JP2019169707A - オプトエレクトロニクス部品 - Google Patents

Abstract

【課題】耐用年数の長いオプトエレクトロニクス部品を特定する。【解決手段】オプトエレクトロニクス部品（１００）はオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）を備え、半導体チップは、所期の作動中に、半導体チップの発光側面（１０）を経由して半導体チップから取り出される一次放射を発生させる。オプトエレクトロニクス部品は発光側面上に第１の変換エレメント（２１）も備える。第１の変換エレメントは第１のマトリックス材料（２１１）と量子ドット状の第１の蛍光体粒子（２１０）とを含む。第１の蛍光体粒子は第１のマトリックス材料中に分布して埋め込まれている。第１のマトリックス材料は炭素の原子百分率が酸素の原子百分率よりも低いポリシロキサンによって形成されている。【選択図】図１

Description

本発明はオプトエレクトロニクス部品に関する。

解決すべき一課題は、耐用年数の長いオプトエレクトロニクス部品を特定することである。

この課題は特に独立請求項の主題によって解決される。有利な実施形態及び更なる発展は従属請求項の主題である。

少なくとも一つの実施形態によれば、オプトエレクトロニクス部品はオプトエレクトロニクス半導体チップを備え、この半導体チップは、所期の作動中、半導体チップの発光側面から取り出される一次放射を発生させる。

このオプトエレクトロニクス半導体チップは、電磁放射を発生させるための活性層を有する半導体積層体を備える。半導体積層体は、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料に基づいている。例えば、半導体材料はＡｌ_ｎＩｎ_{１−ｎ−ｍ}Ｇａ_ｍＮ等の窒化物化合物半導体材料、又はＡｌ_ｎＩｎ_{１−ｎ−ｍ}Ｇａ_ｍＰ等のリン化物化合物半導体材料、又はＡｌ_ｎＩｎ_{１−ｎ−ｍ}Ｇａ_ｍＡｓ若しくはＡｌ_ｎＩｎ_{１−ｎ−ｍ}Ｇａ_ｍＡｓＰ等のヒ化物化合物半導体材料であり、０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１及びｍ＋ｎ≦１である。半導体積層体はドーパントと追加成分を含んでいてもよい。しかし、半導体積層体の結晶格子の本質的な成分（即ち、Ａｌ、Ａｓ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎ又はＰ）が少量の他の物質で部分的に置換及び／又は補充されたとしても、便宜上、これら本質的成分のみを記載する。半導体積層体はＡｌＩｎＧａＮ又はＩｎＧａＮに基づくことが好ましい。

半導体積層体の活性層は、特に少なくとも１個のｐｎ接合部及び／又は少なくとも１個の量子井戸構造を含み、例えば、所期の作動中に青色又は緑色又は赤色スペクトル領域又は紫外領域の電磁一次放射を発生させることができる。半導体チップは１つの活性層を備えることが好ましく、厳密に１つの連続した単一層、特に単純に結合された単一層を備えることが好ましい。また、活性層はセグメント化することもできる。

半導体チップはウェハ複合体から分離することで創出する。特に、半導体チップの側面はウェハ複合体の分離プロセスに起因する切り出し痕を含む。半導体チップは、ウェハ複合体中で成長した半導体積層体の、元々は連続した領域であったものを厳密に１つだけ含むことが好ましい。半導体チップの半導体積層体は連続的に形成されているものが好ましい。例えば、活性層の主延長面に平行に測定した、半導体チップの横方向の広がりは、活性層又は半導体積層体の横方向の広がりよりも１％以下又は５％以下だけ大きい。半導体チップは、例えば、その上で半導体積層体全体を成長させた成長基板も備える。

半導体チップは所謂ボリュームエミッタ、特にフリップチップとすることができる。この場合、半導体チップは、例えば、サファイアから形成された成長基板も備えることが好ましい。また、半導体チップは表面エミッタ、特に所謂薄膜チップとすることもできる。この場合、例えば、成長基板を分離する。

半導体チップの発光側面は半導体チップの主側面、即ち、横方向の広がりが最大の側面であることが好ましい。発光側面は半導体チップの主延長面と平行に延びることが好ましい。例えば、作動中に半導体チップから取り出される一次放射の少なくとも５０％又は少なくとも７５％は発光側面から取り出される。

