Ｃは２価の炭化水素基であり、Ｙ^１５は酸素原子又は硫黄原子である。
   Ｒ^１２２及びＲ^１２３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ^１２４は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ^１２５及びＲ^１２６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表す。
   Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。）
4. さらに下記（３）、下記（４）、及び下記（４−１）からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
   （３）：溶媒
   （４）：重合性化合物
   （４−１）：重合体
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物を形成材料とするフィルム。
6. 請求項５に記載のフィルムを含む積層構造体。
7. 請求項６に記載の積層構造体を備える発光装置。
8. 請求項６に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。

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