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JP2019118073A - Vibration device, manufacturing method of vibration device, electronic device, and moving body - Google Patents

Vibration device, manufacturing method of vibration device, electronic device, and moving body Download PDF

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JP2019118073A
JP2019118073A JP2017252478A JP2017252478A JP2019118073A JP 2019118073 A JP2019118073 A JP 2019118073A JP 2017252478 A JP2017252478 A JP 2017252478A JP 2017252478 A JP2017252478 A JP 2017252478A JP 2019118073 A JP2019118073 A JP 2019118073A
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vibration
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frequency
relay substrate
vibrating element
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匡史 志村
Tadashi Shimura
匡史 志村
敦司 松尾
Atsushi Matsuo
敦司 松尾
信也 青木
Shinya Aoki
信也 青木
資郎 村上
Shiro Murakami
資郎 村上
竜太 西澤
Ryuta Nishizawa
竜太 西澤
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Seiko Epson Corp
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Abstract

To provide a vibration device, a manufacturing method of the vibration device, an electronic device, and a moving body capable of reducing mounting stress applied to the vibration element when a package is mounted after the frequency of the vibration element has been adjusted, and reducing frequency fluctuation of the vibration element due to mounting stress.SOLUTION: A vibration device 1 includes a base 51, a first relay board 4 attached to the base, a second relay board 3 attached to the first relay board, and a vibration element 2 disposed so as to sandwich the second relay board between the first relay board and the vibration element and attached to the second relay board. The second relay board is electrically connected to the vibration element, and has a terminal located in a region overlapping the first relay board and not overlapping the vibration element in plan view.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体に関するものである。   The present invention relates to a vibration device, a method of manufacturing the vibration device, an electronic device, and a mobile body.

特許文献1に記載されている水晶発振器は、パッケージと、パッケージに収納されたICチップ、測定用基板および水晶振動素子と、を有している。また、このような水晶発振器では、まず、測定用基板に水晶振動素子を固定した状態で水晶振動素子の周波数調整を行い、その後、測定用基板をパッケージに固定した状態で再び水晶振動素子の周波数調整を行う。   The crystal oscillator described in Patent Document 1 includes a package, an IC chip housed in the package, a substrate for measurement, and a crystal vibrating element. In such a crystal oscillator, first, the frequency of the quartz crystal vibrating element is adjusted with the quartz crystal vibrating element fixed to the measurement substrate, and then the frequency of the quartz crystal vibrating element is fixed again with the measuring substrate fixed to the package. Make adjustments.

特開2015−195593号公報JP, 2015-195593, A

しかしながら、このような水晶振動素子の周波数調整方法では、測定用基板に水晶振動素子を固定した状態で水晶振動素子の周波数調整を行い、その後、測定用基板をパッケージに固定するため、水晶振動素子の周波数が実装ストレスにより変動してしまう。その結果、パッケージ固定後の水晶振動素子の周波数調整が煩雑になる。   However, in such a method of adjusting the frequency of the crystal vibrating element, the frequency of the crystal vibrating element is adjusted in a state where the crystal vibrating element is fixed to the measurement substrate, and then the crystal vibrating element is fixed to fix the measurement substrate to the package. Frequency will fluctuate due to mounting stress. As a result, frequency adjustment of the crystal vibrating element after fixing the package becomes complicated.

本発明の目的は、振動素子の周波数調整を行った後にパッケージに実装する場合、振動素子にかかる実装ストレスを軽減し、実装ストレスによる振動素子の周波数変動が軽減できる振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a vibration device and a vibration device manufacturing method capable of reducing the mounting stress applied to the vibration device and reducing the frequency fluctuation of the vibration device due to the mounting stress when mounting the package after performing frequency adjustment of the vibration device. , Electronic equipment and mobile.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。   The present invention has been made to solve at least a part of the above-mentioned problems, and can be realized as the following application example.

本適用例の振動デバイスは、ベースと、
前記ベースに取り付けられている第1中継基板と、
前記第1中継基板に取り付けられている第2中継基板と、
前記第1中継基板との間に前記第2中継基板を挟むように配置され、前記第2中継基板に取り付けられている振動素子と、を有し、
前記第2中継基板は、前記振動素子と電気的に接続されており、平面視で、前記第1中継基板と重なり前記振動素子と重ならない領域に位置している端子を有していることを特徴とする。
これにより、第2中継基板の端子を介して振動素子の発振周波数測定が可能となり、そのため、振動素子の周波数調整が可能となる。その後ベース(パッケージ)に第1中継基板を実装する場合、第2中継基板と振動素子に加わる実装ストレスが軽減され、周波数調整後の振動素子の周波数変動が抑えられる。
The vibration device of this application example has a base,
A first relay board attached to the base;
A second relay board attached to the first relay board;
And a vibrating element disposed so as to sandwich the second relay board between the first relay board and the second relay board,
The second relay substrate is electrically connected to the vibrating element, and has a terminal located in a region overlapping with the first relay substrate and not overlapping the vibrating element in plan view. It features.
Thereby, the oscillation frequency of the vibrating element can be measured through the terminal of the second relay substrate, and therefore, the frequency adjustment of the vibrating element can be performed. Thereafter, when the first relay substrate is mounted on the base (package), the mounting stress applied to the second relay substrate and the vibrating element is reduced, and the frequency fluctuation of the vibrating element after frequency adjustment is suppressed.

本適用例の振動デバイスでは、前記端子は、前記第2中継基板の前記振動素子側の面に配置されていることが好ましい。
これにより、端子にプローブ(検査用の端子)を当て易くなり、振動素子の周波数測定が容易となる。
In the vibrating device according to the application example, it is preferable that the terminal is disposed on a surface of the second relay substrate on the vibrating element side.
As a result, the probe (terminal for inspection) can be easily applied to the terminal, and the frequency measurement of the vibrating element can be facilitated.

本適用例の振動デバイスでは、前記第2中継基板は、
前記第1中継基板に取り付けられている第1部分と、
前記振動素子が配置されている第2部分と、
前記第1部分と前記第2部分とを接続する接続部と、を有していることが好ましい。
これにより、第1中継基板やベースの変形に起因して生じる応力が振動素子に伝わり難くなる。そのため、振動素子の周波数特性の変動を抑制することができる。
In the vibration device of this application example, the second relay substrate is
A first portion attached to the first relay substrate;
A second portion in which the vibrating element is disposed;
It is preferable to have the connection part which connects the said 1st part and the said 2nd part.
This makes it difficult for the stress generated due to the deformation of the first relay substrate or the base to be transmitted to the vibrating element. Therefore, the fluctuation of the frequency characteristic of the vibrating element can be suppressed.

本適用例の振動デバイスでは、前記接続部は、
第3部分と、
前記第1部分と前記第3部分とを第1軸上で接続する第1梁部と、
前記第2部分と前記第3部分とを前記第1軸と交差する第2軸上で接続する第2梁部と、を有していることが好ましい。
これにより、第1中継基板やベースの変形に起因して生じる応力が振動素子により伝わり難くなる。そのため、振動素子の周波数特性の変動をより効果的に抑制することができる。
In the vibration device of this application example, the connection portion is
The third part,
A first beam portion connecting the first portion and the third portion on a first axis;
It is preferable to have the 2nd beam part which connects the 2nd part and the 3rd part on the 2nd axis which intersects the 1st axis.
As a result, the stress caused by the deformation of the first relay substrate or the base is less likely to be transmitted by the vibrating element. Therefore, it is possible to more effectively suppress the fluctuation of the frequency characteristic of the vibrating element.

本適用例の振動デバイスでは、前記第1部分は、枠状をなし、
前記第3部分は、枠状をなすと共に、前記第1部分の内側に位置し、
前記第2部分は、前記第3部分の内側に位置していることが好ましい。
これにより、第2中継基板の小型化を図ることができる。
In the vibration device of this application example, the first portion has a frame shape,
The third portion has a frame shape and is located inside the first portion,
Preferably, the second portion is located inside the third portion.
Thereby, the second relay board can be miniaturized.

本適用例の振動デバイスでは、前記第1部分は、
前記第1軸に交差する方向であって、前記第1軸に対して両側において接合部材を介して前記第1中継基板に取り付けられていることが好ましい。
これにより、第2中継基板が第1中継基板に安定して支持される。
In the vibration device of this application example, the first portion is
It is preferable that the first relay substrate is attached to the first relay substrate via bonding members on both sides with respect to the first axis.
Thus, the second relay substrate is stably supported by the first relay substrate.

本適用例の振動デバイスでは、前記端子は、平面視で、前記接合部材と重なって配置されていることが好ましい。
これにより、端子をプローブに押し当てた際の第2中継基板の撓みを抑制することができる。そのため、周波数測定時に第2中継基板の変形に起因して生じる応力が振動素子に伝わり難く、振動素子の周波数測定をより精度よく行うことができる。
In the vibrating device according to this application example, it is preferable that the terminal be disposed so as to overlap the bonding member in plan view.
Thereby, the bending of the 2nd relay substrate at the time of pressing a terminal on a probe can be controlled. Therefore, the stress generated due to the deformation of the second relay substrate at the time of frequency measurement is difficult to be transmitted to the vibrating element, and the frequency measurement of the vibrating element can be performed more accurately.

本適用例の振動デバイスでは、前記第1中継基板の前記ベースに取り付けられるための接合部は、平面視で、前記第2中継基板および前記振動素子と重ならない領域に配置されていることが好ましい。
これにより、ベースの変形により生じる応力が第2中継基板や振動素子に伝わり難くなる。そのため、第2中継基板と振動素子に加わる実装ストレスが軽減され、振動素子の周波数変動が抑えられる。
In the vibration device according to this application example, it is preferable that a bonding portion to be attached to the base of the first relay substrate be disposed in a region not overlapping with the second relay substrate and the vibration element in plan view. .
As a result, it is difficult for the stress generated by the deformation of the base to be transmitted to the second relay substrate and the vibrating element. Therefore, the mounting stress applied to the second relay substrate and the vibrating element is reduced, and the frequency fluctuation of the vibrating element is suppressed.

本適用例の振動デバイスでは、前記ベースとの間に前記第1中継基板、前記第2中継基板および前記振動素子を収納するように前記ベースに接合されている蓋体を有していることが好ましい。
これにより、第1中継基板、第2中継基板および振動素子を保護することができる。
In the vibration device according to the application example, the lid is joined to the base so as to accommodate the first relay substrate, the second relay substrate, and the vibration element between the base and the first relay substrate. preferable.
Thereby, the first relay substrate, the second relay substrate, and the vibration element can be protected.

本適用例の振動デバイスでは、前記第1中継基板は、前記振動素子の駆動回路を有する回路素子であることが好ましい。
これにより、振動素子を容易に駆動することができる。
In the vibrating device according to the application example, the first relay substrate is preferably a circuit element having a drive circuit of the vibrating element.
Thereby, the vibration element can be easily driven.

本適用例の振動デバイスの製造方法は、第1中継基板と、前記第1中継基板に取り付けられている第2中継基板と、前記第1中継基板との間に前記第2中継基板を挟むように配置され、前記第2中継基板に取り付けられている振動素子と、を有する積層構造体を準備する工程と、
前記振動素子の周波数を測定する工程と、を有し、
前記第2中継基板は、前記振動素子と電気的に接続されており、平面視で、前記第1中継基板と重なり前記振動素子と重ならない領域に位置している端子を有し、
前記振動素子の周波数を測定する工程では、前記端子を介して前記振動素子の周波数測定を行うことを特徴とする。
このように、パッケージに収納する前に振動素子の周波数を測定することで、周波数調整が可能になる。その後ベース(パッケージ)に第1中継基板を実装する場合、第2中継基板と振動素子に加わる実装ストレスが軽減され、周波数調整後の振動素子の周波数変動が抑えられる。
In the method of manufacturing the vibration device according to this application example, the second relay board is sandwiched between the first relay board, the second relay board attached to the first relay board, and the first relay board. Preparing a laminated structure having a vibration element disposed on the second relay substrate and disposed on the second relay substrate.
Measuring the frequency of the vibrating element;
The second relay substrate is electrically connected to the vibrating element, and has a terminal located in a region overlapping with the first relay substrate and not overlapping the vibrating element in plan view,
In the step of measuring the frequency of the vibrating element, frequency measurement of the vibrating element is performed through the terminal.
Thus, frequency adjustment becomes possible by measuring the frequency of the vibrating element before being stored in the package. Thereafter, when the first relay substrate is mounted on the base (package), the mounting stress applied to the second relay substrate and the vibrating element is reduced, and the frequency fluctuation of the vibrating element after frequency adjustment is suppressed.

本適用例の振動デバイスの製造方法では、前記積層構造体を準備する工程に先立って行われ、
前記第2中継基板に支持されていない状態で前記振動素子の周波数を測定する工程を有していることが好ましい。
これにより、積層構造体となる前に振動素子の周波数を測定できるので、周波数を粗調し、積層構造体となった後に振動素子の周波数の微調を行うことができる。そのため、積層構造体となった状態での励振電極の加工量を低減でき、第1中継基板へのダメージを低減することができる。
In the method of manufacturing the vibration device of the application example, the method is performed prior to the step of preparing the laminated structure,
It is preferable to have the process of measuring the frequency of the said vibration element in the state which is not supported by the said 2nd relay substrate.
As a result, since the frequency of the vibration element can be measured before it becomes a laminated structure, it is possible to roughly adjust the frequency and to finely adjust the frequency of the vibration element after it becomes a laminated structure. Therefore, the processing amount of the excitation electrode in the state of being a laminated structure can be reduced, and damage to the first relay substrate can be reduced.

本適用例の振動デバイスの製造方法では、前記振動素子は、振動基板と、前記振動基板の一方の主面に配置されている第1励振電極と、他方の主面に配置されている第2励振電極と、を有し、
前記第2中継基板に支持されていない状態で前記振動素子の周波数を測定する工程では、前記第1励振電極を加工し、
前記積層構造体の状態で前記振動素子の周波数を測定する工程では、前記第2励振電極を加工することが好ましい。
これにより、振動素子の周波数調整用に第1、第2励振電極を加工して、各々の質量差を小さくすることができる。そのため、振動素子の振動特性の低下を抑制することができる。
In the method of manufacturing a vibrating device according to the application example, the vibrating element includes a vibrating substrate, a first excitation electrode disposed on one of the main surfaces of the vibrating substrate, and a second on the other main surface. And an excitation electrode,
In the step of measuring the frequency of the vibrating element in a state not supported by the second relay substrate, the first excitation electrode is processed,
In the step of measuring the frequency of the vibrating element in the state of the laminated structure, it is preferable to process the second excitation electrode.
Thereby, the first and second excitation electrodes can be processed to adjust the frequency of the vibration element, and the mass difference between them can be reduced. Therefore, the deterioration of the vibration characteristic of the vibration element can be suppressed.

