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JP2019019231A - Resin composition - Google Patents

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JP2019019231A JP2017139144A JP2017139144A JP2019019231A JP 2019019231 A JP2019019231 A JP 2019019231A JP 2017139144 A JP2017139144 A JP 2017139144A JP 2017139144 A JP2017139144 A JP 2017139144A JP 2019019231 A JP2019019231 A JP 2019019231A
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啓之 阪内
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千晴 西嶋
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Abstract

【課題】発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の特性においてバランスがとれていながら、カーボンブラックの凝集を抑制できる樹脂組成物を提供する。【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)無機充填材、(C)DBP吸収量が130cm3/100g以下であるカーボンブラック、及び、(D)ガラス転移温度が30℃以下の高分子樹脂を含む、樹脂組成物。【選択図】図1An object of the present invention is to provide a resin composition capable of suppressing aggregation of carbon black while maintaining properties such as color development, minimum melt viscosity and glass transition temperature. (A) an epoxy resin, (B) an inorganic filler, (C) a carbon black having a DBP absorption of 130 cm3 / 100 g or less, and (D) a polymer resin having a glass transition temperature of 30 ° C. or less. And a resin composition. [Selection diagram] Fig. 1

Description

本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、本発明は、当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージに関する。   The present invention relates to a resin composition. Furthermore, this invention relates to the resin sheet, circuit board, and semiconductor chip package which are obtained using the said resin composition.

近年、電子機器の小型化、高性能化が進んでいる。これに伴い、半導体パッケージ基板においては、ビルドアップ層が複層化され、配線の微細化及び高密度化が求められている。また、スマートフォン、タブレット型デバイスの普及に伴って、薄型化の要求が強まっている。そこで、コア材を薄型化したり、コアレス構造を採用したりした、薄型パッケージ基板が求められている。このような薄型パッケージ基板を実現するために、絶縁層には、薄くても高い絶縁性が求められる。   In recent years, electronic devices are becoming smaller and higher performance. Along with this, in the semiconductor package substrate, the build-up layer is multilayered, and miniaturization and high density of wiring are required. In addition, with the spread of smartphones and tablet devices, there is an increasing demand for thinning. Therefore, there is a demand for a thin package substrate in which the core material is thinned or a coreless structure is adopted. In order to realize such a thin package substrate, the insulating layer is required to have high insulation properties even if it is thin.

一方、絶縁層は、その着色のためカーボンブラックを含むことが求められる場合がある。例えば、特許文献1では、スミア抑制成分としてカーボンブラックを含む樹脂組成物が開示されている。また、特許文献2では、ガラス転移温度が30℃以下の高分子樹脂を含む樹脂組成物が開示されている。   On the other hand, the insulating layer may be required to contain carbon black due to its coloring. For example, Patent Document 1 discloses a resin composition containing carbon black as a smear suppressing component. Patent Document 2 discloses a resin composition containing a polymer resin having a glass transition temperature of 30 ° C. or lower.

特開2014−005464号公報JP 2014-005464 A 特開2014−095047号公報JP 2014-095047 A

本発明者らは、絶縁層のガラス転移温度を高めて耐熱性を向上させるために、無機充填材を樹脂組成物に配合することを試みた。また、本発明者らは、樹脂組成物の溶融粘度を適切な値に調整して樹脂シートのラミネート性を改善するために、ガラス転移温度が30℃以下の高分子樹脂を樹脂組成物に配合することを試みた。そして、本発明者らは、これら無機充填材及び高分子樹脂を組み合わせて含む樹脂組成物において、物性バランスを向上させるべく検討を行った。   In order to increase the glass transition temperature of the insulating layer and improve the heat resistance, the present inventors tried to blend an inorganic filler into the resin composition. In addition, the present inventors formulated a polymer resin having a glass transition temperature of 30 ° C. or lower in the resin composition in order to improve the laminate property of the resin sheet by adjusting the melt viscosity of the resin composition to an appropriate value. Tried to do. And the present inventors examined in order to improve the physical property balance in the resin composition containing these inorganic fillers and polymer resins in combination.

この検討において、本発明者らは、このような樹脂組成物をカーボンブラックによる着色用途に用いる場合、カーボンブラックの凝集が生じることがありえることを見い出した。本発明者らの検討によれば、前記のようなカーボンブラックの凝集は、カーボンブラックと無機充填材及び高分子樹脂との間で相溶性が異なることによって生じていると考えられる。   In this study, the present inventors have found that when such a resin composition is used for coloring with carbon black, carbon black may be aggregated. According to the study by the present inventors, the aggregation of carbon black as described above is considered to be caused by the difference in compatibility between the carbon black, the inorganic filler, and the polymer resin.

カーボンブラックの凝集が生じると、絶縁層の発色が凝集の影響を受けて、所望の色調が得られないことがある。また、カーボンブラックの凝集により、視認できる程度の大きい凝集塊としてカーボンブラック欠点が生じると、樹脂組成物の品質に問題が無くても、商品価値を低く評価されることがある。   When the carbon black aggregates, the color of the insulating layer is affected by the aggregation and a desired color tone may not be obtained. In addition, if carbon black defects are generated as aggregates that can be visually recognized due to aggregation of carbon black, even if there is no problem in the quality of the resin composition, the commercial value may be evaluated low.

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の特性においてバランスがとれていながら、カーボンブラックの凝集を抑制できる樹脂組成物;前記の樹脂組成物を含む樹脂組成物層を有する樹脂シート;前記の樹脂組成物の硬化物によって形成された絶縁層を含む回路基板;並びに、前記の樹脂組成物の硬化物を含む半導体チップパッケージ;を提供することを目的とする。   The present invention was devised in view of the above problems, and is a resin composition capable of suppressing the aggregation of carbon black while being balanced in characteristics such as color development, minimum melt viscosity, and glass transition temperature; A resin sheet having a resin composition layer containing a product; a circuit board including an insulating layer formed of a cured product of the resin composition; and a semiconductor chip package including a cured product of the resin composition; For the purpose.

本発明者らは、前記の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、(A)エポキシ樹脂、(B)無機充填材、(C)DBP吸収量が所定値以下であるカーボンブラック、及び、(D)ガラス転移温度が30℃以下の高分子樹脂を組み合わせて含む樹脂組成物が、前記の課題を解決できることを見い出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記の通りである。
The present inventors diligently studied to solve the above problems. As a result, (A) an epoxy resin, (B) an inorganic filler, (C) a carbon black having a DBP absorption amount of a predetermined value or less, and (D) a polymer resin having a glass transition temperature of 30 ° C. or less. The present inventors have found that a resin composition containing it can solve the above-mentioned problems, and have completed the present invention.
That is, the present invention is as follows.

〔1〕 (A)エポキシ樹脂、(B)無機充填材、(C)DBP吸収量が130cm/100g以下であるカーボンブラック、及び、(D)ガラス転移温度が30℃以下の高分子樹脂を含む、樹脂組成物。
〔2〕 (B)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、30質量%以上95質量%以下である、〔1〕に記載の樹脂組成物。
〔3〕 (B)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、75質量%以上95質量%以下である、〔1〕又は〔2〕に記載の樹脂組成物。
〔4〕 (A)成分が、(A−1)窒素含有エポキシ樹脂又は縮合環構造を有するエポキシ樹脂を含む、〔1〕〜〔3〕のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
〔5〕 (D)成分が、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、ポリカーボネート構造、及びポリアクリル構造からなる群より選択される1種類以上の構造を有する、〔1〕〜〔4〕のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
〔6〕 (D)成分が、(A)成分と反応できる官能基を有する、〔1〕〜〔5〕のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
〔7〕 (D)成分が、ヒドロキシル基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群より選択される1種類以上の官能基を有する、〔1〕〜〔6〕のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
〔8〕 (D)成分の数平均分子量が、4000以上100000以下である、〔1〕〜〔7〕のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
〔9〕 (D)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、0.2質量%以上20質量%以下である、〔1〕〜〔8〕のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
〔10〕 (C)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、0.1質量%以上3質量%以下である、〔1〕〜〔9〕のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
〔11〕 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、〔1〕〜〔10〕のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
〔12〕 半導体封止用の樹脂組成物である、〔1〕〜〔11〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
〔13〕 支持体と、該支持体上に設けられた〔1〕〜〔12〕のいずれか1項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
〔14〕 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、〔13〕に記載の樹脂シート。
〔15〕 〔1〕〜〔12〕のいずれか1項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
〔16〕 〔15〕に記載の回路基板と、該回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
〔17〕 半導体チップと、前記半導体チップを封止する〔1〕〜〔12〕のいずれか1項に記載の樹脂組成物の硬化物とを含む、半導体チップパッケージ。
[1] (A) an epoxy resin, (B) a mineral filler, (C) DBP absorption amount is less 130 cm 3/100 g carbon black, and, (D) a glass transition temperature of 30 ° C. or less of the polymeric resin A resin composition comprising.
[2] The resin composition according to [1], wherein the amount of the component (B) is 30% by mass or more and 95% by mass or less with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition.
[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the amount of the component (B) is 75% by mass to 95% by mass with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition.
[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the component (A) includes (A-1) a nitrogen-containing epoxy resin or an epoxy resin having a condensed ring structure.
[5] The component (D) is selected from the group consisting of a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, a polycarbonate structure, and a polyacrylic structure in the molecule. The resin composition according to any one of [1] to [4], which has one or more types of structures.
[6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the component (D) has a functional group capable of reacting with the component (A).
[7] The component (D) has one or more functional groups selected from the group consisting of a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, and a urethane group. [6] The resin composition according to any one of [6].
[8] The resin composition according to any one of [1] to [7], wherein the number average molecular weight of the component (D) is from 4,000 to 100,000.
[9] Any one of [1] to [8], wherein the amount of the component (D) is 0.2% by mass or more and 20% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. The resin composition described in 1.
[10] Any one of [1] to [9], wherein the amount of the component (C) is 0.1% by mass or more and 3% by mass or less with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. The resin composition described in 1.
[11] The resin composition according to any one of [1] to [10], which is a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package.
[12] The resin composition according to any one of [1] to [11], which is a resin composition for semiconductor encapsulation.
[13] A resin sheet comprising a support and a resin composition layer comprising the resin composition according to any one of [1] to [12] provided on the support.
[14] The resin sheet according to [13], which is a resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package.
[15] A circuit board comprising an insulating layer formed of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [12].
[16] A semiconductor chip package comprising the circuit board according to [15] and a semiconductor chip mounted on the circuit board.
[17] A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip and a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [12] for sealing the semiconductor chip.

本発明によれば、発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の特性においてバランスがとれていながら、カーボンブラックの凝集を抑制できる樹脂組成物;前記の樹脂組成物を含む樹脂組成物層を有する樹脂シート;前記の樹脂組成物の硬化物によって形成された絶縁層を含む回路基板;並びに、前記の樹脂組成物の硬化物を含む半導体チップパッケージ;を提供できる。   According to the present invention, a resin composition capable of suppressing aggregation of carbon black while being balanced in characteristics such as color development, minimum melt viscosity, and glass transition temperature; a resin having a resin composition layer containing the resin composition described above A sheet; a circuit board including an insulating layer formed of a cured product of the resin composition; and a semiconductor chip package including a cured product of the resin composition can be provided.

図1は、本発明の第二実施形態に係る半導体チップパッケージの一例としてのFan−out型WLPを模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a Fan-out type WLP as an example of a semiconductor chip package according to a second embodiment of the present invention.

以下、実施形態及び例示物を示して、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に挙げる実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments and examples. However, the present invention is not limited to the following embodiments and exemplifications, and can be implemented with any modifications without departing from the scope of the claims of the present invention and the equivalents thereof.

[1.樹脂組成物の概要]
本発明の樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)無機充填材、(C)DBP吸収量が所定値以下であるカーボンブラック、及び、(D)ガラス転移温度が30℃以下の高分子樹脂を含む。以下の説明において、(C)成分としての「DBP吸収量が所定値以下であるカーボンブラック」を、「(C)カーボンブラック」ということがある。また、以下の説明において、(D)成分としての「ガラス転移温度が30℃以下の高分子樹脂」を、「(D)高分子樹脂」ということがある。
[1. Outline of Resin Composition]
The resin composition of the present invention includes (A) an epoxy resin, (B) an inorganic filler, (C) carbon black having a DBP absorption amount of a predetermined value or less, and (D) a high glass transition temperature of 30 ° C. or less. Contains molecular resin. In the following description, “carbon black whose DBP absorption amount is a predetermined value or less” as the component (C) may be referred to as “(C) carbon black”. In the following description, “polymer resin having a glass transition temperature of 30 ° C. or lower” as component (D) may be referred to as “(D) polymer resin”.

前記の(A)エポキシ樹脂、(B)無機充填材、(C)カーボンブラック及び(D)高分子樹脂を組み合わせて含むことにより、樹脂組成物は、発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の特性においてバランスがとれていながら、カーボンブラックの凝集を抑制できるという、本発明の所望の効果を得ることができる。このような樹脂組成物の硬化物は、その優れた特性を活かして、半導体チップパッケージの絶縁層及び封止材として好ましく用いることができる。   By including a combination of the above (A) epoxy resin, (B) inorganic filler, (C) carbon black and (D) polymer resin, the resin composition has a color development, minimum melt viscosity, glass transition temperature, etc. It is possible to obtain the desired effect of the present invention that the aggregation of carbon black can be suppressed while the properties are balanced. Such a cured product of the resin composition can be preferably used as an insulating layer and a sealing material of a semiconductor chip package, taking advantage of its excellent characteristics.

また、前記の樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)無機充填材、(C)カーボンブラック及び(D)高分子樹脂に組み合わせて、更に任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分としては、例えば、(E)硬化剤、(F)硬化促進剤、(G)熱可塑性樹脂、(H)難燃剤、等が挙げられる。   Moreover, the said resin composition may contain arbitrary components further combining with (A) epoxy resin, (B) inorganic filler, (C) carbon black, and (D) polymer resin. Examples of the optional component include (E) a curing agent, (F) a curing accelerator, (G) a thermoplastic resin, (H) a flame retardant, and the like.

[2.(A)エポキシ樹脂]
本発明の樹脂組成物は、(A)成分として、エポキシ樹脂を含む。(A)エポキシ樹脂は、通常、当該分子中にエポキシ基を有する。(A)エポキシ樹脂の1分子当たりのエポキシ基の数は、通常1個以上であり、好ましくは2個以上である。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、(A)エポキシ樹脂の不揮発成分100質量%に対して、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは50質量%以上、より好ましくは60質量%以上、特に好ましくは70質量%以上である。
[2. (A) Epoxy resin]
The resin composition of the present invention contains an epoxy resin as the component (A). (A) The epoxy resin usually has an epoxy group in the molecule. (A) The number of epoxy groups per molecule of the epoxy resin is usually 1 or more, preferably 2 or more. From the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule with respect to 100% by mass of the nonvolatile component (A) of the epoxy resin is preferably 50 masses. % Or more, more preferably 60% by mass or more, and particularly preferably 70% by mass or more.

(A)エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂;ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、及びパーフルオロアルキル型エポキシ樹脂等のフッ素含有エポキシ樹脂;ビスフェノールA型エポキシ樹脂;ビスフェノールF型エポキシ樹脂;ビスフェノールS型エポキシ樹脂;ビスフェノールAF型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;トリスフェノール型エポキシ樹脂;ナフトールノボラック型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂;tert−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂;ナフタレン型エポキシ樹脂;ナフトール型エポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;グリシジルアミン型エポキシ樹脂;グリシジルエステル型エポキシ樹脂;クレゾールノボラック型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;線状脂肪族エポキシ樹脂;ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂;脂環式エポキシ樹脂;複素環式エポキシ樹脂;スピロ環含有エポキシ樹脂;シクロヘキサン型エポキシ樹脂;シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂;ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂;トリメチロール型エポキシ樹脂;テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂;リン含有エポキシ樹脂等が挙げられる。(A)エポキシ樹脂は1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   (A) As an epoxy resin, for example, bixylenol type epoxy resin; fluorine-containing epoxy resin such as bisphenol AF type epoxy resin and perfluoroalkyl type epoxy resin; bisphenol A type epoxy resin; bisphenol F type epoxy resin; bisphenol S Type epoxy resin; bisphenol AF type epoxy resin; dicyclopentadiene type epoxy resin; trisphenol type epoxy resin; naphthol novolac type epoxy resin; phenol novolac type epoxy resin; tert-butyl-catechol type epoxy resin; naphthalene type epoxy resin; Type epoxy resin; anthracene type epoxy resin; glycidyl amine type epoxy resin; glycidyl ester type epoxy resin; cresol novolac type epoxy resin; Nyl type epoxy resin; Linear aliphatic epoxy resin; Epoxy resin having butadiene structure; Alicyclic epoxy resin; Heterocyclic epoxy resin; Spiro ring-containing epoxy resin; Cyclohexane type epoxy resin; Cyclohexane dimethanol type epoxy resin; Examples include renether type epoxy resins; trimethylol type epoxy resins; tetraphenylethane type epoxy resins; and phosphorus-containing epoxy resins. (A) An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

(A)エポキシ樹脂は、(A−1)窒素含有エポキシ樹脂又は縮合環構造を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。(A−1)成分としては、窒素含有エポキシ樹脂のみを用いてもよく、縮合環構造を有するエポキシ樹脂のみを用いてもよく、窒素含有エポキシ樹脂及び縮合環構造を有するエポキシ樹脂を組み合わせて用いてもよい。(A)エポキシ樹脂が(A−1)成分を含むことにより、本発明の所望の効果を顕著に発揮でき、特に、樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができる。このようにガラス転移温度を高めることができる作用は、(A−1)成分と(D)高分子樹脂とを組み合わせた場合に顕著である。さらに、(A−1)成分により、通常は、樹脂組成物の硬化物のシェア強度、破断曲げひずみ、及び割れ性を良好にできる。   (A) The epoxy resin preferably includes (A-1) a nitrogen-containing epoxy resin or an epoxy resin having a condensed ring structure. As the component (A-1), only a nitrogen-containing epoxy resin may be used, only an epoxy resin having a condensed ring structure may be used, or a combination of a nitrogen-containing epoxy resin and an epoxy resin having a condensed ring structure is used. May be. When the (A) epoxy resin contains the component (A-1), the desired effect of the present invention can be remarkably exhibited, and in particular, the glass transition temperature of the cured product of the resin composition can be effectively increased. Thus, the effect | action which can raise a glass transition temperature is remarkable when (A-1) component and (D) polymeric resin are combined. Furthermore, the (A-1) component can usually improve the shear strength, break bending strain, and crackability of the cured product of the resin composition.

窒素含有エポキシ樹脂は、分子中に窒素原子を含有するエポキシ樹脂である。好ましい窒素含有エポキシ樹脂としては、例えば、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂が挙げられる。   The nitrogen-containing epoxy resin is an epoxy resin containing a nitrogen atom in the molecule. Examples of preferable nitrogen-containing epoxy resins include glycidylamine type epoxy resins and aminophenol type epoxy resins.

窒素含有エポキシ樹脂の具体例としては、三菱化学社製の「630」、「630LSD」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂);ADEKA社製の「EP−3950S」、「EP−3950L」、「EP−3980S」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「GAN」、「GOT」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂);住友化学社製「ELM−100」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂);等が挙げられる。これらは1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   Specific examples of the nitrogen-containing epoxy resin include “630” and “630LSD” (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “EP-3950S”, “EP-3950L”, and “EP-3980S” manufactured by ADEKA. (Glycidylamine type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. “GAN”, “GOT” (glycidylamine type epoxy resin); Sumitomo Chemical Co., Ltd. “ELM-100” (glycidylamine type epoxy resin); It is done. These may be used alone or in combination of two or more.

縮合環構造を有するエポキシ樹脂は、分子中に縮合環構造を有するエポキシ樹脂である。縮合環構造を有する好ましいエポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が挙げられる。中でも、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、及びジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂がより好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂が更に好ましい。   The epoxy resin having a condensed ring structure is an epoxy resin having a condensed ring structure in the molecule. Preferred epoxy resins having a condensed ring structure include, for example, naphthalene type epoxy resins, naphthalene type tetrafunctional epoxy resins, naphthol type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, anthracene type epoxy resins, and dicyclopentadiene type epoxy resins. It is done. Among these, naphthalene type epoxy resins, naphthalene type tetrafunctional epoxy resins, naphthol type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, and dicyclopentadiene type epoxy resins are more preferable, and naphthalene type epoxy resins and naphthol type epoxy resins are more preferable.

縮合環構造を有するエポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032」、「HP4032SS」(ナフタレン型エポキシ樹脂);DIC社製の「HP−4700」、「HP−4710」(ナフタレン型4官能エポキシ樹脂);DIC社製の「HP−7200H」、「HP−7200」、「HP−7200L」(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂);DIC社製の「EXA7311」、「EXA7311−G3」、「EXA7311−G4」、「EXA7311−G4S」、「HP6000」(ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂);DIC社製の「NC7000L」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ESN475V」(ナフトール型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ESN485」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「YX8800」(アントラセン型エポキシ樹脂);大阪ガスケミカル社製の「PG−100」、「CG−500」(フルオレン型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「YL7800」(フルオレン型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「YX8800」(アントラセン型エポキシ樹脂);等が挙げられる。これらは1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   Specific examples of the epoxy resin having a condensed ring structure include “HP4032” and “HP4032SS” (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC; “HP-4700” and “HP-4710” (naphthalene type 4) manufactured by DIC. (Functional epoxy resin); “HP-7200H”, “HP-7200”, “HP-7200L” (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC; “EXA7311”, “EXA7311-G3”, “made by DIC” "EXA7311-G4", "EXA7311-G4S", "HP6000" (naphthylene ether type epoxy resin); "NC7000L" (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC; "ESN475V" (naphthol type manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.) Epoxy resin); “ESN485 manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. (Naphthol novolac type epoxy resin); “YX8800” (anthracene type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical; “PG-100” and “CG-500” (fluorene type epoxy resin) manufactured by Osaka Gas Chemical; “YL7800” (fluorene type epoxy resin) manufactured by the company; “YX8800” (anthracene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

(A−1)成分として窒素含有エポキシ樹脂と縮合環構造を有するエポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、それらの量比は、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、「窒素含有エポキシ樹脂:縮合環構造を有するエポキシ樹脂」の質量比は、好ましくは1:0.1〜1:10、より好ましくは1:0.3〜1:5、更に好ましくは1:0.6〜1:2.5である。窒素含有エポキシ樹脂と縮合環構造を有するエポキシ樹脂との量比をこのような範囲とすることにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性を効果的に高めることができる。   When the nitrogen-containing epoxy resin and the epoxy resin having a condensed ring structure are used in combination as the component (A-1), it is preferable that the quantitative ratio thereof falls within a predetermined range. Specifically, the mass ratio of “nitrogen-containing epoxy resin: epoxy resin having a condensed ring structure” is preferably 1: 0.1 to 1:10, more preferably 1: 0.3 to 1: 5, and further Preferably it is 1: 0.6-1: 2.5. By setting the amount ratio of the nitrogen-containing epoxy resin and the epoxy resin having a condensed ring structure in such a range, the heat resistance of the cured product of the resin composition can be effectively increased.

樹脂組成物中の(A−1)成分の量は、樹脂組成物の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.5質量%以上、より好ましくは0.8質量%以上、特に好ましくは1.0質量%以上であり、好ましくは10質量%以下、より好ましくは8質量%以下、特に好ましくは5質量%以下である。(A−1)成分の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物のシェア強度、破断曲げひずみ、及び、耐割れ性を改善できる。   The amount of the component (A-1) in the resin composition is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.8% by mass or more, and particularly preferably with respect to 100% by mass of the nonvolatile component of the resin composition. 1.0 mass% or more, preferably 10 mass% or less, more preferably 8 mass% or less, and particularly preferably 5 mass% or less. When the amount of the component (A-1) is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. Furthermore, usually, the shear strength, fracture bending strain, and crack resistance of the cured product of the resin composition can be improved.

(A)エポキシ樹脂は、(A−1)成分に組み合わせて、(A−1)成分以外の(A−2)25℃で液状のエポキシ樹脂を更に含むことが好ましい。この(A−2)成分には、25℃で液状の窒素含有エポキシ樹脂、及び、25℃で液状の縮合環構造を有するエポキシ樹脂は含めない。(A−1)成分に組み合わせて(A−2)成分を用いることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。   The (A) epoxy resin preferably further contains an epoxy resin that is liquid at 25 ° C. (A-2) other than the component (A-1) in combination with the component (A-1). The component (A-2) does not include a nitrogen-containing epoxy resin that is liquid at 25 ° C. and an epoxy resin that has a condensed ring structure that is liquid at 25 ° C. By using the component (A-2) in combination with the component (A-1), the desired effect of the present invention can be remarkably obtained.