少なくとも一つの実施形態によれば、オプトエレクトロニクス部品は発光側面上に第１の変換エレメントを備える。第１の変換エレメントは発光側面を部分的に又は完全に覆っている。第１の変換エレメントは連続層、特に単純に結合する層でもよい。例えば、第１の変換エレメントは半導体チップに噴霧されている。例えば、発光側面に対して垂直に測定した第１の変換エレメントの最大厚さは１０μｍ〜１００μｍである。第１の変換エレメントの最小厚さは、例えば、少なくとも５μｍである。

少なくとも一つの実施形態によれば、第１の変換エレメントは第１のマトリックス材料と量子ドット状の第１の蛍光体粒子とを含む。量子ドットは、例えば、半導体材料を含むか又はそれのみからなる。例えば、量子ドットの幾何相当直径は５０ｎｍ以下又は２０ｎｍ以下又は１０ｎｍ以下又は５ｎｍ以下である。相当直径は少なくとも２ｎｍであることが好ましい。特に、第１の変換エレメント中で最大相当直径がこのような値の蛍光体粒子を全て、第１の蛍光体粒子又は量子ドットと称する。

通常、蛍光体粒子の幾何学的形状は球形から逸脱している。例えば、粒子は凹凸のある表面を有する、及び／又は細長いか又はエッジを有する（edged）。幾何相当直径は、粒子と同じ幾何学的特性の球又は円の直径を測定して得る。例えば、粒子は表面又は体積又は投影面を有する。この表面又は体積又は投影面を球の表面又は体積又は投影面と等しく設定する。この球の直径が幾何相当直径である。

量子ドットは実際の蛍光体、例えば、半導体材料を完全に囲む封止部を有することができる。封止部は、例えば、ガラス又はテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）又はビニルトリエトキシシラン（ＶＴＥＳ）を含むもの又はそれのみからなるものとすることができる。

第１の蛍光体粒子は、作動中に、部品内で発生した一次放射及び／又は他の放射を異なる波長領域の放射に部分的又は完全に変換するように構成されている。

第１の蛍光体粒子は全て単一の蛍光体のみから構成することができる。また、第１の蛍光体粒子は異なる蛍光体の蛍光体粒子との混合物とすることもできる。

少なくとも一つの実施形態によれば、第１の蛍光体粒子は第１のマトリックス材料中に分布して埋め込まれている。製造公差内で、第１の蛍光体粒子はマトリックス材料中に均一に分布していることが好ましい。しかし、第１の蛍光体粒子を第１のマトリックス材料中に沈殿させることもできるため、第１の蛍光体粒子の濃度は発光側面に向かって上昇する。第１のマトリックス材料は第１の蛍光体粒子の少なくとも一部、例えば、第１の蛍光体粒子の少なくとも５０％を完全に取り囲むことが好ましい。第１のマトリックス材料を用いて第１の蛍光体粒子を保護することが好ましい。

少なくとも一つの実施形態によれば、第１のマトリックス材料は炭素の原子百分率が酸素の原子百分率よりも低いポリシロキサンによって形成されている。従って、マトリックス材料はこのポリシロキサンのみからなる。例えば、ポリシロキサン中の炭素の原子百分率は、酸素の原子百分率に対して、最大８０％又は最大５０％又は最大３０％又は最大１０％である。換言すれば、第１のマトリックス材料として選択されるポリシロキサンは、炭素の原子百分率が酸素の原子百分率よりも低くなるような架橋度のポリシロキサンである。例えば、ポリシロキサンでは、各ケイ素原子は共有結合によって、平均して少なくとも２．５個又は少なくとも３個の酸素原子に結合している。換言すれば、ポリシロキサン中のシロキサン単位Ｒ_ｎＳｉＯ_{（４−ｎ）／２}の大部分（即ち、少なくとも５０％又は少なくとも７５％又は少なくとも９０％）は、ｎ＝３又はｎ＝４である三官能性又は四官能性であり、ここでＲは有機残基である。

第１のマトリックス材料のポリシロキサンは、ポリシラザンから、例えば、加水分解及び／又は酸化によって製造することができる。起こり得る反応順序は次の通りである。

Ｒ_３Ｓｉ−ＮＨ−ＳｉＲ_３ ＋ Ｈ_２Ｏ → Ｒ_３Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ_３ ＋ ＮＨ_３
Ｒ_３Ｓｉ−Ｈ ＋ Ｈ−ＳｉＲ_３ ＋ Ｏ_２ → Ｒ_３Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＲ_３ ＋ Ｈ_２Ｏ

