JP2019209229A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】浮上力が付与されて搬送される基板に処理液を良好に塗布する技術を提供する。【解決手段】塗布装置１は、基板Ｗに浮上力を付与する浮上ステージ部３と、浮上力が付与された基板Ｗを第１方向Ｄ１に移動させる搬送機構５と、浮上基板の上面Ｗｆに向けて処理液を吐出するノズル６１と、基板Ｗの上面Ｗｆの鉛直位置を測定する測定器７０と、ノズル６１および測定器７０を移動させる移動機構６３を備える。移動機構６３は、ノズル６１からの処理液が基板Ｗに付着する水平位置である付着水平位置が、測定器７０が基板Ｗの鉛直位置を予め測定する領域の水平位置である測定水平位置ＸＭ１に近づくように、６１ノズルおよび測定器７０を移動させる。【選択図】図８

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関し、特に、浮上力が付与されて搬送される基板への処理液の塗布を好適に行う技術に関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体基板、液晶表示装置および有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置などのＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板が含まれる。

半導体装置や液晶表示装置などの電子部品等の製造工程では、基板の表面に塗布液を塗布する塗布装置が用いられている。このような塗布装置として、基板の裏面にエアを吹き付けて基板を浮上させた状態で当該基板を搬送しながら、当該基板の表面（基板の主面に相当）に対して基板の幅方向に延びるノズルから塗布液を吐出して基板に塗布液を塗布する装置が知られている（例えば、特許文献１）。

特許文献１に記載の基板処理装置では、浮上ステージ上で基板を水平姿勢にて浮上させつつ、基板の周縁部を保持して水平方向に走行させることで当該基板を搬送し、基板搬送経路の上方に配置されたスリットノズルから塗布液を吐出させる。

特許文献１の基板処理装置では、基板の上方において、基板の浮上高を測定する光学式距離センサが備えられている。基板の浮上高に応じて、スリットノズルの高さを調整することにより、適切な高さから塗布液を供給することが可能となっている。

特開２０１２−１４２５８３号公報

上記従来技術では、光学式距離センサが鉛直位置を測定する領域の水平位置は、ノズルからの処理液が基板に付着する水平位置よりも搬送方向の上流側である。すなわち、従来技術では、処理液が基板に付着する水平位置が、光学式距離センサが測定する領域の水平位置から遠く離れていた。このため、例えば処理液の付着する水平位置において、基板の高さに異常があったとしても、当該異常を上記光学式距離センサでは検出することが困難なため、塗布不良が発生するおそれがあった。

そこで、本発明は、浮上力が付与されて搬送される基板に処理液を良好に塗布する技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、第１態様は、第１主面及び第２主面を有する基板を処理する基板処理装置であって、前記第１主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する浮上機構と、前記浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第１方向に移動させる搬送機構と、前記第１方向に直交する水平方向である第２方向に延びる吐出口を有し、前記浮上基板の第１主面に向けて処理液を前記吐出口から吐出可能なノズルと、前記浮上基板の第１主面の鉛直位置を測定する測定器と、前記ノズルからの前記処理液が前記浮上基板に付着する水平位置である付着水平位置が、前記測定器が前記浮上基板の前記鉛直位置を予め測定する領域の水平位置である測定水平位置に近づくように、前記ノズルおよび前記測定器を移動させる移動機構とを備える。

第２態様は、第１態様の基板処理装置であって、前記移動機構は、前記付着水平位置が前記測定水平位置に一致するように、前記ノズルおよび前記測定器を移動させる。

第３態様は、第１態様または第２態様の基板処理装置であって、前記浮上機構は、水平面を有するステージと、前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側に向けてエアを噴出する複数の噴出口と、前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側のエアを吸引する複数の吸引口とを含む。

第４態様は、第１態様から第３態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記移動機構は、前記ノズルを既定の水平方向位置である塗布位置に位置決めするとともに、前記ノズルを前記塗布位置から水平方向に離れた位置に移動可能である。

第５態様は、第１態様から第４態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記移動機構は、前記測定器を既定の水平方向位置である測定位置に位置決めするとともに、前記測定器を前記測定位置から水平方向に離れた位置に移動可能である。

第６態様は、第１態様から第５態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記ノズルと前記測定器とを連結する連結具、をさらに備え、前記移動機構は前記連結具によって連結された前記ノズルと前記測定器とを一体に移動させる。

第７態様は、第６態様の基板処理装置であって、前記連結具は、前記測定器を前記ノズルに対して前記第１方向の上流側に連結し、前記移動機構は、前記ノズルおよび前記測定器を前記第１方向に移動させる。

第８態様は、第１態様から第７態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記測定器は、前記浮上基板の前記第１主面で反射する光を検出する反射型センサを含む。

第９態様は、第１態様から第８態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記搬送機構は、前記浮上基板を既定位置まで移動させてから停止させ、前記移動機構は、前記浮上基板が前記既定位置で停止している状態で、前記浮上基板の前記測定水平位置での鉛直位置を測定した前記測定器を別の位置に移動させるとともに、前記ノズルを前記測定水平位置に近づける。

第１０態様は、第９態様の基板処理装置であって、前記移動機構は、前記既定位置で停止している前記浮上基板の前記測定水平位置での鉛直位置を測定した前記測定器を前記第１方向の上流側の位置に移動させ、前記測定器は、前記第１方向の上流側の位置に向けて移動する間に、前記浮上基板の鉛直位置を測定する。

第１１態様は、第１態様から第１０態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記移動機構は、前記測定器によって測定された前記浮上基板の鉛直位置に応じて、前記ノズルの鉛直位置を変更する。

第１２態様は、第１態様から第１１態様のいずれか１つの基板処理装置であって、複数の前記測定器が前記第２方向に間隔をあけて設けられており、前記複数の測定器は、前記浮上基板における前記第２方向に異なる複数箇所の鉛直位置を測定可能である。

第１３態様は、第１２態様の基板処理装置であって、前記複数の測定器によって測定された前記複数箇所の鉛直位置から差分を取得する差分取得部をさらに備える。

第１４態様は、第１主面及び第２主面を有する基板を処理する基板処理方法であって、（ａ）前記第１主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）によって浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第１方向に移動させる工程と、（ｃ）前記浮上基板の第１主面の鉛直位置を測定する工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記工程（ｂ）によって前記第１方向に移動される前記浮上基板の前記第１主面に処理液を供給する工程と、（ｅ）前記工程（ｃ）の後であってかつ前記工程（ｄ）の前に、前記処理液が前記浮上基板に付着する水平位置である付着水平位置が、前記工程（ｃ）にて前記測定器が前記浮上基板の前記鉛直位置を予め測定した領域の水平位置である測定水平位置に近づくように、前記ノズルおよび前記測定器を移動させる工程と、を含む。

第１５態様は、第１４態様の基板処理方法であって、前記工程（ｂ）は、前記浮上基板を既定位置まで移動させてから停止させる段階、を含み、前記（ｅ）工程は、前記浮上基板が前記既定位置で停止している状態で、前記測定水平位置における鉛直位置を測定した前記測定器を別の位置に移動させる段階と、前記浮上基板の前記測定器位置で停止している状態で、前記ノズルを前記測定水平位置に近づける段階とを含む。

