JP2019505112A - E2級増幅器 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、その内容全体が参照により本明細書に組み込まれる、2015年12月14日に出願された「Class E2 Amplifier」という名称の米国仮特許出願第62/266,747号の利益を主張するものである。
102 入力信号
114 アンテナ
120 キャパシタンス
122 可変抵抗器
124 増幅器回路
126 フィルタ回路、ローパスフィルタ回路
132 インダクタ
134 キャパシタ
136 キャパシタ
150 負荷回路
200 送信回路
210 増幅器回路
211 ノード
212 電圧源
214 インダクタ
215 入力信号
216 スイッチ
217 ダイオード
218 シャントキャパシタンス、キャパシタンス
220 高調波要素
222 機能
230 インピーダンス変換回路
232 インダクタL1
234 第2のキャパシタC2
236 第1のキャパシタC1
240 負荷回路
242 インダクタ
244 抵抗器
300 送信回路
310 増幅器回路
311 ノード
312 電圧源
314 インダクタ
315 入力信号
316 スイッチ
317 ダイオード
318 シャントキャパシタンス
320 高調波要素
322 機能
323 機能
330 インピーダンス変換回路
332 インダクタL1
334 第2のキャパシタC2
336 第1のキャパシタC1
340 負荷回路
342 インダクタ
344 抵抗器
400 回路
410 増幅器回路
411 ノード
412 電圧源
414 インダクタ
415 入力信号
416 スイッチ
417 ダイオード
418 シャントキャパシタンス、キャパシタ
420 高調波要素
422 物理的インダクタンス要素
430 インピーダンス変換回路
432 インダクタL1
434 第2のキャパシタC2
436 第1のキャパシタC1
440 負荷回路
442 インダクタ
444 抵抗器
451 1/4波長変換回路
462 電流ループ
464 電流ループ
500 グラフ図
502 水平軸
504 垂直軸
506 波形
508 第1の部分
509 第2の部分
511 参照番号
512 時間
516 波形
521 スイッチング期間
550 グラフ図
552 水平軸
554 垂直軸
556 波形
558 第1の部分
559 第2の部分
561 参照番号
562 時間
566 波形
572 スイッチング期間
600 グラフ図
602 水平軸
604 垂直軸
606 トレース
608 トレース
610 トレース
612 トレース
616 トレース
618 右側部分
700 グラフ図
702 水平軸
704 垂直軸
706 パルス
708 パルス
800 グラフ図
802 水平軸
804 垂直軸
806 トレース
808 トレース
810 トレース
812 トレース
900 グラフ図
902 水平軸
904 垂直軸
906 トレース
908 トレース
910 トレース
912 トレース
1000 方法
1100 装置
1102 手段
1104 手段
1200 ワイヤレス電力伝達システム
1202 入力電力
1204 送信機
1205 場
1208 受信機
1210 出力電力
1212 距離
1214 送信アンテナ
1218 受信アンテナ
1300 ワイヤレス電力伝達システム
1304 送信機
1305 ワイヤレス場
1306 送信回路
1308 受信機
1310 受信回路
1314 送信アンテナ
1318 受信アンテナ
1319 通信チャネル
1322 発振器
1323 周波数制御信号
1324 ドライバ回路
1326 フィルタ/整合回路
1332 整合回路
1334 整流器/スイッチング回路
1336 バッテリ
1450 送信回路または受信回路
1452 送信アンテナまたは受信アンテナ
1454 キャパシタ
1456 キャパシタ
1458 信号
Claims (35)
- 増幅器であって、
スイッチを備える増幅器回路であって、前記スイッチが、入力信号に応答して出力信号を提供するように構成され、前記出力信号が、基本周波数の第1の出力信号と、前記基本周波数の第2高調波の第2の信号とを備え、前記入力信号が、公称25%オフ、75%オンサイクルに従って前記スイッチを制御するように構成される、増幅器回路と、
前記増幅器回路に与えられるインピーダンスを制御するように構成されたフィルタ回路と、
負荷回路であって、前記負荷回路の少なくとも一部が前記フィルタ回路と結合して、前記基本周波数の前記第2高調波で共振するように構成されたインピーダンス変換回路を形成するように構成される、負荷回路と
を備える増幅器。 - 前記負荷回路および前記フィルタ回路が、前記基本周波数の前記第2高調波で前記増幅器回路に対して主に正のリアクタンスを与える、請求項1に記載の増幅器。
- 前記増幅器回路が、前記基本周波数の前記第2高調波で前記フィルタ回路の一部の中に電流を循環させる、請求項1に記載の増幅器。
- 前記増幅器回路が、前記基本周波数で前記負荷回路中に電流を循環させる、請求項1に記載の増幅器。
- 所与の負荷において、前記基本周波数の第2高調波インピーダンスが前記増幅器回路に与えられる、請求項1に記載の増幅器。
- 前記インピーダンス変換回路が、前記基本周波数で前記負荷回路のインピーダンスを前記増幅器回路に与え、前記基本周波数の前記第2高調波で前記負荷回路の前記インピーダンスを前記増幅器回路に与え、前記基本周波数の前記第2高調波の電流が前記負荷回路の前記インピーダンスに対して実質的に鈍感である、請求項1に記載の増幅器。
- 前記増幅器回路の動作効率が実質的にゼロのリアクタンスポイントを中心とするように、前記基本周波数の第2高調波で前記増幅器回路中を電流が循環する、請求項1に記載の増幅器。
- 前記インピーダンス変換回路が1/4波変換回路である、請求項1に記載の増幅器。
