JP2019009361A - セラミック電子部品及びその実装構造 - Google Patents

Abstract

【課題】実装基板が反っていても、段差により接続箇所が一平面状になくても、溶接実装可能な金属端子付きのセラミック電子部品及びその実装構造を提供する。
【解決手段】リード線から構成される第１の金属端子１４０ａ及び第２の金属端子１４０ｂの一部とが外装樹脂材１７０により覆われている。第１の金属端子は、第１の端子接合部と、該接合部に接続され、実装面の方向に延びる第１の延長部１４４と、該延長部に接続され、電子部品本体側とは反対側に延びる第１の実装部１４６と、を有する。第２の金属端子は、第２の端子接合部と、実装面の方向に延びる第２の延長部１５４と、該延長部に接続され、電子部品本体側とは反対側に延びる第２の実装部１５６と、を有する。第１の実装部及び第２実装部には、それぞれ実装面側に突出する第１の凸部１４６ａ及び第２の凸部１５６ａが設けられ、外装樹脂材には、実装面側に突出する突起部が配置される。
【選択図】図１

Description

本発明は、たとえば、積層セラミックコンデンサ等を含むセラミック電子部品及びその実装構造に関する。

従来から、抵抗、コンデンサ、圧電部品、半導体装置などの電子部品において、たとえば、特許文献１のように電子部品素子（電子部品本体）を熱硬化型の外装樹脂により被覆し、電気絶縁性を確保するとともに、電子部品素子を応力、湿度、熱などの外部環境から保護することが行われている。

また、特許文献１に記載されるような電子部品を実装基板に実装する際に、はんだ以外の方法で、実装点に接続端子を実装する手段として、溶接（例えば、溶接時間を短縮できる工法として、レーザー溶接）が知られている（特許文献２参照）。

特開昭６２−８４９２１号公報 特開平１１−１９１４７２号公報

しかしながら、近年、車載市場を中心に、より高温環境下電子部品素子を外装樹脂で被覆した電子部品が使用されるようになってきている。このようなより高温になる温度環境下で、特許文献１のようなエポキシ樹脂により電子部品本体を被覆した電子部品を使用した場合、実装基板上の接合はんだの溶融による部品の脱落や、溶融しない温度でも長期間高温に晒されることによってはんだが脆弱化し、はんだクラックの形成による等価直列抵抗（ＥＳＲ）の増加や固着強度の低下といった問題が生じる恐れがある。これを回避する手段として、一般的に、より融点が高温のはんだを用いる方法が考えられるけれども、価格や実装性や上記課題に対する性能から、満足するはんだが無いのが現状である。

また、特許文献２のような一般的な溶接実装技術では、接続対象の金属を溶接される箇所に押さえつけ、確実に面接触させた状態で通電させることによって、金属を溶かして接続する必要がある。仮に、この技術を特許文献１のような金属端子付きの電子部品に適用する場合、実装される金属端子部材の接続端子部材を確実に実装基板の実装面に面接触させて行う必要があるため、接続に時間がかかるという問題があった。

また、特許文献２のように、レーザー溶接の場合においても、特許文献１にあるような金属端子付きの電子部品に適用する場合、実装される金属端子部材の接続端子部材を確実に実装基板の実装面に面接触していることが必須条件となる。このとき、実装基板の反りや電子部品のコプラナリティー（部品の平坦度（金属端子の場合、左右の金属端子の実装面のズレ））の問題で、溶接しようとする箇所が確実に接触している状況を達成することは困難で、それが溶接不良の原因となることが考えられる。

また、金属光沢をもった金属端子部材はレーザーエネルギーを反射してしまい、効率的な溶接ができないという問題も考えられる。
なお、別の方法で電子部品を押さえつけながらレーザー溶接する方法も考えられるが、非接触で得られるレーザー溶接のスピードが活かすことができなくなってしまう。

それゆえに、本発明の主たる目的は、金属端子付きのセラミック電子部品において、実装基板が反っていても、段差により接続箇所が一平面状になくても、また電子部品側のコプラナリティーが低くても、確実に溶接実装可能なセラミック電子部品及びその実装構造を提供することである。

本発明に係るセラミック電子部品は、互いに対向する第１の主面および第２の主面を有する素体と、素体上に配置される第１の外部電極と、素体上に配置される第２の外部電極と、を備える電子部品本体と、第１の外部電極に接続され、リード線から構成される第１の金属端子と、第２の外部電極に接続され、リード線から構成される第２の金属端子と、電子部品本体と第１および第２の外部電極と、第１および第２の金属端子の一部を覆う外装樹脂材とを有するセラミック電子部品であって、素体の第２の主面が、セラミック電子部品を実装するべき実装基板の実装面の側に位置し、第１の金属端子は、第１の外部電極に接続される第１の端子接合部と、第１の端子接合部に接続され、電子部品本体と実装基板の実装面との間に隙間ができるように延長される第１の延長部と、第１の延長部に接続され、電子部品本体側とは反対側に延びる第１の実装部と、を有し、第２の金属端子は、第２の外部電極に接続される第２の端子接合部と、第２の端子接合部に接続され、電子部品本体と実装基板の実装面との間に隙間ができるように延長される第２の延長部と、第２の延長部に接続され、電子部品本体側とは反対側に延びる第２の実装部と、を有し、外装樹脂材は、実装基板の実装面の側に突出する突起部が設けられ、第１の実装部は、実装基板の実装面の側に突出する第１の凸状屈曲部が設けられ、第２の実装部は、実装基板の実装面の側に突出する第２の凸状屈曲部が設けられ、第１の凸状屈曲部、第２の凸状屈曲部および突起部の頂点が、それぞれ実装基板の実装面に接触するように配置されている、セラミック電子部品である。

本発明に係るセラミック電子部品は、第１の凸状屈曲部および第２の凸状屈曲部の高さが、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であることが好ましい。

また、本発明に係るセラミック電子部品は、第１の金属端子および第２の金属端子の表面が、黒色塗装もしくは酸化処理されていることが好ましい。

本発明に係るセラミック電子部品の実装構造は、互いに対向する第１の主面および第２の主面を有する素体と、素体上に配置される第１の外部電極と、素体上に配置される第２の外部電極と、を備える電子部品本体と、第１の外部電極に接続され、リード線から構成される第１の金属端子と、第２の外部電極に接続され、リード線から構成される第２の金属端子と、電子部品本体と第１および第２の外部電極と、第１および第２の金属端子の一部を覆う外装樹脂材とを有するセラミック電子部品であって、素体の第２の主面が、セラミック電子部品を実装するべき実装基板の実装面の側に位置し、第１の金属端子は、第１の外部電極に接続される第１の端子接合部と、第１の端子接合部に接続され、電子部品本体と実装基板の実装面との間に隙間ができるように延長される第１の延長部と、第１の延長部に接続され、電子部品本体側とは反対側に延びる第１の実装部と、を有し、第２の金属端子は、第２の外部電極に接続される第２の端子接合部と、第２の端子接合部に接続され、電子部品本体と実装基板の実装面との間に隙間ができるように延長される第２の延長部と、第２の延長部に接続され、電子部品本体側とは反対側に延びる第２の実装部と、を有し、外装樹脂材は、実装基板の実装面の側に突出する突起部が設けられ、第１の実装部は、実装基板の実装面の側に突出する第１の凸状屈曲部が設けられ、第２の実装部は、実装基板の実装面の側に突出する第２の凸状屈曲部が設けられ、第１の凸状屈曲部および第２の凸状屈曲部の頂点が、それぞれ実装基板の実装面に接合されている、セラミック電子部品の実装構造であって、第１の凸状屈曲部の位置における実装基板の実装面とは反対側の第１の凹状屈曲部から、実装基板の実装面に溶接接合され、第２の凸状屈曲部の位置における実装基板の実装面とは反対側の第２の凹状屈曲部から、実装基板の実装面に溶接接合されている、セラミック電子部品の実装構造である。

また、本発明に係るセラミック電子部品の実装構造は、溶接接合が、第１の凹状屈曲部および第２の凹状屈曲部に対して、それぞれレーザーを照射することによって、レーザー溶接接合されていることが好ましい。

この発明によれば、金属端子付きのセラミック電子部品において、実装基板が反っていても、段差により接続箇所が一平面状になくても、また電子部品側のコプラナリティーが低くても、確実に溶接実装可能なセラミック電子部品及びその実装構造が得られる。

本発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。 この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の一例を示す側面図である。 この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の一例を示す正面図である。 この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品を示す図２のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。 この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品を示す図３のＶ−Ｖ線における断面図である。 この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図であり、（ａ）は第１の金属端子であり、（ｂ）は第２の金属端子である。 この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の実装構造の状態を示す概略構成図である。 この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の金属端子の第１の変形例を示す外観斜視図であり、（ａ）は第１の金属端子であり、（ｂ）は第２の金属端子である。 この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の金属端子の第２の変形例を示す外観斜視図であり、（ａ）は第１の金属端子であり、（ｂ）は第２の金属端子である。 この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。 この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の一例を示す側面図である。 この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の一例を示す正面図である。 この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品を示す図１０のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における断面図である。 この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品を示す図１のＸＩＶ−ＸＩＶ線における断面図である。 この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図であり、（ａ）は第１の金属端子であり、（ｂ）は第２の金属端子である。 この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の実装構造の状態を示す概略構成図である。 この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の金属端子の第１の変形例を示す外観斜視図であり、（ａ）は第１の金属端子であり、（ｂ）は第２の金属端子である。 この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の金属端子の第２の変形例を示す外観斜視図であり、（ａ）は第１の金属端子であり、（ｂ）は第２の金属端子である。

（第１の実施の形態）
１．セラミック電子部品
この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品について説明する。図１は、この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。図２は、この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の一例を示す側面図である。図３は、この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の一例を示す正面図である。図４は、この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品を示す図１のＩＶ−ＩＶ線における断面図であり、図５は、この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品を示す図１のＶ−Ｖ線における断面図である。図６は、この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図であり、（ａ）は第１の金属端子であり、（ｂ）は第２の金属端子である。図７は、この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の実装構造の状態を示す概略構成図である。

この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品１００は、たとえば、電子部品本体１１２と、２つの金属端子からなる第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂとにより構成される。電子部品本体１１２と第１の金属端子１４０ａとは、第１の接合材１６０ａを介して接続される。電子部品本体１１２と第２の金属端子１４０ｂとは、第２の接合材１６０ｂを介して接続される。また、セラミック電子部品１００は、電子部品本体１１２と、第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂの少なくとも一部とを覆う外装樹脂材１７０を含む。

（１）素体
電子部品本体１１２は、素体１１４を含む。素体１１４は、単板のセラミック板からなり、円板型（ディスク型）に形成される。素体１１４は、相対する第１の主面１１４ａおよび第２の主面１１４ｂと、第１の主面１１４ａおよび第２の主面１１４ｂを結ぶ側面１４ｃとを有する。

セラミック板の材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ＣａＺｒＯ₃等の主成分からなる誘電体セラミックを用いることができる。また、これらの主成分に、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物等の副成分を添加したものを用いてもよい。その他、ＰＺＴ系セラミックなどの圧電体セラミック、スピネル系セラミックなどの半導体セラミックなどを用いることもできる。
素体１４は、誘電体セラミックを用いるので、コンデンサとして機能するが、圧電体セラミックを用いた場合は圧電部品として機能し、半導体セラミックを用いた場合はサーミスタとして機能する。