第１態様の基板処理装置によると、測定器が浮上基板の鉛直位置を測定する領域の水平位置（測定水平位置）に、ノズルからの処理液が浮上基板に付着する水平位置（付着水平位置）を近づける。このため、測定器が浮上基板の鉛直方向を測定される領域またはこれに近い領域で、処理液を浮上基板に供給できる。したがって、処理液を浮上基板に対して良好に塗布できる。

第２態様の基板処理装置によると、測定器が浮上基板の鉛直方向を測定する領域で、処理液が浮上基板に供給される。したがって、処理液を浮上基板に対して良好に塗布できる。

第３態様の基板処理装置によると、複数の噴出口からのエアで基板に浮上力を与えつつ吸引口からのエアの吸引でバランスを取ることにより、浮上基板を所定の鉛直位置に安定的に保持できる。

第４態様の基板処理装置によると、ノズルを塗布位置に位置決めして、処理液を浮上基板に供給できる。また、ノズルを塗布位置から水平方向に離れた位置に移動させることができる。

第５態様の基板処理装置によると、測定器を測定位置に位置決めして、浮上基板の鉛直位置を測定することができる。また、測定器を測定位置から水平方向に離れた位置に移動させることができる。

第６態様の基板処理装置によると、ノズルと測定器とが連結されているため、移動機構がこれらを一体に移動させることができる。このため、ノズルと測定器を個別に移動させる場合に比べて、移動機構を簡易に構成できる。

第７態様の基板処理装置によると、測定器が測定位置で浮上基板の鉛直位置を測定した後、移動機構がノズル及び測定器を第１方向の下流側に移動させることによって、付着予定位置を測定位置に近づけることができる。

第８態様の基板処理装置によると、浮上基板の第１主面で反射した光を受光センサで検出することにより、第１主面の鉛直位置を測定できる。

第９態様の基板処理装置によると、浮上基板を停止させた状態で、浮上基板の測定水平位置での鉛直位置を測定した測定器が別の位置に移動され、ノズルがその測定水平位置に近づけられる。このため、鉛直位置が予め測定された位置にノズルを近づけて配置することができる。これにより、浮上基板に対して処理液を適切に塗布できる。

第１０態様の基板処理装置によると、測定水平位置から当該測定水平位置より上流側の位置までの水平範囲において、浮上基板の鉛直位置を測定できる。

第１１態様の基板処理装置によると、測定器によって測定された浮上基板の鉛直位置に合わせて、ノズルの鉛直位置が調節される。これにより、適切な鉛直位置のノズルから浮上基板に処理液を供給することができるため、浮上基板に対して処理液を良好に塗布できる。

第１２態様の基板処理装置によると、浮上基板のうち第２方向に異なる複数箇所の鉛直位置を測定できる。

第１３態様の基板処理装置によると、複数箇所で測定された鉛直位置の差分値を取得することによって、浮上基板の鉛直位置に異常がある箇所を容易に検出できる。

第１４態様の基板処理方法によると、測定器が浮上基板の鉛直位置を測定する領域の水平位置（測定水平位置）に、ノズルからの処理液が浮上基板に付着する水平位置（付着水平位置）を近づける。このため、測定器が浮上基板の鉛直方向を測定される領域またはこれに近い領域で、処理液を浮上基板に供給できる。したがって、処理液を浮上基板に対して良好に塗布できる。

第１５態様の基板処理方法によると、浮上基板を停止させた状態で、浮上基板の測定水平位置での鉛直位置を測定した測定器が別の位置に移動され、ノズルがその測定水平位置に近づけられる。このため、鉛直位置が予め測定された位置にノズルを近づけて配置することができる。これにより、浮上基板に対して処理液を適切に塗布できる。

実施形態の基板処理装置の一例である塗布装置１の全体構成を模式的に示す側面図である。 実施形態の塗布装置１を鉛直方向上側から見た概略平面図である。 実施形態の塗布機構６を除いた塗布装置１を示す概略平面図である。 図２に示すＡ−Ａ線に沿う位置における塗布装置１の概略断面図である。 実施形態の浮上ステージ部３の一部を示す概略平面図である。 実施形態のノズル６１を示す概略平面図である。 実施形態の制御ユニット９を示す概略ブロック図である。 実施形態の塗布装置１が実行する基板処理動作の各工程を示す図である。 実施形態の塗布装置１の動作の変形例を示す図である。 実施形態の塗布装置１の動作の変形例を示す図である。

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張又は簡略化して図示されている場合がある。

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」等）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」「一致」等）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」等）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取り等を有する形状も表すものとする。「〜の上」とは、特に断らない限り、２つの要素が接している場合のほか、２つの要素が離れている場合も含む。

図１は、実施形態の基板処理装置の一例である塗布装置１の全体構成を模式的に示す側面図である。図２は、実施形態の塗布装置１を鉛直方向上側から見た概略平面図である。図３は、実施形態の塗布機構６を除いた塗布装置１を示す概略平面図である。図４は、図２に示すＡ−Ａ線に沿う位置における塗布装置１の概略断面図である。図５は、実施形態の浮上ステージ部３の一部を示す概略平面図である。図６は、実施形態のノズル６１を示す概略平面図である。

塗布装置１は、四角形状の基板Ｗを水平姿勢（基板Ｗの上面Ｗｆ（第１主面）及び下面（第２主面）が水平面（ＸＹ平面）に対して平行となる姿勢）で搬送するとともに、当該基板Ｗの上面Ｗｆに処理液（塗布液）を塗布するスリットコータである。各図において、塗布装置１の各部の位置関係を明確にするため、基板Ｗが搬送される第１方向Ｄ１に平行な方向を「Ｘ方向」とし、入力コンベア１００から出力コンベア１１０へ向かう方向を「＋Ｘ方向」、その逆方向を「−Ｘ方向」とする。Ｘ方向と直交する水平方向を「Ｙ方向」とし、図１の手前に向かう方向を「−Ｙ方向」、その逆方向を「＋Ｙ方向」とする。Ｘ方向およびＹ方向に直交する鉛直方向をＺ方向とし、浮上ステージ部３から見て塗布機構６側に向かう上向きを「＋Ｚ方向」、その逆方向を「−Ｚ方向」とする。

塗布装置１の基本的構成や動作原理は、特開２０１０−２２７８５０号公報、特開２０１０−２４０５５０公報に記載されたものと、部分的に共通または類似する。そこで、本明細書では、塗布装置１の各構成のうちこれらの公知文献に記載の物と同一または技術常識等に基づいて容易に類推できる構成については、適宜省略する場合がある。