- 前記増幅器回路の効率が、複素インピーダンス値の範囲にわたってしきい値を超えて維持される、請求項1に記載の増幅器。
- 前記増幅器回路が、前記基本周波数で前記負荷回路中に電流を循環させ、前記電流が充電エネルギーを提供する、請求項1に記載の増幅器。
- 前記増幅器回路が、前記基本周波数で前記負荷回路中に電流を循環させ、前記負荷回路が、前記入力信号に応答して1つまたは複数の受信機デバイスに電力をワイヤレス伝達するための磁場を発生させるように構成されたコイルを備える、請求項1に記載の増幅器。
- 前記インピーダンス変換回路が、前記フィルタ回路および前記負荷回路の選択された誘導性および容量性成分を備える、請求項1に記載の増幅器。
- 前記インピーダンス変換回路が、第1および第2のインダクタンスと、第1および第2のキャパシタンスと、前記基本周波数で共振するように構成された負荷インダクタンスとを備える、請求項12に記載の増幅器。
- 前記インピーダンス変換回路が、第1および第2のインダクタンスと、前記基本周波数の前記第2高調波で共振するように構成されたキャパシタンスとを備える、請求項12に記載の増幅器。
- ワイヤレス場を介して電力をワイヤレスに送信するための装置であって、
スイッチを備える増幅器回路であって、前記スイッチが、入力信号に応答して出力信号を提供するように構成され、前記出力信号が、基本電力送信周波数の第1の出力信号と、前記基本電力送信周波数の第2高調波の第2の信号とを備え、前記入力信号が、公称25%オフ、75%オンサイクルに従って前記スイッチを制御するように構成される、増幅器回路と、
フィルタ回路と、
負荷回路と
を備え、前記フィルタ回路または前記フィルタ回路に結合された前記負荷回路の少なくとも一部が、前記基本電力送信周波数の前記第2高調波で共振するように構成されたインピーダンス変換回路を形成する、装置。 - 前記負荷回路および前記フィルタ回路が、前記基本電力送信周波数の前記第2高調波で前記増幅器回路に対して主に正のリアクタンスを与える、請求項15に記載の装置。
- 前記増幅器回路が、前記基本電力送信周波数の前記第2高調波で前記フィルタ回路の一部の中に電流を循環させる、請求項15に記載の装置。
- 前記増幅器回路が、前記基本電力送信周波数で前記負荷回路中に電流を循環させる、請求項15に記載の装置。
- 所与の負荷において、前記基本電力送信周波数の第2高調波インピーダンスが前記増幅器回路に与えられる、請求項15に記載の装置。
- 増幅器を動作させるための方法であって、
入力信号に応答して出力信号を提供するステップであって、前記出力信号が、基本周波数の第1の出力信号と、前記基本周波数の第2高調波の第2の信号とを備え、前記入力信号が、公称25%オフ、75%オンサイクルを有する、ステップと、
前記基本周波数で前記増幅器内に第1の電流を循環させるステップと、
前記基本周波数の第2高調波で前記増幅器内に第2の電流を循環させるステップと
を含む方法。 - 前記基本周波数の前記第2高調波で前記出力信号に主に正のリアクタンスを与えるステップをさらに含む、請求項20に記載の方法。
- 前記出力信号に与えられるインピーダンスが、前記基本周波数の前記第2高調波でのインピーダンスを実質的に含む、請求項20に記載の方法。
- 前記基本周波数で前記出力信号にインピーダンスを与えるステップと、
前記基本周波数の前記第2高調波の前記第2の電流が前記インピーダンスに対して実質的に鈍感となるように、前記基本周波数の前記第2高調波で前記出力信号に前記インピーダンスを与えるステップと
をさらに含む、請求項20に記載の方法。 - 前記基本周波数の前記第2高調波で前記第2の電流を循環させるステップによって、動作効率が実質的にゼロのリアクタンスポイントを中心とするようになる、請求項20に記載の方法。
- 前記基本周波数で前記第1の電流を循環させるステップが、充電エネルギーを提供する、請求項20に記載の方法。
- 入力信号に応答して出力信号を提供するための手段であって、前記出力信号が、基本周波数の第1の出力信号と、基本周波数の第2高調波の第2の信号とを備え、前記入力信号が、公称25%オフ、75%オンサイクルを有する、手段と、
前記基本周波数で第1の電流を循環させるための手段と、
前記基本周波数の第2高調波で第2の電流を循環させるための手段と
を備えるデバイス。 - 負荷回路を駆動するための増幅器回路であって、
入力信号に応答して導通状態と非導通状態とを切り替えるように構成されたスイッチング回路であって、前記スイッチング回路が、電圧源と直列のチョークインダクタと接地接続との間に電気的に接続され、入力信号に応答して出力信号を提供するように構成された、スイッチング回路と、
前記スイッチング回路に電気的に結合され、前記入力信号を生成するように構成された入力回路であって、前記入力信号が、実質的に公称25%オフ、75%オンサイクルを有する基本周波数の発振信号となるように生成される、入力回路と、
前記スイッチング回路と前記チョークインダクタとの間のノードと前記負荷回路との間に電気的に結合されたインピーダンス変換回路であって、前記インピーダンス変換回路の少なくとも一部が、前記基本周波数の第2高調波で共振する共振回路を形成するように構成される、インピーダンス変換回路と
を備える増幅器回路。 - 前記インピーダンス変換回路が、前記基本周波数の前記第2高調波で前記スイッチング回路に対して主に正のリアクタンスを与える、請求項27に記載の増幅器回路。
- 所与の負荷において、前記基本周波数の第2高調波インピーダンスが前記スイッチング回路に与えられる、請求項27に記載の増幅器回路。
- 第1の電流が、前記基本周波数で前記負荷回路中を循環する、請求項27に記載の増幅器回路。
- 前記負荷回路が、前記入力信号に応答して1つまたは複数の受信機デバイスに電力をワイヤレス伝達するための磁場を発生させるように構成されたコイルを備える、請求項30に記載の増幅器回路。