素体１１４の外径寸法は、特に限定されないが、素体１１４の直径は３．０ｍｍ以上６．０ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、電子部品本体１２の小型化が可能となる。

素体１１４の厚みは、特に限定されないが、０．８ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、電子部品本体１１２の低背化が可能となる。

（２）外部電極
素体１１４の第１の主面１１４ａおよび第２の主面１１４ｂには外部電極１３０が配置される。外部電極１３０は、第１の外部電極１３０ａおよび第２の外部電極１３０ｂを有する。
第１の外部電極１３０ａは、素体１１４の第１の主面１１４ａの表面に配置される。また、第２の外部電極１３０ｂは、素体１１４の第２の主面１１４ｂの表面に配置される。

第１の外部電極１３０ａは、図５に示すように、素体１１４側から順に、第１の下地電極層１３２ａと第１の下地電極層１３２ａの表面に配置された第１のめっき層１３４ａとを有する。同様に、第２の外部電極１３０ｂは、素体１１４側から順に、第２の下地電極層１３２ｂと第２の下地電極層１３２ｂの表面に配置された第２のめっき層１３４ｂとを有する。

第１の下地電極層１３２ａは、素体１１４の第１の主面１１４ａの表面に配置される。
また、第２の下地電極層１３２ｂは、素体１１４の第２の主面１１４ｂの表面に配置される。

第１の下地電極層１３２ａおよび第２の下地電極層１３２ｂ（以下、単に下地電極層ともいう）は、それぞれ、焼付け層や薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含むが、ここでは焼付け層で形成された第１の下地電極層１３２ａおよび第２の下地電極層１３２ｂについて説明する。
焼付け層は、ガラスと金属とを含む。焼付け層の金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、焼付け層のガラスとしては、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを素体１１４に塗布して焼き付けたものであり、セラミック板と同時に焼成したものでもよく、セラミック板を焼成した後に焼き付けたものでもよい。焼付け層のうちの最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

焼付け層の表面に、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含む樹脂層が形成されてもよい。なお、樹脂層は、焼付け層を形成せずに素体１１４上に直接形成してもよい。また、樹脂層は、複数層であってもよい。樹脂層のうちの最も厚い部分の厚みは、２０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
また、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。

第１のめっき層１３４ａは、第１の下地電極層１３２ａを覆うようにその表面に配置される。同様に、第２のめっき層１３４ｂは、第２の下地電極層１３２ｂを覆うようにその表面に配置される。

また、第１のめっき層１３４ａおよび第２のめっき層１３４ｂ（以下、単にめっき層ともいう）としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金が用いられる。
めっき層は、複数層によって形成されてもよい。この場合、めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造であることが好ましい。Ｎｉめっき層が、下地電極層の表面を覆うように設けられることで、下地電極層が第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂを接合する際のはんだによって侵食されることを防止するために用いられる。また、Ｎｉめっき層の表面に、Ｓｎめっき層を設けることにより、積層セラミックコンデンサを実装する際に、実装に用いられるはんだの濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。

めっき層一層あたりの厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。また、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。さらに、めっき層は、単位体積あたりの金属割合が９９体積％以上であることが好ましい。

次に、第１の下地電極層１３２ａおよび第２の下地電極層１３２ｂがめっき電極からなる場合について説明する。第１の下地電極層１３２ａは、めっき層から構成され、素体１１４の第１の主面１１４ａの表面に直接に配置される。
また、第２の下地電極層１３２ｂは、めっき層から構成され、素体１１４の第２の主面１１４ｂの表面に直接に配置される。
ただし、第１の下地電極層１３２ａおよび第２の下地電極層１３２ｂがめっき層から構成されるためには、前処理として素体１１４上に触媒が設けられる。

めっき層からなる第１の下地電極層１３２ａは、第１のめっき層１３４ａにて覆うことが好ましい。同様に、めっき層からなる第２の下地電極層１３２ｂは、第２のめっき層１３４ｂにて覆うことが好ましい。

第１の下地電極層１３２ａおよび第２の下地電極層１３２ｂ、並びに、第１のめっき層１３４ａおよび第２のめっき層１３４ｂは、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｚｎから選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金のめっきを含むことが好ましい。

第１のめっき層１３４ａおよび第２のめっき層１３４ｂは必要に応じて形成されるものであり、第１の外部電極１３０ａは第１の下地電極層１３２ａのみから構成され、第２の外部電極１３０ｂは第２の下地電極層１３２ｂのみから構成されたものであってもよい。また、第１のめっき層１３４ａおよび第２のめっき層１３４ｂを、第１の外部電極１３０ａおよび第２の外部電極１３０ｂの最外層として設けてもよく、第１のめっき層１３４ａまたは第２のめっき層１３４ｂ上に他のめっき層を設けてもよい。

めっき層一層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。また、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。さらに、めっき層は、単位体積あたりの金属割合が９９体積％以上であることが好ましい。めっき層からなる第１の下地電極層１３２ａおよび第２の下地電極層１３２ｂ、並びに、第１のめっき層１３４ａおよび第２のめっき層１３４ｂは、厚み方向に沿って粒成長したものであり、柱状である。

また、めっき層は、第１の下地電極層１３２ａおよび第２の下地電極層１３２ｂを設けずに素体１１４の表面に直接配置されていてもよい。素体１１４の表面に直接配置される場合、めっき層は、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉおよびＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金を含むことが好ましい。

（３）金属端子
金属端子は、第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂを含む。
第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂは、セラミック電子部品１００を、実装基板に実装するために設けられる。

第１の金属端子１４０ａは、電子部品本体１１２の第１の外部電極１３０ａに第１の接合材１６０ａを介して接続される。
第２の金属端子１４０ｂは、電子部品本体１１２の第２の外部電極１３０ｂに第２の接合材１６０ｂを介して接続される。

第１の金属端子１４０ａは、たとえば、横断面の形状が円形の１つのリード線により形成されている。第１の金属端子１４０ａは、第１の外部電極１３０ａに接続される第１の端子接合部１４２と、第１の端子接合部１４２に接続され、セラミック電子部品１００の第２の主面１１４ｂと実装基板の実装面との間に隙間ができるように実装面の方向に延びる第１の延長部１４４と、第１の延長部１４４に接続され、電子部品本体１１２側とは反対側に延びる第１の実装部１４６と、を有している。

第２の金属端子１４０ｂは、たとえば、横断面の形状が円形の１つのリード線により形成されている。第２の金属端子１４０ｂは、第２の外部電極１３０ｂに接続される第２の端子接合部１５２と、第２の端子接合部１５２に接続され、セラミック電子部品１００の第２の主面１１４ｂと実装基板の実装面との間に隙間ができるように実装面の方向に延びる第２の延長部１５４と、第２の延長部１５４に接続され、電子部品本体１１２側とは反対側に延びる第２の実装部１５６と、を有している。

第１の金属端子１４０ａの第１の端子接合部１４２は、電子部品本体１１２の第１の主面１１４ａに設けられた第１の外部電極１３０ａに、たとえば第１の接合材１６０ａを介して接続される部分である。

第２の金属端子１４０ｂの第２の端子接合部１５２は、電子部品本体１１２の第２の主面１１４ｂに設けられた第２の外部電極１３０ｂに、たとえば第２の接合材１６０ｂを介して接続される部分である。

第１の金属端子１４０ａの第１の延長部１４４は、第１の端子接合部１４２から延び、電子部品本体１１２の第２の主面１１４ｂと実装基板の実装面との間に隙間ができるように実装面の方向にその中間部で屈曲され、延びる。第１の金属端子１４０ａの第２の延長部１４６は、第２の端子接合部１５２から延び、電子部品本体１１２の第２の主面１１４ｂと実装基板の実装面との間に隙間ができるように実装面の方向にその中間部で屈曲され、延びる。

第１の金属端子１４０ａの第１の延長部１４４および第２の金属端子１４０ｂの第２の延長部１５４は、電子部品本体１１２を、セラミック電子部品１００を実装する実装基板から浮かせるためのものである。これにより、実装基板とセラミック電子部品１００との熱膨張係数差によって生じる応力や、実装基板の撓みによって生じる応力や、電圧が加わることでセラミック層に生じる機械的歪み等を、第１の延長部１４４および第２の延長部１５４の弾性変形によって吸収することができる。

第１の金属端子１４０ａの第１の実装部１４６は、第１の延長部１４４に接続され、電子部品本体１１２側とは反対側に延びる。第２の金属端子１４０ｂの第２の実装部１５６は、第２の延長部１５４に接続され、電子部品本体１１２側とは反対側に延びる。

なお、第１の実装部１４６および第２の実装部１５６は、本実施の形態の場合、電子部品本体１１２側とは反対側に延びているけれども、逆に、電子部品本体１１２側に延びていてもよい。ただし、電子部品本体１１２側とは反対側に延びている場合は、これにより、実装基板への溶接実装を容易に行うことができるため好ましい。

さらに、第１の延長部１４４と第１の実装部１４６とが略直角に交わる境界部、そして第２の延長部１５４と第２の実装部１５６とが略直角に交わる境界部は丸みが付けられていてもよい。

第１の実装部１４６の形状は平面視が略矩形状であり、その中央部は、金属端子の延びる方向に対して直交する方向に平行に折り曲げられ、実装基板の実装面の側に突出する直線状の第１の凸状屈曲部１４６ａが設けられる。第１の凸状屈曲部１４６ａにおける実装基板の実装面側とは反対側の凹部は、金属端子の延びる方向に対して直交する方向に平行な直線状の第１の凹状屈曲部１４６ｂとされる。

第２の実装部１５６の形状は平面視が略矩形状であり、その中央部は、金属端子の延びる方向に対して直交する方向に平行に折り曲げられ、実装基板の実装面の側に突出する直線状の第２の凸状屈曲部１５６ａが設けられる。第２の凸状屈曲部１５６ａにおける実装基板の実装面側とは反対側の凹部は、金属端子の延びる方向に対して直交する方向に平行な直線状の第２の凹状屈曲部１５６ｂとされる。

第１の凸状屈曲部１４６ａおよび第２の凸状屈曲部１５６ａの実装基板の実装面の側に突出する頂点は、それぞれ実装基板の実装面に接触するように配置される。

また、第１の金属端子１４０ａの第１の実装部１４６と第２の金属端子１４０ｂの第２の実装部１５６とは、実装基板との接触面積が小さくなるため、第１の凸状屈曲部１４６ａにおける実装基板の実装面とは反対側の第１の凹状屈曲部１４６ｂ、および、第２の凸状屈曲部１５６ａにおける実装基板の実装面とは反対側の第２の凹状屈曲部１５６ｂに対してレーザー照射するだけで溶接することが可能になるため、溶接時間も短くすることができる。

第１の凸状屈曲部１４６ａおよび第２の凸状屈曲部１５６ａは角張っていても良いし、丸みをおびていてもよい。なお、第１の金属端子１４０ａの第１の実装部１４６を形成する際には、第１の金属端子１４０ａを構成するリード線の一端部を少し押し潰して形成する。第２の金属端子１４０ｂの第２の実装部１５６を形成する際には、第２の金属端子１４０ｂを構成するリード線の一端部を少し押し潰して形成する。

