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JP2019169608A - Grinding device - Google Patents

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JP2019169608A
JP2019169608A JP2018056173A JP2018056173A JP2019169608A JP 2019169608 A JP2019169608 A JP 2019169608A JP 2018056173 A JP2018056173 A JP 2018056173A JP 2018056173 A JP2018056173 A JP 2018056173A JP 2019169608 A JP2019169608 A JP 2019169608A
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JP
Japan
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wafer
grinding
holding
holding table
axis
Prior art date
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Pending
Application number
JP2018056173A
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Japanese (ja)
Inventor
真司 吉田
Shinji Yoshida
真司 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
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Publication date
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Priority to SG10201901935S priority patent/SG10201901935SA/en
Priority to KR1020190027035A priority patent/KR20190111764A/en
Priority to US16/358,102 priority patent/US20190291239A1/en
Priority to TW108109505A priority patent/TW201941292A/en
Priority to CN201910211295.XA priority patent/CN110293480A/en
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Abstract

【課題】研削後ウェーハに十字ラインが発見されたら、テーブル保持面の十字ラインがウェーハに形成された位置に対応する付着物付着位置を、オペレータが直ぐに把握し付着物除去できるようにし、後のウェーハ研削における十字クラック発生を防ぐ。【解決手段】保持面300aを有するテーブル30と、テーブル30を回転させる手段37と、保持されたウェーハWを研削する手段32と、オペレータに情報を通知する手段17とを備え、保持され研削されたウェーハWの被研削面Wbを照明400で照らし被研削面Wbを撮像する手段40と、撮像画像中の十字ラインを検出する手段91と、検出された十字ラインの交点のX軸Y軸座標位置を記憶する手段90と、記憶されたX軸Y軸座標位置で保持面300aを照らすスポットライト41と、通知手段17に十字ラインを検出したことを通知させると共に装置の研削動作を停止させる制御手段9とを備える研削装置1。【選択図】図2When a cross line is found on a wafer after grinding, an operator can immediately grasp the adhering substance adhering position corresponding to the position where the cross line on the table holding surface is formed on the wafer, and remove the adhering substance. Prevents generation of cross cracks in wafer grinding. The apparatus includes a table having a holding surface, a means for rotating the table, a means for grinding a held wafer, and a means for notifying an operator of information. Means 40 for illuminating the ground surface Wb of the wafer W with the illumination 400 and imaging the ground surface Wb, means 91 for detecting a cross line in the captured image, and X-axis and Y-axis coordinates of the intersection of the detected cross line Means 90 for storing the position, a spotlight 41 for illuminating the holding surface 300a at the stored X-axis and Y-axis coordinate positions, and control for notifying the notifying means 17 of the detection of the cross line and stopping the grinding operation of the apparatus. A grinding device 1 comprising means 9. [Selection] Figure 2

Description

本発明は、半導体ウェーハ等の被加工物を研削する研削装置に関する。   The present invention relates to a grinding apparatus for grinding a workpiece such as a semiconductor wafer.

ウェーハを研削する研削装置は、保持テーブルのポーラス材からなる保持面で保持したウェーハを、保持面に平行に位置づけられた回転する研削砥石の研削面で研削している。
保持テーブルの保持面とウェーハの下面との間に研削屑または砥粒等の付着物が挟まった状態で保持面で保持されたウェーハを研削砥石で研削すると、付着物の直上のウェーハの被研削面に十字形状のクラックが形成されてしまう。そして、ウェーハに十字クラックを形成させないようにするために、特許文献1又は2に記載されているような洗浄装置によって、ウェーハを吸引保持する前の保持面を洗浄している。
A grinding apparatus for grinding a wafer grinds a wafer held by a holding surface made of a porous material of a holding table with a grinding surface of a rotating grinding wheel positioned parallel to the holding surface.
When a wafer held on the holding surface is sandwiched between the holding surface of the holding table and the lower surface of the wafer with an adhering substance such as grinding dust or abrasive grains, the wafer to be ground directly above the adhering substance is ground. A cross-shaped crack is formed on the surface. And in order not to form a cross crack in a wafer, the holding surface before sucking and holding the wafer is cleaned by a cleaning device as described in Patent Document 1 or 2.

特許4079289号公報Japanese Patent No. 4079289 特許5538971号公報Japanese Patent No. 5538971

しかし、上記洗浄装置を用いて洗浄を行った後の保持面に付着物が残っていると、十字クラックが形成されることになる。よって、ウェーハを保持テーブルの保持面で吸引保持する前に、保持面の付着物の有無を確認する必要がある。そこで、保持面を撮像カメラで撮像するが、形成された撮像画像から、オペレータがポーラスセラミックの模様か付着物かの判断をすることは難しいという問題がある。   However, if deposits remain on the holding surface after cleaning using the cleaning device, a cross crack is formed. Therefore, before the wafer is sucked and held by the holding surface of the holding table, it is necessary to check the presence or absence of deposits on the holding surface. Therefore, although the holding surface is imaged by an imaging camera, there is a problem that it is difficult for the operator to determine whether the pattern is a porous ceramic pattern or a deposit from the formed captured image.

そこで、研削装置においては、研削されたウェーハに十字クラックが発見されたら、ウェーハに該十字クラックが形成された位置に対応する保持テーブルの保持面の位置(付着物が保持面に付着している位置)を、オペレータが直ぐに把握して付着物を除去できるようにして、その後のウェーハ研削においてウェーハに十字クラックが発生するのを防止するという課題がある。   Therefore, in the grinding apparatus, when a cross-crack is found in the ground wafer, the position of the holding surface of the holding table corresponding to the position where the cross-crack is formed on the wafer (the adhering matter is attached to the holding surface). There is a problem that the operator can immediately grasp the position) and remove the deposits to prevent the occurrence of cross cracks in the wafer during subsequent wafer grinding.

上記課題を解決するための本発明は、ウェーハを保持する保持面を有するポーラス板を備えた保持テーブルと、該保持テーブルの中心を軸に回転させる保持テーブル回転手段と、該保持面で保持したウェーハを研削砥石で研削する研削手段と、オペレータに各種情報を通知する通知手段とを備える研削装置であって、該保持面で保持され該研削砥石で研削されたウェーハの被研削面を照明で照らし被研削面を撮像する撮像手段と、該撮像手段が撮像した画像の中の十字ラインを検出する検出手段と、該検出手段が検出した十字ラインの交点のX軸Y軸座標位置を記憶する記憶手段と、該記憶手段が記憶するX軸Y軸座標位置で該保持面を照らすスポットライトと、該通知手段に該検出手段が十字ラインを検出したことをオペレータに通知させると共に装置の研削動作を停止させる制御手段と、を備える、研削装置である。   In order to solve the above problems, the present invention provides a holding table provided with a porous plate having a holding surface for holding a wafer, holding table rotating means for rotating the center of the holding table as an axis, and holding by the holding surface. A grinding apparatus comprising a grinding means for grinding a wafer with a grinding wheel and a notifying means for notifying an operator of various types of information, wherein the surface to be ground of the wafer held by the holding surface and ground by the grinding wheel is illuminated. An imaging means for illuminating and imaging the surface to be ground, a detecting means for detecting a cross line in an image captured by the imaging means, and an X-axis and Y-axis coordinate position of the intersection of the cross lines detected by the detecting means are stored. A storage unit, a spotlight that illuminates the holding surface at the X-axis and Y-axis coordinate positions stored in the storage unit, and a notification unit that notifies the operator that the detection unit has detected a cross line. And a control means for stopping the grinding operation of the apparatus with a grinding apparatus.

本発明に係る研削装置は、ウェーハを保持する保持面を有するポーラス板を備えた保持テーブルと、保持テーブルの中心を軸に回転させる保持テーブル回転手段と、保持面で保持したウェーハを研削砥石で研削する研削手段と、オペレータに各種情報を通知する通知手段とを備え、保持面で保持され研削砥石で研削されたウェーハの被研削面を照明で照らし被研削面を撮像する撮像手段と、撮像手段が撮像した画像の中の十字ラインを検出する検出手段と、検出手段が検出した十字ラインの交点のX軸Y軸座標位置を記憶する記憶手段と、記憶手段が記憶するX軸Y軸座標位置で保持面を照らすスポットライトと、通知手段に検出手段が十字ラインを検出したことをオペレータに通知させると共に装置の研削動作を停止させる制御手段と、を備えることで、研削したウェーハに十字クラックが発生したら、その十字クラックの直下の保持面をスポットライトで照らすことができ、ウェーハを保持面から取り外した後に、オペレータが保持面上の研削屑や砥粒等が付着している位置を直ぐに把握することが可能となる。そして、照らされた保持面の該箇所においてオペレータが付着物除去を行うことで、十字クラックの原因となる付着物を保持面から即座に除去できる。   A grinding apparatus according to the present invention includes a holding table provided with a porous plate having a holding surface for holding a wafer, holding table rotating means for rotating about the center of the holding table, and a wafer held on the holding surface by a grinding wheel. An imaging means comprising a grinding means for grinding and a notifying means for notifying an operator of various kinds of information, illuminating a surface to be ground of a wafer held by a holding surface and ground by a grinding wheel with illumination, and imaging Detecting means for detecting a cross line in the image captured by the means, storage means for storing the X-axis and Y-axis coordinate position of the intersection of the cross lines detected by the detecting means, and X-axis and Y-axis coordinates stored by the storing means A spotlight that illuminates the holding surface at a position, and a control means that causes the notification means to notify the operator that the detection means has detected a cross line and to stop the grinding operation of the apparatus. Therefore, if a cross crack occurs in the ground wafer, the holding surface directly under the cross crack can be illuminated with a spotlight. After the wafer is removed from the holding surface, the operator removes grinding debris and abrasives on the holding surface. It becomes possible to immediately grasp the position where the particles are attached. Then, when the operator removes the adhering matter at the spot on the illuminated holding surface, the adhering matter causing the cross crack can be immediately removed from the holding surface.