本適用例の振動デバイスの製造方法では、前記積層構造体の状態で前記振動素子の周波数を測定する工程の後に行われ、
前記第1中継基板をベースに配置する工程と、
前記ベースとの間に前記積層構造体を収納するように、前記ベースに蓋体を接合する工程と、を有することが好ましい。
これにより、積層構造体を水分、埃、衝撃等から保護することができる。
In the method of manufacturing the vibration device of the application example, the method is performed after the step of measuring the frequency of the vibration element in the state of the laminated structure,
Disposing the first relay substrate on a base;
Bonding a lid to the base so as to accommodate the laminated structure between the base and the base.
Thereby, the laminated structure can be protected from moisture, dust, impact and the like.

本適用例の電子機器は、上記適用例の振動デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、上記適用例の振動デバイスの効果を享受でき、信頼性の高い電子機器が得られる。
The electronic device of this application example is characterized by including the vibration device of the above application example.
As a result, the effects of the vibration device of the application example can be obtained, and a highly reliable electronic device can be obtained.

本適用例の移動体は、上記適用例の振動デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、上記適用例の振動デバイスの効果を享受でき、信頼性の高い移動体が得られる。
The mobile unit of this application example is characterized by including the vibration device of the above application example.
As a result, the effects of the vibration device of the above application example can be enjoyed, and a highly reliable moving body can be obtained.

本発明の第1実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。It is a sectional view showing a vibration device concerning a 1st embodiment of the present invention. リッドを除いた場合の図1の振動デバイスを示す上面図である。It is a top view which shows the vibration device of FIG. 1 at the time of removing a lid. 中継基板を示す上面図である。It is a top view which shows a relay board. 中継基板を示す下面図である。It is a bottom view showing a relay board. 中継基板の変形例を示す上面図である。It is a top view which shows the modification of a relay substrate. 中継基板の変形例を示す上面図である。It is a top view which shows the modification of a relay substrate. 振動素子を示す上面図である。It is a top view which shows a vibration element. 振動素子を示す下面図である。It is a bottom view showing a vibration element. 水晶のカット角を説明する図である。It is a figure explaining the cut angle of crystal. 中継基板と振動素子の結晶軸の関係を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the relationship of the crystallographic axis of a relay substrate and a vibrating element. 積層構造体を示す下面図である。It is a bottom view showing a lamination structure. 図1に示す振動デバイスの製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the vibration device shown in FIG. 振動デバイスの製造方法を説明するための平面図である。It is a top view for explaining the manufacturing method of a vibration device. 振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of a vibration device. 振動デバイスの製造方法を説明するための側面図である。It is a side view for explaining the manufacturing method of a vibration device. 振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of a vibration device. 振動デバイスの製造に用いられる治具を示す斜視図である。It is a perspective view showing a jig used for manufacture of a vibration device. 振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of a vibration device. 振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of a vibration device. 本発明の第2実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。It is a perspective view showing the electronic equipment concerning a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第3実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。It is a perspective view showing the electronic equipment concerning a 3rd embodiment of the present invention. 本発明の第4実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。It is a perspective view showing the electronic equipment concerning a 4th embodiment of the present invention. 本発明の第5実施形態に係る移動体を示す斜視図である。It is a perspective view showing the mobile concerning a 5th embodiment of the present invention.

以下、本発明の振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, a vibrating device, a method of manufacturing the vibrating device, an electronic device, and a moving body according to the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the attached drawings.

<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。図2は、リッドを除いた場合の図1の振動デバイスを示す上面図である。図3は、中継基板を示す上面図である。図4は、中継基板を示す下面図である。図5および図6は、それぞれ、中継基板の変形例を示す上面図である。図7は、振動素子を示す上面図である。図8は、振動素子を示す下面図である。図9は、水晶のカット角を説明する図である。図10は、中継基板と振動素子の結晶軸の関係を示す斜視図である。図11は、積層構造体を示す下面図である。図12は、図1に示す振動デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図13は、振動デバイスの製造方法を説明するための平面図である。図14ないし図16は、それぞれ、振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。図17は、振動デバイスの製造に用いられる治具を示す斜視図である。図18および図19は、それぞれ、振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図1中の上側を「上」とも言い、下側を「下」とも言う。また、水晶の結晶軸をX軸(電気軸)、Y軸(機械軸)およびZ軸(光軸)として説明する。また、以下では、図1中の上下方向から見た平面視を単に「平面視」とも言う。
First Embodiment
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a vibrating device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a top view of the vibrating device of FIG. 1 with the lid removed. FIG. 3 is a top view showing the relay substrate. FIG. 4 is a bottom view showing the relay board. 5 and 6 are top views showing modified examples of the relay board. FIG. 7 is a top view showing the vibrating element. FIG. 8 is a bottom view showing the vibrating element. FIG. 9 is a diagram for explaining a cut angle of crystal. FIG. 10 is a perspective view showing the relationship between the relay substrate and the crystal axis of the vibrating element. FIG. 11 is a bottom view showing the laminated structure. FIG. 12 is a flow chart showing a manufacturing process of the vibration device shown in FIG. FIG. 13 is a plan view for explaining the method of manufacturing the vibration device. 14 to 16 are cross-sectional views for explaining the method of manufacturing the vibration device. FIG. 17 is a perspective view showing a jig used for manufacturing the vibration device. 18 and 19 are cross-sectional views for explaining the method of manufacturing the vibration device. In the following, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 1 is also referred to as “upper”, and the lower side is also referred to as “lower”. Further, the crystal axis of quartz crystal will be described as an X axis (electrical axis), a Y axis (mechanical axis) and a Z axis (optical axis). Moreover, the planar view seen from the up-down direction in FIG. 1 is also only called "planar view" below.

図1および図2に示すように、振動デバイス1は、振動素子2と、第2中継基板3と、第1中継基板4と、これらを収納するパッケージ5と、を有している。ここで、第1中継基板4は、パッケージ5に振動素子2と第2中継基板3とを実装する際に、振動素子2に加わる実装ストレスを軽減することを目的としているものであることから、配線電極が配設された絶縁基板、例えばシリコン単板やシリコン積層板でも良い。本実施例では第1中継基板4として、振動素子2の駆動回路を有する回路素子を用いた構造としている。回路素子は、シリコン基板で構成されているので、本実施形態の第1中継基板4としての機能を十分に果たすことが可能である。以下では、説明の便宜上、第1中継基板4を「回路素子4」とも言い、第2中継基板3を「中継基板3」とも言う。   As shown in FIGS. 1 and 2, the vibration device 1 includes a vibration element 2, a second relay substrate 3, a first relay substrate 4, and a package 5 for housing these. Here, since the first relay substrate 4 is intended to reduce the mounting stress applied to the vibration device 2 when the vibration device 2 and the second relay substrate 3 are mounted on the package 5, An insulating substrate on which the wiring electrode is disposed, for example, a silicon single plate or a silicon laminated plate may be used. In the present embodiment, a circuit element having a drive circuit of the vibration element 2 is used as the first relay substrate 4. Since the circuit element is formed of a silicon substrate, it can sufficiently function as the first relay substrate 4 of the present embodiment. Hereinafter, for convenience of explanation, the first relay substrate 4 is also referred to as “circuit element 4”, and the second relay substrate 3 is also referred to as “relay substrate 3”.

パッケージ5内では、回路素子4の下方に中継基板3が位置し、中継基板3の下方に振動素子2が位置し、回路素子4、中継基板3および振動素子2がパッケージ5の厚さ方向(上下方向)に重なって配置されている。このように、回路素子4、中継基板3および振動素子2を重ねて配置することで、振動デバイス1の平面的な広がりを抑えることができ、振動デバイス1の小型化を図ることができる。また、振動素子2は、中継基板3に取り付けられており、中継基板3は、回路素子4に取り付けられており、回路素子4は、パッケージ5に取り付けられている。このように、パッケージ5および回路素子4と振動素子2との間に中継基板3を介在させることで、例えば、パッケージ5や回路素子4の熱撓み等による変形(応力)が振動素子2に伝わり難くなり、振動素子2の振動特性の低下(変動)を抑制することができる。なお、以下では、回路素子4、中継基板3および振動素子2の積層体を積層構造体10とも言う。以下、振動デバイス1の各部について順次詳細に説明する。   In the package 5, the relay substrate 3 is located below the circuit element 4, the vibrating element 2 is located below the relay substrate 3, and the circuit element 4, the relay substrate 3 and the vibrating element 2 are in the thickness direction of the package 5 ( In the vertical direction). As described above, by arranging the circuit element 4, the relay substrate 3, and the vibration element 2 in an overlapping manner, the planar spread of the vibration device 1 can be suppressed, and the vibration device 1 can be miniaturized. The vibrating element 2 is attached to the relay substrate 3, the relay substrate 3 is attached to the circuit element 4, and the circuit element 4 is attached to the package 5. Thus, by interposing the relay substrate 3 between the package 5 and the circuit element 4 and the vibrating element 2, for example, deformation (stress) due to thermal deflection or the like of the package 5 or the circuit element 4 is transmitted to the vibrating element 2. This becomes difficult, and the deterioration (variation) of the vibration characteristic of the vibration element 2 can be suppressed. Hereinafter, the laminate of the circuit element 4, the relay substrate 3, and the vibration element 2 is also referred to as a laminate structure 10. Hereinafter, each part of the vibration device 1 will be sequentially described in detail.

[パッケージ]
図1に示すように、パッケージ5は、内側に収納空間Sを有しており、この収納空間Sに振動素子2、中継基板3および回路素子4が収納されている。そのため、パッケージ5によって振動素子2、中継基板3および回路素子4を衝撃、埃、熱、湿気(水分)等から好適に保護することができる。このようなパッケージ5は、振動素子2、中継基板3および回路素子4を取り付けるベース51と、ベース51との間に収納空間Sを形成するようにベース51の上面に接合されたリッド52(蓋体)と、を有している。
[package]
As shown in FIG. 1, the package 5 has a storage space S inside, and in the storage space S, the vibration element 2, the relay substrate 3 and the circuit element 4 are stored. Therefore, the package 5 can suitably protect the vibration element 2, the relay substrate 3 and the circuit element 4 from impact, dust, heat, moisture (water) and the like. Such a package 5 has a lid 52 (lid) joined to the upper surface of the base 51 so as to form a storage space S between the base 51 and the base 51 to which the vibrating element 2, the relay substrate 3 and the circuit element 4 are attached. Body) and.

ベース51は、その上面に開口する凹部511を有するキャビティ状である。また、凹部511は、ベース51の上面に開口する第1凹部511aと、第1凹部511aの底面に開口する第2凹部511bと、を有している。一方、リッド52は、板状であり、凹部511の開口を塞ぐようにしてベース51の上面に接合されている。このように、凹部511の開口をリッド52で塞ぐことで収納空間Sが形成され、この収納空間Sに振動素子2、中継基板3および回路素子4が収納されている。収納空間Sは、気密封止されており、減圧状態(好ましくはより真空に近い状態)となっている。これにより、振動素子2を安定して駆動させることができる。ただし、収納空間Sの雰囲気は、特に限定されず、例えば、大気圧となっていてもよい。   The base 51 is in the form of a cavity having a recess 511 opened on the top surface thereof. Further, the recess 511 has a first recess 511 a opened in the upper surface of the base 51 and a second recess 511 b opened in the bottom of the first recess 511 a. On the other hand, the lid 52 is plate-like, and is joined to the upper surface of the base 51 so as to close the opening of the concave portion 511. As described above, the opening of the concave portion 511 is closed by the lid 52 to form the housing space S, and the resonator element 2, the relay substrate 3 and the circuit element 4 are housed in the housing space S. The storage space S is hermetically sealed and is in a reduced pressure state (preferably in a state closer to vacuum). Thereby, the vibration element 2 can be driven stably. However, the atmosphere of the storage space S is not particularly limited, and may be atmospheric pressure, for example.

ベース51の構成材料としては特に限定されず、例えば、酸化アルミニウム等の各種セラミックスを用いることができる。この場合、セラミックシート(グリーンシート)の積層体を焼成することでベース51を製造することができる。一方、リッド52の構成材料としては特に限定されないが、ベース51の構成材料と線膨張係数が近似する部材であると良い。例えば、ベース51の構成材料を前述のようなセラミックスとした場合には、コバール等の合金とするのが好ましい。   It does not specifically limit as a constituent material of the base 51, For example, various ceramics, such as aluminum oxide, can be used. In this case, the base 51 can be manufactured by firing a laminate of ceramic sheets (green sheets). On the other hand, the constituent material of the lid 52 is not particularly limited, but it is preferable that the constituent material of the base 51 and the linear expansion coefficient are similar. For example, when the constituent material of the base 51 is a ceramic as described above, it is preferable to use an alloy such as Kovar.

また、ベース51は、第1凹部511aの底面に配置された複数の内部端子53と、ベース51の底面に配置された複数の外部端子54と、を有している。複数の内部端子53は、それぞれ、ベース51の内部に形成された図示しない内部配線を介して所定の外部端子54と電気的に接続されている。また、複数の内部端子53は、導電性の接続バンプB1を介して回路素子4と電気的に接続されている。   The base 51 also has a plurality of internal terminals 53 disposed on the bottom of the first recess 511 a and a plurality of external terminals 54 disposed on the bottom of the base 51. Each of the plurality of internal terminals 53 is electrically connected to a predetermined external terminal 54 through an internal wiring (not shown) formed inside the base 51. The plurality of internal terminals 53 are electrically connected to the circuit element 4 via the conductive connection bumps B1.

[回路素子]
回路素子4は、例えば、シリコン基板上に各種回路要素が作り込まれた半導体回路基板であり、図1に示すように、能動面40を下側に向けてパッケージ5内に配置されている。そして、回路素子4は、パッケージ5の第1凹部511aの上面に、導電性の接続バンプB1を介して固定されている。また、回路素子4は、能動面40に配置された複数の端子41、42を有しており、このうち、複数の端子41は、それぞれ、接続バンプB1を介して所定の内部端子53と電気的に接続されている。このような回路素子4には、例えば、振動素子2を駆動させる駆動回路49(発振させる発振回路)が含まれている。
[Circuit element]
The circuit element 4 is, for example, a semiconductor circuit board in which various circuit elements are formed on a silicon substrate, and as shown in FIG. 1, the circuit element 4 is disposed in the package 5 with the active surface 40 facing downward. The circuit element 4 is fixed to the upper surface of the first recess 511 a of the package 5 via the conductive connection bump B 1. Further, the circuit element 4 has a plurality of terminals 41, 42 disposed on the active surface 40, and among the plurality of terminals 41, the plurality of terminals 41 are electrically connected to the predetermined internal terminals 53 via the connection bumps B1. Connected. Such a circuit element 4 includes, for example, a drive circuit 49 (oscillation circuit to oscillate) that drives the vibration element 2.

なお、接続バンプB1としては、導電性および接合性を有していれば、特に限定されないが、例えば、金バンプ、銀バンプ、銅バンプ等の各種金属バンプを用いることが好ましい。これにより、接続バンプB1からのアウトガスが防止され、収納空間S内の環境変化(特に圧力の上昇)を効果的に抑制することができる。   The connection bump B1 is not particularly limited as long as it has conductivity and bondability, but it is preferable to use, for example, various metal bumps such as gold bumps, silver bumps, and copper bumps. As a result, outgassing from the connection bumps B1 can be prevented, and environmental changes (in particular, pressure increase) in the storage space S can be effectively suppressed.