加水分解及び／又は縮合による、架橋度の低いポリシロキサンからの製造も考えられる。例えば、Ｔｉ（ＩＶ）（ＯＢｕ）_４を触媒及び／又は反応物質として添加することができる。

少なくとも一つの実施形態では、オプトエレクトロニクス部品はオプトエレクトロニクス半導体チップを備え、半導体チップは、所期の作動中に、半導体チップの発光側面を経由して半導体チップから取り出される一次放射を発生させる。オプトエレクトロニクス部品は発光側面上に第１の変換エレメントも備える。第１の変換エレメントは第１のマトリックス材料と量子ドット状の第１の蛍光体粒子とを含む。第１の蛍光体粒子は第１のマトリックス材料中に分布して埋め込まれている。第１のマトリックス材料は炭素の原子百分率が酸素の原子百分率よりも低いポリシロキサンによって形成されている。

本発明は、ＬＥＤ（特に自動車分野のＬＥＤ）又はカメラ用のフラッシュライトにおける量子ドットの使用は、これまで限られた範囲でしか可能ではなかったという知見に特に基づいている。量子ドットは加水分解及び温度に対して特に敏感である。量子ドットを保護するため、通常はシリコーンに埋め込まれている。しかし、シリコーンは比較的透湿性が高く、いずれは加水分解を引き起こす。

本発明は、炭素含有量の低いポリシロキサン、特に通常使用されるシリコーンよりも炭素含有量が低いポリシロキサンは、シリコーンよりも透湿性が低いという知見を利用している。これは特に、このようなポリシロキサンの架橋度がシリコーンに比べて高いことに起因する。何よりも、このようなポリシロキサンはシリコーンよりも複雑で切断しにくいＣ−Ｃ結合を有する。

このようなポリシロキサンの更なる利点は、その熱伝導率が通常使用されるシリコーンよりも高いことであり、これは変換中に発生した熱をより良好に除去できることを意味する。

要約すると、このようなポリシロキサンは通常使用されるシリコーンよりも量子ドットを良好に保護する。

少なくとも一つの実施形態によれば、第１のマトリックス材料中のケイ素含有量は２０〜４０原子パーセントであり、好ましくは２４〜３７原子パーセントである。

少なくとも一つの実施形態によれば、第１のマトリックス中の炭素含有量は最大で１０原子パーセント又は最大で５原子パーセント又は最大３原子パーセントである。

少なくとも一つの実施形態によれば、第１のマトリックス材料中の酸素含有量は３０〜７０原子パーセントである。

上述の原子パーセント値は炭素、ケイ素及び酸素が合計で１００原子パーセントになるように正規化されている。従って、水素の割合は考慮されていない。

少なくとも一つの実施形態によれば、第１の変換エレメント中の第１のマトリックス材料の質量分率は、少なくとも２０％又は少なくとも３０％又は少なくとも４０％である。

少なくとも一つの実施形態によれば、第１の変換エレメント中の第１の蛍光体粒子の質量分率は、少なくとも１％又は少なくとも２％又は少なくとも３％である。この代わりに、またはこれに加えて、質量分率は１０％未満又は８％未満とすることができる。質量分率は２．５％〜６．３％であることが好ましい。

少なくとも一つの実施形態によれば、オプトエレクトロニクス部品は幾何相当直径が少なくとも１００ｎｍ又は少なくとも５００ｎｍ又は少なくとも１μｍの第２の蛍光体粒子を含む。特に、幾何相当直径が少なくともこのような値の蛍光体粒子は、全て第２の蛍光体粒子と称される。

第２の蛍光体粒子は、作動中に部品内で発生した一次放射及び／又は他の放射を部分的又は完全に変換するように構成されている。

第２の蛍光体粒子の発光スペクトルは第１の蛍光体粒子とは異なっていてもよい。例えば、第１の蛍光体粒子及び第２の蛍光体粒子は一次放射を異なるスペクトル領域の光に変換するように構成されている。

第２の蛍光体粒子は全て単一の蛍光体のみで構成することができる。或いは、第２の蛍光体粒子は異なる蛍光体の蛍光体粒子の混合物とすることもできる。第２の蛍光体粒子の蛍光体は、第１の蛍光体粒子の蛍光体とは異なることが好ましい。第２の蛍光体粒子は、例えば、ガーネット又は窒化物又は有機蛍光体を含むか又はそれのみからなる。