(A−2)成分としての25℃で液状のエポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有することが好ましい。また、(A−2)成分としての25℃で液状のエポキシ樹脂は、分子中に芳香環を有する芳香族系のエポキシ樹脂が好ましい。ここで、用語「芳香環」には、単環の芳香環だけでなく、多環の芳香族環及び芳香族複素環をも含む。   The epoxy resin that is liquid at 25 ° C. as the component (A-2) preferably has two or more epoxy groups in one molecule. The epoxy resin that is liquid at 25 ° C. as the component (A-2) is preferably an aromatic epoxy resin having an aromatic ring in the molecule. Here, the term “aromatic ring” includes not only a single aromatic ring but also a polycyclic aromatic ring and an aromatic heterocyclic ring.

(A−2)成分としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が挙げられる。中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、及びビスフェノールAF型エポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂がさらに好ましい。   As the component (A-2), bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, cyclohexane Type epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, aliphatic epoxy resin, and epoxy resin having a butadiene structure. Among these, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol AF type epoxy resin are preferable, and bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin are more preferable. .

(A−2)成分の具体例としては、三菱化学社製の「828US」、「jER828EL」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「JER806」、「jER807」(ビスフェノールF型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「jER152」(フェノールノボラック型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ZX1059」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の混合品);ナガセケムテックス社製の「EX−721」(グリシジルエステル型エポキシ樹脂);ダイセル社製の「セロキサイド2021P」(エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂);新日鐵化学社製の「ZX1658」、「ZX1658GS」(液状1,4−グリシジルシクロヘキサン);三菱化学社製「YX7400」(柔軟脂肪族骨格を有するエポキシ樹脂);が挙げられる。これらは1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   Specific examples of the component (A-2) include “828US” and “jER828EL” (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “JER806” and “jER807” (bisphenol F type epoxy resin manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). ); “JER152” (phenol novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “ZX1059” (mixed product of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd .; manufactured by Nagase ChemteX Corporation “EX-721” (glycidyl ester type epoxy resin); “Celoxide 2021P” (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton) manufactured by Daicel; “ZX1658”, “ZX1658GS” (liquid 1) manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. , 4-glycidylcyclohexane); “YX740” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation "(Epoxy resin having a flexible aliphatic backbone); and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

(A)エポキシ樹脂が(A−1)成分と(A−2)成分とを組み合わせて含む場合、それらの量比は、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、「(A−1)成分:(A−2)成分」の質量比は、好ましくは1:0.1〜1:10、より好ましくは1:0.1〜1:8、更に好ましくは1:0.1〜1:6である。(A−1)成分と(A−2)成分との質量比をこのような範囲とすることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。また、通常は、樹脂組成物の硬化物のシェア強度、破断曲げひずみ、及び割れ性を良好にできる。   (A) When an epoxy resin contains the (A-1) component and the (A-2) component in combination, it is preferable that those quantitative ratios fall in a predetermined range. Specifically, the mass ratio of “component (A-1): component (A-2)” is preferably 1: 0.1 to 1:10, more preferably 1: 0.1 to 1: 8. More preferably, it is 1: 0.1 to 1: 6. By setting the mass ratio of the component (A-1) to the component (A-2) within such a range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. Moreover, normally, the shear strength of the hardened | cured material of a resin composition, breaking bending distortion, and crackability can be made favorable.

(A)エポキシ樹脂が(A−2)成分を含む場合、(A−2)成分の量は、樹脂組成物の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.5質量%以上、より好ましくは1質量%以上、さらに好ましくは2質量%以上であり、好ましくは10質量%以下、より好ましくは8質量%以下、さらに好ましくは6質量%以下である。(A−2)成分の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物の耐割れ性を改善することができる。   When the (A) epoxy resin contains the component (A-2), the amount of the component (A-2) is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 100% by mass of the nonvolatile component of the resin composition. Is 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, preferably 10% by mass or less, more preferably 8% by mass or less, and further preferably 6% by mass or less. When the amount of the component (A-2) is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. Furthermore, the crack resistance of the cured product of the resin composition can usually be improved.

(A)エポキシ樹脂は、(A−1)成分及び(A−2)成分に組み合わせて、これら(A−1)成分及び(A−2)成分以外の(A−3)任意のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。このような(A−3)成分としては、20℃で固体状のエポキシ樹脂が好ましい。この20℃で固体状のエポキシ樹脂は、1分子中に3個以上のエポキシ基を有することが好ましい。さらに、(A−3)成分は、分子中に芳香環を有する芳香族系のエポキシ樹脂が好ましい。   (A) The epoxy resin is combined with the component (A-1) and the component (A-2), and (A-3) any epoxy resin other than the component (A-1) and the component (A-2). May be included. As such component (A-3), a solid epoxy resin at 20 ° C. is preferable. The epoxy resin that is solid at 20 ° C. preferably has three or more epoxy groups in one molecule. Furthermore, the component (A-3) is preferably an aromatic epoxy resin having an aromatic ring in the molecule.

好ましい(A−3)成分としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が挙げられる。中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、ビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。   Preferred examples of the component (A-3) include a cresol novolac type epoxy resin, a trisphenol type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol AF type epoxy resin, and a tetraphenylethane type epoxy resin. . Among these, biphenyl type epoxy resins are preferable from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention.

(A−3)成分の具体例としては、DIC社製の「N−690」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、「N−695」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「EPPN−502H」(トリスフェノール型エポキシ樹脂)、「YX4000HK」(ビキシレノール型エポキシ樹脂)、「YL7760」(ビスフェノールAF型エポキシ樹脂)、「NC3000L」(ビフェニル型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「jER1010」(固体状ビスフェノールA型エポキシ樹脂)、「jER1031S」(テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂)、「157S70」(ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂)、「jER1031S」(テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂);等が挙げられる。これらは1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   Specific examples of the component (A-3) include “N-690” (cresol novolac type epoxy resin) and “N-695” (cresol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC; “EPPN” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. -502H "(trisphenol type epoxy resin)," YX4000HK "(bixylenol type epoxy resin)," YL7760 "(bisphenol AF type epoxy resin)," NC3000L "(biphenyl type epoxy resin);" jER1010 "manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (Solid bisphenol A type epoxy resin), “jER1031S” (tetraphenylethane type epoxy resin), “157S70” (bisphenol novolac type epoxy resin), “jER1031S” (tetraphenylethane type epoxy resin); . These may be used alone or in combination of two or more.

(A)エポキシ樹脂が(A−3)成分を含む場合、(A−3)成分の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.5質量%以上、より好ましくは1質量%以上、さらに好ましくは2質量%以上であり、好ましくは10質量%以下、より好ましくは8質量%以下、さらに好ましくは6質量%以下である。(A−3)成分の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物の機械強度及び絶縁信頼性を良好にできる。   When the (A) epoxy resin contains the component (A-3), the amount of the component (A-3) is preferably 0.5% by mass or more with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. Preferably it is 1 mass% or more, More preferably, it is 2 mass% or more, Preferably it is 10 mass% or less, More preferably, it is 8 mass% or less, More preferably, it is 6 mass% or less. When the amount of the component (A-3) is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. Furthermore, normally, the mechanical strength and insulation reliability of the cured product of the resin composition can be improved.

上述した(A−1)成分〜(A−3)成分を含む(A)エポキシ樹脂全体の量は、樹脂組成物の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.5質量%以上、より好ましくは1質量%以上、特に好ましくは3質量%以上であり、好ましくは30質量%以下、より好ましくは20質量%以下、より好ましくは15質量%以下である。(A)エポキシ樹脂の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。   The amount of the whole (A) epoxy resin including the components (A-1) to (A-3) described above is preferably 0.5% by mass or more with respect to 100% by mass of the nonvolatile component of the resin composition. Preferably it is 1 mass% or more, Especially preferably, it is 3 mass% or more, Preferably it is 30 mass% or less, More preferably, it is 20 mass% or less, More preferably, it is 15 mass% or less. (A) When the amount of the epoxy resin is within the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained.

(A)エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは50〜5000、より好ましくは50〜3000、さらに好ましくは80〜2000、さらにより好ましくは110〜1000である。この範囲となることで、樹脂組成物の硬化物の架橋密度が十分となり、硬化物を絶縁層として使用する際、表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、(A)成分のエポキシ当量は、JIS K7236に従って測定することができ、1当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。   (A) The epoxy equivalent of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 50-5000, More preferably, it is 50-3000, More preferably, it is 80-2000, More preferably, it is 110-1000. By becoming this range, the crosslinked density of the hardened | cured material of a resin composition becomes enough, and when using hardened | cured material as an insulating layer, an insulating layer with small surface roughness can be brought about. In addition, the epoxy equivalent of (A) component can be measured according to JISK7236, and is the mass of resin containing 1 equivalent of epoxy groups.

(A)エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは100〜5000、より好ましくは250〜3000、さらに好ましくは400〜1500である。ここで、液状エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。   (A) The weight average molecular weight of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 100-5000, More preferably, it is 250-3000, More preferably, it is 400-1500. Here, the weight average molecular weight of the liquid epoxy resin is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

(A)エポキシ樹脂の数平均分子量は、好ましくは4000未満、より好ましくは3500以下、さらに好ましくは3000以下である。下限は、好ましくは500以上、より好ましくは1000以上、さらに好ましくは1500以上である。数平均分子量(Mn)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。   (A) The number average molecular weight of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is less than 4000, More preferably, it is 3500 or less, More preferably, it is 3000 or less. The lower limit is preferably 500 or more, more preferably 1000 or more, and further preferably 1500 or more. The number average molecular weight (Mn) is a number average molecular weight in terms of polystyrene measured using a gel permeation chromatography method.

[3.(B)無機充填材]
本発明の樹脂組成物は、(B)成分として、無機充填材を含む。(B)無機充填材を用いることにより、樹脂組成物の耐熱性を向上させることができる。さらに、(B)無機充填材を用いることにより、通常は、樹脂組成物の硬化物の熱膨張率を小さくできるので、反りの抑制が可能である。さらに、(B)無機充填材により、通常は、樹脂組成物の硬化物の絶縁性能及び封止性能を向上させることができる。
[3. (B) Inorganic filler]
The resin composition of the present invention contains an inorganic filler as the component (B). (B) By using an inorganic filler, the heat resistance of the resin composition can be improved. Furthermore, since the thermal expansion coefficient of the cured product of the resin composition can be normally reduced by using the (B) inorganic filler, warpage can be suppressed. Furthermore, (B) the inorganic filler can usually improve the insulating performance and sealing performance of the cured product of the resin composition.

無機充填材の材料としては、通常、無機材料を用い、好ましくは無機化合物を用いる。(B)無機充填材の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、シリカが特に好適である。シリカとしては、球形シリカが好ましい。また、(B)無機充填材は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   As the material for the inorganic filler, an inorganic material is usually used, and an inorganic compound is preferably used. (B) Examples of inorganic filler materials include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, and water. Aluminum oxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide , Zirconium oxide, barium titanate, barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Among these, silica is particularly preferable from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. As silica, spherical silica is preferable. Moreover, (B) inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

通常、(B)無機充填材は、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。(B)無機充填材の平均粒径は、好ましくは0.01μm以上、より好ましくは0.05μm以上、さらに好ましくは0.1μm以上であり、また、好ましくは5μm以下、より好ましくは2.5μm以下、さらに好ましくは2.2μm以下、特に好ましくは2μm以下である。(B)無機充填材の平均粒径が前記範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができ、更に通常は、表面粗度の低い絶縁層を得ることができる。   Usually, the (B) inorganic filler is contained in the resin composition in the form of particles. (B) The average particle size of the inorganic filler is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, still more preferably 0.1 μm or more, and preferably 5 μm or less, more preferably 2.5 μm. Hereinafter, it is further preferably 2.2 μm or less, particularly preferably 2 μm or less. (B) When the average particle diameter of the inorganic filler is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and more usually, an insulating layer having a low surface roughness can be obtained.

(B)無機充填材の平均粒径は、ミー(Mie)散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により、測定できる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、(B)無機充填材の粒径分布を体積基準で作成し、その粒径分布からメディアン径として平均粒径を測定できる。測定サンプルは、(B)無機充填材を超音波により水等の溶剤中に分散させたものを好ましく使用できる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「LA−500」等を使用することができる。   (B) The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of (B) inorganic filler is created on a volume basis by a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device, and the average particle size can be measured as the median diameter from the particle size distribution. As the measurement sample, (B) an inorganic filler dispersed in a solvent such as water by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus, “LA-500” manufactured by Horiba, Ltd. or the like can be used.

前記のような(B)無機充填材としては、例えば、アドマテックス社製「YC100C」、「YA050C」、「YA050C−MJE」、「YA010C」;電気化学工業社製「UFP−30」;トクヤマ社製「シルフィルNSS−3N」、「シルフィルNSS−4N」、「シルフィルNSS−5N」;アドマテックス社製「SC2500SQ」、「SO−C6」、「SO−C4」、「SO−C2」、「SO−C1」;等が挙げられる。   Examples of the inorganic filler (B) described above include “YC100C”, “YA050C”, “YA050C-MJE”, “YA010C” manufactured by Admatechs Corporation; “UFP-30” manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd .; “Silfil NSS-3N”, “Silfil NSS-4N”, “Silfil NSS-5N” manufactured by Admatechs Co., Ltd. “SC2500SQ”, “SO-C6”, “SO-C4”, “SO-C2”, “SO” -C1 "; and the like.

(B)無機充填材は、適切な表面処理剤で表面処理されていることが好ましい。表面処理されることにより、(B)無機充填材の耐湿性及び分散性を高めることができる。表面処理剤としては、例えば、フッ素含有シランカップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。   (B) It is preferable that the inorganic filler is surface-treated with an appropriate surface treatment agent. By performing the surface treatment, the moisture resistance and dispersibility of the inorganic filler (B) can be enhanced. Examples of surface treatment agents include fluorine-containing silane coupling agents, aminosilane coupling agents, epoxysilane coupling agents, mercaptosilane coupling agents, silane coupling agents, alkoxysilane compounds, organosilazane compounds, and titanates. System coupling agents and the like.

表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「KBM22」(ジメチルジメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM403」(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM803」(3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBE903」(3−アミノプロピルトリエトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM573」(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「SZ−31」(ヘキサメチルジシラザン)、信越化学工業社製「KBM103」(フェニルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM−4803」(長鎖エポキシ型シランカップリング剤)等が挙げられる。また、表面処理剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組合わせて用いてもよい。   Examples of commercially available surface treatment agents include “KBM22” (dimethyldimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM803" (3-mercaptopropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxy) Silane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “SZ-31” (hexamethyldisilazane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBM103” (phenyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBM-4803” (long-chain epoxy type) Silane coupling agent). Moreover, a surface treating agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

樹脂組成物中の(B)無機充填材の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは30質量%以上、より好ましくは50質量%以上、更に好ましくは75質量%以上であり、好ましくは95質量%以下、より好ましくは93質量%以下、さらに好ましくは90質量%以下である。(B)無機充填材の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。また、通常は、(B)無機充填材の量が、前記範囲の下限値以上であることにより、樹脂組成物の硬化物の熱膨張率を低くでき、また、前記範囲の上限値以下であることにより、樹脂組成物の機械的強度、特に伸びを良好にできる。   The amount of the (B) inorganic filler in the resin composition is preferably 30% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, and still more preferably 75% by mass with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. It is above, Preferably it is 95 mass% or less, More preferably, it is 93 mass% or less, More preferably, it is 90 mass% or less. (B) When the quantity of an inorganic filler exists in the said range, the desired effect of this invention can be acquired notably. Moreover, normally, the amount of the inorganic filler (B) is not less than the lower limit value of the above range, so that the thermal expansion coefficient of the cured product of the resin composition can be lowered, and is not more than the upper limit value of the above range. As a result, the mechanical strength of the resin composition, particularly the elongation, can be improved.

[4.(C)カーボンブラック]
本発明の樹脂組成物は、(C)成分として、DBP吸収量が所定値以下であるカーボンブラックを含む。(C)カーボンブラックの具体的なDBP吸収量は、通常130cm/100g以下、好ましくは100cm/100g以下、特に好ましくは80cm/100g以下である。このようにDBP吸収量が小さい(C)カーボンブラックは、(A)エポキシ樹脂、(B)無機充填材及び(D)高分子樹脂と組み合わせた場合に、当該(C)カーボンブラックの凝集を抑制できる。また、このような(C)カーボンブラックを含む樹脂組成物及びその硬化物の特性(樹脂組成物の最低溶融粘度、樹脂組成物の硬化物の発色及びガラス転移温度、等)は、他のカーボンブラックを(A)エポキシ樹脂、(B)無機充填材及び(D)高分子樹脂と組み合わせて得られる樹脂組成物の特性と同程度以上に優れる。したがって、(C)カーボンブラックを用いることにより、発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の特性においてバランスがとれていながら、カーボンブラックの凝集を抑制できる樹脂組成物が実現できる。(B)無機充填材及び(D)高分子樹脂を含む樹脂組成物では一般にカーボンブラックが凝集し易い傾向があることに鑑みれば、前記の作用は、当業者にとって意外なものである。(C)カーボンブラックのDBP吸収量の下限は、特段の制限は無く、例えば、10cm/100g以上、20cm/100g以上、40cm/100g以上としてもよい。
[4. (C) Carbon black]
The resin composition of the present invention contains carbon black having a DBP absorption amount of a predetermined value or less as the component (C). (C) Specific DBP absorption of carbon black is usually 130 cm 3/100 g or less, preferably 100 cm 3/100 g or less, particularly preferably not more than 80 cm 3/100 g. As described above, (C) carbon black having a small DBP absorption amount suppresses aggregation of the (C) carbon black when combined with (A) an epoxy resin, (B) an inorganic filler, and (D) a polymer resin. it can. Further, the properties of the resin composition containing (C) carbon black and the cured product thereof (the minimum melt viscosity of the resin composition, the color of the cured product of the resin composition, the glass transition temperature, etc.) The characteristics of the resin composition obtained by combining black with (A) an epoxy resin, (B) an inorganic filler, and (D) a polymer resin are excellent to the same extent or more. Therefore, by using (C) carbon black, it is possible to realize a resin composition capable of suppressing the aggregation of carbon black while being balanced in characteristics such as color development, minimum melt viscosity and glass transition temperature. In view of the tendency that carbon black generally tends to aggregate in a resin composition containing (B) an inorganic filler and (D) a polymer resin, the above action is surprising to those skilled in the art. (C) the lower limit of the DBP absorption of carbon black is no particular restriction is not, for example, 10 cm 3/100 g or more, 20 cm 3/100 g or more, may be 40 cm 3/100 g or more.

(C)カーボンブラックのDBP吸収量は、JIS K 6217−4:2017に規定された方法で測定できる。DBP吸収量は、カーボンブラックの表面にある官能基の種類及び量、並びにカーボンブラックの比表面積等の要素に影響を受ける物性値であり、このDBP吸収量が、(B)無機充填材及び(D)高分子樹脂と混合した(C)カーボンブラックの分散性に相関があることは、従来は知られていなかった。   (C) The DBP absorption amount of carbon black can be measured by the method defined in JIS K 6217-4: 2017. The DBP absorption amount is a physical property value affected by factors such as the type and amount of functional groups on the surface of carbon black and the specific surface area of carbon black, and this DBP absorption amount is determined by (B) inorganic filler and ( D) It has not been known in the past that there is a correlation between the dispersibility of (C) carbon black mixed with a polymer resin.

(C)カーボンブラックの平均粒径は、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上、特に好ましくは15nm以上であり、好ましくは300nm以下、より好ましくは100nm以下、特に好ましくは50nm以下である。一般に、平均粒径が小さいカーボンブラックは凝集を生じ易い傾向があるが、本発明の樹脂組成物では、通常、(C)カーボンブラックが小さくても凝集を抑制できる。よって、本発明の効果を有効に活用する観点では、(C)カーボンブラックとして前記のように平均粒径が小さいものを用いることが好ましい。また、前記のように平均粒径の小さい(C)カーボンブラックを用いることにより、樹脂組成物の硬化物の色の調整を容易に行うことができる。   (C) The average particle diameter of carbon black is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, particularly preferably 15 nm or more, preferably 300 nm or less, more preferably 100 nm or less, and particularly preferably 50 nm or less. Generally, carbon black having a small average particle size tends to cause aggregation. However, in the resin composition of the present invention, aggregation can usually be suppressed even when (C) carbon black is small. Therefore, from the viewpoint of effectively utilizing the effects of the present invention, it is preferable to use (C) carbon black having a small average particle diameter as described above. Further, by using (C) carbon black having a small average particle diameter as described above, the color of the cured product of the resin composition can be easily adjusted.

前記の(C)カーボンブラックの平均粒径は、複数の(C)カーボンブラックが集まった二次粒子の平均粒径ではなく、個別の(C)カーボンブラックの一次粒子の平均粒径を表す。この(C)カーボンブラックの平均粒径は、(C)カーボンブラックを電子顕微鏡で観察して、その算術平均径として求めることができる。   The average particle diameter of the (C) carbon black represents not the average particle diameter of the secondary particles in which a plurality of (C) carbon blacks are collected, but the average particle diameter of primary particles of the individual (C) carbon black. The average particle diameter of (C) carbon black can be determined as the arithmetic average diameter of (C) carbon black observed with an electron microscope.

(C)カーボンブラックのpHは、好ましくは1.0以上、より好ましくは2.0以上、特に好ましくは3.0以上であり、好ましくは7.0以下、より好ましくは6.0以下、特に好ましくは4.0以下である。このような範囲のpHを有する(C)カーボンブラックを用いることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができ、特に(C)カーボンブラックの凝集を効果的に抑制できる。   The pH of (C) carbon black is preferably 1.0 or more, more preferably 2.0 or more, particularly preferably 3.0 or more, preferably 7.0 or less, more preferably 6.0 or less, particularly Preferably it is 4.0 or less. By using (C) carbon black having a pH in such a range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and in particular, aggregation of (C) carbon black can be effectively suppressed.

(C)カーボンブラックのpHは、JIS K 5101−17−2:2004に規定された方法で測定できる。   (C) The pH of carbon black can be measured by the method prescribed | regulated to JISK5101-17-2: 2004.

(C)カーボンブラックは、市販のカーボンブラックをそのまま用いてもよく、DBP吸収量等の物性値が所定の範囲に収まるように複数の市販品を適切に混合して用いてもよい。カーボンブラックの市販品は、例えば、三菱化学社、東海カーボン社、旭カーボン社、新日化カーボン社、日本ピグメント社、トーヨーカラー社、御国色素社から入手できる。   (C) As the carbon black, commercially available carbon black may be used as it is, or a plurality of commercially available products may be appropriately mixed so that physical property values such as DBP absorption amount are within a predetermined range. Commercially available products of carbon black can be obtained from, for example, Mitsubishi Chemical Corporation, Tokai Carbon Co., Asahi Carbon Co., Ltd., Nippon Chemical Co., Ltd., Nippon Pigment Co., Toyocolor Co., Ltd., and Gokoku Color Co., Ltd.

樹脂組成物中の(C)カーボンブラックの量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.15質量%以上、特に好ましくは0.2質量%以上であり、好ましくは3質量%以下、より好ましくは2.5質量%以下、特に好ましくは2質量%以下である。(C)カーボンブラックの量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。特に、(C)カーボンブラックの量が前記範囲の下限値以上であることにより、樹脂組成物の硬化物を適切に着色でき、(C)カーボンブラックの量が前記範囲の上限値以下であることにより、(C)カーボンブラックの凝集を特に効果的に抑制できる。   The amount of (C) carbon black in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.15% by mass or more, particularly preferably 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. It is 0.2% by mass or more, preferably 3% by mass or less, more preferably 2.5% by mass or less, and particularly preferably 2% by mass or less. (C) When the amount of carbon black is within the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. In particular, when the amount of (C) carbon black is not less than the lower limit of the above range, the cured product of the resin composition can be appropriately colored, and the amount of (C) carbon black is not more than the upper limit of the above range. (C) Aggregation of carbon black can be particularly effectively suppressed.