なお、回路素子4のベース51に取り付けられるための接合部(すなわち複数の端子41)は、平面視(回路素子4の法線方向からの平面視)で、中継基板3および振動素子2と重ならない領域に配置されている。これにより、パッケージ5の変形により生じる応力が中継基板3や振動素子2に伝わり難くなる。そのため、中継基板3と振動素子2に加わる実装ストレスが軽減され、振動素子2の周波数変動が抑えられる。   The junctions (i.e., the plurality of terminals 41) to be attached to the base 51 of the circuit element 4 overlap the relay substrate 3 and the vibrating element 2 in plan view (plan view from the normal direction of the circuit element 4). It is arranged in the area where As a result, the stress generated by the deformation of the package 5 is less likely to be transmitted to the relay substrate 3 and the vibrating element 2. Therefore, the mounting stress applied to the relay substrate 3 and the vibrating element 2 is reduced, and the frequency fluctuation of the vibrating element 2 is suppressed.

[中継基板]
図1に示すように、中継基板3は、回路素子4と振動素子2との間に介在している。中継基板3は、主に、パッケージ5や回路素子4の変形により生じる応力を振動素子2に伝わり難くする機能を有している。
[Relay board]
As shown in FIG. 1, the relay substrate 3 is interposed between the circuit element 4 and the vibrating element 2. The relay substrate 3 mainly has a function of making it difficult to transmit the stress generated by the deformation of the package 5 or the circuit element 4 to the vibrating element 2.

図3および図4に示すように、中継基板3は、基板31と、基板31に配置された一対の配線38、39と、を有している。基板31は、ジンバル形状となっている。具体的には、基板31は、回路素子4に固定された枠状の支持部32(第1部分)と、支持部32の内側に位置する枠状の第1揺動部33(第3部分)と、第1揺動部33の内側に位置し、振動素子2が固定された第2揺動部34(第2部分)と、支持部32と第1揺動部33とを接続する一対の梁部35(第1梁部)と、第1揺動部33と第2揺動部34とを接続する一対の梁部36(第2梁部)と、を有している。これら各部のうち、支持部32と第2揺動部34との間に位置する部分である第1揺動部33および梁部35、36は、支持部32と第2揺動部34とを接続する接続部37を構成している。   As shown in FIGS. 3 and 4, the relay substrate 3 includes a substrate 31 and a pair of wires 38 and 39 disposed on the substrate 31. The substrate 31 has a gimbal shape. Specifically, the substrate 31 has a frame-shaped support portion 32 (first portion) fixed to the circuit element 4 and a frame-shaped first swing portion 33 (third portion) located inside the support portion 32. And a second swinging portion 34 (second portion) located inside the first swinging portion 33 and to which the vibrating element 2 is fixed, and a pair connecting the support portion 32 and the first swinging portion 33 The beam portion 35 (first beam portion) and the pair of beam portions 36 (second beam portions) connecting the first swinging portion 33 and the second swinging portion 34 are provided. Among these portions, the first swinging portion 33 and the beam portions 35 and 36, which are portions positioned between the support portion 32 and the second swinging portion 34, are configured by the support portion 32 and the second swinging portion 34. The connection part 37 to connect is comprised.

支持部32は、矩形の枠状となっており、4つの縁部321、322、323、324を有している。そして、支持部32は、互いに対向する(中心Oに対して反対側に位置する)縁部321、322の延在方向の中央部において、それぞれ2つの接続バンプB2を介して回路素子4の能動面40に固定されている。このように、支持部32の両側を回路素子4に固定することで、中継基板3の姿勢が安定し、中継基板3の不要な変位、振動等を抑制することができる。ただし、接続バンプB2の数や配置としては、特に限定されず、例えば、支持部32の各角部に配置されていてもよいし、中心Oに対して片側にのみ配置されていてもよい。   The support portion 32 has a rectangular frame shape, and has four edge portions 321, 322, 323, 324. Then, the support portion 32 is active in the circuit element 4 via the two connection bumps B2 at the central portions in the extending direction of the edge portions 321 and 322 facing each other (opposite to the center O). It is fixed to the surface 40. As described above, by fixing both sides of the support portion 32 to the circuit element 4, the posture of the relay substrate 3 is stabilized, and unnecessary displacement, vibration, and the like of the relay substrate 3 can be suppressed. However, the number and the arrangement of the connection bumps B2 are not particularly limited. For example, the connection bumps B2 may be arranged at each corner of the support portion 32 or may be arranged only on one side with respect to the center O.

なお、接続バンプB2としては、導電性および接合性を有していれば、特に限定されないが、例えば、金バンプ、銀バンプ、銅バンプ等の各種金属バンプを用いることが好ましい。これにより、接続バンプB2からのアウトガスが防止され、収納空間S内の環境変化(特に圧力の上昇)を効果的に抑制することができる。   The connection bump B2 is not particularly limited as long as it has conductivity and bondability, but it is preferable to use, for example, various metal bumps such as a gold bump, a silver bump, and a copper bump. As a result, outgassing from the connection bumps B2 can be prevented, and environmental changes (in particular, pressure increase) in the storage space S can be effectively suppressed.

また、支持部32の内側に位置する第1揺動部33は、矩形の枠状となっており、4つの縁部331、332、333、334を有している。また、第1揺動部33の内側に位置する第2揺動部34は、矩形の板状(単板状)となっており、4つの縁部341、342、343、344を有している。そして、第2揺動部34の下面に導電性を有する接続バンプB3を介して振動素子2が固定されている。   Further, the first swinging portion 33 located inside the support portion 32 has a rectangular frame shape, and has four edge portions 331, 332, 333, and 334. In addition, the second rocking portion 34 located inside the first rocking portion 33 has a rectangular plate shape (single plate shape), and has four edge portions 341, 342, 343, and 344. There is. The vibrating element 2 is fixed to the lower surface of the second swinging portion 34 via the conductive connection bump B3.

また、一対の梁部35は、第1揺動部33の両側に位置し、第1揺動部33を両持ち支持するように、第1揺動部33と支持部32とを接続している。具体的には、一方の梁部35は、縁部323、333の延在方向の中央部同士を接続し、他方の梁部35は、縁部324、334の延在方向の中央部同士を接続している。そのため、第1揺動部33は、支持部32に対して、一対の梁部35で形成される第1軸L1(一対の梁部35を結ぶ線分)まわりに揺動可能となっている。   Further, the pair of beam portions 35 are located on both sides of the first swinging portion 33, and connect the first swinging portion 33 and the support portion 32 so as to support the first swinging portion 33 at both ends. There is. Specifically, one beam 35 connects central portions in the extending direction of the edge portions 323 and 333, and the other beam portion 35 connects central portions in the extending direction of the edge portions 324 and 334. Connected Therefore, the first swinging portion 33 can swing around the first axis L1 (a line connecting the pair of beam portions 35) formed by the pair of beam portions 35 with respect to the support portion 32. .

また、一対の梁部36は、第2揺動部34の両側に位置し、第2揺動部34を両持ち支持するように、第2揺動部34と第1揺動部33とを接続している。具体的には、一方の梁部36は、縁部331、341の延在方向の中央部同士を接続し、他方の梁部36は、縁部332、342の延在方向の中央部同士を接続している。そのため、第2揺動部34は、第1揺動部33に対して、一対の梁部36で形成され、第1軸L1と交差する第2軸L2(一対の梁部36を結ぶ線分)まわりに揺動可能となっている。   Further, the pair of beam portions 36 are located on both sides of the second swinging portion 34, and the second swinging portion 34 and the first swinging portion 33 are provided so as to support the second swinging portion 34 in a double support manner. Connected Specifically, one beam portion 36 connects central portions in the extending direction of the edge portions 331 and 341, and the other beam portion 36 connects central portions in the extending direction of the edge portions 332 and 342. Connected Therefore, the second swinging portion 34 is formed of a pair of beam portions 36 with respect to the first swinging portion 33, and a second axis L2 (a line segment connecting the pair of beam portions 36) intersecting the first axis L1. ) Can swing around.

このような構成の基板31によれば、回路素子4に固定されている支持部32から振動素子2が固定されている第2揺動部34までの応力の伝達経路を蛇行させることができるため、前記伝達経路をより長く確保することができる。そのため、パッケージ5や回路素子4の変形により生じる応力が支持部32から第2揺動部34までの間に効果的に吸収・緩和され、第2揺動部34上の振動素子2に伝わってしまうことを効果的に抑制することができる。そのため、振動素子2の駆動特性の変化(特に共振周波数の変動)が起き難く、振動素子2は、優れた振動特性を発揮することができる。   According to the substrate 31 having such a configuration, it is possible to meander the stress transmission path from the support portion 32 fixed to the circuit element 4 to the second rocking portion 34 to which the vibration element 2 is fixed. And the transmission path can be secured longer. Therefore, the stress generated by the deformation of the package 5 or the circuit element 4 is effectively absorbed / relaxed between the support portion 32 and the second rocking portion 34, and transmitted to the vibration element 2 on the second rocking portion 34. Can be effectively suppressed. Therefore, a change in the drive characteristics of the vibration element 2 (especially, a change in resonance frequency) hardly occurs, and the vibration element 2 can exhibit excellent vibration characteristics.

特に、本実施形態では、中継基板3の平面視で、第1軸L1と第2軸L2と、が直交しており、さらには、第1軸L1と第2軸L2との交点が基板31の中心Oと一致している。これにより、第1揺動部33が支持部32にバランスよく支持され、第2揺動部34が第1揺動部33にバランスよく支持される。その結果、第2揺動部34に固定された振動素子2の揺れを効果的に抑制することができる。   In particular, in the present embodiment, the first axis L1 and the second axis L2 are orthogonal to each other in plan view of the relay substrate 3, and the intersection point of the first axis L1 and the second axis L2 is the substrate 31. It coincides with the center O of. Thus, the first swinging portion 33 is supported by the support portion 32 in a well-balanced manner, and the second swinging portion 34 is supported by the first swinging portion 33 in a balanced manner. As a result, the vibration of the vibration element 2 fixed to the second rocking portion 34 can be effectively suppressed.

このような基板31は、水晶基板をエッチング(特にウェットエッチング)によりパターニングすることで形成されている。本実施形態では、基板31は、Zカット水晶基板から形成されており、基板31の両主面の法線が水晶の結晶軸であるZ軸(光軸)と一致している。Z軸(光軸)は、水晶の他の結晶軸であるX軸(電気軸)およびY軸(機械軸)と比べて優先的にエッチングが進むため、Zカット水晶基板から基板31を形成することで、エッチング時間を短縮することができる。また、エッチング面(エッチングにより形成された側面)がより急峻となるため、優れた寸法精度で中継基板3を形成することもできる。なお、本実施形態では、第1軸L1がX軸と平行であり、第2軸L2がY軸と平行であるが、これに限定されない。   Such a substrate 31 is formed by patterning a quartz substrate by etching (in particular, wet etching). In the present embodiment, the substrate 31 is formed of a Z-cut quartz substrate, and the normal lines of both main surfaces of the substrate 31 coincide with the Z axis (optical axis) which is the crystal axis of quartz. The substrate 31 is formed from the Z-cut quartz substrate because the etching preferentially proceeds in comparison with the X axis (electrical axis) and the Y axis (mechanical axis) which are the other crystal axes of quartz, ie, the Z axis (optical axis). Thus, the etching time can be shortened. In addition, since the etching surface (side surface formed by etching) becomes sharper, the relay substrate 3 can be formed with excellent dimensional accuracy. In the present embodiment, although the first axis L1 is parallel to the X axis and the second axis L2 is parallel to the Y axis, the present invention is not limited thereto.

このように、基板31を水晶基板から形成することで、振動素子2の振動基板21と同じ材料とすることができる。そのため、基板31と振動基板21との熱膨張係数が等しくなり、振動素子2に応力が生じ難くなる。ただし、基板31は、特に限定されず、Zカット水晶基板以外の水晶基板、例えば、Xカット水晶基板、Yカット水晶基板、ATカット水晶基板、BTカット水晶基板、SCカット水晶基板、STカット水晶基板等から形成されていてもよい。また、基板31としては、水晶基板から形成されたものに限定されず、例えば、水晶以外の圧電体基板、シリコン基板、樹脂基板、金属基板、セラミックス基板等から形成されていてもよい。   Thus, by forming the substrate 31 from a quartz substrate, the same material as the vibration substrate 21 of the vibration element 2 can be obtained. Therefore, the thermal expansion coefficients of the substrate 31 and the vibration substrate 21 become equal to each other, and stress is not easily generated in the vibration element 2. However, the substrate 31 is not particularly limited, and quartz substrates other than Z-cut quartz substrates, for example, X-cut quartz substrates, Y-cut quartz substrates, AT-cut quartz substrates, BT-cut quartz substrates, SC-cut quartz substrates, ST-cut quartz It may be formed of a substrate or the like. Further, the substrate 31 is not limited to one formed of a quartz substrate, and may be formed of, for example, a piezoelectric substrate other than quartz, a silicon substrate, a resin substrate, a metal substrate, a ceramic substrate or the like.

配線38は、主に基板31の支持部32から第2揺動部34まで引き回され、その一端部が支持部32に位置する端子381となっており、他端部が第2揺動部34に位置する端子382となっている。また、配線38は、その途中に位置する端子389を有している。同様に、配線39は、主に基板31の支持部32から第2揺動部34まで引き回され、その一端部が支持部32に位置する端子391となっており、他端部が第2揺動部34に位置する端子392となっている。また、配線39は、その途中に位置する端子399を有している。端子381、391は、それぞれ、基板31の上面に位置し、接続バンプB2を介して回路素子4の端子42と電気的に接続されている。一方、端子382、392は、それぞれ、基板31の下面に位置し、導電性の接続バンプB3を介して振動素子2と電気的に接続されている。このように、中継基板3が配線38、39を有することで、振動素子2と回路素子4との電気的な接続が容易となる。端子389、399は、振動素子2の周波数測定に用いる端子であり、これらについては、後に詳細に説明する。   The wiring 38 is mainly routed from the support portion 32 of the substrate 31 to the second swinging portion 34, and one end thereof is a terminal 381 positioned on the support portion 32, and the other end is the second swing portion The terminal 382 is located at 34. Further, the wiring 38 has a terminal 389 located in the middle thereof. Similarly, the wiring 39 is mainly routed from the support portion 32 of the substrate 31 to the second swinging portion 34, and one end thereof is a terminal 391 located in the support portion 32, and the other end is the second The terminal 392 is located at the swinging portion 34. The wiring 39 also has a terminal 399 located in the middle thereof. The terminals 381 and 391 are respectively located on the upper surface of the substrate 31 and electrically connected to the terminals 42 of the circuit element 4 through the connection bumps B2. On the other hand, the terminals 382 and 392 are respectively located on the lower surface of the substrate 31 and electrically connected to the vibrating element 2 through the conductive connection bumps B3. Thus, the relay substrate 3 having the wires 38 and 39 facilitates the electrical connection between the vibration element 2 and the circuit element 4. Terminals 389 and 399 are terminals used to measure the frequency of the vibrating element 2, and these will be described in detail later.