本発明に係るセラミック電子部品１００は、第１の凸状屈曲部１４６ａおよび第２の凸状屈曲部１５６ａのそれぞれの高さｈは、第１の実装部１４６および第２の実装部１５６の底面から、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、第１の実装部１４６および第２の実装部１５６が基板と接触している箇所に確実にレーザーエネルギーを与えることができ、本発明の効果をより効果的にすることができる。
また、第１の凸状屈曲部１４６ａおよび第２の凸状屈曲部１５６ａのそれぞれの幅は、１．６ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、第１の実装部１４６および第２の実装部１５６が基板と接触している箇所に確実にレーザーエネルギーを与えることができ、本発明の効果をより効果的にすることができる。

また、第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂの表面は、黒色塗装や酸化処理されていることが好ましい。これにより、レーザーエネルギーの吸収効率を高めることができ、レーザー溶接を短時間で容易に行うことができる。

第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂは、端子本体と端子本体の表面に形成されるめっき膜とを有する。

端子本体は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、端子本体は、ＮｉまたはＦｅ、Ｃｕ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。具体的には、たとえば、端子本体の母材の金属をＦｅ−４２Ｎｉ合金やＦｅ−１８Ｃｒ合金やＣｕ−８Ｓｎ合金とすることができる。第１の金属端子（リード線）１４０ａおよび第２の金属端子（リード線）１４０ｂの直径は、約０．４ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であることが好ましい。第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂの直径が０．８ｍｍを超えると、スルーホール基板実装や溶接実装に対する適合性に乏しくなる可能性があり、また０．４ｍｍ未満になると、製品加工時や実装時、および実負荷時にリード線が破断する可能性があるためである。

めっき膜は、例えば、下層めっき膜と上層めっき膜とを有する。
下層めっき膜は、端子本体の表面に形成されており、上層めっき膜は、下層めっき膜の表面に形成されている。なお、下層めっき膜および上層めっき膜のそれぞれは、複数のめっき層により構成されていてもよい。

さらに、めっき膜は、少なくとも第１の金属端子１４０ａの第１の延長部１４４および第１の実装部１４６の周囲面１４９、並びに、第２の金属端子１４０ｂの第２の延長部１５４および第２の実装部１５６の周囲面１５１においては形成されていなくてもよい。これにより、セラミック電子部品１００を実装基板にはんだを用いて実装する際に、はんだの第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂへの濡れ上がりを抑制することができる。そのため、電子部品本体１１２と第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂとの間（浮き部分）にはんだが濡れ上がることを抑制することができるため、浮き部分にはんだが充填されることを防止することができる。よって、浮き部分の空間を十分に確保することができる。従って、第１の金属端子１４０ａの第１の延長部１４４および、第２の金属端子１４０ｂの第２の延長部１５４が弾性変形し易くなるため、交流電圧が加わることでセラミック板に生じる機械的歪みをより吸収することができる。なお、第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂの全周囲面においてめっき膜が形成されていなくても良い。

第１の金属端子１４０ａの第１の延長部１４４および第１の実装部１４６、並びに、第２の金属端子１４０ｂの第２の延長部１５４および第２の実装部１５６、または、第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂの全周囲面のめっき膜を除去する場合、機械による除去（切削、研磨）方法、または、レーザートリミングによる除去方法、または、めっき剥離剤（たとえば水酸化ナトリウム）による除去方法、または、第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂのめっき膜形成前に、レジスト膜でめっきを形成しない部分を覆い、第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂにめっき膜を形成した後にレジスト膜を除去する方法が考えられる。

下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。下層めっき膜を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、外部電極１３０の耐熱性を向上させることができる。下層めっき膜の厚みは０．２μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。

上層めっき膜は、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、上層めっき膜は、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金からなる。上層めっき膜をＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金により形成することにより、第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂと外部電極１３０とのはんだ付き性を向上させることができる。上層めっき膜の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。

また、端子本体及び下層めっき膜のそれぞれを、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、外部電極２４の耐熱性を向上させることができる。

（４）外装樹脂材
外装樹脂材１７０は、素体１１４、第１の外部電極１３０ａ、第２の外部電極１３０ｂ、第１の金属端子１４０ａの一部、第２の金属端子１４０ｂの一部、第１の外部電極１３０ａと第１の金属端子１４０ａの第１の接合部１６０ａ、第２の外部電極１３０ｂと第２の金属端子１４０ｂの第２の接合部１６０ｂを覆うように配置されている。

外装樹脂材１７０は、素体１１４の第１の主面１１４ａおよび第２の主面１１４ｂに相対する第１の主面１７０ａおよび第２の主面１７０ｂを有する。

外装樹脂材１７０の第１の主面１７０ａおよび第２の主面１７０ｂは平面状に構成されていることが好ましい。

外装樹脂材１７０の材料は、たとえば、液状や粉状のシリコーン系やエポキシ系などの樹脂を塗装して形成されている。また、外装樹脂材１７０の材料は、エンジニアリングプラスチックをインジェクションモールド法やトランスファーモールド法等によりモールドしてもよい。特に、外装樹脂材１７０の材料は、熱硬化型エポキシ樹脂からなることが好ましい。これにより、外装樹脂材１７０と素体１１４または第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂとの密着性を確保し、耐電圧および耐湿性能の向上効果を得ることができる。

外装樹脂材１７０の実装面側（第２の主面１７０ｂ側）の表面には、実装面側に突出する突起部１７２が配置されている。突起部１７２は、第１の金属端子１４０ａの第１の凸部１４６ａと第２の金属端子１４０ｂの第２の凸部１５６ａとともに、それぞれの頂点が実装基板の実装面に接触するように配置されている。本発明では、このような構成とすることで、実装基板の実装面に３箇所で、線分の短い線接触する構成とすることができる。これにより、実装基板が反っていても、段差により接続箇所が一平面状になくても、確実に３箇所で接触する状態を実現することができ、確実に溶接実装を行うことが可能となる。

また、第１の金属端子１４０ａの第１の実装部１４６と第２の金属端子１４０ｂの第２の実装部１５６とは、実装基板との接触面積が小さくなるため、第１の凸部１４６ａにおける実装基板の実装面とは反対側の第１の凹部１４６ｂ、および、第２の凸部１５６ａにおける実装基板の実装面とは反対側の第２の凹部１５６ｂに対してレーザー照射するだけで溶接することが可能になるため、溶接時間も短くすることができる。

突起部１７２の高さは、特に限定されないが、第１の金属端子１４０ａの第１の凸部１４６ａと第２の金属端子１４０ｂの第２の凸部１５６ａとともに、それぞれの頂点が実装基板の実装面に接触するように高さが調整される。

突起部１７２を設ける位置は、第１の凸部１４６ａ、第２の凸部１５６ａおよび突起部１７２が、一直線上に位置しないように配置される。そして、突起部１７２は、金属端子が延びる方向に対して、第１の金属端子１４０ａの第１の凸部１４６ａと第２の金属端子１４０ｂの第２の凸部１５６ａが設けられている側とは反対側の外装樹脂材１７０の実装面側（第２の主面１７０ｂ側）の表面に設けられる。また、特に、突起部１７２は、外装樹脂材１７０の実装面側（第２の主面１７０ｂ側）の表面の端部に設けられていることが好ましい。これにより、より安定して３点支持で、第１の凸部１４６ａ、第２の凸部１５６ａおよび突起部１７２を実装基板の実装面に接触させることができる。
（５）接合材

第１の接合材１６０ａは、第１の外部電極１３０ａと第１の金属端子１４０ａの第１の端子接合部１４２とを接合するために用いられる。第１の接合材１６０ａは、第１の金属端子１４０ａの第１の端子接合部１４２と、第１の端子接合部１４２に対向する第１の外部電極１３０ａ（第１の主面１１４ａ上の第１の外部電極１３０ａ）との間に存在する。

第２の接合材１６０ｂは、第２の外部電極１３０ｂと第２の金属端子１４０ｂの第２の端子接合部１５２とを接合するために用いられる。第２の接合材１６０ｂは、第２の金属端子１４０ｂの第２の端子接合部１５２と、第２の端子接合部１５２に対向する第２の外部電極１３０ｂ（第２の主面１１４ｂ上の第２の外部電極１３０ｂ）との間に存在する。

第１の接合材１６０ａおよび第２の接合材１６０ｂは、たとえば、はんだや導電性接着剤などを用いることができる。
はんだを用いる場合、例えば、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｂｉ系などのＬＦはんだを用いることが好ましい。Ｓｎ−Ｓｂ系はんだの場合は、Ｓｂの含有率が約５％以上１５％以下であることが好ましい。
導電性接着剤を用いる場合、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂にＡｇなどからなる金属フィラーが添加された接合剤を用いることが好ましい。

セラミック電子部品１００の金属端子の延びる方向の寸法をＬ寸法とし、セラミック電子部品１００の第１の主面１７０ａと第２の主面１７０ｂとを結ぶ方向の寸法をＴ寸法とし、セラミック電子部品１００の金属端子の延びる方向に直交する方向の寸法をＷ寸法とする。
積層セラミック電子部品１００の寸法は、金属端子の延びる方向のＬ寸法が４ｍｍ以上１０ｍｍ以下、金属端子の延びる方向に直交する方向のＷ寸法が５ｍｍ以上１２ｍｍ以下、第１の主面１７０ａと第２の主面１７０ｂとを結ぶ方向のＴ寸法が２ｍｍ以上４ｍｍ以下である。

次に、本発明にかかるセラミック電子部品１００の実装構造について説明する。

図７に示すように、実装基板１８０にセラミック電子部品１００を実装する。具体的には、セラミック電子部品１００は、実装基板１８０の実装面上に載置され、第１の金属端子１４０ａの第１の実装部１４６の第１の凸状屈曲部１４６ａおよび第２の金属端子１４０ｂの第２の実装部１５６の第２の凸状屈曲部１５６ａにおいて、実装基板１８０と溶接接合されている。

溶接接合は、レーザーＬによる溶接により接合されていることが好ましい。すなわち、第１の凸状屈曲部１４６ａの位置における実装基板１８０の実装面とは反対側の第１の凹状屈曲部１４６ｂ、および、第２の凸状屈曲部１５６ａの位置における実装基板１８０の実装面とは反対側の第２の凹状屈曲部１５６ｂに対してレーザーＬを照射して溶接実装が行われる。

この第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品１００によれば、折り曲げによって第１の実装部１４６の第１の凸状屈曲部１４６ａおよび第２の実装部１５６の第２の凸状屈曲部１５６ａが形成され、第１の凸状屈曲部１４６ａ、第２の凸状屈曲部１５６ａおよび突起部１７２により、実装基板１８０の実装面に３箇所で、線分の短い線接触する構成とすることができる。これにより、実装基板１８０が反っていても、段差により接続箇所が一平面状になくても、確実に３箇所で実装基板１８０に接触する状態を実現することができ、確実にレーザー溶接実装を行うことが可能となる。

また、第１の金属端子１４０ａの第１の実装部１４６の第１の凸状屈曲部１４６ａおよび第２の金属端子１４０ｂの第２の実装部１５６の第２の凸状屈曲部１５６ａは、実装基板１８０との接触が線分の短い線接触であるため、接触面積が小さく、かつ、それぞれ直線状の第１の凹状屈曲部１４６ｂおよび第２の凹状屈曲部１５６ｂの面積の小さい部分を狙ってレーザーＬを照射して溶接実装が行えるため、容易に短時間で溶接実装を行うことができる。