塗布装置１は、基板Ｗが搬送される第１方向Ｄ１（＋Ｘ方向）に沿って、順に、入力コンベア１００、入力移載部２、浮上ステージ部３、出力移載部４、出力コンベア１１０を備える。これらは、互いに近接するように配置されており、これらにより、基板Ｗの搬送経路が形成される。なお、以下の説明において、基板の搬送方向である第１方向Ｄ１と関連付けて位置関係を示すとき、「第１方向の上流側」を単に「上流側」と、「第１方向Ｄ１の下流側」を「下流側」と略する場合がある。本例では、ある基準位置から見て、−Ｘ側が「上流側」であり、＋Ｘ側が「下流側」である。

入力コンベア１００は、コロコンベア１０１と、コロコンベア１０１を回転駆動する回転駆動機構１０２とを備える。コロコンベア１０１の回転により、基板Ｗは水平姿勢で下流側（＋Ｘ側）に搬送される。

入力移載部２は、コロコンベア２１と、コロコンベア２１を回転させる回転駆動機構２２とを備える。コロコンベア２１が回転することで、基板Ｗは＋Ｘ方向に搬送される。また、コロコンベア２１が昇降することにより、基板Ｗの鉛直位置が変更される。入力移載部２の動作により、基板Ｗは、入力コンベア１００から浮上ステージ部３に移載される。

浮上ステージ部３は、第１方向Ｄ１に沿って、３つの平板状のステージを含む。具体的には、浮上ステージ部３は、第１方向Ｄ１に沿って順に入口浮上ステージ３１、塗布ステージ３２、出口浮上ステージ３３を備える。これらの各ステージの上面は、同一平面上にある。

入口浮上ステージ３１および出口浮上ステージ３３のそれぞれの上面には、浮上制御機構３５から供給されるエア（圧縮空気）を噴出する複数の噴出口３１ｈ、３３ｈがマトリクス状に設けられている。複数の噴出口３１ｈ，３３ｈから噴出される圧縮空気により、基板Ｗに浮上力が浮力され、基板Ｗの下面（第２主面）と各ステージ３１，３３の上面から離間した状態で水平姿勢に支持される。基板Ｗの下面とステージ３１，３３の上面との距離は、例えば１０−５００μｍ（マイクロメートル）としてもよい。

塗布ステージ３２の上面には、エア（圧縮空気）を噴出する複数の噴出口３２１ｈと、塗布ステージ３２の上方の雰囲気を吸引する複数の吸引口３２２ｈとが設けられている。塗布ステージ３２の上面では、噴出口３２１ｈと吸引口３２２ｈとが、Ｘ方向及びＹ方向に沿って交互に設けられている。浮上制御機構３５が各噴出口３２１ｈからの圧縮空気の噴出量と各吸引口３２２ｈからの雰囲気の吸引量とがバランスするように制御することにより、基板Ｗの下面と塗布ステージ３２の上面との距離が精密に制御される。これにより、塗布ステージ３２の上方を通過する基板Ｗの上面Ｗｆの鉛直位置が既定値に制御される。浮上ステージ部３の構成としては、特開２０１０−２２７８５０号公報に記載のものを適用してもよい。

入力移載部２を介して浮上ステージ部３に搬入された基板Ｗは、コロコンベア２１の回転により、＋Ｘ方向への推進力を得て、入口浮上ステージ３１上に搬送される。浮上ステージ部３における基板Ｗの搬送は、搬送機構５によって行われる。

搬送機構５は、チャック５１および吸着・走行制御機構５２を備える。チャック５１は、基板Ｗの下面周縁部に部分的に当接することによって基板Ｗを下方から支持する。吸着・走行制御機構５２は、チャック５１上端の支持部位に設けられた吸着パッドに負圧を与えて、チャック５１に基板Ｗを吸着保持させる機能を備える。また、吸着・走行制御機構５２は、チャック５１をＸ方向に沿って直線状に往復走行させる機能を備える。

チャック５１が基板Ｗを保持する状態では、基板Ｗの下面は、浮上ステージ部３の各ステージ３１，３２，３３の上面よりも＋Ｚ側に位置する。基板Ｗは、チャック５１により周縁部を吸着保持され、浮上ステージ部３から付与される浮上力により全体として水平姿勢を維持する。

入力移載部２から浮上ステージ部３に搬入された基板Ｗをチャック５１が保持し、この状態でチャック５１が＋Ｘ方向に移動することにより、基板Ｗが入口浮上ステージ３１の上方から、塗布ステージ３２の上方を経由して、出口浮上ステージ３３の上方へ搬送される。基板Ｗは、出口浮上ステージ３３の＋Ｘ側に配置された出力移載部４に渡される。

出力移載部４は、コロコンベア４１と、当該コロコンベア４１を回転駆動する回転駆動機構４２とを備える。コロコンベア４１が回転することにより、基板Ｗに＋Ｘ方向への推進力が付与され、基板Ｗが第１方向Ｄ１に搬送される。出力移載部４の動作により、基板Ｗは、出口浮上ステージ３３の上方から出力コンベア１１０に移載される。

出力コンベア１１０は、コロコンベア１１１を回転させる回転駆動機構１１２を備える。コロコンベア１１１の回転により、基板Ｗは＋Ｘ方向に搬送されて塗布装置１の外部へ払い出される。入力コンベア１００および出力コンベア１１０は、塗布装置１の一部として設けられていてもよいが、塗布装置１とは別体であってもよい。例えば、入力コンベア１００は、塗布装置１の上流側に設けられる別ユニットの基板払い出し機構であってもよい。また、出力コンベア１１０は、塗布装置１の下流側に設けられる別ユニットの基板受け入れ機構であってもよい。

基板Ｗの搬送系路上には、基板Ｗの上面Ｗｆに処理液を塗布する塗布機構６が設けられている。塗布機構６は、処理液を吐出するノズル６１を含むノズルユニット６０、ノズル６１を位置決めする移動機構６３、ノズル６１をメンテナンスするメンテナンスユニット６５を備える。

ノズル６１は、第１方向Ｄ１に直交する水平方向である第２方向Ｄ２（Ｙ方向）に延びる部材である。ノズル６１の下端部は、幅方向に延びるとともに下向きに開口する吐出口６１１を有する。吐出口６１１からは、処理液が吐出される。

移動機構６３は、ノズル６１について、Ｘ方向およびＺ方向に移動させて位置決めする。移動機構６３の動作により、ノズル６１は、塗布ステージ３２の上方の塗布位置Ｌ１１および下流位置Ｌ１２に位置決めされる。ノズル６１が塗布位置Ｌ１１に位置決めされた状態で、ノズル６１が基板Ｗの上面Ｗｆに向けて処理液を吐出することにより、基板Ｗに処理液が塗布される。このように、塗布位置Ｌ１１は、塗布を実行するときのノズル６１の位置である。下流位置Ｌ１２は、塗布位置Ｌ１１から下流側（＋Ｘ側）に離れた位置である。

メンテナンスユニット６５は、バット６５１、予備吐出ローラ６５２、ノズルクリーナ６５３およびメンテナンス制御機構６５４を備える。バット６５１は、ノズル６１の洗浄に使用される洗浄液を貯留する。メンテナンス制御機構６５４は、予備吐出ローラ６５２およびノズルクリーナ６５３を制御する。メンテナンスユニット６５の構成として、例えば特開２０１０−２４０５５０号公報に記載された構成を適用してもよい。