以上、中継基板3について説明したが、中継基板3の構成としては、上述の構成に限定されない。例えば、図5に示すように、基板31は、第1揺動部33および梁部36が省略され、第2揺動部34が梁部35を介して支持部32に接続された構成となっていてもよい。すなわち、接続部37が梁部35で構成された構成となっていてもよい。このような構成によっても、応力の伝達経路をなるべく長く確保することができる。そのため、パッケージ5や回路素子4の変形により生じる応力が支持部32から第2揺動部34までの間に効果的に吸収・緩和され、第2揺動部34上の振動素子2に伝わってしまうことを効果的に抑制することができる。   As mentioned above, although relay board 3 was explained, as composition of relay board 3, it is not limited to the above-mentioned composition. For example, as shown in FIG. 5, in the substrate 31, the first swinging portion 33 and the beam portion 36 are omitted, and the second swinging portion 34 is connected to the support portion 32 via the beam portion 35. It may be That is, the connection portion 37 may be configured by the beam portion 35. Also by such a configuration, the stress transmission path can be secured as long as possible. Therefore, the stress generated by the deformation of the package 5 or the circuit element 4 is effectively absorbed / relaxed between the support portion 32 and the second rocking portion 34, and transmitted to the vibration element 2 on the second rocking portion 34. Can be effectively suppressed.

また、図6に示すように、基板31は、ジンバル形状ではなく、単板状であってもよい。また、支持部32および第1揺動部33は、それぞれ、環状をなしているが、その周方向の一部が欠損していてもよい。また、第1、第2軸L1、L2は、直交していなくてもよい(すなわち、90°以外の角度で交差していてもよい)し、第1、第2軸L1、L2の交点は、基板31の中心Oと一致していなくてもよい。また、一対の梁部35の一方を省略してもよいし、一対の梁部36の一方を省略してもよい。また、本実施形態では、第1揺動部33が支持部32に対して揺動可能であり、第2揺動部34が第1揺動部33に対して揺動可能であるが、これに限定されず、例えば、梁部35が硬く、実質的に、第1揺動部33が支持部32に対して揺動できなくてもよいし、梁部36が硬く、実質的に、第2揺動部34が第1揺動部33に対して揺動できなくてもよい。   Further, as shown in FIG. 6, the substrate 31 may have a single plate shape instead of the gimbal shape. Moreover, although the support part 32 and the 1st rocking | fluctuation part 33 each comprise cyclic | annular form, the one part of the circumferential direction may be missing. The first and second axes L1 and L2 may not be orthogonal (that is, they may intersect at an angle other than 90 °), and the intersection of the first and second axes L1 and L2 is , And may not coincide with the center O of the substrate 31. Further, one of the pair of beam portions 35 may be omitted, and one of the pair of beam portions 36 may be omitted. Further, in the present embodiment, the first rocking portion 33 is rockable with respect to the support portion 32, and the second rocking portion 34 is rockable with respect to the first rocking portion 33. For example, the beam portion 35 may be hard, and the first swinging portion 33 may not be able to swing relative to the support portion 32. The beam portion 36 may be substantially hard. The second swinging portion 34 may not be able to swing with respect to the first swinging portion 33.

[振動素子]
振動素子2は、図7および図8に示すように、振動基板21と、振動基板21に配置されている電極22と、を有している。また、振動基板21は、圧電材料で構成されており、特に、本実施形態では水晶で構成されている。これにより、他の圧電材料と比較して優れた周波数温度特性を有する振動素子2が得られる。なお、圧電材料としては、水晶に限定されず、例えば、ニオブ酸リチウム(LiNbO)、タンタル酸リチウム(LiTaO)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、四ホウ酸リチウム(Li)、ランガサイト(LaGaSiO14)、ニオブ酸カリウム(KNbO)、リン酸ガリウム(GaPO)、ガリウム砒素(GaAs)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化亜鉛(ZnO、Zn)、チタン酸バリウム(BaTiO)、チタン酸鉛(PbPO)、ニオブ酸ナトリウムカリウム((K,Na)NbO)、ビスマスフェライト(BiFeO)、ニオブ酸ナトリウム(NaNbO)、チタン酸ビスマス(BiTi12)、チタン酸ビスマスナトリウム(Na0.5Bi0.5TiO)等であってもよい。
[Vibration element]
The vibrating element 2 has a vibrating substrate 21 and an electrode 22 disposed on the vibrating substrate 21 as shown in FIGS. 7 and 8. The vibrating substrate 21 is made of a piezoelectric material, and in particular, is made of quartz in the present embodiment. As a result, the vibration element 2 having excellent frequency temperature characteristics as compared to other piezoelectric materials can be obtained. The piezoelectric material is not limited to quartz, and for example, lithium niobate (LiNbO 3 ), lithium tantalate (LiTaO 3 ), lead zirconate titanate (PZT), lithium tetraborate (Li 2 B 4 O) 7 ), langasite (La 3 Ga 5 SiO 14 ), potassium niobate (KNbO 3 ), gallium phosphate (GaPO 4 ), gallium arsenide (GaAs), aluminum nitride (AlN), zinc oxide (ZnO, Zn 2 O) 3 ), barium titanate (BaTiO 3 ), lead titanate (PbPO 3 ), sodium potassium niobate ((K, Na) NbO 3 ), bismuth ferrite (BiFeO 3 ), sodium niobate (NaNbO 3 ), titanate bismuth (Bi 4 Ti 3 O 12) , bismuth sodium titanate (Na 0.5 i 0.5 may be TiO 3) or the like.

振動基板21は、厚みすべり振動モードを有しており、本実施形態では、ATカット水晶基板から形成されている。図9に示すように、ATカット水晶基板は、XZ面をX軸の回りに角度θ(=35°15’)回転させた平面に沿って切り出された「回転Yカット水晶基板」である。ATカット水晶基板は、三次の周波数温度特性を有しているため、ATカット水晶基板から振動基板21を形成することで、優れた温度特性を有する振動素子2となる。なお、以下では、角度θに対応してX軸まわりに回転したY軸およびZ軸を、Y’軸およびZ’軸とする。すなわち、振動基板21は、Y’軸方向に厚みを有し、XZ’面方向に広がりを有する。   The vibrating substrate 21 has a thickness shear vibration mode, and in the present embodiment, is formed of an AT-cut quartz substrate. As shown in FIG. 9, the AT-cut quartz substrate is a “rotated Y-cut quartz substrate” cut along a plane obtained by rotating the XZ plane about the X axis by an angle θ (= 35 ° 15 ′). Since the AT-cut quartz substrate has third-order frequency temperature characteristics, forming the vibrating substrate 21 from the AT-cut quartz substrate results in the vibrating element 2 having excellent temperature characteristics. In the following, the Y-axis and the Z-axis rotated about the X-axis in correspondence with the angle θ will be referred to as the Y′-axis and the Z′-axis. That is, the vibration substrate 21 has a thickness in the Y ′ axis direction and a spread in the XZ ′ plane direction.

電極22は、振動基板21の上面に配置された励振電極221と、下面に励振電極221と対向して配置された励振電極222と、を有している。また、電極22は、振動基板21の上面に配置された一対の端子223、224と、端子223と励振電極221とを電気的に接続する配線225と、端子224と励振電極222とを電気的に接続する配線226と、を有している。そして、励振電極221、222間に駆動信号(交番電圧)を印加することで、振動基板21が厚みすべり振動する。   The electrode 22 has an excitation electrode 221 disposed on the upper surface of the vibration substrate 21 and an excitation electrode 222 disposed on the lower surface opposite to the excitation electrode 221. Further, the electrode 22 electrically connects a pair of terminals 223 and 224 disposed on the upper surface of the vibrating substrate 21, a wiring 225 electrically connecting the terminal 223 and the excitation electrode 221, a terminal 224 and the excitation electrode 222. And a wire 226 connected to the Then, by applying a drive signal (alternating voltage) between the excitation electrodes 221 and 222, the vibration substrate 21 vibrates in a thickness shear manner.

このような振動素子2は、導電性を有する一対の接続バンプB3を介して中継基板3の第2揺動部34に固定されている。また、振動素子2の端子223と中継基板3の端子382とが一方の接続バンプB3を介して電気的に接続されており、振動素子2の端子224と中継基板3の端子392とが他方の接続バンプB3を介して電気的に接続されている。そのため、振動素子2は、中継基板3の配線38、39を介して回路素子4と電気的に接続されている。   Such a vibration element 2 is fixed to the second swinging portion 34 of the relay substrate 3 via the pair of conductive connection bumps B3. Further, the terminal 223 of the vibrating element 2 and the terminal 382 of the relay substrate 3 are electrically connected via one connection bump B3, and the terminal 224 of the vibrating element 2 and the terminal 392 of the relay substrate 3 are the other. They are electrically connected via the connection bumps B3. Therefore, the vibrating element 2 is electrically connected to the circuit element 4 through the wirings 38 and 39 of the relay substrate 3.

以上、振動素子2について説明したが、振動素子2の構成は、上述の構成に限定されない。例えば、振動素子2は、振動基板21の振動領域(励振電極221、222に挟まれた領域)がその周囲から突出したメサ型となっていてもよいし、逆に、振動領域がその周囲から凹没した逆メサ型となっていてもよい。また、振動基板21の周囲を研削するベベル加工や、上面および下面を凸曲面とするコンベックス加工が施されていてもよい。また、振動素子2としては、厚みすべり振動モードで振動するものに限定されず、例えば、複数の振動腕が面内方向に屈曲振動(音叉振動)する振動素子2であってもよいし、複数の振動腕が面外方向に屈曲振動(ウォーク振動)する振動素子2であってもよい。   As mentioned above, although the vibration element 2 was demonstrated, the structure of the vibration element 2 is not limited to the above-mentioned structure. For example, the vibration element 2 may have a mesa shape in which the vibration area of the vibration substrate 21 (the area between the excitation electrodes 221 and 222) protrudes from the periphery, or conversely, the vibration area is from the periphery It may be a recessed reverse mesa type. In addition, bevel processing for grinding the periphery of the vibrating substrate 21 or convex processing for forming the upper surface and the lower surface as convex surfaces may be applied. The vibrating element 2 is not limited to one vibrating in the thickness shear vibration mode, and may be, for example, a vibrating element 2 in which a plurality of vibrating arms bend and vibrate in the in-plane direction (tuning fork vibration). The vibrating arm may be a vibrating element 2 that vibrates in an out-of-plane direction (walk vibration).

以上のように、中継基板3の基板31および振動素子2の振動基板21は、共に水晶から構成されているが、振動デバイス1では、図10に示すように、基板31の結晶軸と、振動基板21の結晶軸と、が互いにずれている。すなわち、基板31のX軸は、振動基板21のX軸と異なる方向に延び、基板31のY軸は、振動基板21のY軸と異なる方向に延び、基板31のZ軸は、振動基板21のZ軸と異なる方向に延びている。これにより、例えば、振動基板21と基板31との結晶軸が一致している場合と比べて、振動基板21と基板31との機械的共振点(共振周波数)を離間させることができる。そのため、振動素子2の振動に共鳴するようにして中継基板3に意図しない振動が発生してしまうことを抑制でき、中継基板3の振動によって振動素子2の振動特性が低下してしまうことを効果的に抑制することができる。   As described above, the substrate 31 of the relay substrate 3 and the vibration substrate 21 of the vibration element 2 are both made of quartz, but in the vibration device 1, as shown in FIG. The crystal axes of the substrate 21 are offset from each other. That is, the X-axis of the substrate 31 extends in a direction different from the X-axis of the vibrating substrate 21, the Y-axis of the substrate 31 extends in a direction different from the Y-axis of the vibrating substrate 21, and the Z-axis of the substrate 31 corresponds to the vibrating substrate 21. Extends in a direction different from the Z axis of Thus, for example, mechanical resonance points (resonance frequencies) of the vibrating substrate 21 and the substrate 31 can be separated as compared with the case where the crystal axes of the vibrating substrate 21 and the substrate 31 coincide with each other. Therefore, it is possible to suppress occurrence of unintended vibration in the relay substrate 3 by resonating with the vibration of the vibration element 2, and the vibration characteristic of the vibration element 2 is lowered by the vibration of the relay substrate 3. Can be suppressed.

特に、本実施形態では、基板31のX軸は、振動基板21のX軸に対してY軸およびZ軸の両軸まわりに傾斜しており、基板31のY軸は、振動基板21のY軸に対してX軸およびZ軸の両軸まわりに傾斜しており、基板31のZ軸は、振動基板21のZ軸に対してX軸およびY軸の両軸まわりに傾斜している。すなわち、基板31の結晶軸と、振動基板21の結晶軸と、が捩じれの関係にある。そのため、上述した効果がより顕著となり、振動基板21と基板31との機械的共振点(共振周波数)をより大きく離間させることができる。したがって、振動素子2の振動に共鳴するようにして中継基板3に意図しない振動が発生してしまうことをより効果的に抑制でき、中継基板3の振動によって振動素子2の振動特性が低下してしまうことをより効果的に抑制することができる。   In particular, in the present embodiment, the X axis of the substrate 31 is inclined about both the Y axis and the Z axis with respect to the X axis of the vibrating substrate 21, and the Y axis of the substrate 31 is the Y of the vibrating substrate 21. The Z axis of the substrate 31 is tilted about both the X axis and the Y axis with respect to the Z axis of the vibration substrate 21 with respect to the axis. That is, the crystal axis of the substrate 31 and the crystal axis of the vibrating substrate 21 are in a relation of torsion. Therefore, the above-described effect becomes more remarkable, and the mechanical resonance point (resonance frequency) between the vibration substrate 21 and the substrate 31 can be further separated. Therefore, it is possible to more effectively suppress the occurrence of unintended vibrations in relay board 3 in resonance with the vibration of vibrating element 2, and the vibration characteristic of vibrating element 2 is degraded by the vibration of relay board 3. Can be more effectively suppressed.

なお、基板31と振動基板21との結晶軸の関係は、特に限定されず、例えば、基板31のX軸、Y軸およびZ軸のうちの2つの軸が振動基板21の対応する軸に対して傾斜していれば、残りの1つの軸同士は、一致していてもよい。また、基板31のX軸、Y軸およびZ軸が、それぞれ、振動基板21のX軸、Y軸およびZ軸と一致していてもよい。   The relationship between the crystal axes of the substrate 31 and the vibrating substrate 21 is not particularly limited. For example, two of the X, Y, and Z axes of the substrate 31 correspond to the corresponding axes of the vibrating substrate 21. As long as they are inclined, the remaining one axis may coincide with each other. In addition, the X axis, the Y axis, and the Z axis of the substrate 31 may coincide with the X axis, the Y axis, and the Z axis of the vibrating substrate 21, respectively.