研削装置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of a grinding device. 保持テーブル、洗浄手段、及び撮像手段の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a holding table, a washing | cleaning means, and an imaging means. 保持面で保持され研削砥石で研削されたウェーハの被研削面を照明で照らしつつ撮像手段で撮像している状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state currently imaged with the imaging means, illuminating the to-be-ground surface of the wafer hold | maintained with the holding surface and ground with the grinding wheel with illumination. 保持面で保持され研削砥石で研削されたウェーハの被研削面を照明で照らしつつ撮像手段で撮像している状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state currently imaged with the imaging means, illuminating the to-be-ground surface of the wafer hold | maintained with the holding surface, and was ground with the grinding wheel. 検出手段が撮像手段が撮像した画像の中の十字ラインを検出する場合を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the case where a detection means detects the cross line in the image which the imaging means imaged.

図1に示す研削装置1は、保持テーブル30によって吸引保持されたウェーハWに研削加工を施す装置である。
図1に示すウェーハWは、例えば、シリコン母材からなる円形板状の半導体ウェーハであり、図1において下方を向いているウェーハWの表面Waは、複数のデバイスが形成されており、保護テープTが貼着されて保護されている。上方を向いているウェーハWの裏面Wbは、研削加工が施される被研削面となる。
ウェーハWの外周縁には、結晶方位を示すマークであるノッチNが、ウェーハWの中心に向けて径方向内側に窪んだ状態で形成されている。
A grinding apparatus 1 shown in FIG. 1 is an apparatus that performs grinding on a wafer W sucked and held by a holding table 30.
The wafer W shown in FIG. 1 is, for example, a circular plate-shaped semiconductor wafer made of a silicon base material, and a plurality of devices are formed on the surface Wa of the wafer W facing downward in FIG. T is attached and protected. The back surface Wb of the wafer W facing upward is a surface to be ground on which grinding is performed.
On the outer peripheral edge of the wafer W, a notch N, which is a mark indicating the crystal orientation, is formed in a state of being recessed radially inward toward the center of the wafer W.

研削装置1のベース10の前方側(−X方向側)には、オペレータが研削装置1に対して加工条件等を入力するための入力手段19が配設されている。また、ベース10上の前方側には、研削前のウェーハWを収容する第一のカセット331及び研削済みのウェーハWを収容する第二のカセット332が配設されている。第一のカセット331と第二のカセット332との間には、第一のカセット331から研削前のウェーハWを搬出すると共に、研削済みのウェーハWを第二のカセット332に搬入する多関節アームを備えるロボット330が配設されている。   On the front side (−X direction side) of the base 10 of the grinding apparatus 1, an input means 19 for an operator to input processing conditions and the like to the grinding apparatus 1 is disposed. Further, on the front side on the base 10, a first cassette 331 that accommodates a wafer W before grinding and a second cassette 332 that accommodates a ground wafer W are disposed. Between the first cassette 331 and the second cassette 332, an articulated arm that carries the wafer W before grinding from the first cassette 331 and carries the ground wafer W into the second cassette 332 A robot 330 is provided.

ロボット330の可動域には、加工前のウェーハWを仮置きする仮置きテーブル333aが設けられており、仮置きテーブル333aには位置合わせ手段333bが配設されている。位置合わせ手段333bは、第一のカセット331から搬出され仮置きテーブル333aに載置されたウェーハWを、縮径する位置合わせピンで所定の位置に位置合わせ(センタリング)する。   In the movable range of the robot 330, a temporary placement table 333a for temporarily placing the unprocessed wafer W is provided, and the temporary placement table 333a is provided with positioning means 333b. The alignment means 333b aligns (centers) the wafer W, which is unloaded from the first cassette 331 and placed on the temporary placement table 333a, at a predetermined position with an alignment pin that reduces the diameter.

仮置きテーブル333aの側方には、ウェーハWのノッチNを検出する検出部333cが配設されている。検出部333cは、例えば、光反射型又は透過型の光学センサで構成されており、センタリングされたウェーハWを保持した仮置きテーブル333aの回転に伴ってウェーハWの外周が検出部333cの検出領域(下方)を通過することで、ウェーハWの外周縁に形成されたノッチNを検出することができる。なお、検出部333cをカメラ等から構成されるものとして、カメラにより撮像された撮像画を検出部333cが画像処理することで、ウェーハWの外周縁のノッチNを検出するものとしてもよい。   A detection unit 333c for detecting the notch N of the wafer W is disposed on the side of the temporary placement table 333a. The detection unit 333c is constituted by, for example, a light reflection type or transmission type optical sensor, and the outer periphery of the wafer W is detected by the detection unit 333c as the temporary placement table 333a holding the centered wafer W rotates. By passing (below), the notch N formed on the outer peripheral edge of the wafer W can be detected. The detection unit 333c may be configured by a camera or the like, and the notch N on the outer peripheral edge of the wafer W may be detected by the detection unit 333c performing image processing on a captured image captured by the camera.

ロボット330の可動域には、研削済みのウェーハWを洗浄する洗浄手段334が配設されている。洗浄手段334は、例えば、枚葉式のスピンナー洗浄装置である。   A cleaning means 334 for cleaning the ground wafer W is disposed in the movable range of the robot 330. The cleaning means 334 is, for example, a single wafer type spinner cleaning apparatus.

位置合わせ手段333bの近傍には第一の搬送手段335が配設され、洗浄手段334の近傍には第二の搬送手段336が配設されている。第一の搬送手段335は、仮置きテーブル333aに載置されセンタリングされた研削前のウェーハWを図1に示すいずれかの保持テーブル30に搬送し、第二の搬送手段336は、いずれかの保持テーブル30に保持された研削済みのウェーハWを洗浄手段334に搬送する。   A first transport unit 335 is disposed in the vicinity of the alignment unit 333b, and a second transport unit 336 is disposed in the vicinity of the cleaning unit 334. The first transfer means 335 transfers the unground wafer W placed on the temporary placement table 333a and centered to one of the holding tables 30 shown in FIG. 1, and the second transfer means 336 The ground wafer W held on the holding table 30 is transferred to the cleaning means 334.

ベース10上の第一の搬送手段335の後方側には、ターンテーブル34が配設されており、ターンテーブル34の上面には、例えば4つの保持テーブル30(2つのみ図示)が周方向に等間隔を空けて配設されている。ターンテーブル34は、ベース10上でZ軸方向の軸心周りに自転可能となっている。ターンテーブル34の回転により、いずれかの保持テーブル30が第一の搬送手段335及び第二の搬送手段336の近傍に位置付けされる。   A turntable 34 is disposed on the rear side of the first conveying means 335 on the base 10. For example, four holding tables 30 (only two are shown) are arranged on the upper surface of the turntable 34 in the circumferential direction. They are arranged at equal intervals. The turntable 34 can rotate about the axis in the Z-axis direction on the base 10. One of the holding tables 30 is positioned in the vicinity of the first transport unit 335 and the second transport unit 336 by the rotation of the turntable 34.

図2に示すように、保持テーブル30は、例えば、その外形が円形状であり、ウェーハWを吸着するポーラス板300と、ポーラス板300を支持する枠体301とを備える。ポーラス板300は真空発生装置等の吸引源39に連通し、吸引源39が吸引することで生み出された吸引力が、ポーラス板300の露出面である保持面300aに伝達されることで、保持テーブル30は保持面300a上でウェーハWを吸引保持する。保持面300aは、その回転中心を頂点とする極めて緩やか傾斜を備える円錐面に形成されている。   As shown in FIG. 2, the holding table 30 has, for example, a circular outer shape, and includes a porous plate 300 that sucks the wafer W and a frame body 301 that supports the porous plate 300. The porous plate 300 communicates with a suction source 39 such as a vacuum generator, and the suction force generated by the suction of the suction source 39 is transmitted to the holding surface 300a that is the exposed surface of the porous plate 300, thereby holding the porous plate 300. The table 30 sucks and holds the wafer W on the holding surface 300a. The holding surface 300a is formed in a conical surface having a very gentle inclination with the rotation center as a vertex.

保持テーブル30の下面側には、保持テーブル回転手段37が接続されており、保持テーブル30は、図1に示すターンテーブル34上において保持テーブル回転手段37によってZ軸方向の軸心周りに回転可能となっている。
また、保持テーブル30の下方には、カップリング等を介して傾き調節機構38が配設されている。傾き調節機構38は、保持テーブル30の保持面300aの水平面に対する傾きを調節することができる。
A holding table rotating means 37 is connected to the lower surface side of the holding table 30, and the holding table 30 can be rotated around the axis in the Z-axis direction by the holding table rotating means 37 on the turntable 34 shown in FIG. It has become.
Further, an inclination adjusting mechanism 38 is disposed below the holding table 30 via a coupling or the like. The tilt adjusting mechanism 38 can adjust the tilt of the holding surface 300a of the holding table 30 with respect to the horizontal plane.