少なくとも一つの実施形態によれば、第２の蛍光体粒子は第１の変換エレメントの第１のマトリックス材料中に分布、特に均一に分布しており、埋め込まれている。これは、第１の変換エレメントが第１の蛍光体粒子及び第２の蛍光体粒子の両方を含むことを意味する。例えば、第１の変換エレメント中の第２の蛍光体粒子の質量分率は、少なくとも２０％又は少なくとも３０％又は少なくとも４０％である。

少なくとも一つの実施形態によれば、オプトエレクトロニクス部品は第２の変換エレメントを備える。第２の変換エレメントは、第１の変換エレメントとは独立して、半導体チップ上に、特に噴霧によって、設けることができる。第１の変換エレメントと第２の変換エレメントとの間に界面を形成することができる。

第２の変換エレメントは発光側面を部分的又は完全に覆っていてもよい。例えば、発光側面に対して垂直に測定した第２の変換エレメントの最大厚さは、１０μｍ〜１００μｍである。第２の変換エレメントの最小厚さは、例えば、少なくとも５μｍである。

少なくとも一つの実施形態によれば、第２の変換エレメントは第２のマトリックス材料を含む。第２のマトリックス材料は第１のマトリックス材料とは異なることが好ましい。例えば、第２の変換エレメント中の第２のマトリックス材料の質量分率は、少なくとも２０％又は少なくとも３０％又は少なくとも４０％である。

少なくとも一つの実施形態によれば、第２の蛍光体粒子は第２のマトリックス材料中に分布、特に均一に分布しており、埋め込まれている。この場合、例えば、第１の変換エレメントは製造公差内で第２の蛍光体粒子を含まない。第２の変換エレメントは製造公差内で第１の蛍光体粒子を含まないことがある。例えば、第２の変換エレメント中の第２の蛍光体粒子の質量分率は、少なくとも２０％又は少なくとも３０％又は少なくとも４０％である。

少なくとも一つの実施形態によれば、第２のマトリックス材料は、炭素の原子百分率が第１のマトリックス材料よりも高いシリコーンから形成されている。例えば、第２のマトリックス材料では、炭素の原子百分率は酸素の原子百分率よりも高い。例えば、酸素の原子百分率は、炭素の原子百分率の最大で８０％である。第２のマトリックス材料では、シロキサン単位Ｒ_ｎＳｉＯ_{（４−ｎ）／２}の大部分は、特にｎ＝１又はｎ＝２の単官能性又は二官能性である。

第１のマトリックス材料は、第２のマトリックス材料よりも酸素含有量が高く、炭素含有量が低いポリシロキサンであることが好ましい。

少なくとも一つの実施形態によれば、第１の変換エレメントと第２の変換エレメントは発光側面を少なくとも部分的に覆っており、第１の変換エレメントは発光側面と第２の変換エレメントとの間に配置されている。

この場合、第１の変換エレメントの量子ドットは半導体チップに近接しているため、変換によって発生した熱を量子ドットから効率良く逃がすことができる。

少なくとも一つの実施形態によれば、第１の変換エレメントと第２の変換エレメントは発光側面を少なくとも部分的に覆っており、第２の変換エレメントは発光側面と第１の変換エレメントとの間に配置されている。

この場合、量子ドットは半導体チップからの一次放射に殆ど又は全く曝露されない。例えば、第２の変換エレメントが一次放射を部分的又は完全に変換して、第１の蛍光体粒子は変換済の放射又はごく少量の一次放射を変換するだけでよいようにする。特に、一次放射が青色光又は紫外光である場合、この一次放射を量子ドットに直接照射すると、量子ドットが劣化することがある。

第１の蛍光体粒子は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、およびＩｎＰからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むか又はそれからなる。これら材料は、量子ドットの蛍光体を構成することができる。

以下、図面を参照しながら例示的な実施形態に基づき、本明細書に記載のオプトエレクトロニクス部品をより詳細に説明する。個々の図面において、同じ参照符号は同じ要素を示す。しかし、記載の寸法比は縮尺通りではなく、分かりやすくするために個々の要素の寸法を誇張して示すこともある。

図１は、オプトエレクトロニクス部品の異なる例示的実施形態を断面図で示す。 図２は、オプトエレクトロニクス部品の異なる例示的実施形態を断面図で示す。 図３は、オプトエレクトロニクス部品の異なる例示的実施形態を断面図で示す。