移動機構６３は、ノズル６１を、吐出口６１１が予備吐出ローラ６５２の上方にてその表面に対向する予備吐出位置Ｌ１３に位置決めする。ノズル６１ｈは、予備吐出位置Ｌ１３にて、吐出口６１１から予備吐出ローラ６５２の表面に対して処理液を吐出する（予備吐出処理）。ノズル６１は、上述の塗布位置Ｌ１１に位置決めされる前に予備吐出位置Ｌ１３に位置決めされて予備吐出処理を実行する。これにより、基板Ｗへの処理液の吐出を、初期段階から安定させることができる。メンテナンス制御機構６５４が予備吐出ローラ６５２を回転させると、ノズル６１から吐出された処理液は、バット６５１に貯留された洗浄液に混合されて回収される。

移動機構６３は、ノズル６１を、その先端部（吐出口６１１およびその近くの領域を含む。）がノズルクリーナ６５３の上方に対向する洗浄位置Ｌ１４に位置決めする。ノズル６１が洗浄位置Ｌ１４にある状態で、ノズルクリーナ６５３が洗浄液を吐出しながらノズル６１の幅方向（Ｙ方向）に移動することによって、ノズル６１の先端部に付着した処理液などが洗い流される。

移動機構６３は、ノズル６１を、洗浄位置Ｌ１４よりも下方であって、ノズル６１の下端部がバット６５１内に収容される待機位置に位置決めしてもよい。塗布装置１においてノズル６１を用いた塗布処理が実行されないときに、ノズル６１が当該待機位置に位置決めされてもよい。図示を省略するが、待機位置に位置決めされたノズル６１の吐出口６１１における処理液の乾燥を防止するための待機ポッドが備えられていてもよい。

図１では、予備吐出位置Ｌ１３にあるノズル６１が実線で、塗布位置Ｌ１１、下流位置Ｌ１２および洗浄位置Ｌ１４にあるノズル６１が破線でそれぞれ示されている。

本実施形態の塗布機構６は、１つのノズル６１のみを備えているが、複数のノズル６１を備えていてもよい。複数のノズル６１は、第１方向Ｄ１に沿って間隔をあけて備えられていてもよい。この場合において、複数のノズル６１に対して異なる処理液を供給することにより、異なる処理液を基板Ｗに塗布するようにしてもよい。また、各ノズル６１に対応する移動機構６３及びメンテナンスユニット６５をそれぞれ設けてもよい。なお、メンテナンスユニット６５は、２つ以上のノズル６１が共有して利用できるようにしてもよい。

図４に示すように、ノズルユニット６０は、浮上ステージ部３の上方でＹ方向に延びる梁部材６３１と、当該梁部材６３１の両側端部を支持する２つの柱部材６３２，６３３とを含む架橋構造を有する。柱部材６３２，６３３は、基台１０から上方に立設されている。柱部材６３２には昇降機構６３４が取り付けられており、柱部材６３３には昇降機構６３５が取り付けられている。昇降機構６３４，６３５は、例えばボールねじ機構を含む。昇降機構６３４には梁部材６３１の＋Ｙ側端部を、昇降機構６３５には梁部材６３１の−Ｙ側端部が取り付けられており、昇降機構６３４，６３５によって梁部材６３１が支持される。制御ユニット９からの制御指令に応じて昇降機構６３４，６３５が連動することによって、梁部材６３１が水平姿勢のまま鉛直方向（Ｚ方向）に移動する。

梁部材６３１の中央下部には、吐出口６１１を下向きにした姿勢のノズル６１が取り付けられている。昇降機構６３４，６３５が作動することで、ノズル６１の鉛直方向（Ｚ方向）における移動が実現される。

柱部材６３２，６３３は、基台１０上において移動可能に構成されている。Ｘ方向に延びる２つの走行ガイド８１Ｌ，８１Ｒが、基台１０の上面における＋Ｙ側端部および−Ｙ側端部に設けられている。柱部材６３２はその下部に取り付けられたスライダ６３６を介して＋Ｙ側の走行ガイド８１Ｌに係合されており、柱部材６３３はその下部に取り付けられたスライダ６３７を介して−Ｙ側の走行ガイド８１Ｒに係合されている。スライダ６３６，６３７は、走行ガイド８１Ｌ，８１Ｒに沿ってＸ方向に移動自在である。

柱部材６３２，６３３は、リニアモータ８２Ｌ，８２Ｒの作動によってＸ方向に移動する。リニアモータ８２Ｌ，８２Ｒは、固定子としてのマグネットモジュールと、移動子としてのコイルモジュールとを備える。マグネットモジュールは、基台１０に設けられており、Ｘ方向に延びている。コイルモジュールは、柱部材６３２，６３３のそれぞれの下部に取り付けられている。制御ユニット９からの制御指令に応じてリニアモータ８２Ｌ，８２Ｒの移動子が作動することによって、ノズルユニット６０全体がＸ方向に沿って移動する。これにより、ノズル６１のＸ方向（第１方向Ｄ１）への移動が実現される。柱部材６３２，６３３のＸ方向位置は、スライダ６３６，６３７の近傍に設けられたリニアスケール８３Ｌ，８３Ｒによって検出される。

このように、ノズル６１は、昇降機構６３４，６３５の作動によってＺ方向に移動し、リニアモータ８２Ｌ，８２Ｒの作動によってＸ方向に移動する。すなわち、制御ユニット９が昇降機構６３４，６３５およびリニアモータ８２Ｌ，８２Ｒを制御することにより、ノズル６１の各停止位置Ｌ１１−Ｌ１４への位置決めが実現される。したがって、昇降機構６３４，６３５およびリニアモータ８２Ｌ，８２Ｒは、移動機構６３として機能する。

メンテナンスユニット６５としては、特開２０１０−２４０５５０号公報に記載のものを採用してもよい。バット６５１はＹ方向に延びる梁部材６６１によって支持される。梁部材６６１の両端部のうち、一端部は柱部材６６２で支持され、他端部は柱部材６６３で支持されている。柱部材６６２，６６３は、Ｙ方向に延びるプレート６６４のＹ方向両端部にそれぞれ取り付けられている。

プレート６６４の両端部の下方には、それぞれ、Ｘ方向に延びる２つの走行ガイド８４Ｌ，８４Ｒが設けられている。２つの走行ガイド８４Ｌ，８４Ｒは、基台１０の上面に設けられている。プレート６６４の下面のＹ方向両端部のうち、＋Ｙ側端部にはスライダ６６６が設けられ、−Ｙ側端部にはスライダ６６７が設けられている。スライダ６６６，６６７は、走行ガイド８４Ｌ，８４Ｒに係合して、Ｘ方向に移動自在となっている。

プレート６６４の下方には、リニアモータ８５が設けられている。リニアモータ８５は、固定子であるマグネットモジュール及び移動子であるコイルモジュールを備える。マグネットモジュールは基台１０に設けられており、Ｘ方向に延びている。コイルモジュールはメンテナンスユニット６５（ここでは、プレート６６４）の下部に設けられている。