保持テーブル回転手段37は、例えば、軸方向がZ軸方向でありその上端が保持テーブル30の枠体301の下面に接続されたスピンドル370と、保持テーブル30の中心を軸に保持テーブル30を回転させる駆動源となるモータ371とを備えたプーリ機構である。モータ371のシャフトには、主動プーリ372が取り付けられており、主動プーリ372には無端ベルト373が巻回されている。スピンドル370には従動プーリ374が取り付けられており、無端ベルト373は、この従動プーリ374にも巻回されている。モータ371が主動プーリ372を回転駆動することで、主動プーリ372の回転に伴って無端ベルト373が回動し、無端ベルト373が回動することで従動プーリ374及びスピンドル370が回転する。
例えば、モータ371には、モータ371の回転角度、即ち、保持テーブル30の回転角度を検出するロータリエンコーダ379が接続されている。
For example, the holding table rotating means 37 rotates the holding table 30 about the spindle 370 whose axial direction is the Z-axis direction and whose upper end is connected to the lower surface of the frame 301 of the holding table 30 and the center of the holding table 30 as an axis. It is a pulley mechanism provided with a motor 371 as a driving source to be driven. A main driving pulley 372 is attached to the shaft of the motor 371, and an endless belt 373 is wound around the main driving pulley 372. A driven pulley 374 is attached to the spindle 370, and the endless belt 373 is also wound around the driven pulley 374. When the motor 371 rotates the main driving pulley 372, the endless belt 373 rotates with the rotation of the main driving pulley 372, and when the endless belt 373 rotates, the driven pulley 374 and the spindle 370 rotate.
For example, a rotary encoder 379 that detects the rotation angle of the motor 371, that is, the rotation angle of the holding table 30 is connected to the motor 371.

図1に示すように、ベース10上の後方側(+X方向側)にはコラム11が立設されており、コラム11の前面には、粗研削手段31を保持テーブル30により保持されたウェーハWに対して研削送りする粗研削送り手段35と、仕上げ研削手段32を保持テーブル30により保持されたウェーハWに対して研削送りする仕上げ研削送り手段36が並べて配設されている。   As shown in FIG. 1, a column 11 is erected on the rear side (+ X direction side) on the base 10, and a wafer W in which rough grinding means 31 is held by a holding table 30 on the front surface of the column 11. The coarse grinding feed means 35 for grinding and feeding to the wafer W and the finish grinding feed means 36 for grinding and feeding the finish grinding means 32 to the wafer W held by the holding table 30 are arranged side by side.

粗研削送り手段35は、鉛直方向(Z軸方向)の軸心を有する図示しないボールネジと、ボールネジと平行に配設された一対のガイドレール351と、ボールネジに連結されボールネジを回動させるモータ352と、内部のナットがボールネジに螺合すると共に側部がガイドレール351に摺接する昇降部353とから構成され、モータ352がボールネジを回転させることに伴い粗研削手段31を支持する昇降部353がガイドレール351にガイドされて昇降する。   The rough grinding feed means 35 includes a ball screw (not shown) having a vertical (Z-axis direction) axis, a pair of guide rails 351 arranged in parallel to the ball screw, and a motor 352 connected to the ball screw and rotating the ball screw. And an elevating part 353 whose inner side is screwed to the ball screw and whose side part is in sliding contact with the guide rail 351, and the elevating part 353 that supports the rough grinding means 31 as the motor 352 rotates the ball screw. It is guided by the guide rail 351 and moves up and down.

仕上げ研削送り手段36は、鉛直方向の軸心を有する図示しないボールネジと、ボールネジと平行に配設された一対のガイドレール361と、ボールネジに連結されボールネジを回動させるモータ362と、内部のナットがボールネジに螺合すると共に側部がガイドレール361に摺接する昇降部363とから構成され、モータ362がボールネジを回転させることに伴い仕上げ研削手段32を支持する昇降部363がガイドレール361にガイドされて昇降する。   The finish grinding feed means 36 includes a ball screw (not shown) having a vertical axis, a pair of guide rails 361 arranged parallel to the ball screw, a motor 362 connected to the ball screw and rotating the ball screw, and an internal nut. And an elevating part 363 whose side part is in sliding contact with the guide rail 361. The elevating part 363 that supports the finish grinding means 32 as the motor 362 rotates the ball screw guides the guide rail 361. Lifted up and down.

粗研削手段31は、軸方向が鉛直方向である回転軸310と、回転軸310を回転可能に支持するハウジング311と、回転軸310を回転駆動するモータ312と、回転軸310の下端に取り付けられたマウント313と、マウント313に着脱可能に接続された研削ホイール314とを備える。研削ホイール314の底面には、略直方体形状の複数の粗研削砥石314aが環状に配設されている。粗研削砥石314aは、所定のボンド剤でダイヤモンド砥粒等が固着されて成形されている。粗研削砥石314aは、例えば、砥石中に含まれる砥粒が比較的大きな砥石である。   The rough grinding means 31 is attached to a rotary shaft 310 whose axial direction is a vertical direction, a housing 311 that rotatably supports the rotary shaft 310, a motor 312 that rotationally drives the rotary shaft 310, and a lower end of the rotary shaft 310. And a grinding wheel 314 detachably connected to the mount 313. On the bottom surface of the grinding wheel 314, a plurality of rough grinding wheels 314a having a substantially rectangular parallelepiped shape are annularly arranged. The rough grinding wheel 314a is formed by fixing diamond abrasive grains or the like with a predetermined bonding agent. The rough grinding wheel 314a is, for example, a grindstone having relatively large abrasive grains contained in the grindstone.

例えば、回転軸310の内部には、研削水供給源に連通し研削水の通り道となる図示しない流路が、回転軸310の軸方向に貫通して形成されており、流路は研削ホイール314の底面において粗研削砥石314aに向かって研削水を噴出できるように開口している。   For example, a flow path (not shown) that communicates with a grinding water supply source and serves as a path for grinding water is formed inside the rotary shaft 310 so as to penetrate in the axial direction of the rotary shaft 310, and the flow path is formed by the grinding wheel 314. Is opened so that the grinding water can be ejected toward the rough grinding wheel 314a.

仕上げ研削手段32は、粗研削によって薄化されたウェーハWに対して、平坦性を高める仕上げ研削を行うことができる。即ち、仕上げ研削手段32は、仕上げ研削砥石324aを備え回転可能に装着した研削ホイール314で、粗研削手段31が研削したウェーハWの裏面Wbをさらに研削する。仕上げ研削砥石324a中に含まれる砥粒は、粗研削砥石314aに含まれる砥粒よりも粒径の小さい砥粒である。仕上げ研削手段32の仕上げ研削砥石324a以外の構成については、粗研削手段31の構成と同様となっている。   The finish grinding means 32 can perform finish grinding that improves flatness on the wafer W thinned by rough grinding. That is, the finish grinding means 32 further grinds the back surface Wb of the wafer W ground by the rough grinding means 31 with a grinding wheel 314 provided with a finish grinding wheel 324a and rotatably mounted. The abrasive grains contained in the finish grinding wheel 324a are abrasive grains having a smaller particle diameter than the abrasive grains contained in the coarse grinding wheel 314a. The configuration of the finish grinding means 32 other than the finish grinding wheel 324 a is the same as that of the rough grinding means 31.

保持テーブル30の移動経路の上方には、保持テーブル30の保持面300aを洗浄する洗浄手段8が配設されている。この洗浄手段8は、図2に示すように、鉛直方向の軸心を有する回転軸80と、回転軸80を回転可能に支持するハウジング81と、回転軸80の下端に配設された洗浄砥石82と、ハウジング81を昇降させる昇降手段83と、を備えている。そして、洗浄手段8は、図1に示すY軸移動手段89によってY軸方向に往復移動可能となっている。   Cleaning means 8 for cleaning the holding surface 300a of the holding table 30 is disposed above the movement path of the holding table 30. As shown in FIG. 2, the cleaning means 8 includes a rotary shaft 80 having a vertical axis, a housing 81 that rotatably supports the rotary shaft 80, and a cleaning grindstone disposed at the lower end of the rotary shaft 80. 82 and lifting / lowering means 83 that lifts and lowers the housing 81. The cleaning means 8 can be reciprocated in the Y-axis direction by the Y-axis moving means 89 shown in FIG.

図1に示すY軸移動手段89は、例えば、Y軸方向の軸心を有するボールネジ890と、ボールネジ890を支持するブリッジ部891と、内部のナットがボールネジ890に螺合しボールネジ890上をY軸方向に往復移動する可動部892と、ボールネジ890の一端に連結しボールネジ890を回動させる図示しないモータとを備えている。可動部892の前面には洗浄手段8が配設されている。   The Y-axis moving means 89 shown in FIG. 1 includes, for example, a ball screw 890 having an axis in the Y-axis direction, a bridge portion 891 that supports the ball screw 890, and an internal nut screwed into the ball screw 890. A movable portion 892 that reciprocates in the axial direction and a motor (not shown) that is connected to one end of the ball screw 890 and rotates the ball screw 890 are provided. Cleaning means 8 is disposed on the front surface of the movable portion 892.