[5.(D)高分子樹脂]
本発明の樹脂組成物は、(D)成分として、ガラス転移温度が30℃以下の高分子樹脂を含む。(D)成分を用いることにより、樹脂組成物の最低溶融粘度を低くできる。そのため、通常は、樹脂組成物層を備える樹脂シートのラミネート性を向上させることができる。詳細には、(D)高分子樹脂のガラス転移温度は、通常30℃以下、好ましくは20℃以下、更に好ましくは10℃以下である。ガラス転移温度の下限値は、特に限定されないが、例えば−30℃以上でありうる。また、(D)高分子樹脂を用いることにより、通常は、樹脂組成物の硬化物の弾性率を低くできるので、この硬化物で形成された封止層及び絶縁層のピール強度を向上させられる。また、(D)高分子樹脂は、通常、25℃〜220℃の広い温度領域において線熱膨張係数が変化し難いので、樹脂組成物の硬化物の寸法安定性を高めることができる。
[5. (D) Polymer resin]
The resin composition of the present invention contains a polymer resin having a glass transition temperature of 30 ° C. or lower as the component (D). By using the component (D), the minimum melt viscosity of the resin composition can be lowered. Therefore, normally, the laminating property of the resin sheet provided with the resin composition layer can be improved. Specifically, the glass transition temperature of (D) the polymer resin is usually 30 ° C. or lower, preferably 20 ° C. or lower, more preferably 10 ° C. or lower. Although the lower limit of a glass transition temperature is not specifically limited, For example, it may be -30 degreeC or more. Moreover, since the elastic modulus of the cured product of the resin composition can usually be lowered by using the polymer resin (D), the peel strength of the sealing layer and the insulating layer formed of the cured product can be improved. . In addition, (D) the polymer resin usually has a linear thermal expansion coefficient that hardly changes in a wide temperature range of 25 ° C. to 220 ° C., so that the dimensional stability of the cured product of the resin composition can be enhanced.

(D)高分子樹脂としては、その分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、ポリカーボネート構造、及びポリアクリル構造からなる群より選択される1種類以上の構造を有する化合物が好ましい。このような構造を有する(D)高分子樹脂を用いることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。また、このような構造を有する(D)高分子樹脂は、通常、柔軟性に優れるので、樹脂組成物の最低溶融粘度を効果的に下げることができる。さらに、このような構造を有する(D)高分子樹脂と組み合わせた場合に、一般にカーボンブラックは凝集し易い傾向があったが、上述した(C)カーボンブラックは凝集を生じ難い。よって、(C)カーボンブラックの凝集を効果的に抑制できるという効果を活用する観点から、(D)高分子樹脂としては、その分子内に前記の構造を有する化合物が好ましい。中でも、上述した効果を更に効果的に発揮する観点では、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、ポリカーボネート構造及びポリアクリル構造が好ましく、ポリブタジエン構造、ポリイソプレン構造、及びポリカーボネート構造がより好ましく、ポリブタジエン構造及びポリカーボネート構造が特に好ましい。   (D) The polymer resin is selected from the group consisting of polybutadiene structure, polysiloxane structure, polyalkylene structure, polyalkyleneoxy structure, polyisoprene structure, polyisobutylene structure, polycarbonate structure, and polyacrylic structure in the molecule. Preferred are compounds having one or more structures. By using the (D) polymer resin having such a structure, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. Moreover, since the (D) polymer resin having such a structure is usually excellent in flexibility, the minimum melt viscosity of the resin composition can be effectively reduced. Furthermore, when combined with the (D) polymer resin having such a structure, carbon black generally tends to aggregate, but the above-mentioned (C) carbon black hardly causes aggregation. Therefore, from the viewpoint of utilizing the effect that (C) the aggregation of carbon black can be effectively suppressed, (D) the polymer resin preferably has a compound having the above structure in its molecule. Among these, from the viewpoint of more effectively exerting the above-described effects, a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, a polycarbonate structure, and a polyacrylic structure are preferable, and a polybutadiene structure, a polyisoprene structure, and a polycarbonate structure are preferable. More preferred are a polybutadiene structure and a polycarbonate structure.

ポリブタジエン構造には、ブタジエンを重合して形成される構造だけでなく、当該構造に水素添加して形成される構造も含む。また、ブタジエン構造は、その一部のみが水素添加されていてもよく、その全てが水素添加されていてもよい。さらに、ポリブタジエン構造は、(D)高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリブタジエン構造を分子内に有する樹脂を、以下「ブタジエン樹脂」ということがある。ブタジエン樹脂としては、25℃で液状であるか、または、ガラス転移温度が25℃以下であるブタジエン樹脂が好ましい。   The polybutadiene structure includes not only a structure formed by polymerizing butadiene but also a structure formed by hydrogenating the structure. Moreover, only a part of the butadiene structure may be hydrogenated, or all of it may be hydrogenated. Furthermore, the polybutadiene structure may be contained in the main chain or in the side chain in the molecule (D) of the polymer resin. Hereinafter, the resin having a polybutadiene structure in the molecule may be referred to as a “butadiene resin”. The butadiene resin is preferably a butadiene resin that is liquid at 25 ° C. or has a glass transition temperature of 25 ° C. or lower.

ポリシロキサン構造は、シロキサン結合を含む構造であり、例えばシリコーンゴムに含まれる。ポリシロキサン構造は、(D)高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリシロキサン構造を分子内に有する樹脂を、以下「シロキサン樹脂」ということがある。   The polysiloxane structure is a structure including a siloxane bond, and is included in, for example, silicone rubber. The polysiloxane structure may be contained in the main chain or in the side chain in the molecule (D) of the polymer resin. Hereinafter, a resin having a polysiloxane structure in the molecule may be referred to as a “siloxane resin”.

ポリアルキレン構造は、所定の炭素原子数を有することが好ましい。ポリアルキレン構造の具体的な炭素原子数は、好ましくは2以上、より好ましくは3以上、特に好ましくは5以上であり、好ましくは15以下、より好ましくは10以下、特に好ましくは6以下である。また、ポリアルキレン構造は、(D)高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリアルキレン構造を分子内に有する樹脂を、以下「アルキレン樹脂」ということがある。   The polyalkylene structure preferably has a predetermined number of carbon atoms. The specific number of carbon atoms of the polyalkylene structure is preferably 2 or more, more preferably 3 or more, particularly preferably 5 or more, preferably 15 or less, more preferably 10 or less, and particularly preferably 6 or less. The polyalkylene structure may be contained in the main chain or in the side chain in the molecule (D) of the polymer resin. The resin having a polyalkylene structure in the molecule may be hereinafter referred to as “alkylene resin”.

ポリアルキレンオキシ構造は、所定の炭素原子数を有することが好ましい。ポリアルキレンオキシ構造の具体的な炭素原子数は、好ましくは2以上、好ましくは3以上、より好ましくは5以上であり、好ましくは15以下、より好ましくは10以下、特に好ましくは6以下である。ポリアルキレンオキシ構造は、(D)高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリアルキレンオキシ構造を分子内に有する樹脂を、以下「アルキレンオキシ樹脂」ということがある。   The polyalkyleneoxy structure preferably has a predetermined number of carbon atoms. The specific number of carbon atoms of the polyalkyleneoxy structure is preferably 2 or more, preferably 3 or more, more preferably 5 or more, preferably 15 or less, more preferably 10 or less, and particularly preferably 6 or less. The polyalkyleneoxy structure may be contained in the main chain or in the side chain in the molecule (D) of the polymer resin. The resin having a polyalkyleneoxy structure in the molecule may be hereinafter referred to as “alkyleneoxy resin”.

ポリイソプレン構造は、(D)高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリイソプレン構造を分子内に有する樹脂を、以下「イソプレン樹脂」ということがある。   The polyisoprene structure may be contained in the main chain or in the side chain in the molecule (D) of the polymer resin. Hereinafter, a resin having a polyisoprene structure in the molecule may be referred to as an “isoprene resin”.

ポリイソブチレン構造は、(D)高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリイソブチレン構造を分子内に有する樹脂を、以下「イソブチレン樹脂」ということがある。   The polyisobutylene structure may be contained in the main chain or the side chain in the molecule (D) of the polymer resin. Hereinafter, a resin having a polyisobutylene structure in the molecule may be referred to as an “isobutylene resin”.

ポリカーボネート構造は、(D)高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリカーボネート構造を分子内に有する樹脂を、以下「カーボネート樹脂」ということがある。カーボネート樹脂としては、ガラス転移温度が25℃以下のカーボネート樹脂が好ましい。   The polycarbonate structure may be contained in the main chain or in the side chain in the molecule (D) of the polymer resin. Hereinafter, a resin having a polycarbonate structure in the molecule may be referred to as a “carbonate resin”. As the carbonate resin, a carbonate resin having a glass transition temperature of 25 ° C. or lower is preferable.

ポリアクリル構造は、アクリロイル基及びメタクリロイル基の少なくとも一方を含む化合物(アクリレート、メタクリレート等)が前記アクリロイル基又はメタクリロイル基で重合して形成される構造である。ポリアクリル構造は、(D)高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリアクリル構造を分子内に有する樹脂を、以下「アクリル樹脂」ということがある。アクリル樹脂としては、ガラス転移温度が25℃以下のアクリル樹脂が好ましい。   The polyacrylic structure is a structure formed by polymerizing a compound (acrylate, methacrylate, etc.) containing at least one of acryloyl group and methacryloyl group with the acryloyl group or methacryloyl group. The polyacrylic structure may be contained in the main chain or in the side chain in the molecule (D) of the polymer resin. Hereinafter, the resin having a polyacrylic structure in the molecule may be referred to as “acrylic resin”. As the acrylic resin, an acrylic resin having a glass transition temperature of 25 ° C. or lower is preferable.

(D)高分子樹脂は、(A)エポキシ樹脂と反応できる官能基を有することが好ましい。この官能基には、加熱によって現れる反応基も含める。(D)高分子樹脂が前記の官能基を有することにより、樹脂組成物の硬化物の機械的強度を向上させることができる。   The (D) polymer resin preferably has a functional group capable of reacting with the (A) epoxy resin. This functional group includes a reactive group that appears upon heating. (D) When the polymer resin has the functional group, the mechanical strength of the cured product of the resin composition can be improved.

前記の官能基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基、ウレタン基などが挙げられる。中でも、本発明の効果を顕著に得る観点から、前記の官能基としては、ヒドロキシル基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群より選択される1種類以上の官能基が好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。   Examples of the functional group include a hydroxy group, a carboxy group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, and a urethane group. Among these, from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of the present invention, the functional group is one or more selected from the group consisting of a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, and a urethane group. Are preferred, and phenolic hydroxyl groups are particularly preferred.

(D)高分子樹脂は、イミド構造を有することが好ましい。イミド構造を有することにより、(D)高分子樹脂の耐熱性を効果的に高めることができる。   (D) The polymer resin preferably has an imide structure. By having an imide structure, the heat resistance of the (D) polymer resin can be effectively increased.

(D)高分子樹脂の好ましい例としては、ブタジエン樹脂が挙げられる。ブタジエン樹脂の好ましい例としては、水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂、ヒドロキシ基含有ブタジエン樹脂、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂、カルボキシ基含有ブタジエン樹脂、酸無水物基含有ブタジエン樹脂、エポキシ基含有ブタジエン樹脂、イソシアネート基含有ブタジエン樹脂、ウレタン基含有ブタジエン樹脂が挙げられる。中でも、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂が更に好ましい。ここで、「水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂」とは、ポリブタジエン骨格の少なくとも一部が水素化された樹脂をいい、必ずしもポリブタジエン骨格が完全に水素化された樹脂である必要はない。水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂としては、例えば、水素化ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂等が挙げられる。また、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂としては、ポリブタジエン構造を有し、かつフェノール性水酸基を有する樹脂等が挙げられる。   (D) A preferred example of the polymer resin is a butadiene resin. Preferred examples of butadiene resins include hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resins, hydroxy group-containing butadiene resins, phenolic hydroxyl group-containing butadiene resins, carboxy group-containing butadiene resins, acid anhydride group-containing butadiene resins, epoxy group-containing butadiene resins, and isocyanate groups. Butadiene resin containing, urethane group-containing butadiene resin. Among these, phenolic hydroxyl group-containing butadiene resins are more preferable. Here, the “hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resin” refers to a resin in which at least a part of the polybutadiene skeleton is hydrogenated, and is not necessarily a resin in which the polybutadiene skeleton is completely hydrogenated. Examples of the hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resin include a hydrogenated polybutadiene skeleton-containing epoxy resin. Examples of the phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin include resins having a polybutadiene structure and having a phenolic hydroxyl group.

ブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ricon 657」(エポキシ基含有ポリブタジエン)、「Ricon 130MA8」、「Ricon 130MA13」、「Ricon 130MA20」、「Ricon 131MA5」、「Ricon 131MA10」、「Ricon 131MA17」、「Ricon 131MA20」、「Ricon 184MA6」(酸無水物基含有ポリブタジエン)、日本曹達社製の「JP−100」、「JP−200」(エポキシ化ポリブタジエン)、「GQ−1000」(水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン)、「G−1000」、「G−2000」、「G−3000」(両末端水酸基ポリブタジエン)、「GI−1000」、「GI−2000」、「GI−3000」(両末端水酸基水素化ポリブタジエン)、ダイセル社製の「PB3600」、「PB4700」(ポリブタジエン骨格エポキシ化合物)、「エポフレンドA1005」、「エポフレンドA1010」、「エポフレンドA1020」(スチレンとブタジエンとスチレンブロック共重合体のエポキシ化合物)、ナガセケムテックス社製の「FCA−061L」(水素化ポリブタジエン骨格エポキシ化合物)、「R−45EPT」(ポリブタジエン骨格エポキシ化合物)、等が挙げられる。   Specific examples of the butadiene resin include “Ricon 657” (epoxy group-containing polybutadiene), “Ricon 130MA8”, “Ricon 130MA13”, “Ricon 130MA20”, “Ricon 131MA5”, “Ricon 131MA10”, “Ricon 131MA10” manufactured by Clay Valley. “Ricon 131MA17”, “Ricon 131MA20”, “Ricon 184MA6” (anhydride-containing polybutadiene), “JP-100”, “JP-200” (epoxidized polybutadiene), “GQ-1000” (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) Hydroxyl group, carboxyl group-introduced polybutadiene), "G-1000", "G-2000", "G-3000" (both end hydroxyl group polybutadiene), "GI-1000", "GI-2000", "GI-3000" Hydroxylated polybutadiene at both ends), “PB3600”, “PB4700” (polybutadiene skeleton epoxy compound), “Epofriend A1005”, “Epofriend A1010”, “Epofriend A1020” (styrene, butadiene and styrene block) manufactured by Daicel (Epoxy compound of copolymer), “FCA-061L” (hydrogenated polybutadiene skeleton epoxy compound) manufactured by Nagase ChemteX Corporation, “R-45EPT” (polybutadiene skeleton epoxy compound), and the like.

また、好ましいブタジエン樹脂の例としては、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド(特開2006−37083号公報、国際公開第2008/153208号に記載のポリイミド)も挙げられる。該ポリイミド樹脂のポリブタジエン構造の含有率は、好ましくは60質量%〜95質量%、より好ましくは75質量%〜85質量%である。該ポリイミド樹脂の詳細は、特開2006−37083号公報、国際公開第2008/153208号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。   Examples of preferred butadiene resins include linear polyimides made from hydroxyl-terminated polybutadiene, diisocyanate compounds and tetrabasic acid anhydrides (polyimides described in JP 2006-37083 A and WO 2008/153208 A). ). The content of the polybutadiene structure in the polyimide resin is preferably 60% by mass to 95% by mass, and more preferably 75% by mass to 85% by mass. Details of the polyimide resin can be referred to the descriptions in JP-A-2006-37083 and International Publication No. 2008/153208, the contents of which are incorporated herein.

(D)高分子樹脂の好ましい別の例としては、シロキサン樹脂が挙げられる。シロキサン樹脂の具体例としては、信越シリコーン社製の「SMP−2006」、「SMP−2003PGMEA」、「SMP−5005PGMEA」、アミン基末端ポリシロキサン、四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド(国際公開第2010/053185号)等が挙げられる。   (D) Another preferred example of the polymer resin is a siloxane resin. Specific examples of the siloxane resin include “SMP-2006”, “SMP-2003PGMEA”, “SMP-5005PGMEA” manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., linear polyimide using amine group-terminated polysiloxane and tetrabasic acid anhydride (raw material). International Publication No. 2010/053185).

(D)高分子樹脂の好ましい更に別の例としては、アルキレン樹脂及びアルキレンオキシ樹脂が挙げられる。アルキレン樹脂及びアルキレンオキシ樹脂の具体例としては、旭化成せんい社製の「PTXG−1000」、「PTXG−1800」、三菱化学社製の「YX−7180」(エーテル結合を有するアルキレン構造を含有する樹脂)、DIC Corporation社製の「EXA−4850−150」、「EXA−4816」、「EXA−4822」、ADEKA社製の「EP−4000」、「EP−4003」、「EP−4010」、「EP−4011」、新日本理化社製の「BEO−60E」、「BPO−20E」、三菱化学社製の「YL7175」、「YL7410」等が挙げられる。   (D) Still another preferable example of the polymer resin includes an alkylene resin and an alkyleneoxy resin. Specific examples of the alkylene resin and alkyleneoxy resin include “PTXG-1000” and “PTXG-1800” manufactured by Asahi Kasei Fibers, Inc. and “YX-7180” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (resins containing an alkylene structure having an ether bond). ), “EXA-4850-150”, “EXA-4816”, “EXA-4822” manufactured by DIC Corporation, “EP-4000”, “EP-4003”, “EP-4010”, “EP-4010” manufactured by ADEKA EP-4011 ”,“ BEO-60E ”,“ BPO-20E ”manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.,“ YL7175 ”,“ YL7410 ”manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, and the like.

(D)高分子樹脂の好ましい更に別の例としては、イソプレン樹脂が挙げられる。イソプレン樹脂の具体例としては、クラレ社製の「KL−610」、「KL−613」等が挙げられる。   (D) Another preferred example of the polymer resin is an isoprene resin. Specific examples of the isoprene resin include “KL-610” and “KL-613” manufactured by Kuraray Co., Ltd.

(D)高分子樹脂の好ましい更に別の例としては、イソブチレン樹脂が挙げられる。イソブチレン樹脂の具体例としては、カネカ社製の「SIBSTAR−073T」(スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体)、「SIBSTAR−042D」(スチレン−イソブチレンジブロック共重合体)等が挙げられる。   (D) Another preferred example of the polymer resin is isobutylene resin. Specific examples of the isobutylene resin include “SIBSTAR-073T” (styrene-isobutylene-styrene triblock copolymer) and “SIBSTAR-042D” (styrene-isobutylene diblock copolymer) manufactured by Kaneka Corporation.

(D)高分子樹脂の好ましい更に別の例としては、カーボネート樹脂が挙げられる。カーボネート樹脂の好ましい例としては、ヒドロキシ基含有カーボネート樹脂、フェノール性水酸基含有カーボネート樹脂、カルボキシ基含有カーボネート樹脂、酸無水物基含有カーボネート樹脂、エポキシ基含有カーボネート樹脂、イソシアネート基含有カーボネート樹脂、ウレタン基含有カーボネート樹脂等が挙げられる。   (D) Still another preferred example of the polymer resin is a carbonate resin. Preferred examples of the carbonate resin include hydroxy group-containing carbonate resin, phenolic hydroxyl group-containing carbonate resin, carboxy group-containing carbonate resin, acid anhydride group-containing carbonate resin, epoxy group-containing carbonate resin, isocyanate group-containing carbonate resin, urethane group-containing A carbonate resin etc. are mentioned.

カーボネート樹脂の具体例としては、旭化成ケミカルズ社製の「T6002」、「T6001」(ポリカーボネートジオール)、クラレ社製の「C−1090」、「C−2090」、「C−3090」(ポリカーボネートジオール)等が挙げられる。   Specific examples of the carbonate resin include "T6002", "T6001" (polycarbonate diol) manufactured by Asahi Kasei Chemicals, "C-1090", "C-2090", "C-3090" (polycarbonate diol) manufactured by Kuraray. Etc.

また、好ましいカーボネート樹脂の例としては、ヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミドも挙げられる。該ポリイミド樹脂のポリカーボネート構造の含有率は、好ましくは60質量%〜95質量%、より好ましくは75質量%〜85質量%である。該ポリイミド樹脂の詳細は、国際公開第2016/129541号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。   Examples of preferred carbonate resins also include linear polyimides made from hydroxyl group-terminated polycarbonates, diisocyanate compounds and tetrabasic acid anhydrides. The content of the polycarbonate resin in the polycarbonate structure is preferably 60% by mass to 95% by mass, and more preferably 75% by mass to 85% by mass. Details of the polyimide resin can be referred to the description of International Publication No. 2016/129541, the contents of which are incorporated herein.

(D)高分子樹脂の好ましい更に別の例としては、アクリル樹脂が挙げられる。アクリル樹脂の好ましい例としては、ヒドロキシ基含有アクリル樹脂、フェノール性水酸基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂、酸無水物基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、イソシアネート基含有アクリル樹脂、ウレタン基含有アクリル樹脂等が挙げられる。   (D) Another preferable example of the polymer resin is an acrylic resin. Preferred examples of the acrylic resin include hydroxy group-containing acrylic resin, phenolic hydroxyl group-containing acrylic resin, carboxy group-containing acrylic resin, acid anhydride group-containing acrylic resin, epoxy group-containing acrylic resin, isocyanate group-containing acrylic resin, urethane group-containing An acrylic resin etc. are mentioned.

アクリル樹脂の具体例としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン「SG−70L」、「SG−708−6」、「WS−023」、「SG−700AS」、「SG−280TEA」(カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、酸価5〜34mgKOH/g、重量平均分子量40万〜90万、Tg−30℃〜5℃)、「SG−80H」、「SG−80H−3」、「SG−P3」(エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、エポキシ当量4761〜14285g/eq、重量平均分子量35万〜85万、Tg11℃〜12℃)、「SG−600TEA」、「SG−790」(ヒドロキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、水酸基価20〜40mgKOH/g、重量平均分子量50万〜120万、Tg−37℃〜−32℃)、根上工業社製の「ME−2000」、「W−116.3」(カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂)、「W−197C」(水酸基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂)、「KG−25」、「KG−3000」(エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂)等が挙げられる。   Specific examples of acrylic resins include Teissan resin “SG-70L”, “SG-708-6”, “WS-023”, “SG-700AS”, “SG-280TEA” (carboxy group) manufactured by Nagase ChemteX Corporation. -Containing acrylic ester copolymer resin, acid value of 5 to 34 mg KOH / g, weight average molecular weight of 400,000 to 900,000, Tg-30 ° C to 5 ° C), "SG-80H", "SG-80H-3", " SG-P3 "(epoxy group-containing acrylate copolymer resin, epoxy equivalent 4761-14285 g / eq, weight average molecular weight 350,000-850,000, Tg 11 ° C-12 ° C)," SG-600TEA "," SG-790 (Hydroxy group-containing acrylate copolymer resin, hydroxyl value 20 to 40 mg KOH / g, weight average molecular weight 500,000 to 1,200,000, Tg-37 ° C. 32 ° C), “ME-2000”, “W-116.3” (carboxy group-containing acrylate copolymer resin), “W-197C” (hydroxyl group-containing acrylate copolymer resin) manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd. ), “KG-25”, “KG-3000” (epoxy group-containing acrylate copolymer resin), and the like.

(D)高分子樹脂の好ましい更に別の例としては、アクリルゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴムなどのゴム弾性を示す樹脂に化学的架橋処理を施し、有機溶剤に不溶かつ不融とした樹脂の微粒子体が挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、XER−91(日本合成ゴム社製);スタフィロイドAC3355、AC3816、AC3832、AC4030、AC3364、IM101(以上、ガンツ化成社製);パラロイドEXL2655、EXL2602(以上、呉羽化学工業社製);等が挙げられる。ポリアミド微粒子としては、ナイロン等の脂肪族ポリアミド、ポリアミドイミド等の柔軟な骨格を有するものを用いることができる。ポリアミド微粒子の具体例を挙げると、VESTOSINT 2070(ダイセルヒュルス社製);SP500(東レ社製);等が挙げられる。   (D) Other preferable examples of the polymer resin include acrylic rubber particles, polyamide fine particles, and silicone particles. Specific examples of the acrylic rubber particles include resin fine particles obtained by subjecting a resin exhibiting rubber elasticity, such as acrylonitrile butadiene rubber, butadiene rubber, and acrylic rubber, to a chemical cross-linking treatment so as to be insoluble and infusible in an organic solvent. Specific examples of the acrylic rubber particles include XER-91 (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.); Staphyloid AC3355, AC3816, AC3832, AC4030, AC3364, IM101 (above, manufactured by Ganz Kasei Co., Ltd.); Chemical Industry Co., Ltd.); As the polyamide fine particles, aliphatic polyamides such as nylon and those having a flexible skeleton such as polyamideimide can be used. Specific examples of the polyamide fine particles include VESTOSINT 2070 (manufactured by Daicel Huls); SP500 (manufactured by Toray Industries, Inc.); and the like.