制御ユニット９からの制御指令に応じてリニアモータ８５が作動することにより、メンテナンスユニット６５全体がＸ方向に移動する。メンテナンスユニット６５のＸ方向位置は、スライダ６６６，６６７の近傍に設けられたリニアスケール８６によって検出される。

図４に示すように、チャック５１は、２つのチャック部材５１Ｌ，５１Ｒを備える。チャック部材５１Ｌ，５１Ｒは、ＸＺ平面に関して互いに対称な形状を有しており、Ｙ方向に離れて配置されている。

＋Ｙ側に配置されたチャック部材５１Ｌは、基台１０に設けられてＸ方向に延びる走行ガイド８７Ｌに支持される。チャック部材５１Ｌは、Ｘ方向に位置を異ならせて設けられた２つの水平なプレート部と、これらのプレート部を接続する接続部とを含むベース部５１２を備える（図２参照）。ベース部５１２の２つのプレート部の下部にはスライダ５１１が１つずつ設けられている。スライダ５１１は走行ガイド８７Ｌに係合されており、これによってチャック部材５１Ｌは走行ガイド８７Ｌに沿ってＸ方向に走行可能である。

ベース部５１２の２つのプレート部の上部それぞれには、支持部５１３が１つずつ設けられている。支持部５１３は、上方に延びており、その上端部に吸着パッド（不図示）を有する。ベース部５１２が走行ガイド８７Ｌに沿ってＸ方向に移動すると、これと一体的に２つの支持部５１３がＸ方向に移動する。なお、ベース部５１２の２つのプレート部位は互いに分離され、これらのプレート部位がＸ方向に一定の距離を保ちながら移動することで、見かけ上、一体のベース部として機能する構造としてもよい。この距離を基板の長さに応じて設定すれば、種々の長さの基板に対応することが可能となる。

チャック部材５１Ｌは、リニアモータ８８ＬによりＸ方向に移動する。リニアモータ８８は、固定子であるマグネットモジュール及び移動子であるコイルモジュールを備える。マグネットモジュールは基台１０に設けられており、Ｘ方向に延びる。コイルモジュールはチャック部材５１Ｌの下部に設けられている。制御ユニット９からの制御指令に応じてリニアモータ８８Ｌが作動することにより、チャック部材５１ＬがＸ方向に沿って移動する。チャック部材５１ＬのＸ方向位置は、走行ガイド８７Ｌの近傍に設けられたリニアスケール８９Ｌによって検出される。

−Ｙ側に設けられたチャック部材５１Ｒは、チャック部材５１Ｌと同様に、チャック部材５１Ｒは、ベース部５１２と、２つの支持部５１３，５１３とを備えている。なお、チャック部材５１Ｒの形状は、ＸＺ平面に関してチャック部材５１Ｌとは対称である。チャック部材５１Ｒのベース部５１２の２つのプレート部の下部にはスライダ５１１が１つずつ設けられている。スライダ５１１は走行ガイド８７Ｒに係合されており、これによってチャック部材５１Ｒは走行ガイド８７Ｒに沿ってＸ方向に走行可能である。

チャック部材５１Ｒは、リニアモータ８８ＲによってＸ方向に移動可能である。リニアモータ８８Ｒは、Ｘ方向に延びるとともに基台１０に設けられた固定子としてのマグネットモジュールと、チャック部材５１Ｒの下部に設けられた移動子としてのコイルモジュールとを含む。制御ユニット９からの制御指令に応じてリニアモータ８８Ｒが作動することにより、チャック部材５１ＲがＸ方向に移動する。チャック部材５１ＲのＸ方向位置は、走行ガイド８７Ｒの近傍に設けられたリニアスケール８９Ｒにより検出される。

制御ユニット９は、チャック部材５１Ｌ，５１ＲがＸ方向において常に同一位置となるように、これらの位置制御を行う。これにより、１対のチャック部材５１Ｌ，５１Ｒが見かけ上一体のチャック５１として移動することになる。チャック部材５１Ｌ，５１Ｒを機械的に結合する場合に比べ、チャック５１と浮上ステージ部３との干渉が容易に回避され得る。

図３に示すように、４つの支持部５１３はそれぞれ、保持される基板Ｗの四隅に対応して配置される。すなわち、チャック部材５１Ｌの２つの支持部５１３は、基板Ｗの＋Ｙ側周縁部であって第１方向Ｄ１における上流側端部と下流側端部とをそれぞれ保持する。チャック部材５１Ｒの２つの支持部５１３，５１３は、基板Ｗの−Ｙ側周縁部であって第１方向Ｄ１における上流側端部と下流側端部とをそれぞれ保持する。各支持部５１３の吸着パッドには必要に応じて負圧が供給され、これにより基板Ｗの四隅がチャック５１により下方から吸着保持される。

チャック５１が基板Ｗを保持しながらＸ方向に移動することで基板Ｗが搬送される。このように、リニアモータ８８Ｌ，８８Ｒ、各支持部５１３に負圧を供給するための機構（図示せず）は、図１に示す吸着・走行制御機構５３として機能する。

図１および図４に示すように、チャック５１は、入口浮上ステージ３１、塗布ステージ３２および出口浮上ステージ３３の上面よりも上方に離して基板Ｗを保持する。チャック５１は、基板Ｗの下面を保持して、基板Ｗを搬送する。チャック５１は、基板Ｗのうち各ステージ３１，３２，３３と対向する中央部分よりもＹ方向外側の周縁部の一部のみを保持する。このため、基板Ｗの中央部は周縁部に対し下方に撓む。浮上ステージ部３は、この状態の基板Ｗの中央部に浮上力を与えることによって、基板Ｗの鉛直位置を制御し、基板Ｗを水平姿勢に維持する。

＜測定器＞
塗布装置１は、複数（ここでは２つ）の測定器７０を備える。測定器７０は、浮上ステージ部３によって浮上力が付与されている基板Ｗの上面Ｗｆの鉛直位置を測定する。詳細には、測定器７０は、既定の鉛直方向の基準位置から、上面Ｗｆの鉛直位置までの距離を測定することにより、上面Ｗｆの鉛直位置を測定する。

測定器７０によって測定される上面Ｗｆの鉛直位置から、塗布ステージ３２の上面の高さ（鉛直位置）から上面Ｗｆの高さを求めることができる。さらに、この上面Ｗｆの高さと基板Ｗの厚さから、基板Ｗの浮上量（塗布ステージ３２の上面から浮上基板Ｗの下面までの距離）を求めることが可能である。

各測定器７０は、所定波長の光を出力する投光部７０ａと、投光部７０ａから出力されて基板Ｗで反射した光を検出する光センサ（例えば、ラインセンサ）を含む受光部７０ｂとを備える（図７参照）。このように、各測定器７０は、上面Ｗｆの鉛直位置を非接触で測定できる反射型センサを含む。

なお、上面Ｗｆの鉛直位置は、光で測定される代わりに超音波で測定されてもよい。この場合、各測定器７０は、超音波を出力する出力部と、上面Ｗｆで反射した超音波を検出する検出部とを備えているとよい。