- 第2の電流が、前記基本周波数の前記第2高調波で前記インピーダンス変換回路の一部の中を循環する、請求項27に記載の増幅器回路。
- 前記インピーダンス変換回路が、前記基本周波数で前記負荷回路のインピーダンスを前記スイッチング回路に与え、前記基本周波数の前記第2高調波で前記負荷回路の前記インピーダンスを前記スイッチング回路に与え、前記基本周波数の前記第2高調波の電流が前記負荷回路の前記インピーダンスに対して実質的に鈍感である、請求項32に記載の増幅器回路。
- 前記インピーダンス変換回路が、第1および第2のインダクタンスと、第1および第2のキャパシタンスと、前記基本周波数で共振するように構成された負荷インダクタンスとを備える、請求項27に記載の増幅器回路。
- 前記インピーダンス変換回路が、第1および第2のインダクタンスと、前記基本周波数の前記第2高調波で共振するように構成されたキャパシタンスとを備える、請求項27に記載の増幅器回路。
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| WO (1) | WO2017105732A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023516689A (ja) * | 2020-03-06 | 2023-04-20 | ヤンク テクノロジーズ,インコーポレーテッド | 自動車センターコンソール無線充電システム |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9929704B2 (en) * | 2015-12-14 | 2018-03-27 | Qualcomm Incorporated | Class E2 amplifier |
| JP7165355B2 (ja) | 2019-02-19 | 2022-11-04 | 株式会社デンソー | 電力増幅回路 |
| CN112260522B (zh) * | 2020-09-03 | 2022-04-05 | 西安理工大学 | 用于mosfet的e2类谐振驱动电路及其调制方法 |
| US11469724B2 (en) * | 2020-11-09 | 2022-10-11 | Aira, Inc. | Free-boost class-e amplifier |
| US20240195361A1 (en) * | 2021-04-25 | 2024-06-13 | University Of Southern California | Millimeter-wave class ef power amplifier with concurrent harmonic and subharmonic tuning |
| US12166458B2 (en) * | 2021-10-08 | 2024-12-10 | Rachit Joshi | Radio frequency power amplifier and method for manufacturing Doherty power amplifier |
| US12155235B2 (en) | 2021-11-29 | 2024-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device including matching circuit for reducing harmonics |
| US12104967B2 (en) * | 2022-02-25 | 2024-10-01 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Electromechanical force sensor based on extrema degeneracy point with nonlinear response |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028791A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | E級増幅器およびそれを用いたリーダライタならびに書類管理システム |
| JP2010206420A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Chiba Univ | Em級増幅器及びこれを備えた機器 |
| JP2011101408A (ja) * | 2000-10-10 | 2011-05-19 | California Inst Of Technology | E/f級スイッチング電力増幅器 |
| US20110129037A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Bogdan Staszewski | Digital power amplifier with i/q combination |
| JP2012170031A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-06 | Toshiba Corp | 送信器 |
| US8310305B1 (en) * | 2011-04-14 | 2012-11-13 | Rockwell Collins, Inc. | Tapered-impedance distributed switching power amplifiers |
| JP2013009260A (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スイッチング回路 |
| JP2014531788A (ja) * | 2011-08-16 | 2014-11-27 | クアルコム,インコーポレイテッド | E級増幅器の過負荷の検出および防止 |