（第１の実施の形態の第１の変形例）
この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の金属端子の第１の変形例について説明する。図８は、この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の金属端子の第１の変形例を示す外観斜視図であり、（ａ）は第１の金属端子であり、（ｂ）は第２の金属端子である。

なお、第１の実施の形態の第１の変形例にかかるセラミック電子部品の第１の金属端子２４０ａの第１の実装部２４６および第２の金属端子２４０ｂの第２の実装部２５６の構成は、第１の実施の形態の第１の金属端子１４０ａの第１の実装部１４６および第２の金属端子１４０ｂの第２の実装部１５６と異なる構成であることを除いて、図６を用いて説明したセラミック電子部品１００の金属端子と同様の構成を有する。従って、図６に示したセラミック電子部品１００の第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂと同一部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

第１の実施の形態の第１の変形例にかかる第１の金属端子２４０ａおよび第２の金属端子２４０ｂは、図８に示すように、第１の金属端子２４０ａの第１の実装部２４６および第２の金属端子２４０ｂの第２の実装部２５６の形状が円形に設けられる。

すなわち、第１の金属端子２４０ａの第１の実装部２４６は、十分に押し潰されて円形にされ、その中央部に実装基板の実装面の側に突出する半球形状の第１の凸状屈曲部２４６ａが設けられる。第１の凸状屈曲部２４６ａにおける実装基板の実装面側とは反対側の凹部は、半球形状の第１の凹状屈曲部２４６ｂとされる。
第２の金属端子２４０ｂの第２の実装部２５６は、十分に押し潰されて円形にされ、その中央部に実装基板の実装面の側に突出する半球形状の第２の凸状屈曲部２５６ａが設けられる。第２の凸状屈曲部２５６ａにおける実装基板の実装面側とは反対側の凹部は、半球形状の第２の凹状屈曲部２５６ｂとされる。

第１の凸状屈曲部２４６ａおよび第２の凸状屈曲部２５６ａの実装基板の実装面の側に突出する頂点は、それぞれ実装基板の実装面に接触するように配置される。このとき、第１の凸状屈曲部２４６ａ、第２の凸状屈曲部２５６ａおよび突起部１７２は、一直線上に位置しないように配置される。本発明では、このような構成とすることで、実装基板の実装面に３箇所で、点接触（または線分の短い線接触や面積の小さい面接触）する構成とすることができる。これにより、実装基板が反っていても、段差により接続箇所が一平面状になくても、確実に３箇所で接触する状態を実現することができ、確実に溶接実装を行うことが可能となる。

また、第１の金属端子２４０ａの第１の実装部２４６と第２の金属端子２４０ｂの第２の実装部２５６とは、実装基板と点接触するため、図６に示す金属端子と比較して実装基板との接触面積が小さくなる。これにより、第１の凸状屈曲部２４６ａにおける実装基板の実装面とは反対側の第１の凹状屈曲部２４６ｂ、および、第２の凸状屈曲部２５６ａにおける実装基板の実装面とは反対側の第２の凹状屈曲部２５６ｂに対してレーザーを照射する際の面積が小さくてよいため、溶接時間をより一層短くすることができる。

（第１の実施の形態の第２の変形例）
この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の金属端子の第２の変形例について説明する。図９は、この発明の第１の実施の形態にかかるセラミック電子部品の金属端子の第２の変形例を示す外観斜視図であり、（ａ）は第１の金属端子であり、（ｂ）は第２の金属端子である。

なお、第１の実施の形態の第２の変形例にかかるセラミック電子部品の第１の金属端子３４０ａの第１の実装部３４６および第２の金属端子３４０ｂの第２の実装部３５６の構成は、第１の実施の形態の第１の金属端子１４０ａの第１の実装部１４６および第２の金属端子１４０ｂの第２の実装部１５６と異なる構成であることを除いて、図６を用いて説明したセラミック電子部品１００の金属端子と同様の構成を有する。従って、図６に示したセラミック電子部品１００の第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂと同一部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

第１の実施の形態の第２の変形例にかかる第１の金属端子３４０ａおよび第２の金属端子３４０ｂは、図９に示すように、第１の金属端子３４０ａの第１の実装部３４６および第２の金属端子３４０ｂの第２の実装部３５６の形状が楕円形に設けられる。

すなわち、第１の金属端子３４０ａの第１の実装部３４６は、十分に押し潰されて楕円形にされ、その中央部に実装基板の実装面の側に突出する略楕円形状の第１の凸状屈曲部３４６ａが設けられる。第１の凸状屈曲部３４６ａにおける実装基板の実装面側とは反対側の凹部は、略楕円形状の第１の凹状屈曲部３４６ｂとされる。
第２の金属端子３４０ｂの第２の実装部３５６は、十分に押し潰されて楕円形にされ、その中央部に実装基板の実装面の側に突出する略楕円形状の第２の凸状屈曲部３５６ａが設けられる。第２の凸状屈曲部３５６ａにおける実装基板の実装面側とは反対側の凹部は、略楕円形状の第２の凹状屈曲部３５６ｂとされる。

第１の凸状屈曲部３４６ａおよび第２の凸状屈曲部３５６ａの実装基板の実装面の側に突出する頂点は、それぞれ実装基板の実装面に接触するように配置される。このとき、第１の凸状屈曲部３４６ａ、第２の凸状屈曲部３５６ａおよび突起部１７２は、一直線上に位置しないように配置される。本発明では、このような構成とすることで、実装基板の実装面に３箇所で、面積の小さい面接触する構成とすることができる。これにより、実装基板が反っていても、段差により接続箇所が一平面状になくても、確実に３箇所で接触する状態を実現することができ、確実に溶接実装を行うことが可能となる。

また、第１の金属端子３４０ａの第１の実装部３４６と第２の金属端子３４０ｂの第２の実装部３５６とは、実装基板と面接触するため、図６に示す金属端子と比較して実装基板との接触面積が若干大きくなる。これにより、第１の凸状屈曲部３４６ａおよび第２の凸状屈曲部３５６ａと、実装基板の実装面との接合強度が向上し、第１の金属端子３４０ａおよび第２の金属端子３４０ｂを含むセラミック電子部品１００が実装基板から脱落し難くなる。

２．セラミック電子部品の製造方法
次に、以上の構成からなる第１の実施の形態に係るセラミック電子部品の製造方法の一実施の形態について、セラミック電子部品１００を例にして説明する。

（１）単板の素体の製造方法
まず、素体を製造するための素原料が準備され、秤量される。
そして、原料に玉石を加え、混合粉砕・撹拌し調合する。
次に、調合された原料をスプレードライヤー等で乾燥させる。
続いて、前記原料に添加物やバインダ等を加え、二成分原料を調合し微粉砕した後に、仮焼が行われる。

そして、仮焼させた原料は、押し出し機等を用いてシート状に成型される。
次に、シート状に成型された後のシートが、プレス成型機などを用いて円板タブレット状に打ち抜かれる。そして、円板状に打ち抜かれたシートを焼成さやに詰め、焼成を行い、円板状の素体１１４が製造される。なお、焼成温度は誘電体材料にもよるが、１１００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。

続いて、素体１１４の両主面に外部電極１３０の焼付け層が形成される。すなわち、第１の外部電極１３０ａを形成するために、素体１１４の第１の主面１１４ａに外部電極用導電性ペーストが塗布され焼き付けられ、同様に、第２の外部電極１３０ｂを形成するために、素体１１４の第２の主面１１４ｂに外部電極用ペーストが塗布され焼き付けられ、焼付け層が形成される。なお、必要に応じて、焼付け層の表面に１層以上のめっき層が形成され、外部電極１３０が形成され、電子部品本体１１２が製造される。

また、外部電極１３０として、焼付け層を形成する代わりに、素体１１４の表面の第１の主面１１４ａ側の部分にめっき処理を施し、下地めっき膜を形成し、同様に、また、素体１１４の表面の第２の主面１１４ｂ側の部分にめっき処理を施し、下地めっき膜を形成してもよい。こうして、素体１１４の第１の主面１１４ａおよび第２の主面１１４ｂに直接にめっき電極が形成される。

めっき処理は、電解めっき又は無電解めっきのどちらを採用してもよいけれども、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。従って、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。

（２）金属端子の取り付けおよび外装樹脂材によるモールド
第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂが準備される。第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂの成型は曲げ加工により行う。

まず、第２の金属端子１４０ｂの第２の端子接合部１５６における上面（素体１１４の第２の主面１１４ｂに対して対向する面）に第２の接合材１６０ｂを塗布する。ここでは、第２の接合材１６０ｂとしてはんだを用いる。
次に、第１の金属端子１４０ａと第２の金属端子１４０ｂとの間に、電子部品本体１１２を挿入する。
続いて、第１の金属端子１４０ａと第１の外部電極１３０ａとの接触面に第１の接合材１６０ａを塗布する。ここでは、第１の接合材１６０ａとしてはんだを用いる。
そして、リフローによるはんだ付けを行い、電子部品本体１１２に第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂが取り付けられる。

次に、外装樹脂材１７０を形成する。外装樹脂材１７０は、浸漬塗装方法により、たとえば、液状や粉状のシリコーン系やエポキシ系などの樹脂を、金属端子が取り付けられた電子部品本体１１２に塗装し、樹脂硬化を行うことで形成される。硬化温度は、エポキシ樹脂の材料にもよるが、１５０℃以上２００℃であることが好ましい。また、外装樹脂材１７０の材料は、エンジニアリングプラスチックをインジェクションモールド法やトランスファーモールド法等によりモールドしてもよい。特に、外装樹脂材１７０の材料は、熱硬化型エポキシ樹脂からなることが好ましい。

次に、外装樹脂材１７０を形成した後に、外装樹脂材１７０から突出した金属端子を外装樹脂材１７０の側面及び底面に沿って屈曲させ、図１に示すセラミック電子部品１００を得る。

（第２の実施の形態）
３．セラミック電子部品
この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品について説明する。図１０は、この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。図１１は、この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の一例を示す側面図である。図１２は、この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の一例を示す正面図である。図１３は、この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品を示す図１０のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における断面図であり、図１４は、この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品を示す図１のＸＩＶ−ＸＩＶ線における断面図である。図１５は、この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図であり、（ａ）は第１の金属端子であり、（ｂ）は第２の金属端子である。図１６は、この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の実装構造の状態を示す概略構成図である。

この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品５００は、たとえば、電子部品本体５１２と、２つの金属端子からなる第１の金属端子５４０ａおよび第２の金属端子５４０ｂとにより構成される。電子部品本体５１２と第１の金属端子５４０ａとは、第１の接合材５６０ａを介して接続される。電子部品本体５１２と第２の金属端子５４０ｂとは、第２の接合材５６０ｂを介して接続される。また、セラミック電子部品５００は、電子部品本体５１２と、第１の金属端子５４０ａおよび第２の金属端子５４０ｂの少なくとも一部とを覆う外装樹脂材５７０を含む。