洗浄砥石82は、例えば、レジンボンド砥石、樹脂材又はセラミックス材を円形板状に形成したものであり、保持テーブル30の保持面300aに付着した研削屑等のコンタミを削り取る。なお、洗浄手段8は、洗浄砥石82の代わりに洗浄ブラシを備えてもよい。
昇降手段83は、ハウジング81が摺動するレール830と、例えばハウジング81の内部に設けられるモータ等とを備え、ハウジング81を昇降させることができる。
The cleaning grindstone 82 is formed, for example, from a resin bond grindstone, a resin material or a ceramic material in a circular plate shape, and scrapes off contaminants such as grinding scraps adhering to the holding surface 300 a of the holding table 30. The cleaning means 8 may include a cleaning brush instead of the cleaning grindstone 82.
The elevating means 83 includes a rail 830 on which the housing 81 slides and a motor or the like provided inside the housing 81, for example, and can elevate the housing 81.

研削装置1は、保持テーブル30の保持面300aで保持され仕上げ研削砥石324aで研削されたウェーハWの被研削面Wbを照明400(図2参照)で照らし被研削面Wbを撮像する撮像手段40と、保持テーブル30の保持面300aを照らすスポットライト41とを備えている。   The grinding apparatus 1 illuminates the surface to be ground Wb of the wafer W held by the holding surface 300a of the holding table 30 and ground by the finish grinding wheel 324a with illumination 400 (see FIG. 2), and images the ground surface Wb. And a spotlight 41 that illuminates the holding surface 300 a of the holding table 30.

撮像手段40は、例えば、ラインセンサカメラであり、洗浄手段8のハウジング81の側面に配設されており、洗浄手段8と共にY軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。図2に示すように、撮像手段40は、例えば、外部光が遮光される直方体状の筐体401を備えており、筐体401の側面にはウェーハWの上方からウェーハWを照らす照明400が取り付けられている。照明400は、例えば、LED又はキセノンランプ等であり、照明400が生み出す光は図示しない光ファイバー等の伝送光学系により筐体401内部に伝搬される。照明400が発する光の光量は、図示しない調整器等によって調整できる。   The imaging unit 40 is, for example, a line sensor camera, and is disposed on the side surface of the housing 81 of the cleaning unit 8, and can move together with the cleaning unit 8 in the Y-axis direction and the Z-axis direction. As illustrated in FIG. 2, the imaging unit 40 includes, for example, a rectangular parallelepiped housing 401 that shields external light, and an illumination 400 that illuminates the wafer W from above the wafer W is provided on a side surface of the housing 401. It is attached. The illumination 400 is, for example, an LED or a xenon lamp, and light generated by the illumination 400 is propagated into the housing 401 by a transmission optical system such as an optical fiber (not shown). The amount of light emitted by the illumination 400 can be adjusted by an adjuster (not shown).

撮像手段40は、筐体401内に配設され照明400が発する光を下方に向けて反射して方向変換するハーフミラー402と、筐体401内のハーフミラー402の下側に配設されハーフミラー402で反射した光が入光する図示しない対物レンズと、ハーフミラー402の上側に配設されウェーハWで反射され対物レンズが捉えた反射光を光電変換して画像情報として出力する撮像部403と、を備えている。   The imaging means 40 is disposed in the housing 401 and reflects the light emitted from the illumination 400 downward to change the direction, and the half mirror 402 in the housing 401 is disposed below the half mirror 402. An objective lens (not shown) that receives light reflected by the mirror 402 and an imaging unit 403 that is arranged above the half mirror 402 and that is reflected by the wafer W and captured by the objective lens is photoelectrically converted and output as image information. And.

撮像部403は、例えば、CCD等の複数の受光素子がX軸方向に横一列に並んで構成されている。撮像部403は、その長手方向(X軸方向)の長さが、保持テーブル30の保持面300aの半径と略同一の長さとなっており、ウェーハWの半径以上の長さの撮像領域を有する。受光素子の各画素が反射光の強さによって伝えるデータは、例えば、輝度値が8ビット階調、即ち、0〜255までの256通りで表現される。   The imaging unit 403 includes, for example, a plurality of light receiving elements such as CCDs arranged in a horizontal row in the X-axis direction. The imaging unit 403 has an imaging region whose length in the longitudinal direction (X-axis direction) is substantially the same as the radius of the holding surface 300a of the holding table 30 and has a length equal to or greater than the radius of the wafer W. . The data transmitted by each pixel of the light receiving element according to the intensity of reflected light is expressed by, for example, 256 kinds of brightness values of 8-bit gradation, that is, 0 to 255.

スポットライト41は、例えば、保持テーブル30の保持面300aを上方からスポット的に照らすことができるLEDライト等であり、撮像手段40の近傍、即ち、本実施形態においては洗浄手段8のハウジング81の側面に取り付けられている。なお、スポットライト41によるスポット光の入射角度は、例えば、図示しない調整手段によって調整可能となっており、スポット光径も所望の値に絞ることができる。また、スポットライト41の配設箇所も図1、2に示す例に限定されるものではない。   The spotlight 41 is, for example, an LED light or the like that can illuminate the holding surface 300a of the holding table 30 from above, and is near the imaging means 40, that is, the housing 81 of the cleaning means 8 in this embodiment. It is attached to the side. In addition, the incident angle of the spot light by the spotlight 41 can be adjusted by, for example, an adjusting unit (not shown), and the spot light diameter can be reduced to a desired value. Further, the location of the spotlight 41 is not limited to the example shown in FIGS.

図1、2に示すように、研削装置1は、CPU及びメモリ等の記憶手段90で構成され装置全体の制御を行う制御手段9を備えている。制御手段9は、図示しない配線によって、仕上げ研削送り手段36、Y軸移動手段89、及び保持テーブル回転手段37等に電気的に接続されており、制御手段9の制御の下で、仕上げ研削送り手段36による仕上げ研削手段32のZ軸方向への移動動作、Y軸移動手段89による撮像手段40のY軸方向における位置づけ動作、及び保持テーブル回転手段37による保持テーブル30の回転動作等が制御される。   As shown in FIGS. 1 and 2, the grinding apparatus 1 includes a control unit 9 that is configured by a storage unit 90 such as a CPU and a memory and controls the entire apparatus. The control means 9 is electrically connected to the finish grinding feed means 36, the Y-axis moving means 89, the holding table rotating means 37 and the like by wiring not shown, and the finish grinding feed is controlled under the control of the control means 9. The movement operation of the finish grinding means 32 in the Z-axis direction by the means 36, the positioning action of the imaging means 40 in the Y-axis direction by the Y-axis movement means 89, and the rotation operation of the holding table 30 by the holding table rotating means 37 are controlled. The

研削装置1は、オペレータに各種情報を通知する通知手段17を備えている。通知手段17は、通知情報を図示しないモニターに表示したり、アラームから発報したりする。   The grinding apparatus 1 includes a notification unit 17 that notifies the operator of various information. The notification means 17 displays notification information on a monitor (not shown) or issues an alarm.

以下に、図1に示す研削装置1によりウェーハWを研削する場合の研削装置1の動作について説明する。
まず、図1に示すターンテーブル34が自転することで、ウェーハWが載置されていない状態の保持テーブル30が公転し、保持テーブル30が第一の搬送手段335の近傍まで移動する。ロボット330が第一のカセット331から一枚のウェーハWを引き出し、ウェーハWを仮置きテーブル333aに移動させる。
The operation of the grinding apparatus 1 when the wafer W is ground by the grinding apparatus 1 shown in FIG. 1 will be described below.
First, as the turntable 34 shown in FIG. 1 rotates, the holding table 30 on which the wafer W is not placed revolves, and the holding table 30 moves to the vicinity of the first transfer means 335. The robot 330 pulls out one wafer W from the first cassette 331 and moves the wafer W to the temporary placement table 333a.

位置合わせ手段333bによりウェーハWが仮置きテーブル333a上でセンタリングされた後、ウェーハWの外周縁に形成されたノッチNが検出部333cにより検出される。そして、ウェーハWが仮置きテーブル333aにより回転され、ノッチNが周方向における所定位置に位置づけられる。次いで、第一の搬送手段335が、センタリングされノッチNが周方向における所定位置に位置づけられたウェーハWを、把握されたノッチNの周方向位置をずらさないように保持テーブル30上に移動させる。   After the wafer W is centered on the temporary placement table 333a by the alignment means 333b, the notch N formed on the outer peripheral edge of the wafer W is detected by the detection unit 333c. Then, the wafer W is rotated by the temporary placement table 333a, and the notch N is positioned at a predetermined position in the circumferential direction. Next, the first transfer means 335 moves the wafer W, which is centered and the notch N is positioned at a predetermined position in the circumferential direction, onto the holding table 30 so as not to shift the grasped circumferential position of the notch N.