| US9929704B2 (en) * | 2015-12-14 | 2018-03-27 | Qualcomm Incorporated | Class E2 amplifier |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3798539A (en) | 1973-02-15 | 1974-03-19 | Magnetic Analysis Corp | Pulse eddy current testing apparatus using pulses having a 25% duty cycle with gating at pulse edges |
| US4717884A (en) * | 1986-04-14 | 1988-01-05 | Motorola, Inc. | High efficiency RF power amplifier |
| US6359513B1 (en) * | 2001-01-31 | 2002-03-19 | U.S. Philips Corporation | CMOS power amplifier with reduced harmonics and improved efficiency |
| CN1248407C (zh) * | 2001-06-07 | 2006-03-29 | 三垦电气株式会社 | 开关放大器和信号放大方法 |
| US6552610B1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-04-22 | Mva.Com Eurotec, B.V. | Transmission-line tuned switching power amplifier |
| US6806767B2 (en) * | 2002-07-09 | 2004-10-19 | Anadigics, Inc. | Power amplifier with load switching circuit |
| DE10252146B4 (de) * | 2002-11-09 | 2012-03-29 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Verfahren zum Erzeugen einer hochfrequenten Wechselspannung sowie Hochfrequenz-Leistungsverstärker dafür |
| JP4743077B2 (ja) * | 2006-10-23 | 2011-08-10 | 三菱電機株式会社 | 高周波電力増幅器 |
| WO2009060264A1 (en) | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated circuit having harmonic termination circuitry |
| US8269555B2 (en) | 2008-05-05 | 2012-09-18 | Nxp B.V. | Efficient linear LINC power amplifier |
| CN104953965B (zh) * | 2008-09-01 | 2018-07-24 | 艾利森电话股份有限公司 | 混合类放大器 |
| US8350627B2 (en) * | 2008-09-01 | 2013-01-08 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Hybrid class amplifier |
| US8532724B2 (en) * | 2008-09-17 | 2013-09-10 | Qualcomm Incorporated | Transmitters for wireless power transmission |
| JP5408616B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2014-02-05 | 国立大学法人電気通信大学 | 増幅回路 |
| JP2012257070A (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | トランスインピーダンスアンプ |
| WO2013067031A2 (en) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for power amplifiers |
| US9093215B2 (en) | 2012-05-07 | 2015-07-28 | Qualcomm Incorporated | Push-pull driver for generating a signal for wireless power transfer |
| US8773200B2 (en) * | 2012-07-08 | 2014-07-08 | R2 Semiconductor, Inc. | Decoupling circuits for filtering a voltage supply of multiple power amplifiers |
| US9602063B2 (en) * | 2013-03-12 | 2017-03-21 | Peregrine Semiconductor Corporation | Variable impedance match and variable harmonic terminations for different modes and frequency bands |
| US9024691B2 (en) | 2013-05-17 | 2015-05-05 | Georgia Tech Research Corporation | Adaptive power amplifier and methods of making same |