（１）素体
電子部品本体５１２は、直方体状の素体５１４を含む。

素体５１４は、積層された複数のセラミック層５１６と複数の内部電極層５１８とを有する。さらに、素体５１４は、積層方向ｘに相対する第１の主面５１４ａおよび第２の主面５１４ｂと、積層方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面５１４ｃおよび第２の側面５１４ｄと、積層方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面５１４ｅおよび第２の端面５１４ｆとを有する。この素体５１４には、角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。なお、角部とは、素体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、素体の隣接する２面が交わる部分のことである。
また、第１の主面５１４ａおよび第２の主面５１４ｂ、並びに、第１の側面５１４ｃおよび第２の側面５１４ｄ、並びに、第１の端面５１４ｅおよび第２の端面５１４ｆの一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。

セラミック層５１６は、複数のセラミック層５１６から構成される外層部５１６ａと単層もしくは複数のセラミック層５１６から構成される内層部５１６ｂとを含む。外層部５１６ａは、素体５１４の第１の主面５１４ａ側および第２の主面５１４ｂ側に位置し、第１の主面５１４ａと最も第１の主面５１４ａに近い内部電極層５１８との間に位置するセラミック層５１６、および第２の主面５１４ｂと最も第２の主面５１４ｂに近い内部電極層５１８との間に位置するセラミック層５１６である。そして、両外層部５１６ａに挟まれた領域が内層部５１６ｂである。

セラミック層５１６は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、またはＣａＺｒＯ₃などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する電子部品本体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、またはＮｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない成分を添加したものを用いてもよい。

なお、素体５１４に、圧電体セラミックを用いた場合、電子部品本体は、セラミック圧電素子として機能する。圧電セラミック材料の具体例としては、たとえば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック材料などが挙げられる。
また、素体５１４に、半導体セラミックを用いた場合、電子部品本体は、サーミスタ素子として機能する。半導体セラミック材料の具体例としては、たとえば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。
また、素体５１４に、磁性体セラミックを用いた場合、電子部品本体は、インダクタ素子として機能する。また、インダクタ素子として機能する場合は、内部電極層１８は、コイル状の導体となる。磁性体セラミック材料の具体例としては、たとえば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。

焼成後のセラミック層５１６の厚みは、０．５μｍ以上８０μｍ以下であることが好ましい。

図１３および図１４に示すように、素体５１４は、複数の内部電極層５１８として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層５１８ａおよび複数の第２の内部電極層５１８ｂを有する。複数の第１の内部電極層５１８ａおよび複数の第２の内部電極層５１８ｂは、素体５１４の積層方向ｘに沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。

第１の内部電極層５１８ａの一端側には、素体５１４の第１の端面５１４ｅに引き出された第１の引出電極部５２０ａを有する。第２の内部電極層５１８ｂの一端側には、素体５１４の第２の端面５１４ｆに引き出された第２の引出電極部５２０ｂを有する。具体的には、第１の内部電極層５１８ａの一端側の第１の引出電極部５２０ａは、素体５１４の第１の端面５１４ｅに露出している。また、第２の内部電極層５１８ｂの一端側の第２の引出電極部５２０ｂは、素体５１４の第２の端面５１４ｆに露出している。
なお、内部電極層５１８は、実装面に対して平行になるように配置されてもよく、垂直になるように配置されてもよい。

素体５１４は、セラミック層５１６の内層部５１６ｂにおいて、第１の内部電極層５１８ａと第２の内部電極層５１８ｂとが対向する対向電極部５２２ａを含む。また、素体５１４は、対向電極部５２２ａの幅方向ｙの一端と第１の側面５１４ｃとの間および対向電極部５２２ａの幅方向ｙの他端と第２の側面５１４ｄとの間に形成される素体５１４の側部（以下、「Ｗギャップ」という。）５２２ｂを含む。さらに、素体５１４は、第１の内部電極層５１８ａの第１の引出電極部５２０ａとは反対側の端部と第２の端面５１４ｆとの間および第２の内部電極層５１８ｂの第２の引出電極部５２０ｂとは反対側の端部と第１の端面５１４ｅとの間に形成される素体５１４の端部（以下、「Ｌギャップ」という。）５２２ｃを含む。

内部電極層５１８は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む、たとえば、Ａｇ−Ｐｄ合金などの合金を含有している。内部電極層５１８は、さらにセラミック層５１６に含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。
内部電極層５１８の厚みは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。

（２）外部電極
素体５１４の第１の端面５１４ｅ側および第２の端面５１４ｆ側には、外部電極５３０が配置される。外部電極５３０は、第１の外部電極５３０ａおよび第２の外部電極５３０ｂを有する。
第１の外部電極５３０ａは、素体５１４の第１の端面５１４ｅの表面に配置され、第１の端面５１４ｅから延伸して第１の主面５１４ａ、第２の主面５１４ｂ、第１の側面５１４ｃおよび第２の側面５１４ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第１の外部電極５３０ａは、第１の内部電極層５１８ａの第１の引出電極５２０ａと電気的に接続される。もっとも、第１の外部電極５３０ａは、素体５１４の第１の端面５１４ｅの表面上にのみ配置されていてもよい。
第２の外部電極５３０ｂは、素体５１４の第２の端面５１４ｆの表面に配置され、第２の端面５１４ｆから延伸して第１の主面５１４ａ、第２の主面５１４ｂ、第１の側面５１４ｃおよび第２の側面５１４ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第２の外部電極５３０ｂは、第２の内部電極層５１８ｂの第２の引出電極５２０ｂと電気的に接続される。もっとも、第２の外部電極５３０ｂは、素体５１４の第２の端面５１４ｆの表面上にのみ配置されていてもよい。

素体５１４内においては、各対向電極部５２２ａで第１の内部電極層５１８ａと第２の内部電極層５１８ｂとがセラミック層５１６を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層５１８ａが接続された第１の外部電極５３０ａと第２の内部電極層５１８ｂが接続された第２の外部電極５３０ｂとの間に、静電容量を得ることができる。したがって、このような構造の電子部品本体はコンデンサ素子として機能する。

第１の外部電極５３０ａは、図１３および図１４に示すように、素体５１４側から順に、第１の下地電極層５３２ａと第１の下地電極層５３２ａの表面に配置された第１のめっき層５３４ａとを有する。同様に、第２の外部電極５３０ｂは、素体５１４側から順に、第２の下地電極層５３２ｂと第２の下地電極層５３２ｂの表面に配置された第２のめっき層５３４ｂとを有する。

第１の下地電極層５３２ａは、素体５１４の第１の端面５１４ｅの表面に配置され、第１の端面５１４ｅから延伸して第１の主面５１４ａ、第２の主面５１４ｂ、第１の側面５１４ｃおよび第２の側面５１４ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。もっとも、第１の下地電極層５３２ａは、素体５１４の第１の端面５１４ｅの表面上にのみ配置されていてもよい。
また、第２の下地電極層５３２ｂは、素体５１４の第２の端面５１４ｆの表面に配置され、第２の端面５１４ｆから延伸して第１の主面５１４ａ、第２の主面５１４ｂ、第１の側面５１４ｃおよび第２の側面５１４ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。もっとも、第２の下地電極層５３２ｂは、素体５１４の第２の端面５１４ｆの表面上にのみ配置されていてもよい。

第１の下地電極層５３２ａおよび第２の下地電極層５３２ｂは、それぞれ、焼付け層や薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含む。なお、第１の下地電極層５３２ａおよび第２の下地電極層５３２ｂの材料および構造は、第１の下地電極層１３２ａおよび第２の下地電極層１３２ｂのそれらと同一であるので、その説明を省略する。

第１のめっき層５３４ａは、第１の下地電極層５３２ａを覆うように配置される。具体的には、第１のめっき層５３４ａは、第１の下地電極層５３２ａの表面の第１の端面５１４ｅに配置され、第１の下地電極層５３２ａの表面の第１の主面５１４ａおよび第２の主面５１４ｂならびに第１の側面５１４ｃおよび第２の側面５１４ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第１の下地電極層５３２ａが、素体５１４の第１の端面５１４ｅの表面上にのみ配置される場合には、第１のめっき層５３４ａは、第１の下地電極層５３２ａの表面のみを覆うように設けられていればよい。
同様に、第２のめっき層５３４ｂは、第２の下地電極層５３２ｂを覆うように配置される。具体的には、第２のめっき層５３４ｂは、第２の下地電極層５３２ｂの表面の第２の端面５１４ｆに配置され、第２の下地電極層５３２ｂの表面の第１の主面５１４ａおよび第２の主面５１４ｂならびに第１の側面５１４ｃおよび第２の側面５１４ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第２の下地電極層５３２ｂが、素体５１４の第２の端面５１４ｆの表面上にのみ配置される場合には、第２のめっき層５３４ｂは、第２の下地電極層５３２ｂの表面のみを覆うように設けられていればよい。

また、第１のめっき層５３４ａおよび第２のめっき層５３４ｂは、その材料および構造が、第１のめっき層１３４ａおよび第２のめっき層１３４ｂのそれらと同一であるので、その説明を省略する。

次に、第１の下地電極層５３２ａおよび第２の下地電極層５３２ｂがめっき電極からなる場合について説明する。第１の下地電極層５３２ａは、第１の内部電極層５１８ａと直接接続されるめっき層から構成され、素体５１４の第１の端面５１４ｅの表面に直接に配置され、第１の端面５１４ｅから延伸して第１の主面５１４ａ、第２の主面５１４ｂ、第１の側面５１４ｃおよび第２の側面５１４ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
また、第２の下地電極層５３２ｂは、第２の内部電極層５１８ｂと直接接続されるめっき層から構成され、素体５１４の第２の端面５１４ｆの表面に直接に配置され、第２の端面５１４ｆから延伸して第１の主面５１４ａ、第２の主面５１４ｂ、第１の側面５１４ｃおよび第２の側面５１４ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
ただし、第１の下地電極層５３２ａおよび第２の下地電極層５３２ｂがめっき層から構成されるためには、前処理として素体５１４上に触媒が設けられる。

めっき層からなる第１の下地電極層５３２ａは、第１のめっき層５３４ａにて覆うことが好ましい。同様に、めっき層からなる第２の下地電極層５３２ｂは、第２のめっき層５３４ｂにて覆うことが好ましい。

この場合、第１の下地電極層５３２ａおよび第２の下地電極層５３２ｂ、並びに、第１のめっき層５３４ａおよび第２のめっき層５３４ｂの材料および構造は、それぞれ第１の下地電極層１３２ａおよび第２の下地電極層１３２ｂ、並びに、第１のめっき層１３４ａおよび第２のめっき層１３４ｂのそれらと同一であるので、その説明を省略する。

第１のめっき層５３４ａおよび第２のめっき層５３４ｂは必要に応じて形成されるものであり、第１の外部電極５３０ａは第１の下地電極層５３２ａのみから構成され、第２の外部電極５３０ｂは第２の下地電極層５３２ｂのみから構成されたものであってもよい。また、第１のめっき層５３４ａおよび第２のめっき層５３４ｂを、第１の外部電極５３０ａおよび第２の外部電極５３０ｂの最外層として設けてもよく、第１のめっき層５３４ａまたは第２のめっき層５３４ｂ上に他のめっき層を設けてもよい。

（３）金属端子
金属端子は、第１の金属端子５４０ａおよび第２の金属端子５４０ｂを含む。
第１の金属端子５４０ａおよび第２の金属端子５４０ｂは、セラミック電子部品５００を、実装基板に実装するために設けられる。