中継基板3について再び説明すると、図11に示すように、中継基板3は、その下面(振動素子2が配置されている側の面)に配置された端子389、399を有している。端子389は、配線38の一部として形成されており、端子399は、配線39の一部として形成されている。そのため、端子389、399は、それぞれ、振動素子2と電気的に接続されている。   The relay substrate 3 will be described again. As shown in FIG. 11, the relay substrate 3 has terminals 389 and 399 disposed on the lower surface (the surface on the side where the vibration element 2 is disposed). The terminal 389 is formed as a part of the wiring 38, and the terminal 399 is formed as a part of the wiring 39. Therefore, the terminals 389 and 399 are electrically connected to the vibrating element 2 respectively.

これら端子389、399は、それぞれ、振動素子2の周波数測定に用いられる周波数測定用端子として機能する。このように、中継基板3に周波数測定用の端子389、399を配置することで、例えば、振動素子2を回路素子4に中継基板3を介して接合した状態(積層構造体10の状態)で、端子389、399を用いて振動素子2を駆動させ、発振周波数をモニターすることができるため、この状態で振動素子2の周波数を調整することができる。そのため、パッケージ5に配置する前に振動素子2の周波数調整を終えることができ、その後、ベース51(パッケージ5)に回路素子4を実装する場合、中継基板3と振動素子2に加わる実装ストレスが軽減され、周波数調整後の振動素子2の周波数変動が抑えられる。また、振動素子2の周波数が規格外であった場合でもパッケージ5が無駄となることがない。したがって、振動デバイス1によれば、製造コストの削減を図ることができる。   The terminals 389 and 399 each function as a frequency measurement terminal used to measure the frequency of the vibrating element 2. In this manner, by arranging the terminals 389 and 399 for frequency measurement on the relay substrate 3, for example, in a state where the vibration element 2 is joined to the circuit element 4 via the relay substrate 3 (state of the laminated structure 10) Since the oscillation frequency can be monitored by driving the vibration element 2 using the terminals 389 and 399, the frequency of the vibration element 2 can be adjusted in this state. Therefore, the frequency adjustment of the vibration element 2 can be finished before placing in the package 5, and thereafter, when the circuit element 4 is mounted on the base 51 (package 5), mounting stress applied to the relay substrate 3 and the vibration element 2 This reduces the frequency fluctuation of the vibrating element 2 after frequency adjustment. Further, even if the frequency of the vibration element 2 is out of the specification, the package 5 is not wasted. Therefore, according to the vibration device 1, the manufacturing cost can be reduced.

また、端子389、399は、中継基板3の平面視で、基板31の下面であって、回路素子4と重なり、振動素子2と重ならない領域に配置されている。本実施形態では、端子389、399は、中継基板3の平面視で、基板31の下面の振動素子2よりも外側の領域に配置されている。これにより、振動素子2の周波数を測定する際に、回路素子4や振動素子2に邪魔されることなく、端子389、399にプローブを押し当て易くなる。そのため、振動素子2の共振周波数の測定を容易に行うことができる。   Further, the terminals 389 and 399 are disposed on the lower surface of the substrate 31 in a plan view of the relay substrate 3 so as to overlap with the circuit element 4 and not to overlap with the vibrating element 2. In the present embodiment, the terminals 389 and 399 are disposed in a region outside the vibrating element 2 on the lower surface of the substrate 31 in plan view of the relay substrate 3. As a result, when measuring the frequency of the vibrating element 2, the probe can be easily pressed against the terminals 389 and 399 without being disturbed by the circuit element 4 or the vibrating element 2. Therefore, measurement of the resonant frequency of the vibration element 2 can be easily performed.

また、端子389は、支持部32の縁部321に配置されており、端子399は、支持部32の縁部322に配置されている。このように、端子389、399を支持部32に配置することで、平面視で、端子389、399を振動素子2から十分に離間させることができる。そのため、端子389、399にプローブをより押し当て易くなる。特に、本実施形態では、平面視で、端子389、399は、接続バンプB2と重なって配置されている。これにより、接続バンプB2によって端子389、399が支持され、端子389、399にプローブを押し当てた際の中継基板3の撓み(変形)を抑制することができる。そのため、振動素子2の周波数測定を行う際に、中継基板3の変形に起因して生じる応力(振動デバイス1の状態では生じない応力)が振動素子2に加わってしまうことを効果的に抑制することができる。したがって、振動素子2の周波数測定を高精度に行うことができる。   The terminal 389 is disposed at the edge 321 of the support 32, and the terminal 399 is disposed at the edge 322 of the support 32. Thus, by arranging the terminals 389 and 399 in the support portion 32, the terminals 389 and 399 can be sufficiently separated from the vibrating element 2 in a plan view. Therefore, it becomes easier to press the probe on the terminals 389 and 399. In particular, in the present embodiment, the terminals 389 and 399 overlap with the connection bumps B2 in plan view. As a result, the terminals 389 and 399 are supported by the connection bump B2, and bending (deformation) of the relay substrate 3 when the probe is pressed against the terminals 389 and 399 can be suppressed. Therefore, when the frequency of the vibration element 2 is measured, it is possible to effectively suppress the stress (stress which is not generated in the state of the vibration device 1) generated due to the deformation of the relay substrate 3 being applied to the vibration element 2 be able to. Therefore, the frequency measurement of the vibrating element 2 can be performed with high accuracy.

ただし、端子389、399の配置は、特に限定されず、例えば、共に縁部321に配置されていてもよいし、共に縁部322に配置されていてもよい。また、端子389、399は、縁部323、324に配置されていてもよいし、第1揺動部33に配置されていてもよいし、第2揺動部34に配置されていてもよい。   However, the arrangement of the terminals 389 and 399 is not particularly limited. For example, both of the terminals 389 and 399 may be arranged at the edge 321 or both. Further, the terminals 389 and 399 may be disposed at the edge portions 323 and 324, may be disposed at the first swinging portion 33, or may be disposed at the second swinging portion 34. .

以上、振動デバイス1について説明した。このような振動デバイス1は、前述したように、ベース51と、ベース51に取り付けられている回路素子4(第1中継基板)と、回路素子4に取り付けられている中継基板3(第2中継基板)と、回路素子4との間に中継基板3を挟むように配置され、中継基板3に取り付けられている振動素子2と、を有している。また、中継基板3は、振動素子2と電気的に接続されており、平面視で、回路素子4と重なり振動素子2と重ならない領域に位置している端子389、399を有している。このような構成によれば、端子389、399を介して振動素子2を駆動し、発振周波数をモニターすることができるため、パッケージ5に振動素子2(積層構造体10)を収納する前に振動素子2の周波数を調整することができる。その後、ベース51(パッケージ5)に回路素子4を実装する場合、中継基板3と振動素子2に加わる実装ストレスが軽減され、周波数調整後の振動素子2の周波数変動が抑えられる。また、仮に、振動素子2の周波数が規格外であった場合でも、少なくともパッケージ5が無駄にならない。したがって、振動デバイス1によれば、製造コストの削減を図ることができる。また、端子389、399を有することにより、振動素子2の周波数調整時に端子41を用いなくてもよい。そのため、端子41の汚染が抑制され、端子41と内部端子53との電気的な接続を良好なものとすることができる。なお、端子389、399が、平面視で、振動素子2と重ならない領域としては、平面視で、振動素子2の外側に位置していてもよい。   The vibration device 1 has been described above. As described above, such a vibration device 1 includes the base 51, the circuit element 4 (first relay board) attached to the base 51, and the relay board 3 (second relay) attached to the circuit element 4. The relay substrate 3 is disposed between the substrate and the circuit element 4 so as to sandwich the relay substrate 3, and includes the vibration element 2 attached to the relay substrate 3. Further, the relay substrate 3 is electrically connected to the vibrating element 2 and has terminals 389 and 399 positioned in a region overlapping the circuit element 4 and not overlapping the vibrating element 2 in plan view. According to such a configuration, since the vibration element 2 can be driven via the terminals 389 and 399 to monitor the oscillation frequency, vibration is performed before the vibration element 2 (laminated structure 10) is housed in the package 5 The frequency of the element 2 can be adjusted. Thereafter, when the circuit element 4 is mounted on the base 51 (package 5), mounting stress applied to the relay substrate 3 and the vibrating element 2 is reduced, and the frequency fluctuation of the vibrating element 2 after frequency adjustment is suppressed. Further, even if the frequency of the vibration element 2 is out of specification, at least the package 5 is not wasted. Therefore, according to the vibration device 1, the manufacturing cost can be reduced. Further, by providing the terminals 389 and 399, the terminal 41 may not be used when adjusting the frequency of the vibration element 2. Therefore, the contamination of the terminal 41 is suppressed, and the electrical connection between the terminal 41 and the internal terminal 53 can be made favorable. The terminals 389 and 399 may be located outside the vibrating element 2 in plan view as a region that does not overlap the vibrating element 2 in plan view.

また、前述したように、端子389、399は、中継基板3の振動素子2側の面(下面)に配置されている。これにより、振動素子2の周波数を調整する際に、回路素子4や振動素子2に邪魔されることなく、端子389、399にプローブを押し当て易くなる。そのため、振動素子2の共振周波数の調整を容易に行うことができる。   Further, as described above, the terminals 389 and 399 are disposed on the surface (lower surface) of the relay substrate 3 on the side of the vibrating element 2. As a result, when adjusting the frequency of the vibrating element 2, the probe can be easily pressed against the terminals 389 and 399 without being disturbed by the circuit element 4 or the vibrating element 2. Therefore, adjustment of the resonant frequency of the vibrating element 2 can be easily performed.

また、前述したように、中継基板3は、回路素子4に取り付けられている支持部32(第1部分)と、振動素子2が配置されている第2揺動部34(第2部分)と、支持部32と第2揺動部34とを接続する接続部37と、を有している。これにより、支持部32から第2揺動部34までの応力の伝達経路を長くすることができる。そのため、ベース51や回路素子4の変形により生じる応力が支持部32から第2揺動部34までの間に効果的に吸収・緩和され、第2揺動部34上の振動素子2に伝わってしまうことを効果的に抑制することができる。そのため、振動素子2の駆動特性の変化(特に共振周波数の変動)が起き難く、振動素子2は、優れた振動特性を発揮することができる。   Further, as described above, the relay substrate 3 includes the support portion 32 (first portion) attached to the circuit element 4 and the second swing portion 34 (second portion) in which the vibration element 2 is disposed. And a connection portion 37 connecting the support portion 32 and the second swinging portion 34. Thereby, the transmission path of the stress from the support part 32 to the 2nd rocking part 34 can be lengthened. Therefore, stress generated by deformation of the base 51 and the circuit element 4 is effectively absorbed / relaxed between the support portion 32 and the second rocking portion 34, and transmitted to the vibration element 2 on the second rocking portion 34. Can be effectively suppressed. Therefore, a change in the drive characteristics of the vibration element 2 (especially, a change in resonance frequency) hardly occurs, and the vibration element 2 can exhibit excellent vibration characteristics.

特に、本実施形態では、接続部37は、第1揺動部33(第3部分)と、支持部32と第1揺動部33とを第1軸L1上で接続する梁部35(第1梁部)と、第1揺動部33と第2揺動部34とを第1軸L1と交差する第2軸L2上で接続する梁部36(第2梁部)と、を有している。これにより、支持部32から第2揺動部34までの応力の伝達経路を蛇行させることができるため、前記伝達経路がより長くなる。そのため、ベース51の変形により生じる応力が支持部32から第2揺動部34までの間により効果的に吸収・緩和され、第2揺動部34上の振動素子2に伝わってしまうことをより効果的に抑制することができる。そのため、振動素子2の駆動特性の変化(特に共振周波数の変動)がより起き難く、振動素子2は、より優れた振動特性を発揮することができる。   In particular, in the present embodiment, the connection portion 37 includes the beam portion 35 (third portion) which connects the first swing portion 33 (third portion), the support portion 32 and the first swing portion 33 on the first axis L1. 1 beam portion), and a beam portion 36 (second beam portion) connecting the first swinging portion 33 and the second swinging portion 34 on a second axis L2 intersecting the first axis L1. ing. Thereby, since the transmission path of the stress from the support portion 32 to the second rocking portion 34 can be made to meander, the transmission path becomes longer. Therefore, stress generated by deformation of the base 51 is more effectively absorbed and relaxed between the support portion 32 and the second rocking portion 34, and transmitted to the vibrating element 2 on the second rocking portion 34. It can be effectively suppressed. Therefore, the change of the drive characteristic of the vibration element 2 (especially the fluctuation of the resonance frequency) is less likely to occur, and the vibration element 2 can exhibit more excellent vibration characteristics.

また、前述したように、支持部32は、枠状をなし、第1揺動部33は、枠状をなすと共に、支持部32の内側に位置し、第2揺動部34は、第1揺動部33の内側に位置している。これにより、第1、第2揺動部33、34を省スペースで配置することができ、中継基板3の小型化を図ることができる。ただし、中継基板3の構成としては、これに限定されず、例えば、第1、第2揺動部33、34が支持部32の外側に配置されていてもよい。   In addition, as described above, the support portion 32 has a frame shape, and the first swinging portion 33 has a frame shape, and is positioned inside the support portion 32, and the second swing portion 34 has a first shape. It is located inside the rocking portion 33. As a result, the first and second rocking portions 33 and 34 can be disposed in a space-saving manner, and the relay substrate 3 can be miniaturized. However, the configuration of the relay substrate 3 is not limited to this. For example, the first and second swinging portions 33 and 34 may be disposed outside the support portion 32.

また、前述したように、支持部32は、第1軸L1に交差する方向であって、第1軸L1に対して両側において接続バンプB2(接合部材)を介して回路素子4に取り付けられている。これにより、中継基板3が回路素子4に安定した姿勢で支持される。そのため、振動素子2の姿勢が安定し、振動特性が向上する。   Further, as described above, the support portion 32 is attached to the circuit element 4 via the connection bumps B2 (bonding member) on both sides with respect to the first axis L1 in the direction intersecting the first axis L1. There is. Thus, the relay substrate 3 is supported by the circuit element 4 in a stable posture. Therefore, the posture of the vibration element 2 is stabilized, and the vibration characteristic is improved.

また、前述したように、端子389、399は、平面視で、接続バンプB2と重なって配置されている。これにより、接続バンプB2によって端子389、399が支持され、端子389、399にプローブを押し当てた際の中継基板3の撓み(変形)を抑制することができる。そのため、振動素子2の周波数調整を行う際に、中継基板3の変形に起因して生じる応力(振動デバイス1の状態では生じない応力)が振動素子2に加わってしまうことを効果的に抑制することができる。したがって、振動素子2の周波数調整を高精度に行うことができる。   Further, as described above, the terminals 389 and 399 are disposed to overlap with the connection bump B2 in plan view. As a result, the terminals 389 and 399 are supported by the connection bump B2, and bending (deformation) of the relay substrate 3 when the probe is pressed against the terminals 389 and 399 can be suppressed. Therefore, when the frequency adjustment of the vibration element 2 is performed, it is possible to effectively suppress the stress (stress which is not generated in the state of the vibration device 1) generated due to the deformation of the relay substrate 3 being applied to the vibration element 2 be able to. Therefore, the frequency adjustment of the vibrating element 2 can be performed with high accuracy.