(D)高分子樹脂は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   (D) One type of polymer resin may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(D)高分子樹脂は、優れた柔軟性を発揮する観点から、高分子量であることが好ましい。(D)高分子樹脂の具体的な数平均分子量Mnは、好ましくは4000以上、より好ましくは4500以上、更に好ましくは5000以上、特に好ましくは5500以上であり、好ましくは100000以下、より好ましくは95000以下、特に好ましくは90000以下である。(D)高分子樹脂の数平均分子量Mnが前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。(D)高分子樹脂の数平均分子量Mnは、GPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。   The polymer resin (D) preferably has a high molecular weight from the viewpoint of exhibiting excellent flexibility. (D) The specific number average molecular weight Mn of the polymer resin is preferably 4000 or more, more preferably 4500 or more, further preferably 5000 or more, particularly preferably 5500 or more, preferably 100000 or less, more preferably 95000. Hereinafter, it is particularly preferably 90000 or less. (D) When the number average molecular weight Mn of the polymer resin is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. (D) The number average molecular weight Mn of the polymer resin is a polystyrene-equivalent number average molecular weight measured using GPC (gel permeation chromatography).

(D)高分子樹脂が官能基を有する場合、(D)高分子樹脂の官能基当量は、好ましくは100以上、より好ましくは200以上、更に好ましくは1000以上、特に好ましくは2500以上であり、好ましくは50000以下、より好ましくは30000以下、更に好ましくは10000以下、特に好ましくは5000以下である。官能基当量は、1グラム当量の官能基を含む樹脂のグラム数である。例えば、エポキシ基当量は、JIS K7236に従って測定することができる。また、例えば、水酸基当量はJIS K1557−1に従って測定した水酸基価でKOHの分子量を割ることで算出することができる。   When the (D) polymer resin has a functional group, the functional group equivalent of the (D) polymer resin is preferably 100 or more, more preferably 200 or more, still more preferably 1000 or more, particularly preferably 2500 or more, Preferably it is 50000 or less, More preferably, it is 30000 or less, More preferably, it is 10,000 or less, Most preferably, it is 5000 or less. Functional group equivalent is the number of grams of resin containing 1 gram equivalent of functional group. For example, the epoxy group equivalent can be measured according to JIS K7236. Further, for example, the hydroxyl equivalent can be calculated by dividing the molecular weight of KOH by the hydroxyl value measured according to JIS K1557-1.

樹脂組成物中の(D)高分子樹脂の量は、樹脂組成物の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.2質量%以上、より好ましくは0.3質量%以上、特に好ましくは0.4質量%以上であり、好ましくは20質量%以下、より好ましくは15質量%以下、特に好ましくは10質量%以下である。(D)高分子樹脂の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。特に、(D)高分子樹脂の量が、前記範囲の下限値以上であることにより、樹脂組成物の最低溶融粘度を効果的に低くでき、また、前記範囲の上限値以下であることにより、樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度を高くして耐熱性を向上させることができる。   The amount of the (D) polymer resin in the resin composition is preferably 0.2% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, and particularly preferably with respect to 100% by mass of the nonvolatile component of the resin composition. It is 0.4 mass% or more, preferably 20 mass% or less, more preferably 15 mass% or less, and particularly preferably 10 mass% or less. (D) When the amount of the polymer resin is within the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. In particular, when the amount of the (D) polymer resin is not less than the lower limit value of the above range, the minimum melt viscosity of the resin composition can be effectively lowered, and by being not more than the upper limit value of the above range, Heat resistance can be improved by raising the glass transition temperature of the cured product of the resin composition.

[6.(E)硬化剤]
樹脂組成物は、任意の成分として、上述した成分以外に(E)硬化剤を含んでいてもよい。(E)硬化剤は、通常、(A)エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させる機能を有する。(E)硬化剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組合わせて用いてもよい。
[6. (E) Curing agent]
The resin composition may contain (E) a curing agent in addition to the components described above as an optional component. (E) The curing agent usually has a function of reacting with the epoxy resin (A) to cure the resin composition. (E) A hardening | curing agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

(E)成分としての硬化剤としては、例えば、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、(E)硬化剤としては、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤が好ましく、フェノール系硬化剤及び活性エステル系硬化剤がより好ましい。   Examples of the curing agent as the component (E) include an active ester curing agent, a phenol curing agent, a naphthol curing agent, a benzoxazine curing agent, a cyanate ester curing agent, and a carbodiimide curing agent. Among these, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, the (E) curing agent is preferably a phenol curing agent, a naphthol curing agent, an active ester curing agent, or a cyanate ester curing agent, and a phenol curing An agent and an active ester curing agent are more preferable.

活性エステル系硬化剤としては、1分子中に1個以上の活性エステル基を有する化合物を用いることができる。中でも、活性エステル系硬化剤としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する化合物が好ましい。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び/又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び/又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び/又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。   As the active ester curing agent, a compound having one or more active ester groups in one molecule can be used. Among them, as the active ester curing agent, two or more ester groups having high reaction activity such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and heterocyclic hydroxy compound esters in one molecule are used. The compound which has is preferable. The active ester curing agent is preferably obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and / or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and / or a naphthol compound is more preferable. .

カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。   Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid.

フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン1分子にフェノール2分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。   Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, Benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolac and the like can be mentioned. Here, the “dicyclopentadiene type diphenol compound” refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol with one molecule of dicyclopentadiene.

活性エステル系硬化剤の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる2価の構造を表す。   Preferable specific examples of the active ester curing agent include an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and a benzoylated product of phenol novolac. The active ester compound containing is mentioned. Of these, active ester compounds containing a naphthalene structure and active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferred. The “dicyclopentadiene type diphenol structure” represents a divalent structure composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

活性エステル系硬化剤の市販品としては、例えば、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC−8000−65T」、「HPC−8000H−65TM」、「EXB−8000L−65TM」(DIC社製);ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「EXB9416−70BK」(DIC社製);フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「DC808」(三菱化学社製);フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「YLH1026」(三菱化学社製);フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「DC808」(三菱化学社製);フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「YLH1026」(三菱化学社製)、「YLH1030」(三菱化学社製)、「YLH1048」(三菱化学社製);等が挙げられる。   As a commercial product of an active ester type curing agent, for example, as an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, “EXB9451”, “EXB9460”, “EXB9460S”, “HPC-8000-65T”, “HPC-” "8000H-65TM", "EXB-8000L-65TM" (manufactured by DIC); "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC) as an active ester compound containing a naphthalene structure; "DC808" as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.); “YLH1026” (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester compound containing a benzoylated phenol novolac; “DC808” (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester curing agent which is an acetylated product of phenol novolac Examples of active ester curing agents that are benzoylated phenol novolaks include “YLH1026” (manufactured by Mitsubishi Chemical), “YLH1030” (manufactured by Mitsubishi Chemical), “YLH1048” (manufactured by Mitsubishi Chemical); .

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。   As a phenol type hardening | curing agent and a naphthol type | system | group hardening | curing agent, what has a novolak structure from a heat resistant and water-resistant viewpoint is preferable. Moreover, from a viewpoint of adhesiveness with a conductor layer, a nitrogen-containing phenol type hardening | curing agent is preferable and a triazine frame | skeleton containing phenol type hardening | curing agent is more preferable.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「MEH−7700」、「MEH−7810」、「MEH−7851」;日本化薬社製の「NHN」、「CBN」、「GPH」;新日鉄住金社製の「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495V」、「SN375」、「SN395」;DIC社製の「TD−2090」、「LA−7052」、「LA−7054」、「LA−1356」、「LA−3018−50P」、「EXB−9500」、「HPC−9500」、「KA−1160」、「KA−1163」、「KA−1165」;群栄化学社製の「GDP−6115L」、「GDP−6115H」等が挙げられる。   Specific examples of the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent include “MEH-7700”, “MEH-7810”, “MEH-7785” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd .; “NHN”, “CBN” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. “SN170”, “SN180”, “SN190”, “SN475”, “SN485”, “SN495V”, “SN375”, “SN395” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Co., Ltd .; “TD-” manufactured by DIC 2090 "," LA-7052 "," LA-7054 "," LA-1356 "," LA-3018-50P "," EXB-9500 "," HPC-9500 "," KA-1160 "," KA- " 1163 "," KA-1165 ";" GDP-6115L "," GDP-6115H "manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd., and the like.

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「HFB2006M」、四国化成工業社製の「P−d」、「F−a」が挙げられる。   Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include “HFB2006M” manufactured by Showa Polymer Co., Ltd. and “Pd” and “Fa” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールAジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ(3−メチレン−1,5−フェニレンシアネート)、4,4’−メチレンビス(2,6−ジメチルフェニルシアネート)、4,4’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールAジシアネート、2,2−ビス(4−シアネート)フェニルプロパン、1,1−ビス(4−シアネートフェニルメタン)、ビス(4−シアネート−3,5−ジメチルフェニル)メタン、1,3−ビス(4−シアネートフェニル−1−(メチルエチリデン))ベンゼン、ビス(4−シアネートフェニル)チオエーテル、及びビス(4−シアネートフェニル)エーテル、等の2官能シアネート樹脂;フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂;これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー;などが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「PT30」及び「PT60」(いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(ビスフェノールAジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー)等が挙げられる。   Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4′-methylenebis (2,6-dimethylphenyl cyanate), 4,4. '-Ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4-cyanatephenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethyl) Bifunctional cyanate resins such as phenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4-cyanatephenyl) thioether, and bis (4-cyanatephenyl) ether; Phenol novolac and Polyfunctional cyanate resin derived from resol novolac; prepolymer these cyanate resin is partially triazine of; and the like. Specific examples of the cyanate ester curing agent include “PT30” and “PT60” (both phenol novolac polyfunctional cyanate ester resins), “BA230”, “BA230S75” (part of bisphenol A dicyanate) manufactured by Lonza Japan. Or a prepolymer which is all triazine-modified into a trimer).

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「V−03」、「V−07」等が挙げられる。   Specific examples of the carbodiimide curing agent include “V-03” and “V-07” manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd.

樹脂組成物が(E)硬化剤を含む場合、(E)硬化剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.5質量%以上、より好ましくは1.0質量%以上、特に好ましくは2.0質量%以上であり、好ましくは20質量%以下、より好ましくは15質量%以下、特に好ましくは10質量%以下である。(E)成分の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。   When the resin composition contains (E) a curing agent, the amount of the (E) curing agent is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1.% by mass with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. It is 0% by mass or more, particularly preferably 2.0% by mass or more, preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or less. When the amount of the component (E) is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained.

(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合、(E)硬化剤の活性基数は、好ましくは0.10以上、より好ましくは0.15以上、更に好ましくは0.20以上であり、好ましくは2以下、より好ましくは1.5以下、更に好ましくは1.0以下である。ここで、「(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在する(A)エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「(B)硬化剤の活性基数」とは、樹脂組成物中に存在する(E)硬化剤の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合の(E)硬化剤の活性基数が前記範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができ、更に通常は、樹脂組成物層の硬化物の耐熱性がより向上する。   When the number of epoxy groups in the (A) epoxy resin is 1, the number of active groups in the (E) curing agent is preferably 0.10 or more, more preferably 0.15 or more, still more preferably 0.20 or more, preferably Is 2 or less, more preferably 1.5 or less, and still more preferably 1.0 or less. Here, “(A) the number of epoxy groups of the epoxy resin” is a value obtained by adding up all the values obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of the (A) epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. Further, “(B) the number of active groups of the curing agent” is a value obtained by adding all values obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the (E) curing agent present in the resin composition by the active group equivalent. (A) When the number of active groups of (E) curing agent when the number of epoxy groups of the epoxy resin is 1, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and more usually, the resin composition The heat resistance of the cured product of the physical layer is further improved.

[7.(F)硬化促進剤]
樹脂組成物は、任意の成分として、上述した成分以外に(F)硬化促進剤を含んでいてもよい。(F)硬化促進剤を用いることにより、樹脂組成物を硬化させる際に硬化を促進できる。
[7. (F) Curing accelerator]
The resin composition may contain (F) a curing accelerator as an optional component in addition to the components described above. (F) By using a curing accelerator, curing can be accelerated when the resin composition is cured.

(F)成分としての硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましい。中でも、本発明の効果を顕著に発揮する観点では、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、イミダゾール系硬化促進剤が特に好ましい。硬化促進剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the curing accelerator as the component (F) include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, metal-based curing accelerators, and the like. A curing accelerator, an amine curing accelerator, an imidazole curing accelerator, and a metal curing accelerator are preferred. Among these, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators are preferable, and imidazole-based curing accelerators are particularly preferable from the viewpoint of remarkably exhibiting the effects of the present invention. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、n−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、(4−メチルフェニル)トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。中でも、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。   Examples of phosphorus curing accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate. , Tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate, and the like. Of these, triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、4−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、2,4,6,−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセン等が挙げられる。中でも、4−ジメチルアミノピリジン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセンが好ましい。   Examples of amine curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6, -tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1,8-diazabicyclo. (5, 4, 0) -undecene and the like. Of these, 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ[1,2−a]ベンズイミダゾール、1−ドデシル−2−メチル−3−ベンジルイミダゾリウムクロライド、2−メチルイミダゾリン、2−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。中でも、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾールが好ましい。   Examples of the imidazole curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2- Phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6 -[2 -Methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino- 6- [2′-Ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s -Triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H- Pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, - adduct of an imidazole compound and an imidazole compound and an epoxy resin of the phenyl imidazoline, and the like. Of these, 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学社製の「P200−H50」;四国化成工業社製「1B2PZ」;等が挙げられる。   Commercially available products may be used as the imidazole curing accelerator, and examples thereof include “P200-H50” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “1B2PZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、1−メチルグアニジン、1−エチルグアニジン、1−シクロヘキシルグアニジン、1−フェニルグアニジン、1−(o−トリル)グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン、7−メチル−1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン、1−メチルビグアニド、1−エチルビグアニド、1−n−ブチルビグアニド、1−n−オクタデシルビグアニド、1,1−ジメチルビグアニド、1,1−ジエチルビグアニド、1−シクロヘキシルビグアニド、1−アリルビグアニド、1−フェニルビグアニド、1−(o−トリル)ビグアニド等が挙げられる。中でも、ジシアンジアミド、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エンが好ましい。   Examples of the guanidine curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, Tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] Deca-5-ene, 1-methyl biguanide, 1-ethyl biguanide, 1-n-butyl biguanide, 1-n-octadecyl biguanide, 1,1-dimethyl biguanide, 1,1-diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1 -Allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, 1- ( - tolyl) biguanide, and the like. Of these, dicyandiamide and 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene are preferred.

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト(II)アセチルアセトナート、コバルト(III)アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅(II)アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛(II)アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄(III)アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル(II)アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン(II)アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。   As a metal type hardening accelerator, the organometallic complex or organometallic salt of metals, such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, tin, is mentioned, for example. Specific examples of the organometallic complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. Organic zinc complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

樹脂組成物が(F)硬化促進剤を含む場合、(F)硬化促進剤の量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.01質量%以上、より好ましくは0.03質量%以上、特に好ましくは0.05質量%以上であり、好ましくは3質量%以下、より好ましくは1.5質量%以下、特に好ましくは1質量%以下である。   When the resin composition contains (F) a curing accelerator, the amount of (F) the curing accelerator is based on 100% by mass of the nonvolatile component of the resin composition from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. Preferably it is 0.01% by mass or more, more preferably 0.03% by mass or more, particularly preferably 0.05% by mass or more, preferably 3% by mass or less, more preferably 1.5% by mass or less, particularly preferably. Is 1% by mass or less.

[8.(G)熱可塑性樹脂]
樹脂組成物は、任意の成分として、上述した成分以外に(G)熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。
[8. (G) Thermoplastic resin]
The resin composition may contain (G) a thermoplastic resin as an optional component in addition to the components described above.

(G)成分としての熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ブタジエン樹脂、シロキサン樹脂、アルキレン樹脂、アルキレンオキシ樹脂、イソプレン樹脂、イソブチレン樹脂、カーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。   Examples of the thermoplastic resin as the component (G) include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, butadiene resin, siloxane resin, alkylene resin, alkyleneoxy resin, isoprene resin, isobutylene resin, carbonate resin, acrylic resin, and polyimide. Examples thereof include resins, polyamideimide resins, polyetherimide resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, polyphenylene ether resins, polyetheretherketone resins, and polyester resins.

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA骨格、ビスフェノールF骨格、ビスフェノールS骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される1種類以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。   Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene Examples thereof include a phenoxy resin having one or more skeletons selected from the group consisting of a skeleton and a trimethylcyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group.

フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学社製の「1256」及び「4250」(いずれもビスフェノールA骨格含有フェノキシ樹脂);三菱化学社製の「YX8100」(ビスフェノールS骨格含有フェノキシ樹脂);三菱化学社製の「YX6954」(ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「FX280」及び「FX293」;三菱化学社製の「YX6954BH30」、「YX6954BH30」、「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」、「YL7891BH30」及び「YL7482」等が挙げられる。   Specific examples of the phenoxy resin include “1256” and “4250” (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resins) manufactured by Mitsubishi Chemical; “YX8100” (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical; "YX6954" (bisphenolacetophenone skeleton-containing phenoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Chemical Co., Ltd. "FX280" and "FX293" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd .; “YL7769BH30”, “YL6794”, “YL7213”, “YL7290”, “YL7891BH30”, “YL7482” and the like.

(G)熱可塑性樹脂の重量平均分子量Mwは、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは8,000以上、より好ましくは10,000以上、特に好ましくは20,000以上であり、好ましくは70,000以下、より好ましくは60,000以下、特に好ましくは50,000以下である。(G)熱可塑性樹脂の重量平均分子量Mwは、GPCを使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。   (G) The weight average molecular weight Mw of the thermoplastic resin is preferably 8,000 or more, more preferably 10,000 or more, and particularly preferably 20,000 or more from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. , Preferably 70,000 or less, more preferably 60,000 or less, particularly preferably 50,000 or less. (G) The weight average molecular weight Mw of a thermoplastic resin is the number average molecular weight of polystyrene conversion measured using GPC.

樹脂組成物が(G)熱可塑性樹脂を含む場合、樹脂組成物における(G)熱可塑性樹脂の量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.01質量%以上、より好ましくは0.1質量%以上、さらに好ましくは0.3質量%以上であり、好ましくは20質量%以下、より好ましくは10質量%以下、より好ましくは5質量%以下である。   When the resin composition contains (G) a thermoplastic resin, the amount of the (G) thermoplastic resin in the resin composition is 100 masses of the non-volatile component in the resin composition from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. %, Preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, further preferably 0.3% by mass or more, preferably 20% by mass or less, more preferably 10% by mass or less. More preferably, it is 5 mass% or less.

[9.(H)難燃剤]
樹脂組成物は、任意の成分として、上述した成分以外に(H)難燃剤を含んでいてもよい。
[9. (H) Flame retardant]
The resin composition may contain a flame retardant (H) as an optional component in addition to the components described above.

(H)難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は1種類単独で用いてもよく、2種類以上を併用してもよい。   Examples of (H) flame retardants include organic phosphorus flame retardants, organic nitrogen-containing phosphorus compounds, nitrogen compounds, silicone flame retardants, and metal hydroxides. A flame retardant may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

(H)難燃剤の具体例としては、三光社製の「HCA−HQ」、大八化学工業社製の「PX−200」等が挙げられる。難燃剤としては加水分解しにくいものが好ましく、例えば、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド等が好ましい。   Specific examples of the (H) flame retardant include “HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd. and “PX-200” manufactured by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd. As the flame retardant, those which are difficult to hydrolyze are preferable, and for example, 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide and the like are preferable.

樹脂組成物が(H)難燃剤を含有する場合、(H)難燃剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.01質量%以上、より好ましくは0.1質量%以上、さらに好ましくは0.3質量%以上であり、好ましくは20質量%以下、より好ましくは10質量%以下、より好ましくは5質量%以下である。   When the resin composition contains (H) a flame retardant, the amount of (H) the flame retardant is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0, with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. 0.1% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, preferably 20% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less.

[10.(I)任意の添加剤]
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として更に添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物;バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤等の樹脂添加剤;などが挙げられる。これらの添加剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
[10. (I) Optional additive]
The resin composition may further contain an additive as an optional component in addition to the components described above. Examples of such additives include organic metal compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds, and organic cobalt compounds; resin additives such as binders, thickeners, antifoaming agents, leveling agents, and adhesion-imparting agents; Etc. These additives may be used alone or in combination of two or more.

[11.樹脂組成物の製造方法]
樹脂組成物は、例えば、配合成分を、回転ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌する方法によって製造できる。
[11. Method for producing resin composition]
A resin composition can be manufactured by the method of stirring a compounding component using stirring apparatuses, such as a rotary mixer, for example.

[12.樹脂組成物の特性]
上述した樹脂組成物によれば、最低溶融粘度を低くできる。そのため、樹脂組成物を用いた樹脂シートのラミネート性を良好にできる。(B)無機充填材によれば樹脂組成物の硬化物の絶縁性能及び封止性能を向上させることができるが、一般に、(B)無機充填材を含む組成物は溶融粘度が高くなり、ラミネート性が損なわれる傾向がある。これに対し、上述した樹脂組成物では、(D)高分子樹脂を用いたことにより、(B)無機充填材を用いながらも溶融粘度を低くできるので、良好なラミネート性を達成できる。樹脂組成物の具体的な最低溶融粘度は、好ましくは30000poise以下、より好ましくは20000poise以下、更に好ましくは12000poise以下である。樹脂組成物の最低溶融粘度の下限は、特段の制限は無いが、例えば100poise以上でありうる。樹脂組成物の最低溶融粘度は、実施例に記載の方法によって測定できる。
[12. Characteristics of resin composition]
According to the resin composition described above, the minimum melt viscosity can be lowered. Therefore, the laminating property of the resin sheet using the resin composition can be improved. (B) According to the inorganic filler, the insulating performance and sealing performance of the cured product of the resin composition can be improved. Generally, however, the composition containing the inorganic filler (B) has a high melt viscosity and is laminated. Tend to be impaired. On the other hand, in the resin composition mentioned above, since (D) the polymer resin is used, the melt viscosity can be lowered while using the inorganic filler (B), and therefore, good laminating properties can be achieved. The specific minimum melt viscosity of the resin composition is preferably 30000 poise or less, more preferably 20000 poise or less, and still more preferably 12000 poise or less. The lower limit of the minimum melt viscosity of the resin composition is not particularly limited, but may be, for example, 100 poise or more. The minimum melt viscosity of the resin composition can be measured by the method described in Examples.

上述した樹脂組成物によれば、ガラス転移温度が高い硬化物を得られる。そのため、樹脂組成物の硬化物の耐熱性を良好にできるので、耐熱性に優れた絶縁層及び封止層を得ることができる。例えば、樹脂組成物を実施例に記載の条件で熱硬化させて得た硬化物の具体的なガラス転移温度は、好ましくは140℃以上、より好ましくは145℃以上、特に好ましくは150℃以上である。樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度の上限は、特段の制限は無いが、例えば300℃以下でありうる。樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度は、実施例に記載の方法によって測定できる。   According to the resin composition described above, a cured product having a high glass transition temperature can be obtained. Therefore, since the heat resistance of the hardened | cured material of a resin composition can be made favorable, the insulating layer and sealing layer excellent in heat resistance can be obtained. For example, the specific glass transition temperature of the cured product obtained by thermosetting the resin composition under the conditions described in the examples is preferably 140 ° C. or higher, more preferably 145 ° C. or higher, particularly preferably 150 ° C. or higher. is there. The upper limit of the glass transition temperature of the cured product of the resin composition is not particularly limited, but may be, for example, 300 ° C. or lower. The glass transition temperature of the cured product of the resin composition can be measured by the method described in the examples.