例えば、保持テーブル30には、ウェーハWが載置されたときにノッチNと位置合わせするための図示しないノッチ合わせ部(合わせマーク)が形成されていてもよい。保持テーブル30においては、ウェーハWのノッチNと保持テーブル30のノッチ合わせ部とが位置合わせされる。即ち、第一の搬送手段335がウェーハWを保持したときのノッチNの位置は、仮置きテーブル333aからウェーハWを保持し搬出する時に決められているので、保持テーブル30が所定角度回転され、仮置きテーブル333aが保持していたウェーハWのノッチNの位置と保持テーブル30のノッチ合わせ部とが一致するように位置合わせがされる。そして、保持テーブル30の中心とウェーハWの中心とが略合致するように、ウェーハWが裏面Wbを上に向けた状態で保持面300a上に載置される。   For example, the holding table 30 may be formed with a notch alignment portion (alignment mark) (not shown) for aligning with the notch N when the wafer W is placed. In the holding table 30, the notch N of the wafer W and the notch alignment portion of the holding table 30 are aligned. That is, the position of the notch N when the first transfer means 335 holds the wafer W is determined when holding and unloading the wafer W from the temporary placement table 333a, so that the holding table 30 is rotated by a predetermined angle, Positioning is performed such that the position of the notch N of the wafer W held by the temporary placement table 333a coincides with the notch alignment portion of the holding table 30. Then, the wafer W is placed on the holding surface 300a with the back surface Wb facing up so that the center of the holding table 30 and the center of the wafer W substantially coincide.

そして、吸引源39(図2参照)が作動して生み出された吸引力が、ポーラス板300の保持面300aに伝達されることにより、保持テーブル30が保持面300a上でウェーハWを吸引保持する。また、吸引保持されたウェーハWのノッチNの位置は、制御手段9により把握された状態となっている。
なお、保持テーブル30上に吸引保持されたウェーハWのノッチNの位置は、少なくとも後述する第二の搬送手段336によるウェーハWの保持テーブル30からの搬出時までは、常時把握された状態になる。即ち、図2に示す保持テーブル回転手段37のロータリエンコーダ379は、保持テーブル回転手段37による保持テーブル30の回転がなされると、エンコーダ信号(モータ371の回転数)を制御手段9に対して出力する。制御手段9は、受信したエンコーダ信号によって、保持テーブル回転手段37による保持テーブル30の回転速度をフィードバック制御し、かつ、回転するウェーハWのノッチNの位置を逐次把握できる。
Then, the suction force generated by the operation of the suction source 39 (see FIG. 2) is transmitted to the holding surface 300a of the porous plate 300, whereby the holding table 30 sucks and holds the wafer W on the holding surface 300a. . Further, the position of the notch N of the wafer W that is sucked and held is grasped by the control means 9.
The position of the notch N of the wafer W sucked and held on the holding table 30 is always grasped at least until the wafer W is unloaded from the holding table 30 by the second transfer means 336 described later. . That is, the rotary encoder 379 of the holding table rotating means 37 shown in FIG. 2 outputs an encoder signal (the number of rotations of the motor 371) to the control means 9 when the holding table 30 is rotated by the holding table rotating means 37. To do. The control means 9 can feedback-control the rotation speed of the holding table 30 by the holding table rotating means 37 based on the received encoder signal, and can sequentially grasp the position of the notch N of the rotating wafer W.

なお、保持テーブル30上におけるウェーハWのノッチNの位置の把握は、撮像手段40を用いたウェーハWについてのエッジアライメントが行われる場合には、該エッジアライメント共になされてもよい。エッジアライメントでは、保持テーブル30が回転し、保持テーブル30に保持されたウェーハWの外周縁が撮像手段40で複数個所撮像される。そして、例えば外周縁の離間した3点の座標が検出され、該3点の座標に基づく幾何学的演算処理により、保持テーブル30上におけるウェーハWの正確な中心座標が求められる。また、形成された撮像画像からノッチNの座標位置が把握される。   Note that the position of the notch N of the wafer W on the holding table 30 may be grasped together with the edge alignment when the edge alignment of the wafer W using the imaging unit 40 is performed. In edge alignment, the holding table 30 rotates, and the outer peripheral edge of the wafer W held on the holding table 30 is imaged at a plurality of locations by the imaging means 40. Then, for example, the coordinates of three points separated from the outer peripheral edge are detected, and the accurate center coordinates of the wafer W on the holding table 30 are obtained by geometric calculation processing based on the coordinates of the three points. Further, the coordinate position of the notch N is grasped from the formed captured image.

保持テーブル30がウェーハWを吸引保持した後、図1に示すターンテーブル34が+Z方向から見て時計回り方向に自転する。そして、ウェーハWを保持した保持テーブル30が公転し、粗研削手段31の粗研削砥石314aの回転中心がウェーハWの回転中心に対して所定距離だけ水平方向にずれ、粗研削砥石314aの回転軌跡がウェーハWの回転中心を通るようにウェーハWが位置づけられる。また、緩やかな円錐面である保持面300aが粗研削砥石314aの研削面(下面)に対して平行になるように、傾き調節機構38(図2参照)によって保持テーブル30の傾きが調整され、保持面300aにならって吸引保持されるウェーハWの裏面Wbが、粗研削砥石314aの研削面と平行になる。   After the holding table 30 sucks and holds the wafer W, the turntable 34 shown in FIG. 1 rotates in the clockwise direction when viewed from the + Z direction. Then, the holding table 30 holding the wafer W revolves, the rotation center of the rough grinding wheel 314a of the rough grinding means 31 is shifted in the horizontal direction by a predetermined distance from the rotation center of the wafer W, and the rotation locus of the rough grinding wheel 314a. The wafer W is positioned so that passes through the center of rotation of the wafer W. Further, the inclination of the holding table 30 is adjusted by the inclination adjusting mechanism 38 (see FIG. 2) so that the holding surface 300a which is a gentle conical surface is parallel to the grinding surface (lower surface) of the rough grinding wheel 314a. The back surface Wb of the wafer W sucked and held following the holding surface 300a is parallel to the grinding surface of the rough grinding wheel 314a.

粗研削手段31が粗研削送り手段35により−Z方向へと送られ、回転する粗研削砥石314aが保持テーブル30で保持されたウェーハWの裏面Wbに当接することで粗研削が行われる。また、保持テーブル回転手段37が保持テーブル30を所定の回転速度で回転させるのに伴い保持面300a上のウェーハWも回転するので、粗研削砥石314aがウェーハWの裏面Wb全面の粗研削加工を行う。研削中は、粗研削砥石314aとウェーハWの裏面Wbとの接触部位に研削水が供給され、接触部位を冷却・洗浄する。   The rough grinding means 31 is sent in the −Z direction by the rough grinding feed means 35, and the rotating rough grinding wheel 314 a comes into contact with the back surface Wb of the wafer W held by the holding table 30, so that rough grinding is performed. Further, as the holding table rotating means 37 rotates the holding table 30 at a predetermined rotation speed, the wafer W on the holding surface 300a also rotates, so that the rough grinding wheel 314a performs rough grinding on the entire back surface Wb of the wafer W. Do. During grinding, the grinding water is supplied to the contact portion between the rough grinding wheel 314a and the back surface Wb of the wafer W, and the contact portion is cooled and cleaned.

仕上げ厚さの手前までウェーハWが粗研削された後、粗研削送り手段35が粗研削手段31を上昇させウェーハWから離間させる。
次いで、ターンテーブル34が+Z方向から見て時計回り方向に回転して、ウェーハWを吸引保持する保持テーブル30が仕上げ研削手段32の下方まで移動する。仕上げ研削砥石324aとウェーハWとの位置合わせが行われた後、仕上げ研削手段32が仕上げ研削送り手段36により下方へと送られ、回転する仕上げ研削砥石324aがウェーハWの裏面Wbに当接し、また、保持テーブル30が回転することに伴って、ウェーハWの裏面Wbの全面が仕上げ研削される。
After the wafer W is roughly ground before the finish thickness, the coarse grinding feed means 35 raises the coarse grinding means 31 and separates it from the wafer W.
Next, the turntable 34 rotates in the clockwise direction when viewed from the + Z direction, and the holding table 30 that sucks and holds the wafer W moves to below the finish grinding means 32. After the positioning of the finish grinding wheel 324a and the wafer W is performed, the finish grinding means 32 is sent downward by the finish grinding feed means 36, and the rotating finish grinding wheel 324a contacts the back surface Wb of the wafer W, Further, as the holding table 30 rotates, the entire back surface Wb of the wafer W is finish-ground.

仕上げ厚さまで研削され裏面Wbの平坦性が高められたウェーハWから仕上げ研削手段32が離間した後、ターンテーブル34が+Z方向から見て時計回り方向に自転することで、ウェーハWが第二の搬送手段336の近傍まで移動する。そして、第二の搬送手段336が、保持テーブル30上のウェーハWを洗浄手段334に搬送する。
洗浄手段334においてウェーハWが洗浄された後、ロボット330がウェーハWを洗浄手段334から搬出して、第二のカセット332にウェーハWを搬入する。研削装置1においては、このような一連の研削動作が繰り返し行われ、複数枚のウェーハWが研削される。
After the finish grinding means 32 is separated from the wafer W ground to the finished thickness and the flatness of the back surface Wb is increased, the turntable 34 rotates in the clockwise direction when viewed from the + Z direction, so that the wafer W becomes the second one. It moves to the vicinity of the conveying means 336. Then, the second transfer unit 336 transfers the wafer W on the holding table 30 to the cleaning unit 334.
After the wafer W is cleaned in the cleaning unit 334, the robot 330 unloads the wafer W from the cleaning unit 334 and loads the wafer W into the second cassette 332. In the grinding apparatus 1, such a series of grinding operations are repeatedly performed, and a plurality of wafers W are ground.