また、前述したように、回路素子4のベース51に取り付けられるための接合部(複数の端子41)は、平面視で、中継基板3および振動素子2と重ならない領域に配置されている。これにより、パッケージ5の変形により生じる応力が中継基板3や振動素子2に伝わり難くなる。そのため、中継基板3と振動素子2に加わる実装ストレスが軽減され、振動素子2の周波数変動が抑えられる。   Further, as described above, the bonding portions (the plurality of terminals 41) to be attached to the base 51 of the circuit element 4 are disposed in a region not overlapping with the relay substrate 3 and the vibrating element 2 in plan view. As a result, the stress generated by the deformation of the package 5 is less likely to be transmitted to the relay substrate 3 and the vibrating element 2. Therefore, the mounting stress applied to the relay substrate 3 and the vibrating element 2 is reduced, and the frequency fluctuation of the vibrating element 2 is suppressed.

また、前述したように、振動デバイス1は、ベース51との間に回路素子4、中継基板3および振動素子2(積層構造体10)を収納するようにベース51に接合されているリッド52(蓋体)を有している。これにより、回路素子4、中継基板3および振動素子2(積層構造体10)を衝撃、埃、熱、湿気(水分)等から好適に保護することができる。   Further, as described above, the vibration device 1 is joined to the base 51 so as to house the circuit element 4, the relay substrate 3 and the vibration element 2 (the laminated structure 10) between the base 51 and the lid 52 ( Have a lid). Thereby, the circuit element 4, the relay substrate 3 and the vibrating element 2 (laminated structure 10) can be suitably protected from impact, dust, heat, moisture (water) and the like.

また、前述したように、振動デバイス1では、第1中継基板は、振動素子2の駆動回路49を有する回路素子4である。これにより、振動素子2を容易に駆動することができる。   Further, as described above, in the vibration device 1, the first relay substrate is the circuit element 4 including the drive circuit 49 of the vibration element 2. Thereby, the vibration element 2 can be driven easily.

次に、上述した振動デバイス1の製造方法(振動素子2の周波数調整方法)について説明する。振動デバイス1の製造方法は、図12に示すように、振動素子2が形成されたウエハ20を準備するウエハ準備工程S1と、ウエハ20の状態で振動素子2の周波数を測定する第1周波数測定工程S2と、ウエハ20から振動素子2を離脱させる離脱工程S3と、中継基板3を介して振動素子2を回路素子4に配置して積層構造体10を得る積層構造体形成工程S4と、振動素子2の周波数を測定する第2周波数測定工程S5と、積層構造体10をベース51に配置する積層構造体固定工程S6と、ベース51にリッド52を接合するリッド接合工程S7と、を有している。以下、これら各工程について順次説明する。   Next, a method of manufacturing the above-described vibration device 1 (a method of adjusting the frequency of the vibration element 2) will be described. In the method of manufacturing the vibration device 1, as shown in FIG. 12, a wafer preparation step S1 of preparing a wafer 20 on which the vibration element 2 is formed, and a first frequency measurement of measuring the frequency of the vibration element 2 in the wafer 20 state. Step S2; separating step S3 for separating the vibrator element 2 from the wafer 20; laminated structure forming step S4 for arranging the vibrator element 2 on the circuit element 4 via the relay substrate 3; It has a second frequency measurement step S5 of measuring the frequency of the element 2, a laminated structure fixing step S6 of arranging the laminated structure 10 on the base 51, and a lid bonding step S7 of bonding the lid 52 to the base 51. ing. Each of these steps will be sequentially described below.

[ウエハ準備工程S1]
まず、ATカット水晶板からなる薄板状のウエハ20を準備し、ウエハ20をエッチング(ドライエッチング、ウェットエッチング等)によってパターニングすることで、ウエハ20内に複数の振動基板21を形成する。次に、振動基板21の表面に金属膜を成膜し、金属膜をエッチング(ドライエッチング、ウェットエッチング等)によりパターニングすることで、振動基板21上に電極22を形成する。これにより、図13に示すように、複数の振動素子2が形成されたウエハ20が得られる。なお、ウエハ20の状態では、振動素子2を支えているフレームの部分に振動素子2から電極22が引き出されており、当該部分にプローブ(電極ピン)を当てることで、ウエハ20上で振動素子2を駆動できるようになっている。
[Wafer preparation step S1]
First, a thin wafer 20 made of an AT-cut quartz plate is prepared, and the wafer 20 is patterned by etching (dry etching, wet etching or the like) to form a plurality of vibration substrates 21 in the wafer 20. Next, a metal film is formed on the surface of the vibrating substrate 21, and the metal film is patterned by etching (dry etching, wet etching or the like) to form the electrode 22 on the vibrating substrate 21. Thereby, as shown in FIG. 13, the wafer 20 in which the some vibration element 2 was formed is obtained. In the state of the wafer 20, the electrode 22 is drawn from the vibrating element 2 to the portion of the frame supporting the vibrating element 2, and the probe (electrode pin) is applied to the portion to vibrate the vibrating element on the wafer 20. It is designed to be able to drive two.

[第1周波数測定工程S2]
次に、ウエハ20上で各振動素子2の周波数を測定し、その結果に応じて各振動素子2の周波数調整を行う。具体的には、図14に示すように、マスクMを介して励振電極221にイオンビームIBを照射し、励振電極221の一部を除去(膜厚を薄く)することで振動素子2の周波数を調整する。イオンビームIBの照射は、プローブを介して振動素子2に駆動信号を印加し、振動素子2を駆動させ、振動素子2の共振周波数を測定しつつ行うことが好ましい。これにより、振動素子2の共振周波数を所定値に合わせ込み易くなる。なお、振動素子2の共振周波数の測定方法としては、特に限定されないが、例えば、振動素子2へ印加する駆動信号の周波数をFFTアナライザーにより変更しながら、振動素子2の振幅を周波数LDV(レーザードップラーベロシティ流速計)で測定することにより、振動素子2の共振周波数を測定することができる。
[First Frequency Measurement Step S2]
Next, the frequency of each vibrating element 2 is measured on the wafer 20, and the frequency adjustment of each vibrating element 2 is performed according to the result. Specifically, as shown in FIG. 14, the excitation electrode 221 is irradiated with the ion beam IB through the mask M, and a part of the excitation electrode 221 is removed (film thickness is reduced), so that the frequency of the vibrating element 2 is obtained. Adjust the The irradiation of the ion beam IB is preferably performed while applying a drive signal to the vibrating element 2 through the probe to drive the vibrating element 2 and measuring the resonant frequency of the vibrating element 2. As a result, the resonance frequency of the vibration element 2 can be easily adjusted to a predetermined value. The method of measuring the resonant frequency of the vibrating element 2 is not particularly limited. For example, while changing the frequency of the drive signal applied to the vibrating element 2 with an FFT analyzer, the amplitude of the vibrating element 2 is The resonant frequency of the vibrating element 2 can be measured by measuring with a velocity flow velocity meter.

本工程による振動素子2の周波数調整量としては、特に限定されないが、例えば、調整前の振動素子2の共振周波数と目的の共振周波数との差がΔf[Hz]であった場合、0.25Δf以上0.75Δf以下であることが好ましく、0.4Δf以上0.6Δf以下であることがより好ましく、0.5Δfであることがさらに好ましい。これにより、本工程において、十分に振動素子2の周波数を調整することができる。また、本工程での周波数調整のし過ぎが防止され、後に行う第2周波数測定工程S5において、より確実に、振動素子2の周波数を目的の周波数に合わせ込むことができる。   The frequency adjustment amount of the vibration element 2 in this step is not particularly limited, but for example, when the difference between the resonance frequency of the vibration element 2 before adjustment and the target resonance frequency is Δf [Hz], 0.25 Δf It is preferably not less than 0.75 Δf, more preferably not less than 0.4 Δf and not more than 0.6 Δf, and still more preferably 0.5 Δf. Thereby, in this process, the frequency of the vibrating element 2 can be sufficiently adjusted. In addition, the frequency adjustment in this process is prevented from being excessive, and the frequency of the vibration element 2 can be more reliably matched with the target frequency in the second frequency measurement process S5 to be performed later.

なお、本実施形態では、イオンビームIBを励振電極221に照射して励振電極221の一部を除去することで振動素子2の周波数を調整しているが、これに限定されず、イオンビームIBを励振電極222に照射して励振電極222の一部を除去することで振動素子2の周波数を調整してもよいし、イオンビームIBを励振電極221、222の両方に照射して励振電極221、222の一部をそれぞれ除去することで振動素子2の周波数を調整してもよい。また、本実施形態では、振動素子2の共振周波数を測定しつつ励振電極221にイオンビームIBを照射しているが、これに限定されず、例えば、振動素子2の共振周波数を測定する工程と、励振電極221にイオンビームIBを照射する工程と、を交互に繰り返してもよい。   In the present embodiment, the frequency of the vibrating element 2 is adjusted by irradiating the ion beam IB to the excitation electrode 221 and removing a part of the excitation electrode 221. However, the present invention is not limited to this. The frequency of the vibration element 2 may be adjusted by irradiating the excitation electrode 222 to remove the part of the excitation electrode 222, or by irradiating the ion beam IB to both of the excitation electrodes 221 and 222 to excite the excitation electrode 221. , 222 may be removed to adjust the frequency of the vibration element 2. Further, in the present embodiment, the excitation electrode 221 is irradiated with the ion beam IB while measuring the resonant frequency of the vibrating element 2, but the present invention is not limited thereto. For example, a process of measuring the resonant frequency of the vibrating element 2 The step of irradiating the excitation electrode 221 with the ion beam IB may be repeated alternately.

[離脱工程S3]
次に、ウエハ20から振動素子2を折り取って、ウエハ20から振動素子2を離脱させる。ただし、ウエハ20から振動素子2を離脱させる方法としては、特に限定されず、例えば、切り取ってもよい。
[Separating step S3]
Next, the vibrating element 2 is broken from the wafer 20 and the vibrating element 2 is detached from the wafer 20. However, the method of separating the vibration element 2 from the wafer 20 is not particularly limited, and may be cut, for example.

[積層構造体形成工程S4]
次に、図15に示すように、接続バンプB3を介して振動素子2を中継基板3に固定すると共に接続バンプB2を介して中継基板3を回路素子4に固定する。これにより、回路素子4、中継基板3および振動素子2が積層体された積層構造体10が得られる。なお、振動素子2は、励振電極221が回路素子4側を向くようにして中継基板3に固定される。これにより、後の第2周波数測定工程S5において、励振電極222にイオンビームIBを照射できるようになるため、第1、第2周波数測定工程S2、S5によって、励振電極221、222をバランスよく加工することができる。
[Laminated Structure Forming Step S4]
Next, as shown in FIG. 15, the vibrating element 2 is fixed to the relay substrate 3 via the connection bumps B3, and the relay substrate 3 is fixed to the circuit element 4 via the connection bumps B2. Thereby, the laminated structure 10 in which the circuit element 4, the relay substrate 3 and the vibration element 2 are laminated is obtained. The vibrating element 2 is fixed to the relay substrate 3 such that the excitation electrode 221 faces the circuit element 4 side. Thus, the excitation electrode 222 can be irradiated with the ion beam IB in the subsequent second frequency measurement step S5, so the excitation electrodes 221 and 222 are processed in a well-balanced manner by the first and second frequency measurement steps S2 and S5. can do.

[第2周波数測定工程S5]
次に、積層構造体10の状態で振動素子2の周波数を測定し、その結果に応じて振動素子2の周波数調整を行う。なお、例えば、第1周波数測定工程S2において振動素子2の周波数を所定値に調整し終えないのは、振動素子2を中継基板3に固定し、中継基板3を回路素子4に固定することで、実装ストレスが生じ、振動素子2の周波数が変化する場合があるためであり、本工程を行うことで、振動素子2の周波数をより精度よく調整することができる。
[Second Frequency Measurement Step S5]
Next, the frequency of the vibrating element 2 is measured in the state of the laminated structure 10, and the frequency adjustment of the vibrating element 2 is performed according to the result. For example, the reason why the frequency of the vibrating element 2 is not adjusted to a predetermined value in the first frequency measurement step S2 is that the vibrating element 2 is fixed to the relay board 3 and the relay board 3 is fixed to the circuit element 4. This is because mounting stress may occur and the frequency of the vibrating element 2 may change. By performing this process, the frequency of the vibrating element 2 can be adjusted more accurately.

本工程では、図16に示すように、マスクMを介して励振電極222にイオンビームIBを照射し、励振電極222の一部を除去(膜厚を薄く)することで振動素子2の周波数を調整する。また、本工程は、例えば、図17に示すような治具9に積層構造体10を載置した状態で行われる。治具9は、プローブ91を有しており、治具9に積層構造体10を載置すると、中継基板3の端子389、399にプローブ91が接触するようになっている。また、治具9は、振動素子2との接触を避けるための開口部92を有している。このような治具9によれば、プローブ91を介して振動素子2に駆動信号を印加することができるため、振動素子2の周波数調整を容易に行うことができる。なお、前述したように、端子389、399は、振動素子2と重ならない領域に配置されているため、積層構造体10は、端子389、399にプローブ91を接触させ易い構造となっている。   In this step, as shown in FIG. 16, the excitation electrode 222 is irradiated with the ion beam IB through the mask M, and a part of the excitation electrode 222 is removed (film thickness is reduced). adjust. Moreover, this process is performed in the state which mounted the laminated structure 10 in the jig | tool 9 as shown in FIG. 17, for example. The jig 9 has a probe 91, and when the laminated structure 10 is placed on the jig 9, the probe 91 is in contact with the terminals 389 and 399 of the relay substrate 3. Further, the jig 9 has an opening 92 for avoiding contact with the vibration element 2. According to such a jig 9, since a drive signal can be applied to the vibrating element 2 via the probe 91, frequency adjustment of the vibrating element 2 can be easily performed. As described above, since the terminals 389 and 399 are disposed in a region not overlapping the vibrating element 2, the laminated structure 10 has a structure in which the probes 91 can be easily brought into contact with the terminals 389 and 399.

イオンビームIBの照射は、プローブ91を介して振動素子2に駆動信号を印加し、振動素子2を駆動させ、振動素子2の共振周波数を測定しつつ行うことが好ましい。これにより、振動素子2の共振周波数を所定値に合わせ込み易くなる。なお、振動素子2の共振周波数の測定方法としては、特に限定されず、例えば、前述した第1周波数測定工程S2と同じ方法を用いることができる。   The irradiation of the ion beam IB is preferably performed while applying a drive signal to the vibrating element 2 via the probe 91 to drive the vibrating element 2 and measuring the resonant frequency of the vibrating element 2. As a result, the resonance frequency of the vibration element 2 can be easily adjusted to a predetermined value. In addition, it does not specifically limit as a measuring method of the resonant frequency of the vibrating element 2, For example, the same method as 1st frequency measurement process S2 mentioned above can be used.