上述した樹脂組成物によれば、カーボンブラックが着色剤として機能するので、当該カーボンブラックを用いる用途に応じた適切な発色が得られる。通常、カーボンブラックが黒色顔料として機能するので、樹脂組成物の硬化物の色を、黒色又はそれに近い色にすることができる。例えば、実施例に記載の方法で樹脂組成物の硬化物によって絶縁層を形成した場合に、黒色の絶縁層が得られる。具体的には、前記の絶縁層のL表色系における座標Lと、白色標準板としての酸化アルミニウム製白色板のL表色系における座標Lとの差ΔLは、好ましくは−100以上であり、好ましくは−40以下、より好ましくは−50以下、特に好ましくは−60以下である。さらに、前記の絶縁層のL表色系における座標bと、白色標準板としての酸化アルミニウム製白色板のL表色系における座標bとの差Δbは、好ましくは−20以上、より好ましくは−15以上、特に好ましくは−10以上であり、好ましくは20以下、より好ましくは15以下、特に好ましくは10以下である。 According to the above-described resin composition, since carbon black functions as a colorant, it is possible to obtain an appropriate color depending on the application using the carbon black. Usually, since carbon black functions as a black pigment, the color of the cured product of the resin composition can be black or a color close thereto. For example, when an insulating layer is formed by a cured product of the resin composition by the method described in the examples, a black insulating layer is obtained. Specifically, the coordinates L * in the L * a * b * color system of the insulating layer, and the coordinates L * in the L * a * b * color system of the aluminum oxide white plate as a white standard plate The difference ΔL * is preferably −100 or more, preferably −40 or less, more preferably −50 or less, and particularly preferably −60 or less. Furthermore, the coordinate b * in the L * a * b * color system of the insulating layer, of aluminum oxide white plate as a white standard plate L * a * b * difference Δb between the coordinate b * in the color system * Is preferably −20 or more, more preferably −15 or more, particularly preferably −10 or more, preferably 20 or less, more preferably 15 or less, and particularly preferably 10 or less.

上述した樹脂組成物は、カーボンブラックの凝集を抑制できる。従来、(B)無機充填材及び(D)高分子樹脂を含む樹脂組成物においては一般にカーボンブラックは凝集を生じ易かったので、発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の優れた特性とカーボンブラックの凝集抑制との両方を達成することは、困難であった。これに対し、上述した樹脂組成物によれば、(B)無機充填材及び(D)高分子樹脂と組み合わせた場合であっても(C)カーボンブラックの凝集の抑制が可能である。したがって、前記のように発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の特性においてバランスがとれていながら、(C)カーボンブラックの凝集による欠点の発生を抑制することができる。具体的には、樹脂組成物層を形成した場合に、最大長100μmを超える(C)カーボンブラックの凝集物の発生頻度を減らすことが可能である。   The resin composition described above can suppress the aggregation of carbon black. Conventionally, in a resin composition containing (B) an inorganic filler and (D) a polymer resin, carbon black generally tends to agglomerate, so that excellent characteristics such as color development, minimum melt viscosity, glass transition temperature, and the like are obtained. It has been difficult to achieve both the suppression of aggregation. On the other hand, according to the above-described resin composition, (C) aggregation of carbon black can be suppressed even when combined with (B) inorganic filler and (D) polymer resin. Therefore, the occurrence of defects due to the aggregation of (C) carbon black can be suppressed while the characteristics such as color development, minimum melt viscosity and glass transition temperature are balanced as described above. Specifically, when the resin composition layer is formed, it is possible to reduce the frequency of occurrence of (C) carbon black aggregates exceeding the maximum length of 100 μm.

上述した樹脂組成物の硬化物は、通常、優れた絶縁性能を有する。(B)無機充填材によって優れた絶縁性能が得られることに加え、カーボンブラックの凝集を抑制できるので、カーボンブラックの凝集物による絶縁性の低下を抑制できる。また、カーボンブラックの凝集物の発生を抑制できるので、薄い絶縁層の材料として樹脂組成物を用いることが可能である。   The cured product of the resin composition described above usually has excellent insulating performance. (B) In addition to obtaining an excellent insulating performance by the inorganic filler, it is possible to suppress the aggregation of carbon black, and thus it is possible to suppress a decrease in insulation due to the aggregate of carbon black. Moreover, since generation | occurrence | production of the aggregate of carbon black can be suppressed, it is possible to use a resin composition as a material of a thin insulating layer.

上述した樹脂組成物の硬化物は、通常、優れた封止性能を有する。(B)無機充填材によって優れた封止性能が得られることに加え、カーボンブラックの凝集を抑制できるので、カーボンブラックの凝集物を起点としたクラックの発生を抑制でき、クラックによる封止性の低下を抑制できる。   The cured product of the resin composition described above usually has excellent sealing performance. (B) In addition to obtaining excellent sealing performance by the inorganic filler, it is possible to suppress the aggregation of carbon black, so it is possible to suppress the occurrence of cracks starting from the aggregate of carbon black, and the sealing performance by cracks Reduction can be suppressed.

[13.樹脂組成物の用途]
上述した利点を活用して、前記の樹脂組成物の硬化物により、封止層及び絶縁層を形成することができる。よって、この樹脂組成物は、半導体封止用又は絶縁層用の樹脂組成物として用いることができる。
[13. Application of resin composition]
The sealing layer and the insulating layer can be formed from the cured product of the resin composition by utilizing the advantages described above. Therefore, this resin composition can be used as a resin composition for semiconductor encapsulation or insulating layer.

例えば、前記の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物(半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物)、及び、回路基板(プリント配線板を含む。)の絶縁層を形成するための樹脂組成物(回路基板の絶縁層用樹脂組成物)として、好適に使用することができる。   For example, the resin composition includes a resin composition for forming an insulating layer of a semiconductor chip package (resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package) and an insulation of a circuit board (including a printed wiring board). The resin composition for forming a layer (resin composition for an insulating layer of a circuit board) can be suitably used.

また、例えば、前記の樹脂組成物は、半導体チップを封止するための樹脂組成物(半導体チップの封止用樹脂組成物)として、好適に使用することができる。   For example, the resin composition can be suitably used as a resin composition for sealing a semiconductor chip (a resin composition for sealing a semiconductor chip).

前記の樹脂組成物の硬化物で形成された封止層又は絶縁層を適用できる半導体チップパッケージとしては、例えば、FC−CSP、MIS−BGAパッケージ、ETS−BGAパッケージ、Fan−out型WLP(Wafer Level Package)、Fan−in型WLP、Fan−out型PLP(Panel Level Package)、Fan−in型PLPが挙げられる。   As a semiconductor chip package to which a sealing layer or an insulating layer formed of a cured product of the resin composition can be applied, for example, FC-CSP, MIS-BGA package, ETS-BGA package, Fan-out type WLP (Wafer) Level-Package), Fan-in type WLP, Fan-out type PLP (Panel Level Package), and Fan-in type PLP.

また、前記の樹脂組成物は、アンダーフィル材として用いてもよく、例えば、半導体チップを基板に接続した後に用いるMUF(Molding Under Filling)の材料として用いてもよい。   The resin composition may be used as an underfill material. For example, the resin composition may be used as a MUF (Molding Under Filling) material used after a semiconductor chip is connected to a substrate.

さらに、前記の樹脂組成物は、樹脂シート、プリプレグ等のシート状積層材料、ソルダーレジスト、ダイボンディング材、穴埋め樹脂、部品埋め込み樹脂等、樹脂組成物が用いられる広範な用途に使用できる。   Furthermore, the resin composition can be used in a wide range of applications in which the resin composition is used, such as a sheet-like laminated material such as a resin sheet or prepreg, a solder resist, a die bonding material, a hole-filling resin, or a component-embedded resin.

[14.樹脂シート]
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を有する。樹脂組成物層は、本発明の樹脂組成物を含む層であり、通常は、樹脂組成物で形成されている。
[14. Resin sheet]
The resin sheet of this invention has a support body and the resin composition layer provided on this support body. A resin composition layer is a layer containing the resin composition of this invention, and is normally formed with the resin composition.

樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは200μm以下、より好ましくは150μm以下、更に好ましくは100μm以下、80μm以下、60μm以下、50μm以下、又は、40μm以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されず、例えば、1μm以上、5μm以上、10μm以上、等でありうる。   The thickness of the resin composition layer is preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, still more preferably 100 μm or less, 80 μm or less, 60 μm or less, 50 μm or less, or 40 μm or less from the viewpoint of thinning. The minimum of the thickness of a resin composition layer is not specifically limited, For example, it may be 1 micrometer or more, 5 micrometers or more, 10 micrometers or more, etc.

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。   Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート(以下「PEN」と略称することがある。)等のポリエステル;ポリカーボネート(以下「PC」と略称することがある。);ポリメチルメタクリレート(以下「PMMA」と略称することがある。)等のアクリルポリマー;環状ポリオレフィン;トリアセチルセルロース(以下「TAC」と略称することがある。);ポリエーテルサルファイド(以下「PES」と略称することがある。);ポリエーテルケトン;ポリイミド;等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。   When a film made of a plastic material is used as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”) and polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as “PEN”). Polyester) such as polycarbonate; acrylic polymer such as polymethyl methacrylate (hereinafter sometimes abbreviated as “PMMA”); cyclic polyolefin; triacetyl cellulose (hereinafter referred to as “PMMA”). May be abbreviated as “TAC”); polyether sulfide (hereinafter may be abbreviated as “PES”); polyether ketone; polyimide; Among these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられる。中でも、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属(例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等)との合金からなる箔を用いてもよい。   When metal foil is used as the support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil. Among these, copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, and a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.). It may be used.

支持体は、樹脂組成物層と接合する面に、マット処理、コロナ処理、帯電抑制処理等の処理が施されていてもよい。   The support may be subjected to a treatment such as a mat treatment, a corona treatment, a charge suppression treatment, or the like on the surface bonded to the resin composition layer.

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される1種以上の離型剤が挙げられる。離型剤の市販品としては、例えば、アルキド樹脂系離型剤としてのリンテック社製の「SK−1」、「AL−5」、「AL−7」;等が挙げられる。また、離型層付き支持体としては、例えば、東レ社製の「ルミラーT60」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。   Moreover, as a support body, you may use the support body with a release layer which has a release layer in the surface joined to a resin composition layer. Examples of the release agent used for the release layer of the support with a release layer include one or more release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins. . Examples of commercially available release agents include “SK-1”, “AL-5”, and “AL-7” manufactured by Lintec Corporation as alkyd resin release agents. Examples of the support with a release layer include “LUMIRROR T60” manufactured by Toray Industries, “Purex” manufactured by Teijin Limited, and “Unipeel” manufactured by Unitika.

支持体の厚みとしては、5μm〜75μmの範囲が好ましく、10μm〜60μmの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。   As a thickness of a support body, the range of 5 micrometers-75 micrometers is preferable, and the range of 10 micrometers-60 micrometers is more preferable. In addition, when using a support body with a release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a release layer is the said range.

樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等の塗布装置を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより、製造することができる。   The resin sheet is prepared by, for example, preparing a resin varnish in which a resin composition is dissolved in an organic solvent, applying the resin varnish on a support using a coating device such as a die coater, and drying the resin varnish. Can be produced.

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)及びシクロヘキサノン等のケトン溶剤;酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル溶剤;セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール溶剤;トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶剤;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド(DMAc)及びN−メチルピロリドン等のアミド系溶剤;等を挙げることができる。有機溶剤は、1種類単独で使用してもよく、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。   Examples of organic solvents include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), and cyclohexanone; acetate solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and carbitol acetate; cellosolve and butyl carbitol Carbitol solvents of the following: aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone; One organic solvent may be used alone, or two or more organic solvents may be used in combination.

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥は、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が、通常10質量%以下、好ましくは5質量%以下となるように行う。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば30質量%〜60質量%の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、50℃〜150℃で3分間〜10分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。   Drying may be performed by a known method such as heating or hot air blowing. Drying is performed so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is usually 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of the organic solvent, the resin composition is dried at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes. A physical layer can be formed.

樹脂シートは、必要に応じて、支持体及び樹脂組成物層以外の任意の層を含んでいてもよい。例えば、樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面(即ち、支持体とは反対側の面)には、支持体に準じた保護フィルムが設けられていてもよい。保護フィルムの厚さは、例えば、1μm〜40μmである。保護フィルムにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制できる。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって樹脂シートが使用可能となる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。   The resin sheet may contain arbitrary layers other than a support body and a resin composition layer as needed. For example, in the resin sheet, a protective film according to the support may be provided on the surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (that is, the surface opposite to the support). The thickness of the protective film is, for example, 1 μm to 40 μm. By the protective film, it is possible to suppress adhesion or scratches of dust or the like to the surface of the resin composition layer. When the resin sheet has a protective film, the resin sheet can be used by peeling off the protective film. The resin sheet can be stored in a roll.

樹脂シートは、半導体チップパッケージの製造において絶縁層を形成するため(半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シート)に好適に使用することができる。例えば、樹脂シートは、回路基板の絶縁層を形成するため(回路基板の絶縁層用樹脂シート)に好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するため(メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用)にさらに好適に使用することができる。このような基板を使ったパッケージの例としては、FC−CSP、MIS−BGAパッケージ、ETS−BGAパッケージが挙げられる。   The resin sheet can be suitably used for forming an insulating layer in the manufacture of a semiconductor chip package (resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package). For example, a resin sheet can be suitably used for forming an insulating layer of a circuit board (resin sheet for an insulating layer of a circuit board), and an interlayer insulating layer on which a conductor layer is formed by plating is formed thereon Therefore, it can be more suitably used (for an interlayer insulating layer of a circuit board on which a conductor layer is formed by plating). Examples of a package using such a substrate include FC-CSP, MIS-BGA package, and ETS-BGA package.

また、樹脂シートは、半導体チップを封止するため(半導体チップ封止用樹脂シート)、または、半導体チップに配線を形成するため(半導体チップ配線形成用樹脂シート)に好適に使用することができる。適用可能な半導体チップパッケージとしては、例えば、Fan−out型WLP(Wafer Level Package)、Fan−in型WLP、Fan−out型PLP(Panel Level Package)、Fan−in型PLP等が挙げられる。   The resin sheet can be suitably used for sealing a semiconductor chip (semiconductor chip sealing resin sheet) or for forming a wiring on a semiconductor chip (semiconductor chip wiring forming resin sheet). . Examples of applicable semiconductor chip packages include Fan-out type WLP (Wafer Level Package), Fan-in type WLP, Fan-out type PLP (Panel Level Package), Fan-in type PLP, and the like.

また、樹脂シートは、半導体チップを基板に接続した後に用いるMUFの材料に用いてもよい。   Moreover, you may use a resin sheet for the material of MUF used after connecting a semiconductor chip to a board | substrate.

さらに、樹脂シートは、高い絶縁信頼性が要求される他の広範な用途に使用できる。例えば、樹脂シートは、プリント配線板等の回路基板の絶縁層を形成するために好適に使用することができる。   Furthermore, the resin sheet can be used for a wide variety of other applications that require high insulation reliability. For example, the resin sheet can be suitably used for forming an insulating layer of a circuit board such as a printed wiring board.

[15.回路基板]
本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。この回路基板は、例えば、下記の工程(1)及び工程(2)を含む製造方法によって、製造できる。
(1)基材上に、樹脂組成物層を形成する工程。
(2)樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程。
[15. Circuit board]
The circuit board of the present invention includes an insulating layer formed of a cured product of the resin composition of the present invention. This circuit board can be manufactured, for example, by a manufacturing method including the following step (1) and step (2).
(1) The process of forming a resin composition layer on a base material.
(2) A step of thermosetting the resin composition layer to form an insulating layer.

工程(1)では、基材を用意する。基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板(ステンレスや冷間圧延鋼板(SPCC)など)、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられる。また、基材は、当該基材の一部として表面に銅箔等の金属層を有していてもよい。例えば、両方の表面に剥離可能な第一金属層及び第二金属層を有する基材を用いてもよい。このような基材を用いる場合、通常、回路配線として機能できる配線層としての導体層が、第二金属層の第一金属層とは反対側の面に形成される。このような金属層を有する基材としては、例えば、三井金属鉱業社製のキャリア銅箔付極薄銅箔「Micro Thin」)が挙げられる。   In step (1), a substrate is prepared. Examples of the substrate include glass epoxy substrates, metal substrates (stainless steel, cold rolled steel plate (SPCC), etc.), polyester substrates, polyimide substrates, BT resin substrates, thermosetting polyphenylene ether substrates, and the like. Moreover, the base material may have metal layers, such as copper foil, on the surface as a part of the said base material. For example, you may use the base material which has the 1st metal layer and the 2nd metal layer which can peel on both surfaces. When such a base material is used, a conductor layer as a wiring layer that can function as circuit wiring is usually formed on the surface of the second metal layer opposite to the first metal layer. As a base material having such a metal layer, for example, an ultrathin copper foil with a carrier copper foil “Micro Thin” manufactured by Mitsui Mining & Mining Co., Ltd.) may be mentioned.

また、基材の一方又は両方の表面には、導体層が形成されていてもよい。以下の説明では、基材と、この基材表面に形成された導体層とを含む部材を、「配線層付基材」ということがある。導体層に含まれる導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される1種以上の金属を含む材料が挙げられる。導体材料としては、単金属であってもよく、合金を用いてもよい。合金としては、例えば、上記の群から選択される2種類以上の金属の合金(例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金)が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、単金属としてのクロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅;及び、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金;が好ましい。その中でも、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属;及び、ニッケル・クロム合金;がより好ましく、銅の単金属が更に好ましい。   Moreover, the conductor layer may be formed in the surface of one or both of a base material. In the following description, a member including a base material and a conductor layer formed on the surface of the base material may be referred to as a “base material with a wiring layer”. The conductive material contained in the conductive layer is, for example, one selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin, and indium. Examples include materials containing the above metals. The conductor material may be a single metal or an alloy. Examples of the alloy include alloys of two or more kinds of metals selected from the above group (for example, nickel / chromium alloy, copper / nickel alloy, and copper / titanium alloy). Above all, from the viewpoint of versatility of conductor layer formation, cost, easiness of patterning, etc., chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper as single metal; and nickel-chromium alloy, copper -Nickel alloy, copper-titanium alloy; Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper single metal; and nickel-chromium alloy; are more preferable, and copper single metal is more preferable.

導体層は、例えば配線層として機能させるために、パターン形成されていてもよい。この際、導体層のライン(回路幅)/スペース(回路間の幅)比は、特に制限されないが、好ましくは20/20μm以下(即ちピッチが40μm以下)、より好ましくは10/10μm以下、さらに好ましくは5/5μm以下、よりさらに好ましくは1/1μm以下、特に好ましくは0.5/0.5μm以上である。ピッチは、導体層の全体にわたって同一である必要はない。導体層の最小ピッチは、例えば、40μm以下、36μm以下、又は30μm以下であってもよい。   The conductor layer may be patterned in order to function as a wiring layer, for example. At this time, the line (circuit width) / space (inter-circuit width) ratio of the conductor layer is not particularly limited, but is preferably 20/20 μm or less (that is, the pitch is 40 μm or less), more preferably 10/10 μm or less, The thickness is preferably 5/5 μm or less, more preferably 1/1 μm or less, and particularly preferably 0.5 / 0.5 μm or more. The pitch need not be the same throughout the conductor layer. The minimum pitch of the conductor layer may be, for example, 40 μm or less, 36 μm or less, or 30 μm or less.

導体層の厚みは、回路基板のデザインによるが、好ましくは3μm〜35μm、より好ましくは5μm〜30μm、さらに好ましくは10〜20μm、特に好ましくは15〜20μmである。また、絶縁層の形成後に絶縁層を研磨又は研削し、導体層を露出させて導体層の層間接続を行う場合、層間接続を行う導体層と、層間接続を行わない導体層とは、厚みが異なっていることが好ましい。各導体層のうち、最も厚い導体層(導電性ピラー)の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは2μm以上100μm以下である。導体層の厚みは、前述のパターン形成を繰り返すことで調整することができる。また、層間接続される導体層は、凸型となっていてもよい。   The thickness of the conductor layer is preferably 3 μm to 35 μm, more preferably 5 μm to 30 μm, still more preferably 10 to 20 μm, and particularly preferably 15 to 20 μm, although it depends on the design of the circuit board. In addition, when the insulating layer is polished or ground after the insulating layer is formed and the conductor layer is exposed to perform the interlayer connection of the conductor layer, the thickness of the conductor layer that performs the interlayer connection and the conductor layer that does not perform the interlayer connection has a thickness. Preferably they are different. Among the conductor layers, the thickness of the thickest conductor layer (conductive pillar) is preferably 2 μm or more and 100 μm or less, although it depends on the desired design of the wiring board. The thickness of the conductor layer can be adjusted by repeating the pattern formation described above. Moreover, the conductor layer connected between layers may be a convex type.

導体層は、例えば、基材上にドライフィルム(感光性レジストフィルム)を積層する工程、フォトマスクを用いてドライフィルムに対して所定の条件で露光及び現像を行ってパターンを形成してパターンドライフィルムを得る工程、現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法等のメッキ法によって導体層を形成する工程、及び、パターンドライフィルムを剥離する工程を含む方法によって、製造できる。ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムを用いることができ、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等の樹脂で形成されたドライフィルムを用いることができる。基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する基材と樹脂シートとの積層の条件と同様でありうる。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。必要に応じて、不要な配線パターンをエッチング等により除去してもよい。   For example, the conductive layer is a pattern dry process in which a dry film (photosensitive resist film) is laminated on a substrate, a pattern is formed by exposing and developing the dry film under predetermined conditions using a photomask. It can be manufactured by a method including a step of obtaining a film, a step of forming a conductor layer by a plating method such as an electrolytic plating method using the developed pattern dry film as a plating mask, and a step of peeling the pattern dry film. As the dry film, a photosensitive dry film made of a photoresist composition can be used. For example, a dry film formed of a resin such as a novolac resin or an acrylic resin can be used. The lamination conditions of the base material and the dry film can be the same as those of the base material and the resin sheet to be described later. Peeling of the dry film can be performed using, for example, an alkaline peeling solution such as a sodium hydroxide solution. If necessary, unnecessary wiring patterns may be removed by etching or the like.

基材を用意した後で、基材上に、樹脂組成物層を形成する。基材の表面に導体層が形成されている場合、樹脂組成物層の形成は、導体層が樹脂組成物層に埋め込まれるように行うことが好ましい。   After preparing the base material, a resin composition layer is formed on the base material. When the conductor layer is formed on the surface of the substrate, the resin composition layer is preferably formed so that the conductor layer is embedded in the resin composition layer.

樹脂組成物層の形成は、通常、樹脂シートと基材とを積層することによって行われる。この積層は、例えば、樹脂シートの保護フィルムを除去後、支持体側から樹脂シートを基材に加熱圧着することにより、基材に樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを基材に加熱圧着する部材(以下、「加熱圧着部材」ということがある。)としては、例えば、加熱された金属板(SUS鏡板等)又は金属ロール(SUSロール)等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、基材の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。   Formation of a resin composition layer is normally performed by laminating | stacking a resin sheet and a base material. This lamination can be performed, for example, by attaching the resin composition layer to the substrate by removing the protective film from the resin sheet and then heat-pressing the resin sheet to the substrate from the support side. Examples of the member that heat-presses the resin sheet to the base material (hereinafter sometimes referred to as “heat-pressing member”) include a heated metal plate (SUS end plate, etc.) or a metal roll (SUS roll). . In addition, it is preferable not to press the thermocompression bonding member directly on the resin sheet, but to press it through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the base material.

基材と樹脂シートとの積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは60℃〜160℃、より好ましくは80℃〜140℃の範囲である。加熱圧着圧力は、好ましくは0.098MPa〜1.77MPa、より好ましくは0.29MPa〜1.47MPaの範囲である。加熱圧着時間は、好ましくは20秒間〜400秒間、より好ましくは30秒間〜300秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力13hPa以下の減圧条件下で実施する。   Lamination of the base material and the resin sheet may be performed by, for example, a vacuum laminating method. In the vacuum laminating method, the thermocompression bonding temperature is preferably in the range of 60 ° C to 160 ° C, more preferably 80 ° C to 140 ° C. The thermocompression bonding pressure is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0.29 MPa to 1.47 MPa. The thermocompression bonding time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably performed under reduced pressure conditions with a pressure of 13 hPa or less.