第１の金属端子５４０ａは、電子部品本体５１２の第１の外部電極５３０ａに第１の接合材５６０ａを介して接続される。
第２の金属端子５４０ｂは、電子部品本体５１２の第２の外部電極５３０ｂに第２の接合材５６０ｂを介して接続される。

第１の金属端子５４０ａは、たとえば、横断面の形状が円形の１つのリード線により形成されている。第１の金属端子５４０ａは、第１の主面５１４ａおよび第２の主面５１４ｄを結ぶ積層方向ｘに延び第１の外部電極５３０ａに接続される第１の端子接合部５４２と、第１の端子接合部５４２に接続され、セラミック電子部品５００と実装基板の実装面との間に隙間ができるように実装面の方向に延びる第１の延長部５４４と、第１の延長部５４４に接続され、電子部品本体５１２側とは反対側に延びる第１の実装部５４６と、を有している。

第２の金属端子５４０ｂは、たとえば、横断面の形状が円形の１つのリード線により形成されている。第２の金属端子５４０ｂは、第１の主面５１４ａおよび第２の主面５１４ｄを結ぶ積層方向ｘに延び第２の外部電極５３０ｂに接続される第２の端子接合部５５２と、第２の端子接合部５５２に接続され、積層セラミック電子部品５００と実装基板の実装面との間に隙間ができるように実装面の方向に延びる第２の延長部５５４と、第２の延長部５５４に接続され、電子部品本体５１２側とは反対側に延びる第２の実装部５５６と、を有している。

第１の金属端子５４０ａの第１の端子接合部５４２は、電子部品本体５１２の第１の端面５１４ｅに設けられた第１の外部電極５３０ａに、たとえば第１の接合材５６０ａを介して、第１の主面５１４ａおよび第２の主面５１４ｂを結ぶ積層方向ｘに延びるように接続される部分である。なお、第１の端子接合部５４２の長さは特に限定されず、第１の端面５１４ｅの高さ方向いっぱいに配置されていても良いし、積層方向ｘに収まるように配置されていてもよい。

第２の金属端子５４０ｂの第２の端子接合部５５２は、電子部品本体５１２の第２の端面５１４ｆに設けられた第２の外部電極５３０ｂに、たとえば第２の接合材５６０ｂを介して、第１の主面５１４ａおよび第２の主面５１４ｂを結ぶ積層方向ｘに延びるように接続される部分である。なお、第２の端子接合部５５２の長さは特に限定されず、第２の端面５１４ｆの高さ方向いっぱいに配置されていても良いし、積層方向ｘに収まるように配置されていてもよい。

第１の金属端子５４０ａの第１の延長部５４４は、第１の端子接合部５４２から延び、電子部品本体５１２と実装基板の実装面との間に隙間ができるように実装面の方向にその中間部で屈曲され、延びる。第２の金属端子５４０ｂの第２の延長部５５４は、第２の端子接合部５５２から延び、電子部品本体５１２と実装基板の実装面との間に隙間ができるように実装面の方向にその中間部で屈曲され、延びる。

第１の金属端子５４０ａの第１の延長部５４４と第２の金属端子５４０ｂの第２の延長部５５４とは、電子部品本体５１２を、積層セラミック電子部品５００を実装する実装基板から浮かせるためのものである。これにより、実装基板とセラミック電子部品５００との熱膨張係数差によって生じる応力や、実装基板の撓みによって生じる応力や、電圧が加わることでセラミック層５１６に生じる機械的歪み等を、第１の延長部５４４および第２の延長部５５４の弾性変形によって吸収することができる。

第１の金属端子５４０ａの第１の実装部５４６は、第１の延長部５４４に接続され、電子部品本体５１２側とは反対側に延びる。第２の金属端子５４０ｂの第２の実装部５５６は、第２の延長部５５４に接続され、電子部品本体５１２側とは反対側に延びる。

なお、第１の実装部５４６および第２の実装部５５６は、本実施の形態の場合、電子部品本体５１２側とは反対側に延びているけれども、逆に、電子部品本体５１２側に延びていてもよい。ただし、電子部品本体５１２側とは反対側に延びている場合は、これにより、実装基板への溶接実装を容易に行うことができるため好ましい。

さらに、第１の延長部５４４と第１の実装部５４６とが略直角に交わる境界部、そして第２の延長部５５４と第２の実装部５５６とが略直角に交わる境界部は丸みが付けられていてもよい。

第１の実装部５４６の形状は平面視が略矩形状であり、その中央部は、第１の端面５１４ｅおよび第２の端面５１４ｆを結ぶ長さ方向ｚに平行に折り曲げられ、実装基板の実装面の側に突出する直線状の第１の凸状屈曲部５４６ａが設けられる。第１の凸状屈曲部１４６ａにおける実装基板の実装面側とは反対側の凹部は、第１の端面５１４ｅおよび第２の端面５１４ｆを結ぶ長さ方向ｚに平行な直線状の第１の凹状屈曲部５４６ｂとされる。
第２の実装部５５６の形状は平面視が略矩形状であり、その中央部は、第１の端面５１４ｅおよび第２の端面５１４ｆを結ぶ長さ方向ｚに平行に折り曲げられ、実装基板の実装面の側に突出する直線状の第２の凸状屈曲部５５６ａが設けられる。第２の凸状屈曲部５５６ａにおける実装基板の実装面側とは反対側の凹部は、第１の端面５１４ｅおよび第２の端面５１４ｆを結ぶ長さ方向ｚに平行な直線状の第２の凹状屈曲部５５６ｂとされる。

第１の凸状屈曲部５４６ａおよび第２の凸状屈曲部５５６ａの実装基板の実装面の側に突出する頂点は、それぞれ実装基板の実装面に接触するように配置される。

また、第１の金属端子５４０ａの第１の実装部５４６と第２の金属端子５４０ｂの第２の実装部５５６とは、実装基板との接触面積が小さくなるため、第１の凸状屈曲部５４６ａにおける実装基板の実装面とは反対側の第１の凹状屈曲部５４６ｂ、および、第２の凸状屈曲部５５６ａにおける実装基板の実装面とは反対側の第２の凹状屈曲部５５６ｂに対してレーザー照射するだけで溶接することが可能になるため、溶接時間も短くすることができる。

第１の凸状屈曲部５４６ａおよび第２の凸状屈曲部５５６ａは角張っていても良いし、丸みをおびていてもよい。なお、第１の金属端子５４０ａの第１の実装部５４６を形成する際には、第１の金属端子５４０ａを構成するリード線の一端部を少し押し潰して形成する。第２の金属端子５４０ｂの第２の実装部５５６を形成する際には、第２の金属端子５４０ｂを構成するリード線の一端部を少し押し潰して形成する。

本発明に係るセラミック電子部品５００は、第１の凸状屈曲部５４６ａおよび第２の凸状屈曲部５５６ａのそれぞれの高さｈは、第１の実装部５４６および第２の実装部５５６の底面から、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、第１の実装部５４６および第２の実装部５５６が基板と接触している箇所に確実にレーザーエネルギーを与えることができ、本発明の効果をより効果的にすることができる。

また、第１の金属端子５４０ａおよび第２の金属端子５４０ｂの表面は、黒色塗装や酸化処理されていることが好ましい。これにより、レーザーエネルギーの吸収効率を高めることができ、レーザー溶接を短時間で容易に行うことができる。

第１の金属端子５４０ａおよび第２の金属端子５４０ｂは、端子本体と端子本体の表面に形成されるめっき膜とを有する。なお、第１の金属端子５４０ａおよび第２の金属端子５４０ｂの端子本体およびめっき膜の材料および構造は、第１の金属端子１４０ａおよび第２の金属端子１４０ｂのそれらと同一であるので、その説明を省略する。

なお、めっき膜は、少なくとも第１の金属端子５４０ａの第１の延長部５４４および第１の実装部５４６の周囲面５４９、並びに、第２の延長部５４６および第２の金属端子５４０ｂの第２の延長部５５４および第２の実装部５５６の周囲面５５１においては形成されていなくてもよい。

（４）外装樹脂材
外装樹脂材５７０は、素体５１４、第１の外部電極５３０ａ、第２の外部電極５３０ｂ、第１の金属端子５４０ａの一部、第２の金属端子５４０ｂの一部、第１の外部電極５３０ａと第１の金属端子５４０ａの第１の接合部５６０ａ、第２の外部電極５３０ｂと第２の金属端子５４０ｂの第２の接合部５６０ｂを覆うように配置されている。

外装樹脂材５７０は、素体５１４の第１の側面５１４ｃおよび第２の側面５１４ｄに相対する第１の主面５７０ａおよび第２の主面５７０ｂを有する。

外装樹脂材５７０の第１の主面５７０ａおよび第２の主面５７０ｂは平面状に構成されていることが好ましい。

外装樹脂材５７０の材料は、外装樹脂材１７０のそれと同一であるので、その説明を省略する。

外装樹脂材５７０の実装面側（第２の主面５７０ｂ側）の表面には、実装面側に突出する突起部５７２が配置されている。突起部５７２は、第１の金属端子５４０ａの第１の凸部５４６ａと第２の金属端子５４０ｂの第２の凸部５５６ａとともに、それぞれの頂点が実装基板の実装面に接触するように配置されている。本発明では、このような構成とすることで、実装基板の実装面に３箇所で、線分の短い線接触する構成とすることができる。これにより、実装基板が反っていても、段差により接続箇所が一平面状になくても、確実に３箇所で接触する状態を実現することができ、確実に溶接実装を行うことが可能となる。

また、第１の金属端子５４０ａの第１の実装部５４６と第２の金属端子５４０ｂの第２の実装部５５６とは、実装基板との接触面積が小さくなるため、第１の凸部５４６ａにおける実装基板の実装面とは反対側の第１の凹部５４６ｂ、および、第２の凸部５５６ａにおける実装基板の実装面とは反対側の第２の凹部５５６ｂに対してレーザー照射するだけで溶接することが可能になるため、溶接時間も短くすることができる。

突起部５７２の高さは、特に限定されないが、第１の金属端子５４０ａの第１の凸部５４６ａと第２の金属端子５４０ｂの第２の凸部５５６ａとともに、それぞれの頂点が実装基板の実装面に接触するように高さが調整される。

突起部５７２を設ける位置は、第１の凸部５４６ａ、第２の凸部５５６ａおよび突起部５７２が、一直線上に位置しないように配置される。そして、突起部５７２は、金属端子が延びる方向に対して、第１の金属端子５４０ａの第１の凸部５４６ａと第２の金属端子５４０ｂの第２の凸部５５６ａが設けられている側とは反対側の外装樹脂材５７０の実装面側（第２の主面５７０ｂ側）の表面に設けられる。また、特に、突起部５７２は、外装樹脂材５７０の実装面側（第２の主面５７０ｂ側）の表面の端部に設けられていることが好ましい。これにより、より安定して３点支持で、第１の凸部５４６ａ、第２の凸部５５６ａおよび突起部５７２を実装基板の実装面に接触させることができる。
（５）接合材

第１の接合材５６０ａは、第１の外部電極５３０ａと第１の金属端子５４０ａの第１の端子接合部５４２とを接合するために用いられる。第１の接合材５６０ａは、第１の金属端子５４０ａの第１の端子接合部５４２と、第１の端子接合部５４２に対向する第１の外部電極５３０ａ（第１の端面５１４ｅ上の第１の外部電極５３０ａ）との間に存在する。第１の接合材５６０ａは、第１の外部電極５３０ａの中央部を、第１の主面５１４ａおよび第２の主面５１４ｂを結ぶ積層方向ｘに延びている。