ここで、第1周波数測定工程S2において振動素子2の周波数をある程度調整しているため、本工程での周波数調整量が減り、その分、イオンビームIBによる中継基板3および回路素子4へのアタックが減る。そのため、中継基板3および回路素子4のダメージを低減することができ、中継基板3および回路素子4の破損(故障)を効果的に抑制することができる。   Here, since the frequency of the vibrating element 2 is adjusted to some extent in the first frequency measurement step S2, the amount of frequency adjustment in this step is reduced, and the attack on the relay substrate 3 and the circuit element 4 by the ion beam IB is correspondingly Is reduced. Therefore, damage to the relay substrate 3 and the circuit element 4 can be reduced, and breakage (failure) of the relay substrate 3 and the circuit element 4 can be effectively suppressed.

また、第1周波数測定工程S2では励振電極221を加工しており、第2周波数測定工程S5では励振電極222を加工している。これにより、励振電極221、222をバランスよく加工することができ、励振電極221、222の質量差を小さく抑えることができる。そのため、安定した駆動が可能な振動素子2が得られる。特に、第1周波数測定工程S2において、0.5Δf程度の周波数調整を行い、第2周波数測定工程において、残りの0.5Δf程度の周波数調整を行うことで、励振電極221、222の質量差をさらに小さく抑えることができる。   The excitation electrode 221 is processed in the first frequency measurement step S2, and the excitation electrode 222 is processed in the second frequency measurement step S5. Thus, the excitation electrodes 221 and 222 can be processed in a well-balanced manner, and the mass difference between the excitation electrodes 221 and 222 can be reduced. Therefore, the vibration element 2 capable of stable driving can be obtained. In particular, the frequency adjustment of about 0.5 Δf is performed in the first frequency measurement step S2, and the frequency adjustment of the remaining 0.5 Δf is performed in the second frequency measurement step, so that the mass difference between the excitation electrodes 221 and 222 is It can be further reduced.

なお、本実施形態では、イオンビームIBを励振電極222に照射して励振電極222の一部を除去することで振動素子2の周波数を調整しているが、これに限定されず、イオンビームIBを励振電極221に照射して励振電極221の一部を除去することで振動素子2の周波数を調整してもよい。この場合は、積層構造体形成工程S4において、励振電極222が回路素子4側を向くように、振動素子2を中継基板3に固定すればよい。また、本実施形態では、振動素子2の共振周波数を測定しつつ励振電極222にイオンビームIBを照射しているが、これに限定されず、例えば、振動素子2の共振周波数を測定する工程と、励振電極222にイオンビームIBを照射する工程と、を交互に繰り返してもよい。   In the present embodiment, the frequency of the vibrating element 2 is adjusted by irradiating the ion beam IB to the excitation electrode 222 and removing a part of the excitation electrode 222. However, the present invention is not limited to this. The frequency of the vibrating element 2 may be adjusted by irradiating the excitation electrode 221 with a part of the excitation electrode 221 to remove the part of the excitation electrode 221. In this case, the vibrating element 2 may be fixed to the relay substrate 3 so that the excitation electrode 222 faces the circuit element 4 in the laminated structure forming step S4. Further, in the present embodiment, the excitation electrode 222 is irradiated with the ion beam IB while measuring the resonant frequency of the vibrating element 2, but the present invention is not limited thereto. For example, a process of measuring the resonant frequency of the vibrating element 2 The step of irradiating the excitation electrode 222 with the ion beam IB may be repeated alternately.

[積層構造体固定工程S6]
次に、図18に示すように、接続バンプB1を介して回路素子4をベース51に固定する。なお、前述したように、中継基板3を介して振動素子2が回路素子4に固定されているため、ベース51や回路素子4からの応力が振動素子2に加わり難い。そのため、回路素子4をベース51に固定することによる振動素子2の周波数が変化し難く(変化しても微量であり)、ベース51に回路素子4を固定した後に、さらに振動素子2の周波数を調整する必要が無い。したがって、ベース51に振動素子2を固定する前に振動素子2の周波数を調整し終えることができ、仮に、振動素子2の周波数が規格外であった場合でも、積層構造体10の段階で破棄等することができ、少なくともベース51が無駄になることがない。したがって、このような製造方法によれば、振動デバイス1の製造コストの低減を図ることができる。
[Laminated structure fixing step S6]
Next, as shown in FIG. 18, the circuit element 4 is fixed to the base 51 via the connection bumps B1. As described above, since the vibrating element 2 is fixed to the circuit element 4 via the relay substrate 3, stress from the base 51 or the circuit element 4 is not easily applied to the vibrating element 2. Therefore, it is difficult to change the frequency of the vibration element 2 by fixing the circuit element 4 to the base 51 (it is a slight amount even if it changes), and after fixing the circuit element 4 to the base 51, the frequency of the vibration element 2 is further There is no need to adjust. Therefore, it is possible to finish adjusting the frequency of the vibrating element 2 before fixing the vibrating element 2 to the base 51. Even if the frequency of the vibrating element 2 is out of specification, discarding at the stage of the laminated structure 10 And at least the base 51 is not wasted. Therefore, according to such a manufacturing method, the manufacturing cost of the vibration device 1 can be reduced.

[リッド接合工程S7]
次に、図19に示すように、ベース51にリッド52を接合する。これにより、積層構造体10を収納するパッケージ5が形成され、振動デバイス1が得られる。
[Lid bonding step S7]
Next, as shown in FIG. 19, the lid 52 is joined to the base 51. Thereby, the package 5 which accommodates the laminated structure 10 is formed, and the vibration device 1 is obtained.

以上、振動デバイス1の製造方法について説明した。このような振動デバイス1の製造方法は、前述したように、回路素子4と、回路素子4に取り付けられている中継基板3と、回路素子4との間に中継基板3を挟むように配置され、中継基板3に取り付けられている振動素子2と、を有する積層構造体10を準備する工程(積層構造体形成工程S4)と、振動素子2の周波数を測定する工程(第2周波数測定工程S5)と、を有している。また、中継基板3は、振動素子2と電気的に接続されており、平面視で、回路素子4と重なり振動素子2と重ならない領域に位置している端子389、399を有している。そして、振動素子2の周波数を測定する工程(第2周波数測定工程S5)では、端子389、399を介して振動素子2の周波数測定を行っている。このような方法によれば、端子389、399を介して振動素子2を駆動し、発振周波数をモニターすることができるため、パッケージ5に振動素子2(積層構造体10)を収納する前に振動素子2の周波数を調整することができる。その後、ベース51(パッケージ5)に回路素子4を実装する場合、中継基板3と振動素子2に加わる実装ストレスが軽減され、周波数調整後の振動素子2の周波数変動が抑えられる。また、仮に、振動素子2の周波数が規格外であった場合でも、ベース51に固定する前に破棄等することができ、少なくともベース51が無駄になることがない。したがって、このような製造方法によれば、振動デバイス1の製造コストの削減を図ることができる。また、端子389、399を有することで、第2周波数測定工程S5において端子41を用いなくてもよい。そのため、端子41の汚染が抑制され、積層構造体固定工程S6において、より確実にかつ低抵抗で、端子41と内部端子53とを電気的に接続することができる。   Heretofore, the manufacturing method of the vibration device 1 has been described. As described above, the method of manufacturing such a vibration device 1 is arranged so as to sandwich the relay substrate 3 between the circuit element 4, the relay substrate 3 attached to the circuit element 4, and the circuit element 4. The step of preparing the laminated structure 10 having the resonator element 2 attached to the relay substrate 3 (the laminated structure forming step S4) and the step of measuring the frequency of the resonator element 2 (the second frequency measuring step S5 ) And. Further, the relay substrate 3 is electrically connected to the vibrating element 2 and has terminals 389 and 399 positioned in a region overlapping the circuit element 4 and not overlapping the vibrating element 2 in plan view. Then, in the step of measuring the frequency of the vibrating element 2 (second frequency measuring step S5), the frequency measurement of the vibrating element 2 is performed via the terminals 389 and 399. According to such a method, since the vibration element 2 can be driven via the terminals 389 and 399 to monitor the oscillation frequency, vibration is performed before the vibration element 2 (laminated structure 10) is accommodated in the package 5 The frequency of the element 2 can be adjusted. Thereafter, when the circuit element 4 is mounted on the base 51 (package 5), mounting stress applied to the relay substrate 3 and the vibrating element 2 is reduced, and the frequency fluctuation of the vibrating element 2 after frequency adjustment is suppressed. Even if the frequency of the vibration element 2 is out of specification, it can be discarded before fixing to the base 51, and at least the base 51 is not wasted. Therefore, according to such a manufacturing method, the manufacturing cost of the vibration device 1 can be reduced. Further, the terminals 389 and 399 do not have to be used in the second frequency measurement step S5. Therefore, the contamination of the terminal 41 is suppressed, and in the laminated structure fixing step S6, the terminal 41 and the internal terminal 53 can be electrically connected more reliably and at low resistance.

また、前述したように、振動デバイス1の製造方法は、積層構造体10を準備する積層構造体形成工程S4に先立って行われ、中継基板3に支持されていない状態で振動素子2の周波数を測定する第1周波数測定工程S2を有している。これにより、第2周波数測定工程S5での周波数調整量が減り、その分、イオンビームIBによる中継基板3や回路素子4へのアタックが減る。そのため、第2周波数測定工程S5で受ける中継基板3や回路素子4のダメージを低減することができ、中継基板3や回路素子4の破損(故障)を効果的に抑制することができる。   Further, as described above, the method of manufacturing the vibration device 1 is performed prior to the laminated structure forming step S4 of preparing the laminated structure 10, and the frequency of the vibration element 2 is not supported by the relay substrate 3 It has 1st frequency measurement process S2 to measure. As a result, the amount of frequency adjustment in the second frequency measurement step S5 is reduced, and the attack on the relay substrate 3 and the circuit element 4 by the ion beam IB is reduced accordingly. Therefore, damage to the relay substrate 3 and the circuit element 4 received in the second frequency measurement step S5 can be reduced, and damage (failure) of the relay substrate 3 and the circuit element 4 can be effectively suppressed.

また、前述したように、振動素子2は、振動基板21と、振動基板21の一方の主面に配置されている励振電極221(第1励振電極)と、他方の主面に配置されている励振電極222(第2励振電極)と、を有している。そして、中継基板3に支持されていない状態で振動素子2の周波数を測定する第1周波数測定工程S2では、励振電極221を加工し、積層構造体10の状態で振動素子2の周波数を測定する第2周波数測定工程S5では、励振電極222を加工している。これにより、励振電極221、222をバランスよく加工することができ、励振電極221、222の質量差を小さく抑えることができる。そのため、安定した駆動が可能な振動素子2が得られる。   Further, as described above, the vibration element 2 is arranged on the vibration substrate 21 and the excitation electrode 221 (first excitation electrode) arranged on one main surface of the vibration substrate 21 and the other main surface. And an excitation electrode 222 (second excitation electrode). And in 1st frequency measurement process S2 which measures the frequency of vibration element 2 in the state where it is not supported by relay board 3, excitation electrode 221 is processed and the frequency of vibration element 2 is measured in the state of laminated structure 10 In the second frequency measurement step S5, the excitation electrode 222 is processed. Thus, the excitation electrodes 221 and 222 can be processed in a well-balanced manner, and the mass difference between the excitation electrodes 221 and 222 can be reduced. Therefore, the vibration element 2 capable of stable driving can be obtained.

また、前述したように、振動デバイス1の製造方法は、積層構造体10の状態で振動素子2の周波数を測定する第2周波数測定工程S5の後に行われ、回路素子4をベース51に配置する積層構造体固定工程S6と、ベース51との間に積層構造体10を収納するように、ベース51にリッド52(蓋体)を接合するリッド接合工程S7と、を有している。これにより、積層構造体10を水分、埃、衝撃等から保護することができる。   Further, as described above, the method of manufacturing the vibration device 1 is performed after the second frequency measurement step S5 of measuring the frequency of the vibration element 2 in the state of the laminated structure 10, and places the circuit element 4 on the base 51. It has a lid bonding step S7 of bonding the lid 52 (lid) to the base 51 so as to store the multilayer structure 10 between the stacked structure fixing step S6 and the base 51. Thereby, the laminated structure 10 can be protected from moisture, dust, impact, and the like.

<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る電子機器について説明する。
Second Embodiment
Next, an electronic device according to a second embodiment of the present invention will be described.

図20は、本発明の第2実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。   FIG. 20 is a perspective view showing an electronic device according to a second embodiment of the present invention.

図20に示すモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューター1100は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したものである。この図において、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を備えた表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に取り付けられている。このようなパーソナルコンピューター1100には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス1が内蔵されている。   A mobile type (or notebook type) personal computer 1100 shown in FIG. 20 is an application of an electronic device provided with the vibration device of the present invention. In this figure, the personal computer 1100 comprises a main unit 1104 having a keyboard 1102 and a display unit 1106 having a display unit 1108. The display unit 1106 is rotated relative to the main unit 1104 via a hinge structure. It is mounted movable. Such a personal computer 1100 incorporates, for example, a vibrating device 1 used as an oscillator.

このようなパーソナルコンピューター1100(電子機器)は、振動デバイス1を有している。そのため、前述した振動デバイス1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。   Such a personal computer 1100 (electronic device) has the vibration device 1. Therefore, the effects of the vibration device 1 described above can be obtained, and high reliability can be exhibited.

<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態に係る電子機器について説明する。
Third Embodiment
Next, an electronic device according to a third embodiment of the present invention will be described.

図21は、本発明の第3実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。   FIG. 21 is a perspective view showing an electronic device according to a third embodiment of the present invention.

図21に示す携帯電話機1200(PHSも含む)は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したものである。携帯電話機1200は、アンテナ(図示せず)、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1208が配置されている。このような携帯電話機1200には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス1が内蔵されている。   A mobile phone 1200 (including a PHS) shown in FIG. 21 is an application of an electronic device provided with the vibration device of the present invention. The mobile phone 1200 includes an antenna (not shown), a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204, and a mouthpiece 1206. A display unit 1208 is disposed between the operation button 1202 and the earpiece 1204. . Such a mobile phone 1200 incorporates, for example, a vibrating device 1 used as an oscillator.

このような携帯電話機1200(電子機器)は、振動デバイス1を有している。そのため、前述した振動デバイス1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。   Such a mobile phone 1200 (electronic device) includes the vibration device 1. Therefore, the effects of the vibration device 1 described above can be obtained, and high reliability can be exhibited.

<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態に係る電子機器について説明する。
Fourth Embodiment
Next, an electronic device according to a fourth embodiment of the present invention will be described.

図22は、本発明の第4実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。   FIG. 22 is a perspective view showing an electronic device according to a fourth embodiment of the present invention.

図22に示すデジタルスチールカメラ1300は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したものである。ケース(ボディー)1302の背面には表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。そして、撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押すと、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。このようなデジタルスチールカメラ1300には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス1が内蔵されている。   The digital still camera 1300 shown in FIG. 22 is an application of an electronic device provided with the vibration device of the present invention. A display unit 1310 is provided on the back of the case (body) 1302, and is configured to perform display based on an imaging signal from a CCD, and the display unit 1310 functions as a finder for displaying an object as an electronic image. A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side (the rear side in the drawing) of the case 1302. Then, when the photographer confirms the subject image displayed on the display unit 1310 and presses the shutter button 1306, the imaging signal of the CCD at that time is transferred and stored in the memory 1308. Such a digital still camera 1300 incorporates, for example, the vibration device 1 used as an oscillator.