積層の後に、常圧下(大気圧下)、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。   After lamination, the laminated resin sheets may be smoothed under normal pressure (atmospheric pressure), for example, by pressing a thermocompression bonding member from the support side. The pressing conditions for the smoothing treatment can be the same conditions as the thermocompression bonding conditions for the laminate. In addition, you may perform lamination | stacking and a smoothing process continuously using a vacuum laminator.

基材上に樹脂組成物層を形成した後、工程(2)で、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は通常120℃〜240℃の範囲(好ましくは150℃〜220℃の範囲、より好ましくは170℃〜200℃の範囲)、硬化時間は通常5分間〜120分間の範囲(好ましくは10分間〜100分間、より好ましくは15分間〜90分間)である。   After forming the resin composition layer on the substrate, in step (2), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. The thermosetting conditions of the resin composition layer vary depending on the type of the resin composition, but the curing temperature is usually in the range of 120 ° C to 240 ° C (preferably in the range of 150 ° C to 220 ° C, more preferably in the range of 170 ° C to 200 ° C. C.) and the curing time is usually in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、通常50℃以上120℃未満(好ましくは60℃以上110℃以下、より好ましくは70℃以上100℃以下)の温度にて、樹脂組成物層を、通常5分間以上(好ましくは5分間〜150分間、より好ましくは15分間〜120分間)、予備加熱してもよい。   Prior to thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer may be subjected to a preheating treatment in which the resin composition layer is heated at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer is usually at a temperature of 50 to 120 ° C. (preferably 60 to 110 ° C., more preferably 70 to 100 ° C.). May be preheated for usually 5 minutes or longer (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).

以上のようにして、絶縁層を有する回路基板を製造できる。また、回路基板の製造方法は、更に、任意の工程を含んでいてもよい。
回路基板の製造方法は、例えば、樹脂シートの支持体を剥離する工程を含んでいてもよい。支持体は、樹脂組成物層の熱硬化の前に剥離してもよく、樹脂組成物層の熱硬化の後に剥離してもよい。
As described above, a circuit board having an insulating layer can be manufactured. The circuit board manufacturing method may further include an optional step.
The method for manufacturing a circuit board may include, for example, a step of peeling the support of the resin sheet. The support may be peeled off before the thermosetting of the resin composition layer, or may be peeled off after the thermosetting of the resin composition layer.

回路基板の製造方法は、例えば、絶縁層を形成した後で、その絶縁層の表面を研磨する工程を含んでいてもよい。研磨方法は特に限定されない。例えば、平面研削盤を用いて絶縁層の表面を研磨することができる。   The method for manufacturing a circuit board may include, for example, a step of polishing the surface of the insulating layer after forming the insulating layer. The polishing method is not particularly limited. For example, the surface of the insulating layer can be polished using a surface grinder.

回路基板の製造方法は、例えば、導体層を層間接続する工程(3)を含んでいてもよい。この工程(3)では、通常、絶縁層の一側に設けらえた導体層(例えば、基材表面に形成された導体層)を、前記導体層の他側にまで導通させる。この工程(3)は、絶縁層にビアホールを形成し、さらにビアホールが形成された位置を含む絶縁層上の適切な位置に導体層を形成して、層間接続を行うことを含んでいてもよい。また、工程(3)は、絶縁層を研磨又は研削し、絶縁層の一側に形成された導体層を露出させて、層間接続を行うことを含んでいてもよい。   The circuit board manufacturing method may include, for example, a step (3) of interconnecting conductor layers. In this step (3), usually, a conductor layer provided on one side of the insulating layer (for example, a conductor layer formed on the surface of the base material) is conducted to the other side of the conductor layer. This step (3) may include forming a via hole in the insulating layer, further forming a conductor layer at an appropriate position on the insulating layer including the position where the via hole is formed, and performing interlayer connection. . Further, the step (3) may include performing interlayer connection by polishing or grinding the insulating layer to expose the conductor layer formed on one side of the insulating layer.

ビアホールを用いて層間接続を行う場合、例えば、配線層付基材上に形成された絶縁層にビアホールを形成した後、絶縁層の基材とは反対側に導体層を形成して、層間接続を行う。ビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。中でも、レーザー照射が好ましい。このレーザー照射は、炭酸ガスレーザー、YAGレーザー、エキシマレーザー等の任意の光源を用いた適切なレーザー加工機を用いて行うことができる。例えば、樹脂シートの支持体側にレーザー照射を行って、支持体及び絶縁層を貫通して、基材表面の導体層を露出させるビアホールを形成してもよい。   When performing interlayer connection using a via hole, for example, after forming a via hole in an insulating layer formed on a substrate with a wiring layer, a conductor layer is formed on the opposite side of the insulating layer from the substrate, I do. Examples of the method for forming the via hole include laser irradiation, etching, mechanical drilling, and the like. Among these, laser irradiation is preferable. This laser irradiation can be performed using an appropriate laser processing machine using an arbitrary light source such as a carbon dioxide laser, a YAG laser, or an excimer laser. For example, laser irradiation may be performed on the support side of the resin sheet to form a via hole that penetrates the support and the insulating layer and exposes the conductor layer on the substrate surface.

レーザー照射は、選択されたレーザー加工機に応じた適切な工程により実施できる。ビアホールの形状は、特に限定されないが、一般的には円形又は略円形である。ビアホールの形状とは、ビアホールの延在方向でみたときの開口の輪郭の形状をいう。   Laser irradiation can be performed by an appropriate process according to the selected laser beam machine. The shape of the via hole is not particularly limited, but is generally circular or substantially circular. The shape of the via hole refers to the shape of the outline of the opening when viewed in the extending direction of the via hole.

ビアホール形成後、ビアホール内のスミアを除去する工程を行うことが好ましい。この工程は、デスミア工程と呼ばれることがある。例えば、絶縁層上への導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、湿式のデスミア処理を行ってもよい。また、絶縁層上への導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、プラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。さらに、デスミア工程によって、絶縁層に粗化処理が施されてもよい。   After forming the via hole, it is preferable to perform a step of removing smear in the via hole. This process is sometimes called a desmear process. For example, when the conductor layer is formed on the insulating layer by a plating process, wet desmear treatment may be performed on the via hole. In addition, when the conductor layer is formed on the insulating layer by a sputtering process, a dry desmear process such as a plasma treatment process may be performed. Furthermore, a roughening process may be performed on the insulating layer by a desmear process.

また、絶縁層上に導体層を形成する前に、絶縁層に対して、粗化処理を行ってもよい。この粗化処理によれば、通常、ビアホール内を含めた絶縁層の表面が粗化される。粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。   Further, before the conductor layer is formed on the insulating layer, a roughening treatment may be performed on the insulating layer. According to this roughening treatment, the surface of the insulating layer including the inside of the via hole is generally roughened. As the roughening treatment, either dry or wet roughening treatment may be performed. Examples of the dry roughening treatment include plasma treatment. Moreover, as an example of a wet roughening process, the method of performing the swelling process by a swelling liquid, the roughening process by an oxidizing agent, and the neutralization process by a neutralization liquid in this order is mentioned.

粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さRaは、好ましくは350nm以上、より好ましくは400nm以上、さらに好ましくは450nm以上であり、好ましくは700nm以下、より好ましくは650nm以下、さらに好ましくは600nm以下である。表面粗さRaは、非接触型表面粗さ計を用いて測定できる。   The surface roughness Ra of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably 350 nm or more, more preferably 400 nm or more, further preferably 450 nm or more, preferably 700 nm or less, more preferably 650 nm or less, and further preferably 600 nm or less. It is. The surface roughness Ra can be measured using a non-contact type surface roughness meter.

ビアホールを形成後、絶縁層上に導体層を形成する。ビアホールが形成された位置に導体層を形成することで、新たに形成された導体層と基材表面の導体層とが導通して、層間接続が行われる。導体層の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成する。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。形成される導体層の材料は、単金属でもよく、合金でもよい。また、この導体層は、単層構造を有していてもよく、異なる種類の材料の層を2層以上含む複層構造を有していてもよい。   After forming the via hole, a conductor layer is formed on the insulating layer. By forming the conductor layer at the position where the via hole is formed, the newly formed conductor layer and the conductor layer on the surface of the substrate are electrically connected, and interlayer connection is performed. Examples of the method for forming the conductor layer include a plating method, a sputtering method, a vapor deposition method, and the like, and among them, the plating method is preferable. In a preferred embodiment, the surface of the insulating layer is plated by an appropriate method such as a semi-additive method or a full additive method to form a conductor layer having a desired wiring pattern. Moreover, when the support body in a resin sheet is metal foil, the conductor layer which has a desired wiring pattern can be formed by a subtractive method. The material of the conductor layer to be formed may be a single metal or an alloy. Moreover, this conductor layer may have a single layer structure, or may have a multilayer structure including two or more layers of different kinds of materials.

ここで、絶縁層上に導体層を形成する実施形態の例を、詳細に説明する。絶縁層の表面に、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応して、めっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成する。その際、電解めっき層の形成とともに、ビアホールを電解めっきにより埋め込んで、フィルドビアを形成してもよい。電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成できる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。   Here, the example of embodiment which forms a conductor layer on an insulating layer is demonstrated in detail. A plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Next, a mask pattern for exposing a part of the plating seed layer is formed on the formed plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern. An electrolytic plating layer is formed on the exposed plating seed layer by electrolytic plating. At this time, the filled via may be formed by filling the via hole by electrolytic plating together with the formation of the electrolytic plating layer. After the electrolytic plating layer is formed, the mask pattern is removed. Thereafter, an unnecessary plating seed layer can be removed by a process such as etching to form a conductor layer having a desired wiring pattern. In addition, when forming a conductor layer, the dry film used for formation of a mask pattern is the same as the said dry film.

導体層は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド(ランド)なども含み得る。また、導体層は、電極パッドのみから構成されていてもよい。   The conductor layer can include not only a linear wiring but also an electrode pad (land) on which an external terminal can be mounted, for example. Moreover, the conductor layer may be comprised only from the electrode pad.

また、導体層は、めっきシード層の形成後、マスクパターンを用いずに電解めっき層及びフィルドビアを形成し、その後、エッチングによるパターニングを行うことによって形成してもよい。   The conductor layer may be formed by forming an electrolytic plating layer and a filled via without using a mask pattern after the formation of the plating seed layer, and then performing patterning by etching.

絶縁層の研磨又は研削によって層間接続を行う場合、例えば、配線層付基材上に形成された絶縁層を研磨又は研削して、基材上に形成された導体層を、絶縁層の基材とは反対側に露出させる。絶縁層の研磨方法及び研削方法としては、基材表面の導体層を露出させることができる任意の方法を用いることができる。中でも、研磨又は研削によって、絶縁層の層平面に対して平行な研磨面又は切削面が得られる方法が好ましい。例えば、化学機械研磨装置による化学機械研磨方法、バフ等の機械研磨方法、砥石回転による平面研削方法、等が挙げられる。また、絶縁層の研磨又は研削によって層間接続を行う場合、ビアホールを用いて層間接続を行う場合と同じく、スミア除去工程、粗化処理を行う工程、絶縁層上に導体層を形成する工程を行ってもよい。また、基材表面の全ての導体層を露出させる必要はなく、その一部を露出させてもよい。   When interlayer connection is performed by polishing or grinding the insulating layer, for example, the insulating layer formed on the substrate with the wiring layer is polished or ground, and the conductor layer formed on the substrate is replaced with the insulating layer substrate. Expose to the opposite side. As the method for polishing and grinding the insulating layer, any method that can expose the conductor layer on the substrate surface can be used. Among them, a method in which a polished surface or a cut surface parallel to the layer plane of the insulating layer is obtained by polishing or grinding is preferable. Examples thereof include a chemical mechanical polishing method using a chemical mechanical polishing apparatus, a mechanical polishing method such as buffing, and a surface grinding method by rotating a grindstone. In addition, when performing interlayer connection by polishing or grinding the insulating layer, the process of removing smear, roughening, and forming a conductor layer on the insulating layer is performed in the same manner as when performing interlayer connection using via holes. May be. Moreover, it is not necessary to expose all the conductor layers on the surface of the base material, and a part thereof may be exposed.

回路基板の製造方法は、例えば、基材を除去する工程(4)を含んでいてもよい。基材を除去することにより、絶縁層と、この絶縁層に埋め込まれた導体層とを有する回路基板が得られる。この工程(4)は、例えば、剥離可能な第一金属層及び第二金属層を有する基材を用いた場合に、行うことができる。以下、好適な例を説明する。第一金属層及び第二金属層を有する基材の前記第二金属層の表面に、導体層を形成する。さらに、導体層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、第二金属層上に樹脂組成物層を形成し、熱硬化させて、絶縁層を得る。その後、必要に応じて層間接続を行った後で、基材の第二金属層以外の部分を剥離する。そして、第二金属層を、例えば塩化銅水溶液などのエッチング液でエッチングして、除去する。これにより、基材の除去が行われる。この際、必要に応じて、導体層を保護フィルムで保護した状態で、基材の除去を行ってもよい。   The circuit board manufacturing method may include, for example, a step (4) of removing the base material. By removing the base material, a circuit board having an insulating layer and a conductor layer embedded in the insulating layer can be obtained. This step (4) can be performed, for example, when a substrate having a peelable first metal layer and a second metal layer is used. A preferred example will be described below. A conductor layer is formed on the surface of the second metal layer of the substrate having the first metal layer and the second metal layer. Furthermore, a resin composition layer is formed on the second metal layer so that the conductor layer is embedded in the resin composition layer, and is thermally cured to obtain an insulating layer. Then, after performing interlayer connection as needed, parts other than the 2nd metal layer of a base material are peeled. Then, the second metal layer is removed by etching with an etchant such as an aqueous copper chloride solution. Thereby, the substrate is removed. Under the present circumstances, you may remove a base material in the state which protected the conductor layer with the protective film as needed.

他の実施形態において、回路基板は、プリプレグを用いて製造することができる。プリプレグは、例えばホットメルト法、ソルベント法等の方法により、シート状繊維基材に樹脂組成物を含浸させたものである。シート状繊維基材としては、例えば、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等が挙げられる。また、薄型化の観点から、シート状繊維基材の厚さは、好ましくは900μm以下、より好ましくは800μm以下、さらに好ましくは700μm以下、特に好ましくは600μm以下であり、また、好ましくは1μm以上、1.5μm以上、2μm以上である。このプリプレグの厚さは、上述の樹脂シートにおける樹脂組成物層と同様の範囲でありうる。このようなプリプレグを用いた回路基板の製造方法は、基本的に、樹脂シートを用いる場合と同様である。   In other embodiments, the circuit board can be manufactured using a prepreg. The prepreg is obtained by impregnating a sheet-like fiber base material with a resin composition by a method such as a hot melt method or a solvent method. Examples of the sheet-like fiber base material include glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric. From the viewpoint of thinning, the thickness of the sheet-like fiber substrate is preferably 900 μm or less, more preferably 800 μm or less, further preferably 700 μm or less, particularly preferably 600 μm or less, and preferably 1 μm or more. 1.5 μm or more and 2 μm or more. The thickness of this prepreg may be in the same range as the resin composition layer in the resin sheet described above. A method of manufacturing a circuit board using such a prepreg is basically the same as that using a resin sheet.

[16.半導体チップパッケージ]
本発明の第一実施形態に係る半導体チップパッケージは、上述した回路基板と、この回路基板に搭載された半導体チップとを含む。この半導体チップパッケージは、回路基板に半導体チップを接合することにより、製造できる。
[16. Semiconductor chip package]
A semiconductor chip package according to the first embodiment of the present invention includes the circuit board described above and a semiconductor chip mounted on the circuit board. This semiconductor chip package can be manufactured by bonding a semiconductor chip to a circuit board.

回路基板と半導体チップとの接合条件は、半導体チップの端子電極と回路基板の回路配線とが導体接続できる任意の条件を採用できる。例えば、半導体チップのフリップチップ実装において使用される条件を採用できる。また、例えば、半導体チップと回路基板との間に、絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。   As a bonding condition between the circuit board and the semiconductor chip, any condition that allows the conductor connection between the terminal electrode of the semiconductor chip and the circuit wiring of the circuit board can be adopted. For example, conditions used in flip chip mounting of a semiconductor chip can be adopted. Further, for example, the semiconductor chip and the circuit board may be bonded via an insulating adhesive.

接合方法の例としては、半導体チップを回路基板に圧着する方法が挙げられる。圧着条件としては、圧着温度は通常120℃〜240℃の範囲(好ましくは130℃〜200℃の範囲、より好ましくは140℃〜180℃の範囲)、圧着時間は通常1秒間〜60秒間の範囲(好ましくは5秒間〜30秒間)である。   As an example of the bonding method, there is a method in which a semiconductor chip is pressure-bonded to a circuit board. As the crimping conditions, the crimping temperature is usually in the range of 120 ° C to 240 ° C (preferably in the range of 130 ° C to 200 ° C, more preferably in the range of 140 ° C to 180 ° C), and the crimping time is usually in the range of 1 second to 60 seconds. (Preferably 5 to 30 seconds).

また、接合方法の他の例としては、半導体チップを回路基板にリフローして接合する方法が挙げられる。リフロー条件は、120℃〜300℃の範囲としてもよい。   Another example of the bonding method is a method in which a semiconductor chip is reflowed and bonded to a circuit board. Reflow conditions are good also as the range of 120 to 300 degreeC.

半導体チップを回路基板に接合した後、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填してもよい。このモールドアンダーフィル材として、上述した樹脂組成物を用いてもよく、また、上述した樹脂シートを用いてもよい。   After the semiconductor chip is bonded to the circuit board, the semiconductor chip may be filled with a mold underfill material. As the mold underfill material, the above-described resin composition may be used, or the above-described resin sheet may be used.

本発明の第二実施形態に係る半導体チップパッケージは、半導体チップと、この半導体チップを封止する前記樹脂組成物の硬化物とを含む。このような半導体チップパッケージでは、通常、樹脂組成物の硬化物は封止層として機能する。第二実施形態に係る半導体チップパッケージとしては、例えば、Fan−out型WLPが挙げられる。   The semiconductor chip package according to the second embodiment of the present invention includes a semiconductor chip and a cured product of the resin composition that seals the semiconductor chip. In such a semiconductor chip package, the cured product of the resin composition usually functions as a sealing layer. As a semiconductor chip package according to the second embodiment, for example, a Fan-out type WLP can be cited.

図1は、本発明の第二実施形態に係る半導体チップパッケージの一例としてのFan−out型WLPを模式的に示す断面図である。Fan−out型WLPとしての半導体チップパッケージ100は、例えば、図1に示すように、半導体チップ110;半導体チップ110の周囲を覆うように形成された封止層120;半導体チップ110の封止層120とは反対側の面に設けられた、絶縁層としての再配線形成層130;導体層としての再配線層140;ソルダーレジスト層150;及び、バンプ160を備える。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a Fan-out type WLP as an example of a semiconductor chip package according to a second embodiment of the present invention. A semiconductor chip package 100 as a fan-out type WLP includes, for example, a semiconductor chip 110; a sealing layer 120 formed so as to cover the periphery of the semiconductor chip 110; and a sealing layer of the semiconductor chip 110, as shown in FIG. A rewiring layer 130 as an insulating layer; a rewiring layer 140 as a conductor layer; a solder resist layer 150; and a bump 160 are provided on the surface opposite to 120.

このような半導体チップパッケージの製造方法は、
(A)基材に仮固定フィルムを積層する工程、
(B)半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
(C)半導体チップ上に封止層を形成する工程、
(D)基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
(E)半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、
(F)再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程、並びに、
(G)再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程、
を含む。また、前記の半導体チップパッケージの製造方法は、
(H)複数の半導体チップパッケージを、個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程
を含んでいてもよい。以下、この製造方法について詳細に説明する。
A manufacturing method of such a semiconductor chip package is as follows:
(A) Laminating a temporary fixing film on a substrate;
(B) a step of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporary fixing film;
(C) forming a sealing layer on the semiconductor chip;
(D) The process of peeling a base material and a temporary fixing film from a semiconductor chip,
(E) a step of forming a rewiring forming layer as an insulating layer on the surface of the semiconductor chip substrate and the temporarily fixed film peeled off,
(F) forming a rewiring layer as a conductor layer on the rewiring formation layer; and
(G) forming a solder resist layer on the rewiring layer;
including. Further, the manufacturing method of the semiconductor chip package is as follows.
(H) A step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and separating them into individual pieces may be included. Hereinafter, this manufacturing method will be described in detail.

(工程(A))
工程(A)は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムとの積層条件は、回路基板の製造方法における基材と樹脂シートとの積層条件と同様でありうる。
(Process (A))
Step (A) is a step of laminating a temporary fixing film on a base material. The lamination conditions of the base material and the temporary fixing film may be the same as the lamination conditions of the base material and the resin sheet in the circuit board manufacturing method.

基材としては、例えば、シリコンウェハー;ガラスウェハー;ガラス基板;銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板(SPCC)等の金属基板;FR−4基板等の、ガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板;BT樹脂等のビスマレイミドトリアジン樹脂からなる基板;などが挙げられる。   Examples of base materials include silicon wafers; glass wafers; glass substrates; metal substrates such as copper, titanium, stainless steel, cold rolled steel plate (SPCC); Examples include a substrate subjected to thermosetting treatment; a substrate made of bismaleimide triazine resin such as BT resin; and the like.

仮固定フィルムは、半導体チップから剥離でき、且つ、半導体チップを仮固定することができる任意の材料を用いうる。市販品としては、日東電工社製「リヴァアルファ」等が挙げられる。   The temporary fixing film can be made of any material that can be peeled off from the semiconductor chip and can temporarily fix the semiconductor chip. Examples of commercially available products include “Riva Alpha” manufactured by Nitto Denko Corporation.

(工程(B))
工程(B)は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、例えば、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適切に設定できる。例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に半導体チップを整列させて、仮固定してもよい。
(Process (B))
Step (B) is a step of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporary fixing film. The temporary fixing of the semiconductor chip can be performed by using a device such as a flip chip bonder or a die bonder, for example. The layout and number of semiconductor chips can be appropriately set according to the shape and size of the temporarily fixed film, the number of target semiconductor packages produced, and the like. For example, the semiconductor chips may be aligned and temporarily fixed in a matrix of a plurality of rows and a plurality of columns.

(工程(C))
工程(C)は、半導体チップ上に封止層を形成する工程である。封止層は、上述した樹脂組成物の硬化物によって形成する。封止層は、通常、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成する工程と、この樹脂組成物層を熱硬化させて封止層を形成する工程とを含む方法で形成する。
(Process (C))
Step (C) is a step of forming a sealing layer on the semiconductor chip. The sealing layer is formed by a cured product of the resin composition described above. The sealing layer is usually formed by a method including a step of forming a resin composition layer on a semiconductor chip and a step of thermosetting the resin composition layer to form a sealing layer.

半導体チップ上への樹脂組成物層の形成は、通常、上述した樹脂シートを用いて行う。具体的には、樹脂シートの樹脂組成物層と半導体チップとを積層することによって、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成する。上述した樹脂組成物は、通常は最低溶融粘度が低いので、前記の積層により、半導体チップの良好な封止が可能である。   Formation of the resin composition layer on the semiconductor chip is usually performed using the above-described resin sheet. Specifically, the resin composition layer is formed on the semiconductor chip by laminating the resin composition layer of the resin sheet and the semiconductor chip. Since the resin composition described above usually has a low minimum melt viscosity, the semiconductor chip can be satisfactorily sealed by the above lamination.

半導体チップと樹脂シートの積層は、例えば、樹脂シートの保護フィルムを除去後、支持体側から樹脂シートを半導体チップに加熱圧着することにより、半導体チップに樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを半導体チップに加熱圧着する加熱圧着部材としては、例えば、加熱された金属板(SUS鏡板等)又は金属ロール(SUSロール)等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、半導体チップの表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。   Lamination of the semiconductor chip and the resin sheet is performed by, for example, bonding the resin composition layer to the semiconductor chip by removing the protective film of the resin sheet and then heat-pressing the resin sheet to the semiconductor chip from the support side. Can do. Examples of the thermocompression bonding member for thermocompression bonding the resin sheet to the semiconductor chip include a heated metal plate (SUS mirror plate or the like), a metal roll (SUS roll), or the like. Note that it is preferable that the thermocompression-bonding member is not pressed directly on the resin sheet, but is pressed via an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the semiconductor chip.