第２の接合材５６０ｂは、第２の外部電極５３０ｂと第２の金属端子５４０ｂの第２の端子接合部５５２とを接合するために用いられる。第２の接合材５６０ｂは、第２の金属端子５４０ｂの第２の端子接合部５５２と、第２の端子接合部５５２に対向する第２の外部電極５３０ｂ（第２の端面５１４ｆ上の第２の外部電極５３０ｂ）との間に存在する。第２の接合材５６０ｂは、第２の外部電極５３０ｂの中央部を、第１の主面５１４ａおよび第２の主面５１４ｂを結ぶ積層方向ｘに延びている。

なお、第１の接合材５６０ａおよび第２の接合材５６０ｂの材料は、第１の接合材１６０ａおよび第２の接合材１６０ｂのそれと同一であるので、その説明を省略する。

セラミック電子部品５００の金属端子の延びる方向の寸法をＬ寸法とし、セラミック電子部品５００の第１の主面５７０ａと第２の主面５７０ｂとを結ぶ方向の寸法をＴ寸法とし、セラミック電子部品５００の金属端子の延びる方向に直交する方向の寸法をＷ寸法とする。
セラミック電子部品５００の寸法は、金属端子の延びる方向のＬ寸法が１．２ｍｍ以上１２ｍｍ以下、金属端子の延びる方向に直交する方向のＷ寸法が２ｍｍ以上２０ｍｍ以下、第１の主面５７０ａと第２の主面５７０ｂとを結ぶ方向のＴ寸法が１．２ｍｍ以上５ｍｍ以下である。

次に、本発明にかかるセラミック電子部品５００の実装構造について説明する。

図１６に示すように、実装基板１８０にセラミック電子部品５００を実装する。具体的には、セラミック電子部品５００は、実装基板１８０の実装面上に載置され、第１の金属端子５４０ａの第１の実装部５４６の第１の凸部５４６ａおよび第２の金属端子５４０ｂの第２の実装部５５６の第２の凸部５５６ａにおいて、実装基板１８０と溶接接合されている。

溶接接合は、レーザーＬによる溶接により接合されていることが好ましい。すなわち、第１の凸部５４６ａの位置における実装基板１８０の実装面とは反対側の第１の凹部５４６ｂ、および第２の凸部５５６ａの位置における実装基板１８０の実装面とは反対側の第２の凹部５５６ｂに対してレーザーＬを照射して溶接実装が行われる。

この実施の形態にかかるセラミック電子部品５００によれば、第１の実装部５４６の第１の凸部５４６ａ、第２の実装部５５６の第２の凸部５５６ａおよび外装樹脂材５７０の突起部５７２が形成されているため、実装基板１８０の実装面に３箇所で、線分の短い線接触する構成とすることができる。これにより、実装基板１８０が反っていても、段差により接続箇所が一平面状になくても、確実に３箇所で実装基板１８０に接触する状態を実現することができ、確実にレーザー溶接実装を行うことが可能となる。

また、この実施の形態にかかるセラミック電子部品５００の実装構造によれば、第１の金属端子５４０ａの第１の凸部５４６ａ、第２の金属端子５４０ｂの第２の凸部５５６ａおよび外装樹脂材５７０の突起部５７２の頂点が、実装基板１８０のそれぞれの実装面と接触するように配置されているため、接触面積が小さく、かつ、第１の凹部５４６ｂおよび第２の凹部５５６ｂの面積の小さい部分を狙ってレーザーＬを照射して溶接実装が行えるため、容易に短時間で溶接実装を行うことができる。

（第２の実施の形態の第１の変形例）
この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の金属端子の第１の変形例について説明する。図１７は、この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の金属端子の第１の変形例を示す外観斜視図であり、（ａ）は第１の金属端子であり、（ｂ）は第２の金属端子である。

なお、第２の実施の形態の第１の変形例にかかるセラミック電子部品の第１の金属端子６４０ａの第１の実装部６４６および第２の金属端子６４０ｂの第２の実装部６５６の構成は、第２の実施の形態の第１の金属端子５４０ａの第１の実装部５４６および第２の金属端子５４０ｂの第２の実装部５５６と異なる構成であることを除いて、図１５を用いて説明したセラミック電子部品５００の金属端子と同様の構成を有する。従って、図１５に示したセラミック電子部品５００の第１の金属端子５４０ａおよび第２の金属端子５４０ｂと同一部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

第２の実施の形態の第１の変形例にかかる第１の金属端子６４０ａおよび第２の金属端子６４０ｂは、図１７に示すように、第１の金属端子６４０ａの第１の実装部６４６および第２の金属端子６４０ｂの第２の実装部６５６の形状が円形に設けられる。

すなわち、第１の金属端子６４０ａの第１の実装部６４６は、十分に押し潰されて円形にされ、その中央部に実装基板の実装面の側に突出する半球形状の第１の凸状屈曲部６４６ａが設けられる。第１の凸状屈曲部６４６ａにおける実装基板の実装面側とは反対側の凹部は、半球形状の第１の凹状屈曲部６４６ｂとされる。
第２の金属端子６４０ｂの第２の実装部６５６は、十分に押し潰されて円形にされ、その中央部に実装基板の実装面の側に突出する半球形状の第２の凸状屈曲部６５６ａが設けられる。第２の凸状屈曲部６５６ａにおける実装基板の実装面側とは反対側の凹部は、半球形状の第２の凹状屈曲部６５６ｂとされる。

第１の凸状屈曲部６４６ａおよび第２の凸状屈曲部６５６ａの実装基板の実装面の側に突出する頂点は、それぞれ実装基板の実装面に接触するように配置される。このとき、第１の凸状屈曲部６４６ａ、第２の凸状屈曲部６５６ａおよび突起部５７２は、一直線上に位置しないように配置される。本発明では、このような構成とすることで、実装基板の実装面に３箇所で、点接触（または線分の短い線接触や面積の小さい面接触）する構成とすることができる。これにより、実装基板が反っていても、段差により接続箇所が一平面状になくても、確実に３箇所で接触する状態を実現することができ、確実に溶接実装を行うことが可能となる。

また、第１の金属端子６４０ａの第１の実装部６４６と第２の金属端子６４０ｂの第２の実装部６５６とは、実装基板と点接触するため、図１５に示す金属端子と比較して実装基板との接触面積が小さくなる。これにより、第１の凸状屈曲部６４６ａにおける実装基板の実装面とは反対側の第１の凹状屈曲部６４６ｂ、および、第２の凸状屈曲部６５６ａにおける実装基板の実装面とは反対側の第２の凹状屈曲部６５６ｂに対してレーザーを照射する際の面積が小さくてよいため、溶接時間をより一層短くすることができる。

（第２の実施の形態の第２の変形例）
この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の金属端子の第２の変形例について説明する。図１８は、この発明の第２の実施の形態にかかるセラミック電子部品の金属端子の第２の変形例を示す外観斜視図であり、（ａ）は第１の金属端子であり、（ｂ）は第２の金属端子である。

なお、第２の実施の形態の第２の変形例にかかるセラミック電子部品の第１の金属端子７４０ａの第１の実装部７４６および第２の金属端子７４０ｂの第２の実装部７５６の構成は、第２の実施の形態の第１の金属端子５４０ａの第１の実装部５４６および第２の金属端子５４０ｂの第２の実装部５５６と異なる構成であることを除いて、図１５を用いて説明したセラミック電子部品５００の金属端子と同様の構成を有する。従って、図１５に示したセラミック電子部品５００の第１の金属端子５４０ａおよび第２の金属端子５４０ｂと同一部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

第２の実施の形態の第２の変形例にかかる第１の金属端子７４０ａおよび第２の金属端子７４０ｂは、図１８に示すように、第１の金属端子７４０ａの第１の実装部７４６および第２の金属端子７４０ｂの第２の実装部７５６の形状が楕円形に設けられる。

すなわち、第１の金属端子７４０ａの第１の実装部７４６は、十分に押し潰されて楕円形にされ、その中央部に実装基板の実装面の側に突出する略楕円形状の第１の凸状屈曲部７４６ａが設けられる。第１の凸状屈曲部７４６ａにおける実装基板の実装面側とは反対側の凹部は、略楕円形状の第１の凹状屈曲部７４６ｂとされる。
第２の金属端子７４０ｂの第２の実装部７５６は、十分に押し潰されて楕円形にされ、その中央部に実装基板の実装面の側に突出する略楕円形状の第２の凸状屈曲部７５６ａが設けられる。第２の凸状屈曲部７５６ａにおける実装基板の実装面側とは反対側の凹部は、略楕円形状の第２の凹状屈曲部７５６ｂとされる。

第１の凸状屈曲部７４６ａおよび第２の凸状屈曲部７５６ａの実装基板の実装面の側に突出する頂点は、それぞれ実装基板の実装面に接触するように配置される。このとき、第１の凸状屈曲部７４６ａ、第２の凸状屈曲部７５６ａおよび突起部５７２は、一直線上に位置しないように配置される。本発明では、このような構成とすることで、実装基板の実装面に３箇所で、面積の小さい面接触する構成とすることができる。これにより、実装基板が反っていても、段差により接続箇所が一平面状になくても、確実に３箇所で接触する状態を実現することができ、確実に溶接実装を行うことが可能となる。

また、第１の金属端子７４０ａの第１の実装部７４６と第２の金属端子７４０ｂの第２の実装部７５６とは、実装基板と面接触するため、図１５に示す金属端子と比較して実装基板との接触面積が若干大きくなる。これにより、第１の凸状屈曲部７４６ａおよび第２の凸状屈曲部７５６ａと、実装基板の実装面との接合強度が向上し、第１の金属端子７４０ａおよび第２の金属端子７４０ｂを含むセラミック電子部品５００が実装基板から脱落し難くなる。

４．セラミック電子部品の製造方法
次に、以上の構成からなる第２の実施の形態に係るセラミック電子部品の製造方法の一実施の形態について、セラミック電子部品５００を例にして説明する。

（１）積層構造の素体の製造方法
まず、セラミックグリーンシート、内部電極層５１８を形成するための内部電極用導電性ペーストおよび外部電極５３０を形成するための外部電極用導電性ペーストが準備される。なお、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストには、有機バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。

そして、セラミックグリーンシート上に、たとえば、所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、セラミックグリーンシートには、内部電極パターンが形成される。なお、内部電極用導電性ペーストは、スクリーン印刷やグラビア印刷などの公知の方法により印刷することができる。

次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートが順次積層され、その上に、外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、素体シートが作製される。続いて、この素体シートは、静水圧プレスなどの手段により積層方向ｘに圧着させて、素体ブロックを作製する。

その後、素体ブロックが所定の形状寸法に切断され、生の素体チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより生の素体の角部や稜部に丸みをつけてもよい。続いて、切り出された生の素体チップが焼成され、素体５１４が生成される。なお、生の素体チップの焼成温度は、セラミックの材料や内部電極用導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。