図１は、オプトエレクトロニクス部品１００の第１の例示的な実施形態の断面図を示す。オプトエレクトロニクス部品１００は、キャリア３、例えば、セラミックキャリア又は金属キャリアを備える。オプトエレクトロニクス半導体チップ１はキャリア３上に配置されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ１は、例えば、コンタクトワイヤ（図示せず）を介して、例えば、キャリア３に電気的に接続されている。横方向において、即ち、半導体チップ１又はキャリア３の主延長面に平行な方向において、半導体チップ１は反射材料４で囲まれている。反射材料４は、例えば、ＴｉＯ_２粒子が埋め込まれたシリコーン又はＴｉＯ_２若しくはＳｉＯ_２で充填された熱可塑性物質（例えば、ＰＰＡやＰＣＴ）である。

半導体チップ１は、例えば、ＧａＮ系の半導体チップであり、目的通りに使用すると青色スペクトル領域及び／又は紫外領域で電磁一次放射を発する。例えば、作動中、半導体チップ１は、キャリア３とは反対側の発光側面１０を経由して半導体チップ１から分離された放射の少なくとも５０％を発する。半導体チップ１の周囲横方向の反射封止部４は、部品１００から横方向に発せられる放射の割合を減少させる。

第１の変換エレメント２１は、半導体チップ１上に設けられている。第１の変換要素２１は、例えば、噴霧又は分注又は噴射により設けることができる。第１の変換エレメント２１は、第１の蛍光体粒子２１０が埋め込まれて分布している第１のマトリックス材料２１１を含む。第１の蛍光体粒子２１０は、例えば、半導体材料由来の量子ドットである。第１のマトリックス材料２１１は、酸素の原子百分率が炭素の原子百分率よりも高いポリシロキサンである。特に、第１のマトリックス材料は、シロキサン単位の大部分が三官能性又は四官能性である、架橋度の高いポリシロキサンである。架橋度が高いポリシロキサンに起因して、量子ドットは従来のシリコーンの場合よりも浸透水分に対して良好に保護される。第１の蛍光体粒子２１０と第１のマトリックス材料２１１は、例えば、第１の変換エレメント２１の質量の少なくとも８０％を占める。

第２の変換エレメント２２が第１の変換エレメント２１に取り付けられている。第２の変換エレメント２２は、第２の蛍光体粒子２２０が分布して埋め込まれている第２のマトリックス材料２２１を含む。第２の蛍光体粒子２２０は、例えば、ガーネット系又は窒化物系の蛍光体粒子である。どの蛍光体粒子２２０も幾何相当直径は、例えば、少なくとも１００ｎｍである。

第２のマトリックス材料２２１は、炭素の原子百分率が酸素の原子百分率よりも高いシリコーンである。特に、シリコーン中のシロキサン単位の大部分は、単官能性又は二官能性である。第２のマトリックス材料は、特に、第１のマトリックス材料と比べて架橋の強くないポリシロキサンである。

図１に示す構成によれば、第１の蛍光体粒子２１０は、半導体チップ１に近接して配置されているため、変換中に発生する熱を第１の蛍光体粒子２１０から速やかに除去することができる。

例えば、第１の蛍光体粒子２１０は、一次放射を緑色光及び／又は黄色光に変換するように構成されている。例えば、第２の蛍光体粒子２２０は、一次放射及び／又は第１の蛍光体粒子２１０によって放出された放射を赤色光及び／又は橙色光に変換するように構成されている。

図２の第２の例示的実施形態では、変換エレメント２１、２２の順序は逆になる。第１の変換エレメント２１と半導体チップ１との間には、第２のマトリクス材料２２１と第２の蛍光体粒子２２０とが挿入された第２の変換エレメント２２が配置されている。例えば、第２の蛍光体粒子２２０は一次放射を緑色光及び／又は黄色光に変換するように構成されている。例えば、第１の変換エレメント２１の第１の蛍光体粒子２１０は一次放射及び／又は第２の蛍光体粒子２２０によって放出された放射を赤色光及び／又は橙色光に変換するように構成されている。

図２では、量子ドット２１０は半導体チップ１から更に離れて位置しているが、上流の第２の変換エレメント２２によって一次放射が量子ドット２１０に当たることが少なく、これも量子ドット２１０の寿命に好影響を及ぼす。