また、半導体チップと樹脂シートの積層は、例えば、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してもよい。真空ラミネート法における積層条件は、回路基板の製造方法における基材と樹脂シートとの積層条件と同様でありうる。   Further, the lamination of the semiconductor chip and the resin sheet may be performed by, for example, a vacuum laminating method after removing the protective film of the resin sheet. The lamination conditions in the vacuum laminating method can be the same as the lamination conditions of the base material and the resin sheet in the circuit board manufacturing method.

樹脂シートの支持体は、半導体チップ上に樹脂シートを積層する前に剥離してもよく、半導体チップと樹脂シートとを積層した後且つ樹脂組成物層を熱硬化する前に剥離してもよく、半導体チップと樹脂シートとを積層し樹脂組成物層を熱硬化した後に剥離してもよい。   The support of the resin sheet may be peeled off before laminating the resin sheet on the semiconductor chip, or may be peeled off after laminating the semiconductor chip and the resin sheet and before thermosetting the resin composition layer. Alternatively, the semiconductor chip and the resin sheet may be laminated and the resin composition layer may be thermally cured and then peeled off.

また、半導体チップ上への樹脂組成物層の形成は、上述した樹脂組成物を用いて行ってもよい。具体的には、樹脂組成物を半導体チップ上に塗布することによって行ってもよい。樹脂組成物の塗布条件としては、樹脂シートの製造方法において樹脂組成物層を形成する際の塗布条件と同様でありうる。   Moreover, you may perform formation of the resin composition layer on a semiconductor chip using the resin composition mentioned above. Specifically, you may carry out by apply | coating a resin composition on a semiconductor chip. The application conditions for the resin composition may be the same as the application conditions for forming the resin composition layer in the method for producing a resin sheet.

半導体チップ上に樹脂組成物層を形成した後で、この樹脂組成物層を熱硬化させて、半導体チップを覆う封止層を得る。これにより、樹脂組成物の硬化物による半導体チップの封止が行われる。樹脂組成物層の熱硬化条件は、回路基板の製造方法における樹脂組成物層の熱硬化条件と同じ条件を採用してもよい。さらに、樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。この予備加熱処理の処理条件は、回路基板の製造方法における予備加熱処理と同じ条件を採用してもよい。   After forming the resin composition layer on the semiconductor chip, the resin composition layer is thermally cured to obtain a sealing layer that covers the semiconductor chip. Thereby, the semiconductor chip is sealed with the cured product of the resin composition. The thermosetting conditions for the resin composition layer may be the same as the thermosetting conditions for the resin composition layer in the method for manufacturing a circuit board. Furthermore, before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer may be subjected to a preheating treatment in which the resin composition layer is heated at a temperature lower than the curing temperature. The processing conditions for the preheating process may be the same as the preheating process in the circuit board manufacturing method.

(工程(D))
工程(D)は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離方法は、仮固定フィルムの材質に応じた適切な方法を採用することが望ましい。剥離方法としては、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法が挙げられる。また、剥離方法としては、例えば、基材を通して仮固定フィルムに紫外線を照射して、仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法が挙げられる。
(Process (D))
A process (D) is a process of peeling a base material and a temporary fixing film from a semiconductor chip. As the peeling method, it is desirable to adopt an appropriate method according to the material of the temporarily fixed film. As a peeling method, the method of peeling by heating, foaming, or expanding a temporarily fixed film is mentioned, for example. Moreover, as a peeling method, the method of irradiating a temporarily fixed film with an ultraviolet-ray through a base material and reducing the adhesive force of a temporarily fixed film and peeling is mentioned, for example.

仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、100℃〜250℃で1秒間〜90秒間又は5分間〜15分間である。また、紫外線を照射して仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、10mJ/cm〜1000mJ/cmである。 In the method in which the temporarily fixed film is peeled by heating, foaming or expanding, the heating condition is usually 100 ° C. to 250 ° C. for 1 second to 90 seconds or 5 minutes to 15 minutes. Further, in the method for peeling by reducing the adhesive strength of the temporary fixing film by ultraviolet irradiation, irradiation amount of ultraviolet rays is usually, 10mJ / cm 2 ~1000mJ / cm 2.

(工程(E))
工程(E)は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程である。
(Process (E))
The step (E) is a step of forming a rewiring forming layer as an insulating layer on the surface from which the base material and the temporary fixing film of the semiconductor chip are peeled off.

再配線形成層の材料は、再配線形成層の形成時に絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、この熱硬化性樹脂として、本発明の樹脂組成物を用いてもよい。   As the material of the rewiring formation layer, any material having an insulating property when the rewiring formation layer is formed can be used. Among these, a photosensitive resin and a thermosetting resin are preferable from the viewpoint of easy manufacture of the semiconductor chip package. Moreover, you may use the resin composition of this invention as this thermosetting resin.

再配線形成層を形成した後、半導体チップと再配線層とを層間接続するために、再配線形成層にビアホールを形成してもよい。   After forming the rewiring layer, via holes may be formed in the rewiring layer in order to connect the semiconductor chip and the rewiring layer.

再配線形成層の材料が感光性樹脂である場合のビアホールの形成方法では、通常、再配線形成層の表面に、マスクパターンを通して活性エネルギー線を照射して、照射部の再配線形成層を光硬化させる。活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、X線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量及び照射時間は、感光性樹脂に応じて適切に設定できる。露光方法としては、例えば、マスクパターンを再配線形成層に密着させて露光する接触露光法、マスクパターンを再配線形成層に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法、などが挙げられる。   In the method of forming a via hole when the material of the rewiring layer is a photosensitive resin, normally, the surface of the rewiring layer is irradiated with active energy rays through a mask pattern, and the rewiring layer in the irradiated portion is irradiated with light. Harden. Examples of active energy rays include ultraviolet rays, visible rays, electron beams, X-rays and the like, and ultraviolet rays are particularly preferable. The irradiation amount and irradiation time of ultraviolet rays can be appropriately set according to the photosensitive resin. As an exposure method, for example, a contact exposure method in which a mask pattern is brought into close contact with the rewiring formation layer and exposed, a non-contact exposure method in which the mask pattern is exposed using parallel rays without being brought into close contact with the rewiring formation layer, etc. Is mentioned.

再配線形成層を光硬化させた後で、再配線形成層を現像し、未露光部を除去して、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれを行ってもよい。現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。   After the rewiring formation layer is photocured, the rewiring formation layer is developed, the unexposed portion is removed, and a via hole is formed. Development may be either wet development or dry development. Examples of the developing method include a dip method, a paddle method, a spray method, a brushing method, a scraping method, and the like, and the paddle method is preferable from the viewpoint of resolution.

再配線形成層の材料が熱硬化性樹脂である場合のビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。中でも、レーザー照射が好ましい。レーザー照射は、炭酸ガスレーザー、UV−YAGレーザー、エキシマレーザー等の光源を用いる適切なレーザー加工機を用いて行うことができる。   Examples of a method for forming a via hole when the material of the rewiring forming layer is a thermosetting resin include laser irradiation, etching, and mechanical drilling. Among these, laser irradiation is preferable. Laser irradiation can be performed using an appropriate laser processing machine using a light source such as a carbon dioxide laser, a UV-YAG laser, or an excimer laser.

ビアホールの形状は、特に限定されないが、一般的には円形又は略円形とされる。ビアホールのトップ径は、好ましくは50μm以下、より好ましくは30μm以下、さらに好ましくは20μm以下であり、好ましくは3μm以上、好ましくは10μm以上、より好ましくは15μm以上である。ここで、ビアホールのトップ径とは、再配線形成層の表面でのビアホールの開口の直径をいう。   The shape of the via hole is not particularly limited, but is generally circular or substantially circular. The top diameter of the via hole is preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less, further preferably 20 μm or less, preferably 3 μm or more, preferably 10 μm or more, more preferably 15 μm or more. Here, the top diameter of the via hole means the diameter of the opening of the via hole on the surface of the rewiring formation layer.

(工程(F))
工程(F)は、再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程である。再配線形成層上に再配線層を形成する方法は、回路基板の製造方法における絶縁層上への導体層の形成方法と同様でありうる。また、工程(E)及び工程(F)を繰り返し行い、再配線層及び再配線形成層を交互に積み上げて(ビルドアップ)もよい。
(Process (F))
Step (F) is a step of forming a rewiring layer as a conductor layer on the rewiring formation layer. The method for forming the rewiring layer on the rewiring formation layer can be the same as the method for forming the conductor layer on the insulating layer in the method for manufacturing a circuit board. Alternatively, the step (E) and the step (F) may be repeated to build up the rewiring layer and the rewiring forming layer alternately (build up).

(工程(G))
工程(G)は、再配線上にソルダーレジスト層を形成する工程である。ソルダーレジスト層の材料は、ソルダーレジスト層の形成時に絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、熱硬化性樹脂として、本発明の樹脂組成物を用いてもよい。
(Process (G))
Step (G) is a step of forming a solder resist layer on the rewiring. As a material for the solder resist layer, any material having an insulating property when the solder resist layer is formed can be used. Among these, a photosensitive resin and a thermosetting resin are preferable from the viewpoint of easy manufacture of the semiconductor chip package. Moreover, you may use the resin composition of this invention as a thermosetting resin.

また、工程(G)では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなどの方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は、工程(E)と同様に行うことができる。   Further, in the step (G), a bumping process for forming bumps may be performed as necessary. The bumping process can be performed by a method such as solder ball or solder plating. In addition, the via hole can be formed in the bumping process in the same manner as in the step (E).

(工程(H))
半導体チップパッケージの製造方法は、工程(A)〜(G)以外に、工程(H)を含んでいてもよい。工程(H)は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されない。
(Process (H))
The manufacturing method of the semiconductor chip package may include a step (H) in addition to the steps (A) to (G). Step (H) is a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and dividing them into individual pieces. A method for dicing the semiconductor chip package into individual semiconductor chip packages is not particularly limited.

本発明の第三実施形態に係る半導体チップパッケージは、例えば図1に一例を示すような半導体チップパッケージ100において、再配線形成層130又はソルダーレジスト層150を、本発明の樹脂組成物の硬化物で形成した半導体チップパッケージである。   The semiconductor chip package according to the third embodiment of the present invention includes, for example, a rewiring layer 130 or a solder resist layer 150 as a cured product of the resin composition of the present invention in a semiconductor chip package 100 as shown in FIG. The semiconductor chip package formed in

[17.半導体装置]
上述した半導体チップパッケージが実装される半導体装置としては、例えば、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。
[17. Semiconductor device]
Examples of the semiconductor device on which the above-described semiconductor chip package is mounted include, for example, electrical products (for example, computers, mobile phones, smartphones, tablet devices, wearable devices, digital cameras, medical devices, and televisions) and vehicles (for example, , Various semiconductor devices used for motorcycles, automobiles, trains, ships, airplanes, and the like).

以下、本発明について、実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものでは無い。以下の説明において、量を表す「部」及び「%」は、別途明示の無い限り、それぞれ「質量部」及び「質量%」を意味する。また、以下に説明する操作は、別途明示の無い限り、常温常圧の環境で行った。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples. In the following description, “parts” and “%” representing amounts mean “parts by mass” and “% by mass”, respectively, unless otherwise specified. Further, the operations described below were performed in an environment of normal temperature and pressure unless otherwise specified.

[合成例1]
反応容器に、2官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン(日本曹達社製「G−3000」、数平均分子量=3000、ヒドロキシ基当量=1800g/eq.)69gと、芳香族炭化水素系混合溶剤(出光石油化学社製「イプゾール150」)40gと、ジブチル錫ラウレート0.005gとを入れ、混合して均一に溶解させた。均一になったところで50℃に昇温し、更に撹拌しながらイソホロンジイソシアネート(エボニックデグサジャパン社製「IPDI」、イソシアネート基当量=113g/eq.)8gを添加し、約3時間反応を行った。
[Synthesis Example 1]
In a reaction vessel, 69 g of a bifunctional hydroxy group-terminated polybutadiene (“G-3000” manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., number average molecular weight = 3000, hydroxy group equivalent = 1800 g / eq.) And an aromatic hydrocarbon mixed solvent (Idemitsu Petroleum) 40 g of “Ipsol 150” manufactured by Kagaku Co., Ltd. and 0.005 g of dibutyltin laurate were added and mixed to dissolve uniformly. When it became uniform, the temperature was raised to 50 ° C., and 8 g of isophorone diisocyanate (“IPDI” manufactured by Evonik Degussa Japan, isocyanate group equivalent = 113 g / eq.) Was added while stirring, and the reaction was carried out for about 3 hours.

次いで、得られた反応物を室温まで冷却した。冷却した反応物に、クレゾールノボラック樹脂(DIC社製「KA−1160」、水酸基当量=117g/eq.)23gと、エチルジグリコールアセテート(ダイセル社製)60gとを添加し、攪拌しながら80℃まで昇温し、約4時間反応を行った。FT−IRによって2250cm−1のNCOピークの消失の確認を行った。NCOピークの消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温した。そして、反応物を100メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有するエラストマーA(フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂:不揮発成分50質量%)を得た。エラストマーAの数平均分子量は5500、ガラス転移温度は−5℃であった。 The resulting reaction was then cooled to room temperature. To the cooled reaction product, 23 g of cresol novolak resin (“KA-1160” manufactured by DIC, hydroxyl group equivalent = 117 g / eq.) And 60 g of ethyl diglycol acetate (manufactured by Daicel) were added and stirred at 80 ° C. The reaction was continued for about 4 hours. The disappearance of the NCO peak at 2250 cm −1 was confirmed by FT-IR. The confirmation of the disappearance of the NCO peak was regarded as the end point of the reaction, and the reaction was cooled to room temperature. Then, the reaction product was filtered through a 100-mesh filter cloth to obtain an elastomer A having a butadiene structure and a phenolic hydroxyl group (phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin: nonvolatile component 50% by mass). The number average molecular weight of the elastomer A was 5500, and the glass transition temperature was −5 ° C.

[合成例2]
撹拌装置、温度計及びコンデンサーを取り付けられたフラスコに、溶剤として、エチルジグリコールアセテート368.41g及び芳香族系溶剤(エクソンモービル社製「ソルベッソ150」)368.41gを仕込んだ。さらに、前記のフラスコに、ジフェニルメタンジイソシアネート100.1g(0.4モル)と、ポリカーボネートジオール(クラレ社製「C−2015N」、数平均分子量:約2000、水酸基当量=1000g/eq.、不揮発成分:100%)400g(0.2モル)とを仕込んで、70℃で4時間反応を行った。
[Synthesis Example 2]
To a flask equipped with a stirrer, a thermometer, and a condenser, 368.41 g of ethyl diglycol acetate and 368.41 g of an aromatic solvent (“Solvesso 150” manufactured by ExxonMobil) were charged as a solvent. Furthermore, 100.1 g (0.4 mol) of diphenylmethane diisocyanate and polycarbonate diol (“C-2015N” manufactured by Kuraray Co., Ltd., number average molecular weight: about 2000, hydroxyl group equivalent = 1000 g / eq., Nonvolatile component: 100%) 400 g (0.2 mol) was charged and reacted at 70 ° C. for 4 hours.

ついで、前記のフラスコに、更にノニルフェノールノボラック樹脂(水酸基当量=229.4g/eq、平均4.27官能、平均計算分子量979.5g/モル)195.9g(0.2モル)と、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート41.0g(0.1モル)とを仕込んで、2時間かけて150℃に昇温し、12時間反応させた。FT−IRによって2250cm−1のNCOピークの消失の確認を行った。NCOピークの消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温した。そして、100メッシュの濾布で濾過して、カーボネート構造を有するエラストマーB(不揮発成分50質量%)を得た。エラストマーBの数平均分子量は6100、ガラス転移温度は5℃であった。 Next, 195.9 g (0.2 mol) of nonylphenol novolak resin (hydroxyl equivalent = 229.4 g / eq, average 4.27 functional, average calculated molecular weight 979.5 g / mol) and ethylene glycol bis Anhydrotrimellitate 41.0 g (0.1 mol) was charged, heated to 150 ° C. over 2 hours, and allowed to react for 12 hours. The disappearance of the NCO peak at 2250 cm −1 was confirmed by FT-IR. The confirmation of the disappearance of the NCO peak was regarded as the end point of the reaction, and the reaction was cooled to room temperature. And it filtered with the filter cloth of 100 meshes, and obtained the elastomer B (nonvolatile component 50 mass%) which has a carbonate structure. The number average molecular weight of the elastomer B was 6100, and the glass transition temperature was 5 ° C.

[実施例1]
25℃で、液状エポキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「ZX1059」、ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂との1:1混合品(質量比)、エポキシ当量:169g/eq.)25部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(住友化学社製「ELM−100」、エポキシ当量107g/eq.)5部、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000L」、エポキシ当量269g/eq.)20部、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー(Dow Chemical Co.製「Fortegra100」、数平均分子量6700)3部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理した球形シリカ(平均粒径0.5μm、アドマテックス社製「SO−C2」)380部、活性エステル化合物(DIC社製「HPC−8000−65T」、活性基当量約223g/eq.の不揮発成分65質量%のトルエン溶液)7.7部、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC社製「LA−7054」、水酸基当量約125g/eq.、不揮発成分60%のMEK溶液)8.3部、フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX7553BH30」、不揮発成分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液)16.6部、難燃剤(三光社製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)5部、カーボンブラックA(DBP吸収量120cm/100g、pH=6.5、平均粒径20nm)1.5部、硬化促進剤(四国化成工業社製「1B2PZ」、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール)0.3部、メチルエチルケトン25部、及び、シクロヘキサノン25部を混合し、高速回転ミキサーを用いて均一に分散させて、混合物を得た。この混合物を、カートリッジフィルター(ROKITECHNO製「SHP050」)で濾過して、樹脂ワニス1を調製した。
[Example 1]
Liquid epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., 1: 1 mixture (mass ratio) of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent: 169 g / eq.) 25 parts at 25 ° C. , 5 parts of glycidylamine type epoxy resin (“ELM-100” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 107 g / eq.), 20 parts of biphenyl type epoxy resin (“NC3000L” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., 269 g / eq. Of epoxy equivalent) , Spherical silica surface treated with 3 parts of amphiphilic polyether block copolymer (“Fortegra 100” manufactured by Dow Chemical Co., number average molecular weight 6700), phenylaminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Particle size 0.5μm, “SO-C2” manufactured by Admatechs 380 parts, active ester compound (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC, toluene solution of 65% by mass of non-volatile component having an active group equivalent of about 223 g / eq.) 7.7 parts, phenol novolac-based curing agent containing triazine skeleton ("LA-7054" manufactured by DIC, hydroxyl group equivalent of about 125 g / eq., MEK solution with 60% nonvolatile component), 8.3 parts, phenoxy resin ("YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), cyclohexanone with 30% by mass nonvolatile component: 16.6 parts of a methyl ethyl ketone (MEK) 1: 1 solution), flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd., 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphor phenanthrene-10-oxide, average particle diameter 2 [mu] m) 5 parts carbon black A (DBP absorption 120 cm 3/10 0 g, pH = 6.5, average particle size 20 nm) 1.5 parts, curing accelerator (“1B2PZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 1-benzyl-2-phenylimidazole) 0.3 part, methyl ethyl ketone 25 parts, and Then, 25 parts of cyclohexanone was mixed and dispersed uniformly using a high-speed rotary mixer to obtain a mixture. The mixture was filtered through a cartridge filter (“SHP050” manufactured by ROKITECHNO) to prepare resin varnish 1.

なお、前記の両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー(Dow Chemical Co.製「Fortegra100」)は、25℃程度の室温で液状の樹脂であり、したがって、そのガラス転移温度は30℃以下である。   The amphiphilic polyether block copolymer (“Fortegra 100” manufactured by Dow Chemical Co.) is a liquid resin at room temperature of about 25 ° C., and therefore its glass transition temperature is 30 ° C. or less.

[実施例2]
カーボンブラックAの量を、1.5部から1.0部に変更した。以上の事項以外は、実施例1と同じ操作を行って、樹脂ワニス2を調製した。
[Example 2]
The amount of carbon black A was changed from 1.5 parts to 1.0 part. A resin varnish 2 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

[実施例3]
25℃で、液状エポキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「ZX1059」、ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂との1:1混合品(質量比)、エポキシ当量:169g/eq)10部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(住友化学社製「ELM−100」、エポキシ当量107g/eq.)5部、ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP4032SS」、エポキシ当量151g/eq.)7部、合成例1で調製したエラストマーA(不揮発成分50質量%)を16部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理した球形シリカ(平均粒径0.5μm、アドマテックス社製「SO−C2」)310部、活性エステル化合物(DIC社製「HPC−8000−65T」、活性基当量約223g/eq.、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)7.7部、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC製「LA−7054」、水酸基当量約125g/eq.、不揮発成分60%のMEK溶液)25部、カーボンブラックA(DBP吸収量120cm/100g、pH=6.5、平均粒径20nm)4部、硬化促進剤(四国化成工業社製「1B2PZ」、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール)0.5部、及び、メチルエチルケトン20部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散させて、混合物を得た。この混合物を、カートリッジフィルター(ROKITECHNO製「SHP050」)で濾過して、樹脂ワニス3を調製した。
[Example 3]
At 25 ° C., 10 parts of a liquid epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., 1: 1 mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq), 5 parts of glycidylamine type epoxy resin (“ELM-100” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 107 g / eq.), 7 parts of naphthalene type epoxy resin (“HP4032SS” manufactured by DIC, 151 g / eq. Of epoxy equivalent), synthesis example 16 parts of elastomer A (non-volatile component 50% by mass) prepared in 1 and spherical silica (average particle size 0.5 μm, Admatechs) surface-treated with a phenylaminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) "SO-C2") 310 parts, active ester compound (DIC Corporation "HPC-8000-6" T ”, active group equivalent of about 223 g / eq., 7.7 parts of toluene solution of 65% by mass of non-volatile components, triazine skeleton-containing phenol novolac-based curing agent (“ LA-7054 ”manufactured by DIC, hydroxyl group equivalent of about 125 g / eq. , 60% MEK solution) 25 parts of non-volatile components, carbon black a (DBP absorption 120cm 3 /100g,pH=6.5, average particle size 20 nm) 4 parts, the curing accelerator (Shikoku Chemicals Corporation, "1B2PZ" , 1-benzyl-2-phenylimidazole) and 20 parts of methyl ethyl ketone were mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to obtain a mixture. This mixture was filtered through a cartridge filter (“SHP050” manufactured by ROKITECHNO) to prepare a resin varnish 3.

[実施例4]
カーボンブラックAの量を、4部から2部に変更した。また、メチルエチルケトンの量を、20部から25部に変更した。以上の事項以外は、実施例3と同じ操作を行って、樹脂ワニス4を調製した。
[Example 4]
The amount of carbon black A was changed from 4 parts to 2 parts. The amount of methyl ethyl ketone was changed from 20 parts to 25 parts. A resin varnish 4 was prepared in the same manner as in Example 3 except for the above items.

[実施例5]
カーボンブラックA 1.5部の代わりに、カーボンブラックB(DBP吸収量70cm/100g、pH=3.5、平均粒径20nm)4部を用いた。以上の事項以外は、実施例1と同じ操作を行って、樹脂ワニス5を調製した。
[Example 5]
Instead of carbon black A 1.5 parts of carbon black B were used (DBP absorption 70cm 3 /100g,pH=3.5, average particle size 20 nm) 4 parts. A resin varnish 5 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

[実施例6]
カーボンブラックA 4部の代わりに、カーボンブラックB(DBP吸収量70cm/100g、pH=3.5、平均粒径20nm)2.5部を用いた。また、メチルエチルケトンの量を、20部から25部に変更した。以上の事項以外は、実施例3と同じ操作を行って、樹脂ワニス6を調製した。
[Example 6]
Instead of carbon black A 4 parts of carbon black B were used (DBP absorption 70cm 3 /100g,pH=3.5, average particle diameter 20 nm) 2.5 parts. The amount of methyl ethyl ketone was changed from 20 parts to 25 parts. A resin varnish 6 was prepared in the same manner as in Example 3 except for the above items.