上記のようにして、ウェーハWを研削すると、図1に示す保持テーブル30の保持面300aとウェーハWに貼着された保護テープTとの間に研削屑や脱粒した砥粒が入り込み、その研削屑や砥粒が保持面300aに付着することがある。この状態でウェーハWを研削するとウェーハWに十字形状のクラック(十字ライン)が発生する。また、この付着物が保持面300a上に残ったままの状態で該保持面300aに次のウェーハWが吸引保持され、次のウェーハWの裏面Wbが研削されると、次のウェーハWに十字形状のクラックが発生する。   When the wafer W is ground as described above, grinding scraps and deagglomerated abrasive grains enter between the holding surface 300a of the holding table 30 shown in FIG. 1 and the protective tape T attached to the wafer W, and the grinding is performed. Waste and abrasive grains may adhere to the holding surface 300a. When the wafer W is ground in this state, a cross-shaped crack (cross line) is generated in the wafer W. Further, when the next wafer W is sucked and held on the holding surface 300a while the deposit remains on the holding surface 300a and the back surface Wb of the next wafer W is ground, the next wafer W is cross-shaped. Shape cracks occur.

そこで、洗浄手段8がY軸移動手段89によってY軸方向に移動し、ウェーハWが搬出された保持テーブル30の保持面300aの上方に洗浄砥石82を位置付ける。そして、保持テーブル回転手段37が保持テーブル30を回転させるとともに、昇降手段83が回転する洗浄砥石82を下降させ、保持面300aに洗浄砥石82を押圧する。そうすると、保持面300aから上方に突出した研削屑等が削り取られ、保持面300aが洗浄される。   Therefore, the cleaning unit 8 is moved in the Y-axis direction by the Y-axis moving unit 89, and the cleaning grindstone 82 is positioned above the holding surface 300a of the holding table 30 from which the wafer W is unloaded. Then, the holding table rotating unit 37 rotates the holding table 30, and the cleaning grindstone 82 rotated by the lifting / lowering unit 83 is lowered to press the cleaning grindstone 82 against the holding surface 300a. If it does so, the grinding | polishing waste etc. which protruded upwards from the holding surface 300a will be scraped off, and the holding surface 300a will be wash | cleaned.

例えば、洗浄手段8を用いた保持テーブル30の保持面300a洗浄を適宜のタイミングで挟みつつ、ウェーハWを複数枚連続して研削していった場合等において、洗浄手段8による洗浄を行った後の保持面300aに付着物が残っていることがあり、この場合には、該保持面300aで保持されたウェーハWの裏面Wbに研削により十字ラインが形成されることになる。
そのため、ウェーハWに十字ラインが形成されてしまう状態で複数枚のウェーハWが研削されてしまうことを防ぐ必要があり、本発明に係る研削装置1は以下に説明するような動作を実施する。
For example, after performing cleaning by the cleaning unit 8 in the case where a plurality of wafers W are ground continuously while holding the holding surface 300a cleaning of the holding table 30 using the cleaning unit 8 at an appropriate timing, etc. In this case, a cross line is formed on the back surface Wb of the wafer W held by the holding surface 300a by grinding.
Therefore, it is necessary to prevent a plurality of wafers W from being ground in a state where a cross line is formed on the wafer W, and the grinding apparatus 1 according to the present invention performs an operation as described below.

例えば、所定の複数枚目のウェーハWが仕上げ研削により仕上げ厚さまで研削され、図1に示す仕上げ研削手段32がウェーハWから離間した後、ターンテーブル34が+Z方向から見て時計回り方向に自転し、また、Y軸移動手段89が撮像手段40をY軸方向に移動させ、保持テーブル30に吸引保持されているウェーハWの裏面Wbを撮像手段40が撮像できるように、ウェーハWと撮像手段40とが位置合わせされる。即ち、図3、4に示すように、撮像部403がウェーハWの中心Wc上方から外周縁上方までをライン状に跨ぐように位置合わせがなされる。なお、図3、4においては、撮像手段40の撮像部403以外の構成は省略して示している。   For example, a predetermined plurality of wafers W are ground to a finish thickness by finish grinding, and after the finish grinding means 32 shown in FIG. 1 is separated from the wafer W, the turntable 34 rotates in the clockwise direction when viewed from the + Z direction. Further, the wafer W and the imaging means are arranged so that the Y-axis moving means 89 moves the imaging means 40 in the Y-axis direction so that the imaging means 40 can take an image of the back surface Wb of the wafer W sucked and held by the holding table 30. 40 is aligned. That is, as shown in FIGS. 3 and 4, the imaging unit 403 is aligned so as to straddle a line from above the center Wc of the wafer W to above the outer peripheral edge. 3 and 4, the configuration other than the imaging unit 403 of the imaging unit 40 is omitted.

次いで、保持テーブル回転手段37が制御手段9の制御の下で所定角度だけ保持テーブル30を回転させて、例えば、図4に示すように、ウェーハWの中心WcとノッチNとを通る仮想線L1がX軸方向に対して平行になり、かつ、ノッチNが+X方向側の位置(撮像開始位置である0度位置)に位置づけられる。
また、撮像手段40が作動し、図示しない対物レンズのピント合わせが図2に示す昇降手段83による撮像手段40の上下動によりなされる。対物レンズのピントがウェーハWの裏面Wbに合った時点で、昇降手段83が撮像手段40の上下動を停止する。
Next, the holding table rotating unit 37 rotates the holding table 30 by a predetermined angle under the control of the control unit 9, for example, as shown in FIG. 4, an imaginary line L 1 passing through the center Wc and the notch N of the wafer W. Are parallel to the X-axis direction, and the notch N is positioned at a position on the + X direction side (0 degree position which is an imaging start position).
Further, the imaging means 40 is operated, and an objective lens (not shown) is focused by the vertical movement of the imaging means 40 by the elevating means 83 shown in FIG. When the objective lens is focused on the back surface Wb of the wafer W, the elevating means 83 stops the vertical movement of the imaging means 40.

この状態で、図3、4に示すように、保持テーブル回転手段37が、例えば、保持テーブル30を+Z方向側から見て反時計回り方向に所定の回転速度で回転させる。また、撮像手段40の照明400(図2参照)がウェーハWの裏面Wbにハーフミラー402を介して光を照射し、ウェーハWの裏面Wbからの反射光が図示しない対物レンズで捉えられ撮像部403の受光素子に入射する。そして、撮像手段40に対して相対的に回転するウェーハWの裏面Wbが、撮像手段40よってウェーハWの中心Wcからその外周縁まで1ラインずつ連続的に撮像される。   In this state, as shown in FIGS. 3 and 4, the holding table rotating means 37 rotates the holding table 30, for example, counterclockwise when viewed from the + Z direction side at a predetermined rotational speed. Further, the illumination 400 (see FIG. 2) of the imaging means 40 irradiates the back surface Wb of the wafer W through the half mirror 402, and the reflected light from the back surface Wb of the wafer W is captured by an objective lens (not shown). It is incident on the light receiving element 403. Then, the back surface Wb of the wafer W that rotates relative to the imaging means 40 is continuously imaged line by line from the center Wc of the wafer W to the outer periphery thereof by the imaging means 40.

撮像部403が、ライン単位の撮像画像を図1、2に示す制御手段9に逐次送信する。該ライン単位の撮像画像は、制御手段9の記憶手段90にウェーハWの裏面Wb全体が写った撮像画像を構成可能に順番に記憶される。また、制御手段9は、保持テーブル30を回転させる保持テーブル回転手段37のロータリエンコーダ379(図2参照)から受信したエンコーダ信号によって、ウェーハWの裏面Wbについての1ラインを示す撮像画像と、該1ラインを示す撮像画像が撮像された際の撮像開始位置(0度位置)からの保持テーブル30の回転角度とを紐付けて記憶手段90に順番に記憶する。
そして、保持テーブル回転手段37が保持テーブル30を360度回転させてウェーハWの裏面Wb上方を撮像手段40が一周通過しきる(ノッチNが撮像開始位置に戻る)と、ウェーハWの裏面Wb全面が写った撮像画像が形成され、また、保持テーブル30の回転が停止する。
The imaging unit 403 sequentially transmits captured images in units of lines to the control unit 9 illustrated in FIGS. The line-by-line captured images are sequentially stored in the storage unit 90 of the control unit 9 so that a captured image in which the entire back surface Wb of the wafer W is captured can be configured. In addition, the control means 9 uses the encoder signal received from the rotary encoder 379 (see FIG. 2) of the holding table rotating means 37 for rotating the holding table 30, and the captured image showing one line for the back surface Wb of the wafer W, The rotation angle of the holding table 30 from the imaging start position (0-degree position) when the captured image indicating one line is captured is linked and stored in the storage unit 90 in order.
Then, when the holding table rotating means 37 rotates the holding table 30 360 degrees and the imaging means 40 passes over the upper surface of the back surface Wb of the wafer W (the notch N returns to the imaging start position), the entire back surface Wb of the wafer W is A captured image is formed, and the rotation of the holding table 30 is stopped.