各測定器７０は、連結具７２を介してノズル６１に連結されている。連結具７２の両側端部のうち、一端部はノズル６１の上流側側面に取り付け可能な構造を有しており、他端部は測定器７０に取り付け可能な構造を有する。各測定器７０は、連結具７２に支持されることにより、ノズル６１よりも上流側（−Ｘ側）に配置される。

各測定器７０は、連結具７２を介してノズル６１に連結されているため、ノズル６１に追従して移動する。すなわち、ノズル６１が移動機構６３によって水平方向または鉛直方向に移動すると、各測定器７０もこれに追従して同方向に移動する。

本実施形態では、移動機構６３の動作により、各測定器７０は、塗布ステージ３２の上方の測定位置Ｌ２１ａ，Ｌ２１ｂおよび上流位置Ｌ２２ａ，Ｌ２２ｂに位置決めされる。各測定器７０が測定位置Ｌ２１ａ，Ｌ２１ｂに位置決めされた状態で、各測定器７０は基板Ｗの上面Ｗｆの鉛直位置を測定する。上流位置Ｌ２２ａ，Ｌ２２ｂは、測定位置Ｌ２１ａ，Ｌ２１ｂから第１方向Ｄ１の上流側（−Ｘ側）に離れた位置である。本実施形態では、ノズル６１が下流位置Ｌ１２に配されると各測定器７０が測定位置Ｌ２１ａ，Ｌ２１ｂに配され、ノズル６１が塗布位置Ｌ１１に配されると各測定器７０が上流位置Ｌ２２ａ，Ｌ２２ｂに配される（図８参照）。

連結具７２は、本実施形態のように測定器７０をノズル６１に直接に連結してもよいが、当該測定器７０を他の部材を介してノズル６１に間接に連結してもよい。例えば、連結具７２は、ノズル６１が取り付けられる梁部材６３１に取り付け可能な構造を有していてもよい。この場合、連結具７２は、梁部材６３１を介して測定器７０をノズル６１に連結する。

図６に示すように、２つの測定器７０は、第２方向Ｄ２において、基板Ｗの幅（幅方向の長さ）よりも短い間隔をあけて設けられている。この２つの測定器７０を備えることにより、基板Ｗにおける幅方向に異なる２つの箇所の鉛直位置を測定することが可能である。なお、測定器７０の数は、２つに限定されるものではなく、単一でもよいし、あるいは、３つ以上としてもよい。

図７は、実施形態の制御ユニット９を示す概略ブロック図である。塗布装置１は、各部の動作を制御するための制御ユニット９を備える。制御ユニット９のハードウェア構成は、一般的なコンピュータと同一としてもよい。制御ユニット９は、各種演算処理を行うＣＰＵ９１、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリ９２、各種情報を表示するディスプレイを含む表示部９３を備える。メモリ９２としては、主記憶装置（ＲＡＭ）のほか、制御用アプリケーション（プログラム）およびデータ等を記憶する固定ディスクが含まれる。制御ユニット９は、ユーザーや外部装置との情報交換を担うインターフェース部、および、可搬性を有する記憶媒体（光学式メディア、磁気メディア、半導体メモリなど）に保存された情報（プログラム）を読み取る読取装置を備えていてもよい。

後述するように、制御ユニット９のＣＰＵ９１は、プログラムに従って動作することにより、２つの測定器７０によって測定された基板Ｗの上面Ｗｆにおける２箇所の鉛直位置の差分値を取得する。このように、ＣＰＵ９１は、差分取得部として機能する。なお、差分取得部は、専用の回路で構成されていてもよい。

図８は、実施形態の塗布装置１が実行する基板処理動作の各工程を示す図である。基板処理動作は、まず、図８（ａ）に示すように、搬送工程Ｓ１１を含む。搬送工程Ｓ１１では、制御ユニット９が搬送機構５を制御して、浮上ステージ部３から浮上力が付与されている基板Ｗ（以下、「浮上基板Ｗ」とも称する。）を、第１方向Ｄ１の下流側（＋Ｘ方向）に向けて搬送する。

搬送工程Ｓ１１は、図８（ｂ）に示すように、停止段階Ｓ１１１を含む。停止段階Ｓ１１１では、制御ユニット９が搬送機構５を制御して、浮上基板Ｗを既定位置ＬＷ１まで搬送して、その浮上基板Ｗを既定位置ＬＷ１にて停止させる。

ここでは、既定位置ＬＷ１に配されている浮上基板Ｗは、塗布ステージ３２および入口浮上ステージ３１に跨がっている。また、既定位置ＬＷ１に配されている浮上基板Ｗの上流側端部の水平位置は、塗布ステージ３２の中央よりも上流側とされている。

図８（ｂ）に示すように、停止段階Ｓ１１１によって浮上基板Ｗが既定位置ＬＷ１に停止している状態で、測定工程Ｓ１２が行われる。測定工程Ｓ１２は、各測定器７０が、浮上基板Ｗの鉛直位置を測定する工程である。各測定器７０は、浮上基板Ｗにおける測定水平位置ＸＭ１での鉛直位置を測定する。測定水平位置ＸＭ１は、測定位置Ｌ２１ａ，Ｌ２１ｂに配されている各測定器７０が浮上基板Ｗの鉛直位置を測定する領域の第１方向Ｄ１（Ｘ方向）における水平位置である。ここでは、測定水平位置ＸＭ１は、浮上基板Ｗを精密な鉛直位置に保持し得る塗布ステージ３２（ここでは、塗布ステージ３２における第１方向Ｄ１の中央位置）に設定されている。本実施形態では、停止した状態の浮上基板Ｗについて鉛直位置を測定するため、移動中の浮上基板Ｗを対象とする場合よりも、精度良く測定できる。

測定工程Ｓ１２の後、各測定器７０が測定した浮上基板Ｗの鉛直位置について異常があるか否かを制御ユニット９が判定する第１の判定工程が行われてもよい。各測定器７０が測定した浮上基板Ｗの鉛直位置の値がＡ１，Ａ２とした場合、第１の判定工程では、これらの値Ａ１，Ａ２が既定の基準範囲内にあるか否かが判定されるとよい。値Ａ１，Ａ２のうちいずれか、または、双方が基準範囲外であった場合には、制御ユニット９が所定の出力手段（表示部９３やランプ、スピーカーなど）でその旨を外部に通知してもよい。また、このとき、オペレータが確認できるように、制御ユニット９が塗布装置１の動作を停止させてもよい。

浮上基板Ｗの鉛直位置が異常である理由としては、例えば、塗布ステージ３２の上面に設けられた複数の噴出口３２１ｈまたは複数の吸引口３２２ｈのいずれかにおける詰まりなどによる浮上基板Ｗの浮上量の異常が考えられる。また、別の理由として、浮上基板Ｗの厚さ異常（浮上基板Ｗ自体の厚さ異常のほか、浮上基板Ｗの上面Ｗｆの鉛直位置を物理的に変動させる異常を含む。）が考えられる。浮上基板Ｗの鉛直位置の異常を検出することによって、浮上基板Ｗの塗布不良の発生を抑制することができる。また、各測定器７０によって第２方向Ｄ２に異なる複数箇所で浮上基板Ｗの鉛直位置を測定することによって、複数の噴出口３２１ｈまたは複数の吸引口３２２ｈのうちの詰まりが発生している領域の特定、あるいは、厚さ異常が発生している浮上基板Ｗの部分の特定を容易に行うことができる。