次に、第１の外部電極５３０ａの焼付け層を形成するために、たとえば、素体５１４の表面に第１の端面５１４ｅから露出している第１の内部電極層５１８ａの第１の引出電極部５２０ａの露出部分に外部電極用導電性ペーストが塗布されて焼き付けられ、また、同様に、第２の外部電極５３０ｂの焼付け層を形成するために、たとえば、素体５１４の第２の端面５１４ｆから露出している第２の内部電極層５１８ｂの第２の引出電極部５２０ｂの露出部分に外部電極用導電性ペーストが塗布されて焼き付けられ、焼付け層が形成される。このとき、焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。なお、必要に応じて、焼付け層の表面に１層以上のめっき層が形成され、外部電極５３０が形成され、電子部品本体５１２が製造される。

また、外部電極５３０として、焼付け層を形成する代わりに、素体５１４の表面の第１の端面５１４ｅ側の部分にめっき処理を施し、第１の端面５１４ｅから露出している第１の内部電極層５１８ａの第１の引出電極部５２０ａの露出部分に下地めっき膜を形成し、同様に、また、素体５１４の表面の第２の端面５１４ｆ側の部分にめっき処理を施し、第２の端面５１４ｆから露出している第２の内部電極層５１８ｂの第２の引出電極部５２０ｂの露出部分に下地めっき膜を形成してもよい。

めっき処理は、電解めっき又は無電解めっきのどちらを採用してもよいけれども、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。従って、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。

なお、素体５１４の第１の主面５１４ａおよび第２の主面５１４ｂの表面に外部電極５３０の一部の導体を形成する場合は、予め最外層のセラミックグリーンシート上に表面導体パターンを印刷して、素体５１４と同時焼成してもよく、あるいは、焼成後の素体５１４の第１の主面５１４ａおよび第２の主面５１４ｂに表面導体を印刷してから焼き付けてもよい。さらに、必要に応じて、下地めっき膜の表面に上層めっき層を形成する。
こうして、素体５１４の第１の端面５１４ｅおよび第２の端面５１４ｆに直接にめっき電極が形成される。

（２）金属端子の取り付けおよび外装樹脂材によるモールド
続いて、本発明にかかるセラミック電子部品の製造方法における金属端子の取り付け工程について、説明する。

まず、第１の金属端子５４０ａおよび第２の金属端子５４０ｂが準備される。
第１の金属端子５４０ａおよび第２の金属端子５４０ｂの成型は、曲げ加工により行う。
次に、電子部品本体５１２の第１の端面５１４ｅの第１の外部電極５３０ａの表面、または、準備された第１の金属端子５４０ａの第１の端子接合部５４２の表面に、第１の接合材（はんだ）５６０ａを塗布する。その後、電子部品本体５１２の第１の外部電極５３０ａと第１の金属端子５４０ａの第１の端子接合部５４２とを接合させた状態でリフローすることによって、電子部品本体５１２の第１の外部電極５３０ａに第１の金属端子５４０ａが取り付けられる。同様に、電子部品本体５１２の第２の端面５１４ｆの第２の外部電極５３０ｂの表面、または、準備された第２の金属端子５４０ｂの第２の端子接合部５５２の表面に、第２の接合材（はんだ）５６０ｂを塗布する。その後、電子部品本体５１２の第２の外部電極５３０ｂと第２の金属端子５４０ｂの端子接合部５５２とを接合させた状態でリフローすることによって、電子部品本体５１２の第２の外部電極１３０ｂに第２の金属端子５４０ｂが取り付けられる。

次に、外装樹脂材５７０を形成する。外装樹脂材５７０は、浸漬塗装方法により、たとえば、液状や粉状のシリコーン系やエポキシ系などの樹脂を、金属端子が取り付けられた電子部品本体５１２に塗装し、樹脂硬化を行うことで形成される。硬化温度は、エポキシ樹脂の材料にもよるが、１５０℃以上２００℃であることが好ましい。また、外装樹脂材５７０の材料は、エンジニアリングプラスチックをインジェクションモールド法やトランスファーモールド法等によりモールドしてもよい。特に、外装樹脂材５７０の材料は、熱硬化型エポキシ樹脂からなることが好ましい。

次に、外装樹脂材５７０を形成した後に、外装樹脂材５７０から突出した金属端子を外装樹脂材５７０の側面及び底面に沿って屈曲させ、図１０に示すセラミック電子部品５００を得る。

なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。また、電子部品本体のセラミック層の厚み、層数、対向電極面積および外形寸法は、これに限定されるものではない。

また、本実施の形態にかかる積層セラミック電子部品５００では、電子部品本体５１２は、１つだけ含まれているが、これに限るものではなく、電子部品本体５１２は、２段以上積み重ねられていてもよい。

１００、５００ 積層セラミック電子部品
１１２、５１２ 電子部品本体
１１４、５１４ 素体
５１６ セラミック層
５１６ａ 外層部
５１６ｂ 内層部
５１８ 内部電極層
５１８ａ 第１の内部電極層
５１８ｂ 第２の内部電極層
５２０ａ 第１の引出電極部
５２０ｂ 第２の引出電極部
５２２ａ 対向電極部
５２２ｂ 側部（Ｗギャップ）
５２２ｃ 端部（Ｌギャップ）
１３０、５３０ 外部電極
１３０ａ、５３０ａ 第１の外部電極
１３０ｂ、５３０ｂ 第２の外部電極
１３２ａ、５３２ａ 第１の下地電極層
１３２ｂ、５３２ｂ 第２の下地電極層
１３４ａ、５３４ｂ 第１のめっき層
１３４ｂ、５３４ｂ 第２のめっき層
１４０ａ，２４０ａ，３４０ａ、５４０ａ、６４０ａ、７４０ａ 第１の金属端子
１４０ｂ，２４０ｂ，３４０ｂ、５４０ｂ、６４０ｂ、７４０ｂ 第２の金属端子
１４２、５４２ 第１の端子接合部
１４４、５４４ 第１の延長部
１５４、５５４ 第２の延長部
１４６、２４６、３４６、５４６、６４６、７４６ 第１の実装部
１４６ａ、２４６ａ、３４６ａ、５４６ａ、６４６ａ、７４６ａ 第１の凸状屈曲部
１４６ｂ、２４６ｂ、３４６ｂ、５４６ｂ、６４６ｂ、７４６ｂ 第１の凹状屈曲部
１５２、５５２ 第２の端子接合部
１５４、５５４ 第２の延長部
１５６、２５６、３５６、５５６、６５６、７５６ 第２の実装部
１５６ａ、２５６ａ、３５６ａ、５５６ａ、６５６ａ、７５６ａ 第２の凸状屈曲部
１５６ｂ、２５６ｂ、３５６ｂ、５５６ｂ、６５６ｂ、７５６ｂ 第２の凹状屈曲部
１６０ａ、５６０ａ 第１の接合材
１６０ｂ、５６０ｂ 第２の接合材
１７０、５７０ 外装樹脂材
１７２、５７２ 突起部
１８０ 実装基板
ｘ 積層方向
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向

Claims (5)

1. 互いに対向する第１の主面および第２の主面を有する素体と、
   前記素体上に配置される第１の外部電極と、前記素体上に配置される第２の外部電極と、を備える電子部品本体と、
   前記第１の外部電極に接続され、リード線から構成される第１の金属端子と、前記第２の外部電極に接続され、リード線から構成される第２の金属端子と、
   前記電子部品本体と前記第１および第２の外部電極と、前記第１および第２の金属端子の一部を覆う外装樹脂材と
   を有するセラミック電子部品であって、
   前記素体の前記第２の主面が、前記セラミック電子部品を実装するべき実装基板の実装面の側に位置し、
   前記第１の金属端子は、前記第１の外部電極に接続される第１の端子接合部と、前記第１の端子接合部に接続され、前記電子部品本体と前記実装基板の前記実装面との間に隙間ができるように延長される第１の延長部と、前記第１の延長部に接続され、前記電子部品本体側とは反対側に延びる第１の実装部と、を有し、
   前記第２の金属端子は、前記第２の外部電極に接続される第２の端子接合部と、前記第２の端子接合部に接続され、前記電子部品本体と前記実装基板の前記実装面との間に隙間ができるように延長される第２の延長部と、前記第２の延長部に接続され、前記電子部品本体側とは反対側に延びる第２の実装部と、を有し、
   前記外装樹脂材は、前記実装基板の前記実装面の側に突出する突起部が設けられ、
   前記第１の実装部は、前記実装基板の前記実装面の側に突出する第１の凸状屈曲部が設けられ、
   前記第２の実装部は、前記実装基板の前記実装面の側に突出する第２の凸状屈曲部が設けられ、
   前記第１の凸状屈曲部、前記第２の凸状屈曲部および前記突起部の頂点が、それぞれ前記実装基板の前記実装面に接触するように配置されている、セラミック電子部品。
2. 前記第１の凸状屈曲部および前記第２の凸状屈曲部の高さは、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下である、請求項１に記載のセラミック電子部品。
3. 前記第１の金属端子および前記第２の金属端子の表面が、黒色塗装もしくは酸化処理されている、請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
4. 互いに対向する第１の主面および第２の主面を有する素体と、
   前記素体上に配置される第１の外部電極と、前記素体上に配置される第２の外部電極と、を備える電子部品本体と、
   前記第１の外部電極に接続され、リード線から構成される第１の金属端子と、前記第２の外部電極に接続され、リード線から構成される第２の金属端子と、
   前記電子部品本体と前記第１および第２の外部電極と、前記第１および第２の金属端子の一部を覆う外装樹脂材と
   を有するセラミック電子部品であって、
   前記素体の前記第２の主面が、前記セラミック電子部品を実装するべき実装基板の実装面の側に位置し、
   前記第１の金属端子は、前記第１の外部電極に接続される第１の端子接合部と、前記第１の端子接合部に接続され、前記電子部品本体と前記実装基板の前記実装面との間に隙間ができるように延長される第１の延長部と、前記第１の延長部に接続され、前記電子部品本体側とは反対側に延びる第１の実装部と、を有し、
   前記第２の金属端子は、前記第２の外部電極に接続される第２の端子接合部と、前記第２の端子接合部に接続され、前記電子部品本体と前記実装基板の前記実装面との間に隙間ができるように延長される第２の延長部と、前記第２の延長部に接続され、前記電子部品本体側とは反対側に延びる第２の実装部と、を有し、
   前記外装樹脂材は、前記実装基板の前記実装面の側に突出する突起部が設けられ、
   前記第１の実装部は、前記実装基板の前記実装面の側に突出する第１の凸状屈曲部が設けられ、
   前記第２の実装部は、前記実装基板の前記実装面の側に突出する第２の凸状屈曲部が設けられ、
   前記第１の凸状屈曲部および前記第２の凸状屈曲部の頂点が、それぞれ前記実装基板の前記実装面に接合されている、セラミック電子部品の実装構造であって、
   前記第１の凸状屈曲部の位置における前記実装基板の前記実装面とは反対側の第１の凹状屈曲部から、前記実装基板の前記実装面に溶接接合され、
   前記第２の凸状屈曲部の位置における前記実装基板の前記実装面とは反対側の第２の凹状屈曲部から、前記実装基板の前記実装面に溶接接合されている、セラミック電子部品の実装構造。
5. 前記溶接接合は、前記第１の凹状屈曲部および前記第２の凹状屈曲部に対して、それぞれレーザーを照射することによって、レーザー溶接接合されている、請求項４に記載のセラミック電子部品の実装構造。

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