撮像部403の各受光素子に入射した反射光の光量(受光量)は、ウェーハWの裏面Wbに十字ラインがある場合に違いが生じる。即ち、撮像部403の各受光素子において、ウェーハWの裏面Wbの十字ラインがある箇所は受光量が増えてその輝度値が255に近づいて白色に近づき、ウェーハWの裏面Wbの十字ラインが無い領域は受光量が減りその輝度値が0に近づいて黒色に近づく。したがって、図5に示す所定の解像度の仮想的な出力画面上に表示されたウェーハWの裏面Wb全面が写った撮像画像Gにおいて、ウェーハWの裏面Wbの十字ラインCは、例えば白色で示され、その周囲のウェーハWの裏面Wbは灰色で示される。
なお、撮像画像Gに対して二値化処理が行われて、十字ラインCとその周囲とがより明確に区別可能となってもよい。
The amount of reflected light (the amount of received light) incident on each light receiving element of the imaging unit 403 differs when there is a cross line on the back surface Wb of the wafer W. That is, in each light receiving element of the image pickup unit 403, a portion where the cross line on the back surface Wb of the wafer W is present increases in the amount of received light, the brightness value approaches 255 and approaches white, and there is no cross line on the back surface Wb of the wafer W. In the region, the amount of received light decreases, and the luminance value approaches 0 and approaches black. Accordingly, in the captured image G showing the entire back surface Wb of the wafer W displayed on the virtual output screen having a predetermined resolution shown in FIG. 5, the cross line C on the back surface Wb of the wafer W is shown in white, for example. The back surface Wb of the surrounding wafer W is shown in gray.
Note that binarization processing may be performed on the captured image G so that the cross line C and its surroundings can be more clearly distinguished.

図1、2に示すように、研削装置1は、撮像手段40が撮像した撮像画像Gの中の十字ラインCを検出する検出手段91を備えており、検出手段91は、例えば、制御手段9に組み込まれている。検出手段91は、図5に示す撮像画像Gに写るウェーハWの裏面Wb中(灰色領域中)の白色の画素のY軸方向の総和及び白色の画素のX軸方向の総和をカウントし、十字ラインCを検出すると共に十字ラインCの大きさを算出する。また、十字ラインCの交点の画素が特定される。   As shown in FIGS. 1 and 2, the grinding apparatus 1 includes a detection unit 91 that detects a cross line C in a captured image G captured by the imaging unit 40. The detection unit 91 is, for example, a control unit 9. Built in. The detection means 91 counts the sum in the Y-axis direction of white pixels and the sum in the X-axis direction of white pixels in the back surface Wb (in the gray region) of the wafer W shown in the captured image G shown in FIG. The line C is detected and the size of the cross line C is calculated. Also, the pixel at the intersection of the cross line C is specified.

次に、検出された十字ラインCの交点の画素のX軸Y軸座標位置が、検出手段91によって決定される。保持テーブル30の回転中心と略合致するウェーハWの中心Wcの座標位置を、例えば原点座標(0、0)として定め、原点座標(0、0)と特定された十字ラインCの交点を示す画素とを結ぶ仮想線L2が引かれる。仮想線L1と仮想線L2との間の角度θ1は、十字ラインCが写ったライン単位の撮像画像が撮像された際における撮像開始位置から保持テーブル30が回転した角度と同じであり、記憶手段90に記憶されている既知の値である。
また、仮想線L2の長さが、原点座標(0、0)から十字ラインCの交点の画素までの画素カウントにより算出される(例えば、算出値をrとする)。そして、検出された十字ラインCの交点の画素のX軸Y軸座標位置(x、y)が、(rcosθ1、−rsinθ1)であると決定される。そして、十字ラインCの交点のX軸Y軸座標位置である(rcosθ1、−rsinθ1)は、記憶手段90に記憶される。
Next, the X-axis and Y-axis coordinate positions of the detected intersection pixel of the cross line C are determined by the detection unit 91. A coordinate position of the center Wc of the wafer W that substantially matches the rotation center of the holding table 30 is defined as, for example, an origin coordinate (0, 0), and a pixel indicating an intersection of the identified cross line C with the origin coordinate (0, 0) An imaginary line L2 is drawn. The angle θ1 between the imaginary line L1 and the imaginary line L2 is the same as the angle at which the holding table 30 is rotated from the imaging start position when the captured image of the line unit including the cross line C is captured. 90 is a known value stored in 90.
Further, the length of the virtual line L2 is calculated by the pixel count from the origin coordinates (0, 0) to the pixel at the intersection of the cross line C (for example, the calculated value is r). Then, the X-axis and Y-axis coordinate position (x, y) of the detected pixel at the intersection of the cross line C is determined to be (r cos θ1, −r sin θ1). The X-axis Y-axis coordinate position (r cos θ1, −rsin θ1) of the intersection of the cross line C is stored in the storage unit 90.

なお、検出された十字ラインCの交点の画素のX軸Y軸座標位置(x、y)の決定は上記例に限定されるものではない。例えば、十字ラインCの交点の画素から、仮想線L1に直交する仮想線L3(図5には不図示)が引かれ、仮想線L1と仮想線L3との交点のX軸座標が、原点座標(0、0)から仮想線L1と仮想線L3との交点までの画素カウントにより決定される。そして、仮想線L1と仮想線L3との交点から十字ラインCの交点までの画素カウントがさらに行われて十字ラインCの交点Y軸座標位置が決定され、十字ラインCの交点の画素のX軸Y軸座標位置(x、y)が最終的に決定されてもよい。   Note that the determination of the X-axis and Y-axis coordinate position (x, y) of the pixel at the intersection of the detected cross line C is not limited to the above example. For example, a virtual line L3 (not shown in FIG. 5) orthogonal to the virtual line L1 is drawn from the pixel at the intersection of the cross line C, and the X-axis coordinate of the intersection of the virtual line L1 and the virtual line L3 is the origin coordinate. It is determined by the pixel count from (0, 0) to the intersection of the virtual line L1 and the virtual line L3. The pixel count from the intersection of the virtual line L1 and the virtual line L3 to the intersection of the cross line C is further performed to determine the intersection Y-axis coordinate position of the cross line C, and the X axis of the pixel at the intersection of the cross line C The Y-axis coordinate position (x, y) may be finally determined.

記憶手段90に十字ラインCの交点のX軸Y軸座標位置(rcosθ1、−rsinθ1)が記憶されると、ウェーハWの裏面Wbの該記憶されたX軸Y軸座標位置(rcosθ1、−rsinθ1)を図1、2に示すスポットライト41が照らす。即ち、制御手段9による制御の下で、Y軸移動手段89によるスポットライト41のY軸方向における移動、昇降手段83によるスポットライト41のZ軸方向における移動、又は/及び図示しない調整手段によるスポットライト41が照射するスポット光の入射角度の調整が実施されることで、スポットライト41が所定のスポット径でウェーハWの裏面Wbの該記憶されたX軸Y軸座標位置(rcosθ1、−rsinθ1)を照らす。なお、スポットライト41のスポット光のスポット径は、例えば、十字ラインCの縦横長さ大の径である。   When the X-axis Y-axis coordinate position (r cos θ1, −rsin θ1) of the intersection of the cross line C is stored in the storage unit 90, the stored X-axis Y-axis coordinate position (r cos θ1, −rsin θ1) of the back surface Wb of the wafer W is stored. Are illuminated by a spotlight 41 shown in FIGS. That is, under the control of the control means 9, the movement of the spotlight 41 in the Y-axis direction by the Y-axis movement means 89, the movement of the spotlight 41 in the Z-axis direction by the elevating means 83, and / or the spot by the adjustment means (not shown). By adjusting the incident angle of the spot light irradiated by the light 41, the spot light 41 has the predetermined spot diameter and the stored X-axis Y-axis coordinate position (r cos θ1, −rsin θ1) of the back surface Wb of the wafer W. Illuminate. In addition, the spot diameter of the spotlight of the spotlight 41 is, for example, a diameter that is large in the length and width of the cross line C.