このようなデジタルスチールカメラ1300(電子機器)は、振動デバイス1を有している。そのため、前述した振動デバイス1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。   Such a digital still camera 1300 (electronic device) has the vibration device 1. Therefore, the effects of the vibration device 1 described above can be obtained, and high reliability can be exhibited.

なお、本発明の電子機器は、前述したパーソナルコンピューター、携帯電話機およびデジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計(スマートウォッチを含む)、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンタ)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、HMD(ヘッドマウントディスプレイ)等のウェアラブル端末、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、移動体端末基地局用機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター、ネットワークサーバー等に適用することができる。   The electronic device according to the present invention may be, for example, a smartphone, a tablet terminal, a watch (including a smart watch), an inkjet discharge device (for example, an inkjet printer), in addition to the personal computer, the mobile phone and the digital still camera described above. Laptop type personal computers, TVs, wearable terminals such as HMDs (head mounted displays), video cameras, video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic organizers (including communication functions), electronic dictionaries, calculators, electronic game devices , Word processor, work station, video phone, television monitor for crime prevention, electronic binoculars, POS terminal, medical equipment (eg electronic thermometer, sphygmomanometer, blood glucose meter, electrocardiogram measuring device, ultrasound diagnostic device, electronic endoscope), Group detector, various measuring instruments, mobile terminal the base station equipment, instruments (e.g., gages for vehicles, aircraft, and ships), a flight simulator, a network server or the like.

<第5実施形態>
次に、本発明の第5実施形態に係る移動体について説明する。
Fifth Embodiment
Next, a mobile unit according to a fifth embodiment of the present invention will be described.

図23は、本発明の第5実施形態に係る移動体を示す斜視図である。   FIG. 23 is a perspective view showing a mobile unit according to the fifth embodiment of the present invention.

図23に示す自動車1500は、本発明の振動デバイスを備える移動体を適用した自動車である。自動車1500には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス1が内蔵されている。振動デバイス1は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム(ABS)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム等の電子制御ユニット(ECU:electronic control unit)に広く適用できる。   An automobile 1500 shown in FIG. 23 is an automobile to which a mobile body provided with the vibration device of the present invention is applied. The automobile 1500 incorporates, for example, the vibration device 1 used as an oscillator. The vibration device 1 is, for example, keyless entry, immobilizer, car navigation system, car air conditioner, antilock brake system (ABS), air bag, tire pressure monitoring system (TPMS: Tire Pressure Monitoring System), engine control, hybrid The present invention can be widely applied to electronic control units (ECUs) such as battery monitors of automobiles and electric vehicles, and vehicle attitude control systems.

このような自動車1500(移動体)は、振動デバイス1を有している。そのため、前述した振動デバイス1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。   Such a car 1500 (mobile body) has the vibration device 1. Therefore, the effects of the vibration device 1 described above can be obtained, and high reliability can be exhibited.

なお、移動体としては、自動車1500に限定されず、例えば、飛行機、船舶、AGV(無人搬送車)、二足歩行ロボット、ドローン等の無人飛行機等にも適用することができる。   The moving body is not limited to the car 1500, and can be applied to, for example, an airplane, a ship, an AGV (unmanned carrier), a biped robot, an unmanned airplane such as a drone, and the like.

以上、本発明の振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の2以上の構成(特徴)を組み合わせたものであってもよい。   The vibration device, the method of manufacturing the vibration device, the electronic device, and the moving body according to the present invention have been described above based on the illustrated embodiments, but the present invention is not limited to this. It can be replaced with any configuration having a function. In addition, any other component may be added to the present invention. The present invention may be a combination of any two or more configurations (features) of the above-described embodiments.

また、前述した実施形態では、振動デバイスを発振器に適用した構成について説明したが、これに限定されず、例えば、振動デバイスを加速度、角速度等の物理量を検出可能な物理量センサーに適用してもよい。この場合、振動素子2として駆動振動モードと、受けた物理量に応じて励振される検出振動モードと、を有する素子を用い、回路素子4には、振動素子2を駆動振動モードで駆動させるための駆動回路と、振動素子2の検出振動モードから得られる信号に基づいて物理量を検出する検出回路と、を形成すればよい。   In the above-described embodiment, the configuration in which the vibration device is applied to the oscillator has been described. However, the present invention is not limited thereto. For example, the vibration device may be applied to a physical quantity sensor capable of detecting physical quantities such as acceleration and angular velocity. . In this case, an element having a drive vibration mode and a detection vibration mode excited according to the received physical quantity is used as the vibration element 2, and the circuit element 4 drives the vibration element 2 in the drive vibration mode. A drive circuit and a detection circuit for detecting a physical quantity based on a signal obtained from the detection vibration mode of the vibration element 2 may be formed.

1…振動デバイス、10…積層構造体、2…振動素子、20…ウエハ、21…振動基板、22…電極、221、222…励振電極、223、224…端子、225、226…配線、3…中継基板、31…基板、32…支持部、321、322、323、324…縁部、33…第1揺動部、331、332、333、334…縁部、34…第2揺動部、341、342、343、344…縁部、35、36…梁部、37…接続部、38…配線、381、382、389…端子、39…配線、391、392、399…端子、4…回路素子、40…能動面、41、42…端子、49…駆動回路、5…パッケージ、51…ベース、511…凹部、511a…第1凹部、511b…第2凹部、52…リッド、53…内部端子、54…外部端子、9…治具、91…プローブ、92…開口部、1100…パーソナルコンピューター、1102…キーボード、1104…本体部、1106…表示ユニット、1108…表示部、1200…携帯電話機、1202…操作ボタン、1204…受話口、1206…送話口、1208…表示部、1300…デジタルスチールカメラ、1302…ケース、1304…受光ユニット、1306…シャッターボタン、1308…メモリー、1310…表示部、1500…自動車、B1、B2、B3…接続バンプ、IB…イオンビーム、L1…第1軸、L2…第2軸、M…マスク、O…中心、S…収納空間、S1…ウエハ準備工程、S2…第1周波数測定工程、S3…離脱工程、S4…積層構造体形成工程、S5…第2周波数測定工程、S6…積層構造体固定工程、S7…リッド接合工程、θ…角度   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... vibration device, 10 ... laminated structure, 2 ... vibration element, 20 ... wafer, 21 ... vibration substrate, 22 ... electrode, 221, 222 ... excitation electrode, 223, 224 ... terminal, 225, 226 ... wiring, 3 ... Relay substrate, 31 ... substrate, 32 ... support portion, 321, 322, 323, 324 ... edge portion, 33 ... first swing portion, 331, 332, 333, 334 ... edge portion, 34 ... second swing portion, 341, 342, 343, 344: edge, 35, 36: beam, 37: connection, 38: wiring, 381, 382, 389, terminals, 39: wiring, 391, 392, 399, terminals, 4: circuit Element 40 40 active surface 41 42 terminal 49 drive circuit 5 package 51 base 51 511 concave portion 511 a first concave portion 511 b second concave portion 52 lid 53 internal terminal , 54 ... external terminal, 9 ... recovery , 91: probe, 92: opening, 1100: personal computer, 1102: keyboard, 1104: main body, 1106: display unit, 1108: display, 1200: mobile phone, 1202: operation button, 1204: earpiece, 1206 ... A mouthpiece, 1208 ... display unit, 1300 ... digital still camera, 1302 ... case, 1304 ... light receiving unit, 1306 ... shutter button, 1308 ... memory, 1310 ... display unit, 1500 ... automobile, B1, B2, B3 ... connection Bump, IB: Ion beam, L1: First axis, L2: Second axis, M: Mask, O: Center, S: Storage space, S1: Wafer preparation process, S2: First frequency measurement process, S3: Detachment process , S4: stacked structure forming step, S5: second frequency measurement step, S6: stacked structure fixing step, 7 ... lid bonding process, theta ... angle

Claims (16)

ベースと、
前記ベースに取り付けられている第1中継基板と、
前記第1中継基板に取り付けられている第2中継基板と、
前記第1中継基板との間に前記第2中継基板を挟むように配置され、前記第2中継基板に取り付けられている振動素子と、を有し、
前記第2中継基板は、前記振動素子と電気的に接続されており、平面視で、前記第1中継基板と重なり前記振動素子と重ならない領域に位置している端子を有していることを特徴とする振動デバイス。
Base and
A first relay board attached to the base;
A second relay board attached to the first relay board;
And a vibrating element disposed so as to sandwich the second relay board between the first relay board and the second relay board,
The second relay substrate is electrically connected to the vibrating element, and has a terminal located in a region overlapping with the first relay substrate and not overlapping the vibrating element in plan view. Vibration device to feature.
前記端子は、前記第2中継基板の前記振動素子側の面に配置されている請求項1に記載の振動デバイス。   The vibration device according to claim 1, wherein the terminal is disposed on a surface of the second relay substrate on the vibration element side. 前記第2中継基板は、
前記第1中継基板に取り付けられている第1部分と、
前記振動素子が配置されている第2部分と、
前記第1部分と前記第2部分とを接続する接続部と、を有している請求項1または2に記載の振動デバイス。
The second relay board is
A first portion attached to the first relay substrate;
A second portion in which the vibrating element is disposed;
The vibration device according to claim 1, further comprising: a connection portion connecting the first portion and the second portion.
前記接続部は、
第3部分と、
前記第1部分と前記第3部分とを第1軸上で接続する第1梁部と、
前記第2部分と前記第3部分とを前記第1軸と交差する第2軸上で接続する第2梁部と、を有している請求項3に記載の振動デバイス。
The connection is
The third part,
A first beam portion connecting the first portion and the third portion on a first axis;
The vibration device according to claim 3, further comprising: a second beam portion connecting the second portion and the third portion on a second axis intersecting the first axis.
前記第1部分は、枠状をなし、
前記第3部分は、枠状をなすと共に、前記第1部分の内側に位置し、
前記第2部分は、前記第3部分の内側に位置している請求項4に記載の振動デバイス。
The first portion has a frame shape,
The third portion has a frame shape and is located inside the first portion,
The vibration device according to claim 4, wherein the second portion is located inside the third portion.
前記第1部分は、
前記第1軸に交差する方向であって、前記第1軸に対して両側において接合部材を介して前記第1中継基板に取り付けられている請求項3ないし5のいずれか1項に記載の振動デバイス。
The first part is
The vibration according to any one of claims 3 to 5, wherein the vibration is a direction intersecting with the first axis, and is attached to the first relay substrate via bonding members on both sides with respect to the first axis. device.
前記端子は、平面視で、前記接合部材と重なって配置されている請求項6に記載の振動デバイス。   The vibrating device according to claim 6, wherein the terminal is disposed so as to overlap the bonding member in a plan view. 前記第1中継基板の前記ベースに取り付けられるための接合部は、平面視で、前記第2中継基板および前記振動素子と重ならない領域に配置されている請求項1ないし7のいずれか1項に記載の振動デバイス。   The junction part for attaching to the said base of the said 1st relay substrate is arrange | positioned in planar view in the area | region which does not overlap with the said 2nd relay substrate and the said vibration element in any one of Claim 1 thru | or 7 Vibration device as described. 前記ベースとの間に前記第1中継基板、前記第2中継基板および前記振動素子を収納するように前記ベースに接合されている蓋体を有している請求項1ないし8のいずれか1項に記載の振動デバイス。   The lid according to any one of claims 1 to 8, further comprising a lid joined to the base so as to accommodate the first relay substrate, the second relay substrate, and the vibration element between the base and the first relay substrate. Vibration device according to. 前記第1中継基板は、前記振動素子の駆動回路を有する回路素子である請求項1ないし9のいずれか1項に記載の振動デバイス。   The vibration device according to any one of claims 1 to 9, wherein the first relay substrate is a circuit element having a drive circuit of the vibration element. 第1中継基板と、前記第1中継基板に取り付けられている第2中継基板と、前記第1中継基板との間に前記第2中継基板を挟むように配置され、前記第2中継基板に取り付けられている振動素子と、を有する積層構造体を準備する工程と、
前記振動素子の周波数を測定する工程と、を有し、
前記第2中継基板は、前記振動素子と電気的に接続されており、平面視で、前記第1中継基板と重なり前記振動素子と重ならない領域に位置している端子を有し、
前記振動素子の周波数を測定する工程では、前記端子を介して前記振動素子の周波数測定を行うことを特徴とする振動デバイスの製造方法。
The second relay board is disposed so as to be held between the first relay board, the second relay board attached to the first relay board, and the first relay board, and is attached to the second relay board Preparing a laminated structure having a vibrating element,
Measuring the frequency of the vibrating element;
The second relay substrate is electrically connected to the vibrating element, and has a terminal located in a region overlapping with the first relay substrate and not overlapping the vibrating element in plan view,
In the step of measuring the frequency of the vibrating element, the frequency measurement of the vibrating element is performed through the terminal.
前記積層構造体を準備する工程に先立って行われ、
前記第2中継基板に支持されていない状態で前記振動素子の周波数を測定する工程を有している請求項9に記載の振動デバイスの製造方法。
It is performed prior to the step of preparing the laminated structure,
The method of manufacturing a vibrating device according to claim 9, comprising the step of measuring the frequency of the vibrating element in a state of being not supported by the second relay substrate.
前記振動素子は、振動基板と、前記振動基板の一方の主面に配置されている第1励振電極と、他方の主面に配置されている第2励振電極と、を有し、
前記第2中継基板に支持されていない状態で前記振動素子の周波数を測定する工程では、前記第1励振電極を加工し、
前記積層構造体の状態で前記振動素子の周波数を測定する工程では、前記第2励振電極を加工する請求項12に記載の振動デバイスの製造方法。
The vibration element includes a vibration substrate, a first excitation electrode disposed on one main surface of the vibration substrate, and a second excitation electrode disposed on the other main surface,
In the step of measuring the frequency of the vibrating element in a state not supported by the second relay substrate, the first excitation electrode is processed,
The method of manufacturing a vibrating device according to claim 12, wherein the second excitation electrode is processed in the step of measuring the frequency of the vibrating element in the state of the laminated structure.
前記積層構造体の状態で前記振動素子の周波数を測定する工程の後に行われ、
前記第1中継基板をベースに配置する工程と、
前記ベースとの間に前記積層構造体を収納するように、前記ベースに蓋体を接合する工程と、を有する請求項11ないし13のいずれか1項に記載の振動デバイスの製造方法。
After the step of measuring the frequency of the vibrating element in the state of the laminated structure,
Disposing the first relay substrate on a base;
The method according to any one of claims 11 to 13, further comprising the step of: bonding a lid to the base so as to store the laminated structure between the base and the base.
請求項1ないし10のいずれか1項に記載の振動デバイスを備えることを特徴とする電子機器。   An electronic device comprising the vibration device according to any one of claims 1 to 10. 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の振動デバイスを備えることを特徴とする移動体。   A movable body comprising the vibration device according to any one of claims 1 to 10.
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