| US9419568B2 (en) | 2013-06-03 | 2016-08-16 | Skyworks Solutions, Inc. | Circuits and methods related to power amplifier efficiency based on multi-harmonic approximation |
| KR101899922B1 (ko) * | 2016-04-19 | 2018-09-18 | 한국전자통신연구원 | 저전력 고주파 증폭기 |
| KR102467950B1 (ko) * | 2016-12-08 | 2022-11-17 | 한국전자통신연구원 | 통신 장치의 임피던스 정합 회로 |
-
2016
- 2016-05-12 US US15/152,660 patent/US9929704B2/en active Active
- 2016-11-14 TW TW105137005A patent/TWI685191B/zh not_active IP Right Cessation
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- 2016-11-16 KR KR1020187016420A patent/KR102632024B1/ko active Active
- 2016-11-16 BR BR112018011855A patent/BR112018011855A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2016-11-16 JP JP2018530551A patent/JP6849682B2/ja active Active
- 2016-11-16 CA CA3003882A patent/CA3003882A1/en not_active Abandoned
- 2016-11-16 EP EP16805636.4A patent/EP3391539B1/en active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011101408A (ja) * | 2000-10-10 | 2011-05-19 | California Inst Of Technology | E/f級スイッチング電力増幅器 |
| JP2008028791A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | E級増幅器およびそれを用いたリーダライタならびに書類管理システム |
| JP2010206420A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Chiba Univ | Em級増幅器及びこれを備えた機器 |
| US20110129037A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Bogdan Staszewski | Digital power amplifier with i/q combination |
| JP2012170031A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-06 | Toshiba Corp | 送信器 |
| US8310305B1 (en) * | 2011-04-14 | 2012-11-13 | Rockwell Collins, Inc. | Tapered-impedance distributed switching power amplifiers |
| JP2013009260A (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スイッチング回路 |
| JP2014531788A (ja) * | 2011-08-16 | 2014-11-27 | クアルコム,インコーポレイテッド | E級増幅器の過負荷の検出および防止 |
| US9929704B2 (en) * | 2015-12-14 | 2018-03-27 | Qualcomm Incorporated | Class E2 amplifier |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| KAZIMIERCZUK ET AL.: "Exact analysis of class E tuned power amplifier at any Q and switch duty cycle", IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS, vol. 34, no. 2, JPN6020032809, February 1987 (1987-02-01), ISSN: 0004440186 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023516689A (ja) * | 2020-03-06 | 2023-04-20 | ヤンク テクノロジーズ,インコーポレーテッド | 自動車センターコンソール無線充電システム |
| JP7689975B2 (ja) | 2020-03-06 | 2025-06-09 | ヤンク テクノロジーズ,インコーポレーテッド | 自動車センターコンソール無線充電システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| TWI685191B (zh) | 2020-02-11 |
| US20170170794A1 (en) | 2017-06-15 |
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