[実施例7]
合成例1で調製したエラストマーA(不揮発成分50質量%)16部の代わりに、合成例2で調製したエラストマーB(不揮発分50質量%)16部を用いた。また、カーボンブラックAの量を、4部から2部に変更した。さらに、メチルエチルケトンの量を、20部から25部に変更した。以上の事項以外は、実施例3と同じ操作を行って、樹脂ワニス7を調製した。
[Example 7]
Instead of 16 parts of elastomer A (non-volatile component 50% by mass) prepared in Synthesis Example 1, 16 parts of elastomer B (non-volatile content 50% by mass) prepared in Synthesis Example 2 was used. Also, the amount of carbon black A was changed from 4 parts to 2 parts. Further, the amount of methyl ethyl ketone was changed from 20 parts to 25 parts. A resin varnish 7 was prepared in the same manner as in Example 3 except for the above items.

[実施例8]
液状エポキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「ZX1059」)の量を、25部から22部に変更した。また、カーボンブラックA 1.5部の代わりに、カーボンブラックB(DBP吸収量70cm/100g、pH=3.5、平均粒径20nm)4部を用いた。さらに、樹脂ワニスの材料として、更にゴム弾性エポキシ樹脂(三菱化学社製「YX7400」、エポキシ当量410g/eq.)3部を添加した。以上の事項以外は、実施例1と同じ操作を行って、樹脂ワニス8を調製した。
[Example 8]
The amount of liquid epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.) was changed from 25 parts to 22 parts. In place of the carbon black A 1.5 parts of carbon black B were used (DBP absorption 70cm 3 /100g,pH=3.5, average particle size 20 nm) 4 parts. Furthermore, 3 parts of a rubber elastic epoxy resin (“YX7400” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 410 g / eq.) Was further added as a material for the resin varnish. Except for the above, the same operation as in Example 1 was performed to prepare a resin varnish 8.

[比較例1]
活性エステル化合物(DIC社製「HPC−8000−65T」)を使用しなかった。また、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC社製「LA−7054」、不揮発分60%)の量を、8.3部から16.6部に変更した。さらに、カーボンブラックA 1.5部の代わりに、カーボンブラックC(DBP吸収量140cm/100g、pH=8、平均粒径20nm)1.5部を用いた。以上の事項以外は、実施例1と同じ操作を行って、樹脂ワニス9を調製した。
[Comparative Example 1]
An active ester compound (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC) was not used. In addition, the amount of triazine skeleton-containing phenol novolac curing agent (“LA-7054” manufactured by DIC, non-volatile content 60%) was changed from 8.3 parts to 16.6 parts. Further, instead of the carbon black A 1.5 parts were used carbon black C a (DBP absorption 140cm 3 / 100g, pH = 8 , average particle size 20 nm) 1.5 parts. Except for the above, the same operation as in Example 1 was performed to prepare a resin varnish 9.

[比較例2]
活性エステル化合物(DIC社製「HPC−8000−65T」)を使用しなかった。また、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC社製「LA−7054」、不揮発分60%)の量を、25部から33.3部に変更した。さらに、カーボンブラックA 4部の代わりに、カーボンブラックC(DBP吸収量140cm/100g、pH=8、平均粒径20nm)4部を用いた。また、メチルエチルケトンの量を、20部から25部に変更した。以上の事項以外は、実施例3と同じ操作を行って、樹脂ワニス10を調製した。
[Comparative Example 2]
An active ester compound (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC) was not used. The amount of the triazine skeleton-containing phenol novolac curing agent (“LA-7054” manufactured by DIC, non-volatile content 60%) was changed from 25 parts to 33.3 parts. Further, instead of the carbon black A 4 parts, was used carbon black C a (DBP absorption 140cm 3 / 100g, pH = 8 , average particle size 20 nm) 4 parts. The amount of methyl ethyl ketone was changed from 20 parts to 25 parts. A resin varnish 10 was prepared in the same manner as in Example 3 except for the above items.

[比較例3]
活性エステル化合物(DIC社製「HPC−8000−65T)を使用しなかった。また、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC社製「LA−7054」、不揮発分60%)の量を、8.3部から16.6部に変更した。さらに、カーボンブラックA 1.5部の代わりに、カーボンブラックC(DBP吸収量140cm/100g、pH=8、平均粒径20nm)0.6部を用いた。また、硬化促進剤(四国化成工業社製「1B2PZ」)の量を、0.3部から0.7部に変更した。以上の事項以外は、実施例1と同じ操作を行って、樹脂ワニス11を調製した。
[Comparative Example 3]
The active ester compound (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC) was not used. Changed from 3 parts to 16.6 parts. Further, instead of the carbon black A 1.5 parts were used carbon black C a (DBP absorption 140cm 3 / 100g, pH = 8 , average particle size 20 nm) 0.6 parts. Further, the amount of the curing accelerator (“1B2PZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) was changed from 0.3 part to 0.7 part. A resin varnish 11 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

[比較例4]
活性エステル化合物(DIC社製「HPC−8000−65T」)を使用しなかった。また、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC社製「LA−7054」、不揮発分60%)の量を、25部から33.3部に変更した。さらに、カーボンブラックA 4部の代わりに、カーボンブラックC(DBP吸収量140cm/100g、pH=8、平均粒径20nm)1.3部を用いた。また、メチルエチルケトンの量を、20部から25部に変更した。以上の事項以外は、実施例3と同じ操作を行って、樹脂ワニス12を調製した。
[Comparative Example 4]
An active ester compound (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC) was not used. The amount of the triazine skeleton-containing phenol novolac curing agent (“LA-7054” manufactured by DIC, non-volatile content 60%) was changed from 25 parts to 33.3 parts. Further, instead of the carbon black A 4 parts, was used carbon black C a (DBP absorption 140cm 3 / 100g, pH = 8 , average particle size 20 nm) 1.3 parts. The amount of methyl ethyl ketone was changed from 20 parts to 25 parts. A resin varnish 12 was prepared in the same manner as in Example 3 except for the above items.

[比較例5]
カーボンブラックA 1.5部の代わりに、カーボンブラックC(DBP吸収量140cm/100g、pH=8、平均粒径20nm)1.5部を用いた。以上の事項以外は、実施例1と同じ操作を行って、樹脂ワニス13を調製した。
[Comparative Example 5]
Instead of carbon black A 1.5 parts were used carbon black C a (DBP absorption 140cm 3 / 100g, pH = 8 , average particle size 20 nm) 1.5 parts. Except for the above, the same operation as in Example 1 was performed to prepare a resin varnish 13.

[樹脂組成物層のカーボンブラック欠点の評価]
表面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム(リンテック社製「PET501010」、厚さ50μm)を、支持体として用意した。この支持体の離型面に、実施例及び比較例で調製した樹脂ワニスを、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが50μmとなるように均一に塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で5分間乾燥させて、幅30cm、長さ30cmの樹脂シートを得た。
[Evaluation of carbon black defects in resin composition layer]
A polyethylene terephthalate film (“PET501010” manufactured by Lintec Corporation, thickness 50 μm) having a release treatment on the surface was prepared as a support. The resin varnishes prepared in Examples and Comparative Examples were uniformly applied to the release surface of this support so that the thickness of the resin composition layer after drying was 50 μm, and 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C. ) For 5 minutes to obtain a resin sheet having a width of 30 cm and a length of 30 cm.

光源を当てながら、デジタルマイクロスコープ(キーエンス社製「VH−Z20R」)を用いて、樹脂シートを支持体側から観察して、カーボンブラックの凝集物の有無を調べた。凝集物の最大長が100μmを超える凝集物がある場合を「×」と判定し、ない場合を「○」と判定した。   While applying a light source, the resin sheet was observed from the support side using a digital microscope (“VH-Z20R” manufactured by Keyence Corporation) to examine the presence or absence of carbon black aggregates. The case where there was an aggregate having a maximum aggregate length exceeding 100 μm was determined as “x”, and the case where there was no aggregate was determined as “◯”.

[絶縁層のΔL*及びΔb*の測定]
表面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム(リンテック社製「PET501010」、厚さ50μm)を、支持体として用意した。この支持体の離型面に、実施例及び比較例で調製した樹脂ワニスを、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが100μmとなるように均一に塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で5分間乾燥させて、樹脂シートを得た。
[Measurement of ΔL * and Δb * of insulating layer]
A polyethylene terephthalate film (“PET501010” manufactured by Lintec Corporation, thickness 50 μm) having a release treatment on the surface was prepared as a support. The resin varnishes prepared in Examples and Comparative Examples were uniformly applied to the release surface of this support so that the thickness of the resin composition layer after drying was 100 μm, and 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C. ) For 5 minutes to obtain a resin sheet.

この樹脂シートと銅張積層板とを、バッチ式真空加圧ラミネーター(名機社製「MVLP−500」)を用いて、樹脂シートの樹脂組成物層が銅張積層板の両面に接するように、ラミネートした。ラミネートは、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とし、その後、30秒間、100℃、圧力0.74MPaで圧着させることにより、行った。ラミネートの後、支持体を除去した。その後、100℃で30分、その後180℃で30分の硬化条件で加熱して、樹脂組成物層を硬化させて、絶縁層を形成した。   Using the batch-type vacuum pressure laminator (“MVLP-500” manufactured by Meiki Co., Ltd.), the resin composition layer of the resin sheet is brought into contact with both surfaces of the copper-clad laminate. Laminated. Lamination was performed by reducing the pressure for 30 seconds to a pressure of 13 hPa or less, and then pressure bonding at 100 ° C. and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. After lamination, the support was removed. Thereafter, the resin composition layer was cured by heating at 100 ° C. for 30 minutes and then at 180 ° C. for 30 minutes to form an insulating layer.

得られた絶縁層のL表色系における座標L及びbと、白色標準板のL表色系における座標L及びbとの差ΔL及びΔbを、色差計(コニカミノルタジャパン社製「CR−10」)を用いて、測定した。白色標準板としては、酸化アルミニウム製白色板を用いた。 Between the obtained insulating layer L * a * b * coordinates in color system L * and b *, the difference [Delta] L * and the coordinates L * and b * in the L * a * b * color system of the white standard plate Δb * was measured using a color difference meter (“CR-10” manufactured by Konica Minolta Japan). An aluminum oxide white plate was used as the white standard plate.

[樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度の測定]
表面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム(リンテック社製「PET501010」、厚さ50μm)を、支持体として用意した。この支持体の離型面に、実施例及び比較例で調製した樹脂ワニスを、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが100μmとなるように均一に塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で5分間乾燥させて、樹脂シートを得た。
[Measurement of glass transition temperature of cured product of resin composition]
A polyethylene terephthalate film (“PET501010” manufactured by Lintec Corporation, thickness 50 μm) having a release treatment on the surface was prepared as a support. The resin varnishes prepared in Examples and Comparative Examples were uniformly applied to the release surface of this support so that the thickness of the resin composition layer after drying was 100 μm, and 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C. ) For 5 minutes to obtain a resin sheet.

樹脂シートを180℃で90分間オーブンで加熱して、樹脂組成物層を熱硬化させて、樹脂組成物の硬化物層を得た。硬化物層から支持体を剥がし、硬化物層を切断して、幅約5mm、長さ約15mmの試験片を得た。この試験片について、熱機器分析装置(リガク社製「Thermo Plus TMA8310」)を使用して、引張加重法にて熱機械分析を行った。詳細には、試験片を前記熱機械分析装置に装着した後、荷重1g、昇温速度5℃/分の測定条件にて連続して2回測定を行った。そして、2回目の測定において、ガラス転移温度Tg(℃)を算出した。   The resin sheet was heated in an oven at 180 ° C. for 90 minutes to thermally cure the resin composition layer, thereby obtaining a cured product layer of the resin composition. The support was peeled from the cured product layer, and the cured product layer was cut to obtain a test piece having a width of about 5 mm and a length of about 15 mm. About this test piece, the thermomechanical analysis was performed with the tension | pulling load method using the thermo equipment analyzer ("Thermo Plus TMA8310" by Rigaku). Specifically, after the test piece was mounted on the thermomechanical analyzer, the measurement was continuously performed twice under the measurement conditions of a load of 1 g and a heating rate of 5 ° C./min. In the second measurement, the glass transition temperature Tg (° C.) was calculated.

[樹脂組成物の最低溶融粘度の測定]
表面に離型処理を施されたポリエチレンテレフタレートフィルム(リンテック社製「PET501010」、厚さ50μm)を、支持体として用意した。この支持体の離型面に、実施例及び比較例で調製した樹脂ワニスを、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが100μmとなるように均一に塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で5分間乾燥させて、樹脂シートを得た。
[Measurement of minimum melt viscosity of resin composition]
A polyethylene terephthalate film (“PET501010” manufactured by Lintec Corporation, thickness 50 μm) having a release treatment on the surface was prepared as a support. The resin varnishes prepared in Examples and Comparative Examples were uniformly applied to the release surface of this support so that the thickness of the resin composition layer after drying was 100 μm, and 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C. ) For 5 minutes to obtain a resin sheet.

支持体を剥離した後、樹脂組成物層を金型で圧縮することにより、測定用ペレット(直径18mm、1.2g〜1.3g)を作製した。その後、この測定用ペレットについて、動的粘弾性測定装置(ユー・ビー・エム社製「Rheosol−G3000」)を用いて、最低溶融粘度の測定を行った。具体的には、測定用ペレット1gについて、直径18mmのパラレルプレートを使用して、開始温度60℃から200℃までの温度範囲で昇温して動的粘弾性率を測定し、最低溶融粘度(poise)を算出した。測定条件は、昇温速度5℃/分、測定温度間隔2.5℃、振動数1Hz、ひずみ1degとした。   After peeling the support, the resin composition layer was compressed with a mold to prepare measurement pellets (diameter 18 mm, 1.2 g to 1.3 g). Then, about this pellet for a measurement, the minimum melt viscosity was measured using the dynamic viscoelasticity measuring apparatus ("Rhesol-G3000" by BM company). Specifically, for 1 g of measurement pellets, using a parallel plate with a diameter of 18 mm, the dynamic viscoelastic modulus was measured by raising the temperature in a temperature range from 60 ° C. to 200 ° C., and the minimum melt viscosity ( (poise) was calculated. The measurement conditions were a temperature increase rate of 5 ° C./min, a measurement temperature interval of 2.5 ° C., a frequency of 1 Hz, and a strain of 1 deg.

[結果]
上述した実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。下記の表において、各成分の量は、不揮発成分の質量部を表す。また、下記の表において、略称の意味は、下記の通りである。
ZX1059:液状エポキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「ZX1059」、ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂との1:1混合品(質量比)、エポキシ当量:169g/eq.)。
ELM−100:グリシジルアミン型エポキシ樹脂(住友化学社製「ELM−100」、エポキシ当量107g/eq.)。
HP4032SS:ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP4032SS」、エポキシ当量151g/eq.)。
YX7400:ゴム弾性エポキシ樹脂(三菱化学社製「YX7400」、エポキシ当量410g/eq.)。
NC3000L:ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000L」、エポキシ当量269g/eq.)。
SO−C2:フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理した球形シリカ(平均粒径0.5μm、アドマテックス社製「SO−C2」)。
CB−A:カーボンブラックA(DBP吸収量120cm/100g、pH=6.5、平均粒径20nm)。
CB−B:カーボンブラックB(DBP吸収量70cm/100g、pH=3.5、平均粒径20nm)。
CB−C:カーボンブラックC(DBP吸収量140cm/100g、pH=8、平均粒径20nm)。
エラストマーA:合成例1で製造したブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有するエラストマー(不揮発分50質量%、数平均分子量5500、ガラス転移温度−5℃)。
エラストマーB:合成例2で製造したカーボネート構造を有するエラストマー(不揮発分50質量%、数平均分子量6100、ガラス転移温度5℃)。
fortegra100:20℃で液状の両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー(Dow Chemical Co.製「Fortegra100」、数平均分子量6700)。
HPC−8000:活性エステル化合物(DIC社製「HPC−8000−65T」、活性基当量約223g/eq.の不揮発分65質量%のトルエン溶液)。
LA−7054:トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC社製「LA−7054」、水酸基当量約125g/eq.、不揮発分60%のメチルエチルケトン溶液)。
1B2PZ:硬化促進剤(四国化成工業社製「1B2PZ」、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール)。
YX7553BH30:フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX7553BH30」、不揮発分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液)。
HCA−HQ:難燃剤(三光社製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)。
CB欠点:カーボンブラック欠点。
[result]
The results of the above-described examples and comparative examples are shown in the following table. In the following table, the amount of each component represents parts by mass of the non-volatile component. In the table below, the meanings of the abbreviations are as follows.
ZX1059: Liquid epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., 1: 1 mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq.).
ELM-100: Glycidylamine type epoxy resin (“ELM-100” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent of 107 g / eq.).
HP4032SS: Naphthalene type epoxy resin (“HP4032SS” manufactured by DIC, epoxy equivalent 151 g / eq.).
YX7400: Rubber elastic epoxy resin (“YX7400” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 410 g / eq.).
NC3000L: biphenyl type epoxy resin (“NC3000L” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent: 269 g / eq.).
SO-C2: Spherical silica surface treated with a phenylaminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (average particle size 0.5 μm, “SO-C2” manufactured by Admatechs).
CB-A: Carbon black A (DBP absorption 120cm 3 /100g,pH=6.5, average particle size 20 nm).
CB-B: Carbon black B (DBP absorption 70cm 3 /100g,pH=3.5, average particle size 20 nm).
CB-C: Carbon Black C (DBP absorption 140cm 3 / 100g, pH = 8 , average particle size 20 nm).
Elastomer A: Elastomer having a butadiene structure and a phenolic hydroxyl group produced in Synthesis Example 1 (nonvolatile content 50 mass%, number average molecular weight 5500, glass transition temperature −5 ° C.).
Elastomer B: Elastomer having a carbonate structure produced in Synthesis Example 2 (non-volatile content 50 mass%, number average molecular weight 6100, glass transition temperature 5 ° C.).
fortegra 100: Amphiphilic polyether block copolymer that is liquid at 20 ° C. (“Fortegra 100” manufactured by Dow Chemical Co., number average molecular weight 6700).
HPC-8000: Active ester compound (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC, toluene solution with a non-volatile content of 65% by mass with an active group equivalent of about 223 g / eq.).
LA-7054: Triazine skeleton-containing phenol novolac curing agent (“LA-7054” manufactured by DIC, hydroxyl equivalent of about 125 g / eq., Methyl ethyl ketone solution having a nonvolatile content of 60%).
1B2PZ: curing accelerator (“1B2PZ”, 1-benzyl-2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.).
YX7553BH30: Phenoxy resin (“YX7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, 1: 1 solution of cyclohexanone: methyl ethyl ketone (MEK) having a nonvolatile content of 30% by mass).
HCA-HQ: flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd., 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle diameter 2 μm).
CB defect: Carbon black defect.

Figure 2019019231
Figure 2019019231

Figure 2019019231
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[検討]
表1及び表2から分かるように、所定の範囲のDBP吸収量を有する(C)カーボンブラックを用いた実施例では、(C)カーボンブラック以外のカーボンブラックを用いた比較例と同程度又はより優れた発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度を得ることができ、更にはカーボンブラックの凝集による欠点の発生を抑制できた。この結果から、本発明により、発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の特性においてバランスがとれていながら、カーボンブラックの凝集を抑制できる樹脂組成物を実現できることが確認された。
[Consideration]
As can be seen from Tables 1 and 2, in the examples using (C) carbon black having a DBP absorption amount within a predetermined range, (C) comparable to or more than the comparative examples using carbon black other than carbon black. Excellent color development, minimum melt viscosity and glass transition temperature can be obtained, and furthermore, the occurrence of defects due to carbon black aggregation can be suppressed. From this result, it was confirmed that the present invention can realize a resin composition capable of suppressing the aggregation of carbon black while being balanced in characteristics such as color development, minimum melt viscosity and glass transition temperature.

また、本発明者らは、上述した実施例1〜8の実験を、カーボンブラックの凝集物が生じるまで繰り返し行った。その結果、カーボンブラックAを用いた実施例1〜4及び7よりも、カーボンブラックBを用いた実施例5、6及び8の方が、カーボンブラックの凝集物が生じるまでに行う実験回数が多かった。この結果は、カーボンブラックAを用いるよりも、カーボンブラックBを用いる方が、カーボンブラックの凝集を効果的に抑制して、凝集物の発生頻度をより低くできることを表す。   In addition, the present inventors repeated the above-described experiments of Examples 1 to 8 until carbon black aggregates were generated. As a result, in Examples 5, 6 and 8 using carbon black B, the number of experiments to be performed before carbon black aggregates was larger than in Examples 1 to 4 and 7 using carbon black A. It was. This result indicates that the use of carbon black B more effectively suppresses the aggregation of carbon black and the frequency of occurrence of aggregates can be lowered than the use of carbon black A.

100 半導体チップパッケージ
110 半導体チップ
120 封止層
130 再配線形成層
140 再配線層
150 ソルダーレジスト層
160 バンプ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Semiconductor chip package 110 Semiconductor chip 120 Sealing layer 130 Rewiring formation layer 140 Rewiring layer 150 Solder resist layer 160 Bump

Claims (17)

(A)エポキシ樹脂、(B)無機充填材、(C)DBP吸収量が130cm/100g以下であるカーボンブラック、及び、(D)ガラス転移温度が30℃以下の高分子樹脂を含む、樹脂組成物。 (A) an epoxy resin, (B) a mineral filler comprises (C) DBP absorption amount is less 130 cm 3/100 g carbon black, and, (D) a glass transition temperature of 30 ° C. or less of the polymer resin, the resin Composition. (B)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、30質量%以上95質量%以下である、請求項1に記載の樹脂組成物。   (B) The resin composition of Claim 1 whose quantity of a component is 30 to 95 mass% with respect to 100 mass% of non-volatile components in a resin composition. (B)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、75質量%以上95質量%以下である、請求項1又は2に記載の樹脂組成物。   (B) The resin composition of Claim 1 or 2 whose quantity of a component is 75 to 95 mass% with respect to 100 mass% of non-volatile components in a resin composition. (A)成分が、(A−1)窒素含有エポキシ樹脂又は縮合環構造を有するエポキシ樹脂を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the component (A) comprises (A-1) a nitrogen-containing epoxy resin or an epoxy resin having a condensed ring structure. (D)成分が、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、ポリカーボネート構造、及びポリアクリル構造からなる群より選択される1種類以上の構造を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。   The component (D) is selected from the group consisting of a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, a polycarbonate structure, and a polyacrylic structure in the molecule. The resin composition of any one of Claims 1-4 which has the above structure. (D)成分が、(A)成分と反応できる官能基を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。   (D) The resin composition of any one of Claims 1-5 in which a component has a functional group which can react with (A) component. (D)成分が、ヒドロキシル基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群より選択される1種類以上の官能基を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の樹脂組成物。   The component (D) has one or more types of functional groups selected from the group consisting of a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, and a urethane group. 2. The resin composition according to item 1. (D)成分の数平均分子量が、4000以上100000以下である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の樹脂組成物。   (D) The resin composition of any one of Claims 1-7 whose number average molecular weights of a component are 4000-100000. (D)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、0.2質量%以上20質量%以下である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の樹脂組成物。   (D) The resin composition of any one of Claims 1-8 whose quantity of a component is 0.2 mass% or more and 20 mass% or less with respect to 100 mass% of non-volatile components in a resin composition. object. (C)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、0.1質量%以上3質量%以下である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の樹脂組成物。   (C) The resin composition of any one of Claims 1-9 whose quantity of a component is 0.1 to 3 mass% with respect to 100 mass% of non-volatile components in a resin composition. object. 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to claim 1, which is a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package. 半導体封止用の樹脂組成物である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の樹脂組成物。   The resin composition as described in any one of Claims 1-11 which is a resin composition for semiconductor sealing. 支持体と、該支持体上に設けられた請求項1〜12のいずれか1項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。   The resin sheet which has a support body and the resin composition layer containing the resin composition of any one of Claims 1-12 provided on this support body. 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、請求項13に記載の樹脂シート。   The resin sheet according to claim 13, which is a resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package. 請求項1〜12のいずれか1項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。   The circuit board containing the insulating layer formed with the hardened | cured material of the resin composition of any one of Claims 1-12. 請求項15に記載の回路基板と、該回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。   A semiconductor chip package comprising the circuit board according to claim 15 and a semiconductor chip mounted on the circuit board. 半導体チップと、前記半導体チップを封止する請求項1〜12のいずれか1項に記載の樹脂組成物の硬化物とを含む、半導体チップパッケージ。   The semiconductor chip package containing a semiconductor chip and the hardened | cured material of the resin composition of any one of Claims 1-12 which seals the said semiconductor chip.
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