測定工程Ｓ１２の後、制御ユニット９が、各測定器７０によって測定された浮上基板Ｗの鉛直位置の値Ａ１，Ａ２から差分値を求め、その差分値が基準範囲内にあるか否かを判定する第２の判定工程が行われてもよい。差分値を取得することによって、鉛直位置が異常な箇所を容易に特定することができる。第２の判定工程において、差分値が基準範囲外にあると制御ユニット９が判定した場合、制御ユニット９が所定の出力手段でその旨を外部に通知してもよい。また、オペレータが確認できるように、制御ユニット９が塗布装置１の動作を停止させてもよい。

測定工程Ｓ１２が完了すると、図８（ｃ）に示すように、制御ユニット９が移動工程Ｓ１３を行う。移動工程Ｓ１３は、測定器移動段階Ｓ１３１と、ノズル移動段階Ｓ１３２十を含む。測定器移動段階Ｓ１３１では、移動機構６３が、各測定器７０を測定位置Ｌ２１ａ，Ｌ２１ｂとは別の位置である上流位置Ｌ２２ａ，Ｌ２２ｂに向けて移動させる。ノズル移動段階Ｓ１３２では、移動機構６３が、ノズル６１を下流位置Ｌ１２から測定水平位置ＸＭ１に近づける。

ここでは、各測定器７０は、それぞれ連結具７２によってノズル６１の上流側に連結されている。このため、移動機構６３によって、ノズル６１を下流位置Ｌ１２から上流側の測定水平位置ＸＭ１に近づけるノズル移動段階Ｓ１３２が実行されることにより、各測定器７０が上流側に移動する測定器移動段階Ｓ１３１も同時並行的に実行される。

ノズル６１の吐出口６１１の第１方向Ｄ１における水平位置が、測定水平位置ＸＭ１に一致される。

移動工程Ｓ１３が完了すると、図８（ｄ）に示すように、塗布工程Ｓ１４が行われる。塗布工程Ｓ１４では、ノズル６１が吐出口６１１から処理液を吐出して、浮上基板Ｗの上面Ｗｆに処理液が供給されるとともに、搬送機構５が浮上基板Ｗを第１方向Ｄ１に搬送する。これによって、浮上基板Ｗの上面Ｗｆのうち、第２方向Ｄ２における規定幅の領域内に処理液が塗布される。

図８（ｃ）に示すように、ここでは、移動工程Ｓ１３により、各測定器７０が既定の上流位置Ｌ２２ａ，Ｌ２２ｂに到達すると、ノズル６１の吐出口６１１の第１方向Ｄ１における水平位置が、測定水平位置ＸＭ１に一致される。ここで、ノズル６１の吐出口６１１は、鉛直下向きに開口しているため、処理液は鉛直下向きに吐出される。すると、ノズル６１から吐出された処理液が浮上基板Ｗの上面Ｗｆに付着する第１方向の水平位置である付着水平位置は、測定水平位置ＸＭ１と一致する（鉛直方向に重なる）。このように、本実施形態では、浮上基板Ｗの鉛直位置が測定される領域で、浮上基板Ｗに処理液を供給することができるため、処理液を浮上基板Ｗに対して良好に塗布できる。

なお、付着水平位置を測定水平位置ＸＭ１と一致させることは必須ではない。付着水平位置を測定水平位置ＸＭ１の近く（測定水平位置ＸＭ１を中心とする一定の領域内）としてもよい。

図９は、実施形態の塗布装置１の動作の変形例を示す図である。この変形例では、移動工程Ｓ１３において、測定器移動段階Ｓ１３１およびノズル移動段階Ｓ１３２の後（図８（ｃ）参照）、図９に示すように、ノズル鉛直位置調節段階Ｓ１３３が行われる。

ノズル鉛直位置調節段階Ｓ１３３では、各測定器７０によって測定された浮上基板Ｗの鉛直位置に応じて、ノズル６１の鉛直位置が調節される。ノズル鉛直位置調節段階Ｓ１３３では、各測定器７０の測定結果から、制御ユニット９のＣＰＵ９１が所定の演算によって上面Ｗｆの鉛直位置を算出する。鉛直位置の求め方として、例えば、２つの測定器７０によって測定された浮上基板Ｗの鉛直位置の値をＡ１，Ａ２とした場合、これらの値Ａ１，Ａ２の平均値を浮上基板Ｗの鉛直位置とするとよい。または、どちらか一方の値を浮上基板Ｗの鉛直位置としてもよい。求められた浮上基板Ｗの鉛直位置に対してノズル６１が適した鉛直位置に配置されるように、制御ユニット９が昇降機構６３４，６３５を制御して梁部材６３１を昇降させる。ノズル鉛直位置調節段階Ｓ１３３が完了すると、図８（ｄ）に示すように、塗布工程Ｓ１４が行われるとよい。

ノズル鉛直位置調節段階Ｓ１３３によって、浮上基板Ｗの鉛直位置に応じてノズル６１の鉛直位置を最適化することができる。これにより、浮上基板Ｗに対して最適な鉛直位置から処理液を供給できるため、浮上基板Ｗに対して処理液を良好に塗布できる。

なお、ノズル鉛直位置調節段階Ｓ１３３は、ノズル６１を上流側に移動させるノズル移動段階Ｓ１３２よりも前（ここでは、測定器移動段階Ｓ１３１よりも前）に行われてもよい。あるいは、ノズル移動段階Ｓ１３２と並行（ここでは、測定器移動段階Ｓ１３１と並行）に行われてもよい。後者の場合において、ノズル６１の鉛直位置を調節する必要があるとき、ノズル６１は水平方向および鉛直方向の合成方向に移動することとなる。

図１０は、実施形態の塗布装置１の動作の変形例を示す図である。この変形例では、測定器移動段階Ｓ１３１において、各測定器７０が、測定位置Ｌ２１ａ，Ｌ２１ｂから上流位置Ｌ２２ａ，Ｌ２２ｂに移動する間に、浮上基板Ｗの鉛直位置を測定する。この場合、測定水平位置ＸＭ１から上流側の所定位置までの水平範囲において、処理液が未塗布である浮上基板Ｗの鉛直位置を測定できる。この水平範囲において浮上基板Ｗの鉛直位置に異常が有るか否かを制御ユニット９が判定する第３の判定工程が行われてもよい。例えば、制御ユニット９が、各測定器７０が測定した全地点での鉛直位置が、既定の基準範囲内にあるか否かを判定するとよい。また、制御ユニット９は、第１方向Ｄ１に異なる地点間の浮上基板Ｗの鉛直位置の差分値を求めて、当該差分値が既定の基準範囲内にあるか否かを判定してもよい。