先に説明したように検出手段91が十字ラインCを検出すると、制御手段9から制御信号が通知手段17に送信され、通知手段17はウェーハWに十字ラインCが検出されたことをオペレータに通知する。また、制御手段9による制御の下で、研削動作、即ち、十字ラインCが形成されたウェーハWを保持する保持テーブル30以外の保持テーブル30へのウェーハWの第一の搬送手段335による搬入、他の保持テーブル30で保持されたウェーハWに対する粗研削加工(仕上げ研削加工)、十字ラインCが形成されたウェーハWの第二の搬送手段336による保持テーブル30から洗浄手段334への搬送、及びターンテーブル34の回転等が停止される。これによって、オペレータが保持テーブル30から十字ラインCが形成されたウェーハWを取り外し、その後に、保持テーブル30の保持面300aの付着物を除去できる状態に研削装置1がなる。
なお、十字ラインCがウェーハWに検出されなかった場合は、先に説明したのと同様に、ターンテーブル34の回転によりウェーハWが第二の搬送手段336の近傍まで移動し、第二の搬送手段336が保持テーブル30上のウェーハWを洗浄手段334に搬送する。
As described above, when the detection unit 91 detects the cross line C, a control signal is transmitted from the control unit 9 to the notification unit 17, and the notification unit 17 notifies the operator that the cross line C has been detected on the wafer W. To do. In addition, under the control of the control unit 9, a grinding operation, that is, the transfer of the wafer W to the holding table 30 other than the holding table 30 holding the wafer W on which the cross line C is formed by the first transfer unit 335, Rough grinding (finish grinding) on the wafer W held by another holding table 30, transfer of the wafer W on which the cross line C is formed from the holding table 30 to the cleaning means 334 by the second transfer means 336, and The rotation of the turntable 34 is stopped. As a result, the grinding apparatus 1 is in a state in which the operator can remove the wafer W on which the cross line C is formed from the holding table 30 and then remove the deposit on the holding surface 300a of the holding table 30.
If the cross line C is not detected on the wafer W, the wafer W is moved to the vicinity of the second transfer means 336 by the rotation of the turntable 34 as described above, and the second transfer is performed. The means 336 transports the wafer W on the holding table 30 to the cleaning means 334.

上記のように研削装置1の研削動作が停止した後、十字ラインCが検出されたウェーハWは、保持テーブル30によるウェーハWの吸引保持が解除されてから、オペレータにより製品ウェーハに適さないウェーハとして保持テーブル30から搬出される。そのため、所定のスポット径でウェーハWの裏面Wbの該記憶されたX軸Y軸座標位置(rcosθ1、−rsinθ1)を照らしているスポットライト41(図2参照)は、十字ラインCがウェーハWに形成されたX軸Y軸座標位置(rcosθ1、−rsinθ1)の直下の保持面300aをスポット光で照らすことになる。即ち、ウェーハWに十字ラインCを形成させる原因となった保持面300a上の付着物が、スポットライト41のよってピンポイントで照らされた状態になる。   After the grinding operation of the grinding apparatus 1 is stopped as described above, the wafer W in which the cross line C is detected is regarded as a wafer that is not suitable for a product wafer by the operator after the suction holding of the wafer W by the holding table 30 is released. It is unloaded from the holding table 30. Therefore, the spotlight 41 (see FIG. 2) illuminating the stored X-axis Y-axis coordinate position (r cos θ1, −rsin θ1) of the back surface Wb of the wafer W with a predetermined spot diameter has a cross line C on the wafer W. The holding surface 300a immediately below the formed X-axis Y-axis coordinate position (r cos θ1, −rsin θ1) is illuminated with spot light. That is, the deposit on the holding surface 300 a that causes the cross line C to be formed on the wafer W is in a state of being pinpointed by the spotlight 41.

オペレータは、保持面300a上の研削屑や砥粒等の付着物が付着している位置を、スポットライト41のスポット光により直ぐに把握することができる。そのため、オペレータは、例えば、付着物除去用の工具(例えば、スクレーパー又は洗浄ブラシ等)を用いて十字ラインCの原因となる付着物を保持面300aから即座に除去できる。   The operator can immediately grasp the position on the holding surface 300a where deposits such as grinding scraps and abrasive grains are attached by the spotlight of the spotlight 41. Therefore, the operator can immediately remove the deposits causing the cross line C from the holding surface 300a using, for example, a deposit removal tool (for example, a scraper or a cleaning brush).

上記のようなオペレータによる保持面300aの付着物の除去が実施された後、再び研削装置1の研削動作が開始可能となるようにオペレータによって研削装置1がセットされることで、次のウェーハWに十字ラインCが形成させることがない状態の保持面300aとなった保持テーブル30上でウェーハWが保持され、前記研削が実施される。   After the operator removes the deposits on the holding surface 300a as described above, the grinding device 1 is set by the operator so that the grinding operation of the grinding device 1 can be started again. Then, the wafer W is held on the holding table 30 that has become the holding surface 300a in a state where the cross line C is not formed, and the grinding is performed.

なお、本発明に係る研削装置1は上記実施形態に限定されるものではなく、また、添付図面に図示されている各装置の構成等についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。
例えば、スポットライト41は、オペレータが保持テーブル30から十字ラインCが検出されたウェーハWを搬出してから、記憶手段90に記憶されている十字ラインCの交点のX軸Y軸座標位置(rcosθ1、−rsinθ1)を照らし始めてもよい。
The grinding device 1 according to the present invention is not limited to the above embodiment, and the configuration of each device illustrated in the accompanying drawings is not limited to this, and the effects of the present invention are exhibited. It can be changed as appropriate within a possible range.
For example, in the spotlight 41, after the operator unloads the wafer W from which the cross line C is detected from the holding table 30, the X-axis Y-axis coordinate position (r cos θ1) of the intersection of the cross line C stored in the storage unit 90 is stored. , -Rsin θ1) may begin to illuminate.

1:研削装置 10:ベース 11:コラム 17:通知手段
30:保持テーブル 300:ポーラス板 300a:保持面 301:枠体
31:粗研削手段 310:回転軸 311:ハウジング 312:モータ
314:研削ホイール 314a:粗研削砥石
32:仕上げ研削手段 324a:仕上げ研削砥石
330:ロボット 331:第一のカセット 332:第二のカセット 333a:仮置きテーブル 333b:位置合わせ手段 333c:ノッチ検出部 334:洗浄手段
335:第一の搬送手段 336:第二の搬送手段 34:ターンテーブル
35:粗研削送り手段 350:ボールネジ 351:ガイドレール 352:モータ 353:昇降部
36:仕上げ研削送り手段 360:ボールネジ 361:ガイドレール 362:モータ 363:昇降部
37:保持テーブル回転手段 370:スピンドル 371:モータ 372:主動プーリ 373:無端ベルト 374:従動プーリ 379:ロータリエンコーダ 38:傾き調節機構 39:吸引源
8:洗浄手段 80:回転軸 81:ハウジング 82:洗浄砥石 83:昇降手段
89:Y軸移動手段
40:撮像手段 400:照明 401:筐体 402:ハーフミラー 403:撮像部
41:スポットライト
9:制御手段 90:記憶手段 91:検出手段
W:ウェーハWa:ウェーハの表面 Wb:ウェーハの被研削面(裏面) T:保護テープ N:ノッチ C:十字ライン
1: Grinding device 10: Base 11: Column 17: Notification means 30: Holding table 300: Porous plate 300a: Holding surface 301: Frame body 31: Coarse grinding means 310: Rotating shaft 311: Housing 312: Motor 314: Grinding wheel 314a : Coarse grinding wheel 32: finish grinding means 324a: finish grinding wheel 330: robot 331: first cassette 332: second cassette 333a: temporary placement table 333b: positioning means 333c: notch detection unit 334: cleaning means 335: First transport means 336: Second transport means 34: Turntable 35: Coarse grinding feed means 350: Ball screw 351: Guide rail 352: Motor 353: Lifting unit 36: Finish grinding feed means 360: Ball screw 361: Guide rail 362 : Motor 363: Lifting part
37: Holding table rotating means 370: Spindle 371: Motor 372: Main driving pulley 373: Endless belt 374: Driven pulley 379: Rotary encoder 38: Tilt adjusting mechanism 39: Suction source 8: Cleaning means 80: Rotating shaft 81: Housing 82: Cleaning grindstone 83: Lifting means 89: Y-axis moving means 40: Imaging means 400: Illumination 401: Housing 402: Half mirror 403: Imaging unit 41: Spotlight 9: Control means 90: Storage means 91: Detection means W: Wafer Wa: Wafer surface Wb: Wafer surface to be ground (back surface) T: Protective tape N: Notch C: Cross line

Claims (1)

ウェーハを保持する保持面を有するポーラス板を備えた保持テーブルと、該保持テーブルの中心を軸に回転させる保持テーブル回転手段と、該保持面で保持したウェーハを研削砥石で研削する研削手段と、オペレータに各種情報を通知する通知手段とを備える研削装置であって、
該保持面で保持され該研削砥石で研削されたウェーハの被研削面を照明で照らし被研削面を撮像する撮像手段と、
該撮像手段が撮像した画像の中の十字ラインを検出する検出手段と、
該検出手段が検出した十字ラインの交点のX軸Y軸座標位置を記憶する記憶手段と、
該記憶手段が記憶するX軸Y軸座標位置で該保持面を照らすスポットライトと、
該通知手段に該検出手段が十字ラインを検出したことをオペレータに通知させると共に装置の研削動作を停止させる制御手段と、を備える、研削装置。
A holding table provided with a porous plate having a holding surface for holding a wafer, a holding table rotating means for rotating around the center of the holding table, a grinding means for grinding the wafer held on the holding surface with a grinding wheel, A grinding device comprising notification means for notifying an operator of various information,
Imaging means for illuminating the surface to be ground of the wafer held by the holding surface and ground by the grinding wheel with illumination, and imaging the surface to be ground;
Detecting means for detecting a cross line in the image captured by the imaging means;
Storage means for storing the X-axis and Y-axis coordinate position of the intersection of the cross lines detected by the detection means;
A spotlight that illuminates the holding surface at an X-axis Y-axis coordinate position stored in the storage means;
And a control means for causing the notification means to notify the operator that the detection means has detected a cross line and to stop the grinding operation of the apparatus.
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