図３では、第１の変換エレメント２１のみが半導体チップ１に設けられている。第１の蛍光体粒子２１０と第２の蛍光体粒子２２０は、両方とも、第１の変換エレメント２１の第１のマトリックス材料２１１内に分布している、例えば、均一に分布している。

本特許出願はドイツ国特許出願第１０ ２０１８ １０６ ４６５．９号の優先権を主張するものであり、その開示内容は、本参照をもって本明細書に組み込まれるものとする。

本明細書に記載の発明は例示的な実施形態に関連する説明によって限定されない。むしろ、本発明は、あらゆる新しい特徴を含むと共にあらゆる特徴の組み合わせ（特に特許請求の範囲におけるあらゆる特徴の組み合わせが挙げられる）を含み、これは、特許請求の範囲又は例示的な実施形態において前記特徴又は前記組み合わせ自体が明記されていない場合にも適用される。

１．オプトエレクトロニクス半導体チップ
３．キャリア
４．反射材料
１０．発光側面
２１．第１の変換エレメント
２２．第２の変換エレメント
１００．オプトエレクトロニクス部品
２１０．第１の蛍光体粒子
２１１．第１のマトリックス材料
２２０．第２の蛍光体粒子
２２１．第２のマトリックス材料

Claims (10)

1. オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）と第１の変換エレメント（２１）とを備えるオプトエレクトロニクス部品（１００）であって、
   前記半導体チップ（１）は、所期の作動中に、前記半導体チップ（１）の発光側面（１０）を経由して前記半導体チップ（１）から取り出される一次放射を発生させるものであり、
   前記第１の変換エレメント（２１）は、前記発光側面（１０）上に位置し、
   前記第１の変換エレメント（２１）は第１のマトリックス材料（２１１）と量子ドット状の第１の蛍光体粒子（２１０）とを含み、
   前記第１の蛍光体粒子（２１０）は前記第１のマトリックス材料（２１１）中に分布して埋め込まれており、
   前記第１のマトリックス材料（２１１）は炭素の原子百分率が酸素の原子百分率よりも低いポリシロキサンによって形成されている、オプトエレクトロニクス部品（１００）。
2. 前記第１のマトリックス材料（２１１）中のケイ素含有量は２０〜４０原子パーセントであり、
   前記第１のマトリックス材料（２１１）中の炭素含有量は最大で１０原子パーセントであり、
   前記第１のマトリックス材料（２１１）中の酸素含有量は３０〜７０原子パーセントであり、
   前記原子パーセント値は炭素、ケイ素及び酸素が合計で１００原子パーセントになるように正規化されている、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
3. 前記第１の変換エレメント（２１）中の前記第１のマトリックス材料（２１１）の質量分率は少なくとも２０％である、請求項１又は２に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
4. 前記第１の変換エレメント（２１）中の前記第１の蛍光体粒子（２１０）の質量分率は少なくとも２０％である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
5. 幾何相当直径が少なくとも１００ｎｍの第２の蛍光体粒子（２２０）を更に含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
6. 前記第２の蛍光体粒子（２２０）は前記第１の変換エレメント（２１）の前記第１のマトリックス材料（２１１）中に分布して埋め込まれている、請求項５に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
7. 第２の変換エレメント（２２）を更に備え、
   前記第２の変換エレメント（２２）は第２のマトリックス材料（２２１）を含み、
   前記第２の蛍光体粒子（２２０）は前記第２のマトリックス材料（２２１）中に分布して埋め込まれており、
   前記第２のマトリックス材料（２２１）は炭素の原子百分率が前記第１のマトリックス材料（２１１）よりも高いシリコーンで形成されている、請求項５に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
8. 前記第１の変換エレメント（２１）と前記第２の変換エレメント（２２）は前記発光側面（１０）を少なくとも部分的に覆っており、前記第１の変換エレメント（２１）は前記発光側面（１０）と前記第２の変換エレメント（２２）との間に配置されている、請求項７に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
9. 前記第１の変換エレメント（２１）と前記第２の変換エレメント（２２）は前記発光側面（１０）を少なくとも部分的に覆っており、前記第２の変換エレメント（２２）は前記発光側面（１０）と前記第１の変換エレメント（２１）との間に配置されている、請求項７に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
10. 前記第１の蛍光体粒子（２１０）は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、およびＩｎＰからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むか又はそれからなる、請求項１〜９のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
    

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