本実施形態では、ノズル６１および各測定器７０が連結具７２で連結されており、移動機構６３がこれらを一体に水平方向および鉛直方向に移動させることが可能となっている。しかしながら、ノズル６１および各測定器７０を互いに分離し、移動機構がこれらを互いに干渉しないように個別に移動させるようにしてもよい。ただし、本実施形態のように、各測定器７０をノズル６１に対して連結して一体に移動させることにより、移動機構の構成を簡略化できる。

この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりできる。

１ 塗布装置（基板処理装置）
３ 浮上ステージ部（浮上機構）
３２ 塗布ステージ
３１ｈ，３２１ｈ，３３ｈ 噴出口
３２２ｈ 吸引口
５ 搬送機構
５１ チャック
５２ 吸着・走行制御機構
６ 塗布機構
６１ ノズル
６１１ 吐出口
６３ 移動機構
６３４，６３５ 昇降機構
７０ 測定器
７０ａ 投光部
７０ｂ 受光部
７２ 連結具
８８Ｌ，８８Ｒ リニアモータ
９ 制御ユニット
９１ ＣＰＵ
Ｄ１ 第１方向
Ｄ２ 第２方向
Ｌ１１ 塗布位置
Ｌ１２ 下流位置
Ｌ２１ａ，Ｌ２１ｂ 測定位置
Ｌ２２ａ，Ｌ２２ｂ 上流位置
ＬＷ１ 既定位置
Ｓ１０ 搬送工程
Ｓ１０１ 停止段階
Ｓ１２ 測定工程
Ｓ１３ 移動工程
Ｓ１３１ 測定器移動段階
Ｓ１３２ ノズル移動段階
Ｓ１３３ ノズル鉛直位置調節段階
Ｓ１４ 塗布工程
Ｗ 基板，浮上基板
Ｗｆ 上面（第１主面）
ＸＭ１ 測定水平位置

Claims (15)

1. 第１主面及び第２主面を有する基板を処理する基板処理装置であって、
   前記第１主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する浮上機構と、
   前記浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第１方向に移動させる搬送機構と、
   前記第１方向に直交する水平方向である第２方向に延びる吐出口を有し、前記浮上基板の第１主面に向けて処理液を前記吐出口から吐出可能なノズルと、
   前記浮上基板の第１主面の鉛直位置を測定する測定器と、
   前記ノズルからの前記処理液が前記浮上基板に付着する水平位置である付着水平位置が、前記測定器が前記浮上基板の前記鉛直位置を予め測定する領域の水平位置である測定水平位置に近づくように、前記ノズルおよび前記測定器を移動させる移動機構と、
   を備える、基板処理装置。
2. 請求項１の基板処理装置であって、
   前記移動機構は、前記付着水平位置が前記測定水平位置に一致するように、前記ノズルおよび前記測定器を移動させる、基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２の基板処理装置であって、
   前記浮上機構は、
   水平面を有するステージと、
   前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側に向けてエアを噴出する複数の噴出口と、
   前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側のエアを吸引する複数の吸引口と、
   を含む、基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１項の基板処理装置であって、
   前記移動機構は、前記ノズルを既定の水平方向位置である塗布位置に位置決めするとともに、前記ノズルを前記塗布位置から水平方向に離れた位置に移動可能である、基板処理装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１項の基板処理装置であって、
   前記移動機構は、前記測定器を既定の水平方向位置である測定位置に位置決めするとともに、前記測定器を前記測定位置から水平方向に離れた位置に移動可能である、基板処理装置。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１項の基板処理装置であって、
   前記ノズルと前記測定器とを連結する連結具、
   をさらに備え、
   前記移動機構は前記連結具によって連結された前記ノズルと前記測定器とを一体に移動させる、基板処理装置。
7. 請求項６の基板処理装置であって、
   前記連結具は、前記測定器を前記ノズルに対して前記第１方向の上流側に連結し、
   前記移動機構は、前記ノズルおよび前記測定器を前記第１方向に移動させる、基板処理装置。
8. 請求項１から請求項７のいずれか１項の基板処理装置であって、
   前記測定器は、前記浮上基板の前記第１主面で反射する光を検出する反射型センサを含む、基板処理装置。
9. 請求項１から請求項８のいずれか１項の基板処理装置であって、
   前記搬送機構は、前記浮上基板を既定位置まで移動させてから停止させ、
   前記移動機構は、前記浮上基板が前記既定位置で停止している状態で、前記浮上基板の前記測定水平位置での鉛直位置を測定した前記測定器を別の位置に移動させるとともに、前記ノズルを前記測定水平位置に近づける、基板処理装置。
10. 請求項９の基板処理装置であって、
    前記移動機構は、前記既定位置で停止している前記浮上基板の前記測定水平位置での鉛直位置を測定した前記測定器を前記第１方向の上流側の位置に移動させ、
    前記測定器は、前記第１方向の上流側の位置に向けて移動する間に、前記浮上基板の鉛直位置を測定する、基板処理装置。
11. 請求項１から請求項１０のいずれか１項の基板処理装置であって、
    前記移動機構は、前記測定器によって測定された前記浮上基板の鉛直位置に応じて、前記ノズルの鉛直位置を変更する、基板処理装置。
12. 請求項１から請求項１１のいずれか１項の基板処理装置であって、
    複数の前記測定器が前記第２方向に間隔をあけて設けられており、
    前記複数の測定器は、前記浮上基板における前記第２方向に異なる複数箇所の鉛直位置を測定可能である、基板処理装置。
13. 請求項１２の基板処理装置であって、
    前記複数の測定器によって測定された前記複数箇所の鉛直位置から差分を取得する差分取得部、
    をさらに備える、基板処理装置。
14. 第１主面及び第２主面を有する基板を処理する基板処理方法であって、
    （ａ）前記第１主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する工程と、
    （ｂ）前記工程（ａ）によって浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第１方向に移動させる工程と、
    （ｃ）前記浮上基板の第１主面の鉛直位置を測定する工程と、
    （ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記工程（ｂ）によって前記第１方向に移動される前記浮上基板の前記第１主面に処理液を供給する工程と、
    （ｅ）前記工程（ｃ）の後であってかつ前記工程（ｄ）の前に、前記処理液が前記浮上基板に付着する水平位置である付着水平位置が、前記工程（ｃ）にて前記測定器が前記浮上基板の前記鉛直位置を予め測定した領域の水平位置である測定水平位置に近づくように、前記ノズルおよび前記測定器を移動させる工程と、
    を含む、基板処理方法。
15. 請求項１４の基板処理方法であって、
    前記工程（ｂ）は、前記浮上基板を既定位置まで移動させてから停止させる段階、を含み、
    前記（ｅ）工程は、
    前記浮上基板が前記既定位置で停止している状態で、前記測定水平位置における鉛直位置を測定した前記測定器を別の位置に移動させる段階と、
    前記浮上基板の前記測定器定位置で停止している状態で、前記ノズルを前記測定水平位置に近づける段階と、
    を含む、基板処理方法。

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